JPH11100444A - Electroconductive sheet in thickness direction and its production - Google Patents

Electroconductive sheet in thickness direction and its production

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JPH11100444A
JPH11100444A JP26425597A JP26425597A JPH11100444A JP H11100444 A JPH11100444 A JP H11100444A JP 26425597 A JP26425597 A JP 26425597A JP 26425597 A JP26425597 A JP 26425597A JP H11100444 A JPH11100444 A JP H11100444A
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JP
Japan
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bis
aminophenoxy
benzene
conductor
insulating sheet
Prior art date
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Pending
Application number
JP26425597A
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Japanese (ja)
Inventor
Etsu Takeuchi
江津 竹内
Yoshitaka Okugawa
良隆 奥川
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP26425597A priority Critical patent/JPH11100444A/en
Publication of JPH11100444A publication Critical patent/JPH11100444A/en
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject sheet capable of collectively and simultaneously connecting plural electrode terminals of semiconductor element or the like in high reliability by arranging terminals comprising conductors on the surface of an insulating sheet comprising a specific polyimide resin. SOLUTION: This sheet is obtained by arranging terminals comprising conductors on the either one surface of an insulating sheet comprising a polyimide resin in which the molar ratio of components constituting the resin is represented by the equation 0.9>=(d+e)/(a+b+c+d+e)<=1.1 wherein (a) mole of silicondiamine of the formula [R1 to R4 are each H or a <=6C monofunctional aliphatic or aromatic hydrocarbon; (k) is an integer of 4-10], (b) mole of a specific diamine and (c) mole of other diamine are used as amine components and (d) mole of a specific tetracarboxylic acid dianhydride and (e) mole of the other acid dianhydride are used as acid components, and the insulating sheet is softened in heat contact bonding to a body to be connected and the conductor is sank, and the conduction of the body to be connected to the opposite face of the insulating sheet is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や電気
・電子部品の複数の電極端子を一括して同時に高い信頼
性で電気的及び機械的に接続することのできる厚さ方向
導電シート及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thickness direction conductive sheet capable of simultaneously and highly reliably electrically and mechanically connecting a plurality of electrode terminals of a semiconductor element and an electric / electronic component at the same time, and a sheet thereof. It relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化さらには高
密度実装化が進んできている。これらの電子機器に使用
される半導体パッケージは小型化かつ多ピン化してきて
おり、また、半導体パッケージを含めた電子部品を実装
する実装用基板も小型化してきている。さらには電子機
器への収納性を高めるためリジット基板とフレキシブル
基板を積層し一体化して折り曲げを可能としたリジット
フレックス基板が実装用基板として使われるようになっ
てきている。
2. Description of the Related Art With the recent demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic equipment, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages used in these electronic devices have been reduced in size and number of pins, and mounting substrates for mounting electronic components including the semiconductor packages have also been reduced in size. Further, in order to enhance the storability in electronic devices, a rigid-flex board, in which a rigid board and a flexible board are laminated and integrated and can be bent, has been used as a mounting board.

【0003】半導体パッケージはその小型化に伴って、
従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケー
ジでは小型化に限界がきているため、最近では回路基板
上にチップを実装したものとしてBGA(Ball G
rid Array)やCSP(Chip Scale
Package)といったエリア実装型の新しいパッ
ケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケー
ジにおいて、半導体チップの電極と従来型半導体パッケ
ージのリードフレームの機能を有する半導体パッケージ
用基板と呼ばれるプラスチックやセラミックス等各種材
料を使って構成されるサブストレートの端子との電気的
接続方法として、ワイヤーボンディング方式やTAB
(Tape Automated Bonding)方
式、さらにはFC(Frip Chip)方式などが知
られているが、最近では半導体パッケージの小型化に有
利なFC接続方式を用いたBGAやCSPの構造が盛ん
に提案されている。このFC接続方式は、一般に、半導
体チップの電極にあらかじめ接続用バンプを形成してお
き、このバンプとサブストレート上の端子を位置合わせ
して熱圧着により接続するが、半導体チップの電極にバ
ンプを形成する工程が複雑でバンプ製造コストがかか
り、また、バンプ接続部分の耐湿信頼性を得るためチッ
プとサブストレートとの間隙に、アンダーフィルと呼ば
れる樹脂を充填して接続部分を封止する必要があり、こ
のアンダーフィル樹脂を充填し硬化させる工程が必要と
なるため製造工程が複雑で製造コストが高くなる問題が
ある。そこで、半導体チップとサブストレートの電気的
接続に、バンプに代わる接続材料として異方導電シート
を使用する方法が着目され検討されている。
[0003] With the miniaturization of semiconductor packages,
Since the miniaturization of a package using a conventional lead frame has reached its limit, it has recently been proposed to mount a chip on a circuit board and use a BGA (Ball G
Rid Array) and CSP (Chip Scale)
A new package method of area mounting type such as “Package” has been proposed. In these semiconductor packages, a method of electrically connecting electrodes of a semiconductor chip to terminals of a substrate made of various materials such as plastics and ceramics, which is called a semiconductor package substrate having a function of a lead frame of a conventional semiconductor package. As a wire bonding method or TAB
(Tape Automated Bonding) method and FC (Flip Chip) method are known. Recently, BGA and CSP structures using FC connection method which is advantageous for miniaturization of semiconductor packages have been actively proposed. I have. In this FC connection method, generally, a connection bump is formed in advance on a semiconductor chip electrode, and the bump and the terminal on the substrate are aligned and connected by thermocompression bonding. The formation process is complicated and bump manufacturing costs are high, and it is necessary to fill the gap between the chip and the substrate with a resin called underfill to seal the connection part in order to obtain the moisture resistance reliability of the bump connection part. In addition, there is a problem that a process of filling and curing the underfill resin is required, so that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased. Accordingly, a method of using an anisotropic conductive sheet as a connection material instead of a bump for electrical connection between a semiconductor chip and a substrate has been focused on and studied.

【0004】一方、実装用基板も小型化の必要から回路
のファイン化と多層化が進んでおり、特に多層化におけ
る層間接続回路のファイン化が実装用基板の小型化のた
めに重要な要素となってきている。従来から知られてい
る貫通ビアで層間接続を行う多層板は、ドリル径の限界
や貫通ビアであるために各層の配線設計に制約が多く基
板の小型化は限界となっている。そこで、最近では、コ
ア基板の上に絶縁樹脂層を形成し、これに回路及びビア
形成を繰り返し行い積層して多層板を得るビルドアップ
方式が注目され様々な提案がなされている。このビルド
アップ方式は、レーザ法またはフォトリソ法による微小
穴形成とメッキによる導体形成でファインでかつ各層独
立した層間接続回路を得られるので高密度配線多層板が
実現でき、実装用基板の小型化に有利である。しかしな
がら、この方式は1層を形成する一連の工程を繰り返し
て多層化を行うため、層数に比例して加工工数が増大す
るとともに歩留まりが低下するといった問題により製造
コストが高くなってしまう欠点がある。そこで、製造コ
ストを押さえた高密度配線多層板の製造方法として、層
間接続材料に異方導電シートを使用し、これと両面板と
の積層で多層板を得る方法が提案され検討されている。
[0004] On the other hand, circuit boards are becoming finer and multi-layered due to the necessity of miniaturization. In particular, finer inter-layer connection circuits in multi-layering are important factors for miniaturization of mounting boards. It has become to. Conventionally known multilayer boards that perform interlayer connection with through vias have limitations on the drill diameter and the wiring design of each layer due to the through vias, which limits the miniaturization of the board. Therefore, recently, a build-up method in which an insulating resin layer is formed on a core substrate, and a circuit and a via are repeatedly formed on the insulating resin layer to obtain a multilayer board by laminating the insulating resin layer has attracted attention and various proposals have been made. With this build-up method, fine holes can be formed by laser method or photolithography method and conductors formed by plating, and fine and independent interlayer connection circuits can be obtained. It is advantageous. However, in this method, since a series of steps of forming one layer is repeated to perform multi-layering, the manufacturing cost increases due to the problem that the number of processing steps increases in proportion to the number of layers and the yield decreases. is there. Therefore, as a method of manufacturing a high-density wiring multilayer board with a reduced manufacturing cost, a method of using an anisotropic conductive sheet as an interlayer connection material and obtaining a multilayer board by laminating this with a double-sided board has been proposed and studied.

【0005】また最近、実装用基板の形態として盛んに
採用されているリジットフレックス基板においても、従
来の貫通ビアによるリジット基板とフレキシブル基板の
層間接続方法が、多層板の層間接続の場合と同様に、基
板の小型化の妨げとなってきており、ここでも層間接続
材料に異方導電シートを使用することにより、高密度配
線化を可能として基板の小型化を図る試みがなされてい
る。
In the case of a rigid-flex board, which has recently been widely used as a mounting board, the conventional method of connecting a rigid board and a flexible board by through vias is the same as in the case of interlayer connection of a multilayer board. In this case, the use of an anisotropic conductive sheet as an interlayer connection material has been attempted to achieve high-density wiring and to reduce the size of the substrate.

【0006】上記のように異方導電シートを厚さ方向の
電気的接続材料として用いることは、半導体パッケージ
や実装用基板の小型化に有効な手段として益々注目され
てきており、以下のような異方導電シートが提案されて
いる。
The use of an anisotropic conductive sheet as an electrical connection material in the thickness direction as described above has been attracting more and more attention as an effective means for reducing the size of semiconductor packages and mounting substrates. Anisotropic conductive sheets have been proposed.

【0007】従来より、熱可塑性や熱硬化性の樹脂中に
導電性の微粒子を分散させ、熱圧着時に樹脂が流動して
接続端子間に挟まれた導電性の微粒子によって厚さ方向
の電気的接続を得る異方導電シートがよく知られてお
り、液晶ディスプレイパネルとTCP(Tape Ca
rrier Package)の電気的接続などに使用
されている。前記構造の異方導電シートは樹脂に導電性
微粒子を分散させるといった比較的簡単な工程で製造で
きることを特徴としている。また最近では、樹脂フィル
ムにドリルやレーザによって微小な貫通穴を明け、その
後メッキや導電性ペースト印刷などの方法により、貫通
穴内部を導電体で充填し、さらに樹脂フィルムの表面に
接着層を形成した構造であって、熱圧着時に接着層が流
動し導電体が露出して接続端子間に挟まれた導電体によ
って厚さ方向の電気的接続を得る異方導電シートが提案
されている。前記構造の異方導電シートは導電体をシー
ト面内の任意の位置に配置できることを特徴としてい
る。
Conventionally, conductive fine particles are dispersed in a thermoplastic or thermosetting resin, and the resin flows during thermocompression bonding, so that the conductive fine particles sandwiched between the connection terminals make the electrical conduction in the thickness direction possible. Anisotropic conductive sheets for obtaining connection are well known, and include a liquid crystal display panel and a TCP (Tape Ca).
RRer Package). The anisotropic conductive sheet having the above structure is characterized in that it can be manufactured by a relatively simple process of dispersing conductive fine particles in a resin. Recently, a small through hole was drilled in a resin film using a drill or laser, and then the inside of the through hole was filled with a conductor by plating or conductive paste printing, and an adhesive layer was formed on the surface of the resin film. There has been proposed an anisotropic conductive sheet having such a structure, in which an adhesive layer flows at the time of thermocompression bonding, a conductor is exposed, and an electrical connection in a thickness direction is obtained by a conductor sandwiched between connection terminals. The anisotropic conductive sheet having the above structure is characterized in that the conductor can be arranged at an arbitrary position in the sheet surface.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして得られる異方導電シートには次の様な問題が
ある。まず、熱可塑性や熱硬化性の樹脂中に導電性微粒
子を分散させた構造のものは、電気的接続を電極と端子
間に確率的に存在する導電性微粒子によって得ているた
め、端子が狭ピッチになるに従い、導電性微粒子をより
微小により多く分散させる必要があり、これにより、微
粒子密度が高まり微粒子間距離が狭まるため電気的絶縁
性が低下する問題と、微粒子と端子との接続面積が小さ
くなるため接続抵抗が上昇する問題がある。また、前記
構造の異方導電シートはシート面内で接続点を任意に選
べないため、多層板の層間接続に使用する場合などは、
あらかじめ接続する端子以外の回路を絶縁樹脂で被覆し
て、さらに導通させるべき部分のみが圧力を受ける構造
としなければならず、実際には多層板の全面に前記構造
の異方導電シートを配して導通を図ることは困難であ
る。
However, the anisotropic conductive sheet obtained as described above has the following problems. First, in the case of a structure in which conductive fine particles are dispersed in a thermoplastic or thermosetting resin, the terminals are narrow because electrical connection is obtained by the conductive fine particles that are stochastically present between the electrodes and the terminals. As the pitch becomes smaller, it is necessary to disperse the conductive fine particles more and more finely, thereby increasing the density of the fine particles and narrowing the distance between the fine particles, thereby deteriorating the electrical insulation property and the connection area between the fine particles and the terminals. There is a problem that the connection resistance increases due to the decrease. In addition, since the anisotropic conductive sheet having the above-described structure does not allow a connection point to be arbitrarily selected in the sheet plane, when used for interlayer connection of a multilayer board,
Circuits other than the terminals to be connected in advance must be covered with an insulating resin, and only the portion to be conducted must be subjected to pressure.In practice, an anisotropic conductive sheet having the above structure is arranged on the entire surface of the multilayer board. It is difficult to achieve conduction.

【0009】次に、樹脂フィルムにドリルやレーザによ
って微小な貫通穴を明け、その後メッキや導電性ペース
ト印刷などの方法により貫通穴内部を導電体で充填し、
さらに樹脂フィルムの表面に接着層を形成した構造のも
のは、端子が狭ピッチになるに従い、高位置精度での微
小な穴あけ加工が必要となり、レーザによる穴明け加工
が主流となってくるが、レーザは加工速度が遅く生産性
が低い上、ランニングコストも高いといった問題があ
る。また、微小穴への導電体形成は、一般に、メッキで
行われるが、穴径が小さくなるほど均一なメッキが難し
く、導電体の高さにバラツキを生じ易く、端子接続時に
電気的接続が出来ないといった品質低下の問題がある。
また、加工工程が多くコストが高い。
Next, a minute through hole is made in the resin film by a drill or a laser, and then the inside of the through hole is filled with a conductor by a method such as plating or conductive paste printing.
Furthermore, in the case of a structure in which an adhesive layer is formed on the surface of a resin film, as the terminals become narrower, fine drilling with high positional accuracy is required, and laser drilling becomes the mainstream. Lasers have problems such as low processing speed, low productivity, and high running cost. In addition, the formation of a conductor in a minute hole is generally performed by plating. However, as the hole diameter becomes smaller, uniform plating is more difficult, the height of the conductor tends to vary, and electrical connection cannot be performed at the time of terminal connection. Quality degradation.
Further, the number of processing steps is large and the cost is high.

【0010】そこで本発明は、従来の異方導電シートが
有する上記の問題を鑑みて、鋭意研究をした結果なされ
たものであり、半導体チップとサブストレートとの接続
や多層板の層間接続などの厚さ方向の電気的かつ機械的
接続を用途とした、端子の狭ピッチ化にも電気的接続を
確実に行うとともに隣接する端子との電気的絶縁性も有
し、加工後それらを高い信頼性で保持するとともに、か
つ低加工コストで製造できる厚さ方向導電シートを提供
することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made as a result of intensive studies in view of the above-mentioned problems of the conventional anisotropic conductive sheet, and has been developed for the connection between a semiconductor chip and a substrate and the interlayer connection of a multilayer board. Uses electrical and mechanical connection in the thickness direction to ensure reliable electrical connection even when the terminal pitch is reduced and also has electrical insulation between adjacent terminals, ensuring high reliability after processing It is an object of the present invention to provide a thickness direction conductive sheet which can be held at a low processing cost.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の厚さ方向導電シートでは、式(1)で表
されるシリコンジアミンaモル、2,2−ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、2,2
−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサ
フルオロプロパン、ビス{4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル}エーテル、1,3−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)
ベンゼン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、
2,5−ジアミノ−p−キシレン、1,3−ビス(3−
アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサンのうちから選ばれた1種あるいは2種以上のジ
アミンbモルと他のジアミンcモルをアミン成分とし、
4,4’−オキシジフタル酸二無水物、3,3’,4,
4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物の群から選ばれた1種類または2種類以上のテトラ
カルボン酸二無水物cモルを酸成分とし、かつ0.1≦
a/(a+b+c)≦0.5、0.05≦b/(a+b
+c)≦0.5、0.9≦c/(a+b+c)≦1.1
の比で反応させたポリイミド樹脂により実質的になる絶
縁性シートの表面に、導体からなる端子が配列されてお
り、被接続体との加熱圧着時に、該絶縁性シートが軟化
することによって、上記の導体が該絶縁性シートの内部
に反対面に達するまで沈み込み、該絶縁性シートの反対
面との導通が得られると同時に被接続体との機械的接着
が行われることを特徴としている。
In order to achieve the above object, in the thickness direction conductive sheet of the present invention, a mole of silicon diamine represented by the formula (1), 2,2-bis @ 4-
(4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2
-Bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis ( 3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy)
Benzene, 3,4′-diaminodiphenyl ether,
2,5-diamino-p-xylene, 1,3-bis (3-
(Aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, one or more diamines b mol and other diamines c mol are selected as amine components.
4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4
4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,
One or more kinds of tetracarboxylic dianhydride cmol selected from the group of 3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride are used as an acid component, and 0.1 ≦
a / (a + b + c) ≦ 0.5, 0.05 ≦ b / (a + b
+ C) ≦ 0.5, 0.9 ≦ c / (a + b + c) ≦ 1.1
Terminals made of conductors are arranged on the surface of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of, and the insulating sheet is softened at the time of heating and compression bonding with a connected body. Is sunk into the inside of the insulating sheet until it reaches the opposite surface, whereby electrical conduction with the opposite surface of the insulating sheet is obtained and at the same time mechanical bonding with the connected object is performed.

【0012】[0012]

【化1】 (式中R1,R2,R3,R4は水素原子または炭素数6以下の一価
の脂肪族あるいは芳香族炭化水素基、R5,R6は炭素数1以
上6以下の二価の脂肪族あるいは芳香族炭化水素基、kは
4以上10以下の整数)
Embedded image (Wherein R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are a hydrogen atom or a monovalent aliphatic or aromatic hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms, and R 5 and R 6 are a divalent group having 1 to 6 carbon atoms. An aliphatic or aromatic hydrocarbon group of k
(Integer between 4 and 10)

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1は本発明の厚さ方向導電シー
トの断面図の例である。図1では、被接続体との加熱圧
着を行う前の厚さ方向導電シートの断面構造が示されて
いる。図1において、絶縁性シートの片方の表面には導
体からなる端子が配列されている。被接続体との熱圧着
時に絶縁性シートを構成している樹脂が軟化することに
よって、表面に配列された、導体からなる端子が該絶縁
性シートに沈み込み、絶縁性シートの反対面にまで到達
することによって表裏を導通させることが可能となる。
被接続体との熱圧着時には、絶縁性シートの表面に配列
された端子と、被接続体の電気端子とを位置あわせして
圧着を行う。熱圧着によって、端子の電気接続が行われ
るとともに、電気端子のない部分の被接続体表面と絶縁
性シートとの接着も同時に行われる。
FIG. 1 is an example of a sectional view of a thickness direction conductive sheet of the present invention. FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a thickness direction conductive sheet before performing heat compression bonding with a connected body. In FIG. 1, terminals made of a conductor are arranged on one surface of an insulating sheet. When the resin constituting the insulating sheet is softened at the time of thermocompression bonding with the connected body, the terminals formed of conductors arranged on the surface sink into the insulating sheet and extend to the opposite surface of the insulating sheet. By reaching, it is possible to make the front and back conductive.
At the time of thermocompression bonding with the connected body, the terminals arranged on the surface of the insulating sheet and the electric terminals of the connected body are aligned and crimped. By the thermocompression bonding, the terminals are electrically connected, and at the same time, the connection between the surface of the connected body without the electric terminals and the insulating sheet is performed.

【0014】本発明の厚さ方向導電シートで接続される
被接続体としては、半導体素子とリードフレーム、半導
体素子とサブストレート、半導体パッケージと実装用基
板回、表面実装に使用されるチップ部品と実装用基板、
実装用基板と実装用基板、実装用基板とフレキシブル基
板など、厚さ方向に電気的接続を行うものに広く使用で
きるが、微細な接続が可能なことから、半導体素子とサ
ブストレートの電気的接続に使用すると特に有用であ
る。
The objects to be connected by the conductive sheet in the thickness direction of the present invention include a semiconductor element and a lead frame, a semiconductor element and a substrate, a semiconductor package and a mounting substrate, and chip parts used for surface mounting. Mounting board,
It can be widely used for devices that make electrical connections in the thickness direction, such as mounting substrates and mounting substrates, mounting substrates and flexible substrates, but because of the fine connection, electrical connection between the semiconductor element and the substrate It is particularly useful when used.

【0015】本発明の厚さ方向導電シートの導体端子
は、図1の様に絶縁性シートの片方の面のみに偏在して
配列してもよいし、図2の様に絶縁性シートの両方の面
に対向するように配列しても良い。図2の構造にした場
合、熱圧着時に絶縁性シートの両側からこの導体端子が
沈み込むため、この導体端子の高さは、絶縁性シートの
厚みの半分の高さであれば、表裏の導通を得ることがで
きる。このような構成では、表裏に配列する導体端子の
位置を正確に合わせる必要があるが、導体端子の高さ
が、片面に配列する場合に比べて低くてもよいため、導
体端子の形成が容易になる。図3は、本発明の導体端子
を絶縁性シートの両面に、相対向しないように配列した
例をしめす。図3の構造にした場合、絶縁性シートの片
面にすべての接続用端子を配列した場合よりも各接続用
の導体端子間の距離が広くとれるため、より狭ピッチの
被接続端子ピッチにも対応できる。
The conductor terminals of the conductive sheet in the thickness direction of the present invention may be arranged unevenly on only one surface of the insulating sheet as shown in FIG. 1, or may be arranged on both sides of the insulating sheet as shown in FIG. May be arranged so as to face the surface. In the case of the structure shown in FIG. 2, since the conductor terminals sink from both sides of the insulating sheet at the time of thermocompression bonding, if the height of the conductor terminals is half the thickness of the insulating sheet, the conduction between the front and back sides is reduced. Can be obtained. In such a configuration, it is necessary to precisely match the positions of the conductor terminals arranged on the front and back, but the height of the conductor terminals may be lower than when arranged on one side, so that the formation of the conductor terminals is easy. become. FIG. 3 shows an example in which the conductor terminals of the present invention are arranged on both sides of an insulating sheet so as not to face each other. In the case of the structure shown in FIG. 3, the distance between the conductor terminals for connection can be made wider than when all the connection terminals are arranged on one side of the insulating sheet, so that a narrower pitch of the connected terminals can be accommodated. it can.

【0016】本発明の厚さ方向導電シート中の絶縁性シ
ートには、種々の特性が要求される。高い電気絶縁性は
勿論であるが、その他にも導体端子加工後のシートのハ
ンドリングを保持するための自己保持性や柔軟性などの
機械特性が必要である。また加熱圧着時には、被接続体
を構成する素材を劣化させず、しかも短時間での量産を
可能とするための低温短時間での加工性、その際導体端
子がシートの内部を反対側まで移動できるような熱可塑
性、および導体端子をシートの面方向に移動させないよ
うな熱時弾性率が必要である。加熱圧着後には、被接続
体との接着性、さらなる回路接合時の熱により分解ガス
発生などを起こさない耐熱性、加工後導体金属のマイグ
レーション等を起こさないための低吸水性等の信頼性等
が要求される。本発明においては、請求項に規定した構
造のポリイミド樹脂を必須成分として主に含有させるこ
とにより、これらの特性を全て満足できることを発見す
るに至ったものである。
Various characteristics are required for the insulating sheet in the thickness direction conductive sheet of the present invention. Not only high electrical insulation but also mechanical properties such as self-holding property and flexibility for holding handling of the sheet after processing the conductor terminal are required. Also, at the time of thermocompression bonding, the material constituting the connected body does not deteriorate, and the workability at low temperature and short time enables mass production in a short time. In this case, the conductor terminals move inside the sheet to the opposite side. It is necessary to have thermoplasticity as much as possible and a thermal elastic modulus so as not to move the conductor terminals in the plane direction of the sheet. After heat-press bonding, adhesion to the connected object, heat resistance that does not cause decomposition gas generation due to heat during further circuit joining, reliability such as low water absorption to prevent migration of conductive metal after processing, etc. Is required. In the present invention, it has been found that all of these properties can be satisfied by mainly including a polyimide resin having a structure defined in the claims as an essential component.

【0017】この絶縁性シートを構成するポリイミド樹
脂は、シリコーン成分を含有することを特徴とする。こ
れは、ポリイミド構造により高耐熱性、柔軟性等の機械
特性を実現するとともに分子中のシリコーン構造により
低温短時間での加工性、低吸水性、接着性などの優れた
特性をも実現することに特徴がある。
The polyimide resin forming the insulating sheet is characterized by containing a silicone component. This is because the polyimide structure realizes mechanical properties such as high heat resistance and flexibility, and the silicone structure in the molecule also realizes excellent properties such as workability at low temperature and short time, low water absorption and adhesion. There is a feature.

【0018】本発明で使用する式(1)で表されるシリ
コーンジアミンは、α,ω−ビス(3−アミノプロピ
ル)ポリジメチルシロキサンなどであって、k=4〜1
5が好ましく、特にkの値が5〜10の範囲が、ガラス
転移温度、接着性、耐熱性の点から好ましい。kが3以
下の場合、接着工程に高温あるいは長時間が必要にな
り、逆にkが16以上の場合、シリコーン部分の相溶性
が低下し、シート全体の特性が低下してしまう。
The silicone diamine represented by the formula (1) used in the present invention is α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, etc., where k = 4-1.
5 is preferred, and a value of k in the range of 5 to 10 is particularly preferred in terms of glass transition temperature, adhesiveness, and heat resistance. When k is 3 or less, a high temperature or a long time is required for the bonding step. Conversely, when k is 16 or more, the compatibility of the silicone portion is reduced, and the properties of the entire sheet are reduced.

【0019】本発明では、2,2−ビス(4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス
{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル}エーテル、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベン
ゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,5−
ジアミノ−p−キシレン、1,3−ビス(3−アミノプ
ロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
のうちから選ばれた1種あるいは2種以上のジアミンも
使用される。本発明においては、その目的とする特性を
損なわない範囲で他の構造のジアミンを併用することも
できる。これらのジアミンの存在比は、0.1≦a/
(a+b+c)≦0.5かつ0.5≦b/(a+b+
c)≦0.9でなければならない。a/(a+b+c)
が0.1未満の場合は低温短時間での加工性が発現せ
ず、逆に0.5よりも大きい場合は絶縁性シートの耐熱
性や熱時の機械特性が低下してしまう。一方b/(a+
b+c)が0.5未満の場合、溶液状態にしてのシート
形成性が低下してしまう。
In the present invention, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis
{4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3- Aminophenoxy)
Benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 2,5-
One or more diamines selected from diamino-p-xylene and 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane are also used. In the present invention, a diamine having another structure can be used in combination as long as the intended properties are not impaired. The content ratio of these diamines is 0.1 ≦ a /
(A + b + c) ≦ 0.5 and 0.5 ≦ b / (a + b +
c) Must be ≦ 0.9. a / (a + b + c)
If is less than 0.1, workability at low temperature and short time is not exhibited, and if it is more than 0.5, heat resistance and mechanical properties of the insulating sheet when heated are deteriorated. On the other hand, b / (a +
When (b + c) is less than 0.5, the sheet formability in a solution state is reduced.

【0020】本発明で使用するテトラカルボン酸二無水
物は、ポリイミド溶液状態にしてのシート形成性と耐熱
性、接着性の併立の観点から4,4’−オキシジフタル
酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物のうちいずれかを必須成分
として単独で、あるいは2種類以上を併用して使用する
必要がある。なかでは4,4’−オキシジフタル酸二無
水物単独、あるいは3,3’,4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物と3,3’,4,4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物をそれぞれ50〜9
0モル%、50〜10モル%の存在比での併用が望まし
い。また、その目的とする特性を損なわない範囲で他の
構造の酸二無水物を全体の20モル%未満併用すること
もできる。
The tetracarboxylic dianhydride used in the present invention comprises 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 Either ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride or 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride as an essential component, alone or in combination of two or more. Must be used. Among them, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride alone, or 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 50 to 9 respectively
It is desirable to use a combination of 0 mol% and 50 to 10 mol%. Further, an acid dianhydride having another structure can be used in combination with less than 20 mol% of the whole as long as the intended properties are not impaired.

【0021】これらジアミン、酸の構成モル比は、0.
9≦(d+e)/(a+b+c+d+e)≦1.1でな
ければならない。より好ましくは、0.975≦d(d
+e)/(a+b+c+d+e)≦1.025の範囲に
あることが好ましい。(d+e)/(a+b+c+d+
e)が0.9未満では、分子量が低くて脆くなるため接
着力が弱くなる。また1.1越えると、未反応のカルボ
ン酸が加熱時に脱炭酸してガス発生、発泡の原因となり
好ましくない。
The constituent molar ratio of these diamine and acid is 0.1.
9 ≦ (d + e) / (a + b + c + d + e) ≦ 1.1. More preferably, 0.975 ≦ d (d
+ E) / (a + b + c + d + e) ≦ 1.025. (D + e) / (a + b + c + d +
When e) is less than 0.9, the adhesive strength becomes weak because the molecular weight is low and brittle. On the other hand, when the ratio exceeds 1.1, unreacted carboxylic acid is undesirably decarbonated during heating, causing gas generation and foaming.

【0022】テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの
反応は、非プロトン性極性溶媒中で公知の方法で行われ
る。非プロトン性極性溶媒は、N,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(D
MAC)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、γ
−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン(THF)、ジ
グライム、シクロヘキサノン、1,4−ジオキサン
(1,4−DO)などである。非プロトン性極性溶媒
は、一種類のみ用いてもよいし、二種類以上を混合して
用いてもよい。この時、上記非プロトン性極性溶媒と相
溶性がある非極性溶媒を混合して使用しても良い。トル
エン、キシレン、ソルベントナフサなどの芳香族炭化水
素が良く使用される。混合溶媒における非極性溶媒の割
合は、40重量%以下であることが好ましい。これは非
極性溶媒が40重量%以上では溶媒の溶解力が低下しポ
リアミド酸が析出する恐れがあるためである。テトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンとの反応は、良く乾燥した
ジアミン成分を脱水精製した前述反応溶媒に溶解し、こ
れに閉環率98%、より好ましくは99%以上の良く乾
燥したテトラカルボン酸二無水物を添加して反応を進め
る。
The reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is carried out by a known method in an aprotic polar solvent. Aprotic polar solvents include N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (D
MAC), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), γ
-Butyrolactone, tetrahydrofuran (THF), diglyme, cyclohexanone, 1,4-dioxane (1,4-DO) and the like. As the aprotic polar solvent, only one kind may be used, or two or more kinds may be used as a mixture. At this time, a non-polar solvent compatible with the aprotic polar solvent may be mixed and used. Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and solvent naphtha are often used. The proportion of the non-polar solvent in the mixed solvent is preferably 40% by weight or less. This is because if the amount of the nonpolar solvent is 40% by weight or more, the dissolving power of the solvent may be reduced and polyamic acid may be precipitated. The reaction between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is carried out by dissolving the well-dried diamine component in the above-mentioned reaction solvent that has been dehydrated and purified, and adding thereto the ring-closing rate of 98%, more preferably 99% or more. The reaction is allowed to proceed by adding the anhydride.

【0023】このようにして得たポリアミド酸溶液は、
続いて有機溶剤中で加熱脱水環化してイミド化しポリイ
ミドにすることもできる。イミド化反応によって生じた
水は閉環反応を妨害するため、水と相溶しない有機溶剤
を系中に加えて共沸させてディーン・スターク(Dea
n−Stark)管などの装置を使用して系外に排出す
る。水と相溶しない有機溶剤としてはジクロルベンゼン
が知られているが、エレクトロニクス用としては塩素成
分が混入する恐れがあるので、好ましくは前記芳香族炭
化水素を使用する。また、イミド化反応の触媒として無
水酢酸、β-ピコリン、ピリジンなどの化合物を使用す
ることは妨げない。
The polyamic acid solution thus obtained is
Subsequently, it can be dehydrated and cyclized by heating in an organic solvent to obtain a polyimide. Since water generated by the imidation reaction interferes with the ring closure reaction, an organic solvent that is incompatible with water is added to the system and azeotroped to form Dean-Stark (Dea-Stark).
Discharge out of the system using a device such as an n-Stark tube. Dichlorobenzene is known as an organic solvent that is not compatible with water, but the above-mentioned aromatic hydrocarbon is preferably used for electronics because a chlorine component may be mixed therein. Further, it does not prevent the use of compounds such as acetic anhydride, β-picoline, and pyridine as a catalyst for the imidization reaction.

【0024】本発明において、イミド閉環は程度が高い
ほど良く、イミド化率が低いと使用時の熱でイミド化が
起こり水が発生して好ましくないため、95%以上、よ
り好ましくは98%以上のイミド化率が達成されている
ことが望ましい。本発明では、得られたポリイミド溶液
を使用して加工することができる。また、該ポリイミド
溶液を貧溶媒中に投入してポリイミド樹脂を再沈析出さ
せて未反応モノマを取り除いて精製し、乾燥して固形の
ポリイミド樹脂として使用することもできる。また、こ
れらのポリイミドに、着色料、無機充填材、各種のカッ
プリング剤などをその特性を損なわない範囲で添加して
も良い。
In the present invention, the higher the degree of imide ring closure, the better the degree of imidization. If the rate of imidization is low, imidization occurs due to heat during use to generate water, which is not preferable. Therefore, 95% or more, more preferably 98% or more. Is preferably achieved. In the present invention, processing can be performed using the obtained polyimide solution. Further, the polyimide solution may be poured into a poor solvent to reprecipitate the polyimide resin, remove unreacted monomers, purify, and dry to use as a solid polyimide resin. In addition, a coloring agent, an inorganic filler, various coupling agents, and the like may be added to these polyimides as long as their properties are not impaired.

【0025】導体端子を形成する方法としては、金属箔
上に上記のポリアミド酸溶液、あるいはポリイミド溶液
を流延塗布後乾燥製膜して得られた構成物の金属箔をエ
ッチングして形成する方法、上記のポリアミド酸溶液、
あるいはポリイミド溶液よりつくられた絶縁性シートの
表面にマスクをかけてメッキによって形成する方法、あ
らかじめ絶縁性シートと金属箔をラミネートしておき、
この金属箔をエッチングして形成する方法などを用いる
ことができる。ポリアミド酸溶液を使用する場合には、
溶液流延後の加熱により溶剤の蒸発とともにアミド酸の
熱イミド化を起こすことによりポリイミドシートを得る
ことができ、溶液状態での加熱イミド化の工程が不必要
となる。しかし、実際にはアミド酸のイミド化は上記の
使用される溶剤の沸点よりも高い温度で起こるため、高
温での加熱が必要となる。そのため、高温に耐えうる乾
燥装置が必要となる、得られたポリイミド樹脂に高い熱
履歴がかかるため熱圧着時の接着性が低下する恐れがあ
る等の欠点も存在する。そのため、高い特性を得るため
にはポリイミド溶液を使用することが望ましい。ポリイ
ミド溶液の使用方法の一つとしては、再沈析出させた固
形のポリイミド樹脂を低沸点溶剤に再溶解し、さらに乾
燥温度及びポリイミド樹脂への熱履歴を低減させること
もできる。前記金属箔には、通常、圧延銅箔や電解銅箔
が使われるがこれらに限るものではない。導体端子は任
意のピッチで格子状に配列する場合と、被接続体の端子
と対応するように位置を合わせて配列する場合があり、
目的に応じて選択することができる。また、導体端子の
高さは、使用する絶縁性シートの厚みの0.7〜1.5
倍の高さが好ましい。高さが絶縁性シートの0.7倍よ
りも低いと、加熱圧着時に導体端子が絶縁用シートの裏
面にまで達せず、表裏の導通を得ることができない。ま
た、1.5倍よりも高いと、加熱圧着した時に導体端子
が柱となり被接続体と絶縁性シートに間隙ができ接着さ
せることができず電気的信頼性が落ちる。導体端子は電
気的接合をより高める目的でその表面に第2の導体層を
形成することもできる。その方法としては、例えば電解
メッキや無電解メッキなどが用いられ、導体には、例え
ば金、錫、鉛、インジウムなどの金属が用いることがで
きる。
As a method of forming the conductor terminal, a method of casting the above-mentioned polyamic acid solution or polyimide solution on a metal foil and then drying and forming the film to form a metal foil of a constituent is etched. The polyamic acid solution above,
Alternatively, a method of forming a mask on the surface of an insulating sheet made of a polyimide solution by plating, laminating an insulating sheet and a metal foil in advance,
A method of forming the metal foil by etching can be used. When using a polyamic acid solution,
The polyimide sheet can be obtained by heating after the solution casting to cause thermal imidization of the amic acid together with the evaporation of the solvent, so that the step of heat imidization in a solution state is unnecessary. However, since the imidization of amic acid actually occurs at a temperature higher than the boiling point of the solvent used, heating at a high temperature is required. For this reason, there are also disadvantages such as the necessity of a drying apparatus capable of withstanding high temperatures and the possibility that the adhesive property at the time of thermocompression bonding may be reduced due to the high heat history applied to the obtained polyimide resin. Therefore, it is desirable to use a polyimide solution in order to obtain high characteristics. One of the methods of using the polyimide solution is to re-dissolve the re-precipitated solid polyimide resin in a solvent having a low boiling point, and further reduce the drying temperature and the heat history of the polyimide resin. Usually, a rolled copper foil or an electrolytic copper foil is used as the metal foil, but the metal foil is not limited to these. The conductor terminals may be arranged in a lattice at an arbitrary pitch, or may be arranged so as to correspond to the terminals of the connected body,
It can be selected according to the purpose. The height of the conductor terminal is 0.7 to 1.5 times the thickness of the insulating sheet to be used.
Double height is preferred. When the height is lower than 0.7 times the insulating sheet, the conductor terminals do not reach the back surface of the insulating sheet during the heat-press bonding, and the conduction between the front and back cannot be obtained. On the other hand, if it is higher than 1.5 times, the conductor terminal becomes a pillar when heat-pressed, a gap is formed between the connected body and the insulating sheet, and the sheet cannot be bonded, and the electrical reliability is reduced. A second conductor layer may be formed on the surface of the conductor terminal for the purpose of further improving electrical connection. For example, electrolytic plating or electroless plating is used as the method, and a metal such as gold, tin, lead, or indium can be used for the conductor.

【0026】本発明の厚さ方向導電シートを用いて、被
接続体を接続する方法は、まず本発明の厚さ方向導電シ
ートの導体端子と、被接続体の端子とを位置合わせして
重ね合わせ、次に、加熱圧着して導体端子を絶縁性シー
トの内部に沈み込ませる。そして、導体端子が絶縁性シ
ートを貫通すると同時に、被接続体の端子と導体端子が
熱圧着により接合し、絶縁性シートと被接続体が接着さ
れる。加熱圧着時の温度は、絶縁性シートが充分に軟化
して表面に形成した導体端子が圧着時の圧力で、絶縁性
シートの内部に沈み込むような温度で行う。この温度は
絶縁性シートに使用するポリイミドの酸二無水物とジア
ミンの種類と存在比によって異なるが、概ね200〜4
00℃で行うことができる。
In the method of connecting the object to be connected using the thickness direction conductive sheet of the present invention, first, the conductor terminal of the thickness direction conductive sheet of the present invention and the terminal of the object to be connected are aligned and overlapped. Then, the conductor terminals are sunk into the insulating sheet by heat and pressure bonding. Then, at the same time that the conductor terminal penetrates the insulating sheet, the terminal of the connected body and the conductor terminal are joined by thermocompression bonding, and the insulating sheet and the connected body are bonded. The temperature at the time of thermocompression bonding is set so that the conductor sheet formed on the surface of the insulating sheet is sufficiently softened and sinks into the inside of the insulating sheet by the pressure at the time of crimping. This temperature varies depending on the type and abundance of the acid dianhydride and the diamine of the polyimide used for the insulating sheet.
It can be performed at 00 ° C.

【0027】[0027]

【実施例】【Example】

(実施例1)N−メチル−2−ピロリドン(NMP)2
68.2gを窒素ガスを流しながら10分間激しくかき
混ぜる。次に1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン78.9318g(0.0270モル)と2,2
−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロ
パン15.5994g(0.0380モル)とα,ω−
ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン2
9.2950g(平均分子量837、0.0350モ
ル)を投入し、系を60℃に加熱し均一になるまでかき
混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴で5℃に冷却し、
4,4’−オキシジフタル酸二無水物31.0222g
(0.1000モル)を粉末状のまま10分間かけて添
加し、その後5時間撹拌を続けた。この間フラスコは5
℃に保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、
キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラスコに
装着し、系中に生成したポリアミド酸溶液中にキシレン
を67.1g添加した。氷水浴から油浴に替えて系を加
熱し発生する水を系外に除いた。4時間加熱したとこ
ろ、系からの水の発生は認められなくなった。冷却後得
られたポリイミド樹脂溶液Iをリバースロールコーター
で18μm厚の圧延銅箔上に流延塗布後乾燥させて、1
5μm厚の絶縁層性シートを形成し、銅箔付きポリイミ
ドシートを得た。乾燥温度は最高200℃で乾燥時間1
5分であった。被着体として回路面の周辺に外部接続用
の電極を持った半導体素子と、半導体素子の電極に対応
する位置に接続端子をもうけたサブストレートを準備し
た。前記銅箔付きポリイミドシートの銅箔面にドライフ
ィルムレジストをラミネートし、マスク露光、ドライフ
ィルム現像、エッチング及びドライフィルム剥離の工程
により、半導体素子の電極に対応する位置に導体端子を
形成した柔軟性のある厚さ方向導電シートを得た。厚さ
方向導電シートの導体端子と、半導体素子の電極、およ
びサブストレート上の対応する端子とを、各々の電極端
子位置を合わせて重ね合わせた後に、半導体素子面から
ヒートブロックで280度に加熱しながら10kgf/cm2
の圧力で加圧して、導体端子が絶縁性シートの反対面に
達するまで内部に沈めた。この際絶縁性シートより分解
ガス等の発生は見られなかった。絶縁性シートの反対面
にまで到達した導体端子は、半導体素子の電極及びサブ
ストレートの接続端子と接合され電気導通が得られた。
また、半導体素子の表面とサブストレートの表面の各々
は、絶縁性シートが軟化して接着することによって固定
された。プッシュプルゲージにて接続面での剪断強度を
測定したところ28MPaと充分なものであった。試験
片の破断面は接着剤樹脂層が凝集破壊し、発泡は全く認
められなかった。
(Example 1) N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) 2
68.2 g is vigorously stirred for 10 minutes while flowing nitrogen gas. Next, 78.9318 g (0.0270 mol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 2,2
-Bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane 15.5994 g (0.0380 mol) and α, ω-
Bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane 2
Charge 9.2950 g (average molecular weight 837, 0.0350 mol), heat the system to 60 ° C. and stir until uniform. After dissolving uniformly, the system was cooled to 5 ° C in an ice water bath,
4,4'-oxydiphthalic dianhydride 31.0222 g
(0.1000 mol) was added over 10 minutes while keeping the powdery state, and then stirring was continued for 5 hours. During this time the flask is 5
C. After that, remove the nitrogen gas inlet tube and cooler,
A Dean-Stark tube filled with xylene was attached to the flask, and 67.1 g of xylene was added to the polyamic acid solution formed in the system. The system was heated by replacing the ice water bath with an oil bath, and the generated water was removed from the system. After heating for 4 hours, no water was generated from the system. The polyimide resin solution I obtained after cooling was cast on a rolled copper foil having a thickness of 18 μm by a reverse roll coater and then dried.
A 5 μm thick insulating layer sheet was formed to obtain a polyimide sheet with a copper foil. Drying temperature up to 200 ° C and drying time 1
5 minutes. A semiconductor element having electrodes for external connection on the periphery of the circuit surface as an adherend and a substrate having connection terminals at positions corresponding to the electrodes of the semiconductor element were prepared. The flexibility of laminating a dry film resist on the copper foil surface of the polyimide sheet with the copper foil and forming conductor terminals at positions corresponding to the electrodes of the semiconductor element by mask exposure, dry film development, etching and dry film peeling steps. A thick conductive sheet having thickness was obtained. The conductor terminals of the conductive sheet in the thickness direction, the electrodes of the semiconductor element, and the corresponding terminals on the substrate are overlapped with each other at the same electrode terminal position, and then heated to 280 degrees by a heat block from the semiconductor element surface. 10kgf / cm 2 while
And sunk inside until the conductor terminal reached the opposite surface of the insulating sheet. At this time, generation of decomposition gas or the like was not observed from the insulating sheet. The conductor terminal that reached the opposite surface of the insulating sheet was joined to the electrode of the semiconductor element and the connection terminal of the substrate, and electrical conduction was obtained.
The surface of the semiconductor element and the surface of the substrate were fixed by softening and bonding the insulating sheet. When the shear strength at the connection surface was measured with a push-pull gauge, it was 28 MPa, which was sufficient. In the fracture surface of the test piece, the adhesive resin layer was cohesively fractured, and no foaming was observed.

【0028】(実施例2)N−メチル−2−ピロリドン
(NMP)265.8gを窒素ガスを流しながら10分
間激しくかき混ぜる。次に1,3−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン78.9318g(0.0270モ
ル)と2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル)プロパン15.5994g(0.0380モ
ル)とα,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチ
ルシロキサン29.2950g(平均分子量837、
0.0350モル)を投入し、系を60℃に加熱し均一
になるまでかき混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴で5
℃に冷却し、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物20.5954g(0.0700モ
ル)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物9.6669g(0.0300モル)を
粉末状のまま10分間かけて添加し、その後5時間撹拌
を続けた。この間フラスコは5℃に保った。その後、窒
素ガス導入管と冷却器を外し、キシレンを満たしたディ
ーン・スターク管をフラスコに装着し、系中に生成した
ポリアミド酸溶液中にキシレンを66.4g添加した。
氷水浴から油浴に替えて系を加熱し発生する水を系外に
除いた。4時間加熱したところ、系からの水の発生は認
められなくなった。冷却後得られたポリイミド樹脂溶液
Bをリバースロールコーターで18μm厚の圧延銅箔上
に流延塗布後乾燥させて、15μm厚の絶縁層性シート
を形成し、銅箔付きポリイミドシートを得た。乾燥温度
は最高200℃で乾燥時間15分であった。被着体とし
て回路面の周辺に外部接続用の電極を持った半導体素子
と、半導体素子の電極に対応する位置に接続端子をもう
けたサブストレートを準備した。前記銅箔付きポリイミ
ドシートの銅箔面にドライフィルムレジストをラミネー
トし、マスク露光、ドライフィルム現像、エッチング及
びドライフィルム剥離の工程により、半導体素子の電極
に対応する位置に導体端子を形成した柔軟な厚さ方向導
電シートを得た。厚さ方向導電シートの導体端子と、半
導体素子の電極、およびサブストレート上の対応する端
子とを、各々の電極端子位置を合わせて重ね合わせた後
に、半導体素子面からヒートブロックで280度に加熱
しながら10kgf/cm2の圧力で加圧して、導体端子が絶
縁性シートの反対面に達するまで内部に沈めた。この際
絶縁性シートより分解ガス等の発生は見られなかった。
絶縁性シートの反対面にまで到達した導体端子は、半導
体素子の電極及びサブストレートの接続端子と接合され
電気導通が得られた。また、半導体素子の表面とサブス
トレートの表面の各々は、絶縁性シートが軟化して接着
することによって固定された。プッシュプルゲージにて
接続面での剪断強度を測定したところ22MPaと充分
なものであった。試験片の破断面は接着剤樹脂層が凝集
破壊し、発泡は全く認められなかった。
Example 2 265.8 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was vigorously stirred for 10 minutes while flowing nitrogen gas. Next, 78.9318 g (0.0270 mol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 15.9994 g (0.0380 mol) of 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane And 29.2950 g of α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane (average molecular weight 837,
(0.0350 mol), and heat the system to 60 ° C. and stir until uniform. After homogeneous dissolution, the system was
C., and cooled to 20.5954 g (0.0700 mol) of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 9 0.6669 g (0.0300 mol) was added in the form of a powder over 10 minutes, and then stirring was continued for 5 hours. During this time, the flask was kept at 5 ° C. Thereafter, the nitrogen gas inlet tube and the condenser were removed, a Dean-Stark tube filled with xylene was attached to the flask, and 66.4 g of xylene was added to the polyamic acid solution generated in the system.
The system was heated by replacing the ice water bath with an oil bath, and the generated water was removed from the system. After heating for 4 hours, no water was generated from the system. The polyimide resin solution B obtained after cooling was cast on a rolled copper foil having a thickness of 18 μm by a reverse roll coater and then dried to form a 15 μm thick insulating layer sheet, thereby obtaining a polyimide sheet with a copper foil. The drying temperature was a maximum of 200 ° C. and the drying time was 15 minutes. A semiconductor element having electrodes for external connection on the periphery of the circuit surface as an adherend and a substrate having connection terminals at positions corresponding to the electrodes of the semiconductor element were prepared. Laminate a dry film resist on the copper foil surface of the polyimide sheet with copper foil, and form a conductor terminal at a position corresponding to the electrode of the semiconductor element by mask exposure, dry film development, etching and dry film peeling steps. A conductive sheet in the thickness direction was obtained. The conductor terminals of the conductive sheet in the thickness direction, the electrodes of the semiconductor element, and the corresponding terminals on the substrate are overlapped with each other at the same electrode terminal position, and then heated to 280 degrees by a heat block from the semiconductor element surface. While the pressure was applied at a pressure of 10 kgf / cm 2 , the conductor terminal was sunk inside until it reached the opposite surface of the insulating sheet. At this time, generation of decomposition gas or the like was not observed from the insulating sheet.
The conductor terminal that reached the opposite surface of the insulating sheet was joined to the electrode of the semiconductor element and the connection terminal of the substrate, and electrical conduction was obtained. The surface of the semiconductor element and the surface of the substrate were fixed by softening and bonding the insulating sheet. When the shear strength at the connection surface was measured with a push-pull gauge, it was 22 MPa, which was sufficient. In the fracture surface of the test piece, the adhesive resin layer was cohesively fractured, and no foaming was observed.

【0029】(実施例3)実施例1の方法により得られ
たポリイミド樹脂溶液Iをポリエステルフィルム(10
0μm厚)上にバーコーターにより流延塗布し、最高2
00℃で15分乾燥後ポリエステルフィルムを剥離する
ことにより、20μm厚の柔軟な自己保持性のある絶縁
性シートCが得られた。この絶縁性シートCに、18μ
m厚の圧延銅箔を140℃、線圧0.5kgf/cmの
二本の熱ロール間に通してラミネートすることにより銅
箔付きポリイミドシートを得た。被着体として周辺に外
部接続用の電極を持った半導体素子と、半導体素子の電
極に対応する位置に接続端子をもうけたサブストレート
を準備した。前記の銅箔付きポリイミドシートの銅箔面
にドライフィルムレジストをラミネートし、マスク露
光、ドライフィルム現像、エッチング、ドライフィルム
剥離及び無電解金メッキの工程により、半導体素子の電
極に対応する位置に導体端子を形成した厚さ方向導電シ
ートを得た。この厚さ方向導電シートの導体端子と、半
導体素子の電極、およびサブストレート上の対応する接
続端子とを、各々の電極端子位置を合わせて重ね合わせ
た。次に半導体素子面からヒートブロックで250度に
加熱しながら10kgf/cm2の圧力で加圧して、絶縁性シ
ートの反対面にまで到達した導体端子は、半導体素子の
電極及びサブストレートの接続端子と接合し電気導通が
得られた。この際絶縁性シートより分解ガス等の発生は
見られなかった。また、半導体素子の表面とサブストレ
ートの表面の各々は、絶縁性シートが軟化して接着する
ことによって強固に固定された。プッシュプルゲージに
て接続面での剪断強度を測定したところ24MPaと充
分なものであった。試験片の破断面は接着剤樹脂層が凝
集破壊し、発泡は全く認められなかった。
Example 3 The polyimide resin solution I obtained by the method of Example 1 was applied to a polyester film (10
0μm thickness) by casting with a bar coater, maximum 2
After drying at 00 ° C. for 15 minutes, the polyester film was peeled off, whereby a 20 μm-thick flexible self-holding insulating sheet C was obtained. 18 μm is applied to this insulating sheet C.
A rolled copper foil having a thickness of m was passed through two hot rolls at 140 ° C. and a linear pressure of 0.5 kgf / cm to be laminated to obtain a polyimide sheet with a copper foil. As an adherend, a semiconductor element having electrodes for external connection in the periphery and a substrate having connection terminals at positions corresponding to the electrodes of the semiconductor element were prepared. Laminate the dry film resist on the copper foil surface of the polyimide sheet with copper foil, mask exposure, dry film development, etching, dry film peeling and electroless gold plating, the conductor terminal at the position corresponding to the electrode of the semiconductor element Was formed to obtain a conductive sheet in the thickness direction. The conductor terminals of the thickness direction conductive sheet, the electrodes of the semiconductor element, and the corresponding connection terminals on the substrate were overlapped with their electrode terminal positions aligned. Then, the conductor terminals which reached the opposite surface of the insulating sheet by applying a pressure of 10 kgf / cm 2 from the semiconductor element surface to the opposite side of the insulating sheet while being heated to 250 ° by a heat block were connected to the electrodes of the semiconductor element and the connection terminals of the substrate. And electrical continuity was obtained. At this time, generation of decomposition gas or the like was not observed from the insulating sheet. Further, the surface of the semiconductor element and the surface of the substrate were firmly fixed by the softening and bonding of the insulating sheet. When the shear strength at the connection surface was measured with a push-pull gauge, the shear strength was 24 MPa, which was sufficient. In the fracture surface of the test piece, the adhesive resin layer was cohesively fractured, and no foaming was observed.

【0030】(実施例4)厚さ方向導電シートを使用し
てフレキシブル4層板を製作した。まず、第1層と第2
層の回路を、両面電解銅箔付きフレキシブル基板にスル
ーホール穴明け、スルーホール銅メッキ、ドライフィル
ムラミネート、マスク露光、ドライフィルム現像、エッ
チング、及びドライフィルム剥離の工程により形成しフ
レキシブル回路板1を得た。次いで同様にして第3層と
第4層の回路を形成しフレキシブル回路板2を得た。第
2層と第3層には対向した位置に接続端子を設けた。ま
た、第1層と第4層にはソルダーレジストとして熱硬化
性ポリイミドをコーティングし硬化させた。次いで、実
施例3の方法で得られた絶縁性シートCの両面に、12
μm厚の電解銅箔をラミネートして両面銅箔付きポリイ
ミドシートを得た。前記銅箔付きポリイミドシートの銅
箔面にドライフィルムレジストをラミネートし、マスク
露光、ドライフィルム現像、エッチング、ドライフィル
ム剥離及び無電解はんだメッキの工程により、フレキシ
ブル回路板1及び2の第2層及び第3層の接続端子に対
応する位置で両面に相対向するように導体端子を形成し
た厚さ方向導電シートを得た。この厚さ方向導電シート
の導体端子とフレキシブル回路板1及び2の接続端子位
置を合わせて積層し、熱プレス装置で250度に加熱し
ながら10kgf/cm2 の圧力で加圧して、導体端子を絶縁
性シートの内部に沈めた。絶縁性シートの両面に対向す
るように配列形成された導体端子は、各々の面から絶縁
性シートの内部に沈み込み、絶縁性シート内部で対向す
る導体端子と接合するとともに、第2層及び第3層の接
続端子とも接合し電気導通が得られた。また、フレキシ
ブル回路板の第2層面と第3層面は絶縁性シートが軟化
して接着することによって固着された。引張り試験機に
て絶縁性シートとフレキシブル回路板との界面での18
0度ピール強度を測定した(引張り速度50mm/mi
n)ところ、2.1kgf/cmと充分なものであっ
た。試験片の破断面は接着剤樹脂層が凝集破壊し、発泡
は全く認められなかった。
Example 4 A flexible four-layer board was manufactured using a conductive sheet in the thickness direction. First, the first layer and the second layer
The circuit of the layer is formed on a flexible substrate with a double-sided electrolytic copper foil by drilling through holes, through-hole copper plating, dry film lamination, mask exposure, dry film development, etching, and dry film peeling to form a flexible circuit board 1. Obtained. Next, the circuits of the third and fourth layers were formed in the same manner to obtain the flexible circuit board 2. Connection terminals were provided on the second layer and the third layer at opposing positions. The first and fourth layers were coated with thermosetting polyimide as a solder resist and cured. Next, on both sides of the insulating sheet C obtained by the method of Example 3, 12
A polyimide sheet with a double-sided copper foil was obtained by laminating an electrolytic copper foil having a thickness of μm. Laminating a dry film resist on the copper foil surface of the polyimide sheet with copper foil, and performing the steps of mask exposure, dry film development, etching, dry film peeling and electroless solder plating, the second layers of the flexible circuit boards 1 and 2 and A thickness direction conductive sheet was obtained in which conductor terminals were formed so as to face each other at positions corresponding to the connection terminals of the third layer. The conductor terminals of this conductive sheet in the thickness direction and the connection terminal positions of the flexible circuit boards 1 and 2 are aligned and laminated, and the conductor terminals are pressed at a pressure of 10 kgf / cm 2 while being heated to 250 degrees by a hot press device. Submerged inside the insulating sheet. The conductor terminals arranged and formed so as to face both surfaces of the insulating sheet sink into the inside of the insulating sheet from the respective surfaces, and are joined to the facing conductor terminals inside the insulating sheet, and the second layer and the second layer. The three-layer connection terminals were also joined to obtain electrical continuity. Further, the second layer surface and the third layer surface of the flexible circuit board were fixed by the softening and bonding of the insulating sheet. 18 at the interface between the insulating sheet and the flexible circuit board using a tensile tester
0 degree peel strength was measured (tensile speed 50 mm / mi)
n) However, 2.1 kgf / cm was sufficient. In the fracture surface of the test piece, the adhesive resin layer was cohesively fractured, and no foaming was observed.

【0031】(比較例1)実施例1において、α,ω−
ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンと
して平均分子量837のものの代わりに平均分子量16
70のものを58.4500g(0.0350モル)使
用し、同様の操作で銅箔付きポリイミドシートを得た。
しかし、導体端子を形成後得られた厚さ方向導電シート
は絶縁性シート部分が不均一で脆く、後の工程をとおす
ことができなかった。
Comparative Example 1 In Example 1, α, ω−
Instead of bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane having an average molecular weight of 837, an average molecular weight of 16
A polyimide sheet with a copper foil was obtained by the same operation using 58.4500 g (0.0350 mol) of 70.
However, in the thickness direction conductive sheet obtained after forming the conductor terminal, the insulating sheet portion was uneven and brittle, and the subsequent steps could not be performed.

【0032】(比較例2)実施例1において、α,ω−
ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサンと
して平均分子量837のものの代わりに平均分子量24
8.52のものを8.6982g(0.0350モル)
使用し、同様の操作で銅箔付きポリイミドシートを得
た。しかし、導体端子を形成した後、各々の電極端子位
置を合わせて同様の条件で被接続体と加熱加圧しても、
導体端子が絶縁性シートの反対面に達するまで内部に沈
まなかった。
Comparative Example 2 In Example 1, α, ω−
Bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane having an average molecular weight of 24 instead of 837
8.6982 g (0.0350 mol) of 8.52
It was used and a polyimide sheet with a copper foil was obtained by the same operation. However, even after the conductor terminals are formed, even if the positions of the electrode terminals are adjusted and the connected body is heated and pressed under the same conditions,
The conductor terminal did not sink inside until it reached the opposite surface of the insulating sheet.

【0033】(比較例3)実施例1において、 1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼンを11.69
36g(0.0400モル)と2,2−ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)プロパンを22.57
81g(0.0550モル)とα,ω−ビス(3−アミ
ノプロピル)ポリジメチルシロキサンを8.3500g
(平均分子量837、0.0050モル)使用し、同様
の操作で銅箔付きポリイミドシートを得た。しかし、比
較例2同様、導体端子を形成した後各々の電極端子位置
を合わせて同様の条件で被接続体と加熱加圧しても、導
体端子が絶縁性シートの反対面に達するまで内部に沈ま
なかった。
Comparative Example 3 In Example 1, 1, 3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene was added at 11.69.
36 g (0.0400 mol) and 2,2-bis (4- (4
22.57-aminophenoxy) phenyl) propane
81 g (0.0550 mol) and 8.3500 g of α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane
(Average molecular weight: 837, 0.0050 mol), and a polyimide sheet with a copper foil was obtained by the same operation. However, as in Comparative Example 2, even after the conductor terminals are formed and the electrode terminals are aligned and heated and pressurized with the connected object under the same conditions, the conductor terminals sink inside until they reach the opposite surface of the insulating sheet. Did not.

【0034】(比較例4)実施例1において、 1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼンを4.385
1g(0.0150モル)と2,2−ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル)プロパンを10.262
8g(0.0150モル)とα,ω−ビス(3−アミノ
プロピル)ポリジメチルシロキサンを116.9000
g(平均分子量837、0.0700モル)使用し、同
様の操作で銅箔付きポリイミドシートを得た。しかし、
導体端子を形成後得られた厚さ方向導電シートは絶縁性
シート部分が脆く、しかも被接続体との加熱加圧時に、
絶縁性シートの流動性が大きく、導体端子が絶縁性シー
トとともに流れてしまった。
Comparative Example 4 In Example 1, 1, 3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene to 4.385
1 g (0.0150 mol) and 2,2-bis (4- (4-
Aminophenoxy) phenyl) propane is 10.262
8g (0.0150 mol) and 116.9000 of α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane
g (average molecular weight: 837, 0.0700 mol), and a polyimide sheet with a copper foil was obtained in the same manner. But,
In the thickness direction conductive sheet obtained after forming the conductor terminal, the insulating sheet part is brittle, and at the time of heating and pressing with the connected object,
The fluidity of the insulating sheet was large, and the conductor terminals flowed together with the insulating sheet.

【0035】(比較例5)実施例1において、酸無水物
としてピロメリト酸二無水物を29.4220g(0.
1000モル)使用し、同様の反応操作を行った。得ら
れたポリアミド酸溶液をリバースロールコーターで18
μm厚の圧延銅箔上に流延塗布後乾燥させて、15μm
厚の絶縁層性シートを形成し、銅箔付きポリイミドシー
トを得た。乾燥温度は最高250℃で乾燥時間30分で
あった。しかし、導体端子を形成した後各々の電極端子
位置を合わせて実施例1同様の条件で被接続体と加熱加
圧しても、導体端子が絶縁性シートの反対面に達するま
で内部に沈まなかった。得られたポリアミド酸溶液を実
施例1同様の条件で加熱したところ、ポリイミド樹脂が
溶液中に析出してしまい、均一な溶液が得られなかっ
た。
(Comparative Example 5) In Example 1, 29.4220 g of pyromellitic dianhydride (0.
1000 mol), and the same reaction procedure was performed. The obtained polyamic acid solution was subjected to a reverse roll coater for 18 hours.
After casting and drying on a rolled copper foil with a thickness of
A thick insulating layer sheet was formed to obtain a polyimide sheet with a copper foil. The drying temperature was a maximum of 250 ° C. with a drying time of 30 minutes. However, even after the conductor terminals were formed and the respective electrode terminals were aligned and heated and pressed under the same conditions as in Example 1, the conductor terminals did not sink inside until they reached the opposite surface of the insulating sheet. . When the obtained polyamic acid solution was heated under the same conditions as in Example 1, the polyimide resin was precipitated in the solution, and a uniform solution was not obtained.

【0036】(比較例6)実施例1において、1,3−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパンの
代わりに4,4‘−ジアミノジフェニルエーテルを1
3.0156g(0.0650モル)使用し、同様の反
応操作を行った。得られたポリアミド酸溶液をリバース
ロールコーターで18μm厚の圧延銅箔上に流延塗布後
乾燥させて、15μm厚の絶縁層性シートを形成し、銅
箔付きポリイミドシートを得た。乾燥温度は最高250
℃で乾燥時間30分であった。しかし、導体端子を形成
した後各々の電極端子位置を合わせて実施例1同様の条
件で被接続体と加熱加圧しても、比較例5同様導体端子
が絶縁性シートの反対面に達するまで内部に沈まなかっ
た。得られたポリアミド酸溶液を実施例1同様の条件で
加熱したところ、ポリイミド樹脂が溶液中に析出してし
まい、均一な溶液が得られなかった。
(Comparative Example 6) In Example 1, 1,3-
In place of bis (3-aminophenoxy) benzene and 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl ether is replaced with 1
The same reaction procedure was performed using 3.0156 g (0.0650 mol). The obtained polyamic acid solution was cast on a rolled copper foil having a thickness of 18 μm by a reverse roll coater and then dried to form a 15 μm thick insulating layer sheet, thereby obtaining a polyimide sheet with a copper foil. Drying temperature up to 250
Drying time at 30 ° C. was 30 minutes. However, even after the conductor terminals are formed and the positions of the respective electrode terminals are aligned and the object is heated and pressed under the same conditions as in Example 1, the inside of the conductor terminal reaches the opposite surface of the insulating sheet, as in Comparative Example 5. Did not sink. When the obtained polyamic acid solution was heated under the same conditions as in Example 1, the polyimide resin was precipitated in the solution, and a uniform solution was not obtained.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の厚さ方向導電シートによれば、
従来の異方導電シートに比べ、狭ピッチ化している半導
体チップとサブストレートとの接続、多層板の層間接続
などの厚さ方向の電気的接続と機械的接続を低コストか
つ高信頼性で確実に行うことができ、電子機器を小型化
することができる。
According to the thickness direction conductive sheet of the present invention,
Compared to conventional anisotropic conductive sheets, electrical connections and mechanical connections in the thickness direction, such as connections between semiconductor chips and substrates, which are narrower in pitch, and interlayer connections between multilayer boards, are more reliable at lower cost and higher reliability. The electronic device can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】絶縁性シートの片面に導体端子を配列した本発
明の厚さ方向導電シート
FIG. 1 is a thickness direction conductive sheet of the present invention in which conductive terminals are arranged on one surface of an insulating sheet.

【図2】絶縁性シートの両面に相対向するように導体端
子を配列した本発明の厚さ方向導電シート
FIG. 2 is a thickness direction conductive sheet of the present invention in which conductor terminals are arranged so as to face each other on both surfaces of an insulating sheet.

【図3】絶縁性シートの両面に相対向しないように導体
端子を配列した本発明の厚さ方向導電シート
FIG. 3 is a thickness direction conductive sheet of the present invention in which conductor terminals are arranged so as not to face each other on both surfaces of an insulating sheet.

【図4】本発明の厚さ方向接続用シートによる半導体素
子とサブストレートの接続例
FIG. 4 shows an example of connection between a semiconductor element and a substrate using a sheet for connection in the thickness direction of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:絶縁性シート 2:導体端子 3:半導体素子 4:半導体素子の電極 5:サブストレート 6:サブストレート上の接続端子 7:ヒートブロック 1: Insulating sheet 2: Conductive terminal 3: Semiconductor element 4: Electrode of semiconductor element 5: Substrate 6: Connection terminal on substrate 7: Heat block

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】式(1) 【化1】 (式中R1,R2,R3,R4は水素原子または炭素数6以下の一価
の脂肪族あるいは芳香族炭化水素基、R5,R6は炭素数1以
上6以下の二価の脂肪族あるいは芳香族炭化水素基、kは
4以上10以下の整数)で表されるシリコンジアミンaモ
ル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂により実質的になる絶縁性シートの片方の
表面に導体からなる独立した端子が配列されており、被
接続体との加熱圧着時に、該絶縁性シートが軟化するこ
とによって、上記の導体が該絶縁性シートの反対面に達
するまで沈み込み、上記の導体を通して該絶縁性シート
の反対面と被接続体との導通が得られると同時に被接続
体との接着が行われることを特徴とする厚さ方向導電シ
ート。
(1) Formula (1) (Wherein R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are a hydrogen atom or a monovalent aliphatic or aromatic hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms, and R 5 and R 6 are a divalent group having 1 to 6 carbon atoms. An aliphatic or aromatic hydrocarbon group of k
Amol of silicon diamine represented by an integer of 4 to 10), 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} Hexafluoropropane, bis {4-
(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
Independent terminals made of conductors are arranged on one surface of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of /(a+b+c+d+e)≦1.1. When the insulating sheet is softened, the conductor sinks until reaching the opposite surface of the insulating sheet, and conduction between the opposite surface of the insulating sheet and the connected object is obtained through the conductor. A conductive sheet in the thickness direction, wherein the conductive sheet is bonded to a connected object.
【請求項2】式(1)で表されるシリコンジアミンaモ
ル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂により実質的になる絶縁性シートの両方の
表面に導体からなる独立した端子が相対向して配列され
ており、被接続体との加熱圧着時に、該絶縁性シートが
軟化することによって、上記の導体が該絶縁性シート内
に相対向した導体同士が接合するまで沈み込み、上記の
導体を通して該絶縁性シートの反対面と被接続体との導
通が得られると同時に被接続体との接着が行われること
を特徴とする厚さ方向導電シート。
2. A mole of silicon diamine represented by the formula (1), 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) Phenyl} hexafluoropropane, bis {4-
(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
/ (A + b + c + d + e) ≦ Independent terminals made of a conductor are arranged opposite to each other on both surfaces of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of 1.1, and At the time of heat compression bonding, the insulating sheet softens, so that the conductor sinks into the insulating sheet until opposing conductors are joined to each other, and is connected to the opposite surface of the insulating sheet through the conductor. A conductive sheet in a thickness direction, wherein conduction with a body is obtained and adhesion with a connected body is performed at the same time.
【請求項3】式(1)で表されるシリコンジアミンaモ
ル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,3
−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビ
ス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂により実質的になる絶縁性シートの両方の
表面に導体からなる独立した端子が相対向しないように
配列されており、被接続体との加熱圧着時に、該絶縁性
シートが軟化することによって、上記の導体が該絶縁性
シート反対面に達するまで沈み込み、上記の導体を通し
て該絶縁性シートの反対面と被接続体との導通が得られ
ると同時に被接続体との接着が行われることを特徴とす
る厚さ方向導電シート。
3. Amol of silicon diamine represented by the formula (1), 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) Phenyl} hexafluoropropane, bis {4-
(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,3
-Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
Independent terminals made of a conductor are arranged on both surfaces of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of /(a+b+c+d+e)≦1.1 so as not to face each other. When the insulating sheet is softened at the time of heat compression, the above-mentioned conductor sinks until it reaches the opposite surface of the insulating sheet, and conduction between the opposite surface of the insulating sheet and the connected object passes through the above-mentioned conductor. A thickness direction conductive sheet characterized in that it is simultaneously obtained and adhered to a connected body.
【請求項4】 導体端子の厚さが絶縁性シートの厚さの
0.7〜1.5倍の範囲であることを特徴とする請求項
1又は請求項3記載の厚さ方向導電シート。
4. The thickness direction conductive sheet according to claim 1, wherein the thickness of the conductive terminal is in a range of 0.7 to 1.5 times the thickness of the insulating sheet.
【請求項5】 相対向した導体端子の厚さの合計が絶縁
性シートの厚さの0.7〜1.5倍の範囲であることを
特徴とする請求項2記載の厚さ方向導電シート。
5. The thickness direction conductive sheet according to claim 2, wherein the total thickness of the conductor terminals facing each other is in a range of 0.7 to 1.5 times the thickness of the insulating sheet. .
【請求項6】 式(1)で表されるシリコンジアミンa
モル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂を主な溶質として有機溶剤中に溶解させた
溶液を導体箔の上に塗布する工程、加熱することにより
溶液中の溶剤を揮発させて絶縁性シートを導体箔の上に
形成する工程、導体箔のみを選択的にエッチングして所
望する配列に独立した導体端子を形成する工程を具備し
たことを特徴とする請求項1〜4記載の厚さ方向導電シ
ートの製造方法。
6. Silicon diamine a represented by the formula (1)
Mol, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {4
-(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,
3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-
Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
A step of applying a solution of a polyimide resin reacted in a ratio of /(a+b+c+d+e)≦1.1 as a main solute in an organic solvent onto a conductive foil, and heating to evaporate the solvent in the solution. 5. The method according to claim 1, further comprising the steps of: forming an insulating sheet on the conductive foil, and selectively etching only the conductive foil to form independent conductive terminals in a desired arrangement. Method for producing a conductive sheet in the thickness direction.
【請求項7】 式(1)で表されるシリコンジアミンa
モル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂により実質的になる絶縁性シートの少なく
とも片方の絶縁層面上に薄膜導体層を形成する工程、該
薄膜導体層上に選択的に電気メッキを施し所望する配列
に導体端子を形成する工程、表面にメッキが施されてい
ない薄膜導体層をエッチングして除去し導体端子を電気
的に独立させる工程を具備したことを特徴とする請求項
1〜4記載の厚さ方向導電シートの製造方法。
7. Silicon diamine a represented by the formula (1)
Mol, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {4
-(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,
3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-
Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
Forming a thin film conductor layer on at least one insulating layer surface of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of /(a+b+c+d+e)≦1.1; A step of plating to form conductor terminals in a desired arrangement, and a step of etching and removing a thin-film conductor layer whose surface is not plated to make the conductor terminals electrically independent. 5. The method for producing a conductive sheet in the thickness direction according to any one of 1 to 4.
【請求項8】 式(1)で表されるシリコンジアミンa
モル、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル}プロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジ
フェニルエーテル、2,5−ジアミノ−p−キシレン、
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサンのうちから選ばれた1種あ
るいは2種以上のジアミンbモルと他のジアミンcモル
をアミン成分とし、4,4’−オキシジフタル酸二無水
物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物の群から選ばれた1種類または2種
類以上のテトラカルボン酸二無水物dモル、その他の酸
二無水物eモルを酸成分とし、かつ0.1≦a/(a+
b+c)≦0.5、0.5≦b/(a+b+c)≦0.
9、0.8≦d/(d+e)≦1,0.9≦(d+e)
/(a+b+c+d+e)≦1.1の比で反応させたポ
リイミド樹脂により実質的になる絶縁性シートの少なく
とも片方の絶縁層面上に導体箔を熱圧着することにより
導体層を形成する工程、導体層のみを選択的にエッチン
グして所望する配列に独立した導体端子を形成する工程
を具備したことを特徴とする請求項1〜4記載の厚さ方
向導電シートの製造方法。
8. Silicon diamine a represented by the formula (1)
Mol, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} hexafluoropropane, bis {4
-(4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,
3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-
Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,5-diamino-p-xylene,
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3
One or two or more diamines selected from tetramethyldisiloxane and b moles of other diamines as an amine component, and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4; D mol of one or more tetracarboxylic dianhydrides selected from the group of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride; E mol of another acid dianhydride is used as an acid component, and 0.1 ≦ a / (a +
b + c) ≦ 0.5, 0.5 ≦ b / (a + b + c) ≦ 0.
9, 0.8 ≦ d / (d + e) ≦ 1,0.9 ≦ (d + e)
A step of forming a conductor layer by thermocompression bonding a conductor foil on at least one insulating layer surface of an insulating sheet substantially made of a polyimide resin reacted at a ratio of /(a+b+c+d+e)≦1.1, only the conductor layer 5. The method of manufacturing a conductive sheet in the thickness direction according to claim 1, further comprising a step of selectively etching the conductive terminals to form independent conductive terminals in a desired arrangement.
【請求項9】 シート状の導体が圧延銅箔もしくは電解
銅箔である請求項6または8記載の厚さ方向導電シート
の製造方法。
9. The method according to claim 6, wherein the sheet-like conductor is a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.
【請求項10】 請求項6、7あるいは8記載の製造方
法で得られる厚さ方向導電シートの導体表面に第2の導
体層を形成する工程を具備する厚さ方向導電シートの製
造方法。
10. A method for producing a thickness direction conductive sheet, comprising a step of forming a second conductor layer on a conductor surface of the thickness direction conductive sheet obtained by the production method according to claim 6, 7, or 8.
【請求項11】 請求項6、7、8あるいは10記載の
製造方法で得られる厚さ方向導電シートを加熱加圧して
導体端子を絶縁層に埋設する工程を具備する厚さ方向導
電シートの製造方法。
11. A method of manufacturing a thickness direction conductive sheet, comprising the step of heating and pressing a thickness direction conductive sheet obtained by the manufacturing method according to claim 6, and embedding conductor terminals in an insulating layer. Method.
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