JPH1055762A

JPH1055762A - マグネトロン

Info

Publication number: JPH1055762A
Application number: JP20845596A
Authority: JP
Inventors: Kazuki Miki; 一樹三木
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-08-07
Filing date: 1996-08-07
Publication date: 1998-02-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ゲッタの劣化によるマグネトロン内の真空度
の低下を抑え、長期に亘り安定した発振を行うマグネト
ロンを提供する。【解決手段】陰極４に第１ゲッタ１９を配設し、陽極
円筒１内で且つマグネトロンの動作持に陰極４よりも低
温になる位置に第２ゲッタ２０を配設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子レンジなど
のマイクロ波加熱器などに用いられるマグネトロンに関
する。

【０００２】

【従来の技術】図４に、従来の一般的なマグネトロンに
関する構造を示す。１は無酸素銅などからなり真空壁
（真空容器の壁面、以下同じ）の一部となる陽極円筒
で、その内周に複数個のベイン２が放射状に設けられて
いる。各ベイン２は１個おきに大径及び小径のストラッ
プリング３により接続され、πモード発振の安定化が図
られている。陽極円筒１の両端には、ベイン２の先端と
陽極円筒１の中心部に設けられる陰極４との間の作用空
間に磁界を集中させるための磁極片５がそれぞれ設けら
れている。

【０００３】陰極４は、例えばトリウムタングステン線
などがコイル状に巻かれたフィラメント６からなり、各
ベイン２の先端で囲まれた空間で、陽極円筒１の中心部
に設けられている。そしてその両端にはトップハット７
及びエンドハット８が固着され、トップハット７及びエ
ンドハット８はそれぞれ陰極リード９に接続されてい
る。陰極リード９はセラミックなどの絶縁体からなる陰
極ステム１０を経て外部リード１１に接続され、これら
により陰極部が形成されている。陰極ステム１０は陰極
側金属筒１２を介して陽極円筒１に固定される。なお、
陰極側金属筒１２及び陰極ステム１０が入力側の真空壁
を構成している。

【０００４】ベイン２の１つには出力アンテナリード１
３の一端が電気的に接続され、その他端は磁極片５の貫
通孔１４、出力側金属筒１５及びセラミック円筒などか
らなる絶縁筒１６の中心部を貫通して排気管１７の封止
部で固定されている。この封止部には図示しないキャッ
プが被せられる。出力側金属筒１５は陽極円筒１と直接
電気的に接続されており、陽極部発振したマイクロ波電
力は、出力側金属筒１５の中心軸上を延びる出力アンテ
ナリード１３を同軸線路として進み、その先端から放射
される。この出力側金属筒１５、絶縁筒１６、及び排気
管１７が出力側の真空壁を構成している。

【０００５】フィラメント６のトップハット７の上面に
はゲッタ１８が接合されており、管内に発生する微量気
体を吸着する。ゲッタ１８はチタンやジルコニウムなど
によって構成されている。このゲッタ１８によって、マ
グネトロンの発振部を高真空にし、安定した発振を維持
させてる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マグネ
トロンの動作時はフィラメントが高温になり、それにと
もないトップハットやエンドハットも高温になる。この
ときフェラメントは約１７００℃になり、トップハット
に接合されるゲッタも加熱され約１１００℃の高温にな
る。このときゲッタはよくガスを吸収するが、その反
面、高温で動作するために劣化が早く、電子レンジを長
期間使用するとゲッタがマグネトロン内のガスを完全に
吸収しきれなくなる。こうしてマグネトロン内の真空度
が低下すると発振効率が下がり、更に真空度が低下する
と発振停止になる恐れがあった。

【０００７】そこで本発明は、真空度の低下を抑え、安
定した発振を行うマグネトロンを提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、陽極円筒と、陽極円筒の中心軸線
上に配置される陰極と、陽極円筒の内周面に放射状に配
置された複数枚のベインと、陽極円筒の両開口端部に配
設された一対の磁極片とを備えたマグネトロンである。
そして陰極に第１ゲッタを配置し、陽極円筒内で且つマ
グネトロンの動作時に陰極より低温になる位置に第２ゲ
ッタを配置している。この第２ゲッタは第１ゲッタより
も低温で動作するため、第１ゲッタよりも劣化し難い。
そしてマグネトロンの製造後に発生するガスを主に第１
ゲッタで吸収し、第１ゲッタが劣化すると第２ゲッタで
吸収する。

【０００９】また請求項２の発明は、第２ゲッタを磁極
片に配設している。そしてマグネトロンの動作中は、陰
極が約１７００℃に、磁極片が約３００℃になる。その
ため第２ゲッタは第１ゲッタよりも低温で動作するの
で、長期に亘りガスを吸収することができる。

【００１０】また請求項３の発明は、第２ゲッタを陽極
円筒に配設している。そしてマグネトロンの動作中は、
陰極が約１７００℃に、陽極円筒が約３００℃になる。
そのため第２ゲッタは第１ゲッタよりも低温で動作する
ので、長期に亘りガスを吸収することができる。

【００１１】また請求項４の発明は、第２ゲッタをベイ
ンに配設している。そしてマグネトロンの動作中は、陰
極が約１７００℃に、ベインが約３００℃になる。その
ため第２ゲッタは第１ゲッタよりも低温で動作するの
で、長期に亘りガスを吸収することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１に基づ
き説明する。なお、従来技術と同一の部品は同一符号を
付して説明を省略する。

【００１３】図１において、１９はトップハット７の上
面に配設した第１ゲッタであり、チタンやジルコニウム
などから構成されている。トップハット７は円盤状であ
り、第１ゲッタ１９はトップハット７と同じ大きさの円
盤状である。この第１ゲッタ１９は１１００℃程度に加
熱するとよくガスを吸収し、低温になるとガス吸収速度
が遅くなる。マグネトロンの動作中はフェラメント６の
温度が約１７００℃になり、第１ゲッタ１９もトップハ
ット７を介して加熱されて約１１００℃になる。そのた
め第１ゲッタ１９はマグネトロンの動作中は真空部内の
ガスをよく吸収し、マグネトロン内の真空状態を保持し
ている。

【００１４】２０は磁極片５に配設された第２ゲッタで
あり、第１ゲッタ１９と同様にチタンやジルコニウムな
どから構成されている。磁極片５はトップハット７の上
方に当たる位置が開口しており、第２ゲッタ２０はこの
開口部の周辺に配設されている。このとき第２ゲッタ２
０は作用空間の付近に配置されるので、作用空間のガス
を効果的に吸収することができる。また実施の形態で
は、１つの第２ゲッタ２０を磁極片５に配設したが、複
数の第２ゲッタ２０を配設しても構わない。

【００１５】マグネトロンの動作中は磁極片５が約３０
０℃になり、第２ゲッタ２０も磁極片５に加熱されて約
３００℃になる。第２ゲッタ２０は第１ゲッタ１９より
も動作温度が低いため、第１ゲッタ１９よりもガス吸収
速度は遅くなるが、第１ゲッタ１９よりも長期間ガスを
吸収することができる。

【００１６】マグネトロンを製造するときに、真空部内
にガスが残留する。さらに製造してまもないマグネトロ
ンは動作中にガスが発生し易く、真空部内に多くのガス
が残留する。このとき第１ゲッタ１９が劣化していない
ので、第１ゲッタ１９によって残留するガスを完全に吸
収でき、真空部内の真空状態を保持する。

【００１７】マグネトロンを長期間使用すると、第１ゲ
ッタ１９が劣化してガスをあまり吸収しなくなる。それ
まで発生したガスは第１ゲッタ１９によって吸収される
ので、真空部内にガスは残留していない。さらにマグネ
トロン内のガスは、製造直後に多く発生し、長期間使用
していくと余り発生しなくなる。そのため第１ゲッタ１
９が劣化する頃は、真空管構成部品からの放出ガスは微
量になる。このとき第２ゲッタ２０はまだガスを吸収す
ることができ、またガス吸収速度は遅いがマグネトロン
内のガスが微量であるので、第２ゲッタでガスを吸収す
る。このため発振部の真空状態を長期間維持することが
でき、安定した発振を実現できる。

【００１８】図２は、他の実施の形態である。なお、図
１の実施の形態と同一の部分は同一符号を付して、説明
を省略する。

【００１９】２１は第２ゲッタであり、陽極円筒１に配
設されている。陽極円筒１にはトップハット７よりもゲ
ッタを配設する場所が多くあるので、第２ゲッタ２１を
様々な大きさにすることができる。陽極円筒１の内面は
曲面になっており、第２ゲッタ２１はその陽極円筒１の
内面に接合されている。第２ゲッタ２１は図１の第２ゲ
ッタ２０と同様に、チタンやジルコニウム等から構成さ
れている。そしてマグネトロンが動作するとき陽極円筒
１は約３００℃になるので、第２ゲッタ２１も約３００
℃に加熱された状態で動作する。

【００２０】第２ゲッタ２１は第１ゲッタ１９よりも低
温で動作するので、長期間ガスを吸収することができ
る。したがって、マグネトロンを製造してまもない頃に
発生するガスは約１１００℃で動作する第１ゲッタ１９
によって吸収され、第１ゲッタ１９が劣化したときに
は、第２ゲッタ２１によって僅かに発生するガスを吸収
する。こうしてマグネトロン内を長期に亘り真空状態に
維持することができ、安定した発振をすることができ
る。

【００２１】図３は、他の実施の形態である。なお、図
１の実施の形態と同一の部分は同一の符号を付して、説
明を省略する。

【００２２】２２は第２ゲッタであり、ベイン２の上面
に配設されている。なお、この第２ゲッタ２２はベイン
２に配設できればよく、ベイン２の上面に限定されるも
のではない。第２ゲッタ２２は図１の第２ゲッタ２０と
同様にチタンやジルコニウムによって構成されており、
ストラップリング３と陽極円筒１の間に配設されてい
る。ベイン２に第２ゲッタ２２を配設する場合、第２ゲ
ッタ２２を陽極円筒１からベイン２の先端までの間に配
設することができる。そのため第２ゲッタ２２をガスが
発生し易い部分に配設することができ、効率よくガスを
吸収できる。

【００２３】マグネトロンが動作するときベイン２は約
３００℃になるので、第２ゲッタ２２も約３００℃に加
熱される。したがって、第２ゲッタ２２は第１ゲッタ１
９よりも劣化し難く、長期間ガスを吸収することができ
る。そしてマグネトロンを製造してまもない頃は、真空
管構成部品から発生する大量のガスを第１ゲッタ１９に
よって吸収し、第１ゲッタ１９が劣化してガスを吸収し
なくなったときには、第２ゲッタ２２によって発生する
ガスを吸収する。こうしてマグネトロン内を長期に亘っ
て真空状態に維持することができ、マグネトロンが安定
した発振をできる。

【００２４】この実施の形態では、第１ゲッタ１９より
も低温で動作する第２ゲッタ２０、２１、２２を磁極片
５、陽極円筒１、ベイン２の内いずれかに配置したが、
第２ゲッタ２０、２１、２２の配置する場所は、マグネ
トロン内のガスを吸収でき且つマグネトロンが動作中の
温度が低温の場所であれば、他の場所でも構わない。

【００２５】また、この実施の形態では第２ゲッタ２
０、２１、２２を約３００℃に加熱するが、第２ゲッタ
２０、２１、２２は第１ゲッタ１９よりも長期間ガスを
吸収できればよく、第１ゲッタ１９の動作温度よりも低
ければ３００℃でなくても良い。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、陰極に第１ゲッタを配設し、
陽極円筒内で且つマグネトロンの動作時に陰極より低温
になる位置に第２ゲッタを配設している。そして第２ゲ
ッタは第１ゲッタよりのガス吸収速度が遅いが、長期に
亘ってガスを吸収することができる。そのため第１ゲッ
タが劣化してガスを吸収しなくなった後でも第２ゲッタ
によってマグネトロン内のガスを吸収することができ、
マグネトロン内を長期に亘り真空状態を維持して安定し
た発振を行うことができる。

【００２７】また、請求項２の発明は、第２ゲッタを磁
極片に配設している。そのため、第２ゲッタを作用空間
付近に配設することができ、作用空間のガスを効率よく
吸収することができる。そのため、作用空間内を効率よ
く真空状態に保つことができる。

【００２８】また、請求項３の発明は、第２ゲッタを陽
極円筒に配設している。そのため、第２ゲッタを様々な
大きさにすることができ、第２ゲッタの取付作業が容易
にできる。

【００２９】また、請求項４の発明は、第２ゲッタをベ
インに配設している。そのため、第２ゲッタをガスの発
生部の付近に配設することができ、発生するガスを効率
よく吸収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す本体部の断面図で
ある。

【図２】本発明の他の実施の形態を示す本体部の断面
図である。

【図３】本発明の他の実施の形態を示す本体部の断面
図である。

【図４】従来のマグネトロンの本体部の断面図であ
る。

【符号の説明】

１陽極円筒２ベイン４陰極５磁極片７トップハット８エンドハット１９第１ゲッタ２０第２ゲッタ２１第２ゲッタ２２第２ゲッタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陰極に配置
された第１ゲッタと、前記陽極円筒内で且つマグネトロ
ンの動作時に前記陰極より低温になる位置に配置された
第２ゲッタとを備えたことを特徴とするマグンネトロ
ン。
【請求項２】陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陰極に配置
された第１ゲッタと、前記磁極片に配置された第２ゲッ
タとを備えたことを特徴とするマグネトロン。
【請求項３】陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陰極に配置
された第１ゲッタと、前記陽極円筒に配置された第２ゲ
ッタとを備えたことを特徴とするマグネトロン。
【請求項４】陽極円筒と、前記陽極円筒の中心軸線上
に配置される陰極と、前記陽極円筒の内周面に放射状に
配置された複数枚のベインと、前記陽極円筒の両開口端
部に配設された一対の磁極片とを備え、前記陰極に配置
された第１ゲッタと、前記ベインに配置された第２ゲッ
タとを備えたことを特徴とするマグネトロン。