JPH10308043A - 情報再生方法及び情報再生装置 - Google Patents
情報再生方法及び情報再生装置Info
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- JPH10308043A JPH10308043A JP9115791A JP11579197A JPH10308043A JP H10308043 A JPH10308043 A JP H10308043A JP 9115791 A JP9115791 A JP 9115791A JP 11579197 A JP11579197 A JP 11579197A JP H10308043 A JPH10308043 A JP H10308043A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の回折限界以下の周期の信号が高速で再生
可能となり、微少な記録磁区に対しても大きな記録磁区
の場合とほぼ同じ振幅で再生信号が得られ、記録密度並
びに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録の再生方法
を提供する。 【解決手段】 室温において交換結合して順次積層され
ている第１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を
少なくとも有する磁気記録媒体であって、第１の磁性層
は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて
相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁性膜
からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層および第３の
磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる磁気記
録媒体を用い、媒体上に、情報トラックに沿って少なく
とも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布を
形成して情報の再生を行う情報再生方法。
可能となり、微少な記録磁区に対しても大きな記録磁区
の場合とほぼ同じ振幅で再生信号が得られ、記録密度並
びに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録の再生方法
を提供する。 【解決手段】 室温において交換結合して順次積層され
ている第１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を
少なくとも有する磁気記録媒体であって、第１の磁性層
は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて
相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁性膜
からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層および第３の
磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる磁気記
録媒体を用い、媒体上に、情報トラックに沿って少なく
とも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布を
形成して情報の再生を行う情報再生方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利
用してレーザ光により情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体等に関し、更に詳しくは媒体の高密度記録化を可能
とする光磁気記録媒体による情報の再生方法、および光
磁気記録媒体を用いた情報再生装置に関する。
用してレーザ光により情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体等に関し、更に詳しくは媒体の高密度記録化を可能
とする光磁気記録媒体による情報の再生方法、および光
磁気記録媒体を用いた情報再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
また、近年この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
また、近年この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に
大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密
度は、再生光学系のレーザー波長および対物レンズの開
口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ
ー波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウ
ェストの径が決まるため、信号再生時の空間周波数は２
ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。したが
って、従来の光ディスクで高密度化を実現するために
は、再生光学系のレーザー波長を短くしたり、対物レン
ズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしなが
ら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限度
がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工
夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。
度は、再生光学系のレーザー波長および対物レンズの開
口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ
ー波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウ
ェストの径が決まるため、信号再生時の空間周波数は２
ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。したが
って、従来の光ディスクで高密度化を実現するために
は、再生光学系のレーザー波長を短くしたり、対物レン
ズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしなが
ら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限度
がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工
夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００４】例えば、特開平６−２９０４９６号におい
ては、記録マークの境界に存在する磁壁を温度勾配によ
って移動させ、この磁壁の移動を検出することによって
高密度な記録信号を再生する方法が提案されている。こ
の方法によれば、記録媒体が磁壁が移動する温度に加熱
された瞬間に磁壁の移動が起こり、この磁壁の移動を検
出することによって高密度な記録信号を再生するので、
光の回折限界に全く依存せずに信号が再生可能となる。
ては、記録マークの境界に存在する磁壁を温度勾配によ
って移動させ、この磁壁の移動を検出することによって
高密度な記録信号を再生する方法が提案されている。こ
の方法によれば、記録媒体が磁壁が移動する温度に加熱
された瞬間に磁壁の移動が起こり、この磁壁の移動を検
出することによって高密度な記録信号を再生するので、
光の回折限界に全く依存せずに信号が再生可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−２９０４９６号記載の光磁気再生方法では、再生用
のレーザーのスポット内で磁壁の移動を検出するのに十
分な距離だけ磁壁を移動させ得るような温度勾配を媒体
上に形成することが困難であるという課題を有してい
る。
６−２９０４９６号記載の光磁気再生方法では、再生用
のレーザーのスポット内で磁壁の移動を検出するのに十
分な距離だけ磁壁を移動させ得るような温度勾配を媒体
上に形成することが困難であるという課題を有してい
る。
【０００６】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、光の回折限界以下の周期
の信号が高速で再生可能となり、微少な記録磁区に対し
ても大きな記録磁区の場合とほぼ同じ振幅で再生信号が
得られ、記録密度並びに転送速度を大幅に向上でき、再
生装置の小型化も可能な光磁気記録媒体上の情報の再生
方法及び再生装置を提供することにある。
決すべくなされたものであり、光の回折限界以下の周期
の信号が高速で再生可能となり、微少な記録磁区に対し
ても大きな記録磁区の場合とほぼ同じ振幅で再生信号が
得られ、記録密度並びに転送速度を大幅に向上でき、再
生装置の小型化も可能な光磁気記録媒体上の情報の再生
方法及び再生装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
鋭意検討の結果、以下の発明を完成した。第１の発明
は、室温において交換結合して順次積層されている第
１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を少なくと
も有する磁気記録媒体であって、該第１の磁性層は、周
囲温度近傍の温度において該第３の磁性層に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁性層から
なり、該第２の磁性層は、該第１の磁性層および第３の
磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる磁気記
録媒体を用い、該媒体上に、情報トラックに沿って少な
くとも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布
を形成して情報の再生を行うことを特徴とする情報再生
方法。第２の発明は、第１の発明に記載の情報再生方法
において、該２つの極大温度が第３の磁性層のキュリー
温度よりも低く、該１つの極小温度が第２の磁性層のキ
ュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間の交
換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とする情
報再生方法。第３の発明は、前記２つの極大温度および
１つの極小温度が、２つの光ビーム発生源により形成さ
れることを特徴とする第１または第２の発明に記載の情
報再生方法。第４の発明は、前記２つの光ビームが情報
再生用の光ビームと補助加熱用の光ビームであり、情報
再生用の光ビームが補助加熱用の光ビームよりも波長が
短いことを特徴とする第３の発明に記載の情報再生方
法。第５の発明は、前記情報再生用の光ビームの波長が
前記補助加熱用の光ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短
いことを特徴とする第４の発明に記載の光磁気再生方
法。第６の発明は前記２つの光ビームの波長をそれぞれ
λ1、λ2とし、前記磁気記録媒体に集光するための対物
レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの中
心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×２／π）×（λ2／ＮＡ） であることを特徴とする第３、第４または第５の発明に
記載の光磁気再生方法。第７の発明は、室温において交
換結合して順次積層されている第１、第２および第３の
磁性層からなる磁性層を少なくとも有する磁気記録媒体
であって、該第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度にお
いて該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さ
く磁壁移動度が大きな磁性膜からなり、該第２の磁性層
は、該第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー
温度の低い磁性膜からなる磁気記録媒体を用いて情報の
再生を行う情報再生装置であって、情報トラックに沿っ
て少なくとも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温
度分布を該媒体上に形成して情報の再生を行う２つの光
ビーム発生源を有することを特徴とする情報再生装置。
第８の発明は上記２つの極大温度が第３の磁性層のキュ
リー温度よりも低く、該１つの極小温度が第２の磁性層
のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間
の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とす
る第７の発明に記載の情報再生装置。第９の発明は、前
記２つの光ビームが情報再生用の光ビームと補助加熱用
の光ビームであり、情報再生用の光ビームが補助加熱用
の光ビームよりも波長が短いことを特徴とする第７また
は第８の発明に記載の情報再生装置。第１０の発明は、
前記情報再生用の光ビームの波長が前記補助加熱用の光
ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短い、第９の発明に記
載の情報再生装置。第１１の発明は、前記２つの光ビー
ムの波長をそれぞれλ1、λ2とし、前記磁気記録媒体に
集光するための対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、
２つの光ビームの中心の記録媒体上の記録トラックに沿
う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／Ａ） である第７、８、９または１０の発明に記載の情報再生
装置。
鋭意検討の結果、以下の発明を完成した。第１の発明
は、室温において交換結合して順次積層されている第
１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を少なくと
も有する磁気記録媒体であって、該第１の磁性層は、周
囲温度近傍の温度において該第３の磁性層に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁性層から
なり、該第２の磁性層は、該第１の磁性層および第３の
磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる磁気記
録媒体を用い、該媒体上に、情報トラックに沿って少な
くとも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布
を形成して情報の再生を行うことを特徴とする情報再生
方法。第２の発明は、第１の発明に記載の情報再生方法
において、該２つの極大温度が第３の磁性層のキュリー
温度よりも低く、該１つの極小温度が第２の磁性層のキ
ュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間の交
換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とする情
報再生方法。第３の発明は、前記２つの極大温度および
１つの極小温度が、２つの光ビーム発生源により形成さ
れることを特徴とする第１または第２の発明に記載の情
報再生方法。第４の発明は、前記２つの光ビームが情報
再生用の光ビームと補助加熱用の光ビームであり、情報
再生用の光ビームが補助加熱用の光ビームよりも波長が
短いことを特徴とする第３の発明に記載の情報再生方
法。第５の発明は、前記情報再生用の光ビームの波長が
前記補助加熱用の光ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短
いことを特徴とする第４の発明に記載の光磁気再生方
法。第６の発明は前記２つの光ビームの波長をそれぞれ
λ1、λ2とし、前記磁気記録媒体に集光するための対物
レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの中
心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×２／π）×（λ2／ＮＡ） であることを特徴とする第３、第４または第５の発明に
記載の光磁気再生方法。第７の発明は、室温において交
換結合して順次積層されている第１、第２および第３の
磁性層からなる磁性層を少なくとも有する磁気記録媒体
であって、該第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度にお
いて該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さ
く磁壁移動度が大きな磁性膜からなり、該第２の磁性層
は、該第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー
温度の低い磁性膜からなる磁気記録媒体を用いて情報の
再生を行う情報再生装置であって、情報トラックに沿っ
て少なくとも２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温
度分布を該媒体上に形成して情報の再生を行う２つの光
ビーム発生源を有することを特徴とする情報再生装置。
第８の発明は上記２つの極大温度が第３の磁性層のキュ
リー温度よりも低く、該１つの極小温度が第２の磁性層
のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間
の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とす
る第７の発明に記載の情報再生装置。第９の発明は、前
記２つの光ビームが情報再生用の光ビームと補助加熱用
の光ビームであり、情報再生用の光ビームが補助加熱用
の光ビームよりも波長が短いことを特徴とする第７また
は第８の発明に記載の情報再生装置。第１０の発明は、
前記情報再生用の光ビームの波長が前記補助加熱用の光
ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短い、第９の発明に記
載の情報再生装置。第１１の発明は、前記２つの光ビー
ムの波長をそれぞれλ1、λ2とし、前記磁気記録媒体に
集光するための対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、
２つの光ビームの中心の記録媒体上の記録トラックに沿
う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／Ａ） である第７、８、９または１０の発明に記載の情報再生
装置。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の情報再生方法お
よびその再生方法における作用を説明するための模式図
である。図１（ａ）は、本発明の情報再生方法に用いる
光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体は、基
板１４上に第１の磁性層１１、第２の磁性層１２、第３
の磁性層１３が順次積層されてなる。各層中の矢印１６
は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互
に逆向きの領域の境界部には磁壁１７が形成されてい
る。また、この記録層の記録信号も下側にグラフとして
表わす。図１（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体に形成
される温度分布を示ずグラフである。この温度分布は、
加熱用光ビームスポット１９と再生用光ビームスポット
１８によって媒体上に誘起されるものであるが、少なく
とも２つの極大温度を持ち、これらの極大温度のうち少
なくとも一方は再生用光ビーム照射範囲外に形成される
ように再生用光ビームスポット１８と加熱用光ビームス
ポット１９の位置と照射パワーが調整されている。ここ
で位置Ｘｓ１、Ｘｓ２においては、媒体温度が第２の磁
性層１２のキュリー温度近傍で第１の磁性層１１と第３
の磁性層１３の問の交換結合が切れる温度Ｔｓになって
いる。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の温度分布に対応する
第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σw１の分布を示す
グラフである。このようにｘ方向に磁壁エネルギー密度
σw１の勾配があると、位置ｘに存在する各層の磁壁に
対して下記式から求められる力Ｆ１が作用する。
よびその再生方法における作用を説明するための模式図
である。図１（ａ）は、本発明の情報再生方法に用いる
光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体は、基
板１４上に第１の磁性層１１、第２の磁性層１２、第３
の磁性層１３が順次積層されてなる。各層中の矢印１６
は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互
に逆向きの領域の境界部には磁壁１７が形成されてい
る。また、この記録層の記録信号も下側にグラフとして
表わす。図１（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体に形成
される温度分布を示ずグラフである。この温度分布は、
加熱用光ビームスポット１９と再生用光ビームスポット
１８によって媒体上に誘起されるものであるが、少なく
とも２つの極大温度を持ち、これらの極大温度のうち少
なくとも一方は再生用光ビーム照射範囲外に形成される
ように再生用光ビームスポット１８と加熱用光ビームス
ポット１９の位置と照射パワーが調整されている。ここ
で位置Ｘｓ１、Ｘｓ２においては、媒体温度が第２の磁
性層１２のキュリー温度近傍で第１の磁性層１１と第３
の磁性層１３の問の交換結合が切れる温度Ｔｓになって
いる。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の温度分布に対応する
第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σw１の分布を示す
グラフである。このようにｘ方向に磁壁エネルギー密度
σw１の勾配があると、位置ｘに存在する各層の磁壁に
対して下記式から求められる力Ｆ１が作用する。
【０００９】
【数１】 この力Ｆ１は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動さ
せようと作用する。一方磁壁には磁壁が動かないように
する力Ｆｓも作用している。Ｆｓは下記式で与えられ
る。
せようと作用する。一方磁壁には磁壁が動かないように
する力Ｆｓも作用している。Ｆｓは下記式で与えられ
る。
【００１０】Ｆｓ＝２π×Ｍｓ１×Ｈｗｌ ここで、Ｍｓ１は第１の磁性層の飽和磁化、Ｈｗ１は第
１の磁性層の磁壁抗磁力である。媒体の温度がＴｓ以上
のときにこのＦｓが十分に小さければ、力Ｆ１によって
容易に磁壁が移動する。一方、位置ｘｓ１より手前（図
では右側）とｘｓ２より後方の領域では、媒体温度がＴ
ｓより低く磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層と交換結合
しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応し
た位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されていて第１の
磁性層中の磁壁は動かない。
１の磁性層の磁壁抗磁力である。媒体の温度がＴｓ以上
のときにこのＦｓが十分に小さければ、力Ｆ１によって
容易に磁壁が移動する。一方、位置ｘｓ１より手前（図
では右側）とｘｓ２より後方の領域では、媒体温度がＴ
ｓより低く磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層と交換結合
しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応し
た位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されていて第１の
磁性層中の磁壁は動かない。
【００１１】本発明においては、図１（ａ）に示すよう
に、磁壁１７が媒体の位置ｘｓ１にあり、媒体温度が第
２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、
第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断さ
れると、第１の磁性層中の磁壁１７は、破線矢印で示し
たように、温度が極大で磁壁エネルギー密度が極小とな
る領域ｘｅ１へと”高速”に移動する。
に、磁壁１７が媒体の位置ｘｓ１にあり、媒体温度が第
２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、
第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断さ
れると、第１の磁性層中の磁壁１７は、破線矢印で示し
たように、温度が極大で磁壁エネルギー密度が極小とな
る領域ｘｅ１へと”高速”に移動する。
【００１２】一方、再生用光ビームの後方（図では左
側）でも、媒体の位置ｘｓ２において媒体温度が第２の
磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、位置
ｘｓ２よりも再生用光ビーム寄りの領域では第１の磁性
層と第３の磁性層との間の交換結合が切断されており、
磁壁１７は力Ｆ１によって温度が極大で磁壁エネルギー
密度が極小となる領域ｘｅ２へと移動する。しかし、ｘ
ｅ１とｘｅ２の間の領域では磁化の向きは一定で、再生
中は変化しない。
側）でも、媒体の位置ｘｓ２において媒体温度が第２の
磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、位置
ｘｓ２よりも再生用光ビーム寄りの領域では第１の磁性
層と第３の磁性層との間の交換結合が切断されており、
磁壁１７は力Ｆ１によって温度が極大で磁壁エネルギー
密度が極小となる領域ｘｅ２へと移動する。しかし、ｘ
ｅ１とｘｅ２の間の領域では磁化の向きは一定で、再生
中は変化しない。
【００１３】再生用の光ビームのスポット１８の下を磁
壁１７が移動すると、スポット内の第１の磁性層の原子
スピンはおおむね一方向に揃う。そして、媒体の移動に
伴って磁壁１７が位置ｘｓ１に来る度に、スポットの下
を磁壁１７が高速に移動しスポット内の原子スピンの向
きが反転しておおむね一方向に揃う。この結果、再生信
号振幅は記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク
長）によらず、常にほぼ一定の振幅になり、光学的な回
折限界に起因した波形干渉等の問題から解放されるので
ある。
壁１７が移動すると、スポット内の第１の磁性層の原子
スピンはおおむね一方向に揃う。そして、媒体の移動に
伴って磁壁１７が位置ｘｓ１に来る度に、スポットの下
を磁壁１７が高速に移動しスポット内の原子スピンの向
きが反転しておおむね一方向に揃う。この結果、再生信
号振幅は記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク
長）によらず、常にほぼ一定の振幅になり、光学的な回
折限界に起因した波形干渉等の問題から解放されるので
ある。
【００１４】図１（ｂ）に示すような温度分布を得るた
めには、再生用光ビームスポット１８と加熱用光ビーム
スポット１９との間隔は、再生用光ビームスポット１８
の波長をλ1、加熱用光ビームスポット１９の波長をλ2
とし、磁気記録媒体（光磁気ディスク）に集光するため
の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビー
ムの中心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄを、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） を満たすように設定するのが望ましい。
めには、再生用光ビームスポット１８と加熱用光ビーム
スポット１９との間隔は、再生用光ビームスポット１８
の波長をλ1、加熱用光ビームスポット１９の波長をλ2
とし、磁気記録媒体（光磁気ディスク）に集光するため
の対物レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビー
ムの中心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄを、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） を満たすように設定するのが望ましい。
【００１５】さらに、光磁気記録媒体を、再生用光ビー
ムスポットに対しては光吸収率が小さく、加熱用光ビー
ムスポットに対しては光吸収率が大きくなるように構成
しておけば、再生用光ビームスポットの強度をあまり下
げずに図１（ｂ）に示すような温度分布を得ることがで
きるので、より良好な再生信号が得られる。再生用光ビ
ームスポットと加熱用光ビームスポットに対する光吸収
率は、光透過層１５の屈折率と膜厚を変化させることに
より調整できる。再生用光ビームスポットに対する光吸
収率を、加熱用光ビームスポットに対する光吸収率より
も十分に小さくするためには、光透過層１５の屈折率を
２．０以上、より望ましくは２．２以上とするのがよ
い。加熱用光ビームスポットと再生用光ビームスポット
の波長が近接していると、十分な光吸収率差を得るため
に光透過層の膜厚を厚くしなければならず、生産性が悪
くなるので、加熱用光ビームスポットの波長は再生用光
ビームスポットの波長の１．１倍以上、より望ましくは
１．４倍以上実数で５０ｎｍを超える波長の差があると
良い。
ムスポットに対しては光吸収率が小さく、加熱用光ビー
ムスポットに対しては光吸収率が大きくなるように構成
しておけば、再生用光ビームスポットの強度をあまり下
げずに図１（ｂ）に示すような温度分布を得ることがで
きるので、より良好な再生信号が得られる。再生用光ビ
ームスポットと加熱用光ビームスポットに対する光吸収
率は、光透過層１５の屈折率と膜厚を変化させることに
より調整できる。再生用光ビームスポットに対する光吸
収率を、加熱用光ビームスポットに対する光吸収率より
も十分に小さくするためには、光透過層１５の屈折率を
２．０以上、より望ましくは２．２以上とするのがよ
い。加熱用光ビームスポットと再生用光ビームスポット
の波長が近接していると、十分な光吸収率差を得るため
に光透過層の膜厚を厚くしなければならず、生産性が悪
くなるので、加熱用光ビームスポットの波長は再生用光
ビームスポットの波長の１．１倍以上、より望ましくは
１．４倍以上実数で５０ｎｍを超える波長の差があると
良い。
【００１６】図２は、情報トラック上を再生用光ビーム
スポットが移動していく時の本発明の動作を説明する図
である。この図において（ａ）〜（ｇ）は、記録マーク
長の異なる磁区２４が形成された情報トラック２７上
を、再生用光ビームスポット２１と加熱用光ビームスポ
ット２８が移動する状態を示す。温度プロファイル２２
は、再生用光ビームスポット２１と加熱用光ビームスポ
ット２８によって媒体上にできるＴｓ等温線を示してい
る。（ｈ）は、得られる再生信号のグラフである。
スポットが移動していく時の本発明の動作を説明する図
である。この図において（ａ）〜（ｇ）は、記録マーク
長の異なる磁区２４が形成された情報トラック２７上
を、再生用光ビームスポット２１と加熱用光ビームスポ
ット２８が移動する状態を示す。温度プロファイル２２
は、再生用光ビームスポット２１と加熱用光ビームスポ
ット２８によって媒体上にできるＴｓ等温線を示してい
る。（ｈ）は、得られる再生信号のグラフである。
【００１７】本発明においては、再生用光ビームスポツ
ト２１が情報トラック２７に対して相対移動するにつれ
て温度プロファイルも相対移動していく。そして、再生
用光ビームスポット２１の前縁近傍で第２の磁性層の臨
界温度Ｔｓになり、再生用光ビームスポット中心よりも
後ろに温度が極大で磁壁エネルギー密度が極小となる領
域ｘｅ１が来るようにしてある。したがって、再生用光
ビームスポット２１の前方では、再生用光ビームスポッ
ト２１が磁壁２５に差し掛かると、磁壁２５の部分の温
度が臨界温度Ｔｓとなり、磁壁２５が矢印２６で示した
方向に高速に移動し、温度が高く磁壁エネルギー密度の
小さな領域ｘｅ１まで記録マークが広がった状態（ｂ）
となる。再生用光ビームスポット２１が相対移動して臨
界温度Ｔｓになる部分が磁壁に差し掛かるたびに
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）に示すように
磁壁の移動が起こり、（ｈ）に示すような大きな振幅の
再生信号がが得られる。
ト２１が情報トラック２７に対して相対移動するにつれ
て温度プロファイルも相対移動していく。そして、再生
用光ビームスポット２１の前縁近傍で第２の磁性層の臨
界温度Ｔｓになり、再生用光ビームスポット中心よりも
後ろに温度が極大で磁壁エネルギー密度が極小となる領
域ｘｅ１が来るようにしてある。したがって、再生用光
ビームスポット２１の前方では、再生用光ビームスポッ
ト２１が磁壁２５に差し掛かると、磁壁２５の部分の温
度が臨界温度Ｔｓとなり、磁壁２５が矢印２６で示した
方向に高速に移動し、温度が高く磁壁エネルギー密度の
小さな領域ｘｅ１まで記録マークが広がった状態（ｂ）
となる。再生用光ビームスポット２１が相対移動して臨
界温度Ｔｓになる部分が磁壁に差し掛かるたびに
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）に示すように
磁壁の移動が起こり、（ｈ）に示すような大きな振幅の
再生信号がが得られる。
【００１８】加熱用光ビームスポット２８の後方にも第
２の磁性層の臨界温度Ｔｓになる部分があり、ここで磁
壁の移動が発生している。しかし、磁壁の移動の終了
点、すなわち温度が極大となり磁壁エネルギー密度が極
小になる領域ｘｅ２は再生用光ビームスポットより後方
にあるので、再生用光ビームスポットの後方での磁壁の
移動が再生信号のノイズとなることはなく、良好な再生
信号が得られる。
２の磁性層の臨界温度Ｔｓになる部分があり、ここで磁
壁の移動が発生している。しかし、磁壁の移動の終了
点、すなわち温度が極大となり磁壁エネルギー密度が極
小になる領域ｘｅ２は再生用光ビームスポットより後方
にあるので、再生用光ビームスポットの後方での磁壁の
移動が再生信号のノイズとなることはなく、良好な再生
信号が得られる。
【００１９】図３は、本発明に用いる光磁気記録媒体の
層構成の一実施態様を示す模式的断面図である。この態
様においては、透明基板３６上に、光透過層３５、第１
の磁性層３１、第２の磁性層３２、第３の磁性層３３、
保護層３４が順次積層されている。透明基板３６として
は、例えば、ポリカーボネート、ガラス等を用いること
ができる。光透過層３５としては、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、
ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2などの透明
誘電材料を用いることができる。最後に保護膜として形
成される保護層３４は例えば、光透過層３５と同じ材料
を用いることもできるし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａ
ｕ等の耐蝕性に優れた他の材料も用いることができる。
これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による
連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形
成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続成
膜されることで、互いに交換結合をしている。
層構成の一実施態様を示す模式的断面図である。この態
様においては、透明基板３６上に、光透過層３５、第１
の磁性層３１、第２の磁性層３２、第３の磁性層３３、
保護層３４が順次積層されている。透明基板３６として
は、例えば、ポリカーボネート、ガラス等を用いること
ができる。光透過層３５としては、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、
ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2などの透明
誘電材料を用いることができる。最後に保護膜として形
成される保護層３４は例えば、光透過層３５と同じ材料
を用いることもできるし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａ
ｕ等の耐蝕性に優れた他の材料も用いることができる。
これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による
連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形
成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続成
膜されることで、互いに交換結合をしている。
【００２０】この構成に、更にＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴ
ｉ、Ａｌｃｒ、Ｃｕ、Ａｕなどからなる金属層を付加し
て、熱的な特性を調整してもよい。また、高分子樹脂か
らなる保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後
の基板を貼り合わせてもよい。上記媒体において、各磁
性層３１〜３３は、種々の磁性材料によって構成するこ
とが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるい
は二種類以上が１０〜４０原子％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉな
どの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０
原子％である希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得
る。また、耐食性向上のために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添
加してもよい。
ｉ、Ａｌｃｒ、Ｃｕ、Ａｕなどからなる金属層を付加し
て、熱的な特性を調整してもよい。また、高分子樹脂か
らなる保護コートを付与してもよい。あるいは、成膜後
の基板を貼り合わせてもよい。上記媒体において、各磁
性層３１〜３３は、種々の磁性材料によって構成するこ
とが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるい
は二種類以上が１０〜４０原子％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉな
どの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０
原子％である希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得
る。また、耐食性向上のために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添
加してもよい。
【００２１】重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁
化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御する
ことが可能である。また、キュリー温度も、組成比によ
り制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御
するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置
き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ま
しく利用できる。すなわち、Ｆｅ１原子％をＣｏで置換
することにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込め
るので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるよ
うにＣｏの添加量を調整する。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの
非磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温
度を低下させることも可能である。あるいはまた、二種
類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整する
ことによってもキュリー温度を制御できる。この他に、
ガーネット、白金族−鉄族周期構造膜、もしくは白金族
−鉄族合金などの材料も使用可能である。
化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御する
ことが可能である。また、キュリー温度も、組成比によ
り制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御
するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置
き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ま
しく利用できる。すなわち、Ｆｅ１原子％をＣｏで置換
することにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込め
るので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるよ
うにＣｏの添加量を調整する。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの
非磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温
度を低下させることも可能である。あるいはまた、二種
類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整する
ことによってもキュリー温度を制御できる。この他に、
ガーネット、白金族−鉄族周期構造膜、もしくは白金族
−鉄族合金などの材料も使用可能である。
【００２２】第１の磁性層としては、例ぇば、ＧｄＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの
垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、Ｐ
ｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構造膜
や、ガーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。第
２の磁性層には、例えばＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
等のキュリー温度の低いものを用いることが望ましい。
第３の磁性層としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏのような希土類−鉄族非晶質
合金など、垂直磁気異方性及び保磁力が大きく、微小な
ピットが記録でき、かつ形成された記録ピットが安定に
保持できるものが望ましい。
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの
垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、Ｐ
ｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構造膜
や、ガーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。第
２の磁性層には、例えばＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
等のキュリー温度の低いものを用いることが望ましい。
第３の磁性層としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏのような希土類−鉄族非晶質
合金など、垂直磁気異方性及び保磁力が大きく、微小な
ピットが記録でき、かつ形成された記録ピットが安定に
保持できるものが望ましい。
【００２３】本発明の光磁気記録媒体へのデータ信号の
記録は、媒体を移動させながら、第３の磁性層がキュリ
ー温度以上になるようなパワーのレーザー光をＤＣ光
で、あるいはパルス光で照射しながら外部磁界を変調し
て行うか、もしくは、一定方向の磁界を印加しながらレ
ーザーパワーを変調して行う。後者の場合、光スポット
内の所定領域のみが第３の磁性層のキュリー温度近傍に
なるようにレーザー光の強度を調整すれば、光スポット
の径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限
界以下の周期の信号を記録できる。
記録は、媒体を移動させながら、第３の磁性層がキュリ
ー温度以上になるようなパワーのレーザー光をＤＣ光
で、あるいはパルス光で照射しながら外部磁界を変調し
て行うか、もしくは、一定方向の磁界を印加しながらレ
ーザーパワーを変調して行う。後者の場合、光スポット
内の所定領域のみが第３の磁性層のキュリー温度近傍に
なるようにレーザー光の強度を調整すれば、光スポット
の径以下の記録磁区が形成でき、その結果、光の回折限
界以下の周期の信号を記録できる。
【００２４】
【実施例】以下に具体的な実施例をもって本発明を更に
詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以
下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 直流マグネトロンスパッタリング装置に、Ｂドープした
Ｓｉ、及びＧｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲッ
トを取り付け、トラッキング用の案内溝の形成されたポ
リカーボネイト基板を基板ホルダーに固定した後、１×
１０ー5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクラ
イオポンプで真空排気した。真空俳気をしたままＡｒガ
スとＮ2ガスを０．３Ｐａとなるまでチャンバー内に導
入し、基板を回転させながら、磁性層の保護と反射率の
調整のための光透過層としてＳｉＮ層を１０００オング
ストローム成膜した。引き続き、真空排気をしたままＡ
ｒガスを０．３Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、
基板を回転させながら、第１の磁性層としてＧｄＣｏ層
を３００オングストローム、第２の磁性層としてＤｙＦ
ｅ層を１００オングストローム、第３の磁性層としてＴ
ｂＦｅＣｏ層を４００オングストローム順次成膜した。
最後に、光透過層の成膜時と同様の条件で、保護層とし
てＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。ＳｉＮ
層の屈折率は２．３になるようにＡｒガスとＮ2ガスの
混合比を調整した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜し
た。各磁性層の組成は、全て補償組成近傍になるように
調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２５０℃、第
２の磁性層が１６０℃、第３の磁性層が２９０℃程度と
なるように設定した。
詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以
下の実施例に限定されるものではない。 実施例１ 直流マグネトロンスパッタリング装置に、Ｂドープした
Ｓｉ、及びＧｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲッ
トを取り付け、トラッキング用の案内溝の形成されたポ
リカーボネイト基板を基板ホルダーに固定した後、１×
１０ー5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクラ
イオポンプで真空排気した。真空俳気をしたままＡｒガ
スとＮ2ガスを０．３Ｐａとなるまでチャンバー内に導
入し、基板を回転させながら、磁性層の保護と反射率の
調整のための光透過層としてＳｉＮ層を１０００オング
ストローム成膜した。引き続き、真空排気をしたままＡ
ｒガスを０．３Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、
基板を回転させながら、第１の磁性層としてＧｄＣｏ層
を３００オングストローム、第２の磁性層としてＤｙＦ
ｅ層を１００オングストローム、第３の磁性層としてＴ
ｂＦｅＣｏ層を４００オングストローム順次成膜した。
最後に、光透過層の成膜時と同様の条件で、保護層とし
てＳｉＮ層を８００オングストローム成膜した。ＳｉＮ
層の屈折率は２．３になるようにＡｒガスとＮ2ガスの
混合比を調整した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜し
た。各磁性層の組成は、全て補償組成近傍になるように
調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２５０℃、第
２の磁性層が１６０℃、第３の磁性層が２９０℃程度と
なるように設定した。
【００２５】この媒体のグルーブ上に高パワーのレーザ
ー光を集光して照射し、５００℃以上に加熱してグルー
ブ部分のみに加熱処理を行った。この媒体は、図４に断
面形状で示したように、基板４１上に、光透過層４２、
磁性層４３、保護層４４が積層されている。そして、グ
ルーブ部４５上に積層された磁性層は前記の加熱処理に
よって非磁性層４７に変質している。この非磁性層４７
によって、ランド４６上に積層された磁性層４３は、グ
ルーブ４５の部分でほば磁気的に分離されている。なお
実際には、グルーブ部の磁性層が加熱処理によって完全
に非磁性層にならなくても、飽和磁化が十分に小さくな
ればグルーブ部での結合は無視できる。本発明におい
て、各情報トラック間で互いに磁気的に分離されると
は、このような状態も含まれる。このランド４６上に幅
いっぱいに反転磁区を形成すると、図５に示すように、
ランド５１上の磁区の境界部に、閉じていない磁壁５３
が形成される。このような磁壁５３は、トラック方向に
移動させても、トラック側部の磁壁の生成・消滅を伴わ
ないので、容易に移動させることができる。
ー光を集光して照射し、５００℃以上に加熱してグルー
ブ部分のみに加熱処理を行った。この媒体は、図４に断
面形状で示したように、基板４１上に、光透過層４２、
磁性層４３、保護層４４が積層されている。そして、グ
ルーブ部４５上に積層された磁性層は前記の加熱処理に
よって非磁性層４７に変質している。この非磁性層４７
によって、ランド４６上に積層された磁性層４３は、グ
ルーブ４５の部分でほば磁気的に分離されている。なお
実際には、グルーブ部の磁性層が加熱処理によって完全
に非磁性層にならなくても、飽和磁化が十分に小さくな
ればグルーブ部での結合は無視できる。本発明におい
て、各情報トラック間で互いに磁気的に分離されると
は、このような状態も含まれる。このランド４６上に幅
いっぱいに反転磁区を形成すると、図５に示すように、
ランド５１上の磁区の境界部に、閉じていない磁壁５３
が形成される。このような磁壁５３は、トラック方向に
移動させても、トラック側部の磁壁の生成・消滅を伴わ
ないので、容易に移動させることができる。
【００２６】このようにして得た光磁気記録媒体につい
て、記録再生特性を測定した。測定に用いた記録再生装
置は、図６に示すように加熱用ビームスポット形成用の
光学系を組み込んだ、２ビームの光磁気ディスク記録再
生装置である。６０１は、記録再生用のレーザー光源
で、波長は６８０ｎｍで、記録媒体に対してＰ偏光が入
射するように配置されている。６０３は、ビーム整形部
付きビームスプリッタで、Ｐ偏光は７０〜８０％透過
し、Ｓ偏光は１００％反射するよう設計されている。６
０５は対物レンズで、記録再生用のレーザー光源の波長
に合わせて設計されており、ＮＡは０．５５である。対
物レンズ６０５は、図示しないサーボアクチュエータ及
びサーボ回路によって、光磁気ディスク６０６の情報ト
ラック上に記録再生用のレーザー光を集光するように、
トラック制御及びフォーカス制御される。６０７は、加
熱ビーム用のレーザー光源で、波長は７８０ｎｍであ
る。６０４のビームスプリッタは、記録再生用のレーザ
ー光源からの光を１００％透過し、加熱ビーム用のレー
ザー光源からの光を１００％反射する。６０９は、情報
信号を検出するためのＲＦセンサ６１５と、トラックエ
ラー信号及びフォーカスエラー信号を検出するためのサ
ーボセンサ６１２に光磁気ディスク６０６からの反射光
を分配するためのビームスプリッタである。６１３は光
磁気ディスク６０６からの反射光を差動検出するために
入射光に対して±４５゜の偏光成分を分離するための複
屈折性結晶である。
て、記録再生特性を測定した。測定に用いた記録再生装
置は、図６に示すように加熱用ビームスポット形成用の
光学系を組み込んだ、２ビームの光磁気ディスク記録再
生装置である。６０１は、記録再生用のレーザー光源
で、波長は６８０ｎｍで、記録媒体に対してＰ偏光が入
射するように配置されている。６０３は、ビーム整形部
付きビームスプリッタで、Ｐ偏光は７０〜８０％透過
し、Ｓ偏光は１００％反射するよう設計されている。６
０５は対物レンズで、記録再生用のレーザー光源の波長
に合わせて設計されており、ＮＡは０．５５である。対
物レンズ６０５は、図示しないサーボアクチュエータ及
びサーボ回路によって、光磁気ディスク６０６の情報ト
ラック上に記録再生用のレーザー光を集光するように、
トラック制御及びフォーカス制御される。６０７は、加
熱ビーム用のレーザー光源で、波長は７８０ｎｍであ
る。６０４のビームスプリッタは、記録再生用のレーザ
ー光源からの光を１００％透過し、加熱ビーム用のレー
ザー光源からの光を１００％反射する。６０９は、情報
信号を検出するためのＲＦセンサ６１５と、トラックエ
ラー信号及びフォーカスエラー信号を検出するためのサ
ーボセンサ６１２に光磁気ディスク６０６からの反射光
を分配するためのビームスプリッタである。６１３は光
磁気ディスク６０６からの反射光を差動検出するために
入射光に対して±４５゜の偏光成分を分離するための複
屈折性結晶である。
【００２７】まず、記録媒体６０６を記録再生用光ビー
ムとの相対速度が２ｍ／ｓとなるように回転させ、記録
再生用レーザーを６ｍＷでＤＣ照射しながら磁界を±２
００Ｏｅで変調することにより、第３の磁性層のキュリ
ー温度以上に加熱した後の冷却過程で、磁界の変調に対
応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを
形成した。記録磁界の変調周波数は１〜１０ＭＨｚまで
変化させ、１．０〜０．ｌμｍの範囲のマーク長のパタ
ーンを記録した。
ムとの相対速度が２ｍ／ｓとなるように回転させ、記録
再生用レーザーを６ｍＷでＤＣ照射しながら磁界を±２
００Ｏｅで変調することにより、第３の磁性層のキュリ
ー温度以上に加熱した後の冷却過程で、磁界の変調に対
応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを
形成した。記録磁界の変調周波数は１〜１０ＭＨｚまで
変化させ、１．０〜０．ｌμｍの範囲のマーク長のパタ
ーンを記録した。
【００２８】これらのマークを、再生用光ビームのパワ
ーを２．３ｍＷ、加熱用光ビームのパワーを２．５ｍＷ
とし、加熱用光ビームの中心が再生用光ビームの中心よ
りも記録トラックに沿って１．３μｍ後方になるように
配置して、各マーク長のパターンについてのＣ／Ｎを測
定した。この結果、マーク長０．１μｍから１．０μｍ
でいずれも４５ｄＢ±１ｄＢの一様なＣ／Ｎが得られ
た。本発明の再生方法によると、記録されたマークを再
生スポット内に拡大して検出するので、光の回折限界以
下の周期の信号が再生可能となるのみならず、Ｃ／Ｎの
マーク長依存性がほとんどなくなる。
ーを２．３ｍＷ、加熱用光ビームのパワーを２．５ｍＷ
とし、加熱用光ビームの中心が再生用光ビームの中心よ
りも記録トラックに沿って１．３μｍ後方になるように
配置して、各マーク長のパターンについてのＣ／Ｎを測
定した。この結果、マーク長０．１μｍから１．０μｍ
でいずれも４５ｄＢ±１ｄＢの一様なＣ／Ｎが得られ
た。本発明の再生方法によると、記録されたマークを再
生スポット内に拡大して検出するので、光の回折限界以
下の周期の信号が再生可能となるのみならず、Ｃ／Ｎの
マーク長依存性がほとんどなくなる。
【００２９】実施例２ 実施例１と同様の成膜機、成膜方法で、同様にポリカー
ボネイト基板上に薄膜を成膜して光磁気記録媒体を作成
した。この光磁気記録媒体を、実施例１と同様の記録再
生装置を用いて、記録再生用光ビームとの相対速度が２
ｍ／ｓとなるように回転させ、記録再生用レーザーを６
ｍＷでＤＣ照射しながら、図７（ｂ）に示すような磁界
を印加して図７（ａ）の信号を記録した。この信号は媒
体上では長さ０．４μｍのマークが４μｍの間隔で並ん
だマークになる。磁界の強度は±２００Ｏｅとした。こ
の記録マークを、再生用光ビームのパワーを２．３ｍ
Ｗ、加熱用光ビームのパワーを２．５ｍＷとし、加熱用
光ビームの中心が再生用光ビームの中心よりも記録トラ
ックに沿って１．５μｍ後方になるように配置して、再
生信号をオシロスコープで観察した。この時の再生波形
を図７（ｃ）に示す。このように、本発明の再生方法で
は大きな振幅で矩形波に近い波形の再生信号が得られ
た。
ボネイト基板上に薄膜を成膜して光磁気記録媒体を作成
した。この光磁気記録媒体を、実施例１と同様の記録再
生装置を用いて、記録再生用光ビームとの相対速度が２
ｍ／ｓとなるように回転させ、記録再生用レーザーを６
ｍＷでＤＣ照射しながら、図７（ｂ）に示すような磁界
を印加して図７（ａ）の信号を記録した。この信号は媒
体上では長さ０．４μｍのマークが４μｍの間隔で並ん
だマークになる。磁界の強度は±２００Ｏｅとした。こ
の記録マークを、再生用光ビームのパワーを２．３ｍ
Ｗ、加熱用光ビームのパワーを２．５ｍＷとし、加熱用
光ビームの中心が再生用光ビームの中心よりも記録トラ
ックに沿って１．５μｍ後方になるように配置して、再
生信号をオシロスコープで観察した。この時の再生波形
を図７（ｃ）に示す。このように、本発明の再生方法で
は大きな振幅で矩形波に近い波形の再生信号が得られ
た。
【００３０】実施例３ 加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの中心の間隔を
０．８μｍ、０．９μｍ、１．０μｍ、１．１μｍ、
１．２μｍ、１．３μｍ、１．４μｍ、１．５μｍ、
１．６μｍ、１．７μｍ、１．８μｍと変化させて実施
例２と同様の波形観察を行ったところ、加熱用光ビーム
の中心と再生用光ビームの中心の間隔が０．９μｍから
１．６μｍでは図７（ｃ）示すような、ノイズの無い矩
形波に近い再生波形が得られた。このような良好な再生
信号が得られるスポット間隔は、加熱用光ビームと再生
用光ビームのスポットサイズに依存するので、前記の実
験結果をスポットサイズに対する関係式にまとめて以下
の関係式を得た。すなわち、再生用光ビームスポットの
波長をλ1、加熱用光ビームスポットの波長をλ2とし、
光磁気記録媒体（光磁気ディスク）に集光するための対
物レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの
中心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄを、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） を満たすように設定すれば良好な再生信号が得られるこ
とがわかった。−方、加熱用光ビームの中心と再生用光
ビームの中心の間隔が上記不等式の範囲外である０．８
μｍ、１．７μｍ、１．８μｍのときは、図７（ｄ）に
示すような再生波形となり、再生光のスポットの移動方
向後方から移動してくる磁壁の影響で、本来の再生信号
の遅延信号がノイズとして観察された。
０．８μｍ、０．９μｍ、１．０μｍ、１．１μｍ、
１．２μｍ、１．３μｍ、１．４μｍ、１．５μｍ、
１．６μｍ、１．７μｍ、１．８μｍと変化させて実施
例２と同様の波形観察を行ったところ、加熱用光ビーム
の中心と再生用光ビームの中心の間隔が０．９μｍから
１．６μｍでは図７（ｃ）示すような、ノイズの無い矩
形波に近い再生波形が得られた。このような良好な再生
信号が得られるスポット間隔は、加熱用光ビームと再生
用光ビームのスポットサイズに依存するので、前記の実
験結果をスポットサイズに対する関係式にまとめて以下
の関係式を得た。すなわち、再生用光ビームスポットの
波長をλ1、加熱用光ビームスポットの波長をλ2とし、
光磁気記録媒体（光磁気ディスク）に集光するための対
物レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの
中心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄを、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） を満たすように設定すれば良好な再生信号が得られるこ
とがわかった。−方、加熱用光ビームの中心と再生用光
ビームの中心の間隔が上記不等式の範囲外である０．８
μｍ、１．７μｍ、１．８μｍのときは、図７（ｄ）に
示すような再生波形となり、再生光のスポットの移動方
向後方から移動してくる磁壁の影響で、本来の再生信号
の遅延信号がノイズとして観察された。
【００３１】実施例４ 再生用光ビームの波長を６８０ｎｍ、ＮＡを０．５５、
パワーを２．３ｍＷとし、加熱用光ビームの波長を７８
０ｎｍ、ＮＡを０．５５、パワーを２．５ｍＷとし、再
生用光ビームと光磁気記録媒体との相対速度が２ｍ／ｓ
のとき、加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの中心
の間隔によって媒体の温度分布がどのように変化するの
かを、シミュレーションによって調べた。光磁気記録媒
体の構成は、実施例１と同様とした。図８に、加熱用光
ビームの中心と再生用光ビームの中心を通り、光ビーム
と媒体の相対移動方向に沿った位置の温度分布を示す。
図８（ａ）は加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの
中心の間隔が０．８μｍの場合で、図８（ｂ）は１．１
μｍ、図８（ｃ）は１．５μｍ、図８（ｄ）は１．７μ
ｍの場合を示す。図８において、右側が光ビームの相対
進行方向前方である。Ｔｃ２で示した横線は、第２の磁
性層のキュリー温度を示している。図中には再生光ビー
ムの照射位置も併せて示してある。
パワーを２．３ｍＷとし、加熱用光ビームの波長を７８
０ｎｍ、ＮＡを０．５５、パワーを２．５ｍＷとし、再
生用光ビームと光磁気記録媒体との相対速度が２ｍ／ｓ
のとき、加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの中心
の間隔によって媒体の温度分布がどのように変化するの
かを、シミュレーションによって調べた。光磁気記録媒
体の構成は、実施例１と同様とした。図８に、加熱用光
ビームの中心と再生用光ビームの中心を通り、光ビーム
と媒体の相対移動方向に沿った位置の温度分布を示す。
図８（ａ）は加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの
中心の間隔が０．８μｍの場合で、図８（ｂ）は１．１
μｍ、図８（ｃ）は１．５μｍ、図８（ｄ）は１．７μ
ｍの場合を示す。図８において、右側が光ビームの相対
進行方向前方である。Ｔｃ２で示した横線は、第２の磁
性層のキュリー温度を示している。図中には再生光ビー
ムの照射位置も併せて示してある。
【００３２】加熱用光ビームの中心と再生用光ビームの
中心の間隔が１．１μｍ、１．５μｍの場合は、情報ト
ラックに沿って少なくとも２つの極大温度と１つの極小
温度を持つ温度分布が形成されおり、かつ極小温度が第
２の磁性層のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の
磁性層の間の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高くなっ
ている。このような温度分布を形成すれば、実施例３に
示した実験結果から明らかなように、良好な再生信号が
得られる。
中心の間隔が１．１μｍ、１．５μｍの場合は、情報ト
ラックに沿って少なくとも２つの極大温度と１つの極小
温度を持つ温度分布が形成されおり、かつ極小温度が第
２の磁性層のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の
磁性層の間の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高くなっ
ている。このような温度分布を形成すれば、実施例３に
示した実験結果から明らかなように、良好な再生信号が
得られる。
【００３３】実施例３において、加熱用光ビームの中心
と再生用光ビームの中心の間隔が０．８μｍのときは、
再生光のスポットの移動方向後方から移動してくる磁壁
の影響で、本来の再生信号の遅延信号がノイズとして観
察されたが、図８（ａ）から、これは情報トラックに沿
って少なくとも２つの極大温度と１つの極小温度を持っ
温度分布が形成されていないために、再生光のスポット
の移動方向後方から移動してくる磁壁が再生光ビームの
照射範囲内に入りこんでいるためであることがわかる。
と再生用光ビームの中心の間隔が０．８μｍのときは、
再生光のスポットの移動方向後方から移動してくる磁壁
の影響で、本来の再生信号の遅延信号がノイズとして観
察されたが、図８（ａ）から、これは情報トラックに沿
って少なくとも２つの極大温度と１つの極小温度を持っ
温度分布が形成されていないために、再生光のスポット
の移動方向後方から移動してくる磁壁が再生光ビームの
照射範囲内に入りこんでいるためであることがわかる。
【００３４】さらに実施例３において、加熱用光ビーム
の中心と再生用光ビームの中心の間隔が１．７μｍのと
きは、再生光のスポットの移動方向後方から移動してく
る磁壁の影響で、本来の再生信号の遅延信号がノイズと
して観察されたが、図８（ｄ）から、これは極小温度が
第２の磁性層のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３
の磁性層の間の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも低いた
め、極小温度となった領域近傍で第３の磁性層に記録さ
れている磁区が第１の磁性層に転写し、その結果生じた
磁壁が再生光ビームの照射範囲内に移動していることが
原因であることがわかる。但し極小温度となった領域近
傍で第３の磁性層に記録されている磁区の第１の磁性層
への転写は、極小温度が少なくともＴｓより低い温度で
おきるのであって、実際に転写がおきる温度は記録マー
クの大きさ、媒体の構成などによって変化する。
の中心と再生用光ビームの中心の間隔が１．７μｍのと
きは、再生光のスポットの移動方向後方から移動してく
る磁壁の影響で、本来の再生信号の遅延信号がノイズと
して観察されたが、図８（ｄ）から、これは極小温度が
第２の磁性層のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３
の磁性層の間の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも低いた
め、極小温度となった領域近傍で第３の磁性層に記録さ
れている磁区が第１の磁性層に転写し、その結果生じた
磁壁が再生光ビームの照射範囲内に移動していることが
原因であることがわかる。但し極小温度となった領域近
傍で第３の磁性層に記録されている磁区の第１の磁性層
への転写は、極小温度が少なくともＴｓより低い温度で
おきるのであって、実際に転写がおきる温度は記録マー
クの大きさ、媒体の構成などによって変化する。
【００３５】以上から、情報トラックに沿って少なくと
も２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布を形
成し、更に望ましくは、極小温度が第２の磁性層のキュ
リー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間の交換
結合が切れる温度Ｔｓよりも高い温度分布を媒体上に形
成すれば、良好な再生信号が得られることがわかる。
も２つの極大温度と１つの極小温度を持つ温度分布を形
成し、更に望ましくは、極小温度が第２の磁性層のキュ
リー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間の交換
結合が切れる温度Ｔｓよりも高い温度分布を媒体上に形
成すれば、良好な再生信号が得られることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の情
報再生方法、および情報再生装置によれば、光の回折限
界以下の周期の信号が高速で再生可能となる。さらに
は、加熱用光ビームの位置に対して良好な再生信号の得
られる範囲が広いので、容易に再生装置を構成すること
ができる。
報再生方法、および情報再生装置によれば、光の回折限
界以下の周期の信号が高速で再生可能となる。さらに
は、加熱用光ビームの位置に対して良好な再生信号の得
られる範囲が広いので、容易に再生装置を構成すること
ができる。
【図１】本発明の再生方法の概念を模式的に示した図で
ある。（ａ）は、媒体の断面の再生状態における各磁性
層のスピンの配向状態を、（ｂ）は、（ａ）に示されて
いる位置における媒体上の温度分布を、（ｃ）は同様の
位置における磁壁エネルギー密度の分布及びそれに伴っ
て磁壁に作用する力の分布をそれぞれ模式的に示してい
る。
ある。（ａ）は、媒体の断面の再生状態における各磁性
層のスピンの配向状態を、（ｂ）は、（ａ）に示されて
いる位置における媒体上の温度分布を、（ｃ）は同様の
位置における磁壁エネルギー密度の分布及びそれに伴っ
て磁壁に作用する力の分布をそれぞれ模式的に示してい
る。
【図２】本発明の再生方法を説明する模式図である。
【図３】本発明に用いる光磁気記録媒体の層構成の一実
施例態様を示す模式的断面図である。
施例態様を示す模式的断面図である。
【図４】実施例における光磁気記録媒体の断面形状を示
す図である。
す図である。
【図５】実施例における光磁気記録媒体の磁化状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図６】実施例において用いた記録再生装置を示す模式
図である
図である
【図７】実施例における記録信号、記録磁界と再生信号
を示す図である。
を示す図である。
【図８】実施例における情報トラックに沿った温度分布
のシミュレーション結果を示す図である。
のシミュレーション結果を示す図である。
１１ 第１の磁性層 １２ 第２の磁性層 １３ 第３の磁性層 １４ 基板 １６ 原子スピンの向き １７ 磁壁 １８ 再生用の光ビームスポット １９ 加熱用の光ビームスポット ２１ 再生用光スポット ２２ 温度プロファイル ２３ 再生用光スポット、加熱用光スポット、温度プ
ロファイルの移動方向 ２４ 磁区 ２５ 磁壁 ２６ 磁壁の移動方向 ２７ 情報トラック ２８ 加熱用光スポット ３１ 第１の磁性層 ３２ 第２の磁性層 ３３ 第３の磁性層 ３４ 保護層 ３５ 光透過層 ３６ 透明基板 ４１ 基板 ４２ 光透過層 ４３ 磁性層 ４４ 保護層 ４５ グルーブ ４６ ランド ４７ 非磁性層 ５１ ランド ５２ グルーブ ５３ 磁壁 ６０１ 記録再生用レーザー光源 ６０２ コリメートレンズ ６０３ ビーム整形部付きビームスプリッタ ６０４ ビームスプリッタ ６０５ 対物レンズ ６０６ 光磁気ディスク ６０７ 加熱ビーム用レーザー光源 ６０８ 凸レンズ ６０９ ビームスプリッタ ６１０ 凸レンズ ６１１ シリンドリカルレンズ ６１２ サーボセンサ ６１４ 凸レンズ ６１５ ＲＦセンサ
ロファイルの移動方向 ２４ 磁区 ２５ 磁壁 ２６ 磁壁の移動方向 ２７ 情報トラック ２８ 加熱用光スポット ３１ 第１の磁性層 ３２ 第２の磁性層 ３３ 第３の磁性層 ３４ 保護層 ３５ 光透過層 ３６ 透明基板 ４１ 基板 ４２ 光透過層 ４３ 磁性層 ４４ 保護層 ４５ グルーブ ４６ ランド ４７ 非磁性層 ５１ ランド ５２ グルーブ ５３ 磁壁 ６０１ 記録再生用レーザー光源 ６０２ コリメートレンズ ６０３ ビーム整形部付きビームスプリッタ ６０４ ビームスプリッタ ６０５ 対物レンズ ６０６ 光磁気ディスク ６０７ 加熱ビーム用レーザー光源 ６０８ 凸レンズ ６０９ ビームスプリッタ ６１０ 凸レンズ ６１１ シリンドリカルレンズ ６１２ サーボセンサ ６１４ 凸レンズ ６１５ ＲＦセンサ
Claims (11)
- 【請求項１】 室温において交換結合して順次積層され
ている第１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を
少なくとも有する磁気記録媒体であって、該第１の磁性
層は、周囲温度近傍の温度において該第３の磁性層に比
べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁
性膜からなり、該第２の磁性層は、該第１の磁性層およ
び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からな
る磁気記録媒体を用いて、該媒体上に、情報トラックに
沿って少なくとも２つの極大温度および１つの極小温度
を持つ温度分布を形成して情報の再生を行うことを特徴
とする情報再生方法。 - 【請求項２】 該２つの極大温度が第３の磁性層のキュ
リー温度よりも低く、該１つ極小温度が第２の磁性層の
キュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間の
交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とする
請求項１に記載の情報再生方法。 - 【請求項３】 該２つの極大温度および１つの極小温度
が、２つの光ビーム発生源により形成されることを特徴
とする請求項１に記載の情報再生方法。 - 【請求項４】 前記２つの光ビームが情報再生用の光ビ
ームと補助加熱用の光ビームであり、情報再生用の光ビ
ームが補助加熱用の光ビームよりも波長が短いことを特
徴とする請求項３に記載の情報再生方法。 - 【請求項５】 前記情報再生用の光ビームの波長が前記
補助加熱用の光ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短いこ
とを特徴とする請求項４に記載の光磁気再生方法。 - 【請求項６】 前記２つの光ビームの波長をそれぞれλ
1、λ2とし、前記磁気記録媒体に集光するための対物レ
ンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの中心
の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） であることを特徴とする請求項３、４または５に記載の
光磁気再生方法。 - 【請求項７】 室温において交換結合して順次積層され
ている第１、第２および第３の磁性層からなる磁性層を
少なくとも有する磁気記録媒体であって、該第１の磁性
層は、周囲温度近傍の温度において該第３の磁性層に比
べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁
性膜からなり、該第２の磁性層は、該第１の磁性層およ
び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からな
る磁気記録媒体を用いて情報の再生を行う情報再生装置
であって、情報トラックに沿って少なくとも２つの極大
温度と１つの極小温度を持つ温度分布を該媒体上に形成
して情報の再生を行う２つの光ビーム発生源を有するこ
とを特徴とする情報再生装置。 - 【請求項８】 該２つの極大温度が第３の磁性層のキュ
リー温度よりも低く、該１つの極小温度が第２の磁性層
のキュリー温度近傍で第１の磁性層と第３の磁性層の間
の交換結合が切れる温度Ｔｓよりも高いことを特徴とす
る請求項７に記載の情報再生装置。 - 【請求項９】 前記２つの光ビームが情報再生用の光ビ
ームと補助加熱用の光ビームであり、情報再生用の光ビ
ームが補助加熱用の光ビームよりも波長が短いことを特
徴とする請求項７または８に記載の情報再生装置。 - 【請求項１０】 前記情報再生用の光ビームの波長が前
記補助加熱用の光ビームの波長よりも５０ｎｍ以上短い
ことを特徴とする請求項９に記載の光磁気再生装置。 - 【請求項１１】 前記２つの光ビームの波長をそれぞれ
λ1、λ2とし、前記磁気記録媒体に集光するための対物
レンズの開口数をＮＡとしたとき、２つの光ビームの中
心の記録媒体上の記録トラックに沿う間隔ｄが、 （λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ1／ＮＡ）＜ｄ＜
２×（λ1＋λ2）／２×（２／π）×（λ2／ＮＡ） であることを特徴とする請求項７、８、９または１０に
記載の光磁気再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115791A JPH10308043A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 情報再生方法及び情報再生装置 |
| US09/069,775 US5995472A (en) | 1997-05-06 | 1998-04-30 | Laser beam forming temperature distribution of two peaks on a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115791A JPH10308043A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 情報再生方法及び情報再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308043A true JPH10308043A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14671167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115791A Pending JPH10308043A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 情報再生方法及び情報再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949302B2 (en) * | 1998-12-10 | 2005-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having a reproducing layer composed to control movement of domain walls therein |
-
1997
- 1997-05-06 JP JP9115791A patent/JPH10308043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949302B2 (en) * | 1998-12-10 | 2005-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having a reproducing layer composed to control movement of domain walls therein |
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