JPH10308438A - Method of detecting carrier and wafer in carrier - Google Patents

Method of detecting carrier and wafer in carrier

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JPH10308438A
JPH10308438A JP13436397A JP13436397A JPH10308438A JP H10308438 A JPH10308438 A JP H10308438A JP 13436397 A JP13436397 A JP 13436397A JP 13436397 A JP13436397 A JP 13436397A JP H10308438 A JPH10308438 A JP H10308438A
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JP
Japan
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wafer
carrier
optical path
light
lid
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JP13436397A
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Japanese (ja)
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Hiroaki Saeki
弘明 佐伯
Teruo Asakawa
輝雄 浅川
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a wafer detector from being an obstacle to carrier carriage by reducing the setting space of the wafer detector, and to surely detect the presence or absence of a wafer with high precision without being affected by the result of the optical precision of a carrier. SOLUTION: A carrier 10 is provided with a carrier main body 11 for housing plural wafers W with constant intervals and a cover 12 attached to the wafer fetching port of the carrier main body 11 so as to be attachable and detachable. Also, a protrusion for interposing each wafer W is provided on the inside face of the cover 12 corresponding to each wafer W, and each protrusion is provided with an optical path converting means 32, that is, half mirrors 12B and 12C for converting a parallel light beam L1 with the wafer W introduced in the carrier mail body 11 into a direction crossing each wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程で
用いられる半導体ウエハ搬送用のキャリア及びキャリア
内のウエハ検出方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier for transporting a semiconductor wafer used in a semiconductor manufacturing process and a method for detecting a wafer in the carrier.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程では各半導体製造装置や
検査装置間で半導体ウエハ(以下、「単にウエハ」と称
す。)を搬送する場合にはキャリアが用いられる。キャ
リア内には例えば25枚あるいは13枚ずつ収納するこ
とができ、例えばウエハをロット単位でキャリア内に収
納し、ウエハに各種の処理を施し、検査するようにして
いる。また、各半導体製造装置ではキャリア単位でウエ
ハを受け入れ、キャリアを外部から遮断した状態でキャ
リアからウエハを取り出して所定の処理を施すため、キ
ャリア内の全ウエハが確実に取り出されたか否かを直接
確認する必要があるが、外部からは直接確認することは
できない。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a carrier is used when a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") is transferred between semiconductor manufacturing apparatuses and inspection apparatuses. For example, 25 or 13 wafers can be stored in the carrier. For example, wafers are stored in the carrier in lot units, and various processes are performed on the wafers for inspection. In addition, each semiconductor manufacturing apparatus receives a wafer in a carrier unit, takes out the wafer from the carrier in a state where the carrier is shut off from the outside, and performs a predetermined process, so it is directly determined whether or not all the wafers in the carrier have been taken out. Confirmation is required, but cannot be confirmed directly from outside.

【0003】そのため、従来から半導体製造装置には例
えば発光素子及び受光素子を用いて光学的にウエハを検
出するウエハ検出器が装備されている。このようなウエ
ハ検出器の一機種は、例えば上下あるいは左右に互いに
対峙させて配置された発光素子及び受光素子を有し、両
素子間にキャリアを設置してキャリア内のウエハを検出
するタイプのものがある(以下、「対峙型ウエハ検出
器」と称す)。この対峙型の場合には、発光素子から相
対する受光素子に向けて赤外線等の光線を照射し、受光
素子における照射光線の検出の有無でキャリア内のウエ
ハの有無を検出している。また、他の機種は、例えば同
一側に配置された発光素子及び受光素子と、これら両者
と対向する位置に配置された反射鏡とを備えたものがあ
る(以下、「反射型ウエハ検出器」と称す)。この反射
型の場合には、発光素子から反射鏡に向けて光線を照射
し、受光素子における反射鏡からの反射光線の検出の有
無でキャリア内のウエハの有無を検出している。
For this reason, semiconductor manufacturing apparatuses are conventionally provided with a wafer detector that optically detects a wafer using, for example, a light emitting element and a light receiving element. One type of such a wafer detector has, for example, a light-emitting element and a light-receiving element that are arranged vertically or horizontally facing each other, and a carrier is installed between the two elements to detect a wafer in the carrier. (Hereinafter, referred to as a "confronting wafer detector"). In the case of the confronting type, a light beam such as an infrared ray is irradiated from the light emitting element to the light receiving element facing the light emitting element, and the presence or absence of the wafer in the carrier is detected by detecting the irradiation light beam in the light receiving element. Other models include, for example, a light-emitting element and a light-receiving element arranged on the same side, and a reflecting mirror arranged at a position facing both of them (hereinafter, "reflective wafer detector"). ). In the case of the reflection type, a light beam is emitted from the light emitting element toward the reflecting mirror, and the presence or absence of the wafer in the carrier is detected by detecting whether or not the light receiving element detects the reflected light from the reflecting mirror.

【0004】また、現在のところ、ウエハは6インチあ
るいは8インチが主流であるが、いずれ一気に12イン
チ(300mm)のウエハに移行する傾向にある。これ
に伴って半導体製造装置は12インチウエハ対応したも
のが開発されつつある。この場合、単にウエハが大口径
化、大重量化するばかりではなく、ウエハに形成される
集積回路の線幅がサブクォータミクロン以下の超微細構
造になるため、各半導体製造工場ではクリーンルームの
超清浄化技術やウエハの自動搬送化技術が更に各半導体
製造装置や検査装置の省スペース化が益々重要になって
来る。このようにウエハが大口径化するに伴って半導体
製造の自動化が益々促進され、オペレータの介在する場
面が軽減されると、従来にもましてウエハ検出器の重要
性が増して来る。
At present, 6 inches or 8 inches of wafers are the mainstream, but there is a tendency to shift to 12 inches (300 mm) wafers at a stretch. Along with this, a semiconductor manufacturing apparatus corresponding to a 12-inch wafer is being developed. In this case, not only does the wafer increase in diameter and weight but also the line width of the integrated circuit formed on the wafer becomes an ultra-fine structure of sub-quarter microns or less. It is becoming more and more important for the semiconductor technology and the inspection technology to reduce the space of the semiconductor technology and the automatic wafer transport technology. As described above, as the diameter of a wafer becomes larger, automation of semiconductor manufacturing is further promoted, and the situation in which an operator intervenes is reduced, the importance of a wafer detector is increased more than before.

【0005】そして、キャリア自体も従来のものをその
まま適用できなくなって来る。例えば、8インチのウエ
ハまでは各工程間でウエハを搬送する時にはウエハを立
てた状態でキャリアを搬送し、各工程の半導体製造装置
に対する搬出入を行う時にはウエハを水平にするのが一
般的であった。ところが、12インチ(300mm)の
ウエハの場合にはウエハを立てたまま搬送すると自重や
搬送時の振動等でウエハの下端部が損傷することがある
ため、ウエハを水平にした状態でキャリアを搬送し、各
工程の半導体製造装置に対する搬出入を行う時にはその
ままの水平状態で行うようになって来ている。現在のと
ころ、12インチウエハ用のキャリアとしては、例えば
大きく分けてオープン方式のキャリアと、キャリアをポ
ッド内に収納して蓋をする密閉方式のポッド(例えば、
ユニファイド・ポッド)が考えられている。
[0005] The conventional carrier itself cannot be applied as it is. For example, up to an 8-inch wafer, it is common practice to transport the carrier with the wafer upright when transporting the wafer between each process, and to level the wafer when loading and unloading the semiconductor manufacturing equipment in each process. there were. However, in the case of a 12-inch (300 mm) wafer, if the wafer is transported while standing, the lower end of the wafer may be damaged due to its own weight or vibration during transport, so the carrier is transported while the wafer is horizontal. However, when carrying in and out of the semiconductor manufacturing apparatus in each process, it is performed in a horizontal state as it is. At present, as a carrier for a 12-inch wafer, for example, an open type carrier and a closed type pod (e.g., a closed type pod in which the carrier is housed in a pod and covered) are roughly divided.
Unified Pod) is being considered.

【0006】いずれのキャリアを用いるにしても、ウエ
ハに伴ってキャリアが大型化すると、半導体製造装置や
検査装置にも大型キャリア対策が必要になって来る。特
に、キャリア内のウエハを取りこぼしなく全てのウエハ
に対して処理を施したか否かが重要であり、従来にもま
してキャリア内のウエハを確実に検出する必要がある。
Regardless of which carrier is used, if the size of the carrier increases with the wafer, a measure for the large carrier is required in a semiconductor manufacturing apparatus and an inspection apparatus. In particular, it is important whether all wafers are processed without missing any wafers in the carrier, and it is necessary to more reliably detect wafers in the carrier than ever before.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
対峙型のウエハ検出器を用いたウエハ検出方法の場合に
は、発光素子及び受光素子がキャリアの搬送路あるいは
設置場所の上下あるいは左右において対峙して配置され
ているため、キャリアを搬送する際にウエハ検出器が邪
魔になることがあった。また、キャリアが光沢的に高精
度に成形されている訳ではなく、光軸が歪む可能性があ
り、照射光を精度良く受光できるという保証はない。更
に、発光素子及び受光素子を対峙して配置するため、発
光素子及び受光素子それぞれに固有のスペースを割かざ
るを得ず、今後の省スペース化を勘案すれば各素子に固
有のスペースを割くことは好ましくない。一方、従来の
反射型のウエハ検出器を用いたウエハ検出方法の場合に
は、反射鏡からの反射光かウエハからの反射光かを識別
することができず、ウエハの有無を誤って検出する虞が
ある。
However, in the conventional wafer detecting method using a confronting wafer detector, the light emitting element and the light receiving element face each other at the top and bottom or at the right and left of the carrier transport path or the installation location. In such a case, the wafer detector may hinder the transfer of the carrier. Further, the carrier is not formed with high gloss glossiness, and the optical axis may be distorted, and there is no guarantee that the irradiation light can be accurately received. Furthermore, since the light-emitting element and the light-receiving element are arranged to face each other, a unique space must be allocated to each of the light-emitting element and the light-receiving element, and in consideration of future space saving, a space specific to each element must be allocated. Is not preferred. On the other hand, in the case of a conventional wafer detection method using a reflection-type wafer detector, it is impossible to distinguish between reflected light from a reflecting mirror and reflected light from a wafer, and the presence or absence of a wafer is erroneously detected. There is a fear.

【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ウエハ検出器の設置スペースの削減を図っ
てキャリア搬送の邪魔にならず、しかもキャリアの光学
的精度の出来具合に左右されることなく高精度にウエハ
の有無を確実に検出することができるキャリア及びキャ
リア内のウエハ検出方法を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and does not hinder the carrier conveyance by reducing the installation space for the wafer detector, and is influenced by the optical precision of the carrier. It is an object of the present invention to provide a carrier capable of reliably detecting the presence or absence of a wafer without high accuracy and a method for detecting a wafer in the carrier.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のキャリアは、複数のウエハをそれぞれ一定の間隔を空
けて収納するキャリア本体と、このキャリア本体のウエ
ハ取出口に着脱可能に取り付けられた蓋とを有するキャ
リアにおいて、上記キャリア本体または上記蓋に上記各
ウエハを挟む突起を上記各ウエハに対応して設けると共
に、上記キャリア本体内に導入される上記ウエハとの平
行光線を上記各ウエハを横切る方向に変換する光路変換
手段を上記各突起に設けたことを特徴とするものであ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a carrier body for accommodating a plurality of wafers at regular intervals, and a detachably mounted wafer outlet of the carrier body. In a carrier having a lid, a projection that sandwiches each of the wafers is provided on the carrier body or the lid in correspondence with each of the wafers, and a parallel light beam with the wafer that is introduced into the carrier body is irradiated with each of the wafers. An optical path changing means for converting light in a direction crossing the wafer is provided on each of the protrusions.

【0010】また、本発明の請求項2に記載のキャリア
は、請求項1に記載の発明において、上記光路変換手段
が、上記突起の先端部に互いに交差する方向に形成され
た一対のテーパ面と、各テーパ面にそれぞれ形成された
ハーフミラーとからなることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the carrier according to the first aspect, wherein the optical path changing means is formed by a pair of tapered surfaces formed in directions intersecting each other at the tips of the projections. And a half mirror formed on each tapered surface.

【0011】また、本発明の請求項3に記載のキャリア
は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上
記光路変換手段に向けて光線を照射する発光素子を上記
キャリア本体または上記蓋に設けると共に、上記光路変
換手段の両隣の光路変換手段によって光路変換された反
射光線を受光する受光素子を上記キャリア本体または上
記蓋に設けたことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the carrier according to the first or second aspect, the light emitting element for irradiating a light beam toward the optical path changing means is provided on the carrier body or the lid. And a light receiving element for receiving the reflected light beam whose optical path has been converted by the optical path changing means on both sides of the optical path changing means is provided on the carrier body or the lid.

【0012】また、本発明の請求項4に記載のキャリア
内のウエハ検出方法は、複数のウエハをそれぞれ一定の
間隔を空けて収納するキャリア本体及びこのキャリア本
体のウエハ取出口に着脱可能に取り付けられた蓋とを有
するキャリア内のウエハを検出する方法において、上記
キャリア本体または上記蓋に上記各ウエハを挟む突起の
先端部にそれぞれ設けられた光路変換手段に上記ウエハ
との平行光線を順次照射し、この照射光線を上記光路変
換手段によって上記ウエハを横切る方向に変換して変換
後の光線の検出の有無によって上記ウエハの有無を検出
することを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a wafer in a carrier, wherein the carrier body accommodating a plurality of wafers at predetermined intervals, and the wafer is detachably attached to a wafer outlet of the carrier body. Detecting a wafer in a carrier having a cover provided thereon, and sequentially irradiating a parallel light beam with the wafer to an optical path changing means provided at a tip end of a protrusion sandwiching each wafer on the carrier body or the cover. The irradiation light beam is converted by the optical path changing means in a direction crossing the wafer, and the presence or absence of the converted light beam is detected to detect the presence or absence of the wafer.

【0013】また、本発明の請求項5に記載のキャリア
内のウエハ検出方法は、請求項4に記載の発明におい
て、上記突起の先端部に互いに交差する方向に形成され
た一対のテーパ面及び各テーパ面にそれぞれ形成された
ハーフミラーとからなる上記光路変換手段に上記平行光
線を照射することを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a wafer in a carrier according to the fourth aspect of the present invention, wherein a pair of tapered surfaces formed in directions intersecting with each other at the tips of the projections are provided. The parallel light beam is applied to the optical path changing means comprising a half mirror formed on each tapered surface.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図3に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のキャリア1
0は、図1〜図3に示すように、例えば12インチ(3
00mm)のウエハを13枚あるいは25枚収納する、
ポリカーボネート、PEEK(ポリエーテルエーテルケ
トン)等の合成樹脂によって形成された密閉式のポッド
として構成されている。このキャリア10は、例えば図
1に示すように、上記材料によって透明に形成され且つ
13枚のウエハWをそれぞれ一定の間隔を空けて収納す
るキャリア本体11と、このキャリア本体11のウエハ
取出口に着脱可能に装着された光学的に透明な蓋12と
を有している。また、キャリア本体11の上壁11Aに
は被把持部13が取り付けられ、天井に配置されたキャ
リア搬送装置(図示せず)によって被把持部13を把持
して各半導体製造装置間でキャリア10を自動搬送する
ようにしてある。更に、このキャリア10内には例えば
窒素ガスが封入され、ウエハの自然酸化を極力防止する
と共に内部をクリーンな環境にしている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS. Carrier 1 of the present embodiment
0 is, for example, 12 inches (3
13 mm or 25 mm)
It is configured as a closed pod formed of a synthetic resin such as polycarbonate and PEEK (polyetheretherketone). The carrier 10 is, for example, as shown in FIG. 1, formed of a transparent material made of the above-described material and accommodating thirteen wafers W at regular intervals, and a carrier outlet 11 of the carrier body 11. And an optically transparent lid 12 detachably mounted. A gripper 13 is attached to the upper wall 11A of the carrier body 11, and the gripper 13 is gripped by a carrier transporting device (not shown) arranged on the ceiling to transfer the carrier 10 between the respective semiconductor manufacturing apparatuses. It is automatically transported. Further, the carrier 10 is filled with, for example, nitrogen gas to prevent natural oxidation of the wafer as much as possible and to make the inside clean.

【0015】また、上記キャリア10は例えば図2、図
3に示す半導体製造装置20に設置してキャリア10内
のウエハWに対して所定の処理を施すようにしてある。
半導体製造装置20のキャリア関連部分は例えば図2、
図3に示すように構成されている。尚、図2は半導体製
造装置20の外側からの斜視図であり、図3は図2の状
態を半導体製造装置20の内側から見た斜視図である。
即ち、各図に示すように、半導体製造装置20のフロン
トパネル21にはキャリア10の蓋12が嵌入する開口
部22が形成され、また、フロントパネル21には開口
部22に対応するキャリア載置部23が配設されてい
る。このキャリア載置部23は図示しない駆動機構を介
して基台24上で前後(各図の矢印方向)に移動できる
ように構成されている。キャリア載置部23上面には位
置決め部材(図示せず)が配設され、この位置決め部材
を介してキャリア10を自動的に所定位置に位置決めで
きるようにしてある。従って、キャリア10を位置決め
部材によって位置決めした状態でキャリア載置部23上
に載置し、開口部22へ進出させると、キャリア10の
蓋12が開口部22に嵌入して図2に示す状態になる。
The carrier 10 is installed in, for example, a semiconductor manufacturing apparatus 20 shown in FIGS. 2 and 3, and performs a predetermined process on a wafer W in the carrier 10.
The carrier-related portion of the semiconductor manufacturing apparatus 20 is, for example, as shown in FIG.
It is configured as shown in FIG. 2 is a perspective view from the outside of the semiconductor manufacturing apparatus 20, and FIG. 3 is a perspective view of the state of FIG.
That is, as shown in each figure, an opening 22 into which the lid 12 of the carrier 10 is fitted is formed in the front panel 21 of the semiconductor manufacturing apparatus 20, and the carrier mounting portion corresponding to the opening 22 is formed in the front panel 21. A part 23 is provided. The carrier mounting portion 23 is configured to be able to move back and forth (in the direction of the arrow in each drawing) on the base 24 via a drive mechanism (not shown). A positioning member (not shown) is provided on the upper surface of the carrier mounting portion 23, and the carrier 10 can be automatically positioned at a predetermined position via the positioning member. Accordingly, when the carrier 10 is placed on the carrier placing portion 23 while being positioned by the positioning member and is advanced to the opening 22, the lid 12 of the carrier 10 is fitted into the opening 22 and the state shown in FIG. Become.

【0016】また、上記半導体製造装置20は、例えば
図3に示すように、フロントパネル21の開口部22と
嵌合したキャリア10の蓋12を開閉するオープナ25
を備え、ウエハWの中継室(図示せず)に配設されたウ
エハ搬送機構を介してキャリア本体11内の全ウエハW
を一括して中継室内へ移載するようにしてある。そし
て、例えばオープナ25には図1に示すウエハ検出器3
0が装備され、このウエハ検出器30によってキャリア
本体11内のウエハWを検出するようにしてある。
As shown in FIG. 3, for example, the semiconductor manufacturing apparatus 20 includes an opener 25 for opening and closing the lid 12 of the carrier 10 fitted to the opening 22 of the front panel 21.
And all the wafers W in the carrier main body 11 via a wafer transfer mechanism disposed in a relay chamber (not shown) for the wafers W.
Are collectively transferred into the relay room. Then, for example, the wafer detector 3 shown in FIG.
0, and the wafer detector 30 detects the wafer W in the carrier main body 11.

【0017】上記ウエハ検出器30は、キャリア10の
蓋12に対して直交し、キャリア本体11内のウエハW
と平行な光線を蓋11の外面から照射する複数の発光素
子31と、これらの発光素子31によって照射された光
線を蓋12に形成された光路変換手段32を介して受光
する複数の受光素子33と、これら両光学素子31、3
3をシーケンス制御するセンサコントローラ34とを備
え、キャリア本体11内のウエハWを1枚ずつ検出する
ようにしてある。また、センサコントローラ34は、図
1に示すように、半導体製造装置20のコントローラ2
7の制御下で駆動するようになっている。そして、これ
らの発光素子31及び受光素子33はセンサアレイ35
として一体化し、キャリア本体11内の13枚のウエハ
Wに対応して上下方向に縦列に配列されている。このセ
ンサアレイ35は、1個の発光素子31から照射された
光線L1を光路変換手段32を介して上下で隣接する2
個の受光素子33により受光するようにしてある。
The wafer detector 30 is orthogonal to the lid 12 of the carrier 10 and
A plurality of light emitting elements 31 for irradiating light rays parallel to the light from the outer surface of the lid 11, and a plurality of light receiving elements 33 for receiving light rays radiated by these light emitting elements 31 through optical path conversion means 32 formed on the lid 12 And these two optical elements 31, 3
And a sensor controller 34 for controlling the sequence of the wafers 3 in order to detect the wafers W in the carrier body 11 one by one. Further, as shown in FIG. 1, the sensor controller 34 is a controller 2 of the semiconductor manufacturing apparatus 20.
7 is controlled. The light emitting element 31 and the light receiving element 33 are connected to the sensor array 35.
And are vertically arranged in tandem with the 13 wafers W in the carrier body 11. The sensor array 35 is arranged such that the light beam L1 emitted from one light emitting element 31 is vertically
The light is received by the light receiving elements 33.

【0018】上記光路変換手段32は上記蓋12の内面
に形成されている。即ち、この蓋12の内面には図1に
示すようにキャリア本体11内に収納された各ウエハW
をそれぞれ上下から挟む突起14が各ウエハWに対応し
て水平に突出させて形成され、各突起14の断面形状が
櫛歯状に形成されている。各突起14の先端には例えば
45°の傾斜角を有する上下一対のテーパ面14A、1
4Bが形成され、しかも、各テーパ面14A、14Bは
光路変換手段32となるハーフミラーとして形成されて
いる。そのため、以下ではテーパ面をハーフミラーと称
す。
The optical path changing means 32 is formed on the inner surface of the lid 12. That is, as shown in FIG. 1, each wafer W stored in the carrier main body 11 is placed on the inner surface of the lid 12.
Are formed so as to protrude horizontally corresponding to each wafer W, and the cross-sectional shape of each protrusion 14 is formed in a comb shape. For example, a pair of upper and lower tapered surfaces 14A, 1A, 1
4B are formed, and each of the tapered surfaces 14A and 14B is formed as a half mirror serving as the optical path changing means 32. Therefore, the tapered surface is hereinafter referred to as a half mirror.

【0019】従って、上記蓋12の外側の発光素子31
から突起14に対して水平に入射した光線L1は、図1
に示すように、突起14の上下のハーフミラー14A、
14Bによりそれぞれ90°だけ光路変換されてウエハ
Wを横切る方向(上下両方向)に進行するようにしてあ
る。上ハーフミラー14Aからの反射光L2の一部は、
同一突起14の下ハーフミラー14Bを透過し、下隣の
突起14の上ハーフミラー14Aを透過した後、同一突
起14の下ハーフミラー14Bで90°だけ光路変換さ
れて蓋12を透過し、発光素子31の下隣の受光素子3
3で受光されるようにしてある。同様に下ハーフミラー
14Bからの反射光L3は上隣の突起14のハーフミラ
ー14B、14Aを介して蓋12を透過し上隣の受光素
子33で受光されるようにしてある。
Therefore, the light emitting element 31 outside the lid 12
The light beam L1 horizontally incident on the projection 14 from FIG.
As shown in the figure, half mirrors 14A above and below the projection 14,
The optical path is changed by 90 degrees by 14B, and the light travels in a direction crossing the wafer W (up and down directions). Part of the reflected light L2 from the upper half mirror 14A is
After transmitting through the lower half mirror 14B of the same protrusion 14 and transmitting through the upper half mirror 14A of the lower protrusion 14, the light path is changed by 90 ° by the lower half mirror 14B of the same protrusion 14, and the light passes through the lid 12 to emit light. Light receiving element 3 below element 31
3 is received. Similarly, the reflected light L3 from the lower half mirror 14B is transmitted through the lid 12 through the half mirrors 14B and 14A of the projection 14 on the upper side and received by the light receiving element 33 on the upper side.

【0020】次に、本実施形態のキャリア10を用いた
ウエハ検出方法の一実施態様を説明する。例えば、キャ
リア搬送装置によって被把持部13を把持してキャリア
10を搬送し、半導体製造装置20のキャリア載置部2
3上に載置すると、キャリア載置部23がフロントパネ
ル21に向けて進出し、キャリア10の蓋12がフロン
トパネル21の開口部22と嵌合する。その後、半導体
製造装置30の図示しないオープナ25が駆動して蓋1
2をキャリア本体11から取り外してウエハ取出口を開
放する。次いで、図示しない中継室内のウエハ搬送機構
が駆動してキャリア10内の全てのウエハWを一括して
キャリア10から中継室へ移載する。その後、ウエハ検
出器30が作動してキャリア10内にウエハWの取り残
しがないか否かを検出する。尚、ウエハWを中継室内へ
移載する前にウエハ検出器30を用いてキャリア本体1
1内の全ウエハWを検出することにより、キャリア10
内の各スロットにおけるウエハWを検出し、ウエハマッ
ピングを作成することもできる。
Next, an embodiment of a wafer detecting method using the carrier 10 of the present embodiment will be described. For example, the carrier 10 is transported while holding the gripped portion 13 by the carrier transport device, and the carrier mounting portion 2 of the semiconductor manufacturing apparatus 20 is transported.
When mounted on the carrier 3, the carrier mounting portion 23 advances toward the front panel 21, and the lid 12 of the carrier 10 fits into the opening 22 of the front panel 21. Thereafter, the opener 25 (not shown) of the semiconductor manufacturing apparatus 30 is driven to drive the lid 1
2 is removed from the carrier body 11 to open the wafer outlet. Next, the wafer transfer mechanism in the relay chamber (not shown) is driven to collectively transfer all the wafers W in the carrier 10 from the carrier 10 to the relay chamber. Thereafter, the wafer detector 30 operates to detect whether or not the wafer W remains in the carrier 10. Before the transfer of the wafer W into the transfer room, the carrier main body 1 using the wafer detector 30 is used.
By detecting all the wafers W in the carrier 1, the carrier 10
It is also possible to create a wafer mapping by detecting the wafer W in each slot in the.

【0021】即ち、ウエハ搬送機構を介してキャリア本
体11内のウエハWを中継室へ移載した後、オープナ2
5が駆動して蓋12をキャリア本体11に装着してウエ
ハ取出口を閉じる。その後、センサトレイ35の最上段
の発光素子31からウエハWと平行な光線L1を照射す
ると、光線L1は図1に示すようにキャリア本体11の
光学的に透明な蓋12内を透過して受光素子31に対応
する突起14の上下のハーフミラー14A、14Bへ入
射する。入射光L1は突起14の上下のハーフミラー1
4A、14Bによってそれぞれ反射されて光路が90°
変換されてウエハWを横切る方向へ進行する。
That is, after the wafer W in the carrier body 11 is transferred to the relay room via the wafer transfer mechanism,
5 is driven to attach the lid 12 to the carrier body 11 and close the wafer outlet. Thereafter, when a light beam L1 parallel to the wafer W is emitted from the uppermost light emitting element 31 of the sensor tray 35, the light beam L1 is transmitted through the optically transparent lid 12 of the carrier body 11 and received as shown in FIG. The light enters the half mirrors 14A and 14B above and below the projection 14 corresponding to the element 31. The incident light L1 is the half mirror 1 above and below the projection 14.
The optical path is reflected by 4A and 14B, respectively, and the optical path is 90 °.
It is converted and proceeds in a direction crossing the wafer W.

【0022】上ハーフミラー14Aでの反射光L2の一
部は下ハーフミラー14Bを透過し、下隣の上ハーフミ
ラー14Aから突起14内へ入射し、更に下ハーフミラ
ー14Bで光路が90°変換されて光線L1が入射した
方向へ戻り、光を照射した発光素子31の下隣の受光素
子33で受光される。一方、下ハーフミラー14Bでの
反射光L3は上ハーフミラー14Aを透過し、上隣の下
ハーフミラー14Bから突起14内へ入射し、更に上ハ
ーフミラー14Aで光路が90°変換されて光線L1が
入射した方向へ戻り、最上段の発光素子31の上隣の受
光素子33で受光される。
A part of the light L2 reflected by the upper half mirror 14A passes through the lower half mirror 14B, enters the projection 14 from the lower half mirror 14A next to the lower half mirror 14B, and further converts the optical path by 90 ° by the lower half mirror 14B. Then, the light beam L1 returns to the incident direction, and is received by the light receiving element 33 below the light emitting element 31 that has irradiated the light. On the other hand, the light L3 reflected by the lower half mirror 14B is transmitted through the upper half mirror 14A, enters the projection 14 from the lower half mirror 14B adjacent to the upper half mirror 14A, and further, the optical path is changed by 90 ° by the upper half mirror 14A, and the light L1 Returns to the direction in which the light is incident, and is received by the light receiving element 33 adjacent to and above the uppermost light emitting element 31.

【0023】これら一連の動作によってキャリア本体1
1内の最上段及びこの下の段にいずれか、あるいは双方
にウエハWが残存していると、反射光L2、L3のいずれ
か、あるいは双方がウエハWによって遮断され、それぞ
れの対応した受光素子33による反射光の受光がなく、
ウエハWの残存を検出することができる。その後、セン
サコントローラ34の制御下で残りの発光素子31から
順次光線L1を照射することにより他のウエハWの存否
を検出することができ、ひいてはキャリア本体11内の
ウエハWの取りこぼしの有無を検出することができる。
A series of these operations allows the carrier body 1
If the wafer W remains at one or both of the uppermost stage and the lower stage of the wafer 1, one or both of the reflected lights L2 and L3 are blocked by the wafer W, and the corresponding light receiving elements No reflected light is received by 33,
The remaining wafer W can be detected. Thereafter, by sequentially irradiating the light beam L1 from the remaining light emitting elements 31 under the control of the sensor controller 34, the presence or absence of another wafer W can be detected, and thus the presence or absence of the wafer W in the carrier body 11 can be detected. can do.

【0024】以上説明したよう本実施形態によれば、キ
ャリア10の蓋12の内面にウエハWを挟む突起14を
各ウエハWに対応して設けると共に、ウエハ検出器30
の発光素子31からキャリア本体11内に導入されるウ
エハWとの平行光線L1を各ウエハWを横切る方向に変
換する光路変換手段32(上下のハーフミラー14A、
14B)を各突起14の先端に設けたため、上下のハー
フミラー14A、14Bによる反射光L2、L3を受光素
子33で受光するか否かでキャリア本体11内のウエハ
Wの有無を確実に検出することができ、ウエハWの有無
を誤って検出する虞もない。また、オープナ25内にセ
ンサアレイ35を装着できるため、ウエハ検出器30に
専用のスペースを割く必要がなく、しかもウエハ搬送の
邪魔になることもない。更に、発光素子31から受光素
子33に至る照射光L1の距離が短いため、蓋12の光
学的精度の出来具合に左右されることなく、ウエハWの
存否を確実に検出することができる。
As described above, according to the present embodiment, the projections 14 sandwiching the wafer W are provided on the inner surface of the lid 12 of the carrier 10 in correspondence with each wafer W, and the wafer detector 30 is provided.
Optical path conversion means 32 (upper and lower half mirrors 14A, 14A) for converting a parallel ray L1 from the light emitting element 31 to the wafer W introduced into the carrier main body 11 in a direction crossing each wafer W.
Since 14B) is provided at the tip of each projection 14, the presence or absence of the wafer W in the carrier main body 11 is reliably detected by whether or not the light receiving elements 33 receive the reflected light L2, L3 from the upper and lower half mirrors 14A, 14B. Therefore, there is no possibility of erroneously detecting the presence or absence of the wafer W. Further, since the sensor array 35 can be mounted in the opener 25, there is no need to devote a dedicated space to the wafer detector 30, and there is no hindrance to wafer transfer. Furthermore, since the distance of the irradiation light L1 from the light emitting element 31 to the light receiving element 33 is short, the presence or absence of the wafer W can be reliably detected without being affected by the optical accuracy of the lid 12.

【0025】尚、上記実施形態ではセンサアレイ35を
半導体製造装置20のオープナ25に設けた場合につい
て説明したが、センサアレイ35をキャリア10側、例
えば蓋12やキャリア本体11に設けても良い。蓋12
に設ける場合にはウエハWを挟む突起14は上述したも
のをそのまま使用することができるが、キャリア本体1
1に設ける場合にはセンサアレイ35の位置に対応させ
た位置に各突起を設ける必要がある。例えば、センサア
レイをキャリア本体11の側壁に設ける場合には光学的
に透明なキャリア本体の側壁の内面に形成された各ウエ
ハ支持溝を突起として利用することができる。また、セ
ンサアレイをキャリア10側に設けた場合には、センサ
コントローラ34もキャリア10に設けると共に受光素
子33のロット番号を認識する回路素子を設けることに
より、半導体製造装置や検査装置から独立させてウエハ
の有無を検出することができる。この場合には半導体製
造装置や検査装置との通信手段を設けることで、キャリ
ア内のウエハマップあるいは存否を半導体製造装置や検
査装置に対して通知することができる。更に、上記実施
形態では発光素子31及び受光素子33を蓋12の各突
起14に対応させて設けたものについて説明したが、発
光素子とこれに対応する受光素子を1個ずつ設けたもの
をウエハWの収納方向に走査させてキャリア10内の各
スロットのウエハWを1枚ずつ検出するようにしても良
い。
In the above embodiment, the case where the sensor array 35 is provided on the opener 25 of the semiconductor manufacturing apparatus 20 has been described. However, the sensor array 35 may be provided on the carrier 10 side, for example, on the lid 12 or the carrier body 11. Lid 12
In the case where the carrier body 1 is provided, the projection 14 sandwiching the wafer W can be used as it is.
In the case where the projections are provided at 1, the projections need to be provided at positions corresponding to the positions of the sensor array 35. For example, when the sensor array is provided on the side wall of the carrier main body 11, each wafer support groove formed on the inner surface of the optically transparent side wall of the carrier main body can be used as a projection. When the sensor array is provided on the carrier 10 side, the sensor controller 34 is also provided on the carrier 10 and a circuit element for recognizing the lot number of the light receiving element 33 is provided. The presence or absence of a wafer can be detected. In this case, by providing communication means with the semiconductor manufacturing apparatus and the inspection apparatus, it is possible to notify the semiconductor manufacturing apparatus and the inspection apparatus of a wafer map or presence / absence in the carrier. Further, in the above embodiment, the light emitting element 31 and the light receiving element 33 are provided corresponding to each projection 14 of the lid 12, but the light emitting element and the light receiving element corresponding to the light emitting element are provided one by one on a wafer. The wafer W in each slot in the carrier 10 may be detected one by one by scanning in the W storage direction.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項5に記載の発
明によれば、ウエハ検出器の設置スペースの削減を図っ
てキャリア搬送の邪魔にならず、しかもキャリアの光学
的精度の出来具合に左右されることなく高精度にウエハ
の有無を確実に検出することができるキャリア及びキャ
リア内のウエハ検出方法を提供することができる。
According to the first to fifth aspects of the present invention, it is possible to reduce the installation space for the wafer detector so as not to hinder the carrier conveyance and to improve the optical accuracy of the carrier. It is possible to provide a carrier capable of reliably detecting the presence or absence of a wafer with high accuracy without being affected by the condition, and a method of detecting a wafer in the carrier.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態のキャリアとウエハ検出器
との関係を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a relationship between a carrier and a wafer detector according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すキャリアを半導体製造装置のキャリ
ア載置部に設置した状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state where the carrier shown in FIG. 1 is installed on a carrier mounting portion of a semiconductor manufacturing apparatus.

【図3】図2に示した半導体製造装置のオープナを用い
てキャリア本体から蓋を取り外した状態を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view showing a state where a lid is removed from a carrier main body using an opener of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 キャリア 11 キャリア本体 12 蓋 14 突起 14A、14B ハーフミラー(光路変換手段) 32 光路変換手段 W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Carrier 11 Carrier main body 12 Lid 14 Projection 14A, 14B Half mirror (optical path conversion means) 32 Optical path conversion means W Wafer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のウエハをそれぞれ一定の間隔を空
けて収納するキャリア本体と、このキャリア本体のウエ
ハ取出口に着脱可能に取り付けられた蓋とを有するキャ
リアにおいて、上記キャリア本体または上記蓋に上記各
ウエハを挟む突起を上記各ウエハに対応して設けると共
に、上記キャリア本体内に導入される上記ウエハとの平
行光線を上記各ウエハを横切る方向に変換する光路変換
手段を上記各突起に設けたことを特徴とするキャリア。
1. A carrier having a carrier body for accommodating a plurality of wafers at predetermined intervals, and a lid detachably attached to a wafer outlet of the carrier body. Protrusions sandwiching the respective wafers are provided corresponding to the respective wafers, and each of the protrusions is provided with an optical path changing means for converting a parallel ray with the wafer introduced into the carrier main body in a direction crossing the respective wafers. A carrier characterized by that.
【請求項2】 上記光路変換手段が、上記突起の先端部
に互いに交差する方向に形成された一対のテーパ面と、
各テーパ面にそれぞれ形成されたハーフミラーとからな
ることを特徴とする請求項1に記載のキャリア。
2. A pair of tapered surfaces formed in a direction intersecting each other at the tip of the projection,
The carrier according to claim 1, comprising a half mirror formed on each tapered surface.
【請求項3】 上記光路変換手段に向けて光線を照射す
る発光素子を上記キャリア本体または上記蓋に設けると
共に、上記光路変換手段の両隣の光路変換手段によって
光路変換された反射光線を受光する受光素子を上記キャ
リア本体または上記蓋に設けたことを特徴とする請求項
1または請求項2に記載のキャリア。
3. A light-emitting element for irradiating a light beam toward the optical path changing means is provided on the carrier body or the lid, and a light receiving element for receiving a reflected light beam whose path has been changed by the optical path changing means on both sides of the optical path changing means. The carrier according to claim 1, wherein an element is provided on the carrier body or the lid.
【請求項4】 複数のウエハをそれぞれ一定の間隔を空
けて収納するキャリア本体及びこのキャリア本体のウエ
ハ取出口に着脱可能に取り付けられた蓋とを有するキャ
リア内のウエハを検出する方法において、上記キャリア
本体または上記蓋に上記各ウエハを挟む突起の先端部に
それぞれ設けられた光路変換手段に上記ウエハとの平行
光線を順次照射し、この照射光線を上記光路変換手段に
よって上記ウエハを横切る方向に変換して変換後の光線
の検出の有無によって上記ウエハの有無を検出すること
を特徴とするキャリア内のウエハ検出方法。
4. A method for detecting a wafer in a carrier having a carrier body for accommodating a plurality of wafers at regular intervals, and a lid detachably attached to a wafer outlet of the carrier body. A parallel light beam with the wafer is sequentially radiated to the optical path conversion means provided at the tip of the projection that sandwiches each wafer on the carrier body or the lid, and the irradiated light beam is traversed by the light path conversion means in a direction traversing the wafer. A method for detecting a wafer in a carrier, wherein the presence or absence of the wafer is detected based on whether or not the converted light beam is detected.
【請求項5】 上記突起の先端部に互いに交差する方向
に形成された一対のテーパ面及び各テーパ面にそれぞれ
形成されたハーフミラーとからなる上記光路変換手段に
上記平行光線を照射することを特徴とする請求項4に記
載のキャリア内のウエハ検出方法。
5. Irradiating said parallel light beam to said optical path changing means comprising a pair of tapered surfaces formed in a direction intersecting each other at the tip of said projection and a half mirror formed on each of said tapered surfaces. 5. The method for detecting a wafer in a carrier according to claim 4, wherein:
JP13436397A 1997-05-08 1997-05-08 Method of detecting carrier and wafer in carrier Pending JPH10308438A (en)

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US09/071,833 US6053983A (en) 1997-05-08 1998-05-04 Wafer for carrying semiconductor wafers and method detecting wafers on carrier
TW087106996A TW444316B (en) 1997-05-08 1998-05-06 Carrier for carrying semiconductor wafers and method of detecting wafers on carrier
KR1019980016403A KR100304468B1 (en) 1997-05-08 1998-05-08 Carrier for semiconductor wafer conveyance and wafer detection method in carrier

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795202B2 (en) 2002-11-15 2004-09-21 Tdk Corporation Wafer processing apparatus having wafer mapping function
US6984839B2 (en) 2002-11-22 2006-01-10 Tdk Corporation Wafer processing apparatus capable of mapping wafers
JP2007311832A (en) * 2007-09-03 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for detecting substrate
US7379174B2 (en) 2004-10-26 2008-05-27 Tdk Corporation Wafer detecting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795202B2 (en) 2002-11-15 2004-09-21 Tdk Corporation Wafer processing apparatus having wafer mapping function
US6984839B2 (en) 2002-11-22 2006-01-10 Tdk Corporation Wafer processing apparatus capable of mapping wafers
US7379174B2 (en) 2004-10-26 2008-05-27 Tdk Corporation Wafer detecting device
JP2007311832A (en) * 2007-09-03 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method for detecting substrate
JP4570102B2 (en) * 2007-09-03 2010-10-27 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate detection method

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