JPH10318373A - Sealing material - Google Patents
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- JPH10318373A JPH10318373A JP13925897A JP13925897A JPH10318373A JP H10318373 A JPH10318373 A JP H10318373A JP 13925897 A JP13925897 A JP 13925897A JP 13925897 A JP13925897 A JP 13925897A JP H10318373 A JPH10318373 A JP H10318373A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は封止材に関し、とく
に半導体分野、液晶表示装置分野において使用されるド
ライエッチング装置に好適な封止材に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sealing material, and more particularly to a sealing material suitable for a dry etching apparatus used in the field of semiconductors and liquid crystal displays.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの微細化や高集積化およ
び液晶表示装置の大型化や高精細化などに伴い、微細化
や高精細化のキーテクノロジーの一つとなるドライエッ
チングは、微細線幅の加工技術として、また液晶表示装
置の薄膜トランジスターの加工技術として、ウエットエ
ッチング技術に代わりますます重要となってきている。
ドライエッチングは、大別して導入したガスに高周波電
界を印加して発生するプラズマ中の活性粒子の化学反応
のみを利用した反応性プラズマエッチング、電界により
加速されたイオンによるスパッタ作用のみを利用した無
反応性イオンエッチング、この両者を組合わせた反応性
スパッタエッチングなどに分類される。また、これに伴
い、ドライエッチング装置は、プラズマエッチング装
置、反応性イオンエッチング装置、反応性イオンビーム
エッチング装置、スパッタエッチング装置、イオンビー
ムエッチング装置などが開発されている。また、連続処
理プロセスのためのマルチチャンバーシステムも開発さ
れている。2. Description of the Related Art With the miniaturization and high integration of semiconductor devices and the enlargement and high definition of liquid crystal display devices, dry etching, which is one of the key technologies for miniaturization and high definition, requires a fine line width. As a processing technique and as a processing technique for a thin film transistor of a liquid crystal display device, it has become increasingly important to replace the wet etching technique.
Dry etching is reactive plasma etching that uses only the chemical reaction of active particles in the plasma generated by applying a high-frequency electric field to the gas introduced roughly, and non-reaction that uses only the sputtering action of ions accelerated by the electric field. Reactive ion etching and reactive sputter etching combining the two. In connection with this, as a dry etching apparatus, a plasma etching apparatus, a reactive ion etching apparatus, a reactive ion beam etching apparatus, a sputter etching apparatus, an ion beam etching apparatus, and the like have been developed. Also, multi-chamber systems for continuous processing processes have been developed.
【０００３】このようなドライエッチング装置は、ウエ
ハーや液晶基板が収容されるチャンバー室内にて、高エ
ッチレートを達成するために高密度プラズマを通常減圧
下において発生させている。また、減圧度を維持するた
めにゲートバルブ側に設けられたアリ溝に断面がほぼ円
形のＯ−リングを装着している。[0003] In such a dry etching apparatus, high-density plasma is generally generated under reduced pressure in order to achieve a high etch rate in a chamber chamber accommodating a wafer or a liquid crystal substrate. Further, an O-ring having a substantially circular cross section is mounted in the dovetail groove provided on the gate valve side in order to maintain the degree of pressure reduction.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、たとえば大口
径ウエハーや液晶基板の大型化が進むにつれ、均一なエ
ッチレートやイオン電流密度を達成するために、チャン
バー室内の減圧度を維持するために用いられているＯ−
リングなどの封止材につぎのような問題が生じてきた。
大型のチャンバー室内用封止材は、通常断面円形のＯ−
リングが用いられているが、Ｏ−リングをアリ溝に装着
する時に応力の不均等が生じやすくなる。すなわち、ゲ
ートバルブの周辺近傍に方形に設けられたアリ溝に装着
するときは、方形の一方の辺より装着を始めると、この
辺での締め幅が小さくなり、また対辺側では締め幅が大
きくなるため、応力の不均等が生じやすくなる。その結
果、高密度プラズマ下において、締め幅が小さい部分で
はクラックが発生しやすくなり、また、締め幅が大きい
部分ではＯ−リングがアリ溝にかみ込む現象が発生しや
すくなる。さらには、応力の不均等によりＯ−リング自
身が捩じられやすくなり、減圧度を維持することができ
なくなったり、Ｏ−リング表面がプラズマ状のガスにさ
れされ、パーティクル汚染が生じやすくなるという問題
がある。However, for example, as the size of large-diameter wafers and liquid crystal substrates increases, a large-diameter wafer or liquid crystal substrate is used to maintain a reduced pressure in the chamber in order to achieve a uniform etch rate and ion current density. O-
The following problems have occurred in sealing materials such as rings.
Sealing materials for large chambers are usually O-
Although a ring is used, stress is likely to be uneven when the O-ring is mounted in the dovetail groove. In other words, when mounting in a dovetail groove provided in the vicinity of the gate valve in a square shape, when mounting is started from one side of the square, the tightening width on this side is reduced, and the tightening width on the opposite side is increased. Therefore, uneven stress tends to occur. As a result, under high-density plasma, cracks are likely to occur in portions where the tightening width is small, and a phenomenon in which the O-rings bite into the dovetail groove is likely to occur in portions where the tightening width is large. Furthermore, the O-ring itself is likely to be twisted due to uneven stress, and the degree of pressure reduction cannot be maintained, or the O-ring surface is made into a plasma-like gas, which tends to cause particle contamination. There's a problem.
【０００５】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、高エネルギーの環境下においても締め
幅を均等にできるため、応力の不均等が生じることのな
い形状を有する封止材を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address such a problem, and a sealing material having a shape that does not cause uneven stress because the fastening width can be equalized even in a high energy environment. The purpose is to provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の封止材は、直断
面形状が円状の封止材であって、該円状の円周の一部に
凹状部を有することを特徴とする。ここで、直断面形状
とは、全体の形状が方形の封止材にあっては辺に直角の
方向での断面の形状を、円形の封止材にあっては接線に
対して垂直方向での断面の形状をいう。A sealing material according to the present invention is a sealing material having a circular cross section, and has a concave portion in a part of the circular circumference. . Here, the straight cross-sectional shape refers to the cross-sectional shape in a direction perpendicular to the side when the entire shape is a rectangular sealing material, and in a direction perpendicular to a tangent line for a circular sealing material. Means the shape of the cross section.
【０００７】また、直断面形状の凹状部以外の他の円周
に、少なくとも一つの頂部を有することを特徴とする。
ここで、頂部とは、断面円周上の外側に凸状部を有する
ことをいう。[0007] The present invention is characterized in that at least one apex is provided on a circumference other than the concave portion having the straight cross section.
Here, the apex means having a convex portion on the outside on the cross-sectional circumference.
【０００８】さらに、封止材は少なくとも表面層がフル
オロオレフィンとパーフルオロアルキルビニルエーテル
とから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾
性体に、弗素系樹脂微粉末を 5〜50重量％配合してなる
封止材用組成物を成形・加硫してなることを特徴とす
る。[0008] Further, the encapsulant is prepared by blending 5 to 50% by weight of a fine powder of a fluorine-based resin with a fluorine-based elastic body having at least a surface layer mainly composed of a repeating unit derived from a fluoroolefin and a perfluoroalkylvinyl ether. The composition for a sealing material is molded and vulcanized.
【０００９】このような形状の封止材とすることによ
り、アリ溝内に均一な締め幅で装着することができる。
その結果、封止材が捩じれたり、あるいはころがり現象
を生じたりしなくなる。また、応力が均一になることに
加えて、封止材の材質を上述の弗素系弾性体に弗素系樹
脂微粉末を配合したことにより、高密度プラズマ下にお
けるクラックの発生をより防ぐことができる。By using the sealing material having such a shape, the sealing material can be mounted in the dovetail groove with a uniform tightening width.
As a result, the sealing material does not twist or cause a rolling phenomenon. In addition to the fact that the stress becomes uniform, the generation of cracks under high-density plasma can be further prevented by blending the fluorine-based resin fine powder with the above-mentioned fluorine-based elastic body as the material of the sealing material. .
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の封止材の一例を図１およ
び図２により説明する。図１は平行平板形ドライエッチ
ング装置の断面図であり、図２はゲートバルブに装着さ
れた封止材を示し、図２（ａ）は平面図を、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。ウェハーや液晶基
板などの被処理材６が、ゲートバルブ２により密閉され
たチャンバー５内に保持されている。この被処理材６
に、たとえば 13.56MHz のプラズマ発生用の高周波電源
により発生したプラズマが減圧下で照射されてドライエ
ッチングが行われる。チャンバー５の側部には被処理材
６の搬入出口４が設けられ、この搬入出口４が図示を省
略した駆動機構により自動開閉するゲートバルブ２を介
してロードロック室７に連通・遮断可能とされている。
ゲートバルブ２は遮断時にＯ−リングなどの封止材１に
より搬入出口４を気密に閉塞封止する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One example of a sealing material of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view of a parallel plate type dry etching apparatus, FIG. 2 shows a sealing material mounted on a gate valve, FIG. 2 (a) is a plan view, and FIG.
2A is a sectional view taken along the line AA in FIG. A workpiece 6 such as a wafer or a liquid crystal substrate is held in a chamber 5 sealed by a gate valve 2. This material 6
Then, plasma generated by a high-frequency power supply for generating plasma of 13.56 MHz, for example, is irradiated under reduced pressure to perform dry etching. A loading / unloading port 4 for the material 6 to be treated is provided on the side of the chamber 5, and the loading / unloading port 4 can communicate with or be disconnected from the load lock chamber 7 via a gate valve 2 which automatically opens and closes by a drive mechanism (not shown). Have been.
When shut off, the gate valve 2 hermetically seals the loading / unloading port 4 with a sealing material 1 such as an O-ring.
【００１１】この封止材１は、ゲートバルブ２の片面側
に装着されている（図２（ａ））。また、封止材１は円
状の円周の一部に凹状部を有する直断面形状を有してお
り、その凹状部側がアリ溝３内に挿入される形で装着さ
れている（図２（ｂ））。直断面円周の一部に凹状部を
有する形状とすることにより、封止材１が押圧力により
歪んだ場合においても凹状部がアリ溝３内に密着できる
ため、捩じれなどを生じることなく均一に装着すること
ができる。さらに、アリ溝３の挿入口３ａにおいて封止
材１の噛み込み現象がなくなるとともに、凹状部の反発
弾性力によりチャンバー５の密閉がより容易となる。The sealing material 1 is mounted on one side of the gate valve 2 (FIG. 2A). The sealing material 1 has a straight cross-sectional shape having a concave portion on a part of a circular circumference, and the concave portion side is mounted so as to be inserted into the dovetail groove 3 (FIG. 2). (B)). By forming a shape having a concave portion on a part of the circumference of the straight cross section, even when the sealing material 1 is distorted by the pressing force, the concave portion can be in close contact with the dovetail groove 3. Can be attached to In addition, the sealing member 1 does not bite at the insertion opening 3a of the dovetail groove 3, and the chamber 5 is more easily sealed by the repulsive elastic force of the concave portion.
【００１２】封止材１の直断面形状について図３により
説明する。図３は封止材１の直断面形状例を示す図であ
る。封止材１は、断面円状の円周の一部に凹状部を有す
る形状であれば、使用することができる。好ましい例と
しては、図３（ａ）に示すように、凹状部以外の他の円
周に少なくとも一つの頂部１ａを有する形状がある。こ
の形状であると噛み込み現象がなく、また捩じれ現象も
抑えることができる。図３（ａ）の変形例としては、凹
状部が変位した図３（ｂ）の形状とすることができる。
このような封止材１は、加えられる応力が図３（ｂ）の
矢印の方向である場合に捩じれなどを防ぐのに好適な例
である。また、図３（ｃ）に示すように、凹状部の他の
円周部が頂部を有さない場合であっても使用できる。本
発明の封止材は、アリ溝が図２（ｂ）に示す台形構造以
外の形状であっても適用することができる。たとえば、
アリ溝の底辺に対する一方の辺が直角となっている形
状、あるいは両方の辺が直角となっている形状であって
も使用することができる。これは、凹状部の反発弾性力
がアリ溝の側面に働き、チャンバー５の十分な密閉を可
能とするためである。The cross-sectional shape of the sealing material 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a straight cross-sectional shape of the sealing material 1. The sealing material 1 can be used as long as it has a shape having a concave portion in a part of the circumference of a circular cross section. As a preferred example, as shown in FIG. 3A, there is a shape having at least one apex 1a on the circumference other than the concave portion. With this shape, there is no biting phenomenon and the twisting phenomenon can be suppressed. As a modification of FIG. 3A, the shape of FIG. 3B in which the concave portion is displaced can be used.
Such a sealing material 1 is a suitable example for preventing torsion and the like when the applied stress is in the direction of the arrow in FIG. 3B. Further, as shown in FIG. 3 (c), it can be used even when the other circumferential portion of the concave portion has no top. The sealing material of the present invention can be applied even if the dovetail groove has a shape other than the trapezoidal structure shown in FIG. For example,
A shape in which one side is at a right angle to the base of the dovetail groove or a shape in which both sides are at a right angle can be used. This is because the repulsive elastic force of the concave portion acts on the side surface of the dovetail groove and enables the chamber 5 to be sufficiently sealed.
【００１３】本発明の封止材は、全長にわたってその直
断面形状が円状の円周の一部に凹状部を有する形状でな
くてもよい。この凹状部を有する形状は、アリ溝内にて
捩じり現象などを抑える範囲内で設ければよい。たとえ
ば、図２（ａ）に示すように、平面図的にみてゲートバ
ルブ２の周辺近傍に方形に装着する場合、封止材１は直
線部分のみに凹状部を設けてもよい。さらには、直線部
分に断続的に凹状部を設けてもよい。このような方形の
封止材１の場合、凹状部を設けることにより、締め幅が
均一になり、かつ凹状部の存在により捩じれを抑えるこ
とができる。したがって、応力が均等になり、チャンバ
ーの減圧度を維持することができる。The sealing material of the present invention does not have to have a shape in which the straight cross-sectional shape has a concave portion on a part of a circular circumference over the entire length. The shape having the concave portion may be provided in a range in which the torsion phenomenon or the like is suppressed in the dovetail groove. For example, as shown in FIG. 2A, in a case where the sealing member 1 is mounted in a rectangular shape near the periphery of the gate valve 2 in plan view, the sealing material 1 may be provided with a concave portion only in a straight portion. Further, a concave portion may be provided intermittently in the linear portion. In the case of such a rectangular sealing material 1, by providing the concave portion, the tightening width becomes uniform, and the presence of the concave portion can suppress twisting. Therefore, the stress is equalized, and the degree of pressure reduction in the chamber can be maintained.
【００１４】本発明の封止材は、上述の形状に加えて、
少なくとも表面層がフルオロオレフィンとパーフルオロ
アルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位
を主成分とする弗素系弾性体に、弗素系樹脂微粉末を 5
〜50重量％配合してなる封止材用組成物を成形・加硫し
てなる封止材であることが好ましい。このような封止材
用組成物は、封止材としての弾性や硬さを維持するとと
もに、金属の溶出を抑えることができるので、表面層よ
りの金属溶出によるドライエッチング装置内を汚染する
ことがなく、半導体デバイスや液晶基板の製品歩留まり
を向上させることができる。[0014] In addition to the above-described shape, the encapsulant of the present invention has
A fluorine-based resin fine powder is added to a fluorine-based elastomer having at least a surface layer mainly composed of a repeating unit derived from a fluoroolefin and a perfluoroalkylvinyl ether.
It is preferably a sealing material obtained by molding and vulcanizing a composition for a sealing material containing up to 50% by weight. Such a composition for a sealing material can maintain the elasticity and hardness of the sealing material and suppress the elution of metal, so that the inside of the dry etching apparatus due to the elution of metal from the surface layer is contaminated. And the product yield of semiconductor devices and liquid crystal substrates can be improved.
【００１５】本発明に係る弗素系弾性体を形成するフル
オロオレフィンから誘導された繰り返し単位とは、以下
の式（Ｉ）で表される。The repeating unit derived from the fluoroolefin forming the fluorine-based elastic material according to the present invention is represented by the following formula (I).
【００１６】[0016]
【化１】 Embedded image
【００１７】ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 またはＲ4 は、
水素、弗素、塩素、アルキル基、弗化アルキル基、弗化
アルコキシル基の中から選ばれ、少なくとも弗素または
弗化アルキル基の一つを含む。これらのなかでＲ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 およびＲ4 が全て弗素であるテトラフルオロエ
チレンが弗素系樹脂と組合わせてドライエッチング装置
用封止材の表面層を形成するのにとくに好ましい。ま
た、パーフルオロアルキルビニルエーテルから誘導され
た繰り返し単位とは、以下の式（ＩＩ）で表される。Here, R 1 , R 2 , R 3 or R 4 is
It is selected from hydrogen, fluorine, chlorine, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, and a fluorinated alkoxyl group, and includes at least one of a fluorine and a fluorinated alkyl group. Among these, R 1 and R
Tetrafluoroethylene in which 2 , R 3 and R 4 are all fluorine is particularly preferable for forming a surface layer of a sealing material for a dry etching apparatus in combination with a fluorine-based resin. The repeating unit derived from perfluoroalkyl vinyl ether is represented by the following formula (II).
【００１８】[0018]
【化２】 Embedded image
【００１９】ここで、Ｒ5 は、炭素数 1〜6 のパーフル
オロアルキル基、アルキル基、パーフルオロアルキルエ
ーテル基、シアノパーフルオロアルキル基である。な
お、フルオロオレフィンとパーフルオロアルキルビニル
エーテルとの配合割合は、フルオロオレフィンが 50 〜
95 モル％、パーフルオロアルキルビニルエーテルが 5
〜 50 モル％であることが好ましい。Here, R 5 is a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group, a perfluoroalkyl ether group, or a cyanoperfluoroalkyl group. The mixing ratio of the fluoroolefin and the perfluoroalkyl vinyl ether is 50 to 50%.
95 mol%, 5 perfluoroalkyl vinyl ether
It is preferably from 50 to 50 mol%.
【００２０】また、弗素系弾性体中に占めるフルオロオ
レフィンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとから
それぞれ誘導される繰り返し単位を有する弾性体は、合
計で少なくとも 40 重量％以上含むことが好ましい。す
なわち、弗素系弾性体は、フルオロオレフィンとパーフ
ルオロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返
し単位のみから構成されていてもよい。この場合、加硫
後の溶出金属分をとくに少なくすることができる。It is preferable that the total amount of the elastic body having repeating units derived from the fluoroolefin and the perfluoroalkyl vinyl ether in the fluorine-based elastic body is at least 40% by weight or more. That is, the fluorine-based elastic body may be composed of only a repeating unit derived from a fluoroolefin and a perfluoroalkyl vinyl ether. In this case, the amount of dissolved metal after vulcanization can be particularly reduced.
【００２１】また、弗素系弾性体の耐熱性を向上させた
り、高エネルギーの環境下においても初期特性を維持す
る場合、配合剤として、ラジカル架橋できる弾性体を含
むことが好ましい。そのような弾性体としてはビニリデ
ンフルオロライド系、テトラフルオロエチレン／プロピ
レン系を挙げることができ、また、フルオロシリコーン
系弾性体も好ましい例として挙げることができる。In order to improve the heat resistance of the fluorine-based elastic body or to maintain the initial characteristics even under a high-energy environment, it is preferable to include a radically crosslinkable elastic body as a compounding agent. Examples of such an elastic body include vinylidenefluoride-based and tetrafluoroethylene / propylene-based elastic bodies, and a fluorosilicone-based elastic body is also a preferred example.
【００２２】とくに封止材としての上述の特性を向上す
ることのできるラジカル架橋型弾性体としては、ビニリ
デンフルオロライド系弾性体が好ましい。そのようなビ
ニリデンフルオロライド系弾性体としては、ビニリデン
フルオロライド−ヘキサフルオロプロピレン共重合体や
ビニリデンフルオロライド−ヘキサフルオロプロピレン
−テトラフルオロエチレン共重合体を挙げることができ
る。また、フルオロシリコーン重合体も上述の特性を向
上することのできる弾性体として好適である。In particular, as the radical cross-linking type elastic body which can improve the above-mentioned properties as a sealing material, a vinylidene fluoride type elastic body is preferable. Examples of such a vinylidenefluoride-based elastic material include a vinylidenefluoride-hexafluoropropylene copolymer and a vinylidenefluoride-hexafluoropropylene-tetrafluoroethylene copolymer. Further, a fluorosilicone polymer is also suitable as an elastic body capable of improving the above-mentioned properties.
【００２３】本発明に係る弗素系弾性体は、フルオロオ
レフィンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとから
誘導された繰り返し単位を有する弗素系弾性体と、たと
えばビニリデンフルオロライド系弾性体とをブレンドす
ることにより得ることができる。また、フルオロオレフ
ィンと、パーフルオロアルキルビニルエーテルと、たと
えばビニリデンフルオロライドと、ヘキサフルオロプロ
ピレンとを共重合させることによっても弗素系弾性体を
得ることができる。さらに、フルオロシリコーン重合体
をブレンドしても、またシロキサン結合を含むモノマー
を共重合させてもよい。The fluorine-based elastic material according to the present invention is obtained by blending a fluorine-based elastic material having a repeating unit derived from a fluoroolefin and a perfluoroalkylvinyl ether with, for example, a vinylidenefluoride-based elastic material. Can be. Alternatively, a fluorine-based elastic material can be obtained by copolymerizing a fluoroolefin, a perfluoroalkyl vinyl ether, for example, vinylidene fluoride and hexafluoropropylene. Further, a fluorosilicone polymer may be blended, or a monomer containing a siloxane bond may be copolymerized.
【００２４】本発明に係る弗素系樹脂微粉末とは分子構
造中に弗素を含む高分子体の微粉末であって、平均粒子
径は 0.2〜 50 μm が好ましい。弗素系樹脂微粉末の配
合割合は加硫後の弾性体全体に対し 5〜50重量％の範囲
である。この範囲内で封止材としての弾性や硬さを維持
することができる。これら微粉末が配合された上述の弗
素系弾性体を加硫することによりその強度を高めること
ができる。The fine powder of the fluorine resin according to the present invention is a fine powder of a polymer containing fluorine in the molecular structure, and preferably has an average particle diameter of 0.2 to 50 μm. The mixing ratio of the fine powder of the fluorine-based resin is in the range of 5 to 50% by weight based on the whole elastic body after vulcanization. Within this range, the elasticity and hardness of the sealing material can be maintained. The strength can be increased by vulcanizing the above-mentioned fluorine-based elastic body in which these fine powders are blended.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明の封止材は、直断面形状が円状の
封止材であって、該円状の円周の一部に凹状部を有する
ので、封止材が捩じれたり、あるいはころがり現象を生
じたりすることなく装着できる。The sealing material of the present invention is a sealing material having a circular cross section and a concave portion on a part of the circumference of the circular shape. Alternatively, it can be mounted without causing a rolling phenomenon.
【００２６】また、凹状部以外の他の円周に、少なくと
も一つの頂部を有するので、密閉性がより向上する。Further, since at least one apex is provided on the circumference other than the concave portion, the hermeticity is further improved.
【００２７】さらに、封止材の材質を弗素系弾性体に弗
素系樹脂微粉末を配合したことにより、高密度プラズマ
下におけるクラックの発生を防ぐことができ、ドライエ
ッチング装置に好適な封止材が得られる。Further, by forming the sealing material by mixing a fluorine-based resin fine powder with a fluorine-based elastic body, it is possible to prevent the occurrence of cracks under high-density plasma, and the sealing material is suitable for a dry etching apparatus. Is obtained.
【００２８】以上の結果、半導体分野や液晶分野などに
おけるドライエッチング装置の封止材として使用するこ
とにより、ＵＬＳＩやＶＬＳＩ、ＴＦＴＬＣＤ基板など
の品質向上に寄与する。また、ドライエッチング装置の
点検補修の時期が極めて短くなり、半導体デバイスや液
晶基板の製品歩留まりが向上する。As a result, by using as a sealing material of a dry etching apparatus in the semiconductor field, the liquid crystal field and the like, it contributes to the improvement of the quality of ULSI, VLSI, TFTLCD substrates and the like. Further, the time for inspection and repair of the dry etching apparatus is extremely shortened, and the product yield of semiconductor devices and liquid crystal substrates is improved.
【図１】平行平板形ドライエッチング装置の断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of a parallel plate type dry etching apparatus.
【図２】図２はゲートバルブに装着された封止材を示す
図である。FIG. 2 is a view showing a sealing material attached to a gate valve.
【図３】封止材の直断面形状例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a straight cross-sectional shape of a sealing material.
１ 封止材 ２ ゲートバルブ ３ アリ溝 ４ 搬入出口 ５ チャンバー ６ 被処理材 ７ ロードロック室 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sealing material 2 Gate valve 3 Dovetail 4 Loading / unloading port 5 Chamber 6 Material to be processed 7 Load lock chamber
Claims (3)
円状の円周の一部に凹状部を有することを特徴とする封
止材。1. A sealing material having a circular cross-sectional shape and having a concave portion on a part of the circumference of the circular shape.
も一つの頂部を有することを特徴とする請求項１記載の
封止材。2. The sealing material according to claim 1, wherein at least one apex is provided on a circumference other than the concave portion.
とパーフルオロアルキルビニルエーテルとから誘導され
た繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体に、弗素系
樹脂微粉末を 5〜50重量％配合してなる封止材用組成物
を成形・加硫してなる請求項１または請求項２記載の封
止材。3. A seal comprising a fluorine-based elastic body having a repeating unit derived from a fluoroolefin and a perfluoroalkyl vinyl ether as a main component, at least a surface layer of which is blended with 5 to 50% by weight of a fine powder of a fluorine-based resin. The sealing material according to claim 1, wherein the sealing material composition is formed and vulcanized.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13925897A JPH10318373A (en) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | Sealing material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13925897A JPH10318373A (en) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | Sealing material |
Publications (1)
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1997
- 1997-05-14 JP JP13925897A patent/JPH10318373A/en active Pending
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