JPH10326767A - Apparatus and method for treatment - Google Patents

Apparatus and method for treatment

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JPH10326767A
JPH10326767A JP8251298A JP8251298A JPH10326767A JP H10326767 A JPH10326767 A JP H10326767A JP 8251298 A JP8251298 A JP 8251298A JP 8251298 A JP8251298 A JP 8251298A JP H10326767 A JPH10326767 A JP H10326767A
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mounting table
lcd substrate
pins
lcd
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統 廣瀬
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an apparatus and a method in which an electrostatic charge on the surface and the rear surface of a substrate which is lifted up from a mounting base can be removed effectively, by a method wherein an ionizer is arranged at the side of the mounting base on which the substrate such as a liquid-crystal display substrate, a semiconductor wafer or the like is placed. SOLUTION: A mounting base 42 on which a liquid-crystal display substrate G is placed is arranged inside a treatment chamber 41 which is surrounded by a casing 41a at a heating device 20. Four through holes 48 are made in the mounting base 42, and support pins 50 which are used to support the liquid- crystal display substrate G in the delivery of the liquid-crystal display substrate G are inserted into, and passed through, the through holes 48 in a free fitted state. Then, when a main conveyance arm 15 is advanced or retreated, an opening part 47 on one side of the treatment chamber 41, through which the liquid-crystal display substrate G on the support pins 50 is received or through which the liquid-crystal display substrate G is delivered onto the support pins 50, is formed, and an ionizer 70 as a static eliminator is arranged at the outside of an opening part on the other side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばLCD基板
や半導体ウェハのような基板の乾燥処理などを行う処理
装置と処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing method for drying a substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレー(LCD)や半導体な
どの製造においては、基板であるLCD基板や半導体ウ
ェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、
いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフ
ィ処理は、基板の洗浄、基板の乾燥、基板の表面へのレ
ジスト膜の塗布、そのレジスト膜の露光、現像など、種
々の処理工程を含んでいる。これらの処理工程におい
て、例えば上記乾燥処理を行うために加熱装置が用いら
れている。そして、この加熱装置の一例として、基板を
載置台上に載置することにより、基板を加熱するように
構成されたものが知られている。この加熱装置は、基板
の受取り、受渡し時に載置台から上方に突出して基板の
下面を支持する複数本のピンを備えており、これらピン
の昇降により、載置台の上方において基板を受け取り、
その受け取った基板をピンの下降によって載置台上に受
け渡すように構成されている。また、載置台上において
加熱した後、その基板をピンで下方から突き上げること
により、基板を載置台の上方に持ち上げるようになって
いる。
2. Description of the Related Art In the production of liquid crystal displays (LCDs) and semiconductors, a resist film pattern is formed on the upper surface of an LCD substrate or semiconductor wafer as a substrate.
A so-called lithography process is performed. This lithography processing includes various processing steps such as cleaning of the substrate, drying of the substrate, application of a resist film on the surface of the substrate, exposure and development of the resist film. In these processing steps, for example, a heating device is used for performing the above-mentioned drying treatment. As an example of this heating device, a device configured to heat a substrate by mounting the substrate on a mounting table is known. The heating device has a plurality of pins for receiving the substrate, projecting upward from the mounting table at the time of delivery, and supporting a lower surface of the substrate, and receiving the substrate above the mounting table by elevating the pins,
It is configured to transfer the received substrate to the mounting table by lowering the pins. After the substrate is heated on the mounting table, the substrate is pushed up from below with a pin, thereby lifting the substrate above the mounting table.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら特にLC
D基板などのような絶縁材料からなる基板を載置台上に
載置した場合は、基板と載置台上面との間で静電気が発
生しやすい。このため、載置台上から基板をピンで持ち
上げる際に、基板が載置台の上面と接着してスムーズに
持ち上げられない場合がある。特にLCD基板などは薄
いガラスの板で構成されていてたわみを生じやすく、載
置台上から剥がしづらい。また、載置台の上方に基板を
持ち上げた際に、分極作用によって基板の上下の面に互
いに反対の極性の電荷が帯電してしまう心配がある。
However, in particular, LC
When a substrate made of an insulating material such as a D substrate is mounted on a mounting table, static electricity is easily generated between the substrate and the upper surface of the mounting table. Therefore, when the substrate is lifted from the mounting table with the pins, the substrate may adhere to the upper surface of the mounting table and cannot be lifted smoothly. In particular, the LCD substrate and the like are formed of a thin glass plate, and are liable to bend, and are difficult to peel off from the mounting table. Further, when the substrate is lifted above the mounting table, there is a concern that charges of opposite polarities may be charged on the upper and lower surfaces of the substrate due to the polarization action.

【0004】したがって、本発明の目的とするところ
は、載置台上から持ち上げられる基板の上下面の帯電を
効果的に除去できる装置及び方法を提供することにあ
る。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method capable of effectively removing charges on the upper and lower surfaces of a substrate lifted from a mounting table.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を載置させる載置台と、この載置台上において基板を昇
降させるピンとを備えた処理装置において、前記載置台
の側方にイオナイザを配置したことを特徴とする。この
処理装置において基板とは、例えばLCD基板や半導体
ウェハなどである。そのような基板を載置台の上方にお
いてピンの上端で受け取り、ピンの下降により基板を載
置台上に載置させる。そして、載置台上において例えば
加熱等の処理を基板に対して施す。この処理後、ピンを
上昇させて、載置台上から基板を持ち上げる。この基板
を持ち上げる際に、基板の側方に配置したイオナイザか
らイオンを吹き付け、基板の上下面の帯電を除去する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus having a mounting table for mounting a substrate thereon and pins for elevating the substrate on the mounting table, wherein an ionizer is provided on a side of the mounting table. Are arranged. In this processing apparatus, the substrate is, for example, an LCD substrate or a semiconductor wafer. Such a substrate is received at the upper ends of the pins above the mounting table, and the substrate is mounted on the mounting table by lowering the pins. Then, processing such as heating is performed on the substrate on the mounting table. After this processing, the pins are raised, and the substrate is lifted from the mounting table. When the substrate is lifted, ions are sprayed from an ionizer disposed on the side of the substrate to remove the charge on the upper and lower surfaces of the substrate.

【0006】この請求項1の処理装置においては、請求
項2に記載したように、前記イオナイザが、前記ピンに
よって載置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の
両方に対してイオンを供給できる位置に配置されている
ことが好ましい。そうすれば、イオナイザで作り出した
イオンを基板の上下両方の面に吹きつけることができ、
基板の上下面の帯電を効果的に除去することができる。
In the processing apparatus according to the first aspect, as described in the second aspect, the ionizer can supply ions to both the upper surface and the lower surface of the substrate lifted from above the mounting table by the pins. It is preferred that they are arranged at positions. Then, the ions created by the ionizer can be sprayed on both the upper and lower surfaces of the substrate,
The charge on the upper and lower surfaces of the substrate can be effectively removed.

【0007】さらに請求項3によれば、基板を載置させ
る載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピ
ンと、前記載置台を収納するケーシングとを備えた処理
装置において、前記ケーシングの外側に、少なくとも前
記載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出する除
電装置を備えたことを特徴とする処理装置が提供され
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising: a mounting table on which a substrate is mounted; pins for raising and lowering the substrate on the mounting table; and a casing for accommodating the mounting table. In addition, there is provided a processing apparatus including a static eliminator that discharges ionized gas toward at least the upper surface of the mounting table.

【0008】この請求項3の処理装置は、ケーシングの
外側から、載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐
出する除電装置を備えているので、前記請求項1と同
様、基板の帯電を効果的に除去できる。ここで載置台の
上面に向けて吐出するとは、上面の側方、斜め上方から
吐出することをも含む意味である。
According to the third aspect of the present invention, the processing apparatus includes a static eliminator for discharging ionized gas from the outside of the casing toward the upper surface of the mounting table. Can be removed. Here, the term “discharge toward the upper surface of the mounting table” means that the discharge is performed from the side of the upper surface and obliquely from above.

【0009】請求項4の処理装置は、基板を載置させる
載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピン
と、前記載置台を収納するケーシングとを備えた処理装
置において、前記ケーシングの外側に、少なくとも前記
載置台の上面と載置している基板の下面との間の部分に
向けてイオン化した気体を吐出する除電装置を備えたこ
とを特徴としている。この場合も、前記請求項3の場合
と同様、基板の帯電を除去してピンによる基板の載置台
から離脱を容易にしている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising a mounting table on which a substrate is mounted, pins for elevating the substrate on the mounting table, and a casing accommodating the mounting table. In addition, a static eliminator for discharging ionized gas toward at least a portion between the upper surface of the mounting table and the lower surface of the mounted substrate is provided. Also in this case, similarly to the case of the third aspect, the charge of the substrate is removed to facilitate the detachment of the substrate from the mounting table by the pins.

【0010】除電装置は、請求項5に記載したような、
気体をイオン化する放電電極と、この放電電極に向けて
気体を供給する気体供給手段とを備えていることが提案
できる。さらにこの放電電極は、基板の長手方向に沿っ
た位置に配置することが提案でき、LCD基板の場合、
効果的に除電を実施することが可能である。また請求項
7のように載置台側からみて、上下交互に放電電極を配
置するようにすれば、偏りなくイオン化した気体を供給
することが可能である。
[0010] The static elimination device is as described in claim 5.
It can be proposed to include a discharge electrode for ionizing gas and gas supply means for supplying gas to the discharge electrode. Furthermore, it can be proposed that this discharge electrode is arranged at a position along the longitudinal direction of the substrate, and in the case of an LCD substrate,
It is possible to effectively perform static elimination. Further, if the discharge electrodes are alternately arranged up and down as viewed from the mounting table side, an ionized gas can be supplied without bias.

【0011】請求項8の発明は、載置台上から基板を持
ち上げるに際し、載置台上から基板を持ち上げる動作を
開始するまでに、基板の側方からイオンの供給を開始
し、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触してい
る間は、第1の速度で基板を持ち上げ、基板が載置台の
上面から完全に離れた後は、前記第1の速度よりも早い
第2の速度で基板を持ち上げる処理方法である。この処
理方法において、請求項9に記載したように、前記基板
が載置台の上面から完全に離れた後、一定の間載置台上
から基板を持ち上げる動作を停止し、その後、載置台上
から基板を第2の速度で持ち上げるように構成しても良
い。その場合、前記一定の間は、請求項10に記載した
ように、基板の振動が停止するまでの時間とするのが良
い。
According to the present invention, when the substrate is lifted from the mounting table, the supply of ions is started from the side of the substrate before the operation of lifting the substrate from the mounting table is started, and at least a part of the substrate is started. Lifts the substrate at a first speed while the substrate is in contact with the upper surface of the mounting table, and after the substrate is completely separated from the upper surface of the mounting table, moves the substrate at a second speed higher than the first speed. It is a processing method of lifting. In this processing method, as described in claim 9, after the substrate is completely separated from the upper surface of the mounting table, the operation of lifting the substrate from the mounting table is stopped for a certain period, and thereafter, the substrate is removed from the mounting table. May be configured to be lifted at the second speed. In this case, it is preferable that the fixed period be a time until the vibration of the substrate stops.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1
は、LCD基板(ガラス基板)をフォトリソグラフィ技
術を用いて処理する塗布現像処理システム1の斜視図で
あり、この塗布現像処理システム1は第1の実施の形態
にかかる処理装置としての加熱装置20を備えている。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG.
1 is a perspective view of a coating and developing processing system 1 for processing an LCD substrate (glass substrate) using photolithography technology. The coating and developing processing system 1 includes a heating device 20 as a processing device according to the first embodiment. It has.

【0013】この塗布現像処理システム1は、例えば矩
形状のLCD基板Gを搬入・搬出するローダ部2と、L
CD基板Gを処理する第1の処理部3と、この第1の処
理部3とインターフェイス部4を介して連設された第2
の処理部5と、この第2の処理部5と例えば露光装置6
等との間でLCD基板Gを授受するためのインターフェ
イス部7から構成されている。
The coating and developing system 1 includes a loader unit 2 for loading and unloading, for example, a rectangular LCD substrate G;
A first processing unit 3 for processing the CD substrate G, and a second processing unit 3 connected to the first processing unit 3 via the interface unit 4
Processing unit 5 and the second processing unit 5 and, for example, the exposure apparatus 6
And an interface unit 7 for exchanging the LCD substrate G with the other devices.

【0014】ローダ部2には、カセットステーション1
0が設けられており、このカセットステーション10に
は未処理のLCD基板Gを収納するカセット11と、処
理済みのLCD基板Gを収納するカセット12とがそれ
ぞれ複数個載置自在である。またローダ部2には、未処
理のLCD基板Gを搬入または搬出するためのサブ搬送
アーム13が備えられている。なお、サブ搬送アーム1
3はY、Z方向への移動とθ方向に回転可能に構成され
ている。
The loader unit 2 includes a cassette station 1
The cassette station 10 is provided with a plurality of cassettes 11 for storing unprocessed LCD substrates G and a plurality of cassettes 12 for storing processed LCD substrates G. The loader unit 2 is provided with a sub-transport arm 13 for loading or unloading an unprocessed LCD substrate G. Note that the sub-transfer arm 1
Reference numeral 3 is configured to be movable in the Y and Z directions and rotatable in the θ direction.

【0015】第1の処理部3には、LCD基板Gに対し
て所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム
15の搬送路16を挟んで両側に配置されている。搬送
路16の一方の側に、カセット11から取り出されたL
CD基板Gを洗浄するためのブラシ洗浄装置17、現像
装置18が並んで配置され、搬送路16を挟んで反対側
に、LCD基板Gに疎水化処理を施すアドヒージョン装
置19、加熱装置20、LCD基板Gを所定の温度に冷
却する冷却装置21が適宜多段に配置されている。
In the first processing section 3, various processing devices for performing predetermined processing on the LCD substrate G are arranged on both sides of the transport path 16 of the main transport arm 15. On one side of the transport path 16, the L
A brush cleaning device 17 for cleaning the CD substrate G and a developing device 18 are arranged side by side, and an adhesion device 19 for performing a hydrophobic treatment on the LCD substrate G, a heating device 20, and an LCD on the opposite side across the transport path 16. Cooling devices 21 for cooling the substrate G to a predetermined temperature are appropriately arranged in multiple stages.

【0016】第2の処理部5には、メイン搬送アーム2
2の搬送路23の一方の側に、本実施の形態にかかる塗
布・周縁部除去装置24が配置され、搬送路22を挟ん
で反対側には、加熱装置20、冷却装置21が適宜多段
に配置されている。
The second processing unit 5 includes a main transfer arm 2
The coating / periphery removing device 24 according to the present embodiment is disposed on one side of the second transport path 23, and the heating device 20 and the cooling device 21 are appropriately arranged in multiple stages on the opposite side across the transport path 22. Are located.

【0017】インターフェイス部7には、LCD基板G
を一時待機させるためのカセット25と、このカセット
25との間でLCD基板Gの出入れを行うサブ搬送アー
ム26と、LCD基板Gの受渡し台27が設けられてい
る。なお、これら第1の処理部3及び第2の処理部5の
構成、各種装置の配列等は適宜変更することが可能であ
る。
The interface section 7 includes an LCD substrate G
, A sub-transfer arm 26 for moving the LCD substrate G in and out of the cassette 25, and a transfer table 27 for the LCD substrate G. The configurations of the first processing unit 3 and the second processing unit 5, the arrangement of various devices, and the like can be appropriately changed.

【0018】上記のように構成される塗布現像処理シス
テム1に組み込まれた第1の実施の形態にかかる加熱装
置20の構成について説明する。この加熱装置20のケ
ーシング41aによって囲まれた処理室41内には、L
CD基板Gを載置する載置台42が配置されており、載
置台42の内部には、載置台42を介してLCD基板G
を加熱するための加熱手段であるヒータ43が設置され
ている。載置台42は、例えばアルミニウム合金等によ
り構成されており、載置台42には、図示しない温度セ
ンサが取り付けられており、例えば120℃〜150℃
等の所定の加熱温度に温度設定可能に構成されている。
The configuration of the heating device 20 according to the first embodiment, which is incorporated in the coating and developing system 1 configured as described above, will be described. In the processing chamber 41 surrounded by the casing 41a of the heating device 20, L
A mounting table 42 on which the CD substrate G is mounted is arranged. Inside the mounting table 42, the LCD substrate G is mounted via the mounting table 42.
Is provided with a heater 43 as heating means for heating the heater 43. The mounting table 42 is made of, for example, an aluminum alloy, and a temperature sensor (not shown) is attached to the mounting table 42.
The temperature can be set to a predetermined heating temperature such as.

【0019】処理室41の上部には、処理室41の上部
を覆い、載置台42との間で処理空間44を形成するカ
バー部材である処理室上壁45が配置されている。この
処理室上壁45の中央部には、排気口45aが設けられ
ている。処理室上壁45は、後述する間隔設定用突起を
介してシャッター部材である開閉扉46に取り付けられ
ている。開閉扉46の昇降により、処理室41と処理室
上壁45との間の開口部47を開閉して処理空間44の
形成・開放を行うことができる。
At the top of the processing chamber 41, a processing chamber upper wall 45, which is a cover member that covers the processing chamber 41 and forms a processing space 44 with the mounting table 42, is disposed. An exhaust port 45a is provided at the center of the processing chamber upper wall 45. The processing chamber upper wall 45 is attached to an opening / closing door 46 that is a shutter member via a spacing setting protrusion described later. By raising and lowering the opening / closing door 46, the opening 47 between the processing chamber 41 and the processing chamber upper wall 45 can be opened and closed to form and open the processing space 44.

【0020】載置台42は、例えば4つの貫通孔48が
設けられており、これらの貫通孔48には、それぞれL
CD基板受け渡し時にLCD基板Gを支持するために支
持ピン50が遊嵌状態で貫挿されている。すなわち貫通
孔48は、支持ピン50の水平移動を許容する大きさを
有する。支持ピン50は、下端に脚部50aを有するス
テンレス鋼製のピン本体50bと、このピン本体50b
の上端部に装着される、例えばPEEK(polyet
her−ether−ketone)製の耐蝕性を有す
るピン補助体とで構成されており、脚部50aが保持部
材51の上面に突設された筒状の支持部材52にて水平
方向に移動可能に支持されている。
The mounting table 42 is provided with, for example, four through holes 48.
In order to support the LCD substrate G at the time of delivery of the CD substrate, support pins 50 are inserted in a loosely fitted state. That is, the through hole 48 has a size that allows the support pin 50 to move horizontally. The support pin 50 includes a stainless steel pin body 50b having a leg 50a at a lower end, and a pin body 50b.
For example, PEEK (polyet)
Her-ether-ketone (corrosion-resistant pin auxiliary body), and the leg portion 50a can be moved in the horizontal direction by a cylindrical support member 52 protruding from the upper surface of the holding member 51. Supported.

【0021】上記のように4本の支持ピン50を保持す
る保持部材51は、昇降機構53に連結されて昇降可能
に、すなわち支持ピン50を載置台42の貫通孔48を
挿通して上方に突出可能に構成されている。この場合昇
降機構53は、駆動モータであるステッピングモータ5
4と、このステッピングモータ54により駆動される駆
動プーリ55と、この駆動プーリ55の上方に配設され
る従動プーリ56と、これら駆動プーリ55と従動プー
リ56に掛け渡され保持部材51を連結するタイミング
ベルト57とで構成されている。したがって、ステッピ
ングモータ54の正逆回転によって支持ピン50と載置
台42とが相対的に上下移動し得るように構成されてい
る。
As described above, the holding member 51 for holding the four support pins 50 is connected to the elevating mechanism 53 so as to be able to move up and down, that is, the support pins 50 are inserted upward through the through holes 48 of the mounting table 42. It is configured to be protrudable. In this case, the lifting mechanism 53 includes a stepping motor 5 serving as a driving motor.
4, a driving pulley 55 driven by the stepping motor 54, a driven pulley 56 disposed above the driving pulley 55, and the holding member 51 is connected to the driving pulley 55 and the driven pulley 56 so as to span the driving pulley 55 and the driven pulley 56. And a timing belt 57. Therefore, the support pin 50 and the mounting table 42 can be relatively vertically moved by the forward / reverse rotation of the stepping motor 54.

【0022】上記開閉扉46は、角形筒状の本体46a
の上端に内向き水平片46bを設けた形状となってお
り、処理室上壁44の下面と対向する内向き水平片46
bの上面の四隅には、所定の高さ寸法h例えば1〜5m
mの間隔設定用突起60が突設されている。前記開閉扉
46は本体46aの下端部に突設されたブラケット46
cに昇降機構、例えばエアーシリンダ61のピストンロ
ッド61aが連結されており、エアーシリンダ61の駆
動により昇降移動し、処理室41の開口部47を開閉す
ると共に、処理空間44を形成・解放するようになって
いる。
The opening / closing door 46 has a rectangular cylindrical main body 46a.
An inward horizontal piece 46b is provided at the upper end of the inward horizontal piece 46b facing the lower surface of the processing chamber upper wall 44.
b, a predetermined height dimension h, for example, 1 to 5 m
An interval setting protrusion 60 of m is protruded. The opening / closing door 46 is provided with a bracket 46 protruding from a lower end of the main body 46a.
An elevating mechanism, for example, a piston rod 61a of an air cylinder 61 is connected to c, and is moved up and down by driving the air cylinder 61 to open and close the opening 47 of the processing chamber 41 and to form and release the processing space 44. It has become.

【0023】開閉扉46が上昇して間隔設定用突起60
が処理室上壁45の下面に当接することによって、処理
室上壁45の下面と開閉扉46の上面との間に所定の寸
法hに設定保持された空気導入口62が形成される。し
たがって、LCD基板Gの加熱処理時に、一定した外部
の空気が空気導入口62を介して処理空間44内に流入
し、排気口45aから排気される空気流量を均一にする
ことができ、LCD基板Gの加熱温度を均一にすること
ができる。
The opening / closing door 46 is raised and the interval setting projection 60 is provided.
Abuts on the lower surface of the processing chamber upper wall 45, thereby forming an air introduction port 62 set and maintained at a predetermined dimension h between the lower surface of the processing chamber upper wall 45 and the upper surface of the opening / closing door 46. Therefore, during the heat treatment of the LCD substrate G, constant external air flows into the processing space 44 via the air introduction port 62, and the flow rate of air exhausted from the exhaust port 45a can be made uniform. The heating temperature of G can be made uniform.

【0024】前記処理室41の一側の開口部47は、メ
イン搬送アーム15が進入、退出して、支持ピン50上
のLCD基板Gを受け取ったり、支持ピン50上にLC
D基板Gを渡す。他側の開口部47aの外側には、除電
装置としてのイオナイザ70が配置されている。このイ
オナイザ70は、一端部が閉口した本体71と、この本
体71の一側に上下二段に配置されたノズル72、73
を有している。これらノズル72、73は、等ピッチ
(例えば約90mm間隔)で配置され、かつ上段のノズル
72と、下段のノズル73とは、上からみて重ならない
ように配置されている。イオナイザ70のノズル72、
73は、図5に示したように、LCD基板Gの長辺に沿
って配置されている。
The opening 47 on one side of the processing chamber 41 receives the LCD substrate G on the support pins 50 when the main transfer arm 15 enters and exits, and
Give the D board G. Outside the opening 47a on the other side, an ionizer 70 as a static eliminator is arranged. The ionizer 70 includes a main body 71 having one end closed, and nozzles 72 and 73 arranged on one side of the main body 71 in two upper and lower stages.
have. The nozzles 72 and 73 are arranged at an equal pitch (for example, at intervals of about 90 mm), and the upper nozzle 72 and the lower nozzle 73 are arranged so as not to overlap when viewed from above. The nozzle 72 of the ionizer 70,
The reference numeral 73 is arranged along the long side of the LCD substrate G as shown in FIG.

【0025】本体71の他端部には、ガス導入部74が
設けられて、このガス導入部74にフレッシュエアや窒
素ガスその他の不活性ガスを供給すると、前記ノズル7
2、73から吐出される。各ノズル72、73には、針
状の放電電極75が設けられている。電力ケーブル76
から電力が供給されると、放電電極75が放電し、ノズ
ル72、73から吐出される前記フレッシュエアや窒素
ガスその他の不活性ガスがイオン化され、吐出される気
体の流れに乗って、ノズルの吹出方向に吐出される。電
力は、電源77から供給され、フレッシュエアなどは、
気体供給源78から供給される。
A gas inlet 74 is provided at the other end of the main body 71. When fresh air, nitrogen gas or other inert gas is supplied to the gas inlet 74, the nozzle 7
Discharged from 2, 73. Each of the nozzles 72 and 73 is provided with a needle-shaped discharge electrode 75. Power cable 76
When power is supplied from the discharge electrode 75, the discharge electrode 75 is discharged, and the fresh air, nitrogen gas, and other inert gas discharged from the nozzles 72 and 73 are ionized, riding on the flow of the discharged gas, and Discharged in the blowing direction. Electric power is supplied from the power supply 77,
It is supplied from a gas supply source 78.

【0026】この電力、気体の供給、すなわちイオナイ
ザ70の動作は、コントローラ81によって制御され
る。またこのコントローラ81は、開閉扉46を駆動す
るエアーシリンダ61の作動を行う、バルブ82、83
の開閉をも制御している。バルブ82を開放すると、ガ
ス供給源84からのガスがエアーシリンダ61内に供給
され、ピストンロッド61aを押し上げる。これによっ
て開閉扉46が上昇して、開口部62が閉鎖される。バ
ルブ83を開放すると、ガス供給源84からのガスがエ
アーシリンダ61内の他の空間に供給され、ピストンロ
ッド61aを押し下げる。これによって開閉扉46が下
降して、開口部62が開放される。
The supply of power and gas, that is, the operation of the ionizer 70 is controlled by the controller 81. The controller 81 operates valves 82 and 83 for operating the air cylinder 61 that drives the door 46.
The opening and closing of the is also controlled. When the valve 82 is opened, gas from the gas supply source 84 is supplied into the air cylinder 61 to push up the piston rod 61a. As a result, the opening / closing door 46 rises, and the opening 62 is closed. When the valve 83 is opened, the gas from the gas supply source 84 is supplied to another space in the air cylinder 61, and pushes down the piston rod 61a. Thereby, the opening / closing door 46 descends, and the opening 62 is opened.

【0027】コントローラは、開閉扉46を開放する際
に、イオナイザ70を作動させる。したがって、イオン
化した気体は図6に示したように、ノズル72、73か
ら処理室41内の載置台42の上面とLCD基板Gの裏
面に向けて放出される。それによってLCD基板Gの電
荷を中和して除去する。したがって、その後支持ピン5
0を上昇させてLCD基板Gを載置台42の上面から持
ち上げることが円滑に行える。
The controller operates the ionizer 70 when opening the door 46. Therefore, the ionized gas is released from the nozzles 72 and 73 toward the upper surface of the mounting table 42 in the processing chamber 41 and the rear surface of the LCD substrate G as shown in FIG. Thereby, the charge on the LCD substrate G is neutralized and removed. Therefore, the support pin 5
By raising 0, the LCD substrate G can be lifted from the upper surface of the mounting table 42 smoothly.

【0028】ノズル72は、LCD基板Gにおけるメイ
ン搬送アーム18側、ノズル73はLCD基板Gの手前
側に向けてイオン化した気体を吐出する。したがって、
LCD基板G全体に偏りなくイオンを供給でき、効果的
にLCD基板Gの除電がなされる。
The nozzle 72 discharges ionized gas toward the main transfer arm 18 on the LCD substrate G, and the nozzle 73 discharges ionized gas toward the near side of the LCD substrate G. Therefore,
The ions can be supplied evenly to the entire LCD substrate G, and the charge on the LCD substrate G is effectively removed.

【0029】次に本発明の第2の実施の形態について説
明する。図7に示すレジスト処理システム101は、そ
の一端側にカセットステーション103を備えている。
このカセットステーション103にはLCD基板Gを収
容した複数のカセット2が載置されている。カセットス
テーション103のカセット102の正面側にはLCD
基板Gの搬送及び位置決めを行うと共に、LCD基板G
を保持してメインアーム104との間で受け渡しを行う
ための補助アーム105が設けられている。メインアー
ム104は、処理システム101の中央部を長手方向に
移動可能に、二基直列に配置されており、その移送路の
両側には、現像装置106その他の各種処理装置が配置
されている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The resist processing system 101 shown in FIG. 7 includes a cassette station 103 at one end.
In the cassette station 103, a plurality of cassettes 2 containing LCD substrates G are placed. An LCD is provided on the front side of the cassette 102 in the cassette station 103.
While carrying and positioning the substrate G, the LCD substrate G
And an auxiliary arm 105 for holding and transferring the main arm 104 to and from the main arm 104. Two main arms 104 are arranged in series so as to be able to move in the center of the processing system 101 in the longitudinal direction, and a developing device 106 and other various processing devices are arranged on both sides of the transfer path.

【0030】図示の処理システム1にあっては、カセッ
トステーション103側の側方には、LCD基板Gをブ
ラシ洗浄するためのブラシスクラバ107及び高圧ジェ
ット水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機10
8等が並設されている。また、メインアーム104の移
送路を挟んで反対側に現像装置106が二基並設され、
その隣りに二基の加熱装置109が積み重ねて設けられ
ている。
In the illustrated processing system 1, a brush scrubber 107 for brush cleaning the LCD substrate G and a high-pressure jet cleaning machine 10 for cleaning with high-pressure jet water are provided on the side of the cassette station 103.
8 etc. are juxtaposed. Further, two developing devices 106 are provided in parallel on opposite sides of the transfer path of the main arm 104,
Two heating devices 109 are stacked next to each other.

【0031】これら各機器の側方には、接続用インター
フェースユニット110を介して、LCD基板Gにレジ
スト膜を塗布する前にLCD基板Gを疎水処理するアド
ヒージョン装置111が設けられ、このアドヒージョン
装置111の下方には冷却用クーリング装置112が配
置されている。また、これらアドヒージョン装置111
及びクーリング装置112の側方に加熱装置113が二
列に二個づつ積み重ねて配置される。メインアーム10
4の移送路を挟んで反対側にはLCD基板Gにレジスト
液を塗布することによってLCD基板Gの表面にレジス
ト膜(感光膜)を形成するレジスト膜塗布装置114が
二台並設されている。図示はしないが、これらレジスト
膜塗布装置114の側部には、LCD基板G上に形成さ
れたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための
露光装置等が設けられる。
An adhesion device 111 for hydrophobically treating the LCD substrate G before applying a resist film to the LCD substrate G is provided on a side of each of these devices via a connection interface unit 110. A cooling cooling device 112 is arranged below the cooling device 112. In addition, these adhesion devices 111
In addition, two heating devices 113 are arranged side by side in the cooling device 112 in two rows. Main arm 10
On the other side of the transfer path 4, two resist film coating devices 114 for forming a resist film (photosensitive film) on the surface of the LCD substrate G by applying a resist liquid to the LCD substrate G are provided in parallel. . Although not shown, an exposure device or the like for exposing a predetermined fine pattern to a resist film formed on the LCD substrate G is provided on a side portion of the resist film coating device 114.

【0032】メインアーム104はX軸駆動機構、Y軸
駆動機構、およびZ軸駆動機構を備えており(X軸、Y
軸、Z軸の各方向は図1に示す)、更に、Z軸を中心に
回転するθ回転駆動機構をそれぞれ備えている。このメ
インアーム104がレジスト処理システム101の中央
通路に沿って適宜走行して、各処理装置106、10
9、111〜113の間でLCD基板Gを搬送する。そ
してメインアーム104は、各処理装置106、10
9、111〜113内に処理前のLCD基板Gを搬入
し、また、各処理装置106、109、111〜113
内から処理後のLCD基板Gを搬出する機能を有してい
る。
The main arm 104 has an X-axis driving mechanism, a Y-axis driving mechanism, and a Z-axis driving mechanism (X-axis, Y-axis driving mechanism).
Each direction of the axis and the Z axis is shown in FIG. 1), and further, a θ rotation drive mechanism that rotates about the Z axis is provided. The main arm 104 appropriately travels along the central passage of the resist processing system 101, and
9, the LCD substrate G is conveyed between 111-113. The main arm 104 is connected to each of the processing devices 106, 10
9, 111-113, the unprocessed LCD substrate G is loaded into each of the processing devices 106, 109, 111-113.
It has a function to carry out the processed LCD substrate G from inside.

【0033】これらのかく装置のなかで、加熱装置10
9および加熱装置113は何れも同様の構成を備えてい
るので、加熱装置109について代表して以下に説明す
る。図8に示すように、加熱装置109は、ケーシング
120の内部に、LCD基板Gを載置するための載置台
121を備えている。図示はしないが、載置台121は
ヒータを内蔵しており、載置台121上に載置したLC
D基板Gを加熱することによって、LCD基板Gの乾燥
処理を行うことができるように構成されている。
Among these devices, the heating device 10
Since the heating device 9 and the heating device 113 have the same configuration, the heating device 109 will be described below as a representative. As shown in FIG. 8, the heating device 109 includes a mounting table 121 for mounting the LCD substrate G inside a casing 120. Although not shown, the mounting table 121 has a built-in heater, and the LC mounted on the mounting table 121 is not shown.
By heating the D substrate G, the LCD substrate G can be dried.

【0034】この載置台121には、LCD基板Gの受
取り、受渡し時に載置台121上面から上方に突出して
LCD基板Gの下面を突き上げる複数本、例えば4本の
ピン122が昇降自在に嵌挿されている。これらピン1
22の下端部は昇降枠123を介して、ステッピングモ
ータを内蔵した昇降機構124に支持されている。
A plurality of pins 122, for example, four pins 122, which protrude upward from the upper surface of the mounting table 121 and push up the lower surface of the LCD substrate G at the time of receiving and transferring the LCD substrate G, are inserted into the mounting table 121 in a vertically movable manner. ing. These pins 1
The lower end of 22 is supported by a lifting mechanism 124 having a built-in stepping motor via a lifting frame 123.

【0035】ケーシング120の前記メインアーム10
4の移送路に面する側面には、LCD基板Gの搬入出を
行うための窓125が形成されており、この窓125
は、シャッタ126によって開閉されるようになってい
る。なお、図示はしないが、このシャッタ126による
開閉操作を検知するためのセンサを備えている。このシ
ャッタ126の上昇により開放された窓25を介して、
図9に示すように、LCD基板Gはメインアーム104
によってケーシング120の内部に搬入される。そし
て、こうして搬入したLCD基板Gを、ピン122で突
き上げることによりメインアーム104から受け取り、
メインアーム104がケーシング120外に退出した
後、ピン122が下降することにより、LCD基板Gが
載置台121上に載置されるようになっている。
The main arm 10 of the casing 120
4, a window 125 for carrying in and out the LCD substrate G is formed on the side surface facing the transfer path.
Are opened and closed by a shutter 126. Although not shown, a sensor for detecting the opening / closing operation by the shutter 126 is provided. Through the window 25 opened by raising the shutter 126,
As shown in FIG. 9, the LCD substrate G is
Is carried into the casing 120. Then, the LCD board G thus carried in is received from the main arm 104 by pushing up with the pins 122,
After the main arm 104 moves out of the casing 120 and the pins 122 descend, the LCD substrate G is mounted on the mounting table 121.

【0036】図8に示すように、ケーシング120の上
方には、載置台121上においてLCD基板Gを加熱し
た際に発生するガスを排出するための排気ダクト127
が接続されている。
As shown in FIG. 8, above the casing 120, an exhaust duct 127 for exhausting gas generated when the LCD substrate G is heated on the mounting table 121 is provided.
Is connected.

【0037】また、ケーシング120の内部において載
置台121上に載置されたLCD基板Gの側方には、本
発明の特徴とするイオナイザ130が配置されている。
また、このイオナイザ130と前述の昇降機構124の
稼働は、コントローラ131によって制御される構成に
なっている。イオナイザ130の内部に放電極と対向電
極を備えており、放電極に交流電圧を印加し、対向電極
に直流電圧を印加することによって両電極間でコロナ放
電を発生させた状態でイオナイザ130内に清浄な空気
を供給することにより、その気流でイオンを放出するこ
とが可能である。後述するように、ピン122によって
LCD基板Gが載置台121上から持ち上る際に、この
イオナイザ130からイオンが放出されることにより、
LCD基板Gの上面と下面の両方に対してイオンが供給
されるように構成されている。
On the side of the LCD substrate G mounted on the mounting table 121 inside the casing 120, an ionizer 130 characteristic of the present invention is disposed.
The operation of the ionizer 130 and the operation of the elevating mechanism 124 are controlled by the controller 131. A discharge electrode and a counter electrode are provided inside the ionizer 130, and an AC voltage is applied to the discharge electrode, and a DC voltage is applied to the counter electrode, so that a corona discharge is generated between both electrodes. By supplying clean air, it is possible to release ions in the airflow. As will be described later, when the LCD substrate G is lifted from the mounting table 121 by the pins 122, ions are emitted from the ionizer 130,
The configuration is such that ions are supplied to both the upper and lower surfaces of the LCD substrate G.

【0038】さて、この加熱装置109を用いてLCD
基板Gを加熱して乾燥処理する場合について説明する
と、先ず、図7に示すようにカセットステーション10
3に載置されたカセット102内から補助アーム105
によってLCD基板Gを取り出し、これをメインアーム
104に受け渡す。メインアーム104はLCD基板G
をブラシスクラバ107に搬入し、ブラシスクラバ10
7はそのLCD基板Gをブラシ洗浄処理する。なお、プ
ロセスに応じて高圧ジェット洗浄機108内にて高圧ジ
ェット水によりLCD基板Gを洗浄するようにしてもよ
い。このようにして洗浄したLCD基板Gをメインアー
ム104で搬送して、加熱装置109内に搬入する。
Now, an LCD using this heating device 109 will be described.
The case of heating and drying the substrate G will be described. First, as shown in FIG.
3 from the inside of the cassette 102
Takes out the LCD substrate G and delivers it to the main arm 104. Main arm 104 is LCD board G
Into the brush scrubber 107, and the brush scrubber 10
7 brush-cleans the LCD substrate G. The LCD substrate G may be washed with high-pressure jet water in the high-pressure jet washing machine 108 according to the process. The LCD substrate G thus cleaned is transported by the main arm 104 and loaded into the heating device 109.

【0039】このLCD基板Gの搬入時には、図10に
示すように、加熱装置109においてケーシング120
の窓125は、シャッタ26の上昇により開放した状態
になっている。そして、この開放された窓125を介し
てメインアーム4がケーシング120内部に進入し、こ
れによりLCD基板Gが載置台121の上方に搬入され
た状態となる。
When the LCD substrate G is carried in, as shown in FIG.
The window 125 is opened by raising the shutter 26. Then, the main arm 4 enters the inside of the casing 120 through the opened window 125, whereby the LCD board G is carried above the mounting table 121.

【0040】この搬入後、ピン122が上昇してメイン
アーム104で支持していたLCD基板G下面を突き上
げ、ピン122上端にLCD基板Gを受け取る。その
後、図11に示すように、メインアーム104が窓12
5を介してケーシング120外に退出する。
After the loading, the pins 122 rise and push up the lower surface of the LCD substrate G supported by the main arm 104, and receive the LCD substrate G at the upper ends of the pins 122. Then, as shown in FIG.
5 to the outside of the casing 120.

【0041】こうしてメインアーム104がケーシング
120外に退出すると、図12に示すように、シャッタ
126が下降してケーシング120内は密閉状態とな
る。なお、このシャッタ126の下降は図示しないセン
サによって確認される。その確認後、ピン122が下降
してLCD基板Gは載置台121上に載置される。そし
て、載置台121に内蔵しているヒータの熱によってL
CD基板Gを加熱して、LCD基板Gの乾燥処理が行わ
れる。また、同時に排気ダクト127からの排気が行わ
れ、LCD基板Gを加熱した際に発生するガスがケーシ
ング120外に排出される。
When the main arm 104 retreats out of the casing 120 in this way, as shown in FIG. 12, the shutter 126 is lowered and the inside of the casing 120 is closed. The lowering of the shutter 126 is confirmed by a sensor (not shown). After the confirmation, the pins 122 are lowered and the LCD substrate G is mounted on the mounting table 121. The heat generated by the heater built in the mounting table 121 causes L
The CD substrate G is heated, and the LCD substrate G is dried. At the same time, the exhaust from the exhaust duct 127 is performed, and the gas generated when the LCD substrate G is heated is discharged to the outside of the casing 120.

【0042】次に、LCD基板Gの乾燥処理が終了する
と、ピン122が上昇して載置台121上面から上方に
突出し、LCD基板Gの下面を突き上げ始める。また、
このピン122の上昇によって載置台121上からLC
D基板Gを持ち上げる動作を開始するまでに、LCD基
板Gの側方に配置されているイオナイザ130からイオ
ンの供給を開始する。なお、LCD基板Gの乾燥処理が
終了した後、予め定めておいたシーケンスによって、所
定の時間が経過したらイオナイザ130からイオンの供
給を開始するようにしても良い。
Next, when the drying process of the LCD substrate G is completed, the pins 122 rise and protrude upward from the upper surface of the mounting table 121, and start to push up the lower surface of the LCD substrate G. Also,
When the pins 122 rise, LC from the mounting table 121 is
By the time the operation of lifting the D substrate G is started, the supply of ions from the ionizer 130 arranged on the side of the LCD substrate G is started. After the drying process of the LCD substrate G is completed, the supply of ions from the ionizer 130 may be started after a predetermined time elapses according to a predetermined sequence.

【0043】なお、このLCD基板Gの持ち上げ動作の
開始時においては、図13に示すように、LCD基板G
の一部(特に周辺部)が載置台121の上面とまだ接触
した状態となっている。特に、LCD基板などは薄いガ
ラス板で構成されていてたわみを生じやすく、周辺部が
静電気によって載置台121上面に接触して剥がしづら
い。かかる場合、最初からあまり速い速度でLCD基板
Gを突き上げると、今まで静電気によって載置台121
上面に接触していたLCD基板Gの周辺部が離れた瞬間
に、反動でピン122の上でLCD基板Gが跳ね上がっ
てしまう心配がある。このようにLCD基板Gがピン1
22上で跳ね上がってしまうと、ピン122上からメイ
ンアーム104に受け渡す際にLCD基板Gの位置が定
まらなくなり、搬送不良を引き起こす原因となる。
At the start of the lifting operation of the LCD substrate G, as shown in FIG.
(Particularly, the peripheral portion) is still in contact with the upper surface of the mounting table 121. In particular, the LCD substrate or the like is made of a thin glass plate and is liable to bend, and its peripheral portion is hardly peeled off by contact with the upper surface of the mounting table 121 due to static electricity. In such a case, if the LCD substrate G is pushed up at a very high speed from the beginning, the mounting table 121 has been hitherto caused by static electricity.
At the moment when the peripheral portion of the LCD substrate G that has been in contact with the upper surface is separated, there is a concern that the LCD substrate G may jump up on the pins 122 due to the recoil. Thus, the LCD substrate G is pin 1
If the LCD board G jumps over the pin 22, the position of the LCD substrate G cannot be determined when the LCD board G is transferred from the pin 122 to the main arm 104, which may cause a conveyance failure.

【0044】そこで、このようにピン122を上昇させ
て載置台121上からLCD基板Gを持ち上げるに際
し、少なくともLCD基板Gの一部が載置台121の上
面に接触している間は、コントローラ131の制御によ
って昇降機構24に内蔵されているステッピングモータ
の回転数を相対的に低回転にして、第1の速度でピン1
22を上昇させ、LCD基板Gの周辺部が離れた瞬間に
おけるLCD基板Gの跳ね上がりを防止する。なお、こ
のように第1の速度で載置台121上からLCD基板G
を持ち上げている間においても、イオナイザ130から
のイオンの供給を継続して行う。これにより、載置台1
21上面とLCD基板G下面との隙間にイオンを供給
し、除電を行う。
Therefore, when the LCD board G is lifted from the mounting table 121 by raising the pins 122 as described above, while at least a part of the LCD substrate G is in contact with the upper surface of the mounting table 121, the controller 131 is turned on. The rotation speed of the stepping motor built in the elevating mechanism 24 is controlled to be relatively low by control, and the pin 1 is rotated at the first speed.
22 is raised to prevent the LCD substrate G from jumping up at the moment when the periphery of the LCD substrate G is separated. Note that the LCD substrate G is placed on the mounting table 121 at the first speed.
The supply of ions from the ionizer 130 is continued even during the lifting. Thereby, the mounting table 1
Ions are supplied to a gap between the upper surface of the LCD substrate G and the lower surface of the LCD substrate G to perform static elimination.

【0045】こうして第1の速度でピン122を上昇さ
せることにより、LCD基板Gが載置台121の上面か
ら完全に離れた後は、LCD基板Gがピン122上で跳
ね上がる心配が無くなるので、コントローラ131の制
御によって昇降機構124に内蔵されているステッピン
グモータの回転数を相対的に高回転にして、第1の速度
よりも速い第2の速度でピン122を上昇させて良い。
但し、この場合、図14に示すように、LCD基板G全
体が載置台121の上面から完全に離れた直後に一定の
間、コントローラ131の制御によって昇降機構124
に内蔵されているステッピングモータの回転を中断させ
ることによりピン122の上昇を一時停止し、載置台1
21上からLCD基板Gを持ち上げる動作を停止するこ
とが好ましい。
By raising the pins 122 at the first speed in this way, after the LCD substrate G is completely separated from the upper surface of the mounting table 121, there is no need to worry about the LCD substrate G jumping up on the pins 122. By controlling the rotation speed of the stepping motor incorporated in the lifting mechanism 124 at a relatively high speed, the pin 122 may be raised at a second speed higher than the first speed.
However, in this case, as shown in FIG. 14, the lifting mechanism 124 is controlled by the controller 131 for a certain period immediately after the entire LCD substrate G is completely separated from the upper surface of the mounting table 121.
By suspending the rotation of the stepping motor incorporated in the mounting table, the lifting of the pin 122 is temporarily stopped, and the mounting table 1 is stopped.
It is preferable to stop the operation of lifting the LCD substrate G from above.

【0046】即ち、前述のように載置台121上からL
CD基板Gを持ち上げる初期の段階において第1の速度
でピン122をゆっくりと上昇させることにより、LC
D基板Gの跳ね上がりを防止することが可能となる。し
かしながら、いくらゆっくりとLCD基板Gを持ち上げ
たとしても、LCD基板Gの周辺部が離れた瞬間におけ
るLCD基板Gの振動を完全に防止することは困難であ
る。一方、LCD基板Gの振動が生じている状態で第1
の速度よりも速い第2の速度ですぐにピン122を上昇
させると、ピン122上端に支持しているLCD基板G
のずれが発生する心配が残ってしまう。
That is, as described above, L
By slowly raising the pins 122 at the first speed in the initial stage of lifting the CD substrate G, LC
It is possible to prevent the D substrate G from jumping. However, no matter how slowly the LCD substrate G is lifted, it is difficult to completely prevent the vibration of the LCD substrate G at the moment when the periphery of the LCD substrate G is separated. On the other hand, when the vibration of the LCD substrate G occurs, the first
When the pins 122 are immediately raised at the second speed higher than the speed of the LCD substrate G, the LCD substrate G
There remains a concern that the displacement will occur.

【0047】そこで、図14に示すように、LCD基板
G全体が載置台121の上面から完全に離れた直後にL
CD基板Gの上昇動作を一時停止し、LCD基板Gの振
動が無くなってから、再びLCD基板Gを上昇させるよ
うにするのが良い。LCD基板Gの上昇動作を一時停止
する操作は、コントローラ131の制御によって昇降機
構124に内蔵されているステッピングモータの回転を
一時的に停止させることによって行うことができるが、
その停止時間は、LCD基板Gの大きさ、形状、厚さ、
材質などといった種々の要因で異なり、例えば5秒間程
度以上とすることができる。なお、こうしてLCD基板
Gの上昇動作を一時停止させている間、および再びピン
122の上昇を再開して第2の速度でLCD基板Gを持
ち上げている間においても、イオナイザ130からのイ
オンの供給を継続して行い、LCD基板Gの除電を行
う。
Therefore, as shown in FIG. 14, immediately after the entire LCD substrate G is completely separated from the upper surface of the
It is preferable that the lifting operation of the CD substrate G is temporarily stopped, and after the vibration of the LCD substrate G is eliminated, the LCD substrate G is raised again. The operation of temporarily stopping the raising operation of the LCD substrate G can be performed by temporarily stopping the rotation of a stepping motor built in the elevating mechanism 124 under the control of the controller 131.
The stop time depends on the size, shape, thickness,
It depends on various factors such as the material, and can be, for example, about 5 seconds or more. It should be noted that the supply of ions from the ionizer 130 is performed while the raising operation of the LCD substrate G is temporarily stopped and while the raising of the pins 122 is restarted to lift the LCD substrate G at the second speed. Is performed continuously, and the charge of the LCD substrate G is removed.

【0048】こうして、図15に示すように、ピン12
2の上昇が終了して、除電の済んだLCD基板Gが載置
台121の上方に支持された状態となると、シャッタ1
26が上昇し、窓125が開放させられる。このシャッ
タ126の上昇と窓125の開放は図示しないセンサに
よって検出される。そして、センサの検出により、イオ
ナイザ130からのイオンの供給が停止する。なお安全
を図るために、予め定めておいたシーケンスによって、
所定の時間が経過したらイオナイザ130からのイオン
の供給を停止するようにしても良い。また、このセンサ
の検出によって窓125の開放を確認した後、開放され
た窓125を介してメインアーム4がケーシング120
内部に進入する。
Thus, as shown in FIG.
2 has been lifted, and the LCD substrate G from which the charge has been removed is supported above the mounting table 121.
26 is raised and window 125 is opened. The rise of the shutter 126 and the opening of the window 125 are detected by a sensor (not shown). Then, the supply of ions from the ionizer 130 is stopped by the detection of the sensor. In addition, in order to ensure safety, by a predetermined sequence,
After a predetermined time has elapsed, the supply of ions from the ionizer 130 may be stopped. After the opening of the window 125 is confirmed by the detection of this sensor, the main arm 4 is connected to the casing 120 through the opened window 125.
Enter inside.

【0049】このメインアーム104の進入後、ピン1
22が下降し、ピン122上端で支持していたLCD基
板Gをメインアーム104に受け渡す。そして、LCD
基板Gはメインアーム104の退出に伴ってケーシング
120外に搬出される。
After the main arm 104 enters, the pin 1
22 descends, and transfers the LCD substrate G supported by the upper ends of the pins 122 to the main arm 104. And LCD
The substrate G is carried out of the casing 120 as the main arm 104 retreats.

【0050】こうして乾燥処理の終了したLCD基板G
は、次いでアドヒージョンユニット111にてアドヒー
ジョン処理される。更に、クーリングユニット112で
LCD基板Gを冷却した後に、コーティングユニット1
14にてレジストをLCD基板Gの表面に塗布する。そ
して、LCD基板Gを加熱装置113で加熱処理した後
に、露光装置(図示せず)でレジスト膜を露光処理す
る。そして、露光後のLCD基板Gを現像装置106内
へ搬入し、現像処理が行われる。そして現像処理の終了
後、LCD基板Gはメインアーム104で現像装置10
6から搬出され、そのLCD基板Gは加熱装置109で
再び加熱されて乾燥され、さらにカセットステーション
103のカセット102内に収納される。
The LCD substrate G thus completed with the drying process
Is then subjected to an adhesion process in an adhesion unit 111. Further, after cooling the LCD substrate G by the cooling unit 112, the coating unit 1
At 14, a resist is applied to the surface of the LCD substrate G. After the LCD substrate G is heated by the heating device 113, the resist film is exposed by an exposure device (not shown). Then, the exposed LCD substrate G is carried into the developing device 106, and the developing process is performed. After the completion of the developing process, the LCD substrate G is moved by the main arm 104 to the developing device 10.
6, the LCD substrate G is heated again by the heating device 109 and dried, and further stored in the cassette 102 of the cassette station 103.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明によれば、基板の側方にイオナイ
ザを配置しているので、基板の上面と下面との両方に対
してイオンを供給することができ、基板の裏面も除電す
ることがてきる。また本発明によれば、基板を載置台か
ら持ち上げる際の跳ね上がりや位置ズレを防止できる。
According to the present invention, since the ionizer is arranged on the side of the substrate, ions can be supplied to both the upper surface and the lower surface of the substrate, and the back surface of the substrate can be discharged. Comes. Further, according to the present invention, it is possible to prevent the substrate from jumping up or shifting when lifting the substrate from the mounting table.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる加熱装置を
組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an overall outline of a coating and developing treatment system incorporating a heating device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態にかかる加熱装置の
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the heating device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図2の加熱装置に用いたイオナイザの正面図で
ある。
FIG. 3 is a front view of an ionizer used in the heating device of FIG.

【図4】図2の加熱装置に用いたイオナイザの平面図で
ある。
FIG. 4 is a plan view of an ionizer used in the heating device of FIG.

【図5】図3のイオナイザの配置を示す平面からみた説
明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the arrangement of the ionizer in FIG. 3 as viewed from a plane.

【図6】図2の加熱装置において開閉扉が開放した状態
の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the heating device of FIG. 2 in a state where an opening / closing door is opened.

【図7】本発明の第2の実施の形態にかかる加熱装置を
組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視
図である。
FIG. 7 is a perspective view showing an overall outline of a coating and developing system incorporating a heating device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施の形態にかかる加熱装置の
断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a heating device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】メインアームによる載置台上へのLCD基板の
受け渡しを示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing the transfer of the LCD substrate onto the mounting table by the main arm.

【図10】メインアームによってケーシング内へLCD
基板を搬入した状態を示す加熱装置の断面図である。
FIG. 10: LCD into casing by main arm
It is sectional drawing of the heating apparatus which shows the state which carried in the board | substrate.

【図11】ピンの上端にLCD基板を受け取った状態を
示す加熱装置の断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of the heating device showing a state where an LCD substrate is received at the upper end of a pin.

【図12】LCD基板を載置台上に載置した状態を示す
加熱装置の断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view of the heating device showing a state where the LCD substrate is mounted on a mounting table.

【図13】LCD基板を載置台上から持ち上げ始める状
態を示す拡大断面図である。
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view showing a state where the LCD substrate starts to be lifted from above the mounting table.

【図14】LCD基板の上昇を一時停止した状態を示す
加熱装置の断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of the heating device in a state where the lifting of the LCD substrate is temporarily stopped.

【図15】メインアームによってケーシング内からLC
D基板を搬出する状態を示す加熱装置の断面図である。
FIG. 15: LC from inside of casing by main arm
It is sectional drawing of the heating apparatus which shows the state which unloads a D board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理システム 20 加熱装置 41 処理室 41a ケーシング 42 載置台 50 支持ピン 70 イオナイザ 78 気体供給源 G LCD基板 Reference Signs List 1 processing system 20 heating device 41 processing chamber 41a casing 42 mounting table 50 support pin 70 ionizer 78 gas supply source G LCD substrate

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を載置させる載置台と、この載置台
上において基板を昇降させるピンとを備えた処理装置に
おいて、 前記載置台の側方にイオナイザを配置したことを特徴と
する処理装置。
1. A processing apparatus comprising: a mounting table on which a substrate is mounted; and pins for lifting and lowering the substrate on the mounting table, wherein an ionizer is arranged on a side of the mounting table.
【請求項2】 前記イオナイザが、前記ピンによって載
置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の両方に対
してイオンを供給できる位置に配置されていることを特
徴とする、請求項1に記載の処理装置。
2. The ionizer according to claim 1, wherein the ionizer is arranged at a position where ions can be supplied to both the upper and lower surfaces of the substrate lifted from above the mounting table by the pins. Processing equipment.
【請求項3】 基板を載置させる載置台と、この載置台
上において基板を昇降させるピンと、前記載置台を収納
するケーシングとを備えた処理装置において、 前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面
に向けてイオン化した気体を吐出する除電装置を備えた
ことを特徴とする、処理装置。
3. A processing apparatus comprising: a mounting table on which a substrate is mounted, pins for elevating and lowering the substrate on the mounting table, and a casing for storing the mounting table, wherein at least the mounting table is provided outside the casing. A processing device comprising a static eliminator for discharging ionized gas toward an upper surface of the processing device.
【請求項4】 基板を載置させる載置台と、この載置台
上において基板を昇降させるピンと、前記載置台を収納
するケーシングとを備えた処理装置において、 前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面
と載置している基板の下面との間の部分に向けてイオン
化した気体を吐出する除電装置を備えたことを特徴とす
る、処理装置。
4. A processing apparatus comprising: a mounting table on which a substrate is mounted, pins for elevating and lowering the substrate on the mounting table, and a casing accommodating the mounting table, wherein at least the mounting table is provided outside the casing. A discharger for discharging ionized gas toward a portion between an upper surface of the substrate and a lower surface of the mounted substrate.
【請求項5】 前記除電装置は、気体をイオン化する放
電電極と、この放電電極に向けて気体を供給する気体供
給手段とを備えていることを特徴とする、請求項3又は
4に記載の処理装置。
5. The charge removing device according to claim 3, wherein the static eliminator includes a discharge electrode for ionizing a gas, and gas supply means for supplying the gas to the discharge electrode. Processing equipment.
【請求項6】 前記放電電極は、基板の長手方向に沿っ
た位置に配置されていることを特徴とする、請求項5に
記載の処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 5, wherein the discharge electrode is arranged at a position along a longitudinal direction of the substrate.
【請求項7】 前記放電電極は、載置台側からみて、上
下交互に配置されていることを特徴とする、請求項6に
記載の処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 6, wherein the discharge electrodes are alternately arranged vertically when viewed from the mounting table side.
【請求項8】 載置台上から基板を持ち上げるに際し、 載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、
基板の側方からイオンの供給を開始し、 少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間
は、第1の速度で基板を持ち上げ、 基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第1の
速度よりも早い第2の速度で基板を持ち上げることを特
徴とする、処理方法。
8. When the substrate is lifted from the mounting table, the lifting of the substrate from the mounting table must be started.
Ion supply is started from the side of the substrate, and the substrate is lifted at the first speed while the substrate is at least partially in contact with the upper surface of the mounting table, and the substrate is completely separated from the upper surface of the mounting table. Thereafter, the substrate is lifted at a second speed higher than the first speed.
【請求項9】 前記基板が載置台の上面から完全に離れ
た後、一定の間載置台上から基板を持ち上げる動作を停
止し、 その後、載置台上から基板を第2の速度で持ち上げるこ
とを特徴とする、請求項8に記載の処理方法。
9. After the substrate is completely separated from the upper surface of the mounting table, the operation of lifting the substrate from the mounting table is stopped for a certain period, and then, the substrate is lifted from the mounting table at a second speed. The processing method according to claim 8, wherein the processing method is characterized in that:
【請求項10】 前記一定の間は、基板の振動が停止す
るまでの時間であることを特徴とする、請求項9に記載
の処理方法。
10. The processing method according to claim 9, wherein the predetermined time is a time until the vibration of the substrate stops.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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