JP2003124206A - Heat treatment unit - Google Patents

Heat treatment unit

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JP2003124206A
JP2003124206A JP2001321063A JP2001321063A JP2003124206A JP 2003124206 A JP2003124206 A JP 2003124206A JP 2001321063 A JP2001321063 A JP 2001321063A JP 2001321063 A JP2001321063 A JP 2001321063A JP 2003124206 A JP2003124206 A JP 2003124206A
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JP
Japan
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window
heat treatment
processing container
treatment apparatus
ring
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Application number
JP2001321063A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Kitamura
昌幸 北村
Eisuke Morizaki
英介 森崎
Kumo Baku
雲 莫
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a sealing member at the circumferential edge of a window for isolating a processing chamber of a processing container from a lamp heater containing chamber against fusion or evaporation due to a high temperature. SOLUTION: The circumferential edge 25 of a window is composed of an opaque member and a protrusion 151 projecting along the concave surface of the window is provided on the upper surface at the flange part 150 of a processing container for supporting the circumferential edge of the window.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ランプヒータ等を
用いて半導体ウエハ等の被処理体に対して熱処理を行う
熱処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment on an object to be processed such as a semiconductor wafer using a lamp heater or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路を製造するためには、半
導体ウエハ等のシリコン基板に対して、成膜処理、アニ
ール処理、酸化拡散処理、窒化処理等の各種の熱処理が
複数回にわたって繰り返される。
2. Description of the Related Art In order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various heat treatments such as a film forming process, an annealing process, an oxidation diffusion process, and a nitriding process are repeated a plurality of times on a silicon substrate such as a semiconductor wafer.

【0003】これら半導体製造処理の歩留まりと品質を
向上させるため等の目的から、シリコン基板の温度を1
00〜200℃/s程度の温度勾配で急速に上昇させま
た下降させるRTP(Rapid Thermal Processing)が
採用されている。
For the purpose of improving the yield and quality of these semiconductor manufacturing processes, the temperature of the silicon substrate is set to 1
RTP (Rapid Thermal Processing) that rapidly increases and decreases with a temperature gradient of about 00 to 200 ° C./s is adopted.

【0004】例えば出願人が平成13年7月9日に出願
した特願平2001−207867号にて提案した、図
1に示す枚葉式のRTP用熱処理装置1の場合、1枚の
シリコン基板やガラス基板等の被処理体2を収容して配
置する枚葉式チャンバ(処理室)3と、枚葉式チャンバ
3に配置されたドーム型石英ウインドウ4と、石英ウイ
ンドウ4の外部上部あるいは外部上下部に配置されたハ
ロゲンランプ等の加熱用の複数のランプ5とを有する。
図2に示すように、ランプ5は、円弧状の照射部を有
し、複数個が円環状に配置されて1つのランプ列を構成
するとともに、そのランプ列が複数列同心円状に配設さ
れる。
For example, in the case of the single-wafer type heat treatment apparatus for RTP 1 shown in FIG. 1 proposed by the applicant in Japanese Patent Application No. 2001-207867 filed on July 9, 2001, one silicon substrate Single-wafer chamber (processing chamber) 3 for accommodating and arranging an object to be processed 2 such as a glass substrate and the like, a dome-shaped quartz window 4 arranged in the single-wafer chamber 3, an upper part of the quartz window 4 or the outside It has a plurality of lamps 5 for heating such as halogen lamps arranged in the upper and lower parts.
As shown in FIG. 2, the lamp 5 has an arc-shaped irradiation portion, and a plurality of lamps are arranged in an annular shape to form one lamp row, and the lamp rows are arranged in a concentric circle shape. It

【0005】石英ウインドウ4は、図示のようにランプ
5と被処理体2との間を気密に区画するものであり、処
理室3が減圧環境に維持される場合には図示の如くに上
方向に凸のドーム形に形成され、その強度を確保するた
めに周縁部4aは30mm程度の厚みに形成され、最も
薄い頂部4bは例えば7mm程度とされる。周縁部4a
は、装置の側壁14の凹部14aに嵌合して支持されて
いる。
The quartz window 4 is an airtight partition between the lamp 5 and the object 2 to be processed as shown in the drawing. When the processing chamber 3 is maintained in a reduced pressure environment, the quartz window 4 is directed upward as shown in the drawing. It is formed in a convex dome shape, and the peripheral edge portion 4a is formed to have a thickness of about 30 mm to secure its strength, and the thinnest top portion 4b is set to, for example, about 7 mm. Peripheral portion 4a
Are fitted and supported in the recesses 14a of the side wall 14 of the device.

【0006】ランプ5からの熱線(赤外線)は一様に被
処理体2に向かって放射される。
Heat rays (infrared rays) from the lamp 5 are uniformly radiated toward the object to be processed 2.

【0007】処理室3は、例えば、その側壁において被
処理体2を導出入するゲートバルブに接続され、また、
その側壁あるいは石英ウインドウ4において、熱処理に
使用される処理ガスを導入するガス供給ノズルと接続さ
れる(図示せず。)。
The processing chamber 3 is connected to, for example, a gate valve for introducing and receiving the object 2 to be processed at its side wall, and
The side wall or the quartz window 4 is connected to a gas supply nozzle for introducing a processing gas used for heat treatment (not shown).

【0008】上記のように構成した枚葉式のRTP用熱
処理装置1において、被処理体2は、ゲートバルブから
処理室3に導入されて、ホルダ(載置部)7に支持され
る。熱処理時には、ガス供給ノズルより、窒素ガス等の
処理ガスが導入される。一方、ランプ5から石英ウイン
ドウ4を介して照射される熱線は被処理体2に吸収さ
れ、被処理体2の温度が上昇する。なお、ランプ5の出
力は、図示しない温度センサの測定結果に基づいてフィ
ードバック制御される。
In the single-wafer type RTP heat treatment apparatus 1 configured as described above, the object 2 is introduced into the processing chamber 3 through the gate valve and supported by the holder (placement portion) 7. During the heat treatment, a processing gas such as nitrogen gas is introduced from the gas supply nozzle. On the other hand, the heat rays emitted from the lamp 5 through the quartz window 4 are absorbed by the object 2 to be processed, and the temperature of the object 2 to be processed rises. The output of the lamp 5 is feedback-controlled based on the measurement result of a temperature sensor (not shown).

【0009】また、図示しないが、被処理体2を支持し
たホルダ7は、回転可能に構成されており、これによ
り、被処理体2が均一に加熱処理される。なお、必要に
応じて、ホルダ7は、昇降可能に構成される。
Although not shown, the holder 7 supporting the object 2 to be processed is configured to be rotatable, so that the object 2 to be processed is uniformly heat-treated. Note that the holder 7 is configured to be able to move up and down, if necessary.

【0010】又,特開平11−45861号公報には、
上部ドームの下部に上部ライナが設けられる構成を開示
している。しかしながら、同公報のコラム7、第43行
目以降には、側壁が400〜600℃の温度となる旨記
載されており、その結果、側壁及び各ライナ部分を通過
する間にこれらの部分によってガスが加熱されることが
想定される。また、この構成では、上記上部ライナは処
理容器の壁構造とは別部材で構成されていると考えら
れ、その結果、製造・組立工程が煩雑化し且つ熱膨張係
数の差違等による上部ライナを取り付けた部分のはがれ
等の問題点の発生が考えられる。
Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 11-45861,
It discloses a configuration in which an upper liner is provided below the upper dome. However, column 7, line 43 and subsequent lines of the publication describe that the side wall has a temperature of 400 to 600 ° C., and as a result, gas passes through the side wall and each liner part while these parts cause gas to flow. Is assumed to be heated. Further, in this configuration, it is considered that the upper liner is configured by a member different from the wall structure of the processing container, and as a result, the manufacturing / assembling process becomes complicated and the upper liner is attached due to a difference in thermal expansion coefficient. It is conceivable that problems such as peeling of the broken part may occur.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ここで、上記石英ウイ
ンドウ4の周縁部4aの下面と側壁14の凹部14aと
の境界部には、円形の周縁部4aに沿う構成で円形にO
リング15が設けられている。このOリング15は通常
のゴム製のものを使用しており、石英ウインドウ4の周
縁部4aと側壁部14の凹部14aとの間の気密保持及
び石英ウインドウ4が直接側壁部14の凹部14aに接
することによる石英ウインドウ4の破損の防止の機能を
果たす。
The boundary between the lower surface of the peripheral edge portion 4a of the quartz window 4 and the concave portion 14a of the side wall 14 has a circular O shape with a configuration along the circular peripheral edge portion 4a.
A ring 15 is provided. This O-ring 15 is made of normal rubber, and maintains the airtightness between the peripheral edge 4a of the quartz window 4 and the recess 14a of the side wall 14 and the quartz window 4 directly in the recess 14a of the side wall 14. The function of preventing damage to the quartz window 4 due to contact is fulfilled.

【0012】しかしながら、図1に示す如く、ランプ5
から照射される光(熱線)は石英ウインドウ4を介して
このOリング15にも照射されるため、Oリング15が
加熱され、その結果Oリング15が溶融し、更に加熱さ
れた場合にはその成分が蒸発して石英ウインドウ4の表
面に付着する恐れがある。その場合、石英ウインドウ5
の透明度が低下し、その結果ランプ5による被処理体2
の加熱が充分になされず、所定の処理が適切になされ得
ないという不具合が生じてしまう。又、Oリング15が
異常に加熱されることによってOリング15が変質し、
本来の機能である気密保持及び石英ウインドウ4の破損
防止が充分に果たされないことになる可能性もある。
However, as shown in FIG.
The light (heat ray) emitted from the O-ring 15 is also emitted to the O-ring 15 through the quartz window 4, so that the O-ring 15 is heated, and as a result, the O-ring 15 is melted, and when further heated, the The components may evaporate and adhere to the surface of the quartz window 4. In that case, quartz window 5
Of the object 2 to be processed by the lamp 5 is reduced as a result.
However, there is a problem that the predetermined treatment cannot be performed properly because the heating of the above is not sufficient. Also, the O-ring 15 is altered due to abnormal heating of the O-ring 15,
There is a possibility that the original functions of maintaining the airtightness and preventing the quartz window 4 from being damaged are not sufficiently fulfilled.

【0013】なお、Oリング15の加熱を避けるために
Oリング15をより外周側にずらして設置することも考
えられる。しかしながら、その結果ドーム形石英ウイン
ドウ4の外径が増し、その分ウインドウ4の中央部4b
が上方向に突出することになり、その結果ランプ5とウ
エハ2との間の距離を長くする必要性が生ずる。このよ
うにランプ5とウエハ2との間の距離が離れることによ
って効率的なウエハ2の加熱が阻害され、熱処理の効率
が低下してしまう。したがってOリング15をの設置位
置を外周側にずらすことによる解決法は採用し難い。
In order to avoid heating of the O-ring 15, it may be possible to displace the O-ring 15 further outward. However, as a result, the outer diameter of the dome-shaped quartz window 4 increases, and the central portion 4b of the window 4 is correspondingly increased.
Will project upwards, resulting in the need to increase the distance between the lamp 5 and the wafer 2. Such a large distance between the lamp 5 and the wafer 2 hinders efficient heating of the wafer 2 and reduces the efficiency of the heat treatment. Therefore, it is difficult to adopt the solution by shifting the installation position of the O-ring 15 to the outer peripheral side.

【0014】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、被処理体加熱用ランプ5の照射による石英ウ
インドウ4の周囲に設けられたOリング15等シール部
材等の異常な過熱を防止し得る熱処理装置の構成を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and abnormal heating of the sealing member such as the O-ring 15 provided around the quartz window 4 due to the irradiation of the lamp 5 for heating the object to be processed is performed. An object of the present invention is to provide a structure of a heat treatment apparatus which can be prevented.

【0015】更に、被処理部材(ウエハ)からの2次的
な輻射熱等による熱線が直接ウインドウに照射され、そ
の結果ウインドウが加熱されることによってOリング等
部材が加熱されるという事態を防止し得る構成を提供す
ることをも目的とする。
Further, it is possible to prevent a situation in which a heat ray due to secondary radiant heat from a member to be processed (wafer) is directly applied to the window, and as a result, the window is heated to heat the member such as the O-ring. It is also intended to provide a configuration to obtain.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明では、ランプヒータを用いて被処理体に対し
て熱処理を行なう熱処理装置において、その処理容器内
に被処理体を処理する処理室とランプヒータを収容する
ランプ室との間を気密に分離するドーム形の湾曲構造を
有する透明ウインドウを設け、処理容器に支持されるウ
インドウの周縁部を不透明部材で構成し、処理容器のウ
インドウの周縁部を支持する部分にはウインドウの周縁
部近傍の湾曲した表面に沿うように突出した突出部を設
けた。
In order to achieve this object, according to the present invention, in a heat treatment apparatus for performing heat treatment on an object to be processed by using a lamp heater, a process for treating the object to be processed in its processing container. A transparent window having a dome-shaped curved structure that hermetically separates the chamber from the lamp chamber that houses the lamp heater is provided, and the peripheral portion of the window supported by the processing container is formed of an opaque member. A projecting portion that projects along the curved surface in the vicinity of the peripheral portion of the window is provided in a portion supporting the peripheral portion of the window.

【0017】このようにウインドウの周縁部を不透明部
材よりなるようにしたため、ランプヒータからの光エネ
ルギが不透明部材で遮断され、ウインドウ周縁部をシー
ルするOリング等の部材が異常に加熱されることが防止
し得る。
Since the peripheral portion of the window is made of the opaque member as described above, the light energy from the lamp heater is blocked by the opaque member, and the O-ring and other members for sealing the peripheral portion of the window are abnormally heated. Can be prevented.

【0018】又更に処理容器のウインドウの周縁部を支
持する部分にはウインドウの周縁部近傍の湾曲した表面
に沿うように突出した突出部を設けたため、ウインドウ
を透過してウインドウの周縁部を支持する部分(フラン
ジ部上面)に反射した後に再びウインドウの周縁部に照
射される光エネルギ(熱線)の通路をこれによって遮断
することが可能となり、処理容器のフランジ部の反射に
よるウインドウ周縁部の加熱を防止し得る。その結果、
ウインドウ周縁部の周囲に設けられたOリング等のシー
ル部材等が異常に加熱されることを防止し得る。
Further, since a protrusion protruding along the curved surface in the vicinity of the peripheral portion of the window is provided in a portion supporting the peripheral portion of the window of the processing container, the peripheral portion of the window is supported through the window. It is possible to block the passage of the light energy (heat rays) that is reflected on the portion to be covered (the upper surface of the flange portion) and then radiated to the peripheral portion of the window again, and the peripheral portion of the window is heated by the reflection of the flange portion of the processing container. Can be prevented. as a result,
It is possible to prevent abnormal heating of a seal member such as an O-ring provided around the periphery of the window.

【0019】本発明では更にウインドウの周縁部を直接
冷却する冷却手段を設けても良い。そのようにすること
により、ウインドウ周縁部の効果的な冷却が可能とな
り、ウインドウ周縁部の周囲に設けられたOリング等の
部材が異常に加熱されることを更に効果的に防止し得
る。
In the present invention, cooling means for directly cooling the peripheral portion of the window may be provided. By doing so, it is possible to effectively cool the peripheral portion of the window, and it is possible to more effectively prevent abnormal heating of a member such as an O-ring provided around the peripheral portion of the window.

【0020】更に、処理容器の側壁面は、ウインドウの
周縁部とその他の部分との境界面と略面一とすればよ
い。その結果、ランプヒータによるウインドウを透過し
た光エネルギによる被処理体の熱処理のエネルギ効率を
低下させること無く効果的にウインドウ周縁部の周囲の
部材の異常加熱を防止し得る。
Further, the side wall surface of the processing container may be substantially flush with the boundary surface between the peripheral portion of the window and the other portions. As a result, it is possible to effectively prevent abnormal heating of the members around the peripheral portion of the window without lowering the energy efficiency of the heat treatment of the object by the light energy transmitted through the window by the lamp heater.

【0021】更に、上記突出部を処理容器の壁構造と一
体成形により形成するようにすればよい。その結果、製
造・組立工程の簡素化が可能となり且つ別体で構成する
場合に比して熱膨張率の相異によるはがれ等の恐れが無
くなり、信頼性確保が可能となる。
Further, the protrusion may be formed integrally with the wall structure of the processing container. As a result, the manufacturing / assembling process can be simplified, and there is no fear of peeling due to the difference in the coefficient of thermal expansion, as compared with the case where it is configured separately, and reliability can be ensured.

【0022】更に又、上記突出部を有する側壁の周縁部
分の内壁面に鏡面処理を施して鏡面部とすることが望ま
しい。この鏡面部によって被処理部材(ウエハ)からの
2次的な輻射熱をも反射し、その構成によっても熱線が
直接ウインドウに照射されることを防止し、もってOリ
ング等部材の加熱を防止することが可能である。
Furthermore, it is desirable that the inner wall surface of the peripheral portion of the side wall having the above-mentioned protruding portion is subjected to a mirror surface treatment to form a mirror surface portion. This mirror surface portion also reflects the secondary radiant heat from the member to be processed (wafer) and also prevents the heat rays from being directly applied to the window due to the structure, and thus prevents the heating of members such as the O-ring. Is possible.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】本発明に係る熱処理装置の好適な
実施の形態について、図を参照して、以下に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a heat treatment apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】まず、本実施の形態に係る熱処理装置につ
いて、図3、図4を参照して説明する。
First, the heat treatment apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

【0025】本実施の形態に係る熱処理装置10は、基
本的な構成は、前記した従来例の熱処理装置1と同様で
ある。このため、熱処理装置10の構成要素のうち、共
通するものについては特に断らない限り熱処理装置1と
同じ参照符号を付すとともに、重複する詳細な説明は省
略する。
The heat treatment apparatus 10 according to this embodiment is basically the same in structure as the heat treatment apparatus 1 of the conventional example described above. Therefore, of the constituent elements of the heat treatment apparatus 10, common elements are designated by the same reference numerals as those of the heat treatment apparatus 1 unless otherwise specified, and redundant detailed description will be omitted.

【0026】図3は本発明の一例に係る熱処理装置10
を示す縦断面図である。100は例えばアルミニウムか
らなる偏平な処理容器であり、加熱処理空間における内
側面の横断面形状が円形に形成されている。処理容器1
00の底部の周縁側はリング状の溝部91として形成さ
れており、この溝部91の中には内輪部110が設けら
れている。内輪部110は前記溝部91の内壁に軸受部
41を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。
FIG. 3 shows a heat treatment apparatus 10 according to an example of the present invention.
FIG. Reference numeral 100 denotes a flat processing container made of, for example, aluminum, and the inner surface of the heat processing space has a circular transverse cross-section. Processing container 1
The bottom edge of 00 is formed as a ring-shaped groove 91, and an inner ring portion 110 is provided in the groove 91. The inner ring portion 110 is held on the inner wall of the groove portion 91 via a bearing portion 41 so as to be rotatable about a vertical axis.

【0027】内輪部110の上端部には、被処理体であ
るウエハ2の周縁部を保持するリング状の載置部7が設
けられており、内輪部110と一体となって回転する。
At the upper end of the inner ring portion 110, a ring-shaped mounting portion 7 for holding the peripheral edge of the wafer 2 to be processed is provided, and rotates together with the inner ring portion 110.

【0028】一方処理容器100の一部である前記溝部
91を形成するハウジング53が下方側に伸びており、
当該ハウジング53の外側には外輪部54が軸受部33
を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。
On the other hand, the housing 53 forming the groove portion 91 which is a part of the processing container 100 extends downward,
The outer ring portion 54 is provided on the outer side of the housing 53 and the bearing portion 33.
It is held rotatably about a vertical axis via.

【0029】前記内輪部110及び外輪部54には夫々
磁極31及び61が設けられ、これら磁極31,61は
互いに前記ハウジング53の隔壁52の内側及び外側に
配置されて磁気カップリングを構成している。
Magnetic poles 31 and 61 are provided on the inner ring portion 110 and the outer ring portion 54, respectively, and these magnetic poles 31 and 61 are arranged inside and outside the partition wall 52 of the housing 53 to form a magnetic coupling. There is.

【0030】また、外輪部54の外周面にはギア部63
が形成されており、このギア部63は不図示のステッピ
ングモータのギア部と係合され、ステッピングモータの
駆動によりこの外輪部54が回転するよう構成されてい
る。
A gear portion 63 is provided on the outer peripheral surface of the outer ring portion 54.
This gear portion 63 is engaged with a gear portion of a stepping motor (not shown), and the outer ring portion 54 is rotated by driving the stepping motor.

【0031】ウエハ2の下方側の処理容器100の底部
には、不図示の、ウエハ2を突き上げて処理容器100
の外の搬送アームとの間で受け渡しを行なうためのリフ
トピンが設けられている。処理容器100のウエハ2よ
り少し上側の側壁には、処理ガスを供給するためのガス
供給路71及び処理ガスを排気する排気路72が互いに
向かい合う位置に形成されている。
At the bottom of the processing container 100 below the wafer 2, the wafer 2 (not shown) is pushed up to process the processing container 100.
A lift pin is provided for transferring between the transfer arm and the outside of the transfer arm. A gas supply path 71 for supplying a processing gas and an exhaust path 72 for exhausting the processing gas are formed on a side wall of the processing container 100 slightly above the wafer 2 so as to face each other.

【0032】上記構成の熱処理装置10では、ウエハ2
を処理する処理室3は気密構造となっており、上記内輪
部110もこの気密構造内に収容され外部の駆動機構と
は分離されている。又、ランプ5を収容するランプ室9
5とはドーム形石英ウインドウ4’によって気密に分離
されている。上記Oリング15はその際のシールの役目
を果たす。
In the heat treatment apparatus 10 having the above structure, the wafer 2
The processing chamber 3 for processing the above has an airtight structure, and the inner ring portion 110 is also housed in this airtight structure and is separated from the external drive mechanism. Also, a lamp chamber 9 for accommodating the lamp 5
5 is airtightly separated by a dome-shaped quartz window 4 '. The O-ring 15 serves as a seal at that time.

【0033】次に、本発明の特徴的構成である、ドーム
形石英ウインドウ4’に関する部分について詳述する。
ドーム形石英ウインドウ4’は上記従来の熱処理装置1
におけるドーム形石英ウインドウ4とは、以下に述べる
相違点を除き基本的に同一な構造を有する。図3におい
て、上記処理容器100のうち、石英ウインドウ4’を
支持している部分はフランジ部150である。このフラ
ンジ部150の上面と石英ウインドウ4’の周縁部の下
面との間に、同ウインドウ周縁部の全周に沿って(横断
面のおいて)環状のOリング15が挿入されている。上
記の如く、このドーム形石英ウインドウ4’は基本的構
造においては前述の従来技術の熱処理装置1で使用され
ているドーム型石英ウインドウ4と同一である。しかし
ながら、本実施例におけるドーム形石英ウインドウ4’
の場合、石英ウインドウ4’の周縁部は中心部の透明石
英部24とは別部材の不透明石英部25によって構成さ
れており、両者はその接合部26において互いに、例え
ば溶接等によって固定接合され、一体構造とされてい
る。
Next, the part relating to the dome-shaped quartz window 4 ', which is a characteristic configuration of the present invention, will be described in detail.
The dome-shaped quartz window 4'is the above-mentioned conventional heat treatment apparatus 1
The dome-shaped quartz window 4 has the same structure as the dome-shaped quartz window 4 except for the following differences. In FIG. 3, the portion of the processing container 100 that supports the quartz window 4 ′ is the flange portion 150. An annular O-ring 15 is inserted between the upper surface of the flange portion 150 and the lower surface of the peripheral edge portion of the quartz window 4 ′ along the entire circumference of the peripheral edge portion (in the cross section) of the window. As mentioned above, this dome-shaped quartz window 4'is basically the same as the dome-shaped quartz window 4 used in the above-described prior art heat treatment apparatus 1. However, the dome-shaped quartz window 4'in this embodiment is used.
In the case of, the peripheral portion of the quartz window 4'is constituted by an opaque quartz portion 25 which is a separate member from the transparent quartz portion 24 in the central portion, and both are fixedly joined to each other at their joints 26, for example, by welding or the like, It is an integrated structure.

【0034】又、この石英ウインドウ4’を支持してい
るフランジ部150の円筒形状の内側上端面部分には、
ウインドウ周縁部の全周に沿って(横断面では環状の)
突起部151が設けられている。図4は図3のドーム形
石英ウインドウ4’の周縁部分を拡大して示す縦断面図
である。図4に示す如く、上記突起部151は、ドーム
形石英ウインドウ4’の周縁に沿ってリング状に設けら
れており、その上部が上方向に突出し、もってその上方
向外向きの傾斜面151aがドーム形に湾曲したドーム
形石英ウインドウ4’の湾曲凹面に沿って嵌合するよう
に構成されている。
Further, the cylindrical inner upper end surface portion of the flange portion 150 supporting the quartz window 4'is
Along the entire circumference of the window edge (annular in cross section)
A protrusion 151 is provided. FIG. 4 is an enlarged vertical sectional view showing a peripheral portion of the dome-shaped quartz window 4'of FIG. As shown in FIG. 4, the protrusion 151 is provided in a ring shape along the periphery of the dome-shaped quartz window 4 ′, and the upper portion thereof projects upward, so that the upwardly outwardly inclined surface 151 a is formed. It is configured to fit along the curved concave surface of the dome-shaped quartz window 4'which is curved in a dome shape.

【0035】更に、図4に示す如く、上記透明石英部2
4と不透明石英部25との界面26は、その上下の処理
容器100の内壁面100aと面一(同一面、連続面を
なす、即ち、段差が無く、互いに突き出さず、且つ、凹
んでもいない状態)となるように構成されている。更に
又、図4に示し如く、ランプ室95及びドーム形ウイン
ドウ4’を冷却するために冷媒通路81が設けられてお
り、その冷媒通路81には、更に分岐通路81aが設け
られており、ウインドウ4’の上側表面のみでなく、そ
の周縁部の不透明石英部25にも直接冷媒が供給される
構成とされている。
Further, as shown in FIG. 4, the transparent quartz portion 2 is
The interface 26 between the 4 and the opaque quartz portion 25 is flush with the inner wall surface 100a of the processing container 100 above and below (it forms the same surface or a continuous surface, that is, there is no step, neither protrudes from each other, nor is it recessed. State). Further, as shown in FIG. 4, a refrigerant passage 81 is provided for cooling the lamp chamber 95 and the dome-shaped window 4 ′, and the refrigerant passage 81 is further provided with a branch passage 81 a, The coolant is directly supplied not only to the upper surface of 4 ', but also to the opaque quartz portion 25 at the peripheral portion thereof.

【0036】次に上述の実施の形態の動作について説明
する。まず、処理容器100の不図示の搬送口から搬入
された不図示の搬送アームから載置部7にウエハ2を受
け渡す。続いて前述のステッピングモータを駆動して外
輪部54を回転させる。そのとき外輪部54の磁極61
と内輪部110の磁極31との間に磁力が働き、上記マ
グネットカップリングの機能によって、内輪部110が
回転し、内輪部110に固定された載置部7も回転す
る。
Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the wafer 2 is transferred to the mounting unit 7 from a transfer arm (not shown) carried in from a transfer port (not shown) of the processing container 100. Then, the above-mentioned stepping motor is driven to rotate the outer ring portion 54. At that time, the magnetic pole 61 of the outer ring portion 54
A magnetic force acts between the inner ring portion 110 and the magnetic pole 31 of the inner ring portion 110, and the inner ring portion 110 rotates due to the function of the above-described magnet coupling, and the mounting portion 7 fixed to the inner ring portion 110 also rotates.

【0037】そして、このようにしてウエハ2を例えば
70rpmで回転させながらランプ5からの輻射熱によ
りウエハ2を加熱して更にガス供給路71から処理ガス
を供給してウエハ2に対して所定の熱処理がなされる。
この熱処理としては、ウエハ2を例えば1000℃まで
昇温すると共に酸素ガスを供給して行なう酸化処理(R
TO),ウエハ2を例えば1000℃まで昇温すると共
に不活性ガス例えばN 等を供給して行なうアニール処
理(RTA)や、ウエハ2を例えば600℃まで昇温す
ると共に成膜ガスを供給しながら行なう成膜処理(CV
D)等がある。
In this way, the wafer 2 is, for example,
While rotating at 70 rpm, the radiant heat from the lamp 5
The wafer 2 is heated to further process gas from the gas supply path 71.
And a predetermined heat treatment is performed on the wafer 2.
For this heat treatment, the wafer 2 is heated to, for example, 1000 ° C.
Oxidation treatment (R
(TO) and the temperature of the wafer 2 is raised to, for example, 1000 ° C.
An inert gas such as N TwoAnnealing process performed by supplying
(RTA) or heating the wafer 2 to, for example, 600 ° C.
Film formation process (CV
D) etc.

【0038】そしてこのようにして熱処理が終了した
後、ランプ5をオフにしてウエハ2を降温させ、ウエハ
2が所定温度になった後、ステッピングモータを停止さ
せる。外輪部54が停止すると内輪部110も停止し、
処理後のウエハ2は不図示の搬送アームにより処理容器
100から搬出される。
After the heat treatment is completed in this way, the lamp 5 is turned off to lower the temperature of the wafer 2, and after the wafer 2 reaches a predetermined temperature, the stepping motor is stopped. When the outer ring portion 54 stops, the inner ring portion 110 also stops,
The processed wafer 2 is unloaded from the processing container 100 by a transfer arm (not shown).

【0039】図5はこれらの熱処理における温度・圧力
管理スケジュール例を示す。又、図6はこの熱処理装置
を複数配置した場合の各熱処理装置の配置を示す。図示
の如く、上記各処理は各々専用の熱処理装置で行なわ
れ、夫々の処理装置は図6の例では中央の六角形の搬送
室の周囲に配置され、各々での処理が終了すると、その
装置内の処理室が減圧され、減圧下でウエハが取出さ
れ、中央の搬送室を介して次の処理装置の処理室まで搬
送される。そして次の処理装置の処理室に搬入される
と、そこは常圧に戻され、所定の処理がなされる。した
がって、処理の前後には次処理のための搬送のために処
理装置の処理室内は減圧されるため、その際のランプ室
95と処理室3との間の圧力差によってウインドウ4’
が破損することを防止するためにドーム形状とされてい
る。
FIG. 5 shows an example of temperature / pressure control schedule in these heat treatments. Further, FIG. 6 shows the arrangement of each heat treatment apparatus when a plurality of heat treatment apparatuses are arranged. As shown in the figure, each of the above-mentioned treatments is carried out by a dedicated heat treatment apparatus, and the respective treatment apparatuses are arranged around the central hexagonal transfer chamber in the example of FIG. The processing chamber therein is decompressed, and the wafer is taken out under reduced pressure and transferred to the processing chamber of the next processing apparatus through the central transfer chamber. Then, when it is carried into the processing chamber of the next processing apparatus, it is returned to normal pressure and a predetermined processing is performed. Therefore, the pressure inside the processing chamber of the processing apparatus is reduced before and after the processing for transporting for the next processing, and the pressure difference between the lamp chamber 95 and the processing chamber 3 at that time causes the window 4 '.
It has a dome shape to prevent damage.

【0040】ここで、上述のドーム形石英ウインドウ
4’の周縁部付近の構造に着目した作用について説明す
る。
The operation focusing on the structure near the peripheral portion of the dome-shaped quartz window 4'will be described below.

【0041】まず第1に、ドーム形石英ウインドウ4’
の周縁部のみを不透明石英部25とし、中央部の透明石
英部24との間を溶接によって接合して一体構造とした
ことにより、ランプ5から放射される光エネルギは不透
明石英部25で遮断され、Oリング15迄伝わる熱エネ
ルギは相当量減少される。
First of all, the dome-shaped quartz window 4 '
Since the opaque quartz portion 25 is formed only at the peripheral edge of the lamp and the central transparent quartz portion 24 is joined by welding, the light energy emitted from the lamp 5 is blocked by the opaque quartz portion 25. , The heat energy transmitted to the O-ring 15 is considerably reduced.

【0042】しかしながら、この構成のみ、即ち上記突
起部151が無い状態の場合を考えると、図4における
破線で示す如く、ランプ5から放射された光がフランジ
上面(破線で示す)で反射され、反射光がドーム形ウイ
ンドウ4’の下面に照射されることにより、不透明石英
部25のうちOリング15に近い部分が熱せられ、その
結果Oリングに達する熱量が増加してしまう。
However, considering only this structure, that is, the case where the protrusion 151 is not provided, the light emitted from the lamp 5 is reflected by the upper surface of the flange (shown by the broken line) as shown by the broken line in FIG. By irradiating the lower surface of the dome-shaped window 4 ′ with the reflected light, the portion of the opaque quartz portion 25 near the O-ring 15 is heated, and as a result, the amount of heat reaching the O-ring increases.

【0043】この問題点の解決のために上述の如くフラ
ンジ部150に上方に突出した突起部151を設けてい
る。この突起部151の存在により、上記の如くフラン
ジ部150上面に反射してウインドウ4’の下面に照射
される光エネルギは大幅に減少され得る。なお、上記突
起部の構成はこの例に限られず、ウインドウ4’を透過
した後に処理容器側壁の部分に反射して再びウインドウ
4’に照射される光を遮断する構成であれば他の構造の
ものでも良い。又、必ずしもフランジ部150と一体と
する必要も無く、別体とすることも可能である。但し、
製造上の観点から、現時点では図示の如くの構造の突出
部151が有利である。
To solve this problem, the flange portion 150 is provided with the protruding portion 151 protruding upward as described above. Due to the presence of the protrusion 151, the light energy reflected on the upper surface of the flange portion 150 and applied to the lower surface of the window 4'as described above can be significantly reduced. The configuration of the protrusion is not limited to this example, and any other structure can be used as long as it is a configuration that transmits the light through the window 4'and then reflects off the side wall of the processing container to irradiate the window 4'again. Anything is fine. Further, it is not always necessary to integrate it with the flange portion 150, and it is possible to form it separately. However,
From a manufacturing point of view, the protrusion 151 having the structure as illustrated is currently advantageous.

【0044】なお、上記突起部151は処理容器100
の側壁と一体成形によって形成されている。その結果、
製造・組立工程の簡略化が可能となり、且つ別体で構成
した場合に比して熱膨張率の相異によるはがれ等の問題
の発生を防止可能であり、装置の信頼性を確保できる。
The protrusion 151 is formed in the processing container 100.
Is integrally formed with the side wall of the. as a result,
The manufacturing and assembling steps can be simplified, and problems such as peeling due to the difference in the coefficient of thermal expansion can be prevented as compared with the case where they are formed separately, and the reliability of the device can be secured.

【0045】又、更にウインドウ4’の不透明石英部2
5の加熱を抑制するため、上記の如く冷媒通路81に分
岐通路81aを設け、冷媒が分岐通路81aを通して直
接不透明石英部25に吹き付けられ、その結果不透明石
英部25が効果的に冷却され、もって不透明石英部25
の加熱による温度上昇によってOリング15が変質、溶
融、蒸発することが防止され得る。
Further, the opaque quartz portion 2 of the window 4 '
In order to suppress the heating of No. 5, the refrigerant passage 81 is provided with the branch passage 81a as described above, and the refrigerant is directly blown to the opaque quartz portion 25 through the branch passage 81a, and as a result, the opaque quartz portion 25 is effectively cooled. Opaque quartz part 25
It is possible to prevent the O-ring 15 from being deteriorated, melted and evaporated due to the temperature rise due to the heating of the.

【0046】また、上記溶接部26の面をその上下の処
理容器100の内壁面と面一とした理由は以下の通りで
ある。すなわち、不透明石英部25の範囲をウインドウ
4’の内周方向に広げることによりランプ5からの輻射
熱によってOリング15が加熱されることを抑制するこ
とが可能となるが、その結果、ランプ5のうち、処理容
器100の外周側のランプ5からの輻射熱は、このよう
に内周側にも存在する不透明石英部25に遮られるた
め、ランプ5の輻射熱ニよる効果的なウエハ2の加熱処
理が妨げられる。したがって、上記の如く、ランプ5に
よるウエハ2の効果的な加熱を妨げず且つ効果的にOリ
ング15の異常加熱を防止するためには、透明石英部2
4と不透明石英部25との境界面をその上下の処理容器
100の内壁面と面一とすることが望ましい。
The reason why the surface of the welded portion 26 is flush with the inner wall surface of the processing container 100 above and below is as follows. That is, it is possible to suppress the heating of the O-ring 15 by the radiant heat from the lamp 5 by widening the range of the opaque quartz portion 25 in the inner peripheral direction of the window 4 ′. Of these, the radiant heat from the lamp 5 on the outer peripheral side of the processing container 100 is blocked by the opaque quartz portion 25 also present on the inner peripheral side in this way, so that the effective heat treatment of the wafer 2 by the radiant heat of the lamp 5 is performed. Disturbed. Therefore, as described above, in order to prevent the effective heating of the wafer 2 by the lamp 5 and effectively prevent the abnormal heating of the O-ring 15, the transparent quartz portion 2 is used.
4 and the opaque quartz portion 25 are preferably flush with the inner wall surface of the processing container 100 above and below the boundary surface.

【0047】なお、発明者によるシミュレーションの結
果、従来のウインドウ4全体が透明石英の場合、Oリン
グ15の温度は432℃まで上昇するが、周縁部を不透
明石英とした場合には297℃までしか上昇せず、更に
突起部151を設けた場合には233℃までしか上昇せ
ず、更に冷却用分岐通路81aを設けた場合には205
℃までしか上昇しないという結果が得られた。このよう
に、本発明の構造を採用することにより効果的にOリン
グ15の温度上昇を防止することが可能なことが証明さ
れた。
As a result of simulation by the inventor, the temperature of the O-ring 15 rises to 432 ° C. when the conventional window 4 is entirely transparent quartz, but only up to 297 ° C. when the peripheral portion is opaque quartz. When the protrusion 151 is not provided, the temperature does not rise to 233 ° C., and when the cooling branch passage 81a is further provided, the temperature does not rise to 205.
The result obtained was that the temperature rose only to ℃. As described above, it was proved that the temperature rise of the O-ring 15 can be effectively prevented by adopting the structure of the present invention.

【0048】前記公報(特開平11−45861号)に
記載された構成では前述の如く側壁が400〜600℃
の温度である旨記載されており、本発明の構成では処理
室3の側壁が400〜600℃の高温である場合、Oリ
ング15が加熱され溶解する恐れがある。これに対し本
発明では、上述の如く突起部151(図3参照)を設
け、ウインドウ24の周縁部を不透明部材24aとし、
更に図4に示す如く冷媒通路81aを設けたため、突起
部151(側壁部)は加熱が緩和され、50℃以下とな
ることが実験により確認された。上記側壁は例えばアル
ミニウム製であり、その場合耐熱温度が略200℃程度
であるが、このようにその部分の温度が50℃以下に抑
えられれば、側壁の熱による材質劣化等の問題発生を防
止可能である。
In the structure described in the above-mentioned publication (JP-A-11-45861), the side wall is 400 to 600 ° C. as described above.
However, in the configuration of the present invention, when the side wall of the processing chamber 3 has a high temperature of 400 to 600 ° C., the O-ring 15 may be heated and melted. On the other hand, in the present invention, the projection 151 (see FIG. 3) is provided as described above, and the peripheral portion of the window 24 is the opaque member 24a.
Further, as shown in FIG. 4, since the refrigerant passage 81a was provided, it was confirmed by experiments that the heating of the protrusion 151 (side wall portion) was moderated and the temperature became 50 ° C. or less. The side wall is made of, for example, aluminum and has a heat resistance temperature of about 200 ° C. In this case, if the temperature of the part is suppressed to 50 ° C. or less, problems such as material deterioration due to heat of the side wall can be prevented. It is possible.

【0049】又、更に、本発明では、図3,図4に示す
如く、突起部151を有する側壁の周縁部分の内壁面に
鏡面処理を施して鏡面部151bとしている。この鏡面
部151bによってウエハ2からの2次的な輻射熱をも
反射し、その構成によっても熱線が直接ウインドウ4’
に照射されることを防止し得、Oリング15の加熱溶解
等を防止することが可能である。
Further, in the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, the inner wall surface of the peripheral portion of the side wall having the projection 151 is mirror-finished to form the mirror-surface portion 151b. The mirror surface portion 151b also reflects the secondary radiant heat from the wafer 2, and the heat ray is also directly reflected by the window 4 ′ due to the structure.
It is possible to prevent irradiation of the O-ring 15, and to prevent the O-ring 15 from being melted by heating.

【0050】[0050]

【発明の効果】このように本発明によれば、処理室とラ
ンプ室とを気密に隔離するドーム形ウインドウの周縁部
を不透明部材よりなるようにすることによりウインドウ
周縁部の周囲のOリング等のシール部材等を高熱から保
護し、且つ、そのドーム形状の周縁の湾曲凹表面に沿う
ように処理容器の内壁部のウインドウ支持部に突起部を
設けてウインドウ周縁部下方の処理容器内壁部のウイン
ドウ支持部による反射光がウインドウ周縁部に照射され
ることを防止することにより、更に効果的にウインドウ
周縁部周辺部材の昇温防止を図ることが可能である。
As described above, according to the present invention, the peripheral portion of the dome-shaped window for airtightly separating the processing chamber and the lamp chamber is made of an opaque member, so that an O-ring around the peripheral portion of the window is formed. Of the inner wall of the processing container is provided with a protrusion so as to protect the sealing member and the like from high heat and along the curved concave surface of the peripheral edge of the dome shape. By preventing the light reflected by the window supporting portion from irradiating the peripheral portion of the window, it is possible to more effectively prevent the temperature rise of the peripheral member of the peripheral portion of the window.

【0051】又、更に、上記突出部を有する側壁の周縁
部分の内壁面に鏡面処理を施して鏡面部とすることによ
り、この鏡面部によって被処理部材(ウエハ)からの2
次的な輻射熱をも反射し、熱線が直接ウインドウに照射
されることを防止し、Oリング等部材の加熱を防止する
ことが可能となる。
Further, by mirror-finishing the inner wall surface of the peripheral portion of the side wall having the above-mentioned protruding portion to form a mirror-surface portion, the mirror-surface portion is used to remove a portion from the member to be processed (wafer).
It is also possible to reflect the subsequent radiant heat, prevent the heat rays from being directly applied to the window, and prevent the heating of members such as the O-ring.

【0052】又、上記突出部を処理容器壁構造と一体成
形によって形成することにより、突出部の追加による工
程増加を避けることが可能となり、且つ、別体構成の場
合に比してはがれ等の問題を防止でき、信頼性の確保が
可能である。
Further, by forming the protrusions integrally with the wall structure of the processing container, it is possible to avoid an increase in the number of steps due to the addition of the protrusions, and to prevent peeling and the like compared with the case of a separate structure. Problems can be prevented and reliability can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の一例の熱処理装置の側面断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a conventional heat treatment apparatus as an example.

【図2】ランプヒータの構成例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of a lamp heater.

【図3】本発明の一実施例の熱処理装置の縦断面図であ
る。
FIG. 3 is a vertical sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】図3のドーム形ウインドウ周縁部の付近を拡大
して示す縦断面図である。
FIG. 4 is an enlarged vertical cross-sectional view showing the vicinity of the peripheral portion of the dome-shaped window of FIG.

【図5】図3に示す熱処理装置を使用した熱処理におけ
る温度・圧力管理スケジュールの一例を示す図である。
5 is a diagram showing an example of a temperature / pressure management schedule in heat treatment using the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図6】図3に示す熱処理装置を複数台適用した半導体
処理システムの一例の配置図である。
6 is a layout diagram of an example of a semiconductor processing system to which a plurality of heat treatment apparatuses shown in FIG. 3 are applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 ウエハ(被処理体) 3 処理室 4’ ドーム形石英ウインドウ 5 ランプ(ランプヒータ) 7 載置部(載置テーブル) 10 熱処理装置 15 Oリング 24 ウインドウの中央部(透明石英部) 25 ウインドウの周縁部(不透明石英部) 26 ウインドウの中央部と周縁部との境界面(例え
ば溶接面) 81 冷媒通路 81a 冷媒通路の分岐通路 95 ランプ室 100 処理容器 100a 処理容器の内壁部 150 処理容器のフランジ部 151 突起部(突出部) 151a 傾斜面 151b 鏡面部
2 wafer (object to be processed) 3 processing chamber 4'dome-shaped quartz window 5 lamp (lamp heater) 7 mounting part (mounting table) 10 heat treatment device 15 O-ring 24 central part of window (transparent quartz part) 25 window Peripheral part (opaque quartz part) 26 Boundary surface (for example, welding surface) between the center part of the window and the peripheral part 81 Refrigerant passage 81a Refrigerant passage branch passage 95 Lamp chamber 100 Processing container 100a Processing container inner wall portion 150 Processing container flange Part 151 Projection part (projection part) 151a Inclined surface 151b Mirror surface part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 莫 雲 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 4K030 CA04 FA10 JA10 KA24 LA15 5F045 AA03 AA20 AB32 AC11 AD10 AD14 AF03 BB20 DP02 DQ10 EB02 EB10 EK12    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Mogumo             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited F-term (reference) 4K030 CA04 FA10 JA10 KA24 LA15                 5F045 AA03 AA20 AB32 AC11 AD10                       AD14 AF03 BB20 DP02 DQ10                       EB02 EB10 EK12

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランプヒータを用いて被処理体に対して
熱処理を行なう熱処理装置において、 その処理容器内に、被処理体を処理する処理室とランプ
ヒータを収容するランプ室との間を気密に分離するドー
ム形の湾曲構造を有する透明ウインドウを設け、 処理容器に支持されるウインドウの周縁部は不透明部材
よりなり、 処理容器のウインドウの周縁部を支持する部分にはウイ
ンドウの周縁部近傍の湾曲した表面に沿うように突出し
た突出部を設けてなる熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on an object to be processed using a lamp heater, wherein an airtight space is provided between a processing chamber for processing the object to be processed and a lamp chamber accommodating the lamp heater in a processing container. A transparent window having a dome-shaped curved structure that separates is provided, and the peripheral edge of the window supported by the processing container is made of an opaque member. A heat treatment apparatus provided with a protrusion protruding along a curved surface.
【請求項2】 更にウインドウの周縁部を直接冷却する
冷却手段よりなる請求項1に記載の熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising cooling means for directly cooling the peripheral portion of the window.
【請求項3】 前記処理容器の内壁面は、ウインドウの
周縁部とその他の部分との境界面と略面一とされた請求
項1乃至2のうちのいずれか一項に記載の熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein an inner wall surface of the processing container is substantially flush with a boundary surface between a peripheral portion of the window and other portions.
【請求項4】 前記突出部は前記処理容器の壁構造と一
体成形されてなる請求項1乃至3のうちのいずれか一項
に記載の熱処理装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the protrusion is integrally formed with a wall structure of the processing container.
【請求項5】 前記処理容器の前記突出部を設けた周縁
部に鏡面処理を施す構成の請求項1乃至4のうちのいず
れか一項に記載の熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the peripheral edge portion of the processing container provided with the protrusion is mirror-finished.
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