JPH10335778A - 高電力用電子部品 - Google Patents
高電力用電子部品Info
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- JPH10335778A JPH10335778A JP9146705A JP14670597A JPH10335778A JP H10335778 A JPH10335778 A JP H10335778A JP 9146705 A JP9146705 A JP 9146705A JP 14670597 A JP14670597 A JP 14670597A JP H10335778 A JPH10335778 A JP H10335778A
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属板の接続面とトランジスタの接続面の間
の凹凸による熱抵抗や電気抵抗の増大を緩和し、特性劣
化や素子破壊を防ぐ。 【解決手段】 低融点の金属１０６を金属板１０３の接
続面に載せ、金属板１０３を暖めて低融点金属１０６を
溶かした状態でトランジスタ１０１を上から固定する。
このとき液状の低融点金属１０６が金属板１０３の接続
面とトランジスタ１０１の接続面の凹凸に入り込む。こ
の状態で金属板１０３を冷却し低融点金属１０６を固体
化する。この低融点金属１０６を介して金属板１０３と
トランジスタ１０１を固定ネジ１０５で接続することで
両接続面の凹凸に関係せず実効接触面積を大きくするこ
とができる。これにより熱抵抗と電気抵抗の両方が大き
く低減できる。
の凹凸による熱抵抗や電気抵抗の増大を緩和し、特性劣
化や素子破壊を防ぐ。 【解決手段】 低融点の金属１０６を金属板１０３の接
続面に載せ、金属板１０３を暖めて低融点金属１０６を
溶かした状態でトランジスタ１０１を上から固定する。
このとき液状の低融点金属１０６が金属板１０３の接続
面とトランジスタ１０１の接続面の凹凸に入り込む。こ
の状態で金属板１０３を冷却し低融点金属１０６を固体
化する。この低融点金属１０６を介して金属板１０３と
トランジスタ１０１を固定ネジ１０５で接続することで
両接続面の凹凸に関係せず実効接触面積を大きくするこ
とができる。これにより熱抵抗と電気抵抗の両方が大き
く低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として携帯電話基地局
における高出力電力増幅器に関する。
における高出力電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル移動体通信の基地局にお
いては数十Ｗから数百Ｗに及ぶ高出力の電力増幅器が使
用されている。この高出力電力増幅器では増幅に用いる
トランジスタやその出力を合成するための合成回路に使
用する抵抗などの素子の放熱設計が非常に重要である。
いては数十Ｗから数百Ｗに及ぶ高出力の電力増幅器が使
用されている。この高出力電力増幅器では増幅に用いる
トランジスタやその出力を合成するための合成回路に使
用する抵抗などの素子の放熱設計が非常に重要である。
【０００３】以下に従来例の基地局用高出力電力増幅器
を図６を用いて説明する。図１０において、６０１は増
幅用トランジスタ、６０２は増幅器の整合回路やバイア
ス回路を構成した回路基板、６０３は金属板、６０４は
図示しない別の固定ネジで金属板６０３と固定された金
属製の放熱板、６０５はトランジスタ６０１を金属板６
０３に固定するための固定ネジである。この構成におい
て、従来の基地局用高出力電力増幅器では回路基板６０
２にトランジスタ６０１の大きさに合わせて穴を開け、
金属板６０３のその穴に対応した位置を削り、ネジ穴を
開け、トランジスタ６０１を固定ネジ６０５で金属板６
０３に固定する。固定されたトランジスタ６０１の入出
力端子を回路基板６０２上の整合回路に接続し高出力電
力増幅器を構成する。
を図６を用いて説明する。図１０において、６０１は増
幅用トランジスタ、６０２は増幅器の整合回路やバイア
ス回路を構成した回路基板、６０３は金属板、６０４は
図示しない別の固定ネジで金属板６０３と固定された金
属製の放熱板、６０５はトランジスタ６０１を金属板６
０３に固定するための固定ネジである。この構成におい
て、従来の基地局用高出力電力増幅器では回路基板６０
２にトランジスタ６０１の大きさに合わせて穴を開け、
金属板６０３のその穴に対応した位置を削り、ネジ穴を
開け、トランジスタ６０１を固定ネジ６０５で金属板６
０３に固定する。固定されたトランジスタ６０１の入出
力端子を回路基板６０２上の整合回路に接続し高出力電
力増幅器を構成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この構
成ではトランジスタの放熱特性が十分ではなく、増幅特
性の劣化やトランジスタの破壊の原因となっていた。こ
の理由を図１１、図１２を用いて説明する。
成ではトランジスタの放熱特性が十分ではなく、増幅特
性の劣化やトランジスタの破壊の原因となっていた。こ
の理由を図１１、図１２を用いて説明する。
【０００５】図１１は図１０のトランジスタ６０１の固
定ネジ６０５のある位置で縦断する方向の断面図であ
り、図１０に対応する部分の各符号は、その下二桁の数
字を共通にしている。このトランジスタ７０１と金属板
７０３の接合部分を拡大したものが図１２である。一般
に金属板７０３はトランジスタ７０１を固定するため
に、ある深さまでフライス等を用いて削られる。このと
きにはどのような精度の高い工程を用いても金属板７０
３の接続面は凹凸を持ってしまう。またトランジスタ７
０１の接続面もセラミックなどの誘電体上に金属を形成
しているために多少の凹凸を持つ。このような状態の金
属同士を接続させた場合には実効的な接触する面積が小
さくなってしまうために熱抵抗と電気抵抗の両方が大き
くなってしまうという問題点があった。
定ネジ６０５のある位置で縦断する方向の断面図であ
り、図１０に対応する部分の各符号は、その下二桁の数
字を共通にしている。このトランジスタ７０１と金属板
７０３の接合部分を拡大したものが図１２である。一般
に金属板７０３はトランジスタ７０１を固定するため
に、ある深さまでフライス等を用いて削られる。このと
きにはどのような精度の高い工程を用いても金属板７０
３の接続面は凹凸を持ってしまう。またトランジスタ７
０１の接続面もセラミックなどの誘電体上に金属を形成
しているために多少の凹凸を持つ。このような状態の金
属同士を接続させた場合には実効的な接触する面積が小
さくなってしまうために熱抵抗と電気抵抗の両方が大き
くなってしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は、このような従来の課題を考慮
し、熱抵抗や電気抵抗が低減できる基地局用高出力電力
増幅器を提供することを目的とする。
し、熱抵抗や電気抵抗が低減できる基地局用高出力電力
増幅器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、金属板の接続面と電子部品の接続面の間
に低融点の金属や低硬度の小金属粒を敷き固定ネジで圧
着することで、熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可
能となる。
めに本発明は、金属板の接続面と電子部品の接続面の間
に低融点の金属や低硬度の小金属粒を敷き固定ネジで圧
着することで、熱抵抗及び電気抵抗を低減することが可
能となる。
【０００８】本発明は、低融点の金属を金属板の接続面
に載せ、金属板を暖めて低融点金属を溶かした状態で電
子部品を上から固定する。このとき液状の低融点金属が
金属板の接続面と電子部品の接続面の凹凸に入り込む。
この状態で金属板を冷却し低融点金属を固体化する。こ
の低融点金属を介して金属板と電子部品を固定ネジで接
続することで両接続面の凹凸に関係せず実効接触面積を
大きくすることができる。これにより熱抵抗と電気抵抗
の両方が大きく低減できる。
に載せ、金属板を暖めて低融点金属を溶かした状態で電
子部品を上から固定する。このとき液状の低融点金属が
金属板の接続面と電子部品の接続面の凹凸に入り込む。
この状態で金属板を冷却し低融点金属を固体化する。こ
の低融点金属を介して金属板と電子部品を固定ネジで接
続することで両接続面の凹凸に関係せず実効接触面積を
大きくすることができる。これにより熱抵抗と電気抵抗
の両方が大きく低減できる。
【０００９】また、低融点金属の代わりに低硬度の小金
属粒を金属板の接続面と電子部品の接続面の間に並べ、
金属板と電子部品を固定ネジで圧着すると小金属粒が潰
される。これによっても、実効的な接触面積を大きくす
ることができる。
属粒を金属板の接続面と電子部品の接続面の間に並べ、
金属板と電子部品を固定ネジで圧着すると小金属粒が潰
される。これによっても、実効的な接触面積を大きくす
ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
の基地局用高出力電力増幅器の構造図を示す。図におい
て、１０１は増幅用トランジスタ、１０２は増幅器の整
合回路やバイアス回路を構成した回路基板、１０３は金
属板、１０４は金属製の放熱板、１０５はトランジスタ
１０１を金属板１０３に固定するための固定ネジ、１０
６は金属板１０３やトランジスタ１０１のパッケージの
金属部よりも融点の低い金属（例えば鉛、亜鉛、錫な
ど）である。
面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
の基地局用高出力電力増幅器の構造図を示す。図におい
て、１０１は増幅用トランジスタ、１０２は増幅器の整
合回路やバイアス回路を構成した回路基板、１０３は金
属板、１０４は金属製の放熱板、１０５はトランジスタ
１０１を金属板１０３に固定するための固定ネジ、１０
６は金属板１０３やトランジスタ１０１のパッケージの
金属部よりも融点の低い金属（例えば鉛、亜鉛、錫な
ど）である。
【００１１】この構成において、回路基板１０２にトラ
ンジスタ１０１の大きさに合わせて穴を開け、金属板１
０３のその穴に対応した位置を削り、ネジ穴を開け、ト
ランジスタ１０１と金属板１０３の接続面の間に低融点
金属１０６を介して、トランジスタ１０１を固定ネジ１
０５で金属板１０３に固定する。固定されたトランジス
タ１０１の入出力端子を回路基板１０２上の整合回路や
バイアス回路に接続し高出力電力増幅器を構成する。こ
の構成について詳しく図２を用いて説明する。
ンジスタ１０１の大きさに合わせて穴を開け、金属板１
０３のその穴に対応した位置を削り、ネジ穴を開け、ト
ランジスタ１０１と金属板１０３の接続面の間に低融点
金属１０６を介して、トランジスタ１０１を固定ネジ１
０５で金属板１０３に固定する。固定されたトランジス
タ１０１の入出力端子を回路基板１０２上の整合回路や
バイアス回路に接続し高出力電力増幅器を構成する。こ
の構成について詳しく図２を用いて説明する。
【００１２】図２は図１の面Ａで切った断面図である。
図１と共通の部分の符号は下二桁を共通にしている。図
３は図１の増幅器の製造工程を示す流れ図である。図３
に示すように、まず金属板２０３の接続面に低融点金属
２０６を載せ、低融点金属２０６が溶融するまで金属板
２０３を加熱する。次にトランジスタ２０１をその上か
ら載せて固定ネジ２０５で固定して、液化した低融点金
属２０６が金属板２０３とトランジスタ２０１の接続面
の凹凸を埋めるようにする。固定した状態で金属板２０
３を冷却して低融点金属２０６を再固体化させる。
図１と共通の部分の符号は下二桁を共通にしている。図
３は図１の増幅器の製造工程を示す流れ図である。図３
に示すように、まず金属板２０３の接続面に低融点金属
２０６を載せ、低融点金属２０６が溶融するまで金属板
２０３を加熱する。次にトランジスタ２０１をその上か
ら載せて固定ネジ２０５で固定して、液化した低融点金
属２０６が金属板２０３とトランジスタ２０１の接続面
の凹凸を埋めるようにする。固定した状態で金属板２０
３を冷却して低融点金属２０６を再固体化させる。
【００１３】このようにすることにより、金属板２０３
の接続面とトランジスタ２０１の接続面の凹凸部分でも
接触面積を大きく取れるようになり、熱抵抗と電気抵抗
が大きく低減できる。 （第２の実施の形態）図４は本発明の第２の実施の形態
を示す構造図である。第１の実施の形態と基本的構成は
同じなので、重複する部分の符号の下二桁を共通化して
説明を省略する。第１の実施の形態と異なっている点
は、第１の実施の形態においては低融点金属を用いてい
るのに対して、低硬度（例えば金、アルミニウムなど）
の小金属粒４０６を用いていることである。この構成に
ついて詳しく図５、図６を用いて説明する。
の接続面とトランジスタ２０１の接続面の凹凸部分でも
接触面積を大きく取れるようになり、熱抵抗と電気抵抗
が大きく低減できる。 （第２の実施の形態）図４は本発明の第２の実施の形態
を示す構造図である。第１の実施の形態と基本的構成は
同じなので、重複する部分の符号の下二桁を共通化して
説明を省略する。第１の実施の形態と異なっている点
は、第１の実施の形態においては低融点金属を用いてい
るのに対して、低硬度（例えば金、アルミニウムなど）
の小金属粒４０６を用いていることである。この構成に
ついて詳しく図５、図６を用いて説明する。
【００１４】図５は図４の面Ａで切った断面図である。
図４と共通の部分の符号は下二桁を共通化している。図
６は図４の増幅器の製造工程を示す流れ図である。図６
に示すように、まず金属板４０３の接続面に低硬度金属
粒４０６を敷く。次にトランジスタ４０１をその上から
載せて固定ネジ４０５で圧着固定する。これにより、金
属粒４０６が潰されて、金属板４０３の接続面とトラン
ジスタ４０１の接続面の凹凸部分でも接触面積を大きく
取れるようになり、第１の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。
図４と共通の部分の符号は下二桁を共通化している。図
６は図４の増幅器の製造工程を示す流れ図である。図６
に示すように、まず金属板４０３の接続面に低硬度金属
粒４０６を敷く。次にトランジスタ４０１をその上から
載せて固定ネジ４０５で圧着固定する。これにより、金
属粒４０６が潰されて、金属板４０３の接続面とトラン
ジスタ４０１の接続面の凹凸部分でも接触面積を大きく
取れるようになり、第１の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。
【００１５】また、第１から第２の実施の形態において
は、増幅用トランジスタについてのみ説明したが、基地
局用高出力電力増幅器では増幅器の出力側に用いる高電
力抵抗や高電力アイソレータ、高電力帯域通過フィルタ
などの素子の放熱設計にも同様の方法が使用できる。図
７、図８にこのような拡張する例のブロック図を示す。
は、増幅用トランジスタについてのみ説明したが、基地
局用高出力電力増幅器では増幅器の出力側に用いる高電
力抵抗や高電力アイソレータ、高電力帯域通過フィルタ
などの素子の放熱設計にも同様の方法が使用できる。図
７、図８にこのような拡張する例のブロック図を示す。
【００１６】図７において５０１は高出力電力増幅器、
５０２は高電力用アイソレータである。図８において５
０３は高出力電力増幅器、５０４は３ｄＢハイブリッ
ド、５０５は高電力抵抗を用いた無反射終端である。図
７において、高電力用アイソレータ５０２は高出力電力
増幅器５０１の出力電力が送信アンテナ等の反射によっ
て逆流するのを防ぐ働きを持つ。また、図８において、
３ｄＢハイブリッド５０４は２つの同じ高出力電力増幅
器５０３の出力電力を合成する働きを持ち、高電力抵抗
５０５は出力電力が送信アンテナ等の反射によって逆流
した成分を終端する働きを持つ。
５０２は高電力用アイソレータである。図８において５
０３は高出力電力増幅器、５０４は３ｄＢハイブリッ
ド、５０５は高電力抵抗を用いた無反射終端である。図
７において、高電力用アイソレータ５０２は高出力電力
増幅器５０１の出力電力が送信アンテナ等の反射によっ
て逆流するのを防ぐ働きを持つ。また、図８において、
３ｄＢハイブリッド５０４は２つの同じ高出力電力増幅
器５０３の出力電力を合成する働きを持ち、高電力抵抗
５０５は出力電力が送信アンテナ等の反射によって逆流
した成分を終端する働きを持つ。
【００１７】このような高電力アイソレータ５０２や高
電力抵抗５０５においては高出力電力増幅器と同様の発
熱量が生じるため、第１及び第２の実施の形態に示した
実装方法により熱抵抗を低減することができる。
電力抵抗５０５においては高出力電力増幅器と同様の発
熱量が生じるため、第１及び第２の実施の形態に示した
実装方法により熱抵抗を低減することができる。
【００１８】また、ここでは３ｄＢハイブリッドを用い
た合成回路のみを説明したが、他の回路、例えばウィル
キンソン合成回路を用いても同様の構成で、同様の効果
を得ることが出来る。すなわち、図９はそのウイルキン
ソン合成回路を用いた回路ブロック図である。二つの高
出力電力増幅器９０３と、その増幅器９０３の出力側に
接続されたウイルキンソン合成回路９００と、その合成
回路９００からの出力端子９０６を備え、そのウイルキ
ンソン合成回路９００は、前記二つの高出力電力増幅器
９０３の出力端子間に接続された吸収抵抗としての高電
力抵抗９０５と、前記二つの高出力電力増幅器９０３の
出力端子のそれぞれに接続された、二つの４分の１波長
伝送線路９０４とを有する。前記高電力抵抗は、上述し
た高電力電子部品の製造方法によって製造されたもので
ある。
た合成回路のみを説明したが、他の回路、例えばウィル
キンソン合成回路を用いても同様の構成で、同様の効果
を得ることが出来る。すなわち、図９はそのウイルキン
ソン合成回路を用いた回路ブロック図である。二つの高
出力電力増幅器９０３と、その増幅器９０３の出力側に
接続されたウイルキンソン合成回路９００と、その合成
回路９００からの出力端子９０６を備え、そのウイルキ
ンソン合成回路９００は、前記二つの高出力電力増幅器
９０３の出力端子間に接続された吸収抵抗としての高電
力抵抗９０５と、前記二つの高出力電力増幅器９０３の
出力端子のそれぞれに接続された、二つの４分の１波長
伝送線路９０４とを有する。前記高電力抵抗は、上述し
た高電力電子部品の製造方法によって製造されたもので
ある。
【００１９】なお、第１の実施の形態では低融点金属と
して、常温で固体の単体金属を例に挙げたが、常温で液
体のものや合金などの金属でも同様の効果を得ることが
できる。第２の実施の形態では低硬度金属として単体金
属を例に挙げたが、合金などの金属でも同様の効果を得
ることができる。
して、常温で固体の単体金属を例に挙げたが、常温で液
体のものや合金などの金属でも同様の効果を得ることが
できる。第２の実施の形態では低硬度金属として単体金
属を例に挙げたが、合金などの金属でも同様の効果を得
ることができる。
【００２０】さらに第２の実施の形態では低硬度の金属
球を用いるとしたが、球状でなくても金属板とトランジ
スタのパッケージの凹凸の大きさよりも十分小さければ
立方体や直方体などの形状でも同様の効果を得ることが
できる。
球を用いるとしたが、球状でなくても金属板とトランジ
スタのパッケージの凹凸の大きさよりも十分小さければ
立方体や直方体などの形状でも同様の効果を得ることが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、熱抵抗と
電気抵抗の両方を大きく低減できる長所を有する。
電気抵抗の両方を大きく低減できる長所を有する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の基地局用高出力電
力増幅器の構造図
力増幅器の構造図
【図２】本発明の第１の実施の形態の基地局用高出力電
力増幅器の断面図
力増幅器の断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態の基地局用高出力電
力増幅器の実装手順を説明する流れ図
力増幅器の実装手順を説明する流れ図
【図４】本発明の第２の実施の形態の基地局用高出力電
力増幅器の構造図
力増幅器の構造図
【図５】本発明の第２実施の形態の基地局用高出力電力
増幅器の断面図
増幅器の断面図
【図６】本発明の第２の実施の形態の基地局用高出力電
力増幅器の実装手順を説明する流れ図
力増幅器の実装手順を説明する流れ図
【図７】本発明の本発明の実施の形態を高電力アイソレ
ータに拡張する例を示すブロック図
ータに拡張する例を示すブロック図
【図８】本発明の実施の形態の高電力抵抗（終端）に拡
張する例を示すブロック図
張する例を示すブロック図
【図９】本発明の実施の形態のウイルキンソン合成回路
を用いた例を示すブロック図
を用いた例を示すブロック図
【図１０】従来例の基地局用高出力電力増幅器の構造図
【図１１】従来例の基地局用高出力電力増幅器の断面図
【図１２】従来例の基地局用高出力電力増幅器の断面拡
大図
大図
１０１、２０１、３０１、４０１ 電子部品 １０３、２０３、３０３、４０３ 金属板 １０６、２０６ 低融点金属 ３０６、４０６ 低硬度金属球 １０５、２０５、３０５、４０５ 固定ネジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｅ (72)発明者 久郷 伸一 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 電子部品と、前記電子部品に関係する電
子回路を形成する回路基板と、前記回路基板を固定する
金属板と、前記金属板を固定する金属製の放熱板と、前
記電子部品と前記金属板を固定するための固定ネジと、
前記金属板及び前記電子部品の金属部分よりも融点の低
い低融点金属材料から構成され、前記金属板及び前記電
子部品の間に設けられた低融点金属層とを備えたことを
特徴とする高電力用電子部品。 - 【請求項２】 金属板に低融点金属を載せ、前記金属板
を加熱して前記低融点金属を溶かし、その上に、電子部
品を載せ、固定ネジで前記電子部品と前記金属板を固定
し、前記金属板を冷却して前記低融点金属を再固体化す
ることを特徴とする高電力用電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 電子部品と、前記電子部品に関係する電
子回路を形成する回路基板と、前記回路基板を固定する
金属板と、前記金属板を固定する金属製の放熱板と、前
記電子部品と前記金属板を固定するための固定ネジと、
前記金属板及び前記電子部品の金属部分よりも硬度の低
い低硬度金属球から構成され、前記金属板及び前記電子
部品の間に設けられた低硬度金属球層とを備えたことを
特徴とする高電力用電子部品。 - 【請求項４】 金属板に低硬度金属球を載せ、その上
に、電子部品を載せ、固定ネジで前記電子部品と前記金
属板を固定し、前記低硬度金属球を押しつぶして圧着す
る方法であって、前記低硬度金属球は、前記金属板及び
前記電子部品のパッケージの金属部分よりも硬度が低い
ことを特徴とする高電力用電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 低融点金属が常温で液体であることを特
徴とする請求項１記載の高電力用電子部品。 - 【請求項６】 低硬度金属が直方体あるいは立方体であ
ることを特徴とする請求項３記載の高電力用電子部品。 - 【請求項７】 電子部品は、電力増幅用トランジスタ、
高電力アイソレータ、高電力帯域通過フィルタ、又は高
電力抵抗であることを特徴とする請求項１又は３記載の
高電力用電子部品。 - 【請求項８】 高出力電力増幅器と、その高出力電力増
幅器の出力に接続された高電力アイソレータとを備え、
前記高電力アイソレータは、請求項２又は４記載の高電
力電子部品の製造方法によって製造されたものであるこ
とを特徴とする高出力電力増幅器。 - 【請求項９】 高出力電力増幅器と、その高出力電力増
幅器の出力に接続された高電力帯域通過フィルタとを備
え、前記高電力帯域通過フィルタは、請求項２又は４記
載の高電力電子部品の製造方法によって製造されたもの
であることを特徴とする高出力電力増幅器。 - 【請求項１０】 二つの高出力電力増幅器と、その増幅
器の出力を、高電力抵抗を吸収抵抗として、合成する３
ｄＢハイブリッド回路とを備え、前記高電力抵抗は、請
求項２又は４記載の高電力電子部品の製造方法によって
製造されたものであることを特徴とする高出力電力増幅
器。 - 【請求項１１】 二つの高出力電力増幅器と、その増幅
器の出力側に接続されたウイルキンソン合成回路と、そ
のウイルキンソン合成回路からの出力端子とをを備え、
そのウイルキンソン合成回路は、前記二つの高出力電力
増幅器の出力端子間に接続された吸収抵抗としての高電
力抵抗と、前記二つの高出力電力増幅器の出力端子のそ
れぞれに接続された、二つの４分の１波長伝送線路とを
備え、前記高電力抵抗は、請求項２又は４記載の高電力
電子部品の製造方法によって製造されたものであること
を特徴とする高出力電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146705A JPH10335778A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 高電力用電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146705A JPH10335778A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 高電力用電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335778A true JPH10335778A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15413688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146705A Pending JPH10335778A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 高電力用電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335778A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009037995A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Nec Corporation | 高出力増幅器、無線送信機、無線送受信機、及び高出力増幅器の実装方法 |
| WO2014185177A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社日立国際電気 | 合成器の冷却構造 |
| WO2015005232A1 (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | 株式会社日立国際電気 | 合成器 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146705A patent/JPH10335778A/ja active Pending
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