JPH11100493A - 電気電子素子封止用樹脂組成物 - Google Patents
電気電子素子封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH11100493A JPH11100493A JP28125597A JP28125597A JPH11100493A JP H11100493 A JPH11100493 A JP H11100493A JP 28125597 A JP28125597 A JP 28125597A JP 28125597 A JP28125597 A JP 28125597A JP H11100493 A JPH11100493 A JP H11100493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- resin
- resin composition
- liquid
- liquid polybutadiene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体封止樹脂の耐湿性を高め、外部からの
水分等の浸入に対して有効な保護作用を果たし、半導体
の信頼性を著しく向上させる封止樹脂、特に液状封止に
適した封止樹脂を提供する。 【解決手段】 ビニル基含量２％以下、１,４−シス体
含量７０〜９０％、１,４−トランス体含量１０〜３０
％および数平均分子量５００〜４,５００である液状ポ
リブタジエンをエポキシ化してなる、エポキシ当量１０
０〜３,０００および ２５℃における粘度５〜２,５０
０ポイズのエポキシ化液状ポリブタジエン（Ａ）ならび
に硬化剤（Ｂ）を必須成分とする電気電子素子封止用樹
脂組成物。
水分等の浸入に対して有効な保護作用を果たし、半導体
の信頼性を著しく向上させる封止樹脂、特に液状封止に
適した封止樹脂を提供する。 【解決手段】 ビニル基含量２％以下、１,４−シス体
含量７０〜９０％、１,４−トランス体含量１０〜３０
％および数平均分子量５００〜４,５００である液状ポ
リブタジエンをエポキシ化してなる、エポキシ当量１０
０〜３,０００および ２５℃における粘度５〜２,５０
０ポイズのエポキシ化液状ポリブタジエン（Ａ）ならび
に硬化剤（Ｂ）を必須成分とする電気電子素子封止用樹
脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は可撓性に優れた電気
電子素子、例えば半導体の封止用樹脂組成物に関するも
のである。
電子素子、例えば半導体の封止用樹脂組成物に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体素子の製造に用いる樹
脂封止材料は、（ａ）トランスファー成形で封止するモ
ールド樹脂、および（ｂ）ポッティング、印刷等で封止
する液状封止樹脂に大別される。近年、ＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）等の表面実装タイプのパッケージが
増加するにつれ、より薄型のパッケージとすることが要
望されているが、従来、このような用途にはエポキシ系
封止樹脂組成物が用いられている。
脂封止材料は、（ａ）トランスファー成形で封止するモ
ールド樹脂、および（ｂ）ポッティング、印刷等で封止
する液状封止樹脂に大別される。近年、ＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）等の表面実装タイプのパッケージが
増加するにつれ、より薄型のパッケージとすることが要
望されているが、従来、このような用途にはエポキシ系
封止樹脂組成物が用いられている。
【０００３】半導体素子の高密度化や多ピン化に伴い、
より信頼性の高い樹脂の開発が望まれ、その開発の一環
として、特開平６−８５１１７号公報には、変性エポキ
シ化ポリブタジエンが開示されている。しかし、年々半
導体装置に対する信頼性の要求が高まるにつれ、上記公
報の樹脂組成物を用いても十分な信頼性を得ることが困
難になりつつある。
より信頼性の高い樹脂の開発が望まれ、その開発の一環
として、特開平６−８５１１７号公報には、変性エポキ
シ化ポリブタジエンが開示されている。しかし、年々半
導体装置に対する信頼性の要求が高まるにつれ、上記公
報の樹脂組成物を用いても十分な信頼性を得ることが困
難になりつつある。
【０００４】さらに、近年の半導体封止においては、半
導体の大型化およびそれに伴う形状の複雑さなどから、
従来のトランスファー成形、射出成形などのように金型
を用い一定の荷重下で加熱溶融した樹脂を充填して封止
する方法に代わり、液状封止と称する封止成形方法が用
いられることがある。液状封止とは、常温で液状の樹脂
を用い、特に金型等を用いることなく、半導体素子の表
面上に流延操作等により樹脂の自重で流し、適宜に加熱
して硬化操作を終了させる方法である。素子は複雑な形
状を有するため、表面に流延された液状樹脂は適宜に溜
りを形成して素子を封止することができる。液状樹脂を
流延させる際に貯留を容易にするため、適宜に堰止め用
の部材を設けてもよい。このような液状封止のための樹
脂としては、常温で液状であるほかに、特に低粘度であ
って、しかも適度の加熱により容易に硬化することが要
求される。しかしながら、従来の樹脂は必ずしも液状封
止に適するものではない。
導体の大型化およびそれに伴う形状の複雑さなどから、
従来のトランスファー成形、射出成形などのように金型
を用い一定の荷重下で加熱溶融した樹脂を充填して封止
する方法に代わり、液状封止と称する封止成形方法が用
いられることがある。液状封止とは、常温で液状の樹脂
を用い、特に金型等を用いることなく、半導体素子の表
面上に流延操作等により樹脂の自重で流し、適宜に加熱
して硬化操作を終了させる方法である。素子は複雑な形
状を有するため、表面に流延された液状樹脂は適宜に溜
りを形成して素子を封止することができる。液状樹脂を
流延させる際に貯留を容易にするため、適宜に堰止め用
の部材を設けてもよい。このような液状封止のための樹
脂としては、常温で液状であるほかに、特に低粘度であ
って、しかも適度の加熱により容易に硬化することが要
求される。しかしながら、従来の樹脂は必ずしも液状封
止に適するものではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体封止樹脂の耐湿性を高め、外部からの水分等の浸入に
対して有効な保護作用を果たし、半導体の信頼性を著し
く向上させる封止樹脂、特に液状封止に適した封止樹脂
を提供することにある。
体封止樹脂の耐湿性を高め、外部からの水分等の浸入に
対して有効な保護作用を果たし、半導体の信頼性を著し
く向上させる封止樹脂、特に液状封止に適した封止樹脂
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に沿って鋭意検討を行った結果、特定構造のエポキシ
化液状ポリブタジエンを用いることにより、特に液状封
止において、各種電気電子素子に対する水分の浸入を抑
え、プレッシャー クッカー テスト等の高温高湿度下に
おける信頼性を著しく向上させ得ることを見出して本発
明を完成した。すなわち、本発明は、ビニル基含量２％
以下、１,４−シス体含量７０〜９０％、１,４−トラン
ス体含量１０〜３０％および数平均分子量５００〜４,
５００である液状ポリブタジエンをエポキシ化してな
る、エポキシ当量１００〜３,０００および２５℃にお
ける粘度５〜２,５００ポイズのエポキシ化液状ポリブ
タジエン（Ａ）ならびに硬化剤（Ｂ）を必須成分とする
電気電子素子、例えば半導体に用いられる封止用樹脂組
成物に関するものである。本発明のエポキシ化液状ポリ
ブタジエンは、低粘度であるので封止等の作業性が良好
であり、さらに封止性能にも優れている。
的に沿って鋭意検討を行った結果、特定構造のエポキシ
化液状ポリブタジエンを用いることにより、特に液状封
止において、各種電気電子素子に対する水分の浸入を抑
え、プレッシャー クッカー テスト等の高温高湿度下に
おける信頼性を著しく向上させ得ることを見出して本発
明を完成した。すなわち、本発明は、ビニル基含量２％
以下、１,４−シス体含量７０〜９０％、１,４−トラン
ス体含量１０〜３０％および数平均分子量５００〜４,
５００である液状ポリブタジエンをエポキシ化してな
る、エポキシ当量１００〜３,０００および２５℃にお
ける粘度５〜２,５００ポイズのエポキシ化液状ポリブ
タジエン（Ａ）ならびに硬化剤（Ｂ）を必須成分とする
電気電子素子、例えば半導体に用いられる封止用樹脂組
成物に関するものである。本発明のエポキシ化液状ポリ
ブタジエンは、低粘度であるので封止等の作業性が良好
であり、さらに封止性能にも優れている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細について説明
する。本発明のビニル基含量２％以下、１,４−シス体
含量７０〜９０％、１,４−トランス体含量１０〜３０
％および数平均分子量５００〜４,５００である液状ポ
リブタジエンは、いわゆるチーグラー（Ziegler）触媒
により製造することができる。例えばエチルアルミニウ
ムセスキクロライド（ethyl aluminium sesquichlorid
e）とニッケル(II)ジアセチルアセトナート（nickelous
diacetylacetonate）との混合触媒を用い、ベンゼン、
ペンタン等の有機溶剤中において、０℃でブタジエンを
導入することにより製造することができる。液状ポリブ
タジエンの製造方法としては、ラジカル重合や例えば金
属ナトリウム錯体触媒によるアニオン重合等も知られて
いる。しかしながら、これらの方法の多くは、ポリブタ
ジエンを製造するとされているが、重合方法に由来して
連鎖移動反応や停止反応などによりブタジエン主鎖の途
中や末端に極性基が付加されるため、封止材料として必
要な電気特性が低下したり、エポキシ化した場合に高粘
度になるなどの結果を招く。本発明に用いる上記液状ポ
リブタジエンは、その重合機構からも判るように、炭素
−炭素二重結合を有するブタジエン骨格のほかには、末
端も含めて極性基等を有しないものである。
する。本発明のビニル基含量２％以下、１,４−シス体
含量７０〜９０％、１,４−トランス体含量１０〜３０
％および数平均分子量５００〜４,５００である液状ポ
リブタジエンは、いわゆるチーグラー（Ziegler）触媒
により製造することができる。例えばエチルアルミニウ
ムセスキクロライド（ethyl aluminium sesquichlorid
e）とニッケル(II)ジアセチルアセトナート（nickelous
diacetylacetonate）との混合触媒を用い、ベンゼン、
ペンタン等の有機溶剤中において、０℃でブタジエンを
導入することにより製造することができる。液状ポリブ
タジエンの製造方法としては、ラジカル重合や例えば金
属ナトリウム錯体触媒によるアニオン重合等も知られて
いる。しかしながら、これらの方法の多くは、ポリブタ
ジエンを製造するとされているが、重合方法に由来して
連鎖移動反応や停止反応などによりブタジエン主鎖の途
中や末端に極性基が付加されるため、封止材料として必
要な電気特性が低下したり、エポキシ化した場合に高粘
度になるなどの結果を招く。本発明に用いる上記液状ポ
リブタジエンは、その重合機構からも判るように、炭素
−炭素二重結合を有するブタジエン骨格のほかには、末
端も含めて極性基等を有しないものである。
【０００８】本発明の樹脂組成物に用いられるエポキシ
化液状ポリブタジエンは、上記ポリブタジエンを、従来
公知の過酸化法等のエポキシ化方法によりエポキシ化し
た常温で液状のポリマーである。そのエポキシ当量は１
００〜３,０００であり、２５℃における粘度は５〜２,
５００ポイズ、好ましくは５〜５００ポイズ、さらに好
ましくは５〜３００ポイズの範囲にある。なお封止に際
しては、従来公知のエポキシ樹脂、例えばビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂を適宜の量加えることができる。
化液状ポリブタジエンは、上記ポリブタジエンを、従来
公知の過酸化法等のエポキシ化方法によりエポキシ化し
た常温で液状のポリマーである。そのエポキシ当量は１
００〜３,０００であり、２５℃における粘度は５〜２,
５００ポイズ、好ましくは５〜５００ポイズ、さらに好
ましくは５〜３００ポイズの範囲にある。なお封止に際
しては、従来公知のエポキシ樹脂、例えばビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂を適宜の量加えることができる。
【０００９】硬化剤としては、酸無水物、三級アミンや
四級アンモニウム塩等のアミン類、イミダゾール類、ホ
ウ素化合物、ポリフェノール等が例示される。アミンと
しては、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェ
ニルエーテルおよびこれらの変性物等の芳香環を有する
ものが望ましい。また、ポリフェノール類としては、フ
ェノール類とアルデヒド類との初期縮合物であるノボラ
ックや、ポリビニルフェノール等が用いられる。硬化剤
の量は、エポキシ化ポリブタジエン１００重量部あたり
０.５〜１００重量部の範囲から適宜に選択することが
できる。
四級アンモニウム塩等のアミン類、イミダゾール類、ホ
ウ素化合物、ポリフェノール等が例示される。アミンと
しては、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェ
ニルエーテルおよびこれらの変性物等の芳香環を有する
ものが望ましい。また、ポリフェノール類としては、フ
ェノール類とアルデヒド類との初期縮合物であるノボラ
ックや、ポリビニルフェノール等が用いられる。硬化剤
の量は、エポキシ化ポリブタジエン１００重量部あたり
０.５〜１００重量部の範囲から適宜に選択することが
できる。
【００１０】本発明において、樹脂と電気電子素子の線
膨張係数の差を低減することが必要な場合には、無機フ
ィラーを添加することが好ましい。無機フィラーの例と
しては球状シリカ、破砕シリカ、溶融シリカ等のシリカ
粉末が好ましく、その添加量は全組成物中に９０重量％
以下であることが好ましい。９０重量％を超える量で
は、密着性の低下や、組成物の粘度増加による作業性の
低下を招く。下限値は特にないが、通常は１重量％以上
である。１重量％未満の量では、線膨張係数の差を低減
する効果が得られ難い。本発明の組成物には、従来公知
の充填剤、難燃剤、着色剤等を必要により適宜加えても
よい。
膨張係数の差を低減することが必要な場合には、無機フ
ィラーを添加することが好ましい。無機フィラーの例と
しては球状シリカ、破砕シリカ、溶融シリカ等のシリカ
粉末が好ましく、その添加量は全組成物中に９０重量％
以下であることが好ましい。９０重量％を超える量で
は、密着性の低下や、組成物の粘度増加による作業性の
低下を招く。下限値は特にないが、通常は１重量％以上
である。１重量％未満の量では、線膨張係数の差を低減
する効果が得られ難い。本発明の組成物には、従来公知
の充填剤、難燃剤、着色剤等を必要により適宜加えても
よい。
【００１１】本発明の組成物を用いて半導体素子を封止
する方法は特に限定されず、通常のトランスファー成
形、射出成形、液状封止等の公知のモールド方法によっ
て行うことができる。本発明の樹脂組成物が好適に用い
られる封止成形方法は液状封止である。
する方法は特に限定されず、通常のトランスファー成
形、射出成形、液状封止等の公知のモールド方法によっ
て行うことができる。本発明の樹脂組成物が好適に用い
られる封止成形方法は液状封止である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 ＜製造例＞ （液状ポリブタジエンの製造）ベンゼンとペンタンの混
合溶剤中に、エチルアルミニウムセスキクロリドとニッ
ケル(II)ジアセチルアセトナートとの混合触媒を投入
し、０℃でブタジエンを導入して５時間重合を行った。
重合後、アルコールで触媒を失活させ、蒸留により次の
性状の液状ポリブタジエンを得た。 ビニル基含量： １％ １,４−シス体含量： ７４％ １,４−トランス体含量： ２５％ 数平均分子量： ２,０００ （エポキシ化）上記ポリブタジエンのベンゼン溶液に、
過酢酸の酢酸エチル溶液を滴下し、２０℃で２０分間攪
拌した。得られた溶液から蒸留により溶媒を除去して、
次の性状を有する常温で液状のエポキシ化液状ポリブタ
ジエンを得た。 エポキシ当量： ２４０ 粘 度： ６０ポイズ（２５℃）
る。 ＜製造例＞ （液状ポリブタジエンの製造）ベンゼンとペンタンの混
合溶剤中に、エチルアルミニウムセスキクロリドとニッ
ケル(II)ジアセチルアセトナートとの混合触媒を投入
し、０℃でブタジエンを導入して５時間重合を行った。
重合後、アルコールで触媒を失活させ、蒸留により次の
性状の液状ポリブタジエンを得た。 ビニル基含量： １％ １,４−シス体含量： ７４％ １,４−トランス体含量： ２５％ 数平均分子量： ２,０００ （エポキシ化）上記ポリブタジエンのベンゼン溶液に、
過酢酸の酢酸エチル溶液を滴下し、２０℃で２０分間攪
拌した。得られた溶液から蒸留により溶媒を除去して、
次の性状を有する常温で液状のエポキシ化液状ポリブタ
ジエンを得た。 エポキシ当量： ２４０ 粘 度： ６０ポイズ（２５℃）
【００１３】＜実施例＞下記の配合で調製した樹脂組成
物を、溜まりが形成されるように構成した半導体積層板
の上に流延し、樹脂を半導体積層板上に貯留させた。 製造例で得たエポキシ化ポリブタジエン １００重量部 ヘキサヒドロフタル酸無水物 ５０ 〃 ２−エチル−４−メチルイミダゾール ２ 〃 溶融シリカ ５０ 〃 上記の作業は、樹脂が低粘度であるため容易かつ迅速に
行うことができた。次いで１２０℃、３時間で硬化させ
て樹脂封止を行い、以下の試験に供した。 （１）ＰＣＴ（プレッシャー クッカー テスト） 条件： ２.１atm、１２５℃ 結果： １０時間後の吸水率 ０.６０％ （２）ヒート ショック テスト 条件： −５５℃×１時間および１５０℃×１時間のサ
イクル 結果： １５０回目のサイクルでもクラックの発生な
し。
物を、溜まりが形成されるように構成した半導体積層板
の上に流延し、樹脂を半導体積層板上に貯留させた。 製造例で得たエポキシ化ポリブタジエン １００重量部 ヘキサヒドロフタル酸無水物 ５０ 〃 ２−エチル−４−メチルイミダゾール ２ 〃 溶融シリカ ５０ 〃 上記の作業は、樹脂が低粘度であるため容易かつ迅速に
行うことができた。次いで１２０℃、３時間で硬化させ
て樹脂封止を行い、以下の試験に供した。 （１）ＰＣＴ（プレッシャー クッカー テスト） 条件： ２.１atm、１２５℃ 結果： １０時間後の吸水率 ０.６０％ （２）ヒート ショック テスト 条件： −５５℃×１時間および１５０℃×１時間のサ
イクル 結果： １５０回目のサイクルでもクラックの発生な
し。
【００１４】
【発明の効果】本発明の組成物は、粘度が低いので注
入、充填などの作業性が良好であり、かつ封止性能に優
れ、従来品に見られない高い信頼性を有する。したがっ
て、半導体を初めとする可撓性に優れた電気電子部品の
封止用樹脂として好適である。特に近年行われている液
状封止といわれる封止成形方法に好適に用いられる樹脂
組成物である。
入、充填などの作業性が良好であり、かつ封止性能に優
れ、従来品に見られない高い信頼性を有する。したがっ
て、半導体を初めとする可撓性に優れた電気電子部品の
封止用樹脂として好適である。特に近年行われている液
状封止といわれる封止成形方法に好適に用いられる樹脂
組成物である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ビニル基含量２％以下、１,４−シス体
含量７０〜９０％、１,４−トランス体含量１０〜３０
％および数平均分子量５００〜４,５００である液状ポ
リブタジエンをエポキシ化してなる、エポキシ当量１０
０〜３,０００および２５℃における粘度５〜２,５００
ポイズのエポキシ化液状ポリブタジエン（Ａ）ならびに
硬化剤（Ｂ）を必須成分とする電気電子素子封止用樹脂
組成物。 - 【請求項２】 前記電気電子素子が半導体である請求項
１記載の封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28125597A JP3893422B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 電気電子素子封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28125597A JP3893422B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 電気電子素子封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100493A true JPH11100493A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3893422B2 JP3893422B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=17636531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28125597A Expired - Fee Related JP3893422B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 電気電子素子封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3893422B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000039189A1 (en) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Electronic circuit device comprising an epoxy-modified aromatic vinyl-conjugated diene block copolymer |
| JP2001122945A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2002048584A1 (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | 3M Innovative Properties Company | Form-in-place gasket for electronic applications |
| WO2003021138A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | 3M Innovative Properties Company | Photocurable form-in-place gasket for electronic applications |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP28125597A patent/JP3893422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000039189A1 (en) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Electronic circuit device comprising an epoxy-modified aromatic vinyl-conjugated diene block copolymer |
| US6294270B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-09-25 | 3M Innovative Properties Company | Electronic circuit device comprising an epoxy-modified aromatic vinyl-conjugated diene block copolymer |
| US6423367B2 (en) | 1998-12-23 | 2002-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Electronic circuit device comprising an epoxy-modified aromatic vinyl-conjugated diene block copolymer |
| JP2001122945A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2002048584A1 (en) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | 3M Innovative Properties Company | Form-in-place gasket for electronic applications |
| US6670017B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-12-30 | 3M Innovative Properties Company | Photocurable form-in-place gasket for electronic applications |
| WO2003021138A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | 3M Innovative Properties Company | Photocurable form-in-place gasket for electronic applications |
| JP2005502010A (ja) * | 2001-09-04 | 2005-01-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電子用途のための光硬化性現場成形ガスケット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3893422B2 (ja) | 2007-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5998509A (en) | Resin composition and semiconductor device employing the same | |
| US5258426A (en) | Semiconductor device encapsulant | |
| WO2022104878A1 (zh) | 一种半导体芯片五边保护用液态模封胶及制备方法 | |
| JP2660012B2 (ja) | ゴム変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3893422B2 (ja) | 電気電子素子封止用樹脂組成物 | |
| KR102039409B1 (ko) | 절연체용 캐스트 수지 시스템 | |
| JPH1192550A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2849004B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH05259316A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08151428A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 | |
| JPH09176287A (ja) | 液状エポキシ樹脂封止材料 | |
| JPH1192549A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4951954B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0782343A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003268205A (ja) | エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| CN108219726A (zh) | 一种单组分快速固化围堰胶及其制备方法 | |
| JP3235798B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0570665A (ja) | 光学素子封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH03174434A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2550635B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3449603B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61296019A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS62260820A (ja) | 重合用組成物 | |
| JPH02235918A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2793449B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040917 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20061013 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061020 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061024 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20061025 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |