JPH1051003A

JPH1051003A - 薄膜トランジスタの作製方法

Info

Publication number: JPH1051003A
Application number: JP21525696A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Otani; 久大谷
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1996-07-26
Filing date: 1996-07-26
Publication date: 1998-02-20

Abstract

(57)【要約】【目的】ＬＤＤ領域やオフセットゲイト領域を備えた
薄膜トランジスタの高周波特性を向上させる。【構成】レジストマスク１０８を利用することによ
り、ゲイト電極の一方の側面のみに陽極酸化物１０９を
形成する。この陽極酸化物を利用することにより、ドレ
イン領域側のみにＬＤＤ領域あるいはオフセットゲイト
領域を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
薄膜トランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ガラス基板上や石英基板上に
薄膜トランジスタを形成する技術が知られている。これ
は、ガラス基板や石英基板上に珪素膜等の半導体薄膜を
形成し、この半導体薄膜を用いてトランジスタを形成す
るものである。

【０００３】現状においては、薄膜トランジスタの動作
速度は実用上数ＭＨｚ程度が限界である。この程度の周
波数特性では、各種集積回路を形成することは困難であ
る。

【０００４】一般に薄膜トランジスタには、ＬＤＤ（ラ
イトドープドレイン領域）あるいはオフセットゲイト領
域と呼ばれる高抵抗領域を配置する構成が採用される。

【０００５】具体的には、チャネル領域とドレイン領域
との間にチャネル領域としても、またドレイン領域とし
ても機能しない高抵抗を有する領域を配置した構成が採
用される。

【０００６】この領域は、チャネル領域とドレイン領域
との間に形成される高電界を緩和させることにより、Ｏ
ＦＦ電流値の低減、ホットキャリア効果による劣化の防
止といった機能を有している。

【０００７】この高抵抗領域は、トランジスタの動作に
対しては、その動作を妨げる方向に作用する。従って、
その効果が得られる範囲内でその寸法を精密に制御する
ことが必要となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上述した高抵抗領域を自己整合的にしかもその寸
法を制御して形成する技術を提供することを課題とす
る。

【０００９】また、自己整合プロセスを利用しつつもド
レイン領域側のみに高抵抗領域を選択的に形成する技術
を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、図１〜図３にその作製工程の一例を示すよう
に、陽極酸化可能な金属材料でなるゲイト電極となるべ
きパターン１０６を形成する工程（図１（Ｂ）と、該パ
ターンの一方の側面１２をマスクする工程（図１
（Ｃ））と、前記パターン１０６を陽極とした陽極酸化
を行うことにより、前記パターンの露呈した他方の側面
に選択的に陽極酸化物１０９を形成する工程（図１
（Ｄ））と、を有し、前記陽極酸化物１０９によって活
性層中に形成される高抵抗領域１１６が画定されること
を特徴とする。

【００１１】上記構成において、画定されるというの
は、陽極酸化物１０９の存在によって、高抵抗領域１１
６の形成位置が実質的に決まるということを意味してい
る。

【００１２】本明細書で開示する発明の一つは、図１〜
図３にその作製工程の一例を示すように、陽極酸化可能
な金属材料でなるゲイト電極となるべきパターン１０６
を形成する工程（図１（Ｂ））と、該パターン１０６の
ソース領域となるべき領域側の側面１２を選択的にマス
クする工程（図１（Ｃ））と、前記パターン１０６を陽
極とした陽極酸化を行うことにより、前記パターンのド
レイン領域となるべき領域側の側面に選択的に陽極酸化
物１０９を形成する工程と、を有し、前記陽極酸化物１
０９によって活性層中に形成される高抵抗領域１１６が
画定されることを特徴とする。

【００１３】本明細書に開示する発明において、陽極酸
化可能な材料としてアルミニウムを利用することができ
る。また他の陽極酸化可能な材料としては、タンタルを
挙げることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１乃至図２に示すように、レジ
ストマスク１０８によってゲイト電極となるべきアルミ
ニウムパターン１０６のソース領域側の側面を少なくと
も覆い、その状態で陽極酸化を行うことにより、図１
（Ｄ）の１０９で示されるようにドレイン領域側のみに
選択的に陽極酸化物を形成することができる。

【００１５】この陽極酸化物を利用することにより、１
１６で示される高抵抗領域の位置を自己整合的に決める
ことができる。この１１６で示される高抵抗領域は、ド
ーピング工程の有無により、低濃度不純物領域あるいは
オフセットゲイト領域から選択することができる。

【００１６】

【実施例】

〔実施例１〕図１〜図３に本実施例の作製工程を示す。
ここでは、陽極酸化プロセスを利用して、自己整合的に
ドレイン領域側のみに高抵抗領域を配置した薄膜トラン
ジスタを作製する工程を説明する。

【００１７】まずガラス基板１０１上に図示しない下地
膜を成膜する。ここでは、下地膜として、スパッタ法に
よって酸化珪素膜を３０００Åの厚さに成膜する。ガラ
ス基板以外には石英基板を利用することができる。

【００１８】次に非晶質珪素膜を減圧熱ＣＶＤ法によ
り、５００Åの厚さに成膜する。そしてこの非晶質珪素
膜にレーザー光の照射を行うことにより結晶性珪素膜を
得る。結晶性珪素膜を得る方法は特に限定されるもので
はない。

【００１９】次に得られた結晶性珪素膜をパターニング
することにより、１０２で示される薄膜トランジスタの
活性層となるべき領域を形成する。

【００２０】さらに活性層１０２を覆って、ゲイト絶縁
膜として機能する酸化珪素膜１０３をプラズマＣＶＤ法
により１０００Åの厚さに成膜する。

【００２１】次にゲイト電極の基となるアルミニウム膜
１０４を４０００Åの厚さにスパッタ法によって成膜す
る。このアルミニウム膜にはスカンジウムを含有させ
る。これは、後の工程において、ヒロックやウィスカー
が発生してしまうことを抑制するためである。

【００２２】ヒロックやウィスカーというのは、アルミ
ニウムの異常成長により、生じてしまう針状あるいは刺
状の突起物のことである。

【００２３】次にアルミニウム膜１０４の表面に陽極酸
化膜１０５を２００Åの厚さに形成する。こうして図１
（Ａ）に示す状態を得る。

【００２４】陽極酸化膜１０５を形成する際に利用する
電解溶液としては、３％の酒石酸を含んだエチレングリ
コール溶液をアンモニア水で中和したものを用いる。

【００２５】上記電解溶液中において、白金を陰極、ア
ルミニウム膜を陽極として、両電極間に電流を流すこと
によって、アルミニウム膜の露呈した表面に陽極酸化膜
が形成される。

【００２６】この工程で形成される陽極酸化膜１０５
は、緻密で強固な膜質を有している。この陽極酸化膜の
成長距離（膜厚）は最大で３０００Å程度である。また
その膜厚は印加電圧によって制御することができる。

【００２７】ここでは、その膜厚を２００Åとする。こ
の陽極酸化膜１０５は、後に形成されるレジストマスク
とアルミニウム膜１０４との密着性を向上させるために
機能する。

【００２８】図１（Ａ）に示す状態を得たら、図示しな
いレジストマスクを配置して、アルミニウム膜１０４の
パターニングを行う。ここでは、ウェトエッチング法を
用いてパターニングを行う。ウェットエチングの代わり
にドライエッング法を利用するのでもよい。そして、図
示しないレジストマスクを除去することにより、図１
（Ｂ）に示す状態を得る。

【００２９】図１（Ｂ）において、１０６が形成された
アルミニウムパターンである。このアルミニウムパター
ンは後にゲイト電極となる。１０７がパターニング後に
アルミニウムパターン１０６上に残存した緻密な膜質を
有する陽極酸化膜である。

【００３０】図１（Ｂ）に示す状態を上方から見た状態
を図４（Ａ）に示す。図４（Ａ）のＡ−Ａ’で切った断
面が図１（Ｂ）に対応する。

【００３１】図１（Ｂ）に示す状態を得たら、レジスト
マスク１０８を配置する。このレジストマスクの配置に
関しては、その位置合わせ精度に１１で示されるアルミ
ニウムパターン１０６の幅の寸法分だけ余裕がある。

【００３２】即ち、このレジストマスク１０８は、アル
ミニウムパターン１０６の一方の側面（図面の左側の側
面）１２のみを少なくとも覆うように配置すればよい。
こうして図１（Ｃ）に示す状態を得る。

【００３３】図１（Ｃ）に示す状態を上方から見た状態
を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）のＣ−Ｃ’で切った断
面が図１（Ｃ）に対応する。

【００３４】次に再び陽極酸化を行う。この陽極酸化は
電界溶液として３％のシュウ酸水溶液を用いて行う。こ
の陽極酸化工程において、１０９で示される陽極酸化物
（膜という表現は適当でない）が形成される。

【００３５】この陽極酸化膜物１０９は、多孔質状の膜
質を有している。またその成長も２μｍ程度まで行わす
ことができる。なお、成長距離は陽極酸化時間で制御す
ることができる。

【００３６】この工程においては、アルミニウムパター
ン１０６の上面には緻密な膜質を有する陽極酸化膜１０
７とレジストマスク１０８が存在するので、そこでの陽
極酸化は進行しない。

【００３７】他方、１２で示される一方の側面もレジス
トマスク１０８で覆われているので、ここでも陽極酸化
は進行しない。そしてアルミニウム材料が露呈している
側面においてのみ陽極酸化が進行する。この結果、１０
９で示される陽極酸化物が形成される。

【００３８】こうして図１（Ｄ）に示す状態を得る。図
１（Ｄ）に示す状態を上方から見たものが図４（Ｃ）で
ある。図４（Ｃ）のＣ−Ｃ’で切った断面が図１（Ｄ）
に対応する。

【００３９】次にレジストマスク１０８を除去し、再度
（３回目）の陽極酸化を行う。この工程は、第１回目の
陽極酸化工程と同じ条件（ただし膜厚の設定条件は異な
る）で行う。

【００４０】この工程においては、１１０で示される緻
密な膜質を有する陽極酸化膜を１２０００Åの厚さに成
膜する。（図２（Ａ）参照）

【００４１】この陽極酸化膜は、同じく緻密な膜質を有
する陽極酸化膜１０７（図１（Ｂ）参照）と一体化して
しまう。また、この陽極酸化工程においては、電解溶液
が多孔質状の陽極酸化物１０９中に進入するので、図２
（Ａ）に示すようにアルミニウムパターン１１１の表面
に緻密な膜質を有する陽極酸化膜が形成される。

【００４２】１１１で示されるアルミニウムパターンが
ゲイト電極となる。こうして図２（Ａ）に示す状態を得
る。図２（Ａ）を上方から見たものを図５に示す。図５
のＤ−Ｄ’で切った断面が図２（Ａ）に対応する。

【００４３】図２（Ａ）に示す状態を得たら、Ｐ（リ
ン）のドーピングをプラズマドーピング法でもって行
う。プラズマドーピング法以外では、イオン注入法を用
いることができる。

【００４４】この工程において、１１２と１１４で示さ
れる領域にＰ（リン）のイオンが打ち込まれる。後に領
域１１２がソース領域、領域１１４がドレイン領域とな
る。

【００４５】また１１３の領域には、Ｐのイオンは打ち
込まれない。これは、ゲイト電極１１１と、その周囲に
形成された緻密な膜質を有する陽極酸化膜１１０、さら
に多孔質状の陽極酸化物１０９がマスクとなるからであ
る。

【００４６】上記のような工程は、自己整合プロセスと
称されている。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得る。

【００４７】次に多孔質状の陽極酸化物１０９を除去す
る。そして再度Ｐのドーピングを行う。このドーピング
は、図２（Ｂ）に示す工程におけるものより低ドーズ量
でもって行う。なお、この工程もプラズマドーピング法
を用いる。

【００４８】このドーピング工程において、１１６の領
域が低濃度不純物領域として形成される。この低濃度不
純物領域には、ソース領域１１２やドレイン領域１１４
に比較して、より低濃度にＰがドーピングされている。
こうして図２（Ｃ）に示す状態を得る。

【００４９】なお、上記ドーピング工程において、陽極
酸化膜１１０の膜厚の分でチャネル領域とソース／ドレ
イン領域の間にオフセットゲイト領域が形成される。し
かし、本実施例においては、陽極酸化膜１１０の膜厚が
薄い（ここでは１２００Å）ので、有効に機能するオフ
セットゲイト領域の寸法が確保されているとはいえな
い。従って、本実施例においては、オフセットゲイト領
域の存在は無視する。

【００５０】次に層間絶縁膜１１７として窒化珪素膜を
３０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもって成膜す
る。窒化珪素膜の代わりに酸化珪素膜を利用するのでも
よい。こうして図３（Ａ）に示す状態を得る。

【００５１】次にソース領域およびドレイン領域に対す
るコンタクトホールの形成を行う。そして、チタン膜と
アルミニウム膜とチタン膜との積層膜をスパッタ法で成
膜しする。さらにこの積層膜をパターニングすることに
より、ソース電極１１８とドレイン電極１１９とを形成
する。

【００５２】上記積層膜は、１層目を８００Å厚のチタ
ン膜、２層目を２０００Å厚のアルミニウム膜、３層目
を８００Å厚のチタン膜として構成する。

【００５３】最後に３５０℃の水素雰囲気中において、
１時間の加熱処理を施すことにより、薄膜トランジスタ
を完成させる。

【００５４】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、オフセットゲイト領域を配置した場合の
例である。オフセットゲイト領域も低濃度不純物領域と
同様な作用を有している。

【００５５】本実施例においては、緻密な陽極酸化膜１
１０の膜厚を３０００Åとする。この程度の寸法とする
と、その膜厚の分で活性層中にオフセットゲイト領域を
形成することができる。

【００５６】即ち、チャネル領域とソース及びドレイン
領域との間に３０００Åの長さ（キャリアの移動方向に
おける長さ）を有したオフセットゲイト領域を形成する
ことができる。

【００５７】なお、実際には、不純物元素の拡散やゲイ
ト電極からの電界のかかり具合が影響するので、陽極酸
化膜１１０の膜厚とオフセットゲイト領域の長さとは完
全に一致するものではない。

【００５８】本実施例に示すような陽極酸化膜１１０を
利用したオフセットゲイト領域を形成する方法において
は、チャネル領域を挟んで一対のオフセットゲイト領域
が形成されてしまう。

【００５９】低濃度不純物領域の場合と同様に、特性の
劣化防止やＯＦＦ電流値の低減に効果があるのは、主に
ドレイン領域側のオフセットゲイト領域である。

【００６０】従って、本実施例に示す方法によって、オ
フセットゲイト領域を形成した場合、ソース領域側のそ
れは、高周波特性を阻害するものとなる。

【００６１】また、緻密な膜質を有する陽極酸化膜１１
０を厚く形成する場合、３００Ｖあるいはそれ以上とい
う高電圧が必要とされるので注意が必要である。

【００６２】〔実施例３〕本実施例は、実施例１に示す
低濃度不純物領域が形成される領域にオフセットゲイト
領域を形成する場合の例である。

【００６３】本実施例においては、ドレイン領域側のみ
にオフセットゲイト領域を配置するので、高周波特性の
低下を極力抑えた上で、劣化の防止、ＯＦＦ電流値の低
減といった効果を得ることができる。、

【００６４】本実施例に示す構成を実現するには、図２
（Ｃ）に示す工程において、ライトドーピングを行わな
ければよい。こうすると、１１６の領域は不純物元素の
ドーピングがされない領域となる。この領域は、チャネ
ルとして機能せず、かつドレイン領域としても機能しな
いオフセットゲイト領域となる。

【００６５】〔実施例４〕本明細書で開示する発明を利
用した薄膜トランジスタは、アクティブマトリクス型の
構成を有した電気光学装置のアクティブマトリクス回路
に配置することができる。

【００６６】電気光学装置としては、液晶表示装置、Ｅ
Ｌ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、ＥＣ（エレ
クトロクロミックス）表示装置などが挙げられる。

【００６７】また、アクティブマトリクス回路以外に周
辺駆動回路、さらには画像信号や各種情報を取り扱うメ
モリーや情報処理回路の少なくとも一部を本明細書で開
示する発明を利用した薄膜トランジスタで構成すること
ができる。

【００６８】本明細書で開示する発明を利用した薄膜ト
ランジスタは、高速動作に向いている。従って、従来に
おいて利用されている外付けＩＣをこの薄膜薄膜トラン
ジスタでもって構成することは有効である。

【００６９】具体的な応用商品としては、ＴＶカメラ、
パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション、ＴＶプ
ロジェクション、ビデオカメラ、携帯型情報端末等が挙
げられる。それら応用用途の簡単な説明を図６を用いて
行う。

【００７０】図６（Ａ）はＴＶカメラであり、本体２０
０１、カメラ部２００２、表示装置２００３、操作スイ
ッチ２００４で構成される。表示装置２００３はビュー
ファインダーとして利用される。図６（Ａ）に示す装置
は、携帯型の情報端末として利用することができる。

【００７１】図６（Ｂ）はパーソナルコンピュータであ
り、本体２１０１、カバー部２１０２、キーボード２１
０３、表示装置２１０４で構成される。表示装置２１０
４はモニターとして利用され、対角十数インチもサイズ
が要求される。

【００７２】図６（Ｃ）はカーナビゲーションであり、
本体２２０１、表示装置２２０２、操作スイッチ２２０
３、アンテナ２２０４で構成される。表示装置２２０２
はモニターとして利用される。

【００７３】図６（Ｄ）はＴＶプロジェクションであ
り、本体２３０１、光源２３０２、表示装置２３０３、
ミラー２３０４、２３０５、スクリーン２３０６で構成
される。表示装置２３０３に映し出された画像がスクリ
ーン２３０６に投影されるので、表示装置２３０３は高
い解像度が要求される。

【００７４】図７（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２
４０１、表示装置２４０２、接眼部２４０３、操作スイ
ッチ２４０４、テープホルダー２４０５で構成される。
表示装置２４０２に映し出された撮影画像は接眼部２４
０３を通してリアルタイムに見ることができるので、使
用者は画像を見ながらの撮影が可能となる。

【００７５】〔実施例５〕本実施例は、実際例１に示す
構成において、ゲイト電極を構成するアルミニウムの材
質として高純度のものとした場合の例である。具体的に
は、スパッタに利用するアルミニウムターゲットを高純
度のものとし、さらにスパッタ装置内部、ガスの配管、
排気条件等に注意を払うことにより、成膜されるアルミ
ニウム中に存在する不純物の濃度を極力低減させる。

【００７６】このようにすることにより、ヒロックやウ
ィスカーの発生を抑制することができる。以下に作製工
程を示す。

【００７７】まず図７（Ａ）に示すようにガラス基板７
０１を用意する。そして、ガラス基板７０１上に図示し
ない下地膜として酸化珪素膜を成膜する。さらに図示し
ない非晶質珪素膜を成膜し、レーザー光の照射を行うこ
とにより結晶化させる。

【００７８】そして得られた結晶性珪素膜をパターニン
グすることにより、７０２で示されるパターン（活性
層）を形成する。

【００７９】活性層７０２を得たら、ゲイト絶縁膜７０
３として、酸化珪素膜を成膜する。さらにゲイト電極を
構成するための高純度アルミニウム膜をスパッタ法によ
って成膜する。

【００８０】このアルミニウム膜は、スカンジウムを0.
18重量％含み、かつ酸素原子が８×１０¹⁸個ｃｍ^-3以
下、炭素原子が５×１０¹⁸個ｃｍ^-3以下、窒素原子が７
×１０¹⁸個ｃｍ^-3以下となるような膜とする。

【００８１】スカンジウムはターゲット中に含有させる
ことによって、所定量含有させることができるが、酸
素、炭素、窒素濃度に関しては、チャンバークリーニン
グや配管の洗浄や材質、さらに成膜条件の設定といった
工夫を行うことによって実現することができる。

【００８２】上記不純物の濃度の臨界値は、実際に得ら
れたアルミニウム膜の表面をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）で観察した結果得られたものである。即ち、酸素、
炭素、窒素の濃度と発生するヒロックやウィスカーとの
関係を調べた結果得られたものである。

【００８３】次に陽極酸化を行うことにより、７０５で
示される緻密な膜質を有する厚さ１００Åの酸化アルミ
ニウム膜を形成する。陽極酸化以外には、プラズマ酸化
を利用してもよい。また他の金属膜や窒化珪素膜を極薄
く形成してもよい。

【００８４】このアルミニウム膜７０４の表面に形成さ
れる膜は、後の工程で形成されるレジストマスクとの密
着性を向上させ、さらにアルミニウム膜の上表面で多孔
質状の陽極酸化膜の成長が進行しないようにするために
機能する。このようにして図７（Ａ）に示す状態を得
る。

【００８５】次に図示しないレジストマスクを配置する
ことにより、７０６で示されるアルミニウムパターンを
形成する。ここで、７０７で示されるのはアルミニウム
パターン７０６上に残存した陽極酸化膜である。こうし
て図７（Ｂ）に示す状態を得る。

【００８６】次にレジストマスク７１０を配置する。こ
のようにして図７（Ｃ）に示す状態を得る。

【００８７】図７（Ｃ）に示す状態を得たら、多孔質状
の陽極酸化物７１１を形成する。この際、アルミニウム
パターン７０６の上面は陽極酸化膜７０７によって被覆
されており、７１０で示される側面はレジストマスク７
０８によって被覆されているので、７１１で示される陽
極酸化物のみが形成される。

【００８８】ここで７１２で示される領域がゲイト電極
となる。こうして図７（Ｄ）に示す状態を得る。

【００８９】次に図８（Ａ）に示すように、Ｐ元素のド
ーピングを行うことにより、７１３、７１５で示される
Ｎ型領域を形成する。この領域がソース及びドレイン領
域となる。また、７１４で示される領域にはＰ元素がド
ーピングされない。

【００９０】次に図８（Ｂ）に示す状態において、図８
（Ａ）に示す状態よりも低ドーズ量でもってＰ元素のド
ーピングを行う。この結果、７１７の領域が低濃度不純
物領域となる。

【００９１】そしてゲイト電極７１２の下部に対応する
７１８の領域がチャネル形成領域となる。

【００９２】ドーピングの終了後、レーザー光の照射を
行うことにより、ドーピングが行われた領域の活性化と
アニールを行う。

【００９３】次に第１の層間絶縁膜７１９として窒化珪
素膜を成膜し、さらに第２の層間絶縁膜７２０として樹
脂膜を形成する。

【００９４】次にコンタクトホールの形成を行い、ソー
ス電極７２１とドレイン電極７２２の形成を行う。最後
に３５０℃の水素雰囲気中において加熱処理を行うこと
により、薄膜トランジスタを完成させる。

【００９５】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
により、高抵抗領域を自己整合的にしかもその寸法を制
御して形成することはできる。しかも自己整合プロセス
を利用しつつもドレイン領域側のみに高抵抗領域を選択
的に形成することができ、高抵抗領域を配置した薄膜ト
ランジスタの高周波特性が損なわれるのを抑制すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜トランジスタの作製工程を示す断面図。

【図２】薄膜トランジスタの作製工程を示す断面図。

【図３】薄膜トランジスタの作製工程を示す断面図。

【図４】薄膜トランジスタの作製工程を示す上面図。

【図５】薄膜トランジスタの作製工程を示す上面図。

【図６】薄膜トランジスタを利用した装置を示す図。

【図７】薄膜トランジスタの作製工程を示す上面図。

【図８】薄膜トランジスタを利用した装置を示す図。

【符号の説明】

１０１ガラス基板１０２活性層１０３ゲイト絶縁膜１０４アルミニウム膜１０５緻密な膜質を有する陽極酸化膜１０６アルミニウムパターン１０７残存した緻密な膜質を有する陽極酸化膜１０８レジストマスク１２アルミニウムパターン１０６の一方の側面１１アルミニウムパターン１０６の一方の幅１０９多孔質状を有する陽極酸化物１１０緻密な膜質を有する陽極酸化膜１１１ゲイト電極１１２ソース領域１１３Ｐがドーピングされなかった領域１１４ドレイン領域１１５チャネル領域１１６低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）１１７層間絶縁膜（窒化珪素膜）１１８ソース電極１１９ドレイン電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極酸化可能な金属材料でなるゲイト電極
となるべきパターンを形成する工程と、該パターンの一方の側面をマスクする工程と、前記パターンを陽極とした陽極酸化を行うことにより、
前記パターンの露呈した他方の側面に選択的に陽極酸化
物を形成する工程と、を有し、前記陽極酸化物によって活性層中に形成される高抵抗領
域が画定されることを特徴とする薄膜トランジスタの作
製方法。
【請求項２】陽極酸化可能な金属材料でなるゲイト電極
となるべきパターンを形成する工程と、該パターンのソース領域となるべき領域側の側面を選択
的にマスクする工程と、前記パターンを陽極とした陽極酸化を行うことにより、
前記パターンのドレイン領域となるべき領域側の側面に
選択的に陽極酸化物を形成する工程と、を有し、前記陽極酸化物によって活性層中に形成される高抵抗領
域が画定されることを特徴とする薄膜トランジスタの作
製方法。
【請求項３】請求項１または請求項２において、陽極酸
化可能な材料としてアルミニウムが利用されることを特
徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】請求項１または請求項２において、陽極酸
化物が多孔質状を有していることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタの作製方法。
【請求項５】請求項１または請求項２において、高抵抗
領域がオフセットゲイト領域として機能することを特徴
とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】請求項１または請求項２において、高抵抗
領域がＬＤＤ（ライトドープドレイン）領域して機能す
ることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】請求項１または請求項２において、高抵抗
領域はドレイン領域に隣接して配置されることを特徴と
する薄膜トランジスタの作製方法。