JPH1064474A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH1064474A JPH1064474A JP8212503A JP21250396A JPH1064474A JP H1064474 A JPH1064474 A JP H1064474A JP 8212503 A JP8212503 A JP 8212503A JP 21250396 A JP21250396 A JP 21250396A JP H1064474 A JPH1064474 A JP H1064474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- ion beam
- axis
- pole
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造におけるイオン注入において、半導
体基板表面の絶縁体部分が静電気的に破壊されることを
防止する。 【解決手段】このイオン注入装置は、高速走査を行う方
向にＸ軸を設定し、低速走査の方向に平行でイオンビー
ムの進行方向とＸ軸のベクトル積の向きにＹ軸を設定し
て定義されるＸ−Ｙ平面の第１乃至第４象限にそれぞれ
４極電磁石のＳ極、Ｎ極、Ｓ極及びＮ極を設置し、且つ
上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線をＹ軸と４５°の
角度で交差させ、更に当該４極電磁石を電子供給機構と
半導体基板との間に設置することを特徴とする。
体基板表面の絶縁体部分が静電気的に破壊されることを
防止する。 【解決手段】このイオン注入装置は、高速走査を行う方
向にＸ軸を設定し、低速走査の方向に平行でイオンビー
ムの進行方向とＸ軸のベクトル積の向きにＹ軸を設定し
て定義されるＸ−Ｙ平面の第１乃至第４象限にそれぞれ
４極電磁石のＳ極、Ｎ極、Ｓ極及びＮ極を設置し、且つ
上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線をＹ軸と４５°の
角度で交差させ、更に当該４極電磁石を電子供給機構と
半導体基板との間に設置することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおけるイオン注入技術に使用されるイオン注入装置
に関するものである。
スにおけるイオン注入技術に使用されるイオン注入装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体製造等に汎用されてい
るイオン注入技術は、正イオンを高エネルギに加速して
シリコンウエハ等の半導体基板に不純物をドーピングす
る技術である。この為、高エネルギのイオンが半導体基
板と衝突する過程で、半導体基板から電子が叩き出され
たり、半導体基板表面に形成した絶縁体部分に正電荷の
蓄積が起こるなど、半導体基板表面が正帯電し易い。特
に、蓄積が著しい場合には、上記絶縁体部分が静電気的
に破壊することがあり、これが低生産性の一因となって
いる。そして今日では、イオン注入技術において、半導
体基板の正帯電の生じる領域に電子線を供給して正電荷
の蓄積を緩和する技術が研究されている。
るイオン注入技術は、正イオンを高エネルギに加速して
シリコンウエハ等の半導体基板に不純物をドーピングす
る技術である。この為、高エネルギのイオンが半導体基
板と衝突する過程で、半導体基板から電子が叩き出され
たり、半導体基板表面に形成した絶縁体部分に正電荷の
蓄積が起こるなど、半導体基板表面が正帯電し易い。特
に、蓄積が著しい場合には、上記絶縁体部分が静電気的
に破壊することがあり、これが低生産性の一因となって
いる。そして今日では、イオン注入技術において、半導
体基板の正帯電の生じる領域に電子線を供給して正電荷
の蓄積を緩和する技術が研究されている。
【０００３】ここで、図４には上記電子線供給機構の概
略図を示して説明する。同図において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸は、それぞれ紙面に垂直な方向、イオンビーム導入管
２に垂直で紙面に平行な方向、イオンビーム導入管２に
平行な方向を表している。イオンビーム４はイオンビー
ム導入管２を通り試料台３上にある半導体基板５に照射
される。この試料台３は、中心軸１Ｇの周りに回転１Ｈ
（≧１０００ｒｐｍ）とＹ軸方向の往復運動１Ｊ（周
期：十数秒以下）をしている。これにより、イオンビー
ム４は半導体基板５に均一に照射される。
略図を示して説明する。同図において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸は、それぞれ紙面に垂直な方向、イオンビーム導入管
２に垂直で紙面に平行な方向、イオンビーム導入管２に
平行な方向を表している。イオンビーム４はイオンビー
ム導入管２を通り試料台３上にある半導体基板５に照射
される。この試料台３は、中心軸１Ｇの周りに回転１Ｈ
（≧１０００ｒｐｍ）とＹ軸方向の往復運動１Ｊ（周
期：十数秒以下）をしている。これにより、イオンビー
ム４は半導体基板５に均一に照射される。
【０００４】イオンビーム４が半導体基板に照射される
過程で半導体基板５上に正電荷６が蓄積するが、半導体
基板５の裏面はグランド１Ｆに接続されているので、上
記絶縁体部分８の表面に蓄積した正電荷の量Ｑから決ま
る電位差Ｖが発生する。この電位差Ｖが上記絶縁体部分
８の破壊耐圧を越えると、上記絶縁体部分８は静電気的
に破壊する。この正電荷６の蓄積を防ぐために、イオン
ビーム導入管２に取り付けた電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅ
から発生する電子により中和する。
過程で半導体基板５上に正電荷６が蓄積するが、半導体
基板５の裏面はグランド１Ｆに接続されているので、上
記絶縁体部分８の表面に蓄積した正電荷の量Ｑから決ま
る電位差Ｖが発生する。この電位差Ｖが上記絶縁体部分
８の破壊耐圧を越えると、上記絶縁体部分８は静電気的
に破壊する。この正電荷６の蓄積を防ぐために、イオン
ビーム導入管２に取り付けた電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅ
から発生する電子により中和する。
【０００５】以下、図５を参照して、上記電子線供給機
構１Ｂ〜１Ｅの概要を説明する。同図において、フィラ
メント１Ｂは電源１Ｃに接続されており、当該フィラメ
ント１Ｂに電流が流れて加熱されると熱電子９を発生す
る。この熱電子９を引き出し電源１Ｄを使って加速し
て、ターゲット１Ｅに衝突させ、二次電子１Ａを発生さ
せる。この二次電子１Ａは、バイアス電源１Ｋによりバ
イアス電極１Ｌ間に印加された負バイアスの影響を受け
て、半導体基板３上に照射されるので、正帯電６を中和
することができる。
構１Ｂ〜１Ｅの概要を説明する。同図において、フィラ
メント１Ｂは電源１Ｃに接続されており、当該フィラメ
ント１Ｂに電流が流れて加熱されると熱電子９を発生す
る。この熱電子９を引き出し電源１Ｄを使って加速し
て、ターゲット１Ｅに衝突させ、二次電子１Ａを発生さ
せる。この二次電子１Ａは、バイアス電源１Ｋによりバ
イアス電極１Ｌ間に印加された負バイアスの影響を受け
て、半導体基板３上に照射されるので、正帯電６を中和
することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような二次電子１Ａをイオンビーム導入管２の全面に
亘り照射する方法では、以下に示す問題がある。即ち、
図５に示したように、ビームが半導体基板５に照射され
て、正帯電する領域１５を中和しようとして二次電子を
照射すると、領域１６ではイオンビーム４が照射されて
いないため、二次電子ばかりとなって負帯電を起こす。
これを防止する為には、イオンビーム４を速く動かす
か、試料台３の並進運動の速度を速くすることが必要で
あるが、現状の技術では不可能である。
たような二次電子１Ａをイオンビーム導入管２の全面に
亘り照射する方法では、以下に示す問題がある。即ち、
図５に示したように、ビームが半導体基板５に照射され
て、正帯電する領域１５を中和しようとして二次電子を
照射すると、領域１６ではイオンビーム４が照射されて
いないため、二次電子ばかりとなって負帯電を起こす。
これを防止する為には、イオンビーム４を速く動かす
か、試料台３の並進運動の速度を速くすることが必要で
あるが、現状の技術では不可能である。
【０００７】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、半導体製造におけるイオ
ン注入において、半導体基板表面の絶縁体部分が静電気
的に破壊されることを防止することにある。
で、その目的とするところは、半導体製造におけるイオ
ン注入において、半導体基板表面の絶縁体部分が静電気
的に破壊されることを防止することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によるイオン注入装置は、半導
体基板を搭載した試料台の低速並進運動と高速回転運動
とにより半導体基板に対してイオンビームの走査を行う
走査機構、イオンビームの低速走査と試料台の高速回転
運動とにより半導体基板に対してイオンビームの走査を
行う走査機構、半導体基板を乗せた試料台の低速並進運
動とイオンビームの高速走査とにより半導体基板に対し
てイオンビームの走査を行う走査機構のうち少なくとも
いずれかを備え、上記半導体基板の前面に設置され電子
を上記半導体基板に供給する電子供給機構を有したイオ
ン注入装置において、高速走査を行う方向にＸ軸を設定
し、低速走査の方向に平行でイオンビームの進行方向と
Ｘ軸のベクトル積の向きにＹ軸を設定して定義されるＸ
−Ｙ平面の第１乃至第４象限に４極電磁石のＳ極、Ｎ
極、Ｓ極及びＮ極をそれぞれ設置し、上記４極電磁石の
Ｎ極同士を結ぶ直線をＹ軸と所定角度をもって交差さ
せ、当該４極電磁石を上記電子供給機構と半導体基板と
の間に設置することを特徴とする。
に、本発明の第１の態様によるイオン注入装置は、半導
体基板を搭載した試料台の低速並進運動と高速回転運動
とにより半導体基板に対してイオンビームの走査を行う
走査機構、イオンビームの低速走査と試料台の高速回転
運動とにより半導体基板に対してイオンビームの走査を
行う走査機構、半導体基板を乗せた試料台の低速並進運
動とイオンビームの高速走査とにより半導体基板に対し
てイオンビームの走査を行う走査機構のうち少なくとも
いずれかを備え、上記半導体基板の前面に設置され電子
を上記半導体基板に供給する電子供給機構を有したイオ
ン注入装置において、高速走査を行う方向にＸ軸を設定
し、低速走査の方向に平行でイオンビームの進行方向と
Ｘ軸のベクトル積の向きにＹ軸を設定して定義されるＸ
−Ｙ平面の第１乃至第４象限に４極電磁石のＳ極、Ｎ
極、Ｓ極及びＮ極をそれぞれ設置し、上記４極電磁石の
Ｎ極同士を結ぶ直線をＹ軸と所定角度をもって交差さ
せ、当該４極電磁石を上記電子供給機構と半導体基板と
の間に設置することを特徴とする。
【０００９】そして、第２の態様によるイオン注入装置
は、上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線をＹ軸と交差
させる所定角度は４５度であることを特徴とする。この
ような第１及び第２の態様によれば、イオンの種類・エ
ネルギー等の条件が変わってイオンビームのサイズが変
化した場合において、磁場が調整され、走査速度の小さ
いＹ軸方向の二次電子のみ照射される領域が最小にさ
れ、イオンビームのサイズに対応して有効に正帯電が防
止されることになる。
は、上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線をＹ軸と交差
させる所定角度は４５度であることを特徴とする。この
ような第１及び第２の態様によれば、イオンの種類・エ
ネルギー等の条件が変わってイオンビームのサイズが変
化した場合において、磁場が調整され、走査速度の小さ
いＹ軸方向の二次電子のみ照射される領域が最小にさ
れ、イオンビームのサイズに対応して有効に正帯電が防
止されることになる。
【００１０】
【実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の実施の
形態について説明する。図１は本発明のイオン注入装置
の構成を示す図である。同図に示されるように、Ｘ軸、
Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれ紙面に垂直な方向、イオンビー
ム導入管２に垂直で紙面に平行な方向、イオンビーム導
入管２に平行な方向を表している。イオンビーム４はイ
オンビーム導入管２を通り試料台３上にある半導体基板
５に照射される。この試料台３は、中心軸１Ｇの周りに
回転１Ｈ（≧１０００ｒｐｍ）とＹ軸方向の往復運動１
Ｊ（周期：十数秒以下）をしている。これにより、イオ
ンビーム４は半導体基板５に均一に照射される。
形態について説明する。図１は本発明のイオン注入装置
の構成を示す図である。同図に示されるように、Ｘ軸、
Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれ紙面に垂直な方向、イオンビー
ム導入管２に垂直で紙面に平行な方向、イオンビーム導
入管２に平行な方向を表している。イオンビーム４はイ
オンビーム導入管２を通り試料台３上にある半導体基板
５に照射される。この試料台３は、中心軸１Ｇの周りに
回転１Ｈ（≧１０００ｒｐｍ）とＹ軸方向の往復運動１
Ｊ（周期：十数秒以下）をしている。これにより、イオ
ンビーム４は半導体基板５に均一に照射される。
【００１１】イオンビーム４が半導体基板に照射される
過程で半導体基板５上に正電荷６が蓄積するが、半導体
基板５の裏面はグランド１Ｆに接続されているので、上
記絶縁体部分８の表面に蓄積した正電荷の量Ｑから決ま
る電位差Ｖが発生する。この電位差Ｖが上記絶縁体部分
８の破壊耐圧を越えると、上記絶縁体部分８は静電気的
に破壊する。この正電荷６の蓄積を防ぐために、イオン
ビーム導入管２に取り付けた電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅ
から発生する電子により中和する。
過程で半導体基板５上に正電荷６が蓄積するが、半導体
基板５の裏面はグランド１Ｆに接続されているので、上
記絶縁体部分８の表面に蓄積した正電荷の量Ｑから決ま
る電位差Ｖが発生する。この電位差Ｖが上記絶縁体部分
８の破壊耐圧を越えると、上記絶縁体部分８は静電気的
に破壊する。この正電荷６の蓄積を防ぐために、イオン
ビーム導入管２に取り付けた電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅ
から発生する電子により中和する。
【００１２】本発明では、特に上記電子供給機構１Ｂ〜
１Ｅと上記半導体基板５の間のイオンビーム導入管２に
４極電磁石７が配設されている点で従来技術と相違す
る。上記電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅの概要は先に図５に
示した通りであり、フィラメント１Ｂに電流が流れて加
熱されると熱電子９を発生する。この熱電子９を引き出
し電源１Ｄを使って加速して、ターゲット１Ｅに衝突さ
せ、二次電子１Ａを発生させる。この二次電子１Ａは、
バイアス電源１Ｋによりバイアス電極１Ｌ間に印加され
た負バイアスの影響を受けて、半導体基板３上に照射さ
れるので、正帯電６を中和することができる。
１Ｅと上記半導体基板５の間のイオンビーム導入管２に
４極電磁石７が配設されている点で従来技術と相違す
る。上記電子線供給機構１Ｂ〜１Ｅの概要は先に図５に
示した通りであり、フィラメント１Ｂに電流が流れて加
熱されると熱電子９を発生する。この熱電子９を引き出
し電源１Ｄを使って加速して、ターゲット１Ｅに衝突さ
せ、二次電子１Ａを発生させる。この二次電子１Ａは、
バイアス電源１Ｋによりバイアス電極１Ｌ間に印加され
た負バイアスの影響を受けて、半導体基板３上に照射さ
れるので、正帯電６を中和することができる。
【００１３】以下、図２を参照して上記４極電磁石７の
取り付け方法について説明する。同図において、Ｘ軸、
Ｙ軸は図１に示したものと同じ方向を表し、Ｚ軸は図２
の紙面に垂直な方向を示している。先ず、４極電磁石７
のＮ極９を、ＸＹ平面の第一象限と第三象限で、Ｎ極９
同士を結ぶ直線がＹ軸と４５°の角度で交差する位置に
取り付ける。Ｓ極１０については、Ｚ軸の周りにＮ極９
を９０°回転させた位置に取り付ける。このように配設
された４極電磁石７からは、図中破線で示すような磁場
Ｂ１１が発生する。
取り付け方法について説明する。同図において、Ｘ軸、
Ｙ軸は図１に示したものと同じ方向を表し、Ｚ軸は図２
の紙面に垂直な方向を示している。先ず、４極電磁石７
のＮ極９を、ＸＹ平面の第一象限と第三象限で、Ｎ極９
同士を結ぶ直線がＹ軸と４５°の角度で交差する位置に
取り付ける。Ｓ極１０については、Ｚ軸の周りにＮ極９
を９０°回転させた位置に取り付ける。このように配設
された４極電磁石７からは、図中破線で示すような磁場
Ｂ１１が発生する。
【００１４】次に本発明により半導体基板の帯電がどの
ように解消されるかを説明する。図１のイオンビーム導
入管２に取り付けた電子供給機構１Ｂ〜１Ｅから発生し
た二次電子１Ａをイオンビーム４が照射して半導体基板
５の正帯電の生じる領域に供給する。このイオンビーム
４と二次電子１Ａは共にＺ軸方向の速度成分を有してい
るので、図２に示される磁場Ｂ１１から次式で示される
ローレンツ力Ｆを受けることになる。
ように解消されるかを説明する。図１のイオンビーム導
入管２に取り付けた電子供給機構１Ｂ〜１Ｅから発生し
た二次電子１Ａをイオンビーム４が照射して半導体基板
５の正帯電の生じる領域に供給する。このイオンビーム
４と二次電子１Ａは共にＺ軸方向の速度成分を有してい
るので、図２に示される磁場Ｂ１１から次式で示される
ローレンツ力Ｆを受けることになる。
【００１５】Ｆ＝Ｑ・Ｖ・Ｂ …（１） Ｑ：粒子の荷電量、Ｖ：粒子の速度、Ｂ：磁界 以下、図３を参照して、上記のローレンツ力Ｆによるイ
オンビーム４照射領域と二次電子１Ａ照射領域の変化を
説明する。尚、図３（ａ）は従来技術の二次電子照射領
域１２とイオン照射領域１３を示し、図３（ｂ）に本発
明での二次電子照射領域１４とイオン照射領域１３を示
している。
オンビーム４照射領域と二次電子１Ａ照射領域の変化を
説明する。尚、図３（ａ）は従来技術の二次電子照射領
域１２とイオン照射領域１３を示し、図３（ｂ）に本発
明での二次電子照射領域１４とイオン照射領域１３を示
している。
【００１６】ここで、二次電子１Ａに比べイオンの速度
が遅いこと及び質量が大きいことを考慮すれば、二次電
子１Ａに比してイオンに働くローレンツ力Ｆの影響は無
視できる。従って、上記ローレンツ力Ｆによって、図３
（ｂ）に示されるように本発明の二次電子照射領域１４
は、従来技術での二次電子照射領域１２に比べＹ軸方向
に縮小し、Ｘ軸方向に拡大する。
が遅いこと及び質量が大きいことを考慮すれば、二次電
子１Ａに比してイオンに働くローレンツ力Ｆの影響は無
視できる。従って、上記ローレンツ力Ｆによって、図３
（ｂ）に示されるように本発明の二次電子照射領域１４
は、従来技術での二次電子照射領域１２に比べＹ軸方向
に縮小し、Ｘ軸方向に拡大する。
【００１７】前述したように、半導体基板５の帯電によ
る電気ストレスの影響が大きいのはイオンビーム４の走
査速度の小さいＹ軸方向である。本発明では、従来技術
と比較して二次電子１Ａのみが照射される領域が圧倒的
に小さくなっているので、負帯電を抑制し、有効に正帯
電の防止が可能となる。一方、Ｘ軸方向については、従
来技術よりも二次電子１Ａの照射する領域は大きくなる
が、イオンビーム４が高速で走査され、正帯電によって
中和されるので、電気ストレスにほとんど寄与しないこ
とが同図より判る。
る電気ストレスの影響が大きいのはイオンビーム４の走
査速度の小さいＹ軸方向である。本発明では、従来技術
と比較して二次電子１Ａのみが照射される領域が圧倒的
に小さくなっているので、負帯電を抑制し、有効に正帯
電の防止が可能となる。一方、Ｘ軸方向については、従
来技術よりも二次電子１Ａの照射する領域は大きくなる
が、イオンビーム４が高速で走査され、正帯電によって
中和されるので、電気ストレスにほとんど寄与しないこ
とが同図より判る。
【００１８】このように、本発明のイオン注入装置で
は、イオンの種類・エネルギ等の条件が変わって、イオ
ンビームのサイズが変化しても、磁場Ｂ１１を調整すれ
ば、走査速度の小さいＹ軸方向の二次電子１Ａのみが照
射される領域を最小にでき、イオンビームのサイズに対
応して有効な正帯電の防止が可能である。
は、イオンの種類・エネルギ等の条件が変わって、イオ
ンビームのサイズが変化しても、磁場Ｂ１１を調整すれ
ば、走査速度の小さいＹ軸方向の二次電子１Ａのみが照
射される領域を最小にでき、イオンビームのサイズに対
応して有効な正帯電の防止が可能である。
【００１９】以上説明したように、本発明によれば、従
来、二次電子１Ａのみが照射される領域がイオンビーム
４の走査速度の小さい方向に広がっていたのを、４極電
磁石を設けることにより、イオンビーム４走査速度の大
きい方向に広げたため、負帯電を生じにくく、適正に正
帯電を防止することができる。
来、二次電子１Ａのみが照射される領域がイオンビーム
４の走査速度の小さい方向に広がっていたのを、４極電
磁石を設けることにより、イオンビーム４走査速度の大
きい方向に広げたため、負帯電を生じにくく、適正に正
帯電を防止することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体製造におけるイオン注入において、半導体基板表
面の絶縁体部分が静電気的に破壊されることを防止する
イオン注入装置を提供することができる。
半導体製造におけるイオン注入において、半導体基板表
面の絶縁体部分が静電気的に破壊されることを防止する
イオン注入装置を提供することができる。
【図１】本発明のイオン注入装置の概略図である。
【図２】４極電磁石の取り付け方法を表す図である。
【図３】（ａ）は従来技術でイオン及び二次電子が照射
する領域を表し、（ｂ）は本発明でイオン及び二次電子
が照射する領域を表す図である。
する領域を表し、（ｂ）は本発明でイオン及び二次電子
が照射する領域を表す図である。
【図４】従来技術のイオン注入装置の概略図である。
【図５】従来技術で半導体基板の帯電中和する方法を表
す図である。
す図である。
１Ａ…二次電子、１Ｂ…フィラメント、１Ｃ…フィラメ
ント電源、１Ｄ…引き出し電源、１Ｅ…ターゲット、１
Ｆ…グランド、１Ｇ…試料台の回転軸、１Ｈ…試料台の
回転運動、１Ｊ…試料台の往復運動、１Ｋ…バイアス電
源、１Ｌ…バイアス電源、２…イオンビーム導入管、３
…試料台、４…イオンビーム、５…半導体基板、６…正
電荷、７…４極電磁石導入管、８…絶縁体、９…一次電
子、１０Ｎ…Ｎ極、１０Ｓ…Ｓ極、１１…磁場、１２…
従来技術で二次電子線が照射する領域、１３…イオンが
照射する領域、１４…本発明で二次電子線が照射する領
域、１５…半導体基板上の正帯電した領域、１６…半導
体基板上の負帯電した領域。
ント電源、１Ｄ…引き出し電源、１Ｅ…ターゲット、１
Ｆ…グランド、１Ｇ…試料台の回転軸、１Ｈ…試料台の
回転運動、１Ｊ…試料台の往復運動、１Ｋ…バイアス電
源、１Ｌ…バイアス電源、２…イオンビーム導入管、３
…試料台、４…イオンビーム、５…半導体基板、６…正
電荷、７…４極電磁石導入管、８…絶縁体、９…一次電
子、１０Ｎ…Ｎ極、１０Ｓ…Ｓ極、１１…磁場、１２…
従来技術で二次電子線が照射する領域、１３…イオンが
照射する領域、１４…本発明で二次電子線が照射する領
域、１５…半導体基板上の正帯電した領域、１６…半導
体基板上の負帯電した領域。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を搭載した試料台の低速並進
運動と高速回転運動とにより半導体基板に対してイオン
ビームの走査を行う走査機構、イオンビームの低速走査
と試料台の高速回転運動とにより半導体基板に対してイ
オンビームの走査を行う走査機構、半導体基板を乗せた
試料台の低速並進運動とイオンビームの高速走査とによ
り半導体基板に対してイオンビームの走査を行う走査機
構のうち少なくともいずれかを備え、上記半導体基板の
前面に設置され電子を上記半導体基板に供給する電子供
給機構を有したイオン注入装置において、 高速走査を行う方向にＸ軸を設定し、低速走査の方向に
平行でイオンビームの進行方向とＸ軸のベクトル積の向
きにＹ軸を設定して定義されるＸ−Ｙ平面の第１乃至第
４象限に４極電磁石のＳ極、Ｎ極、Ｓ極及びＮ極をそれ
ぞれ設置し、上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線をＹ
軸と所定角度をもって交差させ、当該４極電磁石を上記
電子供給機構と半導体基板との間に設置することを特徴
とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 上記４極電磁石のＮ極同士を結ぶ直線を
Ｙ軸と交差させる所定角度は４５度であることを特徴と
する請求項１に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212503A JPH1064474A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212503A JPH1064474A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064474A true JPH1064474A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16623750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8212503A Pending JPH1064474A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474533B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 와이드빔을이용하는반도체장치제조용이온주입설비및이를이용한와이드빔균일도향상방법 |
| KR100950021B1 (ko) | 2007-11-27 | 2010-03-29 | 한국원자력연구원 | 이중 및 삼중 사극전자석 |
| JP2019525394A (ja) * | 2017-04-13 | 2019-09-05 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 被処理物体の表面に１価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP8212503A patent/JPH1064474A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474533B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 와이드빔을이용하는반도체장치제조용이온주입설비및이를이용한와이드빔균일도향상방법 |
| KR100950021B1 (ko) | 2007-11-27 | 2010-03-29 | 한국원자력연구원 | 이중 및 삼중 사극전자석 |
| JP2019525394A (ja) * | 2017-04-13 | 2019-09-05 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 被処理物体の表面に１価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4661712A (en) | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence | |
| US6060715A (en) | Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter | |
| US9679739B2 (en) | Combined electrostatic lens system for ion implantation | |
| TWI242788B (en) | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam | |
| US11037754B2 (en) | Scan and corrector magnet designs for high throughput scanned beam ion implanter | |
| US20020089288A1 (en) | Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence | |
| CN1969365B (zh) | 电荷中和装置 | |
| US6476399B1 (en) | System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam | |
| KR100654873B1 (ko) | 이온 빔을 스캐닝하고 포커싱하기 위한 방법 및 장치 | |
| US5554853A (en) | Producing ion beams suitable for ion implantation and improved ion implantation apparatus and techniques | |
| JP4421780B2 (ja) | イオン注入装置内でイオンビームを監視および調整するための装置及び方法 | |
| EP1080482B1 (en) | Method and apparatus for low energy ion implantation | |
| JPH1064474A (ja) | イオン注入装置 | |
| WO1988002920A1 (en) | Method and apparatus for constant angle of incidence scanning in ion beam systems | |
| JP7492516B2 (ja) | イオン源のためのテトロード引出装置 | |
| JP3420338B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS63299041A (ja) | イオンビ−ム中性化装置 | |
| JP3033981B2 (ja) | イオン処理装置 | |
| TW202042268A (zh) | 用於離子源之四極管提取設備 | |
| KR20080010094A (ko) | 이온주입설비 | |
| JPH0896744A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH01252771A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0782830B2 (ja) | 電荷中和装置 | |
| JPH04123755A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0311541A (ja) | イオン注入装置 |