JPH10340681A - 多空胴クライストロン - Google Patents
多空胴クライストロンInfo
- Publication number
- JPH10340681A JPH10340681A JP15082197A JP15082197A JPH10340681A JP H10340681 A JPH10340681 A JP H10340681A JP 15082197 A JP15082197 A JP 15082197A JP 15082197 A JP15082197 A JP 15082197A JP H10340681 A JPH10340681 A JP H10340681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drift tube
- cavity
- klystron
- cavity klystron
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作を安定化した多空胴クライストロンを提
供すること 【解決手段】 電子ビーム１１の進行方向に配列された
複数の共振空胴１３ａ〜１３ｅと、この共振空胴１３ａ
〜１３ｅ間を連結し、少なくとも１つはテーパ状に径が
変化するテーパ部１７ａをもつ複数のドリフト管１７と
を具備した多空胴クライストロンにおいて、ドリフト管
１７のテーパ部１７ａを高周波損失の大きい材料で構成
している。
供すること 【解決手段】 電子ビーム１１の進行方向に配列された
複数の共振空胴１３ａ〜１３ｅと、この共振空胴１３ａ
〜１３ｅ間を連結し、少なくとも１つはテーパ状に径が
変化するテーパ部１７ａをもつ複数のドリフト管１７と
を具備した多空胴クライストロンにおいて、ドリフト管
１７のテーパ部１７ａを高周波損失の大きい材料で構成
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、動作を安定化さ
せた多空胴クライストロンに関する。
せた多空胴クライストロンに関する。
【０００２】
【従来の技術】多空胴クライストロンは、高周波信号の
増幅などに使用される電子管で、電子ビームを発生する
電子銃部や、電子ビームのエネルギーを高周波信号に与
える高周波相互作用部、電子ビームを補足すコレクタ
部、高周波信号の入出力部などから構成されている。高
周波相互作用部は、電子ビームの進行方向に配列された
複数の共振空胴で構成されている。そして、電子銃部と
高周波相互作用部間、高周波相互作用部を構成する複数
の共振空胴間、高周波相互作用部とコレクタ部間は、そ
れぞれドリフト管で連結されている。
増幅などに使用される電子管で、電子ビームを発生する
電子銃部や、電子ビームのエネルギーを高周波信号に与
える高周波相互作用部、電子ビームを補足すコレクタ
部、高周波信号の入出力部などから構成されている。高
周波相互作用部は、電子ビームの進行方向に配列された
複数の共振空胴で構成されている。そして、電子銃部と
高周波相互作用部間、高周波相互作用部を構成する複数
の共振空胴間、高周波相互作用部とコレクタ部間は、そ
れぞれドリフト管で連結されている。
【０００３】上記した構成の多空胴クライストロンは、
ドリフト管で連結された例えば共振空胴間が高周波的に
結合しないように、ドリフト管の径を動作周波数（ｆc
）が伝播しないような大きさに設定している。例え
ば、ドリフト管の遮断周波数（ｆc ）が動作周波数（ｆ
0 ）よりも高くなるようにドリフト管の直径を小さくし
ている。
ドリフト管で連結された例えば共振空胴間が高周波的に
結合しないように、ドリフト管の径を動作周波数（ｆc
）が伝播しないような大きさに設定している。例え
ば、ドリフト管の遮断周波数（ｆc ）が動作周波数（ｆ
0 ）よりも高くなるようにドリフト管の直径を小さくし
ている。
【０００４】しかし、クライストロンを高効率化、小型
化、高周波数化、大電力化し、ドリフト管内の電子ビー
ム密度を上げた場合、高周波相互作用部における電子ビ
ームのバンチングが深くなり、また、電子ビームの広が
りが大きくなる。このため、電子ビームの広がりが大き
い、例えば、出力部に近いドリフト管の径を大きくし、
電子ビームがドリフト管の壁面に衝突しないようによう
にしている。このような場合、ドリフト管の高周波イン
ピーダンスが急激に変化しないように、ドリフト管は径
が徐々に変化するテーパ部にしている。
化、高周波数化、大電力化し、ドリフト管内の電子ビー
ム密度を上げた場合、高周波相互作用部における電子ビ
ームのバンチングが深くなり、また、電子ビームの広が
りが大きくなる。このため、電子ビームの広がりが大き
い、例えば、出力部に近いドリフト管の径を大きくし、
電子ビームがドリフト管の壁面に衝突しないようによう
にしている。このような場合、ドリフト管の高周波イン
ピーダンスが急激に変化しないように、ドリフト管は径
が徐々に変化するテーパ部にしている。
【０００５】ここで、ドリフト管の一部にテーパ部を構
成した従来の多空胴クライストロンについて、図４を参
照して説明する。図４は、テーパ部が構成されたドリフ
ト管部分を抜き出して示した断面図で、符号４１および
符号４２は共振空胴で、多空胴クライストロンの高周波
相互作用部を構成している。共振空胴４１、４２はドリ
フト管４３で連結され、ドリフト管４３の一部に、径が
ｄ１からｄ２（ｄ１＜ｄ２）へと徐々に変化するテーパ
部４３ａが形成されている。
成した従来の多空胴クライストロンについて、図４を参
照して説明する。図４は、テーパ部が構成されたドリフ
ト管部分を抜き出して示した断面図で、符号４１および
符号４２は共振空胴で、多空胴クライストロンの高周波
相互作用部を構成している。共振空胴４１、４２はドリ
フト管４３で連結され、ドリフト管４３の一部に、径が
ｄ１からｄ２（ｄ１＜ｄ２）へと徐々に変化するテーパ
部４３ａが形成されている。
【０００６】なお、電子ビームの広がりは図の左に位置
する電子銃側が小さく、図の右側に位置するコレクタ部
が大きくなる。したがって、ドリフト管４３の径は共振
空胴４１側を小さく、共振空胴４２側を大きくしてい
る。
する電子銃側が小さく、図の右側に位置するコレクタ部
が大きくなる。したがって、ドリフト管４３の径は共振
空胴４１側を小さく、共振空胴４２側を大きくしてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】多空胴クライストロン
のドリフト管４３は、径が小さいほど遮断周波数（ｆ
ｃ）は高くなる。このため、動作周波数をｆ0 とした場
合、テーパ部４３ａよりも左側の径の小さいドリフト管
の遮断周波数（ｆｃ）は、例えばｆc ＞２ｆ0 となり、
動作周波数の第２高調波（２ｆ0 ）よりも高くなる。
のドリフト管４３は、径が小さいほど遮断周波数（ｆ
ｃ）は高くなる。このため、動作周波数をｆ0 とした場
合、テーパ部４３ａよりも左側の径の小さいドリフト管
の遮断周波数（ｆｃ）は、例えばｆc ＞２ｆ0 となり、
動作周波数の第２高調波（２ｆ0 ）よりも高くなる。
【０００８】一方、テーパ部４１ａよりも右側のドリフ
ト管は径が大きいため遮断周波数（ｆｃ）が低くなる。
このため、例えばｆc ＜２ｆ0 となり、遮断周波数ｆｃ
は動作周波数の第２高調波（２ｆ0 ）よりも低くなって
しまう。
ト管は径が大きいため遮断周波数（ｆｃ）が低くなる。
このため、例えばｆc ＜２ｆ0 となり、遮断周波数ｆｃ
は動作周波数の第２高調波（２ｆ0 ）よりも低くなって
しまう。
【０００９】このとき、共振空胴４２の右側に位置する
コレクタ部もｆc ＜２ｆ0 となり、テーパ部４１ａから
右側に、コレクタ部や出力部などを含み、ｆc ＜２ｆ0
のーつの大きな空胴が形成される。このため、これらの
形状によって、例えばＴＥ11 P モードにおいて、周波数
が２ｆ0 の近傍でＱ値の高い共振モードを生じ、出力動
作が不安定になることがある。
コレクタ部もｆc ＜２ｆ0 となり、テーパ部４１ａから
右側に、コレクタ部や出力部などを含み、ｆc ＜２ｆ0
のーつの大きな空胴が形成される。このため、これらの
形状によって、例えばＴＥ11 P モードにおいて、周波数
が２ｆ0 の近傍でＱ値の高い共振モードを生じ、出力動
作が不安定になることがある。
【００１０】この発明は、上記した欠点を解決するもの
で、動作を安定化した多空胴クライストロンを提供する
ことを目的とする。
で、動作を安定化した多空胴クライストロンを提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、電子ビーム
の進行方向に配列された複数の共振空胴と、この共振空
胴間を連結し、少なくとも１つはテーパ状に径が変化す
る複数のドリフト管とを具備した多空胴クライストロン
において、前記ドリフト管のテーパ状に径が変化する部
分の少なくとも一部をドリフト管の他の部分の表面材料
よりも高周波損失の大きい表面材料で構成したことを特
徴としている。
の進行方向に配列された複数の共振空胴と、この共振空
胴間を連結し、少なくとも１つはテーパ状に径が変化す
る複数のドリフト管とを具備した多空胴クライストロン
において、前記ドリフト管のテーパ状に径が変化する部
分の少なくとも一部をドリフト管の他の部分の表面材料
よりも高周波損失の大きい表面材料で構成したことを特
徴としている。
【００１２】また、この発明は、電子ビームの進行方向
に配列された複数の共振空胴と、この共振空胴間を連結
し、少なくとも１つはテーパ状に径が変化する複数のド
リフト管とを具備した多空胴クライストロンにおいて、
前記ドリフト管のテーパ状に径が変化する部分の表面
に、銅よりも高周波損失の大きい材料の層を構成したこ
とを特徴としている。
に配列された複数の共振空胴と、この共振空胴間を連結
し、少なくとも１つはテーパ状に径が変化する複数のド
リフト管とを具備した多空胴クライストロンにおいて、
前記ドリフト管のテーパ状に径が変化する部分の表面
に、銅よりも高周波損失の大きい材料の層を構成したこ
とを特徴としている。
【００１３】また、高周波損失の大きい表面材料が、炭
化珪素またはステンレスであることを特徴としている。
化珪素またはステンレスであることを特徴としている。
【００１４】また、銅よりも高周波損失の大きい材料の
層を、窒化チタンの被膜またはニッケルの金属メッキで
形成したことを特徴としている。
層を、窒化チタンの被膜またはニッケルの金属メッキで
形成したことを特徴としている。
【００１５】上記した構成によれば、テーパ状に径が変
化する部分のドリフト管の少なくとも一部をドリフト管
の他の部分の表面材料よりも高周波損失の大きい表面材
料で構成し、あるいは、ドリフト管のテーパ状に径が変
化する部分の表面に、銅よりも高周波損失の大きい材料
の層を構成している。この場合、ドリフト管のテーパ状
に径が変化する部分からコレクタ部に亘って形成される
大きな共振空胴のＱ値が低下し、不安定な動作を抑える
ことができる。
化する部分のドリフト管の少なくとも一部をドリフト管
の他の部分の表面材料よりも高周波損失の大きい表面材
料で構成し、あるいは、ドリフト管のテーパ状に径が変
化する部分の表面に、銅よりも高周波損失の大きい材料
の層を構成している。この場合、ドリフト管のテーパ状
に径が変化する部分からコレクタ部に亘って形成される
大きな共振空胴のＱ値が低下し、不安定な動作を抑える
ことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態について、
例えば、５空胴クライストロンを例にとり図１を参照し
て説明する。図１は、５空胴クライストロンの構造を概
略的に示した構造図で、符号Ａは電子銃部である。電子
銃部Ａは、電子ビーム１１を発生する陰極１２ａや電子
ビーム１１を加速する陽極１２ｂなどから構成されてい
る。電子銃部Ａの前方には高周波相互作用部Ｂが設けら
れている。高周波相互作用部Ｂは、電子ビーム１１の進
行方向に配列された例えば５個の共振空胴１３ａ〜１３
ｅから構成されている。高周波相互作用部Ｂのさらに前
方には、電子ビーム１１を捕捉するコレクタ１４が設け
られている。
例えば、５空胴クライストロンを例にとり図１を参照し
て説明する。図１は、５空胴クライストロンの構造を概
略的に示した構造図で、符号Ａは電子銃部である。電子
銃部Ａは、電子ビーム１１を発生する陰極１２ａや電子
ビーム１１を加速する陽極１２ｂなどから構成されてい
る。電子銃部Ａの前方には高周波相互作用部Ｂが設けら
れている。高周波相互作用部Ｂは、電子ビーム１１の進
行方向に配列された例えば５個の共振空胴１３ａ〜１３
ｅから構成されている。高周波相互作用部Ｂのさらに前
方には、電子ビーム１１を捕捉するコレクタ１４が設け
られている。
【００１７】高周波相互作用部Ｂを構成する複数の共振
空胴１３ａ〜１３ｅのうち、電子銃部Ｂ側に位置する共
振空胴１３ａには、高周波信号の入力部１５、例えば同
軸線路が接続されている。コレクタ１４側に位置する共
振空胴１３ｅには出力部１６、例えば導波管が接続され
ている。また、電子銃部Ａと高周波相互作用部Ｂ間、複
数の共振空胴１３ａ〜１３ｅ間、高周波相互作用部Ｂと
コレクタ１４間は、それぞれドリフト管１７で連結され
ている。
空胴１３ａ〜１３ｅのうち、電子銃部Ｂ側に位置する共
振空胴１３ａには、高周波信号の入力部１５、例えば同
軸線路が接続されている。コレクタ１４側に位置する共
振空胴１３ｅには出力部１６、例えば導波管が接続され
ている。また、電子銃部Ａと高周波相互作用部Ｂ間、複
数の共振空胴１３ａ〜１３ｅ間、高周波相互作用部Ｂと
コレクタ１４間は、それぞれドリフト管１７で連結され
ている。
【００１８】そして、例えば、電子銃部Ａ側から３番目
の共振空胴１３ｃと４番目の共振空胴１３ｄを連結する
ドリフト管１７部分に、コレクタ１４側に向って徐々に
径が大きくなるテーパ部１７ａが設けられている。
の共振空胴１３ｃと４番目の共振空胴１３ｄを連結する
ドリフト管１７部分に、コレクタ１４側に向って徐々に
径が大きくなるテーパ部１７ａが設けられている。
【００１９】ここで、ドリフト管１７にテーパ部１７ａ
を形成した部分の構造について図２の断面図で説明す
る。なお、図２では、図１に対応する部分には同一の符
号を付している。
を形成した部分の構造について図２の断面図で説明す
る。なお、図２では、図１に対応する部分には同一の符
号を付している。
【００２０】共振空胴１３ｃと共振空胴１３ｄが、テー
パ部１７ａが一部に設けられたドリフト管１７で連結さ
れている。そして、ドリフト管１７の径が小さい部分お
よび径が大きい部分を形成する管容器部分Ｐ、Ｑは、例
えば銅で形成されている。
パ部１７ａが一部に設けられたドリフト管１７で連結さ
れている。そして、ドリフト管１７の径が小さい部分お
よび径が大きい部分を形成する管容器部分Ｐ、Ｑは、例
えば銅で形成されている。
【００２１】一方、ドリフト管１７のテーパ部１７ａを
形成する例えば一部表面部分Ｒは、炭化珪素（ＳｉＣ）
などの電磁波吸収体、あるいは、ステンレスなど銅より
も高周波損失の大きい金属で形成している。
形成する例えば一部表面部分Ｒは、炭化珪素（ＳｉＣ）
などの電磁波吸収体、あるいは、ステンレスなど銅より
も高周波損失の大きい金属で形成している。
【００２２】次に、この発明の他の実施形態について図
３を参照して説明する。なお、図３では、図２に対応す
る部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略す
る。
３を参照して説明する。なお、図３では、図２に対応す
る部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【００２３】この実施の形態では、ドリフト管１７を構
成する管容器部分はすべて銅で形成され、ドリフト管１
７のテーパ部１７ａの表面に、銅よりも高周波損失が大
きい、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）の被膜Ｍを形成して
いる。なお、この場合、窒化チタンの被膜Ｍに代えて、
銅よりも高周波損失が大きいニッケル（Ｎｉ）などの金
属メッキを施すこともできる。なお、テーパ部１７ａ以
外のドリフト管１７の表面は銅となっている。
成する管容器部分はすべて銅で形成され、ドリフト管１
７のテーパ部１７ａの表面に、銅よりも高周波損失が大
きい、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）の被膜Ｍを形成して
いる。なお、この場合、窒化チタンの被膜Ｍに代えて、
銅よりも高周波損失が大きいニッケル（Ｎｉ）などの金
属メッキを施すこともできる。なお、テーパ部１７ａ以
外のドリフト管１７の表面は銅となっている。
【００２４】上記した構成によれば、ドリフト管のテー
パ部が電磁波吸収体あるいは高周波損失の大きい金属で
形成され、または、少なくともテーパ部の表面に銅より
も高周波損失の大きい材料の層が形成されている。した
がって、ドリフト管のテーパ部からコレクタ部にわたっ
て形成される大きな共振空胴のＱ値が低下し、多空胴ク
ライストロンの動作を安定化できる。この場合、電磁波
吸収体あるいは高周波損失の大きい金属の部分、また
は、銅よりも高周波損失の大きい材料の層の部分は、ド
リフト管のテーパ部全体に亘る必要はなく、テーパ部の
一部領域であってもよい。
パ部が電磁波吸収体あるいは高周波損失の大きい金属で
形成され、または、少なくともテーパ部の表面に銅より
も高周波損失の大きい材料の層が形成されている。した
がって、ドリフト管のテーパ部からコレクタ部にわたっ
て形成される大きな共振空胴のＱ値が低下し、多空胴ク
ライストロンの動作を安定化できる。この場合、電磁波
吸収体あるいは高周波損失の大きい金属の部分、また
は、銅よりも高周波損失の大きい材料の層の部分は、ド
リフト管のテーパ部全体に亘る必要はなく、テーパ部の
一部領域であってもよい。
【００２５】なお、上記した実施の形態では、５空胴ク
ライストロンを例にとり、電子銃側から３番目と４番目
の共振空胴を連結するドリフト管にテーパ部を形成して
いる。また、問題になる高周波信号を動作周波数の２倍
の高調波を例にとって説明している。しかし、この発明
は、テーパ部を形成するドリフト管の数や位置、またク
ライストロンの空胴数、高調波の倍数などは任意のもの
に対して適用することができる。
ライストロンを例にとり、電子銃側から３番目と４番目
の共振空胴を連結するドリフト管にテーパ部を形成して
いる。また、問題になる高周波信号を動作周波数の２倍
の高調波を例にとって説明している。しかし、この発明
は、テーパ部を形成するドリフト管の数や位置、またク
ライストロンの空胴数、高調波の倍数などは任意のもの
に対して適用することができる。
【００２６】
【発明の効果】この発明によれば、動作を安定化した多
空胴クライストロンを実現できる。
空胴クライストロンを実現できる。
【図１】この発明の実施形態を説明するための概略の構
造図である。
造図である。
【図２】この発明の実施形態を説明するための一部断面
図である。
図である。
【図３】この発明の他の実施形態を説明するための一部
断面図である。
断面図である。
【図４】従来例を説明するための一部断面図である。
１１…電子ビーム １２ａ…陰極 １２ｂ…陽極 １３ａ〜１３ｅ…共振空胴 １４…コレクタ １５…入力部 １６…出力部 １７…ドリフト管 １７ａ…ドリフト管のテーパ部
Claims (4)
- 【請求項１】 電子ビームの進行方向に配列された複数
の共振空胴と、この共振空胴間を連結し、少なくとも１
つはテーパ状に径が変化する複数のドリフト管とを具備
した多空胴クライストロンにおいて、前記ドリフト管の
テーパ状に径が変化する部分の少なくとも一部をドリフ
ト管の他の部分の表面材料よりも高周波損失の大きい表
面材料で構成したことを特徴とする多空胴クライストロ
ン。 - 【請求項２】 電子ビームの進行方向に配列された複数
の共振空胴と、この共振空胴間を連結し、少なくとも１
つはテーパ状に径が変化する複数のドリフト管とを具備
した多空胴クライストロンにおいて、前記ドリフト管の
テーパ状に径が変化する部分の表面に、銅よりも高周波
損失の大きい材料の層を構成したことを特徴とする多空
胴クライストロン。 - 【請求項３】 高周波損失の大きい表面材料が、炭化珪
素またはステンレスであることを特徴とする請求項１記
載の多空胴クライストロン。 - 【請求項４】 銅よりも高周波損失の大きい材料の層
を、窒化チタンの被膜またはニッケルの金属メッキで形
成したことを特徴とする請求項２記載の多空胴クライス
トロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082197A JPH10340681A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 多空胴クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082197A JPH10340681A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 多空胴クライストロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340681A true JPH10340681A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15505153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15082197A Pending JPH10340681A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 多空胴クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100590A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Toshiba Corp | クライストロン装置 |
| JP2015204193A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社東芝 | 多空胴クライストロン |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP15082197A patent/JPH10340681A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100590A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Toshiba Corp | クライストロン装置 |
| JP2015204193A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社東芝 | 多空胴クライストロン |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010519695A (ja) | 高周波ヘリックス増幅器および発振器 | |
| JPH10340681A (ja) | 多空胴クライストロン | |
| Choi et al. | Experimental observation of the effect of aftercavity interaction in a depressed collector gyrotron oscillator | |
| Fliagin et al. | Powerful gyrotrons | |
| US3819977A (en) | Velocity modulation tube having floating resonator circuits and short drift spaces | |
| US4388555A (en) | Gyrotron with improved stability | |
| EP1034556B1 (en) | Electron beam tubes | |
| JPH0378736B2 (ja) | ||
| EP0753878A1 (en) | Linear electron beam tubes arrangements | |
| JP3511293B2 (ja) | Ｔｍ０１ｘモード（ｘ＞０）のクライストロン共鳴空洞 | |
| JP2863310B2 (ja) | 仮想陰極を用いるマイクロ波発生装置 | |
| JP4533588B2 (ja) | クライストロン装置 | |
| Wang et al. | Stable 1 MW, third-harmonic gyro-TWT amplifier | |
| US5281894A (en) | Dual cavity for a dual frequency gyrotron | |
| JPH04215233A (ja) | 同軸出力を備えるマルチビームマイクロ波管 | |
| JPH0419944A (ja) | ミリ波発生装置 | |
| Wu | An S-band klystron-like relativistic backward wave oscillator operating at low magnetic field with high conversion efficiency | |
| JP3075741B2 (ja) | 多空胴直進形クライストロン | |
| RU2393577C1 (ru) | Свч-прибор клистронного типа | |
| JPH02265146A (ja) | 超高周波発振管装置 | |
| JP2006134751A (ja) | 電子管 | |
| JPH11120925A (ja) | 電子管の真空容器部 | |
| JP2560638B2 (ja) | 多空胴クライストロン | |
| JP2000149801A (ja) | マイクロ波管装置 | |
| JPH0260028A (ja) | 進行波管 |