JPH1091274A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH1091274A
JPH1091274A JP8246253A JP24625396A JPH1091274A JP H1091274 A JPH1091274 A JP H1091274A JP 8246253 A JP8246253 A JP 8246253A JP 24625396 A JP24625396 A JP 24625396A JP H1091274 A JPH1091274 A JP H1091274A
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一彦 大橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各メガセルに遅延クロックを供給し、同時ス
イッチングノイズを抑える。 【解決手段】 外部から入力される基本クロック(CL
K)を遅延させる遅延回路(1),(3)と、クロック
を増幅するバッファ(5),(7),(9)と、各メガ
セルA、B及びCPUに遅延クロックを供給すべきか否
かの切り替え信号sを保持するF/F(11)と、切り
替え信号sに基づいて基本クロックか遅延クロックを選
択するセレクタ(13)(15)により構成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、MCU(マイクロ
・コントローラ・ユニット)、CPU(セントラル・プ
ロセッシング・ユニット)等の半導体集積回路に関する
ものであり、特に電源やGNDに発生するノイズを軽減
することができる半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術のMPU等の半導体集積回路は
CPUの他、複数種類の各種メガセルで構成されてい
る。また、CPUについても内部は複数種類の回路ブロ
ックにて構成されている。
【0003】また、最近の半導体集積回路に於いては、
その集積回路自身が発生するノイズによるその集積回路
以外の各種機械の誤動作等の問題がクローズアップされ
ている。このため、最近ではノイズの軽減が必須となっ
ている。
【0004】現在の半導体集積回路(特にC−MOS回
路)に於いてのノイズ発生の主な原因はゲート容量、配
線容量のチャージ、ディスチャージによる部分が大き
い。また、一般的に同時にチャージ、ディスチャージを
する回路が多いとそれだけノイズを多く発生する。この
ノイズのことを一般的に同時スイッチングノイズと呼
ぶ。
【0005】今まで半導体集積回路に於いてはF−MA
X(最大動作周波数)の向上を主眼にして設計がなされ
てきた。複数のメガセルを含んでいるMCUに於いては
各メガセルに供給するクロックスキュー(クロックのず
れ)を極力なくす工夫をしていた。このことは裏を返せ
ば同時にチャージ、ディスチャージをする回路を増やし
ていることになり、同時スイッチングノイズの多発につ
ながっていた。
【0006】図14、15、16を用いて従来の同時ス
イッチングノイズを説明する。まず、図14に示す様
に、MCU(51)に於いてはCPU(53)と、メガ
セルA(55)、メガセルB(57)と、クロックジェ
ネレータ(59)により構成されている。今回は主にM
PUについて説明するが、CPUでも同様である。
【0007】図15にクロックジェネレータ(59)の
内部回路を示す。クロックジェネレータ(59)はCP
U(53)、メガセルA(55)、メガセルB(57)
に供給するクロックを分配すると同時にバッファ(図で
はインバータを2個使用してバッファの代用をしてい
る)によりそのドライブ力を増強している。
【0008】図16はノイズの発生状況を示すタイミン
グチャートである。今回の説明では電流量とノイズの発
生量は等価ということで説明する。同図を見て分かる様
にCPU(53)、メガセルA(55)、メガセルB
(57)に供給しているクロックキューはゼロになる様
に調整しており、この場合、クロックが切り替わる(H
ighからLowに変化、またLowからHighに変
化)と急激なノイズが発生している。つまりクロックの
切り替わりで大多数の回路が同時に動作していることを
意味している。ノイズが発生していない部分に於いては
クリティカルパス(最大動作周波数のネック)に関する
回路が動作している。この回路の割合は少ないため、こ
の期間のノイズ発生は少なくなっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上詳細に説明した様
に、従来の半導体集積回路に於いては最大動作周波数の
向上に主眼を於いて設計がなされているため、各メガセ
ルにスキューが無いクロックを供給していた。このため
にクロックが変化した直後に多数の回路が同時に動作
し、大量なノイズを発生してしまうという問題があっ
た。また、この瞬間的な電流の増大によって電源電圧の
降下が生じるため、誤動作の原因になる恐れがあった。
【0010】そこで本発明は、この様な問題に鑑みて成
されたものであり、その目的は各メガセルに供給するク
ロックに遅延を持たせることにより、同時スイッチング
ノイズを抑えることができる半導体集積回路を提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明の第1の発明の特徴は、クロックに同期し
て動作する複数の回路群と、外部クロックを入力し、前
記複数の回路群それぞれに供給すべきクロックを生成し
て分配するクロック供給手段とを備えた半導体集積回路
において、前記クロック供給手段は、前記回路群に供給
すべき基本クロックと該基本クロックより遅延させた遅
延クロックを、回路群毎に生成し、各回路群に遅延クロ
ックを供給すべきか否かの指示情報に基づき、前記基本
クロックあるいは遅延クロックを回路群毎に選択して分
配することにある。
【0012】この第1の発明によれば、各回路群に遅延
クロックを供給すべきであると指示された場合、クロッ
ク供給手段が回路群毎に遅延クロックを生成し、分配す
るので全ての回路群が同時に動作することを防ぐことが
でき、同時スイッチングノイズを軽減できる。
【0013】第2の発明の特徴は、上記第1の発明にお
いて、外部装置から出力される制御信号を前記指示情報
として入力する入力端子を備えたことである。
【0014】この第2の発明によれば、入力端子を介し
て指示情報をクロック供給手段に与えることができるの
で、外部装置から自在にノイズの軽減を切り替えること
ができる。
【0015】第3の発明の特徴は、上記第1の発明にお
いて、機械語命令をデコードし、該デコード結果に応じ
て前記指示情報を出力する機械語命令デコーダを備えた
ことである。
【0016】この第3の発明によれば、半導体集積回路
内部に機械語命令デコーダを備えたので、通常の機械語
命令を実行させることにより、ノイズの軽減を切り替え
ることができる。
【0017】第4の発明の特徴は、上記第1の発明にお
いて、前記外部クロックの動作周波数を認知し、該動作
周波数に応じて前記指示情報を出力する周波数認知手段
を備えたことである。
【0018】この第4の発明によれば、周波数認知手段
が外部クロックの動作周波数を認知し、例えば高速動作
期間は全ての回路群に基本クロックを供給すべき指示情
報をクロック供給手段に出し、低速動作期間は回路群毎
に遅延クロックを供給すべき指示情報を出力する。これ
により、高速動作期間はノイズは発生するがスキューを
無くすることができ、低速動作期間はノイズを軽減でき
る。
【0019】第5の発明の特徴は、上記第1の発明にお
いて、前記各回路群内のクリティカルパスを動作させる
べきか否かを判断し、該判断結果に応じて前記指示情報
を出力するクリティカルパス判断手段を備えたことであ
る。
【0020】この第5の発明によれば、クリティカルパ
ス判断手段が、回路群を動作させる命令を入力し、回路
群内のクリティカルパスを使用する命令であると判断し
た場合、全ての回路群に基本クロックを供給すべき指示
情報をクロック供給手段に出力する。これにより、クリ
ティカルパス動作時はノイズは発生するがスキューを無
くすることができ、これ以外の動作時は遅延クロックを
供給してノイズを軽減できる。
【0021】第6の発明の特徴は、上記第1及び第5の
発明において、前記クリティカルパス判断手段は、前記
外部クロックの前半、後半毎、及び前記回路群毎にクリ
ティカルパスを動作させるべきか否かを判断し、該判断
結果に応じて前記指示情報を回路群毎に出力することで
ある。
【0022】この第6の発明によれば、回路群を動作さ
せる命令から、外部クロックの前半、後半毎、及び回路
群毎にクリティカルパスを使用する命令であるか否かを
判断し、指示情報をクロック供給手段に出力する。これ
により、回路群毎に、かつクロックの前半、後半毎に基
本クロックあるいは遅延クロックを供給でき、ノイズの
軽減を切り替えることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。第1実施形態を図1、図2、図3を用
いて説明する。まず、図1は第1実施形態の構成を示す
回路図で、図14で示したクロックジェネレータ(5
9)に相当するものである。この回路は、外部から入力
される基本クロック(CLK)を遅延させる遅延回路
(1),(3)と、クロックを増幅するバッファ
(5),(7),(9)と、各メガセル及びCPUに遅
延クロックを供給すべきか否かの切り替え信号sを保持
するF/F(11)と、切り替え信号sに基づいて基本
クロックか遅延クロックを選択するセレクタ(13)
(15)により構成されている。
【0024】なお、今回は遅延回路(1),(3)とし
てインバータチェインを用いているが、インバータチェ
インに限らずクロックを遅延できればどの様な回路、例
えばコンデンサと抵抗を用いた回路でも構わない。ま
た、バッファ(5),(7),(9)としてインバータ
を2個使用しているが、クロックを増幅する機能があれ
ば他の手段でも構わない。更に切り替え信号sを保持す
る手段としてF/F(11)を使用しているが、信号が
保持できれば他の手段でも構わない。
【0025】以降、図2、図3を用いて第1実施形態の
動作について説明する。図2はF/F(11)に保持さ
れている切り替え信号sがLowの場合であり、セレク
タ(13),(15)により、図1中の上側の基本クロ
ック(CLK、遅延回路(1),(3)を通過しないク
ロック)が選択され、それぞれバッファ(5),(7)
に入力される。つまりこの場合は、図15で示した従来
技術と同様にCPU、メガセルA,メガセルBに同一タ
イミングで変化するクロックが供給される。この場合の
ノイズ発生量としては従来技術の場合と同一である。
【0026】次に図3は切り替え信号sがHighの場
合である。この場合はセレクタ(13)(15)によ
り、図1中の下側のクロックが選択される。つまり、遅
延回路(1),(3)によって遅延された遅延クロック
がCPU、メガセルA、メガセルBに供給される。この
場合の遅延時間は一般的にはその回路の最大動作周波数
を参考にして決定する。遅延クロックが供給されること
により、同時に動作する回路数は減少するが、回路で消
費する電流の総和(電流と時間の積:面積)は変化しな
いので、ノイズを発生している時間は増加し、図3の様
になる。一般的にノイズについてはピークを減らせば良
いとされるので、この半導体集積回路全体のノイズは軽
減される。
【0027】このように第1実施形態の構成によれば、
切り替え信号sをLowあるいはHighに切り替える
ことにより、各メガセル及びCPUに供給するクロック
を基本クロックと遅延クロックとで切り替えることがで
き、使用する各メガセル内の回路や動作条件など、必要
に応じてクロックスキューを無くしたり、ノイズを軽減
したりできる。
【0028】本発明の第2実施形態を図4を用いて説明
する。第2実施形態は図4のように、図1で示した構成
要素の他、図示しない外部装置から出力される制御信号
を入力する入力ピン(17)を備え、F/F(11)と
接続したものである。この入力ピン(17)はMCU、
またはCPUの外部とのやり取りをするピンである。第
2実施形態によれば、入力ピン(17)を備えたことに
よって、外部装置から出力されるLowあるいはHig
h信号を切り替え信号sとしてF/F(11)に保持さ
せることができるので、外部から自在に図3のようなノ
イズの軽減を行うことができる。
【0029】本発明の第3実施形態を図5を用いて説明
する。第3実施形態は図5のように、図1で示した構成
要素の他、共通のデータが行き来するBUS(19)
と、機械語命令を入力して予め決められた通りの処理に
なるように機械語命令をデコードする機械語命令デコー
ダ(21)とを有している。これら機械語命令デコーダ
(21)とBUS(19)を使用して機械語命令の通常
のライト(レジスタ、メモリ等)と同様に、F/F(1
1)に切り替え信号sを書き込む。
【0030】図6に示す動作図のように、機械語命令に
よってMPUの実行途中に切り替え信号sをLowから
Highに変化させると、変化したタイミング以降メガ
セルA,メガセルBに遅延クロックが供給され、ノイズ
が軽減する。第3実施形態により、ユーザーは通常の機
械語命令の実行によってノイズ軽減を指示することが出
来る。
【0031】本発明の第4実施形態を図7、図8、図9
を用いて説明する。第4実施形態は図7のように、図1
で示した構成要素の他、外部より入力される基本クロッ
ク(CLK)の動作周波数を認知する周波数認知回路
(23)を備え、周波数認知信号nをF/F(11)へ
出力するように構成されている。この周波数認知回路
(23)は、外部クロック(CLK)を入力し、外部ク
ロックの動作周波数から高速動作期間と低速動作期間を
認知し、高速動作期間中はLow信号を周波数認知信号
nとして出力し、低速動作期間中はHigh信号を出力
するものである。
【0032】図8(A)は、周波数認知回路(23)の
構成の一例を示す回路図である。図のように、奇数個の
インバータからなる遅延回路25が外部クロックを入力
し、その出力を入力にループさせると共に、ANDゲー
ト27及びラッチ回路29と接続させている。ANDゲ
ート27の出力は、ラッチホールド時間確保用バッファ
31とORゲート33の一端に入力され、バッファ31
の出力はラッチ回路29のD端子に入力されている。さ
らにラッチ回路29からの出力はORゲート33の他端
に入力されており、ORゲート33からは周波数認知信
号nが出力されている。
【0033】このように構成されている周波数認知回路
(23)の各点a,b,c及び周波数認知信号nの動作
を図8(B)に示す。外部クロックの高速動作期間中は
周波数認知信号nはLowであるが、低速動作期間中の
みHighとすることができる。一般的に20Mhz動
作を想定した場合、メガセルに対してスキューが無いク
ロックを供給しないと正常動作しない場合がある。従っ
て周波数認知回路(23)を用いて、20Mhz動作期
間中は周波数認知信号nをLowにすることにより、ノ
イズは発生するがスキューを無くすることができる。
【0034】図9に、低速動作(10Mhz)の時はノ
イズが少なく、高速動作(20Mhz)時はノイズが発
生する場合の様子を示す。このように第4実施形態によ
れば、低速動作期間中は処理スピードは遅いが、ノイズ
を軽減出来、高速動作期間中はノイズは発生するが、処
理スピードを速くすることができる。
【0035】本発明の第5実施形態を図10、図11を
用いて説明する。第5実施形態は図10のように、図1
で示した構成要素の他、基本クロックを入力すると共
に、機械語命令を入力してデコードし、更にデコードし
て実行する命令が各メガセル内のクリティカルパスを使
用する命令であるか否かを判断するクリティカルパス判
断回路(35)を備え、切り替え信号sをF/F(1
1)へ出力するように構成されている。一般的に各メガ
セル内でクリティカルパスを使用する場合はクロックス
キューが無いクロックを供給しないと正常に動作しな
い。
【0036】クリティカルパス判断回路(35)は、デ
コードした命令が各メガセル内のクリティカルパスを使
用する命令であると判断した場合、Low信号を切り替
え信号sとして出力し、それ以外はHigh信号を出力
するものである。図11に、クリティカルパス判断回路
(35)の機能を説明するための概念図の一例を示し
た。機械語命令が入力されると機械語命令レジスタ(3
7)を介してテーブル(39)へ機械語命令が出力そ
れ、テーブル(39)からマイクロROM(41)へマ
イクロROM先頭アドレスが出力される。マイクロRO
M(41)からは、マイコン内へ制御信号が出力それ
る。
【0037】テーブル(39)には、MOVE、AD
D、CMP等の命令ニーモニックと、それに対応するマ
イクロROM先頭アドレス(0〜n)と、クリティカル
パスを使用する命令であるか否かを表すデータd1及び
クリティカルパスを使用するデータであるか否かを表す
データd2が作成されている。先頭アドレスごとにOR
ゲート43によってデータd1とd2の論理和がとら
れ、その結果が切り替え信号sとして出力される。マイ
クロROM(41)にはそのアドレス(0〜n)ごとに
制御コードが用意されている。この例では、命令あるい
はデータの一方がクリティカルパスを使用する場合、切
り替え信号sをHighにしてF/F(11)へ出力し
ている。
【0038】このように第5実施形態によれば、クリテ
ィカルパス動作中はノイズは発生するが正常動作させる
ことができ、それ以外の回路が動作中はノイズを軽減出
来る。
【0039】本発明の第6実施形態を図12、図13を
用いて説明する。第6実施形態は図12のように、図1
0で示した第5実施形態の構成にさらにセレクタ(1
3),(15)毎にF/F(11),(12)を備え、
クリティカルパス判断回路(45)からそれぞれのF/
F(11),(12)に切り替え信号s,tを出力する
ものである。すなわちクリティカルパス判断回路(4
5)は、各メガセル(A),(B)毎にクリティカルパ
スを使用する命令であるかを否かを判断し、さらに基本
クロックの前半、後半毎に遅延クロックを供給すべきか
否かを判断する機能を有している。これにより、クロッ
クのデューティサイクル(LowとHighの期間比)
も制御できる様になっている。
【0040】図13は第6実施形態の動作を示すタイミ
ングチャートである。クリティカルパス判断回路(4
5)によってメガセルAの第3クロックの前半でクリテ
ィカルパスを使用することが分かり、切り替え信号sの
みが第3クロックの前半でLowになっている。この結
果、セレクタ(13)によって基本クロックが選択さ
れ、メガセルAに供給される。この処置によりメガセル
Aに供給される第3クロックの前半の期間がCPU、メ
ガセルBに供給されるクロックに比べ長くなり(a=c
<b)、多少のノイズの発生は防げないが、クリティカ
ルパスにも関わらず正常動作させることができる。
【0041】
【発明の効果】以上、詳説したように本発明の半導体集
積回路を用いれば、各メガセル内で使用する回路や動作
速度などの動作条件により、必要に応じて供給すべきク
ロックを基本クロックと遅延クロックとで切り替えるこ
とができるので、多数の回路が同時に動作することによ
る同時スイッチングノイズを抑えることができる。ま
た、必要に応じて基本クロックを供給することにより、
ノイズの発生は防げないが、正常動作させることができ
るので、信頼性の高い半導体集積回路を実現することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の構成を示す回路図。
【図2】本発明の第1実施形態の動作を説明するための
波形図。
【図3】本発明の第1実施形態の動作を説明するための
波形図。
【図4】本発明の第2実施形態の構成を示す回路図。
【図5】本発明の第3実施形態の構成を示す回路図。
【図6】本発明の第3実施形態の動作を説明するための
波形図。
【図7】本発明の第4実施形態の構成を示す回路図。
【図8】第4実施形態における周波数認知回路の構成の
一例を示す回路図。
【図9】本発明の第4実施形態の動作を説明するための
波形図。
【図10】本発明の第5実施形態の構成を示す回路図。
【図11】第5実施形態におけるクリティカルパス判断
回路の機能を説明する概念図。
【図12】本発明の第6実施形態の構成を示す回路図。
【図13】本発明の第6実施形態の動作を説明するため
の波形図。
【図14】従来のMCUの内部構造を説明する図。
【図15】従来のクロックジェネレータの内部回路図。
【図16】従来のMCUの動作を説明するための波形
図。
【符号の説明】
1,3 遅延回路 5,7,9 バッファ 11,12 F/F 13,15 セレクタ 17 入力ピン 19 BUS 21 機械語命令デコーダ 23 周波数認知回路 25 遅延回路 27 ANDゲート 29 ラッチ回路 31 ラッチホールド時間確保用バッファ 33 ORゲート 35 クリティカルパス判断回路 37 機械語命令レジスタ 39 テーブル 41 マイクロROM 43 ORゲート 45 クリティカルパス判断回路 51 MCU 53 CPU 55 メガセルA 57 メガセルB 59 クロックジェネレータ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 クロックに同期して動作する複数の回路
    群と、 外部クロックを入力し、前記複数の回路群それぞれに供
    給すべきクロックを生成して分配するクロック供給手段
    とを備えた半導体集積回路において、 前記クロック供給手段は、前記回路群に供給すべき基本
    クロックと該基本クロックより遅延させた遅延クロック
    を生成し、 各回路群に遅延クロックを供給すべきか否かの指示情報
    に基づき、前記基本クロックあるいは遅延クロックを回
    路群毎に選択して分配することを特徴とする半導体集積
    回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 外部装置から出力される制御信号を前記指示情報として
    入力する入力端子を備えたことを特徴とする請求項1記
    載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 機械語命令をデコードし、該デコード結果に応じて前記
    指示情報を出力する機械語命令デコーダを備えたことを
    特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 前記外部クロックの動作周波数を認知し、該動作周波数
    に応じて前記指示情報を出力する周波数認知手段を備え
    たことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の半導体集積回路におい
    て、 前記各回路群内のクリティカルパスを動作させるべきか
    否かを判断し、該判断結果に応じて前記指示情報を出力
    するクリティカルパス判断手段を備えたことを特徴とす
    る請求項1記載の半導体集積回路。
  6. 【請求項6】 前記クリティカルパス判断手段は、前記
    外部クロックの前半、後半毎、及び前記回路群毎にクリ
    ティカルパスを動作させるべきか否かを判断し、該判断
    結果に応じて前記指示情報を回路群毎に出力することを
    特徴とする請求項1及び5記載の半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 基本クロックを発生するクロック発生回
    路と、 前記クロック発生回路の出力に接続され、前記基本クロ
    ックの遅延を発生させるクロック遅延回路と、 前記クロック発生回路の出力と前記クロック遅延回路の
    出力の各々に接続され、前記基本クロックか前記基本ク
    ロックの遅延クロックかを制御信号により選択し外部回
    路に出力する選択回路と、を有することを特徴とする半
    導体集積回路。
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