JPH10340413A - 記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リード時のノンリニアビットシフトに対し逆方
向に書込電流の切替点をずらすプリコンペ量を環境温度
に応じて変化させ、ノンリニアビットシフトの影響をキ
ャンセルしてエラーレイトを向上する。 【解決手段】パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭ
Ｌ）により復調するための情報を媒体に書込む磁気ディ
スク装置等の記憶装置であり、ライト・プリコンペ回路
１は、長い磁気反転間隔と短い磁化反転間隔に続くつぎ
の磁化反転間隔との境界位置を与える書込電流の切替点
のタイミングを、所定のライト・プリコンペ量だけ予め
遅延して記録することによって、リード時にシフトした
読取信号のピーク位置を正しい位置とするように補償す
る。設定処理部２は、温度センサ３で検出された環境温
度Ｔに応じて、ライト・プリコンペ回路１にライト・プ
リコンペ量の最適値に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パーシャルレスポ
ンス最尤検出（ＰＲＭＬ）により復調される情報を媒体
に記録する記憶装置に関し、特に、読取時のピークシフ
トを補償するライト・プリコンペ量を環境温度に応じて
自動的に設定調整する磁気ディスク装置等の記憶装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置は大容量化が進
んでおり、容量の増加に伴い、ビット密度は狭くなる一
方である。従来の磁気ディスク装置は、容量の増加に伴
い、磁化反転間隔が短くなり、高ビット密度に強いパー
シャルレスポンス最尤検出方式（以下「ＰＲＭＬ」方式
という）を用いたライトリード方式が主流になってい
る。

【０００３】このように磁気記録密度を高めたＰＲＭＬ
方式のリードライトを行う磁気ディスク装置では、図１
１（Ａ）のように、長い磁化反転間隔１００と短い磁化
反転間隔１０１が連続すると、短い磁化反転領域１０１
の磁気記録が不十分となってライトしきれず、次の磁化
反転間隔１０２の境界を与えるライト電流の切替点（磁
化方向遷移点）１０３に対応した図１１（Ｂ）の期待す
る読出波形１０４に対し、実際の読出しでは図１１
（Ｃ）の読取ピーク波形１０５のようにシフトし、ビッ
ト間隔が近づくノンリニアビットシフト（ＮＬＴＳ）１
０６という現象が起こる。

【０００４】このノンリニアビットシフトは、通常、近
接した間隔の磁気遷移間に生ずる磁気静的な相互作用に
よりもたらされる書込効果といえる。このようなノンリ
ニアビットシフトがＰＲＭＬ方式により再生される読取
波形に起きると、パーシャルレスポンスに基づく波形等
化を行った際のサンプル点の位置がずれ、最尤検出によ
る予測が外れるためにリードエラーを引き起こす。

【０００５】そこで、従来装置にあっては、図１１
（Ｃ）のようなノンリニアビットシフト１０６のシフト
量を予め測定し、図１２（Ａ）の補償前の書込電流の切
替点１０３をノンリニアビットシフト１０６のシフト量
だけ遅延させた切替点１０７とするライト・プリコンペ
（書込予補償）を行っている。この図１２（Ｂ）のライ
ト・プリコンペによる補償書込みを行った磁気記録の読
出波形は、図１２（Ｃ）のようになり、遅延した切替点
１０７の再生波形１０８がノンリニアビットシフトを受
けてシフトし、図１２（Ａ）の補償前の切替点対応した
位置に得られ、ビット間隔をもつ読取波形が再生され、
ノンリニアビットシフトをキャンセルできる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＲＭ
Ｌ方式の再生処理で問題となる読取波形のノンリニアビ
ットシフトは、磁気ディスク媒体の温度によっても大き
く影響を受ける。これは、ディスク媒体のＢ−Ｈ特性
（磁化特性）におけるヒステリシス曲線が図１３のよう
に変化することに起因している。

【０００７】即ち、磁気ディスク媒体のＢ−Ｈ曲線は、
常温で実線のようなヒステリシス特性をもっているが、
温度が低下すると破線のようにヒステリシスが上がる。
ここで記録磁界Ｈはライトヘッドに流すライト電流に比
例し、Ｂｒは残留磁束密度、Ｈｃは保持力である。また
ノンリニアビットシフトは、温度によってヘッドの浮上
量が変化することによる影響も受ける。

【０００８】このような温度に依存した媒体のヒステリ
シス特性やヘッド浮上量の変化によるノンリニアビット
シフトに対応するためには、温度センサにより環境温度
を測定し、規定の磁気記録密度（残留磁束密度）が得ら
れるようライト電流を変化させることが考えられる。例
えば低温時は、図１３の破線のように媒体のヒステリシ
スが上がるため、それまでの書込磁界Ｈ１のライト電流
から書込磁界Ｈ２となるようにライト電流を上げれば、
一定の磁気記録密度（残留磁束密度）を保つことがで
き、ノンリニアビットシフトの原因である磁気記録が不
十分でライトしきれない状態をなくすことができる。

【０００９】しかし、ライト電流を上げるとライトヘッ
ドによる媒体上での磁化領域の書き広がりが大きくな
り、隣のトラックのデータを消してしまう問題が発生す
る。またライト電流を変化させるには、電流を変化させ
るためのスイッチ回路、もしくは専用のＤ／Ａコンバー
タなどが必要となり、回路量が増加してしまう問題もあ
る。

【００１０】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、媒体温度に依存してノンリニアビットシフ
トの量が変動する点に着目し、リード時のノンリニアビ
ットシフト（ピークシフト）に対し逆方向に書込電流の
切替点をずらすライト・プリコンペ量を、環境温度に応
じて変化させることによって、ノンリニアビットシフト
の影響をキャンセルし、エラーレートを向上するように
した記録装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。まず本発明は、パーシャルレスポンス最尤検
出（ＰＲＭＬ）により復調するための情報を媒体に書き
込む磁気ディスク装置等の記憶装置を対象とする。この
ような記憶装置につき本発明にあっては、図１８（Ａ）
のように、長い磁化反転間隔と短い磁化反転領域に続く
次の磁化反転間隔との境界を与える書込電流の切替点
（磁化方向遷移点）のタイミングを、所定のライト・プ
リコンペ量だけ予め遅延させることによって、リード時
にシフトした読取信号のピーク位置を正しい位置とする
ように補償するライト・プリコンペ回路１と、温度セン
サ３で検出された環境温度Ｔに応じて、ライト・プリコ
ンペ回路１のライト・プリコンペ量ＷＰを最適値に設定
する設定処理部２とを設けたことを特徴とする。

【００１２】設定処理部２は、環境温度に対応したライ
ト・プリコンペ量の最適値を予め格納したテーブル４を
有し、温度センサ３で検出した環境温度によるテーブル
４の参照によりライト・プリコンペ量の最適値を読み出
してライト・プリコンペ回路１に設定する。また設定処
理部２は、環境温度が変化した際に、媒体上にライト・
プリコンペ量を変化させながら試験データを書き込んだ
後に読み出してエラーレートを測定し、エラーレートが
最良となるライト・プリコンペ量を求めてライト・プリ
コンペ回路１に設定してもよい。更に、温度センサはデ
ィスクエンクロージャ又はプリント基板に設置する。

【００１３】このような本発明の記憶装置によれば、温
度により媒体のヒステリシス特性が変化してリード時の
ノンリニアビットシフトが悪化しても、温度センサを用
いて環境温度をモニタし、環境温度に応じてライト・プ
リコンペ量を変化させることで、書込電流の増加等によ
り隣接トラックに悪影響を及ぼしたり、回路量を増加さ
せることなく、ＰＲＭＬ方式特有の温度変化によるリー
ドエラーを回避することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図２は本発明の記憶装置の実施形
態であり、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知
られた磁気ディスク装置を例にとっている。この磁気デ
ィスク装置は、ディスクエンクロージャ１０とコントロ
ール回路ボード１１で構成される。ディスクエンクロー
ジャ１０には、ヘッドＩＣ回路として実装されたＲ／Ｗ
プリアンプ回路１２、ヘッドアッセンブリィ１４、ボイ
スコイルモータ（「以下「ＶＣＭ」という）１５、スピ
ンドルモータ１６及び装置内の環境温度を検出する温度
センサ３が設けられる。

【００１５】Ｒ／Ｗプリアンプ回路１２は、ヘッド選
択、ライト電流設定、ＭＲヘッドのセンス電流設定等が
コントロール回路ボード１１側からのシリアルデータ転
送によるレジスタ設定でできるように多機能化されてい
る。ヘッドアッセンブリィ１４には、インダクティブヘ
ッドを用いたライトヘッドと例えばＭＲヘッドを用いた
リードヘッドを一体化した複合ヘッドが磁気ディスク媒
体のブロック面に対応した数だけ設けられている。もち
ろん、ヘッドアッセンブリィ１６はＶＣＭ１５により駆
動されるヘッドアクチュエータの先端に支持され、磁気
ディスク媒体のトラックを横切る方向に移動される。

【００１６】コントロール回路ボード１１にはＭＣＵ
（マイクロ・コントロール・ユニット）１８、リードチ
ャネル回路（ＲＤＣ）２０、発振器２２、ハードディス
クコントローラ（ＨＤＣ）２４、フラッシュＰＥＲＯＭ
２６、ＤＲＯＭを用いたデータバッファ２８、サーボコ
ントローラ３０、及び上位装置とのインタフェースコネ
クタ３６が設けられている。

【００１７】ＭＣＵ１８は例えば上位装置からのライト
アクセスを受けると、インタフェースコネクタ３６を介
して受信したＮＲＺライトデータをデータバッファ２８
に格納した後、ハードディスクコントローラ２４により
リードチャネル回路２０にライトゲート信号ＷＧを出力
して書込動作状態とし、データバッファ２８から読み出
したＮＲＺライトデータについて所定のライトフォーマ
ットを行った後に、リードチャネル回路２０に供給す
る。

【００１８】リードチャネル回路２０は、ハードディス
クコントローラ２４からのＮＲＺライトデータに対し例
えばＰＲ４ＭＬ方式（パーシャルレスポンス・クラス４
最尤検出方式）を行うため、８／９変換プリコード、本
発明が対象とするノンリニアビットシフトをキャンセル
するためのプリコンペ（書込予補償）を行った後に、デ
ィスクエンクロージャ１０のＲ／Ｗプリアンプ回路１２
に供給し、ライトドライバにより書込電流に変換して、
そのとき選択しているヘッドアッセンブリィ１０の中の
ライトヘッドにより磁気ディスク媒体に書込みを行う。

【００１９】一方、ＭＣＵ１８が上位装置からのリード
アクセスを受けた際には、ハードディスクコントローラ
２４を起動してリードチャネル回路２０に対しリードゲ
ート信号ＲＧを出力してリード動作を行わせる。この状
態でディスクエンクロージャ１０のヘッドアッセンブリ
ィ１４の中の選択されたＭＲヘッドからの読取信号がＲ
／Ｗプリアンプ回路１２内のプリアンプで増幅された
後、リードチャネル回路２０に与えられる。

【００２０】リードチャネル回路２０は、入力した読出
信号について例えばＰＲ４の理想波形を生成するための
波形等化を行った後に最尤検出のためのビタビアルゴリ
ズムの実行により読取データを復調し、最終的に８／９
逆変換を行ってＮＲＺデータに変換した後、ハードディ
スクコントローラ２４に出力する。ハードディスクコン
トローラ２４は、リードチャネル回路２０からのリード
データについてＥＣＣ処理を行った後、データバッファ
２８を経由して上位装置にリードデータを転送する。

【００２１】またＭＣＵ１８によるライトアクセス及び
リードアクセスの際には、サーボコントローラ３０がア
クセスアドレスで決まるシリンダアドレスにヘッドアッ
センブリィ１４をシークしてオントラックするようにＶ
ＣＭ１５を駆動してヘッド位置決め制御を行う。図３は
図２のコントロール回路ボード１１に設けているリード
チャネル回路２０のブロック図である。リードチャネル
回路２０において、まず書込変調部はパラレルインタフ
ェース４０に続いて設けられた８／９エンコーダ４２、
プリコーダ４４、ライト・プリコンペ回路１、ライトＦ
Ｆ４８で構成される。このリードチャネル回路２０にお
けるリードライト時の制御は、リードチャネル制御ロジ
ック５０のポートＰ５〜Ｐ８に対する設定信号により行
われる。

【００２２】即ちポートＰ５には、ＭＣＵ１８よりリー
ドチャネル回路２０の動作状態を設定するシリアル転送
によるレジスタ設定データが供給される。またポートＰ
６，Ｐ７，Ｐ８には、ハードディスクコントローラ２４
よりリードゲート信号ＲＧ、ライトゲート信号ＷＧ、及
びサーボゲート信号ＳＧが供給される。更にリードチャ
ネル制御ロジック５０は、ポートＰ７にライトゲート信
号ＷＧが供給されている状態でポートＰ５からのシリア
ル転送によるレジスタ設定により、ライト・プリコンペ
回路１に対するノンリニアビットシフトをキャンセルす
るための遅延クロック数で与えられるライト・プリコン
ペ量ＷＰの設定を行う。

【００２３】このライト変調部による書込動作は次のよ
うになる。ポートＰ１からパラレルインタフェース４０
に与えられたＮＲＺライトデータは、８／９エンコーダ
４２で８／９符号に変換され、プリコーダ４４でＰＲ４
ＭＬのため１＋（１＋Ｄ）^mのプリコードを行った後、
ライト・プリコンペ回路１でノンリニアビットシフトを
キャンセルするためのライト・プリコンペ量の設定によ
る遅延を行い、ライトＦＦ４８で分周した後にポートＰ
４よりディスクエンクロージャ１０側に供給し、ライト
ヘッドにより磁気ディスク媒体に磁気的に書込記録す
る。

【００２４】リードチャネル回路２０の読出復調部は、
サーボ復調部とデータ復調部に分かれる。ディスクエン
クロージャ１０からのリード信号はポートＰ９に入力さ
れ、ＡＧＣアンプ５２で増幅された後、プログラマブル
フィルタ５４に入力される。プログラマブルフィルタ５
４はＡＧＣアンプ５２からのリード信号について、ロー
パスフィルタとしての機能と微分回路としての機能を実
現する。ローパスフィルタを通った信号はポートＰ１１
よりサーボパルス検出器６８に与えられると同時に、デ
ータ復調部側の全波整流回路５６と適応型等化器６０に
与えられている。

【００２５】プログラマブルフィルタ５４の微分機能に
よるポートＰ１０からの微分信号は、サーボパルス検出
器６８に与えられている。サーボパルス検出器６８は、
ポートＰ１０からの微分信号のゼロクロスのタイミング
でポートＰ１１からのローパスフィルタ出力信号のピー
ク検出を行い、サーボ情報に含まれているシリンダ情報
を検出してポートＰ１３より出力する。

【００２６】プログラマブルフィルタ５４のローパスフ
ィルタ出力となるポートＰ１１からのリード信号は、全
波整流回路５６で整流されて振幅成分が取り出され、サ
ーボ復調回路７０に入力されている。磁気ディスク媒体
のサーボ領域には２相サーボパターンが記録されてお
り、その結果、サーボ復調回路７０はサーボ復調信号と
して２相サーボ方式においてよく知られた位置信号Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄの４つをポートＰ１２から出力する。

【００２７】一方、データ復調部はプログラマブルフィ
ルタ５４のポートＰ１１からのローパスフィルタ出力信
号を入力する適応型等化器６０、最尤検出器６２及び８
／９デコーダ６４で構成される。即ち、ディスクエンク
ロージャからポートＰ９に入力したリード信号はＡＧＣ
アンプ５２での自動利得制御によって増幅された後、プ
ログラマブルフィルタ５４のローパスフィルタを通って
適応型等化器６０に入力し、ＰＲ４に適合した波形等化
が行われた後、最尤検出器６２でビタビアルゴリズムに
従った最尤検出によりリードデータを復調する。

【００２８】続いて８／９デコーダ６４で最尤検出した
リードデータを８／９逆変換して元のＮＲＺデータに変
換した後、パラレルインタフェース４０よりポートＰ１
を介して図１のハードディスクコントローラ２４側に出
力する。またデータ復調動作の際には、適応型等化器６
０からのリード信号がデータ分離回路として機能するＰ
ＬＬ回路６６に入力されており、ディスク媒体からのリ
ード信号に同期したリードクロックを生成し、適応型等
化器６０、８／９デコーダ６４、更にはパラレルインタ
フェース４０を介して、ポートＰ２よりリードクロック
ＲＣＬＫを出力している。

【００２９】図４は本発明の磁気ディスク装置における
読取信号に生ずるノンリニアビットシフトをキャンセル
するための環境温度に応じたライト・プリコンペ処理の
機能ブロック図である。図４においてライト・プリコン
ペ回路１に対しては、設定処理部２、温度センサ３及び
テーブル４が設けられている。この設定処理部２及びテ
ーブル４の機能は、図２に示したコントロール回路ボー
ド１１に設けているＭＣＵ１８及び図３に示したリード
チャネル回路２０に設けているリードチャネル制御ロジ
ック５０により実現される。

【００３０】ライト・プリコンペ回路１は、図１１に示
したような長い磁化反転間隔と短い磁化反転間隔に続く
次の磁化反転間隔の境界を与える書込電流の切替点（磁
化方向遷移点）のタイミングを、そのとき設定処理部２
により設定されているプリコンペ量ＷＰだけ遅延させ、
この書込電流の切替点（磁化方向遷移点）の遅延による
書込みで、リード時に生ずるノンリニアビットシフトが
正しいビット間隔の位置となるように補償する。

【００３１】設定処理部２に対しては、図１のようにデ
ィスクエンクロージャ１０に設けた温度センサ３からの
環境温度Ｔの検出信号が入力されている。設定処理部２
は温度センサ３で検出した環境温度Ｔが所定の温度スラ
イス値を超えたか否か判定しており、温度スライス値を
超えるとテーブル４を参照して、変化したスライス値に
対応するライト・プリコンペ量ＷＰを読み出して、ライ
ト・プリコンペ回路１に対する設定値を変更する。

【００３２】図５は本発明の磁気ディスク装置における
ライト・プリコンペ量ＷＰに対するエラーレートを環境
温度の低温、常温、高温をパラメータとして測定した結
果を表している。例えば常温Ｔ２にあっては、ライト・
プリコンペ量ＷＰを増加していくとエラーレートも改善
し、ピーク値を過ぎると、それ以上ライト・プリコンペ
量ＷＰを増やすとエラーレートが悪化する。

【００３３】このライト・プリコンペ量ＷＰの大小関係
に対するエラーレートの関係は、環境温度が低温Ｔ１の
場合にはライト・プリコンペ量ＷＰを常温Ｔ２に対し大
きくする必要があり、これに対し高温Ｔ３の時には常温
Ｔ２に対しライト・プリコンペ量ＷＰを小さくする必要
がある。このようにライト・プリコンペＷＰは、環境温
度に応じてそのエラーレートが異なっている。

【００３４】そこで図５の関係に基づき、本発明にあっ
ては、図６のような環境温度Ｔに対するライト・プリコ
ンペ量ＷＰを設定している。即ち、図５における低温を
Ｔ１、常温をＴ２、高温をＴ３とし、エラーレートが最
良となるときのライト・プリコンペ量ＷＰをそれぞれＷ
Ｐ１，ＷＰ２，ＷＰ３とすると、図６の直線で示される
温度Ｔに対するライト・プリコンペ量ＷＰの特性が得ら
れる。

【００３５】そこで図４のテーブル４にあっては、図６
の特性に基づき例えば図７のようにスライス温度値を参
照アドレスとして、これに対応するライト・プリコンペ
量を予め格納している。このテーブル内容にあっては、
スライス温度値をＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・Ｔｎのｎ領
域に分けており、各領域のスライス温度値で決まる領域
の中央値をライト・プリコンペ量ＷＰ０，ＷＰ１，ＷＰ
２，・・・ＷＰｎとして予め登録している。

【００３６】図８は図４の実施形態によるライト・プリ
コンペ処理のフローチャートである。まずステップＳ１
で、ディスクエンクロージャ１０に設置している温度セ
ンサ３で検出している環境温度Ｔを所定のタイムサイク
ルごとにモニタしており、ステップＳ２で、モニタした
環境温度Ｔによって図７のテーブル４を参照し、現在設
定しているライト・プリコンペ量に対応するテーブルの
温度スライス値を超えたか否かチェックする。

【００３７】検出した環境温度Ｔがテーブルの現在設定
しているプリコンペ量の温度スライス値を超えた場合に
はステップＳ４に進み、検出した環境温度Ｔが属する温
度スライス値のライト・プリコンペ量をテーブル４から
読み出して、ライト・プリコンペ回路１に対する設定量
を変更する。このようなステップＳ１〜Ｓ４の処理を、
ステップＳ５で装置停止指示があるまで繰り返す。

【００３８】図９はノンリニアビットシフトをキャンセ
ルする本発明のライト・プリコンペ処理の他の実施形態
であり、環境温度の所定のスライス値を超えたときに磁
気ディスク媒体にライト・プリコンペ量を変化させなが
ら試験データを書き込んで読み出し、エラーレートが最
良となるライト・プリコンペ量を実際に測定して設定変
更するようにしたことを特徴とする。

【００３９】図９において設定処理部２には、試験ライ
トリード指示部５、エラーレート測定部６及び最適値設
定部７が設けられている。試験ライトリード指示部５に
対しては、ディスクエンクロージャ１０側に設けている
温度センサ３からの環境温度Ｔの検出信号が与えられて
いる。試験ライトリード指示部５には、例えば図７のテ
ーブル４に示したようなスライス温度値による温度範囲
の設定が行われており、現在の環境温度が他のスライス
温度範囲に変化すると、試験ライトリード指示を行う。

【００４０】この試験ライトリード指示は、上位装置か
らのアクセスが行われていない待ち状態のタイミングで
行われる。また試験ライトリード指示部５によるライト
・プリコンペ量計測中に上位装置からのコマンドを受け
ると、測定処理を中断して上位装置からのアクセスを実
行した後に、再びライト・プリコンペ量の測定処理に戻
る。

【００４１】試験ライトリード指示部５による試験デー
タの書込みは、図１１に示したような長い磁化反転間隔
と短い磁化反転間隔をもつ試験データを繰り返し書き込
み、書込みに際してはライト・プリコンペ回路１に対す
る設定値を、予め定めた最小値（ＷＰmin ）から最大値
（ＷＰmax ）に向けて所定量ΔＷＰずつ変化させながら
書き込んだ後に読出しを行う。

【００４２】エラーレート測定部６は、ライト・プリコ
ンペ量を変化させながら書き込んだ試験データの読取デ
ータについてエラーレートを測定する。最適値設定部７
は、エラーレート測定部６による測定結果からエラーレ
ートが最良となるライト・プリコンペ量ＷＰを最適値と
して求め、これをライト・プリコンペ回路１に設定し
て、それまでの値を変更する。

【００４３】図１０は図９の実施形態におけるライト・
プリコンペ処理のフローチャートである。まずステップ
Ｓ１で、ディスクエンクロージャ１０に設けた温度セン
サ３による環境温度Ｔを所定のタイムサイクルごとにモ
ニタしており、モニタした環境温度ＴがステップＳ２で
所定のスライス値を超えた場合、ステップＳ３で予め定
めた所定の測定用セクタにヘッドを位置決めする。

【００４４】この測定用セクタとしては、磁気ディスク
媒体の最アウタもしくは最インナ側のシステム領域のシ
リンダを使用することが望ましい。また、ユーザ領域の
特定シリンダを使用してもよいことはもちろんである。
次にステップＳ４に進み、ライト・プリコンペ量ＷＰを
予め定めた最小値などの初期値ＷＰ１にセットし、ステ
ップＳ５で測定セクタにライトした後にリードしてエラ
ーレートを測定する。

【００４５】ステップＳ６でライト・プリコンペ量のセ
ット値が最終セット値か否かチェックし、最終セット値
でなければ、ステップＳ７でライト・プリコンペ量をΔ
ＷＰ分だけ更新した後、ステップＳ４，Ｓ５の測定セク
タに対するライトとリードによるエラーレートの測定を
繰り返す。ステップＳ６でライト・プリコンペ量の最終
セット値による処理終了が判別されると、ステップＳ８
に進み、測定が済んだエラーレートのうちの最良となる
ライト・プリコンペ量を最適値とし、この最適値にライ
ト・プリコンペ回路の値を変更する。このようなステッ
プＳ１〜Ｓ８の処理を、ステップＳ９で装置停止指示が
あるまで繰り返している。ステップＳ１〜Ｓ８のライト
・プリコンペ量の最適値の測定による変更の処理は、図
１のヘッドアッセンブリィ１４に設けている複数の複合
ヘッドごとに行うことになる。

【００４６】尚、上記の実施形態にあっては、図１のよ
うに環境温度Ｔを検出する温度センサ３をディスクエン
クロージャ１０に設けた場合を例にとっているが、温度
センサ３をコントロール回路ボード１１のプリント基板
上に設置して環境温度Ｔを検出するようにしてもよいこ
とはもちろんである。更に本発明の他の実施形態として
は、図６のように環境温度Ｔに対するライト・プリコン
ペ量ＷＰの特性が例えば直線で与えられていることか
ら、この直線の関係式 ＷＰ＝ＡＴ＋Ｂ を定め、環境温度Ｔについて演算によりライト・プリコ
ンペ量ＷＰを求めて、ライト・プリコンペ回路１に設定
するようにしてもよい。

【００４７】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、温度によって磁気ディスク媒体のヒステリシス曲線
が変化してノンリニアビットシフトに影響してエラーレ
ートが悪化しても、温度センサを用いて装置の環境温度
をモニタし、温度に応じて最適なライト・プリコンペ量
に変更することで、書込電流を変化させることによる隣
接トラックへの悪影響や回路量増加の問題を起こすこと
なく、ＰＲＭＬ方式特有の温度変化の影響を受けるノン
リニアビットシフトを確実にキャンセルしてリードエラ
ーを回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図

【図２】本発明が適用される磁気ディスク装置のブロッ
ク図

【図３】図２のリードチャネル回路に設けたライト変調
部、リード復調部及びサーボ復調部のブロック図

【図４】ライト・プリコンペ量をテーブル情報を用いて
変更する本発明の実施形態の機能ブロック図

【図５】環境温度に対するライト・プリコンペ量とエラ
ーレイトの特性図

【図６】環境温度に対するライト・プリコンペ量の特性
図

【図７】図４のテーブル内容の説明図

【図８】図４のライト・プリコンペ処理のフローチャー
ト

【図９】磁気ディスク媒体に試験データをライトしてラ
イト・プリコンペ量を測定して変更する本発明の他の実
施形態の機能ブロック図

【図１０】図９のライト・プリコンペ状態のフローチャ
ート

【図１１】従来の書込み記録時と読出し時に生ずるノン
リニアビットシフトの説明図

【図１２】従来のライト・プリコンペによって補償され
るノンリニアビットシフトの説明図

【図１３】温度により変化する磁気ディスク媒体のヒス
トリシス曲線の説明図

【符号の説明】

１：ライト・プリコンペ回路 ２：設定処理部 ３：温度センサ ４：テーブル ５：試験ライトリード指示部 ６：エラーレート測定部 ７：最適値設定部 １０：ディスクエンクロージャ １１：コントロール回路ボード １２：Ｒ／Ｗプリアンプ回路 １４：ヘッドアッセンブリィ １５：ボイスコイルモータ（ＶＣＭ） １６：スピンドルモータ １８：ＭＣＵ（マイクロ・コントローラ・ユニット） ２０：リードチャネル回路（ＲＤＣ） ２２：発振器 ２４：ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ） ２６：フラッシュＰＥＲＯＭ ２８：データバッファ ３０：サーボコントローラ ３２，３４：ＦＰＣ ３６：インタフェースコネクタ ４０：パラレルインタフェース ４２：８／９エンコーダ ４４：プリコーダ ４８：ライトＦＦ ５０：リードチャネル制御ロジック ５２：ＡＧＣアンプ ５４：プログラマブルフィルタ ５６：全波整流回路 ５８：ＡＧＣチャージポンプ回路 ６０：適応型等化器 ６２：最尤検出器 ６４：８／９デコーダ ６６：ＰＬＬ回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】パーシャルレスポンス最尤検出により復調
   するための情報を媒体に書き込む記憶装置に於いて、 長い磁化反転間隔と短い磁化反転間隔に続く次の磁化反
   転間隔を与える書込電流の切替点のタイミングを、所定
   のライト・プリコンペ量だけ予め遅延させることによっ
   て、リード時にシフトした読取信号のピーク位置を正し
   い位置とするように補償するライト・プリコンペ回路
   と、 温度センサで検出された環境温度に応じて、前記ライト
   ・プリコンペ回路のライト・プリコンペ量を最適値に設
   定する設定処理部と、を備えたことを特徴とする記憶装
   置。
2. 【請求項２】請求項１記載の記憶装置に於いて、前記設
   定処理部は、前記環境温度に対応したライト・プリコン
   ペ量の最適値を予め格納したテーブルを有し、前記温度
   センサで検出した環境温度による前記テーブルの参照に
   よりライト・プリコンペ量の最適値を読み出してライト
   ・プリコンペ回路に設定することを特徴とする記憶装
   置。
3. 【請求項３】請求項１記載の記憶装置に於いて、前記設
   定処理部は、前記環境温度が変化した際に、媒体上にラ
   イト・プリコンペ量を変化させながら試験データを書き
   込んだ後に読み出してエラーレートを測定し、該エラー
   レートが最良となるライト・プリコンペ量を求めて前記
   ライト・プリコンペ回路に設定することを特徴とする記
   憶装置。
4. 【請求項４】請求項１記載の記憶装置に於いて、前記温
   度センサを前記ディスクエンクロージャ又はプリント基
   板に設置したことを特徴とした記憶装置。