JPH1044936A - 全二重トランスポンダ用の減衰変調回路 - Google Patents
全二重トランスポンダ用の減衰変調回路Info
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- JPH1044936A JPH1044936A JP1831097A JP1831097A JPH1044936A JP H1044936 A JPH1044936 A JP H1044936A JP 1831097 A JP1831097 A JP 1831097A JP 1831097 A JP1831097 A JP 1831097A JP H1044936 A JPH1044936 A JP H1044936A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変化するフィールド強度条件の下で有効に動
作する能力を有する認識システムの全二重トランスポン
ダに対して減衰変調をもたらす回路及び方法を提供す
る。 【解決手段】 トランスポンダ（１４）用の改良式減衰
変調回路（１４０）は、送受信機のアンテナ（１６）か
ら送られてくるエネルギーを受信して、トランスポンダ
中に独自の認識信号を生成する。改良式減衰変調回路
（１４０）は、トランスポンダ（１４）に電力をもたら
しながら、電圧リミッタ（１３２）の使用を通して過電
圧から全二重トランスポンダ（１４）を保護する高フィ
ールド強度回路（１５２，１６０，１７４）を備えてい
る。低フィールド強度回路（１５２）は、全二重トラン
スポンダ（１４）に最高の可能量の電力をもたらすのに
最小の回路群しか起動しない。中間フィールド強度回路
（１５２，１６０）は、中間量のトランスポンダ（１
４）回路要素のみを使用して適切な変調に対し十分な量
の電流を確立するため、全二重トランスポンダ（１４）
中のフィールド強度を増大させる。
作する能力を有する認識システムの全二重トランスポン
ダに対して減衰変調をもたらす回路及び方法を提供す
る。 【解決手段】 トランスポンダ（１４）用の改良式減衰
変調回路（１４０）は、送受信機のアンテナ（１６）か
ら送られてくるエネルギーを受信して、トランスポンダ
中に独自の認識信号を生成する。改良式減衰変調回路
（１４０）は、トランスポンダ（１４）に電力をもたら
しながら、電圧リミッタ（１３２）の使用を通して過電
圧から全二重トランスポンダ（１４）を保護する高フィ
ールド強度回路（１５２，１６０，１７４）を備えてい
る。低フィールド強度回路（１５２）は、全二重トラン
スポンダ（１４）に最高の可能量の電力をもたらすのに
最小の回路群しか起動しない。中間フィールド強度回路
（１５２，１６０）は、中間量のトランスポンダ（１
４）回路要素のみを使用して適切な変調に対し十分な量
の電流を確立するため、全二重トランスポンダ（１４）
中のフィールド強度を増大させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、認識システム用の
改良式減衰変調回路に関し、特に、車両または他の機能
用の点火スイッチまたは類似の制御機構と関連して使用
可能な認識システム用の改良式減衰変調回路であって、
減衰変調回路が、全二重トランスポンダにて異なるフィ
ールド強度条件の下で有効に動作して、認識システムの
能力を増大させて、点火システムまたは他の制御機構と
「整合（ｍａｔｃｈ）」するキーまたは類似の単品を認
識してこれに応答するようになっている前記回路に関す
る。
改良式減衰変調回路に関し、特に、車両または他の機能
用の点火スイッチまたは類似の制御機構と関連して使用
可能な認識システム用の改良式減衰変調回路であって、
減衰変調回路が、全二重トランスポンダにて異なるフィ
ールド強度条件の下で有効に動作して、認識システムの
能力を増大させて、点火システムまたは他の制御機構と
「整合（ｍａｔｃｈ）」するキーまたは類似の単品を認
識してこれに応答するようになっている前記回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】種々の型式の認識システムは、以下の一
般に譲渡された米国特許及び米国特許出願、即ち、米国
特許第５，２８７，１１２号、第５，２７０，７１７
号、第５，１９６，７３５号、第５，１７０，４９３
号、第５，１６８，２８２号、第５，１２６，７４５
号、第５，０７３，７８１号、第５，０５３，７７４
号、第５，０２５，４９２号と、１９９３年２月２３日
付で出願された米国特許出願第０８／０２１，１２３
〔ケース番号ＴＩ−１７５２９〕、１９９３年５月２１
日付で出願された米国特許出願第０８／０６５，２８６
号〔ケース番号ＴＩ−１６９８１〕、及び１９９３年７
月２日付で出願された米国特許出願第０８／０８６，７
８６号〔ケース番号ＴＩ−１７５０７〕によって教示さ
れる。前記書類の教示に従う各システムは、ティー・ア
イ・アール・アイ・エス（ＴＩＲＩＳ）（テキサス・イ
ンスツルーメンツ・レジスタ及びアイデンティフィケー
ション・システム（Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ
ｓ Ｒｅｇｉｓｔｅｒ ａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａ
ｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ））の名称で市場に出されてい
る。ＴＩＲＩＳと類似はするが、構造的にも機能的にも
特にこれとは異なる認識システムは、米国特許第４，９
１８，９５５号に開示されている。他の型式の認識シス
テムは、例えば、一般に譲渡された前記米国特許第５，
２８７，１１２号及び一般に譲渡され、１９９３年２月
２３日付で出願された前記米国特許出願第０８／０２
１，１２３号によって教示されるように、エー・ヴィ・
アイ（ＡＶＩ）（「自動車両同定（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｖｅｈｉｃｕｌａｒ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏ
ｎ）」）として既知のシステムを含む。
般に譲渡された米国特許及び米国特許出願、即ち、米国
特許第５，２８７，１１２号、第５，２７０，７１７
号、第５，１９６，７３５号、第５，１７０，４９３
号、第５，１６８，２８２号、第５，１２６，７４５
号、第５，０７３，７８１号、第５，０５３，７７４
号、第５，０２５，４９２号と、１９９３年２月２３日
付で出願された米国特許出願第０８／０２１，１２３
〔ケース番号ＴＩ−１７５２９〕、１９９３年５月２１
日付で出願された米国特許出願第０８／０６５，２８６
号〔ケース番号ＴＩ−１６９８１〕、及び１９９３年７
月２日付で出願された米国特許出願第０８／０８６，７
８６号〔ケース番号ＴＩ−１７５０７〕によって教示さ
れる。前記書類の教示に従う各システムは、ティー・ア
イ・アール・アイ・エス（ＴＩＲＩＳ）（テキサス・イ
ンスツルーメンツ・レジスタ及びアイデンティフィケー
ション・システム（Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ
ｓ Ｒｅｇｉｓｔｅｒ ａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａ
ｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ））の名称で市場に出されてい
る。ＴＩＲＩＳと類似はするが、構造的にも機能的にも
特にこれとは異なる認識システムは、米国特許第４，９
１８，９５５号に開示されている。他の型式の認識シス
テムは、例えば、一般に譲渡された前記米国特許第５，
２８７，１１２号及び一般に譲渡され、１９９３年２月
２３日付で出願された前記米国特許出願第０８／０２
１，１２３号によって教示されるように、エー・ヴィ・
アイ（ＡＶＩ）（「自動車両同定（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｖｅｈｉｃｕｌａｒ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏ
ｎ）」）として既知のシステムを含む。
【０００３】当該ＴＩＲＩＳ認識システムの一型式にお
いて、送受信機（この箇所や、明細書末尾の関連する各
項及び他の箇所では「質問機（ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｏ
ｒ）」または「リーダー（ｒｅａｄｅｒ）」とも称す
る）は、関連する第１のアンテナを介して、エネルギー
を選択的に放射する。このエネルギーは、車両の点火ス
イッチ等のキー動作式ロックの近傍から放射される。放
射されたエネルギーはしばしば、「質問機信号（ｉｎｔ
ｅｒｒｏｇａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ）」と称する。放
射されたエネルギーは、キー上またはキー内にある第２
のアンテナによって受信される。このキーはまた、第２
のアンテナに接続された、例えば回路群（時々、「トラ
ンスポンダ」または「タグ」と呼ぶ）等の諸機能を含ん
でいる。受信されたエネルギーによってキーの回路群内
に生成または誘起された電気信号は、回路群によって影
響されるか（例えば、増大または減少されるか）、また
は回路群によって記憶され独自にコード化された信号の
発生に影響を及ぼす。
いて、送受信機（この箇所や、明細書末尾の関連する各
項及び他の箇所では「質問機（ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｏ
ｒ）」または「リーダー（ｒｅａｄｅｒ）」とも称す
る）は、関連する第１のアンテナを介して、エネルギー
を選択的に放射する。このエネルギーは、車両の点火ス
イッチ等のキー動作式ロックの近傍から放射される。放
射されたエネルギーはしばしば、「質問機信号（ｉｎｔ
ｅｒｒｏｇａｔｉｏｎ ｓｉｇｎａｌ）」と称する。放
射されたエネルギーは、キー上またはキー内にある第２
のアンテナによって受信される。このキーはまた、第２
のアンテナに接続された、例えば回路群（時々、「トラ
ンスポンダ」または「タグ」と呼ぶ）等の諸機能を含ん
でいる。受信されたエネルギーによってキーの回路群内
に生成または誘起された電気信号は、回路群によって影
響されるか（例えば、増大または減少されるか）、また
は回路群によって記憶され独自にコード化された信号の
発生に影響を及ぼす。
【０００４】キー回路群の構成要素に応じて、認識信号
が、第１及び第２のインダクタ即ちアンテナを介して、
伝送されるかまたは送受信機に反射して戻される。特別
の点火スイッチと「整合する（ｍａｔｃｈ）」キーは、
所定の認識信号を伝送するかこれを引き起こす。類似の
認識システムと関連する他の点火スイッチを動作させる
他のキーは、同様にして質問機信号に応答し得るが、前
記所定の認識信号とは異なる認識信号を伝送し得る。
が、第１及び第２のインダクタ即ちアンテナを介して、
伝送されるかまたは送受信機に反射して戻される。特別
の点火スイッチと「整合する（ｍａｔｃｈ）」キーは、
所定の認識信号を伝送するかこれを引き起こす。類似の
認識システムと関連する他の点火スイッチを動作させる
他のキーは、同様にして質問機信号に応答し得るが、前
記所定の認識信号とは異なる認識信号を伝送し得る。
【０００５】送受信機は、受信した認識信号を分析し
て、分析された信号が整合キーによって生成された所定
の認識信号であるか否かを決定する諸機能を含んでい
る。分析された信号が所定の認識信号であれば、この種
の所定の認識信号及び整合キーによる点火スイッチの作
動の同時発生によって、車両のエンジンが起動される。
分析された信号が所定の認識信号でなければ、点火スイ
ッチがキーによって動作できないか、または動作できれ
ば、この種の動作はエンジンを起動するのに効果がな
い。
て、分析された信号が整合キーによって生成された所定
の認識信号であるか否かを決定する諸機能を含んでい
る。分析された信号が所定の認識信号であれば、この種
の所定の認識信号及び整合キーによる点火スイッチの作
動の同時発生によって、車両のエンジンが起動される。
分析された信号が所定の認識信号でなければ、点火スイ
ッチがキーによって動作できないか、または動作できれ
ば、この種の動作はエンジンを起動するのに効果がな
い。
【０００６】携帯性及び／又は空間的制限は、通常、Ｔ
ＩＲＩＳ型式の認識システムの送受信機が極めてパワフ
ルではないことに帰着する。また、認識信号、即ち、キ
ーに内蔵の回路群から送受信機に伝送されるかまたは反
射してこれに戻される信号は、ＡＶＩ型式のシステムに
おいて代表的な、例えばバッテリー等のキー内蔵の電源
から得られるエネルギーからではなく、送受信機から放
射された制限のあるエネルギーから得ることができる。
ＴＩＲＩＳシステムのキー内蔵の回路群にバッテリーを
使用することは技術的には可能であるが、得られるキー
の大寸法及びぶかっこうさはユーザによって拒絶される
こととなろう。以上の結果、回路効率のできる限り高い
ことが重大である。
ＩＲＩＳ型式の認識システムの送受信機が極めてパワフ
ルではないことに帰着する。また、認識信号、即ち、キ
ーに内蔵の回路群から送受信機に伝送されるかまたは反
射してこれに戻される信号は、ＡＶＩ型式のシステムに
おいて代表的な、例えばバッテリー等のキー内蔵の電源
から得られるエネルギーからではなく、送受信機から放
射された制限のあるエネルギーから得ることができる。
ＴＩＲＩＳシステムのキー内蔵の回路群にバッテリーを
使用することは技術的には可能であるが、得られるキー
の大寸法及びぶかっこうさはユーザによって拒絶される
こととなろう。以上の結果、回路効率のできる限り高い
ことが重大である。
【０００７】当該型式の認識回路群の１型式は、送受信
機からのエネルギーの受信に応じて、コード化信号を生
成する能動及び受動部品を含んでいる。前述した一般に
譲渡された各米国特許及び米国特許出願を参照された
い。メモリに記憶されたデータによって生成し得るコー
ド化信号は送受信機に戻され、この送受信機において、
記憶された「整合（ｍａｔｃｈｉｎｇ）」信号との比較
が実行される。記憶されたコードを用いて搬送波を変調
することによって、コード化された信号を生成すること
ができ、また搬送波は、送受信機からのキー内蔵の機能
によって受信されたエネルギーであって良く、またはこ
のエネルギーから得ることができる。後者の場合、シス
テムは、ＴＩＲＩＳ多様型式であって良く、キー及びそ
の回路群は車載電源を必要とせず、「無バッテリー方式
（ｂａｔｔｅｒｙｌｅｓｓ）」と言うことができる。こ
の第３の型式のシステムはＡＶＩ多様型式であっても良
く、この場合、トランスポンダは一般に内蔵電源から電
力供給を受ける。
機からのエネルギーの受信に応じて、コード化信号を生
成する能動及び受動部品を含んでいる。前述した一般に
譲渡された各米国特許及び米国特許出願を参照された
い。メモリに記憶されたデータによって生成し得るコー
ド化信号は送受信機に戻され、この送受信機において、
記憶された「整合（ｍａｔｃｈｉｎｇ）」信号との比較
が実行される。記憶されたコードを用いて搬送波を変調
することによって、コード化された信号を生成すること
ができ、また搬送波は、送受信機からのキー内蔵の機能
によって受信されたエネルギーであって良く、またはこ
のエネルギーから得ることができる。後者の場合、シス
テムは、ＴＩＲＩＳ多様型式であって良く、キー及びそ
の回路群は車載電源を必要とせず、「無バッテリー方式
（ｂａｔｔｅｒｙｌｅｓｓ）」と言うことができる。こ
の第３の型式のシステムはＡＶＩ多様型式であっても良
く、この場合、トランスポンダは一般に内蔵電源から電
力供給を受ける。
【０００８】認識システムは、全二重多様型式であって
良い。特に、送受信機は、送信機及び受信機として同時
に動作し得る。即ち、送受信機は同時にキー内蔵の回路
群にエネルギーを放射すると共に、この種の回路群によ
って生成された対応する信号を分析のために受信するこ
とができる。一般に、全二重動作において、送受信機に
よってキー内蔵の回路群に放射された被変調キャリアの
周波数は、キー内蔵の回路群によって生成された被変調
搬送波の周波数とは異なり、このため送受信機によって
受信され分析される。前述した一般に譲渡された米国特
許出願第０８／０１２，１２３〔ケース番号ＴＩ−１７
５２９〕を参照されたい。
良い。特に、送受信機は、送信機及び受信機として同時
に動作し得る。即ち、送受信機は同時にキー内蔵の回路
群にエネルギーを放射すると共に、この種の回路群によ
って生成された対応する信号を分析のために受信するこ
とができる。一般に、全二重動作において、送受信機に
よってキー内蔵の回路群に放射された被変調キャリアの
周波数は、キー内蔵の回路群によって生成された被変調
搬送波の周波数とは異なり、このため送受信機によって
受信され分析される。前述した一般に譲渡された米国特
許出願第０８／０１２，１２３〔ケース番号ＴＩ−１７
５２９〕を参照されたい。
【０００９】全二重（ＦＤＸ：ｆｕｌｌ−ｄｕｐｌｅ
ｘ）トランスポンダには、質問機ユニット及びそのアン
テナによって高周波（ＲＦ）エネルギーが連続的に給電
される。トランスポンダはコイルによってエネルギーを
受ける。
ｘ）トランスポンダには、質問機ユニット及びそのアン
テナによって高周波（ＲＦ）エネルギーが連続的に給電
される。トランスポンダはコイルによってエネルギーを
受ける。
【００１０】動作時にて、全二重トランスポンダは、質
問機のアンテナが伝送し、該トランスポンダのコイルが
受信する電磁エネルギーを介して、質問機ユニットから
エネルギーを受信する。質問機に応答して、トランスポ
ンダは、トランスポンダ記憶装置が記憶する情報を検索
する。トランスポンダは、該トランスポンダのコイルを
介したエネルギー消費量を変調する変調回路にビット・
ストリームを加えることによって、減衰変調機能及び関
連する回路群を使用して情報を変調する。遠距離及び近
距離双方での適切なトランスポンダ動作のためには、減
衰変調回路からの電流はできる限り大きいことが必要で
ある。しかしながら、同時に、トランスポンダ回路の動
作では、適切に動作すべく受信したエネルギーから少な
くとも最小量の電力が必要とされる。
問機のアンテナが伝送し、該トランスポンダのコイルが
受信する電磁エネルギーを介して、質問機ユニットから
エネルギーを受信する。質問機に応答して、トランスポ
ンダは、トランスポンダ記憶装置が記憶する情報を検索
する。トランスポンダは、該トランスポンダのコイルを
介したエネルギー消費量を変調する変調回路にビット・
ストリームを加えることによって、減衰変調機能及び関
連する回路群を使用して情報を変調する。遠距離及び近
距離双方での適切なトランスポンダ動作のためには、減
衰変調回路からの電流はできる限り大きいことが必要で
ある。しかしながら、同時に、トランスポンダ回路の動
作では、適切に動作すべく受信したエネルギーから少な
くとも最小量の電力が必要とされる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の減衰変調回路
は、幾つかの制限を受けている。既知の減衰変調回路
は、異なる強度のフィールドに対しては適切に応答する
ことができない。一方、送信機信号のフィールド強度
が、例えば遠距離の場合のように極めて低ければ、減衰
変調回路内のトランジスタは導通せず、コイル電圧は、
適切なトランスポンダ回路の動作に対して必要な電圧を
下回ることになる。他方、フィールド強度が高過ぎれ
ば、同一のトランジスタは無力過ぎると共に、十分な程
度に減衰が生ぜず、この結果、適切な変調指数はトラン
スポンダ回路に帰着する。この問題は、遠距離及び近距
離動作を行おうとするときに生じるだけでなく、トラン
スポンダ回路の誘導性部分の反応電力が過度に高いか、
またはトランスポンダ回路、及び特に減衰変調回路の動
作温度が相当変化すれば生じる。
は、幾つかの制限を受けている。既知の減衰変調回路
は、異なる強度のフィールドに対しては適切に応答する
ことができない。一方、送信機信号のフィールド強度
が、例えば遠距離の場合のように極めて低ければ、減衰
変調回路内のトランジスタは導通せず、コイル電圧は、
適切なトランスポンダ回路の動作に対して必要な電圧を
下回ることになる。他方、フィールド強度が高過ぎれ
ば、同一のトランジスタは無力過ぎると共に、十分な程
度に減衰が生ぜず、この結果、適切な変調指数はトラン
スポンダ回路に帰着する。この問題は、遠距離及び近距
離動作を行おうとするときに生じるだけでなく、トラン
スポンダ回路の誘導性部分の反応電力が過度に高いか、
またはトランスポンダ回路、及び特に減衰変調回路の動
作温度が相当変化すれば生じる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記制限を鑑みて、変化
するフィールド強度条件の下で有効に動作する能力を含
む認識システムの全二重トランスポンダに対して、減衰
変調をもたらす動作に関する回路及び方法に対する必要
性がある。
するフィールド強度条件の下で有効に動作する能力を含
む認識システムの全二重トランスポンダに対して、減衰
変調をもたらす動作に関する回路及び方法に対する必要
性がある。
【００１３】トランスポンダ回路の動作に対して十分な
量の電力を残しながら、遠距離動作に対して最大電流を
もたらす認識システムのトランスポンダ用の減衰変調回
路に対する更なる必要性がある。
量の電力を残しながら、遠距離動作に対して最大電流を
もたらす認識システムのトランスポンダ用の減衰変調回
路に対する更なる必要性がある。
【００１４】また、近距離動作において、有効なトラン
スポンダの動作に対して必要な度合いの減衰変調をもた
らす認識システムのトランスポンダ用の減衰変調回路に
対する必要性がある。
スポンダの動作に対して必要な度合いの減衰変調をもた
らす認識システムのトランスポンダ用の減衰変調回路に
対する必要性がある。
【００１５】前述した欠点は、本発明の改良式減衰変調
回路によって除去されると共に、各必要性が満たされ
る。改良式減衰変調は、車両または他の機能用の点火シ
ステムまたは類似の制御機構と関連して使用可能な認識
システムのトランスポンダにおいて使用される。
回路によって除去されると共に、各必要性が満たされ
る。改良式減衰変調は、車両または他の機能用の点火シ
ステムまたは類似の制御機構と関連して使用可能な認識
システムのトランスポンダにおいて使用される。
【００１６】本発明によれば、装置の制御機構を制御す
るように動作する整合メンバーと関連する認識システム
のトランスポンダ内の減衰変調のための方法及びシステ
ムが提供される。整合メンバー及び他の非整合メンバー
は、おのおのが、送受信機から送られてきたエネルギー
を受信するとき、アンテナはトランスポンダにてそれぞ
れ独自の認識信号を生成してなる諸機能を含んでいる。
装置の制御は、制御機構の動作及び整合メンバーによる
認識信号の生成が同時に生じるときにのみ可能である。
改良式減衰変調回路は、フィールド強度条件に応じた電
流変調を行う異なる副回路を含むと共に、過電圧からト
ランスポンダを保護し、複数の電圧リミッタを備えた高
フィールド強度回路を含んでおり、電圧リミッタのおの
おのは、高フィールド強度条件にて電流を電気的アース
に流すことによってリミッタ電圧を制御する変調入力を
含んでいる。低フィールド強度回路は、全二重トランス
ポンダの残りの部分を動作させるべく電力を供給するた
めに起動される第１の複数のトランスジスタを含んでい
る。減衰変調は、エネルギーの適切な変調のために十分
な量の電流を全二重トランスポンダに流すべくフィール
ド強度を増大させる第２の複数のトランスジスタを含む
中間フィールド強度回路を更に備えている。中間フィー
ルド強度回路中の第２の複数のトランスジスタは、コン
デンサーインダクタ・タンクでの電圧のフィールド強度
に関して制御される。
るように動作する整合メンバーと関連する認識システム
のトランスポンダ内の減衰変調のための方法及びシステ
ムが提供される。整合メンバー及び他の非整合メンバー
は、おのおのが、送受信機から送られてきたエネルギー
を受信するとき、アンテナはトランスポンダにてそれぞ
れ独自の認識信号を生成してなる諸機能を含んでいる。
装置の制御は、制御機構の動作及び整合メンバーによる
認識信号の生成が同時に生じるときにのみ可能である。
改良式減衰変調回路は、フィールド強度条件に応じた電
流変調を行う異なる副回路を含むと共に、過電圧からト
ランスポンダを保護し、複数の電圧リミッタを備えた高
フィールド強度回路を含んでおり、電圧リミッタのおの
おのは、高フィールド強度条件にて電流を電気的アース
に流すことによってリミッタ電圧を制御する変調入力を
含んでいる。低フィールド強度回路は、全二重トランス
ポンダの残りの部分を動作させるべく電力を供給するた
めに起動される第１の複数のトランスジスタを含んでい
る。減衰変調は、エネルギーの適切な変調のために十分
な量の電流を全二重トランスポンダに流すべくフィール
ド強度を増大させる第２の複数のトランスジスタを含む
中間フィールド強度回路を更に備えている。中間フィー
ルド強度回路中の第２の複数のトランスジスタは、コン
デンサーインダクタ・タンクでの電圧のフィールド強度
に関して制御される。
【００１７】本発明の技術的利点は、強い変調を行っ
て、高フィールド強度条件の下で高い電流損失を生ぜし
める回路を提供することにある。減衰回路は弱い変調を
行って、低いフィールド強度条件の下で低い電流損失を
生ぜしめる。長距離動作は、この変調レベルにて本発明
を改善するものである。中間の電流損失につながる中間
の度合いの変調はまた、本発明の減衰変調回路において
可能である。中間のフィールド強度条件の下で、例えば
中間距離において、本発明のこの態様は魅力的である。
て、高フィールド強度条件の下で高い電流損失を生ぜし
める回路を提供することにある。減衰回路は弱い変調を
行って、低いフィールド強度条件の下で低い電流損失を
生ぜしめる。長距離動作は、この変調レベルにて本発明
を改善するものである。中間の電流損失につながる中間
の度合いの変調はまた、本発明の減衰変調回路において
可能である。中間のフィールド強度条件の下で、例えば
中間距離において、本発明のこの態様は魅力的である。
【００１８】本発明の別の技術的利点は、１対のみのト
ランジスタを使用する代わりに、他の減衰変調回路にお
けるように、変調に対して、本発明の減衰変調回路はト
ランジスタの組合せを使用して、近距離動作または低減
された長距離パフォーマンスにおいて、「読取りホール
（ｒｅａｄｉｎｇ ｈｏｌｅｓ）」を除去するかこれを
実質的に低減していることにある。
ランジスタを使用する代わりに、他の減衰変調回路にお
けるように、変調に対して、本発明の減衰変調回路はト
ランジスタの組合せを使用して、近距離動作または低減
された長距離パフォーマンスにおいて、「読取りホール
（ｒｅａｄｉｎｇ ｈｏｌｅｓ）」を除去するかこれを
実質的に低減していることにある。
【００１９】また、本発明の別の技術的利点は、異なる
距離条件に対して最適かつ独立して必要な減衰変調機能
を行うことによって、適切な近距離及び遠距離動作を達
成する減衰変調回路を提供することにある。中間距離に
対して、変調電流は、特殊化された電流制御応答レギュ
レーションを使用して、実際のフィールド強度に適合す
るようになっている。
距離条件に対して最適かつ独立して必要な減衰変調機能
を行うことによって、適切な近距離及び遠距離動作を達
成する減衰変調回路を提供することにある。中間距離に
対して、変調電流は、特殊化された電流制御応答レギュ
レーションを使用して、実際のフィールド強度に適合す
るようになっている。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の全二重トランスポンダ用
の減衰変調回路の好ましい実施例を各図に図示してお
り、同様の参照番号は、種々の図面の類似及び対応する
部分を参照するのに使用される。
の減衰変調回路の好ましい実施例を各図に図示してお
り、同様の参照番号は、種々の図面の類似及び対応する
部分を参照するのに使用される。
【００２１】図１ａ及び１ｂは一般に、本発明の新規の
概念を用い得る認識システム１０を図示している。先ず
図１ａを参照すると、この種のシステムは、しばしば質
問機（ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｏｒ）またはリーダ（ｒｅ
ａｄｅｒ）と呼ぶ送受信機１２、及び時々タグ（ｔａ
ｇ）と称するトランスポンダ１４を含んでいる。質問機
１２は、アンテナ１６を介してエネルギーを送受信する
ことができる携帯式または定置式ユニットである。自己
給電式または「無バッテリー式（ｂａｔｔｅｒｙｌｅｓ
ｓ）」であり得るトランスポンダ１４は、備えられたア
ンテナ１８を介してエネルギーを受信することができ、
その結果、送受信機１２に作用を及ぼすことができ、即
ちアンテナ１８を介して送受信機１２にエネルギーを送
ることができる。トランスポンダ１４は通常携帯式であ
り、一般に、同定、計数、経路付け、または分類等を要
求し得るキー状のメンバー２０と関連するかまたはこれ
に取り付けられている。
概念を用い得る認識システム１０を図示している。先ず
図１ａを参照すると、この種のシステムは、しばしば質
問機（ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｏｒ）またはリーダ（ｒｅ
ａｄｅｒ）と呼ぶ送受信機１２、及び時々タグ（ｔａ
ｇ）と称するトランスポンダ１４を含んでいる。質問機
１２は、アンテナ１６を介してエネルギーを送受信する
ことができる携帯式または定置式ユニットである。自己
給電式または「無バッテリー式（ｂａｔｔｅｒｙｌｅｓ
ｓ）」であり得るトランスポンダ１４は、備えられたア
ンテナ１８を介してエネルギーを受信することができ、
その結果、送受信機１２に作用を及ぼすことができ、即
ちアンテナ１８を介して送受信機１２にエネルギーを送
ることができる。トランスポンダ１４は通常携帯式であ
り、一般に、同定、計数、経路付け、または分類等を要
求し得るキー状のメンバー２０と関連するかまたはこれ
に取り付けられている。
【００２２】代表的使用において、質問機１２は、所定
の特性を有する、例えば高周波（ＲＦ：ｒａｄｉｏ ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ）エネルギー等の電磁エネルギーとし
て、質問機信号を連続的または選択的に伝送する。選択
的動作は、キー状メンバー２０を知覚すると共に、キー
状メンバー２０からの各信号を同定、計数、経路付けま
たは分類しようとするユーザによって手動式に開始する
ことができる。キー状メンバー２０と関連するかまたは
これに実装されるトランスポンダ１４は、質問機１２と
「整合（ｍａｔｃｈ）」し得るかまたはこれとは整合し
得ない。トランスポンダ１４が整合すれば、適切なキー
状メンバー２０が、同定及び計数、経路付け、または分
類等をされようとする。トランスポンダ１４が整合しな
ければ、適切なキー状メンバーは、同定、計数、経路付
けまたは分類等をされようとはしない。
の特性を有する、例えば高周波（ＲＦ：ｒａｄｉｏ ｆ
ｒｅｑｕｅｎｃｙ）エネルギー等の電磁エネルギーとし
て、質問機信号を連続的または選択的に伝送する。選択
的動作は、キー状メンバー２０を知覚すると共に、キー
状メンバー２０からの各信号を同定、計数、経路付けま
たは分類しようとするユーザによって手動式に開始する
ことができる。キー状メンバー２０と関連するかまたは
これに実装されるトランスポンダ１４は、質問機１２と
「整合（ｍａｔｃｈ）」し得るかまたはこれとは整合し
得ない。トランスポンダ１４が整合すれば、適切なキー
状メンバー２０が、同定及び計数、経路付け、または分
類等をされようとする。トランスポンダ１４が整合しな
ければ、適切なキー状メンバーは、同定、計数、経路付
けまたは分類等をされようとはしない。
【００２３】整合するトランスポンダ１４は、関連する
アンテナ１８を介して質問機信号を受信すると共に、所
定の認識信号を戻して、即ち、所定の流儀で質問機１２
に作用を及ぼすか、または所定の方法でコード化された
信号を質問機１２に伝送するようにする。整合しないト
ランスポンダ１４は、受信したエネルギーに全く反応し
ないか、または所定の認識信号以外のものに応答する。
質問機１２によって伝送されると共にトランスポンダ１
４によって受信される質問機信号及びその関連するエネ
ルギーにはＳ１が付されている。認識信号及びその関連
するエネルギー、または質問機信号Ｓ１に応答して認識
信号を生成する戻り信号にはＳ２が付されている。
アンテナ１８を介して質問機信号を受信すると共に、所
定の認識信号を戻して、即ち、所定の流儀で質問機１２
に作用を及ぼすか、または所定の方法でコード化された
信号を質問機１２に伝送するようにする。整合しないト
ランスポンダ１４は、受信したエネルギーに全く反応し
ないか、または所定の認識信号以外のものに応答する。
質問機１２によって伝送されると共にトランスポンダ１
４によって受信される質問機信号及びその関連するエネ
ルギーにはＳ１が付されている。認識信号及びその関連
するエネルギー、または質問機信号Ｓ１に応答して認識
信号を生成する戻り信号にはＳ２が付されている。
【００２４】前述した節で述べた型式のシステム１０
は、ＴＩＲＩＳ多様体のものであって良く、無バッテリ
ー方式、即ち、搭載電源を含み得ないトランスポンダ１
４を含むことができる。トランスポンダ１４のこれらの
型式の回路群は、アンテナ１６，１８を介して質問機１
２から受信された認識信号Ｓ１のエネルギーによって給
電される。このようにして、トランスポンダ１４は、極
度に小型にすることができる。実際に、無バッテリー型
式のトランスポンダ１４は、後の同定または計数のため
に、しばしば家蓄の皮下に埋設することができる。
は、ＴＩＲＩＳ多様体のものであって良く、無バッテリ
ー方式、即ち、搭載電源を含み得ないトランスポンダ１
４を含むことができる。トランスポンダ１４のこれらの
型式の回路群は、アンテナ１６，１８を介して質問機１
２から受信された認識信号Ｓ１のエネルギーによって給
電される。このようにして、トランスポンダ１４は、極
度に小型にすることができる。実際に、無バッテリー型
式のトランスポンダ１４は、後の同定または計数のため
に、しばしば家蓄の皮下に埋設することができる。
【００２５】前記システム１０の任意のもののトランス
ポンダ１４は、小型化を犠牲にして搭載電源によって給
電される。ＡＶＩシステム１０において、トランスポン
ダ１４は車両２２内で搬送される。例えばツール・ブー
ス等の選択された側の移動する車両に送られた質問機信
号Ｓ１に応答して、この種のトランスポンダ１４は、車
両２２の識別を質問機１２に通知する信号Ｓ２で以って
応答する。この情報は順次、請求書は後で送って、使用
料金を装置２２に支払う義務があるということを記録す
るのに使用される。
ポンダ１４は、小型化を犠牲にして搭載電源によって給
電される。ＡＶＩシステム１０において、トランスポン
ダ１４は車両２２内で搬送される。例えばツール・ブー
ス等の選択された側の移動する車両に送られた質問機信
号Ｓ１に応答して、この種のトランスポンダ１４は、車
両２２の識別を質問機１２に通知する信号Ｓ２で以って
応答する。この情報は順次、請求書は後で送って、使用
料金を装置２２に支払う義務があるということを記録す
るのに使用される。
【００２６】ＡＶＩ型式のシステム１０において、質問
機１２とトランスポンダ１４の間の分離の度合いが一般
に高いために、信号Ｓ１及びＳ２は比較的強い必要があ
る。他の認識システム１０、特に無バッテリー式のもの
において、信号Ｓ１及びＳ２は比較的弱い。いずれにし
ても、信号Ｓ１及びＳ２の適切な送信及び受信を有効に
行うことがトランスポンダ１４にとっては望ましい。
機１２とトランスポンダ１４の間の分離の度合いが一般
に高いために、信号Ｓ１及びＳ２は比較的強い必要があ
る。他の認識システム１０、特に無バッテリー式のもの
において、信号Ｓ１及びＳ２は比較的弱い。いずれにし
ても、信号Ｓ１及びＳ２の適切な送信及び受信を有効に
行うことがトランスポンダ１４にとっては望ましい。
【００２７】前記システム１０の変形例を図１ｂに図示
するが、該システムは、装置２２が制御機構２４と関連
すると共に、トランスポンダ１４が制御機構２４用のキ
ー状メンバー２６と関連することを除いて、図１ａのシ
ステムと類似している。反盗難機能に役立つ、この種の
システム１０の特定例において、装置２２は車両２８で
あって良く、制御機構２４はキー可動作式ロックを含む
点火スイッチであって良く、かつキー状メンバー２６は
キーまたは他の動作メンバーであって良い。トランスポ
ンダ１４は小型で無バッテリー式の多様型式のものであ
って良く、キー状メンバー２６中に埋設されていること
が好ましい。質問機１２のアンテナ１６に対してキー状
メンバー２６でのトランスポンダ１４のインダクタ１８
が近接配置されることによって、アンテナ１６，１８が
有効に結合されて、信号Ｓ１及びＳ２の前記送信及び受
信が行えるようになっている。
するが、該システムは、装置２２が制御機構２４と関連
すると共に、トランスポンダ１４が制御機構２４用のキ
ー状メンバー２６と関連することを除いて、図１ａのシ
ステムと類似している。反盗難機能に役立つ、この種の
システム１０の特定例において、装置２２は車両２８で
あって良く、制御機構２４はキー可動作式ロックを含む
点火スイッチであって良く、かつキー状メンバー２６は
キーまたは他の動作メンバーであって良い。トランスポ
ンダ１４は小型で無バッテリー式の多様型式のものであ
って良く、キー状メンバー２６中に埋設されていること
が好ましい。質問機１２のアンテナ１６に対してキー状
メンバー２６でのトランスポンダ１４のインダクタ１８
が近接配置されることによって、アンテナ１６，１８が
有効に結合されて、信号Ｓ１及びＳ２の前記送信及び受
信が行えるようになっている。
【００２８】図２は、本発明を用い得ると共に、特にト
ランスポンダ回路１４内の減衰変調回路４０に対する回
路構成を示す全二重トランスポンダ１４の回路群を更に
詳細に図示している。図２のトランスポンダ回路１４に
おいて、ＣＯＩＬ１はアンテナ１８及びノード４２に接
続している。ＣＯＩＬ２はまたアンテナ１８とノード４
４に接続している。アンテナＬR １８は送信機回路１２
のアンテナＬA １６から送られてきたエネルギーＳ1 を
受信すると共に、送信機回路１２のアンテナＬ A １６に
エネルギーＳ2 を送信する。コンデンサＣR ４６は、ノ
ード４２及び４４の間に接続している。ツェナーダイオ
ード４８及び５０は、アース４９からそれぞれライン５
２及び５４を絶縁分離している。全波整流器５６は、ノ
ード５８及び６０でライン５２及び５４に接続してい
る。ノード６２からは、全波整流器４０からの電圧Ｖdd
が現出する。全波整流器５６のノード６３はアース４９
に接続されている。ライン５４は減衰変調回路４０に対
する入力をもたらす。また、減衰変調回路４０は、ノー
ド６４からの電圧Ｖdd、ライン６６での変調入力、及び
ライン５２からのＣＯＩＬ１入力を受信する。安定化回
路６８は、アース４９接続及びノード７０でのＶcc出力
を含んでいる。コンデンサＣr ７２は、アース４９及び
ノード７０の間に接続している。
ランスポンダ回路１４内の減衰変調回路４０に対する回
路構成を示す全二重トランスポンダ１４の回路群を更に
詳細に図示している。図２のトランスポンダ回路１４に
おいて、ＣＯＩＬ１はアンテナ１８及びノード４２に接
続している。ＣＯＩＬ２はまたアンテナ１８とノード４
４に接続している。アンテナＬR １８は送信機回路１２
のアンテナＬA １６から送られてきたエネルギーＳ1 を
受信すると共に、送信機回路１２のアンテナＬ A １６に
エネルギーＳ2 を送信する。コンデンサＣR ４６は、ノ
ード４２及び４４の間に接続している。ツェナーダイオ
ード４８及び５０は、アース４９からそれぞれライン５
２及び５４を絶縁分離している。全波整流器５６は、ノ
ード５８及び６０でライン５２及び５４に接続してい
る。ノード６２からは、全波整流器４０からの電圧Ｖdd
が現出する。全波整流器５６のノード６３はアース４９
に接続されている。ライン５４は減衰変調回路４０に対
する入力をもたらす。また、減衰変調回路４０は、ノー
ド６４からの電圧Ｖdd、ライン６６での変調入力、及び
ライン５２からのＣＯＩＬ１入力を受信する。安定化回
路６８は、アース４９接続及びノード７０でのＶcc出力
を含んでいる。コンデンサＣr ７２は、アース４９及び
ノード７０の間に接続している。
【００２９】図３は、本実施例の必要処理及び減衰変調
動作をもたらすトランスポンダ回路１４内で生じる各信
号を図示している。図３を参照すると、タイミング基準
ｔを確立するための時間線８０が現われている。時間が
経つにつれて、線８２が描くように、ＣＯＩＬ１に対す
る被伝送信号の間に電圧信号が現われる。線８４は、ト
ランスポンダ回路１４のノード７０に生じる出力Ｖを描
いている。減衰変調ライン６６は、減衰変調回路４０に
入力される変調入力６６に対応している。ＣＯＩＬ１に
対する被伝送信号の線８２は、減衰変調入力信号６６の
ＯＦＦ信号値及びＯＮ信号値にそれぞれ応じて生じるよ
り高い振幅ピーク８６及びより低い振幅ピーク８８を含
んでいる。信号ＨＦＣＬＫ９０は、減衰変調入力信号６
６に対するタイミングをドライブまたは決定する。
動作をもたらすトランスポンダ回路１４内で生じる各信
号を図示している。図３を参照すると、タイミング基準
ｔを確立するための時間線８０が現われている。時間が
経つにつれて、線８２が描くように、ＣＯＩＬ１に対す
る被伝送信号の間に電圧信号が現われる。線８４は、ト
ランスポンダ回路１４のノード７０に生じる出力Ｖを描
いている。減衰変調ライン６６は、減衰変調回路４０に
入力される変調入力６６に対応している。ＣＯＩＬ１に
対する被伝送信号の線８２は、減衰変調入力信号６６の
ＯＦＦ信号値及びＯＮ信号値にそれぞれ応じて生じるよ
り高い振幅ピーク８６及びより低い振幅ピーク８８を含
んでいる。信号ＨＦＣＬＫ９０は、減衰変調入力信号６
６に対するタイミングをドライブまたは決定する。
【００３０】図４は、従来技術でのような減衰変調回路
４０を示している。しかしながら、ここで説明する減衰
変調回路及び本発明の減衰変調回路１４０は、類似の性
質の動作を行うことに留意されたい。しかしながら、減
衰変調回路４０は、これまでに述べた制限及び不十分さ
を全て含んでいる。図４の従来技術の減衰変調回路４０
において、ノード９２でのＣＯＩＬ１入力及びノード９
４でのＣＯＩＬ２入力がある。ノード９２のＣＯＩＬ１
は、トランジスタＮＤ１ ９８のソース９６１４に接続
している。トランジスタＮＤ１ ９８のドレインはアー
ス４９に接続している。トランジスタＮＤ１ ９８のゲ
ートは、トランジスタＮＤ２ １０８のゲート１０６を
有するノード１０４に接続している。トランジスタＮＤ
２ １０８のドレイン１１０はＣＯＩＬ２に接続してい
る。レベルシスタ回路１１２はノード１０４に信号をも
たらすと共に、ノード１１４からの電圧ＶDD及び変調入
力６６を受信する。
４０を示している。しかしながら、ここで説明する減衰
変調回路及び本発明の減衰変調回路１４０は、類似の性
質の動作を行うことに留意されたい。しかしながら、減
衰変調回路４０は、これまでに述べた制限及び不十分さ
を全て含んでいる。図４の従来技術の減衰変調回路４０
において、ノード９２でのＣＯＩＬ１入力及びノード９
４でのＣＯＩＬ２入力がある。ノード９２のＣＯＩＬ１
は、トランジスタＮＤ１ ９８のソース９６１４に接続
している。トランジスタＮＤ１ ９８のドレインはアー
ス４９に接続している。トランジスタＮＤ１ ９８のゲ
ートは、トランジスタＮＤ２ １０８のゲート１０６を
有するノード１０４に接続している。トランジスタＮＤ
２ １０８のドレイン１１０はＣＯＩＬ２に接続してい
る。レベルシスタ回路１１２はノード１０４に信号をも
たらすと共に、ノード１１４からの電圧ＶDD及び変調入
力６６を受信する。
【００３１】図５は、図３に示した信号ＨＦＣＬＫ９０
を発生するためのブロック図である。図５が示すよう
に、ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２は、クロックレギュレー
タ回路１２２に対する入力をもたらす。これに応じて、
クロックレギュレータ回路１２２は、出力ＨＦＣＬＫ９
０をもたらす。
を発生するためのブロック図である。図５が示すよう
に、ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２は、クロックレギュレー
タ回路１２２に対する入力をもたらす。これに応じて、
クロックレギュレータ回路１２２は、出力ＨＦＣＬＫ９
０をもたらす。
【００３２】図２ないし図５が指摘するように、全波整
流器回路５６は、安定化回路６８によって安定化される
パルス化直流電圧Ｖddを発生して、図３の波形Ｖcc８４
に従う電圧Ｖccを生成する。トランスポンダ回路１４の
メモリ（図示せず）は、減衰変調によってアンテナＬR
がアンテナＬA に戻す情報を記憶する。このことは、図
３のビットストリームＨＦＣＬＫ９０におけるようなビ
ットストリームの発生によって生じる。ビットストリー
ムＨＦＣＬＫ９０は変調回路（図示せず）に加えられ
て、トランジスタＮＤ１ ９８及びトランジスタＮＤ２
１０８を制御するようになっている。
流器回路５６は、安定化回路６８によって安定化される
パルス化直流電圧Ｖddを発生して、図３の波形Ｖcc８４
に従う電圧Ｖccを生成する。トランスポンダ回路１４の
メモリ（図示せず）は、減衰変調によってアンテナＬR
がアンテナＬA に戻す情報を記憶する。このことは、図
３のビットストリームＨＦＣＬＫ９０におけるようなビ
ットストリームの発生によって生じる。ビットストリー
ムＨＦＣＬＫ９０は変調回路（図示せず）に加えられ
て、トランジスタＮＤ１ ９８及びトランジスタＮＤ２
１０８を制御するようになっている。
【００３３】トランスポンダ回路１４内の満足な変調指
数に対して、変調回路のＯＮ状態の際には、ＣＯＩＬ２
に関するＣＯＩＬ４の電圧降下はできる限り大きいこと
が望ましい。一方、電圧降下は極端であることができな
い。さもなくば、クロックの中断がトランスポンダ回路
１４で生じる。図４の従来技術の減衰変調回路４０は、
全てのフィールド強度条件に対するこれらの要求を有効
には満たすことができない。
数に対して、変調回路のＯＮ状態の際には、ＣＯＩＬ２
に関するＣＯＩＬ４の電圧降下はできる限り大きいこと
が望ましい。一方、電圧降下は極端であることができな
い。さもなくば、クロックの中断がトランスポンダ回路
１４で生じる。図４の従来技術の減衰変調回路４０は、
全てのフィールド強度条件に対するこれらの要求を有効
には満たすことができない。
【００３４】これらの制限に対処すべく、本実施例は、
ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２と第３または基準電圧ＶREF
の間に差を形成するレギュレータによって、トランジス
タＮＤ１ ９８及びトランジスタＮＤ２ １０８を制御
する。ＣＯＩＬ１とＣＯＩＬ２の電圧間の差が基準電圧
ＶREF を下回らない場合、減衰変調信号がＯＮ状態であ
って、より強い減衰変調信号を生成する。ＣＯＩＬ１と
ＣＯＩＬ２の電圧間の差が電圧ＶREF の大きさを下回れ
ば、減衰変調信号はＯＦＦ状態であって、より弱い減衰
変調信号を生成する。概念上、この種の減衰変調回路
は、減衰変調波がＯＮ状態にあるとき、即ち、等価的に
変調入力信号６６がハイであるときにのみ、有効なレギ
ュレータ動作を有する。
ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２と第３または基準電圧ＶREF
の間に差を形成するレギュレータによって、トランジス
タＮＤ１ ９８及びトランジスタＮＤ２ １０８を制御
する。ＣＯＩＬ１とＣＯＩＬ２の電圧間の差が基準電圧
ＶREF を下回らない場合、減衰変調信号がＯＮ状態であ
って、より強い減衰変調信号を生成する。ＣＯＩＬ１と
ＣＯＩＬ２の電圧間の差が電圧ＶREF の大きさを下回れ
ば、減衰変調信号はＯＦＦ状態であって、より弱い減衰
変調信号を生成する。概念上、この種の減衰変調回路
は、減衰変調波がＯＮ状態にあるとき、即ち、等価的に
変調入力信号６６がハイであるときにのみ、有効なレギ
ュレータ動作を有する。
【００３５】図６は、この概念を図示し、減衰変調回路
１３０を示す本発明の一実施例を示している。図６が図
示するように、ＣＯＩＬ１は、トランジスタＮＤ１ ９
８のソース９４を供給するノード９２に対する入力をも
たらす。トランジスタＮＤ１は、ソース９４、ドレイン
１００及びゲート１０２を備えている。ゲート１０２は
ノード１０４に接続しており、該ノード１０４にはトラ
ンジスタＮＤ２ １０８のゲート１０６が接続してい
る。トランジスタＮＤ２ １０８は、ゲート１０６、ソ
ース９５及びドレイン１１０を備えている。トランジス
タＮＤ１ ９８のドレイン１００及びトランジスタＮＤ
２ １０８のドレイン１１０はアース４９に接続してい
る。減衰変調回路１３０において、トランジスタＮＤ１
９８のソース９４及びトランジスタＮＤ２ １０８の
ソース９５は信号入力をもたらして、それぞれのノード
１３４及び１３６を介して回路１３２を制御する。制御
回路１３２はまた、ノード１１４からの入力Ｖdd及び変
調入力６６を受信する。更に、それぞれ基準電圧及び基
準電流を示すＶREF （またはＩREF ）は、入力１３８を
介して制御回路１３２に加えられる。
１３０を示す本発明の一実施例を示している。図６が図
示するように、ＣＯＩＬ１は、トランジスタＮＤ１ ９
８のソース９４を供給するノード９２に対する入力をも
たらす。トランジスタＮＤ１は、ソース９４、ドレイン
１００及びゲート１０２を備えている。ゲート１０２は
ノード１０４に接続しており、該ノード１０４にはトラ
ンジスタＮＤ２ １０８のゲート１０６が接続してい
る。トランジスタＮＤ２ １０８は、ゲート１０６、ソ
ース９５及びドレイン１１０を備えている。トランジス
タＮＤ１ ９８のドレイン１００及びトランジスタＮＤ
２ １０８のドレイン１１０はアース４９に接続してい
る。減衰変調回路１３０において、トランジスタＮＤ１
９８のソース９４及びトランジスタＮＤ２ １０８の
ソース９５は信号入力をもたらして、それぞれのノード
１３４及び１３６を介して回路１３２を制御する。制御
回路１３２はまた、ノード１１４からの入力Ｖdd及び変
調入力６６を受信する。更に、それぞれ基準電圧及び基
準電流を示すＶREF （またはＩREF ）は、入力１３８を
介して制御回路１３２に加えられる。
【００３６】減衰変調回路１３０は、本発明に対して予
め同定された各必要性を満たす多くの可能回路のうちの
１つに過ぎず、減衰電流を制御すると共に、全波整流器
５６若しくは電圧または電流リミッタ中の電流を測定す
る回路をもたらして、トランスポンダ回路１４に達する
実際の電界強度に反映する値を得るようになっている。
換言すれば、フィールド強度が高ければ、制御回路１３
２は減衰電流を増加させる。逆に、フィールド強度が低
ければ、制御回路１３２は減衰電流を減少させる。但
し、本発明の諸目的を達成する他の実施例がある。
め同定された各必要性を満たす多くの可能回路のうちの
１つに過ぎず、減衰電流を制御すると共に、全波整流器
５６若しくは電圧または電流リミッタ中の電流を測定す
る回路をもたらして、トランスポンダ回路１４に達する
実際の電界強度に反映する値を得るようになっている。
換言すれば、フィールド強度が高ければ、制御回路１３
２は減衰電流を増加させる。逆に、フィールド強度が低
ければ、制御回路１３２は減衰電流を減少させる。但
し、本発明の諸目的を達成する他の実施例がある。
【００３７】従って、図７は、レギュレータ回路１４０
の構成における本発明の代替実施例を図示している。Ｃ
ＯＩＬ１は、ノード１４２，１４４，１４６、及び１４
８に接続している。ノード１４２はトランジスタＮＤ１
Ａ１５２のソース１５０に接続しており、該トランジス
タＮＤ１Ａ１５２のドレイン１５４はアース４９に接続
している。トランジスタＮＤ１Ａ１５２のゲート１５６
は、制御回路１３２からの入力を受信する。ノード１４
４はトランジスタＮＤ１Ｂ１６０のソースに接続してお
り、該トランジスタＮＤ１Ｂ１６０のドレイン１６２は
アース４９に接続している。トランジスタＮＤ１Ｂ１６
０のゲート１６４は、制御回路１３２からの入力を受信
する。ノード１４６はトランジスタＮＤ１Ｃ１６８のソ
ースに接続され、該トランジスタＮＤ１Ｃのドレインは
アース１４９に接続している。ノード１４８はトランジ
スタＮＤ１Ｋ１７４のソース１７２に接続している。ト
ランジスタＮＤ１Ｋ１７４のドレイン１７６はアース４
９に接続され、かつゲート１７８は、制御回路１３２か
らの入力を受信する。制御回路１３２は、入力Ｖdd１１
４、入力ＶREF １３８、及び変調入力６６を受信して、
トランジスタＮＤ１Ａ１５２、トランジスタＮＤ１Ｂ１
６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８、及びトランジスタ
ＮＤ１Ｋ１７４の各機能を制御する。好ましい実施例は
また、ＣＯＩＬ１に対して図７に現われているように、
ＣＯＩＬ２に対する対称回路を含んでいる。
の構成における本発明の代替実施例を図示している。Ｃ
ＯＩＬ１は、ノード１４２，１４４，１４６、及び１４
８に接続している。ノード１４２はトランジスタＮＤ１
Ａ１５２のソース１５０に接続しており、該トランジス
タＮＤ１Ａ１５２のドレイン１５４はアース４９に接続
している。トランジスタＮＤ１Ａ１５２のゲート１５６
は、制御回路１３２からの入力を受信する。ノード１４
４はトランジスタＮＤ１Ｂ１６０のソースに接続してお
り、該トランジスタＮＤ１Ｂ１６０のドレイン１６２は
アース４９に接続している。トランジスタＮＤ１Ｂ１６
０のゲート１６４は、制御回路１３２からの入力を受信
する。ノード１４６はトランジスタＮＤ１Ｃ１６８のソ
ースに接続され、該トランジスタＮＤ１Ｃのドレインは
アース１４９に接続している。ノード１４８はトランジ
スタＮＤ１Ｋ１７４のソース１７２に接続している。ト
ランジスタＮＤ１Ｋ１７４のドレイン１７６はアース４
９に接続され、かつゲート１７８は、制御回路１３２か
らの入力を受信する。制御回路１３２は、入力Ｖdd１１
４、入力ＶREF １３８、及び変調入力６６を受信して、
トランジスタＮＤ１Ａ１５２、トランジスタＮＤ１Ｂ１
６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８、及びトランジスタ
ＮＤ１Ｋ１７４の各機能を制御する。好ましい実施例は
また、ＣＯＩＬ１に対して図７に現われているように、
ＣＯＩＬ２に対する対称回路を含んでいる。
【００３８】代替的実施例の減衰変調回路１４０におい
て、図６のトランジスタＮＤ１ ９８及びトランジスタ
ＮＤ２ １０８は、より小型のトランジスタに「分離
（ｓｐｌｉｔ）」されている。例えば、トランジスタＮ
Ｄ１ ９８は、トランジスタＮＤ１Ａ１５２、トランジ
スタＮＤ１Ｂ１６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８、及
びトランジスタＮＤ１Ｋ１７４（番号が望まれるものは
何でも）に分離し得る。この構成において、低フィール
ド強度条件があれば、１個のトランジスタのみ、例えば
トランジスタＮＤ１Ａ１５２が起動されることとなる。
フィールド強度が増大するにつれて、減衰変調回路１４
０の全てのトランジスタＮＤ１が起動されるまで、トラ
ンジスタＮＤ１Ｂ１６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８
等を起動することができる。
て、図６のトランジスタＮＤ１ ９８及びトランジスタ
ＮＤ２ １０８は、より小型のトランジスタに「分離
（ｓｐｌｉｔ）」されている。例えば、トランジスタＮ
Ｄ１ ９８は、トランジスタＮＤ１Ａ１５２、トランジ
スタＮＤ１Ｂ１６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８、及
びトランジスタＮＤ１Ｋ１７４（番号が望まれるものは
何でも）に分離し得る。この構成において、低フィール
ド強度条件があれば、１個のトランジスタのみ、例えば
トランジスタＮＤ１Ａ１５２が起動されることとなる。
フィールド強度が増大するにつれて、減衰変調回路１４
０の全てのトランジスタＮＤ１が起動されるまで、トラ
ンジスタＮＤ１Ｂ１６０、トランジスタＮＤ１Ｃ１６８
等を起動することができる。
【００３９】図８は、本発明の制御回路１３２の一実施
例を図示している。制御回路１３２は、ノード１８０及
び１３２からそれぞれコイル２入力及びコイル１入力を
受信する。スイッチ１８４及び１８６は、レベルシフタ
回路１１２による制御１８２に応答する。レベルシフタ
回路１１２は、信号ＨＦＣＬＫ９０に応答する。スイッ
チ１８４及び１８６が閉じたとき、入力Ｖ１はライン１
８８を介して比較器１９０の「＋」端子に加わる。入力
１９２において、比較器１９０は、入力信号Ｖ REF を受
信する。変調入力６６もまた比較器１９０に加えられ、
該比較器１９０はこれに応答してライン１９４上に出力
ＭＯＤＧを発生する。ライン１９４上の出力ＭＯＤＧ
は、トランジスタＮＤ１ ９８のゲート１０２とトラン
ジスタＮＤ２ １０８にノード１０４を介して加わる。
例を図示している。制御回路１３２は、ノード１８０及
び１３２からそれぞれコイル２入力及びコイル１入力を
受信する。スイッチ１８４及び１８６は、レベルシフタ
回路１１２による制御１８２に応答する。レベルシフタ
回路１１２は、信号ＨＦＣＬＫ９０に応答する。スイッ
チ１８４及び１８６が閉じたとき、入力Ｖ１はライン１
８８を介して比較器１９０の「＋」端子に加わる。入力
１９２において、比較器１９０は、入力信号Ｖ REF を受
信する。変調入力６６もまた比較器１９０に加えられ、
該比較器１９０はこれに応答してライン１９４上に出力
ＭＯＤＧを発生する。ライン１９４上の出力ＭＯＤＧ
は、トランジスタＮＤ１ ９８のゲート１０２とトラン
ジスタＮＤ２ １０８にノード１０４を介して加わる。
【００４０】図８の制御回路１３２において、信号ＭＯ
ＤＧは、比較器１９０の利得Ａに、入力Ｖ1 及び入力Ｖ
REF の間の差を乗じたもの、即ちＭＯＤＧ＝Ａ（Ｖ1 −
ＶRE F ）として定義される。変調入力６６は、パワーダ
ウン状態では零に等しい。このことによって、変調出力
信号ＭＯＤＧが零に等しくされる。比較器１９０は変調
入力６６によって使用可能にされ、変調信号値が零に対
しては電力を消費することはない。比較器１９０は、Ｃ
ＯＩＬ１またはＣＯＩＬ２からの電圧が電圧値ＶREF を
超えたとき、トランジスタＮＤ１ ９８及びトランジス
タＮＤ２ １０８をオンに切り換える。クロック信号Ｈ
ＦＣＬＫが１に等しいとき、制御回路１３２はＣＯＩＬ
１を選択する。クロック信号ＨＦＣＬＫが０に等しいと
き、制御回路１３２はＣＯＩＬ２を選択する。制御回路
１３２において、比較器１９０の入力電圧Ｖ１として電
圧Ｖddを使用することが望ましく、かつこのことは可能
である。これは、電圧Ｖddが全波整流器５６の電圧ＣＯ
ＩＬ１及びＣＯＩＬ２の組合せであるからである。
ＤＧは、比較器１９０の利得Ａに、入力Ｖ1 及び入力Ｖ
REF の間の差を乗じたもの、即ちＭＯＤＧ＝Ａ（Ｖ1 −
ＶRE F ）として定義される。変調入力６６は、パワーダ
ウン状態では零に等しい。このことによって、変調出力
信号ＭＯＤＧが零に等しくされる。比較器１９０は変調
入力６６によって使用可能にされ、変調信号値が零に対
しては電力を消費することはない。比較器１９０は、Ｃ
ＯＩＬ１またはＣＯＩＬ２からの電圧が電圧値ＶREF を
超えたとき、トランジスタＮＤ１ ９８及びトランジス
タＮＤ２ １０８をオンに切り換える。クロック信号Ｈ
ＦＣＬＫが１に等しいとき、制御回路１３２はＣＯＩＬ
１を選択する。クロック信号ＨＦＣＬＫが０に等しいと
き、制御回路１３２はＣＯＩＬ２を選択する。制御回路
１３２において、比較器１９０の入力電圧Ｖ１として電
圧Ｖddを使用することが望ましく、かつこのことは可能
である。これは、電圧Ｖddが全波整流器５６の電圧ＣＯ
ＩＬ１及びＣＯＩＬ２の組合せであるからである。
【００４１】図９は、図７の減衰変調回路１４０に使用
する代替的実施例の制御回路２００を示している。代替
的実施例の制御回路２００において、変調入力６６はレ
ベルシフタ回路１１２に加えられる。以下に説明する図
１０は、レベルシフタ回路１１２の本実施例の構成要素
を示している。レベルシフタ回路１１２はライン１１４
で入力Ｖddを受信して、ライン２０２上に出力を生成す
る。ダイオードＤＡ，ＤＢ及びＤＣには、ノード２０４
から始まって、ダイオードＤＡ及びＤＢ間のノード２０
６と、ダイオードＤＢ及びＤＣ間のノード２０８が順次
対応している。制御回路２００を制御する異なる個数の
トランジスタに応じて、より多くのダイオード／ノード
接続を所望することができる。ノード２０４の電圧レベ
ルＶＧＡはトランジスタＮＤ１Ａ１５２のゲート１５６
に加えられる。ノード２０６の電圧はノード２１０に加
えられて、アース４９に接続しているレジスタＲB １２
を介して、ノード２１０のトランジスタＮＤ１Ｂ１６０
の電圧ＶＧＢを確立するようになっている。ノード２０
８の電圧はノード２１４に加えられて、トランジスタＮ
Ｄ１Ｃ１６８のゲート１７１の電圧ＶＧＣを確立するよ
うになっている。
する代替的実施例の制御回路２００を示している。代替
的実施例の制御回路２００において、変調入力６６はレ
ベルシフタ回路１１２に加えられる。以下に説明する図
１０は、レベルシフタ回路１１２の本実施例の構成要素
を示している。レベルシフタ回路１１２はライン１１４
で入力Ｖddを受信して、ライン２０２上に出力を生成す
る。ダイオードＤＡ，ＤＢ及びＤＣには、ノード２０４
から始まって、ダイオードＤＡ及びＤＢ間のノード２０
６と、ダイオードＤＢ及びＤＣ間のノード２０８が順次
対応している。制御回路２００を制御する異なる個数の
トランジスタに応じて、より多くのダイオード／ノード
接続を所望することができる。ノード２０４の電圧レベ
ルＶＧＡはトランジスタＮＤ１Ａ１５２のゲート１５６
に加えられる。ノード２０６の電圧はノード２１０に加
えられて、アース４９に接続しているレジスタＲB １２
を介して、ノード２１０のトランジスタＮＤ１Ｂ１６０
の電圧ＶＧＢを確立するようになっている。ノード２０
８の電圧はノード２１４に加えられて、トランジスタＮ
Ｄ１Ｃ１６８のゲート１７１の電圧ＶＧＣを確立するよ
うになっている。
【００４２】図９の代替的実施例の減衰変調回路２００
において、１の値をとる変調入力信号６６に対して、電
圧レベルＶＧＡは略Ｖddの値をとるので、トランジスタ
ＮＤ１Ａ１５６のゲート１５６はオンに切り換わる。従
って、電圧Ｖddが降下し、一種の平衡が生じ、この結
果、電圧ＶＧＡが所望する低い値に降下するまで、トラ
ンジスタＮＤ１Ａ１５６を通る電流は上昇する。この状
態で、Ｖddが依然として十分に高ければ、ダイオードＤ
Ａは導通する。これによって、トランジスタＮＤ１Ｂ１
６０がオンに切り換えられ、従って、新たな平衡状態が
生じるまで、Ｖddは更に降下する。抵抗器ＲB ２１２
は、（（ＶGB＋０．７Ｖ）未満の値を有する）Ｖddに対
して、電圧ＶＧＢを放電する。Ｖddの電圧レベルが依然
として高ければ、ダイオードＤB は導通することがで
き、次いでトランジスタＮＤ１Ｃ１６８がオンに切り換
わる。この過程は、トランジスタＮＤ１Ｋの個数及び電
圧Ｖddの値に応じて継続し得る。また、ダイオードＤＡ
ないしＤＣ、または減衰変調回路２００の同様のダイオ
ード構成を使用することに対抗するものとして、抵抗性
分圧器網を使用して電圧ＶGB及びＶGCを発生させるよう
にすることが望ましいことに留意されたい。この場合、
多数のトランジスタＮＤ１は、異なるソース抵抗を有す
るソースホロワ式トランジスタであって良い。
において、１の値をとる変調入力信号６６に対して、電
圧レベルＶＧＡは略Ｖddの値をとるので、トランジスタ
ＮＤ１Ａ１５６のゲート１５６はオンに切り換わる。従
って、電圧Ｖddが降下し、一種の平衡が生じ、この結
果、電圧ＶＧＡが所望する低い値に降下するまで、トラ
ンジスタＮＤ１Ａ１５６を通る電流は上昇する。この状
態で、Ｖddが依然として十分に高ければ、ダイオードＤ
Ａは導通する。これによって、トランジスタＮＤ１Ｂ１
６０がオンに切り換えられ、従って、新たな平衡状態が
生じるまで、Ｖddは更に降下する。抵抗器ＲB ２１２
は、（（ＶGB＋０．７Ｖ）未満の値を有する）Ｖddに対
して、電圧ＶＧＢを放電する。Ｖddの電圧レベルが依然
として高ければ、ダイオードＤB は導通することがで
き、次いでトランジスタＮＤ１Ｃ１６８がオンに切り換
わる。この過程は、トランジスタＮＤ１Ｋの個数及び電
圧Ｖddの値に応じて継続し得る。また、ダイオードＤＡ
ないしＤＣ、または減衰変調回路２００の同様のダイオ
ード構成を使用することに対抗するものとして、抵抗性
分圧器網を使用して電圧ＶGB及びＶGCを発生させるよう
にすることが望ましいことに留意されたい。この場合、
多数のトランジスタＮＤ１は、異なるソース抵抗を有す
るソースホロワ式トランジスタであって良い。
【００４３】図１０は、図９の制御回路２００に使用さ
れる本実施例のレベルシフタ回路１１２の一実施例をも
たらしている。レベルシフタ回路１１２は、比較器２２
０に入力される変調入力６６を含んでいる。比較器２２
０はトランジスタ２２２に対してソース電流をもたら
し、該トランジスタ２２２のゲート２２４は電圧レベル
Ｖccを受信する。ドレイン２２６はノード２２８に接続
し、該ノード２２８はトランジスタ２３２のソース２３
０に接続している。トランジスタ２３２はライン２０２
に接続するゲート２３４を備え、該ライン２０２は制御
回路２００（図９）のノード２０４に対して電圧ＶＧＡ
を供給する。ドレイン２３６は、電位Ｖddにあるノード
２３８に接続している。ノード２２８からのライン２４
０はノード２４２に接続しており、該ノード２４２は、
反転後のトランジスタ２４６のゲート２４４と、トラン
ジスタ２５０のゲート２４８に対して並列接続をもたら
している。トランジスタ２４６のソース２５２及びトラ
ンジスタ２５０のソース２５４は、電圧レベルＶＧＡを
もたらすライン２０２に対して、ノード２５６で並列に
接続している。トランジスタ２４６のドレイン２５８
は、電圧Ｖdd１１４をとるノード２６０に接続してい
る。トランジスタ２５０のドレイン２６２はアース４９
に接続している。
れる本実施例のレベルシフタ回路１１２の一実施例をも
たらしている。レベルシフタ回路１１２は、比較器２２
０に入力される変調入力６６を含んでいる。比較器２２
０はトランジスタ２２２に対してソース電流をもたら
し、該トランジスタ２２２のゲート２２４は電圧レベル
Ｖccを受信する。ドレイン２２６はノード２２８に接続
し、該ノード２２８はトランジスタ２３２のソース２３
０に接続している。トランジスタ２３２はライン２０２
に接続するゲート２３４を備え、該ライン２０２は制御
回路２００（図９）のノード２０４に対して電圧ＶＧＡ
を供給する。ドレイン２３６は、電位Ｖddにあるノード
２３８に接続している。ノード２２８からのライン２４
０はノード２４２に接続しており、該ノード２４２は、
反転後のトランジスタ２４６のゲート２４４と、トラン
ジスタ２５０のゲート２４８に対して並列接続をもたら
している。トランジスタ２４６のソース２５２及びトラ
ンジスタ２５０のソース２５４は、電圧レベルＶＧＡを
もたらすライン２０２に対して、ノード２５６で並列に
接続している。トランジスタ２４６のドレイン２５８
は、電圧Ｖdd１１４をとるノード２６０に接続してい
る。トランジスタ２５０のドレイン２６２はアース４９
に接続している。
【００４４】図１１は、ＲＦリミッタ回路２８０として
本発明のまた別の代替実施例を図示している。ＲＦリミ
ッタ回路２８は、ノード２８２，２８４及び２８６にお
いてＣＯＩＬ１接続を含んでいる。既に説明した実施例
におけるように、１つのコイル構成のみが示されてい
る。他のコイル、即ちこの場合ＣＯＩＬ２に対するコイ
ル接続は、説明した構成に対して容易に対称をなし得
る。ＲＦリミッタ回路２８０において、ノード２８２
は、トランジスタＮ１ ２８８のソース２９０をＣＯＩ
Ｌ１に接続している。ドレイン２９２はアース４９に接
続され、ゲート２９４はノード２９６にてトランジスタ
Ｐ１ ３００のドレイン２９８及び抵抗器Ｒ１３０２に
接続している。トランジスタＰ１ ３００はソース３０
４がノード２８４に接続し、ゲート３０６がノード３０
８に接続している。抵抗器Ｒ２ ３１０はノード２８６
及びノード３０８の間に接続している。トランジスタＮ
５ ３１２はゲート３１４及びソース３１６がノード３
０８に接続し、ドレイン３１８がノード３２０に接続し
ている。トランジスタＮ４ ３２２はゲート３２４及び
ソース３２６がノード３２０に接続し、ドレイン３２８
がノード３３０に接続している。ノード３３０はまたト
ランジスタＮ７ ３３４のソース３３２にも接続してい
る。トランジスタＮ７ ３３４のゲート３３６は、入力
信号ＧＮ７を受信する。トランジスタＮ７ ３３４のド
レイン３３８はアース４９に接続している。ノード３４
０はゲート３４２に接続し、該ゲート３４２はノード３
５０に接続している。ノード３５０はまたトランジスタ
Ｎ６ ３５４のソース３５２にも接続し、ゲート３５６
は入力信号ＧＮ６を受信する。トランジスタＮ６ ３５
４のドレイン３５８はアース４９に接続している。ノー
ド３６０はトランジスタＮ２３６６のソース３６２及び
ゲート３６４の双方に接続し、該トランジスタＮ２３６
６のドレイン３６８はアース４９に接続している。
本発明のまた別の代替実施例を図示している。ＲＦリミ
ッタ回路２８は、ノード２８２，２８４及び２８６にお
いてＣＯＩＬ１接続を含んでいる。既に説明した実施例
におけるように、１つのコイル構成のみが示されてい
る。他のコイル、即ちこの場合ＣＯＩＬ２に対するコイ
ル接続は、説明した構成に対して容易に対称をなし得
る。ＲＦリミッタ回路２８０において、ノード２８２
は、トランジスタＮ１ ２８８のソース２９０をＣＯＩ
Ｌ１に接続している。ドレイン２９２はアース４９に接
続され、ゲート２９４はノード２９６にてトランジスタ
Ｐ１ ３００のドレイン２９８及び抵抗器Ｒ１３０２に
接続している。トランジスタＰ１ ３００はソース３０
４がノード２８４に接続し、ゲート３０６がノード３０
８に接続している。抵抗器Ｒ２ ３１０はノード２８６
及びノード３０８の間に接続している。トランジスタＮ
５ ３１２はゲート３１４及びソース３１６がノード３
０８に接続し、ドレイン３１８がノード３２０に接続し
ている。トランジスタＮ４ ３２２はゲート３２４及び
ソース３２６がノード３２０に接続し、ドレイン３２８
がノード３３０に接続している。ノード３３０はまたト
ランジスタＮ７ ３３４のソース３３２にも接続してい
る。トランジスタＮ７ ３３４のゲート３３６は、入力
信号ＧＮ７を受信する。トランジスタＮ７ ３３４のド
レイン３３８はアース４９に接続している。ノード３４
０はゲート３４２に接続し、該ゲート３４２はノード３
５０に接続している。ノード３５０はまたトランジスタ
Ｎ６ ３５４のソース３５２にも接続し、ゲート３５６
は入力信号ＧＮ６を受信する。トランジスタＮ６ ３５
４のドレイン３５８はアース４９に接続している。ノー
ド３６０はトランジスタＮ２３６６のソース３６２及び
ゲート３６４の双方に接続し、該トランジスタＮ２３６
６のドレイン３６８はアース４９に接続している。
【００４５】ＲＦリミッタ減衰変調回路２８０は、異な
る回路構成を用いて、トランスポンダ回路１４用の電圧
ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２の減衰変調を維持する。ＲＦ
リミッタ減衰変調回路２８０において、ノード２８２の
電圧が十分に高ければ、電流は抵抗器Ｒ２ ３１０と、
トランジスタの連鎖、この場合は、トランジスタＮ２３
６６、トランジスタＮ３ ３４６、トランジスタＮ４
３２２及びトランジスタＮ５ ３１２を含むトランジス
タの連鎖を通して流れる。順次、トランジスタＰ１ ３
００がオンに切り換わり導通して、抵抗器Ｒ１ ３０２
に電流を流す。この電流で以って、トランジスタＮ１
２８８が導通してノード２８２の電圧を制限する。入力
信号ＧＮ６が１に等しければ、トランジスタＮ６ ３５
４はトランジスタＮ２ ３６６を短絡させる。これによ
って、トランジスタＮ５ ３１２が金属で短絡されたな
らば現われる電圧に本質的に等しいレベルまで、ＲＦリ
ミッタ電圧が降下させられる。同様に、トランジスタＮ
７ ３３４のゲートに対する入力信号ＧＮ７が１に等し
ければ、ＲＦリミッタ２８０は更に降下する。
る回路構成を用いて、トランスポンダ回路１４用の電圧
ＣＯＩＬ１及びＣＯＩＬ２の減衰変調を維持する。ＲＦ
リミッタ減衰変調回路２８０において、ノード２８２の
電圧が十分に高ければ、電流は抵抗器Ｒ２ ３１０と、
トランジスタの連鎖、この場合は、トランジスタＮ２３
６６、トランジスタＮ３ ３４６、トランジスタＮ４
３２２及びトランジスタＮ５ ３１２を含むトランジス
タの連鎖を通して流れる。順次、トランジスタＰ１ ３
００がオンに切り換わり導通して、抵抗器Ｒ１ ３０２
に電流を流す。この電流で以って、トランジスタＮ１
２８８が導通してノード２８２の電圧を制限する。入力
信号ＧＮ６が１に等しければ、トランジスタＮ６ ３５
４はトランジスタＮ２ ３６６を短絡させる。これによ
って、トランジスタＮ５ ３１２が金属で短絡されたな
らば現われる電圧に本質的に等しいレベルまで、ＲＦリ
ミッタ電圧が降下させられる。同様に、トランジスタＮ
７ ３３４のゲートに対する入力信号ＧＮ７が１に等し
ければ、ＲＦリミッタ２８０は更に降下する。
【００４６】本発明の発明力のある概念を達成するため
の他の代替例は、例えば、Ｎ型及びＰ型トランジスタの
相補的使用、バイポーラ・トランジスタの使用、または
他の方法を含んで、当業者の能力の範囲内にあるダイオ
ードを短絡させることができる。従って、本質的に、本
発明は、電圧制御式ツェナーダイオードと同様の方法で
動作する回路を含むように考えることができる。
の他の代替例は、例えば、Ｎ型及びＰ型トランジスタの
相補的使用、バイポーラ・トランジスタの使用、または
他の方法を含んで、当業者の能力の範囲内にあるダイオ
ードを短絡させることができる。従って、本質的に、本
発明は、電圧制御式ツェナーダイオードと同様の方法で
動作する回路を含むように考えることができる。
【００４７】要約すると、本発明は、装置の制御機構を
制御すべく整合メンバーと関連する全二重トランスポン
ダ用の減衰変調回路を提供する。整合メンバー及び他の
非整合メンバーは、おのおのが、送受信機から送られて
きたエネルギーを受信するとき、アンテナがトランスポ
ンダにてそれぞれの独自の認識信号を生成する各機能を
含んでいる。装置の制御は、制御機構の動作及び整合メ
ンバーによる認識信号の生成の双方が同時に生じるとき
にのみ可能とされ、この際、改良式減衰変調回路は、高
フィールド強度条件にて全二重トランスポンダに電力に
供給すると共に、全二重トランスポンダを過電圧から保
護する第１のセットの回路要素を備えた高フィールド強
度回路を含んでいる。低フィールド強度回路は、低フィ
ールド強度条件にて全二重トランスポンダに部分的に電
力及び変調をもたらす第２の複数の回路要素を含み、中
間フィールド強度回路は、中間フィールド強度条件に
て、全二重トランスポンダに電力及び変調入力をもたら
す第３の複数の回路要素を備えている。
制御すべく整合メンバーと関連する全二重トランスポン
ダ用の減衰変調回路を提供する。整合メンバー及び他の
非整合メンバーは、おのおのが、送受信機から送られて
きたエネルギーを受信するとき、アンテナがトランスポ
ンダにてそれぞれの独自の認識信号を生成する各機能を
含んでいる。装置の制御は、制御機構の動作及び整合メ
ンバーによる認識信号の生成の双方が同時に生じるとき
にのみ可能とされ、この際、改良式減衰変調回路は、高
フィールド強度条件にて全二重トランスポンダに電力に
供給すると共に、全二重トランスポンダを過電圧から保
護する第１のセットの回路要素を備えた高フィールド強
度回路を含んでいる。低フィールド強度回路は、低フィ
ールド強度条件にて全二重トランスポンダに部分的に電
力及び変調をもたらす第２の複数の回路要素を含み、中
間フィールド強度回路は、中間フィールド強度条件に
て、全二重トランスポンダに電力及び変調入力をもたら
す第３の複数の回路要素を備えている。
【００４８】以上、この発明を例示的実施例を参照して
詳細に説明したが、この説明は例証として挙げたもので
あり、限定的意味に解釈されるものではないことは言う
までもない。特許請求の範囲に定義されたこの発明の精
神及び範囲から逸脱することなく、種々の変形、変換及
び代替を行い得ることを了知すべきである。
詳細に説明したが、この説明は例証として挙げたもので
あり、限定的意味に解釈されるものではないことは言う
までもない。特許請求の範囲に定義されたこの発明の精
神及び範囲から逸脱することなく、種々の変形、変換及
び代替を行い得ることを了知すべきである。
【００４９】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
る。
【００５０】（１）装置の制御機構を制御するように動
作する整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良
式減衰変調回路であって、前記整合メンバー及び他の非
整合メンバーが、おのおのが、送受信機から送られてき
たエネルギーを受信するとき、アンテナが前記トランス
ポンダにてそれぞれの独自の認識信号を生成してなる各
機能を含み、前記制御機構の動作及び前記整合メンバー
による認識信号の生成が同時に起こるときにのみ、前記
装置の制御が可能である前記改良式減衰変調回路におい
て、過電圧から前記全二重トランスポンダを保護し、複
数の電圧リミッタを備えている高フィールド強度回路で
あって、前記電圧リミッタのおのおのが、高フィールド
強度条件にて電流を電気的アースに流すことによってリ
ミッタ電圧を制御する変調入力を備えてなる前記高フィ
ールド強度回路と、低フィールド強度条件にて前記全二
重トランスポンダを動作させるための電力をもたらすべ
く起動される第１の複数のトランジスタを備えた低フィ
ールド強度回路と、前記全二重トランスポンダ内の所望
する度合いのエネルギーの変調に対して十分な量の電流
を確立すべくフィールド強度を増大させる第２の複数の
トランジスタであって、前記全二重トランスポンダ内の
電圧のフィールド強度に関して制御されてなる前記第２
の複数のトランジスタを備えた中間フィールド強度回路
と、を具備したことを特徴とする前記改良式減衰変調回
路。
作する整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良
式減衰変調回路であって、前記整合メンバー及び他の非
整合メンバーが、おのおのが、送受信機から送られてき
たエネルギーを受信するとき、アンテナが前記トランス
ポンダにてそれぞれの独自の認識信号を生成してなる各
機能を含み、前記制御機構の動作及び前記整合メンバー
による認識信号の生成が同時に起こるときにのみ、前記
装置の制御が可能である前記改良式減衰変調回路におい
て、過電圧から前記全二重トランスポンダを保護し、複
数の電圧リミッタを備えている高フィールド強度回路で
あって、前記電圧リミッタのおのおのが、高フィールド
強度条件にて電流を電気的アースに流すことによってリ
ミッタ電圧を制御する変調入力を備えてなる前記高フィ
ールド強度回路と、低フィールド強度条件にて前記全二
重トランスポンダを動作させるための電力をもたらすべ
く起動される第１の複数のトランジスタを備えた低フィ
ールド強度回路と、前記全二重トランスポンダ内の所望
する度合いのエネルギーの変調に対して十分な量の電流
を確立すべくフィールド強度を増大させる第２の複数の
トランジスタであって、前記全二重トランスポンダ内の
電圧のフィールド強度に関して制御されてなる前記第２
の複数のトランジスタを備えた中間フィールド強度回路
と、を具備したことを特徴とする前記改良式減衰変調回
路。
【００５１】（２）第１項記載の装置において、前記高
フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際に前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオン
に切り換わることに関連する複数のトランジスタを備え
たことを特徴とする前記装置。
フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際に前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオン
に切り換わることに関連する複数のトランジスタを備え
たことを特徴とする前記装置。
【００５２】（３）第１項記載の装置において、前記低
フィールド強度回路が、低フィールド強度条件の際に最
小のサブセットの複数のトランジスタのみがオンに切り
換わることによって、低フィールド強度条件の際に前記
トランスポンダ回路に最大量の電力をもたらすようにな
っていることに関連する前記複数のトランジスタを備え
たことを特徴とする前記装置。
フィールド強度回路が、低フィールド強度条件の際に最
小のサブセットの複数のトランジスタのみがオンに切り
換わることによって、低フィールド強度条件の際に前記
トランスポンダ回路に最大量の電力をもたらすようにな
っていることに関連する前記複数のトランジスタを備え
たことを特徴とする前記装置。
【００５３】（４）第１項記載の装置において、前記中
間フィールド強度回路が、前記トランスポンダ回路を有
する残りの回路群に所要量の電力を供給しながら、中間
フィールド強度条件の際に前記トランスポンダ回路内の
電圧を制限すべく複数のトランジスタの全てのものより
少ないものがオンに切り換わることに関連する前記複数
のトランジスタを備えたことを特徴とする前記装置。
間フィールド強度回路が、前記トランスポンダ回路を有
する残りの回路群に所要量の電力を供給しながら、中間
フィールド強度条件の際に前記トランスポンダ回路内の
電圧を制限すべく複数のトランジスタの全てのものより
少ないものがオンに切り換わることに関連する前記複数
のトランジスタを備えたことを特徴とする前記装置。
【００５４】（５）第１項記載の装置において、前記高
フィールド強度回路が、複数のトランジスタと、前記ト
ランスポンダ回路によって受信されるフィールド強度に
応じて前記トランジスタの動作を制限する複数の関連す
るダイオードとを含むネットワークを備えたことを特徴
とする前記装置。
フィールド強度回路が、複数のトランジスタと、前記ト
ランスポンダ回路によって受信されるフィールド強度に
応じて前記トランジスタの動作を制限する複数の関連す
るダイオードとを含むネットワークを備えたことを特徴
とする前記装置。
【００５５】（６）第１項記載の装置において、前記高
フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際に前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオン
に切り換わることに関連する複数のトランジスタを含む
ネットワークを備えたことを特徴とする前記装置。
フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際に前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオン
に切り換わることに関連する複数のトランジスタを含む
ネットワークを備えたことを特徴とする前記装置。
【００５６】（７）装置の制御機構を制御するように動
作する整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良
式減衰変調回路を形成する方法であって、前記整合メン
バー及び他の非整合メンバーが、おのおのが、送受信機
から送られてきたエネルギーを受信するとき、アンテナ
が前記トランスポンダにてそれぞれの独自の認識信号を
生成してなる各機能を含み、前記制御機構の動作及び前
記整合メンバーによる認識信号の生成が同時に起こると
きにのみ、前記装置の制御が可能である前記改良式減衰
変調回路を形成する前記方法において、過電圧から前記
全二重トランスポンダを保護し、複数の電圧リミッタを
備えている高電界フィールド回路を形成する段階であっ
て、前記電圧リミッタのおのおのが、高フィールド強度
条件にて電流を電気的アースに流すことによってリミッ
タ電圧を制御する変調入力を備えてなる前記段階と、低
フィールド強度条件にて前記全二重トランスポンダを動
作させるための電力をもたらすべく起動される第１の複
数のトランジスタを備えた低フィールド強度回路を形成
する段階と、前記全二重トランスポンダ内の所望する度
合いのエネルギーの変調に対して十分な量の電流を確立
すべくフィールド強度を増大させる第２の複数のトラン
ジスタであって、前記全二重トランスポンダ内の電圧の
フィールド強度に関して制御されてなる前記第２の複数
のトランジスタを備えた中間フィールド強度回路を形成
する段階と、を具備したことを特徴とする前記方法。
作する整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良
式減衰変調回路を形成する方法であって、前記整合メン
バー及び他の非整合メンバーが、おのおのが、送受信機
から送られてきたエネルギーを受信するとき、アンテナ
が前記トランスポンダにてそれぞれの独自の認識信号を
生成してなる各機能を含み、前記制御機構の動作及び前
記整合メンバーによる認識信号の生成が同時に起こると
きにのみ、前記装置の制御が可能である前記改良式減衰
変調回路を形成する前記方法において、過電圧から前記
全二重トランスポンダを保護し、複数の電圧リミッタを
備えている高電界フィールド回路を形成する段階であっ
て、前記電圧リミッタのおのおのが、高フィールド強度
条件にて電流を電気的アースに流すことによってリミッ
タ電圧を制御する変調入力を備えてなる前記段階と、低
フィールド強度条件にて前記全二重トランスポンダを動
作させるための電力をもたらすべく起動される第１の複
数のトランジスタを備えた低フィールド強度回路を形成
する段階と、前記全二重トランスポンダ内の所望する度
合いのエネルギーの変調に対して十分な量の電流を確立
すべくフィールド強度を増大させる第２の複数のトラン
ジスタであって、前記全二重トランスポンダ内の電圧の
フィールド強度に関して制御されてなる前記第２の複数
のトランジスタを備えた中間フィールド強度回路を形成
する段階と、を具備したことを特徴とする前記方法。
【００５７】（８）第７項記載の方法において、高フィ
ールド強度条件の際に前記トランスポンダ内の電圧を制
限すべく全てがオンに切り換わることに関連する複数の
トランジスタを備えるように前記高フィールド強度回路
を形成する段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
ールド強度条件の際に前記トランスポンダ内の電圧を制
限すべく全てがオンに切り換わることに関連する複数の
トランジスタを備えるように前記高フィールド強度回路
を形成する段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
【００５８】（９）第７項記載の方法において、低フィ
ールド強度条件の際に最小のサブセットの複数のトラン
ジスタがオンに切り換わることによって、低フィールド
強度条件の際に前記トランスポンダ回路に最大量の電力
をもたらすことに関連する前記複数のトランジスタを備
えるように前記低フィールド強度回路を形成する段階を
更に具備したことを特徴とする前記方法。
ールド強度条件の際に最小のサブセットの複数のトラン
ジスタがオンに切り換わることによって、低フィールド
強度条件の際に前記トランスポンダ回路に最大量の電力
をもたらすことに関連する前記複数のトランジスタを備
えるように前記低フィールド強度回路を形成する段階を
更に具備したことを特徴とする前記方法。
【００５９】（１０）第７項記載の方法において、前記
トランスポンダ回路を有する残りの回路群に所要量の電
力を供給しながら、中間フィールド強度条件の際に前記
トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく複数のトラン
ジスタの全てのものより少ないものがオンに切り換わる
ことに関連する前記複数のトランジスタを備えるように
前記中間フィールド強度回路を形成する段階を更に具備
したことを特徴とする前記方法。
トランスポンダ回路を有する残りの回路群に所要量の電
力を供給しながら、中間フィールド強度条件の際に前記
トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく複数のトラン
ジスタの全てのものより少ないものがオンに切り換わる
ことに関連する前記複数のトランジスタを備えるように
前記中間フィールド強度回路を形成する段階を更に具備
したことを特徴とする前記方法。
【００６０】（１１）複数のトランジスタと、前記トラ
ンスポンダ回路によって受信されるフィールド強度に応
じて前記トランジスタの動作を制限する複数の関連する
ダイオードとを含むネットワークを備えるように前記高
フィールド強度回路を形成する段階を更に具備したこと
を特徴とする前記方法。
ンスポンダ回路によって受信されるフィールド強度に応
じて前記トランジスタの動作を制限する複数の関連する
ダイオードとを含むネットワークを備えるように前記高
フィールド強度回路を形成する段階を更に具備したこと
を特徴とする前記方法。
【００６１】（１２）複数のＮ型及びＰ型トランジスタ
を含むと共に、高フィールド強度条件の際に前記トラン
スポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオンに切り換
わることに関連するネットワークを備えるように前記高
フィールド強度回路を形成する段階を更に具備したこと
を特徴とする前記方法。
を含むと共に、高フィールド強度条件の際に前記トラン
スポンダ回路内の電圧を制限すべく全てがオンに切り換
わることに関連するネットワークを備えるように前記高
フィールド強度回路を形成する段階を更に具備したこと
を特徴とする前記方法。
【００６２】（１３）装置の制御機構を制御するように
動作する整合メンバーと関連するトランスポンダによっ
て発生された信号の減衰変調をもたらすべく認識システ
ムの前記トランスポンダを動作させる改良方法であっ
て、前記整合メンバー及び他の非整合メンバーが、おの
おのが、送受信機から送られてきたエネルギーを受信す
るとき、アンテナが前記トランスポンダ中にそれぞれの
独自の認識信号を生成するようになっている各機能を含
み、前記装置の制御が、前記制御機構の動作及び前記整
合メンバーによる認識信号の生成の双方が同時に生じる
ときにのみ可能である前記改良式減衰変調方法におい
て、高フィールド強度条件にて、電気的アースに電流を
流すことによりリミッタ電圧を制御する複数の電圧リミ
ッタを使用して、過電圧から前記全二重トランスポンダ
を保護する段階と、前記全二重トランスポンダの出力の
所定量の減衰変調を行いながら、低フィールド強度条件
にて前記トランスポンダを動作させるために十分の度合
いの電力をもたらす段階と、中間フィールド強度条件の
際に、前記全二重トランスポンダ内の所望度合いの変調
に対して十分な量の電流を確立する段階であって、前記
第２の複数のトランジスタが、前記全二重トランスポン
ダ内の電圧のフィールド強度に関して制御されてなる前
記段階と、を具備したことを特徴とする前記方法。
動作する整合メンバーと関連するトランスポンダによっ
て発生された信号の減衰変調をもたらすべく認識システ
ムの前記トランスポンダを動作させる改良方法であっ
て、前記整合メンバー及び他の非整合メンバーが、おの
おのが、送受信機から送られてきたエネルギーを受信す
るとき、アンテナが前記トランスポンダ中にそれぞれの
独自の認識信号を生成するようになっている各機能を含
み、前記装置の制御が、前記制御機構の動作及び前記整
合メンバーによる認識信号の生成の双方が同時に生じる
ときにのみ可能である前記改良式減衰変調方法におい
て、高フィールド強度条件にて、電気的アースに電流を
流すことによりリミッタ電圧を制御する複数の電圧リミ
ッタを使用して、過電圧から前記全二重トランスポンダ
を保護する段階と、前記全二重トランスポンダの出力の
所定量の減衰変調を行いながら、低フィールド強度条件
にて前記トランスポンダを動作させるために十分の度合
いの電力をもたらす段階と、中間フィールド強度条件の
際に、前記全二重トランスポンダ内の所望度合いの変調
に対して十分な量の電流を確立する段階であって、前記
第２の複数のトランジスタが、前記全二重トランスポン
ダ内の電圧のフィールド強度に関して制御されてなる前
記段階と、を具備したことを特徴とする前記方法。
【００６３】（１４）第１３項記載の方法において、高
フィールド強度条件にて、前記トランスポンダ回路内の
電圧を制御すべく全てがオンに切り換わることに関連す
る複数のトランジスタの全てをオンに切り換える段階を
更に具備したことを特徴とする前記方法。
フィールド強度条件にて、前記トランスポンダ回路内の
電圧を制御すべく全てがオンに切り換わることに関連す
る複数のトランジスタの全てをオンに切り換える段階を
更に具備したことを特徴とする前記方法。
【００６４】（１５）第１３項記載の方法において、低
フィールド強度条件にて、前記減衰変調回路に関連する
複数のトランジスタのうちの最小のサブセットのみをオ
ンに切り換えることによって、低フィールド強度条件の
際に、前記トランスポンダ回路に対して最大量の電力を
もたらす段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
フィールド強度条件にて、前記減衰変調回路に関連する
複数のトランジスタのうちの最小のサブセットのみをオ
ンに切り換えることによって、低フィールド強度条件の
際に、前記トランスポンダ回路に対して最大量の電力を
もたらす段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
【００６５】（１６）第１３項記載の方法において、中
間フィールド強度条件にて、前記トランスポンダ回路を
有する残りの回路群に所要量の電力を供給しながら、前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく複数のトラ
ンジスタの全てのものより少ないものに関連する前記複
数のトランジスタのうちの中間のサブセットをオンに切
り換える段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
間フィールド強度条件にて、前記トランスポンダ回路を
有する残りの回路群に所要量の電力を供給しながら、前
記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく複数のトラ
ンジスタの全てのものより少ないものに関連する前記複
数のトランジスタのうちの中間のサブセットをオンに切
り換える段階を更に具備したことを特徴とする前記方
法。
【００６６】（１７）第１３項記載の方法において、複
数のトランジスタと、前記トランスポンダ回路によって
受信されたフィールド強度に応じて前記トランジスタの
動作を制限する複数の関連するダイオードとを備えたネ
ットワークの動作を調整する段階を更に具備したことを
特徴とする前記方法。
数のトランジスタと、前記トランスポンダ回路によって
受信されたフィールド強度に応じて前記トランジスタの
動作を制限する複数の関連するダイオードとを備えたネ
ットワークの動作を調整する段階を更に具備したことを
特徴とする前記方法。
【００６７】（１８）第１３項記載の方法において、複
数のＮ型及びＰ型トランジスタを含むと共に、高フィー
ルド強度条件の際に前記トランスポンダ回路内の電圧を
制限すべく全てをオンに切り換えることに関連するネッ
トワークを使用して、前記減衰変調を行う段階を更に具
備したことを特徴とする前記方法。
数のＮ型及びＰ型トランジスタを含むと共に、高フィー
ルド強度条件の際に前記トランスポンダ回路内の電圧を
制限すべく全てをオンに切り換えることに関連するネッ
トワークを使用して、前記減衰変調を行う段階を更に具
備したことを特徴とする前記方法。
【００６８】（１９）制御装置レセプタクルへの挿入に
よって動作可能な整合キーと関連するトランスポンダ用
の改良式全波整流器であって、前記整合キーが、アンテ
ナを介して送受信機によって放射されたエネルギーを受
信するとき、前記キーが装置のロックの近傍にあり、前
記キーが前記送受信機に対して独自の認識信号を生成し
てなる各機能を含み、前記装置の制御が、前記ロックの
動作及び前記キーによる認識信号の生成が同時に発生す
るときにのみ可能である前記改良式全波整流器におい
て、過電圧から前記全二重トランスポンダを保護する高
フィールド強度回路であって、おのおのが、高フィール
ド強度条件にて、電流をアースに流すことによってリミ
ッタ電圧を制御する変調入力を含んだ複数の電圧リミッ
タを備えた前記高フィールド強度回路と、前記全二重ト
ランスポンダを動作させる電力をもたらすために起動さ
れる第１の複数のトランジスタを備えた低フィールド強
度回路と、前記全二重トランスポンダ内の所要度合いの
エネルギー変調に対して十分な量の電流を確立するため
のフィールド強度を増大させる第２の複数のトランジス
タを備えた中間フィールド強度回路であって、前記第２
の複数のトランジスタが電圧のフィールド強度に関して
制御されてなる前記中間フィールド強度回路と、を具備
したことを特徴とする前記改良式全波整流器。
よって動作可能な整合キーと関連するトランスポンダ用
の改良式全波整流器であって、前記整合キーが、アンテ
ナを介して送受信機によって放射されたエネルギーを受
信するとき、前記キーが装置のロックの近傍にあり、前
記キーが前記送受信機に対して独自の認識信号を生成し
てなる各機能を含み、前記装置の制御が、前記ロックの
動作及び前記キーによる認識信号の生成が同時に発生す
るときにのみ可能である前記改良式全波整流器におい
て、過電圧から前記全二重トランスポンダを保護する高
フィールド強度回路であって、おのおのが、高フィール
ド強度条件にて、電流をアースに流すことによってリミ
ッタ電圧を制御する変調入力を含んだ複数の電圧リミッ
タを備えた前記高フィールド強度回路と、前記全二重ト
ランスポンダを動作させる電力をもたらすために起動さ
れる第１の複数のトランジスタを備えた低フィールド強
度回路と、前記全二重トランスポンダ内の所要度合いの
エネルギー変調に対して十分な量の電流を確立するため
のフィールド強度を増大させる第２の複数のトランジス
タを備えた中間フィールド強度回路であって、前記第２
の複数のトランジスタが電圧のフィールド強度に関して
制御されてなる前記中間フィールド強度回路と、を具備
したことを特徴とする前記改良式全波整流器。
【００６９】（２０）第１９項記載の装置において、前
記高フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際
に前記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てが
オンに切り換わることに関連する複数のＮ型及びＰ型ト
ランジスタを備えたことを特徴とする前記装置。
記高フィールド強度回路が、高フィールド強度条件の際
に前記トランスポンダ回路内の電圧を制限すべく全てが
オンに切り換わることに関連する複数のＮ型及びＰ型ト
ランジスタを備えたことを特徴とする前記装置。
【００７０】（２１）トランスポンダ１４用の改良式減
衰変調回路１４０は、送受信機のアンテナ１６から送ら
れてきたエネルギーを受信して、前記トランスポンダ中
に独自の認識信号を生成する。前記改良式減衰変調回路
１４０は、トランスポンダ１４に電力をもたらしなが
ら、電圧リミッタ１３２の使用を通して過電圧から全二
重トランスポンダ１４を保護する高フィールド強度回路
１５２，１６０，１７４を備えている。低フィールド強
度回路１５２は、全二重トランスポンダ１４に最高に可
能な量の電力をもたらすのに最小の回路群しか起動しな
い。中間フィールド強度回路１５２，１６０は、中間量
のトランスポンダ１４回路要素のみを使用して適切な変
調に対して十分な量の電流を確立するために、全二重ト
ランスポンダ１４中のフィールド強度を増大させる。
衰変調回路１４０は、送受信機のアンテナ１６から送ら
れてきたエネルギーを受信して、前記トランスポンダ中
に独自の認識信号を生成する。前記改良式減衰変調回路
１４０は、トランスポンダ１４に電力をもたらしなが
ら、電圧リミッタ１３２の使用を通して過電圧から全二
重トランスポンダ１４を保護する高フィールド強度回路
１５２，１６０，１７４を備えている。低フィールド強
度回路１５２は、全二重トランスポンダ１４に最高に可
能な量の電力をもたらすのに最小の回路群しか起動しな
い。中間フィールド強度回路１５２，１６０は、中間量
のトランスポンダ１４回路要素のみを使用して適切な変
調に対して十分な量の電流を確立するために、全二重ト
ランスポンダ１４中のフィールド強度を増大させる。
【図１】ａ及びｂは本発明の新規な概念を用い得る認識
システムの一般化した図である。
システムの一般化した図である。
【図２】例えば本発明のような減衰変調回路を含むと共
に、図１ａ及び１ｂの認識システムにおいて使用可能な
トランスポンダ回路の構成を示す回路図である。
に、図１ａ及び１ｂの認識システムにおいて使用可能な
トランスポンダ回路の構成を示す回路図である。
【図３】図１ａ及び１ｂのトランスポンダ全体に渡って
生じる異なる信号を示すタイミング図である。
生じる異なる信号を示すタイミング図である。
【図４】従来技術の減衰変調回路を詳細に示す回路図で
ある。
ある。
【図５】図１ａ、図１ｂ及び図２に現出するトランスポ
ンダ回路の各動作を制御するのに使用するクロックレギ
ュレータ回路を示す略図である。
ンダ回路の各動作を制御するのに使用するクロックレギ
ュレータ回路を示す略図である。
【図６】本発明の一実施例の回路構成を示す図である。
【図７】本発明による異なる信号フィールド強度条件に
適応するように形成された本発明の別の実施例を示す図
である。
適応するように形成された本発明の別の実施例を示す図
である。
【図８】本発明の減衰変調回路において使用し得る図６
に示されるような制御回路の一実施例を示す回路図であ
る。
に示されるような制御回路の一実施例を示す回路図であ
る。
【図９】本発明の制御回路のまた別の実施例の回路図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の制御回路に使用されるレベルシフタ
回路を示す略回路図である。
回路を示す略回路図である。
【図１１】本発明の減衰機能を維持するＲＦリミッタ回
路の一実施例の回路図である。
路の一実施例の回路図である。
１０ 認識システム １２ 送受信機 １４ 全二重トランスポンダ １６，１８ アンテナ ２０ キー状メンバー ２２ 車両 １３２ 制御回路 １３０，１４０ 改良式減衰変調回路 １５２，１６０，１６８，１７４ トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 装置の制御機構を制御するように動作す
る整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良式減
衰変調回路であって、前記整合メンバー及び他の非整合
メンバーが、おのおのが、送受信機から送られてきたエ
ネルギーを受信するとき、アンテナが前記トランスポン
ダにてそれぞれの独自の認識信号を生成してなる各機能
を含み、前記制御機構の動作及び前記整合メンバーによ
る認識信号の生成が同時に起こるときにのみ、前記装置
の制御が可能である前記改良式減衰変調回路において、 過電圧から前記全二重トランスポンダを保護し、複数の
電圧リミッタを備えている高フィールド強度回路であっ
て、前記電圧リミッタのおのおのが、高フィールド強度
条件にて電流を電気的アースに流すことによってリミッ
タ電圧を制御する変調入力を備えてなる前記高フィール
ド強度回路と、 低フィールド強度条件にて前記全二重トランスポンダを
動作させるための電力をもたらすべく起動される第１の
複数のトランジスタを備えた低フィールド強度回路と、 前記全二重トランスポンダ内の所望する度合いのエネル
ギーの変調に対して十分な量の電流を確立すべくフィー
ルド強度を増大させる第２の複数のトランジスタであっ
て、前記全二重トランスポンダ内の電圧のフィールド強
度に関して制御されてなる前記第２の複数のトランジス
タを備えた中間フィールド強度回路と、を具備したこと
を特徴とする前記改良式減衰変調回路。 - 【請求項２】 装置の制御機構を制御するように動作す
る整合メンバーと関連するトランスポンダ用の改良式減
衰変調回路を形成する方法であって、前記整合メンバー
及び他の非整合メンバーが、おのおのが、送受信機から
送られてきたエネルギーを受信するとき、アンテナが前
記トランスポンダにてそれぞれの独自の認識信号を生成
してなる各機能を含み、前記制御機構の動作及び前記整
合メンバーによる認識信号の生成が同時に起こるときに
のみ、前記装置の制御が可能である前記改良式減衰変調
回路を形成する前記方法において、 過電圧から前記全二重トランスポンダを保護し、複数の
電圧リミッタを備えている高フィールド強度回路を形成
する段階であって、前記電圧リミッタのおのおのが、高
フィールド強度条件にて電流を電気的アースに流すこと
によりリミッタ電圧を制御する変調入力を備えてなる前
記段階と、 低フィールド強度条件にて前記全二重トランスポンダを
動作させるための電力をもたらすべく起動される第１の
複数のトランジスタを備えた低フィールド強度回路を形
成する段階と、 前記全二重トランスポンダ内の所望する度合いのエネル
ギーの変調に対して十分な量の電流を確立すべくフィー
ルド強度を増大させる第２の複数のトランジスタであっ
て、前記全二重トランスポンダ内の電圧のフィールド強
度に関して制御されてなる前記第２の複数のトランジス
タを備えた中間フィールド強度回路を形成する段階と、
を具備したことを特徴とする前記方法。
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