JPH10307389A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い感度、解像力を有し、優れた断面形状の
レジストパターンを形成でき、得られるレジスト像が耐
熱性に優れ、デフォーカスラチチュードが広く、更に微
小なコンタクトホールをあけるのに適したポジ型フォト
レジスト組成物を提供する事にある。 【解決手段】 特定の構造を有するポリヒドロキシ化合
物のキノンジアジドスルホン酸エステル及びアルカリ可
溶性樹脂を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は輻射線に感応するポ
ジ型フオトレジスト組成物に関するものであり、特に高
い解像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備
え、しかも微細なコンタクトホールをあけるための微細
加工用フオトレジスト組成物に関するものである。本発
明に成るポジ型フオトレジストは、半導体ウエハー、ガ
ラス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン塗
布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現像
してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマスク
としてエツチングすることにより、基板上にパターンの
加工を施すことができる。代表的な応用分野にはＩＣ等
の半導体製造工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基板
の製造、その他のフオトフアブリケーシヨン工程等があ
る。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フオトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第３，６６６，４７
３号、米国特許第４，１１５，１２８号及び米国特許第
４，１７３，４７０号等に、また最も典型的な組成物と
して「クレゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツ
ク樹脂／トリヒドロキシベンゾフエノンー１，２ーナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソ
ン「イントロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフ
イー」（Ｌ．Ｆ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 「Ｉｎｔｒｏｄｕ
ｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ」） (ＡＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２
１）に記載されている。結合剤としてのノボラツク樹脂
は、膨潤することなくアルカリ水溶液に溶解可能であ
り、また生成した画像をエツチングのマスクとして使用
する際に特にプラズマエツチングに対して高い耐性を与
えるが故に本用途に特に有用である。また、感光物に用
いるナフトキノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツ
ク樹脂のアルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤とし
て作用するが、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶
性物質を生じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度
を高める働きをする点で特異であり、この光に対する大
きな性質変化の故にポジ型フオトレジストの感光物とし
て特に有用である。これまで、かかる観点からノボラツ
ク樹脂とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多
くのポジ型フオトレジストが開発、実用化され、１μｍ
程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめてき
た。

【０００３】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１
μｍ以下、更には０．５μｍ以下の線幅から成る超微細
パターンの加工が必要とされる様になってきている。か
かる用途においては、特に高い解像力、露光マスクの形
状を正確に写しとる高いパターン形状再現精度、及び高
生産性の観点からの高感度を有するフオトレジストが要
求されている。従来のナフトキノンジアジド系感光物、
例えば米国特許３０４６１１８号、同３１０６４６５
号、同３１４８９８３号、特公昭３７−１８０１５号、
同５６−２３３３号、同６２−２８４５７号公報等に記
載されている様な没食子酸エステル類やポリヒドロキシ
ベンゾフェノン類の１，２−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルを用いたポジ型フォトレジストでは対応
できないのが実状である。

【０００４】ポリヒドロキシベンゾフェノン類の１，２
−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの代わり
に、特定のポリヒドロキシ化合物の１，２−ナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルを感光性成分として使用
することで超微細加工に適した特性を有するポジ型フォ
トレジスト組成物も数多く提案されている（例えば、特
開昭６０−１６３０４３号、同６１−９７２７８号、同
６２−１０６４５号、同６２−１０６４６号、同６２−
１９８８５２号、同６３−２２０１３９号、特公昭６２
−３４１１号、特公平１−３８２８９号、同１−４５９
０１号、特開平１−２９１２４０号、同１−２９１２４
１号、同１−２９１２４２号、同１−２８０７４８号、
特開平２−２６９３５１号、同２−２９６２４８号、同
２−２９６２４９号の各公報）。

【０００５】また、解像力を高めるためにある特定構造
を有するポリヒドロキシ化合物の１，２−ナフトキノン
ジアジド化合物が数多く提案されている。例えば、特開
昭５７−６３５２６号、同６０−１６３０４３号、同６
２−１０６４５号、同６２−１０６４６号、同６２−１
５０２４５号、同６３−２２０１３９号、同６４−７６
０４７号、特開平１−１８９６４４号、同２−２８５３
５１号、同２−２９６２４８号、同２−２９６２４９
号、同３−４８２４９号、同３−４８２５０号、同３−
１５８８５６号、同３−２２８０５７号、特表平４−５
０２５１９号、特開平４−３６５０４６号、米国特許４
９５７８４６号、同４９９２３５６号、同５１５１３４
０号、同５１７８９８６号、欧州特許５３０１４８号等
の各公報に開示されている。

【０００６】一方、分子内に水酸基を有する感光物を利
用することにより、高コントラスト、高解像力を有する
レジストが得られることが、例えば、特公昭３７−１８
０１５号、特開昭５８−１５０９４８号、特開平２−１
９８４６号、同２−１０３５４３号、同３−２２８０５
７号、同５−３２３５９７号、欧州特許５７３０５６
号、米国特許３１８４３１０号、同３１８８２１０号、
同３１３００４７号、同３１３００４８号、同３１３０
０４９号、同３１０２８０９号、同３０６１４３０号、
同３１８０７３３号、西独特許９３８２３３号、SPIE P
roceedings 第631 巻210 頁、同第1672巻231 頁(1992
年) 、同第1672巻262 頁(1992 年) 及び同第1925巻 227
頁(1993 年) 等に記載されている。確かに、これらの刊
行物に記載されている感光物を含有するレジストは、微
細な線幅の形成において性能は向上したが、未だ不充分
な点があった。

【０００７】更に、半導体デバイスの製造において、微
細な線幅を形成する目的とは別に、半導体デバイスの電
極用金属を半導体表面まで通す穴、即ちコンタクトホー
ルの形式に関しても微小化が進んでおり、これに適した
ポジ型フォトレジスト組成物が要求されている。ところ
が、これまで微小なコンタクトホールをあけるために、
どの様にレジスト素材を設計すればよいか全く知られて
いなかった。必ずしも微細な線幅を得るのに適したレジ
ストがコンタクトホール用途にも適さないことがわかっ
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、特に半導体デバイスの製造において、高い感度、解
像力を有し、優れた断面形状のレジストパターンを形成
でき、得られるレジスト像が耐熱性に優れ、デフォーカ
スラチチュードが広く、更に微小なコンタクトホールを
あけるのに適したポジ型フォトレジスト組成物を提供す
る事にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意検討した結果、アルカリ可溶性樹脂と特定の構
造式を有するキノンジアジド化合物を用いることによ
り、上記目的を達成し得ることを見いだし、この知見に
基づき本発明を完成させるに至った。 （１） 下記一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化
合物のキノンジアジドスルホン酸エステル及びアルカリ
可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレ
ジスト組成物。

【００１０】

【化２】

【００１１】式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は、各々同じでも
異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、又はアルコキシ基を表す。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、
各々同じでも異なってもよく、１、２もしくは３を表
す。 （２） 前記アルカリ可溶性樹脂の分散度（重量平均分
子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比）が１．５〜４．０で
あることを特徴とする上記（１）に記載のポジ型フォト
レジスト組成物。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
上記一般式（Ｉ）のＲ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ において、ハロゲ
ン原子としては、塩素原子、臭素原子、もしくは沃素原
子が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基のよ
うな炭素数１〜４個のアルキル基が好ましく、特に好ま
しくはメチル基である。アルコキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、もしくはｔ−ブトキシ基のような炭素数１〜４個の
アルコキシ基が好ましく、特に好ましくは、メトキシ基
である。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、各々同じでも異なって
もよく、１、２もしくは３を表す。一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物の具体例としては下記〔Ｉ−１〕〜〔Ｉ−１
０〕で示される化合物を挙げることができるが、本発明
で使用される化合物はこれらに限定されるものではな
い。

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】これらのポリヒドロキシ化合物は単独で、
もしくは２種以上混合して用いられる。

【００１６】本発明における感光物は、例えば前記ポリ
ヒドロキシ化合物の水酸基の一部又は全部を、１，２−
ナフトキノンジアジド−５− (及び／又は−４−）スル
ホニルクロリドと、塩基性触媒の存在下で、通常のエス
テル化反応を行うことにより得られる。即ち、所定量の
ポリヒドロキシ化合物と１，２−ナフトキノンジアジド
−５−（及び／又は−４−）スルホニルクロリド、溶剤
（例えばジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、
Ｎ−メチルピロリドン、ジメトキシエタン、テトラヒド
ロフラン、ジグライム、酢酸エチル、ジクロロエタン、
クロロホルム、γ−ブチロラクトン等）をフラスコ中に
仕込み、塩基性触媒（例えば水酸化ナトリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン、４
−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ
−メチルピペラジン、Ｎ−メチルピロリジン等）を滴下
して縮合させる。得られた生成物は、水洗後精製し乾燥
する。

【００１７】通常のエステル化反応においては、エステ
ル化数及びエステル化位置が種々異なる混合物が得られ
るが、合成条件またはポリヒドロキシ化合物の構造を選
択すれば、ある特定の異性体のみを選択的にエステル化
させることもできる。本発明でいうエステル化率は、こ
の混合物の平均値として定義される。

【００１８】このように定義されたエステル化率は、原
料であるポリヒドロキシ化合物と１，２−ナフトキノン
ジアジド−５− (及び／又は−４−）スルホニルクロリ
ドとの混合比により制御できる。即ち、添加された１，
２−ナフトキノンジアジド−５− (及び／又は−４−）
スルホニルクロリドは、実質上総てエステル化反応を起
こすので、所望のエステル化率の混合物を得るために
は、原料のモル比を調整すれば良い。必要に応じて、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルと１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステルを併用することもできる。また、前記方法におけ
る反応温度は、通常−２０〜６０℃、好ましくは０〜４
０℃である。

【００１９】前記本発明の感光物は、組成物として使用
する際に、単独でもしくは２種以上混合してアルカリ可
溶性樹脂に配合して使用される。本発明の組成物中の上
記感光物の配合量は、ノボラツク樹脂１００重量部に対
し該化合物５〜１５０重量部、好ましくは２０〜１００
重量部である。この使用比率が５重量部未満では残膜率
が著しく低下し、また１５０重量部を越えると感度及び
溶剤への溶解性が低下する傾向となる。

【００２０】本発明に用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂やポ
リヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げることがで
きる。これらの中で、特にノボラツク樹脂が好ましく、
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。所定
のモノマーとしては、フエノール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類、２,
５−キシレノール、３,５−キシレノール、３,４−キシ
レノール、２,３−キシレノール等のキシレノール類、
ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチルフエノール、ｏ−エ
チルフエノール、ｐ−ｔ−ブチルフエノール等のアルキ
ルフエノール類、２,３,５−トリメチルフエノール、
２,３,４−トリメチルフエノール等のトリアルキルフエ
ノール類、ｐ−メトキシフエノール、ｍ−メトキシフエ
ノール、３,５−ジメトキシフエノール、２−メトキシ
−４−メチルフエノール、ｍ−エトキシフエノール、ｐ
−エトキシフエノール、ｍ−プロポキシフエノール、ｐ
−プロポキシフエノール、ｍ−ブトキシフエノール、ｐ
−ブトキシフエノール等のアルコキシフエノール類、２
−メチル−４−イソプロピルフエノール等のビスアルキ
ルフエノール類、ｍ−クロロフエノール、ｐ−クロロフ
エノール、ｏ−クロロフエノール、ジヒドロキシビフエ
ニル、ビスフエノールＡ、フエニルフエノール、レゾル
シノール、ナフトール等のヒドロキシ芳香族化合物を単
独もしくは２種以上混合して使用することができるが、
これらに限定されるものではない。

【００２１】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアセト
アルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フ
エニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド類は、
単独でもしくは２種以上組み合わせて用いられる。酸性
触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、メルカプト酢酸、メタンスルホン酸、マロン
酸及びシュウ酸等を使用することができる。

【００２２】また、特開昭６０−４５２３８号、同６０
−９７３４７号、同６０−１４０２３５号、同６０−１
８９７３９号、同６４−１４２２９号、特開平１−２７
６１３１号、同２−６０９１５号、同２−２７５９５５
号、同２−２８２７４５号、同４−１０１１４７号、同
４−１２２９３８号等の公報に開示されている技術、例
えば、分別沈殿、分別溶解、カラムクロマトグラフィー
等の方法により、ノボラック樹脂の低分子成分を除去あ
るいは減少させたものを用いてもよい。

【００２３】こうして得られたノボラツク樹脂の重量平
均分子量は、１５００〜２００００の範囲であることが
好ましい。１５００未満では未露光部の現像後の膜減り
が大きく、２００００を越えると現像速度が小さくなっ
てしまう傾向となる。特に好適なのは２５００〜１５０
００の範囲である。ここで、重量平均分子量はゲルパー
ミエーシヨンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値
をもつて定義される。

【００２４】本発明において、上記のようなアルカリ可
溶性樹脂の分散度（重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量
Ｍｎの比、即ちＭｗ／Ｍｎ）は、１．５〜４．０である
ことが好ましく、より好ましくは２．０〜３．５であ
る。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。

【００２５】本発明では、前記感光物を主として用いる
べきであるが、必要に応じて、以下に示すポリヒドロキ
シ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５− (及び
／又は−４−）スルホニルクロリドとのエステル化物を
併用することができる。

【００２６】ポリヒドロキシ化合物の例としては、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，４'
−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６−トリヒ
ドロキシベンゾフエノン、２，３，４−トリヒドロキシ
−２' −メチルベンゾフエノン、２，３，４，４' −テ
トラヒドロキシベンゾフエノン、２，２',４，４' −テ
トラヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６，３',４'
−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，２',
４' −ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，
２',５' −ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，４，
６，３',４',５' −ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、
２，３，４，３',４',５' −ヘキサヒドロキシベンゾフ
エノン等のポリヒドロキシベンゾフエノン類、

【００２７】２，３，４−トリヒドロキシアセトフエノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルペンチルケト
ン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルヘキシルケト
ン等のポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、

【００２８】ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）メ
タン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）メ
タン、ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロパン
−１、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）プ
ロパン−１、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス
（（ポリ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、

【００２９】３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸プロ
ピル、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル、
３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸フエニル等のポリ
ヒドロキシ安息香酸エステル類、

【００３０】ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾ
イル）メタン、ビス（３−アセチル−４，５，６−トリ
ヒドロキシフエニル）メタン、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ビス（２，４，６−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒ
ドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキ
シベンゾイル）アリール類、

【００３１】エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒド
ロキシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ（３，
４，５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン
−ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、

【００３２】２，３，４−ビフエニルトリオール、３，
４，５−ビフエニルトリオール、３，５，３',５' −ビ
フエニルテトロール、２，４，２',４' −ビフエニルテ
トロール、２, ４，６，３',５' −ビフエニルペントー
ル、２，４，６，２',４',６' −ビフエニルヘキソー
ル、２，３，４，２',３',４' −ビフエニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフエニル類、

【００３３】４，４' −チオビス（１，３−ジヒドロキ
シ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフイド
類、

【００３４】２，２',４，４' −テトラヒドロキシジフ
エニルエーテル等のビス（ポリヒドロキシフエニル）エ
ーテル類、

【００３５】２，２',４，４' −テトラヒドロキシジフ
エニルスルフオキシド等のビス（ポリヒドロキシフエニ
ル）スルフオキシド類、

【００３６】２，２',４，４' −テトラヒドロキシジフ
エニルスルフオン等のビス（ポリヒドロキシフエニル）
スルフオン類、

【００３７】トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、４，４',４" −トリヒドロキシ−３，５，３',５'
−テトラメチルトリフェニルメタン、４，４',３",４"
−テトラヒドロキシ−３，５，３',５' −テトラメチル
トリフエニルメタン、４，４',２",３",４" −ペンタヒ
ドロキシ−３，５，３',５' −テトラメチルトリフエニ
ルメタン、２, ３, ４，２',３',４' −ヘキサヒドロキ
シ−５，５' −ジアセチルトリフエニルメタン、２，
３，４，２',３',４',３",４" −オクタヒドロキシ−
５，５' −ジアセチルトリフエニルメタン、２，４，
６，２',４',６' −ヘキサヒドロキシ−５，５' −ジプ
ロピオニルトリフエニルメタン等のポリヒドロキシトリ
フエニルメタン類、

【００３８】３，３，３',３' −テトラメチル−１，
１' −スピロビ−インダン−５，６，５',６' −テトロ
ール、３，３，３',３' −テトラメチル−１，１' −ス
ピロビ−インダン−５，６，７，５',６',７' −ヘキソ
オール、３，３，３',３' −テトラメチル−１，１' −
スピロビ−インダン−４，５，６，４',５',６' −ヘキ
ソオール、３，３，３',３' −テトラメチル−１，１'
−スピロビ−インダン−４，５，６，５',６',７' −ヘ
キソオール等のポリヒドロキシスピロビ−インダン類、

【００３９】３，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフエ
ニル）フタリド、３，３−ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフエニル）フタリド、３',４',５',６' −テトラ
ヒドロキシスピロ [フタリド−３，９' −キサンテン］
等のポリヒドロキシフタリド類、モリン、ケルセチン、
ルチン等のフラボノ色素類、

【００４０】α，α',α" −トリス（４−ヒドロキシフ
エニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α,
α',α" −トリス（３, ５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フエニル）１, ３, ５−トリイソプロピルベンゼン、
α, α',α" −トリス（３, ５−ジエチル−４−ヒドロ
キシフエニル）１, ３, ５−トリイソプロピルベンゼ
ン、α, α',α" −トリス（３, ５−ジｎ−プロピル−
４−ヒドロキシフエニル）１, ３, ５−トリイソプロピ
ルベンゼン、α, α',α" −トリス（３, ５−ジイソプ
ロピル−４−ヒドロキシフエニル）１, ３, ５−トリイ
ソプロピルベンゼン、α, α',α" −トリス（３, ５−
ジｎ−ブチル−４−ヒドロキシフエニル）１, ３, ５−
トリイソプロピルベンゼン、α, α',α" −トリス（３
−メチル−４−ヒドロキシフエニル）１, ３, ５−トリ
イソプロピルベンゼン、α, α',α"−トリス（３−メ
トキシ−４−ヒドロキシフエニル）１, ３, ５−トリイ
ソプロピルベンゼン、α, α',α" −トリス（２, ４−
ジヒドロキシフエニル）１, ３, ５−トリイソプロピル
ベンゼン、１, ３, ５−トリス（３, ５−ジメチル−４
−ヒドロキシフエニル）ベンゼン、１, ３, ５−トリス
（５−メチル−２−ヒドロキシフエニル）ベンゼン、
２, ４, ６−トリス（３, ５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフエニルチオメチル）メシチレン、１−［α−メチル
−α−（４' −ヒドロキシフエニル）エチル］−４−
［α, α' −ビス（４" −ヒドロキシフエニル）エチ
ル］ベンゼン、１−［α−メチル−α−（４' −ヒドロ
キシフエニル）エチル］−３−［α, α' −ビス（４"
−ヒドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、１−［α−
メチル−α−（３',５' −ジメチル−４' −ヒドロキシ
フエニル）エチル］−４−［α, α' −ビス（３",５"
−ジメチル−４" −ヒドロキシフエニル）エチル］ベン
ゼン、１−［α−メチル−α−（３' −メチル−４' −
ヒドロキシフエニル）エチル］−４−［α',α' −ビス
（３" −メチル−４" −ヒドロキシフエニル）エチル］
ベンゼン、１−［α−メチル−α−（３' −メトキシ−
４' −ヒドロキシフエニル）エチル］−４−［α',α'
−ビス（３" −メトキシ−４" −ヒドロキシフエニル）
エチル］ベンゼン、１−［α−メチル−α−（２',４'
−ジヒドロキシフエニル）エチル］−４−［α',α' −
ビス（４" −ヒドロキシフエニル）エチル］ベンゼン、
１−［α−メチル−α−（２',４' −ジヒドロキシフエ
ニル）エチル］−３−［α',α' −ビス（４" −ヒドロ
キシフエニル）エチル］ベンゼン等の特開平４−２５３
０５８号公報に記載のポリヒドロキシ化合物、

【００４１】ｐ−ビス (２, ３, ４−トリヒドロキシベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２, ４, ６−トリヒド
ロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス (２, ３, ４−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス (２,
４, ６−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビ
ス (２, ５−ジヒドロキシ−３−ブロムベンゾイル）ベ
ンゼン、ｐ−ビス (２, ３, ４−トリヒドロキシ−５−
メチルベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２, ３, ４−
トリヒドロキシ−５−メトキシベンゾイル）ベンゼン、
ｐ−ビス (２, ３, ４−トリヒドロキシ−５−ニトロベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス (２, ３, ４−トリヒド
ロキシ−５−シアノベンゾイル）ベンゼン、１, ３, ５
−トリス (２, ５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼ
ン、１, ３, ５−トリス (２, ３, ４−トリヒドロキシ
ベンゾイル）ベンゼン、１, ２, ３−トリス (２, ３,
４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１, ２, ４
−トリス (２, ３, ４−トリヒドロキシベンゾイル）ベ
ンゼン、１, ２, ４, ５−テトラキス (２, ３, ４−ト
リヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、α, α' −ビス
(２, ３, ４−トリヒドロキシベンゾイル）−ｐ−キシ
レン、α, α',α' −トリス (２, ３, ４−トリヒドロ
キシベンゾイル）メシチレン、

【００４２】２, ６−ビス−（２' −ヒドロキシ−３',
５' −ジメチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２, ６
−ビス−（２' −ヒドロキシ−５' −メチル−ベンジ
ル）−ｐ−クレゾール、２, ６−ビス−（２' −ヒドロ
キシ−３',５' −ジ−ｔ−ブチル−ベンジル）−ｐ−ク
レゾール、２, ６−ビス−（２' −ヒドロキシ−５' −
エチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２, ６−ビス−
（２',４' −ジヒドロキシ−ベンジル）−ｐ−クレゾー
ル、２, ６−ビス−（２' −ヒドロキシ−３' −ｔ−ブ
チル−５' −メチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、
２, ６−ビス−（２',３',４' −トリヒドロキシ−５'
−アセチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２, ６−ビ
ス−（２',４',６' −トリヒドロキシ−ベンジル）−ｐ
−クレゾール、２, ６−ビス−（２',３',４' −トリヒ
ドロキシ−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２, ６−ビス
−（２',３',４' −トリヒドロキシ−ベンジル）−３,
５−ジメチル−フエノール、４, ６−ビス−（４' −ヒ
ドロキシ−３',５' −ジメチル−ベンジル）−ピロガロ
ール、４, ６−ビス−（４' −ヒドロキシ−３',５' −
ジメトキシ−ベンジル）−ピロガロール、２, ６−ビス
−（４' −ヒドロキシ−３',５' −ジメチル−ベンジ
ル）−１, ３, ４−トリヒドロキシ−フエノール、４,
６−ビス−（２',４',６' −トリヒドロキシ−ベンジ
ル）−２, ４−ジメチル−フエノール、４, ６−ビス−
（２',３',４' −トリヒドロキシ−ベンジル）−２, ５
−ジメチル−フエノール等を挙げることができる。

【００４３】また、ノボラツク樹脂等フエノール樹脂の
低核体を用いる事もできる。

【００４４】これらのポリヒドロキシ化合物のナフトキ
ノンジアジドエステル感光物は単独で、もしくは２種以
上の組み合わせで、本発明の感光物と併用でき、本発明
の感光物１００重量部に対し、通常、５０重量部以下、
好ましくは３０重量部以下の割合で配合することができ
る。

【００４５】本発明の組成物には、更に現像液への溶解
促進のために、ポリヒドロキシ化合物を含有することが
できる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、フエ
ノール類、レゾルシン、フロログルシン、２，３，４−
トリヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，４' −テ
トラヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，３',４',
５' −ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピ
ロガロール縮合樹脂、フロログルシド、２，４，２',
４' −ビフエニルテトロール、４，４' −チオビス
(１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２',４，４'
−テトラヒドロキシジフエニルエーテル、２，２',４，
４' −テトラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、
２，２',４，４' −テトラヒドロキシジフエニルスルフ
オン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
４，４' −（α−メチルベンジリデン）ビスフェノー
ル、α，α',α" −トリス（４−ヒドロキシフェニル）
−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，α',
α" −トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル
−４−イソプロピルベンゼン等を挙げることができる。
これらのポリヒドロキシ化合物の配合量は、アルカリ可
溶性樹脂１００重量部に対して、通常１００重量部以
下、好ましくは５〜７０重量部、更に好ましくは１０〜
６０重量部の割合で配合することができる。

【００４６】本発明の感光物及びアルカリ可溶性樹脂を
溶解させる溶剤としては、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢
酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、
３−エトキシプロピオン酸メチル、β−メトキシイソ酪
酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等
を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又
は２種以上の組み合わせで使用される。

【００４７】更に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等の高沸
点溶剤を混合して使用することができる。

【００４８】本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
は、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ
３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化成（株）
製）、メガフアツクＦ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ
（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友
スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サー
フロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０
３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子
（株）製）等のフツ素系界面活性剤、オルガノシロキサ
ンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアク
リル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフロー
Ｎｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）
製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂及びキ
ノンジアジド化合物１００重量部当たり、通常、２重量
部以下、好ましくは１重量部以下である。これらの界面
活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組
み合わせで添加することもできる。

【００４９】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチ
ルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドコリン等
の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環
状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することが
できる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピル
アルコール等のアルコール類、ノニオン界面活性剤等の
界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

【００５０】本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
は、必要に応じ、吸光剤、架橋剤、接着助剤を配合する
ことができる。吸光剤は、基板からのハレーションを防
止する目的や透明基板に塗布した際の視認性を高める目
的で、必要に応じて添加される。例えば、「工業用色素
の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や、染料便覧（有機合成
化学協会編）に機載の市販の吸光剤、例えば、C.I. Dis
perse Yellow 1, 3, 4,5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50,
51, 54, 56, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90,93, 10
2, 114及び124 、C.I. Disperse Orange 1, 5, 13, 25,
29, 30, 31, 44,57, 72及び73、C.I. Disperse Red 1,
5, 7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65,72, 73, 88,
117, 137, 143, 199及び210 、C.I. Disperse Violet 4
3 、C.I. Disperse Blue 96 、C.I. Fluorescent Brigh
tening Agent 112, 135 及び163 、C.I.Solvent Yellow
14, 16, 33 及び56、C.I. Solvent Orange 2 及び45、
C.I.Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27及び49、C.
I. Pigment Green 10 、C.I.Pigment Brown 2等を好適
に用いることができる。吸光剤は通常、アルカリ可溶性
樹脂１００重量部に対し、１００重量部以下、好ましく
は５０重量部以下、更に好ましくは３０重量部以下の割
合で配合される。

【００５１】架橋剤は、ポジ画像を形成するのに影響の
無い範囲で添加される。架橋剤の添加の目的は、主に、
感度調整、耐熱性の向上、耐ドライエッチング性向上等
である。架橋剤の例としては、メラミン、ベンゾグアナ
ミン、グリコールウリル等にホルムアルデヒドを作用さ
せた化合物、又はそのアルキル変性物や、エポキシ化合
物、アルデヒド類、アジド化合物、有機過酸化物、ヘキ
サメチレンテトラミン等を挙げることができる。これら
の架橋剤は、感光剤１００重量部に対して、１０重量部
未満、好ましくは５重量部未満の割合で配合できる。架
橋剤の配合量が１０重量部を超えると感度が低下し、ス
カム（現像残渣）が生じるようになり好ましくない。

【００５２】接着助剤は、主に、基板とレジストの密着
性を向上させ、特にエッチング工程においてレジストが
剥離しないようにするための目的で添加される。具体例
としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルク
ロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメ
チルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメ
チルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチ
ルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシ
ラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザ
ン、Ｎ，Ｎ′−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメ
チルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダ
ゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−
クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−
メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズ
チアゾール、２−メルカプトベンズオキサゾール、ウラ
ゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メル
カプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメ
チルウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、又はチ
オ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着助剤
は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し、通常１０
重量部未満、好ましくは５重量部未満の割合で配合され
る。

【００５３】上記ポジ型フォトレジスト組成物を精密集
積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコ
ン／二酸化シリコン被覆、チタン−ナイトライド、チタ
ン−タングステン、アモルファスカーボン等の無機反射
防止膜をつけた基板あるいは有機反射防止膜を塗布、乾
燥した膜基板、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板
等）上にスピンコート法、ロールコート法、フローコー
ト法、ディップコート法、スプレーコート法、ドクター
コート法等の適当な塗布方法により塗布後プリペークし
て、所定のマスクを通して露光し、必要に応じて後加熱
（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行い、現像、リン
ス、乾燥することにより良好なレジストを得ることがで
きる。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。なお、% は、他に指定の
ない限り重量% を示す。 合成例(1) 感光物〔ａ〕の合成 ポリヒドロキシ化合物〔Ｉ−１〕（旭有機材工業株式会社製BIP-BIOC-FL) 59.4 g、 1,2-ナフトキノンジアジド-5スルホニルクロリド 53.7 g、及び アセトン 800 ml を３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いで、
トリエチルアミン/ アセトン=22.3 g/ 100 ml を徐々に
滴下し、25℃で3 時間反応させた。反応混合液を1%塩酸
水溶液2500ml中に注ぎ、生じた沈殿を濾別し、水洗、乾
燥(40 ℃) を行い、化合物〔Ｉ−１〕の1,2-ナフトキノ
ンジアジド-5- スルホン酸エステル（感光物ａ） 90.5
g を得た。

【００５５】 合成例(2) 感光物〔ｂ〕の合成 ポリヒドロキシ化合物〔Ｉ−６〕（旭有機材工業株式会社製BIR-BIOC-FL) 31.2 g、 1,2-ナフトキノンジアジド-5- スルホニルクロリド 53.7 g、及び アセトン 600 ml を３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いで、
トリエチルアミン/ アセトン＝ 22.3 g/ 100 mlを徐々
に滴下し、25℃で3 時間反応させた。反応混合液を1%塩
酸水溶液2300ml中に注ぎ、生じた沈殿を濾別し、水洗、
乾燥(40 ℃) を行い、化合物〔Ｉ−６〕の1,2-ナフトキ
ノンジアジド-5- スルホン酸エステル（感光物ｂ） 66.
2 g を得た。

【００５６】合成例(3) ノボラック樹脂〔Ａ〕の合成 ｍ−クレゾール ５０ｇ、 ｐ−クレゾール ２５ｇ、 ２，５−ジメチルフェノール ２８ｇ、 ３７％ホルマリン水溶液 ５３ｇ及び 蓚酸 ０．１５ｇ を３つ口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで
昇温し１４時間反応させた。その後温度を２００℃まで
上げ、徐々に１mmHgまで減圧して、水、未反応のモノマ
ー、ホルムアルデヒド、蓚酸等を留去した。次いで溶融
したノボラック樹脂を室温に戻して回収した。得られた
ノボラック樹脂は重量平均分子量４８００（ポリスチレ
ン換算）であった。次いでこのノボラック樹脂２０ｇを
メタノール６０ｇに完全に溶解させた後、これに水３０
ｇを攪拌しながら徐々に加え、樹脂成分を沈殿させた。
上層をデカンテーションにより除去し、沈殿した樹脂分
を回収して４０℃に加熱し、減圧下で２６時間乾燥させ
てアルカリ可溶性ノボラック樹脂〔Ａ〕を得た。得られ
たノボラック樹脂は、重量平均分子量９６８０（ポリス
チレン換算）であり、分散度は３．５０であった。

【００５７】合成例(4) ノボラック樹脂〔Ｂ〕の合成 ｍ−クレゾール ２５９．５ｇ、 ｐ−クレゾール ９．７ｇ、 ２，３−ジメチルフェノール ６２．３ｇ、 ３７％ホルマリン水溶液 ２１８．１ｇ を攪拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラ
スコに仕込み、９０℃で攪拌下、蓚酸２水和物１．１３
ｇを添加した。３０分後、浴温を１３０℃に上げ、更に
３時間３０分攪拌し内容物を還流させた。次いで、還流
冷却管をリッビッヒコンデンサーに取り替え、浴温を約
１時間かけて２２０℃まで昇温し、未反応のホルマリ
ン、水等を除去した。更に１．５時間常圧留去を行った
後、徐々に１mmHgまで減圧して、未反応のモノマー等を
留去した。減圧留去には２時間を要した。次いで溶融し
たノボラック樹脂を室温に戻して回収した。得られたノ
ボラック樹脂は重量平均分子量２３６０（ポリスチレン
換算）であった。次いでこのノボラック樹脂１００ｇを
１０００ｇのアセトンに完全に溶解させた後、攪拌下ｎ
−ヘキサン１０００ｇを添加して更に室温下３０分攪拌
後、１時間静置した。上層をデカンテーションにより除
去し、残った下層をロータリーエバポレーターを用いて
溶媒を留去しノボラック樹脂Ｂを得た。得られたノボラ
ック樹脂は、重量平均分子量５７３０（ポリスチレン換
算）であり、分散度は２．６であった。

【００５８】合成例(5) ノボラック樹脂〔Ｃ〕の合成 ｍ−クレゾール ５０ｇ、 ｐ−クレゾール ５０ｇ、 ３７％ホルマリン水溶液 ５０ｇ、及び 蓚酸 ０．１３ｇ を３つ口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで
昇温し、１５時間反応させた。そののち、温度を２２０
℃まで上げ、徐々に５ｍｍＨｇまで減圧し、水、未反応
モノマー、ホルムアルデヒド、蓚酸等を除去した。つい
で、溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻
して回収した。得られたノボラック樹脂〔Ｃ〕は重量平
均分子量７８００（ポリスチレン換算）であり、分散度
は５．６であった。

【００５９】 合成例(6) 比較用感光物〔Ｃ〕の合成 下記ポリヒドロキシ化合物 [III] 44.1 g 、 1,2-ナフトキノンジアジド-5スルホニルクロリド 53.7 g 、及び アセトン 800 ml を３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いで、
N-メチルピペリジン/ アセトン=20.8g/ 100 mlを徐々に
滴下し、25℃で3 時間反応させた。反応混合液を1%塩酸
水溶液2500ml中に注ぎ、生じた沈殿を濾別し、水洗、乾
燥(40 ℃) を行い、化合物[III] の1,2-ナフトキノンジ
アジド-5- スルホン酸エステル（感光物Ｃ） 83.1 g を
得た。

【００６０】

【化５】

【００６１】 合成例(7) 比較用感光物〔ｄ〕の合成 下記ポリヒドロキシ化合物〔IV〕 50.8 g 、 1,2-ナフトキノンジアジド-5スルホニルクロリド 53.7 g 、及び アセトン 800 mlを ３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いで、N-
メチルピペリジン/ アセトン=20.8g/ 100 mlを徐々に滴
下し、25℃で3 時間反応させた。反応混合液を1%塩酸水
溶液2500ml中に注ぎ、生じた沈殿を濾別し、水洗、乾燥
(40 ℃) を行い、化合物〔IV〕の1,2-ナフトキノンジア
ジド-5- スルホン酸エステル（感光物ｄ）82.6 g を得
た。

【００６２】

【化６】

【００６３】（ポジ型フォトレジスト組成物の調整と評
価） 上記合成例(1)(2)で得られた感光物ａ、ｂ、 上記合成例(6)(7)で得られた比較用感光物ｃ、ｄ 上記合成例(3)(4)(5) で得られたノボラック樹脂Ａ、
Ｂ、Ｃ 溶剤及び必要に応じてポリヒドロキシ化合物を下記表−
１に示す割合（重量部)で混合し、均一溶液とした後、
孔径0.10μm のテフロン製ミクロフィルターを用いて濾
過し、フォトレジスト組成物を調整した。このフォトレ
ジスト組成物をスピナーを用い、回転数を変えてシリコ
ンウエハー上に塗布し、真空吸着式ホットプレートで90
℃、60秒間乾燥して、膜厚0.865 μm のレジスト膜を得
た。この膜に縮小投影露光装置（ニコン社製NSR-2005i9
C)を用い露光した後、110 ℃で60秒間PEB を行い、2.38
% のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1
分間現像し、30秒間水洗して乾燥した。

【００６４】

【表１】

【００６５】この様にして得られたシリコンウエハーの
レジストパターン及びコンタクトホールの形状を走査型
電子顕微鏡で観察し、レジストを評価した。結果を表−
２、表−３に示す。

【００６６】表−２中、感度は0.35μm のマスクパター
ンを再現する露光量(msec)で表した。解像力は、0.35μ
m のマスクパターンを再現する露光量における限界解像
力を示す。耐熱性は、レジストパターンが形成されたシ
リコンウエファーを真空吸着式ホットプレート上で4 分
間ベークし、5.0 μｍパターンの変形が起こらない最高
温度を示した。レジスト形状は、0.35μm のレジストパ
ターン断面におけるレジスト壁面とシリコンウエファー
の平面とのなす角（θ) で表した。デフォーカスラチチ
ュードは0.35μm のラインの線幅が±10% の範囲内で許
容できるフォーカスの幅を表した。

【００６７】表−３に記載のコンタクトホールの評価に
関し、感度は０．４０μmのマスクパターンを再現する
露光量(msec)で示した。コンタクトホールの解像力は、
０．４０μmのマスクパターンを再現する露光量におけ
る限界解像力を表す。デフォーカスラチチュードは０．
４０μmのコンタクトホールのボトムの寸法が±１０％
の範囲で許容できるフォーカスの巾を表した。

【００６８】

【表２】

【００６９】

【表３】

【００７０】以上の結果から、本発明の実施例１〜５
は、高い感度と解像力、良好な耐熱性とレジスト形状、
広いデフォーカスラチチュードを有し、更にコンタクト
ホールの感度、解像力、デフォーカスラチチュードが全
て優れていることが判る。

【００７１】

【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物に
より、高い感度と解像力、良好な耐熱性とレジスト形
状、広いデフォーカスラチチュードを有し、更にコンタ
クトホールの感度、解像力、デフォーカスラチチュード
が全て優れるようになる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロ
   キシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル及びア
   ルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フ
   ォトレジスト組成物。 【化１】 式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は、各々同じでも異なってもよ
   く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアルコ
   キシ基を表す。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、各々同じでも異
   なってもよく、１、２もしくは３を表す。
2. 【請求項２】 前記アルカリ可溶性樹脂の分散度（重量
   平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比）が１．５〜
   ４．０であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型
   フォトレジスト組成物。