JPH10330911A - Shadow mask and its production - Google Patents
Shadow mask and its productionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着、スパッ
タリング、ＣＶＤ、反応性ドライエッチングなどのドラ
イプロセスによる薄膜パターン加工技術に利用可能なシ
ャドーマスクおよびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shadow mask which can be used for a thin film pattern processing technique by a dry process such as vacuum deposition, sputtering, CVD, and reactive dry etching, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】発光素子、ディスプレイ、集積回路など
現在さまざまな分野で薄膜のパターン加工は必須技術と
なっている。特に微細なパターン加工が要求される場合
にはウェットプロセスによるパターン加工技術を用いる
ことが多い。その代表的な方法がフォトリソ法であり、
パターン加工の対象となる薄膜上に塗布されたフォトレ
ジストにフォトマスクを介して露光することで、現像後
に所望の部分にのみフォトレジストを残すものである。
この状態で薄膜をエッチングすれば、フォトレジストが
存在する部分の薄膜を選択的に残すことができる。あと
はフォトレジストを除去すれば薄膜のパターン加工が完
了する。非常に高い加工精度が達成可能であり広く用い
られている技術であるが、工程数が多く、大量の溶剤や
酸・アルカリ溶液を使用することが問題である。特に、
真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどのドライプロセ
スによって薄膜を形成する場合には、シャドーマスクを
基板前方に設置してその開口部に薄膜を形成するマスク
法によるパターン加工の方が、工程数、使用薬液だけで
なく薄膜への不純物汚染軽減の点からも望ましいことが
多い。2. Description of the Related Art Pattern processing of thin films has become an essential technology in various fields such as light emitting devices, displays and integrated circuits. Particularly when a fine pattern processing is required, a pattern processing technique by a wet process is often used. A typical method is the photolithography method,
The photoresist applied to the thin film to be patterned is exposed through a photomask to leave the photoresist only in a desired portion after development.
If the thin film is etched in this state, the thin film in the portion where the photoresist exists can be selectively left. After that, if the photoresist is removed, the pattern processing of the thin film is completed. Although it is a widely used technique that can achieve extremely high processing accuracy, it involves a large number of steps and uses a large amount of a solvent or an acid / alkali solution. Especially,
When a thin film is formed by a dry process such as vacuum deposition, sputtering, or CVD, pattern processing by a mask method in which a shadow mask is installed in front of the substrate and a thin film is formed at the opening thereof is more effective in terms of the number of processes and chemicals used. It is often desirable not only from the viewpoint of reducing impurity contamination to the thin film but also.
【０００３】さらに、ウェットプロセスによるパターン
加工技術を使用することが原理的に難しい場合もある。
近年活発に研究が行われている有機電界発光素子はその
代表的な例である。この素子では陽極と陰極との間に発
光層などの有機薄膜層が存在するために、水分や溶剤、
薬液に対する耐久性に乏しい。特に、ディスプレイなど
への応用を考えた場合には発光層や有機層上部の電極を
パターン加工することが必要であるが、日経エレクトロ
ニクス１９９６．１．２９（Ｎｏ．６５４）ｐ．１０２
にも指摘されているように、ウェットプロセスを使用で
きないことが大きな問題となっている。特開平６−２３
４９４６号公報などではウェットプロセスによるパター
ン加工が可能な有機電界発光素子が示されているが、素
子を構成する有機材料が限定されてしまう。したがっ
て、有機電界発光素子ではマスク法によるパターン加工
がよく行われている。In some cases, it is difficult in principle to use a pattern processing technique by a wet process.
An organic electroluminescent device, which has been actively studied in recent years, is a typical example. In this device, since an organic thin film layer such as a light emitting layer exists between the anode and the cathode, moisture, a solvent,
Poor durability against chemicals. In particular, when the application to a display or the like is considered, it is necessary to pattern the light emitting layer and the electrode on the organic layer, but Nikkei Electronics 1996.1.29 (No. 654) p. 102
As noted above, the inability to use a wet process is a major problem. JP-A-6-23
Japanese Patent No. 4946 and the like disclose an organic electroluminescent device that can be patterned by a wet process, but the organic materials constituting the device are limited. Therefore, pattern processing by a mask method is often performed in organic electroluminescent elements.
【０００４】上記のように、工程的な面だけでなく、有
機物などの新しい機能性材料をデバイスに応用する面か
らも、マスク法によって微細な薄膜パターン加工を可能
とする技術が望まれていた。As described above, not only from a process viewpoint, but also from a viewpoint of applying a new functional material such as an organic material to a device, a technique capable of processing a fine thin film pattern by a mask method has been desired. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細な
パターン加工をマスク法によって実現しようとすると、
必然的にシャドーマスクのパターンも微細となるため
に、開口部形状が変形してパターン加工精度が悪化する
という問題があった。サブミクロンレベルのパターン加
工は別として、ディスプレイ用途などで必要とされるサ
ブミリメートルピッチのパターン加工でさえマスク法で
は難しいことが、例えば、特開平２−６６８７３号公
報、特開平４−２５５６９２号公報、特開平５−３０７
７号公報などで示されている。特に、ディスプレイなど
で利用されるストライプ状電極では、細長い電極の長さ
方向には電気的に十分低抵抗であり、かつ、幅方向に隣
り合う電極同士は完全に絶縁されることが必要である
が、それに対応するシャドーマスクでは、ストライプ状
開口部に挟まれたマスク部分が糸のように細長くなり、
たわみなどによる変形が激しくなるので、マスク法によ
る微細パターン加工が実質的に不可能であった。However, when trying to realize fine pattern processing by a mask method,
Inevitably, the pattern of the shadow mask is also fine, so that there is a problem that the shape of the opening is deformed and the pattern processing accuracy is deteriorated. Apart from pattern processing at the submicron level, it is difficult to perform pattern processing at a sub-millimeter pitch required for display applications and the like by the mask method. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2-66873 and 4-255592. JP-A-5-307
No. 7, for example. In particular, in the case of a striped electrode used in a display or the like, it is necessary that the electrode has a sufficiently low resistance in the length direction of the elongated electrode and that the electrodes adjacent in the width direction are completely insulated. However, in the corresponding shadow mask, the mask part sandwiched between the stripe-shaped openings is elongated like a thread,
Deformation due to deflection or the like becomes severe, so that fine pattern processing by a mask method has been substantially impossible.
【０００６】本発明はかかる問題を解決し、上記のよう
に従来のマスク法では最も苦手としていた複数のストラ
イプ状電極のパターン加工などでも、良好な精度でパタ
ーン加工を達成することが可能なシャドーマスクおよび
その製造方法を提供することが目的である。The present invention solves such a problem, and as described above, it is possible to achieve pattern processing with good accuracy even in pattern processing of a plurality of stripe-shaped electrodes, which is the weakest in the conventional mask method. It is an object to provide a mask and a method for manufacturing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
達成するために鋭意努力した結果、マスク部分の間に開
口部の変形を防ぐ補強線を導入したシャドーマスクが、
マスク法による良好な精度での微細パターン加工を達成
する上で特に有用であることを見出し、本発明を完成す
るに至った。As a result of the present inventors' intensive efforts to achieve the above-mentioned object, shadow masks in which reinforcing lines for preventing deformation of openings are introduced between mask portions are described.
The present inventors have found that the present invention is particularly useful in achieving fine pattern processing with good accuracy by a mask method, and have completed the present invention.
【０００８】すなわち、本発明はシート状物質に少なく
とも１つ以上の開口部が存在するシャドーマスクであっ
て、マスク部分の間に前記開口部を横切るようにして前
記マスク部分の厚さよりも薄く、かつ、前記マスク部分
と一体化した補強線が形成され、前記マスク部分の少な
くとも一方の面と前記補強線との間に隙間が存在するこ
とを特徴とするシャドーマスクであり、前記のシャドー
マスクの製造方法であって、シート状物質の片面にはマ
スク部分のパターンに対応したレジストを、他方の面に
は前記マスク部分に補強線を加えたパターンに対応する
レジストを形成し、前記シート状物質を両面からエッチ
ングすることを特徴としたシャドーマスクの製造方法で
ある。That is, the present invention is a shadow mask having at least one or more openings in a sheet-like substance, wherein the thickness is smaller than the thickness of the mask portion so as to cross the openings between the mask portions, And a reinforcing line integrated with the mask portion, wherein a shadow exists between at least one surface of the mask portion and the reinforcing line. A manufacturing method, wherein a resist corresponding to a pattern of a mask portion is formed on one surface of a sheet material, and a resist corresponding to a pattern obtained by adding a reinforcing line to the mask portion is formed on the other surface; Is manufactured from both surfaces.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の補強線が存在するシャド
ーマスクの好適な例を図１を用いて説明する。シート状
物質１ａの面内に複数の開口部２ａが存在し、シート状
物質からなるマスク部分３ａの間に開口部２ａを横切る
ように設けられた補強線４ａが接続されている。この補
強線４ａはマスク部分３ａがたわみなどによって所定の
位置から動き、開口部２ａの形状が変化することを防止
する。図２は図１におけるＡＡ’断面図であるが、補強
線４ａはマスク部分３ａの厚さよりも薄く、かつ、マス
ク部分３ａと一体化している。すなわち、シャドーマス
クの少なくとも一方の面と補強線との間に隙間５ａが存
在している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred example of a shadow mask having a reinforcing wire according to the present invention will be described with reference to FIG. A plurality of openings 2a are present in the plane of the sheet material 1a, and a reinforcing wire 4a provided across the opening 2a is connected between the mask portions 3a made of the sheet material. The reinforcing line 4a prevents the mask portion 3a from moving from a predetermined position due to bending or the like, and prevents the shape of the opening 2a from changing. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1. The reinforcing wire 4a is thinner than the thickness of the mask portion 3a and is integrated with the mask portion 3a. That is, the gap 5a exists between at least one surface of the shadow mask and the reinforcing line.
【００１０】本発明のシャドーマスクでは、前記の隙間
５ａが重要な機能をもつ。以下では、図１に例示したシ
ャドーマスクを用いて薄膜をパターン加工する方法を説
明する。真空蒸着法やスパッタリング法などによって基
板の所望部分に蒸着物を堆積させて薄膜をパターン加工
する様子を示したのが図３である。図３は図１における
ＢＢ’断面図に対応している。シャドーマスクは基板２
０ａと補強線４ａとの間に隙間５ａが存在するように設
置されるので、補強線側から飛来してきた蒸着物７は補
強線４ａの影になる部分にも回り込んで堆積する。した
がって、補強線４ａによって分断されることなく薄膜層
１０を開口部２ａと同じ形状にパターン加工できる。一
方、あらかじめ基板全面に形成された薄膜層の所望部分
を反応性ガスなどでエッチングして薄膜をパターン加工
する様子を示したのが図４である。図３と同様に基板２
０ｂと補強線４ａとの間には隙間５ａが存在し、反応性
ガス８が補強線４ａの影になる部分にも回り込んで薄膜
層１１をエッチングするので、薄膜層１１をマスク部分
３ａと同じ形状にパターン加工できる。In the shadow mask of the present invention, the gap 5a has an important function. Hereinafter, a method of patterning a thin film using the shadow mask illustrated in FIG. 1 will be described. FIG. 3 shows a state in which a deposit is deposited on a desired portion of a substrate by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like, and a thin film is patterned. FIG. 3 corresponds to the BB ′ sectional view in FIG. Shadow mask is substrate 2
Since it is installed so that the gap 5a exists between the reinforcing wire 4a and the reinforcing wire 4a, the deposit 7 that has flown from the reinforcing wire side goes around and deposits on the shadowed portion of the reinforcing wire 4a. Therefore, the thin film layer 10 can be patterned into the same shape as the opening 2a without being separated by the reinforcing wire 4a. On the other hand, FIG. 4 shows a state in which a desired portion of a thin film layer formed in advance on the entire surface of a substrate is etched with a reactive gas or the like to pattern the thin film. Substrate 2 as in FIG.
There is a gap 5a between the reinforcing line 4b and the reinforcing line 4a, and the reactive gas 8 wraps around the shadowed portion of the reinforcing line 4a and etches the thin film layer 11, so that the thin film layer 11 is Can be patterned into the same shape.
【００１１】上記のとおり、本発明のシャドーマスクの
構造としては、マスク部分の厚さより薄い補強線が開口
部を横切るように設けられ、シャドーマスクの一方の面
と補強線との間に隙間が存在していればよく、特に限定
されない。したがって、図５に示すようにマスク部分３
ｂの断面がテーパー形状であってもよく、図６に示すよ
うにシャドーマスクの両方の面と補強線４ｃとの間に隙
間が存在してもよい。また、シャドーマスクが基板と接
触する際にマスク部分が基板もしくは基板上にすでに形
成された薄膜を傷つけることを防止するため、図７に示
すようにマスク部分３ｄにおける基板と接触する方の面
にクッション層６が存在していてもよい。クッション層
の形状や材質は特に限定されず、マスク部分と一体化し
てもよいが、傷防止の観点から樹脂など比較的柔軟な物
質で形成されることが好ましい。このような場合には感
光性樹脂を利用してクッション層を形成するのが工程的
に容易である。As described above, in the structure of the shadow mask of the present invention, a reinforcing line thinner than the thickness of the mask portion is provided so as to cross the opening, and a gap is formed between one surface of the shadow mask and the reinforcing line. It is sufficient that they exist, and there is no particular limitation. Therefore, as shown in FIG.
The section b may have a tapered shape, and a gap may exist between both surfaces of the shadow mask and the reinforcing line 4c as shown in FIG. Further, in order to prevent the mask portion from damaging the substrate or the thin film already formed on the substrate when the shadow mask contacts the substrate, as shown in FIG. The cushion layer 6 may be present. The shape and material of the cushion layer are not particularly limited, and may be integrated with the mask portion. However, it is preferable that the cushion layer is formed of a relatively soft material such as resin from the viewpoint of preventing damage. In such a case, it is easy in process to form a cushion layer using a photosensitive resin.
【００１２】開口部の形状については特に限定されるも
のではないが、すでに述べたとおり、開口部に挟まれた
マスク部分が細長くたわみやすいようなパターンである
ほど、本発明の補強線を導入したシャドーマスクを使用
する効果が大きい。したがって、すでに図１で例示した
ように、本発明ではストライプ状の開口部がその幅方向
に複数並んでいるシャドーマスクを好ましい例として挙
げることができる。Although the shape of the opening is not particularly limited, as described above, the reinforcing wire of the present invention is introduced in such a manner that the mask portion sandwiched between the openings has a slender and easy-to-bend pattern. The effect of using a shadow mask is great. Therefore, as already illustrated in FIG. 1, in the present invention, a shadow mask in which a plurality of stripe-shaped openings are arranged in the width direction can be cited as a preferable example.
【００１３】隣り合う開口部に挟まれたマスク部分の幅
についても、その幅が小さくなるほど補強線を導入する
ことによる変形防止の効果が大きくなるといえる。マス
ク部分の材質や形状によってその強度も変化するため
に、数値を一概に示すことは難しいが、従来のシャドー
マスクではサブミリメートルピッチのストライプ状パタ
ーン加工でさえ困難だったことを考えると、隣り合う開
口部に挟まれたマスク部分の最小幅が５００μｍ以下で
あるシャドーマスクを本発明の好ましい例として挙げる
ことができ、２００μｍ以下であればさらに好ましいと
いえる。さらに、ディスプレイなど特に微細なパターン
加工が要求される用途では、マスク部分の最小幅は１０
０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下さらに
は３０μｍ以下であればより好ましい。Regarding the width of the mask portion sandwiched between the adjacent openings, it can be said that the smaller the width, the greater the effect of preventing deformation by introducing a reinforcing line. Because the strength changes depending on the material and shape of the mask part, it is difficult to show the numerical value in a unified manner, but considering that even with a conventional shadow mask it was difficult to process even a submillimeter pitch stripe pattern, it is adjacent A shadow mask in which the minimum width of the mask portion sandwiched between the openings is 500 μm or less can be cited as a preferable example of the present invention, and 200 μm or less is more preferable. Further, in applications requiring particularly fine pattern processing such as displays, the minimum width of the mask portion is 10 μm.
It is preferably 0 μm or less, more preferably 50 μm or less, and even more preferably 30 μm or less.
【００１４】本発明のシャドーマスクにおける別の好ま
しい形態を図８に例示する。１つの開口部２ｅによって
囲まれたマスク部分３ｅが存在し、このマスク部分は補
強線４ｅによってのみ支持されている。このシャドーマ
スクを利用すると、例えば、蒸着法によって金属を開口
部２ｅを介して基板２０ｃ上に蒸着することで、図９に
示すようなリング状電極１２を形成することができる。
このように、本発明のシャドーマスクでは空間的に孤立
したマスク部分を補強線によって支持することができる
ので、従来のマスク法では原理的に不可能だったリング
状電極のような薄膜パターン加工も一度の工程で達成す
ることができる。Another preferred embodiment of the shadow mask of the present invention is illustrated in FIG. There is a mask portion 3e surrounded by one opening 2e, which mask portion is supported only by the reinforcing wire 4e. When this shadow mask is used, for example, a ring-shaped electrode 12 as shown in FIG. 9 can be formed by depositing a metal on the substrate 20c through the opening 2e by an evaporation method.
As described above, in the shadow mask of the present invention, the spatially isolated mask portion can be supported by the reinforcing wire, so that thin-film pattern processing such as a ring-shaped electrode, which was impossible in principle by the conventional mask method, can be performed. It can be achieved in a single step.
【００１５】補強線のサイズについては特に限定されな
いが、例えば、蒸着法でストライプ状電極をパターン加
工する場合に補強線の影となる部分の膜厚が薄くなり電
極抵抗値が増加するのを防ぐためには、補強線をできる
だけ薄く、または細くすると蒸着物の回り込みが容易に
なることが多い。真空蒸着法のように蒸着物の回り込み
量が比較的少ない高真空プロセスでも、基板に対して斜
め方向から蒸着を行う、あるいは、複数の蒸着源を用い
たり蒸着中に基板を移動もしくは回転させるなどして補
強線に対して複数の異なる角度から蒸着物を入射させる
ことで、回り込み量を多くする工夫はできるが、それで
も補強線の厚さが隙間の高さ以下であることが好まし
く、さらに隙間の高さの２／３以下であることがより好
ましい。また、補強線の線幅が隙間の高さの２倍以下で
あることが好ましく、さらに隙間の高さ以下であればよ
り好ましい。しかしながら、スパッタリング法や反応性
ドライエッチング法のような低真空プロセスにおいては
蒸着物や反応性ガスの回り込みが比較的容易であり、そ
の量はプロセス条件により大きく異なる。また、図７に
示したシャドーマスクのように隙間５ｄを実質的に高く
することも可能なので、補強線の厚さや幅は必要に応じ
て最適化すればよく、特に限定されるものではない。補
強線の形状についても特に限定されず、直線状であって
も曲線状であっても、また、メッシュ構造であってもよ
い。The size of the reinforcing wire is not particularly limited. For example, when a striped electrode is patterned by a vapor deposition method, it is possible to prevent the thickness of the shadowed portion of the reinforcing wire from becoming thin and preventing the electrode resistance value from increasing. For this purpose, it is often the case that the thinner or thinner the reinforcing wire is, the easier the wraparound of the deposit becomes. Even in a high-vacuum process where the amount of wraparound of the deposited material is relatively small, such as the vacuum deposition method, deposition is performed from an oblique direction to the substrate, or multiple substrates are used or the substrate is moved or rotated during deposition. By injecting the deposit from a plurality of different angles with respect to the reinforcement line, it is possible to increase the amount of wraparound, but it is still preferable that the thickness of the reinforcement line is equal to or less than the height of the gap. Is more preferably not more than ／ of the height of Further, it is preferable that the line width of the reinforcing wire is equal to or less than twice the height of the gap, and more preferably equal to or less than the height of the gap. However, in a low-vacuum process such as a sputtering method or a reactive dry etching method, it is relatively easy for a deposited material or a reactive gas to flow around, and the amount greatly varies depending on process conditions. Since the gap 5d can be substantially increased as in the shadow mask shown in FIG. 7, the thickness and width of the reinforcing wire may be optimized as needed, and are not particularly limited. The shape of the reinforcing wire is not particularly limited either, and may be a straight line, a curved line, or a mesh structure.
【００１６】補強線と開口部との交差状態については、
開口部の形状とそれらの配列様式によって最適化すれば
よく、特に限定はされないが、補強線の影となる部分が
不必要に多く存在しないように両者を配置することが望
ましい。例えば、図１で例示したようにストライプ状開
口部がその幅方向に複数並んでいる場合には、開口部領
域で補強線の影となる部分が少なく、かつ、開口部形状
の変形防止の効果を大きくする観点から、補強線の配置
がストライプ状開口部の幅方向と一致していることが好
ましいマスク部分の厚さについては、基本的にシート状
物質が薄いほど微細な開口部あるいはマスク部分を形成
することが可能であるが、シャドーマスクの一方の面と
補強線との間に存在する隙間も低くなるので、必要に応
じて最適化すればよく特に限定されない。両者のバラン
スを考えると、マスク部分は補強線の最小幅の１／２よ
りも厚く、開口部もしくはマスク部分の最小幅の３倍程
度よりも薄いことが望ましい。Regarding the state of intersection between the reinforcing wire and the opening,
It may be optimized depending on the shape of the openings and their arrangement, and is not particularly limited. However, it is desirable to arrange both of them so that there is no unnecessarily large portion that becomes a shadow of the reinforcing line. For example, when a plurality of stripe-shaped openings are arranged in the width direction as illustrated in FIG. 1, the shadow region of the reinforcing line is small in the opening region, and the effect of preventing the deformation of the opening shape is obtained. From the viewpoint of increasing the thickness of the mask portion, it is preferable that the arrangement of the reinforcing lines coincides with the width direction of the stripe-shaped opening. Can be formed, but the gap existing between one surface of the shadow mask and the reinforcing line is also reduced, so that it is only necessary to optimize as needed and there is no particular limitation. Considering the balance between the two, it is desirable that the mask portion is thicker than half the minimum width of the reinforcing wire and thinner than about three times the minimum width of the opening or the mask portion.
【００１７】マスク部分の材料としては、ステンレス
鋼、鉄ニッケル合金、銅合金、アルミニウム合金などの
金属系材料や各種樹脂材料を例示することができるが特
に限定されるものではない。補強線は、マスク部分と一
体化しているので基本的にはマスク部分と同一の材料か
らなるが、製造方法によっては両者が別の材料からなる
こともあり得る。開口部やマスク部分のパターンが微細
なためにシャドーマスクの強度が十分でなく、基板とマ
スク部分との密着性を向上させるために、例えば基板後
方に磁石を配置して基板前方のシャドーマスクを引きつ
けるようなことが必要な場合には、マスク部分が磁性材
料からなることが好ましい。好適な例としては、純鉄、
炭素鋼、Ｗ鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ鋼、ＫＳ鋼などの焼入硬化
磁石材料、ＭＫ鋼、Ａｌｎｉｃｏ鋼、ＮＫＳ鋼、Ｃｕｎ
ｉｃｏ鋼などの析出硬化磁石材料、ＯＰフェライト、Ｂ
ａフェライトなどの焼結磁石材料、Ｓｍ−Ｃｏ系やＮｄ
−Ｆｅ−Ｂ系に代表される各種希土類磁石材料、ケイ素
鋼板、Ａｌ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）
などの金属磁心材料、Ｍｚ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｃ
ｕ−Ｚｎ系などのフェライト磁心材料、カーボニル鉄、
Ｍｏパーマロイ、センダストなどの微粉末を結合剤とと
もに圧縮成型させた圧粉磁心材料が挙げられる。これら
の磁性材料を薄い板状にしたものからマスク部分または
補強線を形成することが望ましいが、電鋳法により磁性
材料を析出させたり、ゴムや樹脂に磁性材料粉末を混合
してフィルム状に成型したものを利用することもでき
る。Examples of the material of the mask portion include, but are not particularly limited to, metallic materials such as stainless steel, iron-nickel alloy, copper alloy, and aluminum alloy and various resin materials. Since the reinforcing wire is integrated with the mask portion, it is basically made of the same material as the mask portion, but depending on the manufacturing method, both may be made of different materials. The strength of the shadow mask is not sufficient due to the fine pattern of the openings and the mask part.In order to improve the adhesion between the substrate and the mask part, for example, a magnet is arranged behind the substrate and When it is necessary to attract, the mask portion is preferably made of a magnetic material. Suitable examples are pure iron,
Hardened magnet materials such as carbon steel, W steel, Cr steel, Co steel, KS steel, MK steel, Alnico steel, NKS steel, Cun
Precipitation hardening magnet material such as ico steel, OP ferrite, B
aSintered magnet materials such as ferrite, Sm-Co type and Nd
-Various rare earth magnet materials represented by Fe-B system, silicon steel plate, Al-Fe alloy, Ni-Fe alloy (Permalloy)
Metal core materials such as Mz-Zn, Ni-Zn, C
ferrite core material such as u-Zn, carbonyl iron,
A dust core material obtained by compression-molding a fine powder such as Mo Permalloy or Sendust together with a binder is exemplified. It is desirable to form a mask portion or a reinforcing line from a thin plate made of these magnetic materials.However, a magnetic material is deposited by electroforming, or a magnetic material powder is mixed with rubber or resin to form a film. Molded ones can also be used.
【００１８】本発明のシャドーマスクの製造方法は特に
限定されず、電鋳法や機械的研磨、サンドブラスト法、
焼結法、レーザー加工法、感光性樹脂法などを用いるこ
とができるが、マスク部分と補強線を一度に形成するこ
とが比較的容易に可能であるエッチング法を用いること
が好ましい。The method for producing the shadow mask of the present invention is not particularly limited, and includes electroforming, mechanical polishing, sand blasting,
A sintering method, a laser processing method, a photosensitive resin method, or the like can be used. However, it is preferable to use an etching method that can relatively easily form a mask portion and a reinforcing line at one time.
【００１９】エッチング法を用いて図１に例示したシャ
ドーマスクを製造する好適な方法を図１０を用いて説明
する。ただし、図１０は図１におけるＢＢ’断面に対応
している。まず、（ａ）シート状物質１ａの片面には図
１１に示すマスク部分のパターンに対応するレジスト３
０を、他方の面には図１２に示すマスク部分に補強線を
加えたパターンに対応するレジスト３１を形成する。
（ｂ）エッチャント３２によってシート状物質１ａを両
面からエッチングしていき、（ｃ）両側からのエッチン
グ孔をつなげることで、開口部２ａ、マスク部分３ａ、
補強線４ａをそれぞれ形成することができる。あとはレ
ジスト３０および３１を除去すれば、図１に例示したシ
ャドーマスクが得られる。ここで、レジスト３０および
３１は必ずしも除去する必要性はない。既に述べたクッ
ション層として機能させたり、場合によってはシャドー
マスクの強度を補強することもできるので、図１０
（ｃ）に示した状態のまま、レジストを除去せずに残し
てシャドーマスクの一部とすることが好ましい。A preferred method of manufacturing the shadow mask illustrated in FIG. 1 by using an etching method will be described with reference to FIG. However, FIG. 10 corresponds to the BB ′ section in FIG. First, (a) a resist 3 corresponding to the pattern of the mask portion shown in FIG.
0 is formed on the other surface, and a resist 31 corresponding to a pattern obtained by adding a reinforcing line to the mask portion shown in FIG. 12 is formed.
(B) The sheet material 1a is etched from both sides by the etchant 32, and (c) the etching holes from both sides are connected to form the opening 2a, the mask portion 3a,
Reinforcing lines 4a can be respectively formed. After that, if the resists 30 and 31 are removed, the shadow mask illustrated in FIG. 1 is obtained. Here, the resists 30 and 31 do not always need to be removed. Since it can be made to function as the cushion layer already described, and in some cases can reinforce the strength of the shadow mask, FIG.
It is preferable to leave the resist in the state shown in FIG.
【００２０】レジストのパターン加工方法については、
感光性樹脂を利用した通常のフォトリソ法を用いること
ができる。エッチングについてはシート状物質を液状エ
ッチャントに浸す、あるいは、液状のエッチャントをス
プレー状にしてシート状物質に吹き付けるなどのウェッ
トエッチングを用いることができる。スプレー方式はシ
ート状物質両面のエッチングレートに差をつけることが
可能であり、好ましいエッチング方法である。また、エ
ッチャントに反応性ガスを利用したドライエッチングな
どを利用することもできる。Regarding the resist pattern processing method,
An ordinary photolithography method using a photosensitive resin can be used. For the etching, wet etching such as immersing a sheet-like substance in a liquid etchant, or spraying a liquid etchant into a sheet and spraying the sheet-like substance can be used. The spray method is a preferable etching method because it is possible to make a difference between the etching rates on both surfaces of the sheet material. Dry etching using a reactive gas as an etchant can also be used.
【００２１】上記製造方法は一例であり特に限定される
ものではない。例えば電鋳法を利用して、まず電鋳母型
上に第一のレジストパターンを形成してマスク部分と補
強線とを電着し、さらにその上に第二のレジストパター
ンを形成してマスク部分のみを電着することで、本発明
のシャドーマスクを製造することもできる。The above manufacturing method is an example and is not particularly limited. For example, using an electroforming method, first, a first resist pattern is formed on an electroforming matrix, a mask portion and a reinforcing wire are electrodeposited, and a second resist pattern is formed thereon to form a mask. The shadow mask of the present invention can also be manufactured by electrodepositing only a part.
【００２２】本発明のシャドーマスクでは、基板との密
着性の観点から、特に基板接触面の高い平面性が要求さ
れることが多い。しかしながら、微細なパターンに対応
するためにシート状物質を薄くすると、シャドーマスク
の製造工程中に変形を受けやすくなり、マスクにうねり
が生じるなどしてその平面性が損なわれることがある。In the shadow mask of the present invention, in particular, high flatness of the substrate contact surface is often required from the viewpoint of adhesion to the substrate. However, if the sheet-like material is made thinner in order to cope with a fine pattern, the shadow mask may be easily deformed during the manufacturing process, and the flatness may be impaired due to undulation of the mask.
【００２３】そのような場合には、焼き鈍しなどの方法
を利用してシャドーマスクの平面性を向上させてもよ
い。また、シャドーマスクは適当な形状のフレームに固
定された状態で使用されることが多い。その際も、シャ
ドーマスクに張力あるいは熱を加えながらフレームに固
定するなどして、その平面性を向上させることができ
る。In such a case, the flatness of the shadow mask may be improved by utilizing a method such as annealing. Further, the shadow mask is often used while being fixed to a frame having an appropriate shape. At that time, the flatness of the shadow mask can be improved by fixing it to the frame while applying tension or heat to the shadow mask.
【００２４】シャドーマスクをすでに例示したエッチン
グ法によって製造する場合には、両面エッチングの後に
フレームへの固定をすることが工程的に容易であり好ま
しいが、レジストを形成した時点で先にシート状物質を
フレームへ固定しておき、それから両面エッチングを行
うこともできる。フレームとシャドーマスクとの固定方
法については、溶接や電着を利用したり、接着剤などを
用いればよく、特に限定はされない。When the shadow mask is manufactured by the etching method described above, it is preferable to fix the frame to the frame after the double-sided etching. Can be fixed to the frame, and then both sides can be etched. The method of fixing the frame and the shadow mask is not particularly limited, and welding or electrodeposition may be used, or an adhesive may be used.
【００２５】補強線については、既に述べたとおり基本
的には線幅が細いことが好ましいが、そのようなシャド
ーマスクの製造が難しい場合には、比較的線幅の太い補
強線を有するシャドーマスクを製造した後で補強線を所
望の線幅に細線化してもよい。工程的にはエッチングに
よる細線化が容易であり、補強線とともにマスク部分が
同時にエッチングされてもよい。細線化方法は特に限定
されるものではなく、補強線の材質により適当な手段を
用いればよい。As for the reinforcing lines, it is basically preferable that the line width is narrow as described above. However, when it is difficult to manufacture such a shadow mask, a shadow mask having a relatively thick reinforcing line is used. May be thinned to a desired line width. In the process, thinning by etching is easy, and the mask portion may be etched simultaneously with the reinforcing line. The thinning method is not particularly limited, and an appropriate means may be used depending on the material of the reinforcing wire.
【００２６】[0026]
【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２７】実施例１ シャドーマスクを以下のように作製した。シート状物質
として磁性材料である厚さ５０μｍのコバール（Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金）板を使用した。このシート状物質の両
面にフォトレジストを塗布して、片面はマスク部分に対
応したパターン、他方の面にはマスク部分に補強線を加
えたパターンとなるようにフォトレジストを露光・現像
した。これをスプレー方式のウェットエッチングによっ
て両面エッチングしてからフォトレジストを除去して、
概略的に図１に示されるようなシャドーマスクを作製し
た。本シャドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍであ
り、中央に長さ１００ｍｍ、幅２５０μｍストライプ状
開口部がピッチ３００μｍで幅方向に２００本設けられ
ている。それぞれのストライプ状開口部には、９．９ｍ
ｍ間隔で開口部を横切る補強線が存在し、その幅は４０
μｍ、厚さは２５μｍである。つまり、シャドーマスク
の基板接触面と補強線との間に２５μｍの隙間が存在す
る。このシャドーマスクに熱と張力を加えて良好な平面
性が維持された状態で、外形が等しい幅４ｍｍのステン
レス鋼製フレームに接着剤を用いて固定した。Example 1 A shadow mask was manufactured as follows. Kovar having a thickness of 50 μm (Fe-
A Ni-Co alloy) plate was used. A photoresist was applied to both sides of the sheet material, and the photoresist was exposed and developed so that a pattern corresponding to the mask portion was formed on one surface and a reinforcing line was added to the mask portion on the other surface. This is etched on both sides by spray-type wet etching, and then the photoresist is removed.
A shadow mask as schematically shown in FIG. 1 was prepared. The outer shape of the shadow mask is 120 × 84 mm, and 200 stripe-shaped openings having a length of 100 mm and a width of 250 μm are provided at the center at a pitch of 300 μm in the width direction. 9.9m in each stripe opening
There are reinforcement lines that cross the openings at m intervals and have a width of 40
μm and the thickness is 25 μm. That is, there is a gap of 25 μm between the substrate contact surface of the shadow mask and the reinforcing line. The shadow mask was fixed to a stainless steel frame having the same external shape and a width of 4 mm with an adhesive while maintaining good flatness by applying heat and tension to the shadow mask.
【００２８】外形１２０×１００ｍｍのガラス基板前方
に、シャドーマスクの基板接触面が基板に接触するよう
に上記シャドーマスクを設置し、基板裏側には外形１１
０×１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの永久磁石を設置した。
これらを真空蒸着装置内に固定して、装置内の真空度が
２×１０-4Ｐａまで排気されたところで、抵抗線加熱法
によりＡｌをガラス基板上に２００ｎｍの厚さに蒸着し
た。蒸着源は基板法線に対して斜めに位置しており、蒸
着中は基板を回転させた。The shadow mask is placed in front of a glass substrate having an outer shape of 120 × 100 mm such that the substrate contact surface of the shadow mask contacts the substrate.
A permanent magnet having a size of 0 × 100 mm and a thickness of 10 mm was provided.
These were fixed in a vacuum deposition apparatus, and when the degree of vacuum in the apparatus was evacuated to 2 × 10 −4 Pa, Al was deposited on a glass substrate to a thickness of 200 nm by a resistance wire heating method. The deposition source was positioned obliquely to the substrate normal, and the substrate was rotated during the deposition.
【００２９】蒸着後にガラス基板を取り出したところ、
基板上には２００本のストライプ状Ａｌ電極がパターン
加工されていた。ストライプ状電極の幅はシャドーマス
クの開口部幅である２５０μｍにほぼ等しく、そのばら
つきは±５％以内であり良好なパターン加工精度が達成
されていた。また、隣り合う電極同士の電気的短絡は皆
無であった。各ストライプ状電極については長さ方向１
００ｍｍにわたって電気的に導通しており、両端間の抵
抗値は約３００Ωだった。When the glass substrate was taken out after the vapor deposition,
On the substrate, 200 stripe-shaped Al electrodes were patterned. The width of the stripe-shaped electrode was almost equal to 250 μm, which is the width of the opening of the shadow mask, and the variation was within ± 5%, so that good pattern processing accuracy was achieved. Also, there was no electrical short between adjacent electrodes. 1 for each stripe-shaped electrode
It was electrically conducted over 00 mm, and the resistance value between both ends was about 300Ω.
【００３０】実施例２ シャドーマスクをフレームに固定した後に希塩酸でエッ
チングして、補強線の幅を３０μｍに、厚さを２０μｍ
に細線化したシャドーマスクを用いたこと以外は実施例
１と同様にして電極をパターン加工した。基板上には２
００本のストライプ状Ａｌ電極がパターン加工されてお
り、電極幅はシャドーマスクの開口部幅２５５μｍにほ
ぼ等しく、そのばらつきは±５％以内であった。隣り合
う電極同士の電気的短絡も皆無だった。また、各ストラ
イプ状電極長さ方向における両端間の抵抗値は実施例１
に比べやや小さくなり、約２８０Ωであった。Example 2 After fixing the shadow mask to the frame, the frame was etched with dilute hydrochloric acid to make the width of the reinforcing wire 30 μm and the thickness 20 μm.
The electrode was patterned in the same manner as in Example 1 except that a shadow mask having a thinner line was used. 2 on the board
00 stripe-shaped Al electrodes were patterned, and the electrode width was almost equal to the opening width of the shadow mask of 255 μm, and the variation was within ± 5%. There was no electrical short between adjacent electrodes. Further, the resistance value between both ends in the length direction of each stripe-shaped electrode is the same as that of the first embodiment.
280 Ω.
【００３１】実施例３ ＩＴＯ透明電極膜のついたガラス基板を１２０×１００
ｍｍの大きさに切断し、通常のフォトリソグラフィー法
によってＩＴＯを３００μｍピッチ（ＩＴＯ残り幅２７
０μｍ）×２７２本のストライプ状陽極にパターン加工
した。この基板を洗浄した後で真空蒸着装置に固定し
た。装置内の真空度が２×１０-4Ｐａ以下になるまで排
気してから、抵抗線加熱法により基板全面に銅フタロシ
アニンを２０ｎｍ、さらに、ビス（ｍ−メチルフェニル
カルバゾール）を１００ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成
した。さらに、８−ヒドロキシキノリノラトアルミニウ
ム錯体（Ａｌｑ３）を１００ｎｍ蒸着して発光層を形成
した。次に、両面エッチングした後でフォトレジストを
除去しなかったこと以外は実施例１で使用したのと同じ
シャドーマスクを用意して、ストライプ状開口部とＩＴ
Ｏストライプとが直交するようにシャドーマスクと基
板、磁石とを固定した。真空中において基板を回転させ
ながら、すでに成膜された有機層をリチウム蒸気にさら
してドーピングした（膜厚換算量０．５ｎｍ）後、Ａｌ
を実施例１と同様に２００ｎｍの厚さに蒸着した。Example 3 A glass substrate provided with an ITO transparent electrode film was
mm, and the ITO is pitched by 300 μm (ITO remaining width 27) by a normal photolithography method.
0 μm) × 272 striped anodes were patterned. After washing this substrate, it was fixed to a vacuum evaporation apparatus. After the inside of the apparatus was evacuated until the degree of vacuum became 2 × 10 −4 Pa or less, copper phthalocyanine was vapor-deposited on the entire surface of the substrate by 20 nm and bis (m-methylphenylcarbazole) was vapor-deposited by 100 nm by the resistance wire heating method. A hole transport layer was formed. Further, an 8-hydroxyquinolinolato aluminum complex (Alq3) was deposited to a thickness of 100 nm to form a light-emitting layer. Next, the same shadow mask as that used in Example 1 was prepared except that the photoresist was not removed after double-sided etching.
The shadow mask, the substrate, and the magnet were fixed such that the O stripes were orthogonal to each other. While rotating the substrate in a vacuum, the organic layer already formed was exposed to lithium vapor to dope (0.5 nm in terms of film thickness) and then Al
Was deposited to a thickness of 200 nm in the same manner as in Example 1.
【００３２】有機層上にパターン加工された２００本の
ストライプ状Ａｌ陰極は１００ｍｍの長さ方向にわたっ
て電気的に導通しており、隣り合う陰極同士の短絡は皆
無だった。また、各ストライプ状電極長さ方向における
両端間の抵抗値は約４００Ωであった。The 200 striped Al cathodes patterned on the organic layer were electrically conductive over the length direction of 100 mm, and there was no short circuit between adjacent cathodes. The resistance value between both ends in the length direction of each striped electrode was about 400Ω.
【００３３】このようにして、ストライプ状ＩＴＯ陽極
とそれに直交するストライプ状Ａｌ陰極との間に有機層
が挟まれた構造の有機電界発光素子を作製した。この単
純マトリクス型ディスプレイは３００μｍピッチで２７
２×２００画素を有する。陽極をプラス、陰極をマイナ
ス電位にバイアスしたところ、Ａｌｑ３からの緑色発光
が認められた。各画素の大きさは２７０×２５０μｍで
あり、ストライプ状陽極と陰極の幅にそれぞれ対応して
いた。また、このディスプレイを線順次駆動したところ
明瞭なパターン表示が可能であった。Thus, an organic electroluminescent device having a structure in which an organic layer was interposed between a stripe-shaped ITO anode and a stripe-shaped Al cathode orthogonal to the anode was manufactured. This simple matrix type display has a 27 μm pitch of 300 μm.
It has 2 × 200 pixels. When the anode was biased to a positive potential and the cathode was biased to a negative potential, green light emission from Alq3 was observed. The size of each pixel was 270 × 250 μm, corresponding to the width of the striped anode and cathode, respectively. When this display was driven line-sequentially, a clear pattern could be displayed.
【００３４】比較例１ 補強線が存在せずマスク部分のみからなるシャドーマス
クを用いたこと以外は実施例１と同様にしてストライプ
状Ａｌ電極のパターン加工を試みた。形成した電極幅は
その長さ方向において大きくばらつき、１ｍｍを越える
部分や、反対に細くなりすぎて途中で断裂する部分が無
数に存在した。また、隣り合う電極同士の電気的短絡も
いたるところで発生していた。Comparative Example 1 Pattern processing of a striped Al electrode was attempted in the same manner as in Example 1 except that a shadow mask consisting of only a mask portion without a reinforcing line was used. The formed electrode width varied greatly in the length direction, and there were numerous parts exceeding 1 mm and conversely, too many parts that were too thin and were torn in the middle. Also, electrical shorts between adjacent electrodes have occurred everywhere.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明の、マスク部分の間に開口部形状
の変形を防止する補強線を導入したシャドーマスクは、
マスク法によって薄膜の微細なパターン加工を実現する
上で有用である。According to the shadow mask of the present invention, a reinforcing line for preventing deformation of the shape of the opening is introduced between mask portions.
This is useful in realizing fine pattern processing of a thin film by a mask method.
【図１】本発明のシャドーマスクの一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of a shadow mask of the present invention.
【図２】図１のシャドーマスクのＡＡ’断面図。FIG. 2 is an AA ′ cross-sectional view of the shadow mask of FIG. 1;
【図３】図１のシャドーマスクを用いて蒸着により薄膜
をパターン加工する様子を説明するＢＢ’断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB 'illustrating how a thin film is patterned by vapor deposition using the shadow mask of FIG. 1;
【図４】図１のシャドーマスクを用いてドライエッチン
グにより薄膜をパターン加工する様子を説明するＢＢ’
断面図。FIG. 4 is a view BB ′ for explaining how the thin film is patterned by dry etching using the shadow mask of FIG. 1;
Sectional view.
【図５】マスク部分断面がテーパー形状であるシャドー
マスクの一例を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a shadow mask in which a partial cross section of the mask has a tapered shape.
【図６】両方の面と補強線との間に隙間が存在するシャ
ドーマスクの一例を示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing an example of a shadow mask in which a gap exists between both surfaces and a reinforcing line.
【図７】クッション層を有するシャドーマスクの一例を
示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of a shadow mask having a cushion layer.
【図８】本発明のシャドーマスクの別の一例を示す平面
図。FIG. 8 is a plan view showing another example of the shadow mask of the present invention.
【図９】図８のシャドーマスクを用いてパターン加工さ
れたリング状電極を説明する平面図。FIG. 9 is a plan view illustrating a ring-shaped electrode patterned using the shadow mask of FIG. 8;
【図１０】本発明のシャドーマスクの製造方法の一例を
説明する断面図。FIG. 10 is a sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a shadow mask according to the present invention.
【図１１】マスク部分のパターンに対応して形成された
レジストの一例を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing an example of a resist formed corresponding to a pattern of a mask portion.
【図１２】マスク部分に補強線を加えたパターンに対応
して形成されたレジストの一例を示す平面図。FIG. 12 is a plan view showing an example of a resist formed corresponding to a pattern obtained by adding a reinforcing line to a mask portion.
１ａ〜１ｄ シート状物質 ２ａ〜２ｄ 開口部 ３ａ〜３ｄ マスク部分 ４ａ〜４ｄ 補強線 ５ａ〜５ｄ 隙間 ６ クッション層 ７ 蒸着物 ８ 反応性ガス １０ 薄膜層（蒸着部分） １１ 薄膜層（被エッチング部分） １２ 薄膜層（リング状電極） ２０ａ〜２０ｃ 基板 ３０ レジスト（マスク部分のパターン） ３１ レジスト（マスク部分に補強線を加えたパター
ン） ３２ エッチャント1a-1d Sheet-like substance 2a-2d Opening 3a-3d Mask part 4a-4d Reinforcement line 5a-5d Gap 6 Cushion layer 7 Deposit 8 Reactive gas 10 Thin film layer (deposition part) 11 Thin film layer (etched part) Reference Signs List 12 thin film layer (ring-shaped electrode) 20a to 20c substrate 30 resist (pattern of mask portion) 31 resist (pattern of reinforcing portion added to mask portion) 32 etchant
Claims (13)
部が存在するシャドーマスクであって、マスク部分の間
に前記開口部を横切るようにして前記マスク部分の厚さ
よりも薄く、かつ、前記マスク部分と一体化した補強線
が形成され、前記マスク部分の少なくとも一方の面と前
記補強線との間に隙間が存在することを特徴とするシャ
ドーマスク。1. A shadow mask wherein at least one or more openings are present in a sheet-like material, wherein the thickness of the shadow mask is smaller than the thickness of the mask portion between the mask portions so as to cross the openings. A shadow mask, wherein a reinforcing line integrated with the mask portion is formed, and a gap exists between at least one surface of the mask portion and the reinforcing line.
を特徴とする請求項１記載のシャドーマスク。2. The shadow mask according to claim 1, wherein the thickness of the reinforcing wire is equal to or less than the height of the gap.
ることを特徴とする請求項１記載のシャドーマスク。3. The shadow mask according to claim 1, wherein the width of the reinforcing wire is not more than twice the height of the gap.
とする請求項１記載のシャドーマスク。4. The shadow mask according to claim 1, wherein the mask portion is made of a magnetic material.
並んでいることを特徴とする請求項１記載のシャドーマ
スク。5. The shadow mask according to claim 1, wherein a plurality of stripe-shaped openings are arranged in the width direction.
小幅が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載のシャドーマスク。6. The method according to claim 1, wherein the minimum width of the mask portion sandwiched between adjacent openings is 500 μm or less.
The described shadow mask.
小幅が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載のシャドーマスク。7. The method according to claim 1, wherein the minimum width of the mask portion sandwiched between the adjacent openings is 100 μm or less.
The described shadow mask.
によって支持されたマスク部分を含むことを特徴とする
請求項１記載のシャドーマスク。8. The shadow mask according to claim 1, including a mask portion surrounded by one opening and supported only by the reinforcing lines.
であって、シート状物質の片面にはマスク部分のパター
ンに対応したレジストを、他方の面には前記マスク部分
に補強線を加えたパターンに対応するレジストを形成
し、前記シート状物質を両面からエッチングすることを
特徴としたシャドーマスクの製造方法。9. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 1, wherein a resist corresponding to the pattern of the mask portion is applied to one surface of the sheet-like material, and a reinforcing line is applied to the mask portion on the other surface. A method of manufacturing a shadow mask, comprising forming a resist corresponding to a pattern and etching the sheet-like substance from both sides.
た後で、張力を加えながら前記シート状物質をフレーム
に固定することを特徴とする請求項９記載のシャドーマ
スクの製造方法。10. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 9, wherein after etching the sheet material from both sides, the sheet material is fixed to a frame while applying tension.
た後で、熱を加えながら前記シート状物質をフレームに
固定することを特徴とする請求項９記載のシャドーマス
クの製造方法。11. The method for manufacturing a shadow mask according to claim 9, wherein said sheet material is fixed to a frame while applying heat after etching the sheet material from both sides.
てレジストを除去した後で、補強線を細線化することを
特徴とする請求項９記載のシャドーマスクの製造方法。12. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 9, wherein the reinforcing line is thinned after the resist is removed by etching the sheet material from both sides.
た後で、レジストを除去せずに残してシャドーマスクの
一部とすることを特徴とする請求項９記載のシャドーマ
スクの製造方法。13. The method of manufacturing a shadow mask according to claim 9, wherein after etching the sheet material from both sides, the resist is left without being removed to form a part of the shadow mask.
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| JP9148031A JPH10330911A (en) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | Shadow mask and its production |
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|---|---|
| JPH10330911A true JPH10330911A (en) | 1998-12-15 |
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