JPH1068949A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH1068949A JPH1068949A JP24401296A JP24401296A JPH1068949A JP H1068949 A JPH1068949 A JP H1068949A JP 24401296 A JP24401296 A JP 24401296A JP 24401296 A JP24401296 A JP 24401296A JP H1068949 A JPH1068949 A JP H1068949A
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- Japan
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- liquid crystal
- alignment film
- crystal display
- alignment
- tilt
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チルト規制力に差のある上下基板の各配向膜
を同一の材料で形成できるようにする。 【解決手段】 配向膜材料１７は、溶剤で希釈されたポ
リイミドであるが、チルト規制力の焼成温度依存性の大
きいものからなっている。そして、焼成部１３におい
て、温度１７０℃〜１９０℃程度で３０分程度焼成した
場合には、１．５°程度のチルト角が得られる配向膜１
８が形成される。温度２５０〜３００℃程度で３０分程
度焼成した場合には、２．５°程度のチルト角が得られ
る配向膜１８が形成される。したがって、同一の配向膜
形成ラインを使用し、焼成温度を異ならせるだけで、チ
ルト規制力に差のある上下の配向膜を容易に形成するこ
とができる。
を同一の材料で形成できるようにする。 【解決手段】 配向膜材料１７は、溶剤で希釈されたポ
リイミドであるが、チルト規制力の焼成温度依存性の大
きいものからなっている。そして、焼成部１３におい
て、温度１７０℃〜１９０℃程度で３０分程度焼成した
場合には、１．５°程度のチルト角が得られる配向膜１
８が形成される。温度２５０〜３００℃程度で３０分程
度焼成した場合には、２．５°程度のチルト角が得られ
る配向膜１８が形成される。したがって、同一の配向膜
形成ラインを使用し、焼成温度を異ならせるだけで、チ
ルト規制力に差のある上下の配向膜を容易に形成するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子には、スプレイ配向ＴＮ(t
wisted nematic)型のものがある。図２は従来のこのよ
うな液晶表示素子の概略構成を示したものである。この
スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示素子は、基本的な構成は
通常のＴＮ型のものと同じであって、相対向する面にそ
れぞれ配向膜１、２が設けられた２枚のガラスや樹脂等
からなる透明基板３、４がシール材５を介して貼り合わ
され、シール材５の内側における両透明基板３、４間に
液晶６が封入され、両透明基板３、４の各表面に偏光板
７、８が貼り付けられた構造となっている。
wisted nematic)型のものがある。図２は従来のこのよ
うな液晶表示素子の概略構成を示したものである。この
スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示素子は、基本的な構成は
通常のＴＮ型のものと同じであって、相対向する面にそ
れぞれ配向膜１、２が設けられた２枚のガラスや樹脂等
からなる透明基板３、４がシール材５を介して貼り合わ
され、シール材５の内側における両透明基板３、４間に
液晶６が封入され、両透明基板３、４の各表面に偏光板
７、８が貼り付けられた構造となっている。
【０００３】ところで、スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示
素子では、液晶分子の配向状態が局部的に異なるディス
クリネーションの発生を防止するために、上下の配向膜
１、２近傍の液晶分子の膜表面に対する傾斜角度（チル
ト角）を規制する力（以下、チルト規制力という）に差
を持たせている。そして、上配向膜１のチルト規制力が
下配向膜２のチルト規制力よりも小さい場合には、図３
（Ａ）に示すように、上面側から見て、上偏光板７の吸
収軸が１３５°、上配向膜１のラビング方向が２２５
°、下配向膜２のラビング方向が３１５°、下偏光板８
の吸収軸が１３５°となるようにしている。通常のＴＮ
型の液晶表示素子の場合には、図３（Ｂ）に示すよう
に、上面側から見て、上偏光板７の吸収軸が１３５°、
上配向膜１のラビング方向が４５°、下配向膜２のラビ
ング方向が３１５°、下偏光板８の吸収軸が１３５°と
なるようにしている。したがって、スプレイ配向ＴＮ型
の場合には、上配向膜１のラビング方向が通常のＴＮ型
のものと逆方向となり、上配向膜１近傍の液晶分子のチ
ルト方向が逆になっている。
素子では、液晶分子の配向状態が局部的に異なるディス
クリネーションの発生を防止するために、上下の配向膜
１、２近傍の液晶分子の膜表面に対する傾斜角度（チル
ト角）を規制する力（以下、チルト規制力という）に差
を持たせている。そして、上配向膜１のチルト規制力が
下配向膜２のチルト規制力よりも小さい場合には、図３
（Ａ）に示すように、上面側から見て、上偏光板７の吸
収軸が１３５°、上配向膜１のラビング方向が２２５
°、下配向膜２のラビング方向が３１５°、下偏光板８
の吸収軸が１３５°となるようにしている。通常のＴＮ
型の液晶表示素子の場合には、図３（Ｂ）に示すよう
に、上面側から見て、上偏光板７の吸収軸が１３５°、
上配向膜１のラビング方向が４５°、下配向膜２のラビ
ング方向が３１５°、下偏光板８の吸収軸が１３５°と
なるようにしている。したがって、スプレイ配向ＴＮ型
の場合には、上配向膜１のラビング方向が通常のＴＮ型
のものと逆方向となり、上配向膜１近傍の液晶分子のチ
ルト方向が逆になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示素子では、上下の配向膜
１、２のチルト規制力に差を持たせるため、上下の配向
膜１、２の材料として異なるものを用いている。このた
め、上下の配向膜１、２の形成条件が大きく異なり、上
下の配向膜１、２を同一の配向膜形成ラインで形成する
場合、形成条件を大きく変更することになるので、作業
性が悪く、ライン能力が低下するという問題があった。
この発明の課題は、それぞれのチルト規制力が互いに異
なる上下基板の各配向膜を同一の材料で形成できるよう
にすることである。
スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示素子では、上下の配向膜
１、２のチルト規制力に差を持たせるため、上下の配向
膜１、２の材料として異なるものを用いている。このた
め、上下の配向膜１、２の形成条件が大きく異なり、上
下の配向膜１、２を同一の配向膜形成ラインで形成する
場合、形成条件を大きく変更することになるので、作業
性が悪く、ライン能力が低下するという問題があった。
この発明の課題は、それぞれのチルト規制力が互いに異
なる上下基板の各配向膜を同一の材料で形成できるよう
にすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、相対向する
面にそれぞれ配向膜が設けられた２枚の透明基板を貼り
合わせてなる液晶表示素子の製造に際し、前記両透明基
板の各所定の面にチルト規制力の焼成温度依存性が大き
い同一の配向膜材料をそれぞれ塗布し、異なる温度での
焼成工程を経ることにより、前記両透明基板の各所定の
面にチルト規制力の異なる配向膜をそれぞれ形成するよ
うにしたものである。
面にそれぞれ配向膜が設けられた２枚の透明基板を貼り
合わせてなる液晶表示素子の製造に際し、前記両透明基
板の各所定の面にチルト規制力の焼成温度依存性が大き
い同一の配向膜材料をそれぞれ塗布し、異なる温度での
焼成工程を経ることにより、前記両透明基板の各所定の
面にチルト規制力の異なる配向膜をそれぞれ形成するよ
うにしたものである。
【０００６】この発明によれば、上下の配向膜の材料と
してチルト規制力の焼成温度依存性が大きい同一の材料
を用い、異なる温度で焼成することにより、互いにチル
ト規制力の異なる配向膜を上下基板に容易に形成するこ
とができる。
してチルト規制力の焼成温度依存性が大きい同一の材料
を用い、異なる温度で焼成することにより、互いにチル
ト規制力の異なる配向膜を上下基板に容易に形成するこ
とができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて説明するに、図１は配向膜形成ラインの概略構成を
示したものである。この配向膜形成ラインでは、供給部
１１、塗布部１２、焼成部１３、ラビング部１４及び取
出部１５がこの順で配列されている。供給部１１には複
数枚のガラス基板１６が収納されるようになっている。
この場合、供給部１１に収納されたガラス基板１６が透
明電極形成工程を経た後の上ガラス基板あるいは下ガラ
ス基板のいずれであっても、透明電極形成面を上側とさ
れて収納されている。
いて説明するに、図１は配向膜形成ラインの概略構成を
示したものである。この配向膜形成ラインでは、供給部
１１、塗布部１２、焼成部１３、ラビング部１４及び取
出部１５がこの順で配列されている。供給部１１には複
数枚のガラス基板１６が収納されるようになっている。
この場合、供給部１１に収納されたガラス基板１６が透
明電極形成工程を経た後の上ガラス基板あるいは下ガラ
ス基板のいずれであっても、透明電極形成面を上側とさ
れて収納されている。
【０００８】そして、供給部１１から１枚のガラス基板
１６が塗布部１２に供給されると、塗布部１２では、こ
の供給されたガラス基板１６の上面に配向膜材料１７を
印刷により塗布する。配向膜材料１７としては、例え
ば、ポリイミドのうちでもチルト規制力の焼成温度依存
性が大きいポリイミドを溶剤で希釈したものを好適に用
いることができる。配向膜材料１７を塗布されたガラス
基板１６は焼成部１３に送られる。焼成部１３では、複
数枚のガラス基板１６を一度に焼成するようになってい
る。
１６が塗布部１２に供給されると、塗布部１２では、こ
の供給されたガラス基板１６の上面に配向膜材料１７を
印刷により塗布する。配向膜材料１７としては、例え
ば、ポリイミドのうちでもチルト規制力の焼成温度依存
性が大きいポリイミドを溶剤で希釈したものを好適に用
いることができる。配向膜材料１７を塗布されたガラス
基板１６は焼成部１３に送られる。焼成部１３では、複
数枚のガラス基板１６を一度に焼成するようになってい
る。
【０００９】ここで、焼成部１３における焼成条件につ
いて説明する。温度１７０℃〜１９０℃程度で３０分程
度焼成した場合には、チルト角を１．５°程度に規制で
きる配向膜が形成される。温度２５０℃〜３００℃程度
で３０分程度焼成した場合には、チルト角を２．５°程
度に規制できる配向膜が形成される。したがって、ガラ
ス基板１６が上ガラス基板用のものである場合には、
１．５°程度のチルト角が得られる配向膜１８を形成
し、下ガラス基板用のものである場合には、２．５°程
度のチルト角が得られる配向膜１８を形成する。
いて説明する。温度１７０℃〜１９０℃程度で３０分程
度焼成した場合には、チルト角を１．５°程度に規制で
きる配向膜が形成される。温度２５０℃〜３００℃程度
で３０分程度焼成した場合には、チルト角を２．５°程
度に規制できる配向膜が形成される。したがって、ガラ
ス基板１６が上ガラス基板用のものである場合には、
１．５°程度のチルト角が得られる配向膜１８を形成
し、下ガラス基板用のものである場合には、２．５°程
度のチルト角が得られる配向膜１８を形成する。
【００１０】焼成後のガラス基板１６はラビング部１４
に送られる。ラビング部１４では、ガラス基板１６が上
ガラス基板用のものである場合には、図３（Ａ）に示す
上配向膜の場合と同様に、配向膜１８にラビング方向が
２２５°となるようにラビング処理が行われる。ガラス
基板１６が下ガラス基板用のものである場合には、図３
（Ａ）に示す下配向膜の場合と同様に、配向膜１８にラ
ビング方向が３１５°となるようにラビング処理が行わ
れる。ラビング処理後のガラス基板１６は取出部１５に
送られる。かくして、配向膜形成工程が終了することに
なる。
に送られる。ラビング部１４では、ガラス基板１６が上
ガラス基板用のものである場合には、図３（Ａ）に示す
上配向膜の場合と同様に、配向膜１８にラビング方向が
２２５°となるようにラビング処理が行われる。ガラス
基板１６が下ガラス基板用のものである場合には、図３
（Ａ）に示す下配向膜の場合と同様に、配向膜１８にラ
ビング方向が３１５°となるようにラビング処理が行わ
れる。ラビング処理後のガラス基板１６は取出部１５に
送られる。かくして、配向膜形成工程が終了することに
なる。
【００１１】以上のように、上下の配向膜の材料として
チルト規制力の焼成温度依存性が大きい同一の材料を用
い、異なる温度で焼成することにより、チルト規制力の
異なる配向膜を上下基板にそれぞれ形成することができ
る。したがって、同一の配向膜形成ラインを使用し、焼
成温度を異ならせるだけで、チルト規制力に差のある上
下の配向膜を作業性を低下させることなく能率良く形成
することができる。
チルト規制力の焼成温度依存性が大きい同一の材料を用
い、異なる温度で焼成することにより、チルト規制力の
異なる配向膜を上下基板にそれぞれ形成することができ
る。したがって、同一の配向膜形成ラインを使用し、焼
成温度を異ならせるだけで、チルト規制力に差のある上
下の配向膜を作業性を低下させることなく能率良く形成
することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、上下の配向膜の材料としてチルト規制力の焼成温度
依存性が大きい同一の材料を用い、異なる温度で焼成す
ることにより、チルト規制力の異なる配向膜を上下基板
にそれぞれ形成することができるので、チルト規制力に
差のある上下の配向膜を作業性を低下させずに能率良く
形成することができる。
ば、上下の配向膜の材料としてチルト規制力の焼成温度
依存性が大きい同一の材料を用い、異なる温度で焼成す
ることにより、チルト規制力の異なる配向膜を上下基板
にそれぞれ形成することができるので、チルト規制力に
差のある上下の配向膜を作業性を低下させずに能率良く
形成することができる。
【図１】この発明の一実施形態を説明するための配向膜
形成ラインの概略構成図。
形成ラインの概略構成図。
【図２】スプレイ配向ＴＮ型の液晶表示素子の概略構成
図。
図。
【図３】（Ａ）はスプレイ配向ＴＮ型の場合の配向膜の
ラビング方向等を説明するために示す図、（Ｂ）は通常
のＴＮ型の場合の配向膜のラビング方向等を説明するた
めに示す図。
ラビング方向等を説明するために示す図、（Ｂ）は通常
のＴＮ型の場合の配向膜のラビング方向等を説明するた
めに示す図。
１１ 供給部 １２ 塗布部 １３ 焼成部 １４ ラビング部 １５ 取出部 １６ ガラス基板 １７ 配向膜材料 １８ 配向膜
Claims (4)
- 【請求項１】 相対向する面にそれぞれ配向膜が設けら
れた２枚の透明基板を貼り合わせてなる液晶表示素子の
製造に際し、前記両透明基板の各所定の面にチルト規制
力の焼成温度依存性が大きい同一の配向膜材料をそれぞ
れ塗布し、異なる温度で焼成することにより、前記両透
明基板の各所定の面にチルト規制力の異なる配向膜をそ
れぞれ形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記配向
膜材料は溶剤で希釈されたポリイミドからなることを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の発明において、前記焼成
工程の温度は一方の透明基板に対して１７０℃〜１９０
℃程度であり、他方の透明基板に対して２５０℃〜３０
０℃程度であることを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記焼成工程後にスプレイ配向が得られるラビ
ング処理を行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24401296A JPH1068949A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24401296A JPH1068949A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1068949A true JPH1068949A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=17112406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24401296A Pending JPH1068949A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1068949A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853435B2 (en) | 2000-10-23 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display and its manufacturing method |
| US7414696B2 (en) | 2002-08-22 | 2008-08-19 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication system for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP24401296A patent/JPH1068949A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853435B2 (en) | 2000-10-23 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display and its manufacturing method |
| US7414696B2 (en) | 2002-08-22 | 2008-08-19 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication system for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
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