JPH10321547A - Heat-treating device - Google Patents
Heat-treating deviceInfo
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- JPH10321547A JPH10321547A JP13185497A JP13185497A JPH10321547A JP H10321547 A JPH10321547 A JP H10321547A JP 13185497 A JP13185497 A JP 13185497A JP 13185497 A JP13185497 A JP 13185497A JP H10321547 A JPH10321547 A JP H10321547A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体装
置のウェーハを熱処理するための熱処理装置に関する。The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating a wafer of a semiconductor device, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体装置のウェーハを処理す
るウェーハ処理プロセスにおいては、アニール処理や成
膜処理等に見られるように、熱処理が多く用いられる。
この熱処理は、例えば、ランプ式の熱処理装置によって
行われる。ここで、ランプ式の熱処理装置とは、加熱源
としてランプを用いる熱処理装置である。2. Description of the Related Art Generally, in a wafer processing process for processing a wafer of a semiconductor device, a heat treatment is often used as seen in an annealing process or a film forming process.
This heat treatment is performed by, for example, a lamp-type heat treatment apparatus. Here, the lamp type heat treatment apparatus is a heat treatment apparatus using a lamp as a heating source.
【０００３】図５は、このランプ式の熱処理装置の従来
構成を示す図である。図示のランプ式の熱処理装置１０
は、ウェーハ２０を熱処理するための石英製の処理容器
１１と、この処理容器１１に収納されたウェーハ２０を
支持するための円盤状のウェーハ支持台１２と、このウ
ェーハ支持台１２に図示しないモータの回転を伝達する
ための回転軸１３と、処理容器１１に収納されたウェー
ハ２０を加熱するためのハロゲンランプ１４（１）〜１
４（６），１５（１）〜１５（６）と、このハロンゲン
ランプ１４（１）〜１４（６），１５（１）〜１５
（６）から発せられる熱を反射するための水冷式反射板
１６，１７とを有し、ウェーハ２０を回転させながら、
ハロゲンランプ１４（１）〜１４（６），１５（１）〜
１５（６）で加熱するようになっていた。FIG. 5 is a view showing a conventional structure of this lamp type heat treatment apparatus. Illustrated ramp type heat treatment apparatus 10
Is a quartz processing container 11 for heat-treating the wafer 20, a disk-shaped wafer support 12 for supporting the wafer 20 stored in the processing container 11, and a motor (not shown) mounted on the wafer support 12. Rotating shaft 13 for transmitting the rotation of the wafer, and halogen lamps 14 (1) to 1 for heating the wafer 20 stored in the processing chamber 11.
4 (6), 15 (1) to 15 (6) and the Harongen lamps 14 (1) to 14 (6), 15 (1) to 15
(6) water-reflecting reflectors 16 and 17 for reflecting heat generated from
Halogen lamps 14 (1) to 14 (6), 15 (1) to
Heating was performed at 15 (6).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、ウェーハ２０の表面の温度分布を均一に
保つことができないという問題があった。However, such a configuration has a problem that the temperature distribution on the surface of the wafer 20 cannot be kept uniform.
【０００５】すなわち、熱処理中のウェーハ２０の表面
の温度分布は、その周囲に存在するハードウェアの表面
の温度分布の影響を受け易い。このため、図５の構成で
は、ウェーハ２０の表面の温度分布は、ウェーハ２０と
平行なウェーハ支持台１２の表面の温度分布の影響を受
けやすい。That is, the temperature distribution on the surface of the wafer 20 during the heat treatment is easily affected by the temperature distribution on the surface of hardware existing around the wafer. For this reason, in the configuration of FIG. 5, the temperature distribution on the surface of the wafer 20 is easily affected by the temperature distribution on the surface of the wafer support 12 parallel to the wafer 20.
【０００６】ここで、ウェーハ支持台１２の表面の温度
分布は、中心部が低くなるような温度分布になってい
る。これは、ウェーハ支持台１２の中心部の温度が回転
軸１３を介して奪われるからである。これにより、図５
の構成では、ウェーハ２０の中心部の温度が低下する。Here, the temperature distribution on the surface of the wafer support table 12 is such that the central portion becomes lower. This is because the temperature of the central portion of the wafer support 12 is deprived via the rotating shaft 13. As a result, FIG.
In the configuration described above, the temperature at the center of the wafer 20 decreases.
【０００７】この様子を図６に示す。この図６は、熱処
理中のウェーハ２０の表面の温度分布を示す図である。
図において、横軸は、ウェーハ２０の中心を通る直線上
の位置を示し、縦軸は、ウェーハ２０の表面の温度を示
す。図示のごとく、従来のランプ式の熱処理装置におい
ては、ウェーハ２０の中心部で温度が低下する。FIG. 6 shows this state. FIG. 6 is a diagram showing a temperature distribution on the surface of the wafer 20 during the heat treatment.
In the figure, the horizontal axis indicates a position on a straight line passing through the center of the wafer 20, and the vertical axis indicates the temperature of the surface of the wafer 20. As shown in the drawing, in the conventional lamp-type heat treatment apparatus, the temperature decreases at the center of the wafer 20.
【０００８】そこで、本発明は、ウェーハ等の基板の表
面の温度分布のばらつきを抑制することができる熱処理
装置を提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of suppressing a variation in temperature distribution on the surface of a substrate such as a wafer.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の熱処理装置は、基板を熱処理するため
の処理容器と、この処理容器に収納された基板を加熱す
るための加熱源と、処理容器に収納された基板の一方の
面側と他方の面側に設けられ、基板の表面の温度を均一
にするための均熱板とを設けるようにしたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus, comprising: a treatment container for heat treating a substrate; and a heating source for heating the substrate contained in the treatment container. And a heat equalizing plate provided on one surface side and the other surface side of the substrate housed in the processing container, and for equalizing the temperature of the surface of the substrate.
【００１０】この請求項１記載の熱処理装置では、基板
の両面側に設けられた均熱板により、基板の周囲の温度
分布のばらつきが抑制される。これにより、基板の表面
の温度分布のばらつきが抑制される。[0010] In the heat treatment apparatus according to the first aspect, the temperature uniforming plates provided on both sides of the substrate suppress variations in the temperature distribution around the substrate. Thereby, the variation in the temperature distribution on the surface of the substrate is suppressed.
【００１１】請求項２記載の熱処理装置は、請求項１記
載の装置において、均熱板にその熱容量を部分的に変更
するための熱容量変更部材を設けるようにしたものであ
る。According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the first aspect, the heat equalizing plate is provided with a heat capacity changing member for partially changing the heat capacity.
【００１２】この請求項２記載の熱処理装置では、熱容
量変更部材により、均熱板の熱容量が部分的に変更され
る。これにより、基板の表面の温度が部分的に変更され
る。その結果、単に、均熱板を設ける場合より、基板の
表面の温度分布のばらつきを抑制する効果を高めること
ができる。また、基板の表面の温度を部分的に操作する
ことを簡単に行うことができる。In the heat treatment apparatus according to the second aspect, the heat capacity of the heat equalizing plate is partially changed by the heat capacity changing member. Thereby, the temperature of the surface of the substrate is partially changed. As a result, the effect of suppressing the variation in the temperature distribution on the surface of the substrate can be enhanced as compared with the case where the soaking plate is simply provided. Further, it is easy to partially control the temperature of the surface of the substrate.
【００１３】請求項３記載の熱処理装置は、請求項１記
載の装置において、均熱板の厚みを部分的に変更するこ
とにより、その熱容量を部分的に変更するようにしたも
のである。According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the first aspect, the heat capacity is partially changed by partially changing the thickness of the heat equalizing plate.
【００１４】この請求項３記載の熱処理装置でも、請求
項２記載の熱処理装置と同様に、均熱板の熱容量が部分
的に変更される。これにより、単に、均熱板を設ける場
合より、基板の表面の温度分布のばらつきを抑制する効
果を高めることができるとともに、基板の表面の温度を
部分的に操作することを簡単に行うことができる。In the heat treatment apparatus according to the third aspect, similarly to the heat treatment apparatus according to the second aspect, the heat capacity of the soaking plate is partially changed. Thereby, the effect of suppressing the variation in the temperature distribution on the surface of the substrate can be enhanced as compared with the case where the soaking plate is simply provided, and the temperature of the surface of the substrate can be easily partially controlled. it can.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。まず、本発明に係る
熱処理装置の第１の実施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, a first embodiment of a heat treatment apparatus according to the present invention will be described.
【００１６】図１は、本発明に係る熱処理装置の第１の
実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図に
は、ランプ式の熱処理装置を代表として示す。FIG. 1 is a side sectional view showing the structure of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the drawings, a lamp type heat treatment apparatus is shown as a representative.
【００１７】図示の熱処理装置３０は、ウェーハ５０を
熱処理するための処理容器３１と、ウェーハ５０を支持
するためのウェーハ支持台３２と、図示しないモータの
回転をウェーハ支持台３２に伝達するための支持台回転
軸３３と、ウェーハ５０を加熱するためのハロゲンラン
プ３４（１）〜３４（６），３５（１）〜３５（６）
と、これらハロンゲンランプ３４（１）〜３４（６），
３５（１）〜３５（６）から発せられる熱を反射するた
めの水冷式反射板３６，３７と、処理容器３１を保護す
るための保護部材３８と、ウェーハ出入口４７を封止す
るためのゲートバルブ３９とを有する。The illustrated heat treatment apparatus 30 includes a processing vessel 31 for heat-treating the wafer 50, a wafer support 32 for supporting the wafer 50, and a motor for transmitting rotation of a motor (not shown) to the wafer support 32. Halogen lamps 34 (1) to 34 (6), 35 (1) to 35 (6) for heating the support base rotating shaft 33 and the wafer 50.
And these Halongen lamps 34 (1) to 34 (6),
Water-cooled reflectors 36 and 37 for reflecting heat generated from 35 (1) to 35 (6), a protection member 38 for protecting the processing container 31, and a gate for sealing the wafer entrance 47. And a valve 39.
【００１８】また、図示の熱処理装置３０は、ウェーハ
５０の表面の温度を均一にするための均熱板４０，４１
と、これら均熱板４０，４１を支持するための均熱板支
持体４２，４３と、均熱板４１の熱容量を部分的に変更
するとともに、光を遮るための熱容量変更・遮光チップ
４４，４５とを有する。The heat treatment apparatus 30 shown in the figure is provided with heat equalizing plates 40 and 41 for making the surface temperature of the wafer 50 uniform.
And heat equalizing plate supports 42, 43 for supporting these heat equalizing plates 40, 41, and a heat capacity changing / light shielding chip 44, for partially changing the heat capacity of the heat equalizing plate 41 and blocking light. 45.
【００１９】上記処理容器３１は、例えば、両端が閉塞
された円筒状に形成されている。また、この処理容器３
１は、例えば、石英によって構成されている。このよう
な構成において、処理容器３１は、例えば、中心軸が垂
直となるように配設されている。The processing container 31 is formed, for example, in a cylindrical shape with both ends closed. The processing container 3
1 is made of, for example, quartz. In such a configuration, for example, the processing container 31 is disposed so that the central axis is vertical.
【００２０】上記ウェーハ支持台３２は、例えば、円盤
状に形成されている。この場合、ウェーハ支持台３２の
径は、例えば、ウェーハ５０の径とほぼ同じ値に設定さ
れている。このような構成において、ウェーハ支持台３
２は、処理容器３１の内部、すなわち、処理室に収納さ
れている。この場合、このウェーハ支持台３２は、処理
容器３１の上面と下面に平行に配設されている。上記ウ
ェーハ５０は、このウェーハ支持台３２の上面に配設さ
れる。The wafer support 32 is formed, for example, in a disk shape. In this case, the diameter of the wafer support 32 is set to, for example, substantially the same value as the diameter of the wafer 50. In such a configuration, the wafer support 3
2 is housed in the processing chamber 31, that is, in the processing chamber. In this case, the wafer support 32 is disposed in parallel with the upper surface and the lower surface of the processing container 31. The wafer 50 is disposed on the upper surface of the wafer support 32.
【００２１】上記支持台回転軸３３は、ウェーハ支持台
３２の下面の中心部に接続されている。また、この回転
軸３３は、処理容器３１の下面に一体的に形成された軸
受け４６に支持されている。The support shaft 33 is connected to the center of the lower surface of the wafer support 32. The rotating shaft 33 is supported by a bearing 46 integrally formed on the lower surface of the processing container 31.
【００２２】上記ハロゲンランプ３４（１）〜３４
（６）は、リング状に形成されている。この場合、ハロ
ゲンランプ３４（１）〜３４（６）の径は、それぞれ異
なる値に設定されている。このような構成において、こ
れらハロゲンランプ３４（１）〜３４（６）は、処理容
器３１の上面側に配設されている。この場合、これらの
ハロゲンランプ３４（１）〜３４（６）は、処理容器３
１の中心軸に同心円状に配設されている。The halogen lamps 34 (1) to 34 (34)
(6) is formed in a ring shape. In this case, the diameters of the halogen lamps 34 (1) to 34 (6) are set to different values. In such a configuration, the halogen lamps 34 (1) to 34 (6) are disposed on the upper surface side of the processing container 31. In this case, these halogen lamps 34 (1) to 34 (6)
1 are arranged concentrically on the central axis.
【００２３】上記ハロゲンランプ３５（１）〜３５
（６）も、径の異なるリング状に形成されている。ま
た、これらハロゲンランプ３５（１）〜３５（６）は、
処理容器３１の下面３１２側において、その中心軸に同
心円状に配設されている。The halogen lamps 35 (1) to 35 (35)
(6) is also formed in a ring shape having different diameters. These halogen lamps 35 (1) to 35 (6)
On the lower surface 312 side of the processing container 31, the processing container 31 is disposed concentrically with the center axis.
【００２４】上記水冷式反射板３６は、処理容器３１の
上面側において、ハロゲンランプ３４（１）〜３４
（６）を被うように配設されている。同様に、上記水冷
式反射板３７は、処理容器３１の下面側において、ハロ
ゲンランプ３５（１）〜３５（６）を被うように配設さ
れている。The water-cooled reflection plate 36 is provided on the upper surface side of the processing vessel 31 with halogen lamps 34 (1) to 34 (34).
It is arranged to cover (6). Similarly, the water-cooled reflection plate 37 is provided on the lower surface side of the processing container 31 so as to cover the halogen lamps 35 (1) to 35 (6).
【００２５】上記保護部材３８は、処理容器３１の側面
を被うように設けられている。この保護部材３８と処理
容器３１の側面には、ウェーハ出入口４７が形成されて
いる。このウェーハ出入口４７は、上記ゲートバルブ３
９によって封止されるようになっている。The protection member 38 is provided so as to cover the side surface of the processing container 31. On the side surfaces of the protection member 38 and the processing container 31, a wafer entrance 47 is formed. The wafer entrance 47 is connected to the gate valve 3.
9 for sealing.
【００２６】上記均熱板４０は、円盤状に形成されてい
る。この均熱板４０の径は、ウェーハ５０の径より大き
くなるように設定されている。また、この均熱板４０の
中心部には、円形の穴４０１が形成されている。この穴
４０１の径は、ウェーハ５０の径より大きくなるように
設定されている。このような構成において、この均熱板
４０は、処理容器３１の下面に設けられた均熱板支持台
４２に支持されている。この場合、この均熱板４０は、
ウェーハ支持台に支持されたウェーハ５０の下面側に位
置し、かつ、ウェーハ５０とほぼ平行になるように配設
されている。また、この均熱板４０は、このウェーハ支
持台３２と同一平面上で、かつ、このウェーハ支持台３
２と同軸的に配設されている。The heat equalizing plate 40 is formed in a disk shape. The diameter of the heat equalizing plate 40 is set to be larger than the diameter of the wafer 50. A circular hole 401 is formed in the center of the heat equalizing plate 40. The diameter of the hole 401 is set to be larger than the diameter of the wafer 50. In such a configuration, the heat equalizing plate 40 is supported by a heat equalizing plate support 42 provided on the lower surface of the processing container 31. In this case, the heat equalizing plate 40
It is located on the lower surface side of the wafer 50 supported by the wafer support, and is disposed so as to be substantially parallel to the wafer 50. The heat equalizing plate 40 is located on the same plane as the wafer support 32 and the wafer support 3
2 and are arranged coaxially.
【００２７】上記均熱板４１は、円盤状に形成されてい
る。この均熱板４１の径は、均熱板４０の径とほぼ同じ
値に設定されている。このような構成において、均熱板
４１は、均熱板４０の上面の縁部に設けられた支持台４
３に支持されている。この場合、この均熱板４１は、ウ
ェーハ支持台３２に支持されたウェーハ５０の上面側に
位置し、かつ、このウェーハ５０とほぼ平行になるよう
に配設されている。The heat equalizing plate 41 is formed in a disk shape. The diameter of the heat equalizing plate 41 is set to substantially the same value as the diameter of the heat equalizing plate 40. In such a configuration, the heat equalizing plate 41 is provided on the support 4 provided on the edge of the upper surface of the heat equalizing plate 40.
3 supported. In this case, the heat equalizing plate 41 is located on the upper surface side of the wafer 50 supported by the wafer support table 32 and is disposed so as to be substantially parallel to the wafer 50.
【００２８】上記熱容量変更・遮光チップ４４，４５
は、均熱板４１の上面に配設されている。この熱容量変
更・遮光チップ４４，４５は、実際には、３つ以上あっ
て、例えば、処理容器３１の中心軸の周りにリング状に
配列されている。The above heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45
Are disposed on the upper surface of the heat equalizing plate 41. There are actually three or more heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45, for example, arranged in a ring around the central axis of the processing container 31.
【００２９】上記構成において、動作を説明する。The operation of the above configuration will be described.
【００３０】ウェーハ５０は、処理容器３１の外部から
図示しないウェーハ出し入れ口を介して処理容器３１の
内部に搬入される。処理容器３１の内部に搬入されたウ
ェーハ５０は、ウェーハ支持台３２によって支持され
る。ウェーハ支持台３２に支持されたウェーハ５０は、
熱処理を受ける。The wafer 50 is carried into the processing vessel 31 from outside the processing vessel 31 through a wafer loading / unloading port (not shown). The wafer 50 carried into the processing chamber 31 is supported by the wafer support 32. The wafer 50 supported by the wafer support 32 is
Receive heat treatment.
【００３１】すなわち、ハロゲンランプ３４（１）〜３
４（６）から出力される熱は、直接、または、水冷式反
射板３６により反射された後、処理容器３１に伝達され
る。同様に、ハロゲンランプ３５（１）〜３５（６）か
ら出力される熱は、直接、または、水冷式反射板３７に
より反射された後、処理容器３１に伝達される。これに
より、処理容器３１が加熱され、その内部の雰囲気が加
熱される。その結果、ウェーハ支持台３２に支持されて
いるウェーハ５０が加熱される。That is, the halogen lamps 34 (1) to 34 (3)
The heat output from 4 (6) is transmitted to the processing container 31 directly or after being reflected by the water-cooled reflector 36. Similarly, heat output from the halogen lamps 35 (1) to 35 (6) is transmitted to the processing container 31 directly or after being reflected by the water-cooled reflector 37. As a result, the processing container 31 is heated, and the internal atmosphere is heated. As a result, the wafer 50 supported by the wafer support 32 is heated.
【００３２】この場合、均熱板４０がウェーハ５０の下
面側に配設され、かつ、均熱板４１がウェーハ５０の上
面側に配設されているので、ウェーハ５０の周囲の温度
のばらつきが抑制される。これにより、ウェーハ５０の
表面の温度のばらつきが抑制される。In this case, since the heat equalizing plate 40 is arranged on the lower surface side of the wafer 50 and the heat equalizing plate 41 is arranged on the upper surface side of the wafer 50, the temperature variation around the wafer 50 is reduced. Is suppressed. Thereby, the variation in the temperature of the surface of the wafer 50 is suppressed.
【００３３】また、均熱板４１の上面に熱容量変更・遮
光チップ４４，４５が配設されているので、この熱容量
変更・遮光チップ４４，４５が配設された部分で、均熱
板４１の熱容量が大きくなる。これにより、この部分の
温度が下がる。その結果、この部分の周囲に存在する雰
囲気の温度が下がる。よって、ウェーハ５０において、
熱容量変更・遮光チップ４４，４５の配設位置に対応す
る部分の温度が下げられる。Further, since the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 are provided on the upper surface of the heat equalizing plate 41, the heat capacity changing and light shielding chips 44 and 45 are provided at the portions where the heat capacity changing and light shielding chips 44 and 45 are provided. Heat capacity increases. This lowers the temperature in this area. As a result, the temperature of the atmosphere existing around this part decreases. Therefore, in the wafer 50,
The temperature of the portion corresponding to the position where the heat capacity change / light-shielding chips 44 and 45 are disposed is reduced.
【００３４】以上の様子を図２に示す。図２は、図５の
場合と同じ条件（ランプの出力等）で、均熱板４１にあ
る大きさの熱容量変更・遮光チップ４４，４５を乗せた
場合のウェーハ５０の表面の温度分布を示すものであ
る。FIG. 2 shows the above state. FIG. 2 shows the temperature distribution on the surface of the wafer 50 when the heat capacity changing / light-shielding chips 44 and 45 of a certain size are placed on the heat equalizing plate 41 under the same conditions (the lamp output and the like) as in FIG. Things.
【００３５】図示のごとく、本実施の形態では、均熱板
４０，４１の均熱作用により、ウェーハ５０の中心部
で、その温度が上がる。また、熱容量変更・遮光チップ
４４，４５の熱容量変更作用により、その配設位置Ｐ
１，Ｐ２で、ウェーハ５０の表面の温度が下がる。As shown in the figure, in the present embodiment, the temperature of the central portion of the wafer 50 is increased by the soaking action of the soaking plates 40 and 41. Further, due to the heat capacity change / heat capacity change action of the light shielding chips 44 and 45, the arrangement position P
At 1, P2, the temperature of the surface of the wafer 50 decreases.
【００３６】熱容量変更・遮光チップ４４，４５による
温度の降下量は、熱容量変更・遮光チップ４４，４５の
熱容量によって決まる。図２には、熱容量変更・遮光チ
ップ４４，４５の熱容量を適切な値より大きくした場合
を示す。この場合、熱容量変更・遮光チップ４４，４５
の配設位置Ｐ１，Ｐ２で、ウェーハ５０の表面の温度が
下がり過ぎてしまう。図３は、熱容量変更・遮光チップ
４４，４５の熱容量を適切な値に設定した場合を示す。
この場合、熱容量変更・遮光チップ４４，４５の配設位
置Ｐ１，Ｐ２でのウェーハ５０の表面の温度は、他の部
分の温度とほぼ同じ温度に設定される。The amount of temperature drop by the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 is determined by the heat capacity of the heat capacity changing and light shielding chips 44 and 45. FIG. 2 shows a case in which the heat capacity of the heat capacity changing / light-shielding chips 44 and 45 is larger than an appropriate value. In this case, the heat capacity change / light shielding chips 44, 45
In the arrangement positions P1 and P2, the temperature of the surface of the wafer 50 is too low. FIG. 3 shows a case where the heat capacity of the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 is set to an appropriate value.
In this case, the temperature of the surface of the wafer 50 at the positions P1 and P2 where the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 are disposed is set to be substantially the same as the temperature of the other parts.
【００３７】以上詳述した本実施の形態によれば、ウェ
ーハ５０の下面側と上面側に、ウェーハ５０の表面の温
度を均一にするための均熱板４０、４１を配設するよう
にしたので、ウェーハ５０の表面の温度分布のばらつき
を抑制することができる。According to the present embodiment described in detail above, the heat equalizing plates 40 and 41 for making the temperature of the surface of the wafer 50 uniform are provided on the lower surface side and the upper surface side of the wafer 50. Therefore, variation in the temperature distribution on the surface of the wafer 50 can be suppressed.
【００３８】また、本実施の形態によれば、上側の均熱
板４１に熱容量変更・遮光チップ４４，４５を配設する
ことにより、ウェーハ５０の表面の温度を部分的に操作
するようにしたので、均熱板４０，４１だけを設ける場
合より、温度分布のばらつきを抑制する効果を高めるこ
とができる。According to the present embodiment, the temperature of the surface of the wafer 50 is partially controlled by disposing the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 on the upper heat equalizing plate 41. Therefore, the effect of suppressing the variation in the temperature distribution can be enhanced as compared with the case where only the heat equalizing plates 40 and 41 are provided.
【００３９】また、このような構成によれば、ウェーハ
５０の表面の温度を部分的に操作することを簡単に行う
ことができる。According to such a configuration, it is possible to easily control the temperature of the surface of the wafer 50 partially.
【００４０】すなわち、ウェーハ５０の表面の温度を部
分的に操作する方法としては、ウェーハ５０の表面で温
度が低くなっている部分に最も近いハロゲンランプ３４
（ｎ）（ｎ＝１〜６）または３５（ｎ）の出力を高くす
ることが考えられる。しかしながら、このような構成で
は、温度が低くなっている部分の温度のみを操作するこ
とが困難である。That is, as a method of partially controlling the temperature of the surface of the wafer 50, the halogen lamp 34 closest to the portion where the temperature is low on the surface of the wafer 50 is used.
It is conceivable to increase the output of (n) (n = 1 to 6) or 35 (n). However, with such a configuration, it is difficult to operate only the temperature of the portion where the temperature is low.
【００４１】これに対し、本実施の形態では、上側の均
熱板４１に熱容量変更・遮光チップ４４，４５を配設
し、この均熱板４１の熱容量を部分的に変更することに
より、ウェーハ５０の表面の温度を部分的に操作するよ
うにしたので、温度が低くなっている部分の温度を簡単
に操作することができる。On the other hand, in the present embodiment, the heat capacity change / light-shielding chips 44 and 45 are provided on the upper heat equalizing plate 41, and the heat capacity of the heat equalizing plate 41 is partially changed. Since the temperature of the surface of the surface 50 is partially controlled, the temperature of the portion where the temperature is low can be easily controlled.
【００４２】次に、本発明の第２の実施の形態を詳細に
説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail.
【００４３】先の実施の形態では、均熱板の熱容量を部
分的に変更する場合、均熱板に熱容量温変更チップを配
設することにより変更する場合を説明した。これに対
し、本実施の形態では、均熱板の厚みを部分的に変更す
ることにより変更するようにしたものである。In the above embodiment, the case where the heat capacity of the heat equalizing plate is partially changed and the heat capacity is changed by disposing a heat capacity temperature changing chip on the heat equalizing plate has been described. On the other hand, in the present embodiment, the thickness is changed by partially changing the thickness of the heat equalizing plate.
【００４４】これを図４を用いて説明する。図４は、本
実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図４に
おいて、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には同一
符号を付して詳細な説明を省略する。This will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a side sectional view showing the configuration of the present embodiment. In FIG. 4, portions performing substantially the same functions as those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００４５】図において、６１は、本実施の形態の上側
の均熱板を示す。この均熱板６１の厚みは、図示のごと
く、部分的に厚くなるように設定されている。この厚み
拡大部６１１，６１２は、例えば、図１に示す熱容量変
更・遮光チップ４４，４５の配設位置Ｐ１，Ｐ２と同じ
位置に設定されている。すなわち、ウェーハ５０の表面
の温度を高めたい部分に設定されている。In the drawing, reference numeral 61 denotes an upper heat equalizing plate of the present embodiment. The thickness of the heat equalizing plate 61 is set so as to partially increase as shown in the figure. The thickened portions 611 and 612 are set, for example, at the same positions as the positions P1 and P2 where the heat capacity changing / light shielding chips 44 and 45 shown in FIG. That is, the temperature is set at a portion where the temperature of the surface of the wafer 50 is to be increased.
【００４６】このような構成においても、均熱板６１の
熱容量を部分的に大きくすることができるので、先の実
施の形態と同様に、ウェーハ５０の表面の温度のばらつ
きを抑制する効果を高めることができる。Also in such a configuration, the heat capacity of the heat equalizing plate 61 can be partially increased, so that the effect of suppressing the variation in the temperature of the surface of the wafer 50 is enhanced as in the previous embodiment. be able to.
【００４７】以上、本発明の２つの実施の形態を詳細に
説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限
定されるものではない。Although the two embodiments of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above embodiments.
【００４８】例えば、先の実施の形態では、本発明を、
加熱源として、ランプを用いる熱処理装置に適用する場
合を説明した。しかしながら、本発明は、ランプ以外の
加熱源を用いる熱処理装置にも適用することができる。
例えば、本発明は、加熱源としてヒータを用いる熱処理
装置にも適用することができる。For example, in the above embodiment, the present invention
The case where the present invention is applied to a heat treatment apparatus using a lamp as a heating source has been described. However, the present invention can also be applied to a heat treatment apparatus using a heating source other than a lamp.
For example, the present invention can be applied to a heat treatment apparatus using a heater as a heating source.
【００４９】また、先の実施の形態では、本発明を、半
導体装置のウェーハを熱処理する熱処理装置に適用する
場合を説明した。しかしながら、本発明は、ウェーハ以
外の基板を熱処理する熱処理装置にも適用することがで
きる。例えば、本発明は、液晶表示装置のガラス基板を
熱処理する熱処理装置にも適用することができる。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a heat treatment apparatus for heat treating a wafer of a semiconductor device has been described. However, the present invention can also be applied to a heat treatment apparatus for heat treating a substrate other than a wafer. For example, the present invention can be applied to a heat treatment apparatus for heat treating a glass substrate of a liquid crystal display device.
【００５０】このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱
しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論であ
る。In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【００５１】[0051]
【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の熱処
理装置によれば、基板の一方の面側と他方の面側に、基
板の表面の温度分布を均一にするための均熱板を配設す
るようにしたので、基板の表面の温度分布のばらつきを
抑制することができる。As described above in detail, according to the heat treatment apparatus of the first aspect, the heat equalizing plate for making the temperature distribution on the surface of the substrate uniform on one surface side and the other surface side of the substrate. Is arranged, it is possible to suppress variations in the temperature distribution on the surface of the substrate.
【００５２】また、請求項２または３記載の熱処理装置
によれば、均熱板の熱容量を部分的に変更することによ
り、基板の表面の温度を部分的に操作するようにしたの
で、均熱板だけを設ける場合より、ウェーハの表面の温
度分布のばらつきを抑制する効果を高めることができる
とともに、基板の表面の温度を部分的に操作することを
簡単に行うことができる。According to the heat treatment apparatus of the second or third aspect, the temperature of the surface of the substrate is partially controlled by partially changing the heat capacity of the heat equalizing plate. Compared with the case where only the plate is provided, the effect of suppressing the variation in the temperature distribution on the surface of the wafer can be enhanced, and the temperature of the surface of the substrate can be partially manipulated easily.
【図１】本発明に係る熱処理装置の第１の実施の形態の
構成を示す側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明に係る熱処理装置の第１の実施の形態の
効果を説明するための特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining an effect of the first embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る熱処理装置の第１の実施の形態の
効果を説明するための特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining an effect of the first embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る熱処理装置の第２の実施の形態の
構成を示す側断面図である。FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明に係る熱処理装置の第２の実施の形態の
構成を示す側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図６】従来の熱処理装置の問題を説明するための特性
図である。FIG. 6 is a characteristic diagram for explaining a problem of a conventional heat treatment apparatus.
３０…熱処理装置、３１…処理容器、３２…ウェーハ支
持台、３３…支持台回転軸、３４（１）〜３４（６），
３５（１）〜３５（６）…ハロゲンランプ、３６，３７
…水冷式反射板、３８…保護部材、３９…ゲートバル
ブ、４０，４１，６１…均熱板、４２，４３…均熱板支
持台、４４，４５…熱容量変更・遮光チップ、４６…軸
受け、４７…ウェーハ出入口、４０１…穴、６１１，６
１２…厚み拡大部、５０…ウェーハ。Reference numeral 30 denotes a heat treatment apparatus, 31 denotes a processing vessel, 32 denotes a wafer support, 33 denotes a rotation axis of the support, 34 (1) to 34 (6),
35 (1) to 35 (6): halogen lamps, 36 and 37
... water-cooled reflector, 38 ... protective member, 39 ... gate valve, 40, 41, 61 ... heat equalizing plate, 42, 43 ... heat equalizing plate support, 44, 45 ... heat capacity change / light shielding chip, 46 ... bearing, 47: Wafer entrance, 401: Hole, 611, 6
12: thickened portion, 50: wafer.
Claims (3)
熱源と、 前記処理容器に収納された前記基板の一方の面側と他方
の面側に設けられ、前記基板の表面の温度を均一にする
ための均熱板とを備えたことを特徴とする熱処理装置。1. A processing container for heat-treating a substrate, a heating source for heating the substrate stored in the processing container, one surface side and the other of the substrate stored in the processing container A heat equalizing plate provided on the surface side for equalizing the temperature of the surface of the substrate.
容量を部分的に変更するための熱容量変更部材を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。2. The heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising a heat capacity changing member provided on the heat equalizing plate, for partially changing the heat capacity of the heat equalizing plate.
することにより、その熱容量を部分的に変更するように
構成されていることを特徴とする請求項１記載の熱処理
装置。3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat equalizing plate is configured to partially change its heat capacity by partially changing its thickness.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13185497A JPH10321547A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Heat-treating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13185497A JPH10321547A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Heat-treating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321547A true JPH10321547A (en) | 1998-12-04 |
Family
ID=15067683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13185497A Pending JPH10321547A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Heat-treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321547A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-05-22 JP JP13185497A patent/JPH10321547A/en active Pending
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