JPH10502330A - 高純度パラキシレン供給原料からのパラキシレンの結晶化 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 この発明はｐ−キシレン回収のための結晶化方法である。例えば、トルエンの不均化プロセスからの、ほぼ平衡のｐ−キシレン濃度を有する供給原料からｐ−キシレンを製造するために、単一温度結晶化生成段階（１８）が使用される。ｐ−キシレン回収率を上げるためにスキャベンジャー段階（４２）も使用される。

Description

【発明の詳細な説明】 高純度パラキシレン供給原料からのパラキシレンの結晶化 本発明の方法は高いパラキシレン濃度を有する供給原料の結晶化方法に関する ものである。 結晶化方法は、エチルベンゼンを含有するＣ₈芳香族出発原料並びに３種のキ シレン異性体から、パラキシレン（ｐ−キシレン）を分離するために使用するこ とができる。個々のＣ₈異性体の融点が十分な温度差を有するということから、 結晶化方法が使用される。ｐ−キシレンは１３．３℃の凝固点を有し、メタキシ レンは−４７．９℃の凝固点を有し、オルソキシレンは−２５．２℃の凝固点を 有する。しかしながら、９９．５重量％以上の純度のｐ−キシレンを得るために は、大きな費用をかけた場合のみ、慣用の結晶化方法を使用することができる。 Ｃ₈芳香族の混合物からｐ−キシレンを回収する結晶化方法では、リフォメー トまたはキシレン異性化プロセスからの平衡供給混合物を冷却する必要がある。 ｐ−キシレンの融点が他のＣ₈芳香族の融点よりも高いので、流れの冷却後にｐ −キシレンは結晶化装置中で容易に分離される。慣用のｐ−キシレン結晶化方法 においては、供給原料は約２２〜約２３重量％のｐ−キシレンを含有している。 溶液からｐ−キシレンの殆どを結晶化するためには、供給原料を−６５℃〜−７ ０．５℃（−８５°Ｆ〜−９５°Ｆ）程度に冷却しなければならない。慣用の結 晶化方法は米国特許第3,662.013号明細書記載の方法で運転されている。 慣用の結晶化においては、最高のｐ−キシレン回収率は結晶化ユニット中で最 も冷却された結晶化装置の温度により固定される。その温度は共融温度、第２成 分、一般にはｍ−キシレンが結晶し始め、そしてｐ−キシレン結晶が混在すると きの温度により制限される。キシレンの平衡混合物を結晶化装置へ導入すると、 最冷結晶化装置は−１５℃〜−１２℃（５°Ｆ〜１０°Ｆ）の共融温度に冷却さ れ、キシレン回収率が最大となる。理論的には、ｐ−キシレン回収率は共融温度 で 約７０％が限界である。典型的には、ｐ−キシレン回収率は６０〜６５％である 。 慣用の２段式結晶化装置では、平衡Ｃ₈芳香族供給原料は約−３４℃〜−４０ ℃（−３０°Ｆ〜−４０°Ｆ）に冷却され、第２段濾液と混合され、ついで直列 の幾つかの結晶化装置中で結晶化され、該装置の各々は供給原料をさらに冷却し 、最も冷却されるものは典型的には−６２℃〜−６７．８℃（−８０°Ｆ〜−９ ０°Ｆ）で運転される。スラリー状の固体及び液体、即ち母液は遠心分離機によ り分離される。第１段において、固体はｐ−キシレンを約８〜１２重量％だけ含 有する液体により充たされたボイドを有する湿ったケークになる。この低ｐ−キ シレン液体には、遠心分離機の乾燥効率に依存して、５〜１５％まで結晶が混在 し、要求される９９．５重量％以上の純度の達成を妨げる。残りの液体は受け入 れられない濾液として放出される。この湿ったケークは全部または一部が溶融さ れ、再結晶化され、または洗浄されて混在物が除去され、要求される高いｐ−キ シレン純度が達成される。 第２段は第１段生成物の再結晶化、および溶液の第２段リサイクル濾液からの ｐ−キシレンの濾過である。得られた結晶及び母液のスラリーは遠心分離される 。湿ったｐ−キシレン結晶ケークは洗浄工程に送られ、残りの液体が濾液にリサ イクルされる。結晶化装置に装入されるスラリー固体を調節するため、リサイク ル濾液の制限された量を使用して、第１段生成物が希釈される。典型的な遠心分 離では３５〜４５重量％以下の固体を含有するスラリー混合物が分離される。第 ２段結晶化装置は、−１７．８℃〜４．４℃（０°Ｆ〜４０°Ｆ）で運転される ので、第１段よりも少ない流れを必要とし且つそれで進行し、従ってより少ない 冷却を必要とする。 第２段ケークのボイドは既にｐ−キシレンに富んだ、典型的には約６０〜７５ 重量％の液体で充たされているので、生成物ｐ−キシレンで結晶を洗浄するとｐ −キシレン９９．５重量％以上程度の供給原料純度を達成することができる。 ｐ−キシレンに富んだ供給原料を処理するという、ｐ−キシレンの結晶化の新 しいアプローチが見いだされた。本発明の目的は、ｐ−キシレンに富んだ供給原 料から、少なくとも９９．５重量％、好ましくは９９．８重量％の純度を有する パラキシレンを回収する方法を提供することにある。 与えられた結晶化装置温度において、ｐ−キシレン供給原料濃度が高くなると 、ｐ−キシレン回収率は増大すると考えられる。さらに、所望のキシレン回収率 において、供給原料濃度が高くなると、このｐ−キシレン回収率を達成するため に必要な結晶化装置温度を高することができるものと考えられる。かくして、固 定されたｐ−キシレン供給原料濃度において、結晶化装置温度が下降すると、ｐ −キシレン回収率は増大する。 供給原料中の十分に高いｐ−キシレン濃度の採用により、共融温度への冷却は 高いｐ−キシレン回収率を得るために必要ではないので、共融温度は本発明の結 晶化装置の運転における因子ではない。さらに、スキャベンジャー段階の使用は ｐ−キシレン回収率を増大させる。供給原料中のｐ−キシレン濃度が高く且つ母 液中のｐ−キシレン濃度が高いので、少なくとも９９．５重量％のｐ−キシレン 純度を単一温度結晶化生成段階（single temperature crystallization product ion stage）で達成することができる。 本発明の単一温度結晶化生成段階は、ｐ−キシレン生成物を用いる洗浄を採用 するものである。９９．５重量％ｐ−キシレン純度を得るために、トルエンのよ うな他のタイプの洗浄は必要ではない。本発明のｐ−キシレン生成物はさらに処 理することは不必要である。 従って、本発明は、 約−１７．８℃〜約１０℃（約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）の範囲の温度で、単一温 度結晶化生成段階でｐ−キシレンに富んだ供給原料を接触させ； 該生成段階からｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを取り出し、そして該ス ラリーを該生成段階から第１分離手段へ送ってケークを形成させ、そして該ケー クをｐ−キシレンで洗浄し； 該ケークを該第１分離手段から第１溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン生成物を 形成させ、そして該ｐ−キシレン生成物を取り出し； 受け入れられない濾液の一部を該第１分離手段から前記生成段階へリサイクル し、そして残りの受け入れられない濾液を第１分離手段から、前記生成段階にお ける温度より低い温度で運転されるスキャベンジャーへリサイクルし、その際ス キャベンジャー段階の温度は約−２８．９℃〜約−１．１℃（約−２０°Ｆ〜約 ３０°Ｆ）の範囲である； ｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを該スキャベンジャー段階から取り出し 、そして該スラリーを該スキャベンジャー手段から第２分離手段へ送ってケーク を形成させ； 該ケークを該第２分離手段から第２溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン結晶を形 成させ、そしてｐ−キシレン結晶を前記生成段階へリサイクルし； 受け入れられない濾液の一部を該第２分離手段から該スキャベンジャー段階へ リサイクルし、そして残りの受け入れられない濾液を第２分離手段から母液生成 物として取り出す； ことを包含するｐ−キシレンに富んだ供給原料からｐ−キシレンを回収するため の結晶化方法である。 さらに、本発明は、 約−１７．８℃〜約１０℃（約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）の範囲の温度で、単一温 度結晶化生成段階においてｐ−キシレンに富んだ供給原料を接触させ； 該生成段階からｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを取り出し、そして該ス ラリーを該生成段階から第１分離手段へ送ってケークを形成させ、そして該ケー クをｐ−キシレンで洗浄し； 該ケークを該第１分離手段から第１溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン生成物を 形成させ、そして該ｐ−キシレン生成物を取り出し； 受け入れられない濾液の一部を該第１分離手段から前記生成段階へリサイクル し、そして残りの受け入れられない濾液を第１分離手段から、前記生成段階にお ける温度より低い温度で運転されるスキャベンジャーへリサイクルし、その際ス キャベンジャー段階の温度は約−１７．８℃〜約−１．１℃（約０°Ｆ〜約３０ °Ｆ）の範囲である； ｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを該スキャベンジャー段階から取り出し 、そして該スラリーを該スキャベンジャー手段から第２分離手段へ送ってケーク を形成させ； 該ケークを該第２分離手段から第２溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン結晶を形 成させ、そしてｐ−キシレン結晶を該第２溶融ドラムから前記生成段階へリサイ クルし； 受け入れられない濾液の一部を該第２分離手段から該第１スキャベンジャー段 階へリサイクルし、そして残りの受け入れられない濾液を第２分離手段から、第 １スキャベンジャー段階の温度よりも低い温度で操作される第２スキャベンジャ ーへ送り、その際第２スキャベンジャー段階の温度は約−２８．９℃〜約−６． ７℃（約−２０°Ｆ〜約２０°Ｆ）の範囲である； ｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを第２スキャベンジャー段階から取り出 し、該スラリーを該第２スキャベンジャー段階から第３分離手段へ送ってケーク を形成させ； 該ケークを該第３分離手段から該第２溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン結晶を 形成させ、そして該ｐ−キシレン結晶を該第３分離手段から前記生成段階へリサ イクルし；そして 受け入れられない濾液の一部を該第３分離手段から該第２スキャベンジャー段 階へリサイクルし、そして残りの受け入れられない濾液を母液生成物として取り 出す； ことを包含するｐ−キシレンに富んだ供給原料からｐ−キシレンを回収するため の結晶化方法である。 図１は本発明の第１の実施態様を示す簡易概略図である。 図２は本発明の第２の実施態様を示す簡易概略図である。 本発明の方法は、少なくとも約７０重量％、好ましくは少なくとも約８０重量 ％のｐ−キシレンを含有する高重量％のｐ−キシレン供給原料に使用される。 高いｐ−キシレン濃度の適当な供給原料としては、ここに参考文献として取り 入れられる米国特許第4,097,543号及び同第4,117,026号明細書に記載されている ような、コーク選択化（coke-selectivated）触媒又は珪素選択化触媒を用いて トルエンをベンゼン及びＣ₈芳香族へ転化する方法の生成物が包含される。トル エンの転化率に依存して、Ｃ₈芳香族の約８０〜８５％がｐ−キシレンである。 ここに参考文献として取り入れられる米国特許第4,851,604号、同第5,173,461号 、同第5,243,117号及びＷＯ 93/17788号明細書に記載されているような、シリカ 変性触媒を用いてトルエンをｐ−キシレンへ不均化する方法の生成物も使用する ことができる。少なくとも２つの別の選択化順序（ex situ selectivation sequ ence）に付すことにより珪素選択化されている触媒によりなされる方法の生成物 も使用することができる。このような方法の１つは米国特許第5,365,004号明細 書に、他の方法は米国特許第5,367,099号明細書に記載されており、これら明細 書もここに参考文献として取り入れられる。別の選択化順序は、有機又は水性担 体中で触媒を選択化剤と接触させ、ついで触媒モレキュラーシーブを焼成する工 程を包含することができる。異なるｐ−キシレン濃度の供給原料を組み合わせる ことができ、これを本発明の高ｐ−キシレン濃度供給原料として使用することも できる。 第１の実施態様においては、ｐ−キシレンに富んだ供給原料は単一温度結晶化 生成段階に入れられ、そこから高純度ｐ−キシレン生成物が生成される。ついで 、結晶化生成物は単一スキャベンジャー段階へ送られ、ｐ−キシレン回収率が上 げられるが、ｐ−キシレンは生成されない。スキャベンジャー段階では、生成さ れた生成物を溶融ドラムから単一温度結晶化生成段階の供給原料へリサイクルさ れる。 第２の態様においては、単一温度結晶化生成段階と連結させて、２つのスキャ ベンジャー段階が使用され、ｐ−キシレン回収率が上げられるが、ｐ−キシレン は生成されない。これは単一スキャベンジャー段階の使用と比べて、必要な冷却 を減少させる。 本発明の結晶化方法では、約８０％以上、好ましくは約９０％以上の回収率で 、９９．５重量％、好ましくは９９．８重量％のｐ−キシレン純度が得られる。 本発明の方法は、約−１７．８℃〜約１０℃（約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）の範囲 の温度で運転される第１結晶化生成段階を包含し、そこから高純度ｐ−キシレン が取り出される。該生成段階は本発明の方法において最も温かい段階である。ｐ −キシレンの回収率は１つ又は２つのスキャベンジャー段階の使用により高めら れる。第１の態様においては、１つのスキャベンジャー段階が使用される。スキ ャベンジャー段階は結晶化生成段階よりも低い温度、一般には、約−２８．９℃ 〜−１．１℃（約−２０°〜３０°Ｆ）の範囲で運転される。 第２の態様においては、２つスキャベンジャー段階が使用される。第１スキャ ベンジャー段階は第１結晶化生成段階の温度と第２スキャベンジャー段階の温度 の間、一般には、約−１７．８℃〜−１．１℃（約０°Ｆ〜３０°Ｆ）の範囲で 運転される。第２スキャベンジャー段階は約−２８．９℃〜−６．７℃（約−２ ０°Ｆ〜約２０°Ｆ）の範囲の温度、好ましくは約−２３℃〜約−１２（約−１ ０°Ｆ〜約１０°Ｆ）の範囲の温度で運転される。第２回収段階は最冷結晶化温 度であるので、ｐ−キシレン回収率が最高となる。 単一温度結晶化生成段階及びスキャベンジャー段階は、典型的には約１３７ｋ Ｐａ〜約２０６．８ｋＰａ（約２０psia〜約３０psia）の範囲の圧力で運転され る。単一温度結晶化生成段階及びスキャベンジャー段階は、典型的には、各段階 について約３〜８時間の範囲、より典型的には約４〜８時間の範囲の滞留時間の サイズである。 本発明の方法は約−２８℃（約−２０°Ｆ）の最低温度にプロセスを冷却する ために一段冷却系が使用される。一段冷却段階のためにプロパン又はプロピレン を使用することができる。最冷結晶化装置の温度は、二段冷却系を使用すること なく下げることができる。−１７．８℃（０°Ｆ）以下の温度において、好まし い冷媒はプロピレンである。 本発明の第１の態様は図１に図解されている。供給原料タンク１０からの適当 なｐ−キシレン含有供給原料はライン１２を通って、最初に冷却された熱交換器 １４へ送られる。ついで、冷却された供給原料はライン１６を通って単一温度結 晶化生成段階１８へ送られる。単一温度生成段階は並列的に運転される１又はそ れ以上の結晶化容器からなる。単一温度生成段階において、供給原料は、供給原 料中の他のキシレン異性体を結晶化させずにｐ−キシレンを結晶化させる温度に 冷却される。この温度は供給原料中の種々の成分の量に依存するが、一般には、 約−１７．８℃〜約１０℃（約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）、好ましくは約１．１℃〜 約１０℃（約３０°Ｆ〜約５０°Ｆ）の範囲である。 単一温度生成段階からのスラリーはライン２０を通って取り出され、遠心分離 手段２２へ送られる。代わりに、分離のためにフィルター又はハイドロクロン（ hydroclone）を使用することができる。遠心分離されたケークはリサイクルされ たｐ−キシレン生成物で洗浄される。洗浄されたケークはライン２６を通って送 られ、溶融ドラム２８で溶融される。ｐ−キシレン生成物の一部は洗浄液として ライン２４を通ってリサイクルされる。残りのｐ−キシレン生成物はライン３０ を通って貯蔵タンク３２へ送られる。単一温度生成段階からの受け入れられない 濾液、即ち母液および遠心分離機２２からの受け入れられないｐ−キシレン洗浄 物はライン３４を通って濾液タンク３６へ送られる。 受け入れられない濾液の一部はライン３８を通って、新しい供給原料と一緒に され、単一温度生成段階へ送られる。残りの受け入れられない濾液はライン４０ を通ってスキャベンジャー段階４２へ送られる。スキャベンジャー段階は並列的 に運転される１又はそれ以上の結晶化容器からなる。スキャベンジャーからのス ラリーはライン４４を通って取り出され、遠心分離手段４６へ送られる。代わり に、分離のためにフィルター又はハイドロクロンを使用することができる。遠心 分離されたケークはライン４８を通って送られ、溶融ドラム５０中で溶融される 。ｐ−キシレン結晶はライン５２を通って、供給原料として単一温度生成段階へ リサイクルされる。スキャベンジャー段階からの受け入れられない濾液、即ち母 液はライン５４を通って濾液タンク５６へ送られる。受け入れられない濾液の一 部はライン５８を通って貯蔵タンク６０へ送られる。受け入れられない濾液生成 物はキシレン異性化ユニットへの供給原料として使用することができる。残りの 受け入れられない濾液はライン６２を通って新しい供給原料と一緒にされ、スキ ャベンジャー段階へ送られる。 ２つのスキャベンジャー段階を使用する本発明の第２の態様は図２に図解され ている。供給原料タンク１１０からの適当なｐ−キシレン含有供給原料はライン １１２を通って、最初に冷却された熱交換器１１４へ送られる。ついで、冷却さ れた供給原料はライン１１６を通って単一温度結晶化生成段階１１８へ送られる 。単一温度結晶化段階は並列的に運転される１又はそれ以上の結晶化容器からな る。単一温度生成段階において、供給原料は、供給原料中の他のキシレン異性体 を結晶化させずにｐ−キシレンを結晶化させる温度に冷却される。この温度は供 給原料中の種々の成分の量に依存するが、一般には、約−１７．８℃〜約１０℃ （約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）、好ましくは約１．１℃〜約１０℃（約３０°Ｆ〜約 ５ ０°Ｆ）の範囲である。 単一温度生成段階からのスラリーはライン１２０を通って取り出され、遠心分 離手段１２２へ送られる。代わりに、分離のためにフィルター又はハイドロクロ ンを使用することができる。遠心分離されたケークはリサイクルされたｐ−キシ レン生成物で洗浄される。洗浄されたケークはライン１２６を通って送られ、溶 融ドラム１２８で溶融される。ｐ−キシレン生成物の一部は洗浄液としてライン １２４を通してリサイクルされる。残りのｐ−キシレン生成物はライン１３０を 通って貯蔵タンク１３２へ送られる。単一温度生成段階からの受け入れられない 濾液、即ち母液および受け入れられないｐ−キシレン洗浄物はライン１３４を通 って濾液タンク１３６へ送られる。 受け入れられない濾液の一部はライン１３８を通って、新しい供給原料と一緒 にされ、単一温度生成段階へ送られる。残りの受け入れられない濾液はライン１ ４０を通って第１スキャベンジャー段階１４２へ送られる。第１スキャベンジャ ー段階は並列的に運転される１又はそれ以上の結晶化容器からなる。スキャベン ジャーからのスラリーはライン１４４を通って取り出され、遠心分離手段１４６ へ送られる。代わりに、分離のためにフィルター又はハイドロクロンを使用する ことができる。遠心分離されたケークはライン１４８を通って送られ、溶融ドラ ム１５０中で溶融される。ｐ−キシレン結晶はライン１５２を通って、供給原料 として単一温度生成段階へリサイクルされる。 受け入れられない濾液、即ち第１スキャベンジャー段階からの母液はライン１ ５４を通って濾液タンク１５６へ送られる。受け入れられない濾液の一部はライ ン１５８を通って新しい供給原料と一緒にされ、第１スキャベンジャー段階へ送 られる。第１スキャベンジャー段階からの残りの受け入れられない濾液はライン １６０を通って送られ、ライン１６２で第２スキャベンジャー段階からの受け入 れられない濾液と一緒にされ、第２スキャベンジャー段階１６４への供給原料と して送られる。第２スキャベンジャー段階は並列的に運転される１又はそれ以上 の結晶化容器からなる。第２スキャベンジャー段階からのスラリーはライン１６ ６から取り出され、遠心分離手段１６８へ送られる。代わりに、分離のためにフ ィルター又はハイドロクロンを使用することができる。遠心分離されたケークは ライン１７０を通って送られ、溶融ドラム１５０中で溶融される。ｐ−キシレン 結晶はライン１５２を通って、供給原料として単一温度生成段階へリサイクルさ れる。 受け入れられない濾液、即ち第２スキャベンジャーからの母液は、ライン１７ ２を通って濾液タンク１７４へ送られる。受け入れられない濾液の一部はライン １６２を通って供給原料として単一温度生成段階へ送られる。残りの受け入れら れない濾液はライン１７６を通って貯蔵タンク１７８へ送られる。受け入れられ ない濾液生成物はキシレンの異性化ユニットへの供給原料として使用することが できる。 下記の例は本発明の方法を説明するためのものである。 実施例 この実施例は年間６億ポンドのｐ−キシレンの結晶化を行う、図２のプロセス フロースキームの運転を説明するものである。約９３．２％のｐ−キシレン濃度 を有するｐ−キシレン含有供給原料を、約２．８℃〜４．４℃（約３７°Ｆ〜４ ０°Ｆ）の温度で運転されている単一温度結晶化生成段階で接触させた。ｐ−キ シレン生成物を単一温度結晶化生成段階から取り出し、遠心分離されたケークを リサイクルされたｐ−キシレン生成物で洗浄して、９９．８％〜９９．９％のｐ −キシレン純度が達成された。−３．９℃（２５°Ｆ）で運転された第１スキャ ベンジャー段階および−１７．８℃（０°Ｆ）で運転された第２スキャベンジャ ー段階の使用はｐ−キシレンの回収率を最大とし、９４％ｐ−キシレン回収率が 達成された。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピカリング、ジョン・レスリー・ジュニア アメリカ合衆国77345テキサス州キングウ ッド、マウント・フォレスト・ドライブ 2002番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．約−１７．８℃〜約１０℃（約０°Ｆ〜約５０°Ｆ）の範囲の温度で、単 一温度結晶化生成段階でｐ−キシレンに富んだ供給原料を接触させ； 該生成段階からｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを取り出し、そして該ス ラリーを該生成段階から第１分離手段へ送ってケークを形成させ、そして該ケー クをｐ−キシレンで洗浄し； 該ケークを該第１分離手段から第１溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン生成物を 形成させ、そして該ｐ−キシレン生成物を取り出し； 受け入れられない濾液の一部を該第１分離手段から前記生成段階へリサイクル し、そして残りの受け入れられない濾液を第１分離手段から、前記生成段階にお ける温度より低い温度で運転されるスキャベンジャーへリサイクルし、その際ス キャベンジャー段階の温度は約−２８．９℃〜約−１．１℃（約−２０°Ｆ〜約 ３０°Ｆ）の範囲である； ｐ−キシレン結晶を含有するスラリーを該スキャベンジャー段階から取り出し 、そして該スラリーを該スキャベンジャー手段から第２分離手段へ送ってケーク を形成させ； 該ケークを該第２分離手段から第２溶融ドラムへ送ってｐ−キシレン結晶を形 成させ、そしてｐ−キシレン結晶を前記生成段階へリサイクルし； 受け入れられない濾液の一部を該第２分離手段から該スキャベンジャー段階へ リサイクルし、そして残りの受け入れられない濾液を第２分離手段から母液生成 物として取り出す； ことを包含するｐ−キシレンに富んだ供給原料からｐ−キシレンを回収するため の結晶化方法。 ２．前記単一温度結晶化生成段階が約１．１℃〜約１０℃（約３０°Ｆ〜約５ ０°Ｆ）の範囲の温度で運転される請求項１記載の方法。 ３．前記ｐ−キシレンに富んだ供給原料が少なくとも約７０重量％のｐ−キシ レンを含有するものである請求項１記載の方法。 ４．取り出されたｐ−キシレン生成物が少なくとも約９９．５重量％のｐ−キ シレン生成物純度を有する請求項１記載の方法。 ５．前記供給原料がシリカ変性触媒を用いるトルエンの不均化生成物である請 求項１記載の方法。 ６．前記供給原料がコーク選択化触媒又は珪素選択化触媒を用いるトルエンを ベンゼン及びＣ₈芳香族へ転化する方法の生成物である請求項１記載の方法。 ７．前記珪素選択化触媒が少なくとも２つの別の選択化順序に付される請求項 ６記載の方法。 ８．前記別の選択化順序が前記触媒を有機又は水性担体中で選択化剤と接触さ せ、ついで触媒モレキュラーシブを焼成する工程を包含するものである請求項７ 記載の方法。