JPH1082922A - 光集積トランシーバ用検知器 - Google Patents
光集積トランシーバ用検知器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光集積トランシーバ用検知器を提供する。
【解決手段】 集積発光デバイスにはレーザ部と検知器
部があり、インライン導波路に沿って集積された活性層
がある。検知器部はまた活性層に隣接してバルク層を有
し、活性層より低いバンドギャップエネルギーを有す
る。活性層はＭＱＷ層で導波路は２つの４元素層であ
る。本デバイスの送受信は粗末な動作モードで行い、ピ
ンポン光データリンク用トランシーバとして使用され
る。デバイスはまたビーム拡張器を有し、レーザと検知
器とビーム拡張器は単一のインライン導波路に沿ってフ
ァブリーペロットキャビティ内に配置される。レーザ波
長は１．３μｍで、付加の１．４μｍのバルク４元素層
はレーザ波長の±３３ｎｍのスペクトル応答範囲を提供
するため、過酷な温度環境でも良好な応答性を実現でき
る。
部があり、インライン導波路に沿って集積された活性層
がある。検知器部はまた活性層に隣接してバルク層を有
し、活性層より低いバンドギャップエネルギーを有す
る。活性層はＭＱＷ層で導波路は２つの４元素層であ
る。本デバイスの送受信は粗末な動作モードで行い、ピ
ンポン光データリンク用トランシーバとして使用され
る。デバイスはまたビーム拡張器を有し、レーザと検知
器とビーム拡張器は単一のインライン導波路に沿ってフ
ァブリーペロットキャビティ内に配置される。レーザ波
長は１．３μｍで、付加の１．４μｍのバルク４元素層
はレーザ波長の±３３ｎｍのスペクトル応答範囲を提供
するため、過酷な温度環境でも良好な応答性を実現でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光デバイスに関
し、特に、光ファイバデータリンク用光集積トランシー
バに関する。
し、特に、光ファイバデータリンク用光集積トランシー
バに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバによるデータ通信において
は、シングルモードファイバを家庭に配線するために
は、廉価の光データリンクの開発が期待されている。
１．３μｍ波長を使用したローカルループ通信システム
のコストを低減するために、このシステムにある送信器
と受信器はある程度粗末な状態で動作する。さらにコス
トを削減しようとすると、送信器には所望の１．３μｍ
のレーザ波長を中心とした±１０ｎｍの広いスペクトル
の範囲で動作するファブリ−ペロットキャビティレーザ
を使用する。
は、シングルモードファイバを家庭に配線するために
は、廉価の光データリンクの開発が期待されている。
１．３μｍ波長を使用したローカルループ通信システム
のコストを低減するために、このシステムにある送信器
と受信器はある程度粗末な状態で動作する。さらにコス
トを削減しようとすると、送信器には所望の１．３μｍ
のレーザ波長を中心とした±１０ｎｍの広いスペクトル
の範囲で動作するファブリ−ペロットキャビティレーザ
を使用する。
【０００３】粗末な動作状態とは、システムの異なる送
信器（及び受信器）は異なる温度で動作することであ
る。送信器のレーザ波長は温度に依存するので、このよ
うなシステムにある異なる送信器は若干異なるレーザ波
長で送信する可能性がある。システムを効率的に動作さ
せるためには、受信器はこのレーザ波長を中心にして広
いスペクトル範囲で応答しなければならない。レーザ波
長の温度依存性は約６Ａ／℃（Ａ：オングストローム）
となる場合、受信器はこのレーザ波長を中心にして±３
５ｎｍの範囲で応答しなければならない。
信器（及び受信器）は異なる温度で動作することであ
る。送信器のレーザ波長は温度に依存するので、このよ
うなシステムにある異なる送信器は若干異なるレーザ波
長で送信する可能性がある。システムを効率的に動作さ
せるためには、受信器はこのレーザ波長を中心にして広
いスペクトル範囲で応答しなければならない。レーザ波
長の温度依存性は約６Ａ／℃（Ａ：オングストローム）
となる場合、受信器はこのレーザ波長を中心にして±３
５ｎｍの範囲で応答しなければならない。
【０００４】ピンポンリンクと称されるデータ通信の提
案がこのような構成の１つである。そこで、送信と受信
は時間分割多重方式（ＴＤＭ）による異なる時間スロッ
トで単一のファイバで行われる。このシステムで動作す
るトランシーバを実現する方法の１つとしてはバルクレ
ーザを使用することである。そこで、トランシーバは一
部の時間で検知器として機能する。この構成の詳細につ
いては、H. Terui etal., "Optical module with a sil
ica-based planar circuit for fiber-opticsubscriber
system"(Phot. Tech. Lett., vol.4, pp.660-662(199
2))とS.L. Woodward et al., "A full duplex optical
data link using lasers as tranceivers"(Phot. Tech.
Lett., vol.7, pp.1060-1062, 9/19/95)を参照するこ
と。レーザをトランシーバとして使用することは以下の
利点がある。まず、廉価な粗末なレーザは市販されてい
る。また、レーザを受信器として使用すると、個別のフ
ァイバ及び光学スプリッタの後に必要な個別の受信器を
不要とする。バルクレーザを使用することにより、多重
量子井戸（ＭＱＷ）レーザの代わりに、極性に依存しな
い検知が可能となる。
案がこのような構成の１つである。そこで、送信と受信
は時間分割多重方式（ＴＤＭ）による異なる時間スロッ
トで単一のファイバで行われる。このシステムで動作す
るトランシーバを実現する方法の１つとしてはバルクレ
ーザを使用することである。そこで、トランシーバは一
部の時間で検知器として機能する。この構成の詳細につ
いては、H. Terui etal., "Optical module with a sil
ica-based planar circuit for fiber-opticsubscriber
system"(Phot. Tech. Lett., vol.4, pp.660-662(199
2))とS.L. Woodward et al., "A full duplex optical
data link using lasers as tranceivers"(Phot. Tech.
Lett., vol.7, pp.1060-1062, 9/19/95)を参照するこ
と。レーザをトランシーバとして使用することは以下の
利点がある。まず、廉価な粗末なレーザは市販されてい
る。また、レーザを受信器として使用すると、個別のフ
ァイバ及び光学スプリッタの後に必要な個別の受信器を
不要とする。バルクレーザを使用することにより、多重
量子井戸（ＭＱＷ）レーザの代わりに、極性に依存しな
い検知が可能となる。
【０００５】前述したトランシーバの実現方法において
は、バルクレーザを使用しても、その応答性は低コスト
（例えば、粗末な）構成に要求される非常に広いスペク
トルの応答性よりも狭い問題点がある。
は、バルクレーザを使用しても、その応答性は低コスト
（例えば、粗末な）構成に要求される非常に広いスペク
トルの応答性よりも狭い問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、低コストレーザを用いながら広いスペクトルの応答
性を有するトランシーバを提供することである。
は、低コストレーザを用いながら広いスペクトルの応答
性を有するトランシーバを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明はレーザ部と検知器部（１０４）を含んだ集
積発光デバイスを提供する。レーザ部と検知器部（１０
４）はインライン導波路（１０８）に沿って集積された
活性層を有する。検知器部（１０４）はさらに活性層に
隣接してバルク層を有し、このバルク層は活性層のバン
ドギャップエネルギーより低いバンドギャップエネルギ
ーを有する。
に、本発明はレーザ部と検知器部（１０４）を含んだ集
積発光デバイスを提供する。レーザ部と検知器部（１０
４）はインライン導波路（１０８）に沿って集積された
活性層を有する。検知器部（１０４）はさらに活性層に
隣接してバルク層を有し、このバルク層は活性層のバン
ドギャップエネルギーより低いバンドギャップエネルギ
ーを有する。
【０００８】本発明の他の実施例においては、集積発光
デバイスのレーザ部と検知器部１０４には、二層の４元
素層(quaternary layer)からなるインライン導波路１０
８に沿って集積された多重量子井戸（ＭＱＷ）層を含
む。検知器部１０４はさらにバルクの４元素層を有し、
バルクレーザはＭＱＷレーザのバンドギャップエネルギ
ーより低いバンドキャップエネルギーを有する。
デバイスのレーザ部と検知器部１０４には、二層の４元
素層(quaternary layer)からなるインライン導波路１０
８に沿って集積された多重量子井戸（ＭＱＷ）層を含
む。検知器部１０４はさらにバルクの４元素層を有し、
バルクレーザはＭＱＷレーザのバンドギャップエネルギ
ーより低いバンドキャップエネルギーを有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は例えば、１．３μｍ波長
範囲において動作する集積発光トランシーバに関する。
このトランシーバは、低コストのローカルロープ応用に
利用できる粗末な構成において動作するときに、十分広
いスペクトル応答性を有する。
範囲において動作する集積発光トランシーバに関する。
このトランシーバは、低コストのローカルロープ応用に
利用できる粗末な構成において動作するときに、十分広
いスペクトル応答性を有する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例によるトランシ
ーバ１００の構造を示す。トランシーバ１００は１．３
μｍの波長範囲で動作するシングルインライン導波路デ
バイスであり、ゲイン部（レーザ）と検知器とビーム拡
張器はともに集積される。この３つの部分は下部の導波
路に沿ってレーザのファブリ−ペロットキャビティ内に
集積される。
ーバ１００の構造を示す。トランシーバ１００は１．３
μｍの波長範囲で動作するシングルインライン導波路デ
バイスであり、ゲイン部（レーザ）と検知器とビーム拡
張器はともに集積される。この３つの部分は下部の導波
路に沿ってレーザのファブリ−ペロットキャビティ内に
集積される。
【００１１】検知器は１．４μｍ波長のバルクの４元素
層を有して、広いスペクトルの応答性を実現する。ゲイ
ンと検知器部は多重量子井戸層により提供される高いゲ
インの使用、及び検知器部にあるバルク層の極性非依存
応答により提供される特性により最適化される。トラン
シーバ１００はレーザとして動作するときに顕著な機能
劣化を有さない。
層を有して、広いスペクトルの応答性を実現する。ゲイ
ンと検知器部は多重量子井戸層により提供される高いゲ
インの使用、及び検知器部にあるバルク層の極性非依存
応答により提供される特性により最適化される。トラン
シーバ１００はレーザとして動作するときに顕著な機能
劣化を有さない。
【００１２】ビーム拡張器の目的はトランシーバ１００
のパッケージの製造コストを低減するためである。ビー
ム拡張器を使用すると、劈開（平面）のシングルモード
ファイバへの接続が良好に行われるので、レンズ付きフ
ァイバが不要となる。これについてのさらなる詳細な説
明は、R. Ben-Michael et al., "InP-based multiplequ
antum well lasers with an integrated tapered beem
expander waveguide"(IEEE Phot. Tech. Lett., vol.1
6, pp.1412-1414(1994))と、U. Koren et al.,"Electro
absorption modulator with passive waveguide spotsi
ze converters"(Electron. Lett., vol.30, pp.1852-18
53(1994))を参照すること。さらに、ビーム拡張器の出
力への劈開ファイバの許容配置誤差は、受動配置または
ハイブリッド集積スキームの使用が可能であれば、顕著
に強化されて、トランシーバ１００のパッケージの製造
コストをさらに低減することができる。これについての
さらなる詳細な説明は、Y. Yamada et al., "A hybrid
integrated optical WDM transmitter receiver module
for optical subscriber system utilizing a planar
lightwave circuit platform,"(Post Deadline Proc. O
pt. Fiber Commun.Conf.(OFC'95), San Diego, CA, Fe
b. 1995, paper PD-16)と、Y. Yamada, "Silica based
optical waveguide on terraced silicon substrate as
hybrid integration platform,"(Electron. Lett., vo
l.29, pp.444-446(1993))を参照すること。
のパッケージの製造コストを低減するためである。ビー
ム拡張器を使用すると、劈開（平面）のシングルモード
ファイバへの接続が良好に行われるので、レンズ付きフ
ァイバが不要となる。これについてのさらなる詳細な説
明は、R. Ben-Michael et al., "InP-based multiplequ
antum well lasers with an integrated tapered beem
expander waveguide"(IEEE Phot. Tech. Lett., vol.1
6, pp.1412-1414(1994))と、U. Koren et al.,"Electro
absorption modulator with passive waveguide spotsi
ze converters"(Electron. Lett., vol.30, pp.1852-18
53(1994))を参照すること。さらに、ビーム拡張器の出
力への劈開ファイバの許容配置誤差は、受動配置または
ハイブリッド集積スキームの使用が可能であれば、顕著
に強化されて、トランシーバ１００のパッケージの製造
コストをさらに低減することができる。これについての
さらなる詳細な説明は、Y. Yamada et al., "A hybrid
integrated optical WDM transmitter receiver module
for optical subscriber system utilizing a planar
lightwave circuit platform,"(Post Deadline Proc. O
pt. Fiber Commun.Conf.(OFC'95), San Diego, CA, Fe
b. 1995, paper PD-16)と、Y. Yamada, "Silica based
optical waveguide on terraced silicon substrate as
hybrid integration platform,"(Electron. Lett., vo
l.29, pp.444-446(1993))を参照すること。
【００１３】設計と製造 図１において、トランシーバ１００はレーザ１０２と検
知器１０４とビーム拡張器の３つの部分からなり、それ
らは下部のバックボーン導波路１０８に沿って集積され
る。導波路１０８はバンドギャップλp＝〜１．１μｍ
（〜１．１Ｑ）となる２層のＩｎＧａＡｓＰの４元素層
を含み、この２層はＩｎＰのエッチングストップ分離層
により分離される。下部導波路層の厚さは〜８００Ａと
なり、上部導波路層の厚さは〜１４００Ａとなる。
知器１０４とビーム拡張器の３つの部分からなり、それ
らは下部のバックボーン導波路１０８に沿って集積され
る。導波路１０８はバンドギャップλp＝〜１．１μｍ
（〜１．１Ｑ）となる２層のＩｎＧａＡｓＰの４元素層
を含み、この２層はＩｎＰのエッチングストップ分離層
により分離される。下部導波路層の厚さは〜８００Ａと
なり、上部導波路層の厚さは〜１４００Ａとなる。
【００１４】トランシーバ１００のゲイン部はレーザ部
とも称される。レーザ１０２は６層の〜７０Ａの厚さ
で、圧縮変形（〜０．９％）となる量子井戸からなる多
重量子井戸層を有し、層間は〜１５０Ａ厚（〜１．１
Ｑ）で引張変形となったバリア層により分離される。な
お、本発明の他の実施例では、量子井戸層はこの実施例
と異なる層数を有したり、及び／または異なる変形状態
または無変形状態となったりしてもよい。レーザ部の長
さは〜５００μｍとなる。
とも称される。レーザ１０２は６層の〜７０Ａの厚さ
で、圧縮変形（〜０．９％）となる量子井戸からなる多
重量子井戸層を有し、層間は〜１５０Ａ厚（〜１．１
Ｑ）で引張変形となったバリア層により分離される。な
お、本発明の他の実施例では、量子井戸層はこの実施例
と異なる層数を有したり、及び／または異なる変形状態
または無変形状態となったりしてもよい。レーザ部の長
さは〜５００μｍとなる。
【００１５】検知器１０４はレーザ１０２から電気的に
分離される。検知器部はレーザ部と同様な下部ＭＱＷ層
を有し、さらに〜８００Ａ厚（〜１．４Ｑ）のバルク層
を有する。検知器１０４のキャパシタンスを減少するた
めには、検知器部の長さ（〜８５μｍ）はレーザ部の長
さよりも短い。検知器の抵抗接触ストリップは〜１０μ
ｍ幅となり、〜０．５μｍ厚のＳｉＯ2層の上部にある
接触パッド（〜１００μｍｘ〜１００μｍ）と接続す
る。検知器部のゼロバイアス時のキャパシタンスは約２
ｐＦとなる必要がある。このような低い値はポリイミド
のパッドを使用することにより実現される。
分離される。検知器部はレーザ部と同様な下部ＭＱＷ層
を有し、さらに〜８００Ａ厚（〜１．４Ｑ）のバルク層
を有する。検知器１０４のキャパシタンスを減少するた
めには、検知器部の長さ（〜８５μｍ）はレーザ部の長
さよりも短い。検知器の抵抗接触ストリップは〜１０μ
ｍ幅となり、〜０．５μｍ厚のＳｉＯ2層の上部にある
接触パッド（〜１００μｍｘ〜１００μｍ）と接続す
る。検知器部のゼロバイアス時のキャパシタンスは約２
ｐＦとなる必要がある。このような低い値はポリイミド
のパッドを使用することにより実現される。
【００１６】ビーム拡張器部１０６において、上部層は
〜１．１Ｑとなり、ビーム拡張器の開始点の〜３μｍ
（例えば、検知器１０４に隣接した端）から急峻な終端
までの横方向で断熱的に傾斜する。下部層は、〜３００
μｍと長いビーム拡張器の全体にわたって同様の〜５μ
ｍ幅になっている。ビーム拡張器は楕円状の光学モード
を横方向と縦方向に伝送して、シングルモードファイバ
の光学モードの形状によりよく一致させる。
〜１．１Ｑとなり、ビーム拡張器の開始点の〜３μｍ
（例えば、検知器１０４に隣接した端）から急峻な終端
までの横方向で断熱的に傾斜する。下部層は、〜３００
μｍと長いビーム拡張器の全体にわたって同様の〜５μ
ｍ幅になっている。ビーム拡張器は楕円状の光学モード
を横方向と縦方向に伝送して、シングルモードファイバ
の光学モードの形状によりよく一致させる。
【００１７】トランシーバ１００は金属有機化学気相エ
ピタキシャル（ＭＯＶＰＥ）による４つのエピタキシャ
ル成長ステップにより成長される。まず、導波路層と、
ＭＱＷ層と、バルクＩｎＧａＡｓＰ層（λp＝〜１．４
μｍ）が成長される。ストリップは〜８５μｍの幅とな
り、選択エッチングにより〜１．４Ｑ層により形成され
る。受動ビーム拡張器部はその部分からＭＱＷ層を除去
することにより形成される。そして、Ｚｎドープｐ-の
ＩｎＰが成長される。次に、ｐ-のＩｎＰは受動ビーム
拡張器部から除去され、ＳｉＯ2のストリップが形成さ
れる。その後、傾斜ビーム拡張器導波路は形成される。
この後のステップは標準の半絶縁ＩｎＰ埋め込みヘトロ
構造プロセスと同様である。これについての詳細な説明
は、U. Keren et al., "Semi-insulating blocked plan
ar buried heterostructure GaInAs-InP laser with hi
gh power and high modulation bandwidth,"(Electron.
Lett., vol.24, pp.138-139(1988))を参照すること。
電気的な分離はレーザと検知器接点の間にある〜２０μ
ｍ幅の分離帯を設け、この分離領域（１１０）はイオン
注入により形成される。これにより、２つのパッド間の
抵抗は約１００ｋΩとなる。そして、トランシーバ１０
０は接地とレーザと検知器のために３つの異なる接点を
有しながら、セラミック製のヒートシンクに搭載され
る。
ピタキシャル（ＭＯＶＰＥ）による４つのエピタキシャ
ル成長ステップにより成長される。まず、導波路層と、
ＭＱＷ層と、バルクＩｎＧａＡｓＰ層（λp＝〜１．４
μｍ）が成長される。ストリップは〜８５μｍの幅とな
り、選択エッチングにより〜１．４Ｑ層により形成され
る。受動ビーム拡張器部はその部分からＭＱＷ層を除去
することにより形成される。そして、Ｚｎドープｐ-の
ＩｎＰが成長される。次に、ｐ-のＩｎＰは受動ビーム
拡張器部から除去され、ＳｉＯ2のストリップが形成さ
れる。その後、傾斜ビーム拡張器導波路は形成される。
この後のステップは標準の半絶縁ＩｎＰ埋め込みヘトロ
構造プロセスと同様である。これについての詳細な説明
は、U. Keren et al., "Semi-insulating blocked plan
ar buried heterostructure GaInAs-InP laser with hi
gh power and high modulation bandwidth,"(Electron.
Lett., vol.24, pp.138-139(1988))を参照すること。
電気的な分離はレーザと検知器接点の間にある〜２０μ
ｍ幅の分離帯を設け、この分離領域（１１０）はイオン
注入により形成される。これにより、２つのパッド間の
抵抗は約１００ｋΩとなる。そして、トランシーバ１０
０は接地とレーザと検知器のために３つの異なる接点を
有しながら、セラミック製のヒートシンクに搭載され
る。
【００１８】動作モード トランシーバ１００は送信器と受信器の両方として動作
する。送信器として動作するときには、検知器部に電流
をかけなければ、この部分は吸収状態にある。検知器部
は低い正方向電流により駆動されるときに、低い発光は
レーザ波長で現れる。この駆動電流が増加すると、発光
カーブは広がり、より長いゲイン部（例えば、レーザ
部）により規定されるレーザ波長における損失が顕著に
低減する。これについては、図２は、レーザ部がゼロバ
イアス状態にあり、２つの異なるポンプ電流における検
知器部のエレクトロルミネセンス関係を示す。図２に示
すように、低正方向駆動電流（例えば、５ｍＡ）におい
ては、レーザ波長（トランシーバの波長λ＝１．３２７
μｍ）における発光は弱い。しかし、高駆動電流（例え
ば、２０ｍＡ）となると、エレクトロルミネセンスは広
がり、レーザ波長における損失は顕著に低下する。発射
ノイズを低減するためには、トランシーバ１００は受信
器として使用されるときに、検知器部はゼロバイアスで
動作することができる。
する。送信器として動作するときには、検知器部に電流
をかけなければ、この部分は吸収状態にある。検知器部
は低い正方向電流により駆動されるときに、低い発光は
レーザ波長で現れる。この駆動電流が増加すると、発光
カーブは広がり、より長いゲイン部（例えば、レーザ
部）により規定されるレーザ波長における損失が顕著に
低減する。これについては、図２は、レーザ部がゼロバ
イアス状態にあり、２つの異なるポンプ電流における検
知器部のエレクトロルミネセンス関係を示す。図２に示
すように、低正方向駆動電流（例えば、５ｍＡ）におい
ては、レーザ波長（トランシーバの波長λ＝１．３２７
μｍ）における発光は弱い。しかし、高駆動電流（例え
ば、２０ｍＡ）となると、エレクトロルミネセンスは広
がり、レーザ波長における損失は顕著に低下する。発射
ノイズを低減するためには、トランシーバ１００は受信
器として使用されるときに、検知器部はゼロバイアスで
動作することができる。
【００１９】図３と４は検知器にゼロバイアスをかける
ときの実験結果を示す。検知器の応答性は４つの異なる
ファブリーペロットレーザを用いて測定された。異なる
波長は温度の調整により得られた。これらのレーザの出
力はシングルモードレーザ及び極性制御器に入力され、
劈開ファイバから出た光はトランシーバに入力される。
トランシーバが室温の状態において、検知器の応答を測
定した。トランシーバとファイバの正面ファセットは劈
開のままであった（例えば、反射防止コート無し状
態）。
ときの実験結果を示す。検知器の応答性は４つの異なる
ファブリーペロットレーザを用いて測定された。異なる
波長は温度の調整により得られた。これらのレーザの出
力はシングルモードレーザ及び極性制御器に入力され、
劈開ファイバから出た光はトランシーバに入力される。
トランシーバが室温の状態において、検知器の応答を測
定した。トランシーバとファイバの正面ファセットは劈
開のままであった（例えば、反射防止コート無し状
態）。
【００２０】図３において、トランシーバ１００の応答
性は１．２８から１．３６μｍの波長範囲で横方向電場
（ＴＥ）と横方向磁場（ＴＭ）の２つの極性光について
測定された。レーザ部は、受信器応答性への影響を除去
するために、接地されるか、浮動する。トランシーバ１
００のレーザ波長（例えば、１．３２７）における応答
性は〜０．３３Ａ／Ｗ（アンペア／ワット）となる。受
信器はこの８０ｎｍの測定スペクトル範囲にわたって−
１ｄＢよりも小さい変動となり、平坦な応答性となる。
極性感度は０．５ｄＢ以下となる。
性は１．２８から１．３６μｍの波長範囲で横方向電場
（ＴＥ）と横方向磁場（ＴＭ）の２つの極性光について
測定された。レーザ部は、受信器応答性への影響を除去
するために、接地されるか、浮動する。トランシーバ１
００のレーザ波長（例えば、１．３２７）における応答
性は〜０．３３Ａ／Ｗ（アンペア／ワット）となる。受
信器はこの８０ｎｍの測定スペクトル範囲にわたって−
１ｄＢよりも小さい変動となり、平坦な応答性となる。
極性感度は０．５ｄＢ以下となる。
【００２１】受信器の応答性を改善するために、トラン
シーバ１００の正面ファセット（図１の１１２）は反射
防止コート（ＡＲ）によりコーティングされてもよい。
図４はＴＥとＴＭ極性光におけるＡＲコーティングした
トランシーバ１００の応答性を示す。最大の応答性は非
常に低い極性感度を有しながら〜０．４３Ａ／Ｗに増大
した。両方（例えば、図３と４）に示されたきわめて広
い範囲のスペクトル応答性及び極性の非依存性は〜１．
４Ｑのバルク層を含んだ検知器部の構造によるものであ
る。レーザ波長より３３ｎｍ長い波長からそれより４７
ｎｍ短い波長までのスペクトル応答性は、広い範囲のス
ペクトル応答性を要求する低コストネットワーク構成に
適する。
シーバ１００の正面ファセット（図１の１１２）は反射
防止コート（ＡＲ）によりコーティングされてもよい。
図４はＴＥとＴＭ極性光におけるＡＲコーティングした
トランシーバ１００の応答性を示す。最大の応答性は非
常に低い極性感度を有しながら〜０．４３Ａ／Ｗに増大
した。両方（例えば、図３と４）に示されたきわめて広
い範囲のスペクトル応答性及び極性の非依存性は〜１．
４Ｑのバルク層を含んだ検知器部の構造によるものであ
る。レーザ波長より３３ｎｍ長い波長からそれより４７
ｎｍ短い波長までのスペクトル応答性は、広い範囲のス
ペクトル応答性を要求する低コストネットワーク構成に
適する。
【００２２】トランシーバ１００を送信器のように動作
する方法が３つある。第一の送信器動作方法は、検知器
部にバイアスをかけずにレーザ部のみを駆動する。この
方法において、レーザは約１００ｍＡの高いしきい電流
で発光する。第２の動作方法として、レーザ部と検知器
部を接続して、両者を同時に駆動する。これにより、し
きい電流は約６５ｍＡとなる。
する方法が３つある。第一の送信器動作方法は、検知器
部にバイアスをかけずにレーザ部のみを駆動する。この
方法において、レーザは約１００ｍＡの高いしきい電流
で発光する。第２の動作方法として、レーザ部と検知器
部を接続して、両者を同時に駆動する。これにより、し
きい電流は約６５ｍＡとなる。
【００２３】第３の動作方法は、３０ｍＡ以上の定常電
流で検知器部を駆動する。この条件では、レーザ部の室
温しきい電流は〜１８ｍＡとなる。図５はトランシーバ
１００の正面ファセット１１２からの出力パワーと異な
る温度での駆動電流との関係を示す。このとき、検知器
部には〜５０ｍＡのバイアスがかけられている。図５に
示すように、７２℃の高温までレーザの出力パワーは〜
９ｍＷとなり、レーザの特性温度はＴ0＝３１℃とな
る。
流で検知器部を駆動する。この条件では、レーザ部の室
温しきい電流は〜１８ｍＡとなる。図５はトランシーバ
１００の正面ファセット１１２からの出力パワーと異な
る温度での駆動電流との関係を示す。このとき、検知器
部には〜５０ｍＡのバイアスがかけられている。図５に
示すように、７２℃の高温までレーザの出力パワーは〜
９ｍＷとなり、レーザの特性温度はＴ0＝３１℃とな
る。
【００２４】シングルモード光ファイバへの挿入損失は
一般的には〜３．９ｄＢ（４１％）であり、室温では、
〜１００ｍＡのレーザ部駆動電流と〜５０ｍＡの検知器
部駆動電流において、シングルモードファイバへは８ｄ
Ｂｍ入力される。ビーム拡張器を追加することにより、
トランシーバ１００とシングルモードファイバの接続の
配置許容性は大幅に強化される。図６と７はトランシー
バ１００が受信器及び送信器として動作するときのシン
グルモードファイバへの配置許容誤差を示す。図６で
は、前述した状態において、最適な配置の８ｄＢｍのフ
ァイバ入力を得ることによって、劈開シングルモードフ
ァイバへの入力パワーと、横方向及び縦方向の配置ずれ
との関係を示す。ファイバは横方向及び縦方向で移動す
るとき、ファイバ内のパワーはステップごとに測定され
た。
一般的には〜３．９ｄＢ（４１％）であり、室温では、
〜１００ｍＡのレーザ部駆動電流と〜５０ｍＡの検知器
部駆動電流において、シングルモードファイバへは８ｄ
Ｂｍ入力される。ビーム拡張器を追加することにより、
トランシーバ１００とシングルモードファイバの接続の
配置許容性は大幅に強化される。図６と７はトランシー
バ１００が受信器及び送信器として動作するときのシン
グルモードファイバへの配置許容誤差を示す。図６で
は、前述した状態において、最適な配置の８ｄＢｍのフ
ァイバ入力を得ることによって、劈開シングルモードフ
ァイバへの入力パワーと、横方向及び縦方向の配置ずれ
との関係を示す。ファイバは横方向及び縦方向で移動す
るとき、ファイバ内のパワーはステップごとに測定され
た。
【００２５】図７は最適な配置及び横と縦方向の変位に
おける検知器の応答性を示す。同図に示されるように、
トランシーバ１００は受信器または送信器として動作す
るときに、１−ｄＢの超過損失を生じさせるファイバの
配置ずれは縦方向では±２．２μｍで、横方向では±
３．２μｍである。これらの結果により、さらに劈開シ
ングルモードファイバの使用及び配置精度に対する要求
の緩和によってトランシーバ１００のピッグテール(pig
tailing)コストを低減させることが可能である。
おける検知器の応答性を示す。同図に示されるように、
トランシーバ１００は受信器または送信器として動作す
るときに、１−ｄＢの超過損失を生じさせるファイバの
配置ずれは縦方向では±２．２μｍで、横方向では±
３．２μｍである。これらの結果により、さらに劈開シ
ングルモードファイバの使用及び配置精度に対する要求
の緩和によってトランシーバ１００のピッグテール(pig
tailing)コストを低減させることが可能である。
【００２６】これらの方法から、トランシーバ１００は
ピンポン光データリンク構成用トランシーバとして動作
できる低コスト光集積発光に応用される可能性があるこ
とがわかる。トランシーバ１００は粗末な動作環境用に
設計され、シングルインイラン導波路に沿ってファブリ
ーペロットキャビティ内にレーザ部と検知器部とビーム
拡張器が集積される。検知器はデバイスのレーザ波長よ
り３３ｎｍ長い波長からの８０ｎｍと広いスペクトル応
答範囲を有する。これは、ネットワーク上で起こりうる
過酷な温度環境においても十分な応答性を達成できる。
送信器は、レンズ付きシングルモードファイバの代わり
に劈開ファセットを使用し、またビーム拡張器を使用す
ることにより配置精度に対する要求が緩和されて、シン
グルモードファイバに８ｄＢｍのパワーを入力すること
ができる。
ピンポン光データリンク構成用トランシーバとして動作
できる低コスト光集積発光に応用される可能性があるこ
とがわかる。トランシーバ１００は粗末な動作環境用に
設計され、シングルインイラン導波路に沿ってファブリ
ーペロットキャビティ内にレーザ部と検知器部とビーム
拡張器が集積される。検知器はデバイスのレーザ波長よ
り３３ｎｍ長い波長からの８０ｎｍと広いスペクトル応
答範囲を有する。これは、ネットワーク上で起こりうる
過酷な温度環境においても十分な応答性を達成できる。
送信器は、レンズ付きシングルモードファイバの代わり
に劈開ファセットを使用し、またビーム拡張器を使用す
ることにより配置精度に対する要求が緩和されて、シン
グルモードファイバに８ｄＢｍのパワーを入力すること
ができる。
【００２７】本発明においては、検知器部にバルク層を
付加するため、他のレーザベーストランシーバに比べて
幾つかの利点をもたらす。バルク層のバンドギャップエ
ネルギーは活性層（ＭＱＷ）のバンドギャップエネルギ
ーより低くするよう設計されるので、本発明のデバイス
は活性層のレーザ波長より長い波長の光を吸収すること
ができる。それにより、バルク層検知器部の吸収範囲を
増大して、本発明のデバイスは受信器として広い温度範
囲で有効に動作することができる。これは、本発明のデ
バイスが粗末な動作モードにトランシーバとして使用で
きる理由である。
付加するため、他のレーザベーストランシーバに比べて
幾つかの利点をもたらす。バルク層のバンドギャップエ
ネルギーは活性層（ＭＱＷ）のバンドギャップエネルギ
ーより低くするよう設計されるので、本発明のデバイス
は活性層のレーザ波長より長い波長の光を吸収すること
ができる。それにより、バルク層検知器部の吸収範囲を
増大して、本発明のデバイスは受信器として広い温度範
囲で有効に動作することができる。これは、本発明のデ
バイスが粗末な動作モードにトランシーバとして使用で
きる理由である。
【００２８】本発明のデバイスはＭＱＷ層とバルク層の
両方の利点を有する。ＭＱＷ層は、その応答性が一般的
に入力光の極性に依存するので、送信器として良好に動
作するが、受信器としてうまく機能しない。一方、バル
ク層は、極性に敏感ではないため、受信器として良好に
動作する。ＭＱＷ層とバルク層を単一のトランシーバに
集積することにより、本発明のデバイスはＭＱＷ層の良
好な送信性能とバルク層の良好な受信機能を兼備する。
両方の利点を有する。ＭＱＷ層は、その応答性が一般的
に入力光の極性に依存するので、送信器として良好に動
作するが、受信器としてうまく機能しない。一方、バル
ク層は、極性に敏感ではないため、受信器として良好に
動作する。ＭＱＷ層とバルク層を単一のトランシーバに
集積することにより、本発明のデバイスはＭＱＷ層の良
好な送信性能とバルク層の良好な受信機能を兼備する。
【００２９】他の実施例 当業者に知られるように、図１に示したトランシーバ１
００は単なる本発明の一実施例であり、他の実施例も可
能である。また、これらの他の実施例はその特種の特性
にトランシーバ１００と若干異なる。本発明の基本的な
特性として、トランシーバはレーザ部と検知器部を有
し、この両方ともインラインの導波路に沿って集積され
た活性層を有する。（当業者にとって、活性層はレーザ
波長に対応するバンドギャップエネルギーを有するレー
ザ層であることが周知である。）検知器部は活性層に隣
接してバルク層も有し、このバルク層は活性層のバンド
ギャップエネルギーより低いバンドギャップエネルギー
を有する。トランシーバ１００のほぼ他のすべての特性
は実現の要求及び／または設計の選択により変更可能で
ある。
００は単なる本発明の一実施例であり、他の実施例も可
能である。また、これらの他の実施例はその特種の特性
にトランシーバ１００と若干異なる。本発明の基本的な
特性として、トランシーバはレーザ部と検知器部を有
し、この両方ともインラインの導波路に沿って集積され
た活性層を有する。（当業者にとって、活性層はレーザ
波長に対応するバンドギャップエネルギーを有するレー
ザ層であることが周知である。）検知器部は活性層に隣
接してバルク層も有し、このバルク層は活性層のバンド
ギャップエネルギーより低いバンドギャップエネルギー
を有する。トランシーバ１００のほぼ他のすべての特性
は実現の要求及び／または設計の選択により変更可能で
ある。
【００３０】例えば、実現方法により、前記「隣接」と
いう表現は異なる意味を有する可能性もある。例えば、
ＭＱＷ活性層と２つの４元素の導波路層とを有するトラ
ンシーバにおいては、活性層に隣接した検知器部のバル
ク層は、図１のトランシーバ１００に示したように、バ
ルク層がＭＱＷ層の上部にあり、ＭＱＷ層が２つの導波
路層の上部にあることを意味することができる。また、
バルク層はＭＱＷ層と導波路層の間、または導波路層の
間にあってもよく、ＭＱＷ層は導波路層の下、またはそ
の間にあってもよい。同様に、導波路は２つの４元素層
の代わりに他の材料によって実現されることが当業者に
とって周知である。
いう表現は異なる意味を有する可能性もある。例えば、
ＭＱＷ活性層と２つの４元素の導波路層とを有するトラ
ンシーバにおいては、活性層に隣接した検知器部のバル
ク層は、図１のトランシーバ１００に示したように、バ
ルク層がＭＱＷ層の上部にあり、ＭＱＷ層が２つの導波
路層の上部にあることを意味することができる。また、
バルク層はＭＱＷ層と導波路層の間、または導波路層の
間にあってもよく、ＭＱＷ層は導波路層の下、またはそ
の間にあってもよい。同様に、導波路は２つの４元素層
の代わりに他の材料によって実現されることが当業者に
とって周知である。
【００３１】トランシーバ１００は１．３μｍのレーザ
波長で動作するように設計され、多くのバンドギャッ
プ、材料組成及び寸法はこのレーザ波長を実現するため
に選択される。本発明の他のトランシーバは異なるレー
ザ波長で動作する特性を有するよう設計されることが当
業者にとって周知である。
波長で動作するように設計され、多くのバンドギャッ
プ、材料組成及び寸法はこのレーザ波長を実現するため
に選択される。本発明の他のトランシーバは異なるレー
ザ波長で動作する特性を有するよう設計されることが当
業者にとって周知である。
【００３２】例えば、トランシーバ１００においては、
導波路層とバルク層はＩｎＧａＡｓＰのような４元素材
料により形成される。他の実施例においては、他の材
料、例えば、他の４元素材料、３元素材料、または他の
すべての適切な材料を用いてもよい。同様に、本発明の
デバイスの他の層の組成も変わることが可能である。
導波路層とバルク層はＩｎＧａＡｓＰのような４元素材
料により形成される。他の実施例においては、他の材
料、例えば、他の４元素材料、３元素材料、または他の
すべての適切な材料を用いてもよい。同様に、本発明の
デバイスの他の層の組成も変わることが可能である。
【００３３】トランシーバ１００において、活性レーザ
層はバリアを間隔に置いた６層の量子井戸の多重量子井
戸層である。他の実施例においては、活性層は異なる組
成、及び異なる量子井戸層の層数を有してもよい。実
は、活性層は必ずしもＭＱＷ層でなくてもよい。バルク
レーザを含め、他のすべての活性レーザ層が使用可能で
ある。
層はバリアを間隔に置いた６層の量子井戸の多重量子井
戸層である。他の実施例においては、活性層は異なる組
成、及び異なる量子井戸層の層数を有してもよい。実
は、活性層は必ずしもＭＱＷ層でなくてもよい。バルク
レーザを含め、他のすべての活性レーザ層が使用可能で
ある。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明はレーザ部と
検知器部の両方を集積することにより、過酷な温度環境
で良好に送受信できるトランシーバを提供した。集積発
光デバイスにはレーザ部と検知器部があり、インライン
導波路に沿って集積された活性層がある。検知器部はま
た活性層に隣接してバルク層を有し、活性層より低いバ
ンドギャップエネルギーを有する。活性層はＭＱＷ層で
導波路は２つの４元素層である。本デバイスの送受信は
粗末な動作モードで行い、ピンポン光データリンク用ト
ランシーバとして使用される。デバイスはまたビーム拡
張器を有し、レーザと検知器とビーム拡張器は単一のイ
ンライン導波路に沿ってファブリーペロットキャビティ
内に配置される。レーザ波長は１．３μｍで、付加の
１．４μｍのバルク４元素層はレーザ波長の±３３ｎｍ
のスペクトル応答範囲を提供するため、過酷な温度環境
でも良好な応答性を実現できる。また、本発明のトラン
シーバは低コストの光通信リンクを実現できる。
検知器部の両方を集積することにより、過酷な温度環境
で良好に送受信できるトランシーバを提供した。集積発
光デバイスにはレーザ部と検知器部があり、インライン
導波路に沿って集積された活性層がある。検知器部はま
た活性層に隣接してバルク層を有し、活性層より低いバ
ンドギャップエネルギーを有する。活性層はＭＱＷ層で
導波路は２つの４元素層である。本デバイスの送受信は
粗末な動作モードで行い、ピンポン光データリンク用ト
ランシーバとして使用される。デバイスはまたビーム拡
張器を有し、レーザと検知器とビーム拡張器は単一のイ
ンライン導波路に沿ってファブリーペロットキャビティ
内に配置される。レーザ波長は１．３μｍで、付加の
１．４μｍのバルク４元素層はレーザ波長の±３３ｎｍ
のスペクトル応答範囲を提供するため、過酷な温度環境
でも良好な応答性を実現できる。また、本発明のトラン
シーバは低コストの光通信リンクを実現できる。
【図１】本発明の一実施例による集積フォトトランシー
バを表す図。
バを表す図。
【図２】図１のトランシーバのレーザ部はゼロバイアス
されるときに２つの異なるポンプ電流における検知器部
の電子ルミネセンスを表す図。
されるときに２つの異なるポンプ電流における検知器部
の電子ルミネセンスを表す図。
【図３】波長１．２８から１．３６μｍまでの間におけ
る図１のトランシーバの応答性を表す図。
る図１のトランシーバの応答性を表す図。
【図４】波長１．２８から１．３６μｍまでの間におけ
るＡＲコートされた図１のトランシーバの応答性を表す
図。
るＡＲコートされた図１のトランシーバの応答性を表す
図。
【図５】異なる温度においてデバイスの電流と図１のト
ランシーバの正面ファセットからの出力パワーとの関係
を表す図。
ランシーバの正面ファセットからの出力パワーとの関係
を表す図。
【図６】図１のトランシーバが受信器としてシングルモ
ードファイバに使用されるときの許容配置誤差を表す
図。
ードファイバに使用されるときの許容配置誤差を表す
図。
【図７】図１のトランシーバが送信器としてシングルモ
ードファイバに使用されるときの許容配置誤差を表す
図。
ードファイバに使用されるときの許容配置誤差を表す
図。
１００ トランシーバ １０２ レーザ １０４ 検知器 １０６ ビーム拡張器 １０８ 導波路 １１０ 分離領域 １１２ 正面ファセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ウジール コレン アメリカ合衆国、07704 ニュージャージ ー、フェア ヘブン、フォレスト アベニ ュー 26
Claims (22)
- 【請求項１】 （ａ）レーザ部（１０２）と、 （ｂ）検知器部（１０４）とからなり、 前記レーザ部（１０２）は、インライン導波路（１０
８）に沿って集積された活性層を含み、 検知器部（１０４）は、バルク層を含み、 前記バルク層は、前記活性層のバンドギャップエネルギ
ーより低いバンドギャップエネルギーを有することを特
徴とする集積発光デバイス。 - 【請求項２】 前記導波路（１０８）は、２つまたはこ
れ以上の４元素または多重量子井戸（ＭＱＷ）の層を含
み、その層間は１つまたはこれ以上の分離層（１１０）
により分離されることを特徴とする請求項１のデバイ
ス。 - 【請求項３】 前記活性層は、バリアにより分離された
複数の量子井戸からなる多重量子井戸層を含むことを特
徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項４】 前記量子井戸は圧縮変形となり、前記バ
リアは引張変形となることを特徴とする請求項３のデバ
イス。 - 【請求項５】 前記バルク層は、バルクの４元素層であ
ることを特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項６】 前記デバイスは、送信の動作モードと受
信の動作モードを有することを特徴とする請求項１のデ
バイス。 - 【請求項７】 前記送信の動作モードと受信の動作モー
ドは、粗末な(uncooled)動作モードであることを特徴と
する請求項６のデバイス。 - 【請求項８】 前記検知器部（１０４）の長さは、レー
ザ部（１０２）の長さより短いことを特徴とする請求項
１のデバイス。 - 【請求項９】 前記検知器部（１０４）に隣接したビー
ム拡張器部をさらに含み、検知器部（１０４）とビーム
拡張器部は導波路（１０８）に沿って集積されることを
特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項１０】 前記ビーム拡張器部は、２つの４元素
層を含むことを特徴とする請求項９のデバイス。 - 【請求項１１】 前記ビーム拡張器において、前記２つ
の４元素層の１つは急峻な末端へ傾斜し、前記ビーム拡
張器は横方向と縦方向の両方に楕円光モードを伝送する
ことを特徴とする請求項１０のデバイス。 - 【請求項１２】 前記レーザ部（１０２）と前記検知器
部（１０４）は、ファブリーペロットキャビティ内に集
積されることを特徴とする請求項１のデバイス。 - 【請求項１３】 前記検知器部（１０４）は、レーザ部
（１０２）のレーザ波長を中心とした少なくとも±３５
ｎｍのスペクトル応答範囲を有することを特徴とする請
求項１のデバイス。 - 【請求項１４】 前記活性層は、約１．３μｍに対応す
るバンドギャップエネルギーを有し、 前記バルク層は、約１．４μｍに対応するバンドギャッ
プエネルギーを有することを特徴とする請求項１のデバ
イス。 - 【請求項１５】 前記検知器部（１０４）は、前記レー
ザ部（１０２）と電気的に分離することを特徴とする請
求項１のデバイス。 - 【請求項１６】 前記集積発光デバイスの正面ファセッ
ト（１１２）は、反射防止コートを有することを特徴と
する請求項１のデバイス。 - 【請求項１７】 前記導波路（１０８）は、１つまたは
これ以上の分離層（１１０）により分離された２つまた
はこれ以上の４元素層を含み、 前記活性層は、バリアにより分離された複数の量子井戸
を含み、 前記バルク層は、バルクの４元素層であり、 前記デバイスは、送信の動作モードと受信の動作モード
を有して、両動作モードとも粗末な動作モードであり、 前記検知器部（１０４）の長さは、前記レーザ部（１０
２）の長さよりも短く、 前記レーザ部（１０２）と前記検知器部（１０４）は、
ファブリーペロットキャビティ内に集積され、 前記検知器部（１０４）は、前記レーザ部（１０２）と
電気的に分離することを特徴とする請求項１のデバイ
ス。 - 【請求項１８】 前記検知器部（１０４）に隣接して、
ビーム拡張器部をさらに含み、 前記検知器部（１０４）と前記ビーム拡張器部は導波路
（１０８）に沿って集積され、 前記ビーム拡張器部は２つの４元素層を含み、 前記ビーム拡張器部において、前記２つの４元素層の１
つは急峻な末端へ傾斜し、前記ビーム拡張器は横方向と
縦方向の両方に楕円光モードを伝送することを特徴とす
る請求項１７のデバイス。 - 【請求項１９】 前記量子井戸は、圧縮変形となり、前
記バリアは引張変形となり、 前記検知器部（１０４）は、レーザ部（１０２）のレー
ザ波長を中心とした少なくとも±３５ｎｍのスペクトル
応答範囲を有し、 前記導波路（１０８）層は、約１．１μｍに対応するバ
ンドギャップエネルギーを有し、 前記活性層は、約１．３μｍに対応するバンドギャップ
エネルギーを有し、 前記バルク層は、約１．４μｍに対応するバンドギャッ
プエネルギーを有し、 前記集積発光デバイスの正面ファセット（１１２）は、
反射防止コートを有することを特徴とする請求項１７の
デバイス。 - 【請求項２０】 （ａ）レーザ部（１０２）と、 （ｂ）検知器部（１０４）とからなり、 前記レーザ部（１０２）と前記検知器部（１０４）は、
２つの４元素層を含んだインライン導波路（１０８）に
沿って集積されたＭＱＷ層を含み、 前記検知器部（１０４）は、バルクの４元素層をさらに
含み、 前記バルク層は、前記ＭＱＷ層のバンドギャップエネル
ギーよりも低いバンドギャップエネルギーを有すること
を特徴とする集積発光デバイス。 - 【請求項２１】 前記検知器部（１０４）に隣接して、
導波路（１０８）に沿って集積されたビーム拡張器部を
さらに含み、 前記ビーム拡張器部は、たま２つの４元素層を有し、 前記ビーム拡張器部において、前記２つの４元素層の１
つは急峻な末端へ傾斜し、 前記ビーム拡張器は、横方向と縦方向の両方に楕円光モ
ードを伝送し、 前記レーザ部（１０２）と、前記検知器部（１０４）
と、前記ビーム拡張器部はファブリーペロットキャビテ
ィ内に集積され、 前記デバイスは、送信の動作モードと受信の動作モード
を有して、両動作モードとも粗末な動作モードであり、 前記ＭＱＷ層は、バリアにより分離された複数の量子井
戸を含み、 前記検知器部（１０４）は、前記レーザ部（１０２）と
電気的に分離することを特徴とする請求項２０のデバイ
ス。 - 【請求項２２】 前記２つの４元素層は、ＩｎＰ分離層
により分離されたＩｎＧａＡｓＰ層であり、 前記２つの４元素層は、約１．１μｍに対応するバンド
ギャップエネルギーを有し、 前記２つの４元素層の１つは約８００Ａ（ここで、Ａは
オングストロームを意味する）の厚さを有し、２つの４
元素層のもう１つは約１４００Ａの厚さを有し、 前記複数の量子井戸層は、６つの量子井戸を含み、 前記量子井戸は、圧縮変形となり、前記バリアは引張変
形となり、 各量子井戸は約７０Ａの厚さを有し、各バリアは約１５
０Ａの厚さを有し、 各バリアは、約１．１μｍに対応するバンドギャップエ
ネルギーを有し、 前記レーザ部（１０２）は、約５００μｍの長さと約５
μｍの幅を有し、 前記レーザ部（１０２）は、約１．３μｍのレーザ波長
を有し、 前記検知器部（１０４）は、約８５μｍの長さと約５μ
ｍの幅を有し、 前記検知器部（１０４）は、レーザ部（１０２）のレー
ザ波長を中心とした少なくとも±３５ｎｍのスペクトル
応答範囲を有し、 前記バルクの４元素層は、約８００Ａの厚さを有し、 前記バルクの４元素層は、約１．４μｍに対応するバン
ドギャップエネルギーを有し、 前記ビーム拡張器は、約３００μｍの長さと約５μｍの
幅を有し、 前記集積発光デバイスの正面ファセット（１１２）は、
反射防止コートを有することを特徴とする請求項２１の
デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/700,245 US5793789A (en) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Detector for photonic integrated transceivers |
| US08/700245 | 1996-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082922A true JPH1082922A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=24812755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222380A Pending JPH1082922A (ja) | 1996-08-20 | 1997-08-19 | 光集積トランシーバ用検知器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5793789A (ja) |
| JP (1) | JPH1082922A (ja) |
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Family Cites Families (2)
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-
1996
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-
1997
- 1997-08-19 JP JP9222380A patent/JPH1082922A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5793789A (en) | 1998-08-11 |
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