JPH1081581A - Single crystal pulling up apparatus - Google Patents

Single crystal pulling up apparatus

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JPH1081581A
JPH1081581A JP23291096A JP23291096A JPH1081581A JP H1081581 A JPH1081581 A JP H1081581A JP 23291096 A JP23291096 A JP 23291096A JP 23291096 A JP23291096 A JP 23291096A JP H1081581 A JPH1081581 A JP H1081581A
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single crystal
pulling
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single crystal-lifter which can safely lift up the single crystal with no occurrence of falling of the single crystal, when the single crystal of a heavy weight is produced. SOLUTION: This single crystal-lifter is equipped with a wire type main lifter 21 for forming the reversed cone shape of connection part 6 on the single crystal to be pulled up, a holding mechanism 11 for gripping the connection part 6 through the connection part and a wire-type sub-lifter 22 for lifting the holding mechanism 11. In this case, a means for inhibiting the holding mechanism 11 from inclining is set to the sub lifter 22 to lift the holding mechanism synchronously with the pulling-up speed of the main lifter 1. The motor for driving the main lifter and the sub-lifter is preferably controlled by the speed control as well as by the tension control. Further, the holding mechanism is preferably provided with a connection part having a clamp nail 13, a link lever 14, a pin or a long hole and has a shape matching to the connecting part to be connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー法
(以下、「CZ法」という)によって単結晶を製造する
引上装置に関し、さらに詳しくは大重量の単結晶を製造
する際に単結晶の落下を生ずることなく安全に引き上げ
ることができる単結晶引上装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulling apparatus for producing a single crystal by the Czochralski method (hereinafter, referred to as "CZ method"). The present invention relates to a single crystal pulling device that can be safely pulled up without dropping.

【0002】[0002]

【従来の技術】単結晶の製造方法は種々あるが、なかで
も、シリコン単結晶の育成に関し、工業的に量産が可能
な方式で広く応用されているものとしてCZ法がある。
この方法による単結晶の製造は、坩堝内に収容された結
晶原料の溶融液の表面に種結晶を接触させ、坩堝を回転
させるとともに、この種結晶を反対方向に回転させなが
ら上方へ引上げることによって、種結晶の下端に溶融液
が凝固した単結晶を育成していく。
2. Description of the Related Art There are various methods for producing a single crystal. Among them, the CZ method is widely applied in a method capable of industrial mass production for growing a silicon single crystal.
In the production of a single crystal by this method, the seed crystal is brought into contact with the surface of the melt of the crystal raw material contained in the crucible, and the crucible is rotated, and the seed crystal is pulled upward while rotating in the opposite direction. Thereby, a single crystal in which the melt is solidified grows at the lower end of the seed crystal.

【0003】CZ法によって単結晶を製造する場合、種
結晶を溶融液に接触させたときの熱ショックで発生した
転位を完全に除去し、単結晶の本体(ボディ)に及ばな
いようにする必要がある。通常、この方策として、転位
を結晶表面から排除して単結晶を無転位化するために、
直径を細長く絞る、所謂「ダッシュズネック処理」が採
用されている。このときの無転位化に必要なダッシュズ
ネックの直径は約3mmで、その長さは30mm必要とされて
いる。
In the case of producing a single crystal by the CZ method, it is necessary to completely remove dislocations generated by heat shock when the seed crystal is brought into contact with the melt so that the dislocation does not reach the body of the single crystal. There is. Usually, as this measure, in order to eliminate dislocations from the crystal surface and make the single crystal dislocation-free,
A so-called "dash neck processing" for narrowing the diameter into an elongated shape is employed. At this time, the diameter of the dashes neck necessary for eliminating dislocations is about 3 mm, and its length is required to be 30 mm.

【0004】従来、CZ法によって製造される単結晶の
重量は、20〜30Kg程度に限定されていたが、近年におい
て半導体製造の効率化の要請が強く、単結晶の大径化と
共に長尺化の傾向が顕著となり、単結晶の重量が 100Kg
を超える場合も多くなってきた。単結晶の重量は細く絞
られたダッシュズネック部で負担するのであるが、上述
の通り、製造される単結晶の重量が増大しても、負担で
きる荷重に限界がある。単結晶が重くなり過ぎて引上中
に捩じれまたは曲げ応力が加わると、単結晶のダッシュ
ズネックが破損し、単結晶が坩堝内の溶融液に落下する
ことになり、さらに引上装置の損傷や溶融液の流出、水
蒸気爆発等の事態が発生し、人身事故を招く恐れもあ
る。
Conventionally, the weight of a single crystal manufactured by the CZ method has been limited to about 20 to 30 kg. However, in recent years, there has been a strong demand for more efficient semiconductor manufacturing. And the weight of the single crystal is 100 kg
In many cases. The weight of the single crystal is borne by the narrowed dash neck portion. However, as described above, even if the weight of the manufactured single crystal increases, the load that can be borne is limited. If the single crystal becomes too heavy and torsional or bending stress is applied during pulling, the dash's neck of the single crystal will break, and the single crystal will fall into the melt in the crucible, further damaging the pulling equipment. , Outflow of molten liquid, explosion of steam, etc. may occur, leading to personal injury.

【0005】そこで、単結晶の大重量化にともなって頻
発することが予想される引上中の落下等の事故を防止す
ることを目的として、改善を加えた引上装置が提案され
ている(例えば、特開平3−285893号公報、特開平3−
295893号公報参照)。すなわち、単結晶の上部に係合段
部を形成し、この係合段部を複数の爪、または爪を有す
る複数の把持ホルダーで係合・把持する構造を採用する
ことによって、引上途中における単結晶の落下を防いで
いる。このため、提案の引上装置を用いれば、大重量の
単結晶を引上げる場合であっても、単結晶の引上を確
実、かつ安全に行うことができるとしている。
Therefore, an improved pulling device has been proposed for the purpose of preventing an accident such as a drop during pulling which is expected to occur frequently with an increase in the weight of a single crystal (FIG. 1). For example, JP-A-3-285893, JP-A-3-285893
295893). That is, by forming an engaging step on the upper part of the single crystal and adopting a structure in which the engaging step is engaged and gripped by a plurality of claws or a plurality of grip holders having claws, The single crystal is prevented from falling. For this reason, the use of the proposed pulling apparatus makes it possible to pull up a single crystal reliably and safely even when pulling a heavy single crystal.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】特開平3−285893号公
報および特開平3−295893号公報で開示された引上装置
では、前述の通り、単結晶に形成された係合段部を爪、
または爪を有する把持ホルダーで係合・把持するもので
あり、このとき、引上られる単結晶の中心位置と引上軸
とのズレを無くすことが品質上重要な管理項目になる。
そのため、上記の引上装置では、これらの対応策として
複数の爪または複数の把持ホルダーを設けて、個々の爪
または把持ホルダーの微調整によって位置ズレをなく
し、係合段部での係合・把持を確実なものとしている。
In the lifting apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 3-285893 and 3-295893, as described above, the engaging step formed on the single crystal is formed by a claw,
Alternatively, a gripping holder having claws is engaged and gripped. At this time, eliminating a deviation between the center position of the pulled single crystal and the pulling axis is an important management item in terms of quality.
Therefore, in the above-described lifting device, a plurality of claws or a plurality of grip holders are provided as a countermeasure for them, and the positional deviation is eliminated by fine adjustment of each nail or the grip holder, and the engagement / step at the engagement step portion is performed. The grip is secure.

【0007】しかしながら、単結晶の引上は密閉された
真空チャンバー内で行われるから、常時、上昇および回
転を続ける単結晶の係合段部に合致するように爪または
把持ホルダーの動作を外部から遠隔操作で微調整するの
は非常に困難である。そのため、係合段部で係合・把持
される位置の調整が不具合になり易く、一旦位置ズレが
発生すると引上げられた単結晶の品質の著しい低下を及
ぼすだけでなく、引上中に単結晶に捩じれが加わり単結
晶が大きく傾いて、爪または把持ホルダーの係合が外れ
単結晶を落下させる恐れもある。
However, since the pulling of the single crystal is performed in a closed vacuum chamber, the operation of the claw or the gripping holder must be controlled from the outside so as to match the engaging step of the single crystal which is constantly rising and rotating. It is very difficult to fine-tune by remote control. Therefore, the adjustment of the position where the engagement step portion is engaged and gripped tends to be inconvenient, and once a displacement occurs, not only does the quality of the pulled single crystal significantly deteriorate, but also the single crystal is pulled during the pulling. In addition, the single crystal may be greatly inclined due to the torsion, and the nail or the grip holder may be disengaged to drop the single crystal.

【0008】本発明は、上述した従来の引上装置で見ら
れる問題点を解決し、単結晶に設けられた係合段部での
係合・把持を確実なものとし、大重量の単結晶を引上げ
る場合であっても落下事故を発生することなく、単結晶
を適切に製造することができて、安全性に優れる単結晶
引上装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described problems of the conventional pulling apparatus, and ensures engagement and gripping at an engaging step provided on a single crystal, thereby achieving a heavy weight single crystal. It is an object of the present invention to provide a single crystal pulling apparatus which can appropriately manufacture a single crystal without causing a fall accident even when pulling a single crystal and is excellent in safety.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、図1、図3、
図6および図8に示すように、次の単結晶引上装置を要
旨としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to FIGS.
As shown in FIG. 6 and FIG. 8, the following single crystal pulling apparatus is the gist.

【0010】すなわち、回転されつつ引上げられる単結
晶に逆円錐状の係合段部を形成させるワイヤ式のメイン
引上手段と、その単結晶の係合段部を係合部材を介して
把持する保持機構と、この保持機構を昇降させるワイヤ
式のサブ引上手段を備える単結晶引上装置であって、前
記サブ引上手段は保持機構の傾き防止手段を介して保持
機構を昇降させ、前記メイン引上手段の引上速度と同調
して前記保持機構を上昇させることを特徴とする単結晶
引上装置である(図1、図6参照)。
That is, a wire-type main pulling means for forming an inverted conical engaging step on a single crystal which is pulled up while being rotated, and the engaging step of the single crystal is gripped via an engaging member. A single crystal pulling apparatus including a holding mechanism and a wire-type sub-pulling-up means for raising and lowering the holding mechanism, wherein the sub-pulling-up means raises and lowers the holding mechanism via a tilt preventing means of the holding mechanism, and A single crystal pulling apparatus characterized in that the holding mechanism is raised in synchronization with the pulling speed of a main pulling means (see FIGS. 1 and 6).

【0011】上記の引上装置において、メイン引上手
段、サブ引上手段の一方の駆動モーターを速度制御方式
とし、他方の駆動モーターは張力制御方式とするのが望
ましい。このような制御方式を採用することによって、
単結晶の引上速度とメイン引上手段およびサブ引上手段
の荷重分担を調整しながら単結晶の引上を実施できるこ
とになる。
In the above-mentioned lifting device, it is desirable that one of the main lifting means and the sub-lifting means is of a speed control type and the other is of a tension control type. By adopting such a control method,
The single crystal can be pulled while adjusting the pulling speed of the single crystal and the load sharing of the main pulling means and the sub-pulling means.

【0012】上記の保持機構の係合部材に、リンクレバ
ーまたはクランプレバーの作用によって、係合段部の円
周方向の形状の不均一性を相殺するセルフクランプ機能
を有するものを用いる。これにより、係合段部の形状が
不均一であっても、面接触で単結晶の係合段部を保持で
き、単結晶の落下事故が回避できるので望ましい。ここ
で、「セルフクランプ機能を有する係合部材」とは、図
1、図3または図6に示すように、リンクレバー14また
はクランプレバー15の作用によって上方に押し上げられ
れば容易に開放され、下方に押し下げられれば閉じて、
係合部分を十分に係合・把持する係合部材(例えば、ク
ランプ爪13、リンクレバー14、ピン34または長穴35)を
いう。
As the engaging member of the above-mentioned holding mechanism, a member having a self-clamp function for canceling the unevenness of the circumferential shape of the engaging step portion by the action of the link lever or the clamp lever is used. Thereby, even if the shape of the engaging step is not uniform, the engaging step of the single crystal can be held by surface contact, and a single crystal falling accident can be avoided, which is desirable. Here, the "engaging member having a self-clamping function" is, as shown in FIG. 1, FIG. 3 or FIG. 6, easily opened if it is pushed upward by the action of the link lever 14 or the clamp lever 15, and If it is pushed down, it will close,
Refers to an engaging member (for example, a clamp claw 13, a link lever 14, a pin 34, or a long hole 35) that sufficiently engages and grips the engaging portion.

【0013】さらに、上記の引上装置において、メイン
引上手段およびサブ引上手段をボールネジの旋回作用に
よって独立して昇降可能とする構造にすることもできる
(図8参照)。このような構成を採用することによっ
て、エコライザー等によって構成される保持機構の傾き
防止手段が不要になる。
Further, in the above-described pulling device, the main pulling means and the sub pulling means may be structured so as to be independently liftable and lowerable by the turning action of the ball screw (see FIG. 8). By adopting such a configuration, it is not necessary to provide a means for preventing the holding mechanism constituted by an equalizer or the like from tilting.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の単結晶引上装置では、メ
イン引上手段によって種結晶を溶融液面へ接触後、回転
させながら引き上げてダッシュズネック処理し、次いで
単結晶に逆円錐状の係合段部を形成さてのち、ショルダ
ーの成形および単結晶本体の引上げを行う。一方、引上
の進捗にともなって単結晶の重量が増加するが、ダッシ
ュズネック部で負担できる荷重の限界に達する前に、サ
ブ引上手段による単結晶の保持に移行する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a single crystal pulling apparatus of the present invention, a seed crystal is brought into contact with a melt surface by a main pulling means, pulled up while rotating, and subjected to a dashes neck treatment. After the engagement step is formed, the shoulder is formed and the single crystal body is pulled up. On the other hand, the weight of the single crystal increases with the progress of pulling, but before reaching the limit of the load that can be borne by the dash neck portion, the process shifts to holding the single crystal by the sub pulling means.

【0015】具体的な動作として、サブ引上手段の下降
操作によって上方で待機していた保持機構が下降する際
に、保持機構に設けられた係合部材が単結晶の逆円錐状
の係合段部に押し上げられて開いた状態で、係合段部の
径大部を通過させる。係合段部の径大部を通過したのち
に単結晶の重量が係合部材に負荷されると、係合部材は
リンクレバーまたはクランプレバーの作用によってセル
フクランプ機能を発揮する。このとき、エコライザー等
の保持機構の傾き防止手段によって、単結晶の係合段部
での把持は確実なものになるとともに、引上げられる単
結晶の位置ズレもなくなることになる。
As a specific operation, when the holding mechanism, which has been waiting above, is lowered by the lowering operation of the sub-pulling means, the engaging member provided on the holding mechanism is engaged with a single crystal inverted conical engagement. In a state of being pushed up by the step and being opened, the large diameter portion of the engaging step is passed. When the weight of the single crystal is applied to the engaging member after passing through the large diameter portion of the engaging step, the engaging member exerts a self-clamping function by the action of the link lever or the clamp lever. At this time, the inclination prevention means of the holding mechanism such as an equalizer ensures that the single crystal is firmly held at the engaging step, and that the single crystal to be pulled is not displaced.

【0016】保持機構による単結晶の係合・把持が完了
すると、メイン引上手段とサブ引上手段の引上速度を同
調させて保持機構を上昇させる。また、メイン引上手段
の駆動モーターを速度制御方式とし、サブ引上手段の駆
動モーターは張力制御方式として、単結晶の引上速度と
荷重分担をコントロールすることができる。
When the holding and holding of the single crystal by the holding mechanism is completed, the holding mechanism is raised by synchronizing the pulling speeds of the main pulling means and the sub-pulling means. Further, the drive motor of the main pulling means is of a speed control type, and the drive motor of the sub pulling means is of a tension control type, so that the pulling speed and load sharing of the single crystal can be controlled.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の単結晶引上装置の具体的な構
成例(実施例1〜実施例3)を図面に基づいて説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific examples (Examples 1 to 3) of a single crystal pulling apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】(実施例1)図1は、本発明装置の実施例
1の全体構成例を説明する縦断面図である。同図に示す
ように、真空チャンバ(図示せず)内の中心位置には坩
堝1が配設され、その内部には原料となる多結晶シリコ
ンが溶融された溶融液2が保持されている。坩堝1の上
方には種結晶ホルダー10、保持機構11が配置され、さら
に上方にはシリコン単結晶3を回転させつつ引き上げる
手段であるメイン引上手段21と、保持機構11を昇降させ
る手段であるサブ引上手段22とが設けられ、これらは引
上機構20を構成する。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a longitudinal sectional view for explaining an overall configuration example of Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, a crucible 1 is provided at a central position in a vacuum chamber (not shown), and a melt 2 in which polycrystalline silicon as a raw material is melted is held therein. A seed crystal holder 10 and a holding mechanism 11 are disposed above the crucible 1, and a main pulling means 21 for rotating and pulling up the silicon single crystal 3 and a means for raising and lowering the holding mechanism 11 are further provided above the crucible 1. Sub-raising means 22 are provided, and these constitute a lifting mechanism 20.

【0019】実施例1においては、メイン引上手段21に
よって巻き取られる1本のメインワイヤー18と、サブ引
上手段22によって巻き取られる2本のサブワイヤー19と
が垂設されており、これらは独立して昇降が行われる。
また、メイン引上手段21とサブ引上手段22とから成る引
上機構20は、引上過程において単結晶を一定速度で回転
させるため、図示しない構造によって所定方向に回転さ
れる。
In the first embodiment, one main wire 18 wound by the main pulling means 21 and two sub wires 19 wound by the sub pulling means 22 are provided vertically. Is lifted and lowered independently.
The pulling mechanism 20 including the main pulling means 21 and the sub pulling means 22 is rotated in a predetermined direction by a structure (not shown) to rotate the single crystal at a constant speed in the pulling process.

【0020】上記メインワイヤー18の下端には種結晶ホ
ルダー10が取り付けられ、一方、2本のサブワイヤー19
の先端にはエコライザー16を介して保持機構11が配置さ
れている。ここで用いられるエコライザー16は、保持機
構11の傾き防止手段として作用する。
A seed crystal holder 10 is attached to the lower end of the main wire 18, while two sub wires 19 are attached.
The holding mechanism 11 is disposed at the tip of the holding mechanism 11 via an equalizer 16. The equalizer 16 used here functions as a means for preventing the holding mechanism 11 from tilting.

【0021】図2は、前記図1のA−A矢視で示される
保持機構およびエコライザーの横断面図である。図中の
符号12は保持機構の保持ホルダーであるが、エコライザ
ー16はピン17を介して保持ホルダー12に軸支されるとと
もに、2本のサブワイヤー19によって垂設される。この
ような構造を採用するので、2本のサブワイヤー19の巻
取りと送り出しに差が発生した場合、エコライザー16は
傾きを生じるが、ピン17を介して軸支される保持ホルダ
ー12は重力作用によって絶えず水平方向に保持されるた
め、傾きが吸収される。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the holding mechanism and the equalizer indicated by arrows AA in FIG. Reference numeral 12 in the drawing denotes a holding holder of the holding mechanism. The equalizer 16 is supported by the holding holder 12 via a pin 17 and is vertically suspended by two sub-wires 19. With such a structure, if there is a difference between the winding and unwinding of the two sub-wires 19, the equalizer 16 is tilted, but the holding holder 12 supported by the pins 17 is The tilt is absorbed because it is constantly held horizontally by the action.

【0022】図3は、実施例1で保持機構に設けられる
係合部材の構造を説明する図であり、(a) は全体構成
を、(b) および(c) は全体構成におけるイ部およびロ部
の詳細を示している。図から明らかなように、係合部材
は保持ホルダー12の内面下端部に設けられ、1個のクラ
ンプ爪13に対して上下2本のリンクレバー14によって構
成される。リンクレバー14の保持ホルダー12への取付け
およびクランプ爪13とリンクレバー14の取付けは回転自
在に軸支されておればよい。
FIGS. 3A and 3B are views for explaining the structure of the engaging member provided in the holding mechanism in the first embodiment. FIG. 3A shows the entire structure, and FIGS. 2 shows details of the section. As is apparent from the figure, the engaging member is provided at the lower end of the inner surface of the holding holder 12 and is constituted by two upper and lower link levers 14 for one clamp claw 13. The attachment of the link lever 14 to the holding holder 12 and the attachment of the clamp claw 13 and the link lever 14 need only be rotatably supported.

【0023】この上下2本のリンクレバー14の接続のう
ち少なくとも一箇所には、図3(b)のイ部詳細で示すよ
うに、ピン34より大径となる長穴34を設ければ、係合段
部の形状が不均一であっても、クランプ爪の係合面が係
合段部に一義的に整合できるので、大重量の単結晶であ
っても確実に把持できる。さらに、図3(c) のロ部詳細
で示すように、クランプ爪の係合面に多数の歯状あるい
は波状の突起物が形成すれば、より確実に単結晶を把持
することができる。なお、クランプ爪の材質は、高温強
度に優れ汚染源とはならないモリブデン等の高融点金属
が望ましい。また、図3(b) に示す波状の突起物と係合
段部の接触角θは90°以上にするのが望ましい。
At least one of the connections between the upper and lower link levers 14 is provided with an elongated hole 34 having a diameter larger than that of the pin 34, as shown in detail A of FIG. 3B. Even if the shape of the engaging step is not uniform, the engaging surface of the clamp claw can be uniquely aligned with the engaging step, so that even a heavy single crystal can be reliably gripped. Further, as shown in FIG. 3 (c), if a large number of teeth-like or wavy protrusions are formed on the engagement surface of the clamp claw, the single crystal can be more reliably gripped. The material of the clamp claw is desirably a high melting point metal such as molybdenum which has excellent high-temperature strength and does not become a contamination source. Further, it is desirable that the contact angle θ between the wavy projection and the engaging step shown in FIG.

【0024】係合部材として図3に示す構造を採用する
ことによって、前述の通り、単結晶の重量がクランプ爪
13とリンクレバー14に負荷されると、リンクレバーの作
用によってセルフクランプ機能が発揮され、単結晶の係
合段部を十分に把持することができる。また、保持ホル
ダー12の内面円周に設けられる係合部材の個数は複数で
なければならず、位置ズレを防止するには3個以上設け
る必要がある。
By employing the structure shown in FIG. 3 as the engaging member, the weight of the single crystal can be
When a load is applied to the link 13 and the link lever 14, a self-clamping function is exhibited by the action of the link lever, and the engagement step portion of the single crystal can be sufficiently gripped. In addition, the number of engaging members provided on the inner surface circumference of the holding holder 12 must be plural, and it is necessary to provide three or more in order to prevent displacement.

【0025】次に具体的な操作手順を説明する。単結晶
の引上開始時には、サブ引上手段22は保持機構11を上方
に保持した状態で待機する。一方、メイン引上手段21の
先端に設けられた種結晶ホルダー10に種結晶9を取付け
て、この種結晶9をシリコン溶融液2の液面の中心部に
接触させる。その後メイン引上手段21を作動させて種結
晶9を回転させながらゆっくり上昇させ、ダッシュズネ
ック(種絞り部)8を形成させる。次いで、単結晶の引
上速度を遅くして単結晶の直径を増大させ径大部7を成
形し、そののち単結晶の直径を徐々に小さくし、くびれ
部5まで細めて断面形状が逆円錐状になる係合段部6を
形成する。
Next, a specific operation procedure will be described. At the start of pulling a single crystal, the sub-pulling means 22 stands by while holding the holding mechanism 11 upward. On the other hand, the seed crystal 9 is attached to the seed crystal holder 10 provided at the tip of the main pulling means 21, and the seed crystal 9 is brought into contact with the center of the liquid surface of the silicon melt 2. Thereafter, the main pulling means 21 is operated to slowly raise the seed crystal 9 while rotating the seed crystal 9, thereby forming a dashes neck (seed drawing portion) 8. Next, the diameter of the single crystal is increased by slowing down the pulling speed of the single crystal to form a large-diameter portion 7, and then the diameter of the single crystal is gradually reduced and narrowed down to the constricted portion 5, and the cross-sectional shape is inverted conical. An engaging step 6 is formed.

【0026】係合段部6を形成したのち、再び単結晶の
直径を増大させてショルダー4を形成し、その後引上速
度、回転速度を定常条件に調整して所定直径の単結晶ボ
ディ3の引上に移行する。
After forming the engaging step 6, the shoulder 4 is formed by increasing the diameter of the single crystal again, and thereafter, the pulling speed and the rotation speed are adjusted to the steady conditions to adjust the single crystal body 3 having a predetermined diameter. Move to lifting.

【0027】定常の単結晶の引上に移行後、引き上げら
れる単結晶の重量が一定の重量に達した時点、例えば、
単結晶ボディ3の長さが1mになる時点で、上方で待機
していた保持機構11を下降させる。その下降段階におい
て、前述のように、単結晶の径大部7に接触するクラン
プ爪13は押し上げられて開放し径大部7を通過させる。
その後、クランプ爪13はリンクレバー、ピンおよび長穴
の作用によるセルフクランプ機能によって、係合段部6
を確実に係合・把持する。そののち、サブ引上手段22
は、メイン引上手段21の引上速度と同調して保持機構11
を上昇させる。ここで、係合部材であるクランプ爪13で
単結晶を把持させて保持機構11を上昇させるのは、単結
晶の重量が一定の重量に達した以降、すなわち、少なく
とも引上工程の後半段階であればよい。
When the weight of the single crystal to be pulled reaches a certain weight after the transition to the steady single crystal pulling, for example,
When the length of the single crystal body 3 becomes 1 m, the holding mechanism 11 waiting above is lowered. In the descending stage, as described above, the clamp claw 13 that contacts the large diameter portion 7 of the single crystal is pushed up and opened to pass through the large diameter portion 7.
Thereafter, the clamp claw 13 is moved to the engagement step 6 by the self-clamp function by the action of the link lever, the pin and the elongated hole.
Is securely engaged and gripped. After that, the sub-lifting means 22
The holding mechanism 11 is synchronized with the pulling speed of the main pulling means 21.
To rise. Here, the holding mechanism 11 is lifted by gripping the single crystal with the clamp claw 13 serving as the engaging member, after the weight of the single crystal reaches a certain weight, that is, at least in the latter half of the pulling process. I just need.

【0028】図4は、本発明のワイヤ式引上装置におけ
る引上駆動モーターの制御方式を説明する図である。メ
イン引上手段21とサブ引上手段22とを同調して保持機構
11を上昇させる際には、メイン引上手段21のメインモー
ター23は速度制御で、サブ引上手段22のサブモーター24
は張力制御とするのが望ましい。
FIG. 4 is a diagram for explaining a control method of the pulling drive motor in the wire type pulling device of the present invention. A holding mechanism that synchronizes the main lifting means 21 and the sub lifting means 22
When raising 11, the main motor 23 of the main pulling means 21 is controlled by speed, and the sub motor 24 of the sub pulling means 22 is
Is desirably tension control.

【0029】このような引上駆動モーターの制御方式を
採用することによって、図5に示すように、単結晶の重
量をサブ引上手段の保持機構で分担することができる。
したがって、引上駆動モーターの制御系どうしの干渉を
防止でき、引上速度およびメインモーターとサブモータ
ー間の負荷割合を正確に制御ができ、ショックのない安
定した単結晶引き上げが可能になる。
By employing such a control method of the pulling drive motor, the weight of the single crystal can be shared by the holding mechanism of the sub pulling means as shown in FIG.
Therefore, interference between the control systems of the pulling drive motors can be prevented, the pulling speed and the load ratio between the main motor and the sub motor can be accurately controlled, and stable single crystal pulling without shock can be achieved.

【0030】(実施例2)図6は、本発明装置の実施例
2の構成例を説明する縦断面図である。上記実施例1と
比較すると、保持機構11に係合部材として設けられたク
ランクレバー15の構成に相違が見られるが、その他の実
施例2の構成は実施例1のそれと同様である。
(Embodiment 2) FIG. 6 is a longitudinal sectional view for explaining a configuration example of Embodiment 2 of the present invention. Compared with the first embodiment, the configuration of the crank lever 15 provided as an engaging member in the holding mechanism 11 is different, but the other configurations of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

【0031】図7は、実施例2で保持機構に設けられる
係合部材の構造を説明する図である。係合部材は保持ホ
ルダー12の内面下端部に設けられ、複数のクランプレバ
ー15が回転自在に軸支される。このため、クランクレバ
ー15は保持ホルダー12側に設けられた支点を中心とし
て、上方に向かってほぼ垂直状態まで旋回が可能である
が、一旦下方に向かって負荷が加わるとセルフクランプ
機能によって、クランプレバー15は単結晶の係合段部を
十分に係合・把持することができる。このため、実施例
2の係合部材を用いれば、クランプ機構がシンプルであ
り、またクランプレバーの端面で単結晶をクランプする
ので、単結晶の係合段部のテーパー部の長さを比較的短
くすることができる。
FIG. 7 is a view for explaining the structure of the engaging member provided in the holding mechanism in the second embodiment. The engaging member is provided at the lower end of the inner surface of the holding holder 12, and the plurality of clamp levers 15 are rotatably supported on the shaft. For this reason, the crank lever 15 can be pivoted upward to a substantially vertical state around a fulcrum provided on the holding holder 12, but once a load is applied downward, the crank lever 15 is clamped by the self-clamp function. The lever 15 can sufficiently engage and grip the engaging step of the single crystal. For this reason, if the engaging member of the second embodiment is used, the clamping mechanism is simple, and the single crystal is clamped at the end face of the clamp lever, so that the length of the tapered portion of the engaging step of the single crystal is relatively small. Can be shorter.

【0032】単結晶の引上工程における装置の動作およ
び操作方法、例えば、前記図4に示す引上駆動モーター
の制御方式は、実施例1の場合と同様のものが適用でき
る。
The operation and operating method of the apparatus in the single crystal pulling step, for example, the control method of the pulling drive motor shown in FIG. 4 can be the same as that in the first embodiment.

【0033】(実施例3)図8は、本発明装置の実施例
3の構成例を説明する図であるが、この構成ではメイン
引上手段21とサブ引上手段22がメインボールネジ30およ
びサブボールネジ31の旋回作用によって独立して昇降可
能であることに特徴がある。
(Embodiment 3) FIG. 8 is a view for explaining a configuration example of a third embodiment of the apparatus of the present invention. In this configuration, the main pulling means 21 and the sub pulling means 22 include the main ball screw 30 and the sub It is characterized in that it can be moved up and down independently by the turning action of the ball screw 31.

【0034】実施例3の構成では、引上機構20としてメ
イン引上手段21はメイン昇降ベース27を、サブ引上手段
22はサブ昇降ベース28をそれぞれ昇降させる。メイン引
上手段21に設けられたメイン昇降ベース27には、フレー
ム33に覆われたメインボールネジ30が取付られており、
メインモーター23の作動によって昇降する。さらに、こ
のメイン昇降ベース27はシャフト25を介して、その下方
に種結晶ホルダー10を支持しており、引上工程において
は結晶回転モーター32の回転によって引き上げられる単
結晶を回転させることができる。
In the configuration of the third embodiment, the main lifting means 21 as the lifting mechanism 20 includes the main lifting base 27 and the sub lifting means
Numeral 22 raises and lowers the sub lifting base 28 respectively. A main ball screw 30 covered with a frame 33 is attached to a main elevating base 27 provided in the main lifting means 21,
It moves up and down by the operation of the main motor 23. Further, the main elevating base 27 supports the seed crystal holder 10 below the main elevating base 27 via the shaft 25. In the pulling process, the single crystal pulled up by the rotation of the crystal rotating motor 32 can be rotated.

【0035】一方、サブ引上手段22に設けられたサブ昇
降ベース28は、メイン昇降ベース27に設置されたサブボ
ールネジ31が取付けられており、サブモータ24の回転動
作によって昇降する。また、サブ昇降ベース28にはベア
リング29を介して回転自由な状態で中空シャフト26が取
り付けら、その中空シャフト26の先端には保持機構11が
固定される。そして保持機構11の保持ホルダー12の内面
下端部には係合部材が配設されるが、その構造は実施例
1または実施例2に示すいずれのものでもよい。
On the other hand, the sub-elevating base 28 provided on the sub-elevating means 22 is provided with the sub-ball screw 31 installed on the main elevating base 27, and is elevated by the rotation of the sub-motor 24. A hollow shaft 26 is attached to the sub-elevation base 28 via a bearing 29 in a freely rotatable state, and the holding mechanism 11 is fixed to a tip of the hollow shaft 26. An engaging member is provided at the lower end of the inner surface of the holding holder 12 of the holding mechanism 11, and its structure may be any of those shown in the first and second embodiments.

【0036】サブ昇降ベース28に取り付けられた中空シ
ャフト26の内側にメイン昇降ベース27に取付けられたシ
ャフト25を貫通させて、本発明装置の実施例3は構成さ
れる。このような構成にすることによって、メイン引上
手段21およびサブ引上手段22の同調が容易となり、しか
も嵌合されたシャフト25および中空シャフト26で支持さ
れる種結晶ホルダー10および保持機構11の位置調整が良
好となり、引上軸に単結晶の中心位置を合致させること
ができる。
A third embodiment of the apparatus of the present invention is constituted by passing a shaft 25 attached to a main elevating base 27 through a hollow shaft 26 attached to a sub-elevating base 28. With such a configuration, the main pulling means 21 and the sub pulling means 22 can be easily tuned, and the seed crystal holder 10 and the holding mechanism 11 supported by the fitted shaft 25 and hollow shaft 26 can be easily adjusted. The position adjustment becomes good, and the center position of the single crystal can be matched with the pulling axis.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の単結晶引上装置によれば、単結
晶に設けられた係合段部での係合・把持を確実なものと
し、大重量の単結晶を引上げる場合であっても落下事故
を発生することなく、単結晶を安全に製造することがで
きる。
According to the single crystal pulling apparatus of the present invention, it is possible to secure the engagement and gripping at the engaging step provided on the single crystal and to pull a heavy single crystal. However, a single crystal can be safely manufactured without a fall accident.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明装置の実施例1の全体構成例を説明する
縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating an example of the overall configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A矢視で示される保持機構およびエ
コライザーの横断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the holding mechanism and the equalizer indicated by arrows AA in FIG.

【図3】実施例1で保持機構に設けられる係合部材の構
造を説明する図であり、(a) は全体構成を、(b) および
(c) は詳細部分を説明する図である。
FIGS. 3A and 3B are diagrams illustrating a structure of an engagement member provided in a holding mechanism according to the first embodiment. FIG.
(c) is a diagram for explaining the details.

【図4】本発明の引上装置における引上駆動モーターの
制御方式を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a control method of a lifting drive motor in the lifting device of the present invention.

【図5】本発明の引上装置における保持機構の負担荷重
の推移を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a transition of a load imposed on a holding mechanism in the lifting device of the present invention.

【図6】本発明装置の実施例2の構成例を説明する縦断
面図である。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view illustrating a configuration example of a device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】実施例2で保持機構に設けられる係合部材の構
造を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a structure of an engagement member provided in a holding mechanism according to a second embodiment.

【図8】本発明装置の実施例3の構成例を説明する図で
ある
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a third embodiment of the device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…坩堝、 2…溶融液、 3…単結晶ボディ 4…単結晶ショルダー、 5…くびれ部 6…係合段部、 7…径大部 8…ダッシュズネック(種絞り部) 9…種結晶、 10…種結晶ホルダー 11…保持機構、 12…保持ホルダー 13…クランプ爪、 14…リンクレバー 15…クランプレバー、 16…エコライザー 17…ピン、 18…メインワイヤー、 19…サブワイヤー 20…引上機構、 21…メイン引上手段 22…サブ引上手段、 23…メインモーター 24…サブモーター、 25…シャフト、 26…中空シャフ
ト 27…メイン昇降ベース、 28…サブ昇降ベース 29…ベアリング、 30…メインボールネジ 31…サブボールネジ、 32…結晶回転モーター 33…フレーム、 34…ピン 35…長穴、 36…突起物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Crucible, 2 ... Melt, 3 ... Single crystal body 4 ... Single crystal shoulder, 5 ... Constriction part 6 ... Engagement step part, 7 ... Large diameter part 8 ... Dashes neck (seed drawing part) 9 ... Seed crystal , 10 ... seed crystal holder 11 ... holding mechanism, 12 ... holding holder 13 ... clamp claw, 14 ... link lever 15 ... clamp lever, 16 ... equalizer 17 ... pin, 18 ... main wire, 19 ... sub wire 20 ... pull up Mechanism, 21… Main lifting means 22… Sub lifting means, 23… Main motor 24… Sub motor, 25… Shaft, 26… Hollow shaft 27… Main lifting base, 28… Sub lifting base 29… Bearing, 30… Main Ball screw 31… Sub ball screw 32… Crystal rotation motor 33… Frame, 34… Pin 35… Long hole, 36… Protrusion

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────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年9月18日[Submission date] September 18, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】請求項3[Correction target item name] Claim 3

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0012】上記の保持機構の係合部材に、リンクレバ
ーまたはクランプレバーの作用によって、係合段部の円
周方向の形状の不均一性を相殺するセルフクランプ機能
を有するものを用いる。これにより、係合段部の形状が
不均一であっても、面接触で単結晶の係合段部を保持で
き、単結晶の落下事故が回避できるので望ましい。ここ
で、「セルフクランプ機能を有する係合部材」とは、図
1、図3または図6に示すように、リンクレバー14また
はクランプレバー15の作用によって上方に押し上げられ
れば容易に開放され、下方に押し下げられれば閉じて、
係合部分を十分に係合・把持する係合部材(例えば、ク
ランプ爪13、リンクレバー14、ピン34および長穴35)を
いう。
As the engaging member of the above-mentioned holding mechanism, a member having a self-clamp function for canceling the unevenness of the circumferential shape of the engaging step portion by the action of the link lever or the clamp lever is used. Thereby, even if the shape of the engaging step is not uniform, the engaging step of the single crystal can be held by surface contact, and a single crystal falling accident can be avoided, which is desirable. Here, the "engaging member having a self-clamping function" is, as shown in FIG. 1, FIG. 3 or FIG. 6, easily opened if it is pushed upward by the action of the link lever 14 or the clamp lever 15, and If it is pushed down, it will close,
Refers to an engaging member (for example, a clamp claw 13, a link lever 14, a pin 34, and a long hole 35) that sufficiently engages and grips the engaging portion.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0021[Correction target item name] 0021

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0021】図2は、前記図1のA−A矢視で示される
保持機構およびエコライザーの横断面図である。図中の
符号12は保持機構の保持ホルダーであるが、エコライザ
ー16はピン17を介して保持ホルダー12に軸支されるとと
もに、2本のサブワイヤー19によって垂設される。この
ような構造を採用するので、2本のサブワイヤー19の巻
取りと送り出しに差が発生した場合、エコライザー16は
傾きを生じるが、ピン17を介して軸支される保持ホルダ
ー12は重力作用によって絶えず鉛直方向に保持されるた
め、傾きが吸収される。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the holding mechanism and the equalizer indicated by arrows AA in FIG. Reference numeral 12 in the drawing denotes a holding holder of the holding mechanism. The equalizer 16 is supported by the holding holder 12 via a pin 17 and is vertically suspended by two sub-wires 19. With such a structure, if there is a difference between the winding and unwinding of the two sub-wires 19, the equalizer 16 is tilted, but the holding holder 12 supported by the pins 17 is The tilt is absorbed because it is constantly held in the vertical direction by the action.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】回転されつつ引上げられる単結晶に逆円錐
状の係合段部を形成させるワイヤ式のメイン引上手段
と、その単結晶の係合段部を係合部材を介して把持する
保持機構と、この保持機構を昇降させるワイヤ式のサブ
引上手段を備える単結晶引上装置であって、前記サブ引
上手段は保持機構の傾き防止手段を介して保持機構を昇
降させ、前記メイン引上手段の引上速度と同調して前記
保持機構を上昇させることを特徴とする単結晶引上装
置。
1. A wire-type main pulling means for forming an inverted conical engaging step on a single crystal which is pulled up while being rotated, and gripping the engaging step of the single crystal via an engaging member. A single crystal pulling apparatus including a holding mechanism and a wire-type sub-pulling-up means for raising and lowering the holding mechanism, wherein the sub-pulling-up means raises and lowers the holding mechanism via a tilt preventing means of the holding mechanism, and A single crystal pulling apparatus, wherein the holding mechanism is raised in synchronization with a pulling speed of a main pulling means.
【請求項2】回転されつつ引上げられる単結晶に逆円錐
状の係合段部を形成させるワイヤ式のメイン引上手段
と、その単結晶の係合段部を係合部材を介して把持する
保持機構と、この保持機構を昇降させるワイヤ式のサブ
引上手段を備える単結晶引上装置であって、前記メイン
引上手段、サブ引上手段の一方の駆動モーターを速度制
御方式とし、他方の駆動モーターは張力制御方式とする
ことを特徴とする単結晶引上装置。
2. A wire-type main pulling means for forming an inverted conical engaging step on a single crystal which is pulled up while being rotated, and gripping the engaging step of the single crystal via an engaging member. A holding mechanism, a single crystal pulling apparatus including a wire-type sub pulling means for raising and lowering the holding mechanism, wherein the main pulling means, one drive motor of the sub pulling means is a speed control system, the other A single crystal pulling apparatus characterized in that the drive motor of (1) is of a tension control type.
【請求項3】回転されつつ引上げられる単結晶に逆円錐
状の係合段部を形成させるワイヤ式のメイン引上手段
と、その単結晶の係合段部を係合部材を介して把持する
保持機構と、この保持機構を昇降させるワイヤ式のサブ
引上手段を備える単結晶引上装置であって、保持機構に
はクランプ爪、リンクレバー、ピンまたは長穴を有し、
係合すべき係合段部の形状に整合する係合部材が設けら
れることを特徴とする単結晶引上装置。
3. A wire-type main pulling means for forming an inverted conical engaging step on a single crystal which is pulled up while being rotated, and gripping the engaging step of the single crystal via an engaging member. A holding mechanism, a single crystal pulling device including a wire-type sub pulling means for raising and lowering the holding mechanism, the holding mechanism has a clamp claw, a link lever, a pin or a long hole,
An apparatus for pulling a single crystal, wherein an engaging member matching the shape of an engaging step to be engaged is provided.
【請求項4】上記クランプ爪の係合面には、多数の歯状
あるいは波状の突起物が形成されていることを特徴とす
る請求項3記載の単結晶引上装置。
4. A single crystal pulling apparatus according to claim 3, wherein a large number of tooth-like or wavy projections are formed on the engagement surface of said clamp claw.
【請求項5】上記メイン引上手段およびサブ引上手段は
ボールネジの旋回作用によって独立して昇降可能である
ことを特徴とする請求項3または請求項4記載の単結晶
引上装置。
5. The single crystal pulling apparatus according to claim 3, wherein the main pulling means and the sub pulling means can be independently raised and lowered by a turning action of a ball screw.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999013138A1 (en) * 1997-09-05 1999-03-18 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Single crystal pull-up apparatus and single crystal pull-up method
WO1999015717A1 (en) * 1997-09-22 1999-04-01 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Single crystal pulling apparatus
US6315827B1 (en) 1998-10-02 2001-11-13 Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. Apparatus for producing single crystal
JP2002128592A (en) * 2000-10-23 2002-05-09 Sumitomo Metal Ind Ltd Device for pulling up semiconductor single crystal
WO2023035760A1 (en) * 2021-09-09 2023-03-16 隆基绿能科技股份有限公司 Crystal pulling fixture, crystal pulling furnace, and crystal pulling method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101582022B1 (en) * 2014-01-02 2015-12-31 주식회사 엘지실트론 Heat shield apparatus and a ingot growing apparatus having the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999013138A1 (en) * 1997-09-05 1999-03-18 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Single crystal pull-up apparatus and single crystal pull-up method
US6217648B1 (en) 1997-09-05 2001-04-17 Super Silicon Crystal Research Institute Corporation Single crystal pull-up apparatus and single crystal pull-up method
WO1999015717A1 (en) * 1997-09-22 1999-04-01 Super Silicon Crystal Research Institute Corp. Single crystal pulling apparatus
US6315827B1 (en) 1998-10-02 2001-11-13 Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. Apparatus for producing single crystal
JP2002128592A (en) * 2000-10-23 2002-05-09 Sumitomo Metal Ind Ltd Device for pulling up semiconductor single crystal
US6579363B2 (en) 2000-10-23 2003-06-17 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Semiconductor single crystal pulling apparatus
KR100452234B1 (en) * 2000-10-23 2004-10-12 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 Semiconductor single crystal pulling apparatus
JP4689027B2 (en) * 2000-10-23 2011-05-25 株式会社Sumco Semiconductor single crystal pulling device
WO2023035760A1 (en) * 2021-09-09 2023-03-16 隆基绿能科技股份有限公司 Crystal pulling fixture, crystal pulling furnace, and crystal pulling method

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