JPH1099855A - Ultrapure water supply plant equipped with ultrafiltration function and supply of ultrapure water - Google Patents

Ultrapure water supply plant equipped with ultrafiltration function and supply of ultrapure water

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JPH1099855A
JPH1099855A JP1227997A JP1227997A JPH1099855A JP H1099855 A JPH1099855 A JP H1099855A JP 1227997 A JP1227997 A JP 1227997A JP 1227997 A JP1227997 A JP 1227997A JP H1099855 A JPH1099855 A JP H1099855A
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JP
Japan
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ultrapure water
ultrafiltration
piping system
water supply
supply plant
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Shuichi Takenouchi
修一 竹之内
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrapure water supply plant extremely high in the purity of output water from a terminal, capable of supplying stable ultrapure water and enabling adjusting work high in productivity at re-operation and an ultrapure water supply method. SOLUTION: This ultrapure water supply plant 1 consists of an ultrapure water making apparatus 2 and the piping system 3 connected to the secondary side of the ultrapure water making apparatus 2 to carry formed ultrapure water to a semiconductor washing process 8. In this case, an ultrafiltration treatment apparatus 4 is connected and arranged to the terminal or most downstream part of the piping system 3 and the ultrapure water passed through the piping system 3 to reach the terminal is subjected to ultrafiltration treatment by the ultrafiltration apparatus 4 and ultrapure water 5 after ultrafiltration treatment is supplied to a semiconductor washing process 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、限外濾過機能を備
える超純水供給プラントに関し、とりわけ半導体製造過
程で使用されるもので、ウルトラフィルトレーション機
能を備え、限外濾過処理を施した超純水を半導体洗浄工
程に供給する超純水供給プラントに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ultrapure water supply plant having an ultrafiltration function, and more particularly to an ultrapure water supply plant which is used in a semiconductor manufacturing process and has an ultrafiltration function and has been subjected to an ultrafiltration treatment. The present invention relates to an ultrapure water supply plant that supplies ultrapure water to a semiconductor cleaning process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の製造工程では、流水によって工
程途上の半導体ウエーハを洗浄する工程が不可欠である
が、こうした流水洗浄において洗浄水中に含まれる微粒
子等の付着による逆汚染を回避するために純度の極めて
高い純水が使用されている。従来、こうした純水は、ユ
ースポイント(用役施設)と称せられる、純水生成装置
等が備えられた純水供給プラントから、半導体洗浄工程
に供給される構成となっている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a process of cleaning a semiconductor wafer in process by running water is indispensable. However, in such running water cleaning, the purity of a semiconductor wafer is reduced in order to avoid reverse contamination due to adhesion of fine particles and the like contained in the cleaning water. Of pure water is used. Conventionally, such pure water is configured to be supplied to a semiconductor cleaning process from a pure water supply plant, which is referred to as a point of use (utility facility) and provided with a pure water generation device and the like.

【0003】従来のこのような純水供給プラントのプロ
セスフローシートを図6に示す。同図で、純水供給プラ
ント100は、超純水生成装置2と、生成された超純水
をユースポイント下流側まで導く配管系統3と、配管系
統3末端に接続された精密濾過フィルター104とから
構成されている。あるいは、精密濾過フィルター104
を割愛した構成が適用されている。
FIG. 6 shows a process flow sheet of such a conventional pure water supply plant. In the figure, a pure water supply plant 100 includes an ultrapure water generator 2, a piping system 3 for guiding the generated ultrapure water to a downstream side of a use point, and a microfiltration filter 104 connected to an end of the piping system 3. It is composed of Alternatively, the microfiltration filter 104
Is applied.

【0004】超純水生成装置2は、逆浸透膜(RO膜)
からなる逆浸透膜ユニット21と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜(UF膜:ウルトラフィルトレーション膜)から
構成される限外濾過モジュール(ウルトラフィルトレー
ションモジュール:以下、UFモジュールと記載する)
22から成っている。
[0004] The ultrapure water generator 2 is a reverse osmosis membrane (RO membrane).
Osmosis membrane unit 21 comprising an ultrafiltration membrane (UF membrane: ultrafiltration membrane) mainly separating and purifying colloidal substances contained in the generated ultrapure water (Ultrafiltration module: hereinafter referred to as UF module)
Consists of 22.

【0005】UFモジュールは、例えば除粒子性能0.
01μm以上の機能を備えたユニットであり、精密濾過
フィルターには例えば除粒子性能0.5μm以上の機能
のものが適用されている。
[0005] The UF module has, for example, a particle-removing performance of 0.3.
It is a unit having a function of 01 μm or more, and a microfiltration filter having a function of, for example, 0.5 μm or more in particle removal performance is applied.

【0006】この純水供給プラント100の動作を説明
すると、まず原水10は所定の高圧に加圧されて逆浸透
膜ユニット21に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用
で生成した純水が二次側に出力される。この純水はUF
モジュール22によって含有するコロイド物質等が分離
除去され、超純水として超純水生成装置2から送出され
る。
The operation of the pure water supply plant 100 will be described. First, the raw water 10 is pressurized to a predetermined high pressure and introduced into the reverse osmosis membrane unit 21, where pure water generated by the reverse osmosis action of the reverse osmosis membrane is used. Output to the next side. This pure water is UF
The contained colloidal substance and the like are separated and removed by the module 22 and sent out from the ultrapure water generator 2 as ultrapure water.

【0007】この超純水は配管系統3に導入され、配管
系統3内を移動するが、ここで例えば途中に施された配
管工事による配管切削時の切り粉が超純水中に混入する
ことがあれば、こうした夾雑物は配管系統3の末端に接
続設置された精密濾過フィルター104によって捕捉さ
れ、除去される。このようにして、夾雑物が除去された
純水105が純水供給プラント100から半導体洗浄工
程8に供給される。
[0007] The ultrapure water is introduced into the piping system 3 and moves through the piping system 3. Here, for example, chips generated during cutting of the piping due to piping work performed on the way may be mixed into the ultrapure water. If there is, such contaminants are captured and removed by the microfiltration filter 104 connected to the end of the piping system 3. In this way, the pure water 105 from which impurities have been removed is supplied from the pure water supply plant 100 to the semiconductor cleaning step 8.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来の構成では、工場休暇などで操業が一時停止する
場合に、取り付けられている精密濾過フィルター104
への通水が途切れて内部に水が溜まり、この溜水にバク
テリアが繁殖するという問題があった。
However, in the above-described conventional configuration, when the operation is temporarily stopped due to a factory leave or the like, the attached microfiltration filter 104 is installed.
However, there is a problem that water is interrupted and water accumulates inside, and bacteria grow in this water.

【0009】一般にバクテリアは、小型のウイルスであ
れば約0.01μm〜0.05μm(100〜500オ
ングストローム)の平均径であり、あるいはインフルエ
ンザウイルスでは約0.1μmの平均径、緑膿菌や赤痢
菌では約0.1μm〜0.5μmの平均径、大腸菌では
約1μmの平均径を呈する。
In general, bacteria have an average diameter of about 0.01 μm to 0.05 μm (100 to 500 angstroms) for small viruses, or about 0.1 μm for influenza viruses, Pseudomonas aeruginosa and dysentery. Bacteria have an average diameter of about 0.1 μm to 0.5 μm, and E. coli have an average diameter of about 1 μm.

【0010】よって、こうしたバクテリアが精密濾過フ
ィルター104内に発生した場合、プラントの再稼働時
の初期通水に混入したバクテリアが精密濾過フィルター
104を通過してしまい、バクテリアが混入した純水が
洗浄水として半導体洗浄工程に供給される不都合があっ
た。
Therefore, when such bacteria are generated in the microfiltration filter 104, the bacteria mixed in the initial water flow when the plant is restarted pass through the microfiltration filter 104, and the pure water containing the bacteria is washed. There is a disadvantage that the water is supplied to the semiconductor cleaning process as water.

【0011】また、バクテリア発生を避けるための殺菌
あるいは除菌剤の注入は、再稼働時のこうした薬剤分の
完全除去のために長い通水時間(リードタイム)を必要
とし、さらにバクテリアが発生していた場合には、殺菌
された残渣分(死骸)がメンブラン等に付着し、長時間
の使用中に徐々に剥離、離脱して出力水中に混入すると
いう不具合があった。
Further, injection of a disinfectant or a disinfectant to avoid the generation of bacteria requires a long water flow time (lead time) for complete removal of such chemicals at the time of restart, and furthermore, bacteria are generated. In this case, the sterilized residue (corpse) adheres to the membrane or the like, and gradually peels off and separates during long-time use, and enters the output water.

【0012】さらに、こうした主としてプラントシャッ
トダウン中に起きるバクテリアの発生は、精密濾過フィ
ルターのみならず、例えば配管系統3をはじめ、配管系
統3に接続されている各種の弁や計器、オリフィス中の
液滞留部分などにおいても生じるおそれがあり、いずれ
も出力水の純度を低下させる負の原因となっていた。
Furthermore, the generation of bacteria mainly occurring during the shutdown of the plant is caused not only by the microfiltration filter but also by, for example, the piping system 3, various valves and instruments connected to the piping system 3, and liquid retention in the orifice. There is a possibility that this may also occur in a part or the like, and any of these causes a negative cause of lowering the purity of the output water.

【0013】前記のように、従来の純水供給プラントで
は、高性能の超純水生成装置を備えるにも拘わらず、そ
の下流部分が有する不具合のため、極めて純度の高い超
純水を安定して出力するには問題があり、よってそれよ
りも純度ならびに安定度が低い純水供給プラントにとど
まるという欠点があった。
As described above, in the conventional pure water supply plant, despite the provision of a high-performance ultrapure water generator, the ultrapure water of extremely high purity can be stably provided due to a problem in the downstream portion thereof. However, there is a problem in that the output is low, so that the plant remains in a pure water supply plant having lower purity and stability.

【0014】さらに加えて、前記のようにバクテリア類
の発生を回避する目的でプラント各部分が外部雰囲気と
の接触を極力回避する構成となっていたため、メンテナ
ンス後のプラント立ち上げ時の気液のベント処理が低効
率になるという欠点もあった。
[0014] In addition, as described above, each part of the plant is configured to avoid contact with the external atmosphere as much as possible for the purpose of avoiding the generation of bacteria. There is also a drawback that the venting treatment becomes inefficient.

【0015】本発明は、前記のような従来技術にかかる
課題や欠点を解決するためなされたもので、その目的は
末端からの出力水の純度が極めて高く、しかも安定した
超純水の供給が可能な上、再稼働時での生産性の高い調
整作業が可能な超純水供給プラントと、超純水供給方法
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems and disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to provide a very high purity of output water from a terminal and a stable supply of ultrapure water. It is another object of the present invention to provide an ultrapure water supply plant and an ultrapure water supply method capable of performing an adjustment operation with high productivity at the time of restart.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明に係る超純水供給プラントは、超純水生成装置
と、前記超純水生成装置の二次側に接続されて、生成さ
れた超純水を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統とからな
る超純水供給プラントにおいて、前記配管系統の末端あ
るいは最下流部に限外濾過装置を接続設置し、前記配管
系統中を通過して末端に至った超純水を前記限外濾過装
置によって限外濾過処理し、限外濾過処理後の超純水を
半導体洗浄工程に供給する構成とされる。
In order to solve the above-mentioned problems, an ultrapure water supply plant according to the present invention is connected to an ultrapure water generation device and a secondary side of the ultrapure water generation device, and is configured to generate the ultrapure water. In the ultrapure water supply plant consisting of a piping system that carries the ultrapure water to the semiconductor cleaning step, an ultrafiltration device is connected and installed at the end or the most downstream portion of the piping system, and passes through the piping system and ends. Is subjected to ultrafiltration by the ultrafiltration device, and the ultrapure water after the ultrafiltration is supplied to the semiconductor cleaning step.

【0017】前記の構成によれば、最末端すなわち最下
流において出力水が限外濾過処理されるから、超純水供
給プラントの上流で生じたコンタミネーション分や粒状
形成分が最末端で捕捉されることになり、よって極めて
高純度の超純水が供給されることになる。
According to the above configuration, the output water is subjected to the ultrafiltration at the very end, that is, at the most downstream, so that the contamination and the particulates generated upstream of the ultrapure water supply plant are captured at the very end. Thus, ultrapure water of extremely high purity is supplied.

【0018】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手段を設
けた構成とされる場合は、限外濾過膜の保全作業や交換
作業後のプラント再稼働時に、装置内に残留する空気や
気体分がエア抜き手段によって迅速除去され、この結果
プラント再稼働時での調整作業の生産性が改善されて、
早期立ち上げがなされる。
Alternatively, when the ultrapure water supply plant according to the present invention has a configuration in which an air bleeding means is provided in the secondary pipe portion of the ultrafiltration device, the maintenance work and the exchange work of the ultrafiltration membrane are performed. When the plant is restarted later, the air and gas remaining in the device are quickly removed by the air bleeding means. As a result, the productivity of the adjustment work at the time of restarting the plant is improved,
An early launch is done.

【0019】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の液体排
出流路を設けた構成とされる場合は、超純水の通水の一
旦停止後の再立ち上げ時に発生する初期通水分のバイパ
ス排水がなされ、よって不安定な初期通水分の洗浄工程
への流入が阻止され、安定した定常状態への円滑な移行
が可能になる。
Alternatively, when the ultrapure water supply plant according to the present invention has a configuration in which a liquid discharge flow path that can be opened and closed is provided in the secondary pipe section of the ultrafiltration apparatus, By-pass drainage of the initial water flow generated at the time of re-starting after a temporary stop is performed, thereby preventing the unstable initial water flow from flowing into the cleaning process, and enabling a smooth transition to a stable steady state. .

【0020】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トの限外濾過装置が、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された複数基の限外濾過装置から構成され、
前記並列に接続された限外濾過装置の基数は必要とされ
る超純水の量に応じて増設自在あるいは減数自在に構成
される場合は、超純水供給プラントの規模を半導体洗浄
工程の処理能力に最適の規模に調整することが容易とな
り、よってコスト効果に優れ、かつ柔軟性のあるプラン
トが実現される。
Alternatively, the ultrafiltration apparatus of the ultrapure water supply plant according to the present invention is constituted by a plurality of ultrafiltration apparatuses each having a primary side and a secondary side connected in parallel,
If the number of the ultrafiltration devices connected in parallel is configured to be freely expandable or decrementable according to the required amount of ultrapure water, the scale of the ultrapure water supply plant may be reduced in the semiconductor cleaning process. It is easy to adjust the scale to the optimum for the capacity, thereby realizing a cost-effective and flexible plant.

【0021】あるいは、本発明に係る超純水供給プラン
トが、複数基の限外濾過装置を備え、前記複数基の限外
濾過装置の各一次側を前記配管系統の末端に並列に接続
し、かつ各二次側を少なくとも単独に、複数系統の半導
体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する構成される場合
は、半導体洗浄工程毎の管理を容易にし、他の限外濾過
装置を稼働させたままでのメンテナンスが可能になっ
て、管理コスト削減が可能になる。
Alternatively, the ultrapure water supply plant according to the present invention includes a plurality of ultrafiltration devices, and connects each primary side of the plurality of ultrafiltration devices in parallel to an end of the piping system, And when each secondary side is configured to be supplied at least independently to each of the semiconductor cleaning processes of a plurality of systems, the management of each semiconductor cleaning process is facilitated, and the other ultrafiltration device is operated while being operated. Maintenance becomes possible, and management costs can be reduced.

【0022】本発明に係る超純水の供給方法は、超純水
生成装置の生成した超純水を、配管系統を経て供給地点
まで運び、ついで前記配管系統末端に接続した限外濾過
装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体洗浄工程に
供給する構成としたことを特徴とする。
[0022] In the method for supplying ultrapure water according to the present invention, the ultrapure water generated by the ultrapure water generator is conveyed to a supply point via a piping system, and then to an ultrafiltration device connected to the end of the piping system. After the ultrafiltration process, the semiconductor device is supplied to a semiconductor cleaning step.

【0023】前記構成の超純水供給方法によれば、配管
系統を移動中に液中に混入された不純物等が最下流側に
おいて効果的に除去され、よって半導体洗浄工程に供給
される超純水中の純度を高くし、半導体製造工程の歩留
りを向上させることが可能になる。
According to the ultrapure water supply method having the above-described structure, impurities and the like mixed in the liquid while moving through the piping system are effectively removed at the most downstream side, so that the ultrapure water supplied to the semiconductor cleaning step is removed. It is possible to increase the purity in water and improve the yield of the semiconductor manufacturing process.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る超純水
供給プラントの一実施形態のプロセスフローシートであ
る。図1に示されるように、本発明に係る超純水供給プ
ラント1は、原水10から超純水を生成させる超純水生
成装置2と、超純水生成装置2の二次側に接続されて、
生成された超純水をこのプラントの末端まで運ぶ配管系
統3と、配管系統3の末端(あるいは最下流部)に接続
設置され、配管系統3から流入する超純水を限外濾過処
理した超純水5を半導体洗浄工程8に供給する限外濾過
装置4から構成される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a process flow sheet of one embodiment of an ultrapure water supply plant according to the present invention. As shown in FIG. 1, an ultrapure water supply plant 1 according to the present invention is connected to an ultrapure water generator 2 that generates ultrapure water from raw water 10 and a secondary side of the ultrapure water generator 2. hand,
The ultrapure water that is connected and installed at the piping system 3 that carries the generated ultrapure water to the end of the plant and the ultrapure water flowing from the piping system 3 at the end (or the most downstream part) of the piping system 3 It comprises an ultrafiltration device 4 for supplying pure water 5 to a semiconductor cleaning step 8.

【0025】超純水生成装置2は、逆浸透膜(RO膜)
からなる逆浸透膜ユニット21と、生成された超純水中
に含まれる、主としてコロイド物質を分離精製する限外
濾過膜から構成される限外濾過モジュール22から成っ
ている。また、限外濾過装置4は、限外濾過膜(UF
膜)から構成される。
The ultrapure water generator 2 is a reverse osmosis membrane (RO membrane)
And an ultrafiltration module 22 composed of an ultrafiltration membrane mainly for separating and purifying colloidal substances contained in the generated ultrapure water. Further, the ultrafiltration device 4 includes an ultrafiltration membrane (UF)
Film).

【0026】この超純水供給プラント1の動作を説明す
る。原水10は所定の高圧に加圧されて逆浸透膜ユニッ
ト21に導入され、逆浸透膜による逆浸透作用で純水が
二次側に出力される。この純水は限外濾過モジュール2
2によってコロイド物質等が分離除去され、超純水とし
て超純水生成装置2から送出される。
The operation of the ultrapure water supply plant 1 will be described. The raw water 10 is pressurized to a predetermined high pressure and introduced into the reverse osmosis membrane unit 21, and pure water is output to the secondary side by the reverse osmosis effect of the reverse osmosis membrane. This pure water is supplied to the ultrafiltration module 2
2 separates and removes colloidal substances and the like, and is sent out from the ultrapure water generator 2 as ultrapure water.

【0027】この超純水は配管系統3に導入され、配管
系統3内を移動するが、このとき配管系統3の内壁に付
着していた微粒子が内壁から離脱して超純水中に混入す
るといったような事態が生じたとしても、水分子以外の
こうした不純物は配管系統3の末端に接続設置された限
外濾過装置4の、限外濾過膜(UF膜)によって確実に
捕捉され、除去される。このようにして、常に不純物の
除去された超純水5が半導体洗浄工程8に供給される。
The ultrapure water is introduced into the piping system 3 and moves through the piping system 3. At this time, the fine particles adhering to the inner wall of the piping system 3 separate from the inner wall and enter the ultrapure water. Even if such a situation occurs, such impurities other than water molecules are reliably captured and removed by the ultrafiltration membrane (UF membrane) of the ultrafiltration device 4 connected and installed at the end of the piping system 3. You. Thus, the ultrapure water 5 from which impurities have been removed is always supplied to the semiconductor cleaning step 8.

【0028】前記のように、本発明では半導体洗浄工程
に用いる超純水の生成時に、主としてコロイド物質を分
離除去して超純水を精製する目的で用いられている限外
濾過(UF)モジュールをユースポイントに取り付ける
ことにより、例えばゲート酸化膜耐圧処理における歩留
まりの向上をはじめ、CCD素子製造の歩留り向上が可
能となった。
As described above, in the present invention, an ultrafiltration (UF) module mainly used for purifying ultrapure water by separating and removing colloidal substances when producing ultrapure water used in the semiconductor cleaning step. At the point of use, it is possible to improve the yield in manufacturing CCD devices, including the yield in, for example, gate oxide film breakdown voltage processing.

【0029】図2は、前述した限外濾過装置の一実施形
態の構成を示すプロセスフローシートである。同図で、
限外濾過装置41は、一次側ならびに二次側がそれぞれ
並列に接続された3基の限外濾過装置42A〜42Cか
ら構成される。配管系統3から流入する純水3aは、図
示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、3基の限外
濾過装置42A〜42Cのすべてに供給されて、それぞ
れの装置内で限外濾過処理がなされる。
FIG. 2 is a process flow sheet showing the configuration of an embodiment of the ultrafiltration apparatus described above. In the figure,
The ultrafiltration device 41 includes three ultrafiltration devices 42A to 42C each having a primary side and a secondary side connected in parallel. The pure water 3a flowing from the piping system 3 is pressurized to an ultrafiltration pressure by means (not shown), supplied to all three ultrafiltration devices 42A to 42C, and subjected to ultrafiltration processing in each device. Is made.

【0030】ここで、並列に接続された限外濾過装置の
基数(この例では3基)は、必要とされる超純水の量に
応じて増設自在あるいは減数自在に構成される。図2の
構成では、3基の限外濾過装置42A〜42Cの処理量
を総和した量の超純水43が洗浄工程に供給される。さ
らに大流量を必要とする場合、さらに多くの基の限外濾
過装置を並列に追加接続して対応する。
Here, the number of ultrafiltration devices connected in parallel (three in this example) can be increased or decreased depending on the required amount of ultrapure water. In the configuration shown in FIG. 2, ultrapure water 43 is supplied to the cleaning step in an amount obtained by summing up the processing amounts of the three ultrafiltration devices 42A to 42C. If a larger flow rate is required, more ultrafiltration devices may be additionally connected in parallel.

【0031】また、限外濾過装置41の二次側配管部に
は、初期通水時のエア溜まりをなくす為、エア抜き弁4
4がエア抜き手段として設けられている。また、フィル
ター交換時、エア抜き時の純水処理を簡単にする為、限
外濾過装置41の二次側に開閉自在の液体排出流路45
と、ドレンパン46を設け、常時排水可能としている。
In order to eliminate the accumulation of air at the time of initial water flow, an air release valve 4
4 is provided as air bleeding means. In addition, in order to simplify the pure water treatment at the time of filter replacement and air bleeding, a liquid discharge passage 45 that can be opened and closed is provided on the secondary side of the ultrafiltration device 41.
And a drain pan 46 are provided so that drainage is always possible.

【0032】前記のように構成したことで、メンテナン
ス完了後のエア抜き作業がエア抜き弁44の操作だけで
簡単迅速に実行でき、またその結果として装置内に残留
するエア分が効果的に排出除去される。
With the above-described structure, the air bleeding operation after the maintenance is completed can be easily and quickly performed only by operating the air bleed valve 44. As a result, the air remaining in the apparatus is effectively discharged. Removed.

【0033】また、純度の不安定な、再開直後の初期通
水分も、液体排出流路45の操作だけで簡単迅速にバイ
パス排水でき、よって安定した純度の出力水を供給する
までの調整作業が簡素化され、生産性が向上する。
In addition, the initial drainage water having an unstable purity and immediately after the restart can be easily and quickly bypassed and drained only by operating the liquid discharge passage 45, so that the adjusting operation until the supply of the stable output water is performed. Simplified and improved productivity.

【0034】図3は、限外濾過装置の別の実施形態の構
成を示すプロセスフローシートである。同図で、限外濾
過装置51は、3基の限外濾過装置52A、52B、5
2Cを備え、これら限外濾過装置の各一次側は配管系統
の末端に並列に接続され、配管系統3から流入する純水
3aは、図示されない手段で限外濾過圧まで加圧され、
3基の限外濾過装置52A〜52Cのすべてに供給され
て、それぞれの装置内で限外濾過処理がなされる。
FIG. 3 is a process flow sheet showing the configuration of another embodiment of the ultrafiltration device. In the drawing, the ultrafiltration device 51 includes three ultrafiltration devices 52A, 52B, 5
2C, each primary side of these ultrafiltration devices is connected in parallel to the end of the piping system, and pure water 3a flowing from the piping system 3 is pressurized to ultrafiltration pressure by means not shown,
It is supplied to all three ultrafiltration devices 52A to 52C, and ultrafiltration is performed in each device.

【0035】限外濾過装置52A〜52Cの二次側は、
3系統の半導体洗浄工程60A〜60Cのそれぞれに接
続され、超純水は個別に供給される。例えば限外濾過装
置52Aの二次側53aは、半導体洗浄工程60Aに接
続されて、半導体洗浄工程60A専用に超純水を供給す
る。同様に、限外濾過装置52Bの二次側53bは、半
導体洗浄工程60Bに接続されて、半導体洗浄工程60
B専用に超純水を供給し、また限外濾過装置52Cの二
次側53cは、半導体洗浄工程60Cに接続されて、半
導体洗浄工程60C専用に超純水を供給する。
The secondary sides of the ultrafiltration devices 52A to 52C are:
Ultrapure water is supplied individually to each of the three systems of semiconductor cleaning processes 60A to 60C. For example, the secondary side 53a of the ultrafiltration device 52A is connected to the semiconductor cleaning step 60A and supplies ultrapure water exclusively for the semiconductor cleaning step 60A. Similarly, the secondary side 53b of the ultrafiltration device 52B is connected to the semiconductor cleaning step 60B,
Ultrapure water is supplied exclusively for B, and the secondary side 53c of the ultrafiltration device 52C is connected to the semiconductor cleaning step 60C to supply ultrapure water exclusively for the semiconductor cleaning step 60C.

【0036】各二次側53a〜53cには、エア抜き弁
54A〜54Cならびに、開閉自在の液体排出流路55
A〜55Cと、ドレンパン56A〜56Cが夫々接続さ
れている。
Each of the secondary sides 53a-53c has an air vent valve 54A-54C and an openable / closable liquid discharge passage 55.
A to 55C are connected to drain pans 56A to 56C, respectively.

【0037】この構成により、半導体洗浄工程毎の超純
水供給側の管理が容易になり、他の限外濾過装置を稼働
させたままでのメンテナンスが可能になって、管理コス
トを削減することができる。
According to this configuration, the control of the ultrapure water supply side in each semiconductor cleaning process is facilitated, maintenance can be performed while other ultrafiltration devices are operated, and the management cost can be reduced. it can.

【0038】前記各実施形態において、UFモジュール
の目詰まり状態を管理する目的で、1次側あるいは2次
側のいずれかに、あるいは両側に、圧力計を設ける構成
も有効である。
In each of the above embodiments, it is effective to provide a pressure gauge on either the primary side or the secondary side or on both sides for the purpose of managing the clogged state of the UF module.

【0039】また、UFモジュール2次側配管はできる
限る短く構成することが好ましい。すなわち、半導体洗
浄工程に極めて近い位置まで配管系統を伸ばし、その末
端にUFモジュールを設置する構成が好ましい。
It is preferable that the secondary piping of the UF module is formed as short as possible. That is, a configuration is preferable in which the piping system is extended to a position very close to the semiconductor cleaning step, and the UF module is installed at the end.

【0040】このように本発明は、UFモジュールを超
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物あるい
は途中過程で形成された粒状形成物を、最下流側におい
て効果的に捕捉除去することができ、よって半導体洗浄
工程に供給する超純水中のコンタミネーション分や粒状
分の個数を低減し、半導体製造工程の歩留り向上を実現
するものである。
As described above, according to the present invention, by providing the UF module at the most downstream side of the ultrapure water supply plant, for example, impurities mixed in the liquid while moving in the piping system or granular formation formed in the middle of the process. Goods can be effectively captured and removed on the most downstream side, thus reducing the number of contaminations and particles in ultrapure water supplied to the semiconductor cleaning process, and improving the yield in the semiconductor manufacturing process. Things.

【0041】この効果を図4の液中ダスト推移グラフに
示す。同図から明らかなように、本発明に係る超純水供
給プラントの適用によって、液中ダスト個数を従来技術
における場合に比べて、大幅に低減させることができ
た。
This effect is shown in the transition graph of dust in liquid in FIG. As is clear from the figure, by applying the ultrapure water supply plant according to the present invention, the number of dust particles in the liquid was significantly reduced as compared with the case of the related art.

【0042】この結果、本発明に係る超純水供給プラン
トから供給される超純水を用いた半導体デバイス洗浄時
の不良発生率が、図5に示すゲート酸化膜耐圧換算で従
来の22%から現在の0%に顕著に改善され、よって安
定化された、しかも高水準の歩留りの達成が可能となっ
た。
As a result, the defect occurrence rate at the time of cleaning the semiconductor device using the ultrapure water supplied from the ultrapure water supply plant according to the present invention is reduced from the conventional 22% in terms of the gate oxide film breakdown voltage shown in FIG. It has been significantly improved to the current level of 0%, thus making it possible to achieve a stabilized and high level of yield.

【0043】また前記実施形態は、洗浄水あるいは流水
として超純水を用いる工程に適用される例を示したが、
本発明はこれに限ることなく、超純水と薬液の混合液を
洗浄水に用いる際の超純水にも、効果的に適用すること
が可能である。
In the above embodiment, an example is shown in which the present invention is applied to the step of using ultrapure water as washing water or running water.
The present invention is not limited to this, and can be effectively applied to ultrapure water when a mixed solution of ultrapure water and a chemical solution is used for cleaning water.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の請求項1に係る超純水供給プラ
ントは、超純水生成装置の二次側に接続された、超純水
を半導体洗浄工程まで運ぶ配管系統の末端に、限外濾過
装置を接続設置して、配管系統の末端に至った超純水を
限外濾過処理し、処理後の超純水を半導体洗浄工程に供
給する構成であるから、このようにUFモジュールを超
純水供給プラントの最下流側に設けることによって、例
えば配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下
流側において効果的に捕捉除去することができ、よって
半導体洗浄工程に供給する超純水中のコンタミネーショ
ン分や粒状形成分の個数を低減し、かつ、安定した超純
水の供給を行うことにより、半導体製造工程の歩留りを
向上させることができる。
The ultrapure water supply plant according to claim 1 of the present invention is limited to the end of a piping system which is connected to the secondary side of the ultrapure water generator and carries ultrapure water to the semiconductor cleaning step. An external filtration device is connected and installed, ultrapure water reaching the end of the piping system is subjected to ultrafiltration treatment, and the treated ultrapure water is supplied to the semiconductor cleaning process. By being provided at the most downstream side of the ultrapure water supply plant, for example, impurities mixed in the liquid while moving the piping system can be effectively captured and removed at the most downstream side, and thus supplied to the semiconductor cleaning process The yield of the semiconductor manufacturing process can be improved by reducing the number of contamination components and granular components in ultrapure water and performing stable supply of ultrapure water.

【0045】本発明の請求項2に係る超純水供給プラン
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部にエア抜き手
段を設ける構成であるから、限外濾過膜の保全作業や交
換作業ののちのプラント再稼働時に、装置内に残留する
空気や気体分をエア抜き手段によって効果的且つ迅速に
除去することができ、これによってプラント再稼働時で
の生産性の高い調整作業を可能にし、早期立ち上げを可
能にする。
Since the ultrapure water supply plant according to the second aspect of the present invention has a structure in which the secondary piping of the ultrafiltration device is provided with an air bleeding means, maintenance work and replacement of the ultrafiltration membrane are performed. When the plant is restarted after the operation, the air and gas remaining in the equipment can be effectively and quickly removed by the air bleeding device, thereby enabling highly productive adjustment work when the plant is restarted. To enable early startup.

【0046】本発明の請求項3に係る超純水供給プラン
トは、前記の限外濾過装置の二次側配管部に開閉自在の
液体排出流路を設ける構成であるから、超純水の通水を
一旦停止した後の再立ち上げ時に発生する初期通水分を
バイパスさせて排水でき、よって不安定初期通水分の洗
浄工程への流入を阻止して、定常な安定した状態に至っ
たのちに洗浄工程への供給を開始することができる。し
かもこれによってプラント再稼働時の調整作業の生産性
を向上し、早期立ち上げを可能にするという効果があ
る。
The ultrapure water supply plant according to claim 3 of the present invention has a structure in which a liquid discharge flow path that can be opened and closed is provided in the secondary side piping section of the ultrafiltration device, so that the ultrapure water flow is provided. After the water is once stopped, it can be drained by bypassing the initial moisture generated at the time of re-starting, thus preventing unstable initial moisture from flowing into the cleaning process, and after reaching a steady state. The supply to the cleaning step can be started. Moreover, this has the effect of improving the productivity of the adjustment work at the time of restarting the plant and enabling early startup.

【0047】本発明の請求項4に係る超純水供給プラン
トは、限外濾過装置を複数基の限外濾過装置で構成し、
これら限外濾過装置の一次側ならびに二次側をそれぞれ
並列に接続するものとし、しかも並列に接続する限外濾
過装置の基数を、必要とされる超純水の量に応じて自在
に増設あるいは減数するものであるから、超純水供給プ
ラントの規模を半導体洗浄工程の処理能力に最適の規模
に調整することが容易であり、よってコストパフォーマ
ンスの優れた、フレキシビリティに富んだプラントを実
現することができる。
In the ultrapure water supply plant according to claim 4 of the present invention, the ultrafiltration device comprises a plurality of ultrafiltration devices,
The primary and secondary sides of these ultrafiltration devices are connected in parallel, respectively, and the number of ultrafiltration devices connected in parallel can be freely increased or decreased according to the amount of ultrapure water required. Because of the reduction, it is easy to adjust the scale of the ultrapure water supply plant to the optimum size for the processing capacity of the semiconductor cleaning process, thereby realizing a cost-effective and highly flexible plant. be able to.

【0048】本発明の請求項5に係る超純水供給プラン
トは、複数基の限外濾過装置の各一次側を配管系統の末
端に並列に接続し、かつ各二次側を少なくとも単独に、
複数系統の半導体洗浄工程のそれぞれに個別に供給する
構成としたものであるから、半導体洗浄工程毎の管理が
容易になり、他の限外濾過装置を稼働させたままでのメ
ンテナンスが可能になって、管理コストを削減すること
ができるという効果がある。
In the ultrapure water supply plant according to claim 5 of the present invention, each primary side of the plurality of ultrafiltration devices is connected in parallel to the end of the piping system, and each secondary side is at least independently provided.
Since the system is configured to be individually supplied to each of the semiconductor cleaning processes of a plurality of systems, management of each semiconductor cleaning process is facilitated, and maintenance can be performed while other ultrafiltration devices are operating. This has the effect of reducing management costs.

【0049】本発明の請求項6に係る超純水の供給方法
は、超純水生成装置の生成した超純水を、配管系統を経
て供給地点まで運び、ついで前記配管系統末端に接続し
た限外濾過装置にて限外濾過処理を施したのち、半導体
洗浄工程に供給する構成としたものであるから、例えば
配管系統を移動中に液中に混入された不純物を最下流側
において効果的に除去することができ、よって半導体洗
浄工程に供給する超純水中の不純物を少なくし、半導体
製造工程の歩留りを向上させることができる。
In the method for supplying ultrapure water according to claim 6 of the present invention, the ultrapure water generated by the ultrapure water generator is transported to a supply point via a piping system and then connected to the end of the piping system. After being subjected to ultrafiltration treatment by an external filtration device, it is configured to be supplied to the semiconductor cleaning process. For example, impurities mixed in the liquid while moving in the piping system can be effectively reduced at the most downstream side. Therefore, impurities in ultrapure water supplied to the semiconductor cleaning process can be reduced, and the yield of the semiconductor manufacturing process can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る超純水供給プラントの一実施形態
のプロセスフローシートである。
FIG. 1 is a process flow sheet of an embodiment of an ultrapure water supply plant according to the present invention.

【図2】限外濾過装置の構成の一例を示すプロセスフロ
ーシートである。
FIG. 2 is a process flow sheet showing an example of the configuration of the ultrafiltration device.

【図3】限外濾過装置の他の構成例を示すプロセスフロ
ーシートである。
FIG. 3 is a process flow sheet showing another configuration example of the ultrafiltration device.

【図4】本発明に係る超純水供給プラントによる液中ダ
ストの捕捉効果を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing an effect of capturing dust in liquid by the ultrapure water supply plant according to the present invention.

【図5】UFモジュール導入によるゲート酸化膜耐圧収
率の推移を示す線図である。
FIG. 5 is a diagram showing a change in gate oxide film breakdown voltage yield due to introduction of a UF module.

【図6】従来の超純水供給プラントのプロセスフローシ
ートである。
FIG. 6 is a process flow sheet of a conventional ultrapure water supply plant.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……超純水供給プラント、2……超純水生成装置、3
……配管系統、4……限外濾過装置、5……超純水、8
……半導体洗浄工程、10……原水、21……逆浸透膜
ユニット、22……限外濾過モジュール。
1 ... ultrapure water supply plant, 2 ... ultrapure water generator, 3
... Piping system, 4 ... Ultrafiltration device, 5 ... Ultra pure water, 8
... semiconductor cleaning process, 10 ... raw water, 21 ... reverse osmosis membrane unit, 22 ... ultrafiltration module.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/304 341 H01L 21/304 341Z ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/304 341 H01L 21/304 341Z

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 超純水生成装置と、前記超純水生成装置
の二次側に接続されて、生成された超純水を半導体洗浄
工程まで運ぶ配管系統とからなる超純水供給プラントに
おいて、 前記配管系統の末端あるいは最下流部に限外濾過装置を
接続設置し、前記配管系統中を通過して末端に至った超
純水を前記限外濾過装置にて限外濾過処理し、限外濾過
処理後の超純水を半導体洗浄工程に供給する構成とした
ことを特徴とする超純水供給プラント。
1. An ultrapure water supply plant comprising an ultrapure water generator and a piping system connected to a secondary side of the ultrapure water generator and transporting the generated ultrapure water to a semiconductor cleaning step. An ultrafiltration device is connected and installed at the end or the most downstream portion of the piping system, and ultrapure water passing through the piping system and reaching the end is subjected to ultrafiltration by the ultrafiltration device. An ultrapure water supply plant, characterized in that ultrapure water after external filtration is supplied to a semiconductor cleaning step.
【請求項2】 前記請求項1記載の限外濾過装置の二次
側にエア抜き手段を設けたことを特徴とする請求項1記
載の超純水供給プラント。
2. The ultrapure water supply plant according to claim 1, wherein an air venting means is provided on a secondary side of the ultrafiltration apparatus according to claim 1.
【請求項3】 前記請求項1記載の限外濾過装置の二次
側に開閉自在の液体排出流路を設けたことを特徴とする
請求項1記載の超純水供給プラント。
3. The ultrapure water supply plant according to claim 1, wherein a liquid discharge flow path that can be opened and closed is provided on the secondary side of the ultrafiltration device according to claim 1.
【請求項4】 前記限外濾過装置は、一次側ならびに二
次側がそれぞれ並列に接続された複数基の限外濾過装置
から構成され、前記並列に接続された限外濾過装置の基
数は必要とされる超純水の量に応じて増設自在あるいは
減数自在に構成されたことを特徴とする請求項1記載の
超純水供給プラント。
4. The ultrafiltration device comprises a plurality of ultrafiltration devices each having a primary side and a secondary side connected in parallel, and the number of the ultrafiltration devices connected in parallel is required. 2. The ultrapure water supply plant according to claim 1, wherein the ultrapure water supply plant is configured to be freely added or decremented according to the amount of the ultrapure water to be performed.
【請求項5】 複数基の限外濾過装置を備え、前記複数
基の限外濾過装置の各一次側を前記配管系統の末端に並
列に接続し、かつ各二次側が少なくとも単独に超純水
を、複数系統の半導体洗浄工程のそれぞれに個別に供給
する構成としたことを特徴とする請求項1記載の超純水
供給プラント。
5. A plurality of ultrafiltration devices, wherein each primary side of said plurality of ultrafiltration devices is connected in parallel to an end of said piping system, and each secondary side is at least independently ultrapure water. 2. The ultrapure water supply plant according to claim 1, wherein each of the plurality of systems is individually supplied to each of the semiconductor cleaning processes.
【請求項6】 超純水生成装置の生成した超純水を、配
管系統を経て供給地点まで運び、ついで前記配管系統末
端に接続した限外濾過装置によって限外濾過処理を施し
たのち、半導体洗浄工程に供給する構成としたことを特
徴とする超純水の供給方法。
6. The ultrapure water generated by the ultrapure water generator is transported to a supply point via a piping system, and then subjected to ultrafiltration by an ultrafiltration device connected to an end of the piping system, and then to a semiconductor. A method of supplying ultrapure water, wherein the method supplies the ultrapure water to a cleaning step.
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