JPH10314140A - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気共鳴イメージング装置に適用する、高電
圧大電流出力で、磁場発生用出力電流の変動が極めて少
ない高精度な磁場発生用電源装置を提供する。 【解決手段】 一つまたは複数の直流電源と、この直流
電源の正側と負側にそれぞれ接続されたスイッチモジュ
ールと、このスイッチモジュールと前記傾斜磁場コイル
とに接続されたフィルタとからなり、前記スイッチモジ
ュールは、第一の接続点と第二の接続点との間に接続さ
れた第一のスイッチング素子、この第一のスイッチング
素子に逆方向に並列接続された第一のダイオードと、前
記第三の接続点から第二の接続点に向けて接続された第
二のダイオードと、第四の接続点から第一の接続点に向
かって接続された第三のダイオードと、第四の接続点と
第三の接続点との間に接続された第二のスイッチング素
子と、この第二のスイッチング素子に逆方向に並列接続
された第四のダイオードと、第二の接続点と第四の接続
点との間に接続されたインダクタンスと、第一と第三の
接続点に接続されたキャパシタンスとから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気共鳴イメージン
グ装置（以下、ＭＲＩ装置という）の磁場発生コイルに
用いられる電源装置に係わり、特にその大電力を要求さ
れる静磁場，傾斜磁場，高周波磁場の発生に必要な各種
電源に好適な電源装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は、ＭＲＩ装置のシステム構成を示
している。３２は電波シールド室で、静磁場を発生させ
る超電導磁石、これによって発生する静磁場に重畳させ
て傾斜磁場を発生させる傾斜磁場コイル、これらの強い
磁場の中におかれた被検体に高周波磁場を照射させる高
周波照射コイル、前記被検体から放射される磁場を検出
する検出コイルなどが納められている。３１は、ＭＲＩ
ユニットで、ここには高周波の送受信系と、Ｘ，Ｙ，Ｚ
方向用の傾斜磁場コイルにそれぞれ電流を供給する傾斜
磁場電源などから構成されている。３０は前記検出コイ
ルの出力信号を高周波送受信系を経て収集し、ＭＲＩ画
像を構成し表示する画像処理ユニットである。

【０００３】図９は従来のＭＲＩ装置において使用され
ている傾斜磁場電源装置の一例としてその構成を示して
いる。図９において、１’は直流電源，４１〜４４は直
流電源１’に接続されフルブリッジを構成している半導
体スイッチング素子でここでは電界効果トランジスタ
（ＭＯＳＦＥＴ）を示している。４５〜４８はＭＯＳＦ
ＥＴ４１〜４４にそれぞれ逆並列に接続されたダイオー
ド、６と７はそれぞれＭＯＳＦＥＴ４１のソースとＭＯ
ＳＦＥＴ４２のドレインとの接続点、及び、ＭＯＳＦＥ
Ｔ４３のソース側とＭＯＳＦＥＴ４４のドレイン側とに
接続された出力電流の平滑用リアクトル、８と９は、こ
れら平滑用リアクトル６，７と電源直流１’の負側に接
続されリアクトル６，７とともに出力電流を平滑化する
ためのコンデンサ、１０は傾斜磁場を発生させるための
傾斜磁場コイルである。

【０００４】ここで、Ｖ_L，Ｖ_R，Ｖ_LR，Ｖ_RAはそれぞれ
直流電源１’の負側からみたＭＯＳＦＥＴ４２と４４の
ドレイン側の電圧、コンデンサ８，９とリアクトル６，
７の接続点の電圧、Ｉ_Lは傾斜磁場コイル１０へ供給さ
れる出力電流を示している。

【０００５】図１０は、図９で示した従来の傾斜磁場電
源装置の動作波形を示している。図９の従来装置におい
てＭＯＳＦＥＴ４１と４２及びＭＯＳＦＥＴ４３と４４
はそれぞれいずれか一方をオン、他方をオフする。これ
を例えば一定周期ごとに繰り返しＭＯＳＦＥＴ４１と４
４はオン時間を長く、ＭＯＳＦＥＴ４２と４３はオン時
間を短くする。このとき電圧Ｖ_LとＶ_Rは図１０に示すよ
うな波形となり、これをリアクトル６とコンデンサ８で
平滑した電圧Ｖ_LAと、同様にリアクトル７とコンデンサ
９で平滑した電圧Ｖ_RAはスイッチング周波数のリップル
を含む直流電圧となる。このとき磁場コイルに供給する
出力電流Ｉ_Lは、Ｖ_LA，Ｖ_RAと同じ周波数のリップルを
わずかに含んだ直流電流となる。

【０００６】磁気共鳴イメージング装置では、この出力
電流のリップルは画像のノイズとなるため、例えば実効
値で数ｍＡ程度以下にする必要がある。このためには、
リアクトルとコンデンサからなる平滑回路のカットオフ
周波数を低く抑える方法と、スイッチのスイッチング周
波数を高周波化する方法とがとられる。

【０００７】前者については、カットオフ周波数を低く
すると電流指令値に対する出力電流の応答が遅れてしま
い、高速で良質の画像を得ることが困難になる。後者
は、図９に示したようにＭＯＳＦＥＴなどの高速スイッ
チングが可能なスイッチを用い、例えば８０ｋＨｚ〜１
００ｋＨｚ程度の周波数で動作させることで実現できる
が、一般にＭＯＳＦＥＴなどの高速のスイッチング素子
は耐圧が５００Ｖ程度，定格電流で１００Ａ程度までし
かなく、これ以上の高い電圧や電流容量に対応すること
ができない。

【０００８】また、絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タ（ＩＧＢＴ）を用いた場合は、素子の耐圧が１２００
Ｖ程度、電流は６００Ａ程度までのものがあり、その場
合は、出力電圧８００Ｖ，出力電流４００Ａ程度まで大
出力化することもできるが、ＩＧＢＴはＭＯＳＦＥＴほ
どスイッチング動作が速くないために高周波動作をさせ
ることができず、動作周波数としては通常、２０ｋＨｚ
程度までが限度と考えられている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１１はＭＯＳＦＥＴ
やＩＧＢＴなどのスイッチング素子がスイッチング動作
をすることによって生じるスイッチング損失の発生原理
について説明するために、スイッチの出力側端子間の電
圧波形とスイッチに流れる電流波形を示した図である。
この電圧と電流の積がスイッチに発生する損失になる
が、スイッチがターンオンするときと、ターンオフする
ときにスイッチング損失が発生していることがわかる。
スイッチに電流が流れている間は、スイッチのオン電圧
とこの電流の積にあたる導通損失も発生するが、高周波
スイッチングではその影響力は小さいことが多い。これ
らの損失はスイッチング素子を発熱させ、それが許容値
を越えるとこのスイッチング素子を破壊することがあ
る。このスイッチング損失の発生は、通常のスイッチン
グ動作では避けることは困難なため、高速なスイッチン
グ素子は高周波で動作させることができるが、低速なス
イッチング素子は低周波でしか動作できない。また、こ
のような高速スイッチングによって出力電流や電圧を制
御する用途にはＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴなどの半導体素
子が多く用いられるが、その耐電圧はそれぞれ１０００
Ｖ，１４００Ｖ程度が限界であり、スイッチング動作時
に生じるサージ電圧を考慮すると、実際にこれらスイッ
チに供給できる電圧は上述した通り８００Ｖ程度までで
ある。

【００１０】一方、十数ｍｓ〜数百ｍｓの短時間で診断
に有用なＭＲＩ画像を得ることのできるエコープラナイ
メージング法（ＥＰＩ法）などのＭＲＩ装置の高速撮像
法では、傾斜磁場コイルに流れる電流の立ち上がりを従
来以上に高速化し、例えば１００ｎｓで４００Ａ程度ま
で上昇させる必要があり、そのためには、直流電圧で１
２００Ｖ以上、出力電流で４００〜６００Ａ程度の傾斜
磁場電源装置が必要になる。

【００１１】そのためにはＭＯＳＦＥＴのような高速な
スイッチング素子を利用しつつ、高電圧，大電流出力が
可能なスイッチング素子が必要である。しかし、たとえ
ＩＧＢＴであっても耐電圧が不十分でその上、ＩＧＢＴ
では、低リップルを得るための高速スイッチングをする
ことは困難である。

【００１２】以上説明したように、従来の構成の傾斜磁
場電源装置ではこれ以上高速な応答の傾斜磁場を発生さ
せ、超高速でＭＲＩ画像を撮像することができなかっ
た。そこで、本発明は高電圧，大電流，高速応答，低リ
ップルの磁場発生用電流を出力することが可能な傾斜磁
場電源装置を提供し、これをＭＲＩ装置に適用すること
を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的は下記により達
成される。 （１）静磁場発生部と、この静磁場に対して、位置によ
って異なる強度の磁場を重畳させる傾斜磁場発生部と、
これら静磁場と傾斜磁場の中に置かれる被検体に対して
高周波磁場を照射する高周波磁場発生部と、前記被検体
から放射される電磁波をとらえて被検体の画像を構成す
る核磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場
発生部は、傾斜磁場コイルと、これに傾斜磁場発生用電
流を供給する傾斜磁場電源装置とからなり、この傾斜磁
場電源装置は、一つまたは複数の直流電源と、この直流
電源の正側と負側にそれぞれ接続されたスイッチモジュ
ールと、このスイッチモジュールと前記傾斜磁場コイル
とに接続されたフィルタとからなり、前記スイッチモジ
ュールは、第一の接続点と第二の接続点との間に接続さ
れた第一のスイッチング素子、この第一のスイッチング
素子に逆方向に並列接続された第一のダイオードと、前
記第三の接続点から第二の接続点に向けて接続された第
二のダイオードと、第四の接続点から第一の接続点に向
かって接続された第三のダイオードと、第四の接続点と
第三の接続点との間に接続された第二のスイッチング素
子と、この第二のスイッチング素子に逆方向に並列接続
された第四のダイオードと、第二の接続点と第四の接続
点との間に接続されたインダクタンスと、第一と第三の
接続点に接続されたキャパシタンスとから構成され、前
記第一と第三の接続点がこのスイッチモジュールの端子
となっていることによって実現できる。（請求項１）

【００１４】このようなスイッチモジュールを用いて傾
斜磁場電源装置を構成することによって、スイッチモジ
ュールのスイッチング損失やスイッチングノイズを大幅
に低減できるので高い周波数での動作とスイッチの高耐
電圧化が可能となり、より高電圧，大電流，高速応答，
低リップルの磁場発生用電流を出力することが可能にな
る。これによって、超高速撮像が可能なＭＲＩ装置を実
現できる。

【００１５】（２）前記スイッチモジュールは、前記第
一と第二、及び、第二と第三の接続点間、あるいは、前
記第一と第四及び第四と第三の接続点間に電圧の分担手
段を接続したものである。（請求項２）

【００１６】このように構成することによって、スイッ
チモジュールを構成する第一のスッチング素子と第二の
スイッチング素子の電圧分担を均等にすることができ、
一方のスイッチング素子に過大に電圧がかからないよう
にすることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第一の実施例を
示す図である。

【００１８】１は直流電源、２〜５は直流電源１に接続
されフルブリッジを構成するスイッチモジュールであ
り、これは後で述べるように半導体スイッチング素子と
ダイオード，インダクタンス，キャパシタンスから構成
されている。６と７はそれぞれスイッチモジュール２と
３の接続点、及び、スイッチモジュール４と５の接続点
とに接続された出力電流の平滑用リアクトル、８と９
は、前記平滑用リアクトル６，７と直流電源１’の負側
に接続され、リアクトル６，７とともに出力電流を平滑
化するためのコンデンサ、１０は傾斜磁場を発生させる
ための傾斜磁場コイルである。

【００１９】前記スイッチモジュールの動作は、外見上
は普通のスイッチとほぼ同じで、前記従来の装置と同様
に傾斜磁場コイル１０へ低リップルの傾斜磁場発生用電
流を供給するものである。次に、図１の第一の実施例に
おけるスイッチモジュール内部の動作とその特徴につい
て説明する。図１において、２０は第一の接続点ｐと第
二の接続点ａとの間に接続された第一のスイッチング素
子で、ここではＩＧＢＴ，２２はＩＧＢＴ２０に逆方向
に並列接続された第一のダイオード、２３は第三の接続
点ｑから接続点ａに向けて接続されたダイオード、２４
は第四の接続点ｂから接続点ｐに向かって接続されたダ
イオード、２１は接続点ｂと接続点ｑとの間に接続され
たＩＧＢＴ、２５はＩＧＢＴ２１に逆方向に並列接続さ
れたダイオード、２６は接続点ａと接続点ｂとの間に接
続されたインダクタンス、２７は接続点ｐと接続点ｑの
間に接続されたキャパシタンスである。

【００２０】図２はスイッチモジュール内部の電流の流
れ方を矢印で表した動作モード図である。図３は各スイ
ッチモジュールの動作波形を説明するためにスイッチモ
ジュール２内部の電流、電圧波形を示している。

【００２１】図２と図３、及び後で述べる図４，図５，
図６では理解しやすいように図１のＩＧＢＴ２０，２１
にはＳ１，Ｓ４，ダイオード２２〜２５にはＤ１〜Ｄ
４，インダクタンス２６にはＬ１，キャパシタンス２７
にはＣ１などの記号を付けている。

【００２２】スイッチモジュール２をターンオンするに
は、図２において、Ｓ１とＳ４とを同時にターンオンす
る。すると、接続点ｐ→Ｓ１→Ｌ１→Ｓ４→接続点ｑの
経路で電流が流れる。同時にＣ１に充電されていた電圧
が同じ経路で放電する。この動作をここではＭｏｄｅ１
と呼ことにする。Ｍｏｄｅ１に入る直前のスイッチモジ
ュール２の両端電圧をｅ０とすれば図３で示すように、
Ｓ１，Ｓ４の電圧ｅｓ１，ｅｓ４はそれぞれｅ０／２か
らゼロに変化し、これらのスイッチの電流ｉｓ１，ｉｓ
４はＬ１の電流の増加に伴ってゆっくり増加する。Ｃ１
の放電が終了すると図２のＭｏｄｅ２で示すように接続
点ｐ→Ｓ１→Ｌ１→Ｓ４→接続点ｑの経路だけで電流が
流れスイッチモジュールの両端電圧（図１のｅｍ１）は
ほぼＳ１とＳ２のオン電圧の和で表せるいわゆる導通状
態になる。

【００２３】次に、スイッチモジュール２をターンオフ
するときには図２のＭｏｄｅ３に示すように、Ｓ１とＳ
４をターンオフする。こうすると、それまでＬ１に流れ
ていた電流はさらに流れ続けようとしてＤ２とＤ３を通
してＣ１に流れ込み、このＣ１を充電する。同時に、接
続点ｐからｑに向かって流れていた電流もＣ１を充電す
るように流れる。図３の動作波形でＭｏｄｅ３の部分が
これを表しており、Ｓ１とＳ４の電流は直ちにオフする
がそれぞれの電圧ｅｓ１とｅｓ４はＣ１の充電に伴って
ゆっくり上昇する。図２において、Ｃ１の充電が終了す
るとスイッチモジュール内部の電流はすべて停止しオフ
状態になる。

【００２４】図３から、Ｓ１とＳ４がターンオンすると
きは電圧ｅｓ１，ｅｓ４が直ちに変化するが、電流がゆ
っくり増加するために図１１で説明したようなターンオ
ン損失はほとんど発生しない。同様に、Ｓ１とＳ４がタ
ーンオフするときは電流ｉｓ１，ｉｓ４が直ちにオフす
るが電圧ｅｓ１，ｅｓ４の上昇がゆっくりなためにやは
りターンオフ損失はほとんど発生しない。

【００２５】従って、図１で説明したスイッチモジュー
ル内部のＩＧＢＴは事実上スイッチング損失が発生しな
いので、非常に高周波でスイッチング動作させてもスイ
ッチの発熱が少なく、ＩＧＢＴのようにスイッチング速
度はＭＯＳＦＥＴほど高速ではないが、高電圧，大電流
に適した半導体スイッチング素子を適用することが可能
で、高速応答，高電圧，大電流，低リップル電流という
ＭＲＩ用傾斜磁場電源として求められている要求に対応
することが可能になる。また、本発明のスイッチモジュ
ールは、外見上その電流，電圧波形がターンオンすると
きも、ターンオフするときも緩やかに変化するため、ス
イッチモジュール外部において、スイッチングに伴う電
磁ノイズの発生が少ないという特徴もある。

【００２６】さらにまた、本発明のスイッチモジュール
を構成する内部のスイッチにかかる電圧は、図３に示す
ように、スイッチモジュールの外部端子に加わる電圧の
１／２になる。このため、たとえば従来装置では、耐電
圧１２００ＶのＩＧＢＴは最大８００Ｖ程度までで動作
させていたが、本実施例では、このスイッチモジュール
の耐電圧はＩＧＢＴ単体の２倍あることになり、例えば
従来の動作電圧の２倍にあたる１６００Ｖもの高電圧を
スイッチングできることになる。さらに、スイッチモジ
ュールの電流，電圧波形の変化がゆるやかなため、サー
ジ電圧の発生が低減できるので、このスイッチモジュー
ルは理論上の耐電圧ぎりぎりまで使用できる。第一の実
施例で、インダクタンス２６は、大きくてもせいぜい数
μＨ以下、または数百ｎＨ程度でよいため、必ずしも改
めてコイルを形成する必要はなく、接続点間の配線によ
る寄生インダクタンスやこの配線に挿入した鉄心などを
利用してもよい。同様にキャパシタンスＣ１は配線間に
存在する寄生静電容量を用いることもできる。

【００２７】図４は、本発明の第二の実施例を示してい
る。これは、第一の実施例で示したスイッチモジュール
内部において、接続点ｐと接続点ａの間に抵抗Ｒ１、接
続点ａと接続点ｑの間に抵抗Ｒ２、接続点ｐと接続点ｂ
の間に抵抗Ｒ３、接続点ｂと接続点ｑの間に抵抗Ｒ４を
接続している。このときの各抵抗の関係は、 Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ４ Ｒ１…Ｒ４ ＜＜ Ｓ１，Ｓ４，Ｄ１〜Ｄ４のオフ時の
見掛け上の抵抗値 の関係を満足するのが最も良い条件である。

【００２８】本発明のスイッチモジュールは、上述のご
とく理論上は、内部のスイッチング素子の２倍の耐電圧
があることになるが、実際のスイッチング素子やダイオ
ードはオフしているときにも例えば１ｍＡ程度のわずか
な漏れ電流があり、さらにこれはスイッチング素子によ
って多少のばらつきがる。このため、スイッチモジュー
ルがオフしているときにスイッチング素子やダイオード
の漏れ電流の差によってスイッチング素子の電圧分担に
差が生じ、高電圧下で動作させているとき片方のスイッ
チング素子が高い電圧を分担するようなことが起こりう
る。そこで、ＩＧＢＴがオフ時に、接続点ａと接続点ｂ
の電位が、それぞれ接続点ｐと接続点ｑの中間電位とな
るように分圧抵抗Ｒ１〜Ｒ４を接続している。

【００２９】ここで、スイッチモジュールに電流が流れ
ていないときは、Ｌ１の両端には電流が流れていないの
でＬ１では電圧降下がない。従って、分圧抵抗はＲ１と
Ｒ４、または、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４な
どの組合せで最低限２つあればよいことになる。

【００３０】図５は，本発明の第三の実施例を示してい
る。上記第二の実施例では抵抗Ｒ１〜Ｒ４でスイッチの
電圧分担を均等にする方法を述べたが、スイッチング素
子のスイッチング動作によって、瞬間的にスイッチ両端
の電圧変化がおこり、これがきっかけで前記電圧分担が
ごく短時間に不均等になることを防ぐ目的で、Ｒ１〜Ｒ
４に並列にコンデンサＣ１〜Ｃ４を設けている。抵抗で
分圧する必要がない場合は、コンデンサだけで短時間の
電圧分担の不均衡が生じないように電圧を分圧すること
もできる。

【００３１】図６は、本発明の第四の実施例を示してい
る。図３で本発明の第一の実施例の動作を示したが、こ
の中で、スイッチング素子とは違い、ダイオードＤ２の
電圧はスイッチモジュール２の端子電圧まで瞬間的に上
昇することがわかる。従って、スイッチング素子の電圧
はスイッチモジュールの電圧の１／２であるが、ダイオ
ードの耐電圧はスイッチング素子の２倍のものを用意し
なければならない。そこで、図６ではスイッチング素子
と同じ耐電圧のダイーオードを２個直列に接続し、それ
ぞれのダイオードの電圧分担が一定になるようにダイオ
ード同士の接続点を抵抗Ｒ２’とＲ２”、Ｒ３’とＲ
３”で分圧している。この場合も図５の第三の実施例で
説明したようにコンデンサを加えて、あるいはコンデン
サだけで分圧することもできる。

【００３２】図７は、本発明の第五の実施例を示してい
る。図７では直流電源１にもう一つの直流電源１”を直
列に接続し、直流電源１の正側にスイッチモジュール２
を、直流電源１”の負側にスイッチモジュール３を接続
し、スイッチモジュール２と３、フィルタリアクトル６
を接続している。傾斜磁場コイル１０は直流電源１と
１”の接続点とリアクトル６との間に接続し、フィルタ
コンデンサ８を直流電源１”の負側と傾斜磁場コイル１
０との間に接続している。

【００３３】第五の実施例におけるスイッチモジュール
の構成とその動作は第一の実施例とまったく同様であ
る。この実施例では、直流電源を２個用意することによ
って、スイッチモジュール２個の比較的簡単な構成で傾
斜磁場電源装置を構成できるという特徴がある。

【００３４】

【発明の効果】以上で述べたように、本発明装置によれ
ば、スイッチ，ダイオード，インダクタンス，キャパシ
タンス，分圧手段などでスイッチモジュールを構成する
ことによって、従来装置で実現し得なかった、傾斜磁場
電源装置の高電圧，高周波動作を可能にし、高電圧，大
電流，高速応答，低リップルの磁場発生用電流を出力す
ることが可能になる。これによって、超高速撮像が可能
なＭＲＩ装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例。

【図２】第一の実施例におけるスイッチモジュール２内
部の電流の流れ方（動作モード）。

【図３】第一の実施例におけるスイッチモジュール２内
部の電流電圧波形。

【図４】本発明の第二の実施例。

【図５】本発明の第三の実施例。

【図６】本発明の第四の実施例。

【図７】本発明の第五の実施例。

【図８】磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置のシステ
ム構成。

【図９】従来の傾斜磁場電源装置の構成。

【図１０】従来の傾斜磁場電源の動作波形。

【図１１】スイッチング損失の発生原理。

【符号の説明】

１，１’，１” 直流電源 ２，３，４，５ スイッチングモジュール ６，７ リアクトル ８，９ コンデンサ １０ 傾斜磁場コイル ２０，２１ ＩＧＢＴ ２２，２３，２４，２５ ダイオード ３０ 画像処理ユニット ３１ ＭＲＩユニット ３２ 電波シールド室

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 静磁場発生部と、この静磁場に対して、
   位置によって異なる強度の磁場を重畳させる傾斜磁場発
   生部と、これら静磁場と傾斜磁場の中に置かれる被検体
   に対して高周波磁場を照射する高周波磁場発生部と、前
   記被検体から放射される電磁波をとらえて被検体の画像
   を構成する磁気共鳴イメージング装置において、前記傾
   斜磁場発生部は、傾斜磁場コイルと、これに傾斜磁場発
   生用電流を供給する傾斜磁場電源装置とからなり、この
   傾斜磁場電源装置は、直流電源と、この直流電源の正極
   に接続された第一のスイッチモジュール及び負極に接続
   された第二のスイッチモジュールからなる第一の直列接
   続体を有すると共に前記正極に接続された第三のスイッ
   チモジュール及び負極に接続された第四のスイッチモジ
   ュールからなり前記第一の直列接続体に並列接続された
   第二の直列接続体を有し前記第一のスイッチモジュール
   と第二のスイッチモジュールの接続点と前記第三のスイ
   ッチモジュールと第四のスイッチモジュールの接続点と
   の間に前記傾斜磁場コイルとフィルタを接続してこの傾
   斜磁場コイルに電流を流す回路を構成及び二つの直流電
   源を直列接続しこれらの直流電源の接続点を中性点とす
   る電源部と、この電源部の正極に接続された第五のスイ
   ッチモジュール及び負極に接続された第六のスイッチモ
   ジュールからなる第一の直列接続体を有し前記第五のス
   イッチモジュールと第六のスイッチモジュールの接続点
   と前記電源部の中性点との間に前記傾斜磁場コイルとフ
   ィルタを接続してこの傾斜磁場コイルに電流を流す回路
   を構成するものであって、前記スイッチモジュールは、
   第一の接続点と第二の接続点との間に接続された第一の
   スイッチング素子と、この第一のスイッチング素子に逆
   方向に並列接続された第一のダイオードと、第三の接続
   点から第二の接続点に向けて接続された第二のダイオー
   ドと、第四の接続点から第一の接続点に向かって接続さ
   れた第三のダイオードと、第四の接続点と第三の接続点
   との間に接続された第二のスイッチング素子と、この第
   二のスイッチング素子に逆方向に並列接続された第四の
   ダイオードと、第二の接続点と第四の接続点との間に接
   続されたインダクタンスと、第一と第三の接続点に接続
   されたキャパシタンスとから構成され、前記第一と第三
   の接続点がこのスイッチモジュールの端子となっている
   ことを特徴とする傾斜磁場電源装置を備えた磁気共鳴イ
   メージング装置。
2. 【請求項２】 前記第一と第二、及び、第二と第三の接
   続点間、あるいは、前記第一と第四及び第四と第三の接
   続点間に電圧の分担手段を接続したことを特徴とする請
   求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。