JPH10340870A - Polishing apparatus - Google Patents

Polishing apparatus

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JPH10340870A
JPH10340870A JP16515297A JP16515297A JPH10340870A JP H10340870 A JPH10340870 A JP H10340870A JP 16515297 A JP16515297 A JP 16515297A JP 16515297 A JP16515297 A JP 16515297A JP H10340870 A JPH10340870 A JP H10340870A
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polishing
wafer
polished
cleaning
polishing apparatus
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英夫 相澤
Kenya Ito
賢也 伊藤
Hiromi Yajima
比呂海 矢島
Kenichi Shigeta
賢一 重田
Yoshikuni Tateyama
佳邦 竪山
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Toshiba Corp
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Ebara Corp
Toshiba Corp
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide highly clean products by suppressing the increase of facilities and running costs, and preventing mutual pollution at each step. SOLUTION: In a polishing equipment providing polishing units 10a and 10b. For chemically and mechanically polishing the surface of materials to be polished, cleaning units 26a, 26b and 26c for cleaning the polished materials, and transfer units 20a and 20b for transferring the materials to be polished between the units 26a, 26b and 26c, a space housing each unit are partitioned according to the degree of cleanliness for constructing a plurality of chambers R1 to R4 , and a transfer gate 18, having temporary chambers 18a and 18b for temporarily storing the materials to be polished are provided between the chambers.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリッシング装置
に係り、特に、半導体ウエハ等の被研磨材を平坦かつ鏡
面状に研磨するポリッシング装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus, and more particularly to a polishing apparatus for polishing a material to be polished such as a semiconductor wafer into a flat and mirror-like surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。これに伴い、光リソグラフィなどで回路
形成を行なう場合に焦点深度が浅くなるので、ステッパ
の結像面のより高い平坦度を必要とする。半導体ウエハ
の表面を平坦化する手段として、回転するターンテーブ
ル上に貼付した研磨布に砥粒を含む研磨液を供給しなが
ら、キャリアで保持したウエハを研磨布に押しつけて研
磨する化学機械的研磨(CMP)が行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, circuit wiring has become finer, and the distance between wirings has become smaller. Accordingly, when a circuit is formed by optical lithography or the like, the depth of focus becomes shallow, so that a higher flatness of the imaging surface of the stepper is required. As a means for flattening the surface of a semiconductor wafer, a chemical mechanical polishing is performed by pressing a wafer held by a carrier against the polishing cloth while supplying a polishing liquid containing abrasive grains to a polishing cloth attached on a rotating turntable. (CMP) is being performed.

【0003】このような研磨装置として、平面内で周期
運動する研磨テーブルと、該研磨テーブルに対して被研
磨材の研磨面を押圧する把持部材とを有する研磨装置が
用いられている。そして、このような研磨ユニットに、
さらに、被研磨材を収容する収容装置と、前記研磨装置
において研磨がされた被研磨材を洗浄する洗浄装置と、
前記収容部に隣接して設けられ、該収容部と前記研磨部
又は洗浄部との間で被研磨材を授受する際に該被研磨材
を反転させる反転装置と、これらの各部又は装置の間で
被研磨材を移送する搬送装置とを付加したポリッシング
装置が用いられている。
[0003] As such a polishing apparatus, a polishing apparatus having a polishing table that moves periodically in a plane and a gripping member that presses a polishing surface of a material to be polished against the polishing table is used. And in such a polishing unit,
Further, a storage device for storing the material to be polished, and a cleaning device for cleaning the material to be polished in the polishing device,
A reversing device that is provided adjacent to the storage section and reverses the polished material when transferring the polished material between the storage section and the polishing section or the cleaning section; In addition, a polishing apparatus to which a conveying device for transferring a material to be polished is added is used.

【0004】これは、例えば、図6に示すように、被研
磨材を収容する収容部100a,100bと、それぞれ
がターンテーブル102とトップリング104を有する
少なくとも2つの研磨ユニット106a,106bと、
研磨ユニットにおいて研磨がされた被研磨材を洗浄及び
乾燥する洗浄装置108a〜108dと、これらの装置
の間で被研磨材を移送する搬送装置110と、被研磨材
を反転させるための反転機112a,112bを備えて
いる。各ユニットは、全体としての処理の流れと被研磨
物の搬送とを考慮して配置され、装置全体を一つのカバ
ーで覆って内部空間の空調を、例えば、上から下へ空気
が流れるように行っていた。
As shown in FIG. 6, for example, as shown in FIG. 6, accommodating portions 100a and 100b for accommodating a material to be polished, at least two polishing units 106a and 106b each having a turntable 102 and a top ring 104,
Cleaning devices 108a to 108d for cleaning and drying the polished material polished in the polishing unit, a transport device 110 for transferring the polished material between these devices, and a reversing machine 112a for reversing the polished material. , 112b. Each unit is arranged in consideration of the overall processing flow and the transfer of the object to be polished, and covers the entire apparatus with one cover to air-condition the internal space, for example, so that air flows from top to bottom. I was going.

【0005】このように、このポリッシング装置は2つ
の研磨ユニットを有するので、化合物半導体の製造など
において研磨液を変えて多段で研磨作業を行なう場合
に、前段階の研磨液による汚染を防止して、品質や歩留
まりの低下を防ぐことができ、さらに、1段研磨の場合
には、これをそれぞれの研磨ユニットでパラレルに行っ
てスループットを上げるように用いることもできる
As described above, since this polishing apparatus has two polishing units, when polishing is performed in multiple stages by changing the polishing liquid in the manufacture of compound semiconductors, contamination by the polishing liquid at the previous stage is prevented. In addition, in the case of single-stage polishing, the polishing can be performed in parallel by each polishing unit to increase the throughput.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したこれまでのポ
リッシング装置では、同一の空間内に各処理工程を行な
う装置が配置されており、従って、研磨処理のような比
較的清浄度の低い工程を行なうユニットと最終洗浄のよ
うな高い清浄度が要求される工程との間で空気が流通し
て、例えば研磨部での研磨液の飛沫や研磨屑等の小さな
粒子(パーティクル)が前者から後者の方へ移動し、後
者が汚染されることがあった。また、研磨、洗浄、乾燥
の済んだ半導体ウエハは搬送装置110で収容部100
a,100bへ運ばれるので、搬送装置が汚染されると
半導体ウエハも汚染される虞れがある。また、そのよう
な汚染を防ぐために、空間内の清浄度を全体に向上させ
ると、空調の能力を大きくしなければならず、設備や運
転コストが上昇する。
In the above-mentioned conventional polishing apparatus, an apparatus for performing each processing step is arranged in the same space. Therefore, a relatively low-cleanness step such as a polishing process is performed. Air flows between the unit to be performed and a process requiring high cleanliness, such as final cleaning, and small particles (particles) such as splashes of polishing liquid and polishing debris in the polishing section are generated from the former to the latter. And the latter may be contaminated. The polished, cleaned, and dried semiconductor wafer is transferred to the storage unit 100 by the transfer device 110.
a, 100b, the semiconductor device may be contaminated if the transfer device is contaminated. Further, if the degree of cleanliness in the space is improved as a whole to prevent such contamination, the capacity of air conditioning must be increased, and equipment and operating costs increase.

【0007】従って、この発明は、設備や稼働コストを
抑えつつ、各工程での相互汚染を防いで清浄度の高い製
品を提供することができるポリッシング装置を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a polishing apparatus capable of preventing cross-contamination in each step and providing a product having a high degree of cleanliness while suppressing equipment and operating costs.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、被研磨材の研磨面を化学機械的に研磨する研磨装置
を備えたポリッシング装置において、内部空間を清浄度
に従って区画して前記被研磨材を収容する収容装置と前
記研磨装置との間に被研磨材を仮置きするための仮置室
を有する搬送ゲートを設けたことを特徴とするポリッシ
ング装置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing apparatus having a polishing apparatus for chemically and mechanically polishing a polished surface of a material to be polished, wherein an internal space is partitioned according to cleanliness. A polishing apparatus is provided, wherein a transfer gate having a temporary storage chamber for temporarily placing a polishing material is provided between a storage device for storing the polishing material and the polishing device.

【0009】これにより、各部屋の清浄度を高く設定
し、最終製品としての被研磨材の清浄度を維持しつつ、
被研磨材の移送を円滑に行なうことができる。各部屋の
清浄度の維持は、例えば、それぞれの圧力を設定して低
清浄度側の空気が高清浄度側の部屋に流れないようにす
ることにより行われ、その際の圧力の調整は、排気装置
のダクトの弁や、ファンの回転数などにより行なう。な
お、ポリッシング装置には、必要に応じて、被研磨材の
表裏を反転する反転装置を設けてもよい。また、洗浄装
置に適当な乾燥手段を設け、被研磨材を乾燥した状態で
収容装置に戻すことができるようにするとよい。
Thus, the cleanliness of each room is set high, and the cleanliness of the material to be polished as a final product is maintained.
The material to be polished can be smoothly transferred. The maintenance of the cleanliness of each room is performed, for example, by setting respective pressures so that air on the low cleanliness side does not flow into the room on the high cleanliness side. This is performed by using a valve in a duct of an exhaust device or the number of rotations of a fan. The polishing apparatus may be provided with a reversing device for reversing the front and back of the material to be polished, if necessary. Further, it is preferable that an appropriate drying means is provided in the cleaning device so that the material to be polished can be returned to the storage device in a dried state.

【0010】前記搬送ゲートに前記仮置室内に清浄な空
気を供給する空気経路を接続してもよい。これにより、
搬送ゲートの開閉に伴い汚染された仮置室内の空気が置
換されて清浄化され、仮置室を介して被研磨材が汚染さ
れることが防止される。
[0010] An air path for supplying clean air into the temporary storage room may be connected to the transfer gate. This allows
With the opening and closing of the transfer gate, the contaminated air in the temporary storage room is replaced and cleaned, thereby preventing the polishing target material from being contaminated through the temporary storage room.

【0011】前記搬送ゲートには前記仮置室をその外部
に対して個別に開閉するシャッタを設けるようにしても
よい。これにより、仮置室との間で被研磨材を受け渡す
部屋と仮置室との間のシャッタのみを開いた状態で被研
磨材を移動し、部屋間の空気の流通を抑制した状態で搬
送が行われる。
The transfer gate may be provided with a shutter for individually opening and closing the temporary storage chamber to the outside. Thereby, the workpiece is moved in a state where only the shutter between the room for transferring the workpiece to and from the temporary storage chamber and the temporary storage chamber is opened, and the flow of air between the rooms is suppressed. Transport is performed.

【0012】請求項2に記載の発明は、前記搬送ゲート
には前記仮置室が複数設けられていることを特徴とする
請求項1に記載のポリッシング装置であるので、該搬送
ゲートを介して複数の被研磨材を独立に移動させること
ができるので、各部屋間の被研磨材の授受が円滑に行わ
れ、スループットを向上させることができる。また、そ
れぞれの仮置室を移送する被研磨材の清浄度に応じて使
い分けることにより、仮置室を介して被研磨材が汚染さ
れるのが防止される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a polishing apparatus according to the first aspect, wherein the transfer gate is provided with a plurality of the temporary storage chambers. Since the plurality of polished materials can be independently moved, the polished materials can be smoothly transferred between the rooms, and the throughput can be improved. In addition, the use of the respective temporary storage chambers according to the cleanliness of the workpieces to be transported prevents contamination of the workpieces via the temporary storage chambers.

【0013】前記複数の仮置室を上下に区画して配置
し、上側から下側に向けて清浄な空気を供給する空気経
路を設けてもよい。
[0013] The plurality of temporary storage rooms may be vertically divided and arranged, and an air path for supplying clean air from the upper side to the lower side may be provided.

【0014】請求項3に記載の発明は、被研磨材を収容
する収容装置と、第一の搬送装置とを収容する第一の部
屋と、被研磨材の研磨面を化学機械的に研磨する研磨装
置と、第二の搬送装置とを収容する第二の部屋と、前記
二つの部屋間に被研磨材を仮置きするための仮置室を設
けたことを特徴とするポリッシング装置である。
[0014] According to a third aspect of the present invention, the accommodating device for accommodating the material to be polished, the first chamber for accommodating the first transfer device, and the polishing surface of the material to be polished are chemically and mechanically polished. A polishing apparatus, comprising: a second room for accommodating a polishing device and a second transfer device; and a temporary storage chamber for temporarily storing an object to be polished between the two rooms.

【0015】請求項4に記載の発明は、前記第一の部屋
は第一の処理装置を含み、前記第一の処理装置において
は、研磨後の被研磨材の洗浄及び乾燥を含む工程が行わ
れることを特徴とする請求項3に記載のポリッシング装
置である。
According to a fourth aspect of the present invention, the first chamber includes a first processing apparatus, and in the first processing apparatus, a process including cleaning and drying of the polished material after polishing is performed. The polishing apparatus according to claim 3, wherein the polishing apparatus is used.

【0016】請求項5に記載の発明は、前記第二の部屋
は第二の処理装置を含み、前記第二の処理装置において
は、研磨後の被研磨材のバフィング及び洗浄を含む工程
が行われることを特徴とする請求項3又は4に記載のポ
リッシング装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, the second chamber includes a second processing apparatus, and in the second processing apparatus, a step including buffing and cleaning of the polished material is performed. 5. The polishing apparatus according to claim 3, wherein the polishing apparatus is used.

【0017】請求項6に記載の発明は、前記第二の部屋
が、研磨装置部分、洗浄装置及び第二搬送装置部分、バ
フィング装置部分に区画されていることを特徴とする請
求項5に記載のポリッシング装置である。
The invention according to claim 6 is characterized in that the second chamber is divided into a polishing device portion, a cleaning device, a second transfer device portion, and a buffing device portion. Polishing apparatus.

【0018】請求項7に記載の発明は、前記仮置室が搬
送ゲートに取り付けられていることを特徴とする請求項
3乃至6のいずれかに記載のポリッシング装置である。
The invention according to claim 7 is the polishing apparatus according to any one of claims 3 to 6, wherein the temporary storage chamber is attached to a transfer gate.

【0019】請求項8に記載の発明は、半導体デバイス
を表面に有するウエハをカセットから取り出して仮置室
へ搬送する工程と、前記ウエハを前記仮置室から研磨装
置部分へ搬送する工程と、前記ウエハを前記研磨装置部
分で化学機械的に研磨する工程と、研磨したウエハをバ
フィング装置部分へ搬送する工程と、前記ウエハをバフ
ィングする工程と、バフィングしたウエハを第一洗浄装
置部分へ搬送する工程と、第一洗浄後のウエハを仮置室
に搬送する工程と、前記ウエハを第二洗浄装置部分へ搬
送する工程と、前記ウエハを洗浄及び乾燥する工程と、
乾燥したウエハをカセットへ搬送する工程とを同一の箱
体内で行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法
である。
The invention according to claim 8 is a step of taking out a wafer having a semiconductor device on a surface from a cassette and transferring the wafer to a temporary storage chamber; and transferring the wafer from the temporary storage chamber to a polishing apparatus. A step of chemically and mechanically polishing the wafer with the polishing apparatus part, a step of transporting the polished wafer to a buffing apparatus part, a step of buffing the wafer, and a step of transporting the buffed wafer to a first cleaning apparatus part Step, the step of transporting the wafer after the first cleaning to the temporary storage chamber, the step of transporting the wafer to the second cleaning device portion, and the step of cleaning and drying the wafer,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the step of transferring a dried wafer to a cassette is performed in the same box.

【0020】請求項9に記載の発明は、各工程のうち少
なくとも1つの工程がそれを行う空間で清浄化する工程
を含み、さらにクリーンルーム内で行うことを特徴とす
る請求項8記載の半導体デバイスの製造方法である。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor device according to the eighth aspect, wherein at least one of the steps includes a step of cleaning in a space in which at least one step is performed, and is further performed in a clean room. It is a manufacturing method of.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施の形態を図1乃至図5に基づいて説明する。
この装置は、全体が長方形をなす床上のスペースの一端
の一側に2基の研磨装置10a,10bが配置され、他
端にはウエハ収納用カセット12a,12bを載置する
一対のロード・アンロードユニット14が配置されて構
成されている。ロード・アンロードユニット14から研
磨装置10a,10b側に延びる2軌の走行レール16
a,16bが間に搬送ゲート(仮置室)18を挟んで敷
設され、それぞれのレール16a,16b上には搬送ロ
ボット20a,20bが配置されている。走行レール1
6a,16bの先端側にはバフ研磨装置22とバフ研磨
工具のドレッシングを行なう工具の洗浄槽23が設けら
れ、走行レール16a,16bの脇には、2台の反転機
24a,24bと3台の洗浄機26a,26b,26c
が配置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
In this apparatus, two polishing apparatuses 10a and 10b are arranged on one side of one end of a space on the floor which is entirely rectangular, and a pair of loading / unloading apparatuses on which the wafer storage cassettes 12a and 12b are placed at the other end. The load unit 14 is arranged and configured. A two-rail running rail 16 extending from the load / unload unit 14 to the polishing apparatuses 10a and 10b.
The transfer robots 20a and 20b are disposed on rails 16a and 16b, respectively, with a transfer gate (temporary storage room) 18 interposed therebetween. Running rail 1
A buffing device 22 and a cleaning tank 23 for dressing the buffing tool are provided on the tip side of 6a and 16b, and two reversing machines 24a and 24b and three reversing devices are provided beside the running rails 16a and 16b. Washing machines 26a, 26b, 26c
Is arranged.

【0022】図2に示すように、2基の研磨装置10
a,10bは、上面に研磨布を貼付したターンテーブル
28と、ウエハを真空吸着により保持してターンテーブ
ル28に押し付けるトップリング30と、研磨布の目立
てを行なうドレッシング装置32と、これらのターンテ
ーブル28やドレッシング装置32に水や砥粒を含む研
磨液などを供給する手段とを備えており、それぞれの搬
送ラインに面する位置には、ウエハをトップリング30
との間で授受するプッシャ34が設置されている。トッ
プリング30は水平面内で旋回可能とされ、プッシャ3
4は上下動可能となっている。
As shown in FIG. 2, two polishing apparatuses 10
Reference numerals a and 10b denote a turntable 28 having an upper surface to which a polishing cloth is adhered, a top ring 30 for holding a wafer by vacuum suction and pressing against the turntable 28, a dressing device 32 for dressing the polishing cloth, and a turntable for these. And a means for supplying a polishing liquid containing water or abrasives to the dressing device 32 and the dressing device 32.
And a pusher 34 for exchanging between them. The top ring 30 is pivotable in a horizontal plane, and the pusher 3
4 can be moved up and down.

【0023】バフ研磨装置22は、研磨装置10a,1
0bで研磨されたウエハをさらに仕上げ研磨あるいは洗
浄研磨するもので、バフを貼付した並進円運動をするテ
ーブル(バフ研磨工具)として構成され、搬送ロボット
とウエハの授受を仲介するプッシャ36、このプッシャ
からウエハを把持してバフ研磨工具に押圧するトップリ
ング(把持装置)22aと、バフ研磨工具の目立てを行
なうためのドレッシングヘッド(ドレッシング装置)2
3aが設けられている。図1ではトップリング22aが
バフ研磨工具22上にあり、ドレッシングヘッド23a
が洗浄槽23上にある状態を示している。
The buffing device 22 includes polishing devices 10a, 1
The wafer polished in step 0b is further polished or washed and polished. The pusher 36 is configured as a table (buffing tool) having a translational circular motion to which a buff is affixed. Top ring (gripping device) 22a that grips the wafer from the surface and presses it against the buffing tool, and dressing head (dressing device) 2 for dressing the buffing tool
3a is provided. In FIG. 1, the top ring 22a is on the buffing tool 22, and the dressing head 23a
Indicates a state on the cleaning tank 23.

【0024】バフ研磨装置22の詳細を図5を参照して
説明する。バフ研磨装置22は、全体を覆うカバー40
の内部に設けられ、その上部にトップリング装置22と
ドレッシング装置23が、下部にバフ研磨工具装置21
6とウエハの受け渡しを行うプッシャ36がそれぞれ備
えられている。
The details of the buff polishing apparatus 22 will be described with reference to FIG. The buffing device 22 includes a cover 40 that covers the entirety.
, A top ring device 22 and a dressing device 23 are provided at an upper portion thereof, and a buffing tool device 21 is provided at a lower portion thereof.
6 and a pusher 36 for transferring the wafer.

【0025】トップリング装置22には、円筒状ケース
220の内部を挿通する支持軸222が備えられ、この
支持軸222の下端にウエハを吸着保持しつつ、該ウエ
ハをバフ研磨工具装置216に向けて所定の圧力で押し
付けるトップリングヘッド22aが取り付けられてい
る。そして、円筒状ケース220の内部にはモータが内
蔵され、このモータの駆動に伴って支持軸222が回転
するとともに、円筒状ケース220の側方に配置された
シリンダ226と支持軸222とが連結部材228を介
して互いに連結され、これによって、シリンダ226の
駆動に伴って支持軸222が上下動するようになってい
る。
The top ring device 22 is provided with a support shaft 222 that passes through the inside of the cylindrical case 220. The wafer is directed toward the buffing tool device 216 while holding the wafer at the lower end of the support shaft 222 by suction. The top ring head 22a which presses with a predetermined pressure is attached. A motor is built in the cylindrical case 220, and the support shaft 222 rotates with the driving of the motor, and the cylinder 226 disposed on the side of the cylindrical case 220 and the support shaft 222 are connected. The support shaft 222 is connected to each other via a member 228 so that the support shaft 222 moves up and down as the cylinder 226 is driven.

【0026】一方、ドレッシング装置23もほぼ同様
に、円筒状ケース230の内部を挿通する支持軸232
が備えられ、この支持軸232の下端に研磨テーブル5
0上に貼布したバフの目立てを行なうドレッシングヘッ
ド23aが取り付けられている。そして、円筒状ケース
230の内部にはモータが内蔵され、このモータの駆動
に伴って支持軸232が回転するとともに、円筒状ケー
ス230の側方に配置されたシリンダ236と支持軸2
32とが連結部材238を介して互いに連結され、これ
によって、シリンダ236の駆動に伴って支持軸232
が上下動するようになっている。
On the other hand, the dressing device 23 also has a support shaft 232 inserted through the inside of the cylindrical case 230 in substantially the same manner.
Is provided at the lower end of the support shaft 232.
A dressing head 23a for dressing the buff pasted on the upper side is attached. A motor is built in the cylindrical case 230, and the support shaft 232 rotates in accordance with the driving of the motor, and the cylinder 236 and the support shaft 2 arranged on the side of the cylindrical case 230.
32 are connected to each other through a connecting member 238, whereby the support shaft 232 is
Moves up and down.

【0027】各支持軸222,232は、共にスプライ
ン軸によって構成され、このスプライン軸とモータの出
力軸がスプライン溝により摺動自在に連結されている。
従って、モータの駆動力の伝達とともに、シリンダ22
6,236の作動による上下動が各支持軸222,23
2に伝達されるようになっている。また、トップリング
装置22の支持軸222の上端には、回転を検出するた
めのエンコーダ240が設けられている。
Each of the support shafts 222 and 232 is composed of a spline shaft, and the spline shaft and the output shaft of the motor are slidably connected by a spline groove.
Therefore, the transmission of the driving force of the motor and the cylinder 22
The vertical movement of the support shafts 222, 23
2 is transmitted. At the upper end of the support shaft 222 of the top ring device 22, an encoder 240 for detecting rotation is provided.

【0028】トップリング装置22及びドレッシング装
置23は、一対のガイドレール242に沿って走行自在
な矩形平板状の台車244にトップリングヘッド22a
及びドレッシングヘッド23aを下方に突出させた状態
で取り付けられている。そして、台車244の走行によ
り、トップリングヘッド22aは研磨工具装置216と
プッシャ36の間を、ドレッシングヘッド23aはリン
ス槽246と研磨工具装置216の間をそれぞれ往復移
動するようになっている。
The top ring device 22 and the dressing device 23 are mounted on a rectangular flat carriage 244 that can run along a pair of guide rails 242.
And the dressing head 23a is mounted in a state of protruding downward. The top ring head 22a reciprocates between the polishing tool device 216 and the pusher 36 and the dressing head 23a reciprocates between the rinsing tank 246 and the polishing tool device 216 by traveling of the carriage 244.

【0029】研磨工具装置216には、並進円運動を行
なう研磨テーブル50が備えられ、この研磨テーブルの
上面に、不織布又は不織布以外の研磨布又は超極細繊維
からなるワイピングクロス等から選ばれた「バフ」を貼
布している。プッシャ36は、ウエハをトップリングヘ
ッド22aとロボット20bとの間で授受するもので、
上下動自在で、かつ前後方向に位置調整が可能に構成さ
れている。
The polishing tool device 216 is provided with a polishing table 50 that performs a translational circular movement. On the upper surface of the polishing table, a polishing cloth selected from a nonwoven cloth or a non-nonwoven cloth or a wiping cloth made of ultrafine fibers is used. "Buff" is stuck. The pusher 36 transfers a wafer between the top ring head 22a and the robot 20b.
It is configured to be able to move up and down and to be position adjustable in the front-rear direction.

【0030】このようなバフ研磨装置22の構成では、
自転するターンテーブルを用いる場合よりも研磨工具が
小径で済むので、省スペースとなる。洗浄機26a,2
6b,26cの形式は、それぞれ目的に応じて選択さ
れ、例えば、先端にスポンジが付いたペンシル型のもの
やスポンジ付きのローラ形式のものが用いられ、ウエハ
片面またはウエハ両面を洗浄し、あるいは最後段の洗浄
機26cはウエハをスピンさせて脱水、乾燥させる形式
のものが用いられる。
In such a configuration of the buff polishing apparatus 22,
Since the polishing tool requires a smaller diameter than when a rotating turntable is used, the space can be saved. Washing machine 26a, 2
The types of 6b and 26c are selected according to the purpose. For example, a pencil type with a sponge at the tip or a roller type with a sponge is used. As the stage washer 26c, a type in which a wafer is spun to spin-dry and dry is used.

【0031】搬送ロボット20a,20bは、例えばレ
ール16a,16b上を走行する台車の上部に水平面内
で屈折自在に関節アームが設けられているもので、上下
の各アームの先端に2つの把持部(ハンド)を有してい
る。第1のロボット20aの上側のハンドは研磨前およ
び乾燥後のウエハを扱うドライハンド38a、下側は乾
燥前のウエハを扱うウエットハンド38bとなってお
り、また、第2のロボット20bの上側は清浄なウエハ
を扱うクリーンハンド38c、下側は研磨過程にあるウ
エハを扱うダーティーハンド38dとなっている。4種
類のハンド38a〜38dは上下動可能であり、後述の
搬送ゲート18の上段又は下段へ進入可能である。
Each of the transfer robots 20a and 20b has an articulated arm provided on a carriage traveling on rails 16a and 16b, for example, so as to be able to freely bend in a horizontal plane. (Hand). The upper hand of the first robot 20a is a dry hand 38a for handling wafers before polishing and after drying, the lower hand is a wet hand 38b for handling wafers before drying, and the upper hand of the second robot 20b is A clean hand 38c for handling a clean wafer and a dirty hand 38d for handling a wafer in a polishing process are provided below. The four types of hands 38a to 38d can move up and down, and can enter an upper stage or a lower stage of the transfer gate 18 described later.

【0032】反転機24a,24bは、この実施の形態
では、カセットの収納方式やロボットの把持機構との関
係で必要であるが、常にウエハの研磨面が下向きの状態
で移送されるような場合には必要ではない。また、ロボ
ット20a,20bに反転機能を持たせるような構造の
場合も必要ではない。この実施の形態では、2つの反転
機24a,24bを、研磨前のドライなウエハを扱う反
転機24aと、研磨後のウエットなウエハを扱う反転機
24bと使い分けている。
In this embodiment, the reversing devices 24a and 24b are necessary in relation to the cassette storage system and the holding mechanism of the robot. However, when the wafer is always transferred with the polished surface of the wafer facing downward. Not necessary. Further, a case where the robots 20a and 20b have a reversing function is not necessary. In this embodiment, the two reversing machines 24a and 24b are selectively used as a reversing machine 24a for handling a dry wafer before polishing and a reversing machine 24b for handling a wet wafer after polishing.

【0033】図1(a)に示すように、このポリッシン
グ装置では、全体を覆うカバー40の中の空間を、必要
な清浄度に従って隔壁42により区画している。すなわ
ち、ロード・アンロードユニット14、第1の搬送ロボ
ット20a、及びこれの脇に配置された反転機24a及
び2つの洗浄機26b,26cを含む空間が第1の部屋
1となり、第2の搬送ロボット20bとこれの一側に
配置された反転機24b及び洗浄機26aを含む空間が
第2の部屋R2となり、バフ研磨装置22、そのトップ
リング22a及びドレッシングヘッド23aを含む空間
が第3の部屋R3となり、2つの研磨装置10a,10
bを含む空間が第4の部屋R4となる。この例では、ロ
ード・アンロードユニット14に隣接する空間R5は制
御装置(図示略)が配置され、また、これに隣接する空
間R6はメンテナンスのために人間が入れるように開口
している。空間R1を第1の部屋、空間R2,R3,R4
を第2の部屋とすると、ウエハはこれら2つの部屋の間
を移動することとなり、これら2つの部屋間に後述の搬
送ゲート18が存在する。
As shown in FIG. 1A, in this polishing apparatus, the space inside the cover 40 covering the whole is partitioned by partitions 42 according to the required cleanliness. That is, loading and unloading unit 14, the first transfer robot 20a, and its inverting unit 24a disposed on the side and two washer 26b, space is first room R 1 becomes comprising 26c, the second the transfer robot 20b and space the second chamber R 2 becomes including reversing machine 24b and the cleaning unit 26a disposed on one side of this, buffing apparatus 22, the space containing the top ring 22a and a dressing head 23a is third next room R 3, 2 two polishing apparatus 10a, 10
space containing the b is the fourth room R 4. In this example, the spatial R 5 adjacent to the loading and unloading unit 14 is disposed a control device (not shown), also the space R 6 adjacent thereto is opened to put a human for maintenance . Spatial R 1 first chamber, and a space R 2, R 3, R 4 When the second chamber, the wafer becomes possible to move between these two rooms, the transport will be described later between these two rooms Gate 18 is present.

【0034】第1の部屋R1と第2の部屋R2の間には、
被研磨材を部屋間で移動する際に仮置きするための搬送
ゲート18が設けられている。これは、プラスチック製
の箱であり、ウエハをこれらの部屋の間で受け渡しをす
る場所である。図1(b)に示すように、内部は上下の
仮置室18a,18bに仕切られており、上段でドライ
な状態のウエハを、下段でウエットな状態のウエハを受
け渡しするようになっている。なお、図示していない
が、第2の部屋R2と第3及び第4の部屋R3,R4の間
の隔壁にも、プッシャ34,36に面する位置にシャッ
タ(図示略)が設けられている。
Between the first room R 1 and the second room R 2 ,
A transfer gate 18 is provided for temporarily placing the material to be polished when moving between rooms. This is a plastic box where the wafers are transferred between these rooms. As shown in FIG. 1 (b), the interior is partitioned into upper and lower temporary storage chambers 18a and 18b, so that a wafer in a dry state in the upper stage and a wafer in a wet state in the lower stage are transferred. . Although not shown, a shutter (not shown) is provided at a position facing the pushers 34 and 36 also on the partition wall between the second room R 2 and the third and fourth rooms R 3 and R 4. Have been.

【0035】第1の部屋R1及び第2の部屋R2に面する
位置に、それぞれ上下の仮置室ごとに個別に開閉するシ
ャッタ62a1,62a2,62b1,62b2が設けられ
ている。また、搬送ゲートの上下及び中間の仕切壁に
は、それぞれ穴H1,H2,H3が形成され、これに順次
清浄な空気を流すように穴H1及びH3に給気及び排気ダ
クトが設けられている。また、下段側の仮置室には、ウ
エハに注水するノズルが設けられている。このように、
上段から下段に向けて送風することにより、各仮置室内
のパーティクルの飛散を防止することができるととも
に、上段、下段の仮置室内を清浄にし、上段、下段が相
互に内部を汚染しあうこともなく、特に下段の仮置室を
ウエットなウエハの搬送用として使い分けることによ
り、上段側の仮置室への汚染を防止することができる。
At positions facing the first room R 1 and the second room R 2 , shutters 62 a 1 , 62 a 2 , 62 b 1 , 62 b 2 which are individually opened and closed for the upper and lower temporary storage rooms are provided. I have. Holes H 1 , H 2 , and H 3 are formed in the upper, lower, and middle partition walls of the transfer gate, respectively. Air supply and exhaust ducts are provided in the holes H 1 and H 3 so that clean air flows sequentially. Is provided. Further, a nozzle for injecting water into the wafer is provided in the lower temporary storage chamber. in this way,
By blowing air from the upper stage to the lower stage, particles in each temporary storage room can be prevented from scattering, and the upper and lower temporary storage rooms are cleaned, and the upper and lower stages mutually contaminate the inside. In particular, contamination of the upper temporary storage chamber can be prevented by properly using the lower temporary storage chamber for transporting wet wafers.

【0036】このように搬送ゲート18を上下の仮置室
に区画したのは、第1に、スループットを上げるためで
ある。すなわち、1段しかないと、未研磨のウエハを搬
送ゲートに格納すると、その間は、研磨ずみのウエハを
搬送ゲートに入れられず、研磨済のウエハは未研磨のウ
エハが搬送ゲートを出るまで洗浄機26a内で待ってい
る必要があり、円滑にウエハが流れない。つまり待ち時
間が生じる。研磨済のウエハを搬送ゲートに格納したと
きも未研磨のウエハについて同様のことが生ずる。上下
2段にしてあれば上述のような待ち時間が生じないので
スループットが上がる。つまり、4つのハンド38a〜
38dが未研磨のウエハをR1からR2へ送るのと、研磨
済みのウエハをR2からR1へ送るのとは同時並行的に行
うことが可能である。
The reason why the transfer gate 18 is partitioned into the upper and lower temporary storage chambers in this manner is firstly to increase the throughput. In other words, if there is only one stage, if the unpolished wafer is stored in the transfer gate, the polished wafer cannot be put in the transfer gate during that time, and the polished wafer will be washed until the unpolished wafer exits the transfer gate. It is necessary to wait in the machine 26a, and the wafer does not flow smoothly. That is, a waiting time occurs. The same occurs for an unpolished wafer when the polished wafer is stored in the transfer gate. If two stages are used, the above-mentioned waiting time does not occur, and the throughput is increased. That is, the four hands 38a-
38d it is possible to perform the unpolished wafer and sending from R 1 to R 2, the polished wafer concurrently and send from R 2 to R 1.

【0037】第2には、上述したように2つの仮置室を
清浄な被研磨材の搬送と、清浄でない被研磨材の処理に
使い分けることにより、被研磨材が搬送ゲートを介して
汚染されることを防止するためである。この例では、下
段にウエットなウエハを入れ、ウエハにパーティクルが
固着しないように、箱内に設けたノズルより水をウエハ
にかける。従って、箱内のウエハの受け台は濡れてお
り、また、パーティクルにより汚れている。一方、上段
はドライウエハ専用として用いており、下段のように水
を掛けていないので、上段の受け台は濡れていない。従
って、上段にウエハがある時に装置にトラブルが生じた
とき等、ウエハを一旦ロード・アンロードユニット12
a,12bに戻すことがあるが、上段の受け台によりウ
エハが汚染されることはないのでウエハを清浄なままロ
ードユニットに戻すことができる。もし、未研磨のウエ
ハが汚染されてロード側に戻ると、汚染物質(パーティ
クル)がウエハ上で乾燥して固着してのちの研磨時のウ
エハ面の傷の発生の原因となる。
Second, as described above, the two temporary storage chambers are used for transporting a clean material to be polished and for processing an unclean material to be polished, so that the material to be polished is contaminated via a transfer gate. This is to prevent that. In this example, a wet wafer is placed in the lower stage, and water is applied to the wafer from a nozzle provided in a box so that particles do not adhere to the wafer. Therefore, the pedestal of the wafer in the box is wet and is dirty with particles. On the other hand, the upper stage is used exclusively for dry wafers, and is not watered unlike the lower stage, so that the upper stage receiving stand is not wet. Therefore, when a trouble occurs in the apparatus when there is a wafer in the upper stage, the wafer is temporarily loaded and unloaded by the load / unload unit 12.
The wafers may be returned to the positions a and 12b. However, the wafers are not contaminated by the upper pedestal, so that the wafers can be returned to the load unit while being clean. If the unpolished wafer is contaminated and returns to the load side, contaminants (particles) are dried and fixed on the wafer and cause damage to the wafer surface during polishing.

【0038】また、上段をドライウエハ専用としたの
は、もし上段をウエットウエハ専用、下段をドライウエ
ハ専用とすると、下段にドライハンドが進入することに
なり、このとき、上段の箱内から、水が落下するなどし
てドライハンドを濡らしたり汚染し、研磨後のウエハを
汚染するからである。
The reason why the upper stage is dedicated to dry wafers is that if the upper stage is dedicated to wet wafers and the lower stage is dedicated to dry wafers, the dry hand will enter the lower stage. This is because the dry hand wets or contaminates the dry hand by dropping water and contaminates the polished wafer.

【0039】また、この実施の形態において、搬送ゲー
トのシャッタを上下の各仮置室の2つの出口ごとに設け
たのは、部屋R1,R2と、搬送ゲート18との間の空気
の流通を防いで、特にR1側の清浄な空間を汚染をさせ
ないようにするためである。つまり、ドライハンド38
aがドライウエハを上段に置くときはシャッタ62a1
のみが開き、さらにシャッタ62a1を閉じてシャッタ
62b1を開き、ダーティハンド38dによりドライウ
エハを上段から部屋R2に取り出す。
In this embodiment, the shutter of the transfer gate is provided for each of the two outlets of the upper and lower temporary storage chambers because the air between the rooms R 1 and R 2 and the transfer gate 18 is not provided. preventing the flow, in particular in order to not to a contaminating the clean space R 1 side. That is, the dry hand 38
When a puts the dry wafer on the upper stage, the shutter 62a 1
Only open further open the shutter 62b 1 by closing the shutter 62a 1, taken in the room R 2 dry wafer from the upper by dirty hands 38d.

【0040】同様に、クリーンハンド38cがウエット
ウエハを下段に置くときは、シャッタ62b2を開き、
ウエットハンド38bがウエットウエハを下段から取る
ときはシャッタ62a2のみを開くようにする。即ち、
4つのシャッタのうち必要なもののみ開くようにし、部
屋R2のパーティクル等が搬送ゲート18を介して部屋
1へ流れないようにする。なお、ウエハを搬送ゲート
の仮置室内に置いて、挿入した側のシャッタを閉じ、他
方のシャッタを開くまで、間に短い時間を取って、H1
から清浄な空気を供給し、搬送ゲート内の空気を置換す
ると、搬送ゲートからの相互汚染を一層完全に防止する
ことができる。
Similarly, when the clean hand 38c places the wet wafer on the lower stage, the shutter 62b2 is opened,
When the wet hand 38b removes a wet wafer from the lower stage, only the shutter 62a2 is opened. That is,
Four to open only necessary among the shutter, particles and the like of the room R 2 is prevented from flowing into the room R 1 through the transfer gate 18. Incidentally, at the wafer in a temporary incubation cabinet of the transfer gate closes the inserted side shutter, until you open the other shutter, taking short time between, H 1
When clean air is supplied from the transfer gate and the air in the transfer gate is replaced, cross-contamination from the transfer gate can be more completely prevented.

【0041】このポリッシング装置には、各部屋の雰囲
気を所定の清浄度に維持するための手段が設けられてい
る。すなわち、各部屋R1〜R4内の圧力を順にP1
2,P3,P4とするとそれらを、その清浄度が高い順
に、P1>P2>P3>P4となるように調整する圧力調整
手段が設けられている。部屋R3,R4から部屋R1,R2
へ汚れた空気等が流れないようにするのが目的なのでP
3=P4としてもよい。圧力調整手段は、例えば、ブロワ
や排気装置の能力を設定する手段、あるいはダクトの弁
の開度を調整する手段として構成される。必要に応じ
て、圧力センサの出力を基にこれら作動を制御する制御
装置を設けもよい。これにより、各部屋間では、清浄度
が高い部屋から低い部屋に向かってのみ流れるようにな
っている。
This polishing apparatus is provided with means for maintaining the atmosphere in each room at a predetermined cleanliness. That is, the pressure in each of the rooms R 1 to R 4 is sequentially changed to P 1 ,
Assuming that P 2 , P 3 , and P 4 are provided, a pressure adjusting means is provided for adjusting them such that P 1 > P 2 > P 3 > P 4 in order of decreasing cleanliness. From rooms R 3 and R 4 to rooms R 1 and R 2
The purpose is to prevent the flow of dirty air, etc.
3 = may be used as P 4. The pressure adjusting unit is configured as, for example, a unit for setting the performance of a blower or an exhaust device, or a unit for adjusting the opening of a valve of a duct. If necessary, a control device for controlling these operations based on the output of the pressure sensor may be provided. Thereby, between each room, it flows only from a room with high cleanliness to a room with low cleanliness.

【0042】第1の部屋R1及び第2の部屋R2では、図
4(a)に示すように、それぞれ空気の一部を循環使用
し、また、上から下へ向かう下降流を形成するような準
閉鎖系の空調システムACが構成されている。すなわ
ち、これらの部屋の上部にフィルタユニット50が設け
られており、これは、インバータモータ52で駆動され
るファン54により外気を空気取入口56から取り入
れ、部屋上部のフィルタ58を通過させて清浄化して部
屋に供給する。部屋の底部の洗浄水等を取り入れない位
置に、吸気孔を有する循環ダクト60が設けられてい
る。
In the first room R 1 and the second room R 2 , as shown in FIG. 4A, a part of the air is circulated and a downward flow is formed from top to bottom. Such a semi-closed air conditioning system AC is configured. That is, a filter unit 50 is provided at the upper part of these rooms. The filter unit 50 takes in outside air from an air inlet 56 by a fan 54 driven by an inverter motor 52 and passes the air through a filter 58 at the upper part of the room to purify the air. Supply to the room. A circulation duct 60 having an intake hole is provided at a position at the bottom of the room where washing water and the like are not taken in.

【0043】循環ダクト60はフィルタユニット50の
フィルタ58の上流に連通しており、ファン54により
空気が循環する。空気取入口56からは、洗浄装置26
a,26b,26cやウエットな反転機24bから排水
と一緒に排気される空気を補う量の空気が取り入れられ
る。なお、図4で、洗浄装置26a,26b,26c、
反転機24bからの排気は装置の床Bからなされ、一旦
上方へ上昇させられてからEの矢印方向へ排出される。
以上のような構成により、第1の部屋R1ではその内部
の清浄度が非常に高く確保されている。
The circulation duct 60 communicates upstream of the filter 58 of the filter unit 50, and air is circulated by the fan 54. From the air inlet 56, the cleaning device 26
a, 26b, 26c and the wet reversing machine 24b are supplied with an amount of air to supplement the air exhausted together with the waste water. In FIG. 4, the cleaning devices 26a, 26b, 26c,
The exhaust air from the reversing device 24b is discharged from the floor B of the apparatus, is once raised upward, and is discharged in the direction indicated by the arrow E.
With the above configuration, the first chamber R 1 in the interior of the cleanliness of which is ensured very high.

【0044】第3の部屋R3及び第4の部屋R4は、部屋
1,R2のような空気の清浄化や循環使用を行っていな
いが、やはり、上部から空気を取り入れて下部から排気
することにより下降流を形成している。これによって、
各装置の下側の駆動機構等からの汚染物質や飛散した液
体を巻き上げることがないようになっている。なお、R
3,R4では上部から下部への空気の流れは廃止してもよ
い。これはR3,R4内では空気の清浄度をそれ程要しな
いためであるが、図4(a)にEで示すようにR3,R4
下部からの排気は行う。この排気により、R3,R4は装
置外よりも負圧になっている。これは、研磨部を含むR
3,R4から、周囲のクリーンルーム内へ汚れた空気が出
ていくのを防止するためである。
The third room R 3 and the fourth room R 4 do not purify or circulate air as in the rooms R 1 and R 2 , but also take in air from the upper side and lower the air from the lower side. A downward flow is formed by exhausting air. by this,
Contaminants and scattered liquid from a drive mechanism or the like on the lower side of each device are not wound up. Note that R
3, air flow R 4 in the top to bottom may be abolished. This R 3, although in the R 4 is because not required cleanliness of air so, the R 3 as indicated by E in FIG. 4 (a), R 4
Exhaust from the bottom. Due to this exhaust, R 3 and R 4 are at a lower pressure than outside the device. This is because R
From 3, R 4, in order to prevent the exiting air dirty into the surrounding clean room.

【0045】このような構成のポリッシング装置におい
てウエハの研磨を行なう場合のウエハの流れを説明す
る。ロード・アンロードユニット14に載置された複数
枚数のウエハを収容するカセット12a,12bから、
第1のロボット20aのドライハンド38aでウエハを
取り出し、第1の反転機24aで反転した後、搬送ゲー
ト18のシャッタ62a1を開き、再びドライハンド3
8aで上段に置く。次に、搬送ゲート18の他方のシャ
ッタ62b1を開いて第2のロボット20bのダーティ
ハンド38dでウエハを取り出し、隔壁42のシャッタ
を開いて研磨装置10a又は10bのプッシャ34の上
に置く。
The flow of a wafer when polishing the wafer in the polishing apparatus having such a configuration will be described. From cassettes 12a and 12b accommodating a plurality of wafers placed on the load / unload unit 14,
First out the wafer in a dry hand 38a of the robot 20a, was reversed in the first reversing machine 24a, opens the shutter 62a 1 of the transfer gate 18, a dry hand 3 again
8a put on the upper stage. Then, the wafer is taken out dirty hand 38d of the second robot 20b opens the other of the shutter 62b 1 of the transfer gate 18 is placed on the polishing device 10a or 10b of the pusher 34 to open the shutter of the partition wall 42.

【0046】以下、ウエハは、パラレル処理の場合に
は、研磨装置10a,10b→バフ研磨装置22→反転
機24b→洗浄機26aと流れ、また、シリーズ処理の
場合は、第1研磨装置10a→洗浄機26a→第2研磨
装置10b→バフ研磨装置22→反転機24b→洗浄機
26aと流れる。
Hereinafter, in the case of parallel processing, wafers flow in the order of polishing apparatuses 10a and 10b → buff polishing apparatus 22 → reversing machine 24b → cleaning machine 26a. In the case of series processing, the first polishing apparatus 10a → The washing machine 26a → the second polishing apparatus 10b → the buff polishing apparatus 22 → the reversing machine 24b → the washing machine 26a.

【0047】バフ研磨装置22でウエハを研磨するとき
は、トップリング22a、ドレッシングヘッド23aが
図1の状態から移動し、トップリング22aがプッシャ
36上に、ドレッシングヘッド23aがバフ研磨工具2
2上に位置し、トップリング22aでプッシャ36上の
未研磨ウエハを保持する間にドレッシングヘッドでバフ
研磨工具の再生を行なう。そして、再びトップリング2
2a、ドレッシングヘッド23aが図1の位置へ移動
し、トップリング22aによりバフ研磨工具にウエハを
押圧してウエハを研磨する間、ドレッシングヘッド23
aはドレッシングヘッド洗浄槽23aで洗浄される。こ
こまでの各装置間の搬送はダーティハンド38dで行な
われる。
When the wafer is polished by the buff polishing apparatus 22, the top ring 22a and the dressing head 23a move from the state shown in FIG. 1, the top ring 22a is placed on the pusher 36, and the dressing head 23a is moved by the buff polishing tool 2a.
The buffing tool is regenerated by the dressing head while the unpolished wafer on the pusher 36 is held by the top ring 22a on the top ring 22a. And again top ring 2
2a, while the dressing head 23a is moved to the position shown in FIG. 1 and the top ring 22a presses the wafer against the buffing tool to polish the wafer, the dressing head 23a
a is washed in the dressing head washing tank 23a. The transfer between the devices up to this point is performed by the dirty hand 38d.

【0048】次に、洗浄機26aで第1の洗浄を行った
後の比較的クリーンでかつウエットなウエハを、第2の
ロボット20bのクリーンハンド38cで取り出し、シ
ャッタ62b2を開いて搬送ゲート18の下段に置き、
シャッタ62bを閉じる。クリーンハンド38cは研磨
済みのウェットなウエハを洗浄機26aから搬送ゲート
18へ搬送するためだけに使うため、クリーンハンド3
8cを清浄に保つことができ、クリーンハンド38cが
このウエハを汚染することがない。
Next, a relatively clean and and wet wafer after the first washing with washer 26a, is taken out at a clean hand 38c of the second robot 20b, conveyed by opening the shutter 62b 2 gate 18 In the lower row,
The shutter 62b is closed. Since the clean hand 38c is used only for transferring the polished wet wafer from the cleaning device 26a to the transfer gate 18, the clean hand 38c is used.
8c can be kept clean, and the clean hand 38c does not contaminate the wafer.

【0049】この実施の形態では、バフ研磨装置22一
基に対して研磨装置10a,10bが2基設けられてい
る。これは、研磨装置10a,10bにおける研磨より
もバフ研磨装置22における研磨の方が研磨時間が短い
からである。従来の装置で、1次研磨装置が1基のみ設
けられていたときは、次のウエハの1次研磨が済むまで
は2次研磨装置(バフ研磨装置22)は研磨を休んでい
たが、本装置では、1次研磨装置を10a,10bの2
台としたので、ウエハの1次研磨をパラレルで行い、2
次研磨を行なうバフ研磨装置22を遊ばせることをなく
して研磨のスループットを上げることができる。
In this embodiment, two polishing apparatuses 10a and 10b are provided for one buff polishing apparatus 22. This is because the polishing time is shorter in the buff polishing device 22 than in the polishing devices 10a and 10b. In the conventional apparatus, when only one primary polishing device was provided, the secondary polishing device (buff polishing device 22) rested the polishing until the primary polishing of the next wafer was completed. In the apparatus, the primary polishing apparatus is composed of 10a and 10b.
The first polishing of the wafer was performed in parallel.
The buffing device 22 for performing the next polishing can be eliminated, and the polishing throughput can be increased.

【0050】次に、搬送ゲート18のシャッタ62a2
を開き、第1のロボット20aのウエットハンド38b
でウエハを取り出し、第2の洗浄機26b、第3の洗浄
機26cへと順次送って、洗浄と乾燥を行なう。第3の
洗浄機26cで乾燥が済んだウエハは、第1のロボット
20aのドライハンド38aで取り出されてロード・ア
ンロードユニット14のカセット12a,12bに戻さ
れる。
Next, the shutter 62a 2 of the transport gate 18
And the wet hand 38b of the first robot 20a
Then, the wafer is taken out and sequentially sent to the second cleaning machine 26b and the third cleaning machine 26c to perform cleaning and drying. The wafer dried by the third cleaning device 26c is taken out by the dry hand 38a of the first robot 20a and returned to the cassettes 12a and 12b of the load / unload unit 14.

【0051】以上の工程において、各部屋はウエハの出
し入れのための通路を除いては、基本的に他の部屋と区
画されており、空気の流れが無い。つまり、第1の部屋
1は第2の部屋R2との間で搬送ゲート18を介してウ
エハを授受し、搬送ゲート18は必要最小限の個数のシ
ャッタが開くので、空気が直接に流通することがない。
また、第2の部屋R2と、第3及び第4の部屋R3,R4
との間の窓にもシャッタが設けられていて、必要な時に
開くようにしている。また、隔壁の間の多少の隙間があ
ったり、あるいはウエハの移動のためにこれらのシャッ
タを開いたときでも、高圧側から低圧側にのみ空気が流
れる。従って、より清浄度の低い側から清浄度の高い側
への空気の流れが無いので、相互の汚染が防止される。
In the above steps, each room is basically partitioned from other rooms except for a passage for taking in and out of a wafer, and there is no air flow. That is, the first room R 1 is exchanging wafers through the transfer gate 18 between the second chamber R 2, since the transport gate 18 opens the shutter of the minimum required number, distribution air directly Never do.
Also, the second room R 2 and the third and fourth rooms R 3 and R 4
A shutter is also provided in the window between them so that they can be opened when needed. Also, even when there is some gap between the partition walls or when these shutters are opened to move the wafer, air flows only from the high pressure side to the low pressure side. Therefore, since there is no air flow from the lower cleanliness side to the higher cleanliness side, mutual contamination is prevented.

【0052】また、この実施の形態では、ロボット20
a,20bにハンド38a〜38dをそれぞれ2本持た
せて、洗浄後のウエハとそれ以外のウエハ、及び乾燥状
態の濡れた状態のウエハを扱う場合をそれぞれ使い分け
るようにしたので、各ハンドを介して汚染されることも
ない。さらに、搬送ゲート18の中の棚を上下2つに分
けているので、搬送ゲート18を介して汚染されること
もない。
In this embodiment, the robot 20
a and 20b are provided with two hands 38a to 38d, respectively, so that the wafer after cleaning, the other wafer, and the case of handling a wet wafer in a dry state can be used properly. No pollution. Further, since the shelves in the transfer gate 18 are divided into upper and lower shelves, there is no contamination via the transfer gate 18.

【0053】上記の工程においては、部屋R1、ドライ
ハンド38a、未研磨のドライウエハ、研磨済みのドラ
イウエハを清浄に保つことが必要である。未研磨のドラ
イウエハを清浄に保つ理由は、パーティクルがドライウ
エハに固着したまま研磨すると前述したようにウエハ面
の傷の原因となるからである。
In the above steps, it is necessary to keep the room R 1 , the dry hand 38a, the unpolished dry wafer, and the polished dry wafer clean. The reason why the unpolished dry wafer is kept clean is that if the particles are polished while being fixed to the dry wafer, they cause damage to the wafer surface as described above.

【0054】特に、研磨ずみのドライウエハを清浄に保
つことが必要であり、そのために以下のような工夫がな
されている。 ドライハンド38aは、研磨・洗浄・乾燥の済んだ
ウエハを扱うため、清浄性を維持している。 部屋R1の清浄性維持のために、搬送ゲート18内
の空気の循環や、4つのシャッタの必要な箇所のみを開
いて部屋R2からの汚染を防止している。 部屋R1の清浄性維持のために、部屋R1内の空気循
環と排気をしている。 ドライハンド38aの清浄性維持のために、穴H1
→H2の排気を行っている。 未研磨のドライウエハの清浄性維持のために、穴H
1→H2の排気を行っている。 研磨済みドライウエハの清浄性維持のために、ドラ
イハンド38aを清浄に保ち、かつ部屋R1を清浄に保
っている。
In particular, it is necessary to keep the polished dry wafer clean, and for that purpose, the following measures have been devised. The dry hand 38a maintains cleanliness because it handles wafers that have been polished, cleaned, and dried. For room R 1 of cleanliness maintained, circulation and air in the transfer gate 18, to prevent contamination from the room R 2 opens only the necessary portions of the four shutters. For room R 1 detergency maintained, and the exhaust air circulation in the room R 1. In order to maintain the cleanness of the dry hand 38a, the hole H 1
→ have done the exhaust of H 2. In order to maintain the cleanliness of the unpolished dry wafer, holes H
We have done the exhaust of 1 → H 2. For cleanliness maintenance of polished dry wafer, keeping the dry hand 38a to clean, and it is kept a room R 1 clean.

【0055】なお、この発明の実施の形態は前記に限ら
れるものではなく、各装置内の構成、台数、形式又は配
置は任意である。例えば、シリーズやパラレルの処理を
行わない場合には、研磨装置は1台で足り、付属設備も
少なくてよい。また、反転機の有無、配置、台数、形
式、プッシャ34,36の有無等も任意であり、例え
ば、搬送ロボット20a,20bはレール上を走行する
方式ではなく、据え付け式でもよい。
The embodiment of the present invention is not limited to the above, and the configuration, number, type or arrangement in each device is arbitrary. For example, when series or parallel processing is not performed, only one polishing apparatus is required, and the number of attached facilities may be small. In addition, the presence / absence of the reversing machine, the arrangement, the number, the type, the presence / absence of the pushers 34 and 36, and the like are also arbitrary. For example, the transfer robots 20a and 20b may be of a stationary type instead of traveling on rails.

【0056】また、上記実施例では第1の部屋R1はロ
ード・アンロードユニット14を含むが、ロード・アン
ロードユニット14は、特に清浄に保つ必要があるた
め、この部分を隔壁で覆い、別個の部屋としてもよい。
そして、洗浄機26b,26c第1の搬送ロボット20
a等を含む空間(図1のR1からユニット14を除いた
部分)に対しロード・アンロードユニット内を高圧に
し、さらにロード・アンロードユニット14とロボット
20aとの間でウエハの受け渡しをするシャッタを該隔
壁に設けてもよい。ロード・アンロードユニット内が洗
浄機26b,26c、第1の搬送ロボット20a等を含
む空間よりも高圧なので、ロード・アンロードユニット
内を清浄に保てる。
Further, in the above embodiment, the first room R 1 includes the load / unload unit 14, but since the load / unload unit 14 needs to be particularly kept clean, this portion is covered with a partition wall. It may be a separate room.
Then, the cleaning machine 26b, 26c the first transfer robot 20
the high-pressure space (portion excluding the unit 14 from R 1 in FIG. 1) with respect to loading and unloading the unit comprising a like, further the transfer of the wafer between the load-unload unit 14 and the robot 20a A shutter may be provided on the partition. Since the pressure inside the load / unload unit is higher than the space including the washing machines 26b and 26c, the first transfer robot 20a, and the like, the inside of the load / unload unit can be kept clean.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、この発明のポリッ
シング装置によれば、設備や稼働コストを抑えつつ、各
工程での相互汚染を防いで清浄度の高い製品を提供する
ことができる。
As described above, according to the polishing apparatus of the present invention, it is possible to provide products with high cleanliness while preventing equipment and operating costs and preventing cross-contamination in each step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)はこの発明のポリッシング装置を模式的
に示す平面図、(b)は搬送ゲート部分の斜視図であ
る。
FIG. 1A is a plan view schematically showing a polishing apparatus of the present invention, and FIG. 1B is a perspective view of a transfer gate portion.

【図2】図1のポリッシング装置を具体的に示す平面図
である。
FIG. 2 is a plan view specifically showing the polishing apparatus of FIG. 1;

【図3】図1のポリッシング装置の内部を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view showing the inside of the polishing apparatus of FIG. 1;

【図4】図1のポリッシング装置の空調機構を模式的に
示す図である。
FIG. 4 is a diagram schematically showing an air conditioning mechanism of the polishing apparatus of FIG.

【図5】図2のA−A方向から見た側面図である。FIG. 5 is a side view as viewed from a direction AA in FIG. 2;

【図6】従来のポリッシング装置を模式的に示す平面図
である。
FIG. 6 is a plan view schematically showing a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10a,10b 研磨装置 14 ロード・アンロードユニット 18 搬送ゲート 18a,18b 仮置室 20a,20b ロボット(搬送装置) 22 バフ研磨装置 23 ドレッシング装置 24a,24b 反転機 26a,26b,26c 洗浄装置 50 フィルタユニット R1〜R4 部屋10a, 10b Polishing device 14 Load / unload unit 18 Transport gate 18a, 18b Temporary chamber 20a, 20b Robot (transport device) 22 Buff polishing device 23 Dressing device 24a, 24b Inverter 26a, 26b, 26c Cleaning device 50 Filter unit R 1 to R 4 rooms

フロントページの続き (72)発明者 矢島 比呂海 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 重田 賢一 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 竪山 佳邦 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内Continued on the front page (72) Inventor Yajima Hiromi 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Kawasaki Office (72) Inventor Kenichi Shigeta 72 Horikawacho, Saiwai-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Toshiba Corporation Inside the Kawasaki Office (72) Inventor Yoshikuni Tateyama 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Kawasaki Office

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被研磨材の研磨面を化学機械的に研磨す
る研磨装置を備えたポリッシング装置において、 内部空間を清浄度に従って区画して前記被研磨材を収容
する収容装置と前記研磨装置との間に被研磨材を仮置き
するための仮置室を有する搬送ゲートを設けたことを特
徴とするポリッシング装置。
1. A polishing apparatus provided with a polishing apparatus for chemically and mechanically polishing a polished surface of a material to be polished, comprising: an accommodation device for accommodating the material to be polished by partitioning an internal space according to cleanliness; A polishing apparatus, further comprising a transfer gate having a temporary placement chamber for temporarily placing a workpiece to be polished.
【請求項2】 前記搬送ゲートには前記仮置室が複数設
けられていることを特徴とする請求項1に記載のポリッ
シング装置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said temporary storage chambers are provided in said transfer gate.
【請求項3】 被研磨材を収容する収容装置と、第一の
搬送装置とを収容する第一の部屋と、 被研磨材の研磨面を化学機械的に研磨する研磨装置と、
第二の搬送装置とを収容する第二の部屋と、 前記二つの部屋間に被研磨材を仮置きするための仮置室
を設けたことを特徴とするポリッシング装置。
3. A storage device for storing a material to be polished, a first room for storing a first transfer device, a polishing device for chemically and mechanically polishing a polishing surface of the material to be polished,
A polishing apparatus, comprising: a second room for accommodating a second transfer device; and a temporary placement room for temporarily placing an object to be polished between the two rooms.
【請求項4】 前記第一の部屋は第一の処理装置を含
み、前記第一の処理装置においては、研磨後の被研磨材
の洗浄及び乾燥を含む工程が行われることを特徴とする
請求項3に記載のポリッシング装置。
4. The method according to claim 1, wherein the first chamber includes a first processing apparatus, and the first processing apparatus performs a process including cleaning and drying of the workpiece after polishing. Item 4. A polishing apparatus according to Item 3.
【請求項5】 前記第二の部屋は第二の処理装置を含
み、前記第二の処理装置においては、研磨後の被研磨材
のバフィング及び洗浄を含む工程が行われることを特徴
とする請求項3又は4に記載のポリッシング装置。
5. The method according to claim 1, wherein the second chamber includes a second processing device, wherein a process including buffing and cleaning of the polished material is performed in the second processing device. Item 5. The polishing apparatus according to item 3 or 4.
【請求項6】 前記第二の部屋が、研磨装置部分、洗浄
装置及び第二搬送装置部分、バフィング装置部分に区画
されていることを特徴とする請求項5に記載のポリッシ
ング装置。
6. The polishing apparatus according to claim 5, wherein the second chamber is divided into a polishing device portion, a cleaning device, a second transfer device portion, and a buffing device portion.
【請求項7】 前記仮置室が搬送ゲートに取り付けられ
ていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記
載のポリッシング装置。
7. The polishing apparatus according to claim 3, wherein the temporary storage chamber is attached to a transfer gate.
【請求項8】 半導体デバイスを表面に有するウエハを
カセットから取り出して仮置室へ搬送する工程と、 前記ウエハを前記仮置室から研磨装置部分へ搬送する工
程と、 前記ウエハを前記研磨装置部分で化学機械的に研磨する
工程と、 研磨したウエハをバフィング装置部分へ搬送する工程
と、 前記ウエハをバフィングする工程と、 バフィングしたウエハを第一洗浄装置部分へ搬送する工
程と、 第一洗浄後のウエハを仮置室に搬送する工程と、 前記ウエハを第二洗浄装置部分へ搬送する工程と、 前記ウエハを洗浄及び乾燥する工程と、 乾燥したウエハをカセットへ搬送する工程と、を同一の
箱体内で行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。
8. A step of taking out a wafer having a semiconductor device on a surface from a cassette and transporting the wafer to a temporary storage chamber; a step of transporting the wafer from the temporary storage chamber to a polishing apparatus portion; A step of chemically and mechanically polishing the wafer, a step of transporting the polished wafer to a buffing apparatus part, a step of buffing the wafer, a step of transporting the buffed wafer to a first cleaning apparatus part, and after the first cleaning Transporting the wafer to the temporary storage chamber, transporting the wafer to the second cleaning unit, cleaning and drying the wafer, and transporting the dried wafer to the cassette are the same. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the method is performed in a box.
【請求項9】 各工程のうち少なくとも1つの工程がそ
れを行う空間で清浄化する工程を含み、さらにクリーン
ルーム内で行うことを特徴とする請求項8記載の半導体
デバイスの製造方法。
9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein at least one of the steps includes a step of cleaning in a space in which the step is performed, and is further performed in a clean room.
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