JPH1096754A - Inspecting method for liquid crystal panel substrate - Google Patents

Inspecting method for liquid crystal panel substrate

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JPH1096754A
JPH1096754A JP8250741A JP25074196A JPH1096754A JP H1096754 A JPH1096754 A JP H1096754A JP 8250741 A JP8250741 A JP 8250741A JP 25074196 A JP25074196 A JP 25074196A JP H1096754 A JPH1096754 A JP H1096754A
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storage capacitor
pixel
liquid crystal
tft
pixel electrode
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Magoyuki Yokogawa
孫幸 横川
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  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect easily severance of wire between TFT and a pixel electrode, by charging each retension volume and discharging signal line, and then by moving storage electric charge to the signal line to amplify it and detecting it. SOLUTION: In a liquid crystal panel substrate, a retension volume for each pixel 13 is connected to corresponding thin film transistor TFT through a pixel electrode. During inspection, first the TFT for each pixel is turned on and each retension volume is charged through signal line 12 in the condition that an adequate voltage is supplied to an image signal input terminal, next after the TFT is again turned on, and the storage electric charge in the retension volume is moved to the signal line 12 and detected by an external detector through the image signal input terminal. Because if severance of wire is occurring between the TFT and the pixel electrode the retension volume is not charged, otherwise the capacit is charged, any severance of wire is easily detected. In addition, before detecting electric charge of the retension volume the signal line 12 is discharged, therefore, change of electric potential during transferring electric charge becomes larger, and severance of wire is easily and precisely detected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル用基板
およびその液晶パネル用基板の検査技術に関し、特にT
FT(薄膜トランジスタ)によって画素電極を駆動する
アクティブマトリックス型LCD(液晶表示装置)のT
FTと画素電極との断線および画素電極間の短絡検出方
式に利用して好適な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal panel substrate and a technique for inspecting the liquid crystal panel substrate.
T of an active matrix type LCD (liquid crystal display) driving pixel electrodes by FT (thin film transistor)
The present invention relates to a technique suitable for use in a method for detecting a disconnection between an FT and a pixel electrode and a short circuit between the pixel electrodes.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、アクティブマトリックスLCDと
しては、ガラス基板上にマトリックス状に画素電極を形
成するとともに、各画素電極に対応してアモルファスシ
リコンやポリシリコンを用いたTFTを1対1で形成し
て、各画素電極にTFTにより電圧を印加して液晶を駆
動するようにした構成のLCDが実用化されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an active matrix LCD, pixel electrodes are formed in a matrix on a glass substrate, and TFTs using amorphous silicon or polysilicon are formed in a one-to-one correspondence with each pixel electrode. Thus, an LCD having a configuration in which a liquid crystal is driven by applying a voltage to each pixel electrode by a TFT has been put to practical use.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アクティブマトリックスLCDにおいては、画素電極と
TFTとが断線しているような場合、これを電気的に検
出することが困難であった。そのため、画素電極とTF
Tとの断線を簡単に検出できる技術が望まれていた。
However, in the conventional active matrix LCD, when the pixel electrode and the TFT are disconnected, it is difficult to electrically detect the disconnection. Therefore, the pixel electrode and TF
There has been a demand for a technology that can easily detect a disconnection from T.

【0004】ところで、アクティブマトリックスLCD
においては、画素電極の微細化に伴って液晶容量のみで
は画素信号を充分に保持できないため、保持容量が付加
されTFTに接続されることがある。上記TFTと画素
電極および保持容量との接続関係を図示すると、図10
のようになる。同図において、符号1で示されているの
がTFT、2が画素電極、3が保持容量である。従っ
て、同図の符号Aで示すような箇所が断線していた場
合、画素電極ITOに電圧が印加されないため、製品と
しては欠陥を有することとなる。
By the way, an active matrix LCD
In, since a pixel signal cannot be sufficiently held only by a liquid crystal capacitor with miniaturization of a pixel electrode, a storage capacitor may be added and connected to a TFT. FIG. 10 illustrates a connection relationship between the TFT, the pixel electrode, and the storage capacitor.
become that way. In the figure, reference numeral 1 denotes a TFT, 2 denotes a pixel electrode, and 3 denotes a storage capacitor. Therefore, if the portion indicated by the symbol A in the figure is broken, no voltage is applied to the pixel electrode ITO, and the product has a defect.

【0005】なお、上記のような保持容量としては、例
えばTFTの動作層となるポリシリコン層を信号線等の
下方に延設して、前段すなわち走査線を挟んで隣接する
画素用の走査線を同様に信号線に沿って延設して上記ポ
リシリコン層と絶縁膜を挟んで重なるように配設し、上
記延設部間の絶縁膜容量を保持容量としたものが提案さ
れている。その場合、TFTの動作層と保持容量の電極
とは同一のポリシリコン層で形成されるため、TFTと
保持容量との間には比較的断線が生じにくい。一方、画
素電極は、一般にTFTとは異なるITO膜で形成さ
れ、コンタクトホールにて接続されることとなるため、
TFTと保持容量との間に比べて断線が生じ易いという
不具合がある。ところが、図10のような構成において
は、TFT1と画素電極2との間の断線を電気的に検出
することが困難であった。
As the storage capacitor as described above, for example, a polysilicon layer serving as an operation layer of a TFT is provided below a signal line or the like, and a scanning line for a pixel adjacent to the preceding stage, that is, a scanning line is interposed therebetween. Is also provided so as to extend along the signal line so as to overlap with the polysilicon layer with the insulating film interposed therebetween, and the capacity of the insulating film between the extending portions as a storage capacitor has been proposed. In that case, since the operation layer of the TFT and the electrode of the storage capacitor are formed of the same polysilicon layer, disconnection is relatively unlikely to occur between the TFT and the storage capacitor. On the other hand, the pixel electrode is generally formed of an ITO film different from the TFT and is connected through a contact hole.
There is a disadvantage that disconnection is more likely to occur than between the TFT and the storage capacitor. However, in the configuration as shown in FIG. 10, it is difficult to electrically detect a disconnection between the TFT 1 and the pixel electrode 2.

【0006】この発明の目的は、アクティブマトリック
スLCDにおけるTFTと画素電極との断線を極めて簡
単に検出することが可能な技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of extremely easily detecting disconnection between a TFT and a pixel electrode in an active matrix LCD.

【0007】この発明の他の目的は、プロセスの工程数
を増加させることなく、TFTと画素電極との断線を簡
単に検出することが可能なアクティブマトリックスLC
D用基板を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an active matrix LC capable of easily detecting disconnection between a TFT and a pixel electrode without increasing the number of process steps.
It is to provide a substrate for D.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、液晶パネル用基板を、各画素の保持容量
が画素電極を介して対応するTFTに接続された構成と
し、検査時には先ず画像信号入力端子に適当な電圧を印
加した状態で各画素のTFTをオンさせて信号線を介し
て各保持容量を充電させ、次に再びTFTをオンさせて
上記保持容量に蓄積されていた電荷を信号線に移して画
像入力信号端子を介して外部の検査装置で検出するよう
にしたものである。これによって、TFTと画素電極お
よび保持容量との接続関係は図9のようになるため、T
FT1と画素電極3との間が断線している場合には保持
容量3は充電されず、断線していない場合には保持容量
3が充電されるため、上記検査によって容易に断線を検
出することができる。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a liquid crystal panel substrate has a structure in which a storage capacitor of each pixel is connected to a corresponding TFT via a pixel electrode. With the appropriate voltage applied to the image signal input terminal, the TFT of each pixel is turned on to charge each storage capacitor via the signal line, and then the TFT is turned on again to store the electric charge stored in the storage capacitor. Is transferred to a signal line and detected by an external inspection device via an image input signal terminal. As a result, the connection relationship between the TFT, the pixel electrode, and the storage capacitor becomes as shown in FIG.
If the disconnection between the FT 1 and the pixel electrode 3 is broken, the storage capacitor 3 is not charged, and if not, the storage capacitor 3 is charged. Can be.

【0009】上記検査においては、保持容量を充電しそ
の後電荷を検出する前に一旦信号線をディスチャージ
(放電)させるのが望ましい。また、検査時の保持容量
への充電および電荷の検出は走査線ごとに順次行なうよ
うにするのが良い。さらに、保持容量の有する電荷の検
出は信号線をスキャンして順次行なって行くようにす
る。これによって、欠陥(断線)のある画素の位置も検
出することができる。
In the above-mentioned inspection, it is desirable to discharge (discharge) the signal line once before charging the storage capacitor and thereafter detecting the electric charge. Further, it is preferable that the charging of the storage capacitor and the detection of the electric charge at the time of inspection are sequentially performed for each scanning line. Further, detection of the electric charge of the storage capacitor is performed sequentially by scanning the signal line. As a result, the position of a pixel having a defect (disconnection) can also be detected.

【0010】上記保持容量としては、TFTの動作層ま
たは信号線となる導電層と同一工程で同時に形成される
導電層を、隣接する画素の走査線の下方もしくは上方に
絶縁膜を介して重なるように設け、前記導電層と走査線
との間に構成される容量を利用することができる。これ
によって、プロセスの工程数を増加させることなく、T
FTと画素電極との断線を簡単に検出することが可能な
液晶パネル用基板を提供することができるようになる。
The above-mentioned storage capacitor is formed such that a conductive layer formed simultaneously with the conductive layer serving as an operation layer or a signal line of the TFT in the same step as the storage layer overlaps below or above a scanning line of an adjacent pixel via an insulating film. And a capacitor formed between the conductive layer and the scanning line can be used. As a result, T is increased without increasing the number of steps in the process.
It is possible to provide a liquid crystal panel substrate that can easily detect a disconnection between the FT and the pixel electrode.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明が適用される液晶パネル用
基板の画素電極側の基板の一例を示す。図において、1
1および12は互いに交差する方向に配設された走査線
および信号線、13は前記走査線11と信号線12との
交差部分にそれぞれ配置された画素で、各画素はITO
等からなる画素電極13aとこの画素電極に順次信号線
12上の画像信号に応じた電圧を印加するTFT13b
と保持容量13cとからなる。同一行のTFTはそのゲ
ートが同一の走査線11に接続され、ドレインが対応す
る画素電極に接続されている。また、同一列のTFTは
そのソースが同一の信号線12に接続されている。この
実施例においては、画素を駆動するTFTはポリシリコ
ン層をチャネル層とするいわゆるポリシリコンTFTで
構成されており、周辺回路を構成するトランジスタとと
もに同一プロセスにより、同時に形成される。
FIG. 1 shows an example of a substrate on a pixel electrode side of a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied. In the figure, 1
Reference numerals 1 and 12 denote scanning lines and signal lines arranged in directions intersecting with each other. Reference numeral 13 denotes pixels disposed at intersections of the scanning lines 11 and the signal lines 12, respectively.
And a TFT 13b for sequentially applying a voltage corresponding to an image signal on the signal line 12 to the pixel electrode 13a.
And the storage capacitor 13c. The TFTs in the same row have their gates connected to the same scanning line 11 and their drains connected to corresponding pixel electrodes. The sources of the TFTs in the same column are connected to the same signal line 12. In this embodiment, a TFT for driving a pixel is formed of a so-called polysilicon TFT using a polysilicon layer as a channel layer, and is formed simultaneously with a transistor constituting a peripheral circuit by the same process.

【0013】14は、上記走査線11を順次選択駆動す
るシフトレジスタ(以下、Yシフトレジスタと称す
る)、15は上記信号線12の端部に接続され各信号線
12に外部から供給される画像信号に応じた電圧を印加
するサンプリング用のTFTである。上記サンプリング
用TFT15のソースには、外部端子31から供給され
る画像信号VIDが入力され、TFT15のゲートには
信号線12を順次選択するシフトレジスタ(以下、Xシ
フトレジスタと称する)16から出力されるサンプリン
グパルスが印加されている。Xシフトレジスタ16は、
外部から供給されるシフトクロックCLXに基づいて1
走査期間中にすべての信号線12を順番に1度ずつ選択
するようなサンプリングパルスX1,X2,X3,‥‥
‥Xnを形成してTFT15のゲートに供給する。な
お、上記Yシフトレジスタ14およびXシフトレジスタ
16は、それぞれ外部から供給されるスタート信号DS
Y,DSXによってシフト動作を開始するように構成さ
れているとともに、特に限定されないが、Xシフトレジ
スタ16は制御パルスALHが入力されるとすべてのサ
ンプリングパルスX1,X2,X3,‥‥‥Xnがハイ
レベルになるように構成されている。なお、この場合、
上記制御パルスALHが入力される外部端子32はテス
ト専用の端子として設けられることとなる。
Reference numeral 14 denotes a shift register (hereinafter referred to as a Y shift register) for sequentially driving the scanning lines 11, and 15 denotes an image which is connected to an end of the signal lines 12 and which is supplied to each signal line 12 from the outside. This is a sampling TFT for applying a voltage according to a signal. The image signal VID supplied from the external terminal 31 is input to the source of the sampling TFT 15, and the gate of the TFT 15 is output from a shift register (hereinafter referred to as an X shift register) 16 for sequentially selecting the signal line 12. Sampling pulse is applied. The X shift register 16
1 based on shift clock CLX supplied from outside
Sampling pulses X1, X2, X3,.
‥ Xn is formed and supplied to the gate of the TFT 15. The Y shift register 14 and the X shift register 16 are provided with a start signal DS supplied from the outside.
The shift operation is started by Y and DSX, and is not particularly limited. However, when the control pulse ALH is input, the X shift register 16 outputs all sampling pulses X1, X2, X3,. It is configured to be high level. In this case,
The external terminal 32 to which the control pulse ALH is input is provided as a dedicated test terminal.

【0014】この実施例では、上記Yシフトレジスタ1
4の出力と外部からの制御パルスENとの論理積をとる
ANDゲート18が各走査線11に対応して設けられて
いるとともに、上記制御パルスENを入力するための端
子33が設けられており、走査線選択期間中にロウレベ
ルの制御パルスENが入力されると当該走査線に接続さ
れたTFT13が一時的にオフされるように構成されて
いる。なお、上記制御パルスENが入力される外部端子
33は、テスト用の端子として設けても良いが、PAL
方式の画像も表示できるようにされたLCDでは、前記
ANDゲート18およびフレーム間引きのための制御信
号を入力する端子がもともと設けられているので、それ
を利用して上記のような検査のための動作を行なうよう
にすることができる。また、上記制御パルスENが入力
される外部端子33を、テスト専用の端子として設けた
場合には、通常動作時にその端子を例えばプルアップ抵
抗を介して電源電圧に接続するなどしてハイレベルに固
定すれば良い。
In this embodiment, the Y shift register 1
An AND gate 18 for obtaining the logical product of the output of the control signal EN and the control pulse EN from the outside is provided corresponding to each scanning line 11, and a terminal 33 for inputting the control pulse EN is provided. When a low-level control pulse EN is input during a scanning line selection period, the TFT 13 connected to the scanning line is temporarily turned off. The external terminal 33 to which the control pulse EN is input may be provided as a terminal for testing.
In an LCD which can also display an image of the system, the AND gate 18 and a terminal for inputting a control signal for frame thinning are originally provided. An operation can be performed. When the external terminal 33 to which the control pulse EN is input is provided as a dedicated test terminal, the terminal is set to a high level during normal operation by connecting the terminal to a power supply voltage via, for example, a pull-up resistor. Just fix it.

【0015】図1の実施例のようにTFTとそれに接続
された走査線、信号線、画素電極が形成された液晶パネ
ル用基板は、その表面側に、LCコモン電位が印加され
る透明導電膜(ITO)からなる対向電極およびカラー
フィルタ層を有するガラス基板が適当な間隔をおいて配
置されるとともに、周囲をシール材で封止され、その間
隙内にTN(Twisted Nematic)型液晶またはSH(Sup
er Homeotropic)型液晶などが充填されて液晶パネルと
して構成される。本発明による検査は、液晶パネルとし
て組み立てられる前の基板の状態で行なわれるものであ
る。これによって、欠陥を有する基板が組立てラインに
供給されるのを回避することができる。
As shown in the embodiment of FIG. 1, the substrate for the liquid crystal panel on which the TFTs and the scanning lines, signal lines, and pixel electrodes connected to the TFTs are formed has a transparent conductive film to which an LC common potential is applied. A counter substrate made of (ITO) and a glass substrate having a color filter layer are arranged at appropriate intervals, the periphery thereof is sealed with a sealing material, and a TN (Twisted Nematic) type liquid crystal or SH ( Sup
(er Homeotropic) type liquid crystal is filled to form a liquid crystal panel. The inspection according to the present invention is performed in a state of a substrate before being assembled as a liquid crystal panel. This can prevent a defective substrate from being supplied to the assembly line.

【0016】次に、上記実施例のように構成された液晶
パネル用基板の検査方法を、図2のタイミングチャート
を用いて説明する。図2において、CLYはYシフトレ
ジスタ14をシフト動作させるクロックで、H1,H
2,H3がそれぞれ1水平走査期間である。また、Y
1,Y2,Y3‥‥‥は各走査線11を選択駆動する信
号(ANDゲート18の出力信号)、Vtは検査時に画
像入力端子31に印加されあるいは現れる電圧、X1,
X2,X3,‥‥‥Xnはサンプリング用TFT15の
ゲートに印加される信号である。
Next, a method of inspecting the liquid crystal panel substrate constructed as in the above embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. In FIG. 2, CLY is a clock for shifting the Y shift register 14, and H1, H
2 and H3 each represent one horizontal scanning period. Also, Y
1, Y2, Y3} are signals for selectively driving each scanning line 11 (the output signal of the AND gate 18), Vt is a voltage applied to or appearing on the image input terminal 31 during inspection, X1,
X2, X3, .DELTA.Xn are signals applied to the gate of the sampling TFT 15.

【0017】この実施例においては、テスタすなわち検
査装置によって上記クロックCLYに同期して端子31
に画像信号の代わりに12Vのような電圧を与えるとと
もに、サンプリング用TFT15のゲートに印加される
信号X1,X2,X3,‥‥‥Xnを同時に立ち上げて
すべての信号線12上のTFT15をオンさせて、信号
線15に12Vのような電圧を印加させる(タイミング
t1)。すると、Yシフトレジスタ14によって先ず第
1の走査線の選択信号Y1がハイレベルに変化されてそ
の走査線に接続されたすべての画素のTFTがオンさ
れ、保持容量が充電される。続いて、上記端子31を接
地点に接続するとともに制御パルスENを入力させる
(タイミングt2)。すると、上記選択信号Y1が一時
的にロウレベルに変化され、当該走査線に接続されてい
る画素のTFTがオフされるとともに、オン状態のサン
プリング用TFT15を介してすべての信号線12の電
荷がディスチャージされる。
In this embodiment, the terminal 31 is synchronized with the clock CLY by a tester or an inspection device.
, A voltage such as 12 V is applied instead of an image signal, and signals X1, X2, X3,... Xn applied to the gates of the sampling TFTs 15 are simultaneously activated to turn on the TFTs 15 on all the signal lines 12. Then, a voltage such as 12 V is applied to the signal line 15 (timing t1). Then, the selection signal Y1 of the first scanning line is first changed to the high level by the Y shift register 14, and the TFTs of all the pixels connected to the scanning line are turned on, and the storage capacitor is charged. Subsequently, the terminal 31 is connected to the ground point and the control pulse EN is input (timing t2). Then, the selection signal Y1 is temporarily changed to the low level, the TFTs of the pixels connected to the scanning line are turned off, and the charges of all the signal lines 12 are discharged via the sampling TFT 15 in the on state. Is done.

【0018】次に、再び選択信号Y1がハイレベルにさ
れて各画素のTFTがオンされる(タイミングt3)。
ここで、TFTと画素電極との間が断線している場合に
は保持容量は充電されないが、断線していない場合には
保持容量が充電されるため、TFTのオンによって断線
していない画素では保持容量に充電されていた電荷によ
って信号線12のレベルが上昇する。そこで、次に、X
シフトレジスタ16にスタート信号DSXを与えるとX
シフトレジスタ16の出力X1,X2,X3,‥‥‥X
nが順番に立ち上がって行き、TFT15が順番にオン
するので上記各信号線12の電位変化を端子31に接続
されたテスタ等の内部に設けられている増幅回路によっ
て増幅させることで、断線の有無を検出することができ
る(検出期間T1,T2,T3)。
Next, the selection signal Y1 is set to the high level again, and the TFT of each pixel is turned on (timing t3).
Here, the storage capacitor is not charged when the TFT and the pixel electrode are disconnected, but is charged when the TFT is not disconnected. The level of the signal line 12 increases due to the electric charge charged in the storage capacitor. Then, next, X
When a start signal DSX is applied to the shift register 16, X
Outputs X1, X2, X3, ΔX of shift register 16
n rises in order and the TFTs 15 turn on in sequence, so that the potential change of each of the signal lines 12 is amplified by an amplifier circuit provided inside a tester or the like connected to the terminal 31 to determine whether there is a disconnection. Can be detected (detection periods T1, T2, T3).

【0019】なお、上記実施例においては、テスト時に
すべての信号線12を同時にオンさせてチャージアップ
し続いてすべての信号線12をディスチャージできるよ
うにするため、Xシフトレジスタ16が制御パルスAL
Hで制御できる構成とされていると説明したが、Xシフ
トレジスタ16の構成を全く変更せずに本発明を適用す
ることもできる。すなわち、1つの走査線が選択されて
いる間にXシフトレジスタ16に、図3に示すように、
3回スタート信号DSXを与えて出力X1,X2,X
3,‥‥‥Xnを3回順繰りに出力させ、1回目のサイ
クル期間TS1で各信号線12を順番にチャージアップ
させ、2回目のサイクル期間TS1で信号線12をディ
スチャージさせ、3回目のサイクル期間TS3で保持容
量の電荷を信号線に移して検出を行なうようにすれば良
い。そして、この場合、Yシフトレジスタ14には通常
の動作時の3倍の周期を有するシフトクロックCLYを
与えるようにする。また、画像信号入力端子31への電
圧の設定および外部端子33への制御パルスENの供給
は前記実施例に準じて行なうようにすれば良い。
In the above embodiment, the X shift register 16 is controlled by the control pulse AL so that all the signal lines 12 can be simultaneously turned on at the time of a test to charge up and subsequently discharge all the signal lines 12.
Although it has been described that the configuration can be controlled by H, the present invention can be applied without changing the configuration of the X shift register 16 at all. That is, while one scanning line is selected, as shown in FIG.
Apply start signal DSX three times and output X1, X2, X
3, .DELTA.Xn are sequentially output three times, each signal line 12 is sequentially charged up in the first cycle period TS1, the signal line 12 is discharged in the second cycle period TS1, and the third cycle In the period TS3, the charge of the storage capacitor may be transferred to the signal line to perform detection. In this case, the Y shift register 14 is supplied with a shift clock CLY having a cycle three times that of a normal operation. The setting of the voltage to the image signal input terminal 31 and the supply of the control pulse EN to the external terminal 33 may be performed according to the above-described embodiment.

【0020】図4に本発明の第2の実施例を示す。この
実施例では、画素マトリックスの上下(もしくは左右)
すなわち走査線11の両端にそれぞれ走査線を順次選択
駆動するシフトレジスタ(以下、Yシフトレジスタと称
する)14A,14Bが設けられている。Yシフトレジ
スタ14Aと14Bは、同一の電圧を同一のタイミング
で各走査線11に印加する。つまり、1本の走査線11
をその両側から同時に駆動する。これによって、走査線
11の有する寄生抵抗による電圧のレベル落ちや信号の
遅れを減らすことができる。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the upper and lower (or left and right) of the pixel matrix
That is, shift registers (hereinafter, referred to as Y shift registers) 14A and 14B for sequentially selecting and driving the scanning lines are provided at both ends of the scanning line 11, respectively. The Y shift registers 14A and 14B apply the same voltage to each scanning line 11 at the same timing. That is, one scanning line 11
Are simultaneously driven from both sides thereof. Thus, it is possible to reduce a voltage level drop and a signal delay due to the parasitic resistance of the scanning line 11.

【0021】一方、この実施例では、画素マトリックス
の左右(もしくは上下)すなわち信号線12の両端にそ
れぞれTFT15A,15Bが設けられている。このう
ちTFT15Aは各信号線12に画像信号に応じた電圧
を印加するサンプリング用のTFTであり、他方のTF
T15Bは各信号線12にプリチャージレベルを印加す
るプリチャージ用TFTである。
On the other hand, in this embodiment, TFTs 15A and 15B are provided on the left and right (or up and down) of the pixel matrix, that is, on both ends of the signal line 12, respectively. Among them, the TFT 15A is a sampling TFT for applying a voltage corresponding to an image signal to each signal line 12, and the other TF is used.
T15B is a precharge TFT for applying a precharge level to each signal line 12.

【0022】上記プリチャージ用TFT15Bのソース
(信号線接続端子と反対側の端子)には外部から供給さ
れる補助入力信号NRSが印加され、TFT15Bのゲ
ートには外部から供給されるタイミング信号NSGが共
通に印加されている。これによって、すべての信号線1
2は走査線11の走査と同期して画像信号の印加前に補
助入力信号NRSのレベルにそれぞれ同時にプリチャー
ジされ、比較的短いサンプリングパルスによっても画像
信号のレベルに応じた正確な電圧が各画素電極へ印加さ
れるように構成されている。この実施例では、上記サン
プリング用TFT15Aおよびプリチャージ用TFT1
5Bを、検査時にそれぞれ信号線のチャージ用TFTま
たはディスチャージ用TFTとして利用することができ
る。
An auxiliary input signal NRS supplied from outside is applied to the source (terminal opposite to the signal line connection terminal) of the precharge TFT 15B, and a timing signal NSG supplied from outside is applied to the gate of the TFT 15B. Commonly applied. As a result, all signal lines 1
2 is simultaneously precharged to the level of the auxiliary input signal NRS before the application of the image signal in synchronization with the scanning of the scanning line 11, and an accurate voltage corresponding to the level of the image signal is supplied to each pixel even by a relatively short sampling pulse. It is configured to be applied to the electrode. In this embodiment, the sampling TFT 15A and the precharge TFT 1 are used.
5B can be used as a charge TFT or a discharge TFT of the signal line at the time of inspection.

【0023】図5および図6は、本発明を適用した液晶
パネル用基板の画素部分の一実施例の平面レイアウトお
よび断面構造を示す。なお、図6は図5におけるA−A
線に沿った断面である。
FIGS. 5 and 6 show a planar layout and a sectional structure of one embodiment of a pixel portion of a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied. FIG. 6 is a sectional view taken along line AA in FIG.
It is a cross section along the line.

【0024】図5に示されているように、走査線11と
信号線12とが格子状に配設されており、走査線11と
信号線12とで区切られた矩形状の枠内に画素電極2が
形成されている。この画素電極2に信号線12上の電圧
を印加するTFT1が画素電極の角部の一つ(図4では
左下の角部)に設けられている。図6において、10は
ガラス基板、4はこのガラス基板10の表面に島状に形
成されたTFTの動作層となるポリシリコン層、5はポ
リシリコン層4の上にCVD法等により形成されたゲー
ト絶縁膜である。6は上記ポリシリコン層4のほぼ中央
にゲート絶縁膜5を介して形成された第2のポリシリコ
ン層からなるゲート電極である。このゲート電極6は、
図4に示されているように、走査線11から突出するよ
うに形成されている。7は上記ゲート電極6およびゲー
ト絶縁膜5の上方を覆うように形成された酸化シリコン
等からなる層間絶縁膜であり、上記画素電極2はこの層
間絶縁膜7の上に形成されている。
As shown in FIG. 5, the scanning lines 11 and the signal lines 12 are arranged in a grid, and the pixels are arranged in a rectangular frame separated by the scanning lines 11 and the signal lines 12. An electrode 2 is formed. A TFT 1 for applying a voltage on the signal line 12 to the pixel electrode 2 is provided at one of the corners of the pixel electrode (the lower left corner in FIG. 4). 6, reference numeral 10 denotes a glass substrate, 4 denotes a polysilicon layer serving as an operation layer of a TFT formed on the surface of the glass substrate 10 in an island shape, and 5 denotes a polysilicon layer formed on the polysilicon layer 4 by a CVD method or the like. This is a gate insulating film. Reference numeral 6 denotes a gate electrode made of a second polysilicon layer formed at a substantially center of the polysilicon layer 4 with a gate insulating film 5 interposed therebetween. This gate electrode 6
As shown in FIG. 4, it is formed so as to protrude from the scanning line 11. Reference numeral 7 denotes an interlayer insulating film made of silicon oxide or the like formed so as to cover the gate electrode 6 and the gate insulating film 5. The pixel electrode 2 is formed on the interlayer insulating film 7.

【0025】この実施例では、上記TFTの動作層とな
るポリシリコン層2と同じポリシリコン層により保持容
量の一方の電極となる導電層8が層間絶縁膜7を介して
上記走査線11と重なるように形成され、この導電層8
に上記層間絶縁膜7およびゲート絶縁膜5に形成された
コンタクトホール9aにて画素電極2の一端が接続され
ている。また、画素電極2の他端はコンタクトホール9
bにてTFTの動作層としてのポリシリコン層4に接続
されている。さらに、アルミニウム等からなる信号線1
2が、上記層間絶縁膜7およびゲート絶縁膜5に形成さ
れたコンタクトホール9cにて上記ポリシリコン層4に
接続されている。これによって、走査線11とその下方
に形成された1層目のポリシリコン層からなる導電層8
との間の絶縁膜容量が、図9に示すように保持容量3と
して画素電極2を介してTFT1のドレイン(ソースと
呼ばれることもある)に接続されることとなる。
In this embodiment, a conductive layer 8 serving as one electrode of the storage capacitor is overlapped with the scanning line 11 via an interlayer insulating film 7 by the same polysilicon layer as the polysilicon layer 2 serving as the TFT operation layer. This conductive layer 8 is formed as follows.
One end of the pixel electrode 2 is connected to a contact hole 9 a formed in the interlayer insulating film 7 and the gate insulating film 5. The other end of the pixel electrode 2 is connected to a contact hole 9.
At b, it is connected to a polysilicon layer 4 as a TFT operation layer. Furthermore, the signal line 1 made of aluminum or the like
2 is connected to the polysilicon layer 4 through a contact hole 9c formed in the interlayer insulating film 7 and the gate insulating film 5. As a result, the scanning line 11 and the conductive layer 8 made of the first polysilicon layer formed thereunder are formed.
9 is connected to the drain (sometimes called a source) of the TFT 1 via the pixel electrode 2 as the storage capacitor 3 as shown in FIG.

【0026】図7および図8は、本発明を適用した液晶
パネル用基板の画素部分の一実施例の平面レイアウトお
よび断面構造を示す。この実施例は、画素電極に電圧を
印加するトランジスタを逆スタガ型TFTで構成した場
合の実施例である。なお、図8は図7におけるB−B線
に沿った断面である。
FIGS. 7 and 8 show a planar layout and a sectional structure of an embodiment of a pixel portion of a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied. This embodiment is an embodiment in which a transistor for applying a voltage to a pixel electrode is constituted by an inverted staggered TFT. FIG. 8 is a cross section taken along line BB in FIG.

【0027】図7および図8において、21はガラス基
板10上にCVD法により形成された絶縁膜、22はス
パッタリングで形成されたTa(タンタル)層からなる
ゲート電極、23はその表面を覆うようにプラズマCV
D法により形成された窒化シリコン膜からなるゲート絶
縁膜、24はチャネル領域となるノンドープのアモルフ
ァスシリコン層、25a,25bはこのアモルファスシ
リコン層24の表面に接触するようにプラズマCVD法
により形成されたソース、ドレイン領域となるN型アモ
ルファスシリコン層である。
7 and 8, reference numeral 21 denotes an insulating film formed on the glass substrate 10 by a CVD method, 22 denotes a gate electrode formed of a Ta (tantalum) layer formed by sputtering, and 23 denotes a surface covering the surface thereof. Plasma CV
A gate insulating film made of a silicon nitride film formed by the D method, 24 is a non-doped amorphous silicon layer serving as a channel region, and 25a and 25b are formed by a plasma CVD method so as to contact the surface of the amorphous silicon layer 24. An N-type amorphous silicon layer serving as a source and drain region.

【0028】また、図7および図8において、26a,
26bは上記N型アモルファスシリコン層25a,25
bの表面に接触するように形成されたチタン(Ti)層
からなるソース、ドレイン電極、27は上記N型アモル
ファスシリコン層25a,25bおよびソース、ドレイ
ン電極26a,26bを分離する際のエッチストッパと
なる窒化シリコン等からなるチャネル保護膜である。こ
の実施例では、走査線11は上記ゲート電極22と同じ
Ta層により22と一体的に形成され、信号線12は上
記ソース電極26aと同じTi層によりこれと一体的に
形成される。
In FIGS. 7 and 8, 26a,
26b is the N-type amorphous silicon layer 25a, 25
The source and drain electrodes 27 made of a titanium (Ti) layer formed so as to be in contact with the surface of the n-type amorphous silicon layers 25a and 25b and the etch stopper for separating the source and drain electrodes 26a and 26b. A channel protection film made of silicon nitride or the like. In this embodiment, the scanning line 11 is formed integrally with the gate electrode 22 by the same Ta layer 22 and the signal line 12 is formed integrally by the same Ti layer as the source electrode 26a.

【0029】この実施例では、ITO膜からなる画素電
極2が上記絶縁膜21の下方すなわちガラス基板10の
表面に形成されており、コンタクトホール29bにて上
記ドレイン電極26bの一端が画素電極2に接続されて
おり、ドレイン電極26bによって画素電極2が上記N
型アモルファスシリコン層からなるドレイン領域25b
に接続されている。また、画素電極2の他端(図7では
上端)には前段の走査線11と絶縁膜23と重なるよう
に、信号線12と同一のTi層からなる導電層28が形
成されており、この導電層28の一部がコンタクトホー
ル29aにて画素電極2に接続されることにより、走査
線11とその上方に形成されたTi層からなる導電層2
8との間の絶縁膜容量が、図9に示すような保持容量3
として画素電極2を介してTFT1のドレイン(ソー
ス)に接続されている。
In this embodiment, the pixel electrode 2 made of an ITO film is formed below the insulating film 21, that is, on the surface of the glass substrate 10, and one end of the drain electrode 26b is connected to the pixel electrode 2 through the contact hole 29b. And the pixel electrode 2 is connected to the N by the drain electrode 26b.
Region 25b composed of amorphous silicon layer
It is connected to the. At the other end (the upper end in FIG. 7) of the pixel electrode 2, a conductive layer 28 made of the same Ti layer as the signal line 12 is formed so as to overlap the previous scanning line 11 and the insulating film 23. Since a part of the conductive layer 28 is connected to the pixel electrode 2 through the contact hole 29a, the conductive layer 2 made of the scanning line 11 and the Ti layer formed thereon is formed.
8, the capacitance of the storage film 3 as shown in FIG.
Is connected to the drain (source) of the TFT 1 via the pixel electrode 2.

【0030】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、この発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能である。例えば、上記実施例における
走査線11を選択駆動するANDゲート18はNAND
ゲートであってもよい。その場合、Yシフトレジスタ1
4から出力される信号は、選択すべき走査線に対応した
1つのみロウレベルとされる。また、制御パルスENは
図2と逆に信号線12のディスチャージのときにのみハ
イレベルとされる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above-described embodiments and can be variously modified without departing from the gist thereof. . For example, the AND gate 18 for selectively driving the scanning line 11 in the above embodiment is a NAND gate.
It may be a gate. In that case, the Y shift register 1
Only one signal output from 4 is set to a low level corresponding to the scanning line to be selected. The control pulse EN is set to the high level only when the signal line 12 is discharged, contrary to FIG.

【0031】また、液晶パネルに供給される映像信号が
アナログ信号である場合それが1つだけであると、サン
プリングパルスX1,X2‥‥‥XnでTFT15Bを
オンさせて信号線12に映像信号レベルを与えるとき
に、映像信号が変化している部分でサンプリングされる
ことがある。この場合、TFT15Bがオフされる直前
のレベルがサンプリングされるため、平均の電圧ではな
く、映像信号レベルが上がる方向に変化しているときに
は高めのレベルが、また映像信号レベルが下がる方向に
変化しているときには低めのレベルがサンプリングされ
てしまう。また、サンプリンクパルスのタイミングがほ
んの少しずれただけでサンプリングレベルが変化してし
まうという不具合がある。
If the video signal supplied to the liquid crystal panel is an analog signal and there is only one, the TFT 15B is turned on by the sampling pulses X1, X2XXn, and the video signal level is applied to the signal line 12. May be sampled at a portion where the video signal is changing. In this case, the level immediately before the TFT 15B is turned off is sampled. Therefore, when the video signal level changes in the direction of rising, instead of the average voltage, the higher level changes and the video signal level changes in the lowering direction. The lower levels are sampled. Further, there is a problem that the sampling level changes even if the timing of the sampling pulse is slightly shifted.

【0032】そこで、それぞれのサンプリングタイミン
グに合わせて、サンプリング中に映像信号レベルが変化
しないように処理(例えばサンプリング期間中は映像信
号の平均電圧が現れるように処理)された複数種類の相
展開された映像信号VID1〜VID6を外部の相展開
回路で形成して、それらを液晶パネルに供給するように
構成してもよい。本発明は、上記のように相展開された
映像信号が供給されるように構成されたLCDにも適用
することができる。
Therefore, in accordance with each sampling timing, a plurality of types of phase development are performed so as to prevent the video signal level from changing during sampling (for example, to process the average voltage of the video signal during the sampling period). The video signals VID1 to VID6 may be formed by an external phase expansion circuit and supplied to the liquid crystal panel. The present invention can also be applied to an LCD configured to supply the phase-developed video signal as described above.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、この発明は、液晶
パネル用基板を、各画素の保持容量が画素電極を介して
対応するTFTに接続された構成とし、検査時には先ず
画像信号入力端子に適当な電圧を印加した状態で各画素
のTFTをオンさせて信号線を介して各保持容量を充電
させ、次に再びTFTをオンさせて上記保持容量に蓄積
されていた電荷を信号線に移して画像入力信号端子を介
して外部の検査装置で検出するようにしたので、TFT
と画素電極との間が断線している場合には保持容量は充
電されず、断線していない場合には保持容量が充電され
るため、上記検査によって容易に断線を検出することが
できるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the liquid crystal panel substrate is configured such that the storage capacitor of each pixel is connected to the corresponding TFT via the pixel electrode, and at the time of inspection, first, it is connected to the image signal input terminal. With the appropriate voltage applied, the TFT of each pixel is turned on to charge each storage capacitor via the signal line, and then the TFT is turned on again to transfer the charge stored in the storage capacitor to the signal line. Since the detection is performed by an external inspection device through the image input signal terminal,
When the line between the pixel electrode and the pixel electrode is disconnected, the storage capacitor is not charged, and when the line is not disconnected, the storage capacitor is charged. Therefore, the disconnection can be easily detected by the above inspection. There is.

【0034】また、上記検査においては、保持容量を充
電しその後電荷を検出する前に一旦信号線をディスチャ
ージ(放電)させるようにしたので、信号線に残ってい
る電荷により保持容量から電荷を移したときの電位の変
化を大きくして容易かつ正確に断線の検出を行なうこと
ができるという効果がある。
In the above-mentioned inspection, the signal line is once discharged (discharged) before charging the storage capacitor and thereafter detecting the electric charge. Therefore, the electric charge is transferred from the storage capacitor by the electric charge remaining on the signal line. There is an effect that the change in the potential at the time of the disconnection is increased and the disconnection can be detected easily and accurately.

【0035】さらに、検査時の保持容量への充電および
電荷の検出は走査線ごとに順次行なうようにしたので、
保持容量の電荷がリークする前に検出を行なうことがで
き、正確な判定が可能となる。しかも、保持容量の有す
る電荷の検出は信号線をスキャンして順次行なって行く
ようにしたので、欠陥(断線)のある画素の位置も検出
することができるとともに、上記検査を基板の構成を変
えることなく内部のシフトレジス等をそのまま利用して
行なうことができるという効果がある。
Further, since the charging of the storage capacitor and the detection of the electric charge at the time of inspection are performed sequentially for each scanning line,
Detection can be performed before the charge of the storage capacitor leaks, and accurate determination can be made. In addition, since the detection of the electric charge of the storage capacitor is performed sequentially by scanning the signal line, the position of a pixel having a defect (disconnection) can be detected, and the inspection is performed by changing the configuration of the substrate. There is an effect that the shift can be performed using the internal shift register or the like without any change.

【0036】さらに、上記保持容量としては、TFTの
動作層または信号線となる導電層と同一工程で同時に形
成される導電層を、隣接する画素の走査線の下方もしく
は上方に絶縁膜を介して重なるように設け、前記導電層
と走査線との間に構成される容量を利用するようにした
ので、プロセスの工程数を増加させることなく、TFT
と画素電極との断線を簡単に検出することが可能な液晶
パネル用基板を提供することができるようになるという
効果がある。
Further, as the storage capacitor, a conductive layer formed simultaneously in the same step as a conductive layer serving as a TFT operation layer or a signal line can be formed below or above a scanning line of an adjacent pixel via an insulating film. The TFTs are provided so as to be overlapped with each other, and the capacitance formed between the conductive layer and the scanning line is used.
There is an effect that it is possible to provide a liquid crystal panel substrate that can easily detect a disconnection between the liquid crystal panel and the pixel electrode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明が適用される液晶パネルの画素電極側の
基板の一実施例を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a substrate on a pixel electrode side of a liquid crystal panel to which the present invention is applied.

【図2】図1の実施例の液晶表示パネル用基板の検査時
の主要な信号の変化を示すタイミングチャート。
FIG. 2 is a timing chart showing changes in main signals when the liquid crystal display panel substrate of the embodiment of FIG. 1 is inspected.

【図3】他の実施例の液晶パネル用基板の検査時の主要
な信号の変化を示すタイミングチャート。
FIG. 3 is a timing chart showing changes in main signals during inspection of a liquid crystal panel substrate according to another embodiment.

【図4】本発明が適用される液晶パネルの画素電極側の
基板の他の実施例を示すブロック図。
FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the substrate on the pixel electrode side of the liquid crystal panel to which the present invention is applied.

【図5】本発明が適用される液晶パネル用基板のポリシ
リコンTFTを用いた画素の構成例を示す平面図。
FIG. 5 is a plan view showing a configuration example of a pixel using a polysilicon TFT of a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied.

【図6】図5のA−A線に沿った断面を示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing a section taken along line AA of FIG. 5;

【図7】本発明が適用される液晶パネル用基板の逆スタ
ガ型TFTを用いた画素の構成例を示す平面図。
FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of a pixel using an inverted staggered TFT of a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied.

【図8】図7のB−B線に沿った断面を示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a section taken along line BB of FIG. 7;

【図9】本発明が適用される液晶パネル用基板における
画素の構成を示す等価回路図。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel in a liquid crystal panel substrate to which the present invention is applied.

【図10】従来の液晶パネル用基板における画素の構成
を示す等価回路図。
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing a configuration of a pixel in a conventional liquid crystal panel substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFT 2 画素電極 3 保持容量 4 ポリシリコン層(TFTの動作層) 5 ゲート絶縁膜 6 ゲート電極 7 層間絶縁膜 8 保持容量の電極(導電層) 9a,9b コンタクトホール 10 ガラス基板 11 走査線 12 信号線 13 画素 14,14A,14B Yシフトレジスタ 15A サンプリング用TFT 15B プリチャージ用TFT 16 Xシフトレジスタ 21 絶縁膜 22 ゲート電極 23 ゲート絶縁膜 24 ノンドープのアモルファスシリコン層 25a,25b ソース、ドレイン領域となるN型アモ
ルファスシリコン層 26a,26b ソース、ドレイン電極 27 チャネル保護膜 28 導電層 29a,29b コンタクトホール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT 2 Pixel electrode 3 Storage capacity 4 Polysilicon layer (TFT operation layer) 5 Gate insulating film 6 Gate electrode 7 Interlayer insulating film 8 Storage capacity electrode (conductive layer) 9a, 9b Contact hole 10 Glass substrate 11 Scanning line 12 Signal line 13 Pixel 14, 14A, 14B Y shift register 15A Sampling TFT 15B Precharge TFT 16 X shift register 21 Insulating film 22 Gate electrode 23 Gate insulating film 24 Non-doped amorphous silicon layer 25a, 25b Source and drain regions N-type amorphous silicon layers 26a, 26b Source and drain electrodes 27 Channel protective films 28 Conductive layers 29a, 29b Contact holes

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画像信号入力端子と、該画像入力端子に
接続可能な複数の信号線と、該信号線と交差するように
配設された複数の走査線とを備え、前記各信号線と走査
線との間に画素電極がそれぞれ形成され、各画素電極に
対応して各々トランジスタおよび保持容量が形成されて
いるとともに、前記保持容量が前記画素電極を介して前
記トランジスタに接続され、前記トランジスタのゲート
端子は対応する走査線に接続されてオン、オフ制御され
るようにされかつオン状態にて前記画素電極に上記信号
線の電圧を印加させるように構成された液晶パネル用基
板を検査するにあたり、先ず画像信号入力端子に適当な
電圧を印加した状態で所望の画素のトランジスタをオン
させて保持容量を充電させ、次に前記トランジスタをオ
フした状態で前記画像入力信号端子を所定の電位点に接
続して前記信号線のディスチャージを行ない、しかる
後、再度前記トランジスタをオンさせて前記保持容量に
蓄積されている電荷を信号線に移して増幅回路で増幅し
検出するようにしたことを特徴とする液晶パネル用基板
の検査方法。
An image signal input terminal, a plurality of signal lines connectable to the image input terminal, and a plurality of scanning lines disposed so as to intersect with the signal line. A pixel electrode is formed between the pixel electrode and a scanning line, a transistor and a storage capacitor are formed corresponding to each pixel electrode, and the storage capacitor is connected to the transistor via the pixel electrode; A gate terminal of the liquid crystal panel is connected to a corresponding scanning line so as to be turned on and off, and inspects a liquid crystal panel substrate configured to apply a voltage of the signal line to the pixel electrode in an on state. In this case, first, a transistor of a desired pixel is turned on with an appropriate voltage applied to the image signal input terminal to charge a storage capacitor, and then the image is formed with the transistor turned off. The image input signal terminal is connected to a predetermined potential point to discharge the signal line. Thereafter, the transistor is turned on again to transfer the electric charge stored in the storage capacitor to the signal line and amplify it by the amplifier circuit. A method for inspecting a substrate for a liquid crystal panel, characterized in that the substrate is detected.
【請求項2】 上記保持容量への充電は1走査線ごとに
その走査線に接続されたすべての画素に対して行なうと
ともに、上記充電により保持容量に蓄積された電荷の検
出は対応するトランジスタを1つずつ順番にオンさせる
ことで1画素ごとに行なうようにしたことを特徴とする
請求項1に記載の液晶パネル用基板の検査方法。
2. The method according to claim 1, wherein the charging of the storage capacitor is performed for every pixel connected to the scanning line for each scanning line, and the charge stored in the storage capacitor by the charging is detected by a corresponding transistor. 2. The method for inspecting a liquid crystal panel substrate according to claim 1, wherein the inspection is performed for each pixel by turning on one by one in order.
【請求項3】 上記保持容量への充電は上記画像信号入
力端子と上記各信号線との間に接続されたスイッチング
素子を順番にオンさせることで1画素ごとに行なうよう
にしたことを特徴とする請求項2に記載の液晶パネル用
基板の検査方法。
3. The method according to claim 2, wherein the charging of the storage capacitor is performed for each pixel by sequentially turning on switching elements connected between the image signal input terminal and the signal lines. The method for inspecting a liquid crystal panel substrate according to claim 2.
【請求項4】 上記信号線のディスチャージは、上記各
信号線に接続された上記スイッチング素子を順番にオン
させることで1信号線ごとに行なうようにしたことを特
徴とする請求項2または3に記載の液晶パネル用基板の
検査方法。
4. The method according to claim 2, wherein the discharging of the signal lines is performed for each signal line by sequentially turning on the switching elements connected to the signal lines. The inspection method of the liquid crystal panel substrate described in the above.
【請求項5】 上記保持容量は、当該画素に隣接する画
素用の走査線の下方もしくは上方に絶縁膜を介して重な
るように形成された導電層と上記走査線との間の絶縁膜
容量であり、上記導電層は上記画素電極を介して対応す
るトランジスタに接続されていることを特徴とする請求
項1、2、3または4に記載の液晶パネル用基板の検査
方法。
5. The storage capacitor is an insulating film capacitance between a conductive layer formed below or above a scanning line for a pixel adjacent to the pixel via an insulating film and the scanning line. 5. The method according to claim 1, wherein the conductive layer is connected to a corresponding transistor via the pixel electrode. 6.
【請求項6】 上記保持容量の一方の電極となる上記導
電層は、上記トランジスタの動作層を構成する導電層と
同一工程で形成された導電層であることを特徴とする請
求項5に記載の液晶パネル用基板の検査方法。
6. The conductive layer according to claim 5, wherein the conductive layer serving as one electrode of the storage capacitor is a conductive layer formed in the same step as a conductive layer forming an operation layer of the transistor. Inspection method for liquid crystal panel substrates.
【請求項7】 上記保持容量の一方の電極となる上記導
電層は、上記信号線を構成する導電層と同一工程で形成
された導電層であることを特徴とする請求項6に記載の
液晶パネル用基板の検査方法。
7. The liquid crystal according to claim 6, wherein the conductive layer serving as one electrode of the storage capacitor is a conductive layer formed in the same step as a conductive layer forming the signal line. Panel board inspection method.
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