JPH105990A - Production of electronic part - Google Patents

Production of electronic part

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Publication number
JPH105990A
JPH105990A JP15514196A JP15514196A JPH105990A JP H105990 A JPH105990 A JP H105990A JP 15514196 A JP15514196 A JP 15514196A JP 15514196 A JP15514196 A JP 15514196A JP H105990 A JPH105990 A JP H105990A
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JP
Japan
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case
hole
electronic component
manufacturing
molten
Prior art date
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Pending
Application number
JP15514196A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadashi Nakamura
禎志 中村
Daizo Ando
大蔵 安藤
Kunihiko Oishi
邦彦 大石
Shinji Umeda
眞司 梅田
Tetsuo Yuzawa
哲夫 湯澤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH105990A publication Critical patent/JPH105990A/en
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an element from deteriorating in its characteristics due to adhesion of adhesive, etc., by sealing at the same tome as fixing the element and connection with an external electrode without using a lead wire and an adhesive. SOLUTION: A case 11, in which, for example, a SAW filter chip 3 is accommodated in an inner space, a piercing hole 6 is arranged at a wall part corresponding to an electrode 9 of SAW filter chip 3, at least the surface of inner face/wall face of piercing hole 6 is arranged with a gold or tin metallic film 7 and which is made of glass material, is immersed, in a nitrogen atmosphere container 15, as a first process, in a solder bath 12 of a solder 8 in molten and jetting state while the wall face at the side of piercing hole 6 is arranged to rear face, as a second process, the case 11 is elevated up to the outside of molten solder bath 12 at low speed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、SAWフィルターやSAW発振
子あるいは、水晶振動子は、外部雰囲気に応じてその特
性が変動するので、それらの素子をケース内に密封する
構成となっていた。
2. Description of the Related Art For example, the characteristics of a SAW filter, a SAW resonator, or a crystal resonator vary according to the external atmosphere, and therefore, these elements are sealed in a case.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のものにおい
ては、リード線を用いて素子の入出力電極とケースの外
部引き出し電極を接続する構成となっており、素子の固
定は接着剤により行っていたので、この接着剤の一部が
飛散しそれが素子に付着して、その特性を劣化させてし
まうという問題があった。
In the above conventional device, the input / output electrodes of the element are connected to the external lead-out electrodes of the case using lead wires, and the element is fixed with an adhesive. Therefore, there has been a problem that a part of the adhesive scatters and adheres to the element, thereby deteriorating its characteristics.

【0004】そこで本発明は、リード線や接着剤を用い
ずに素子の固定と外部引き出し電極との接続を行うと同
時に素子を密封することにより、接着剤の付着による特
性劣化を防止することを目的とするものである。
Accordingly, the present invention prevents the deterioration of characteristics due to the adhesion of the adhesive by fixing the element and connecting it to an external lead electrode without using a lead wire or an adhesive and simultaneously sealing the element. It is the purpose.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、内部空間に片面に電極を有する素子
が収容され、前記素子の電極に対応する壁面部分に貫通
孔が設けられ、この貫通孔の内面及び壁面外周部分に金
属膜が設けられた、絶縁性でかつ少なくとも表面が非ろ
う付け性であるケースを、まず第一工程としてろう付け
材料よりなる溶融状態でかつ噴流している封孔体中に貫
通孔側の壁面を下面にして浸漬することによって、前記
溶融状態の封孔体を貫通孔内に圧入し、前記ケース内部
分において前記溶融状態の封孔体と前記素子の電極とを
接続し、第二工程としてケースを溶融状態の噴流封孔体
の外部に上昇させることによって、前記溶融状態の噴流
封孔体をケースと分断すると同時に、ケース外部分にお
いて前記金属膜の少なくとも貫通孔外周部分を覆いなが
ら、貫通孔内とケース内部及び前記金属膜上の封孔体を
固化するものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, the present invention provides an element in which an element having an electrode on one side is accommodated in an internal space, and a through hole is provided in a wall portion corresponding to the electrode of the element. The case where the metal film is provided on the inner surface and the outer peripheral portion of the wall surface of the through hole and which is insulative and at least the surface is non-brazing, is first jetted in a molten state made of a brazing material and jetted as a first step. The molten sealing member is pressed into the through hole by immersing the sealing member in the sealing member with the wall surface on the side of the through hole facing down, and the sealing member in the molten state and the element in the case inner portion. And the second step is to raise the case to the outside of the molten state jet sealing body, thereby separating the molten state jet sealing body from the case, and at the same time, the metal film is formed at the outer part of the case. of While covering the through-hole peripheral portion even without, is intended to solidify the interior and the case through holes and the sealing member on the metal film.

【0006】以上の製造方法にすれば、素子のケース外
への電気的な引き出しは、貫通孔内の封孔体を介して行
うことができ、また素子の保持もこの貫通孔内の封孔体
の固着力によって行うことができるため、接着剤による
固定は不要となり、また貫通孔の径をケース内部分より
ケース外部分の方が大なるようにすることにより、溶融
状態の封孔体の挿入が容易となり、またこの封孔体は貫
通孔内においては金属膜に固着し、ケース内部において
はその径が貫通孔のケース内部分の径よりも大なるよう
に形成されるので、強度が強く脱落は起こさず、さらに
ケース外においては金属膜の貫通孔外周部をこの封孔体
によって覆っているので気密性は極めて高くなり、この
結果として素子の特性劣化は起きなくなるのである。
According to the above manufacturing method, the element can be electrically pulled out of the case through the sealing member in the through hole, and the element can be held by the sealing member in the through hole. Since it can be performed by the fixing force of the body, fixing with an adhesive is unnecessary, and by making the diameter of the through hole larger in the outside of the case than in the case, the sealing member in the molten state can be formed. Insertion is facilitated, and this sealing body is fixed to the metal film in the through hole, and the inside of the case is formed so that its diameter is larger than the diameter of the through hole inside the case. Since the metal film does not fall off strongly and the outer peripheral portion of the through hole of the metal film is covered with the sealing material outside the case, the airtightness becomes extremely high, and as a result, the characteristic deterioration of the element does not occur.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、内部空間に、片面に電極を有する素子が収容され、
前記素子の電極に対応する壁面部分に貫通孔が設けら
れ、この貫通孔の内面及び壁面外周部分に金属膜が設け
られた、絶縁性でかつ少なくとも表面が非ろう付け性で
あるケースを、まず第一工程としてろう付け材料よりな
る溶融状態で、かつ噴流している封孔体中に、貫通孔側
の壁面を下面にした前記ケースを突入させて浸漬し、第
二工程としてケースを溶融状態の噴流封孔体の外部に上
昇させる電子部品の製造方法であり、貫通孔の封口と電
気的接続が同時に行える。
According to the first aspect of the present invention, an element having an electrode on one side is housed in an internal space,
A through-hole is provided in a wall portion corresponding to the electrode of the element, and a metal film is provided on an inner surface and an outer peripheral portion of the wall of the through-hole. In a molten state made of a brazing material as a first step, the case with the wall surface on the side of the through hole facing downward is immersed in the sealing body being jetted, and the case is melted as a second step. Is a method for manufacturing an electronic component which is raised outside of the jet sealing body, whereby the sealing of the through hole and the electrical connection can be performed simultaneously.

【0008】また本発明の請求項2に記載の発明は、ケ
ースは、溶融状態の噴流封孔体の輻射熱によって若干加
熱後に噴流封孔体浴に浸漬する請求項1記載の電子部品
の製造方法であって、ケースを噴流封孔体中に浸漬した
時の熱衝撃での破壊を防ぐものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the electronic component manufacturing method according to the first aspect, wherein the case is slightly heated by radiant heat of the molten jet sealing body and then immersed in the jet sealing bath. This prevents the case from being broken by thermal shock when the case is immersed in the jet sealing body.

【0009】さらに本発明の請求項3に記載の発明は、
第一工程及び第二工程は低酸素濃度雰囲気の密閉された
容器内において行われる請求項1または2記載の電子部
品の製造方法であって、酸化防止が図れるものである。
Further, the invention according to claim 3 of the present invention provides
3. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the first step and the second step are performed in a closed container in a low oxygen concentration atmosphere, wherein oxidation can be prevented.

【0010】また本発明の請求項4に記載の発明は、第
一工程において、溶融状態の噴流封孔体中に超音波を印
加して封孔体を貫通孔内に浸入させる請求項1から3の
いずれか一つに記載の電子部品の製造方法であって、噴
流封孔体を貫通孔内に浸入しやすくするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first step, ultrasonic waves are applied to the jet sealing body in a molten state to cause the sealing body to penetrate into the through-hole. 3. The method for manufacturing an electronic component according to any one of the items 3, wherein the jet sealing body easily penetrates into the through hole.

【0011】さらに本発明の請求項5に記載の発明は、
超音波の振動方向はケースに設けた貫通孔の軸線に近似
する方向にある請求項4記載の電子部品の製造方法であ
って、噴流封孔体を貫通孔内により浸入しやすくするも
のである。
Further, the invention according to claim 5 of the present invention provides:
5. The method for manufacturing an electronic component according to claim 4, wherein the vibration direction of the ultrasonic wave is a direction approximate to an axis of the through hole provided in the case, wherein the jet sealing body is more easily penetrated into the through hole. .

【0012】また本発明の請求項6に記載の発明は、複
数回、溶融状態の噴流封孔体中にケースを浸漬させる請
求項4または5に記載の電子部品の製造方法であって、
噴流封孔体の付着を確実なものとするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the electronic component manufacturing method according to the fourth or fifth aspect, wherein the case is immersed in the jet sealing body in a molten state a plurality of times.
This ensures the adhesion of the jet sealing body.

【0013】また本発明の請求項7に記載の発明は、第
二工程において、ケースが溶融状態の噴流封孔体浴の外
部で、かつ溶融状態の封孔体と分断されることなくこの
溶融状態の噴流封孔体の張力で引っ張り合う位置までケ
ースを低速で上昇し、その後高速で上昇してケースと溶
融状態の封孔体を瞬時に分断する請求項1から6のいず
れか一つに記載の電子部品の製造方法であって、素子の
入出力用電極と封孔体との結合強度を高めるものであ
る。
The invention according to claim 7 of the present invention is characterized in that, in the second step, the case is provided outside the molten state jet sealing bath and without being separated from the molten sealing body. 7. The case according to any one of claims 1 to 6, wherein the case is raised at a low speed to a position where the case is pulled by the tension of the jet sealing body in a state, and then is raised at a high speed to instantaneously separate the case and the sealing body in a molten state. The method for manufacturing an electronic component according to the above, wherein the bonding strength between the input / output electrode of the element and the sealing body is increased.

【0014】さらに本発明の請求項8に記載の発明は、
第一工程において、溶融状態の噴流封孔体面を略水平に
保ち、ケースに設けた貫通孔の軸線を鉛直方向から若干
角度をつけた方向にして、溶融状態の噴流封孔体中にケ
ースを浸漬させる請求項1から7のいずれか一つに記載
の電子部品の製造方法であって、ケース内からの脱気を
行いやすくするものである。
Further, the invention according to claim 8 of the present invention provides:
In the first step, the surface of the jet sealing body in the molten state is kept substantially horizontal, and the axis of the through hole provided in the case is set to a direction slightly inclined from the vertical direction, and the case is placed in the jet sealing body in the molten state. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is immersed in the electronic component, and is easily deaerated from inside the case.

【0015】また本発明の請求項9に記載の発明は、第
一工程において、貫通孔の軸線と並行でケースの重心点
を通る軸線を中心としてケースを回転させながら、溶融
状態の噴流封孔体中にケースを浸漬させる請求項1から
8のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法であっ
て、貫通孔内に封孔体が浸入しやすくしたものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the first step, while the case is rotated about an axis passing through the center of gravity of the case in parallel with the axis of the through-hole, the molten state of the jet sealing hole is formed. The method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1 to 8, wherein the case is immersed in the body, wherein the sealing body easily penetrates into the through hole.

【0016】さらに本発明の請求項10に記載の発明
は、第二工程において、ケースが溶融状態の噴流封孔体
から上昇する際、貫通孔の軸線と並行でケースの重心点
を通る軸線を中心としてケースを回転させながら上昇す
る請求項1から9のいずれか一つに記載の電子部品の製
造方法であって、溶融封孔体の分断を容易にするもので
ある。
Further, in the invention according to claim 10 of the present invention, in the second step, when the case rises from the molten jet sealing body, the axis passing through the center of gravity of the case in parallel with the axis of the through hole is defined. The method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1 to 9, wherein the electronic component rises while rotating the case as a center, and facilitates cutting of the molten sealing body.

【0017】また本発明の請求項11に記載の発明は、
ケースを並列に複数個並べ、同時に複数のケースに対し
て封孔処理する請求項1から10のいずれか一つに記載
の電子部品の製造方法であって、生産性を高めるもので
ある。
[0017] The invention according to claim 11 of the present invention provides:
The method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1 to 10, wherein a plurality of cases are arranged in parallel, and a plurality of cases are simultaneously sealed.

【0018】さらに本発明の請求項12に記載の発明
は、ケースを固定する固定具は、ケースと同等かあるい
はそれ以上に熱伝導の悪い材料で作成され、固定具のケ
ース取り付け面の面積は少なくともケースの取り付け面
の面積よりも大きく、真空引きによりケースを固定する
ようにした請求項1から11のいずれか一つに記載の電
子部品の製造方法であって、ケース内に浸入した封孔体
を固化しやすくしたものである。
Further, according to a twelfth aspect of the present invention, the fixing member for fixing the case is made of a material having a heat conductivity equal to or more than that of the case, and the area of the case mounting surface of the fixing member is reduced. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the case is fixed to the case by vacuuming, the area being larger than at least an area of a mounting surface of the case, wherein the sealing member penetrates into the case. It is what makes the body easier to solidify.

【0019】また本発明の請求項13に記載の発明は、
ケース内部において、素子とケース内部の貫通孔側の内
壁面の間にスペーサを有する請求項1から12のいずれ
か一つに記載の電子部品の製造方法であって、素子表面
のケースへの固着による不良を防ぐものである。
The invention according to claim 13 of the present invention provides:
13. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, further comprising a spacer between the element and an inner wall surface of the case inside the through hole, wherein the surface of the element is fixed to the case. This is to prevent the failure due to.

【0020】さらに本発明の請求項14に記載の発明
は、ケース内部において、素子とケース内部の貫通孔側
の内壁面の間で、かつ貫通孔のケース内部分の開孔部の
周囲に堤防体を有する請求項1から13のいずれか一つ
に記載の電子部品の製造方法であって、封孔体の素子へ
の回り込みを防ぐものである。
Further, according to a fourteenth aspect of the present invention, in the case, a dike is provided between the element and the inner wall surface on the through hole side inside the case, and around the opening portion of the through hole inside the case. The method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 1 to 13, further comprising a sealing member, wherein the sealing member prevents the sealing member from wrapping around the element.

【0021】また本発明の請求項15に記載の発明は、
貫通孔を設けた壁面に対向する壁面に排気孔を備えたケ
ースに対して封孔処理する請求項1から14のいずれか
一つに記載の電子部品の製造方法であって、封孔体浸入
時の排気がスムーズに行えるようにしたものである。
The invention according to claim 15 of the present invention provides:
The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a sealing process is performed on a case provided with an exhaust hole on a wall surface facing the wall surface provided with the through hole. This is to make the exhaust at the time smooth.

【0022】まず、本発明の第一及び第二の実施形態に
よって封孔処理が行われる電子部品について図1を用い
て説明する。図1において、1は枠体で例えば硼珪酸ガ
ラスで作られている。この枠体1の開孔部2内には、素
子の一例としてSAWフィルタチップ(SAW発振子チ
ップ等でも良い)3が収納されている。また枠体1の上
下面には、それぞれ硼珪酸ガラスで作られた第一、第二
の板体4、5がガラス同士の直接接合により接合されて
いる。また、第一の板体4には貫通孔6が形成され、こ
の貫通孔6の内面及び第一の板体4の外側の面の貫通孔
外周部分には金属膜7が形成されている。この金属膜7
は例えば、最下層がTiまたはCr、第二層がCuまた
はNi、最表層がAuまたはSnまたはAgのいずれか
を用いた三層構造になっている。このような電子部品に
対して封孔処理を実施することによって、前記金属膜7
上に封孔体の一例として半田8が設けられ、この半田8
は開孔部2内においてそれぞれのSAWフィルタチップ
3の入出力用の電極9に接続され、第一の板体4の外側
の面においては貫通孔6の外周部に設けた金属膜7上の
少なくとも貫通孔6の外周を覆うように形成され、外部
電極10に接続されている。すなわち枠体1、板体4、
5によりケースが構成され、そのケース内にSAWフィ
ルタチップ3が収納されるような電子部品の製造を行う
ことができる。
First, an electronic component to be subjected to a sealing process according to the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a frame made of, for example, borosilicate glass. A SAW filter chip (a SAW oscillator chip or the like) 3 is housed in the opening 2 of the frame 1 as an example of an element. On the upper and lower surfaces of the frame 1, first and second plates 4, 5 made of borosilicate glass are joined by direct joining of the glasses. Further, a through hole 6 is formed in the first plate 4, and a metal film 7 is formed on the inner surface of the through hole 6 and the outer peripheral portion of the through hole on the outer surface of the first plate 4. This metal film 7
Has, for example, a three-layer structure in which the lowermost layer is made of Ti or Cr, the second layer is made of Cu or Ni, and the outermost layer is made of one of Au, Sn and Ag. By performing a sealing process on such an electronic component, the metal film 7 is formed.
A solder 8 is provided on the top as an example of a sealing body.
Are connected to the input / output electrodes 9 of each SAW filter chip 3 in the opening 2, and on the outer surface of the first plate 4, the metal film 7 provided on the outer periphery of the through hole 6 It is formed so as to cover at least the outer periphery of the through hole 6, and is connected to the external electrode 10. That is, the frame 1, the plate 4,
5, a case is formed, and an electronic component in which the SAW filter chip 3 is accommodated in the case can be manufactured.

【0023】なお、枠体1の両側には第一、第二の板体
4、5がガラス同士で直接接合されることとなる。もち
ろんこれらの接合をさせるためには、枠体1と第一、第
二の板体4、5との接合面はガラスの鏡面が保持された
状態でなければならない。また、これら三者の直接接合
をより確実なものにするためには、これら三者を加圧し
ながら加熱したりすることが好ましい。つまり、このよ
うな加圧をすれば接合面にわずかなホコリ等が存在した
としても、そのホコリ外周面を強く圧接するので、直接
接合が行えることとなるのである。
The first and second plates 4 and 5 are directly joined to each other on both sides of the frame 1 by means of glass. Of course, in order to join these, the joining surface between the frame 1 and the first and second plates 4 and 5 must be in a state where the mirror surface of the glass is held. Further, in order to further secure the direct joining of these three members, it is preferable to heat these three members while applying pressure. In other words, even if a small amount of dust or the like is present on the bonding surface by applying such pressure, the outer peripheral surface of the dust is strongly pressed, so that direct bonding can be performed.

【0024】図2(a)から(d)を用いて本発明の第
一の実施形態について説明する。図2(a)から(d)
は第一の実施形態の封孔処理工程を説明する工程断面図
で、図2(a)は図1で説明した電子部品のケース11
の封孔処理前の状態の工程断面図を示している。図2
(a)のように第一の実施形態の製造装置は、封孔体の
一例として用いた融点が約300℃の半田8を溶融状態
にして噴流させている半田浴12と、封孔作業を施すケ
ース11を固定するための固定具13とこの固定具13
を昇降させるための昇降器14を備え、これらの装置は
窒素で充填された容器15内に密閉されている。このよ
うな雰囲気中で封孔処理を行うことにより、ケース11
内に乾燥した窒素を充填することができ、これによりケ
ース11内の雰囲気は水分を含まない雰囲気となり、S
AWフィルタチップ3の結露による振動阻害を防止する
ことができる。また、非常に酸化の激しい溶融半田の酸
化防止も行うことができる。一方、封孔処理されるケー
ス11は枠体1の板厚が400μmで、第一の板体4の
板厚が200μm、第二の板体5の板厚が200μm
で、さらにSAWフィルタチップ3の板厚が340μm
となっている。つまりSAWフィルタチップ3は枠体1
よりも板厚が薄いので、ケース11内部には必ず空間が
形成されることになる。このようなケース11を、貫通
孔6の外側の開孔部が下面になるように固定具13に固
定すると、SAWフィルタチップ3と第一の板体4の内
壁面とが接触した状態になる。このときの噴流半田浴1
2の温度は約350℃、密閉容器15内の雰囲気温度は
約160℃、ケース11及び固定具13の温度は約12
5℃である。この状態を1から数分間保持して密閉容器
15内に窒素を充填すると同時に溶融半田の輻射熱を利
用してケース11を約150℃に予熱する。なお、約1
50℃程度にケース11を昇温することにより、約35
0℃の噴流半田浴12中にケース11を浸漬しても、ヒ
ートショックによりケース11が破損することはない。
その後、第一工程として図2(b)のように昇降器14
によってケース11を降下させ、噴流半田浴12内に突
入させる。このときケース11は昇降器14によって半
田の浮力に打ち勝って強制的に噴流半田浴12内に浸漬
させられるため、溶融半田は貫通孔6を通ってケース1
1内部のSAWフィルタチップ3を浮き上がらせるよう
に圧入される。また、貫通孔6の径がケース11の内部
分より外部分の方が大なるように形成すると、溶融半田
はさらに圧入されやすくなる。そしてSAWフィルタチ
ップ3の入出力用電極9と半田が合金層を形成し、電気
的かつ機械的に接続され、ケース11と噴流半田浴12
の温度差によってケース内部の半田の温度が降下して半
田が固化し始める。ここでケース11は硼珪酸ガラス等
のガラス材料で形成されており、熱伝導があまり良くな
いため半田固化に有効な温度差を実現することができ
る。さらに固定具13も例えばセラミック材料のように
ケースと同等かそれ以上に熱伝導が良くない材料を用い
れば、半田の固化をより促進することができる。このよ
うにSAWフィルタチップ3を浮き上がらせることによ
ってSAWフィルタの振動は阻害されることがなくな
る。また、ここでケース11を溶融半田の輻射熱を利用
して昇温したもう一つの理由について説明する。すなわ
ち、ケース11を上記のごとく150℃程度に加熱し、
その状態で図2(b)のごとく貫通孔6を半田8で封孔
すれば、その最終工程つまり図2(d)の後に、ケース
11を密閉容器15から取り出すことにより、その温度
が常温になった場合には、このケース11内は負圧とな
り、その結果としてSAWフィルタチップ3の空気抵抗
による振動阻害は起きなくなるのである。また、貫通孔
6から延長され、SAWフィルタチップの電極9と接続
される間のケース11内部の半田の径が、ケース内側の
貫通孔の径よりも若干大きくなるように形成することに
より、さらに接続強度を増すことができるのである。再
び封孔処理工程の説明を続けると、第一工程で噴流半田
浴12にケース11を浸漬した後、すばやく第二工程と
して図2(c)に示すようにケースを噴流半田浴12の
外部まで低速で上昇させる。このときケース11の外部
(第一の板体4の貫通孔6の外周部分)に設けた金属膜
7と溶融半田は分断されることなく、溶融半田の張力で
引っ張り合っている。この工程を経ることによって、S
AWフィルタチップ3の入出力用電極9と半田を拡散さ
せより厚い合金層を形成することにより、機械的により
強固な接続を得ることができる。その後、高速で上昇さ
せることにより溶融半田を瞬時に分断することにより、
ケース11内部と、貫通孔6内と、ケース11の外部に
設けた金属膜7上の半田量を図2(d)に示すように均
一にすることができる。この結果として、金属膜7はそ
の全周に渡って、半田8により覆われ、これによりケー
ス11内の気密性は極めて高く保たれるようになるので
ある。この点についてさらに詳しく説明すると、以上の
ように板体4上の金属膜7上を半田8で覆わなければ、
気密に対する信頼性は低いものになってしまう。つま
り、貫通孔6は板体4にサンドブラストあるいはエッチ
ングにより形成されるものであり、その表面は大きく荒
れている。したがってここに金属膜7を蒸着させたとし
ても、完全にその凹凸部分を埋めることはできず、微細
な隙間が形成されてしまう。また、この隙間は半田8を
圧入したとしても完全に覆うことはできず、その結果と
してケース内の気密性を劣化させてしまうのであった。
そこで本実施形態では、半田8を図2(d)に示すごと
く貫通孔6のケース外側の外周部の金属膜7上をも半田
8で覆うようにしたものである。この場合、貫通孔6の
外周部分の板体4上面はガラスとしての鏡面が保たれて
おり、したがってこの上面に設ける金属膜7とは密着
し、この金属膜7表面も鏡面のごとく平坦な面となる。
したがって、ここに図2(d)に示すごとく半田が盛ら
れれば、確実に気密がとれることになるのである。ま
た、第二工程において、ケース11を低速で上昇させた
後、高速で上昇させ半田8を分断することにより、この
半田の盛り上がり量を約100μm程度の高さに規制
し、かつ均一にすることができる。本第一の実施形態の
ような半田の盛り上がり量であれば、印刷によって形成
される外部電極10の形成も非常に容易になる。以上の
ような封孔処理を行うことにより、接着剤を用いること
なくSAWフィルタチップ3を固定することができ、ケ
ース11内の気密性は極めて高く保つことができ、結果
としてSAWフィルタチップ3の特性劣化は起きなくな
るのである。図3は図1に示す電子部品の封孔処理前の
ケースを多数個同時に封孔処理するために、ケースを縦
横に並べた状態を示すものである。つまり、大板状の板
体4、5間に複数のSAWフィルタチップ3を設け、そ
の状態で各ケースの貫通孔6に対して封孔処理を行い、
その後分断して図1に示す個々の電子部品を得るもので
ある。
The first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d)
FIG. 2A is a process cross-sectional view illustrating a sealing process of the first embodiment, and FIG. 2A is a case 11 of the electronic component described in FIG.
2 is a process sectional view showing a state before the sealing process. FIG.
As shown in (a), the manufacturing apparatus according to the first embodiment includes a solder bath 12 in which a solder 8 having a melting point of about 300 ° C. used as an example of a sealing body is jetted in a molten state, and a sealing operation is performed. Fixing device 13 for fixing case 11 to be applied and fixing device 13
, And these devices are sealed in a container 15 filled with nitrogen. By performing the sealing treatment in such an atmosphere, the case 11
The inside of the case 11 can be filled with dry nitrogen, whereby the atmosphere in the case 11 becomes a moisture-free atmosphere.
Vibration inhibition due to dew condensation on the AW filter chip 3 can be prevented. Further, it is possible to prevent oxidation of molten solder which is extremely oxidized. On the other hand, in the case 11 to be sealed, the thickness of the frame 1 is 400 μm, the thickness of the first plate 4 is 200 μm, and the thickness of the second plate 5 is 200 μm.
And the thickness of the SAW filter chip 3 is 340 μm.
It has become. That is, the SAW filter chip 3 is the frame 1
Since the thickness is smaller than that of the case 11, a space is always formed inside the case 11. When such a case 11 is fixed to the fixture 13 such that the opening outside the through hole 6 faces the lower surface, the SAW filter chip 3 and the inner wall surface of the first plate 4 come into contact with each other. . Jet solder bath 1 at this time
2 is about 350 ° C., the ambient temperature in the closed container 15 is about 160 ° C., and the temperature of the case 11 and the fixture 13 is about 12 ° C.
5 ° C. While maintaining this state for one to several minutes, the sealed container 15 is filled with nitrogen, and at the same time, the case 11 is preheated to about 150 ° C. using the radiant heat of the molten solder. In addition, about 1
By raising the temperature of the case 11 to about 50 ° C., about 35
Even if the case 11 is immersed in the jet solder bath 12 at 0 ° C., the case 11 is not damaged by heat shock.
Then, as a first step, as shown in FIG.
As a result, the case 11 is lowered and rushed into the jet solder bath 12. At this time, the case 11 is overcome by the lift 14 to overcome the buoyancy of the solder and is forcibly immersed in the jet solder bath 12.
1 is press-fitted so as to lift the SAW filter chip 3 inside. Further, if the diameter of the through hole 6 is formed so that the diameter of the through hole 6 is larger in the outer part than in the inner part of the case 11, the molten solder is more easily pressed. Then, the input / output electrodes 9 of the SAW filter chip 3 and the solder form an alloy layer, and are electrically and mechanically connected to each other.
Due to this temperature difference, the temperature of the solder inside the case drops and the solder starts to solidify. Here, the case 11 is formed of a glass material such as borosilicate glass and has a poor heat conduction, so that a temperature difference effective for solidifying the solder can be realized. Further, if the fixing member 13 is made of a material having a heat conductivity equal to or higher than that of the case, such as a ceramic material, the solidification of the solder can be further promoted. By lifting the SAW filter chip 3 in this manner, the vibration of the SAW filter is not hindered. Here, another reason for raising the temperature of the case 11 using the radiant heat of the molten solder will be described. That is, the case 11 is heated to about 150 ° C. as described above,
In this state, if the through-hole 6 is sealed with the solder 8 as shown in FIG. 2B, the case 11 is taken out of the sealed container 15 after the final step, that is, after FIG. When this happens, the inside of the case 11 becomes a negative pressure, and as a result, vibration inhibition due to air resistance of the SAW filter chip 3 does not occur. Further, the diameter of the solder inside the case 11 extending from the through hole 6 and being connected to the electrode 9 of the SAW filter chip is formed to be slightly larger than the diameter of the through hole inside the case. The connection strength can be increased. Continuing with the description of the sealing process, after the case 11 is immersed in the jet solder bath 12 in the first process, the case is quickly moved to the outside of the jet solder bath 12 as shown in FIG. Raise at low speed. At this time, the metal film 7 provided outside the case 11 (the outer peripheral portion of the through hole 6 of the first plate body 4) and the molten solder are pulled by the tension of the molten solder without being divided. Through this step, S
By diffusing the solder and the input / output electrode 9 of the AW filter chip 3 to form a thicker alloy layer, a mechanically stronger connection can be obtained. After that, the molten solder is instantaneously divided by raising it at high speed,
The amount of solder on the metal film 7 provided inside the case 11, inside the through hole 6, and outside the case 11 can be made uniform as shown in FIG. As a result, the metal film 7 is covered with the solder 8 over the entire circumference, whereby the airtightness in the case 11 is kept extremely high. To explain this point in more detail, unless the metal film 7 on the plate 4 is covered with the solder 8 as described above,
The reliability for airtightness is low. That is, the through-hole 6 is formed in the plate 4 by sandblasting or etching, and the surface thereof is largely roughened. Therefore, even if the metal film 7 is deposited here, the uneven portion cannot be completely filled, and a minute gap is formed. Further, even if the solder 8 is press-fitted, the gap cannot be completely covered, and as a result, the airtightness in the case is deteriorated.
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 2D, the solder 8 covers the metal film 7 on the outer peripheral portion of the through hole 6 outside the case. In this case, the upper surface of the plate body 4 at the outer peripheral portion of the through hole 6 has a mirror surface as glass, and thus is in close contact with the metal film 7 provided on the upper surface, and the surface of the metal film 7 is also a flat surface like a mirror surface. Becomes
Therefore, if the solder is applied as shown in FIG. 2D, airtightness can be surely achieved. Further, in the second step, after raising the case 11 at a low speed, the case 11 is raised at a high speed to divide the solder 8 so that the swelling amount of the solder is regulated to a height of about 100 μm and made uniform. Can be. If the amount of solder swells as in the first embodiment, the formation of the external electrodes 10 formed by printing becomes very easy. By performing the sealing treatment as described above, the SAW filter chip 3 can be fixed without using an adhesive, and the airtightness in the case 11 can be kept extremely high. As a result, the SAW filter chip 3 The characteristic degradation does not occur. FIG. 3 shows a state in which the cases are arranged vertically and horizontally in order to simultaneously seal a large number of cases before the sealing process of the electronic component shown in FIG. That is, a plurality of SAW filter chips 3 are provided between the large plate members 4 and 5, and in that state, a sealing process is performed on the through holes 6 of each case.
Thereafter, the individual electronic components shown in FIG. 1 are obtained by division.

【0025】図4(a),(b)を用いて本発明の第二
の実施形態について説明する。図4(a)は噴流半田浴
12中に超音波ホーン16を設けた製造装置の工程断面
図である。超音波ホーン16は、それが発生する超音波
の振動方向と封孔処理する貫通孔6の軸線とが近似する
方向になるように取り付けられている。この状態で密閉
容器15内の窒素充填、及びケース11の予熱を行う準
備工程は第一の実施形態と同様である。図4(b)は第
二の実施形態の第一工程を示す工程断面図である。第一
の実施形態と同様に、ケース11は昇降器14によって
噴流半田浴12中に強制的に浸漬させられるため、溶融
半田は貫通孔6を通ってケース11内部のSAWフィル
タチップ3を浮き上がらせるように圧入される。第二の
実施形態ではこれに加えて、超音波振動によっても溶融
半田が貫通孔6を通ってケース11内部のSAWフィル
タチップ3を浮き上がらせるように作用する。この作用
により、噴流半田浴12とケース11の温度差が小さく
て、ケース11が噴流半田浴12中にある時にケース内
部の半田が固化し始めなくても、SAWフィルタチップ
3を浮き上がらせ続けることができる。また、ケース1
1が噴流半田浴12中にある時間を第一の実施形態より
若干長くすることができるため、SAWフィルタチップ
の入出力電極9と半田8間でより強固な合金接合を行う
ことができる。第二工程以降は第一の実施形態と同様で
ある。ここで、半田8による接続、あるいはSAWフィ
ルタチップ3の浮き上がりが不十分なときは、再度封孔
処理を行うことにより、より確実な封孔処理を行うこと
ができる。また、繰り返し回数を増加させるほど(金属
膜7の膜厚によって拡散により形成される合金層の厚み
に限度がある)半田8とSAWフィルタチップ3の電気
的、機械的接続が強固なものになる。
Referring to FIGS. 4A and 4B, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4A is a process sectional view of the manufacturing apparatus in which the ultrasonic horn 16 is provided in the jet solder bath 12. The ultrasonic horn 16 is attached so that the direction of vibration of the ultrasonic waves generated by the ultrasonic horn 16 and the axis of the through-hole 6 to be sealed are approximated. In this state, the preparation process for filling the inside of the closed vessel 15 with nitrogen and preheating the case 11 is the same as in the first embodiment. FIG. 4B is a process cross-sectional view illustrating a first process of the second embodiment. Similarly to the first embodiment, the case 11 is forcibly immersed in the jet solder bath 12 by the elevator 14, so that the molten solder rises the SAW filter chip 3 inside the case 11 through the through hole 6. Press fit. In addition to the above, in the second embodiment, the molten solder also acts to lift the SAW filter chip 3 inside the case 11 through the through hole 6 by the ultrasonic vibration. Due to this action, the temperature difference between the jet solder bath 12 and the case 11 is small, so that the SAW filter chip 3 is kept floating even if the solder inside the case does not start to solidify when the case 11 is in the jet solder bath 12. Can be. Case 1
Since the time during which 1 is in the jet solder bath 12 can be made slightly longer than in the first embodiment, stronger alloy bonding can be performed between the input / output electrode 9 of the SAW filter chip and the solder 8. The second and subsequent steps are the same as in the first embodiment. Here, if the connection by the solder 8 or the lifting of the SAW filter chip 3 is insufficient, the sealing process can be performed more reliably by performing the sealing process again. As the number of repetitions increases (the thickness of the alloy layer formed by diffusion depends on the thickness of the metal film 7), the electrical and mechanical connection between the solder 8 and the SAW filter chip 3 becomes stronger. .

【0026】ここで、図5と図6を用いて本発明の第一
及び第二の実施形態の第一工程における、ケース11を
噴流半田浴12に突入させる方法について詳しく説明す
る。図5に示すように、ケース11が噴流半田浴12に
突入していく方向は鉛直方向ではなく、ケース11に設
けた貫通孔6の軸線が鉛直方向に対して若干角度を持つ
方向になっている。これは、溶融半田が貫通孔6に圧入
される時、ケース11内の気体を若干でも脱気しやすい
ようにしたものである。このようにすることで溶融半田
の圧入はよりスムーズに行われるようになる。同様な効
果を得るために図6に示すように、昇降器14を設けた
軸線を中心としてケース11を回転させながら噴流半田
浴12に突入させる方法も行っている。
Here, a method for causing the case 11 to enter the jet solder bath 12 in the first step of the first and second embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIG. 5, the direction in which the case 11 protrudes into the jet solder bath 12 is not the vertical direction, but the direction of the axis of the through hole 6 provided in the case 11 is a direction having a slight angle with respect to the vertical direction. I have. This is such that when the molten solder is press-fitted into the through-hole 6, the gas in the case 11 can be easily degassed even slightly. By doing so, the press-fitting of the molten solder is performed more smoothly. In order to obtain the same effect, as shown in FIG. 6, a method is also employed in which the case 11 is caused to enter the jet solder bath 12 while rotating the case 11 about the axis line where the elevator 14 is provided.

【0027】図6のケース11を回転させる方法は、本
発明の第一及び第二の実施形態の第二工程におけるケー
ス11の上昇時にも行っている。このとき、ケース11
を回転させることにより、溶融半田の分断をスムーズに
行うことができ、貫通孔6内と、ケース11内部と、ケ
ース11の外部に設けた金属膜7上の半田量を各々均一
にすることができる。
The method of rotating the case 11 in FIG. 6 is also performed when the case 11 is raised in the second step of the first and second embodiments of the present invention. At this time, case 11
Is rotated, the molten solder can be separated smoothly, and the amount of solder on the metal film 7 provided in the through-hole 6, the inside of the case 11, and the outside of the case 11 can be made uniform. it can.

【0028】本発明の第三の実施形態を図7と共に説明
する。図7は図1の電子部品において、封孔処理する前
にSAWフィルタチップ3上にあらかじめ入出力電極9
とは異なる位置で、かつSAWフィルタチップ3の振動
を阻害しないような部分に、例えばAuのように容易に
変形できる無機材料を用いたスペーサ17をワイヤーボ
ンディング時に形成されるボール部分のみをボンディン
グする工法(あるいはワイヤーバンプとも呼ばれる)等
を用いて形成したものの構成断面図で、SAWフィルタ
チップ3と第一の板体4の内壁面との間の振動に必要な
空間を確保したものである。このような構成のケースを
用いて本発明の第一あるいは第二の実施形態に記載の封
孔処理を行えば、半田の浮力や超音波振動によるSAW
フィルタチップ3の浮き上がりに期待することなく封孔
処理が行えるため、封孔処理後はSAWフィルタチップ
3の振動が阻害されるようなことは起こらないのであ
る。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 shows the input / output electrodes 9 on the SAW filter chip 3 before the sealing process in the electronic component of FIG.
A spacer 17 made of an inorganic material that can be easily deformed, such as Au, is bonded only to a ball portion formed at the time of wire bonding at a position different from the above and at a portion that does not hinder the vibration of the SAW filter chip 3. FIG. 3 is a cross-sectional view of a structure formed using a construction method (or also called a wire bump) or the like, in which a space necessary for vibration between the SAW filter chip 3 and the inner wall surface of the first plate body 4 is secured. If the sealing process described in the first or second embodiment of the present invention is performed using the case having such a configuration, the SAW due to the buoyancy of the solder and the ultrasonic vibration can be achieved.
Since the sealing process can be performed without expecting the rising of the filter chip 3, the vibration of the SAW filter chip 3 is not hindered after the sealing process.

【0029】本発明の第四の実施形態を図8と共に説明
する。図8は図1の電子部品において、封孔処理する前
にSAWフィルタチップ3上の入出力電極9の周辺部で
SAWフィルタチップ3の振動を阻害しないような部分
に、例えばポリイミドのテープのような薄板状の材料を
ドーナツ状に加工して堤防体18を形成したものの構成
断面図である。このような構成のケースを用いて本発明
の第一あるいは第二の実施形態に記載の封孔処理を行え
ば、半田8が貫通孔6内に圧入されるとき、半田8がS
AWフィルタチップ3上の入出力電極9からはみ出し、
他の電極とショートするのを防止することもできるので
ある。
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows a portion of the electronic component of FIG. 1 which does not hinder the vibration of the SAW filter chip 3 around the input / output electrode 9 on the SAW filter chip 3 before the sealing process, such as a polyimide tape. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration in which a thin plate-like material is processed into a donut shape to form a bank 18. If the sealing process described in the first or second embodiment of the present invention is performed using the case having such a configuration, when the solder 8 is pressed into the through hole 6, the solder 8
Protruding from the input / output electrode 9 on the AW filter chip 3,
It is also possible to prevent a short circuit with another electrode.

【0030】本発明の第五の実施形態を図9と共に説明
する。図9は図1の電子部品において、第三の実施形態
に用いたスペーサ17と第四の実施形態に用いた堤防体
18を同時に形成したものの構成断面図である。このよ
うな構成のケースを用いて本発明の第一あるいは第二の
実施形態に記載の封孔処理を行えば、半田の浮力や超音
波振動によるSAWフィルタチップ3の浮き上がりに期
待することなく封孔処理が行えるため、封孔処理後はS
AWフィルタチップ3の振動が阻害されるようなことは
起こらず、また半田8が貫通孔6内に圧入されるとき、
半田8がSAWフィルタチップ3上の入出力電極9から
はみ出し、他の電極とショートするのを防止することも
できるのである。
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a sectional view of the electronic component of FIG. 1 in which the spacer 17 used in the third embodiment and the embankment body 18 used in the fourth embodiment are simultaneously formed. When the sealing process described in the first or second embodiment of the present invention is performed using the case having such a configuration, the sealing is performed without expecting the floating of the SAW filter chip 3 due to the buoyancy of the solder or the ultrasonic vibration. Since hole processing can be performed, after sealing processing, S
It does not happen that the vibration of the AW filter chip 3 is disturbed, and when the solder 8 is pressed into the through hole 6,
It is also possible to prevent the solder 8 from protruding from the input / output electrodes 9 on the SAW filter chip 3 and shorting with other electrodes.

【0031】本発明の第六の実施形態を図10と共に説
明する。図10は図1の電子部品において、第二の板体
5に第二の貫通孔19を設けたものの構成断面図であ
る。このような構成のケースを用いて本発明の第一ある
いは第二の実施形態に記載の封孔処理を行えば、第二の
貫通孔19が排気孔となって、半田の浮力や超音波振動
によるSAWフィルタチップ3の浮き上がり時に発生す
る空気抵抗を低減することができ、半田の浮力や超音波
振動によってSAWフィルタチップ3を容易に浮き上が
らせることができ、封孔処理後はSAWフィルタチップ
3の振動が阻害されるようなことは起こらないのであ
る。本発明の封孔処理を行った後、第二の貫通孔19に
対して本発明の封孔処理、あるいは別の気密封止処理、
例えば低融点ガラスを充填し融着させる等の気密封止処
理を行うことによって、図10のケース内の気密性は極
めて高く保つことができ、結果としてSAWフィルタチ
ップ3の特性劣化は起きなくなるのである。
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a configuration sectional view of the electronic component of FIG. 1 in which a second through hole 19 is provided in the second plate 5. If the sealing process described in the first or second embodiment of the present invention is performed using the case having such a configuration, the second through hole 19 becomes an exhaust hole, and the buoyancy of the solder and the ultrasonic vibration are reduced. , The air resistance generated when the SAW filter chip 3 rises can be reduced, and the SAW filter chip 3 can be easily lifted by the buoyancy of the solder and ultrasonic vibration. No vibrations are disturbed. After performing the sealing treatment of the present invention, the sealing treatment of the present invention, or another hermetic sealing treatment on the second through-hole 19,
For example, by performing a hermetic sealing process such as filling and fusing low-melting glass, the hermeticity in the case of FIG. 10 can be kept extremely high, and as a result, the characteristic deterioration of the SAW filter chip 3 does not occur. is there.

【0032】以上のように本発明の各実施形態は、内部
空間に例えばSAWフィルタチップ3が収容され、前記
SAWフィルタチップ3の電極9に対応する壁面部分に
貫通孔6が設けられ、この貫通孔6の内面及び壁面外周
部分に少なくとも表面が金または錫の金属膜7が設けら
れた、ガラス材料で形成されたケース11を、窒素雰囲
気の容器15内において、まず第一工程として半田8よ
りなる溶融状態でかつ噴流している半田浴12中に、貫
通孔6側の壁面を下面にして溶融状態の半田の浮力に打
ち勝つように強制的に突入させて浸漬し、溶融状態の半
田浴12中に印加した超音波振動によって半田を貫通孔
6内に浸入させ、溶融状態の半田の浮力によって前記S
AWフィルタチップ3を浮き上がらせ、前記ケース11
内部分において前記溶融状態の半田と前記SAWフィル
タチップの電極9とを接続する。続いてすばやく第二工
程としてケースを溶融状態の半田浴12の外部で、かつ
溶融状態の半田と分断されることなくこの溶融状態の半
田の張力で引っ張り合う位置まで低速で上昇し、その後
高速で上昇してケース11と溶融状態の半田を瞬時に分
断すると同時に、ケース11外部分において前記金属膜
7の少なくとも貫通孔6外周部分を覆いながら、貫通孔
6内とケース11内部及び前記金属膜7上の半田8を固
化する。そして以上のようにすれば、SAWフィルタチ
ップの電極9のケース11外への電気的な引き出しは、
貫通孔6内の半田8を介して行うことができ、またSA
Wフィルタチップ3の保持もこの貫通孔6内の半田8の
固着力によって行うことができるため、接着剤による固
定は不要となり、またこの半田8は貫通孔6内において
は金属膜7に固着し、ケース内部においてはその径が貫
通孔6のケース11内部分の径よりも大なるように形成
されるので、強度が強く脱落は起こさず、さらにケース
11外においては金属膜7の貫通孔6外周部をこの半田
8によって覆っているので気密性は極めて高くなり、こ
の結果として素子の特性劣化は起きなくなるのである。
As described above, in each embodiment of the present invention, for example, the SAW filter chip 3 is housed in the internal space, and the through-hole 6 is provided in the wall surface portion corresponding to the electrode 9 of the SAW filter chip 3. First, a case 11 made of a glass material and having a metal film 7 of gold or tin provided at least on the inner surface and the outer peripheral portion of the wall surface of the hole 6 is placed in a container 15 in a nitrogen atmosphere by solder 8 as a first step. The molten solder bath 12 is forcibly immersed in the molten and jetted solder bath 12 with the wall surface on the side of the through hole 6 facing downward so as to overcome the buoyancy of the molten solder. The solder penetrates into the through-hole 6 by the ultrasonic vibration applied inside, and the S
The AW filter chip 3 is lifted up, and the case 11
In the inner part, the solder in the molten state is connected to the electrode 9 of the SAW filter chip. Subsequently, as a second step, the case is quickly raised outside the molten solder bath 12 to a position where the case is pulled by the tension of the molten solder without being separated from the molten solder, and then at a high speed. At the same time, the solder in the molten state is instantaneously separated from the case 11, and at the same time, the inside of the through hole 6, the inside of the case 11 and the metal film The upper solder 8 is solidified. Then, as described above, the electrical extraction of the electrode 9 of the SAW filter chip out of the case 11 is as follows.
It can be performed through the solder 8 in the through hole 6 and
Since the W filter chip 3 can be held by the fixing force of the solder 8 in the through hole 6, it is not necessary to fix the W filter chip 3 with an adhesive, and the solder 8 is fixed to the metal film 7 in the through hole 6. Inside the case, the diameter is formed so as to be larger than the diameter of the through hole 6 inside the case 11, so that the strength is strong and no dropout occurs. Further, outside the case 11, the through hole 6 of the metal film 7 is formed. Since the outer peripheral portion is covered with the solder 8, the airtightness becomes extremely high, and as a result, the characteristics of the element do not deteriorate.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように本発明は、内部空間に片面
に電極を有する素子が収容され、前記素子の電極に対応
する壁面部分に貫通孔が設けられ、この貫通孔の内面及
び壁面外周部分に金属膜が設けられた、絶縁性でかつ少
なくとも表面が非ろう付け性であるケースを、まず第一
工程としてろう付け材料よりなる溶融状態でかつ噴流し
ている封孔体中に貫通孔側の壁面を下面にして浸漬する
ことによって、前記溶融状態の封孔体を貫通孔内に圧入
し、前記ケース内部分において前記溶融状態の封孔体と
前記素子の電極とを接続し、続いて第二工程としてケー
スを溶融状態の噴流封孔体の外部に上昇させることによ
って、前記溶融状態の噴流封孔体をケースと分断すると
同時に、ケース外部分において前記金属膜の少なくとも
貫通孔外周部分を覆いながら、貫通孔内とケース内部及
び前記金属膜上の封孔体を固化するものである。
As described above, according to the present invention, an element having an electrode on one side is accommodated in an internal space, and a through hole is provided in a wall portion corresponding to the electrode of the element. First, as a first step, a through hole is formed in a molten and jetted sealing body made of a brazing material, as a first step. By dipping with the side wall face down, the molten sealing body is pressed into the through hole, and the molten sealing body and the electrode of the element are connected in the case inner part, As a second step, the case is raised to the outside of the molten jet sealing body to separate the molten jet sealing body from the case, and at the same time, at least the outer peripheral portion of the metal film in the outer portion of the metal film. To There will, is to solidify the sealing material on the through hole and the casing interior and the metal film.

【0034】以上の製造方法にすれば、素子のケース外
への電気的な引き出しは、貫通孔内の封孔体を介して行
うことができ、また素子の保持もこの貫通孔内の封孔体
の固着力によって行うことができるため、接着剤による
固定は不要となり、また貫通孔の径をケース内部分より
ケース外部分の方が大なるようにすることにより、溶融
状態の封孔体の挿入が容易となり、またこの封孔体は貫
通孔内においては金属膜に固着し、ケース内部において
はその径が貫通孔のケース内部分の径よりも大なるよう
に形成されるので、強度が強く脱落は起こさず、さらに
ケース外においては金属膜の貫通孔外周部をこの封孔体
によって覆っているので気密性は極めて高くなり、この
結果として素子の特性劣化は起きなくなるのである。
According to the above-described manufacturing method, the element can be electrically pulled out of the case through the sealing member in the through hole, and the element can be held in the sealing hole in the through hole. Since it can be performed by the fixing force of the body, fixing with an adhesive is unnecessary, and by making the diameter of the through hole larger in the outside of the case than in the case, the sealing member in the molten state can be formed. Insertion is facilitated, and this sealing body is fixed to the metal film in the through hole, and the inside of the case is formed so that its diameter is larger than the diameter of the through hole inside the case. Since the metal film does not fall off strongly and the outer peripheral portion of the through hole of the metal film is covered with the sealing material outside the case, the airtightness becomes extremely high, and as a result, the characteristic deterioration of the element does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一及び第二の実施形態に用いる電子
部品の分解斜視図
FIG. 1 is an exploded perspective view of an electronic component used in first and second embodiments of the present invention.

【図2】(a)〜(d)はそれぞれ本発明の第一の実施
形態の工程を示す断面図
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating steps of a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第一の実施形態において多数個同時封
孔処理を行う断面図
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a process for simultaneously sealing a large number of pieces in the first embodiment of the present invention.

【図4】(a)(b)はそれぞれ本発明の第二の実施形
態の工程を示す断面図
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing steps of a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第一及び第二の実施形態の第一工程に
おける突入方法を説明する断面図
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a rush method in a first step of the first and second embodiments of the present invention.

【図6】本発明の第一及び第二の実施形態の第一工程に
おける他の突入方法を説明する断面図
FIG. 6 is a sectional view illustrating another inrush method in the first step of the first and second embodiments of the present invention.

【図7】本発明の第三の実施形態において封孔処理され
る電子部品の断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view of an electronic component to be subjected to a sealing process in a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第四の実施形態において封孔処理され
る電子部品の断面図
FIG. 8 is a sectional view of an electronic component to be subjected to a sealing process according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第五の実施形態において封孔処理され
る電子部品の断面図
FIG. 9 is a sectional view of an electronic component to be subjected to a sealing process in a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第六の実施形態において封孔処理さ
れる電子部品の断面図
FIG. 10 is a cross-sectional view of an electronic component to be subjected to sealing processing according to a sixth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 枠体 2 開孔部 3 SAWフィルタチップ 4 第一の板体 5 第二の板体 6 貫通孔 7 金属膜 8 半田 9 チップの電極 10 外部電極 11 ケース 12 噴流半田浴 13 固定具 14 昇降器 15 密閉容器 16 超音波ホーン 17 スペーサ 18 堤防体 19 第二の貫通孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame 2 Opening part 3 SAW filter chip 4 First plate 5 Second plate 6 Through hole 7 Metal film 8 Solder 9 Chip electrode 10 External electrode 11 Case 12 Jet solder bath 13 Fixture 14 Elevator 15 Closed container 16 Ultrasonic horn 17 Spacer 18 Embankment 19 Second through hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03H 3/08 7259−5J H03H 3/08 9/02 9/02 A (72)発明者 梅田 眞司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 湯澤 哲夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical indication location H03H 3/08 7259-5J H03H 3/08 9/02 9/02 A (72) Inventor Shinji Umeda Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (1002) Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture (72) Inventor Tetsuo Yuzawa 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部空間に、片面に電極を有する素子が
収容され、前記素子の電極に対応する壁面部分に貫通孔
が設けられ、この貫通孔の内面及び壁面外周部分に金属
膜が設けられた、絶縁性でかつ少なくとも表面が非ろう
付け性であるケースを、まず第一工程としてろう付け材
料よりなる溶融状態で、かつ噴流している封孔体中に、
貫通孔側の壁面を下面にした前記ケースを突入させて浸
漬し、第二工程としてケースを溶融状態の噴流封孔体の
外部に上昇させる電子部品の製造方法。
An element having an electrode on one side is accommodated in an internal space, a through hole is provided in a wall portion corresponding to an electrode of the element, and a metal film is provided on an inner surface and an outer peripheral portion of the wall surface of the through hole. In addition, the case that is insulative and at least the surface is non-brazing, in the molten state of the brazing material as a first step, and in the sealing body that is jetting,
A method of manufacturing an electronic component in which the case with the wall surface on the side of the through hole facing downward is immersed and immersed, and as a second step, the case is raised to the outside of the molten jet sealing body.
【請求項2】 ケースは、溶融状態の噴流封孔体の輻射
熱によって若干加熱後に噴流封孔体浴に浸漬する請求項
1記載の電子部品の製造方法。
2. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the case is slightly heated by radiant heat of the molten jet sealing body and then immersed in the jet sealing bath.
【請求項3】 第一工程及び第二工程は低酸素濃度雰囲
気の密閉された容器内において行われる請求項1または
2記載の電子部品の製造方法。
3. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the first step and the second step are performed in a closed container in a low oxygen concentration atmosphere.
【請求項4】 第一工程において、溶融状態の噴流封孔
体中に超音波を印加して封孔体を貫通孔内に浸入させる
請求項1から3のいずれか一つに記載の電子部品の製造
方法。
4. The electronic component according to claim 1, wherein, in the first step, ultrasonic waves are applied to the jet sealing body in a molten state to cause the sealing body to penetrate into the through hole. Manufacturing method.
【請求項5】 超音波の振動方向はケースに設けた貫通
孔の軸線に近似する方向にある請求項4記載の電子部品
の製造方法。
5. The method for manufacturing an electronic component according to claim 4, wherein the vibration direction of the ultrasonic wave is in a direction approximate to the axis of the through hole provided in the case.
【請求項6】 複数回、溶融状態の噴流封孔体中にケー
スを浸漬させる請求項4または5に記載の電子部品の製
造方法。
6. The method for manufacturing an electronic component according to claim 4, wherein the case is immersed in the molten jet sealing body a plurality of times.
【請求項7】 第二工程において、ケースが溶融状態の
噴流封孔体浴の外部で、かつ溶融状態の封孔体と分断さ
れることなくこの溶融状態の噴流封孔体の張力で引っ張
り合う位置までケースを低速で上昇し、その後高速で上
昇してケースと溶融状態の封孔体を瞬時に分断する請求
項1から6のいずれか一つに記載の電子部品の製造方
法。
7. In the second step, the case is pulled out of the molten-state jet sealing body bath by the tension of the molten-state jet sealing body without being separated from the molten-state sealing body. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the case is raised at a low speed to a position, and then is raised at a high speed to instantaneously separate the case and the sealing body in a molten state.
【請求項8】 第一工程において、溶融状態の噴流封孔
体面を略水平に保ち、ケースに設けた貫通孔の軸線を鉛
直方向から若干角度をつけた方向にして、溶融状態の噴
流封孔体中にケースを浸漬させる請求項1から7のいず
れか一つに記載の電子部品の製造方法。
8. In the first step, the surface of the jet sealing body in the molten state is kept substantially horizontal, and the axis of the through hole provided in the case is set at a direction slightly inclined from the vertical direction, so that the jet sealing in the molten state is formed. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the case is immersed in the body.
【請求項9】 第一工程において、貫通孔の軸線と並行
でケースの重心点を通る軸線を中心としてケースを回転
させながら、溶融状態の噴流封孔体中にケースを浸漬さ
せる請求項1から8のいずれか一つに記載の電子部品の
製造方法。
9. The method according to claim 1, wherein in the first step, the case is immersed in the jet sealing body in a molten state while rotating the case around an axis passing through the center of gravity of the case in parallel with the axis of the through hole. 9. The method for manufacturing an electronic component according to any one of 8.
【請求項10】 第二工程において、ケースが溶融状態
の噴流封孔体から上昇する際、貫通孔の軸線と並行でケ
ースの重心点を通る軸線を中心としてケースを回転させ
ながら上昇する請求項1から9のいずれか一つに記載の
電子部品の製造方法。
10. In the second step, when the case rises from the molten jet sealing body, the case rises while rotating the case around an axis passing through the center of gravity of the case in parallel with the axis of the through hole. 10. The method for manufacturing an electronic component according to any one of 1 to 9.
【請求項11】 ケースを並列に複数個並べ、同時に複
数のケースに対して封孔処理する請求項1から10のい
ずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
11. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a plurality of cases are arranged in parallel, and the plurality of cases are simultaneously sealed.
【請求項12】 ケースを固定する固定具は、ケースと
同等かあるいはそれ以上に熱伝導の悪い材料で作成さ
れ、固定具のケース取り付け面の面積は少なくともケー
スの取り付け面の面積よりも大きく、真空引きによりケ
ースを固定するようにした請求項1から11のいずれか
一つに記載の電子部品の製造方法。
12. A fixing device for fixing the case is made of a material having a heat conductivity equal to or more than that of the case, wherein an area of a case mounting surface of the fixing device is at least larger than an area of the case mounting surface. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein the case is fixed by evacuation.
【請求項13】 ケース内部において、素子とケース内
部の貫通孔側の内壁面の間にスペーサを有する請求項1
から12のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
13. A spacer inside the case, between the element and the inner wall surface on the through hole side inside the case.
13. The method for manufacturing an electronic component according to any one of the above items.
【請求項14】 ケース内部において、素子とケース内
部の貫通孔側の内壁面の間で、かつ貫通孔のケース内部
分の開孔部の周囲に堤防体を有する請求項1から13の
いずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
14. The embankment body according to claim 1, wherein a dike is provided inside the case, between the element and the inner wall surface on the through hole side inside the case, and around the opening of the through hole inside the case. A method for manufacturing an electronic component according to one aspect.
【請求項15】 貫通孔を設けた壁面に対向する壁面に
排気孔を備えたケースに対して封孔処理する請求項1か
ら14のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
15. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a sealing process is performed on a case provided with an exhaust hole on a wall surface facing the wall surface provided with the through hole.
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