JPH1076213A - Method and apparatus for coating - Google Patents

Method and apparatus for coating

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JPH1076213A
JPH1076213A JP25231796A JP25231796A JPH1076213A JP H1076213 A JPH1076213 A JP H1076213A JP 25231796 A JP25231796 A JP 25231796A JP 25231796 A JP25231796 A JP 25231796A JP H1076213 A JPH1076213 A JP H1076213A
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JP
Japan
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coating
discharge
predetermined
coating liquid
resist
Prior art date
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JP25231796A
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Japanese (ja)
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Masami Akumoto
正巳 飽本
Kazutoshi Yoshioka
和敏 吉岡
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Priority to SG1997003055A priority patent/SG53052A1/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To check whether a coating liq. to be jetted is proper or not in advance so as not to decrease yield by mixing impurities such as particles into the coating liq. SOLUTION: A resist liq. receiving device 51 is provided outside of a treating container 21 storing a spin chuck 22 holding a wafer W and a particle counter 52 is connected to its probe 51a. At a stage before the resist liq. is jetted on the wafer W from a resist liq. jetting nozzle N1, it is jetted into the resist liq. receiving device 51 to measure particles in the resist liq. by means of the particle counter 52.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に所定
の塗布膜を形成する塗布方法、及び塗布装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for forming a predetermined coating film on a substrate to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
(以下、「ウエハ」という)などの被処理基板の表面
に、レジスト液を塗布してレジスト膜を形成する処理が
行われており、かかる処理を実施する場合、ウエハをス
ピンチャックと呼ばれる回転載置台の上に保持させ、例
えばその中心上方の位置にて、適宜の吐出部材、例えば
ノズルなどからレジスト液を吐出させ、該レジスト液を
遠心力によって拡散させてウエハ表面全体に均一に塗布
するようにしている。
2. Description of the Related Art For example, in a so-called photoresist processing step in a semiconductor manufacturing process, a process of applying a resist liquid to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") to form a resist film. When such a process is performed, the wafer is held on a rotary mounting table called a spin chuck, and a resist liquid is discharged from an appropriate discharge member, for example, a nozzle at a position above the center thereof, for example. The resist solution is diffused by centrifugal force to apply the resist solution uniformly over the entire wafer surface.

【0003】かかるレジスト液を塗布した後、このウエ
ハを所定の温度にまで加熱して、レジスト液を硬化さ
せ、次いで露光装置で所定のパターンをレジスト膜に露
光させる処理が行われる。したがってこのレジスト膜中
に、パーティクルなどの不純物が混入していると、所定
のパターン露光やその後の現像処理、さらにはエッチン
グ処理に付した際に、所期の性能をもった製品が得られ
なくなって歩留まりが低下するおそれがある。そのため
従来では、レジスト液供給源とノズルとの間のレジスト
液供給経路に適宜フィルタを介装している。
After applying the resist liquid, the wafer is heated to a predetermined temperature to cure the resist liquid, and then a predetermined pattern is exposed on the resist film by an exposure device. Therefore, if impurities such as particles are mixed in the resist film, a product having expected performance cannot be obtained when the resist film is subjected to predetermined pattern exposure, subsequent development processing, and further etching processing. Therefore, the yield may decrease. Therefore, conventionally, a filter is appropriately provided in a resist liquid supply path between the resist liquid supply source and the nozzle.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術のみをもってしては、塗布回数の増大に伴なっ
てフィルタが劣化し、吐出されたレジスト液中にパーテ
ィクルが混入して所期の塗布膜を形成できないおそれが
ある。そのためかかる事態を未然に防止する手段が必要
となってくる。
However, according to the prior art alone, the filter deteriorates as the number of coatings increases, and particles are mixed in the discharged resist liquid, and the desired coating film is formed. May not be formed. Therefore, means for preventing such a situation is required.

【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようなレジスト液などの塗布液をノズル
等の吐出部材から吐出させて被処理基板に所定の塗布膜
を形成するにあたり、吐出された塗布液にパーティクル
等の不純物が混入して歩留まりが低下することがないよ
うに、吐出される塗布液の適否を事前にチェックするこ
とができる塗布方法、並びに該塗布方法を好適に実施で
きる塗布装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points. In forming a predetermined coating film on a substrate to be processed by discharging a coating liquid such as a resist liquid from a discharge member such as a nozzle as described above, A coating method capable of checking in advance whether or not the discharged coating liquid is appropriate so that impurities such as particles are not mixed into the discharged coating liquid and the yield is reduced, and the coating method is suitably implemented. It is an object of the present invention to provide a coating device that can perform the coating.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1によれば、容器内の回転載置台に保持され
た被処理基板に対して、所定の吐出位置において吐出部
材から塗布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜
を形成する方法であって、前記所定の吐出位置で吐出す
る前に、この吐出位置とは異なった位置にある模擬吐出
(いわゆる、ダミーディスペンス)位置で塗布液を吐出
する工程と、前記模擬吐出位置で吐出された塗布液中の
不純物を測定する工程とを有することを特徴とする、塗
布方法が提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a coating liquid is supplied from a discharge member at a predetermined discharge position to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container. And forming a predetermined coating film on the substrate to be processed by discharging a simulated discharge (so-called dummy dispense) at a position different from the discharge position before discharging at the predetermined discharge position. A) a step of discharging a coating liquid at a position; and a step of measuring impurities in the coating liquid discharged at the simulated discharge position.

【0007】吐出位置は、通常、被処理基板の中心上方
に設定されるので、模擬吐出位置は例えば当該中心上方
から外れた位置に設定すればよいが、不意の塗布液の吐
出等によって飛散した液が被処理基板にかからないよう
に、好ましくは被処理基板の上方を除いたエリアに設定
する方がよい。また模擬吐出位置で吐出された塗布液中
の不純物を測定するには、例えば吐出された塗布液を回
収し、回収した場所でパーティクルカウンタなどの測定
装置によって、塗布液中の不純物を測定すればよい。
Since the discharge position is usually set above the center of the substrate to be processed, the simulated discharge position may be set, for example, at a position deviated from above the center. The liquid is preferably set in an area excluding the upper part of the substrate to be processed so that the liquid does not reach the substrate. To measure the impurities in the application liquid discharged at the simulated discharge position, for example, collect the discharged application liquid and measure the impurities in the application liquid by a measuring device such as a particle counter at the collecting place. Good.

【0008】このように請求項1の塗布方法によれば、
所定の吐出位置で吐出する前に、模擬吐出位置でこの塗
布液を吐出し、吐出された塗布液中の不純物を測定する
ようにしたので、パーティクル等の不純物が塗布液に混
入していても事前にそのことを知ることができる。なお
そのように模擬吐出位置で吐出させての不純物測定は、
所定の塗布位置での吐出を開始する直前毎であってもよ
く、また所定の時間経過毎や所定の塗布回数毎に行って
もよい。
Thus, according to the coating method of the first aspect,
Before discharging at the predetermined discharge position, the coating liquid is discharged at the simulated discharge position, and the impurities in the discharged coating liquid are measured. Therefore, even if impurities such as particles are mixed in the coating liquid. You can know that in advance. In addition, the impurity measurement by discharging at the simulated discharge position in such a manner is as follows.
It may be performed immediately before the start of discharge at a predetermined application position, or may be performed every predetermined time or every predetermined number of applications.

【0009】請求項2によれば、容器内の回転載置台に
保持された被処理基板に対して、複数の吐出部材から選
択された特定吐出部材を用い、所定の吐出位置において
該特定吐出部材から塗布液を吐出して、該被処理基板に
所定の塗布膜を形成する方法であって、前記複数の吐出
部材から特定吐出部材を選択する工程と、前記所定の吐
出位置とは異なった位置にある模擬吐出位置で、前記選
択された特定吐出部材から塗布液を吐出させる工程と、
前記模擬吐出位置で吐出された塗布液中の不純物を測定
する工程とを有し、前記測定の結果、不純物が予め定め
た基準値よりも少ない場合のみ、前記特定吐出部材を所
定の吐出位置に移動させて塗布液を吐出させることを特
徴とする、塗布方法が提供される。
According to the second aspect, a specific discharge member selected from a plurality of discharge members is used for the substrate to be processed held on the rotary mounting table in the container, and the specific discharge member is provided at a predetermined discharge position. Forming a predetermined coating film on the substrate to be processed by discharging a coating liquid from the plurality of discharging members, wherein a step of selecting a specific discharging member from the plurality of discharging members and a position different from the predetermined discharging position At a simulated discharge position in the step of discharging the application liquid from the selected specific discharge member,
Measuring the impurities in the application liquid ejected at the simulated ejection position, and as a result of the measurement, only when the impurities are smaller than a predetermined reference value, the specific ejection member is moved to a predetermined ejection position. A coating method is provided in which the coating liquid is moved to discharge a coating liquid.

【0010】この請求項2の塗布方法においては、吐出
部材が複数あって、塗布液を吐出する際には、その中か
ら特定の吐出部材を選択して吐出させるような場合に対
処できる。この請求項2の塗布方法によれば、模擬吐出
位置で吐出された塗布液中の不純物を測定した結果、予
め定めた基準値よりも少ない場合のみ、この特定吐出部
材を所定の吐出位置に移動させて塗布液を吐出させるよ
うにしたので、前記請求項1の塗布方法と同様、パーテ
ィクル等の不純物が塗布液に混入していても事前にその
ことを知ることができ、しかもその場合、基準値よりも
多くの不純物が測定されれば、選択した特定吐出部材が
所定位置に移動することはないので、不純物が基準値よ
りも多く混入している塗布液が、誤って被処理基板に吐
出されることがない。
According to the coating method of the present invention, it is possible to cope with a case where there are a plurality of discharge members and a specific discharge member is selected and discharged from the plurality of discharge members when discharging the coating liquid. According to the coating method of the second aspect, the specific discharge member is moved to the predetermined discharge position only when the result of measuring impurities in the coating liquid discharged at the simulated discharge position is less than a predetermined reference value. The coating liquid is discharged by discharging the coating liquid, so that even if impurities such as particles are mixed in the coating liquid, it is possible to know in advance in the same manner as in the coating method of the first aspect. If more impurities than the value are measured, the selected specific discharge member does not move to the predetermined position, so that the coating liquid containing impurities more than the reference value is erroneously discharged onto the substrate to be processed. Never be.

【0011】請求項3によれば、容器内の回転載置台に
保持された被処理基板に対して、所定の吐出位置におい
て塗布液を吐出部材から吐出して、該被処理基板に所定
の塗布膜を形成する装置であって、前記所定の吐出位置
とは異なった位置に設けられ、吐出部材から塗布された
塗布液を受容する塗布液受容装置と、前記塗布液受容装
置に吐出された塗布液中の不純物を測定する不純物測定
装置とを備えたことを特徴とする、塗布装置が提供され
る。
According to the third aspect, a coating liquid is discharged from a discharge member at a predetermined discharge position to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container, and a predetermined coating liquid is applied to the substrate to be processed. A coating liquid receiving device provided at a position different from the predetermined discharge position for receiving a coating liquid applied from a discharging member; and a coating liquid discharged to the coating liquid receiving device. A coating apparatus, comprising: an impurity measuring device for measuring impurities in the liquid.

【0012】塗布液受容装置は、請求項1の項で記載し
たように、好ましくは、被処理基板の上方にかからない
位置に設定するのがよい。形態としては、例えば先端を
大きく開口した形状のもので提案できる。そして不純物
測定装置との間に、適宜のチューブやパイプ等で構成さ
れた経路を介して接続してもよい。この不純物測定装置
としては、例えばレーザ光を利用したパーティクルカウ
ンタを用いることができる。この請求項3の塗布装置に
よれば、請求項1の塗布方法を好適に実施できる。
As described in the first aspect of the present invention, the coating liquid receiving device is preferably set at a position that does not extend above the substrate to be processed. As a form, for example, a shape with a large opening at the tip can be proposed. And it may be connected to the impurity measuring device via a path constituted by an appropriate tube, pipe or the like. As the impurity measuring device, for example, a particle counter using laser light can be used. According to the coating apparatus of the third aspect, the coating method of the first aspect can be suitably performed.

【0013】ノズル等の吐出部材が複数ある場合、塗布
液受容装置は必ずしもその全部に対応して設ける必要は
なく、少なくとも1つ設けて共用するようにすれば、装
置全体の簡易化、スペースの節減、コストの低廉化等を
図ることができる。
When there are a plurality of ejection members such as nozzles, it is not always necessary to provide the coating liquid receiving devices for all of them, and if at least one of them is provided and shared, the entire device can be simplified and the space can be saved. Savings, cost reduction, etc. can be achieved.

【0014】また請求項3の塗布装置において、請求項
4に記載したように、塗布液受容装置における少なくと
も受容部分から不純物測定装置に至るまでの塗布液の経
路、即ち塗布液が接触した部分を洗浄する洗浄機構を備
えた構成としてもよい。これによって前回の塗布液や異
なった塗布液が付着残存して、不純物の量などを誤って
測定することはなく、常に精度のよい測定が実施でき
る。洗浄機構の例としては、例えば塗布液がレジスト液
であった場合、その溶剤を塗布液と同様にしてノズル等
によって塗布液受容装置に吐出させるようにすればよ
い。
According to a third aspect of the present invention, as described in the fourth aspect, the path of the coating liquid from at least the receiving portion of the coating liquid receiving device to the impurity measuring device, that is, the portion where the coating liquid is in contact with the impurity measuring device. A configuration including a cleaning mechanism for cleaning may be employed. As a result, the previous coating liquid or a different coating liquid remains attached and the amount of impurities or the like is not erroneously measured, and accurate measurement can always be performed. As an example of the cleaning mechanism, for example, when the coating liquid is a resist liquid, the solvent may be discharged to the coating liquid receiving device by a nozzle or the like in the same manner as the coating liquid.

【0015】請求項5の塗布装置によれば、容器内の回
転載置台に保持された被処理基板に対して、所定の吐出
位置において塗布液を吐出部材から吐出して、該被処理
基板に所定の塗布膜を形成する装置であって、塗布液中
の不純物を測定する不純物測定装置を有し、塗布液供給
源から吐出部材の吐出口までの供給系に、該吐出口側又
は前記不純物測定装置側へと経路を切り替え自在な切替
装置を設けたことを特徴とする、塗布装置が提供され
る。
According to the coating apparatus of the present invention, the coating liquid is discharged from the discharge member at a predetermined discharge position to the substrate to be processed held on the rotary mounting table in the container, and is applied to the substrate to be processed. An apparatus for forming a predetermined coating film, comprising an impurity measuring device for measuring impurities in the coating liquid, a supply system from a coating liquid supply source to a discharge port of a discharge member, the discharge port side or the impurity A coating device is provided, wherein a switching device capable of switching a path to a measuring device side is provided.

【0016】この請求項5の塗布装置は、前記請求項
3、4の塗布装置と異なり、いわばインライン方式で塗
布液中の不純物を測定するようにしたものである。した
がって、模擬吐出させる必要はなく、また塗布液受容装
置がなくとも事前に塗布液中の不純物を測定することが
可能である。切替装置としては、例えば三方弁のような
切替弁を用いることができる。また吐出部材が複数あっ
てそれに対応して、塗布液供給源も複数ある場合には、
不純物測定装置側の経路を並列接続して1つにまとめれ
ば、経路が節減できると共に、1つの不純物測定装置で
全ての塗布液の測定が行える。
The coating apparatus according to the fifth aspect is different from the coating apparatuses according to the third and fourth aspects in that impurities in the coating solution are measured in a so-called in-line manner. Therefore, it is not necessary to perform a simulated discharge, and it is possible to measure impurities in the coating liquid in advance without using a coating liquid receiving device. As the switching device, for example, a switching valve such as a three-way valve can be used. When there are a plurality of ejection members and a plurality of application liquid supply sources corresponding thereto,
If the paths on the side of the impurity measuring device are connected in parallel and integrated into one, the number of paths can be saved and all the coating liquids can be measured by one impurity measuring device.

【0017】またこの請求項5の塗布装置においても、
請求項6に記載したように、切替装置から不純物測定装
置に至るまでの塗布液の経路、即ち塗布液が接触した部
分を洗浄する洗浄機構を備えれば、前回の塗布液や異な
った塗布液が経路内に残存して、誤測定することを防止
できる。洗浄機構としては、例えば塗布液がレジスト液
であった場合、その溶剤を不純物測定装置側の経路に流
すように構成すればよい。
Further, in the coating apparatus of the fifth aspect,
As described in claim 6, if a cleaning device is provided for cleaning the path of the coating solution from the switching device to the impurity measuring device, that is, a portion that is in contact with the coating solution, a previous coating solution or a different coating solution may be provided. Can be prevented from remaining in the route and causing erroneous measurement. The cleaning mechanism may be configured so that, for example, when the coating liquid is a resist liquid, the solvent is caused to flow through the path on the impurity measuring device side.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると、図1はウエハに対して洗浄処理、
レジストの定着性を高めるアドヒージョン処理、レジス
ト液の塗布処理、これらの処理後に実施される適宜の加
熱処理、及び該加熱処理後にウエハを所定温度にまで冷
ます冷却処理、及び露光後の現像処理や加熱処理などの
処理を個別に行う各種処理装置を1つのシステムとして
まとめた塗布現像処理システム1の概観を示しており、
第1の実施形態にかかる塗布装置は、レジスト塗布装置
としてこの塗布現像処理システム1にユニットとして組
み込まれている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
Adhesion treatment for improving the fixability of the resist, coating treatment of the resist solution, appropriate heating treatment performed after these treatments, cooling treatment for cooling the wafer to a predetermined temperature after the heating treatment, and development treatment after exposure, FIG. 1 shows an overview of a coating and developing processing system 1 in which various processing apparatuses that individually perform processes such as a heating process are combined as one system;
The coating apparatus according to the first embodiment is incorporated as a unit in the coating and developing processing system 1 as a resist coating apparatus.

【0019】この塗布現像処理システム1は、複数のウ
エハを収納する収納体であるカセットCを整列して複数
載置する載置部2と、この載置部2に載置されたカセッ
トC内のウエハWを取り出して、メイン搬送アーム3へ
と搬送する搬送機構4とを備えており、搬送機構4は、
カセットCの整列方向に沿って設けられている搬送路5
上を移動自在になっている。そしてウエハWに対して所
定の処理を行う各種の処理装置は、2つのメイン搬送ア
ーム3、6の各搬送路7、8を挟んだ両側に配置されて
いる。
The coating and developing system 1 includes a mounting section 2 for arranging a plurality of cassettes C, which are storage bodies for storing a plurality of wafers, and a cassette C mounted on the mounting section 2. And a transfer mechanism 4 for taking out the wafer W and transferring it to the main transfer arm 3.
Conveyance path 5 provided along the direction in which cassettes C are aligned
It is movable on the top. Various processing apparatuses that perform predetermined processing on the wafer W are disposed on both sides of each of the transfer paths 7 and 8 of the two main transfer arms 3 and 6.

【0020】さらにカセットCから取り出されたウエハ
Wの表面を洗浄するため、ウエハWを回転させながらブ
ラシ洗浄するブラシ洗浄装置9、ウエハWに対して高圧
ジェット洗浄する水洗洗浄装置10、ウエハWの表面を
疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアドヒー
ジョン処理装置11、ウエハWを所定温度に冷却する冷
却処理装置12、回転するウエハWの表面にレジスト液
を塗布するレジスト液塗布装置13、13レジスト液塗
布後のウエハWを加熱したり、露光後のウエハWを加熱
する加熱処理装置14、露光後のウエハWを回転させな
がらその表面に現像液を供給して現像処理する現像処理
装置15、15が配置されている。そしてこれら各処理
装置はある程度集約化されており、適当な処理装置群に
まとめることで設置スペースの縮小、並びに処理効率の
向上が図られている。またこれら各種処理装置に対する
ウエハWの搬入出は、前記した2つのメイン搬送アーム
3、6によって行われている。またこれら各処理装置等
は、ケーシング16内に配置されている。そして本実施
形態にかかる塗布装置は、前記レジスト液塗布装置13
に適用されている。
Further, in order to clean the surface of the wafer W taken out of the cassette C, a brush cleaning device 9 for brush cleaning while rotating the wafer W, a water cleaning device 10 for high pressure jet cleaning of the wafer W, An adhesion processing device 11 for improving the fixability of the resist by hydrophobizing the surface, a cooling processing device 12 for cooling the wafer W to a predetermined temperature, a resist liquid coating device 13 for coating a resist liquid on the surface of the rotating wafer W, 13 A heat treatment device 14 for heating the wafer W after application of the resist solution or for heating the wafer W after exposure, and a development treatment device for supplying a developing solution to the surface of the exposed wafer W while rotating the wafer W for development. 15 and 15 are arranged. Each of these processing apparatuses is integrated to some extent, and the installation space is reduced and the processing efficiency is improved by collecting the processing apparatuses into appropriate processing apparatuses. Loading and unloading of wafers W into and from these various processing apparatuses are performed by the two main transfer arms 3 and 6 described above. Each of these processing devices and the like is disposed in the casing 16. The coating apparatus according to this embodiment includes the resist liquid coating apparatus 13.
Has been applied to

【0021】レジスト液塗布装置13は、そのケーシン
グ13a内に、図2、図3に示した構成を有している。
即ち、ウエハWを収容する処理容器21の中に、ウエハ
Wを真空によって水平状態に吸着保持するスピンチャッ
ク22を備えており、このスピンチャック22は、処理
容器21の下方に装備されているパルスモータなどの駆
動機構23によって回転自在である。またその回転速度
も任意に制御できるようになっている。処理容器21内
の雰囲気は、処理容器21の底部中心から、外部に設置
されている真空ポンプなどの排気手段(図示せず)によ
って排気される。またレジスト液や溶剤は、スピンチャ
ック22の外方から、処理容器21の底部に設けられた
排液管24を通じて、処理容器21の下方に設置されて
いるドレインタンク25へと排出される。
The resist liquid coating device 13 has the structure shown in FIGS. 2 and 3 in its casing 13a.
That is, a spin chuck 22 for holding a wafer W in a horizontal state by vacuum is provided in a processing container 21 for accommodating the wafer W, and the spin chuck 22 is provided with a pulse mounted below the processing container 21. It is rotatable by a drive mechanism 23 such as a motor. Also, the rotation speed can be arbitrarily controlled. The atmosphere in the processing container 21 is exhausted from the center of the bottom of the processing container 21 by exhaust means (not shown) such as a vacuum pump provided outside. The resist solution and the solvent are discharged from the outside of the spin chuck 22 to a drain tank 25 installed below the processing container 21 through a drain pipe 24 provided at the bottom of the processing container 21.

【0022】第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置13においては、ウエハWに吐出されるレジスト液
は、4つの吐出部材を構成するレジスト液吐出ノズルN
1〜N4から吐出されるようになっており、各レジスト液
吐出ノズルN1〜N4は、図2、図3に示したように、各
々溶剤を吐出させる溶剤ノズルS1〜S4と各々組になっ
て、ノズルホルダ31、32、33、34に保持されて
いる。これらノズルホルダ31〜34は、ケーシング1
3a内において、前記処理容器21の外側で離れた位置
にて、適宜の保持機構13bによって保持されている。
なおこの保持機構13bには、各ノズルのノズル口を乾
燥固化させないように、各ノズルのノズル口を適宜の挿
入口(図示せず)に挿入して、ノズル口を溶剤雰囲気に
置くように配慮されている。
In the resist liquid applying apparatus 13 according to the first embodiment, the resist liquid discharged onto the wafer W is formed by the resist liquid discharge nozzles N constituting four discharge members.
1 to N4, and each of the resist liquid discharge nozzles N1 to N4 is paired with a solvent nozzle S1 to S4 for discharging a solvent as shown in FIGS. , Nozzle holders 31, 32, 33, 34. These nozzle holders 31 to 34 are
Within 3a, it is held by a suitable holding mechanism 13b at a position outside the processing container 21 at a distance.
In order to prevent the nozzle openings of each nozzle from being dried and solidified, the holding mechanism 13b is designed so that the nozzle openings of each nozzle are inserted into an appropriate insertion opening (not shown) and the nozzle openings are placed in a solvent atmosphere. Have been.

【0023】各ノズルホルダ31〜34は、基本的に同
一構成であり、例えば図2に示したノズルホルダ31に
基づき、その構成を詳述すれば、レジスト液吐出ノズル
N1へは、外部に設置されているレジスト液タンクなど
のレジスト液供給源R1から、レジスト液供給チューブ
41を通じて、所定のレジスト液が供給されるようにな
っており、該レジスト液供給チューブ41には、途中に
フィルタ42が介装され、パーティクルなどの不純物が
除去される。またレジスト液の供給自体は、ベローズポ
ンプなどの供給機構43によって行われ、一定量のレジ
スト液が吐出されるようになっている。なお各ノズルホ
ルダ31〜34には、後述のスキャンアーム37aが保
持するための保持ピンなどの保持部材31a、32a、
33a、34aが設けられている。
Each of the nozzle holders 31 to 34 has basically the same structure. For example, based on the nozzle holder 31 shown in FIG. A predetermined resist solution is supplied from a resist solution supply source R1 such as a resist solution tank provided through a resist solution supply tube 41, and a filter 42 is provided in the resist solution supply tube 41 on the way. Interposed, impurities such as particles are removed. The supply of the resist liquid itself is performed by a supply mechanism 43 such as a bellows pump, and a predetermined amount of the resist liquid is discharged. Each of the nozzle holders 31 to 34 has a holding member 31a, 32a such as a holding pin for holding a scan arm 37a to be described later,
33a and 34a are provided.

【0024】他のノズルホルダ32、33、34も、こ
のノズルホルダ31と同様な構成を有しており、各々独
立したレジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液
を、各々対応するレジスト液吐出ノズルN2〜N4から吐
出させることが可能である。したがって、本実施形態に
おいては、4種類の異なったレジスト液を塗布すること
ができる。
Each of the other nozzle holders 32, 33, and 34 has the same configuration as the nozzle holder 31. Each of the nozzle holders 32, 33, and 34 receives a resist solution from an independent resist solution supply source (not shown), The liquid can be discharged from the liquid discharge nozzles N2 to N4. Therefore, in this embodiment, four different resist solutions can be applied.

【0025】またノズルホルダ31には、温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路3
5a、復路35bが設けられており、往路35aを通じ
て外部から供給される温度調節流体を往路35aから復
路35bに流通させることにより、レジスト液供給チュ
ーブ41内を流れるレジスト液を一定温度に保ち、吐出
されるレジスト液が常に所定温度になるように配慮され
ている。
The nozzle holder 31 has a forward path 3 formed by a tube for circulating a temperature control fluid.
5a, a return path 35b is provided, and a temperature control fluid supplied from outside through the forward path 35a is circulated from the forward path 35a to the return path 35b, so that the resist liquid flowing in the resist liquid supply tube 41 is maintained at a constant temperature and discharged. Care is taken that the resist solution to be prepared always has a predetermined temperature.

【0026】一方溶剤ノズルS1には、溶剤タンクなど
の溶剤供給源Tからの溶剤が、ポンプなどの供給機構4
4によって、溶剤チューブ45を通じて行われるように
なっており、さらにノズルホルダ31には、この溶剤チ
ューブ45内を流れる溶剤を所定温度に維持するため、
温度調節流体を流通させるためのチューブからなる往路
36a、復路36bが設けられている。
On the other hand, the solvent from the solvent supply source T such as a solvent tank is supplied to the solvent nozzle S1 by a supply mechanism 4 such as a pump.
4, so that the solvent flowing through the solvent tube 45 is maintained at a predetermined temperature in the nozzle holder 31.
A forward path 36a and a return path 36b, each of which is formed by a tube, through which the temperature control fluid flows are provided.

【0027】以上のようにレジスト液吐出ノズルN1と
溶剤ノズルS1とを組にして保持しているノズルホルダ
31は、スキャン機構37のスキャンアーム37aによ
って保持機構13bから取り出され、ウエハW上の所定
位置まで移動される。このスキャンアーム37aは、三
次元移動、即ちX方向、Y方向、Z方向への移動が可能
なように構成されている。また本実施形態においては、
各ノズルホルダ31〜34には、各々レジスト液吐出ノ
ズルNと溶剤ノズルSとが組にして保持されていたが、
これに代えて各ノズルホルダ31〜34には、レジスト
液吐出ノズルNだけを保持させ、溶剤ノズルを共用タイ
プとして1本化し、スキャンアーム37aの所定位置に
設けるようにしてもよい。
As described above, the nozzle holder 31 holding the resist solution discharge nozzle N1 and the solvent nozzle S1 as a set is taken out of the holding mechanism 13b by the scan arm 37a of the scan mechanism 37, and is placed on the wafer W Moved to the position. The scan arm 37a is configured to be capable of three-dimensional movement, that is, movement in the X, Y, and Z directions. In the present embodiment,
In each of the nozzle holders 31 to 34, a resist liquid discharge nozzle N and a solvent nozzle S were held as a set.
Instead of this, each of the nozzle holders 31 to 34 may hold only the resist liquid discharge nozzle N, and may use a single solvent nozzle as a common type, and may be provided at a predetermined position of the scan arm 37a.

【0028】そして保持機構13bと、処理容器21と
の間の模擬吐出位置には、塗布液受容装置となるレジス
ト液受容装置51が設けられている。このレジスト液受
容装置51は、上端が開口したパイプ状の形態を有して
おり、その下端部には、レジスト液を測定するためにサ
ンプルを得るためのプローブ51aが設けられており、
このプローブ51aは、不純物測定装置としてのパーテ
ィクルカウンタ52が接続されている。このパーティク
ルカウンタ52は、例えばレーザ光を用いるなどして、
レジスト液中のパーティクルの数を測定する構成を有し
ている。なおプローブ51aに貯留されたレジスト液等
は、配管53を通じてドレインタンク25からの排液と
一緒に排出されるようになっている。
At a simulated discharge position between the holding mechanism 13b and the processing container 21, a resist liquid receiving device 51 serving as a coating liquid receiving device is provided. The resist liquid receiving device 51 has a pipe-like shape with an open upper end, and a probe 51a for obtaining a sample for measuring the resist liquid is provided at the lower end thereof,
The probe 51a is connected to a particle counter 52 as an impurity measuring device. The particle counter 52 uses, for example, a laser beam,
It has a configuration for measuring the number of particles in the resist solution. The resist solution and the like stored in the probe 51a are discharged through the pipe 53 together with the drainage from the drain tank 25.

【0029】第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置13の主要部は、以上のような構成を有しており、処
理容器21内のスピンチャック22にウエハWが載置さ
れると、真空によって吸着保持される。次いで例えばス
ピンチャック22が回転を開始すると共に、所定のレジ
スト液を供給するためのレジスト液吐出ノズルNxを選
択し、当該レジスト液吐出ノズルNxを有しているノズ
ルホルダをスキャンアーム37aが取りにいく。例えば
レジスト液吐出ノズルN1が選択されると、スキャンア
ーム37aは、ノズルホルダ31を取りにいく。そして
通常は、ウエハW上の所定の吐出位置に移動し、最初に
溶剤ノズルS1から溶剤を吐出させ、これを拡散した
後、次に所定のレジスト液がレジスト液吐出ノズルN1
から吐出されるのである。
The main part of the resist liquid coating apparatus 13 according to the first embodiment has the above-described configuration. When the wafer W is placed on the spin chuck 22 in the processing vessel 21, a vacuum is applied. Is held by suction. Next, for example, the spin chuck 22 starts rotating, and at the same time, selects the resist solution discharge nozzle Nx for supplying a predetermined resist solution, and the scan arm 37a takes the nozzle holder having the resist solution discharge nozzle Nx. Go. For example, when the resist liquid discharge nozzle N1 is selected, the scan arm 37a goes to take the nozzle holder 31. Then, usually, the wafer is moved to a predetermined discharge position on the wafer W, first discharges the solvent from the solvent nozzle S1 and diffuses the solvent.
It is discharged from.

【0030】しかしながら、第1の実施形態にかかるレ
ジスト液塗布装置13においては、例えば次のようなプ
ロセスを行うことが可能である。例えばウエハWをスピ
ンチャック22上に載置させる前の段階にて、まず選択
されたレジスト液吐出ノズルNx、例えばレジスト液吐
出ノズルN1を有しているノズルホルダ31をスキャン
アーム37aが取りにいき、次いでレジスト液受容装置
51の上方で停止させる。その後このレジスト液吐出ノ
ズルN1から所定のレジスト液をレジスト液受容装置5
1に吐出させる。そして、パーティクルカウンタ52で
当該吐出されたレジスト液中のパーティクルを測定す
る。なお当該模擬吐出が終了し、測定に支障がなくなっ
た時点で、次回の測定に悪影響がないように、今度は溶
剤ノズルS1から溶剤をレジスト液受容装置51に吐出
させ、レジスト液が付着している部分を洗浄する。
However, in the resist liquid coating apparatus 13 according to the first embodiment, for example, the following process can be performed. For example, before the wafer W is placed on the spin chuck 22, the scan arm 37a first picks up the selected resist solution discharge nozzle Nx, for example, the nozzle holder 31 having the resist solution discharge nozzle N1. Then, it is stopped above the resist liquid receiving device 51. Thereafter, a predetermined resist solution is supplied from the resist solution discharge nozzle N1 to the resist solution receiving device 5.
1 is discharged. Then, the particles in the discharged resist liquid are measured by the particle counter 52. When the simulated discharge is completed and the measurement is no longer troublesome, the solvent is discharged from the solvent nozzle S1 to the resist liquid receiving device 51 this time so that the next measurement is not adversely affected, so that the resist liquid adheres. Wash the part that is.

【0031】前記測定の結果、パーティクルの量が予め
定めた基準値よりも少ない場合には、前記した通常の動
作にそのまま入る。即ちウエハWを載置させて、所定の
吐出処理を行う。もし測定の結果、パーティクルの量が
予め定めた基準値よりも多い場合には、そのことを警告
信号などの報知機構によって外部に知らせ、ノズルホル
ダ31を保持機構13bに戻し、以後動作を続行しな
い。例えば何らかの対策、手当がなされるまで、通常の
動作を実行しない。
As a result of the measurement, if the amount of the particles is smaller than a predetermined reference value, the above-described normal operation is started. That is, a predetermined discharge process is performed with the wafer W placed thereon. If the result of the measurement indicates that the amount of particles is larger than a predetermined reference value, this is notified to the outside by a warning mechanism such as a warning signal, the nozzle holder 31 is returned to the holding mechanism 13b, and the operation is not continued thereafter. . For example, a normal operation is not performed until some countermeasure or allowance is made.

【0032】この場合、あるいは、同一のレジスト液を
供給できるレジスト液吐出ノズルが他のノズルホルダ3
2〜34が保有しているとき、例えばノズルホルダ32
が保有しているレジスト液吐出ノズルN2から同一のレ
ジスト液を吐出できるときには、前記警告信号を発する
と共に、ノズルホルダ31を保持機構13bに戻した
後、スキャンアーム37aが、レジスト液吐出ノズルN
2を保有しているノズルホルダ32をとりにいき、再び
レジスト液受容装置51に吐出させ、同様な測定を実施
する。これによって以後の塗布処理を実行するか、どう
かが選択される。その間、作業員は、測定結果のパーテ
ィクル量が基準値よりも多かった、前記レジスト液吐出
ノズルN1の供給系の保守等を行えばよい。したがっ
て、装置自体を停止させることなく、レジスト液塗布処
理を続行できる。なお以上のようなプロセスは、全て制
御機構(図示せず)によって自動的になされる。
In this case, or alternatively, a resist solution discharge nozzle capable of supplying the same resist solution is provided in another nozzle holder 3.
2 to 34, for example, the nozzle holder 32
When the same resist liquid can be discharged from the resist liquid discharge nozzle N2 held by the printer, the warning signal is issued and the nozzle arm 31 is returned to the holding mechanism 13b.
The nozzle holder 32 holding 2 is taken out, discharged again to the resist liquid receiving device 51, and the same measurement is performed. Thus, whether or not to perform the subsequent coating process is selected. In the meantime, the worker may perform maintenance or the like of the supply system of the resist liquid discharge nozzle N1 in which the measured particle amount is larger than the reference value. Therefore, the resist liquid application processing can be continued without stopping the apparatus itself. The above processes are all automatically performed by a control mechanism (not shown).

【0033】前記したレジスト液をいわば模擬的に吐出
させて、そのレジスト液中のパーティクルを測定するま
でに時間がかかるような場合には、例えば所定の塗布回
数を経過した後、所定量のレジスト液を塗布した後、あ
るいは、所定の日数、時間が経過した後、定期的に実行
すればよい。
In the case where it takes a long time to discharge the above-described resist solution in a simulated manner and to measure particles in the resist solution, for example, after a predetermined number of application times, a predetermined amount of resist is applied. It may be executed periodically after the application of the liquid or after a predetermined number of days and time has elapsed.

【0034】以上のプロセスからもわかるように、第1
の実施形態にかかるレジスト液塗布装置13によれば、
塗布しようとするレジスト液中のパーティクルなどの不
純物を事前に調べることができ、レジスト液不良による
不測の事態を未然に防止することができる。
As can be seen from the above process, the first
According to the resist liquid application apparatus 13 according to the embodiment,
Impurities such as particles in the resist solution to be applied can be checked in advance, and an unexpected situation due to a defective resist solution can be prevented.

【0035】しかも模擬吐出させるためのレジスト液受
容装置51は、ウエハWとは離れた位置で処理容器21
の外部に配置されているので、模擬吐出によってスピン
チャック22等が汚染されることはない。かかる点に鑑
みれば、レジスト液受容装置51は、処理容器21の少
なくとも上面より下方に位置に設定すればなお好まし
い。またさらに、保持機構13b自体に、レジスト液受
容装置51のような機構を付設しておけば、さらにスペ
ースを縮小でき、処理容器21やスピンチャック22に
与える影響をより一層抑えることかできる。
Further, the resist liquid receiving device 51 for simulated discharge is provided at a position away from the wafer W in the processing container 21.
, The simulated ejection does not contaminate the spin chuck 22 and the like. In view of this point, it is more preferable that the resist liquid receiving device 51 be set at a position below at least the upper surface of the processing container 21. Further, if a mechanism such as the resist liquid receiving device 51 is provided in the holding mechanism 13b itself, the space can be further reduced, and the influence on the processing container 21 and the spin chuck 22 can be further suppressed.

【0036】そのように保持機構13b自体に、レジス
ト液受容装置51のような機構を付設した場合、スキャ
ンアーム37aによる取り出し→模擬吐出位置への移動
といった動作は不要であるから、例えば特定のノズルホ
ルダが使用されている間に、使用されていない他のノズ
ルホルダに保有されているレジスト液吐出ノズルのレジ
スト液を吐出させて、測定するようにしてもよい。例え
ば何枚かのウエハの塗布処理が終了した後に使用が予定
されているレジスト液吐出ノズルからのレジスト液の模
擬吐出とその測定を実施しておけば、不純物の測定を行
いつつ間断なくレジスト塗布処理が行える。もちろん前
記実施形態にかかるレジスト液塗布装置13のように、
保持機構13bから離れた位置にレジスト液受容装置5
1が設置してあった場合でも、スキャンアーム37aの
動作に時間的余裕があれば、使用していないレジスト液
吐出ノズルを保有しているノズルホルダをレジスト液受
容装置51の位置に移動させて、適宜測定を行ってもよ
い。
In the case where a mechanism such as the resist liquid receiving device 51 is attached to the holding mechanism 13b itself, the operation of taking out by the scan arm 37a and moving to the simulated discharge position is unnecessary. While the holder is being used, the measurement may be performed by discharging the resist liquid from the resist liquid discharge nozzle held by another nozzle holder that is not being used. For example, if the simulated discharge of the resist liquid from the resist liquid discharge nozzle that is scheduled to be used after the application processing of several wafers is completed and the measurement is performed, the resist coating is performed without interruption while measuring the impurities. Processing can be performed. Needless to say, like the resist liquid application device 13 according to the embodiment,
The resist liquid receiving device 5 is located at a position away from the holding mechanism 13b.
Even if 1 is installed, if there is sufficient time for the operation of the scan arm 37a, the nozzle holder holding the unused resist solution discharge nozzle is moved to the position of the resist solution receiving device 51. The measurement may be appropriately performed.

【0037】またレジスト液受容装置51の清浄状態を
保って次回の測定に影響がないことをさらに向上させる
ため、レジスト液受容装置51の開口部を開閉自在とし
たり、さらに、レジスト液受容装置51自体に溶剤等を
内部に吐出させるための自己洗浄機構をレジスト液受容
装置51に付設してもよい。なおプローブ51aの排液
のドレインタンク25への排出を良好にするため、配管
53に適宜ポンプを介装してもよい。
In order to keep the resist liquid receiving device 51 clean so as not to affect the next measurement, the opening of the resist liquid receiving device 51 can be opened and closed. The resist liquid receiving device 51 may be provided with a self-cleaning mechanism for discharging a solvent or the like into the resist liquid receiving device 51 itself. Note that a pump may be appropriately provided in the pipe 53 in order to improve the drainage of the probe 51a to the drain tank 25.

【0038】前記第1の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置13は、装置内にレジスト液受容装置51を設け
ると共に、模擬吐出させてレジスト液中の不純物を測定
する構成を採っていたが、図4〜図6に示した第2の実
施形態にかかるレジスト液塗布装置61のように、いわ
ばインライン方式でレジスト液中の不純物を測定するよ
うにしてもよい。なお図4〜図6中、第1の実施形態に
かかるレジスト液塗布装置13と同一の符号で示される
部材は、同一の部材を示している。
The resist liquid coating apparatus 13 according to the first embodiment has a structure in which a resist liquid receiving apparatus 51 is provided in the apparatus and a simulated discharge is performed to measure impurities in the resist liquid. As in the resist liquid application apparatus 61 according to the second embodiment shown in FIGS. 4 to 6, the impurities in the resist liquid may be measured by an in-line method. 4 to 6, members denoted by the same reference numerals as those of the resist liquid coating apparatus 13 according to the first embodiment indicate the same members.

【0039】この第2の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置61は、各ノズルホルダ31〜34におけるレジ
スト液吐出ノズルN1〜N4へのレジスト液供給系が異な
っている点、並びにレジスト液受容装置51がない点
が、前記第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装置1
3と異なっている。したがって、これら以外の構成で、
第1の実施形態にかかるレジスト液塗布装置13におい
て言及した点は、全てこの第2の実施形態にかかるレジ
スト液塗布装置61においても充当する。
The resist liquid application apparatus 61 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that the resist liquid supply systems to the resist liquid discharge nozzles N1 to N4 in the nozzle holders 31 to 34 are different. Is that the resist liquid coating apparatus 1 according to the first embodiment
3 and different. Therefore, in other configurations,
All the points mentioned in the resist liquid application device 13 according to the first embodiment apply to the resist liquid application device 61 according to the second embodiment.

【0040】この第2の実施形態にかかるレジスト液塗
布装置61の各ノズルホルダ31〜34におけるレジス
ト液吐出ノズルN1〜N4へのレジスト液供給系は、図
4、図6に示したような系統となっている。即ち、例え
ばノズルホルダ31に保有されているレジスト液吐出ノ
ズルN1には、レジスト液供給源R1からのレジスト液
が、供給機構43によってレジスト液供給チューブ62
を通じフィルタ42を介して供給されるようになってい
るが、レジスト液供給チューブ62におけるフィルタ4
2とレジスト液吐出ノズルN1との間に、供給経路を切
り替えるための切替装置として、例えば三方弁V1を介
装してある。そしてこの三方弁V1から分岐した分岐チ
ューブ62aにプローブ63を接続し、このプローブ6
4にパーティクルカウンタ52を接続したものである。
なおプローブ64の液体は、ドレインタンク25あるい
は、ドレインタンク25からの排液と一緒に排出される
ようになっている。この場合、プローブ63からの排液
を円滑に行うため、別途専用の排液ポンプを設けてもよ
い。
The resist liquid supply system to the resist liquid discharge nozzles N1 to N4 in each of the nozzle holders 31 to 34 of the resist liquid coating apparatus 61 according to the second embodiment has a system as shown in FIGS. It has become. That is, for example, the resist liquid from the resist liquid supply source R1 is supplied to the resist liquid discharge nozzle N1 held by the nozzle holder 31 by the supply mechanism 43.
Is supplied through a filter 42 through the filter 42.
For example, a three-way valve V1 is interposed between the nozzle 2 and the resist solution discharge nozzle N1 as a switching device for switching the supply path. Then, a probe 63 is connected to a branch tube 62a branched from the three-way valve V1.
4, a particle counter 52 is connected.
The liquid of the probe 64 is discharged together with the drain tank 25 or the drain liquid from the drain tank 25. In this case, a dedicated drain pump may be separately provided to smoothly drain the probe 63.

【0041】他のレジスト液吐出ノズルN2〜N4につい
ても、図6に示したように、同様にして各々対応するレ
ジスト液供給チューブ64、65、66に、夫々三方弁
V2、V3、V4を介装させて、分岐チューブ64a、6
5a、66aを接続し、さらに各分岐チューブ64a、
65a、66aを前記プローブ63に接続してある。し
たがってこれら分岐チューブ62a、64a、65a、
66aは、プローブ63に対しては、並列に接続されて
いる。
As shown in FIG. 6, the other resist solution discharge nozzles N2 to N4 are similarly connected to the corresponding resist solution supply tubes 64, 65 and 66 via the three-way valves V2, V3 and V4, respectively. And the branch tubes 64a, 6
5a, 66a, and further, each branch tube 64a,
65a and 66a are connected to the probe 63. Therefore, these branch tubes 62a, 64a, 65a,
66a is connected to the probe 63 in parallel.

【0042】そして前記並列接続されている各分岐チュ
ーブ62a、64a、65a、66aに、洗浄チューブ
67の一端部が接続され、この洗浄チューブ67の他端
は、ポンプ68を介して、洗浄液、例えばレジスト液の
溶剤を供給するタンクなどの供給源T0に接続されてい
る。したがってこのポンプ68を作動させると、供給源
T0からの溶剤が、洗浄チューブ67を経て、各分岐チ
ューブ62a、64a、65a、66a及びプローブ6
3を洗浄できるようになっている。
One end of a washing tube 67 is connected to each of the branch tubes 62a, 64a, 65a, 66a connected in parallel, and the other end of the washing tube 67 is connected to a washing liquid, for example, a pump 68 by a pump 68. It is connected to a supply source T0 such as a tank for supplying a solvent for the resist solution. Therefore, when the pump 68 is operated, the solvent from the supply source T0 is supplied to the respective branch tubes 62a, 64a, 65a, 66a and the probe 6 via the washing tube 67.
3 can be washed.

【0043】なお溶剤の供給系統を単純化するため、前
出各ノズルホルダ31〜34の溶剤ノズルS1〜S4に供
給する溶剤供給源Tと供給源T0とを同一のものとして
共用タイプとしてもよい。
In order to simplify the solvent supply system, the solvent supply source T and the supply source T0 for supplying the solvent nozzles S1 to S4 of the nozzle holders 31 to 34 may be of the same type and may be of a common type. .

【0044】第2の実施形態にかかるレジスト液塗布装
置61の以上のような構成を有している。したがって、
三方弁V1〜V4を切り替えるだけで、レジスト液吐出ノ
ズルN1〜N4から吐出させるレジスト液を、対応する分
岐チューブ62a、64a、65a、66aを通じて得
ることができ、レジスト液吐出ノズルN1〜N4から実際
に吐出させることなく、パーティクルカウンタ52で不
純物の測定を実施できる。したがって、塗布しようとす
るレジスト液中のパーティクルなどの不純物を事前に調
べることができ、レジスト液不良による不測の事態を未
然に防止することができる。
The configuration of the resist liquid coating apparatus 61 according to the second embodiment is as described above. Therefore,
By simply switching the three-way valves V1 to V4, the resist liquid to be discharged from the resist liquid discharge nozzles N1 to N4 can be obtained through the corresponding branch tubes 62a, 64a, 65a, 66a. The impurity can be measured by the particle counter 52 without discharging the impurities. Therefore, impurities such as particles in the resist solution to be applied can be checked in advance, and an unexpected situation due to a defective resist solution can be prevented.

【0045】測定手順としては、例えばレジスト液吐出
ノズルN1〜N4から所定のレジスト液吐出ノズルNxが
選択された時点で、当該レジスト液吐出ノズルNxの供
給系の三方弁Vxを分岐チューブ側、即ちパーティクル
カウンタ52側へと切り替えて、レジスト液を供給す
る。その結果、不純物が所定の基準をクリアしていれ
ば、通常の塗布処理動作を実施する。基準をクリアして
いなければ、前記第1の実施形態にかかるレジスト塗布
装置13の場合と、同様な手順を踏襲すればよい。なお
この場合も、一連のプロセスは全て制御機構(図示せ
ず)によって自動的になされる。
As a measurement procedure, for example, when a predetermined resist solution discharge nozzle Nx is selected from the resist solution discharge nozzles N1 to N4, the three-way valve Vx of the supply system of the resist solution discharge nozzle Nx is connected to the branch tube side, that is, The resist solution is supplied by switching to the particle counter 52 side. As a result, if the impurities satisfy a predetermined standard, a normal coating operation is performed. If the standard has not been cleared, the same procedure as in the case of the resist coating apparatus 13 according to the first embodiment may be followed. Also in this case, a series of processes are all automatically performed by a control mechanism (not shown).

【0046】このように第2の実施形態にかかるレジス
ト液塗布装置61によれば、レジスト液吐出ノズルN1
〜N4から実際にレジスト液を吐出させる必要はないの
で、処理容器21内を汚染することは全くない。しかも
レジスト液受容装置51のような装置を、レジスト液塗
布装置61内に設ける必要もない。
As described above, according to the resist liquid application apparatus 61 according to the second embodiment, the resist liquid discharge nozzle N1
Since it is not necessary to actually discharge the resist solution from N4, the inside of the processing container 21 is not contaminated at all. Moreover, it is not necessary to provide a device such as the resist liquid receiving device 51 in the resist liquid coating device 61.

【0047】そして前記測定に支障がなくなった時点
で、三方弁Vxを再びレジスト液吐出ノズルNx側へと切
り替え、その後洗浄チューブ67から供給される溶剤
で、分岐チューブ内を洗浄すれば、次回の測定に影響は
ない。また密閉系のインライン系統を使用して測定でき
るから、分岐チューブ62a、64a、65a、66a
系統の乾燥固化に腐心する必要もない。
Then, when the above-mentioned measurement is not hindered, the three-way valve Vx is switched again to the resist solution discharge nozzle Nx side, and then the inside of the branch tube is washed with the solvent supplied from the washing tube 67, so that the next time, There is no effect on the measurement. In addition, since measurement can be performed using a closed inline system, the branch tubes 62a, 64a, 65a, 66a
There is no need to worry about drying and solidifying the line.

【0048】測定タイミングについては、前記第1の実
施形態にかかるレジスト液塗布装置13の場合と同様で
あり、適宜所定の塗布回数を経過した後、所定の量のレ
ジスト液を供給した後、あるいは、所定の日数、時間が
経過した後、定期的に実行することが可能である。もち
ろんスキャンアーム37aの動作にかかわらず、測定が
行えるので、ある特定のレジスト液吐出ノズルNyを使
って塗布処理中に、他の、使用していないレジスト液吐
出ノズルNzへ供給するレジスト液の測定を並行して行
うことも可能である。
The measurement timing is the same as in the case of the resist liquid coating device 13 according to the first embodiment. After a predetermined number of times of application, a predetermined amount of resist liquid is supplied, or It can be executed periodically after a predetermined number of days and time has elapsed. Of course, the measurement can be performed irrespective of the operation of the scan arm 37a. Therefore, the measurement of the resist liquid to be supplied to the other unused resist liquid discharge nozzles Nz during the coating process using a specific resist liquid discharge nozzle Ny Can be performed in parallel.

【0049】なお前記した各実施の形態は、レジスト液
塗布装置として具体化されていたが、本発明は、これに
限らず他の塗布装置に対しても適用可能である。また被
処理基板自体もウエハに限らず、例えばLCD用ガラス
基板であってもよい。
Although each of the above-described embodiments has been embodied as a resist liquid coating apparatus, the present invention is not limited to this and can be applied to other coating apparatuses. The substrate to be processed is not limited to a wafer, but may be a glass substrate for LCD, for example.

【0050】[0050]

【発明の効果】請求項1、2の塗布方法によれば、パー
ティクル等の不純物が塗布液に混入していても事前にそ
のことを知ることができ、歩留まりの向上を図ることが
できる。特に請求項2の塗布方法は、吐出部材が複数あ
る場合に対応でき、基準値よりも多くの不純物が測定さ
れれば、選択した特定吐出部材が所定位置に移動するこ
とはないので、かかる塗布液が誤って被処理基板に吐出
されることもない。
According to the coating method of the first and second aspects, even if impurities such as particles are mixed in the coating liquid, it is possible to know the fact in advance, and the yield can be improved. In particular, the coating method according to claim 2 can cope with a case where there are a plurality of discharge members, and if more impurities than the reference value are measured, the selected specific discharge member does not move to a predetermined position. The liquid is not erroneously discharged to the substrate to be processed.

【0051】請求項3、4の塗布装置によれば、請求項
1の塗布方法を好適に実施することができ、パーティク
ル等の不純物が塗布液に混入していても事前にそのこと
を知ることが可能で、歩留まりの向上を図ることができ
る。特に請求項4の塗布装置によれば、常に精度よく不
純物の測定が行える。
According to the coating apparatus of the third and fourth aspects, the coating method of the first aspect can be preferably implemented, and even if impurities such as particles are mixed in the coating liquid, it is known in advance. And the yield can be improved. In particular, according to the coating apparatus of the fourth aspect, the measurement of impurities can always be performed with high accuracy.

【0052】請求項5、6の塗布装置によれば、パーテ
ィクル等の不純物が塗布液に混入していても、模擬吐出
させることなく、事前にそのことを知ることができ、歩
留まりの向上を図ることができる。しかも塗布液受容装
置は不要である。さらに特に請求項6の塗布装置では、
切替装置から不純物測定装置に至るまでの塗布液の流通
経路を洗浄することができるので、常に精度の良好な不
純物の測定が実施できる。
According to the coating apparatus of the fifth and sixth aspects, even if impurities such as particles are mixed in the coating liquid, the fact can be known in advance without performing a simulated discharge, thereby improving the yield. be able to. Moreover, a coating liquid receiving device is not required. More particularly, in the coating apparatus of claim 6,
Since the flow path of the coating liquid from the switching device to the impurity measuring device can be washed, accurate measurement of impurities can always be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかるレジスト液
塗布装置を組み込んだ塗布現像処理システムの概観を示
す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a coating and developing system incorporating a resist liquid coating apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の構成の概略を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view schematically showing a configuration of a resist liquid coating apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の平面からみた説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the resist liquid coating apparatus according to the first embodiment as viewed from above.

【図4】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の構成の概略を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view schematically showing a configuration of a resist liquid coating apparatus according to a second embodiment.

【図5】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
の平面からみた説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view of a resist liquid coating apparatus according to a second embodiment as viewed from the top.

【図6】第2の実施の形態にかかるレジスト液塗布装置
におるレジスト液吐出ノズルの供給系統を示す説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a supply system of a resist liquid discharge nozzle in a resist liquid coating apparatus according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13 レジスト液塗布装置 13a ケーシング 13b 保持機構 21 処理容器 22 スピンチャック 23 駆動機構 31、32、33、34 ノズルホルダ 37 スキャン機構 37a スキャンアーム 41 レジスト液供給チューブ 42 フィルタ 43 供給機構 45 溶剤供給チューブ 51 レジスト液受容装置 52 パーティクルカウンタ 62、64、65、66 レジスト液供給チューブ 67 洗浄チューブ N1〜N4 レジスト液吐出ノズル R1〜R4 レジスト液供給源 S1〜S4 溶剤ノズル T 溶剤供給源 T0 供給源 V1〜V4 三方弁 W ウエハ Reference Signs List 13 resist liquid coating device 13a casing 13b holding mechanism 21 processing container 22 spin chuck 23 drive mechanism 31, 32, 33, 34 nozzle holder 37 scan mechanism 37a scan arm 41 resist liquid supply tube 42 filter 43 supply mechanism 45 solvent supply tube 51 resist Liquid receiving device 52 Particle counter 62, 64, 65, 66 Resist liquid supply tube 67 Cleaning tube N1 to N4 Resist liquid discharge nozzle R1 to R4 Resist liquid supply source S1 to S4 Solvent nozzle T Solvent supply source T0 supply source V1 to V4 Three-way Valve W Wafer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 容器内の回転載置台に保持された被処理
基板に対して、所定の吐出位置において吐出部材から塗
布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
る方法であって、前記所定の吐出位置で吐出する前に、
この吐出位置とは異なった位置にある模擬吐出位置で塗
布液を吐出する工程と、前記模擬吐出位置で吐出された
塗布液中の不純物を測定する工程とを有することを特徴
とする、塗布方法。
1. A method for forming a predetermined coating film on a substrate to be processed by discharging a coating liquid from a discharge member at a predetermined discharge position to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container. Before discharging at the predetermined discharging position,
A coating method comprising the steps of: discharging a coating liquid at a simulated discharge position different from the discharge position; and measuring impurities in the coating liquid discharged at the simulated discharge position. .
【請求項2】 容器内の回転載置台に保持された被処理
基板に対して、複数の吐出部材から選択された特定吐出
部材を用い、所定の吐出位置において該特定吐出部材か
ら塗布液を吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形
成する方法であって、前記複数の吐出部材から特定吐出
部材を選択する工程と、前記所定の吐出位置とは異なっ
た位置にある模擬吐出位置で、前記選択された特定吐出
部材から塗布液を吐出させる工程と、前記模擬吐出位置
で吐出された塗布液中の不純物を測定する工程とを有
し、前記測定の結果、不純物が予め定めた基準値よりも
少ない場合のみ、前記特定吐出部材を所定の吐出位置に
移動させて塗布液を吐出させることを特徴とする、塗布
方法。
2. A coating liquid is discharged from a specific discharge member at a predetermined discharge position using a specific discharge member selected from a plurality of discharge members to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container. And a method of forming a predetermined coating film on the substrate to be processed, wherein a step of selecting a specific discharge member from the plurality of discharge members, and a simulated discharge position at a position different from the predetermined discharge position A step of discharging the coating liquid from the selected specific discharging member, and a step of measuring impurities in the coating liquid discharged at the simulated discharge position, and as a result of the measurement, the impurities are predetermined. An application method, wherein the application liquid is ejected by moving the specific ejection member to a predetermined ejection position only when the amount is smaller than a reference value.
【請求項3】 容器内の回転載置台に保持された被処理
基板に対して、所定の吐出位置において塗布液を吐出部
材から吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
る装置であって、前記所定の吐出位置とは異なった位置
に設けられ、吐出部材から塗布された塗布液を受容する
塗布液受容装置と、前記塗布液受容装置に吐出された塗
布液中の不純物を測定する不純物測定装置とを備えたこ
とを特徴とする、塗布装置。
3. An apparatus for discharging a coating liquid from a discharge member at a predetermined discharge position to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container to form a predetermined coating film on the substrate to be processed. A coating liquid receiving device that is provided at a position different from the predetermined discharging position and receives a coating liquid applied from a discharging member, and removes impurities in the coating liquid discharged to the coating liquid receiving device. An application device, comprising: an impurity measuring device for measuring.
【請求項4】 塗布液受容装置における少なくとも受容
部分から不純物測定装置に至るまでの塗布液の経路を洗
浄する洗浄機構を備えたことを特徴とする、請求項3に
記載の塗布装置。
4. The coating apparatus according to claim 3, further comprising a cleaning mechanism for cleaning a path of the coating liquid from at least a receiving portion of the coating liquid receiving apparatus to the impurity measuring device.
【請求項5】 容器内の回転載置台に保持された被処理
基板に対して、所定の吐出位置において塗布液を吐出部
材から吐出して、該被処理基板に所定の塗布膜を形成す
る装置であって、塗布液中の不純物を測定する不純物測
定装置を有し、塗布液供給源から吐出部材の吐出口まで
の供給系に、該吐出口側又は前記不純物測定装置側へと
経路を切り替え自在な切替装置を設けたことを特徴とす
る、塗布装置。
5. An apparatus for discharging a coating liquid from a discharge member at a predetermined discharge position to a substrate to be processed held on a rotary mounting table in a container to form a predetermined coating film on the substrate to be processed. Has an impurity measuring device for measuring impurities in the coating liquid, and switches a path from the coating liquid supply source to a supply system from the discharge port of the discharge member to the discharge port side or the impurity measuring device side. A coating device, wherein a free switching device is provided.
【請求項6】 前記切替装置から不純物測定装置に至る
までの塗布液の経路を洗浄する洗浄機構を備えたことを
特徴とする、請求項5に記載の塗布装置。
6. The coating apparatus according to claim 5, further comprising a cleaning mechanism for cleaning a path of the coating liquid from the switching device to the impurity measuring device.
JP25231796A 1996-09-03 1996-09-03 Method and apparatus for coating Pending JPH1076213A (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25231796A JPH1076213A (en) 1996-09-03 1996-09-03 Method and apparatus for coating
US08/915,737 US5938847A (en) 1996-09-03 1997-08-21 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
TW086112237A TW388067B (en) 1996-09-03 1997-08-26 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
SG1999000947A SG75156A1 (en) 1996-09-03 1997-08-27 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
SG1997003055A SG53052A1 (en) 1996-09-03 1997-08-27 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
KR1019970045568A KR100489594B1 (en) 1996-09-03 1997-09-02 Method and apparatus for coating a film on an object being processed
US09/299,573 US6268013B1 (en) 1996-09-03 1999-04-27 Coating a resist film, with pretesting for particle contamination

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JP (1) JPH1076213A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014036198A (en) * 2012-08-10 2014-02-24 Toshiba Corp Coating applicator and application method
JP2018182267A (en) * 2017-04-21 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 Processing liquid supply device

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Effective date: 20030311