JPH1092876A - 異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法 - Google Patents
異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法Info
- Publication number
- JPH1092876A JPH1092876A JP9272781A JP27278197A JPH1092876A JP H1092876 A JPH1092876 A JP H1092876A JP 9272781 A JP9272781 A JP 9272781A JP 27278197 A JP27278197 A JP 27278197A JP H1092876 A JPH1092876 A JP H1092876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- conductive film
- anisotropic conductive
- insulating resin
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29016—Shape in side view
- H01L2224/29017—Shape in side view being non uniform along the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29016—Shape in side view
- H01L2224/29018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
- H01L2224/29019—Shape in side view comprising protrusions or indentations at the bonding interface of the layer connector, i.e. on the surface of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子能動素子形成面と、絶縁基板上に形
成された配線パターンとの間に空隙または絶縁樹脂が存
在するようにして、ガラス電極間の短絡、半導体素子〜
ガラス電極間の短絡を防止する。 【解決手段】基板１はガラス、セラミツクス、樹脂等で
形成され、少くとも表面が絶縁される。また半導体素子
７の電極６に金属を被着した後、金属突起５が形成さ
れ、基板１上には半導体素子７の金属突起５と対応した
位置に配線パターン２が形成される。半導体素子７の能
力素子形成面と、配線パターン２との間には空隙８ある
いは絶縁樹脂が存在し、基板１と半導体素子７との間の
電気的絶縁は保たれる。また半導体素子７直下の配線パ
ターン２の間には異方性導電膜１０は存在せず、空隙８
または絶縁樹脂のため電気的絶縁が保たれる。これによ
り半導体素子７と配線パターン２間、配線パターン２間
での短絡が起こらない。
成された配線パターンとの間に空隙または絶縁樹脂が存
在するようにして、ガラス電極間の短絡、半導体素子〜
ガラス電極間の短絡を防止する。 【解決手段】基板１はガラス、セラミツクス、樹脂等で
形成され、少くとも表面が絶縁される。また半導体素子
７の電極６に金属を被着した後、金属突起５が形成さ
れ、基板１上には半導体素子７の金属突起５と対応した
位置に配線パターン２が形成される。半導体素子７の能
力素子形成面と、配線パターン２との間には空隙８ある
いは絶縁樹脂が存在し、基板１と半導体素子７との間の
電気的絶縁は保たれる。また半導体素子７直下の配線パ
ターン２の間には異方性導電膜１０は存在せず、空隙８
または絶縁樹脂のため電気的絶縁が保たれる。これによ
り半導体素子７と配線パターン２間、配線パターン２間
での短絡が起こらない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の実装
構造と、実装方法に関する。
構造と、実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の実装構造に関して
は、例えば特公昭５７ー３４６５７号公報や特開昭６１
ー１９４７６９号公報に記載され、図２に示すような構
造が知られていた。図２において、２１はガラス基板で
あり、２２はガラス電極でありＩＴＯで形成されること
が多い。２２のガラス電極は、ＩＣチップ２７上に形成
された電極２６に相対するように形成されている。電極
２６上には、さらに金属突起であるバンプ２５が形成さ
れており、バンプ２５はＡｕで形成されることが多い。
ＩＣチップ２７の能動面には耐湿性を向上させるため
に、パッシベーション膜がかかっていることが多い。
は、例えば特公昭５７ー３４６５７号公報や特開昭６１
ー１９４７６９号公報に記載され、図２に示すような構
造が知られていた。図２において、２１はガラス基板で
あり、２２はガラス電極でありＩＴＯで形成されること
が多い。２２のガラス電極は、ＩＣチップ２７上に形成
された電極２６に相対するように形成されている。電極
２６上には、さらに金属突起であるバンプ２５が形成さ
れており、バンプ２５はＡｕで形成されることが多い。
ＩＣチップ２７の能動面には耐湿性を向上させるため
に、パッシベーション膜がかかっていることが多い。
【０００３】ＩＣチップ２７と、ガラス基板２１の間に
は導電粒子２８を含んだ異方性導電膜２４が充填されて
いる。ガラス基板２１上のガラス電極２２とＩＣチップ
２７上の電極２６、さらに電極２６上に形成されたバン
プ２５とは、この異方性導電膜２４中に含まれた導電粒
子２８によって電気的に接続されている。異方性導電膜
は従来からよく知られているように、基本的には絶縁接
着剤と導電粒子とから成っている。絶縁接着剤はＳＢＲ
系や、エポキシ系であることが多く、ＩＣチップとガラ
ス基板はこの絶縁接着剤によって接着されている。導電
粒子は、低融点ハンダ、Ｎｉ粒子、Ｎｉメッキを施した
プラスチック粒子である場合が多い。
は導電粒子２８を含んだ異方性導電膜２４が充填されて
いる。ガラス基板２１上のガラス電極２２とＩＣチップ
２７上の電極２６、さらに電極２６上に形成されたバン
プ２５とは、この異方性導電膜２４中に含まれた導電粒
子２８によって電気的に接続されている。異方性導電膜
は従来からよく知られているように、基本的には絶縁接
着剤と導電粒子とから成っている。絶縁接着剤はＳＢＲ
系や、エポキシ系であることが多く、ＩＣチップとガラ
ス基板はこの絶縁接着剤によって接着されている。導電
粒子は、低融点ハンダ、Ｎｉ粒子、Ｎｉメッキを施した
プラスチック粒子である場合が多い。
【０００４】さらに、接続の信頼性を向上させるため
に、絶縁樹脂２３でＩＣ実装部全体を封止することが多
く、このような構造によって高い接続信頼性を得てい
た。
に、絶縁樹脂２３でＩＣ実装部全体を封止することが多
く、このような構造によって高い接続信頼性を得てい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置の実装構造では以下の問題点を有していた。
装置の実装構造では以下の問題点を有していた。
【０００６】異方性導電膜は、前述したように、絶縁樹
脂中に導電粒子を分散した構造であるため、部分的に導
電粒子の集中が起こってしまう。図２に示されるよう
に、異方性導電膜２４がＩＣチップ２７と、ガラス基板
２１に充填される構造であるために、異方性導電膜２４
中に分散している導電粒子２８の集中が起こってしま
い、２９のガラス電極間短絡部や３０のＩＣチップ〜ガ
ラス電極間短絡部で、本来絶縁が保たれていなければな
らない、ガラス電極間同士や、ＩＣチップの能動面〜ガ
ラス電極間で短絡が起こってしまい、ＩＣチップが正常
に動作しなくなってしまうのである。
脂中に導電粒子を分散した構造であるため、部分的に導
電粒子の集中が起こってしまう。図２に示されるよう
に、異方性導電膜２４がＩＣチップ２７と、ガラス基板
２１に充填される構造であるために、異方性導電膜２４
中に分散している導電粒子２８の集中が起こってしま
い、２９のガラス電極間短絡部や３０のＩＣチップ〜ガ
ラス電極間短絡部で、本来絶縁が保たれていなければな
らない、ガラス電極間同士や、ＩＣチップの能動面〜ガ
ラス電極間で短絡が起こってしまい、ＩＣチップが正常
に動作しなくなってしまうのである。
【０００７】これは、導電粒子分散型の異方性導電膜を
用いる場合、避けては通れない本質的な問題である。す
なわち、導電粒子の分散濃度を下げると、上記の短絡現
象の確率は少なくなるものの、バンプ〜ガラス電極間に
存在する粒子の確率も少なくなるため、接続そのものの
信頼性が低下する。また、導電粒子の分散濃度を上げれ
ば、接続信頼性は向上するが、短絡現象の確率も上が
り、やはり半導体装置の実装構造として機能しなくなる
のである。一般的に導電粒子の分散濃度は上記条件を鑑
みて決定されるが、確率現象である以上、短絡現象によ
る半導体装置の実装不良は０にはなり得なかった。ま
た、導電粒子の粒子径を小さくして少しでも短絡現象の
可能性を下げる試みも公知であるが、これとて問題の本
質的解決にはなっていないのである。
用いる場合、避けては通れない本質的な問題である。す
なわち、導電粒子の分散濃度を下げると、上記の短絡現
象の確率は少なくなるものの、バンプ〜ガラス電極間に
存在する粒子の確率も少なくなるため、接続そのものの
信頼性が低下する。また、導電粒子の分散濃度を上げれ
ば、接続信頼性は向上するが、短絡現象の確率も上が
り、やはり半導体装置の実装構造として機能しなくなる
のである。一般的に導電粒子の分散濃度は上記条件を鑑
みて決定されるが、確率現象である以上、短絡現象によ
る半導体装置の実装不良は０にはなり得なかった。ま
た、導電粒子の粒子径を小さくして少しでも短絡現象の
可能性を下げる試みも公知であるが、これとて問題の本
質的解決にはなっていないのである。
【０００８】このような問題点を解決するため、本発明
ではガラス電極間の短絡、半導体素子〜ガラス電極間の
短絡を本質的に防止し得る半導体装置の実装構造を提供
すると供に、その構造を得るための半導体装置の実装方
法を提供することを目的としている。
ではガラス電極間の短絡、半導体素子〜ガラス電極間の
短絡を本質的に防止し得る半導体装置の実装構造を提供
すると供に、その構造を得るための半導体装置の実装方
法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明の半導体装置の実装構造では、絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、第１部分と第２部分を有す
る配線パターン領域と、前記配線パターン領域の第１部
分上に設けられた第１導電性物質と、前記配線パターン
領域の第２部分上に前記第１導電性物質と隣接して設け
られた空隙と、前記第１導電性物質と前記空隙の上方に
設けられた半導体素子とから成ることを特徴とする。
め、本発明の半導体装置の実装構造では、絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、第１部分と第２部分を有す
る配線パターン領域と、前記配線パターン領域の第１部
分上に設けられた第１導電性物質と、前記配線パターン
領域の第２部分上に前記第１導電性物質と隣接して設け
られた空隙と、前記第１導電性物質と前記空隙の上方に
設けられた半導体素子とから成ることを特徴とする。
【００１０】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた空隙と前記半導体素子の間には、前記空隙のみが
存在することを特徴とする。
られた空隙と前記半導体素子の間には、前記空隙のみが
存在することを特徴とする。
【００１１】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた空隙と前記半導体素子の間には、第２導電性物質
が存在することを特徴とする。
られた空隙と前記半導体素子の間には、第２導電性物質
が存在することを特徴とする。
【００１２】また、上記問題点を解決するため、本発明
の半導体装置の実装構造では、絶縁基板と、前記絶縁基
板上に形成され、第１部分と第２部分を有する配線パタ
ーン領域と、前記配線パターン領域の第１部分上に設け
られた第１導電性物質と、前記配線パターン領域の第２
部分上に設けられた絶縁樹脂と、前記第１導電性物質と
前記絶縁樹脂の上方に設けられた半導体素子から成るこ
とを特徴とする。
の半導体装置の実装構造では、絶縁基板と、前記絶縁基
板上に形成され、第１部分と第２部分を有する配線パタ
ーン領域と、前記配線パターン領域の第１部分上に設け
られた第１導電性物質と、前記配線パターン領域の第２
部分上に設けられた絶縁樹脂と、前記第１導電性物質と
前記絶縁樹脂の上方に設けられた半導体素子から成るこ
とを特徴とする。
【００１３】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、前記絶縁樹
脂のみが存在することを特徴とする。
られた絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、前記絶縁樹
脂のみが存在することを特徴とする。
【００１４】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、第２導電性
物質が存在することを特徴とする。
られた絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、第２導電性
物質が存在することを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明では、半導体素子能動素子形成面と、絶
縁基板上に形成された配線パターンの間に空隙が存在す
る構造としたので、空隙が電気的絶縁層になり、半導体
素子と配線パターンとの間に短絡は起こらない。また配
線パターン間にも空隙が存在し、これが電気的絶縁層に
なり、配線パターン間にも短絡は起こらない。
縁基板上に形成された配線パターンの間に空隙が存在す
る構造としたので、空隙が電気的絶縁層になり、半導体
素子と配線パターンとの間に短絡は起こらない。また配
線パターン間にも空隙が存在し、これが電気的絶縁層に
なり、配線パターン間にも短絡は起こらない。
【００１６】また、本発明では半導体素子能動素子形成
面と絶縁基板上に形成された配線パターンの間に絶縁樹
脂が存在する構造としたので、絶縁樹脂が電気的絶縁層
になり、半導体素子と配線パターンとの間に短絡は起こ
らない。また、配線パターン間にも樹脂が存在し、これ
が電気的絶縁層になり、配線パターン間にも短絡は起こ
らない。
面と絶縁基板上に形成された配線パターンの間に絶縁樹
脂が存在する構造としたので、絶縁樹脂が電気的絶縁層
になり、半導体素子と配線パターンとの間に短絡は起こ
らない。また、配線パターン間にも樹脂が存在し、これ
が電気的絶縁層になり、配線パターン間にも短絡は起こ
らない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づき、詳細に説明する。
基づき、詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の半導体素子の実装構造の
断面図である。１は基板であり、ガラス、セラミック
ス、樹脂等で形成されていることが多く、少なくとも表
面が絶縁されている。半導体素子７の電極６に、例えば
ＣｒーＣｕ、ＴｉーＰｄ等の金属を被着した後、金属突
起５を形成する。金属突起５は、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等
の金属であり、電気メッキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ
〜数１０μｍの厚さに形成されることが多い。基板１上
には、半導体素子７の金属突起５と対応した位置に配線
パターン２が形成されている。配線パターンは、金属も
しくは金属酸化物を用いるのが一般的であり、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＩＴＯ等で形成すれば良く、必要に
応じてメッキ処理を施せば良い。それらの配線パターン
を重ねて、さらに低抵抗化しても良い。異方性導電膜１
０は、シート状または液状であり、絶縁樹脂Ｂ４と、導
電粒子９との混合物から成る。金属突起５と配線パター
ン２とは、導電粒子９を通して電気的導通が行われてい
る。絶縁樹脂Ｂは、ＳＢＲ系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
クリル系樹脂等である場合が多い。導電粒子は、低融点
ハンダ粒子、Ｎｉ粒子、Ｎｉ、Ａｕ等のメッキを行った
プラスチック粒子等がよく用いられる。異方性導電膜１
０は金属突起５より薄く、半導体素子７の能動素子形成
面と、配線パターン２との間には結果として空隙８が生
じ、これが絶縁層となる。さらに、耐湿環境下での接続
信頼性を向上させるために、半導体素子実装部分の周
囲、半導体素子上全面に絶縁樹脂Ａ３が塗布されること
が多い。絶縁樹脂Ａは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、シリコーン系樹脂等であることが多く、絶縁樹脂Ｂ
と同一でも良い。半導体素子７と基板１とは、基本的に
は絶縁樹脂Ｂで接着している。金属突起５は、配線パタ
ーン２上に、半導体素子７の電極６の位置に相対するよ
うに形成されている場合もあり、また、前述の導電粒子
を印刷等の方法で電極６と、配線パターン２との位置に
相対するように設置するようにしても良い。
断面図である。１は基板であり、ガラス、セラミック
ス、樹脂等で形成されていることが多く、少なくとも表
面が絶縁されている。半導体素子７の電極６に、例えば
ＣｒーＣｕ、ＴｉーＰｄ等の金属を被着した後、金属突
起５を形成する。金属突起５は、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等
の金属であり、電気メッキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ
〜数１０μｍの厚さに形成されることが多い。基板１上
には、半導体素子７の金属突起５と対応した位置に配線
パターン２が形成されている。配線パターンは、金属も
しくは金属酸化物を用いるのが一般的であり、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＩＴＯ等で形成すれば良く、必要に
応じてメッキ処理を施せば良い。それらの配線パターン
を重ねて、さらに低抵抗化しても良い。異方性導電膜１
０は、シート状または液状であり、絶縁樹脂Ｂ４と、導
電粒子９との混合物から成る。金属突起５と配線パター
ン２とは、導電粒子９を通して電気的導通が行われてい
る。絶縁樹脂Ｂは、ＳＢＲ系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
クリル系樹脂等である場合が多い。導電粒子は、低融点
ハンダ粒子、Ｎｉ粒子、Ｎｉ、Ａｕ等のメッキを行った
プラスチック粒子等がよく用いられる。異方性導電膜１
０は金属突起５より薄く、半導体素子７の能動素子形成
面と、配線パターン２との間には結果として空隙８が生
じ、これが絶縁層となる。さらに、耐湿環境下での接続
信頼性を向上させるために、半導体素子実装部分の周
囲、半導体素子上全面に絶縁樹脂Ａ３が塗布されること
が多い。絶縁樹脂Ａは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、シリコーン系樹脂等であることが多く、絶縁樹脂Ｂ
と同一でも良い。半導体素子７と基板１とは、基本的に
は絶縁樹脂Ｂで接着している。金属突起５は、配線パタ
ーン２上に、半導体素子７の電極６の位置に相対するよ
うに形成されている場合もあり、また、前述の導電粒子
を印刷等の方法で電極６と、配線パターン２との位置に
相対するように設置するようにしても良い。
【００１９】図３は、本発明の半導体素子の実装構造を
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５と電気的に接続している。半導体素子７と基板
１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着してい
る。半導体素子７と基板１との間には、異方性導電膜１
０が金属突起５より薄いため空隙８が生じており、基板
１と半導体素子７との間の電気的絶縁は保たれている。
また、半導体素子７直下の配線パターン２の間にも異方
性導電膜１０は存在せず、空隙８のため電気的絶縁が保
たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、
配線パターン間での短絡は起こらない。３は耐湿環境下
での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５と電気的に接続している。半導体素子７と基板
１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着してい
る。半導体素子７と基板１との間には、異方性導電膜１
０が金属突起５より薄いため空隙８が生じており、基板
１と半導体素子７との間の電気的絶縁は保たれている。
また、半導体素子７直下の配線パターン２の間にも異方
性導電膜１０は存在せず、空隙８のため電気的絶縁が保
たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、
配線パターン間での短絡は起こらない。３は耐湿環境下
での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
【００２０】図４は、本発明による半導体素子の実装構
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には図１で示される実施例よりさらに
広い空隙８が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その
他の構造は図１の実施例と同様である。さらに選択的
に、金属突起５の直下のみに異方性導電膜１０を存在さ
せても良い。
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には図１で示される実施例よりさらに
広い空隙８が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その
他の構造は図１の実施例と同様である。さらに選択的
に、金属突起５の直下のみに異方性導電膜１０を存在さ
せても良い。
【００２１】図１の構造を得るための半導体装置の実装
方法を図８を用いて説明する。図８（ａ）のように、半
導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の
半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方
性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に基板１上の
配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるよう
に位置合わせを行い、次に半導体素子７と基板１を圧接
する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異
方性導電膜中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図８（ｂ））この状態で、あるいは圧接
と同時に、異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現す
るように、熱、光等のエネルギーを加える。すると、半
導体素子と基板との間に空隙８が保たれたまま接着が完
了する。
方法を図８を用いて説明する。図８（ａ）のように、半
導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の
半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方
性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に基板１上の
配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるよう
に位置合わせを行い、次に半導体素子７と基板１を圧接
する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異
方性導電膜中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図８（ｂ））この状態で、あるいは圧接
と同時に、異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現す
るように、熱、光等のエネルギーを加える。すると、半
導体素子と基板との間に空隙８が保たれたまま接着が完
了する。
【００２２】また、図４の構造を得るための実装方法を
図９を用いて説明する。図９（ａ）のように、半導体素
子７の電極６上に形成されている金属突起５上に選択的
に異方性導電膜１０を載置する。載置する方法として
は、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異
方性導電膜を、金属突起５に位置合わせして仮圧着する
方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電
膜を印刷、転写等で付着する方法などがある。その後、
図８の実施例で説明したのと同様に、基板１上の配線パ
ターン２と、半導体素子７上の金属突起５を位置合わせ
した後、圧着を行う。すると、図９（ｂ）で示されるよ
うに、半導体素子７と、その能動面直下の基板１上の配
線パターン２との間には、空隙８のみが存在することに
なる。
図９を用いて説明する。図９（ａ）のように、半導体素
子７の電極６上に形成されている金属突起５上に選択的
に異方性導電膜１０を載置する。載置する方法として
は、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異
方性導電膜を、金属突起５に位置合わせして仮圧着する
方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電
膜を印刷、転写等で付着する方法などがある。その後、
図８の実施例で説明したのと同様に、基板１上の配線パ
ターン２と、半導体素子７上の金属突起５を位置合わせ
した後、圧着を行う。すると、図９（ｂ）で示されるよ
うに、半導体素子７と、その能動面直下の基板１上の配
線パターン２との間には、空隙８のみが存在することに
なる。
【００２３】図５は、本発明の半導体素子の実装構造の
他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、
半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基
板１上に形成されている配線パターン２との間と、半導
体素子７の能動面上に存在している。異方性導電膜と配
線パターン２との間には絶縁樹脂Ｃが存在している。こ
の絶縁樹脂Ｃ１１は、エポキシ系、アクリル系、シリコ
ーン系等絶縁性を有する樹脂であれば何でも良く、液状
又はシート状であることが多く耐湿性向上のための絶縁
樹脂Ａ、異方性導電膜中の絶縁樹脂Ｂと同じでも良い。
この絶縁樹脂Ｃによって、半導体素子と配線パターン
間、配線パターン同士での短絡は起こらない。その他の
構成は、図１で説明したのと同一である。絶縁樹脂Ａと
異方性導電膜１０にかこまれた部分の絶縁樹脂Ｃ１１は
存在しなくともよい。
他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、
半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基
板１上に形成されている配線パターン２との間と、半導
体素子７の能動面上に存在している。異方性導電膜と配
線パターン２との間には絶縁樹脂Ｃが存在している。こ
の絶縁樹脂Ｃ１１は、エポキシ系、アクリル系、シリコ
ーン系等絶縁性を有する樹脂であれば何でも良く、液状
又はシート状であることが多く耐湿性向上のための絶縁
樹脂Ａ、異方性導電膜中の絶縁樹脂Ｂと同じでも良い。
この絶縁樹脂Ｃによって、半導体素子と配線パターン
間、配線パターン同士での短絡は起こらない。その他の
構成は、図１で説明したのと同一である。絶縁樹脂Ａと
異方性導電膜１０にかこまれた部分の絶縁樹脂Ｃ１１は
存在しなくともよい。
【００２４】図６は、本発明の半導体素子の実装構造を
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５とは電気的に接続している。半導体素子７と基
板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着して
いる。半導体素子７と基板１との間には、絶縁樹脂Ｃ１
１が充填されており、基板１と半導体素子７との間の電
気的絶縁が保たれている。また、半導体素子７直下の配
線パターン２の間にも絶縁樹脂Ｃ１１が充填されている
ため、電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素
子と配線パターン間、配線パターン間での短絡は起こら
ない。３は、耐湿環境下での信頼性を向上させるための
絶縁樹脂Ａである。
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５とは電気的に接続している。半導体素子７と基
板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着して
いる。半導体素子７と基板１との間には、絶縁樹脂Ｃ１
１が充填されており、基板１と半導体素子７との間の電
気的絶縁が保たれている。また、半導体素子７直下の配
線パターン２の間にも絶縁樹脂Ｃ１１が充填されている
ため、電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素
子と配線パターン間、配線パターン間での短絡は起こら
ない。３は、耐湿環境下での信頼性を向上させるための
絶縁樹脂Ａである。
【００２５】図７は、本発明による半導体素子の実装構
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には、図６で示される実施例よりさら
に広い絶縁樹脂Ｃ１１の充填層が得られ、絶縁性能がさ
らに向上する。その他の構造は、図６の実施例と同様で
ある。さらに選択的に、金属突起５の真下のみに異方性
導電膜１０を存在させても良い。
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には、図６で示される実施例よりさら
に広い絶縁樹脂Ｃ１１の充填層が得られ、絶縁性能がさ
らに向上する。その他の構造は、図６の実施例と同様で
ある。さらに選択的に、金属突起５の真下のみに異方性
導電膜１０を存在させても良い。
【００２６】図５の構造を得るための半導体装置の実装
方法を図１０を用いて説明する。図１０（ａ）のよう
に、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起
５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けす
る。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に、
基板１上の配線パターン上に絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又
は、設置する。さらに、基板１上の配線パターン２と金
属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行
い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突
起５と配線パターン２によって異方性導電膜１０中の絶
縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線
パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図
１０（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、少な
くとも異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するよ
うに、熱・光等のエネルギーを加える。すると、半導体
素子と基板との間に絶縁樹脂Ｃ１１が充填されたまま、
接着が完了する。絶縁樹脂Ｃは、異方性導電膜の接着力
が発現されるのと同時に接着力が発現するようにしても
良いし、最初に基板上に塗布、又は設置する時に基板と
の接着を行っておいても良い。
方法を図１０を用いて説明する。図１０（ａ）のよう
に、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起
５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けす
る。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に、
基板１上の配線パターン上に絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又
は、設置する。さらに、基板１上の配線パターン２と金
属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行
い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突
起５と配線パターン２によって異方性導電膜１０中の絶
縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線
パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図
１０（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、少な
くとも異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するよ
うに、熱・光等のエネルギーを加える。すると、半導体
素子と基板との間に絶縁樹脂Ｃ１１が充填されたまま、
接着が完了する。絶縁樹脂Ｃは、異方性導電膜の接着力
が発現されるのと同時に接着力が発現するようにしても
良いし、最初に基板上に塗布、又は設置する時に基板と
の接着を行っておいても良い。
【００２７】また、図５の構造を得るための半導体装置
の他の実装方法を図１４を用いて説明する。図１４
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０
を仮付けする。異方性導電膜１０は、半導体素子７の金
属突起５よりも薄い。異方性導電膜１０は、はじめから
絶縁樹脂Ｃ１１と２層の構造となっていても良いし、異
方性導電膜１０を半導体素子表面に仮付けした後、絶縁
樹脂Ｃ１１をその上に塗布又は、設置しても良い。ま
た、金属突起５に相対するようなマスク・版で、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によっ
て、まず絶縁樹脂Ｃ１１が押しのけられ、続いて異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１４（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
の他の実装方法を図１４を用いて説明する。図１４
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０
を仮付けする。異方性導電膜１０は、半導体素子７の金
属突起５よりも薄い。異方性導電膜１０は、はじめから
絶縁樹脂Ｃ１１と２層の構造となっていても良いし、異
方性導電膜１０を半導体素子表面に仮付けした後、絶縁
樹脂Ｃ１１をその上に塗布又は、設置しても良い。ま
た、金属突起５に相対するようなマスク・版で、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によっ
て、まず絶縁樹脂Ｃ１１が押しのけられ、続いて異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１４（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
【００２８】次に、図７の構造を得るための半導体装置
の実装方法を図１１を用いて説明する。図１１（ａ）の
ように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属
突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部の
みに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に
仮付する方法は、図９の実施例中で説明した方法と同様
である。基板１上には、半導体素子７の金属突起５に少
なくとも相対するように配線パターン２が形成されてい
るが、基板１上で、前述の金属突起５とは相対せず、半
導体素子７の能動面に相対する部分に、絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置する。次に金属突起５と配線パターン２
とを位置合わせし、半導体素子７と基板１を圧接する。
すると、金属突起５と配線パターン２によって、異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１１（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
の実装方法を図１１を用いて説明する。図１１（ａ）の
ように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属
突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部の
みに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に
仮付する方法は、図９の実施例中で説明した方法と同様
である。基板１上には、半導体素子７の金属突起５に少
なくとも相対するように配線パターン２が形成されてい
るが、基板１上で、前述の金属突起５とは相対せず、半
導体素子７の能動面に相対する部分に、絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置する。次に金属突起５と配線パターン２
とを位置合わせし、半導体素子７と基板１を圧接する。
すると、金属突起５と配線パターン２によって、異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１１（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
【００２９】さらに、図７の構造を得るための半導体装
置の別の実装方法を図１２を用いて説明する。図１２
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５に相対する、基板１上に形成された配線
パターン２の部分に選択的に異方性導電膜１０を、基板
１上のその他の半導体素子能動面直下に相対する部分に
は絶縁樹脂Ｃ１１を設置又は塗布して仮付けする。異方
性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ、前述のよ
うな位置関係になっているシート状一体のものでも良い
し、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ基板１上に載置しその
後異方性導電膜１０を前述の位置に載置しても良いし、
逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載
置しても良い。異方性導電膜１０を選択的に仮付けする
方法としては、図９の実施例中で説明した方法と同様で
ある。次に金属突起５と配線パターン２を位置合わせす
るが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実
施例中で説明した方法と同様である。
置の別の実装方法を図１２を用いて説明する。図１２
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５に相対する、基板１上に形成された配線
パターン２の部分に選択的に異方性導電膜１０を、基板
１上のその他の半導体素子能動面直下に相対する部分に
は絶縁樹脂Ｃ１１を設置又は塗布して仮付けする。異方
性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ、前述のよ
うな位置関係になっているシート状一体のものでも良い
し、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ基板１上に載置しその
後異方性導電膜１０を前述の位置に載置しても良いし、
逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載
置しても良い。異方性導電膜１０を選択的に仮付けする
方法としては、図９の実施例中で説明した方法と同様で
ある。次に金属突起５と配線パターン２を位置合わせす
るが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実
施例中で説明した方法と同様である。
【００３０】次に、図７の構造を得るための半導体装置
の別の実装方法を図１３を用いて説明する。図１３
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く
先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。
選択的に仮付けする方法は図９の実施例中で説明したの
と同様である。異方性導電膜１０を仮付けした部分以外
の半導体素子７の能動素子形成面上には絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置して仮付けする。異方性導電膜１０と絶
縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ前述のような位置関係になっ
ているようなシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂
Ｃをあらかじめ半導体素子７の能動素子形成面上に載置
しその後異方性導電膜１０を前述の位置に裁置しても良
いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１
１を載置しても良い。次に、金属突起５と配線パターン
２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカ
ニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様であ
る。
の別の実装方法を図１３を用いて説明する。図１３
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く
先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。
選択的に仮付けする方法は図９の実施例中で説明したの
と同様である。異方性導電膜１０を仮付けした部分以外
の半導体素子７の能動素子形成面上には絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置して仮付けする。異方性導電膜１０と絶
縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ前述のような位置関係になっ
ているようなシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂
Ｃをあらかじめ半導体素子７の能動素子形成面上に載置
しその後異方性導電膜１０を前述の位置に裁置しても良
いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１
１を載置しても良い。次に、金属突起５と配線パターン
２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカ
ニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様であ
る。
【００３１】また、図７の構造を得るための半導体装置
のさらに他の実装方法を図１５を用いて説明する。図１
５（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成され
ている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除
く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０が載置されて
いる。半導体素子７の能動素子形成面上と、前述の異方
性導電膜１０上全面には絶縁樹脂Ｃ１１が載置されてい
る。異方性導電膜１０を選択的に載置、仮付けするため
には、図９の実施例中で説明した方法と同じ方法を用い
れば良く、その後、絶縁樹脂Ｃ１１を全面に塗布又は設
置すれば良い。もしくは、絶縁樹脂Ｃ１１上に前述の位
置関係になるようにあらかじめ異方性導電膜１０を載置
した２層シート状物質を、半導体素子７上の金属突起５
と異方性導電膜１０の存在場所とを位置合わせした後、
半導体素子７と２層シート状物質を仮付けしても良い。
異方性導電膜１０を選択的な位置に存在させ２層シート
状物質とするためには、あらかじめ金属突起５に合わせ
て型抜きしてある異方性導電膜をその位置関係を保った
まま、絶縁樹脂Ｃ１１上に設置する方法や、金属突起５
に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させる方法、あるいは、導電粒
子９のみを金属突起５に相対するようなマスク、版等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂
を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねてしまう方法等がある。次に、
金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、こ
れ以後の実装の手順・メカニズムは図１４の実施例中で
説明した方法と同様である。
のさらに他の実装方法を図１５を用いて説明する。図１
５（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成され
ている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除
く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０が載置されて
いる。半導体素子７の能動素子形成面上と、前述の異方
性導電膜１０上全面には絶縁樹脂Ｃ１１が載置されてい
る。異方性導電膜１０を選択的に載置、仮付けするため
には、図９の実施例中で説明した方法と同じ方法を用い
れば良く、その後、絶縁樹脂Ｃ１１を全面に塗布又は設
置すれば良い。もしくは、絶縁樹脂Ｃ１１上に前述の位
置関係になるようにあらかじめ異方性導電膜１０を載置
した２層シート状物質を、半導体素子７上の金属突起５
と異方性導電膜１０の存在場所とを位置合わせした後、
半導体素子７と２層シート状物質を仮付けしても良い。
異方性導電膜１０を選択的な位置に存在させ２層シート
状物質とするためには、あらかじめ金属突起５に合わせ
て型抜きしてある異方性導電膜をその位置関係を保った
まま、絶縁樹脂Ｃ１１上に設置する方法や、金属突起５
に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させる方法、あるいは、導電粒
子９のみを金属突起５に相対するようなマスク、版等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂
を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねてしまう方法等がある。次に、
金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、こ
れ以後の実装の手順・メカニズムは図１４の実施例中で
説明した方法と同様である。
【００３２】次に、図５の構造を得るための別の実装方
法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）のように、
基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３
に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにそ
の上に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０
と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ２層の構造をなすシート
状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ
配線パターン２側へ塗布又は設置した後、異方性導電膜
１０をその上に塗布又は設置しても良い。また、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１６（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１４の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）のように、
基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３
に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにそ
の上に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０
と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ２層の構造をなすシート
状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ
配線パターン２側へ塗布又は設置した後、異方性導電膜
１０をその上に塗布又は設置しても良い。また、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１６（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１４の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
【００３３】また、図７の構造を得るための半導体装置
の他の実装方法を図１７を用いて説明する。図１７
（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なく
とも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載
置され、さらにその上、半導体素子７の電極６上に形成
されている金属突起５に相対する部分に異方性導電膜１
０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１は、
絶縁樹脂Ｃ１１上に金属突起５に相対する部分にのみに
異方性導電膜１０が存在する２層構造のシート状一体の
ものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パタ
ーン２側へ塗布、又は設置した後、異方性導電膜１０を
金属突起５に相対する部分のみに印刷、転写、転着等の
方法で絶縁樹脂Ｃ１１上へ塗布、又は設置しても良い。
また、金属突起５に相対するようなマスク、版で導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１７（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１５の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
の他の実装方法を図１７を用いて説明する。図１７
（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なく
とも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載
置され、さらにその上、半導体素子７の電極６上に形成
されている金属突起５に相対する部分に異方性導電膜１
０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１は、
絶縁樹脂Ｃ１１上に金属突起５に相対する部分にのみに
異方性導電膜１０が存在する２層構造のシート状一体の
ものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パタ
ーン２側へ塗布、又は設置した後、異方性導電膜１０を
金属突起５に相対する部分のみに印刷、転写、転着等の
方法で絶縁樹脂Ｃ１１上へ塗布、又は設置しても良い。
また、金属突起５に相対するようなマスク、版で導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１７（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１５の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
【００３４】以上の実装方法で実装を行った後、半導体
素子の外周部、あるいは半導体素子すべてをさらに絶縁
樹脂で覆い、通電耐湿性を向上させることが多い。
素子の外周部、あるいは半導体素子すべてをさらに絶縁
樹脂で覆い、通電耐湿性を向上させることが多い。
【００３５】
【発明の効果】以上、述べてきたように、本発明による
半導体装置の実装構造では、半導体素子の能動素子形成
面と配線パターンの間に少なくとも空隙を設ける構造と
したため、以下の効果を有する。
半導体装置の実装構造では、半導体素子の能動素子形成
面と配線パターンの間に少なくとも空隙を設ける構造と
したため、以下の効果を有する。
【００３６】（１）半導体素子能動面とその直下の配線
パターンの間には空隙があり、そこが電気的絶縁層とな
るため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンと
の間で電気的短絡は起こらない。
パターンの間には空隙があり、そこが電気的絶縁層とな
るため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンと
の間で電気的短絡は起こらない。
【００３７】（２）半導体素子能動面直下の配線パター
ンの間にも空隙があり、そこが電気的絶縁層となるた
め、配線パターン同士で電気的短絡は起こらない。
ンの間にも空隙があり、そこが電気的絶縁層となるた
め、配線パターン同士で電気的短絡は起こらない。
【００３８】上記（１）、（２）の相乗効果により実装
時の電気的短絡が防止できるため、実装歩留まりは向上
する。
時の電気的短絡が防止できるため、実装歩留まりは向上
する。
【００３９】（３）金属突起部のみに異方性導電膜を存
在させるか、半導体素子能動面全面に薄い異方性導電膜
を存在させる構造としたため、異方性導電膜を仮付けし
た後の位置合わせ時に、半導体素子の位置認識が行いや
すくなる（半導体素子が見やすくなる）ので、位置合わ
せ作業の能率が向上する。
在させるか、半導体素子能動面全面に薄い異方性導電膜
を存在させる構造としたため、異方性導電膜を仮付けし
た後の位置合わせ時に、半導体素子の位置認識が行いや
すくなる（半導体素子が見やすくなる）ので、位置合わ
せ作業の能率が向上する。
【００４０】（４）上記（３）で述べた様に異方性導電
膜の実体積が少なくてすむため、異方性導電膜の接着力
発現に必要なエネルギー量も少なくてすむ。そのため、
半導体素子、基板等には、悪影響を及ぼさない。また、
同上の理由によって、半導体素子と基板にエネルギーを
加える装置も小型化することができ、装置への投資を少
なくすることもできる。
膜の実体積が少なくてすむため、異方性導電膜の接着力
発現に必要なエネルギー量も少なくてすむ。そのため、
半導体素子、基板等には、悪影響を及ぼさない。また、
同上の理由によって、半導体素子と基板にエネルギーを
加える装置も小型化することができ、装置への投資を少
なくすることもできる。
【００４１】（５）異方性導電膜を半導体素子側へ仮付
けすれば、基板側配線パターンへの異方性導電膜の付着
は最少限で済む。一般的に半導体素子の能動素子形成面
にはパッシベーション膜が形成されており問題は無い
が、配線パターン側にはパッシベーション膜が形成され
ておらず、異方性導電膜中に含まれる不純物イオンによ
る腐蝕が問題となる。しかし、本発明によれば、配線パ
ターンの腐蝕の問題は、実用上問題なくなる。
けすれば、基板側配線パターンへの異方性導電膜の付着
は最少限で済む。一般的に半導体素子の能動素子形成面
にはパッシベーション膜が形成されており問題は無い
が、配線パターン側にはパッシベーション膜が形成され
ておらず、異方性導電膜中に含まれる不純物イオンによ
る腐蝕が問題となる。しかし、本発明によれば、配線パ
ターンの腐蝕の問題は、実用上問題なくなる。
【００４２】さらに本発明による半導体素子の実装構造
では、金属突起と配線パターンの部分のみに異方性導電
膜を存在させる構造としたので、次の効果を有する。
では、金属突起と配線パターンの部分のみに異方性導電
膜を存在させる構造としたので、次の効果を有する。
【００４３】（６）導電粒子が、金属突起と配線パター
ンの部分のみに存在するため、半導体素子の能動素子形
成面と配線パターン間、配線パターン同士の電気的短絡
の可能性は、さらに減少する。
ンの部分のみに存在するため、半導体素子の能動素子形
成面と配線パターン間、配線パターン同士の電気的短絡
の可能性は、さらに減少する。
【００４４】（７）半導体素子の能動素子形成面が基板
側から直接見ることができるため、半導体素子と基板と
の位置合わせ作業の能率はさらに向上する。
側から直接見ることができるため、半導体素子と基板と
の位置合わせ作業の能率はさらに向上する。
【００４５】さらに本発明による半導体素子の実装構造
では、半導体素子の能動素子形成面側全面に金属突起よ
り薄い異方性導電膜を設置する構造としたので、以下の
効果を有する。
では、半導体素子の能動素子形成面側全面に金属突起よ
り薄い異方性導電膜を設置する構造としたので、以下の
効果を有する。
【００４６】（８）半導体素子の能動素子形成面へ異方
性導電膜を仮付けする際、位置をあまり気にする必要な
く仮付けできるため、仮付け作業の効率が著しく向上す
る。
性導電膜を仮付けする際、位置をあまり気にする必要な
く仮付けできるため、仮付け作業の効率が著しく向上す
る。
【００４７】（９）半導体素子の能動素子形成面全面に
異方性導電膜が存在するため、半導体素子の耐湿性が向
上する。
異方性導電膜が存在するため、半導体素子の耐湿性が向
上する。
【００４８】また、本発明による半導体素子の実装構造
では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの間
に少なくとも前述の空隙の代わりに絶縁樹脂を設ける構
造としたため、前述の（１）、（２）と同様の効果を有
するとともに、さらに以下の効果を有する。
では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの間
に少なくとも前述の空隙の代わりに絶縁樹脂を設ける構
造としたため、前述の（１）、（２）と同様の効果を有
するとともに、さらに以下の効果を有する。
【００４９】（１０）半導体素子能動素子形成面と、基
板上配線パターンとの間は樹脂の完全な充填構造となる
ため、湿度環境下で湿度の侵入を極端に押さえることが
できる。このため、耐湿環境下での信頼性を向上するこ
とができる。
板上配線パターンとの間は樹脂の完全な充填構造となる
ため、湿度環境下で湿度の侵入を極端に押さえることが
できる。このため、耐湿環境下での信頼性を向上するこ
とができる。
【００５０】（１１）半導体素子の金属突起と配線パタ
ーンの部分だけではなく、半導体素子能動面とそれに相
対する基板とも、半導体素子と基板の接着に寄与し、接
着面積を増加することができる。このため、半導体素子
と基板との接続信頼性はさらに向上する。
ーンの部分だけではなく、半導体素子能動面とそれに相
対する基板とも、半導体素子と基板の接着に寄与し、接
着面積を増加することができる。このため、半導体素子
と基板との接続信頼性はさらに向上する。
【００５１】さらに本発明による半導体素子の実装構造
では、半導体素子の金属突起と配線パターンの部分のみ
に異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果
を有する。
では、半導体素子の金属突起と配線パターンの部分のみ
に異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果
を有する。
【００５２】（１２）圧接時に、導電粒子が半導体素子
の金属突起と配線パターン部分以外の部分へは、絶縁樹
脂が存在するため、動きにくくなり、より半導体素子の
能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン間同士
での電気的短絡の可能性はさらに低下する。
の金属突起と配線パターン部分以外の部分へは、絶縁樹
脂が存在するため、動きにくくなり、より半導体素子の
能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン間同士
での電気的短絡の可能性はさらに低下する。
【００５３】（１３）半導体素子の能動素子形成面とそ
れに対向する基板との間には絶縁樹脂という１材料のみ
しか存在しないため、半導体素子実装の際問題になる材
料の熱膨張係数の差による信頼性低下について、絶縁樹
脂材料の材料特性さえ考えれば良いので、材料選定が容
易に行える。
れに対向する基板との間には絶縁樹脂という１材料のみ
しか存在しないため、半導体素子実装の際問題になる材
料の熱膨張係数の差による信頼性低下について、絶縁樹
脂材料の材料特性さえ考えれば良いので、材料選定が容
易に行える。
【００５４】さらに、本発明による半導体素子の実装構
造では、半導体素子能動素子形成面全面に異方性導電膜
を存在させ、さらに絶縁樹脂を存在させる構造としたの
で、次の効果を有する。
造では、半導体素子能動素子形成面全面に異方性導電膜
を存在させ、さらに絶縁樹脂を存在させる構造としたの
で、次の効果を有する。
【００５５】（１４）異方性導電膜及び絶縁樹脂を仮付
けする際、位置合わせをあまり気にする必要がなく、仮
付け作業の効率が向上する。
けする際、位置合わせをあまり気にする必要がなく、仮
付け作業の効率が向上する。
【図１】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図２】従来の半導体装置の実装構造を示す断面図。
【図３】本発明による半導体装置の実装構造を基板側か
ら見た正面図。
ら見た正面図。
【図４】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図５】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図６】本発明による半導体装置の実装構造を基板側か
ら見た正面図。
ら見た正面図。
【図７】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図８】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装
方法を示す断面模式図。
方法を示す断面模式図。
【図９】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装
方法を示す断面模式図。
方法を示す断面模式図。
【図１０】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１１】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１２】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１３】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１４】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１５】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１６】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１７】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図である。
装方法を示す断面模式図である。
１…基板 ２…配線パターン ３…絶縁樹脂Ａ ４…絶縁樹脂Ｂ ５…金属突起 ６…電極 ７…半導体素子 ８…空隙 ９…導電粒子 １０…異方性導電膜 １１…絶縁樹脂Ｃ ２１…ガラス基板 ２２…ガラス電極 ２３…絶縁樹脂 ２４…異方性導電膜 ２５…バンプ ２６…電極 ２７…ＩＣチップ ２８…導電粒子 ２９…ガラス電極間短絡部 ３０…ＩＣチップ〜ガラス電極間短絡部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１１月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 異方性導電膜および異方性導電膜を用
いた半導体素子の実装方法
いた半導体素子の実装方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性導電膜の構
造と、この異方性導電膜を用いて絶縁基板に実装される
半導体素子の実装方法に関する。
造と、この異方性導電膜を用いて絶縁基板に実装される
半導体素子の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の実装構造に関して
は、例えば特公昭５７ー３４６５７号公報や特開昭６１
ー１９４７６９号公報に記載され、図２に示すような構
造が知られていた。図２において、２１はガラス基板で
あり、２２はガラス電極でありＩＴＯで形成されること
が多い。２２のガラス電極は、ＩＣチップ２７上に形成
された電極２６に相対するように形成されている。電極
２６上には、さらに金属突起であるバンプ２５が形成さ
れており、バンプ２５はＡｕで形成されることが多い。
ＩＣチップ２７の能動面には耐湿性を向上させるため
に、パッシベーション膜がかかっていることが多い。
は、例えば特公昭５７ー３４６５７号公報や特開昭６１
ー１９４７６９号公報に記載され、図２に示すような構
造が知られていた。図２において、２１はガラス基板で
あり、２２はガラス電極でありＩＴＯで形成されること
が多い。２２のガラス電極は、ＩＣチップ２７上に形成
された電極２６に相対するように形成されている。電極
２６上には、さらに金属突起であるバンプ２５が形成さ
れており、バンプ２５はＡｕで形成されることが多い。
ＩＣチップ２７の能動面には耐湿性を向上させるため
に、パッシベーション膜がかかっていることが多い。
【０００３】ＩＣチップ２７と、ガラス基板２１の間に
は導電粒子２８を含んだ異方性導電膜２４が充填されて
いる。ガラス基板２１上のガラス電極２２とＩＣチップ
２７上の電極２６、さらに電極２６上に形成されたバン
プ２５とは、この異方性導電膜２４中に含まれた導電粒
子２８によって電気的に接続されている。異方性導電膜
は従来からよく知られているように、基本的には絶縁接
着剤と導電粒子とから成っている。絶縁接着剤はＳＢＲ
系や、エポキシ系であることが多く、ＩＣチップとガラ
ス基板はこの絶縁接着剤によって接着されている。導電
粒子は、低融点ハンダ、Ｎｉ粒子、Ｎｉメッキを施した
プラスチック粒子である場合が多い。
は導電粒子２８を含んだ異方性導電膜２４が充填されて
いる。ガラス基板２１上のガラス電極２２とＩＣチップ
２７上の電極２６、さらに電極２６上に形成されたバン
プ２５とは、この異方性導電膜２４中に含まれた導電粒
子２８によって電気的に接続されている。異方性導電膜
は従来からよく知られているように、基本的には絶縁接
着剤と導電粒子とから成っている。絶縁接着剤はＳＢＲ
系や、エポキシ系であることが多く、ＩＣチップとガラ
ス基板はこの絶縁接着剤によって接着されている。導電
粒子は、低融点ハンダ、Ｎｉ粒子、Ｎｉメッキを施した
プラスチック粒子である場合が多い。
【０００４】さらに、接続の信頼性を向上させるため
に、絶縁樹脂２３でＩＣ実装部全体を封止することが多
く、このような構造によって高い接続信頼性を得てい
た。
に、絶縁樹脂２３でＩＣ実装部全体を封止することが多
く、このような構造によって高い接続信頼性を得てい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置の実装構造では以下の問題点を有していた。
装置の実装構造では以下の問題点を有していた。
【０００６】異方性導電膜は、前述したように、絶縁樹
脂中に導電粒子を分散した構造であるため、部分的に導
電粒子の集中が起こってしまう。図２に示されるよう
に、異方性導電膜２４がＩＣチップ２７と、ガラス基板
２１に充填される構造であるために、異方性導電膜２４
中に分散している導電粒子２８の集中が起こってしま
い、２９のガラス電極間短絡部や３０のＩＣチップ〜ガ
ラス電極間短絡部で、本来絶縁が保たれていなければな
らない、ガラス電極間同士や、ＩＣチップの能動面〜ガ
ラス電極間で短絡が起こってしまい、ＩＣチップが正常
に動作しなくなってしまうのである。
脂中に導電粒子を分散した構造であるため、部分的に導
電粒子の集中が起こってしまう。図２に示されるよう
に、異方性導電膜２４がＩＣチップ２７と、ガラス基板
２１に充填される構造であるために、異方性導電膜２４
中に分散している導電粒子２８の集中が起こってしま
い、２９のガラス電極間短絡部や３０のＩＣチップ〜ガ
ラス電極間短絡部で、本来絶縁が保たれていなければな
らない、ガラス電極間同士や、ＩＣチップの能動面〜ガ
ラス電極間で短絡が起こってしまい、ＩＣチップが正常
に動作しなくなってしまうのである。
【０００７】これは、導電粒子分散型の異方性導電膜を
用いる場合、避けては通れない本質的な問題である。す
なわち、導電粒子の分散濃度を下げると、上記の短絡現
象の確率は少なくなるものの、バンプ〜ガラス電極間に
存在する粒子の確率も少なくなるため、接続そのものの
信頼性が低下する。また、導電粒子の分散濃度を上げれ
ば、接続信頼性は向上するが、短絡現象の確率も上が
り、やはり半導体装置の実装構造として機能しなくなる
のである。一般的に導電粒子の分散濃度は上記条件を鑑
みて決定されるが、確率現象である以上、短絡現象によ
る半導体装置の実装不良は０にはなり得なかった。ま
た、導電粒子の粒子径を小さくして少しでも短絡現象の
可能性を下げる試みも公知であるが、これとて問題の本
質的解決にはなっていないのである。
用いる場合、避けては通れない本質的な問題である。す
なわち、導電粒子の分散濃度を下げると、上記の短絡現
象の確率は少なくなるものの、バンプ〜ガラス電極間に
存在する粒子の確率も少なくなるため、接続そのものの
信頼性が低下する。また、導電粒子の分散濃度を上げれ
ば、接続信頼性は向上するが、短絡現象の確率も上が
り、やはり半導体装置の実装構造として機能しなくなる
のである。一般的に導電粒子の分散濃度は上記条件を鑑
みて決定されるが、確率現象である以上、短絡現象によ
る半導体装置の実装不良は０にはなり得なかった。ま
た、導電粒子の粒子径を小さくして少しでも短絡現象の
可能性を下げる試みも公知であるが、これとて問題の本
質的解決にはなっていないのである。
【０００８】このような問題点を解決するため、本発明
ではガラス電極間の短絡、半導体素子〜ガラス電極間の
短絡を本質的に防止し得る異方性導電膜および半導体素
子の実装方法を提供することを目的としている。
ではガラス電極間の短絡、半導体素子〜ガラス電極間の
短絡を本質的に防止し得る異方性導電膜および半導体素
子の実装方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の異方性導電膜
は、シート状の異方性導電と、前記シート状の異方性導
電膜上に設置され、前記シート状の異方性導電膜と２層
構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される。
は、シート状の異方性導電と、前記シート状の異方性導
電膜上に設置され、前記シート状の異方性導電膜と２層
構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される。
【００１０】そして、本発明の半導体素子の実装方法
は、異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工
程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶
縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶
縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記異
方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有
する。
は、異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工
程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶
縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶
縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記異
方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有
する。
【００１１】また、本発明の半導体素子の実装方法は、
異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板
と、前記絶縁基板に実装される半導体素子とを位置合わ
せした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接する
ことにより、前記半導体素子を前記異方性導電膜を介し
て前記絶縁基板に実装する工程、を有する。
異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板
と、前記絶縁基板に実装される半導体素子とを位置合わ
せした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接する
ことにより、前記半導体素子を前記異方性導電膜を介し
て前記絶縁基板に実装する工程、を有する。
【００１２】
【作用】本発明では半導体素子能動素子形成面と絶縁基
板上に形成された配線パターンの間に絶縁樹脂が存在す
る構造としたので、絶縁樹脂が電気的絶縁層になり、半
導体素子と配線パターンとの間に短絡は起こらない。
板上に形成された配線パターンの間に絶縁樹脂が存在す
る構造としたので、絶縁樹脂が電気的絶縁層になり、半
導体素子と配線パターンとの間に短絡は起こらない。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づき、詳細に説明する。
基づき、詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の半導体素子の実装構造の
断面図である。１は基板であり、ガラス、セラミック
ス、樹脂等で形成されていることが多く、少なくとも表
面が絶縁されている。半導体素子７の電極６に、例えば
ＣｒーＣｕ、ＴｉーＰｄ等の金属を被着した後、金属突
起５を形成する。金属突起５は、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等
の金属であり、電気メッキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ
〜数１０μｍの厚さに形成されることが多い。基板１上
には、半導体素子７の金属突起５と対応した位置に配線
パターン２が形成されている。配線パターンは、金属も
しくは金属酸化物を用いるのが一般的であり、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＩＴＯ等で形成すれば良く、必要に
応じてメッキ処理を施せば良い。それらの配線パターン
を重ねて、さらに低抵抗化しても良い。異方性導電膜１
０は、シート状または液状であり、絶縁樹脂Ｂ４と、導
電粒子９との混合物から成る。金属突起５と配線パター
ン２とは、導電粒子９を通して電気的導通が行われてい
る。絶縁樹脂Ｂは、ＳＢＲ系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
クリル系樹脂等である場合が多い。導電粒子は、低融点
ハンダ粒子、Ｎｉ粒子、Ｎｉ、Ａｕ等のメッキを行った
プラスチック粒子等がよく用いられる。異方性導電膜１
０は金属突起５より薄く、半導体素子７の能動素子形成
面と、配線パターン２との間には結果として空隙８が生
じ、これが絶縁層となる。さらに、耐湿環境下での接続
信頼性を向上させるために、半導体素子実装部分の周
囲、半導体素子上全面に絶縁樹脂Ａ３が塗布されること
が多い。絶縁樹脂Ａは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、シリコーン系樹脂等であることが多く、絶縁樹脂Ｂ
と同一でも良い。半導体素子７と基板１とは、基本的に
は絶縁樹脂Ｂで接着している。金属突起５は、配線パタ
ーン２上に、半導体素子７の電極６の位置に相対するよ
うに形成されている場合もあり、また、前述の導電粒子
を印刷等の方法で電極６と、配線パターン２との位置に
相対するように設置するようにしても良い。
断面図である。１は基板であり、ガラス、セラミック
ス、樹脂等で形成されていることが多く、少なくとも表
面が絶縁されている。半導体素子７の電極６に、例えば
ＣｒーＣｕ、ＴｉーＰｄ等の金属を被着した後、金属突
起５を形成する。金属突起５は、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等
の金属であり、電気メッキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ
〜数１０μｍの厚さに形成されることが多い。基板１上
には、半導体素子７の金属突起５と対応した位置に配線
パターン２が形成されている。配線パターンは、金属も
しくは金属酸化物を用いるのが一般的であり、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＩＴＯ等で形成すれば良く、必要に
応じてメッキ処理を施せば良い。それらの配線パターン
を重ねて、さらに低抵抗化しても良い。異方性導電膜１
０は、シート状または液状であり、絶縁樹脂Ｂ４と、導
電粒子９との混合物から成る。金属突起５と配線パター
ン２とは、導電粒子９を通して電気的導通が行われてい
る。絶縁樹脂Ｂは、ＳＢＲ系樹脂、エポキシ系樹脂、ア
クリル系樹脂等である場合が多い。導電粒子は、低融点
ハンダ粒子、Ｎｉ粒子、Ｎｉ、Ａｕ等のメッキを行った
プラスチック粒子等がよく用いられる。異方性導電膜１
０は金属突起５より薄く、半導体素子７の能動素子形成
面と、配線パターン２との間には結果として空隙８が生
じ、これが絶縁層となる。さらに、耐湿環境下での接続
信頼性を向上させるために、半導体素子実装部分の周
囲、半導体素子上全面に絶縁樹脂Ａ３が塗布されること
が多い。絶縁樹脂Ａは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、シリコーン系樹脂等であることが多く、絶縁樹脂Ｂ
と同一でも良い。半導体素子７と基板１とは、基本的に
は絶縁樹脂Ｂで接着している。金属突起５は、配線パタ
ーン２上に、半導体素子７の電極６の位置に相対するよ
うに形成されている場合もあり、また、前述の導電粒子
を印刷等の方法で電極６と、配線パターン２との位置に
相対するように設置するようにしても良い。
【００１５】図３は、本発明の半導体素子の実装構造を
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５と電気的に接続している。半導体素子７と基板
１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着してい
る。半導体素子７と基板１との間には、異方性導電膜１
０が金属突起５より薄いため空隙８が生じており、基板
１と半導体素子７との間の電気的絶縁は保たれている。
また、半導体素子７直下の配線パターン２の間にも異方
性導電膜１０は存在せず、空隙８のため電気的絶縁が保
たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、
配線パターン間での短絡は起こらない。３は耐湿環境下
での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５と電気的に接続している。半導体素子７と基板
１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着してい
る。半導体素子７と基板１との間には、異方性導電膜１
０が金属突起５より薄いため空隙８が生じており、基板
１と半導体素子７との間の電気的絶縁は保たれている。
また、半導体素子７直下の配線パターン２の間にも異方
性導電膜１０は存在せず、空隙８のため電気的絶縁が保
たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、
配線パターン間での短絡は起こらない。３は耐湿環境下
での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
【００１６】図４は、本発明による半導体素子の実装構
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には図１で示される実施例よりさらに
広い空隙８が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その
他の構造は図１の実施例と同様である。さらに選択的
に、金属突起５の直下のみに異方性導電膜１０を存在さ
せても良い。
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には図１で示される実施例よりさらに
広い空隙８が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その
他の構造は図１の実施例と同様である。さらに選択的
に、金属突起５の直下のみに異方性導電膜１０を存在さ
せても良い。
【００１７】図１の構造を得るための半導体装置の実装
方法を図８を用いて説明する。図８（ａ）のように、半
導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の
半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方
性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に基板１上の
配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるよう
に位置合わせを行い、次に半導体素子７と基板１を圧接
する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異
方性導電膜中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図８（ｂ））この状態で、あるいは圧接
と同時に、異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現す
るように、熱、光等のエネルギーを加える。すると、半
導体素子と基板との間に空隙８が保たれたまま接着が完
了する。
方法を図８を用いて説明する。図８（ａ）のように、半
導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の
半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方
性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に基板１上の
配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるよう
に位置合わせを行い、次に半導体素子７と基板１を圧接
する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異
方性導電膜中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図８（ｂ））この状態で、あるいは圧接
と同時に、異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現す
るように、熱、光等のエネルギーを加える。すると、半
導体素子と基板との間に空隙８が保たれたまま接着が完
了する。
【００１８】また、図４の構造を得るための実装方法を
図９を用いて説明する。図９（ａ）のように、半導体素
子７の電極６上に形成されている金属突起５上に選択的
に異方性導電膜１０を載置する。載置する方法として
は、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異
方性導電膜を、金属突起５に位置合わせして仮圧着する
方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電
膜を印刷、転写等で付着する方法などがある。その後、
図８の実施例で説明したのと同様に、基板１上の配線パ
ターン２と、半導体素子７上の金属突起５を位置合わせ
した後、圧着を行う。すると、図９（ｂ）で示されるよ
うに、半導体素子７と、その能動面直下の基板１上の配
線パターン２との間には、空隙８のみが存在することに
なる。
図９を用いて説明する。図９（ａ）のように、半導体素
子７の電極６上に形成されている金属突起５上に選択的
に異方性導電膜１０を載置する。載置する方法として
は、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異
方性導電膜を、金属突起５に位置合わせして仮圧着する
方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電
膜を印刷、転写等で付着する方法などがある。その後、
図８の実施例で説明したのと同様に、基板１上の配線パ
ターン２と、半導体素子７上の金属突起５を位置合わせ
した後、圧着を行う。すると、図９（ｂ）で示されるよ
うに、半導体素子７と、その能動面直下の基板１上の配
線パターン２との間には、空隙８のみが存在することに
なる。
【００１９】図５は、本発明の半導体素子の実装構造の
他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、
半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基
板１上に形成されている配線パターン２との間と、半導
体素子７の能動面上に存在している。異方性導電膜と配
線パターン２との間には絶縁樹脂Ｃが存在している。こ
の絶縁樹脂Ｃ１１は、エポキシ系、アクリル系、シリコ
ーン系等絶縁性を有する樹脂であれば何でも良く、液状
又はシート状であることが多く耐湿性向上のための絶縁
樹脂Ａ、異方性導電膜中の絶縁樹脂Ｂと同じでも良い。
この絶縁樹脂Ｃによって、半導体素子と配線パターン
間、配線パターン同士での短絡は起こらない。その他の
構成は、図１で説明したのと同一である。絶縁樹脂Ａと
異方性導電膜１０にかこまれた部分の絶縁樹脂Ｃ１１は
存在しなくともよい。
他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、
半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基
板１上に形成されている配線パターン２との間と、半導
体素子７の能動面上に存在している。異方性導電膜と配
線パターン２との間には絶縁樹脂Ｃが存在している。こ
の絶縁樹脂Ｃ１１は、エポキシ系、アクリル系、シリコ
ーン系等絶縁性を有する樹脂であれば何でも良く、液状
又はシート状であることが多く耐湿性向上のための絶縁
樹脂Ａ、異方性導電膜中の絶縁樹脂Ｂと同じでも良い。
この絶縁樹脂Ｃによって、半導体素子と配線パターン
間、配線パターン同士での短絡は起こらない。その他の
構成は、図１で説明したのと同一である。絶縁樹脂Ａと
異方性導電膜１０にかこまれた部分の絶縁樹脂Ｃ１１は
存在しなくともよい。
【００２０】図６は、本発明の半導体素子の実装構造を
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５とは電気的に接続している。半導体素子７と基
板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着して
いる。半導体素子７と基板１との間には、絶縁樹脂Ｃ１
１が充填されており、基板１と半導体素子７との間の電
気的絶縁が保たれている。また、半導体素子７直下の配
線パターン２の間にも絶縁樹脂Ｃ１１が充填されている
ため、電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素
子と配線パターン間、配線パターン間での短絡は起こら
ない。３は、耐湿環境下での信頼性を向上させるための
絶縁樹脂Ａである。
基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された
配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導
電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金
属突起５とは電気的に接続している。半導体素子７と基
板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着して
いる。半導体素子７と基板１との間には、絶縁樹脂Ｃ１
１が充填されており、基板１と半導体素子７との間の電
気的絶縁が保たれている。また、半導体素子７直下の配
線パターン２の間にも絶縁樹脂Ｃ１１が充填されている
ため、電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素
子と配線パターン間、配線パターン間での短絡は起こら
ない。３は、耐湿環境下での信頼性を向上させるための
絶縁樹脂Ａである。
【００２１】図７は、本発明による半導体素子の実装構
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には、図６で示される実施例よりさら
に広い絶縁樹脂Ｃ１１の充填層が得られ、絶縁性能がさ
らに向上する。その他の構造は、図６の実施例と同様で
ある。さらに選択的に、金属突起５の真下のみに異方性
導電膜１０を存在させても良い。
造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０
が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５
と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に
選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線
パターン２との間には、図６で示される実施例よりさら
に広い絶縁樹脂Ｃ１１の充填層が得られ、絶縁性能がさ
らに向上する。その他の構造は、図６の実施例と同様で
ある。さらに選択的に、金属突起５の真下のみに異方性
導電膜１０を存在させても良い。
【００２２】図５の構造を得るための半導体装置の実装
方法を図１０を用いて説明する。図１０（ａ）のよう
に、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起
５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けす
る。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に、
基板１上の配線パターン上に絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又
は、設置する。さらに、基板１上の配線パターン２と金
属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行
い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突
起５と配線パターン２によって異方性導電膜１０中の絶
縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線
パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図
１０（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、少な
くとも異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するよ
うに、熱・光等のエネルギーを加える。すると、半導体
素子と基板との間に絶縁樹脂Ｃ１１が充填されたまま、
接着が完了する。絶縁樹脂Ｃは、異方性導電膜の接着力
が発現されるのと同時に接着力が発現するようにしても
良いし、最初に基板上に塗布、又は設置する時に基板と
の接着を行っておいても良い。
方法を図１０を用いて説明する。図１０（ａ）のよう
に、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起
５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けす
る。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に、
基板１上の配線パターン上に絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又
は、設置する。さらに、基板１上の配線パターン２と金
属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行
い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突
起５と配線パターン２によって異方性導電膜１０中の絶
縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線
パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図
１０（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、少な
くとも異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するよ
うに、熱・光等のエネルギーを加える。すると、半導体
素子と基板との間に絶縁樹脂Ｃ１１が充填されたまま、
接着が完了する。絶縁樹脂Ｃは、異方性導電膜の接着力
が発現されるのと同時に接着力が発現するようにしても
良いし、最初に基板上に塗布、又は設置する時に基板と
の接着を行っておいても良い。
【００２３】また、図５の構造を得るための半導体装置
の他の実装方法を図１４を用いて説明する。図１４
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０
を仮付けする。異方性導電膜１０は、半導体素子７の金
属突起５よりも薄い。異方性導電膜１０は、はじめから
絶縁樹脂Ｃ１１と２層の構造となっていても良いし、異
方性導電膜１０を半導体素子表面に仮付けした後、絶縁
樹脂Ｃ１１をその上に塗布又は、設置しても良い。ま
た、金属突起５に相対するようなマスク・版で、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によっ
て、まず絶縁樹脂Ｃ１１が押しのけられ、続いて異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１４（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
の他の実装方法を図１４を用いて説明する。図１４
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０
を仮付けする。異方性導電膜１０は、半導体素子７の金
属突起５よりも薄い。異方性導電膜１０は、はじめから
絶縁樹脂Ｃ１１と２層の構造となっていても良いし、異
方性導電膜１０を半導体素子表面に仮付けした後、絶縁
樹脂Ｃ１１をその上に塗布又は、設置しても良い。ま
た、金属突起５に相対するようなマスク・版で、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によっ
て、まず絶縁樹脂Ｃ１１が押しのけられ、続いて異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１４（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
【００２４】次に、図７の構造を得るための半導体装置
の実装方法を図１１を用いて説明する。図１１（ａ）の
ように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属
突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部の
みに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に
仮付する方法は、図９の実施例中で説明した方法と同様
である。基板１上には、半導体素子７の金属突起５に少
なくとも相対するように配線パターン２が形成されてい
るが、基板１上で、前述の金属突起５とは相対せず、半
導体素子７の能動面に相対する部分に、絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置する。次に金属突起５と配線パターン２
とを位置合わせし、半導体素子７と基板１を圧接する。
すると、金属突起５と配線パターン２によって、異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１１（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
の実装方法を図１１を用いて説明する。図１１（ａ）の
ように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属
突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部の
みに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に
仮付する方法は、図９の実施例中で説明した方法と同様
である。基板１上には、半導体素子７の金属突起５に少
なくとも相対するように配線パターン２が形成されてい
るが、基板１上で、前述の金属突起５とは相対せず、半
導体素子７の能動面に相対する部分に、絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置する。次に金属突起５と配線パターン２
とを位置合わせし、半導体素子７と基板１を圧接する。
すると、金属突起５と配線パターン２によって、異方性
導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が
金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導
通が生じる。（図１１（ｂ））以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同
様である。
【００２５】さらに、図７の構造を得るための半導体装
置の別の実装方法を図１２を用いて説明する。図１２
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５に相対する、基板１上に形成された配線
パターン２の部分に選択的に異方性導電膜１０を、基板
１上のその他の半導体素子能動面直下に相対する部分に
は絶縁樹脂Ｃ１１を設置又は塗布して仮付けする。異方
性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ、前述のよ
うな位置関係になっているシート状一体のものでも良い
し、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ基板１上に載置しその
後異方性導電膜１０を前述の位置に載置しても良いし、
逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載
置しても良い。異方性導電膜１０を選択的に仮付けする
方法としては、図９の実施例中で説明した方法と同様で
ある。次に金属突起５と配線パターン２を位置合わせす
るが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実
施例中で説明した方法と同様である。
置の別の実装方法を図１２を用いて説明する。図１２
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５に相対する、基板１上に形成された配線
パターン２の部分に選択的に異方性導電膜１０を、基板
１上のその他の半導体素子能動面直下に相対する部分に
は絶縁樹脂Ｃ１１を設置又は塗布して仮付けする。異方
性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ、前述のよ
うな位置関係になっているシート状一体のものでも良い
し、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ基板１上に載置しその
後異方性導電膜１０を前述の位置に載置しても良いし、
逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載
置しても良い。異方性導電膜１０を選択的に仮付けする
方法としては、図９の実施例中で説明した方法と同様で
ある。次に金属突起５と配線パターン２を位置合わせす
るが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実
施例中で説明した方法と同様である。
【００２６】次に、図７の構造を得るための半導体装置
の別の実装方法を図１３を用いて説明する。図１３
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く
先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。
選択的に仮付けする方法は図９の実施例中で説明したの
と同様である。異方性導電膜１０を仮付けした部分以外
の半導体素子７の能動素子形成面上には絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置して仮付けする。異方性導電膜１０と絶
縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ前述のような位置関係になっ
ているようなシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂
Ｃをあらかじめ半導体素子７の能動素子形成面上に載置
しその後異方性導電膜１０を前述の位置に裁置しても良
いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１
１を載置しても良い。次に、金属突起５と配線パターン
２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカ
ニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様であ
る。
の別の実装方法を図１３を用いて説明する。図１３
（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されて
いる金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く
先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。
選択的に仮付けする方法は図９の実施例中で説明したの
と同様である。異方性導電膜１０を仮付けした部分以外
の半導体素子７の能動素子形成面上には絶縁樹脂Ｃ１１
を塗布又は設置して仮付けする。異方性導電膜１０と絶
縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ前述のような位置関係になっ
ているようなシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂
Ｃをあらかじめ半導体素子７の能動素子形成面上に載置
しその後異方性導電膜１０を前述の位置に裁置しても良
いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１
１を載置しても良い。次に、金属突起５と配線パターン
２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカ
ニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様であ
る。
【００２７】また、図７の構造を得るための半導体装置
のさらに他の実装方法を図１５を用いて説明する。図１
５（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成され
ている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除
く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０が載置されて
いる。半導体素子７の能動素子形成面上と、前述の異方
性導電膜１０上全面には絶縁樹脂Ｃ１１が載置されてい
る。異方性導電膜１０を選択的に載置、仮付けするため
には、図９の実施例中で説明した方法と同じ方法を用い
れば良く、その後、絶縁樹脂Ｃ１１を全面に塗布又は設
置すれば良い。もしくは、絶縁樹脂Ｃ１１上に前述の位
置関係になるようにあらかじめ異方性導電膜１０を載置
した２層シート状物質を、半導体素子７上の金属突起５
と異方性導電膜１０の存在場所とを位置合わせした後、
半導体素子７と２層シート状物質を仮付けしても良い。
異方性導電膜１０を選択的な位置に存在させ２層シート
状物質とするためには、あらかじめ金属突起５に合わせ
て型抜きしてある異方性導電膜をその位置関係を保った
まま、絶縁樹脂Ｃ１１上に設置する方法や、金属突起５
に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させる方法、あるいは、導電粒
子９のみを金属突起５に相対するようなマスク、版等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂
を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねてしまう方法等がある。次に、
金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、こ
れ以後の実装の手順・メカニズムは図１４の実施例中で
説明した方法と同様である。
のさらに他の実装方法を図１５を用いて説明する。図１
５（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成され
ている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除
く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０が載置されて
いる。半導体素子７の能動素子形成面上と、前述の異方
性導電膜１０上全面には絶縁樹脂Ｃ１１が載置されてい
る。異方性導電膜１０を選択的に載置、仮付けするため
には、図９の実施例中で説明した方法と同じ方法を用い
れば良く、その後、絶縁樹脂Ｃ１１を全面に塗布又は設
置すれば良い。もしくは、絶縁樹脂Ｃ１１上に前述の位
置関係になるようにあらかじめ異方性導電膜１０を載置
した２層シート状物質を、半導体素子７上の金属突起５
と異方性導電膜１０の存在場所とを位置合わせした後、
半導体素子７と２層シート状物質を仮付けしても良い。
異方性導電膜１０を選択的な位置に存在させ２層シート
状物質とするためには、あらかじめ金属突起５に合わせ
て型抜きしてある異方性導電膜をその位置関係を保った
まま、絶縁樹脂Ｃ１１上に設置する方法や、金属突起５
に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させる方法、あるいは、導電粒
子９のみを金属突起５に相対するようなマスク、版等で
絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂
を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねてしまう方法等がある。次に、
金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、こ
れ以後の実装の手順・メカニズムは図１４の実施例中で
説明した方法と同様である。
【００２８】次に、図５の構造を得るための別の実装方
法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）のように、
基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３
に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにそ
の上に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０
と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ２層の構造をなすシート
状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ
配線パターン２側へ塗布又は設置した後、異方性導電膜
１０をその上に塗布又は設置しても良い。また、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１６（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１４の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）のように、
基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３
に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにそ
の上に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０
と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ２層の構造をなすシート
状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ
配線パターン２側へ塗布又は設置した後、異方性導電膜
１０をその上に塗布又は設置しても良い。また、導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１６（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１４の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
【００２９】また、図７の構造を得るための半導体装置
の他の実装方法を図１７を用いて説明する。図１７
（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なく
とも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載
置され、さらにその上、半導体素子７の電極６上に形成
されている金属突起５に相対する部分に異方性導電膜１
０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１は、
絶縁樹脂Ｃ１１上に金属突起５に相対する部分にのみに
異方性導電膜１０が存在する２層構造のシート状一体の
ものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パタ
ーン２側へ塗布、又は設置した後、異方性導電膜１０を
金属突起５に相対する部分のみに印刷、転写、転着等の
方法で絶縁樹脂Ｃ１１上へ塗布、又は設置しても良い。
また、金属突起５に相対するようなマスク、版で導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１７（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１５の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
の他の実装方法を図１７を用いて説明する。図１７
（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なく
とも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載
置され、さらにその上、半導体素子７の電極６上に形成
されている金属突起５に相対する部分に異方性導電膜１
０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１は、
絶縁樹脂Ｃ１１上に金属突起５に相対する部分にのみに
異方性導電膜１０が存在する２層構造のシート状一体の
ものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パタ
ーン２側へ塗布、又は設置した後、異方性導電膜１０を
金属突起５に相対する部分のみに印刷、転写、転着等の
方法で絶縁樹脂Ｃ１１上へ塗布、又は設置しても良い。
また、金属突起５に相対するようなマスク、版で導電粒
子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜
の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基
板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に
来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を
圧接する（図１７（ｂ））が、以後の実装の手順・メカ
ニズムは、図１５の実施例中で説明したものとまったく
同様である。
【００３０】以上の実装方法で実装を行った後、半導体
素子の外周部、あるいは半導体素子すべてをさらに絶縁
樹脂で覆い、通電耐湿性を向上させることが多い。
素子の外周部、あるいは半導体素子すべてをさらに絶縁
樹脂で覆い、通電耐湿性を向上させることが多い。
【００３１】以上、述べてきたように、本発明の実施例
による半導体装置の実装構造では、半導体素子の能動素
子形成面と配線パターンの間に少なくとも空隙を設ける
構造としたため、以下の効果を有する。
による半導体装置の実装構造では、半導体素子の能動素
子形成面と配線パターンの間に少なくとも空隙を設ける
構造としたため、以下の効果を有する。
【００３２】（１）半導体素子能動面とその直下の配線
パターンの間には空隙があり、そこが電気的絶縁層とな
るため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンと
の間で電気的短絡は起こらない。
パターンの間には空隙があり、そこが電気的絶縁層とな
るため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンと
の間で電気的短絡は起こらない。
【００３３】（２）半導体素子能動面直下の配線パター
ンの間にも空隙があり、そこが電気的絶縁層となるた
め、配線パターン同士で電気的短絡は起こらない。
ンの間にも空隙があり、そこが電気的絶縁層となるた
め、配線パターン同士で電気的短絡は起こらない。
【００３４】上記（１）、（２）の相乗効果により実装
時の電気的短絡が防止できるため、実装歩留まりは向上
する。
時の電気的短絡が防止できるため、実装歩留まりは向上
する。
【００３５】（３）金属突起部のみに異方性導電膜を存
在させるか、半導体素子能動面全面に薄い異方性導電膜
を存在させる構造としたため、異方性導電膜を仮付けし
た後の位置合わせ時に、半導体素子の位置認識が行いや
すくなる（半導体素子が見やすくなる）ので、位置合わ
せ作業の能率が向上する。
在させるか、半導体素子能動面全面に薄い異方性導電膜
を存在させる構造としたため、異方性導電膜を仮付けし
た後の位置合わせ時に、半導体素子の位置認識が行いや
すくなる（半導体素子が見やすくなる）ので、位置合わ
せ作業の能率が向上する。
【００３６】（４）上記（３）で述べた様に異方性導電
膜の実体積が少なくてすむため、異方性導電膜の接着力
発現に必要なエネルギー量も少なくてすむ。そのため、
半導体素子、基板等には、悪影響を及ぼさない。また、
同上の理由によって、半導体素子と基板にエネルギーを
加える装置も小型化することができ、装置への投資を少
なくすることもできる。
膜の実体積が少なくてすむため、異方性導電膜の接着力
発現に必要なエネルギー量も少なくてすむ。そのため、
半導体素子、基板等には、悪影響を及ぼさない。また、
同上の理由によって、半導体素子と基板にエネルギーを
加える装置も小型化することができ、装置への投資を少
なくすることもできる。
【００３７】（５）異方性導電膜を半導体素子側へ仮付
けすれば、基板側配線パターンへの異方性導電膜の付着
は最少限で済む。一般的に半導体素子の能動素子形成面
にはパッシベーション膜が形成されており問題は無い
が、配線パターン側にはパッシベーション膜が形成され
ておらず、異方性導電膜中に含まれる不純物イオンによ
る腐蝕が問題となる。しかし、本発明によれば、配線パ
ターンの腐蝕の問題は、実用上問題なくなる。
けすれば、基板側配線パターンへの異方性導電膜の付着
は最少限で済む。一般的に半導体素子の能動素子形成面
にはパッシベーション膜が形成されており問題は無い
が、配線パターン側にはパッシベーション膜が形成され
ておらず、異方性導電膜中に含まれる不純物イオンによ
る腐蝕が問題となる。しかし、本発明によれば、配線パ
ターンの腐蝕の問題は、実用上問題なくなる。
【００３８】さらに本願実施例による半導体素子の実装
構造では、金属突起と配線パターンの部分のみに異方性
導電膜を存在させる構造としたので、次の効果を有す
る。
構造では、金属突起と配線パターンの部分のみに異方性
導電膜を存在させる構造としたので、次の効果を有す
る。
【００３９】（６）導電粒子が、金属突起と配線パター
ンの部分のみに存在するため、半導体素子の能動素子形
成面と配線パターン間、配線パターン同士の電気的短絡
の可能性は、さらに減少する。
ンの部分のみに存在するため、半導体素子の能動素子形
成面と配線パターン間、配線パターン同士の電気的短絡
の可能性は、さらに減少する。
【００４０】（７）半導体素子の能動素子形成面が基板
側から直接見ることができるため、半導体素子と基板と
の位置合わせ作業の能率はさらに向上する。
側から直接見ることができるため、半導体素子と基板と
の位置合わせ作業の能率はさらに向上する。
【００４１】さらに本発明による半導体素子の実装構造
では、半導体素子の能動素子形成面側全面に金属突起よ
り薄い異方性導電膜を設置する構造としたので、以下の
効果を有する。
では、半導体素子の能動素子形成面側全面に金属突起よ
り薄い異方性導電膜を設置する構造としたので、以下の
効果を有する。
【００４２】（８）半導体素子の能動素子形成面へ異方
性導電膜を仮付けする際、位置をあまり気にする必要な
く仮付けできるため、仮付け作業の効率が著しく向上す
る。
性導電膜を仮付けする際、位置をあまり気にする必要な
く仮付けできるため、仮付け作業の効率が著しく向上す
る。
【００４３】（９）半導体素子の能動素子形成面全面に
異方性導電膜が存在するため、半導体素子の耐湿性が向
上する。
異方性導電膜が存在するため、半導体素子の耐湿性が向
上する。
【００４４】また、本実施例による半導体素子の実装構
造では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの
間に少なくとも前述の空隙の代わりに絶縁樹脂を設ける
構造としたため、前述の（１）、（２）と同様の効果を
有するとともに、さらに以下の効果を有する。
造では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの
間に少なくとも前述の空隙の代わりに絶縁樹脂を設ける
構造としたため、前述の（１）、（２）と同様の効果を
有するとともに、さらに以下の効果を有する。
【００４５】（１０）半導体素子能動素子形成面と、基
板上配線パターンとの間は樹脂の完全な充填構造となる
ため、湿度環境下で湿度の侵入を極端に押さえることが
できる。このため、耐湿環境下での信頼性を向上するこ
とができる。
板上配線パターンとの間は樹脂の完全な充填構造となる
ため、湿度環境下で湿度の侵入を極端に押さえることが
できる。このため、耐湿環境下での信頼性を向上するこ
とができる。
【００４６】（１１）半導体素子の金属突起と配線パタ
ーンの部分だけではなく、半導体素子能動面とそれに相
対する基板とも、半導体素子と基板の接着に寄与し、接
着面積を増加することができる。このため、半導体素子
と基板との接続信頼性はさらに向上する。
ーンの部分だけではなく、半導体素子能動面とそれに相
対する基板とも、半導体素子と基板の接着に寄与し、接
着面積を増加することができる。このため、半導体素子
と基板との接続信頼性はさらに向上する。
【００４７】さらに本発明による半導体素子の実装構造
では、半導体素子の金属突起と配線パターンの部分のみ
に異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果
を有する。
では、半導体素子の金属突起と配線パターンの部分のみ
に異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果
を有する。
【００４８】（１２）圧接時に、導電粒子が半導体素子
の金属突起と配線パターン部分以外の部分へは、絶縁樹
脂が存在するため、動きにくくなり、より半導体素子の
能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン間同士
での電気的短絡の可能性はさらに低下する。
の金属突起と配線パターン部分以外の部分へは、絶縁樹
脂が存在するため、動きにくくなり、より半導体素子の
能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン間同士
での電気的短絡の可能性はさらに低下する。
【００４９】（１３）半導体素子の能動素子形成面とそ
れに対向する基板との間には絶縁樹脂という１材料のみ
しか存在しないため、半導体素子実装の際問題になる材
料の熱膨張係数の差による信頼性低下について、絶縁樹
脂材料の材料特性さえ考えれば良いので、材料選定が容
易に行える。
れに対向する基板との間には絶縁樹脂という１材料のみ
しか存在しないため、半導体素子実装の際問題になる材
料の熱膨張係数の差による信頼性低下について、絶縁樹
脂材料の材料特性さえ考えれば良いので、材料選定が容
易に行える。
【００５０】さらに、本発明による半導体素子の実装構
造では、半導体素子能動素子形成面全面に異方性導電膜
を存在させ、さらに絶縁樹脂を存在させる構造としたの
で、次の効果を有する。
造では、半導体素子能動素子形成面全面に異方性導電膜
を存在させ、さらに絶縁樹脂を存在させる構造としたの
で、次の効果を有する。
【００５１】（１４）異方性導電膜及び絶縁樹脂を仮付
けする際、位置合わせをあまり気にする必要がなく、仮
付け作業の効率が向上する。
けする際、位置合わせをあまり気にする必要がなく、仮
付け作業の効率が向上する。
【００５２】
【発明の効果】本願発明の構成によれば、半導体素子能
動面とその直下の配線パターンの間には絶縁性樹脂があ
り、そこが電気的絶縁層となるため、半導体素子能動面
とその直下の配線パターンとの間で電気的短絡は起こら
ない。
動面とその直下の配線パターンの間には絶縁性樹脂があ
り、そこが電気的絶縁層となるため、半導体素子能動面
とその直下の配線パターンとの間で電気的短絡は起こら
ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図２】従来の半導体装置の実装構造を示す断面図。
【図３】本発明による半導体装置の実装構造を基板側か
ら見た正面図。
ら見た正面図。
【図４】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図５】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図６】本発明による半導体装置の実装構造を基板側か
ら見た正面図。
ら見た正面図。
【図７】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面
図。
図。
【図８】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装
方法を示す断面模式図。
方法を示す断面模式図。
【図９】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装
方法を示す断面模式図。
方法を示す断面模式図。
【図１０】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１１】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１２】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１３】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１４】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１５】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１６】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【図１７】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実
装方法を示す断面模式図。
装方法を示す断面模式図。
【符号の説明】 １…基板 ２…配線パターン ３…絶縁樹脂Ａ ４…絶縁樹脂Ｂ ５…金属突起 ６…電極 ７…半導体素子 ８…空隙 ９…導電粒子 １０…異方性導電膜 １１…絶縁樹脂Ｃ ２１…ガラス基板 ２２…ガラス電極 ２３…絶縁樹脂 ２４…異方性導電膜 ２５…バンプ ２６…電極 ２７…ＩＣチップ ２８…導電粒子 ２９…ガラス電極間短絡部 ３０…ＩＣチップ〜ガラス電極間短絡部
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁基板と、前記基板上に形成され、第１
部分と第２部分を有する配線パターン領域と、前記配線
パターン領域の第１部分上に設けられた第１導電性物質
と、前記配線パターン領域の第２部分上に前記第１導電
性物質と隣接して設けられた空隙と、前記第１導電性物
質と前記空隙の上方に設けられた半導体素子とから成る
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた空隙と前記半導体素子の間には、前記空隙のみが
存在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記配線パターン領域の第２部分上に設け
られた空隙と前記半導体素子の間には、第２導電性物質
が存在することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、
第１部分と第２部分を有する配線パターン領域と、前記
配線パターン領域の第１部分上に設けられた第１導電性
物質と、前記配線パターン領域の第２部分上に設けられ
た絶縁樹脂と、前記第１導電性物質と前記絶縁樹脂の上
方に設けられた半導体素子から成ることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項５】前記絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、
前記絶縁樹脂のみが存在することを特徴とする請求項４
記載の半導体装置。 - 【請求項６】前記絶縁樹脂と前記半導体素子の間には、
第２導電性物質が存在することを特徴とする請求項４記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9272781A JP2820148B2 (ja) | 1988-04-20 | 1997-10-06 | 異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9763588 | 1988-04-20 | ||
| JP63-97635 | 1988-04-20 | ||
| JP9272781A JP2820148B2 (ja) | 1988-04-20 | 1997-10-06 | 異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011613A Division JPH0234951A (ja) | 1988-04-20 | 1989-01-20 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092876A true JPH1092876A (ja) | 1998-04-10 |
| JP2820148B2 JP2820148B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=26438810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9272781A Expired - Lifetime JP2820148B2 (ja) | 1988-04-20 | 1997-10-06 | 異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2820148B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010134306A1 (ja) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法および電子部品実装構造 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP9272781A patent/JP2820148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010134306A1 (ja) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法および電子部品実装構造 |
| JP2010272557A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | 電子部品実装方法および電子部品実装構造 |
| CN102349362A (zh) * | 2009-05-19 | 2012-02-08 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件安装方法和电子部件安装结构 |
| US8557630B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-10-15 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting method and electronic component mount structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2820148B2 (ja) | 1998-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2833996B2 (ja) | フレキシブルフィルム及びこれを有する半導体装置 | |
| US4417386A (en) | Method for mounting a semiconductor device in a housing | |
| US5180888A (en) | Conductive bonding agent and a conductive connecting method | |
| TW497186B (en) | Semiconductor package and semiconductor package fabrication method | |
| US4999460A (en) | Conductive connecting structure | |
| JPH0793342B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| US7466030B2 (en) | Semiconductor device and fabrication process thereof | |
| US5123986A (en) | Conductive connecting method | |
| US6339247B1 (en) | Structure for mounting a semiconductor device on a liquid crystal display, and semiconductor device | |
| JP2820147B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000286299A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JPH1116949A (ja) | Ａｃｆ接合構造 | |
| JP2820148B2 (ja) | 異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法 | |
| JP2892117B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0413161B1 (en) | Conductive connecting structure | |
| JP2001119116A (ja) | 液晶表示装置の接続構造 | |
| JPH03125440A (ja) | 電子部品 | |
| JP2780293B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0234951A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JP2626015B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3045121B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2831484B2 (ja) | ダイボンディング構造体 | |
| JP3283947B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3395926B2 (ja) | 電極装置 | |
| JP2002208608A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980728 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070828 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828 Year of fee payment: 11 |