JPH10509800A

JPH10509800A - ガス検知器

Info

Publication number: JPH10509800A
Application number: JP8517142A
Authority: JP
Inventors: イアンマッコーイ; ピーターフレデリックミッケルセン
Original assignee: ガステックオーストラリアピーティワィリミテッド
Priority date: 1994-12-02
Filing date: 1995-11-29
Publication date: 1998-09-22
Also published as: AUPM982094A0; EP0796427A4; CA2207873A1; EP0796427A1; US5905270A; KR100358576B1; WO1996017239A1

Abstract

(57)【要約】光吸収ガスの存在を、前記ガスを含む雰囲気(10)中で検知するための装置であって、光源(12)と、前記光源からの入射放射の存在を検知して入射放射のレベルを表わす出力信号(46)を供給するように構成された検知器(14)と、前記出力信号(46)を処理して前記入射放射の表示を行なうように構成された電子回路(13)と、前記光源(12)に周期的に電圧印加を行なうための電源(40)(36)とを包含しており、前記電源(12)が電圧印加の特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいて実質的一定の電力を供給するように構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】ガス検知器発明の分野本発明は、光吸収ガスの存在を、このガスを含む雰囲気中で検知するための方法および装置に関する。本発明は、可燃性、有毒性、またはその他の光吸収ガスの検知に用いられ、また本発明は、空気中における赤外線吸収可燃性ガスの存在の検知に関連して以下に記述される。しかし本発明が、他の気体を含有するかまたは他の気体からなる雰囲気中における光吸収ガスの存在の検知に対して、より幅広い用途を有することは了解されよう。また「光吸収ガス」という用語が、電磁スペクトルの赤外、可視、および紫外領域に含まれる放射を特性的に吸収する気体を意味すること、また「放射源」および「光源」という用語が、電圧印加されると電磁スペクトルの赤外、可視、および紫外領域に含まれる放射を発する線源を意味することも了解されよう。発明の背景従来、空気中における炭化水素ガスの存在は、ガス・空気混合体を内包するチャンバ内に赤外線を発し、このチャンバ内における放射吸収の有無または吸収の程度を検出することによって観測されている。検知器に当たる赤外線量の大きさを与える出力信号が導出され、この出力信号のレベル増大はチャンバ内における赤外線吸収ガスの量の減少を示す。放射源と検知器との間には通常、帯域フィルタが配設され、特定のガス、すなわちフィルタ通過域にある周波数を持つ放射を吸収するガスの存在を選択的に検知できるようになっている。空気中における炭化水素ガスの体積比の決定は、周囲温度の変化、構成要素の熱による寄与、線源および検知器の感度のドリフト、および装置内の光学部品に対する汚染物質の蓄積により導出される変数を調節しながら、前記出力信号の計測されたレベルを基準レベルと比較することによって行なわれる。変数調節のため実施されるステップの１つには、赤外線源を一般的には周波数0.5 から50Ｈｚまでの範囲の方形波電圧で駆動することが含まれ、サーマルドリフトは、前記出力信号のp-p 値を計測することにより調節されている。発明の概要前記放射源が電圧印加される特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいて実質的一定の電力を供給する電源から前記放射源を駆動することにより、性能の安定性を改善することができ、またより容易に変数の影響を調節できることが、本出願人により確かめられている。本出願人は、前記放射源の出力が構造的／化学的特性の経時的に引き起こされた変化とともに変化することを認識しており、また本出願人は、放射源を一定電力で駆動することにより、異常な挙動の改善が可能であることを確認している。このように本発明は、光吸収ガスの存在を、このガスを含む雰囲気中で検知するための装置を提供するものとして広く定義することができる。この装置は、光源と、この光源からの入射放射(incident radiaton)の存在を検知して入射放射のレベルを表わす出力信号を供給するように構成された検知器と、この出力信号を処理して入射放射の表示を行なうように構成された電子回路と、前記光源を周期的に電圧印加するための電源とを包含している。この装置は、その電源が電圧印加の特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいて実質的一定の電力を供給するように構成されていることをその特徴としている。また本発明は、光吸収ガスの存在を、このガスを含む雰囲気中で検知する方法として定義することもできる。この方法は、光源から前記雰囲気を内包するチャンバ内を通して、入射する放射のレベルを表わす出力信号を供給するように構成されている前記検知器に向けて放射を発するステップと、前記検知器に入射する放射レベルの大きさを与えるように前記出力信号を処理するステップとを包含している。前記光源は電源から周期的に電圧印加されるが、この方法は、その電源が前記光源の電圧印加の特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいてその光源に実質的一定の電力を供給するように動作することをその特徴としている。前記光源の電源は、この光源のオン・オフスイッチングを実行し、そのオン周期の間この光源に実質的一定の電力を供給するように構成することができる。しかし本出願人は、前記光源の励起を維持することから利益が得られ、そのため、前記光源の電源が、上方および下方の正レベルの間でその光源の周期的スイッチングを行なうように構成されることが好ましいことを発見した。後者の構成によれば、その電源は、前記２つの動作レベルのそれぞれにおいて前記光源に適正なレベルで実質的に一定の電力を供給するように構成される。前記光源を上記で定義した方法により駆動することによってその光源の短期および長期双方の安定性が保持されることが見出されている。このことは、一部は前記光源における経年効果の最小化により、この光源の短期のドリフトおよび長期のドリフト双方を最小化する効果を有する。前記光源に対する一定電力は、その光源に印加される電圧レベルおよびその光源を流れる電流レベルを表わす電圧信号を乗算し、その積のレベルを基準レベルと比較し、積のレベルと基準レベルとの等性を維持するように前記電圧レベルを調整することにより、特定の、またはそれぞれの所要レベルに維持される。先行技術の検知器の場合と同様、本発明による装置は、光源と検知器との間に位置する帯域フィルタを通常含んでおり、そのフィルタ通過域を通過する周波帯を特徴的に吸収するガスを選択的に検知できるようになっている。この装置の能動部品を収納するチャンバは、好ましくは焼結金属ケーシングで構成され、最も好ましくは焼結ステンレス鋼ケーシングで構成され、この装置が湿潤な条件で使用される場合は、このケーシングは最も好ましくは四フッ化樹脂（ＰＴＦＥ）でコーティングされる。このＰＴＦＥコーティングは、水分の表面張力を減少させてそれによりケーシング内の隙間を通る水分の流出入を阻止するのに十分であるがガスのチャンバ内への流入およびチャンバからの流出を阻止するには不十分な厚さに塗布される。図面の簡単な説明本発明は、付属図面に例示されたガス検知装置の好適な実施例に関する以下の説明により、より深く理解されよう。付属図面において：図１は、前記ガス検知装置全体の概略図である；図２は、前記装置内の赤外線源に対する印加電圧と前記装置内の検知器からの一般的な出力信号とを図示している；図３は、周囲温度の変化に起因する一般的な電圧ドリフトのグラフ図である；図４は、図１の回路１３をより詳細に示したブロック図である；図５は、図４の入力増幅器を実施するための回路図である；図６は、図４のサンプルホールド回路を実施する回路図である；図７は、図４の加算回路をより詳細に示した回路図である；図８は、図４の出力増幅器を実施する電気回路図である；図９は、図４のランプ電力調整器を実施する回路図である；図１０は、図４のマイクロプロセッサ制御回路を実施する回路図である。好適な実施例の説明図１に示すように、本発明の好適な実施例による装置は、外表面をＰＴＦＥでコーティングした焼結ステンレス鋼ケーシングにより形成されるチャンバ１０を包含している。チャンバ１０には、可燃性炭化水素ガスを含有している可能性を試験または監視される雰囲気ガスが流入させられて通過させられる。図１に示す装置には、前記雰囲気ガスが通過する前記ステンレス鋼ケーシングの隙間を表わすために開口部１１が示されている。チャンバ１０の一端の近傍には、一般的には白熱灯ランプであって以下そのように参照される赤外線源１２が配設されており、関連する電気回路１３に接続されている。以下でより詳細に記述される回路１３は、ランプ１２の電源を包含しており、また回路１３はこのランプ出力の電子制御されたスイッチング（すなわち変調）を行なう。チャンバ１０の他端、すなわちランプ１２から遠方には焦電検知器１４が配設され、通常、検知器１４に入射する赤外線のレベルを表わす出力信号を供給するように作用する。図２には、図１の装置におけるランプの印加電圧グラフ２０および対応する検知器出力グラフ２１が示されている。各スイッチング周期（例えば２２）は、1. 5 秒を占めるＨＩＧＨ−ＬＯＷの全体周期２２内に0.5 秒のＨＩＧＨ周期２３を含むことが好ましい。図２には一般的な出力信号２１が表わされており、検知器出力が形成する近似的なのこぎり波形２１のピーク間の大きさは、検知器に入射する赤外線量の瞬間的な大きさを与える。図２に示すように、線２５で表わされる検知器からの出力レベルの低下は検知器１４に当たる赤外線量の低下を示しており、従ってチャンバ１０内での（吸収性ガスの増加による）放射吸収レベルの増大を示している。線２６で表わされるような検知器出力レベルのゼロを上回る偏移は、チャンバ１０内に存在するバックグラウンド熱放射とランプのＬＯＷレベルへのスイッチングとを表わしている。バックグラウンド放射のレベルは温度によって変化するものであり、図３は本好適な実施例に用いられる検知器１４における電圧対温度変化のグラフを示している。以下により詳しく記述するように、回路１３（図１）は線２６のサーマルドリフトを補償するための補償器を含んでいる。図１に戻ると、帯域フィルタ１５がチャンバ１０内に配設されており、ある範囲の周波数を選択的に通過させて、そのフィルタ通過域を通過する周波帯を特徴的に吸収するガスを選択的に検知できるようになっている。スタビスタ(stabistor)１９は検知器１４の物理的近傍に取り付けられており、２個の順バイアスダイオードを包含していて、検知器１４が示すものと同様の（この検知器の特性は図３に示されている）温度変数特性を示す。スタビスタ１９はこれによって検知器１４における温度に誘起されたドリフトの監視に対し効率的な解を与えるとともに、スタビスタ１９の出力は回路１３に送られる。図４には複合回路１３がブロック図によって示されている。検知器１４（図１）からの入力は最初に増幅され（３０）、その後p-p 値がサンプリングされる（３１）。これらのサンプルは加算回路３２で解析され、出力増幅器３４によって基準化される。ランプ電力調整回路３６はランプ１２（図１）に対し一定の電力を維持する役割を負っており、また以下により詳しく記述するように、ランプ電流の大きさおよびランプ電圧の大きさを乗算して一定の出力電力を維持するように動作する。マイクロプロセッサ制御回路３８は回路１３のさまざまな部分の動作を制御する役割を負っており、電源４０は、通常８ボルト電源で動作する回路１３に、調整された電力を供給する。図５には、入力増幅回路３０がより詳細に示されている。検知器１４（図１）からの入力は、信号入力４６と、接地線４７と、正の電源線４８とを有するコネクタ４５に入力される。当業者には明らかなように、図５の回路図および回路１３の他の部分に関して以下に開示される回路図は、過渡電流を濾波してアースするために設けられているコンデンサ５０などの多くのフィルタ回路を含んでおり、それらの動作をここでさらに論ずる必要はない。同様に、８ボルトの調整された正電圧（＋ＶＲＥＧ）の供給および負電源（−ＶＲＥＧ）の供給は当業者には自明であろう。入力信号４６は、テキサスインスツルメンツ社（Texas Instruments）製のＴＬＣ２７２ＣＤ型増幅器である増幅器５２、５３によって増幅される。これらの増幅器はカスケード接続されており、その２つの段の増幅率は可変制御抵抗５４によって所定のレベルに設定されている。これら２つの増幅器の間には可変時定数フィルタが挿入されており、このフィルタは、２Ｎ７００２・ｎチャネルデプレション型ＭＯＳＦＥＴトランジスタであるトランジスタ５８の他に、１ＭΩ抵抗５５と、１００ＫΩ抵抗５６と、１μ Ｆコンデンサ５７とにより形成されている。トランジスタ５８のゲートは、リード６０によってマイクロプロセッサ制御回路３８（図４）に接続され、かつ回路３８によって制御されている。増幅回路３０の出力６１は次にサンプル及びホールド回路３１（図４）に供給される。図６には、図４のサンプル及びホールド回路３１がより詳細に示されている。増幅された検知器入力６１は検知器出力グラフ２１（図２）に描かれたものと実質的に同様の構造を有している。最大検知値はＬＦ３９８Ｄ型サンプル及びホールドを含むサンプル及びホールド６２によりサンプリングされラッチされる。増幅された検知器出力６１の最小値は同様のサンプル及びホールド６３によりサンプリングされラッチされる。サンプル及びホールド６２および６３は、信号線６４、６５によるマイクロプロセッサ制御回路３８の制御の下で動作する。サンプル及びホールド制御信号６４、６５は、ランプのスイッチングが行なわれる際に短い時間間隔で信号６１を捕捉するため前記マイクロプロセッサによって正確にタイミングが取られている。前記検知器出力のハイおよびローの出力値を表わすサンプル及びホールド出力６６、６７は、図４の加算回路３２に送られる。図７には、図４の加算回路３２がより詳細に示されている。サンプル及びホールド回路３１からの２つの入力６６、６７は、前記赤外線増幅検知器出力におけるp-p 値を決定するため前記サンプル及びホールドの値を減算する差動増幅器７０に入力される。入力６７からは、抵抗７２により順バイアスされた（検知器１４（図１）近傍に位置する）スタビスタ１９から得られる基準電圧が減算される。前記差動増幅器により実行される減算により、赤外線吸収ガスが存在しない場合の増幅器７０からの出力がゼロ電圧となるように、増幅器７０の増幅率は可変抵抗７３により調整される。ガスが存在する場合、赤外線の吸収は前記検知器の出力を低下させ、それにより増幅器７０からの出力を増大させる。前記増幅器からの出力は、マイクロプロセッサ回路３８によりサンプリングされ（７４）、また出力増幅器３４に送られる（７６）前に前記マイクロプロセッサ回路によりさらに調整される（７５）。図８には、出力増幅器３４がより詳細に示されている。補償された入力７６は、抵抗８１を通るマイクロプロセッサ入力８０を介して、さらなる補償基準を適用される。以下に述べるように、マイクロプロセッサ制御回路３８（図４）は入力８０によって、上記のアナログ補償が適用された後のシステム１３の残留サーマルドリフトに関する情報に基づき、局所的な周囲温度を決定し、また出力７６に対する付加的な補償を算出することができる。この付加的な補償は一般的な値に設定することもできるし、またはより正確さを高めるため個別的に調整することもできる。マイクロプロセッサ入力８０は抵抗８１に印加され、比例した電流を増幅器８２の入力に流入させる。この電流は入力信号７６による加算回路３２からの電流に加算される。この加算された電流は、抵抗８３と増幅器８２とによって対応する増幅された電圧に変換される。増幅器８４および抵抗８５、８６は増幅器８２の電圧出力をトランジスタ８７のドレインにおける対応する電流に変換するが、この電流は増幅器８２の出力電圧を抵抗８８で除したものに比例している。トランジスタ８７を流れる電流は対応する電圧を抵抗８９両端に発生させる。増幅器７７、抵抗７８およびトランジスタ７９は抵抗８９両端の電圧をトランジスタ７９のコレクタ出力における対応する電流に変換する。トランジスタ７９のコレクタを流れる電流は、トランジスタ８７のドレインを流れる電流に抵抗８９と抵抗８３との比を乗じたものである。トランジスタ７９の出力はその後の監視のため出力プラグ１４５に送られる。ダイオード１４０は、出力リード１４５が不正に外部接続された場合に逆電流を防止するための保護ダイオードである。ダイオード１４１−１４４は過渡電流に対する保護のために挿入されており、ヒューズ１４６も同様の目的に資するものである。出力１４５は、チャンバ１０（図１）内におけるガスの監視のための計量装置に接続することができる。図９には、図４のランプ電力調整器３６がより詳細に示されている。マイクロプロセッサ制御回路３８からの入力９０は、ランプ電力調整回路３６に対する入力クロックを包含しており、実質的にランプ印加電圧グラフ２０（図２）に示されたものに基づく周期的なクロック構造を有している。入力９０はトランジスタ１０１をオフまたはオン状態のどちらかに駆動するために用いられる。出力ランプへの電流は抵抗９１、トランジスタ９２および抵抗９３を流れるが、トランジスタ９２は制御能動部品である。抵抗９３を流れる電流は増幅器９５と抵抗９７とにより検出される。トランジスタ９６の出力は、検出されたランプ電流を抵抗９７と抵抗９３との比で除したものになる。抵抗９７は560 Ω抵抗であり、抵抗９３は１Ω抵抗である。したがってトランジスタ９６のドレイン電流は前記ランプ電流を560 で除したものに等しくなる。トランジスタ１０１が導通していないとき、この電流は抵抗９９および１００の両端に電圧を発生させる；すなわち前記マイクロプロセッサ回路からの入力信号９０がローのとき電圧ブリッジが発生する。前記マイクロプロセッサ回路からの入力９０がハイのとき、トランジスタ１０１は導通しており、主要な電圧降下は抵抗９９の両端に発生する。点１０４における電圧は検出されてアナログ乗算器１０５に対する第１のＹ入力を形成する。ランプ電圧は、アナログ乗算器１０５に対する第２のＸ入力を形成する信号１０６によっても検出される。このアナログ乗算器は、アナログデバイシズ（Analog Devices）製のＡＤ６３３ＪＲ型乗算器とすることができる。このとき、この乗算器の出力１０７は２つの入力１０６と１０４との積となる。これは前記ランプ電圧と、前記ランプ電流に比例した電圧との積である。したがって出力１０７はランプ電力に比例している。本好適な実施例において、２つの抵抗１０８、１０９は、望ましいランプ電力のため出力１０７が1.2 ボルトとなるように比例定数を調節している。増幅器１１０は、出力１０７と精密基準１１２を介してつくり出された正確に調整された1.2 ボルト基準１１１とを比較し、同じ電圧において出力１０７を一定に維持するようトランジスタ９２を制御するために用いられる増幅器出力１１３を形成する。したがって出力レベル１０７は、前記電力がトランジスタ１０１により決定される２つの値に設定可能である間は一定に維持される。トランジスタ１０１がオンのとき、前記ランプは最大電力にあり、トランジスタ１０１がオフのとき、ランプ電力は選択された特定の抵抗値９９、１００において5.7 分の１に低下する。このようにして前記のように、ランプ電力はマイクロプロセッサ回路３８の制御の下で、制御ゲート１０１による２つのレベルそれぞれにおいて実質的一定に維持される。図１０には、図４のマイクロプロセッサ制御回路３８がより詳細に示されている。このマイクロプロセッサ制御回路は、十分な数のアナログ入出力（ＡＩＮ）を持つＳＧＳトムソンマイクロエレクトロニクス（SGS-Thomson microelectroni cs）製のＳＴ６２Ｔ２５Ｍ６マイクロプロセッサを基部として形成されている。入力１２１の１つは、抵抗１２２とサーミスタ１２３とにより形成される電圧ブリッジに接続されている。これによりマイクロプロセッサ１２０は、上記のアナログ補償が適用された後の回路１３における残留サーマルドリフトに関する情報に基づき、局所的な周囲温度を決定し、また前記出力増幅器に送るための付加的な補償を算出することができる。このマイクロプロセッサ１２０による付加的な補償は所定の値に設定することもできるし、またはより正確さを高めるため個別的に調整することもできる。マイクロプロセッサ出力６０は入力増幅回路３０を制御するために用いられる。マイクロプロセッサ１２０の他の２つの出力は、サンプル及びホールドのラッチ６２、６３を制御するためのサンプル及びホールド制御線６４および６５に接続されている。ＰＡ０〜ＰＡ５で表示されるマイクロプロセッサ１２０の出力は抵抗網１２５とともに、通常の方式でディジタルアナログ変換回路を形成して、マイクロプロセッサ１２０の制御の下で信号７４の出力レベルを微調整するために用いられる。第２の抵抗網１２６は、出力信号７５の出力レベル微調整のために設けられている。信号８０は出力増幅段からマイクロプロセッサ１２０への入力として与えられる。マイクロプロセッサ１２０に対する入力としては、ＶＣＣ回路１２９および接地１３０の他に通常の発振器１２８も設けられている。マイクロプロセッサ１２０は、図２に示されるランプのクロック構成をランプ電力調整器３６への出力９０によって与える。図４に戻ると、回路１３に関するさまざまな電源の要件４０も与えられている。電源４０は＋ＶＲＥＧ（８ボルト）、ＶＣＣ（５ボルト）および−ＶＲＥＧ（８ボルト）を供給するように通常の様態で実施される。上記の記述は本発明の一実施例に過ぎず、当業者には自明であるように、本発明の範囲を逸脱することなく変更を行なうことができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者ミッケルセンピーターフレデリックオーストラリア国ニューサウスウェールズ 2103 モナヴェイルヴィンヤードストリート 49

Claims

【特許請求の範囲】１．光吸収ガスの存在を、前記ガスを含む雰囲気中で検知するための装置であって、光源と、前記光源からの入射放射の存在を検知して入射放射のレベルを表わす出力信号を供給するように構成された検知器と、前記出力信号を処理して前記入射放射の表示を行なうように構成された電子回路と、前記光源に周期的に電圧印加を行なうための電源とを包含しており、前記電源が電圧印加の特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいて実質的一定の電力を供給するように構成されていることを特徴とする装置。２．前記光源の電源が、上方と下方との正レベルの間で前記光源の周期的スイッチングを行なうように構成されており、前記電源が、前記電圧印加レベルのそれぞれにおいて前記光源に実質的に一定の電力を供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。３．前記電子回路がさらに、前記検知器の温度変化に関して前記出力信号を補正するための温度補償手段を包含することを特徴とする請求項１に記載の装置。４．前記温度補償手段が、前記検知器の実質上近傍に設けられた温度検知手段を含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。５．前記電子回路が、周囲温度の変化に関して前記出力信号を補正するように構成された周囲温度補正手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。６．前記電子回路と前記電源とがマイクロプロセッサ手段によって制御され監視されることを特徴とする請求項１、３または５に記載の装置。７．前記雰囲気が、前記ガスの流出入を可能にするための所定数の隙間が形成された焼結金属ケーシングに内包されることを特徴とする請求項１に記載の装置。８．前記ケーシングが四フッ化樹脂でコーティングされていることを特徴とする請求項７に記載の装置。９．光吸収ガスの存在を、前記ガスを含む雰囲気中で検知する方法であって、、光源から前記雰囲気を内包するチャンバ内を通って、入射する放射のレベルを表わす出力信号を供給するように構成されている前記検知器に向けて放射を発するステップと、前記検知器に入射する前記放射レベルの大きさを与えるために前記出力信号を処理するステップとを包含しており、前記光源が電源から周期的に電圧印加され、前記電源が前記光源の電圧印加の特定のレベルまたはそれぞれのレベルにおいて前記光源に実質的一定の電力を供給するように動作させられることを特徴とする方法。 10．請求項７に記載の方法においてさらに、前記検知器における温度変化に関して前記出力信号を補正するステップを包含する方法。 11．光吸収ガスの存在を、前記ガスを含む雰囲気中で検知するための装置であって、付属図面に関して上記に記述されたものと実質的に同様の装置。 12．光吸収ガスの存在を、前記ガスを含む雰囲気中で検知するための方法であって、付属図面に関して上記に記述されたものと実質的に同様の方法。