JPH1068758A - Supporting device for semiconductor device, carrier for testing semiconductor device, fixing method for semiconductor device, method for separating semiconductor device from supporting device, and method for mounting semiconductor device on carrier for testing - Google Patents

Supporting device for semiconductor device, carrier for testing semiconductor device, fixing method for semiconductor device, method for separating semiconductor device from supporting device, and method for mounting semiconductor device on carrier for testing

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JPH1068758A
JPH1068758A JP9066990A JP6699097A JPH1068758A JP H1068758 A JPH1068758 A JP H1068758A JP 9066990 A JP9066990 A JP 9066990A JP 6699097 A JP6699097 A JP 6699097A JP H1068758 A JPH1068758 A JP H1068758A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the coming-off of a semiconductor device by the vibration or the like during the conveying, by installing a wiring to be brought into contact with an electrode of a semiconductor device, on a base, and pressing and fixing a supporting plate of the semiconductor device to the base by the magnetic force of a magnet and a magnetic member. SOLUTION: A recessed part 42 in which a rubber elastic body 43 is buried, is installed on an upper face of a wiring board for testing 41, a contact terminal 45 is installed on the inner edge parts of plural patterns for testing 44, and plural magnetic members 47 are buried around the elastic body 43. A recessed part 52 for supporting a bare chip 40 is formed in opposition to the elastic body 43 on a supporting base 51, and a permanent magnet 54 is installed in opposition to the magnetic member 47. A handling head 50 is moved for positioning the supporting base 51 in opposition to an upper part of the wiring board 41, the position is adjusted by a position recognizing camera 55, an image processing unit 56 and a driving mechanism 37, and the electrode 40a of the bare chip 40 and the contact terminal 45 are corresponded to each other by 1:1. The handling head 50 is lowered, so that the magnet and the magnetic member 47 are attracted, and strongly fixed, thereby, preventing the dislocation caused by the vibration or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の支持
装置、半導体装置の固定方法及び半導体装置の支持装置
からの離脱方法に関し、より詳しくは、半導体装置の加
速試験などに用いられる試験用キャリアや試験用ボード
に半導体装置を支持する支持装置と半導体装置の固定方
法と、固定された半導体装置を離脱させる方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for supporting a semiconductor device, a method for fixing the semiconductor device, and a method for detaching the semiconductor device from the support device. The present invention relates to a supporting device for supporting a semiconductor device on a test board or a test board, a method for fixing the semiconductor device, and a method for detaching the fixed semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路(LSI)の高集
積化は著しく進み、同時に電子機器のダウンサイジング
化の傾向も著しい。これらの要求に対応するにはLSI
における素子の高集積化もさることながら、半導体チッ
プの高密度実装技術に依存する要素も大きい。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of semiconductor integrated circuits (LSIs) has been remarkably increasing, and at the same time, the tendency of downsizing of electronic devices has been remarkable. To meet these demands, LSI
In addition to the high integration of the elements described above, there are also many factors that depend on high-density mounting technology for semiconductor chips.

【0003】このような背景から、LSIのベアチップ
の電極やLSIのCSP(Chip Size Package)の端子が
高密度化されている。そのようなLSIを製品としてユ
ーザへ供給する際には、LSIの初期不良を検出するた
めの熱加速試験(以下、BI(Burn In) 試験という)、
最終試験(Final Test(FT))が行われる。BI試験
は、加熱下で半導体集積回路の電気特性を調べる試験で
ある。
[0003] From such a background, the density of bare chip electrodes of LSI and CSP (Chip Size Package) terminals of LSI have been increased. When supplying such an LSI to a user as a product, a thermal acceleration test (hereinafter referred to as a BI (Burn In) test) for detecting an initial failure of the LSI,
A final test (Final Test (FT)) is performed. The BI test is a test for examining electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit under heating.

【0004】そのような試験する際には、ベアチップの
電極と試験用基板上のコンタクト端子との位置合わせ
や、CSPの端子と試験用基板上のコンタクト端子との
位置合わせが必要となる。そのベアチップやCSPを位
置合わせするために、例えば試験用基板に位置合わせ用
の壁又は溝を形成した試験用基板を使用することがあ
り、この壁や溝による位置合わせは、一般に「機械的位
置決め(メカアライメント)」と呼ばれる。
[0004] In such a test, it is necessary to align the bare chip electrodes with the contact terminals on the test substrate and the CSP terminals with the contact terminals on the test substrate. In order to align the bare chip or the CSP, for example, a test substrate having an alignment wall or a groove formed on the test substrate may be used. (Mechanical alignment) ".

【0005】しかし、ベアチップは半導体ウェハの切断
(ダイシング)によって整形されるために、その外形寸
法にバラツキが生じ、しかもベアチップの電極の外形に
対する位置にもバラツキが生じる。このため、ベアチッ
プの電極と試験用基板上のコンタクト端子とを精度良く
位置合わせすることができない。しかも、試験用基板と
ベアチップを接続するための間隙(クリアランス)が存
在するために、その間隙内で位置ズレが生じ易い。
However, since the bare chip is shaped by cutting (dicing) the semiconductor wafer, the outer dimensions of the bare chip vary, and the positions of the bare chips relative to the outer shapes of the electrodes also vary. For this reason, the electrodes of the bare chip and the contact terminals on the test substrate cannot be accurately positioned. In addition, since there is a gap (clearance) for connecting the test substrate and the bare chip, a positional shift easily occurs in the gap.

【0006】そこで、ベアチップの電極と試験用基板の
コンタクト端子との位置合わせを画像認識で行う方法が
開発されている。この方法は、ベアチップの電極と試験
用基板上のコンタクト端子のそれぞれの位置を画像処理
装置により認識し、さらにそれらの電極とコンタクト端
子の位置を比べ、電極とコンタクト端子にズレがある場
合にはベアチップを移動してズレを無くす方法である。
Accordingly, a method has been developed in which the alignment between the electrodes of the bare chip and the contact terminals of the test substrate is performed by image recognition. In this method, the positions of the bare chip electrodes and the contact terminals on the test substrate are recognized by an image processing device, and the positions of the electrodes and the contact terminals are compared. This is a method of moving the bare chip to eliminate the deviation.

【0007】試験用基板とベアチップの位置合わせと固
定を行うために、図30(a),(b) に示すような支持具1
が使用されている。この支持具1は、通気孔2を持つ押
さえ板3とラッチ部4とを有するものである。そして、
押さえ板3の通気孔2を通してハンドリングヘッド10
からの吸引力でベアチップ状態の半導体装置20を支持
しながら、画像認識装置を用いて位置合わせし、つい
で、ハンドリングヘッド10を下降して半導体装置20
の電極21と試験用基板22のコンタクト端子23とを
接触させる。この場合、押さえ板3の両側にはラッチ部
4が存在し、そのラッチ部4は試験用基板22のフラン
ジ24に引っ掛かるような構造となっている。
In order to align and fix the test substrate and the bare chip, a support 1 as shown in FIGS. 30 (a) and 30 (b) is used.
Is used. The support 1 has a holding plate 3 having a ventilation hole 2 and a latch portion 4. And
The handling head 10 passes through the ventilation hole 2 of the holding plate 3.
While supporting the semiconductor device 20 in a bare chip state by the suction force from the device, the alignment is performed using an image recognition device, and then the handling head 10 is lowered to lower the semiconductor device 20.
And the contact terminals 23 of the test substrate 22 are brought into contact with each other. In this case, latch portions 4 are present on both sides of the holding plate 3, and the latch portions 4 are configured to be hooked on the flange 24 of the test substrate 22.

【0008】従って、半導体装置20は、押さえ板3に
よって試験用基板22に押圧固定される。このような支
持具1は、図31に示すように、CSP型の半導体装置
30を試験用基板31に固定して半導体装置30の端子
31と試験用基板32上のコンタクト端子33を接触さ
せる場合にも使用することができる。この場合、支持具
1のラッチ部4はラッチ孔34を通して試験基板32の
底部に係合する。
Accordingly, the semiconductor device 20 is pressed and fixed to the test substrate 22 by the holding plate 3. As shown in FIG. 31, such a support 1 is used to fix a CSP type semiconductor device 30 to a test substrate 31 and contact the terminals 31 of the semiconductor device 30 with the contact terminals 33 on the test substrate 32. Can also be used. In this case, the latch section 4 of the support 1 is engaged with the bottom of the test board 32 through the latch hole 34.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、そのような支
持具1においては、ラッチ部4が試験用基板22、32
にクリックする際に、ラッチ部4からの衝撃により押さ
え板3が揺れて半導体装置20、30の位置がズレるこ
とが多く、再度の位置合わせが必要になる。本発明の目
的は、半導体装置をズレることなく試験用基板に固定す
ることができる半導体装置の支持装置、半導体装置の固
定方法と、固定された半導体装置を容易に取り外せる半
導体装置の支持装置からの離脱方法を提供することにあ
る。
However, in such a support 1, the latch section 4 is provided with the test substrates 22, 32.
When clicking, the holding plate 3 is often shaken by the impact from the latch unit 4 and the positions of the semiconductor devices 20 and 30 are displaced, so that re-alignment is required. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device support device, a semiconductor device fixing method capable of fixing a semiconductor device to a test substrate without displacement, and a semiconductor device support device capable of easily removing a fixed semiconductor device. It is to provide an exit method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

(手段) (1)上記した課題は、図1、図3、図16に例示する
ように、半導体装置40,90の電極40a又は端子9
0aが重ねられる配線45,94を有する基板41,9
5と、前記半導体装置40,90を支持し、且つ前記半
導体装置40,90を前記基板41,95に押圧する支
持体51と、前記支持体51と前記基板41,95のい
ずれかに取付けられた磁石54と、前記磁石54に対向
して前記基板41,95又は前記支持体51のいずれか
に設けられた磁性材よりなる磁性部47,97とを有す
ることを特徴とする半導体装置の支持装置によって解決
する。
(Means) (1) The above-described problem is caused by the problem that the electrodes 40a or the terminals 9 of the semiconductor devices 40 and 90 are provided as illustrated in FIGS.
Substrates 41, 9 having wirings 45, 94 on which Oa is superimposed
5, a support 51 that supports the semiconductor devices 40 and 90 and presses the semiconductor devices 40 and 90 against the substrates 41 and 95, and is attached to one of the support 51 and the substrates 41 and 95. And a magnetic portion 47, 97 made of a magnetic material provided on one of the substrate 41, 95 or the support body 51 so as to face the magnet 54. Settle by device.

【0011】上記した半導体装置の支持装置において、
前記磁石54と逆方向の磁界を前記磁性部47,97に
印加する磁界発生部57を有することを特徴とする。上
記した半導体装置の支持装置において、前記支持体51
に形成された通気孔53と、該通気孔53を通して前記
半導体装置40,90を吸引するハンドリングヘッドを
有することを特徴とする。
In the above-described semiconductor device supporting device,
A magnetic field generator 57 is provided for applying a magnetic field in a direction opposite to that of the magnet 54 to the magnetic units 47 and 97. In the above-described device for supporting a semiconductor device, the support 51 may be used.
And a handling head that sucks the semiconductor devices 40 and 90 through the ventilation holes 53.

【0012】上記した半導体装置の支持装置において、
図5又は図15に例示するように、前記支持体51又は
前記基板41,95のいずれかには、前記半導体装置4
0,90を囲む磁気シールド76が形成されていること
を特徴とする。上記した半導体装置の支持装置におい
て、図1に例示するように、前記配線44のうち前記半
導体装置40を載置する部分の下の前記基板41には弾
性体43が埋め込まれていることを特徴とする。
In the above-described semiconductor device supporting device,
As illustrated in FIG. 5 or FIG. 15, the semiconductor device 4 is provided on either the support 51 or the substrates 41 and 95.
A magnetic shield 76 surrounding 0, 90 is formed. In the above-described device for supporting a semiconductor device, as illustrated in FIG. 1, an elastic body 43 is embedded in the substrate 41 below a portion of the wiring 44 on which the semiconductor device 40 is mounted. And

【0013】上記した半導体装置の支持装置において、
図16に例示するように、前記基板95の前記配線94
は弾性材よりなるピン94であり、前記基板95に形成
された凹部96に配置されていることを特徴とする。該
ピン94の下端は前記基板の底から外部に突出している
ことを特徴とする。上記した半導体装置の支持装置にお
いて、図14に例示するように、前記配線44は絶縁性
シート75の上に形成され、該絶縁性シート75は前記
基板41の上に形成されていることを特徴とする。
In the above-described supporting device for a semiconductor device,
As illustrated in FIG.
Is a pin 94 made of an elastic material, and is arranged in a concave portion 96 formed in the substrate 95. The lower end of the pin 94 protrudes outside from the bottom of the substrate. In the above-described device for supporting a semiconductor device, as illustrated in FIG. 14, the wiring 44 is formed on an insulating sheet 75, and the insulating sheet 75 is formed on the substrate 41. And

【0014】上記した半導体装置の支持装置において、
前記基板95上の前記配線94のうち、前記半導体装置
90の電極又は端子90aに接触する部分には、横方向
よりも上下方向の抵抗が低い異方性導電膜108が置か
れていることを特徴とする。図1(a),(b) に例示するよ
うに、支持体51に形成された通気孔53を通してハン
ドリングヘッド50により半導体装置40を吸着すると
ともに、該半導体装置40とハンドリングヘッド50の
間に前記支持体51を挟み、前記ハンドリングヘッド5
0により前記支持体51及び前記半導体装置40を移動
して間隔をおいて基板41に対向させ、前記ハンドリン
グヘッド50により前記支持体51及び前記基板41を
移動して前記半導体装置40の電極40a又は端子を前
記基板41上の配線44に対向させ、前記支持体51を
前記基板41に向けて移動して前記半導体装置40の前
記電極40a又は前記端子を前記配線44に接触させる
とともに、前記支持体51と前記基板41とを磁気的に
吸着固定し、前記ハンドリングヘッド50による前記半
導体装置40の吸着を解く工程を有することを特徴とす
る半導体装置の固定方法によって解決する。
In the above-described device for supporting a semiconductor device,
An anisotropic conductive film 108 having a lower resistance in the vertical direction than in the horizontal direction is placed on a portion of the wiring 94 on the substrate 95 that contacts the electrode or the terminal 90 a of the semiconductor device 90. Features. As illustrated in FIGS. 1A and 1B, the semiconductor device 40 is sucked by the handling head 50 through the ventilation hole 53 formed in the support body 51, and the semiconductor device 40 is interposed between the semiconductor device 40 and the handling head 50. With the support 51 interposed, the handling head 5
0, the support 51 and the semiconductor device 40 are moved to face the substrate 41 at an interval, and the support 51 and the substrate 41 are moved by the handling head 50 so that the electrode 40a of the semiconductor device 40 or The terminal is opposed to the wiring 44 on the substrate 41, and the support 51 is moved toward the substrate 41 to contact the electrode 40 a or the terminal of the semiconductor device 40 with the wiring 44, and The problem is solved by a method of fixing a semiconductor device, comprising a step of magnetically attracting and fixing the substrate 51 and the substrate 41 to release the suction of the semiconductor device 40 by the handling head 50.

【0015】また、基板の配線に半導体装置40の端子
又は電極が接触し、該半導体装置40が支持体51によ
って基板に押圧され、該基板と該支持体51が磁石54
と磁性片47の吸引力によって固定された状態で、前記
磁石51の磁界と逆向きの磁界を前記磁性片47を通し
て発生させて前記磁石54と前記磁性片47の反発力に
よって前記支持体51と前記基板41を分離することを
特徴とする半導体装置の支持装置からの離脱方法によっ
て解決する。 (2)上記した課題は、図7、図10に示すように、半
導体装置40,90の電極40a又は端子90aが重ね
られる配線44,72と該配線44,72の間に形成さ
れた挿通孔41c,73とを有する基板41A,71
と、前記基板41A,71の前記挿通孔41c,73に
挿通される磁界発生部47a,57,92と、前記半導
体装置40m90を支持して前記基板41,71に取付
けられ、且つ少なくとも前記挿通孔41c,73に対向
した部分が磁性体より形成された支持体60,80とを
有することを特徴とする半導体装置の支持装置によって
解決する。
Also, the terminals or electrodes of the semiconductor device 40 come into contact with the wiring of the substrate, the semiconductor device 40 is pressed against the substrate by the support 51, and the substrate and the support 51
And a magnetic field opposite to the magnetic field of the magnet 51 is generated through the magnetic piece 47 while being fixed by the attraction force of the magnetic piece 47, and the repulsive force of the magnet 54 and the magnetic piece 47 causes the support 51 to be The problem is solved by a method of separating the semiconductor device from the supporting device, wherein the substrate 41 is separated. (2) As shown in FIGS. 7 and 10, the above-described problem is caused by the wirings 44, 72 on which the electrodes 40a or the terminals 90a of the semiconductor devices 40, 90 are overlapped, and the insertion holes formed between the wirings 44, 72. Substrates 41A, 71 having 41c, 73
And magnetic field generating portions 47a, 57, 92 inserted into the insertion holes 41c, 73 of the substrates 41A, 71, and the semiconductor device 40m90, which is mounted on the substrates 41, 71 and supports at least the insertion holes. The problem is solved by a semiconductor device support device characterized in that the portions facing the portions 41c and 73 have the supports 60 and 80 formed of a magnetic material.

【0016】上記した半導体装置の支持装置において、
前記磁界発生部47a,57,92は、コイル57が巻
かれる磁性コア47a,92であることを特徴とする。
上記した半導体装置の支持装置において、前記支持体
60,80に形成された通気孔63a,83aと、該通
気孔63a,83aを通して前記半導体装置40,90
を吸引するハンドリングヘッド50とを有することを特
徴とする。
In the above device for supporting a semiconductor device,
The magnetic field generators 47a, 57 and 92 are magnetic cores 47a and 92 around which the coil 57 is wound.
In the semiconductor device support device described above, the semiconductor devices 40, 90 are formed through the ventilation holes 63a, 83a formed in the supports 60, 80 and the ventilation holes 63a, 83a.
And a handling head 50 for sucking the air.

【0017】上記した半導体装置の支持装置において、
前記支持体60,80は、前記半導体装置40,90を
前記基板41A,71に押圧するバネ66,86を有す
る押圧部61,81を有することを特徴とする。上記し
た半導体装置の支持装置において、図18に例示するよ
うに、前記基板の前記配線は弾性材よりなるピン103
であり、前記基板に形成された凹部内に配置されている
ことを特徴とする。該ピン103は前記基板の底から外
部に突出していることを特徴とする。
In the above device for supporting a semiconductor device,
The support members 60 and 80 have pressing portions 61 and 81 having springs 66 and 86 for pressing the semiconductor devices 40 and 90 against the substrates 41A and 71, respectively. In the above-described device for supporting a semiconductor device, as shown in FIG. 18, the wiring of the substrate is formed by a pin 103 made of an elastic material.
And being arranged in a recess formed in the substrate. The pins 103 protrude outside from the bottom of the substrate.

【0018】上記した半導体装置の支持装置において、
図17に例示するように、前記配線44と前記基板41
Aの間には絶縁性シート75が介在されていることを特
徴とする。上記した半導体装置の支持装置において、前
記基板71上の前記配線72のうち、前記半導体装置9
0の電極又は端子90aに接触する部分には、横方向よ
りも上下方向の抵抗が低い異方性導電膜108が置かれ
ていることを特徴とする。
In the above device for supporting a semiconductor device,
As illustrated in FIG. 17, the wiring 44 and the substrate 41
An insulating sheet 75 is interposed between A. In the above-described supporting device for a semiconductor device, the semiconductor device 9 among the wirings 72 on the substrate 71 may be used.
A feature is that an anisotropic conductive film 108 having a lower resistance in the vertical direction than in the horizontal direction is placed in a portion in contact with the zero electrode or the terminal 90a.

【0019】上記した課題は、図7〜図9に例示するよ
うに、支持体60に形成された通気孔61aを通してハ
ンドリングヘッド50により半導体装置40を吸着する
とともに、該半導体装置40とハンドリングヘッド50
の間に前記支持体60の一部を挟み、前記ハンドリング
ヘッド50により前記支持体60及び前記半導体装置4
0を移動して間隔をおいて基板41Aに対向させ、前記
ハンドリングヘッド50により前記支持体60及び前記
基板41Aを移動して前記半導体装置40の電極40a
又は端子を前記基板41A上の配線44に対向させ、前
記支持体60を前記基板41Aに向けて移動して前記半
導体装置40の前記電極40a又は前記端子を前記配線
44に接触させるとともに、前記支持体60と前記基板
41Aとを磁気的に吸着し、かつ前記支持体60を前記
基板41Aに機械的に固定し、ついで前記ハンドリング
ヘッドによる前記半導体装置の吸着と、前記支持体と前
記基板とを磁気的な吸着とを解く工程を有することを特
徴とする半導体装置の固定方法により解決する。
As shown in FIGS. 7 to 9, the above-mentioned problem is caused by the semiconductor head 40 being sucked by the handling head 50 through the ventilation holes 61a formed in the support member 60, and the semiconductor head 40 and the handling head 50 being connected to each other.
A part of the support 60 is sandwiched between the support 60 and the semiconductor device 4 by the handling head 50.
0 to move the support body 60 and the substrate 41A by the handling head 50 so that the electrode 40a of the semiconductor device 40 is moved.
Alternatively, the terminal is made to face the wiring 44 on the substrate 41A, and the support 60 is moved toward the substrate 41A to bring the electrode 40a or the terminal of the semiconductor device 40 into contact with the wiring 44, and The body 60 and the substrate 41A are magnetically attracted, and the support body 60 is mechanically fixed to the substrate 41A. Then, the suction of the semiconductor device by the handling head and the support body and the substrate are performed. The problem is solved by a method for fixing a semiconductor device, comprising a step of releasing magnetic attraction.

【0020】(3)上記した課題は、複数の電極端子4
0aを有する半導体装置を載置させるための基板111
と、前記電極端子40aの配置パターンに対応して前記
基板111上に設けられた複数のコンタクト端子115
と、前記電極端子40aに接続し、前記基板111上に
設けられた複数の試験用配線パターン116と、柔軟性
を有する材料からなり、前記半導体装置40を被覆し、
かつ前記半導体装置40を前記基板111に押圧する支
持体112と、前記支持体112と前記基板111とを
固着する接着剤とを有することを特徴とする試験用キャ
リアにより解決する。
(3) The above-mentioned problem is solved by a plurality of electrode terminals 4
Substrate 111 for mounting a semiconductor device having the same Oa
And a plurality of contact terminals 115 provided on the substrate 111 corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals 40a.
A plurality of test wiring patterns 116 connected to the electrode terminals 40a and provided on the substrate 111, and made of a flexible material, covering the semiconductor device 40;
The problem is solved by a test carrier having a support 112 for pressing the semiconductor device 40 against the substrate 111 and an adhesive for fixing the support 112 to the substrate 111.

【0021】また、前記支持体112は柔軟性を有する
薄膜からなり、前記薄膜に、前記半導体装置40を載置
する領域を取り囲むように、剛性を有する材料からなる
抑え板114が形成されたことを特徴とする本発明に係
る試験用キャリアにより解決する。さらに、複数の電極
端子40aを有する半導体装置40を載置させるための
基板121と、前記電極端子40aの配置パターンに対
応して前記基板121上に設けられた複数のコンタクト
端子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板121
上に設けられた複数の試験用配線パターンと、柔軟性を
有する材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前
記半導体装置を押圧する支持体124と、前記基板の一
部に設けられた磁石125と、前記支持体の一部に設け
られた磁性体123とを有することを特徴とする試験用
キャリアにより解決する。
The support 112 is made of a flexible thin film, and a holding plate 114 made of a rigid material is formed on the thin film so as to surround a region where the semiconductor device 40 is mounted. The problem is solved by the test carrier according to the present invention, which is characterized by the following. A substrate 121 on which the semiconductor device 40 having a plurality of electrode terminals 40a is mounted; a plurality of contact terminals provided on the substrate 121 corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals 40a; To the substrate 121
A plurality of test wiring patterns provided thereon, a support member made of a flexible material, covering the semiconductor device and pressing the semiconductor device, and a magnet provided on a part of the substrate 125 and a magnetic carrier 123 provided on a part of the support.

【0022】また、前記支持体の材料の熱膨張率に比し
て、前記基板の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする
本発明に係る試験用キャリアにより解決する。さらに、
前記基板は、第1の層141と、前記第1の層141上
に形成され、前記第1の層141の材料の熱膨張率より
も熱膨張率が小さい材料からなる第2の層142とを有
し、前記第2の層142上に前記支持体144が固着さ
れることを特徴とする本発明に係る試験用キャリアによ
り解決する。
Further, the problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein the material of the substrate has a higher coefficient of thermal expansion than the coefficient of thermal expansion of the material of the support. further,
The substrate includes a first layer 141 and a second layer 142 formed on the first layer 141 and formed of a material having a lower coefficient of thermal expansion than the material of the first layer 141. The test carrier according to the present invention is characterized in that the support 144 is fixed on the second layer 142.

【0023】また、前記第1の層141の、前記第2の
層142に接しない側に、溝が設けられたことを特徴と
する本発明に係る試験用キャリアにより解決する。さら
に、前記支持体151は、柔軟性を有する薄膜からな
り、かつ前記支持体に、多数の孔がマトリクス状に形成
されてなることを特徴とする本発明に係る試験用キャリ
アにより解決する。
Further, the problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein a groove is provided on the side of the first layer 141 which is not in contact with the second layer 142. Further, the problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein the support 151 is formed of a flexible thin film, and a large number of holes are formed in the support in a matrix.

【0024】また、複数の電極端子40aを有する半導
体装置を載置させるための基板181と、柔軟な材料か
らなり、前記半導体装置40を被覆し、かつ前記半導体
装置40を押圧する支持体182と、前記電極端子40
aの配置パターンに対応して前記支持体182上に設け
られた複数のコンタクト端子184と、前記コンタクト
端子184に接続し、前記支持体182上に設けられた
複数の試験用配線パターン183と、前記支持体182
と前記基板181とを固着する接着剤とを有することを
特徴とする試験用キャリアにより解決する。 さらに、
前記支持体は、柔軟性を有する薄膜からなることを特徴
とする本発明に係る試験用キャリアにより解決する。
A substrate 181 on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals 40a is mounted, and a support 182 made of a flexible material which covers the semiconductor device 40 and presses the semiconductor device 40, , The electrode terminal 40
a plurality of contact terminals 184 provided on the support 182 corresponding to the arrangement pattern a, a plurality of test wiring patterns 183 connected to the contact terminals 184 and provided on the support 182, The support 182
And an adhesive for fixing the substrate 181 to the substrate. further,
The problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein the support is made of a flexible thin film.

【0025】また、前記支持体192は、少なくとも前
記半導体装置40に接する領域に複数のスルーホールを
有し、かつ前記半導体装置40に接する表面,前記スル
ーホール194内及び前記スルーホール194を介した
反対側の表面の前記支持体192に、金属膜193が貼
付されてなることを特徴とする本発明に係る試験用キャ
リアにより解決する。
The support 192 has a plurality of through holes at least in a region in contact with the semiconductor device 40, and has a surface in contact with the semiconductor device 40, in the through hole 194, and through the through hole 194. The problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein a metal film 193 is attached to the support 192 on the opposite surface.

【0026】さらに、前記支持体162は、粘土又はゲ
ルなどの粘着材から構成されることを特徴とする本発明
に係る試験用キャリアにより解決する。また、前記支持
体172は、熱によって収縮する材料からなることを特
徴とする本発明に係る試験用キャリアにより解決する。 (4)上記した課題は、複数の電極端子40aを有する
半導体装置40を載置させるための基板201と、前記
電極端子40aの配置パターンに対応して前記基板20
1上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタ
クト端子に接続し、前記基板201上に設けられた複数
の試験用配線パターンと、前記半導体装置40を被覆
し、かつ前記半導体装置40を前記基板201に押圧す
る支持体203とを有し、前記基板201の前記半導体
装置40を載置する領域の一部に、孔202が設けられ
た試験用キャリアを用意する工程と、前記基板201上
に半導体装置40を載置する工程と、前記孔202から
前記半導体装置40を吸着し、前記半導体装置40を前
記基板201上に固定する工程と、前記固定状態を保持
しつつ、前記支持体203を前記半導体装置40及び前
記基板201上に被覆する工程と、前記支持体203を
前記基板201上に固着する工程とを有することを特徴
とする試験用キャリアへの半導体装置の取付方法により
解決する。
Further, the problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein the support 162 is made of an adhesive material such as clay or gel. Further, the problem is solved by the test carrier according to the present invention, wherein the support 172 is made of a material that contracts by heat. (4) The above-described problem is solved by the problem that the substrate 201 on which the semiconductor device 40 having the plurality of electrode terminals 40a is mounted and the substrate 20 corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals 40a.
1, a plurality of contact terminals provided on the substrate 201, the plurality of test wiring patterns connected to the contact terminals, the plurality of test wiring patterns provided on the substrate 201, and the semiconductor device 40. A step of preparing a test carrier having a support 203 pressed against the substrate 201 and a hole 202 provided in a part of a region of the substrate 201 on which the semiconductor device 40 is mounted; Mounting the semiconductor device 40 on the substrate 201, adsorbing the semiconductor device 40 from the hole 202, and fixing the semiconductor device 40 on the substrate 201, and holding the fixed state while maintaining the fixed state. Covering the semiconductor device 40 and the substrate 201 with each other, and fixing the support 203 on the substrate 201. Solved by mounting a semiconductor device to.

【0027】また、複数の電極端子40aを有する半導
体装置40を載置させるための基板211と、前記電極
端子40aの配置パターンに対応して前記基板211上
に設けられた複数のコンタクト端子と、前記コンタクト
端子に接続し、前記基板211上に設けられた複数の試
験用配線パターンと、前記半導体装置40を被覆し、か
つ前記半導体装置40を前記基板211に押圧する支持
体213とを有し、前記半導体装置40を載置する領域
を取り囲むように前記基板211に設けられた突起21
2を備えた試験用キャリアを用意する工程と、前記基板
211上の、前記突起212で取り囲まれた領域に前記
半導体装置40を載置する工程と、前記支持体213を
前記基板211上に固着して前記基板211上に前記半
導体装置40を取り付ける工程とを有することを特徴と
する試験用キャリアへの半導体装置の取付方法により解
決する。
A substrate 211 for mounting the semiconductor device 40 having a plurality of electrode terminals 40a; a plurality of contact terminals provided on the substrate 211 corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals 40a; A plurality of test wiring patterns connected to the contact terminals and provided on the substrate 211; and a support body 213 that covers the semiconductor device 40 and presses the semiconductor device 40 against the substrate 211. A projection 21 provided on the substrate 211 so as to surround an area where the semiconductor device 40 is mounted.
Preparing a test carrier provided with the semiconductor device 40, mounting the semiconductor device 40 in a region of the substrate 211 surrounded by the protrusion 212, and fixing the support 213 on the substrate 211. And mounting the semiconductor device 40 on the substrate 211 by mounting the semiconductor device on a test carrier.

【0028】さらに、複数の電極端子40aを有する半
導体装置40を載置させるための基板221と、前記電
極端子40aの配置パターンに対応して前記基板221
上に設けられた複数のコンタクト端子と、前記電極端子
に接続し、前記基板上に設けられた複数の試験用配線パ
ターンと、前記半導体装置40を被覆し、かつ前記半導
体装置40を前記基板221に押圧する支持体222と
を有し、前記支持体222の前記半導体装置40に接す
る領域の一部に、孔223が設けられた試験用キャリア
を用意する工程と、前記支持体222の孔223を介し
て前記半導体装置40を吸着して、前記支持体222と
ともに前記半導体装置40を引き上げる工程と、前記基
板221上に半導体装置40及び前記支持体222を載
置する工程と、前記支持体222を前記基板221上に
固着して前記基板221上に前記半導体装置40を取り
付ける工程とを有することを特徴とする試験用キャリア
への半導体装置の取付方法により解決する。
Further, a substrate 221 for mounting the semiconductor device 40 having a plurality of electrode terminals 40a and the substrate 221 corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals 40a.
A plurality of contact terminals provided thereon, a plurality of test wiring patterns connected to the electrode terminals, a plurality of test wiring patterns provided on the substrate, and the semiconductor device 40; Preparing a test carrier provided with a hole 223 in a part of a region of the support 222 that is in contact with the semiconductor device 40; and forming a hole 223 in the support 222. Adsorbing the semiconductor device 40 via the substrate 222 and pulling up the semiconductor device 40 together with the support 222; placing the semiconductor device 40 and the support 222 on the substrate 221; Fixing the semiconductor device on the substrate 221 and mounting the semiconductor device 40 on the substrate 221. To solve by the biasing method.

【0029】(作用)次に、本発明の作用について説明
する。本発明によれば、半導体装置を基板に押圧する支
持体を固定する場合に、磁力によって基板と支持体とを
固定するようにしている。このため、半導体装置を基板
に取付けた後に試験炉への搬送又は試験中に振動が生じ
ても、半導体装置が基板から外れにくくなる。
(Operation) Next, the operation of the present invention will be described. According to the present invention, when a support for pressing a semiconductor device against a substrate is fixed, the substrate and the support are fixed by magnetic force. For this reason, even if vibration occurs during the transfer to the test furnace or the test after the semiconductor device is mounted on the substrate, the semiconductor device is less likely to come off the substrate.

【0030】また、基板と支持体とを固定するために永
久磁石を使用する場合には、永久磁石と逆向きの磁界を
発生させることによって基板と支持体は容易に離れる。
半導体装置は永久磁石によって誤動作するおそれがある
ので、基板又は支持体に半導体装置を囲む磁気シールド
を取り付けるのが好ましい。半導体装置を基板に搭載す
る場合には、支持体に設けた通気孔を通して半導体装置
を支持体に吸引するハンドリングヘッドを使用すると、
支持体と半導体装置を基板に載せる場合に、支持体に対
する半導体装置のズレが生じない。
When a permanent magnet is used to fix the substrate and the support, the substrate and the support are easily separated from each other by generating a magnetic field in a direction opposite to that of the permanent magnet.
Since the semiconductor device may malfunction due to the permanent magnet, it is preferable to attach a magnetic shield surrounding the semiconductor device to the substrate or the support. When a semiconductor device is mounted on a substrate, a handling head that suctions the semiconductor device to the support through a vent provided in the support is used.
When the support and the semiconductor device are mounted on the substrate, no deviation of the semiconductor device with respect to the support occurs.

【0031】さらに、配線の下の基板に弾性体を埋め込
むと、半導体装置の端子や電極と基板上の配線の間に過
剰な押圧力がかかることを防止できる。弾性体はゴムの
ようなものでもよいが、弾性を有するピンであってもよ
い。そのピンを基板の底から突出させると、ソケットの
プラグとして使用できる。また、基板とその上の配線の
間に絶縁性のシートを介在させると、その基板を導電体
や金属磁性体によって形成することができるので、基板
又は支持体への磁性片の埋め込みが不要となるし、ま
た、基板を電気的シールドに利用できる。
Further, by embedding the elastic body in the substrate below the wiring, it is possible to prevent an excessive pressing force from being applied between the terminal or electrode of the semiconductor device and the wiring on the substrate. The elastic body may be a rubber-like material, or may be an elastic pin. When the pin is projected from the bottom of the board, it can be used as a socket plug. In addition, if an insulating sheet is interposed between the substrate and the wiring thereon, the substrate can be formed of a conductor or a magnetic metal, so that it is not necessary to embed a magnetic piece in the substrate or the support. In other words, the substrate can be used for electrical shielding.

【0032】支持体を最終的に基板に機械的に固定する
構造を採用する場合には、支持体によって半導体装置を
基板に仮に押圧するために磁力を使用してもよい。機械
的な固定構造としてラッチ機構を採用する場合には、ラ
ッチ機構によって支持体と基板が固定された後は、その
固定は安定化するので、磁力を取り去ってもよい。ま
た、本発明に係る試験用キャリアによれば、半導体装置
を被覆して基板に押圧する支持体に、例えば薄膜等の柔
軟性を有する材料を用いているので、半導体装置の形状
にフレキシブルに倣い、確実に密着して加圧することが
できる。
In the case of employing a structure in which the support is finally mechanically fixed to the substrate, a magnetic force may be used to temporarily press the semiconductor device against the substrate by the support. When a latch mechanism is employed as a mechanical fixing structure, the magnetic force may be removed because the fixing is stabilized after the support and the substrate are fixed by the latch mechanism. Further, according to the test carrier according to the present invention, since a flexible material such as a thin film is used for the support that covers the semiconductor device and presses it against the substrate, it flexibly follows the shape of the semiconductor device. The pressure can be surely brought into close contact.

【0033】このため、搬送やBI試験の際に振動を受
けても、半導体装置が所定の位置からずれることを抑止
できる。従って、良好な電気的接続状態を試験工程中に
維持することが可能となる。さらに、本発明に係る試験
用キャリアにおいて、支持体は柔軟性を有する薄膜から
なり、薄膜の周囲の、半導体装置の載置される領域を取
り囲むように、剛性を有する材料からなる抑え板が形成
されている。このため、薄膜だけでは衝撃を吸収できな
いほどの外力が試験用キャリアに加わったときでも、抑
え板によって半導体装置が位置ずれすることを極力抑止
することが可能になる。
Therefore, even if the semiconductor device is subjected to vibration during the transportation or the BI test, it is possible to prevent the semiconductor device from being shifted from a predetermined position. Therefore, it is possible to maintain a good electrical connection state during the test process. Further, in the test carrier according to the present invention, the support is made of a flexible thin film, and a holding plate made of a rigid material is formed so as to surround a region around the thin film where the semiconductor device is mounted. Have been. For this reason, even when an external force that cannot absorb a shock by the thin film alone is applied to the test carrier, it is possible to suppress the semiconductor device from being displaced by the holding plate as much as possible.

【0034】また、本発明に係る試験用キャリアによれ
ば、基板と支持体を有し、基板の一部に磁石が設けら
れ、支持体の一部に磁性体が設けられているので、基板
と支持体との固着を磁石と磁性体とで行うことができ
る。なお、本発明に係る試験用キャリアにおいて、支持
体の材料の熱膨張率に比して、基板の材料の熱膨張率が
高いものを用いているので、特にBI試験などのように
当該試験用キャリアが加熱された場合には、基板が支持
体よりも膨張するため、膨張率の差によって支持体が引
っ張り応力を受ける。
According to the test carrier of the present invention, the substrate has a substrate and a support, a magnet is provided on a part of the substrate, and a magnetic material is provided on a part of the support. And the support can be fixed by the magnet and the magnetic material. In the test carrier according to the present invention, a material having a higher coefficient of thermal expansion of the material of the substrate than the coefficient of thermal expansion of the material of the support is used. When the carrier is heated, the substrate expands more than the support, so that the support receives tensile stress due to a difference in expansion coefficient.

【0035】この引っ張り応力により半導体装置がさら
に基板に加圧密着されるので、さらに良好な電気的接続
状態を試験工程中に維持することが可能となる。また、
本発明に係る試験用キャリアにおいて、基板は、第1の
層と、第1の層上に形成され、第1の層の材料の熱膨張
率よりも熱膨張率が小さい材料からなる第2の層とを有
し、第2の層上に支持体が固着されるようにしている。
Since the semiconductor device is further pressed and adhered to the substrate by the tensile stress, it is possible to maintain a better electrical connection state during the test process. Also,
In the test carrier according to the present invention, the substrate is formed of a first layer and a second layer formed on the first layer and made of a material having a lower coefficient of thermal expansion than the material of the first layer. And a support is fixed on the second layer.

【0036】このため、この試験用キャリアが加熱され
ると、熱膨張率の差によって基板が第1の層に反り、支
持体が引っ張り応力を受ける。この引っ張り応力により
半導体装置がさらに基板に加圧密着されるので、良好な
電気的接続状態を試験中に維持することが可能となる。
さらに、本発明に係る試験用キャリアにおいて、第1
の層の第2の層と反対側の面に、溝が設けられているた
め、基板が大きく第1の層側に反るので、半導体装置が
さらに基板に加圧密着され、良好な電気的接続状態を試
験中に維持することが可能となる。
Therefore, when the test carrier is heated, the substrate warps to the first layer due to the difference in the coefficient of thermal expansion, and the support receives a tensile stress. The semiconductor device is further pressed and adhered to the substrate by the tensile stress, so that a good electrical connection state can be maintained during the test.
Further, in the test carrier according to the present invention,
Since the groove is provided on the surface of the layer opposite to the second layer, the substrate is largely warped toward the first layer, so that the semiconductor device is further pressed against and adhered to the substrate, and good electrical The connection state can be maintained during the test.

【0037】また、本発明に係る試験用キャリアにおい
て、支持体は、柔軟性を有する薄膜からなり、かつ支持
体に、多数の孔がマトリクス状に形成されてなるので、
孔が形成されていない支持体よりもフレキシブルにベア
チップの形状にフィットすることが可能になる。加えて
半導体装置が外気に直接さらされるので、孔の形成され
ていない薄膜で覆う場合に比して放熱効果も大きいとい
う利点もある。
In the test carrier according to the present invention, the support is formed of a flexible thin film, and the support has a large number of holes formed in a matrix.
It becomes possible to fit the shape of the bare chip more flexibly than the support having no holes. In addition, since the semiconductor device is directly exposed to the outside air, there is an advantage that the heat dissipation effect is large as compared with the case where the semiconductor device is covered with a thin film having no holes.

【0038】さらに、本発明に係る試験用キャリアにお
いて、電極端子に対応して設けられた複数のコンタクト
端子と、電極端子に接続して設けられた複数の試験用配
線パターンとが柔軟な材料からなる支持体に設けられて
いる。このため、試験用キャリアに振動が加わっても、
コンタクト端子がフレキシブルに上下する為、半導体装
置の電極端子との接触状態を良好に維持することができ
る。また、半導体装置の電極端子の平坦性にばらつきが
あっても、フレキシブルにこれを押圧することができる
ので、良好な接触状態を維持することが可能となる。
Further, in the test carrier according to the present invention, the plurality of contact terminals provided corresponding to the electrode terminals and the plurality of test wiring patterns provided in connection with the electrode terminals are made of a flexible material. Provided on the support. Therefore, even if vibration is applied to the test carrier,
Since the contact terminals move up and down flexibly, a good contact state with the electrode terminals of the semiconductor device can be maintained. Further, even if the flatness of the electrode terminals of the semiconductor device varies, it can be pressed flexibly, so that a good contact state can be maintained.

【0039】更に、本発明に係る試験用キャリアにおい
て、支持体は、少なくとも半導体装置に接する領域に複
数のスルーホールを有し、かつ半導体装置に接する表
面,スルーホール内及びスルーホールを介した反対側の
表面の支持体に、金属膜が貼付されてなる。このため、
スルーホールより半導体装置が直接外気に触れる為放熱
効果が高まる。また、半導体装置に直接密着する部分
と、スルーホールを介して反対側の表面には、放熱性の
良好な金属膜がコーティングされているので、単に薄膜
にスルーホールを形成した場合に比して、さらに放熱効
果が高まり、良好なBI試験を実施することが可能にな
る。特に発熱量が大きいデバイスに適用する際には有効
である。
Further, in the test carrier according to the present invention, the support has a plurality of through holes at least in a region in contact with the semiconductor device, and has a surface in contact with the semiconductor device, an inside of the through hole, and an opposite through the through hole. A metal film is attached to the support on the side surface. For this reason,
Since the semiconductor device directly contacts the outside air from the through hole, the heat radiation effect is enhanced. In addition, since a metal film having good heat dissipation properties is coated on the part directly in contact with the semiconductor device and on the surface on the opposite side via the through hole, compared with a case where the through hole is simply formed in the thin film. Further, the heat radiation effect is further enhanced, and a good BI test can be performed. This is particularly effective when applied to a device that generates a large amount of heat.

【0040】また、本発明に係る試験用キャリアにおい
て、支持体は、ゲル又は粘土などの粘着材から構成され
るので、薄膜などを用いる場合に比して衝撃をより一層
緩和することが可能になる。さらに、本発明に係る試験
用キャリアにおいて、支持体は、熱によって収縮する材
料からなるので、BI試験において加熱されたときに、
支持体が収縮して引っ張り応力が加わる。この引っ張り
応力によって半導体装置が基板に密着するので、BI試
験中等も良好な電気的接続状態を維持することが可能に
なる。
In the test carrier according to the present invention, since the support is made of an adhesive such as gel or clay, it is possible to further reduce the impact as compared with the case where a thin film or the like is used. Become. Furthermore, in the test carrier according to the present invention, since the support is made of a material that contracts due to heat, when heated in the BI test,
The support contracts and a tensile stress is applied. Since the semiconductor device comes into close contact with the substrate due to the tensile stress, it is possible to maintain a good electrical connection state even during a BI test or the like.

【0041】また、本発明に係る試験用キャリアへの半
導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する
半導体装置を載置させるための基板と、電極端子に対応
して基板上に設けられた複数のコンタクト端子と、電極
端子に接続し、基板上に設けられた複数の試験用配線パ
ターンと、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧
する支持体とを有し、基板の半導体装置を載置する領域
の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、基
板上に半導体装置を載置し、孔から半導体装置を吸着
し、半導体装置を基板上に固定している。
According to the method of mounting a semiconductor device on a test carrier according to the present invention, a substrate for mounting a semiconductor device having a plurality of electrode terminals and a substrate provided on the substrate corresponding to the electrode terminals are provided. A plurality of test terminals connected to the electrode terminals, a plurality of test wiring patterns provided on the substrate, and a support for covering the semiconductor device and pressing the semiconductor device. Prepare a test carrier provided with holes in a part of the area where the device is mounted, place the semiconductor device on the substrate, adsorb the semiconductor device from the hole, and fix the semiconductor device on the substrate. I have.

【0042】このため、その後支持体を用いて半導体装
置を被覆、押圧する際にも吸着によって半導体装置が基
板上に固定されているので、振動などによる位置ずれが
生じにくく、確実に半導体装置を基板上に取り付けるこ
とが可能になる。
For this reason, the semiconductor device is fixed on the substrate by suction even when the semiconductor device is coated and pressed by using the support after that, so that the semiconductor device is not easily displaced by vibration or the like, and the semiconductor device is reliably mounted. It can be mounted on a substrate.

【0043】さらに、本発明に係る別の試験用キャリア
への半導体装置の取付方法によれば、複数の電極端子を
有する半導体装置を載置させるための基板と、電極端子
に対応して基板上に設けられた複数のコンタクト端子
と、電極端子に接続し、基板上に設けられた複数の試験
用配線パターンと、半導体装置を被覆し、かつ半導体装
置を押圧する支持体とを有し、半導体装置を載置する領
域を取り囲むように基板に設けられた突起を備えた試験
用キャリアを用意し、基板上の、突起で取り囲まれた領
域に半導体装置を載置している。
Further, according to the method of mounting a semiconductor device on another test carrier according to the present invention, a substrate on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals is mounted, and a substrate on the substrate corresponding to the electrode terminals. A plurality of contact terminals provided on the substrate, a plurality of test wiring patterns connected to the electrode terminals, a plurality of test wiring patterns provided on the substrate, and a support for covering the semiconductor device and pressing the semiconductor device; A test carrier provided with a projection provided on a substrate so as to surround a region where a device is mounted is prepared, and a semiconductor device is mounted on a region of the substrate surrounded by the projection.

【0044】このため、その後支持体を用いて半導体装
置を被覆する際にも、突起によって半導体装置の位置ず
れが防止されているので、確実に半導体装置を基板上に
取り付けることが可能になる。また、本発明に係る別の
試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、複
数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための基
板と、電極端子に対応して基板上に設けられた複数のコ
ンタクト端子と、電極端子に接続し、基板上に設けられ
た複数の試験用配線パターンと、半導体装置を被覆し、
かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、支持体の半
導体装置に接する領域の一部に、孔が設けられた試験用
キャリアを用意し、支持体の孔を介して半導体装置を吸
着して、支持体とともに半導体装置を吸着し、基板上に
半導体装置及び支持体を載置しているので、半導体装置
を基板上に載置し、その後基板及び半導体装置の上に支
持体を載置して被覆する場合に比して、工程数の削減が
可能となる。
For this reason, even when the semiconductor device is subsequently covered with the support, the semiconductor device is prevented from being displaced by the projection, so that the semiconductor device can be securely mounted on the substrate. According to the method for mounting a semiconductor device on another test carrier according to the present invention, a substrate for mounting a semiconductor device having a plurality of electrode terminals and a substrate provided on the substrate corresponding to the electrode terminals are provided. The plurality of contact terminals and the plurality of test wiring patterns connected to the electrode terminals and provided on the substrate, and cover the semiconductor device,
And a support for pressing the semiconductor device, a test carrier provided with a hole in a part of the region of the support in contact with the semiconductor device is provided, and the semiconductor device is sucked through the hole of the support. Then, the semiconductor device is sucked together with the support, and the semiconductor device and the support are placed on the substrate. Therefore, the semiconductor device is placed on the substrate, and then the support is placed on the substrate and the semiconductor device. The number of steps can be reduced as compared with the case of performing coating.

【0045】[0045]

【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。 (第1実施形態)図1(a),(b) は、本発明の第1実施形
態の試験用キャリアに半導体装置を取り付ける方法を示
している。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. First Embodiment FIGS. 1A and 1B show a method of mounting a semiconductor device on a test carrier according to a first embodiment of the present invention.

【0046】図1(a),(b) に示す試験用キャリアは、半
導体集積回路が形成されたチップ(以下、ベアチップと
いう)を挟む試験用配線基板41と支持基板51とを有
しており、試験用配線基板41の一辺は、支持基板51
の一辺よりも5〜10mm程度大きくなっている。また、
試験用配線基板41及び支持基板51は、Al2O3 或いは
樹脂(PES、PEI、ガラス入りエポキシ樹脂)など
の絶縁性の非磁性材から形成されている。
The test carrier shown in FIGS. 1A and 1B has a test wiring substrate 41 and a support substrate 51 sandwiching a chip (hereinafter, referred to as a bare chip) on which a semiconductor integrated circuit is formed. One side of the test wiring board 41 is
5 to 10 mm larger than one side. Also,
The test wiring substrate 41 and the support substrate 51 are formed of an insulating non-magnetic material such as Al2O3 or a resin (PES, PEI, epoxy resin containing glass).

【0047】試験用配線基板41の上面の中央寄りの領
域には凹部42が形成され、その凹部42にはゴム製の
弾性体43が埋め込まれている。また、試験用配線基板
41の上面では、弾性体43の中央を囲む領域から基板
縁にかけて、複数本の試験用配線パターン44がピッチ
及び幅を拡大しながら引き出されている。その試験用配
線パターン44の内側の端部にはコンタクト端子45が
形成され、さらに、外側の端部には外側の端子46が形
成されている。コンタクト端子45は、ベアチップ40
の電極40aに対応して配置されている。
A concave portion 42 is formed in a region near the center of the upper surface of the test wiring board 41, and a rubber elastic body 43 is embedded in the concave portion 42. On the upper surface of the test wiring substrate 41, a plurality of test wiring patterns 44 are drawn out from the region surrounding the center of the elastic body 43 to the edge of the substrate while increasing the pitch and width. A contact terminal 45 is formed at an inner end of the test wiring pattern 44, and an outer terminal 46 is formed at an outer end. The contact terminal 45 is a bare chip 40
Are arranged corresponding to the electrodes 40a.

【0048】また、複数の試験用配線パターン44は放
射状に広がって配置されている。さらに、試験用配線基
板41の弾性体43の周囲には、少なくとも2つの磁性
片47が埋め込まれている。それらの磁性片47は、
鉄、鉄合金、コバルト、コバルト合金などからなり、し
かも磁化されずに磁界が殆ど発生しない条件で形成され
ている。
The plurality of test wiring patterns 44 are arranged so as to spread radially. Further, at least two magnetic pieces 47 are embedded around the elastic body 43 of the test wiring board 41. Those magnetic pieces 47 are
It is made of iron, iron alloy, cobalt, cobalt alloy, etc., and is formed under the condition that it is not magnetized and hardly generates a magnetic field.

【0049】支持基板51のうち試験用配線基板41の
弾性体43に対向する領域にはベアチップ40を支持す
る凹部52が形成されている。また、凹部52の中央に
は、支持基板51を貫通する直径3mm程度の通気孔53
が形成されている。また、試験用配線基板41の磁性片
47に対向する位置には、例えばコバルト、コバルト合
金、クロム又はクロム合金よりなる磁石(永久磁石)5
4が埋め込められている。
A concave portion 52 for supporting the bare chip 40 is formed in a region of the support substrate 51 facing the elastic body 43 of the test wiring substrate 41. In the center of the concave portion 52, a ventilation hole 53 having a diameter of about 3 mm penetrating the support substrate 51 is provided.
Are formed. A magnet (permanent magnet) 5 made of, for example, cobalt, a cobalt alloy, chromium, or a chromium alloy is provided at a position facing the magnetic piece 47 of the test wiring board 41.
4 are embedded.

【0050】支持基板51の下面は例えば図2(a) に示
すような形状であり、試験用配線基板41の上面は例え
ば図2(b) のような形状である。なお、図中符号50
は、中空のハンドリングヘッドであって、支持基板51
の通気孔53よりも大きな先端から外気を吸引するとと
もに、駆動機構37によって上下方向と横方向に移動可
能に構成されている。
The lower surface of the support substrate 51 has, for example, a shape as shown in FIG. 2A, and the upper surface of the test wiring substrate 41 has, for example, a shape as shown in FIG. 2B. Note that reference numeral 50 in FIG.
Is a hollow handling head, which is a support substrate 51
The outside air is sucked from the tip end larger than the ventilation hole 53, and the drive mechanism 37 is configured to be able to move vertically and horizontally.

【0051】以上のような試験用配線基板41にベアチ
ップ50を取り付ける場合には次のような方法による。
まず、ベアチップ40の電極40aが外向きになるよう
に、そのベアチップ40を支持基板51の凹部52内に
位置させる。そして、ハンドリングヘッド50により支
持基板51を吸着して支持するとともに、通気孔53を
通してベアチップ40を吸引して支持基板51上に固定
する。
When the bare chip 50 is mounted on the test wiring board 41 as described above, the following method is used.
First, the bare chip 40 is positioned in the concave portion 52 of the support substrate 51 so that the electrode 40a of the bare chip 40 faces outward. Then, the supporting substrate 51 is sucked and supported by the handling head 50, and the bare chip 40 is sucked through the ventilation hole 53 to be fixed on the supporting substrate 51.

【0052】続いて、ハンドリングヘッド50を移動し
て支持基板51を試験用配線基板41の上方に間隔をお
いて対向させる。次に、上方と下方の画像認識が可能な
位置認識カメラ55を試験用配線基板41と支持基板5
1の間に入れて、その位置認識カメラに55より試験用
配線基板41上の全てのコンタクト端子45とベアチッ
プ40上の全ての電極40aを撮像する。
Subsequently, the handling head 50 is moved so that the support substrate 51 faces the test wiring substrate 41 at an interval. Next, the position recognizing camera 55 capable of recognizing the upper and lower images is connected to the test wiring board 41 and the support board 5.
Then, all the contact terminals 45 on the test wiring board 41 and all the electrodes 40 a on the bare chip 40 are imaged by the position recognition camera 55 from the position recognition camera 55.

【0053】その位置認識カメラ55から得られたデー
タは、画像処理装置56に取り込まれて試験用配線基板
41上のコンタクト端子45とベアチップ40の電極4
0aの位置をそれぞれ座標データに変換する。そして、
コンタクト端子45とベアチップ40の電極40Aが1
対1で対向していないと画像処理装置56が判断した場
合には、駆動機構37によりハンドリングヘッド50の
位置を調整して、その先端のベアチップ40の電極40
aとコンタクト端子45とを1対1で対向させる。
The data obtained from the position recognition camera 55 is taken into the image processing device 56 and the contact terminals 45 on the test wiring board 41 and the electrodes 4 of the bare chip 40 are
The position of 0a is converted into coordinate data. And
Contact terminal 45 and electrode 40A of bare chip 40 are 1
If the image processing device 56 determines that the pair is not facing each other, the position of the handling head 50 is adjusted by the driving mechanism 37 and the electrode 40 of the bare chip 40 at the tip thereof is adjusted.
a and the contact terminals 45 are opposed to each other on a one-to-one basis.

【0054】そして、全てのコンタクト端子45と電極
40aの全てが1対1で対向していると画像処理装置5
6が判断した場合には、ハンドリングヘッド50を試験
用配線基板41の上面に向けて垂直に下降させるととも
に、位置認識カメラ55を適当な時期に試験用配線基板
41と支持基板51の間から取り去る。さらに、ハンド
リングヘッド50を降下させると、ついには磁石54と
磁性片47は磁界Hによって吸着する。これにより、支
持基板51は、磁石54及び磁性片47を介して試験用
配線基板41に強固に固定されるとともに、ベアチップ
40の電極40aは試験用配線基板41上のコンタクト
端子45に接触する。 ところで、電極40aとコンタ
クト端子45は、外部の力により押圧されなければ、ハ
ンドリングヘッド50による吸引を解いた直後に互いに
ずれることになる。したがって、磁石54と磁性片47
が互いに吸着した状態で、試験用配線基板41内の弾性
体43の弾性力によりコンタクト端子45をベアチップ
40の電極40aに押圧させる必要がある。 この押圧
力を発生させるためには、磁性片47と磁石54が接触
した状態でベアチップ40の電極40aが弾性体43を
押し下げることが条件となる。この条件を満たすために
は、ベアチップ40の端子40aとコンタクト端子45
の基板から突出量の和が、磁石54及び磁性片47の基
板からの突出量の和よりも小さくさせる必要がある。し
かも、磁石54と磁性片47の吸着力を、弾性体43の
弾性力よりも大きくする必要がある。例えば、1つの電
極40aに10gの押圧力が必要な場合には、ベアチッ
プ40の下の100個の電極40aにかかる押圧力の総
和は1kgとなるので、磁石54の磁力が1kg以上と
なる磁石54を支持基板51に埋め込むことになる。
When all of the contact terminals 45 and all of the electrodes 40a face one to one, the image processing apparatus 5
If the judgment is 6, the handling head 50 is lowered vertically toward the upper surface of the test wiring board 41, and the position recognition camera 55 is removed from between the test wiring board 41 and the support board 51 at an appropriate time. . Further, when the handling head 50 is lowered, the magnet 54 and the magnetic piece 47 are finally attracted by the magnetic field H. Thus, the support substrate 51 is firmly fixed to the test wiring board 41 via the magnet 54 and the magnetic piece 47, and the electrode 40 a of the bare chip 40 contacts the contact terminal 45 on the test wiring board 41. By the way, if the electrode 40a and the contact terminal 45 are not pressed by an external force, they will be shifted from each other immediately after the suction by the handling head 50 is released. Therefore, the magnet 54 and the magnetic piece 47
It is necessary that the contact terminals 45 be pressed against the electrodes 40a of the bare chip 40 by the elastic force of the elastic body 43 in the test wiring board 41 in a state where they are attracted to each other. In order to generate this pressing force, the condition is that the electrode 40a of the bare chip 40 pushes down the elastic body 43 in a state where the magnetic piece 47 and the magnet 54 are in contact with each other. In order to satisfy this condition, the terminals 40a of the bare chip 40 and the contact terminals 45
Of the magnets 54 and the magnetic pieces 47 must be smaller than the sum of the protrusion amounts of the magnet 54 and the magnetic pieces 47 from the substrate. Moreover, it is necessary to make the attraction force between the magnet 54 and the magnetic piece 47 larger than the elastic force of the elastic body 43. For example, when a pressing force of 10 g is required for one electrode 40a, the total pressing force applied to the 100 electrodes 40a under the bare chip 40 is 1 kg, so that the magnet force of the magnet 54 becomes 1 kg or more. 54 will be embedded in the support substrate 51.

【0055】このようにして試験用配線基板41に載置
されたベアチップ40内の半導体回路は、試験用配線パ
ターン44の外側の端子46に接触される試験用プロー
ブ48を介して回路動作試験が行われる。しかも、試験
用配線基板41と支持基板51は、磁石54及び磁性片
47を介して強固に固定されているので、それらの基板
41,51は、ハンドリングヘッド50を取り去ってか
ら回路動作試験を終えるまでの間にズレることはない。
The semiconductor circuit in the bare chip 40 mounted on the test wiring board 41 in this manner is subjected to a circuit operation test via a test probe 48 which comes into contact with a terminal 46 outside the test wiring pattern 44. Done. Moreover, since the test wiring board 41 and the support board 51 are firmly fixed via the magnet 54 and the magnetic piece 47, the circuit operation test is completed after removing the handling head 50 from the boards 41 and 51. There is no gap between them.

【0056】なお、図3に示すように、磁石54を試験
用配線基板41側に埋め込み、磁性片47を支持基板5
1に埋め込んでも、上記した作用効果が得られる。ま
た、試験用配線基板41の凹部42の代わりに図3に示
す貫通孔49を設け、その中に弾性体43を埋め込むよ
うにしてもよい。ところで、上記した試験用キャリア
は、テスター38を使用して加熱炉39内でBI試験な
どの回路試験を終えた後に、試験用配線基板41と支持
基板51を分離してベアチップ40を取り出すことにな
る。しかし、磁石54の磁力が強い場合には、その分離
作業に手間がかかったり、或いは、分離作業中にベアチ
ップ40が破損する恐れがある。
As shown in FIG. 3, the magnet 54 is embedded in the test wiring board 41 and the magnetic piece 47 is attached to the support board 5.
Even when embedded in 1, the above-described effects can be obtained. Further, a through hole 49 shown in FIG. 3 may be provided instead of the concave portion 42 of the test wiring board 41, and the elastic body 43 may be embedded therein. By the way, after the above-described test carrier has been subjected to a circuit test such as a BI test in a heating furnace 39 using a tester 38, the test wiring substrate 41 and the support substrate 51 are separated and the bare chip 40 is taken out. Become. However, when the magnetic force of the magnet 54 is strong, there is a risk that the separating operation takes time or that the bare chip 40 is damaged during the separating operation.

【0057】そこで、図4(a) に示すように、試験用配
線基板41に取り付けられる磁性片47aを、下方に突
出させる構造を採用する。そして、試験用配線基板41
と支持基板51を分離する場合には、図4(b) に示すよ
うに、磁性片47aの下側の突出部を磁界発生用の磁界
発生用コイル57に差し込み、ついで、その磁界発生用
コイル57に電源58から電流を流して磁界H1 を発生
させる。その磁界H1の向きを、支持基板51側の磁石
54からの磁界Hの向きと逆にすると、同磁極性の反発
力によって磁石54と磁性片47aは容易に離れる。
Therefore, as shown in FIG. 4A, a structure is adopted in which the magnetic piece 47a attached to the test wiring board 41 protrudes downward. Then, the test wiring board 41
When the support substrate 51 and the support substrate 51 are separated from each other, as shown in FIG. 4B, the lower projecting portion of the magnetic piece 47a is inserted into a magnetic field generating coil 57 for generating a magnetic field. A current is passed from a power supply 58 to 57 to generate a magnetic field H1. If the direction of the magnetic field H1 is reversed from the direction of the magnetic field H from the magnet 54 on the support substrate 51, the magnet 54 and the magnetic piece 47a are easily separated by the repulsive force of the same magnetic polarity.

【0058】なお、図中4(b) 中符号59は、電源58
を磁界発生用コイル57に接続するためのスイッチを示
している。このように、試験用配線基板41と支持基板
51との吸着を解く場合のみに、磁性片47aに反発磁
界を発生させるようにすれば、基板同士を分離するため
の作業効率が高くなる。
In FIG. 4 (b), reference numeral 59 denotes a power source 58.
Are connected to the magnetic field generating coil 57. As described above, if the repulsive magnetic field is generated in the magnetic piece 47a only when the suction between the test wiring substrate 41 and the support substrate 51 is released, the working efficiency for separating the substrates is increased.

【0059】また、磁石54を試験用配線基板41に取
付ける構造を採用する場合には、図5に示すように、支
持基板51に取り付ける磁性片47bの上端を支持基板
51から突出させて、基板分離の際にその上端を図4
(b) に示した磁界発生用コイル57に挿入して反発磁界
を発生させるようにすればよい。また、ベアチップ40
内の半導体装置の試験の際に外部磁界の影響を抑制する
ために支持基板51の凹部52の内周に沿って磁気シー
ルド76を取付けてもよい。
In the case of employing a structure in which the magnet 54 is attached to the test wiring board 41, as shown in FIG. 5, the upper end of the magnetic piece 47 b attached to the support board 51 is protruded from the support board 51, and Fig. 4
(b) may be inserted into the magnetic field generating coil 57 to generate a repulsive magnetic field. In addition, bare chip 40
A magnetic shield 76 may be attached along the inner periphery of the concave portion 52 of the support substrate 51 in order to suppress the influence of an external magnetic field during the test of the semiconductor device therein.

【0060】なお、上記した各試験用キャリアは、ベア
チップ状態の半導体装置の回路試験に使用するばかりで
なく、パッケージされた半導体装置の回路試験に使用し
てもよい。 (第2実施形態)図6は、ベアチップを試験用配線基板
に支持するための支持具を示している。
Each of the test carriers described above may be used not only for testing a semiconductor device in a bare chip state but also for testing a packaged semiconductor device. (Second Embodiment) FIG. 6 shows a support for supporting a bare chip on a test wiring board.

【0061】その支持具60は、磁性材よりなる略U字
状の押圧部61と、押圧部61の両腕が挿通される挿通
孔62を有する帯状の梁部63を有している。また、梁
部63の両側端からは、下方に弾性材よりなる板状のラ
ッチ部64が延び、その下端は、試験用配線基板41A
を抱えるために屈曲している。さらに、梁部63の両側
端には、上方に板状のラッチ解除部65が延びている。
The support 60 has a substantially U-shaped pressing portion 61 made of a magnetic material and a band-shaped beam portion 63 having an insertion hole 62 through which both arms of the pressing portion 61 are inserted. A plate-like latch portion 64 made of an elastic material extends downward from both side ends of the beam portion 63, and the lower end thereof is connected to the test wiring board 41A.
It is bent to hold. Further, plate-shaped latch release portions 65 extend upward from both side ends of the beam portion 63.

【0062】押圧部61は、試験用配線基板41Aの上
面に平行になるような平坦な底面を有し、その中央には
半導体装置よりも小さな通気孔61aが形成されてい
る。梁部63の中央にはハンドリングヘッド50を通す
ための挿通孔63aが形成され、挿通孔63aを通した
ハンドリングヘッド50が押圧部61の通気孔61aの
周囲に当たるようになっている。
The pressing portion 61 has a flat bottom surface which is parallel to the upper surface of the test wiring board 41A, and a vent 61a smaller than the semiconductor device is formed at the center thereof. An insertion hole 63a for passing the handling head 50 is formed at the center of the beam 63, and the handling head 50 passing through the insertion hole 63a hits the periphery of the ventilation hole 61a of the pressing portion 61.

【0063】押圧部61の両腕の上端は挿通孔62から
の脱落防止のために折り曲げられ、しかもそれらの両腕
に巻かれるコイルバネ66の弾性によって押圧部61は
常時下方に力が加わっている。そのような構造の支持具
60が装着される試験用配線基板41Aは、図4に示す
構造とほぼ同じであり、その両側にテーパ面41Bが形
成されている点で異なる。なお、図4と同じ符号は同じ
要素を示している。
The upper ends of both arms of the pressing portion 61 are bent in order to prevent the upper portion from dropping out of the insertion hole 62, and the pressing portion 61 is constantly applied with a downward force by the elasticity of the coil spring 66 wound around the both arms. . The test wiring board 41A to which the support 60 having such a structure is mounted is almost the same as the structure shown in FIG. 4, and is different in that tapered surfaces 41B are formed on both sides thereof. Note that the same reference numerals as those in FIG. 4 indicate the same elements.

【0064】以上のような支持具60と試験用配線基板
61Aによって試験用キャリアが構成されている。そし
て、この試験用キャリア内にベアチップ40を取り付け
るためには、次のような手順を踏む。まず、ベアチップ
40の電極40aが露出するように、そのベアチップ4
0を支持具60の押圧部61の下に位置させる。さら
に、ハンドリングヘッド50を梁部63の挿通孔63a
を通して押圧部61の上面に当てる。そして、押圧部6
1の通気孔61aを通してベアチップ40をハンドリン
グヘッド50に吸着させるとともに、押圧部61もハン
ドリングヘッド50に吸着させる。
A test carrier is constituted by the support member 60 and the test wiring board 61A as described above. Then, in order to mount the bare chip 40 in the test carrier, the following procedure is performed. First, the bare chip 4 is exposed so that the electrode 40a of the bare chip 40 is exposed.
0 is positioned below the pressing portion 61 of the support 60. Further, the handling head 50 is inserted into the insertion hole 63a of the beam 63.
To the upper surface of the pressing portion 61. And the pressing part 6
The bare chip 40 is attracted to the handling head 50 through the one ventilation hole 61a, and the pressing part 61 is also attracted to the handling head 50.

【0065】続いて、ハンドリングヘッド50の移動に
より、図7に示すように、ベアチップ40を試験用配線
基板41Aの上方に間隔をおいて対向させる。そして、
位置認識カメラ55によって、試験用配線基板41A上
の試験用配線パターン44のコンタクト端子45とベア
チップ40の電極40aの位置を認識する。その位置認
識カメラ55から得られたデータに基づいて、第1実施
形態で説明したように、試験用配線基板41A上のコン
タクト端子45とベアチップ40の電極40aが1対1
で対向する位置までハンドリングヘッド50を移動させ
る。
Subsequently, by moving the handling head 50, as shown in FIG. 7, the bare chip 40 is opposed to the test wiring board 41A at an interval. And
The position recognition camera 55 recognizes the positions of the contact terminals 45 of the test wiring pattern 44 and the electrodes 40a of the bare chip 40 on the test wiring board 41A. Based on the data obtained from the position recognition camera 55, as described in the first embodiment, the contact terminals 45 on the test wiring board 41A and the electrodes 40a of the bare chip 40 are in a one-to-one correspondence.
To move the handling head 50 to a position facing the same.

【0066】ついで、位置認識カメラ55を適当な時期
に取り去った後に、ハンドリングヘッド50の降下によ
って支持具60を試験用配線基板41Aに載せる。ま
た、試験用配線基板41の下方に突出した磁性片47a
は、その突出した部分に磁石用コイルに巻かれた状態に
しておく。そして、磁界発生用コイル57に電流を流す
と、磁性片47に沿って磁界が集中するので、その磁界
は磁性片47は支持体60の押圧部61とを吸着させ
る。
Then, after removing the position recognition camera 55 at an appropriate time, the support tool 60 is placed on the test wiring board 41A by lowering the handling head 50. Also, a magnetic piece 47a protruding below the test wiring board 41
Is wound around the magnet coil around the protruding portion. When a current is applied to the magnetic field generating coil 57, the magnetic field concentrates along the magnetic piece 47, and the magnetic field causes the magnetic piece 47 to be attracted to the pressing portion 61 of the support 60.

【0067】この状態では、梁部63はコイルバネ66
の弾性力によって押圧部61の底面からの距離は変化せ
ず、ラッチ部64の下端は試験用配線基板16Aの底面
に到達していない。そこで、押圧ピン67を用いて梁部
63の両端寄りの領域を試験用配線基板41Aに向けて
押し下げると、図8に示すように、ラッチ部64は試験
用配線基板41Aの側部のテーバ面41B上を滑りなが
ら広がる。そして、ラッチ部64の先端が試験用配線基
板41Aの底に達した時点で、ラッチ部64は狭くなっ
てクリックする。
In this state, the beam 63 is connected to the coil spring 66
The distance from the bottom surface of the pressing portion 61 does not change due to the elastic force of, and the lower end of the latch portion 64 does not reach the bottom surface of the test wiring board 16A. Then, when the area near both ends of the beam portion 63 is pushed down toward the test wiring board 41A using the pressing pins 67, as shown in FIG. 8, the latch portion 64 becomes the taper surface on the side of the test wiring board 41A. It spreads while sliding on 41B. When the tip of the latch section 64 reaches the bottom of the test wiring board 41A, the latch section 64 becomes narrow and clicks.

【0068】この結果、梁部63は、試験用配線基板4
1Aに固定された状態になる。しかも、押圧ピン67に
よって押圧部61が押し下げられると、梁部63はコイ
ルバネ66には弾性力が加わるので、ベアチップ40の
電極40aのコンタクト端子45への押圧力が強まる。
したがって、ラッチ部64のクリックの衝撃によっては
ベアチップ40の電極40aとコンタクト端子45の位
置はそれぞれズレるとはない。
As a result, the beam 63 is connected to the test wiring board 4.
The state is fixed at 1A. Moreover, when the pressing portion 61 is pressed down by the pressing pin 67, the beam portion 63 applies an elastic force to the coil spring 66, so that the pressing force of the electrode 40 a of the bare chip 40 against the contact terminal 45 increases.
Therefore, the position of the electrode 40a of the bare chip 40 and the position of the contact terminal 45 do not shift due to the impact of the click of the latch portion 64.

【0069】ラッチ部64の先端が試験用配線基板41
Aの底部を抱えた状態では、支持具60が、そのラッチ
部64によって試験用配線基板41Aに固定された状態
になるので、磁界発生用コイル57による磁界は不要に
なる。そこで、磁界発生用コイル57への電流の供給を
停止する。そして、ハンドリングヘッド50及び押圧ピ
ン67を支持具60から外して図9に示すような状態に
し、さらに試験用配線基板41Aの磁性片57を磁界発
生用コイル57から外し、ついで試験用配線基板41A
を試験装置へ搬送する。
The tip of the latch 64 is connected to the test wiring board 41.
In the state where the bottom of A is held, the support member 60 is fixed to the test wiring board 41A by the latch portion 64, so that the magnetic field by the magnetic field generating coil 57 becomes unnecessary. Therefore, the supply of the current to the magnetic field generating coil 57 is stopped. Then, the handling head 50 and the pressing pin 67 are detached from the support 60 so as to be in the state shown in FIG. 9, and the magnetic piece 57 of the test wiring board 41A is detached from the magnetic field generating coil 57.
To the test equipment.

【0070】ついで、試験用配線41Aの外側の端部に
試験用プローブ等を当ててベアチップ40に形成された
半導体装置の回路動作試験が行われる。この試験の際に
も、試験用配線基板41Aと支持具60はラッチ部64
を介して互いに強固に固定されているので、ハンドリン
グヘッド50を取り去ってから回路動作試験を終えるま
での搬送による振動は試験中の振動ではズレることはな
い。
Next, a circuit operation test of the semiconductor device formed on the bare chip 40 is performed by applying a test probe or the like to the outer end of the test wiring 41A. During this test, the test wiring board 41A and the support 60 are also connected to the latch portion 64.
Are firmly fixed to each other via the interface, so that the vibration due to the conveyance from the removal of the handling head 50 to the end of the circuit operation test is not shifted by the vibration during the test.

【0071】そして、回路試験を終えた後に、支持具6
0の上部のラッチ解除部65を内側に寄せると、梁部6
3の弾性力によってラッチ部64は外側に広がって試験
用配線基板41A及びベアチップ40を支持具60から
解放する。なお、ラッチ部64のクリックの際の押圧部
61のズレを無くすためには、押圧部61の両腕を通す
開口部62が大きいほどよい。 (第3実施形態)上記した実施形態では試験用キャリア
内へでベアチップの固定について説明した。しかし、試
験対象がパッケージされた半導体装置であるもあるし、
また、試験対象物をボード状の試験用配線基板に取り付
けることもある。そこで、本実施形態では、パッケージ
された半導体装置をBIボード上に固定することについ
て説明する。
After completing the circuit test, the support 6
When the latch release portion 65 on the upper side of the inner side
By the elastic force of 3, the latch portion 64 spreads outward to release the test wiring board 41A and the bare chip 40 from the support 60. In order to eliminate the displacement of the pressing portion 61 when the latch portion 64 is clicked, the larger the opening portion 62 through which both arms of the pressing portion 61 pass, the better. (Third Embodiment) In the above embodiment, the fixation of the bare chip in the test carrier has been described. However, there are cases where the test target is a packaged semiconductor device,
Further, the test object may be attached to a board-shaped test wiring board. Therefore, in the present embodiment, fixing a packaged semiconductor device on a BI board will be described.

【0072】図10は、ボード状の試験用配線基板上に
パッケージされた半導体装置を支持する前の状態を示し
ている。その試験用配線基板71は、複数の半導体装置
を載置できる大きさとなっている。その試験用配線基板
71に半導体装置を支持するための支持具80は、基板
状の押圧部81と、押圧部81に結合された梁部83と
を有している。押圧部81の上面には、略垂直方向に伸
びるピン81pが2箇所に取付けられており、ピン81
pの周囲にはコイルバネ86が巻かれている。さらにピ
ン81pの上端には、鍵状のストッパー81bが取り付
けられており、梁部83の挿通孔82を通したピン81
pが梁部83から脱落しないようになっている。
FIG. 10 shows a state before supporting a semiconductor device packaged on a board-shaped test wiring board. The test wiring board 71 is large enough to mount a plurality of semiconductor devices. A support 80 for supporting the semiconductor device on the test wiring board 71 has a substrate-shaped pressing portion 81 and a beam portion 83 coupled to the pressing portion 81. Pins 81p extending in a substantially vertical direction are attached to two places on the upper surface of the pressing portion 81.
A coil spring 86 is wound around p. Further, a key-shaped stopper 81b is attached to the upper end of the pin 81p, and the pin 81p is inserted through the insertion hole 82 of the beam 83.
p is prevented from falling off from the beam portion 83.

【0073】梁部83の両側の下方には、ラッチ部84
が延在している。ラッチ部84は、コイルバネ86が縮
んだ状態でラッチ部84の先端が押圧部81から下方に
突出する長さを有している。押圧部81は、第1実施形
態の支持基板51と似た構造となっている。即ち、押圧
部81のうち中央には半導体装置90が配置される凹部
85が形成され、さらに凹部85の中央には、押圧部8
1を貫通する通気孔81aが形成されている。その通気
孔81aの周囲の押圧部81には、梁部83の中央の挿
通孔83aを通したハンドリングヘッド50の先端が突
き当たるようになっている。また、凹部85の周囲に
は、少なくとも2箇所に磁化されていない磁性片87が
埋め込められている。
A latch 84 is provided below both sides of the beam 83.
Extends. The latch portion 84 has a length such that the tip of the latch portion 84 projects downward from the pressing portion 81 when the coil spring 86 is contracted. The pressing portion 81 has a structure similar to the supporting substrate 51 of the first embodiment. That is, a concave portion 85 in which the semiconductor device 90 is disposed is formed at the center of the pressing portion 81, and the pressing portion 8 is further formed at the center of the concave portion 85.
1 is formed. The distal end of the handling head 50 through the center insertion hole 83a of the beam portion 83 abuts on the pressing portion 81 around the ventilation hole 81a. Around the recess 85, at least two non-magnetized magnetic pieces 87 are embedded.

【0074】また、試験用配線基板71上には、図11
に示すように、半導体装置90の複数の端子90aに接
続される配線72が形成されている。また、試験用配線
基板71において、所定の位置に載置された支持具80
の磁性片87の真下となる位置には開口部73が形成さ
れている。さらに、試験用配線基板71には、所定の位
置に載置された支持具80のラッチ部84の真下となる
位置にラッチ孔74が形成されている。
Further, on the test wiring board 71, FIG.
As shown in FIG. 7, a wiring 72 connected to the plurality of terminals 90a of the semiconductor device 90 is formed. Further, on the test wiring board 71, a support 80 placed at a predetermined position is used.
An opening 73 is formed at a position directly below the magnetic piece 87 of FIG. Further, a latch hole 74 is formed in the test wiring board 71 at a position directly below the latch portion 84 of the support 80 placed at a predetermined position.

【0075】なお、図10中符号91は、半導体装置9
0と押圧部81の間に密着される枠状のパッド、92
は、磁界発生用コイル57の中心軸を通る磁性コア、7
2aは、試験用配線基板71上の配線72の内側の端部
に形成されたコンタクト端子、72bは、その配線72
の外側の端部に形成された外側端子を示している。その
ような試験用配線基板71上にパッケージされた半導体
装置90を取り付けるためには、次のようにする。
It should be noted that reference numeral 91 in FIG.
A frame-shaped pad 92, which is in close contact with the pressing portion 81,
Is a magnetic core passing through the central axis of the magnetic field generating coil 57;
2a is a contact terminal formed at the inner end of the wiring 72 on the test wiring board 71, and 72b is the wiring 72
3 shows an outer terminal formed at an outer end of the outer terminal. In order to mount the semiconductor device 90 packaged on such a test wiring board 71, the following is performed.

【0076】まず、半導体装置90の端子90aが露出
するように、その半導体装置90を支持具80の押圧部
81の下に位置させる。さらに、ハンドリングヘッド5
0を梁部83の挿通孔82を通して押圧部81の通気孔
81aの周囲に当てる。そして、ハンドリングヘッド5
0の吸引力により、押圧部81の通気孔81aを通して
半導体装置90を吸引して固定する。
First, the semiconductor device 90 is positioned below the pressing portion 81 of the support 80 so that the terminal 90a of the semiconductor device 90 is exposed. In addition, the handling head 5
0 is applied around the ventilation hole 81a of the pressing portion 81 through the insertion hole 82 of the beam portion 83. And the handling head 5
With the suction force of 0, the semiconductor device 90 is sucked and fixed through the ventilation hole 81a of the pressing portion 81.

【0077】続いて、ハンドリングヘッド50の移動に
より、半導体装置90を試験用配線基板71の試料設置
領域に対向させる。そして、位置認識カメラによって、
試料設置領域にあるコンタクト端子72aと半導体装置
90の端子90aの位置を認識する。その位置認識カメ
ラから得られたデータに基づいて、第1実施形態で説明
したように、コンタクト端子72aと半導体装置90の
端子90aが1対1で対向する位置までハンドリングヘ
ッド50を移動する。
Subsequently, the semiconductor device 90 is made to face the sample setting area of the test wiring board 71 by moving the handling head 50. And with the position recognition camera,
The positions of the contact terminal 72a and the terminal 90a of the semiconductor device 90 in the sample setting area are recognized. Based on the data obtained from the position recognition camera, as described in the first embodiment, the handling head 50 is moved to a position where the contact terminal 72a and the terminal 90a of the semiconductor device 90 face each other.

【0078】ついで、位置認識カメラを適当な時期に取
り去った後に、ハンドリングヘッド50を降下させてコ
ンタクト端子72aと半導体装置90の端子90aを接
触させる。これと同時に、磁界発生用コイル57の磁性
コア92を試験用配線基板71の下からその開口部73
に押し入れて押圧部81内の磁性片87に接触させる。
さらに、磁界発生用コイル57に電流を流して磁界発生
用コイル57から発生した磁界によって磁性コア92と
磁性片87を吸着させる。これにより、支持具80の押
圧部81と半導体装置90は、試験用配線基板71に固
定される。
Next, after removing the position recognition camera at an appropriate time, the handling head 50 is lowered to bring the contact terminal 72a into contact with the terminal 90a of the semiconductor device 90. At the same time, the magnetic core 92 of the magnetic field generating coil 57 is placed under the test wiring board 71 through the opening 73 thereof.
To make contact with the magnetic piece 87 in the pressing portion 81.
Further, a current is applied to the magnetic field generating coil 57 to attract the magnetic core 92 and the magnetic piece 87 by the magnetic field generated from the magnetic field generating coil 57. As a result, the pressing portion 81 of the support 80 and the semiconductor device 90 are fixed to the test wiring board 71.

【0079】ついで、図12に示すように梁部83の上
面を押圧ピン67で押し下げると、ラッチ部84は試験
用配線基板71のラッチ孔74にクリックして入り込
み、ラッチ部84の折れ曲がった先端は試験用配線基板
71の底面に掛かかった状態になる。この場合、第2実
施形態と同様に、コイルバネ86の弾性力によって押圧
部81は試験用配線基板71に押圧されて固定状態を保
持する。
Then, as shown in FIG. 12, when the upper surface of the beam portion 83 is pressed down by the pressing pin 67, the latch portion 84 clicks into the latch hole 74 of the test wiring board 71, and the bent end of the latch portion 84 is bent. Is hung on the bottom surface of the test wiring board 71. In this case, as in the second embodiment, the pressing portion 81 is pressed against the test wiring board 71 by the elastic force of the coil spring 86 and maintains a fixed state.

【0080】従って、半導体装置90の端子90aは試
験用配線72のコンタクト端子72aに接触した状態を
保持する。このような状態では、支持具80は、そのラ
ッチ部84によって試験用配線基板71に固定されるの
で、磁界発生用コイル57による磁界は不要になる。そ
こで、図13に示すように、ハンドリングヘッド50及
び押圧ピン67を取り去り、磁界発生用コイル57への
電流の供給を停止する。
Accordingly, the terminal 90a of the semiconductor device 90 maintains the state in which it is in contact with the contact terminal 72a of the test wiring 72. In such a state, the support member 80 is fixed to the test wiring board 71 by the latch portion 84, so that the magnetic field generated by the magnetic field generating coil 57 becomes unnecessary. Therefore, as shown in FIG. 13, the handling head 50 and the pressing pin 67 are removed, and the supply of the current to the magnetic field generating coil 57 is stopped.

【0081】以上のような半導体装置90及び支持具8
0を試験用配線基板71の複数箇所に取付けた後に、試
験用配線基板71を例えばBI試験炉内に搬送し、半導
体装置90の回路動作試験が行われる。以上のように、
試験用配線基板71と支持具80は、ラッチ部84を介
して試験用配線基板71上に強固に固定されているの
で、搬送に伴う振動やBI試験時の振動によりズレるこ
とはない。 (第4実施形態)図14(a),(b) は、上面に「メンブレ
ン」と呼ばれるコンタクトシートを形成した試験用配線
基板を示しており、図4と同じ符号は同じ要素を示して
いる。
The semiconductor device 90 and the support 8 as described above
After attaching 0 to a plurality of locations on the test wiring board 71, the test wiring board 71 is transported, for example, into a BI test furnace, and a circuit operation test of the semiconductor device 90 is performed. As mentioned above,
Since the test wiring board 71 and the support member 80 are firmly fixed on the test wiring board 71 via the latch portion 84, there is no deviation due to the vibration accompanying the conveyance or the vibration at the time of the BI test. (Fourth Embodiment) FIGS. 14A and 14B show a test wiring board on which a contact sheet called a “membrane” is formed on the upper surface, and the same reference numerals as those in FIG. 4 indicate the same elements. .

【0082】メンブレンは、ポリイミドのような電気絶
縁性の高いフィルム75上の半導体載置領域にコンタク
ト電極45が形成されている。また、フィルム75上に
は、コンタクト電極75から外側端子46までにピッチ
と幅を拡大しながら試験用配線パターン44が引き出さ
れている。このようなメンブレンを用いることは、試験
用配線パターン44を基板上に直に形成する場合に比べ
て試験用配線基板の量産性に優れている。 (第5実施形態)第1実施形態では、磁石54を用いて
支持基板51及び半導体装置40を試験用配線基板41
に固定する構造を採用している。しかし、磁石54から
発生する磁界が半導体装置の誤動作を招くおそれもあ
る。
In the membrane, a contact electrode 45 is formed in a semiconductor mounting region on a film 75 having high electrical insulation such as polyimide. On the film 75, the test wiring pattern 44 is drawn out from the contact electrode 75 to the outer terminal 46 while increasing the pitch and width. The use of such a membrane is superior in mass productivity of the test wiring board as compared with the case where the test wiring pattern 44 is formed directly on the substrate. (Fifth Embodiment) In the first embodiment, the support substrate 51 and the semiconductor device 40 are connected to the test wiring board 41 using the magnets 54.
The structure to fix to is adopted. However, a magnetic field generated from the magnet 54 may cause a malfunction of the semiconductor device.

【0083】そこで、図15に示すように、半導体装置
40への外部磁界の影響を低減するために、半導体装置
40を囲む磁気シールドフェンス76を試験用配線基板
41上に取り付けるのが好ましい。その磁気シールドフ
ェンス76は、半導体装置40を載置する領域と磁石5
4の配置領域との間に配置される。磁気シールドフェン
ス76は、銅のような非磁性材によって形成され、信号
線や電源線となる試験配線パターン46を跨ぐための門
77を有する。また、磁気シールドフェンス76は、接
地配線パターン46gに接続されており、試験時におい
て半導体装置40を電気的にもシールドする機能を有す
る。なお、接地配線46gは、テスターの接地端子に接
続される。 (第6実施形態)図16(a),(b) は、QFP(quad flat
package) 型半導体装置の試験に使用するICソケット
に第1実施形態で示した構造を適用したものである。
Therefore, as shown in FIG. 15, a magnetic shield fence 76 surrounding the semiconductor device 40 is preferably mounted on the test wiring board 41 in order to reduce the influence of an external magnetic field on the semiconductor device 40. The magnetic shield fence 76 has an area where the semiconductor device 40 is mounted and a magnet 5.
4 are arranged between them. The magnetic shield fence 76 is formed of a non-magnetic material such as copper, and has a gate 77 for straddling the test wiring pattern 46 serving as a signal line or a power supply line. The magnetic shield fence 76 is connected to the ground wiring pattern 46g, and has a function of electrically shielding the semiconductor device 40 during a test. The ground wiring 46g is connected to the ground terminal of the tester. (Sixth Embodiment) FIGS. 16A and 16B show QFP (quad flat).
The structure shown in the first embodiment is applied to an IC socket used for testing a package) type semiconductor device.

【0084】このICソケット93は、図1に示した弾
性体43と配線パターン44の機能を弾性のコンタクト
ピン94に持たせた構造を採用している。即ち、試験用
配線基板95のうち半導体装置の載置領域とその周辺に
凹部96を形成し、その凹部96の内部に複数本のコン
タクトピン94を取付けた構造を有している。コンタク
トピン94は、導電性のU(又はV)字状のバネ94a
を横向きに置いてその下部にプラグ94b を接続した構
造を有している。そのプラグ94b は、凹部96の底に
差し込まれて試験用配線基板95の下方に突出されてい
る。
The IC socket 93 employs a structure in which the functions of the elastic body 43 and the wiring pattern 44 shown in FIG. That is, the test circuit board 95 has a structure in which a concave portion 96 is formed in the mounting region of the semiconductor device and its periphery in the test wiring substrate 95, and a plurality of contact pins 94 are mounted inside the concave portion 96. The contact pin 94 has a conductive U (or V) -shaped spring 94a.
Is placed sideways and a plug 94b is connected to its lower part. The plug 94b is inserted into the bottom of the concave portion 96 and protrudes below the test wiring board 95.

【0085】また、試験用配線基板95のうちの凹部9
6の周囲には、支持基板51の磁石54に接触される磁
性片97が取付けられている。支持基板51は、その大
きさを除いて図1又は図3と同じ構造を有している。こ
のような構造のICソケット93においても、第1実施
形態と同様に、ハンドリングヘッド50を使用して、半
導体装置90及び支持基板51を試験用配線基板95上
に載置する。この状態では、磁石54と磁性片97の吸
着によって支持基板51と試験用配線基板95は互いに
強固に固定される。そして、半導体装置90の側方から
突出する各端子90a は、各コンタクトピン94のバネ
94aの上端に接触するとともに、バネ94a 自体の弾
性によって支持基板51側に押圧される。 (第7実施形態)図7に示す試験用キャリアには、図1
7(a),(b) に示すように、半田バンプ40b が形成され
たベアチップ40を取り付けてもよい。しかし、半田バ
ンプ40bはベアチプ40の一面にマトリクス状に配置
されるので、配線パターン44の密度が高くなるような
場合には、多層配線構造を採用してもよい。
Further, the recess 9 in the test wiring board 95
A magnetic piece 97 that is in contact with the magnet 54 of the support substrate 51 is mounted around the periphery of the support 6. The support substrate 51 has the same structure as FIG. 1 or FIG. 3 except for its size. In the IC socket 93 having such a structure, the semiconductor device 90 and the support substrate 51 are mounted on the test wiring board 95 by using the handling head 50 as in the first embodiment. In this state, the support substrate 51 and the test wiring substrate 95 are firmly fixed to each other by the attraction of the magnet 54 and the magnetic piece 97. Each terminal 90a projecting from the side of the semiconductor device 90 contacts the upper end of the spring 94a of each contact pin 94, and is pressed toward the support substrate 51 by the elasticity of the spring 94a itself. (Seventh Embodiment) The test carrier shown in FIG.
As shown in FIGS. 7A and 7B, a bare chip 40 on which a solder bump 40b is formed may be attached. However, since the solder bumps 40b are arranged in a matrix on one surface of the bare chip 40, a multilayer wiring structure may be employed when the density of the wiring patterns 44 increases.

【0086】なお、図17(a),(b) では、試験用配線基
板41B上にメンブレンを形成した構造を採用してい
る。 (第8実施形態)図18(a) の断面図は、半導体装置よ
りも広い凹部99をハウジング98に形成するともに、
その凹部99の周囲に段100を形成した構造を示して
いる。その段100の上に置かれたスプリング101
は、凹部99の蓋102を支えている。その蓋102の
窪みには、凹部99の底に立てられた針状のピン103
が貫通している。そのピン103は導電性の弾性材から
構成され、しかも僅かに屈曲されており、その下端はハ
ウジング98の底部に突出してボード状の試験用配線基
板104の配線パターン105に接続されている。ハウ
ジング98は試験用配線基板104に接着されている。
In FIGS. 17A and 17B, a structure in which a membrane is formed on a test wiring board 41B is employed. (Eighth Embodiment) A sectional view of FIG. 18A shows that a recess 99 wider than a semiconductor device is formed in a housing 98,
A structure in which a step 100 is formed around the concave portion 99 is shown. A spring 101 placed on the step 100
Supports the lid 102 of the recess 99. A dent of the lid 102 has a needle-like pin 103
Is penetrating. The pin 103 is made of a conductive elastic material, and is slightly bent. The lower end of the pin 103 projects to the bottom of the housing 98 and is connected to the wiring pattern 105 of the board-like test wiring board 104. The housing 98 is adhered to the test wiring board 104.

【0087】また、凹部99の周辺には、ハウジング9
8を貫通して上下に突出する磁性片106が埋め込まれ
ていて、その磁性片106の下端は試験用配線基板10
4の開口部107を貫通するようになっている。また、
磁性片106の上端は、支持具60の押圧部61に接触
可能に配置され、磁性片106が磁界発生用コイル(不
図示)によって磁化された状態で押圧部61に吸着する
ようになっている。
The housing 9 is provided around the recess 99.
8 is embedded, and the lower end of the magnetic piece 106 is connected to the test wiring board 10.
4 through the opening 107. Also,
The upper end of the magnetic piece 106 is arranged so as to be able to contact the pressing portion 61 of the support 60, and the magnetic piece 106 is attracted to the pressing portion 61 in a state magnetized by a magnetic field generating coil (not shown). .

【0088】このような構造でも、第2実施形態で説明
した方法によって支持具60をハウジング98に取付け
る。上記したピン103を試験用配線基板104の配線
105に電気的に接続する構造としては、図18(a) の
他に図18(b) に示すようなものがある。図18(b) の
試験用配線基板104及び配線105において、ハウジ
ング98の底部から突出したピン103が当たる位置に
は内面に導電膜が存在するスルーホール108が形成さ
れている。ピン103はスルーホール108に挿入さ
れ、また、スルーホール108内のピン103と試験用
配線基板104は半田109により固定される。さら
に、配線105とピン103は、半田109及びスルー
ホール108を介して電気的に導通されている。その半
田109は、半田リフローによって付けられる。
With such a structure, the support 60 is attached to the housing 98 by the method described in the second embodiment. As a structure for electrically connecting the pin 103 to the wiring 105 of the test wiring board 104, there is a structure shown in FIG. 18B in addition to FIG. 18A. In the test wiring board 104 and the wiring 105 of FIG. 18B, a through hole 108 in which a conductive film is present is formed on the inner surface at a position where the pin 103 protruding from the bottom of the housing 98 hits. The pin 103 is inserted into the through hole 108, and the pin 103 in the through hole 108 and the test wiring board 104 are fixed by solder 109. Further, the wiring 105 and the pin 103 are electrically connected via the solder 109 and the through hole 108. The solder 109 is applied by solder reflow.

【0089】なお、図18(a),(b) では、図7と同じ符
号は同じ要素を示している。 (第9実施形態)図19は、図11で示した試験用配線
基板71上に形成された配線72のコンタクト端子72
aの上に異方性ゴムシート108を取付けた状態を示し
ている。この異方性ゴムシート108は、図11の二点
鎖線に示すようにコンタクト端子72aに重なるような
枠状の平面形状を有している。
In FIGS. 18A and 18B, the same reference numerals as those in FIG. 7 indicate the same elements. (Ninth Embodiment) FIG. 19 shows a contact terminal 72 of a wiring 72 formed on a test wiring board 71 shown in FIG.
A state in which an anisotropic rubber sheet 108 is mounted on a is shown. This anisotropic rubber sheet 108 has a frame-like planar shape that overlaps with the contact terminal 72a as shown by a two-dot chain line in FIG.

【0090】異方性ゴムシート108は、導電性繊維が
上下方向に延びて埋め込まれたものであり、異方性ゴム
シート108においては、シートの上面と下面は導電性
繊維を介して導通しているが、面に沿った方向には高抵
抗となっている。このような異方性ゴムシート108を
コンタクト端子72aに載せると、コンタクト端子72
aとその周辺の凹凸が小さくなるので、その上に乗る半
導体装置90の端子90aは安定する。 (第10実施形態)図20は本発明の第10の実施形態
に係る試験用キャリアを説明する図面である。
The anisotropic rubber sheet 108 is formed by embedding conductive fibers extending in the up-down direction. In the anisotropic rubber sheet 108, the upper surface and the lower surface of the sheet are electrically connected via the conductive fibers. However, the resistance is high in the direction along the plane. When such an anisotropic rubber sheet 108 is placed on the contact terminals 72a, the contact terminals 72a
Since the “a” and the irregularities around the “a” are reduced, the terminal 90 a of the semiconductor device 90 on the “a” is stabilized. (Tenth Embodiment) FIG. 20 is a view for explaining a test carrier according to a tenth embodiment of the present invention.

【0091】図20(a)は本実施形態に係る試験用キ
ャリアの断面図であり、図20(b)は、本実施形態に
係る試験用キャリアに用いられる基板を説明する上面図
である。図20(a)に示すように、この試験用キャリ
アは、その上面にベアチップ40を載置させる基板11
1と、ベアチップ40を基板111上に固定する薄膜1
12とからなる。薄膜112と基板111とは接着剤1
13で固定されている。
FIG. 20A is a cross-sectional view of the test carrier according to the present embodiment, and FIG. 20B is a top view illustrating a substrate used for the test carrier according to the present embodiment. As shown in FIG. 20A, the test carrier has a substrate 11 on which a bare chip 40 is mounted.
1 and thin film 1 for fixing bare chip 40 on substrate 111
It consists of 12. The thin film 112 and the substrate 111 are bonded with the adhesive 1
13 is fixed.

【0092】この基板111は、図20(b)に示すよ
うに、その上面に複数本の試験用配線パターン116が
形成されている。また、この試験用配線パターン116
は放射状に広がるように配置されている。その試験用配
線パターン116の内側の端部には、ベアチップ40の
電極40aの配置パターンに対応して設けられたコンタ
クト端子115が設けられている。
As shown in FIG. 20B, a plurality of test wiring patterns 116 are formed on the upper surface of the substrate 111. The test wiring pattern 116
Are arranged to spread radially. At the inner end of the test wiring pattern 116, contact terminals 115 provided corresponding to the arrangement pattern of the electrodes 40a of the bare chip 40 are provided.

【0093】図20(a)に示すように、この試験用キ
ャリアは、コンタクト端子115とベアチップ40の電
極40aとが対応するように位置合せされ、試験用キャ
リアの基板111上にベアチップ40が載置され、その
上から薄膜112が被覆され、接着剤113で固着され
ることで構成される。本実施形態の試験用キャリアによ
れば、支持体として薄膜112を使用していることによ
り、ベアチップ40の形状にフレキシブルに倣い、密着
して加圧することができる。従って、外部から振動を受
けても薄膜112とベアチップ40との間との衝撃が少
ない。
As shown in FIG. 20A, the test carrier is aligned such that the contact terminals 115 correspond to the electrodes 40a of the bare chip 40, and the bare chip 40 is mounted on the substrate 111 of the test carrier. The thin film 112 is covered from above, and fixed by an adhesive 113. According to the test carrier of the present embodiment, since the thin film 112 is used as the support, the test carrier can flexibly follow the shape of the bare chip 40 and can be closely pressed. Therefore, even when vibration is applied from the outside, the impact between the thin film 112 and the bare chip 40 is small.

【0094】これにより、搬送やBI試験等の際に振動
を受けても薄膜112によりベアチップ40に加わる衝
撃が緩和され、基板111のコンタクト端子115とベ
アチップ40の電極40aとの間の良好な電気的接続状
態を試験工程中に維持することが可能となる。また、図
21(a)に示すように、薄膜に樹脂などからなる抑え
板114を、ベアチップを載置するための領域を取り囲
むように形成してもよい。この場合には、薄膜だけでは
衝撃を吸収できないほどの外力が加わった時にも、抑え
板によりベアチップが横ずれするのが極力抑止すること
が可能となる。 (第11実施形態)図21(b)は、本発明の第11の
実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図であ
る。
As a result, the shock applied to the bare chip 40 by the thin film 112 is alleviated even if it is subjected to vibration during transportation or a BI test, etc., and a good electrical connection between the contact terminal 115 of the substrate 111 and the electrode 40a of the bare chip 40 is obtained. The connection state can be maintained during the test process. In addition, as shown in FIG. 21A, a holding plate 114 made of resin or the like may be formed on a thin film so as to surround a region for mounting a bare chip. In this case, even when an external force that cannot absorb a shock by the thin film alone is applied, the lateral displacement of the bare chip by the holding plate can be suppressed as much as possible. (Eleventh Embodiment) FIG. 21B is a cross-sectional view illustrating a test carrier according to an eleventh embodiment of the present invention.

【0095】この試験用キャリアは、図21(b)に示
すように、その上面にベアチップ40を載置させる基板
121と、ベアチップ40を基板121上に固定する支
持体124とからなる。支持体124は図21(b)に
示すように薄膜122と磁性体123とからなる。ま
た、基板121の裏面のベアチップ40が載置された領
域以外には磁石125が設けられている。
As shown in FIG. 21 (b), the test carrier comprises a substrate 121 on which the bare chip 40 is mounted, and a support 124 for fixing the bare chip 40 on the substrate 121. The support 124 includes a thin film 122 and a magnetic body 123 as shown in FIG. Further, a magnet 125 is provided in a region other than the region on the back surface of the substrate 121 where the bare chip 40 is mounted.

【0096】なお、基板121の上面にはベアチップと
のコンタクトをとる試験用配線パターンが形成されてい
るが、その構造は図20(b)と同様なので説明を省略
する。本実施形態に係る試験用キャリアによれば、磁石
115と磁性体113間に働く磁力を利用して薄膜11
2を基板111上に密着させ、ベアチップ40を基板1
11に密着させることにより、その後のBI試験中も良
好な電気的接続状態を維持することができる。
Although a test wiring pattern for making contact with a bare chip is formed on the upper surface of the substrate 121, its structure is the same as that shown in FIG. According to the test carrier according to this embodiment, the thin film 11 is formed by utilizing the magnetic force acting between the magnet 115 and the magnetic body 113.
2 is brought into close contact with the substrate 111, and the bare chip 40 is
By keeping it in close contact with 11, it is possible to maintain a good electrical connection state even during the subsequent BI test.

【0097】また、磁力の強さを変えることで、ベアチ
ップにかかる圧力を調整することができるという利点も
ある。なお、本実施形態では薄膜112はポリイミドか
らなり、磁性体113はCu等からなるが、これには限
らない。また、薄膜そのものを磁性体としても同様の効
果を奏する。 (第12実施形態)図22(a)は、本発明の第12の
実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図であ
る。
There is also an advantage that the pressure applied to the bare chip can be adjusted by changing the strength of the magnetic force. In the present embodiment, the thin film 112 is made of polyimide, and the magnetic body 113 is made of Cu or the like, but is not limited to this. Similar effects can be obtained by using the thin film itself as a magnetic material. (Twelfth Embodiment) FIG. 22A is a cross-sectional view illustrating a test carrier according to a twelfth embodiment of the present invention.

【0098】この試験用キャリアは、図22(a)に示
すように、その上面にベアチップ40を載置させる基板
131と、ベアチップ40を基板131上に固定する薄
膜132とからなる。薄膜132と基板131とは接着
剤133で固定されている。また、基板131の上面の
構成は、図20(b)と同様である。本実施形態では、
基板131,薄膜132の材料を選択するに際し、薄膜
132の熱膨張率よりも基板131の熱膨張率が大きく
なるようにしている。
As shown in FIG. 22A, the test carrier includes a substrate 131 on which the bare chip 40 is mounted, and a thin film 132 for fixing the bare chip 40 on the substrate 131. The thin film 132 and the substrate 131 are fixed with an adhesive 133. The configuration of the upper surface of the substrate 131 is the same as that in FIG. In this embodiment,
When selecting the material of the substrate 131 and the thin film 132, the coefficient of thermal expansion of the substrate 131 is set to be larger than the coefficient of thermal expansion of the thin film 132.

【0099】実際には、基板131の材料として例えば
ガラスエポキシ(熱膨張係数30PPM/℃程度)やP
EI(熱膨張係数27PPM/℃程度)やPES(熱膨
張係数30PPM/℃程度)などを、薄膜132の材料
として例えば低熱膨張ポリイミド(熱膨張係数16PP
M/℃程度)を用いている。このように、薄膜132よ
りも熱膨張率の高い基板131を用いることにより、後
にBI試験によって加熱されたときには、この基板13
1が薄膜132よりも膨張するため、膨張率の差によっ
て薄膜132が引っ張り応力を受ける。
In practice, the material of the substrate 131 is, for example, glass epoxy (coefficient of thermal expansion: about 30 PPM / ° C.) or P
EI (coefficient of thermal expansion of about 27 PPM / ° C.), PES (coefficient of thermal expansion of about 30 PPM / ° C.), or the like is used as a material of the thin film 132, for example, a low thermal expansion polyimide (coefficient of thermal expansion of
M / ° C.). As described above, by using the substrate 131 having a higher coefficient of thermal expansion than the thin film 132, when heated later by the BI test,
Since 1 expands more than the thin film 132, the thin film 132 receives a tensile stress due to a difference in expansion coefficient.

【0100】この引っ張り応力によりベアチップ40が
さらに基板131に加圧密着されるので、さらに良好な
電気的接続状態を試験工程中に維持することが可能とな
る。 (第13実施形態)図22(b)は、本発明の第13の
実施形態に係る試験用キャリアの断面図である。
Since the bare chip 40 is further pressed and adhered to the substrate 131 by the tensile stress, it is possible to maintain a better electrical connection state during the test process. (Thirteenth Embodiment) FIG. 22B is a sectional view of a test carrier according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【0101】この試験用キャリアは、図22(b)に示
すように、その上面にベアチップ40を載置させる基板
143と、ベアチップ40を基板143上に固定する薄
膜144とからなる。薄膜144と基板143とは接着
剤146で固定されている。また、図22(b)に示す
ように基板143は第1の層141,第2の層142の
二層構造になっている。そして、第1の層141の熱膨
張率は第2の層142の熱膨張率に比して小さくなるよ
うにしている。
As shown in FIG. 22B, the test carrier includes a substrate 143 on which the bare chip 40 is mounted and a thin film 144 for fixing the bare chip 40 on the substrate 143. The thin film 144 and the substrate 143 are fixed with an adhesive 146. Further, as shown in FIG. 22B, the substrate 143 has a two-layer structure of a first layer 141 and a second layer 142. The first layer 141 has a smaller coefficient of thermal expansion than the second layer 142.

【0102】具体的には、第1の層141は例えばセラ
ミック(熱膨張係数9PPM/℃程度)や銅(熱膨張係
数10〜13PPM/℃程度)など、第2の層142は
例えばガラスエポキシ(熱膨張係数30PPM/℃程
度)やPEI(熱膨張係数27PPM/℃程度)やPE
S(熱膨張係数30PPM/℃程度)などを用いてい
る。
Specifically, the first layer 141 is made of, for example, ceramic (coefficient of thermal expansion of about 9 PPM / ° C.) or copper (coefficient of thermal expansion of about 10 to 13 PPM / ° C.), and the second layer 142 is made of, for example, glass epoxy ( Thermal expansion coefficient of about 30 PPM / ° C), PEI (thermal expansion coefficient of about 27 PPM / ° C), PE
S (a coefficient of thermal expansion of about 30 PPM / ° C.) or the like is used.

【0103】また、基板143の上面には、試験用配線
パターンが形成されている点では図20(b)と同様で
ある。本実施形態に係る試験用キャリアでは、第1の層
141の熱膨張率は第2の基板142の熱膨張率に比し
て小さくなるようにしているので、熱膨張率の差によっ
て図22(b)に示すように基板143が第1の層14
1側に反る。
Also, the point that a test wiring pattern is formed on the upper surface of the substrate 143 is the same as FIG. 20B. In the test carrier according to the present embodiment, the coefficient of thermal expansion of the first layer 141 is set to be smaller than the coefficient of thermal expansion of the second substrate 142. As shown in FIG.
Warp to one side.

【0104】これにより、薄膜132が引っ張り応力を
受ける。この引っ張り応力によりベアチップ40がさら
に基板143に加圧密着されるので、良好な電気的接続
状態を試験中に維持することが可能となる。また、図2
2(c)に示すように、第1の層141の背面に溝14
5を設けてもよい。この溝145によって基板の反りが
さらに向上するので、ベアチップの加圧密着性が向上
し、さらに良好な電気的接続状態をBI試験中に維持す
ることが可能となる。 (第14実施形態)図23は、本発明の第14の実施形
態に係る試験用キャリアを示す図である。図23(a)
は、本実施形態に係る試験用キャリアの構造を説明する
斜視図である。また、図23(b)は図23(a)のI
−I線断面図である。
As a result, the thin film 132 receives a tensile stress. The bare chip 40 is further pressed and adhered to the substrate 143 by the tensile stress, so that a good electrical connection state can be maintained during the test. FIG.
As shown in FIG. 2C, the groove 14 is formed on the back of the first layer 141.
5 may be provided. Since the warpage of the substrate is further improved by the groove 145, the pressure adhesion of the bare chip is improved, and a more favorable electrical connection state can be maintained during the BI test. (Fourteenth Embodiment) FIG. 23 is a view showing a test carrier according to a fourteenth embodiment of the present invention. FIG. 23 (a)
FIG. 2 is a perspective view illustrating a structure of a test carrier according to the present embodiment. FIG. 23 (b) is a graph showing I in FIG. 23 (a).
FIG. 2 is a sectional view taken along line I.

【0105】図23(b)に示すように、この試験用キ
ャリアは、その上面にベアチップ40を載置させる基板
151と、ベアチップ40を基板151上に固定するポ
リイミドからなる薄膜152とからなる。薄膜152と
基板151とは接着剤で固定されている。また、基板1
51の上面には、試験用配線パターンが形成されてお
り、その上面の構造は図20(b)と同様である。
As shown in FIG. 23 (b), the test carrier comprises a substrate 151 on which the bare chip 40 is mounted, and a thin film 152 made of polyimide for fixing the bare chip 40 on the substrate 151. The thin film 152 and the substrate 151 are fixed with an adhesive. Also, substrate 1
A test wiring pattern is formed on the upper surface of 51, and the structure of the upper surface is the same as that of FIG.

【0106】さらに薄膜152には、図23(a)に示
すように多数の孔がマトリクス状に形成されており、殆
ど網状の形状をなしている。これにより、孔が形成され
ていない薄膜よりもフレキシブルにベアチップの形状に
フィットすることが可能になる。また、ベアチップ40
が外気に直接さらされるので、孔の形成されていない薄
膜で覆う場合に比して放熱効果も大きいという利点もあ
る。
Further, a large number of holes are formed in the thin film 152 in a matrix as shown in FIG. This makes it possible to more flexibly fit the shape of the bare chip than a thin film having no holes. In addition, bare chip 40
Is directly exposed to the outside air, so that there is also an advantage that the heat radiation effect is large as compared with the case where it is covered with a thin film having no holes formed.

【0107】また、この薄膜の代わりに金属製の網や、
別の高耐熱性の繊維でできた網等を使用しても同様の効
果を奏する。 (第15実施形態)図24(a)は、本発明の第15の
実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図であ
る。
In place of this thin film, a metal net,
Similar effects can be obtained by using a net made of another fiber having high heat resistance. (Fifteenth Embodiment) FIG. 24A is a cross-sectional view illustrating a test carrier according to a fifteenth embodiment of the present invention.

【0108】図24(a)に示すように、この試験用キ
ャリアは、その上面にベアチップ40を載置させる基板
161と、ベアチップ40を基板161上に固定するた
めの粘土からなる粘着材162とからなる。粘着材16
2と基板161とは接着剤で固定されている。また、基
板161の上面には、試験用配線パターンが形成されて
おり、その配置状態は図20(b)と同様である。
As shown in FIG. 24A, the test carrier comprises a substrate 161 on which the bare chip 40 is mounted and an adhesive 162 made of clay for fixing the bare chip 40 on the substrate 161. Consists of Adhesive 16
2 and the substrate 161 are fixed with an adhesive. Further, a test wiring pattern is formed on the upper surface of the substrate 161, and the arrangement state is the same as that in FIG. 20B.

【0109】本実施形態では、第10〜第14の実施形
態で用いた薄膜の代わりに粘土からなる粘着材162を
使用している。これにより、第10〜14の実施形態と
同様に、ベアチップ40を基板161に加圧して保持す
ることができるのみならず、粘着材を用いているのでベ
アチップ40への衝撃緩和を薄膜よりも確実に行うこと
ができる。従って、BI試験などによって振動が生じて
も、ベアチップの位置ずれを極力抑止することが可能に
なる。 (第16実施形態)図24(a)は、本発明の第16の
実施形態に係る試験用キャリアを説明する断面図であ
る。
In this embodiment, an adhesive 162 made of clay is used instead of the thin film used in the tenth to fourteenth embodiments. As a result, similarly to the tenth to fourteenth embodiments, not only can the bare chip 40 be pressed against the substrate 161 and held, but also the impact on the bare chip 40 can be reduced more reliably than the thin film because the adhesive is used. Can be done. Therefore, even if vibration occurs due to a BI test or the like, it is possible to minimize the displacement of the bare chip. (Sixteenth Embodiment) FIG. 24A is a cross-sectional view illustrating a test carrier according to a sixteenth embodiment of the present invention.

【0110】図24(a)に示すように、この試験用キ
ャリアは、その上面にベアチップ40を載置させる基板
171と、テフロン等のように熱によって収縮する材料
である熱収縮性材172とからなる。この熱収縮性材1
72は図24(b)に示すように、基板171と、その
上に載置されるベアチップ40とを取り囲むように形成
されている。
As shown in FIG. 24A, the test carrier comprises a substrate 171 on which the bare chip 40 is mounted and a heat-shrinkable material 172 such as Teflon, which is a material that shrinks by heat. Consists of This heat-shrinkable material 1
As shown in FIG. 24B, reference numeral 72 is formed so as to surround the substrate 171 and the bare chip 40 mounted thereon.

【0111】また、基板171の上面には、試験用配線
パターンが形成されており、図20(b)と同様であ
る。本実施形態によれば、熱収縮性材172を用いて基
板171とベアチップ40とを取り囲んでいるので、熱
によってこれが縮んだときに熱収縮性材172に引っ張
り応力が加わる。この引っ張り応力に寄ってベアチップ
40は基板171に密着するので、BI試験中等も良好
な電気的接続状態を維持することが可能になる。 (第17実施形態)図25(a),(b)は、本発明の
第17の実施形態に係る試験用キャリアを説明する図面
である。図25(a)は、本実施形態に係る試験用キャ
リアを説明する断面図である。また、図25(b)は、
本実施形態に係る試験用キャリアに用いられる薄膜を説
明する上面図である。
A test wiring pattern is formed on the upper surface of the substrate 171 and is the same as that shown in FIG. According to the present embodiment, since the substrate 171 and the bare chip 40 are surrounded by the heat-shrinkable material 172, when the heat-shrinkable material 172 shrinks, a tensile stress is applied to the heat-shrinkable material 172. The bare chip 40 comes into close contact with the substrate 171 due to the tensile stress, so that a good electrical connection state can be maintained even during a BI test or the like. (Seventeenth Embodiment) FIGS. 25A and 25B are diagrams illustrating a test carrier according to a seventeenth embodiment of the present invention. FIG. 25A is a cross-sectional view illustrating a test carrier according to the present embodiment. FIG. 25 (b)
FIG. 3 is a top view illustrating a thin film used for a test carrier according to the embodiment.

【0112】図25(a)に示すように、この試験用キ
ャリアは、その上面にベアチップ40を載置させる基板
181と、ベアチップ40を基板181上に固定するポ
リイミドからなる薄膜182とからなる。薄膜182と
基板181とは接着剤で固定されている。本実施形態に
係る試験用キャリアは、第10〜第16の実施形態の試
験用キャリアと異なり、基板181の上面には試験用配
線パターンが形成されていない。
As shown in FIG. 25A, the test carrier includes a substrate 181 on which the bare chip 40 is mounted, and a thin film 182 made of polyimide for fixing the bare chip 40 on the substrate 181. The thin film 182 and the substrate 181 are fixed with an adhesive. The test carrier according to the present embodiment is different from the test carriers according to the tenth to sixteenth embodiments in that no test wiring pattern is formed on the upper surface of the substrate 181.

【0113】すなわち、図25(b)に示すように、薄
膜182の上面に複数本の試験用配線パターン183が
形成されている。この試験用配線パターン183は放射
状に広がるように配置されている。その試験用配線パタ
ーン183の内側の端部には、ベアチップ40の端子パ
ターンに対応して設けられたコンタクト端子184が設
けられている。
That is, as shown in FIG. 25B, a plurality of test wiring patterns 183 are formed on the upper surface of the thin film 182. The test wiring pattern 183 is arranged to spread radially. At the inner end of the test wiring pattern 183, contact terminals 184 provided corresponding to the terminal patterns of the bare chip 40 are provided.

【0114】従って、この試験用キャリアにベアチップ
40を取り付ける際には、第10〜第16の実施形態と
異なり、図25(a)に示すようにベアチップの電極4
0aが上向きになるように基板181上にベアチップ4
0を載置し、試験用配線パターン183及びコンタクト
端子184が下向きになるように薄膜182を基板18
1上に対向配置する。
Therefore, when attaching the bare chip 40 to this test carrier, unlike the tenth to sixteenth embodiments, as shown in FIG.
The bare chip 4 is placed on the substrate 181 so that 0a faces upward.
0 and the thin film 182 is placed on the substrate 18 so that the test wiring pattern 183 and the contact terminals 184 face downward.
1 and facing each other.

【0115】その後コンタクト端子184とベアチップ
の電極40aとを位置合せし、薄膜182を基板181
に接着剤で固着する。本実施形態によれば、フレキシブ
ルな薄膜182に試験用配線パターン183及びコンタ
クト端子184を形成しているので、試験用キャリアに
振動が加わっても、コンタクト端子184がフレキシブ
ルに上下するため、電極40aとの接触状態を良好に維
持することが可能となる。
Thereafter, the contact terminals 184 are aligned with the bare chip electrodes 40a, and the thin film 182 is attached to the substrate 181.
Is fixed with an adhesive. According to the present embodiment, since the test wiring pattern 183 and the contact terminals 184 are formed on the flexible thin film 182, the contact terminals 184 move up and down flexibly even when vibration is applied to the test carrier. Satisfactorily can be maintained in contact with the substrate.

【0116】また、ベアチップの電極40aの平坦性に
ばらつきがあっても、フレキシブルにこれを押圧するこ
とができるので、良好な接触状態を維持することが可能
となる。 (第18実施形態)図26は、本発明の第18の実施形
態に係る試験用キャリアを示す図である。図26(a)
は、本実施形態に係る試験用キャリアの構造を説明する
断面図である。また、図26(b)は、図26(a)を
部分的に拡大した断面図である。
Further, even if the flatness of the bare chip electrode 40a varies, it can be pressed flexibly, so that a good contact state can be maintained. (Eighteenth Embodiment) FIG. 26 is a view showing a test carrier according to an eighteenth embodiment of the present invention. FIG. 26 (a)
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the structure of the test carrier according to the present embodiment. FIG. 26B is a partially enlarged cross-sectional view of FIG.

【0117】図26(a)に示すように、この試験用キ
ャリアは、その上面にベアチップ40を載置させる基板
191と、ベアチップ40を基板191上に固定するポ
リイミドからなる薄膜192と、薄膜192の表面にコ
ーティングされた金属膜193からなる。薄膜192と
基板191とは接着剤で固定されている。また、基板1
51の上面には、試験用配線パターンが形成されてお
り、図20(b)と同様に配置されている。
As shown in FIG. 26A, this test carrier comprises a substrate 191 on which a bare chip 40 is mounted, a thin film 192 made of polyimide for fixing the bare chip 40 on the substrate 191, and a thin film 192. Consists of a metal film 193 coated on the surface. The thin film 192 and the substrate 191 are fixed with an adhesive. Also, substrate 1
Test wiring patterns are formed on the upper surface of 51, and are arranged in the same manner as in FIG.

【0118】図26(b)に示すように、ベアチップ4
0の載置領域に対応する薄膜192には、複数のスルー
ホール194が形成されている。また、薄膜192のベ
アチップ40に直接密着する部分と、スルーホール19
4を介して反対側の表面には、金属膜193がコーティ
ングされている。本実施形態によれば、スルーホール1
94が形成されてベアチップ40が直接外気に触れる為
放熱効果が高まる。また、ベアチップ40に直接密着す
る部分と、スルーホール194を介して反対側の表面に
は、放熱性の良好な金属膜193がコーティングされて
いるので、単に薄膜にスルーホールを形成した場合に比
して、さらに放熱効果が高まり、良好なBI試験を実施
することが可能になる。特に発熱量が大きいデバイスに
適用する際には有効である。 (第19実施形態)以下で、本発明の第19の実施形態
に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法につい
て図面を参照しながら説明する。
As shown in FIG. 26B, the bare chip 4
A plurality of through holes 194 are formed in the thin film 192 corresponding to the 0 mounting region. Further, a portion of the thin film 192 which is in direct contact with the bare chip 40 and the through hole 19
The metal film 193 is coated on the surface on the opposite side via 4. According to the present embodiment, the through hole 1
94 is formed, and the bare chip 40 directly contacts the outside air, so that the heat radiation effect is enhanced. In addition, since a metal film 193 having good heat dissipation properties is coated on a portion directly adhering to the bare chip 40 and a surface on the opposite side via the through hole 194, compared with a case where a through hole is simply formed in a thin film. As a result, the heat radiation effect is further enhanced, and a good BI test can be performed. This is particularly effective when applied to a device that generates a large amount of heat. (Nineteenth Embodiment) Hereinafter, a method of attaching a bare chip to a test carrier according to a nineteenth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0119】図27(a),(b)は本実施形態に係る
試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について
説明する断面図である。この取付方法によれば、最初に
ベアチップ40を載置させる基板201と、ベアチップ
40を基板201上に固定させる薄膜202とを有し、
基板201の、ベアチップを載置する領域の一部に、直
径1〜2mm程度の大きさの通気孔203が形成されてい
る試験用キャリアを予め用意しておく。
FIGS. 27A and 27B are cross-sectional views for explaining a method of attaching a bare chip to a test carrier according to the present embodiment. According to this mounting method, first, there is a substrate 201 on which the bare chip 40 is mounted, and a thin film 202 for fixing the bare chip 40 on the substrate 201,
A test carrier in which a vent 203 having a diameter of about 1 to 2 mm is formed in a part of a region of the substrate 201 where a bare chip is to be placed is prepared in advance.

【0120】そして、図27(a)に示すようにベアチ
ップ40を基板201に載置して仮の位置合せをした後
に、通気孔202を介してベアチップ40を吸着する。
吸着されている限りベアチップ40は基板201に固定
されるのでこの間に位置ずれが生じることを極力抑止す
ることが可能になる。従ってその後、図27(b)に示
すように薄膜203でベアチップ40と基板201とを
覆って、これらを固着する際にも、位置ずれが生じてし
まい、ベアチップ40の電極40aと、基板201上に
形成された不図示のコンタクト端子とがずれてしまうこ
とを極力抑止することが可能となる。 (第20実施形態)以下で、本発明の第20の実施形態
に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法につい
て図面を参照しながら説明する。
Then, as shown in FIG. 27A, after the bare chip 40 is placed on the substrate 201 for temporary alignment, the bare chip 40 is sucked through the vent hole 202.
Since the bare chip 40 is fixed to the substrate 201 as long as it is adsorbed, it is possible to minimize the occurrence of positional deviation during this. Accordingly, thereafter, as shown in FIG. 27B, when the bare chip 40 and the substrate 201 are covered with the thin film 203 and they are fixed to each other, a displacement occurs, and the electrode 40a of the bare chip 40 and the It is possible to minimize the deviation from the contact terminal (not shown) formed in the above. Twentieth Embodiment A method for attaching a bare chip to a test carrier according to a twentieth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0121】図28(a),(b)は本実施形態に係る
試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について
説明する断面図である。本実施形態に係る取付方法によ
れば、図28(a)に示すように、ベアチップを載置す
る領域の周囲を取り囲むように形成された突起212を
その表面に有する基板211と、ベアチップ40を基板
221上に固定させる薄膜とを有する試験用キャリアを
予め用意する。
FIGS. 28A and 28B are cross-sectional views for explaining a method of attaching a bare chip to a test carrier according to the present embodiment. According to the mounting method according to the present embodiment, as shown in FIG. 28A, a substrate 211 having a projection 212 formed on its surface so as to surround a region on which a bare chip is placed, and a bare chip 40 are formed. A test carrier having a thin film to be fixed on the substrate 221 is prepared in advance.

【0122】そして、図28(a)に示すようにベアチ
ップ40を基板211の、突起212で囲まれた領域内
に載置する。この突起212によってベアチップ40が
取り囲まれていることにより、ベアチップ40が振動な
どで位置ずれすることを抑止することが可能となる。従
ってその後、図28(b)に示すように薄膜213でベ
アチップ40と基板211とを覆って、これらを固着す
る際にも、位置ずれが生じてしまい、ベアチップ40の
電極40aと、基板211上に形成された不図示のコン
タクト端子とがずれてしまうことを極力抑止することが
可能となる。 (第21実施形態)以下で、本発明の第21の実施形態
に係る試験用キャリアへのベアチップの取付方法につい
て図面を参照しながら説明する。
Then, as shown in FIG. 28A, the bare chip 40 is placed in a region of the substrate 211 surrounded by the protrusion 212. Since the bare chip 40 is surrounded by the projections 212, it is possible to prevent the bare chip 40 from being displaced due to vibration or the like. Therefore, after that, when the bare chip 40 and the substrate 211 are covered with the thin film 213 as shown in FIG. 28B, and they are fixed, a displacement occurs, and the electrode 40a of the bare chip 40 and the substrate It is possible to minimize the deviation from the contact terminal (not shown) formed in the above. Embodiment 21 Hereinafter, a method for attaching a bare chip to a test carrier according to a twenty-first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0123】図29(a),(b)は本実施形態に係る
試験用キャリアへベアチップを取り付ける方法について
説明する断面図である。本実施形態に係る取付方法で
は、図29(a)に示すように、ベアチップ40を載置
させる基板221と、ベアチップ40を基板221上に
固定させる薄膜222とを有し、薄膜222の一部に、
直径1〜2mmの孔223が形成されている試験用キャリ
アを予め用意しておく。
FIGS. 29A and 29B are cross-sectional views for explaining a method of attaching a bare chip to a test carrier according to the present embodiment. The mounting method according to this embodiment includes a substrate 221 on which the bare chip 40 is mounted and a thin film 222 for fixing the bare chip 40 on the substrate 221, as shown in FIG. To
A test carrier in which a hole 223 having a diameter of 1 to 2 mm is formed is prepared in advance.

【0124】そして、図29(a)に示すように、薄膜
222の孔223を介して、第1の実施形態で説明した
ハンドリングヘッド50を用いて、薄膜222とベアチ
ップ40をハンドリングヘッド50に吸着させてしま
う。そして図29(b)に示すように、このハンドリン
グヘッド50を基板221の上に移動させて薄膜222
とベアチップ40とを基板221上に載置して、位置合
せした後に接着剤で薄膜222を基板221上に固着す
る。
Then, as shown in FIG. 29A, the thin film 222 and the bare chip 40 are attracted to the handling head 50 through the hole 223 of the thin film 222 by using the handling head 50 described in the first embodiment. Let me do it. Then, as shown in FIG. 29B, the handling head 50 is moved onto the substrate 221 and the thin film 222 is moved.
The thin film 222 is fixed on the substrate 221 with an adhesive after the substrate and the bare chip 40 are placed on the substrate 221 and aligned.

【0125】これにより、ベアチップ40と薄膜222
を同時に吸着しながら、基板221に固着することがで
きるので、工程数を削減することができ、また、取扱い
が容易になる。
As a result, the bare chip 40 and the thin film 222
Can be fixed to the substrate 221 while simultaneously adsorbing them, so that the number of steps can be reduced and the handling becomes easy.

【0126】[0126]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体装置を基板に押圧する支持体を固定する場合に、磁力
によって基板と支持体とを固定するようにしたので、半
導体装置を基板に取付けた後に試験炉への搬送又は試験
中に振動が生じても、半導体装置の基板上でのズレを防
止できる。
As described above, according to the present invention, when the support for pressing the semiconductor device against the substrate is fixed, the substrate and the support are fixed by magnetic force. Even if vibration occurs during the transfer to the test furnace or the test after the semiconductor device is mounted on the semiconductor device, the semiconductor device can be prevented from being displaced on the substrate.

【0127】また、基板と支持体とを固定するために永
久磁石を使用する場合には、永久磁石と逆向きの磁界を
発生させるようにしたので、基板と支持体を容易に離す
ことができる。永久磁石を採用する場合に、基板又は支
持体に半導体装置を囲む磁気シールドを取り付けるよう
にしたので、半導体装置の外部磁界による誤動作が防止
できる。
When a permanent magnet is used to fix the substrate and the support, a magnetic field in a direction opposite to that of the permanent magnet is generated, so that the substrate and the support can be easily separated. . When a permanent magnet is employed, a magnetic shield surrounding the semiconductor device is attached to the substrate or the support, so that a malfunction due to an external magnetic field of the semiconductor device can be prevented.

【0128】半導体装置を基板に搭載する場合には、支
持体に設けた通気孔を通して半導体装置を支持体に吸引
するハンドリングヘッドを使用するようにしたので、支
持体と半導体装置を基板に載せる場合に、支持体に対す
る半導体装置のズレを防止できる。さらに、配線の下の
基板に弾性体を埋め込むと、半導体装置の端子や電極と
基板上の配線の間に過剰な押圧力がかかることを防止で
きる。弾性体はゴムのようなものでもよいが、弾性を有
するピンであってもよい。そのピンを基板の底から突出
させると、ソケットのプラグとして使用できる。
When a semiconductor device is mounted on a substrate, a handling head that sucks the semiconductor device into the support through a vent hole provided in the support is used. Therefore, when the support and the semiconductor device are mounted on the substrate. In addition, deviation of the semiconductor device from the support can be prevented. Further, embedding the elastic body in the substrate below the wiring can prevent an excessive pressing force from being applied between the terminal or electrode of the semiconductor device and the wiring on the substrate. The elastic body may be a rubber-like material, or may be an elastic pin. When the pin is projected from the bottom of the board, it can be used as a socket plug.

【0129】また、基板とその上の配線の間に絶縁性の
シートを介在させると、その基板を導電体や金属磁性体
によって形成することができるので、基板又は支持体へ
の磁性片の埋め込みが不要となるし、また、基板を電気
的シールドに利用できる。支持体を最終的に基板に機械
的に固定する構造を採用する場合には、支持体によって
半導体装置を基板に仮に押圧するために磁力を使用して
もよい。機械的な固定構造としてラッチ機構を採用する
場合には、ラッチ機構によって支持体と基板が固定され
た後は、その固定は安定化するので、磁力を取り去って
もよい。
Further, if an insulating sheet is interposed between the substrate and the wiring thereon, the substrate can be formed of a conductor or a magnetic metal, so that the magnetic piece can be embedded in the substrate or the support. Is unnecessary, and the substrate can be used for electrical shielding. In the case of employing a structure in which the support is finally mechanically fixed to the substrate, a magnetic force may be used to temporarily press the semiconductor device against the substrate with the support. When a latch mechanism is employed as a mechanical fixing structure, the magnetic force may be removed because the fixing is stabilized after the support and the substrate are fixed by the latch mechanism.

【0130】また、本発明に係る試験用キャリアによれ
ば、半導体装置を被覆して基板に押圧する支持体に、例
えば薄膜等の柔軟性を有する材料を用いているので、半
導体装置の形状にフレキシブルに倣い、確実に密着して
加圧することができる。このため、搬送やBI試験の際
に振動を受けても、半導体装置が所定の位置からずれる
ことを抑止できるので、良好な電気的接続状態を試験工
程中に維持することが可能となる。
According to the test carrier of the present invention, since a flexible material such as a thin film is used for the support that covers the semiconductor device and presses the substrate, the shape of the semiconductor device is reduced. It can flexibly follow, press tightly and securely. For this reason, even if the semiconductor device is subjected to vibration during the transport or BI test, it is possible to prevent the semiconductor device from deviating from a predetermined position, so that a good electrical connection state can be maintained during the test process.

【0131】さらに、本発明に係る試験用キャリアによ
れば、基板と支持体を有し、基板の一部に磁石が設けら
れ、支持体の一部に磁性体が設けられているので、基板
と支持体との固着を磁石と磁性体とで行うことができ
る。また、本発明に係る試験用キャリアにおいて、電極
端子に対応して設けられた複数のコンタクト端子と、電
極端子に接続して設けられた複数の試験用配線パターン
とが柔軟な材料からなる支持体に設けられている。
Further, according to the test carrier of the present invention, since the test carrier has a substrate and a support, a magnet is provided on a part of the substrate, and a magnetic material is provided on a part of the support. And the support can be fixed by the magnet and the magnetic material. Further, in the test carrier according to the present invention, the plurality of contact terminals provided corresponding to the electrode terminals and the plurality of test wiring patterns provided in connection with the electrode terminals are formed of a flexible material. It is provided in.

【0132】このため、試験用キャリアに振動が加わっ
ても、コンタクト端子がフレキシブルに上下する為、半
導体装置の電極端子との接触状態を良好に維持すること
ができる。さらに、半導体装置の電極端子の平坦性にば
らつきがあっても、フレキシブルにこれを押圧すること
ができるので、良好な接触状態を維持することが可能と
なる。
Therefore, even if vibrations are applied to the test carrier, the contact terminals move up and down flexibly, so that a good contact state with the electrode terminals of the semiconductor device can be maintained. Furthermore, even if the flatness of the electrode terminals of the semiconductor device varies, it can be pressed flexibly, so that a good contact state can be maintained.

【0133】また、本発明に係る試験用キャリアへの半
導体装置の取付方法によれば、基板と、半導体装置を被
覆し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、基板
の半導体装置を載置する領域の一部に、孔が設けられた
試験用キャリアを用意し、基板上に半導体装置を載置
し、孔から半導体装置を吸着し、半導体装置を基板上に
固定している。
Further, according to the method of mounting a semiconductor device on a test carrier according to the present invention, the semiconductor device has a substrate and a support for covering the semiconductor device and pressing the semiconductor device. A test carrier provided with a hole in a part of the mounting area is prepared, the semiconductor device is mounted on the substrate, the semiconductor device is sucked from the hole, and the semiconductor device is fixed on the substrate.

【0134】このため、その後支持体を用いて半導体装
置を被覆、押圧する際にも吸着によって半導体装置が基
板上に固定されているので、位置ずれが生じにくく、確
実に半導体装置を基板上に取り付けることが可能にな
る。また、本発明に係る別の試験用キャリアへの半導体
装置の取付方法によれば、複数の電極端子を有する半導
体装置を載置させるための基板と、半導体装置を被覆
し、かつ半導体装置を押圧する支持体とを有し、半導体
装置を載置する領域を取り囲むように基板に設けられた
突起を備えた試験用キャリアを用意し、基板上の、突起
で取り囲まれた領域に半導体装置を載置している。
For this reason, even when the semiconductor device is subsequently coated and pressed by using the support, the semiconductor device is fixed on the substrate by suction, so that displacement is unlikely to occur, and the semiconductor device is securely placed on the substrate. It becomes possible to attach. Further, according to the method for attaching a semiconductor device to another test carrier according to the present invention, a substrate for mounting the semiconductor device having a plurality of electrode terminals, the semiconductor device is covered, and the semiconductor device is pressed. A test carrier having a projection provided on the substrate so as to surround a region where the semiconductor device is to be mounted, and mounting the semiconductor device in the region of the substrate surrounded by the projection. It is location.

【0135】このため、その後支持体を用いて半導体装
置を被覆する際にも、突起によって半導体装置の位置ず
れが防止されているので、確実に半導体装置を基板上に
取り付けることが可能になる。さらに、本発明に係る別
の試験用キャリアへの半導体装置の取付方法によれば、
複数の電極端子を有する半導体装置を載置させるための
基板と、半導体装置を被覆し、かつ半導体装置を押圧す
る支持体とを有し、支持体の半導体装置に接する領域の
一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意し、支持
体の孔を介して半導体装置を吸着して、支持体とともに
半導体装置を吸着し、基板上に半導体装置及び支持体を
載置しているので、半導体装置を基板上に載置し、その
後基板及び半導体装置の上に支持体を載置して被覆する
場合に比して、工程数の削減が可能となる。
Therefore, even when the semiconductor device is subsequently covered with the support, the semiconductor device can be securely mounted on the substrate because the semiconductor device is prevented from being displaced by the projections. Further, according to the method for attaching a semiconductor device to another test carrier according to the present invention,
A substrate for mounting a semiconductor device having a plurality of electrode terminals, and a support that covers the semiconductor device and presses the semiconductor device, and a hole is formed in a part of a region of the support that is in contact with the semiconductor device. A test carrier provided with is provided, the semiconductor device is sucked through the hole of the support, the semiconductor device is sucked together with the support, and the semiconductor device and the support are mounted on the substrate, The number of steps can be reduced as compared with a case where a semiconductor device is mounted on a substrate and a support is then mounted on the substrate and the semiconductor device to cover the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a),(b) は、本発明の第1実施形態の半導
体装置の支持装置を示す断面図である。
FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views illustrating a semiconductor device support device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2(a) は、本発明の第1実施形態の半導体装
置の支持装置の支持基板の底面図、図2(b) は、その支
持装置の試験用配線基板の上面図である。
FIG. 2A is a bottom view of a support substrate of a support device of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a top view of a test wiring board of the support device. is there.

【図3】図3は、本発明の第1実施形態の試験用キャリ
アの磁石と磁性片の位置を交換した構造を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of the test carrier according to the first embodiment of the present invention in which the positions of the magnet and the magnetic piece are exchanged.

【図4】図4(a) は、本発明の第1実施形態の試験用キ
ャリアの磁性片を配線基板の下に突出させた断面図、図
4(b) は、その磁性片に外部から磁界を印加する状態を
示す断面図である。
FIG. 4 (a) is a cross-sectional view of a test carrier according to the first embodiment of the present invention in which a magnetic piece protrudes below a wiring board, and FIG. It is sectional drawing which shows the state which applies a magnetic field.

【図5】図5は、本発明の第1実施形態の試験用キャリ
アの磁性片を配線基板の上に突出させた断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the test carrier according to the first embodiment of the present invention in which a magnetic piece is projected above a wiring board.

【図6】図6は、本発明の第2実施形態の試験用キャリ
アに使用される支持具を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a support used for a test carrier according to a second embodiment of the present invention.

【図7】図7は、本発明の第2実施形態の試験用キャリ
アに半導体装置を取り付ける直前の状態を示す断面図で
ある。
FIG. 7 is a sectional view showing a state immediately before a semiconductor device is mounted on a test carrier according to a second embodiment of the present invention.

【図8】図8は、本発明の第2実施形態の試験用キャリ
アに半導体装置を固定する過程を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a process of fixing a semiconductor device to a test carrier according to a second embodiment of the present invention.

【図9】図9は、本発明の第2実施形態の試験用キャリ
ア内に半導体装置を固定し終えた状態を示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where the semiconductor device has been completely fixed in the test carrier according to the second embodiment of the present invention.

【図10】図10は、本発明の第3実施形態の試験用キ
ャリアに半導体装置を取り付ける直前の状態を示す断面
図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a state immediately before a semiconductor device is mounted on a test carrier according to a third embodiment of the present invention.

【図11】図11は、本発明の第3実施形態のボード状
の試験用配線基板の一部を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a part of a board-shaped test wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図12は、本発明の第3実施形態の試験用キ
ャリアに半導体装置を固定する過程を示す断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a process of fixing a semiconductor device to a test carrier according to a third embodiment of the present invention.

【図13】図13は、本発明の第3実施形態の試験用キ
ャリア内に半導体装置を固定し終えた状態を示す断面図
である。
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a state where the semiconductor device has been completely fixed in the test carrier according to the third embodiment of the present invention.

【図14】図14(a) は、本発明の第4実施形態を示す
試験用キャリアの断面図、図14(b) は、その試験用キ
ャリアの試験用配線基板を示す斜視図である。
FIG. 14 (a) is a sectional view of a test carrier according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 14 (b) is a perspective view showing a test wiring board of the test carrier.

【図15】図15(a) は、本発明の第5実施形態を示す
試験用キャリアの断面図、図15(b) は、その試験用キ
ャリアの試験用配線基板を示す斜視図である。
FIG. 15A is a sectional view of a test carrier according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 15B is a perspective view illustrating a test wiring board of the test carrier.

【図16】図16は、本発明の第6実施形態を示す試験
用キャリアの断面図である。
FIG. 16 is a sectional view of a test carrier according to a sixth embodiment of the present invention.

【図17】図17(a) は、本発明の第7実施形態を示す
試験用キャリアの断面図、図17(b) は、その試験用キ
ャリアの試験用配線基板とベアチップの接続状態を示す
拡大図である。
FIG. 17 (a) is a cross-sectional view of a test carrier according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 17 (b) shows a connection state between a test wiring board and a bare chip of the test carrier. It is an enlarged view.

【図18】図18(a) は、本発明の第8実施形態を示す
試験用キャリアの断面図、図18(b) は、その一部の変
形例を示す部分断面図である。
FIG. 18 (a) is a cross-sectional view of a test carrier according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 18 (b) is a partial cross-sectional view illustrating a partially modified example thereof.

【図19】図19は、本発明の第9実施形態を示す試験
用キャリアの断面図である。
FIG. 19 is a sectional view of a test carrier according to a ninth embodiment of the present invention.

【図20】図20(a)は、本発明の第10実施形態の
試験用キャリアの断面図、図20(b)は、本発明の第
10実施形態の試験用キャリアの基板の上面図である。
FIG. 20A is a cross-sectional view of a test carrier according to a tenth embodiment of the present invention, and FIG. 20B is a top view of a substrate of the test carrier according to the tenth embodiment of the present invention. is there.

【図21】図21(a)は、本発明の第10実施形態に
係る別の試験用キャリアの断面図、図21(b)は、本
発明の第11実施形態に係る試験用キャリアの断面図で
ある。
FIG. 21A is a cross-sectional view of another test carrier according to the tenth embodiment of the present invention, and FIG. 21B is a cross-sectional view of the test carrier according to the eleventh embodiment of the present invention. FIG.

【図22】図22(a)は、本発明の第12実施形態の
試験用キャリアの断面図、図22(b)は本発明の第1
3実施形態の試験用キャリアの断面図、図22(c)は
本発明の第13実施形態に係る別の試験用キャリアの断
面図である。
FIG. 22A is a sectional view of a test carrier according to a twelfth embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 22C is a cross-sectional view of a test carrier according to a third embodiment, and FIG. 22C is a cross-sectional view of another test carrier according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図23】図23(a)は、本発明の第14実施形態の
試験用キャリアの斜視図である。図23(b)は図23
(a)のI−I線断面図である。
FIG. 23 (a) is a perspective view of a test carrier according to a fourteenth embodiment of the present invention. FIG. 23B shows FIG.
It is the II sectional view taken on the line of (a).

【図24】図24(a) は、本発明の第15実施形態を示
す試験用キャリアの断面図、図24(b) は、本発明の第
16実施形態を示す試験用キャリアの断面図である。
FIG. 24 (a) is a cross-sectional view of a test carrier according to a fifteenth embodiment of the present invention, and FIG. 24 (b) is a cross-sectional view of a test carrier according to a sixteenth embodiment of the present invention. is there.

【図25】図25(a) は、本発明の第17実施形態を示
す試験用キャリアの断面図、図25(b) は、その試験用
キャリアの試験用配線基板を示す上面図である。
FIG. 25 (a) is a sectional view of a test carrier according to a seventeenth embodiment of the present invention, and FIG. 25 (b) is a top view illustrating a test wiring board of the test carrier.

【図26】図26(a)は、本発明の第18実施形態を
示す試験用キャリアの断面図であって、図26(b)は
その試験用キャリアの一部を説明する拡大断面図であ
る。
FIG. 26A is a cross-sectional view of a test carrier according to an eighteenth embodiment of the present invention, and FIG. 26B is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of the test carrier. is there.

【図27】図27(a) は、本発明の第19実施形態に係
る試験用キャリアの取付方法を説明する第1の断面図、
図27(b) は、本発明の第19実施形態に係る試験用キ
ャリアの取付方法を説明する第2の断面図である。
FIG. 27 (a) is a first sectional view illustrating a method for attaching a test carrier according to a nineteenth embodiment of the present invention,
FIG. 27 (b) is a second sectional view for explaining the method of attaching the test carrier according to the nineteenth embodiment of the present invention.

【図28】図28(a) は、本発明の第20実施形態を示
す試験用キャリアの取付方法を説明する第1の断面図、
図28(b) は、本発明の第20実施形態を示す試験用キ
ャリアの取付方法を説明する第2の断面図である。
FIG. 28 (a) is a first sectional view illustrating a method of attaching a test carrier according to a twentieth embodiment of the present invention,
FIG. 28 (b) is a second cross-sectional view for explaining the method of attaching the test carrier according to the twentieth embodiment of the present invention.

【図29】図29(a)は、本発明の第21実施形態に
係る試験用キャリアの取付方法を説明する第1の断面
図、図29(b)は本発明の第21実施形態に係る試験
用キャリアの取付方法を説明する第2の断面図である。
FIG. 29A is a first cross-sectional view illustrating a method of attaching a test carrier according to a twenty-first embodiment of the present invention, and FIG. 29B is a cross-sectional view according to a twenty-first embodiment of the present invention. It is a 2nd sectional view explaining the attachment method of the test carrier.

【図30】図30(a),(b) は、従来の試験用キャリアの
第1例を示す断面図である。
FIGS. 30A and 30B are cross-sectional views showing a first example of a conventional test carrier.

【図31】図31は、従来の試験用キャリアの第2例を
示す断面図である。
FIG. 31 is a cross-sectional view showing a second example of a conventional test carrier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

40 ベアチップ(半導体装置) 40a 電極 41、41A 試験用配線基板 41B テーパ面 42 凹部 43 弾性体 44 試験用配線パターン 45 コンタクト端子 46 端子 47 磁性片 48 試験用プローブ 49 貫通孔 50 ハンドリングヘッド 51 支持基板 52 凹部52 53 通気孔 54 磁石 57 磁界発生用コイル 60 支持具 61 押圧部 62 挿通孔 61a 通気孔 62 挿通孔 63 梁部 63a 挿通孔 64 ラッチ部 65 ラッチ解除部 111 基板 112 薄膜(支持体) 113 接着剤 114 抑え板 115 コンタクト端子 116 試験用配線パターン 121 基板 122 薄膜 123 磁性体 124 支持体 125 磁石 131 基板 132 薄膜(支持体) 133 接着剤 141 第1の層 142 第2の層 143 基板 144 薄膜 145 溝 151 基板 152 薄膜 161 基板 162 粘着材 171 基板 172 熱収縮材 181 基板 182 薄膜(支持体) 183 試験用配線パターン 184 コンタクト端子 191 基板 192 薄膜 193 金属膜 194 スルーホール 201 基板 202 通気孔(孔) 203 薄膜 211 基板 212 突起 213 薄膜(支持体) 221 基板 222 薄膜(支持体) 223 孔 Reference Signs List 40 bare chip (semiconductor device) 40a electrode 41, 41A test wiring board 41B tapered surface 42 concave portion 43 elastic body 44 test wiring pattern 45 contact terminal 46 terminal 47 magnetic piece 48 test probe 49 through hole 50 handling head 51 supporting substrate 52 Concave portion 52 53 Vent hole 54 Magnet 57 Magnetic field generating coil 60 Support 61 Press portion 62 Insertion hole 61a Vent hole 62 Insertion hole 63 Beam portion 63a Insertion hole 64 Latch portion 65 Latch release portion 111 Substrate 112 Thin film (support) 113 Adhesion Agent 114 press plate 115 contact terminal 116 test wiring pattern 121 substrate 122 thin film 123 magnetic body 124 support 125 magnet 131 substrate 132 thin film (support) 133 adhesive 141 first layer 142 second layer 143 substrate 144 thin 145 groove 151 substrate 152 thin film 161 substrate 162 adhesive 171 substrate 172 heat shrink material 181 substrate 182 thin film (support) 183 test wiring pattern 184 contact terminal 191 substrate 192 thin film 193 metal film 194 through hole 201 substrate 202 vent hole ) 203 thin film 211 substrate 212 protrusion 213 thin film (support) 221 substrate 222 thin film (support) 223 hole

Claims (34)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体装置の電極又は端子が重ねられる配
線を有する基板と、 前記半導体装置を支持し、且つ前記半導体装置を前記基
板に押圧する支持体と、 前記支持体と前記基板のいずれかに取付けられた磁石
と、 前記磁石に対向して前記基板又は前記支持体のいずれか
に設けられた磁性材よりなる磁性部とを有することを特
徴とする半導体装置の支持装置。
A substrate having wiring on which electrodes or terminals of the semiconductor device are overlapped; a support for supporting the semiconductor device and pressing the semiconductor device against the substrate; and one of the support and the substrate And a magnetic part made of a magnetic material provided on one of the substrate and the support opposite to the magnet.
【請求項2】前記磁石と逆方向の磁界を前記磁性部に印
加する磁界発生部を有することを特徴とする請求項1記
載の半導体装置の支持装置。
2. A supporting device for a semiconductor device according to claim 1, further comprising a magnetic field generating section for applying a magnetic field in a direction opposite to that of said magnet to said magnetic section.
【請求項3】前記支持体に形成された通気孔と、該通気
孔を通して前記半導体装置を吸引するハンドリングヘッ
ドを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置
の支持装置。
3. The semiconductor device supporting device according to claim 1, further comprising a ventilation hole formed in said support, and a handling head for sucking said semiconductor device through said ventilation hole.
【請求項4】前記支持体又は前記基板のいずれかには、
前記半導体装置を囲む磁気シールドが形成されているこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置の支持装置。
4. The method according to claim 1, wherein either the support or the substrate includes:
2. The device according to claim 1, wherein a magnetic shield surrounding the semiconductor device is formed.
【請求項5】前記配線のうち前記半導体装置を載置する
部分の下の前記基板には弾性体が埋め込まれていること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の支持装置。
5. The supporting device for a semiconductor device according to claim 1, wherein an elastic body is embedded in the substrate below a portion of the wiring on which the semiconductor device is mounted.
【請求項6】前記基板の前記配線は弾性材よりなるピン
であり、前記基板に形成された凹部に配置されているこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置の支持装置。
6. The semiconductor device supporting device according to claim 1, wherein said wiring of said substrate is a pin made of an elastic material, and is arranged in a recess formed in said substrate.
【請求項7】前記配線は絶縁性シートの上に形成され、
該絶縁性シートは前記基板の上に形成されていることを
特徴とする請求項1記載の半導体装置の支持装置。
7. The wiring is formed on an insulating sheet,
2. The device according to claim 1, wherein the insulating sheet is formed on the substrate.
【請求項8】支持体に形成された通気孔を通してハンド
リングヘッドにより半導体装置を吸着するとともに、該
半導体装置とハンドリングヘッドの間に前記支持体を挟
み、 前記ハンドリングヘッドにより前記支持体及び前記半導
体装置を移動して間隔をおいて基板に対向させ、 前記ハンドリングヘッドにより前記支持体及び前記基板
を移動して前記半導体装置の電極又は端子を前記基板上
の配線に対向させ、 前記支持体を前記基板に向けて移動して前記半導体装置
の前記電極又は前記端子を前記配線に接触させるととも
に、前記支持体と前記基板とを磁気的に吸着固定し、 前記ハンドリングヘッドによる前記半導体装置の吸着を
解く工程を有することを特徴とする半導体装置の固定方
法。
8. A semiconductor device is sucked by a handling head through an air hole formed in a support, the support is sandwiched between the semiconductor device and the handling head, and the support and the semiconductor device are sandwiched by the handling head. Moving the support and the substrate by the handling head to move the support and the substrate so that the electrodes or terminals of the semiconductor device face the wiring on the substrate; Moving the electrode or the terminal of the semiconductor device into contact with the wiring, magnetically adsorbing and fixing the support and the substrate, and releasing the adsorption of the semiconductor device by the handling head. A method for fixing a semiconductor device, comprising:
【請求項9】基板の配線に半導体装置の端子又は電極が
接触し、該半導体装置が支持体によって基板に押圧さ
れ、該基板と該支持体が磁石と磁性片の吸引力によって
固定された状態で、 前記磁石の磁界と逆向きの磁界を前記磁性片を通して発
生させて前記磁石と前記磁性片の反発力によって前記支
持体と前記基板を分離することを特徴とする半導体装置
の支持装置からの離脱方法。
9. A state in which a terminal or an electrode of a semiconductor device contacts a wiring of a substrate, the semiconductor device is pressed against the substrate by a support, and the substrate and the support are fixed by an attractive force of a magnet and a magnetic piece. Wherein a magnetic field opposite to the magnetic field of the magnet is generated through the magnetic piece to separate the support and the substrate by a repulsive force of the magnet and the magnetic piece. Withdrawal method.
【請求項10】半導体装置の電極又は端子が重ねられる
配線と該配線の周囲に形成された開口部とを有する基板
と、 前記基板の前記開口部に挿通される磁界発生部と、 前記半導体装置を支持して前記基板に取付けられ、且つ
少なくとも前記開口部に対向した部分が磁性体より形成
された支持体とを有することを特徴とする半導体装置の
支持装置。
10. A substrate having a wiring on which an electrode or a terminal of a semiconductor device is overlapped and an opening formed around the wiring, a magnetic field generator inserted into the opening of the substrate, and the semiconductor device. And a support member attached to the substrate and supporting at least a portion facing the opening and made of a magnetic material.
【請求項11】前記磁界発生部は、コイルが巻かれた磁
性コアであることを特徴とする請求項10記載の半導体
装置の支持装置。
11. The supporting device for a semiconductor device according to claim 10, wherein said magnetic field generator is a magnetic core wound with a coil.
【請求項12】前記支持体に形成された通気孔と、該通
気孔を通して前記半導体装置を吸引するハンドリングヘ
ッドとを有することを特徴とする請求項10記載の半導
体装置の支持装置。
12. The semiconductor device supporting device according to claim 10, further comprising a vent formed in said support, and a handling head for sucking said semiconductor device through said vent.
【請求項13】前記支持体は、前記半導体装置を前記基
板に押圧するバネを有する押圧部を有することを特徴と
する請求項10記載の半導体装置の支持装置。
13. The semiconductor device supporting device according to claim 10, wherein said support has a pressing portion having a spring for pressing said semiconductor device against said substrate.
【請求項14】前記基板の前記配線は弾性材よりなるピ
ンであり、前記基板に形成された凹部内に配置されてい
ることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の支持
装置。
14. The apparatus according to claim 10, wherein said wiring of said substrate is a pin made of an elastic material, and is disposed in a concave portion formed in said substrate.
【請求項15】前記配線と前記基板の間には絶縁性シー
トが介在されていることを特徴とする請求項10記載の
半導体装置の支持装置。
15. The semiconductor device supporting device according to claim 10, wherein an insulating sheet is interposed between said wiring and said substrate.
【請求項16】前記配線は、弾性材よりなるピンであ
り、その下端は前記基板の底から外部に突出しているこ
とを特徴とする請求項1又は10記載の半導体装置の支
持装置。
16. The semiconductor device supporting device according to claim 1, wherein the wiring is a pin made of an elastic material, and a lower end of the wiring protrudes from the bottom of the substrate to the outside.
【請求項17】前記基板上の前記配線のうち、前記半導
体装置の電極又は端子に接触する部分には、横方向より
も上下方向の抵抗が低い異方性導電膜が置かれているこ
とを特徴とする請求項1又は10記載の半導体装置の指
示装置。
17. An anisotropic conductive film having a lower resistance in a vertical direction than in a horizontal direction is placed on a portion of the wiring on the substrate that contacts an electrode or a terminal of the semiconductor device. The pointing device of a semiconductor device according to claim 1 or 10, wherein
【請求項18】支持体に形成された通気孔を通してハン
ドリングヘッドにより半導体装置を吸着するとともに、
該半導体装置とハンドリングヘッドの間に前記支持体を
挟み、 前記ハンドリングヘッドにより前記支持体及び
前記半導体装置を移動して間隔をおいて基板に対向さ
せ、 前記ハンドリングヘッドにより前記支持体及び前記基板
を移動して前記半導体装置の電極又は端子を前記基板上
の配線に対向させ、 前記支持体を前記基板に向けて移動して前記半導体装置
の前記電極又は前記端子を前記配線に接触させるととも
に、前記支持体と前記基板とを磁気的に吸着し、 前記支持体を前記基板に機械的に固定し、 前記ハンドリングヘッドによる前記半導体装置の吸着
と、前記支持体と前記基板とを磁気的な吸着とを解く工
程を有することを特徴とする半導体装置の固定方法。
18. A semiconductor device is sucked by a handling head through an air hole formed in a support, and
The support is interposed between the semiconductor device and the handling head, the support and the semiconductor device are moved by the handling head to face a substrate at an interval, and the support and the substrate are moved by the handling head. Moving the electrode or the terminal of the semiconductor device to face the wiring on the substrate, and moving the support toward the substrate to contact the electrode or the terminal of the semiconductor device with the wiring, Magnetically attracting the support and the substrate; mechanically fixing the support to the substrate; attracting the semiconductor device by the handling head; and magnetically attracting the support and the substrate. A method for fixing a semiconductor device, comprising a step of solving the problem.
【請求項19】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、 前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設
けられた複数のコンタクト端子と、 前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた
複数の試験用配線パターンと、 柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆
し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持体
と、 前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有するこ
とを特徴とする試験用キャリア。
19. A substrate for mounting a semiconductor device having a plurality of electrode terminals, a plurality of contact terminals provided on the substrate corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals, and a connection to the contact terminals. A plurality of test wiring patterns provided on the substrate, a support made of a flexible material, covering the semiconductor device, and pressing the semiconductor device against the substrate; and the support A test carrier comprising: an adhesive for fixing the substrate.
【請求項20】 前記支持体は柔軟性を有する薄膜から
なり、 前記薄膜に、前記半導体装置を載置する領域を取り囲む
ように、剛性を有する材料からなる抑え板が形成された
ことを特徴とする請求項19記載の試験用キャリア。
20. The support according to claim 1, wherein the support is formed of a flexible thin film, and a rigid plate made of a rigid material is formed on the thin film so as to surround a region where the semiconductor device is mounted. 20. The test carrier of claim 19, wherein
【請求項21】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、 前記電極端子の配置パターンに対応して前記基板上に設
けられた複数のコンタクト端子と、 前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設けられた
複数の試験用配線パターンと、 柔軟性を有する材料からなり、前記半導体装置を被覆
し、かつ前記半導体装置を押圧する支持体と、 前記基板の一部に設けられた磁石と、 前記支持体の一部に設けられた磁性体とを有することを
特徴とする試験用キャリア。
21. A substrate on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals is mounted, a plurality of contact terminals provided on the substrate corresponding to an arrangement pattern of the electrode terminals, and a connection to the contact terminals. A plurality of test wiring patterns provided on the substrate; a support made of a material having flexibility, covering the semiconductor device and pressing the semiconductor device; and a support provided on a part of the substrate. A test carrier comprising: a magnet provided; and a magnetic body provided on a part of the support.
【請求項22】 前記支持体の材料の熱膨張率に比し
て、前記基板の材料の熱膨張率が高いことを特徴とする
請求項19記載の試験用キャリア。
22. The test carrier according to claim 19, wherein a thermal expansion coefficient of the material of the substrate is higher than a thermal expansion coefficient of the material of the support.
【請求項23】 前記基板は、第1の層と、 前記第1の層上に形成され、前記第1の層の材料の熱膨
張率よりも熱膨張率が小さい材料からなる第2の層とを
有し、 前記第2の層上に前記支持体が固着されることを特徴と
する請求項19記載の試験用キャリア。
23. The substrate, comprising: a first layer; and a second layer formed on the first layer and made of a material having a lower coefficient of thermal expansion than a material of the first layer. 20. The test carrier according to claim 19, further comprising: fixing the support on the second layer.
【請求項24】 前記第1の層の、前記第2の層に接し
ない側に、溝が設けられたことを特徴とする請求項23
記載の試験用キャリア。
24. A groove is provided on a side of said first layer which is not in contact with said second layer.
Test carrier as described.
【請求項25】 前記支持体は、柔軟性を有する薄膜か
らなり、かつ前記支持体に、多数の孔がマトリクス状に
形成されてなることを特徴とする請求項19記載の試験
用キャリア。
25. The test carrier according to claim 19, wherein the support is formed of a flexible thin film, and the support has a large number of holes formed in a matrix.
【請求項26】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、 柔軟な材料からなり、前記半導体装置を被覆し、かつ前
記半導体装置を押圧する支持体と、 前記電極端子の配置パターンに対応して前記支持体上に
設けられた複数のコンタクト端子と、 前記コンタクト端子に接続し、前記支持体上に設けられ
た複数の試験用配線パターンと、 前記支持体と前記基板とを固着する接着剤とを有するこ
とを特徴とする試験用キャリア。
26. A substrate for mounting a semiconductor device having a plurality of electrode terminals, a support made of a flexible material, covering the semiconductor device, and pressing the semiconductor device; A plurality of contact terminals provided on the support corresponding to the arrangement pattern; a plurality of test wiring patterns connected to the contact terminals and provided on the support; and the support and the substrate. A test carrier, comprising: an adhesive for fixing the test carrier.
【請求項27】 前記支持体は、柔軟性を有する薄膜か
らなることを特徴とする請求項26記載の試験用キャリ
ア。
27. The test carrier according to claim 26, wherein the support is made of a flexible thin film.
【請求項28】 前記支持体は、少なくとも前記半導体
装置に接する領域に複数のスルーホールを有し、 かつ前記半導体装置に接する表面,前記スルーホール内
及び前記スルーホールを介した反対側の表面の前記支持
体に、金属膜が貼付されてなることを特徴とする請求項
19記載の試験用キャリア。
28. The support has at least a plurality of through holes in a region in contact with the semiconductor device, and has a surface in contact with the semiconductor device, a surface in the through hole, and a surface on an opposite side through the through hole. 20. The test carrier according to claim 19, wherein a metal film is attached to the support.
【請求項29】 前記支持体は、粘土又はゲルなどの粘
着材から構成されることを特徴とする請求項19記載の
試験用キャリア。
29. The test carrier according to claim 19, wherein the support is made of an adhesive such as clay or gel.
【請求項30】 前記支持体は、熱によって収縮する材
料からなることを特徴とする請求項19記載の試験用キ
ャリア。
30. The test carrier according to claim 19, wherein the support is made of a material that contracts by heat.
【請求項31】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、前記電極端子の配置パターン
に対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端
子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設け
られた複数の試験用配線パターンと、前記半導体装置を
被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持
体とを有し、前記基板の前記半導体装置を載置する領域
の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意する工
程と、 前記基板上に半導体装置を載置する工程と、 前記孔から前記半導体装置を吸着し、前記半導体装置を
前記基板上に固定する工程と、 前記固定状態を保持しつつ、前記支持体を前記半導体装
置及び前記基板上に被覆する工程と、 前記支持体を前記基板上に固着する工程とを有すること
を特徴とする試験用キャリアへの半導体装置の取付方
法。
31. A substrate on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals is mounted, a plurality of contact terminals provided on the substrate corresponding to an arrangement pattern of the electrode terminals, and connection to the contact terminals. And a plurality of test wiring patterns provided on the substrate, and a support that covers the semiconductor device and presses the semiconductor device against the substrate, and mounts the semiconductor device on the substrate. Preparing a test carrier provided with a hole in a part of the region to be formed, mounting a semiconductor device on the substrate, adsorbing the semiconductor device from the hole, and placing the semiconductor device on the substrate Fixing the support on the semiconductor device and the substrate while maintaining the fixed state, and fixing the support on the substrate. Mounting method for a semiconductor device to the test carrier.
【請求項32】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、前記電極端子の配置パターン
に対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端
子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設け
られた複数の試験用配線パターンと、前記半導体装置を
被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持
体とを有し、 前記半導体装置を載置する領域を取り囲むように前記基
板に設けられた突起を備えた試験用キャリアを用意する
工程と、 前記基板上の、前記突起で取り囲まれた領域に前記半導
体装置を載置する工程と、 前記支持体を前記基板上に固着して前記基板上に前記半
導体装置を取り付ける工程とを有することを特徴とする
試験用キャリアへの半導体装置の取付方法。
32. A substrate on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals is mounted, a plurality of contact terminals provided on the substrate corresponding to an arrangement pattern of the electrode terminals, and connection to the contact terminals. A plurality of test wiring patterns provided on the substrate, a support for covering the semiconductor device, and pressing the semiconductor device against the substrate; and a region for mounting the semiconductor device. Preparing a test carrier having a projection provided on the substrate so as to surround the semiconductor device; placing the semiconductor device in a region on the substrate surrounded by the projection; Mounting the semiconductor device on the substrate by fixing the semiconductor device on the substrate.
【請求項33】 複数の電極端子を有する半導体装置を
載置させるための基板と、前記電極端子の配置パターン
に対応して前記基板上に設けられた複数のコンタクト端
子と、前記コンタクト端子に接続し、前記基板上に設け
られた複数の試験用配線パターンと、前記半導体装置を
被覆し、かつ前記半導体装置を前記基板に押圧する支持
体とを有し、前記支持体の前記半導体装置に接する領域
の一部に、孔が設けられた試験用キャリアを用意する工
程と、 前記支持体の孔を介して前記半導体装置を吸着して、前
記支持体とともに前記半導体装置を引き上げる工程と、 前記基板上に半導体装置及び前記支持体を載置する工程
と、 前記支持体を前記基板上に固着して前記基板上に前記半
導体装置を取り付ける工程とを有することを特徴とする
試験用キャリアへの半導体装置の取付方法。
33. A substrate on which a semiconductor device having a plurality of electrode terminals is mounted, a plurality of contact terminals provided on the substrate corresponding to the arrangement pattern of the electrode terminals, and connection to the contact terminals. A plurality of test wiring patterns provided on the substrate, a support for covering the semiconductor device, and pressing the semiconductor device against the substrate, wherein the support comes into contact with the semiconductor device; A step of preparing a test carrier provided with a hole in a part of the region; a step of sucking the semiconductor device through the hole of the support, and pulling up the semiconductor device together with the support; A step of mounting the semiconductor device and the support thereon, and a step of fixing the support on the substrate and mounting the semiconductor device on the substrate. A method for attaching a semiconductor device to a carrier.
【請求項34】 前記請求項1〜33を使う半導体装置
の試験方法。
34. A method for testing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
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