JPH10305606A - Apparatus and method for heat treatment - Google Patents

Apparatus and method for heat treatment

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Publication number
JPH10305606A
JPH10305606A JP9118404A JP11840497A JPH10305606A JP H10305606 A JPH10305606 A JP H10305606A JP 9118404 A JP9118404 A JP 9118404A JP 11840497 A JP11840497 A JP 11840497A JP H10305606 A JPH10305606 A JP H10305606A
Authority
JP
Japan
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heat treatment
resistance value
bit
cpu
heating resistor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9118404A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuki Matsuoka
由紀 松岡
Fumiko Tsuda
文子 津田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9118404A priority Critical patent/JPH10305606A/en
Publication of JPH10305606A publication Critical patent/JPH10305606A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To optionally control a heat treatment to an object on the basis of a change amount of a resistance value, by setting a heat treatment condition to the object in accordance with the change amount of the resistance value, and carrying out the heat treatment to the object on the basis of the set heat treatment condition. SOLUTION: A current is fed to each heat-generating resistance body (bit). A current value is input to a CPU 4, so that a resistance value of each bit is calculated. A target resistance value Ra is input to the CPU 4 for each bit. An actually measured resistance value Rn and the target resistance value Ra set in the CPU 4 are compared with each other for each of all bits. Bits satisfying Rn>Ra are selected. An emission time (t) of a laser light calculated from a difference ΔR of the Rn and Ra of the selected bits and position data of the bits are recorded in the CPU 4. After an XY table 1 is positioned on the basis of a pickup signal from a CCD camera 33, the laser light L is oscillated for the emission time (t) calculated from the Rn of the bits required to be adjusted and recorded in the CPU 4. After all bits are subjected to heat treatment by the laser light, the resistance value is measured again for the bite, when the heat treatment is completed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対象物にレーザ光
を照射して該対象物の抵抗値を変化させる熱処理装置お
よび熱処理方法に関し、特に、サーマルプリントヘッド
の発熱抵抗体の抵抗値のトリミングに好適な熱処理装置
および熱処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for changing the resistance of an object by irradiating the object with a laser beam, and more particularly to trimming the resistance of a heating resistor of a thermal print head. The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method suitable for the present invention.

【0002】[0002]

【従来の技術】孔版印刷機、ファクシミリ、ビデオプリ
ンタ等に代表される各種ΟA機器においては、低騒音、
低メンテナンスコストおよび低ランニングコスト等の利
点があることから、サーマルプリントヘッドを用いた感
熱式記録方式が多用されるようになってきた。一般に、
サーマルプリントヘッドは、次のような構成からなって
いる。すなわち、図5(a)および図5(b)に示した
ように、サーマルプリントヘッド8は、アルミナ等から
なる基板9上に発熱抵抗体10a〜10eを設けるとと
もに、該発熱抵抗体10の端部にはリード線11a〜1
1jを接続しており、発熱抵抗体10a〜10eおよび
リード線11a〜11jを覆うように保護膜12を配置
した構成である。なお、図5(a)は、サーマルプリン
トヘッドを発熱抵抗体側から概観した図であり、図5
(b)は、図5(a)のA−B線により切断した断面を
示した図である。
2. Description of the Related Art Various types of さ れ る A equipment such as stencil printing machines, facsimile machines, video printers, etc.
Due to advantages such as low maintenance cost and low running cost, a thermal recording method using a thermal print head has been frequently used. In general,
The thermal print head has the following configuration. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, the thermal print head 8 has heating resistors 10a to 10e provided on a substrate 9 made of alumina or the like, and an end of the heating resistor 10 Parts are lead wires 11a-1
1j, and the protective film 12 is arranged so as to cover the heating resistors 10a to 10e and the lead wires 11a to 11j. FIG. 5A is a schematic view of the thermal print head from the heating resistor side.
FIG. 5B is a diagram showing a cross section cut along the line AB in FIG.

【0003】ところで、発熱抵抗体は、Ta-SiO2 、Nb-S
iO2 、Zr-SiO2 またはCr-SiO2 等の金属と SiO2 とを組
み合わせたターゲットを用いたスパッタリングにより、
200〜5000オングストロームの膜厚を有する薄膜
として形成されている。通常、スパッタリングにより薄
膜として形成した発熱抵抗体をそのまま使用した場合に
は、サーマルプリントヘッドの駆動時の通電によるジュ
ール熱により抵抗値が低下して流れる電流が増加し、続
いて、増加した電流によりさらに発熱量が増えるためさ
らに抵抗値が低下するというサイクルを繰り返すことに
より、発熱抵抗体には過大な電流が流れることになる。
こうして、発熱抵抗体に過大な電流が流れると、発熱抵
抗体より所望の発熱量が得られないため、印刷した画像
の画質が劣化する。また、発熱抵抗体に過大な負荷がか
かるので発熱抵抗体が破壊され、サーマルプリントヘッ
ドの寿命が低下する。この発熱抵抗体の抵抗値が低下す
る現象は、発熱抵抗体の分子構造が発熱により変化を起
こすためであると考えられている。そこで、発熱抵抗体
を上述の方法で形成した場合には、発熱抵抗体の微細構
造をより安定化するために、発熱抵抗体に対して通電エ
イジング、加熱炉内でのアニールまたはレーザ光の照射
によるレーザアニール等の熱処埋を施す。こうして、予
め、サーマルプリントヘッドの使用時に用いる発熱温度
より高い温度で発熱抵抗体に熱処埋を実行することによ
り、発熱に起因する発熱抵抗体の抵抗値の低下を防止す
ることができる。
The heating resistors are made of Ta—SiO 2 , Nb—S
By sputtering using a target combining a metal such as iO 2 , Zr-SiO 2 or Cr-SiO 2 with SiO 2 ,
It is formed as a thin film having a thickness of 200 to 5000 angstroms. Normally, when the heating resistor formed as a thin film by sputtering is used as it is, the resistance value decreases due to Joule heat due to energization at the time of driving the thermal print head, and the flowing current increases, and subsequently, the increased current causes By repeating a cycle in which the heating value further increases and the resistance value further decreases, an excessive current flows through the heating resistor.
When an excessive current flows through the heating resistor in this manner, a desired amount of heat cannot be obtained from the heating resistor, so that the image quality of a printed image deteriorates. Further, since an excessive load is applied to the heating resistor, the heating resistor is destroyed and the life of the thermal print head is shortened. It is considered that the phenomenon in which the resistance value of the heating resistor decreases is because the molecular structure of the heating resistor changes due to heat generation. Therefore, when the heating resistor is formed by the above-described method, in order to further stabilize the fine structure of the heating resistor, current aging, annealing in a heating furnace, or irradiation of laser light is performed on the heating resistor. Heat treatment such as laser annealing. In this way, by previously performing the heat treatment on the heating resistor at a temperature higher than the heating temperature used when using the thermal print head, it is possible to prevent a decrease in the resistance value of the heating resistor due to heat generation.

【0004】また、通常、基板上に発熱抵抗体をスパッ
タリングにより設けた場合には、発熱抵抗体の各々の間
で発熱抵抗体の抵抗値が異なっている。各々の間で抵抗
値が異なる発熱抵抗体を加熱炉によってアニールする
と、発熱抵抗体の抵抗値はアニールの温度と時間とによ
り制御されるにもかかわらず、各発熱抵抗体がほぼ同一
の条件で一度に処理されるので、発熱抵抗体の抵抗値の
低下を防止することができたとしても、発熱抵抗体の各
々の間における抵抗値の変動(バラツキ)は改善されな
い。しかしながら、カラープリンタ等に用いるサーマル
プリントヘッドにおいては、発熱抵抗体の各々の間にお
ける抵抗値の変動(バラツキ)がそのまま画像の画質の
劣化に反映するため、発熱抵抗体の各々の間における抵
抗値の変動(バラツキ)の解消が必要となる。そこで、
発熱抵抗体の各々の間における抵抗値の変動(バラツ
キ)を解消するため、発熱抵抗体にレーザ光を照射して
熱処理を行い、発熱抵抗体の各々の間における抵抗値の
変動を小さくする、換言すれば、発熱抵抗体の各々の抵
抗値を合わせることが行われる。
In general, when a heating resistor is provided on a substrate by sputtering, the resistance of the heating resistor differs among the heating resistors. When heat-generating resistors having different resistance values are annealed by a heating furnace, the heat-generating resistors are controlled under substantially the same conditions, although the resistance value of the heat-generating resistors is controlled by the annealing temperature and time. Since the processing is performed at one time, even if the reduction of the resistance value of the heating resistor can be prevented, the fluctuation (variation) of the resistance value between each of the heating resistors is not improved. However, in a thermal print head used in a color printer or the like, since the fluctuation (variation) in the resistance value between each of the heating resistors is directly reflected in the deterioration of the image quality of the image, the resistance value between each of the heating resistors is reduced. Must be eliminated. Therefore,
In order to eliminate the variation (variation) in the resistance value between each of the heating resistors, heat treatment is performed by irradiating the heating resistor with a laser beam to reduce the variation in the resistance value between each of the heating resistors. In other words, the resistance values of the heating resistors are matched.

【0005】ここで、レーザ光の照射による、発熱抵抗
体のアニール処理について説明する。 図6に示したよ
うに、アニール処理を施す以前の各発熱抵抗体(ビッ
ト)の間には抵抗値の変動(バラツキ)が存在する。し
たがって、アニールで必要とされる抵抗値の変化の大き
さ、すなわち、抵抗値の変化量ΔR(アニール前の抵抗
値と目標とする抵抗値Raとの差)は発熱抵抗体のビッ
ト間で異なり、アニール処理以前の発熱抵抗体の抵抗値
が大きいほど必要とする抵抗値の変化量ΔRは大きい。
また、レーザ光の照射によるアニールにおいては、図7
に示したように、レーザ光の出力を一定とした場合に
は、レーザ光の照射による発熱抵抗体の抵抗値の変化量
ΔRはレーザ光の照射時間tの関数となるため、発熱抵
抗体の抵抗値の変化量ΔRを大きくするためには照射時
間tを大きくする必要がある。
Here, an annealing process of the heating resistor by laser light irradiation will be described. As shown in FIG. 6, there is a variation (variation) in the resistance value between the heating resistors (bits) before the annealing process is performed. Therefore, the magnitude of the change in the resistance value required in the annealing, that is, the amount of change in the resistance value ΔR (the difference between the resistance value before annealing and the target resistance value Ra) differs between the bits of the heating resistor. The larger the resistance value of the heating resistor before the annealing process is, the larger the required change amount ΔR of the resistance value is.
Also, in annealing by laser light irradiation, FIG.
As shown in (2), when the output of the laser beam is constant, the amount of change ΔR in the resistance of the heating resistor due to the irradiation of the laser beam is a function of the irradiation time t of the laser beam. In order to increase the resistance change amount ΔR, it is necessary to increase the irradiation time t.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、発熱
抵抗体の抵抗値の変化量ΔRはレーザ光の照射時間tの
関数であるため、従来の熱処理装置でのレーザ光による
アニールは、図8に示すように、レーザ光の照射後にお
ける発熱抵抗体の抵抗値が目標とする抵抗値Raに達す
るまでレーザ光の照射と抵抗値の測定とを繰り返し行
い、これを全てのビットに対して行っていた。すなわ
ち、ステップ801〜ステップ805を通じて第1の発
熱抵抗体に一定時間(Δt:t1=Δt)レーザを照射す
ると抵抗値の測定を行って、抵抗体の実測値Rnと目標
とする抵抗値Raとを比較し(ステップ806)、その
結果、抵抗体の実測値Rnが目標とする抵抗値Raに達
していなければ、発熱抵抗体に2回目のレーザの照射を
一定時間(Δt:t2=2Δt)行って抵抗値の測定を行
い、続いて、抵抗体の実測値Rnが目標とする抵抗値R
aに達していなければ、発熱抵抗体に3回目のレーザの
照射を一定時間(Δt:t3=3Δt)行って抵抗値の測
定を行う。一方、抵抗体の実測値Rnが目標とする抵抗
値Raに達した場合にはビット数を確認し(ステップ8
07)、全ビットに対してアニールが実施されていなけ
れば次のビットにレーザの照射によるアニールを施すよ
うにし(ステップ808)、全ビットに対してアニール
が実施されていれば、再度、全ビットの抵抗値を測定し
てアニールを終了する(ステップ809、ステップ81
0)。
As described above, since the amount of change ΔR in the resistance value of the heating resistor is a function of the irradiation time t of the laser beam, the annealing by the laser beam in the conventional heat treatment apparatus is not shown in FIG. As shown in FIG. 8, the irradiation of the laser beam and the measurement of the resistance value are repeatedly performed until the resistance value of the heating resistor after the irradiation of the laser beam reaches the target resistance value Ra. I was going. That is, when the first heating resistor is irradiated with a laser for a certain time (Δt: t1 = Δt) through steps 801 to 805, the resistance value is measured, and the actual measured value Rn of the resistor and the target resistance value Ra are calculated. (Step 806). If the measured value Rn of the resistor does not reach the target resistance Ra, the second irradiation of the heating resistor with the laser is performed for a predetermined time (Δt: t2 = 2Δt). Then, the resistance value is measured, and then the measured resistance value Rn of the resistor is changed to the target resistance value R
If the temperature has not reached a, the heating resistor is irradiated with the third laser for a certain period of time (Δt: t3 = 3Δt) to measure the resistance value. On the other hand, when the measured value Rn of the resistor reaches the target resistance value Ra, the number of bits is checked (step 8).
07) If all the bits have not been annealed, the next bit is annealed by laser irradiation (step 808), and if all the bits have been annealed, all the bits are re-executed. Is measured and the annealing is completed (steps 809 and 81).
0).

【0007】しかしながら、上述したように、従来の熱
処理装置によりアニールを実施すると、発熱抵抗体の抵
抗値の変化量ΔRが大きい発熱抵抗体ほど、レーザ光の
照射および抵抗値の測定の回数が増加するため、時に
は、発熱抵抗体の1つ(1ビット)をアニールするのに
100秒程度の時間を要することもあった。
However, as described above, when annealing is performed by a conventional heat treatment apparatus, the number of times of irradiation of laser light and measurement of the resistance value increases as the heating resistor having a larger variation ΔR in resistance value of the heating resistor increases. Therefore, it sometimes takes about 100 seconds to anneal one of the heating resistors (one bit).

【0008】また、レーザ光の出力を一定とするととも
に、レーザ光の照射時間も一定であるため、発熱抵抗体
にレーザ光の照射を繰り返している間に発熱抵抗体の抵
抗値が目標とする抵抗値Raよりも小さくなり、さら
に、各ビット間での抵抗値の変動も容易に減少しないと
いう問題があった。
In addition, since the output of the laser beam is constant and the irradiation time of the laser beam is constant, the resistance value of the heating resistor becomes a target while the heating resistor is repeatedly irradiated with the laser beam. There is a problem that the resistance value becomes smaller than the resistance value Ra, and the fluctuation of the resistance value between the bits does not easily decrease.

【0009】本発明は、上記従来例に鑑みてなされたも
ので、対象物に対して正確かつ迅速に熱処理を実行する
とともに、対象物が複数存在する場合にも、該対象物群
に対して正確かつ迅速に熱処理を実行し、各対象物にほ
ぼ同一の特性を付与することが可能な、経済性に優れた
熱処理装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above conventional example, and performs an accurate and prompt heat treatment on an object. It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus which can perform heat treatment accurately and quickly and can impart substantially the same characteristics to each object, and which is excellent in economic efficiency.

【0010】また、本発明は、対象物に対して正確かつ
迅速に熱処理を施すとともに、対象物が複数存在する場
合にも、該対象物群に対して正確かつ迅速に熱処理を施
し、各対象物にほぼ同一の特性を付与する、経済性に優
れた熱処理方法を提供することを目的とする。
Further, the present invention provides an accurate and prompt heat treatment for an object, and an accurate and rapid heat treatment for a group of objects even when a plurality of objects exist. It is an object of the present invention to provide a heat treatment method that gives substantially the same properties to a product and is excellent in economic efficiency.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明に係る熱処理装置
は、抵抗値の変化量に応じて対象物に対する熱処理条件
を設定する手段と、前記設定した熱処理条件に基づいて
前記対象物に熱処理を施す手段とを具備したことを特徴
としている。
According to the present invention, there is provided a heat treatment apparatus, comprising: means for setting heat treatment conditions for an object in accordance with an amount of change in resistance; and performing heat treatment on the object based on the set heat treatment conditions. And means for applying.

【0012】本発明に係る熱処理装置によれば、抵抗値
の変化量に応じて対象物に対する熱処理条件が設定さ
れ、該設定された熱処理条件に基づいて対象物に熱処理
が施されることにより、対象物に対する熱処理を、抵抗
値の変化量を基準として任意に制御できる。したがっ
て、対象物に対して正確かつ迅速に熱処理を実行できる
とともに、対象物が複数存在する場合にも、該対象物群
に対して正確かつ迅速に熱処理を実行し、各対象物にほ
ぼ同一の特性を付与することが可能となる。
According to the heat treatment apparatus of the present invention, heat treatment conditions for the object are set according to the amount of change in the resistance value, and the object is subjected to heat treatment based on the set heat treatment conditions. The heat treatment of the object can be arbitrarily controlled based on the amount of change in the resistance value. Therefore, the heat treatment can be accurately and quickly performed on the object, and even when there are a plurality of objects, the heat treatment is accurately and quickly performed on the group of objects, and substantially the same It is possible to impart characteristics.

【0013】また、本発明に係る熱処理方法は、抵抗値
の変化量に応じて対象物に対する熱処理条件を設定する
工程と、前記設定した熱処理条件に基づいて前記対象物
に熱処理を施す工程とを具備したことを特徴としてい
る。
Further, the heat treatment method according to the present invention comprises the steps of: setting a heat treatment condition for the object in accordance with the amount of change in the resistance value; and performing a heat treatment on the object based on the set heat treatment condition. It is characterized by having.

【0014】本発明に係る熱処理方法によれば、抵抗値
の変化量に応じて対象物に対する熱処理条件を設定し、
該設定した熱処理条件に基づいて対象物に熱処理を施す
ことにより、対象物に対する熱処理を、抵抗値の変化量
を基準として任意に制御できる。したがって、対象物に
対して正確かつ迅速に熱処理を施すとともに、対象物が
複数存在する場合にも、該対象物群に対して正確かつ迅
速に熱処理を施し、各対象物にほぼ同一の特性を付与す
ることが可能となる。
According to the heat treatment method of the present invention, heat treatment conditions for the object are set according to the amount of change in the resistance value,
By subjecting the object to heat treatment based on the set heat treatment conditions, the heat treatment of the object can be arbitrarily controlled based on the amount of change in the resistance value. Therefore, the heat treatment is performed accurately and quickly on the objects, and even when there are a plurality of objects, the heat treatment is performed accurately and quickly on the group of the objects, and each of the objects has substantially the same characteristics. Can be granted.

【0015】本発明に係る熱処理装置および熱処理方法
において、抵抗値は、導体の2つの端子間に電位差Vで
電流Iが流れるときに、R=V/Iで表す値を意識して
いるが、特に、該値に限定する必要ななく、例えば、磁
気抵抗等を意識することもできる。また、抵抗値の変化
量は、予め決定された値でもよいし、状況に応じて適宜
変動する値でもよい。さらに、対象物の抵抗値の実測値
と予め決められた抵抗値との差として規定してもよい。
In the heat treatment apparatus and the heat treatment method according to the present invention, the resistance value is conscious of a value represented by R = V / I when a current I flows with a potential difference V between two terminals of the conductor. In particular, it is not necessary to limit to this value, and for example, a magnetic resistance or the like can be considered. Further, the amount of change in the resistance value may be a value determined in advance or a value that fluctuates as appropriate according to the situation. Further, the difference may be defined as a difference between an actual measured value of the resistance value of the object and a predetermined resistance value.

【0016】また、熱処理を施す対象物としては、セラ
ミック基板上にベータ−TaあるいはNiCr等をスパッタリ
ングした薄膜や銀パラジウムを焼き付けた厚膜抵抗を用
いたハイブリッドICや各種の抵抗体を挙げることがで
き、さらに、上述したサーマルプリントヘッドの発熱抵
抗体を好適に挙げることができる。
Examples of the object to be subjected to the heat treatment include a hybrid IC using a thin film resistor obtained by sputtering beta-Ta or NiCr on a ceramic substrate, a thick film resistor obtained by baking silver palladium, and various resistors. Preferably, the above-described heat generating resistor of the thermal print head can be preferably used.

【0017】さらに、熱処理条件の設定に際しては、熱
処理条件として、熱処理の方法、熱処理を施す時間およ
び熱処理の強さ等を設定する。例えば、熱処理の方法を
レーザ光の照射とした場合には、レーザ光を照射する時
間および照射するレーザ光の強度等をそれぞれ動的に設
定することができる。また、レーザ光を照射する時間を
固定してレーザ光の強度を変動させるようにしてもよい
し、レーザ光の強度を固定してレーザ光を照射する時間
を変動させてもよい。すなわち、熱処理条件の設定は抵
抗値の変化量に応じて必要とする各要素を適宜設定する
ことにより実行される。また、熱処理は、上記レーザ光
の対象物への照射であってもよいし、熱源の直接的な接
触であってもよく、状況に応じて適宜選択することがで
きる。なお、熱処理をレーザ光の対象物への照射とした
場合には、例えば、YAGレーザを好適に用いることが
できる。
Further, in setting the heat treatment conditions, the heat treatment method, heat treatment time, heat treatment strength, and the like are set as heat treatment conditions. For example, when the method of heat treatment is laser light irradiation, the time for laser light irradiation, the intensity of laser light irradiation, and the like can be dynamically set. Further, the laser light irradiation time may be fixed to change the laser light intensity, or the laser light irradiation time may be changed while the laser light intensity is fixed. That is, the setting of the heat treatment condition is performed by appropriately setting each necessary element according to the amount of change in the resistance value. The heat treatment may be irradiation of the object with the laser light or direct contact with a heat source, which can be appropriately selected depending on the situation. In the case where the heat treatment is performed by irradiating the object with laser light, for example, a YAG laser can be suitably used.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0019】図1は、本発明に係る熱処埋装置の一実施
の形態について、その構成を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.

【0020】図1に示すように、該実施の形態による熱
処理装置はΧYテーブル1を備えており、XYテーブル
1はドライバ2により、平面上の互いに直行するXY方
向に駆動されるようになっている。ドライバ2への駆動
信号は制御部3から出力され、該制御部3は、CPU4
に拡張ボード5が信号線6によって接続された構成とな
っている。XYテーブル1には真空チャック7が設けら
れ、サーマルプリントヘッド8は真空チャック7に吸着
保持されるようになっている。なお、サーマルプリント
ヘッド8は、図5に示すように、アルミナ等の絶縁性の
基板9上に、多数の発熱抵抗体10a〜10eが該基板
9の長手方向に沿って所定の間隔で形成されるととも
に、各発熱抵抗体10a〜10eの長手方向の両端部に
は各々アルミニウム製のリード線11a〜11jが接続
され、各発熱抵抗体10a〜10eは保護膜12によっ
て被覆された構成である。
As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus according to this embodiment includes a ΧY table 1, and the XY table 1 is driven by a driver 2 in XY directions orthogonal to each other on a plane. I have. A drive signal to the driver 2 is output from the control unit 3, and the control unit 3
And an expansion board 5 is connected by a signal line 6. The XY table 1 is provided with a vacuum chuck 7, and the thermal print head 8 is held by the vacuum chuck 7. In the thermal print head 8, as shown in FIG. 5, a large number of heating resistors 10a to 10e are formed on an insulating substrate 9 made of alumina or the like at predetermined intervals along the longitudinal direction of the substrate 9. At the same time, lead wires 11a to 11j made of aluminum are connected to both ends in the longitudinal direction of the heating resistors 10a to 10e, respectively, and the heating resistors 10a to 10e are covered with a protective film 12.

【0021】また、サーマルプリントヘッド8の各発熱
抵抗体の抵抗値は、デジタルマルチメータ13を備えた
測定部14によって測定されるが、デジタルマルチメー
タ13とサーマルプリントヘッド8の各発熱抵抗体10
a〜10eとは、図2に示すように、サーマルプリント
ヘッド8に設けられたデバイス回路Dのシフトレジスタ
ΙC15を介して一対の定電流配線16aおよび16b
によって接続できるようになっている。すなわち、一対
の定電流配線16aおよび16bのうち、プラス側の定
電流配線16aは測定部14に設けられた直流電源部1
7に接続されている。シフトレジスタΙC15は、拡張
ボード5と接続された駆動信号線18に接続され、駆動
信号線18には拡張ボード5を介してCPU4から駆動
信号が印加されるようになっている。シフトレジスタΙ
C15は、CPU4からの駆動信号によって1ビットず
つ駆動されてONとなることで、発熱抵抗体10a〜1
0eの各々に順次電流を流す。発熱抵抗体10a〜10
eの各々に流れる電流は、他方の定電流配線16bを通
じてデジタルマルチメータ13および拡張ボード5を介
してCPU4に入力され、CPU4で電流値から発熱抵
抗体10a〜10eの各々について抵抗値が算出され
る。その結果、抵抗値が目標となる抵抗値Raに達して
いない発熱抵抗体(ビット)については、後述するよう
に、実測した抵抗値Rnと目標となる抵抗値Raとの差
から算出した値から要求されるレーザ光の照射時間tお
よびビットの位置データがCPU4により認識される。
なお、デジタルマルチメータ13と拡張ボード5とはG
P−ΙB19によって接続されている。
The resistance value of each heating resistor of the thermal print head 8 is measured by a measuring unit 14 having a digital multimeter 13.
a to 10e, as shown in FIG. 2, are a pair of constant current wirings 16a and 16b via a shift register # C15 of a device circuit D provided in the thermal print head 8.
Can be connected. That is, of the pair of constant current wires 16a and 16b, the positive side constant current wire 16a is connected to the DC power supply unit 1 provided in the measurement unit 14.
7 is connected. The shift register # C15 is connected to a drive signal line 18 connected to the extension board 5, and a drive signal is applied to the drive signal line 18 from the CPU 4 via the extension board 5. Shift registerΙ
C15 is driven one bit at a time by a drive signal from the CPU 4 and turned on, thereby generating the heating resistors 10a to 10a.
A current is sequentially passed through each of the reference numerals 0e. Heating resistors 10a to 10
The current flowing in each of the e is input to the CPU 4 via the digital multimeter 13 and the extension board 5 through the other constant current wiring 16b, and the CPU 4 calculates the resistance value of each of the heating resistors 10a to 10e from the current value. You. As a result, for a heating resistor (bit) whose resistance value has not reached the target resistance value Ra, as described later, from the value calculated from the difference between the actually measured resistance value Rn and the target resistance value Ra, as described later. The required irradiation time t of the laser beam and bit position data are recognized by the CPU 4.
The digital multimeter 13 and the extension board 5 are G
P- 接 続 B19.

【0022】さらに、真空チャック7には中途部に電磁
弁20が設けられた配管21の一部が接続されており、
配管21の他端には真空ポンプ22が設けられている。
また、電磁弁20は、CPU4から拡張ボード5を介し
て出力される駆動信号によって開閉制御されるようにな
っている。そして、測定部14で抵抗値が測定された結
果、所定の抵抗値に達していないビットには、レーザ発
振器23から発振・出力されたレーザ光Lが照射されて
該ビットに熱処理(アニール)が実行される。ここで、
レーザ発振器23は、サーマルプリントヘッド8の各発
熱抵抗体を被覆した保護膜を透過する波長のレーザ光L
を出力するもので、例えば、レーザの媒質としてYAG
結晶が使用されたYAGレーザが用いられる。
Further, a part of a pipe 21 provided with a solenoid valve 20 in the middle thereof is connected to the vacuum chuck 7.
A vacuum pump 22 is provided at the other end of the pipe 21.
The solenoid valve 20 is controlled to open and close by a drive signal output from the CPU 4 via the extension board 5. Then, as a result of the measurement of the resistance value by the measuring unit 14, the laser light L oscillated and output from the laser oscillator 23 is applied to the bit not reaching the predetermined resistance value, and the bit is subjected to heat treatment (annealing). Be executed. here,
The laser oscillator 23 has a laser beam L having a wavelength transmitted through a protective film covering each heating resistor of the thermal print head 8.
And output, for example, YAG as the medium of the laser.
A YAG laser using a crystal is used.

【0023】また、レーザ発振器23には、制御電源部
24が接続されていて、制御電源部24拡張ボード5を
介してCPU4からの駆動信号によつて出力が制御され
るようになっている。該出力の制御は、レーザ光Lの強
度を一定として、その照射時間tを変化させることによ
り行われ、照射時間tは、測定部14で実測したビット
の抵抗値Rnと目標とする抵抗値Raとの差、すなわ
ち、抵抗値の変化量であるΔRに応じて設定される。つ
まり、図3に示したように、抵抗値の変化量であるΔR
は、レーザ光Lの強度を一定とした場合、照射時間tの
関数f(t) として表せるから、予め設定した該関数f
(t) により、k番目のビットに必要な抵抗値の変化量Δ
k に必要なレーザ光Lの照射時間tk をCPU4で算
出し、該照射時間tk の時間だけk番目のビットにレー
ザ光Lが照射される。
A control power supply 24 is connected to the laser oscillator 23, and the output is controlled by a drive signal from the CPU 4 via the control power supply 24 expansion board 5. The output is controlled by changing the irradiation time t while keeping the intensity of the laser light L constant. The irradiation time t is determined by the resistance value Rn of the bit actually measured by the measuring unit 14 and the target resistance value Ra. , That is, according to the amount of change in resistance, ΔR. That is, as shown in FIG.
Can be expressed as a function f (t) of the irradiation time t when the intensity of the laser light L is constant.
(t) gives the amount of change Δ in the resistance required for the k-th bit.
The irradiation time t k of R k laser beam L required calculated in CPU 4, the laser beam L is irradiated to the k-th bit by the time of the irradiation time t k.

【0024】さらに、レーザ発振器23には、レーザ発
振器23を冷却するためのクーラ25が配管されてお
り、レーザ発振器23とクーラ25との間にはレーザ発
振器23の発熱部を冷却する冷却水が循環するようにな
っている。また、レーザ発振器23から出力されるレー
ザ光Lの光路には、スリット26を備えた成形部材27
が設けられており、該成形部材27はドライバ28によ
って駆動されるようになっている。すなわち、ビットの
寸法に応じた成形部材27の駆動により、スリット26
を通過するレーザ光Lのビームの形状を設定でき、ここ
では、レーザ光Lのビームの形状は熱処理(アニール)
するビットの寸法に一致するよう整えられることにな
る。こうして、スリット26を通過したレーザ光Lは、
45度の角度で配置されたダイクロイックミラ−29で
下方へ反射し、対物レンズ30で集束されてΧYテーブ
ル1上のサーマルプリントヘッド8のビットに照射され
るようになっている。また、ダイクロイックミラー29
の上方にはハーフミラ−31が配置されており、該ハー
フミラー31には、観察用光源32からの観察光Sが入
射する。観察光Sは、ダイクロイックミラ−29を通過
してサーマルプリントヘッド8を照射し、反射光はダイ
クロイックミラー29およびハーフミラー31を透過し
て、撮像部32のCCDカメラ33に接眼レンズ34を
介して撮像される。CCDカメラ33からの撮像信号
は、テレビモニタ35に入力されて画像が表示されると
ともに、拡張ボード5を介してCPU4に入力される。
こうして、サーマルプリントヘッドに設けられた発熱抵
抗体の各ビットのXY座標が算出される。 次に、上記
熱処理装置の動作について、図4を参照しながら説明す
る。
Further, a cooler 25 for cooling the laser oscillator 23 is provided in the laser oscillator 23, and cooling water for cooling a heat generating portion of the laser oscillator 23 is provided between the laser oscillator 23 and the cooler 25. It is circulating. In the optical path of the laser light L output from the laser oscillator 23, a molding member 27 having a slit 26 is provided.
Is provided, and the molding member 27 is driven by a driver 28. That is, the driving of the forming member 27 according to the size of the bit causes the slit 26
The shape of the beam of the laser light L passing therethrough can be set. Here, the shape of the beam of the laser light L is heat-treated (annealed).
It will be trimmed to match the size of the bit to be made. Thus, the laser light L passing through the slit 26 is
The light is reflected downward by the dichroic mirror 29 arranged at an angle of 45 degrees, is focused by the objective lens 30, and irradiates the bit of the thermal print head 8 on the ΧY table 1. In addition, dichroic mirror 29
A half mirror 31 is arranged above the half mirror 31. Observation light S from an observation light source 32 is incident on the half mirror 31. The observation light S passes through the dichroic mirror 29 and irradiates the thermal print head 8, and the reflected light passes through the dichroic mirror 29 and the half mirror 31, and passes through the eyepiece 34 to the CCD camera 33 of the imaging unit 32. It is imaged. The imaging signal from the CCD camera 33 is input to the television monitor 35 to display an image, and is also input to the CPU 4 via the extension board 5.
Thus, the XY coordinates of each bit of the heating resistor provided in the thermal print head are calculated. Next, the operation of the heat treatment apparatus will be described with reference to FIG.

【0025】はじめに、抵抗値が未調整の各発熱抵抗体
(ビット)を備えた、図5に示したようなサーマルプリ
ントヘッド8をΧYテーブル1の真空チャック7上に載
置し、サーマルプリントヘッド8に定電流配線16a、
16bおよび駆動信号線18を接続した後、不図示の抵
抗値測定用のキーを操作してCPU4に抵抗値の測定を
指令する(ステップ401)。ここで、各ビットの抵抗
値の測定は次のように行われる。すなわち、制御部14
に設けられた直流電源部17から、定電流配線16aお
よび16bに定電流を印加するとともに、シフトレジス
タIC15に駆動信号を入力してシフトレジスタΙC1
5を1ビットずつ駆動して各ビットに電流が順次流され
る。各ビットに流れた電流値はCPU4に入力され、該
電流値から各ビットの抵抗値を算出する(ステップ40
2)。次に、各ビットについて、目標とする抵抗値Ra
がCPU4に入力される(ステップ403)とともに、
全てのビットに対して実測した抵抗値RnとCPU4に
設定した目標となる抵抗値Raとを比較し(ステップ4
04〜ステップ407)、抵抗値の調整が必要なビッ
ト、つまり、実測した抵抗値Rnが抵抗値Raよりも高
いビットが選定される(ステップ408)。なお、目標
とする抵抗値Raは予めCPU4に入力しておくことが
でき、この場合には、ステップ403を省略することが
できる。
First, a thermal print head 8 as shown in FIG. 5 provided with each heating resistor (bit) whose resistance value has not been adjusted is placed on the vacuum chuck 7 of the ΔY table 1 and 8, a constant current wiring 16a,
After the connection of the drive signal line 16b and the drive signal line 18, a key (not shown) for measuring the resistance value is operated to instruct the CPU 4 to measure the resistance value (step 401). Here, the measurement of the resistance value of each bit is performed as follows. That is, the control unit 14
A constant current is applied to the constant current wirings 16a and 16b from the DC power supply unit 17 provided at the
5 is driven one bit at a time, and a current is sequentially passed through each bit. The current value flowing through each bit is input to the CPU 4, and the resistance value of each bit is calculated from the current value (step 40).
2). Next, for each bit, the target resistance value Ra
Is input to the CPU 4 (step 403),
The resistance value Rn actually measured for all bits is compared with the target resistance value Ra set in the CPU 4 (step 4).
04 to step 407), a bit whose resistance value needs to be adjusted, that is, a bit whose measured resistance value Rn is higher than the resistance value Ra is selected (step 408). Note that the target resistance value Ra can be input to the CPU 4 in advance, and in this case, step 403 can be omitted.

【0026】次いで、選定されたビットの抵抗値の実測
値と目標となる抵抗値Raとの差ΔRから算出されたレ
ーザ光の照射時間tおよび該ビットの位置データ(k、
…n番目)がCPU4に記録されるとともに、CCDカ
メラ33からの撮像信号によってΧYテーブル1上のサ
ーマルプリントヘッド8が撮像され、該撮像信号をもと
にして、選定されたビットがレーザ光Lの照射位置に位
置するよう、CPU4に記憶された位置データに基づい
てΧYテーブル1が位置ぎめ駆動される。例えば、k番
目のビットがレーザ光Lの照射位置にくるよう、XYテ
ーブル1がCCDカメラ33からの撮像信号によって位
置決めされる。また、該撮像信号によってビットの寸法
が測定されるとともに、該測定値に応じてCPU4から
の駆動信号でドライバ28が駆動され、成形部材27が
光軸方向に駆動して、サーマルプリントヘッド8を照射
するレーザ光Lのビームの寸法とビットの寸法とが一致
するようにする。ΧYテーブル1が位置決めされると、
CPU4からレーザ発振器23の制御電源部24に制御
信号が入力され、CPU4に記録された調整を要するビ
ットの抵抗値(実測値Rn)から算出された照射時間t
の時間、レーザ発振器23が作動してレーザ光Lを発振
出力する。レーザ発振器23からのレーザ光Lは、成形
部材27のスリット26によりビームの形状が整えられ
た後、ダイクロイックミラ−29に入射し、ダイクロイ
ックミラ−29での反射により対物レンズ30で集束さ
れ、k番目の発熱抵抗体(ビット)に照射される(ステ
ップ409)。このとき、XYテーブル1は、レーザ光
Lがビットの長手方向(この方向をY方向とする)に沿
って走査するようY方向に所定の速度で駆動される。次
に、例えば、k+1番目のビットがレーザ光の照射位置
に位置するよう、ΧYテーブル1がX方向に駆動されて
位置決めされ、k番目のビットと同様、抵抗値の調整が
行われる(ステップ409〜ステップ411)。そし
て、選定したビットの全てにレーザ光による熱処理を実
行すると、再度、発熱抵抗体の全てのビットに対して抵
抗値を測定した後(ステップ412)、熱処理を終了す
る(ステップ413)。なお、ステップ408におい
て、実測した抵抗値Rnが抵抗値Raよりも高いビット
が存在しない場合には、再度、発熱抵抗体の全てのビッ
トに対して抵抗値を測定した後(ステップ412)、終
了する(ステップ413)。
Next, the irradiation time t of the laser beam calculated from the difference ΔR between the measured resistance value of the selected bit and the target resistance value Ra and the position data (k,
.. N) are recorded in the CPU 4, the thermal print head 8 on the ΧY table 1 is imaged by the image signal from the CCD camera 33, and the selected bit is set to the laser light L based on the image signal. Is driven based on the position data stored in the CPU 4 so as to be located at the irradiation position of. For example, the XY table 1 is positioned by an imaging signal from the CCD camera 33 so that the k-th bit is located at the irradiation position of the laser light L. The bit size is measured by the image pickup signal, and the driver 28 is driven by a drive signal from the CPU 4 according to the measured value, and the molding member 27 is driven in the optical axis direction to move the thermal print head 8. The size of the beam of the laser light L to be irradiated is made to match the size of the bit.と When Y table 1 is positioned,
A control signal is input from the CPU 4 to the control power supply unit 24 of the laser oscillator 23, and the irradiation time t calculated from the resistance value (actually measured value Rn) of the bit requiring adjustment recorded in the CPU 4
During this time, the laser oscillator 23 operates to oscillate and output the laser light L. The laser beam L from the laser oscillator 23 is incident on the dichroic mirror 29 after the beam shape is adjusted by the slit 26 of the molding member 27, and is focused by the objective lens 30 by reflection at the dichroic mirror 29, and k Irradiation is performed on the third heating resistor (bit) (step 409). At this time, the XY table 1 is driven at a predetermined speed in the Y direction so that the laser light L scans along the longitudinal direction of the bit (this direction is defined as the Y direction). Next, for example, the ΧY table 1 is driven and positioned in the X direction so that the (k + 1) th bit is located at the irradiation position of the laser beam, and the resistance value is adjusted similarly to the kth bit (step 409). Step 411). When the heat treatment by the laser beam is performed on all the selected bits, the resistance value is measured again on all the bits of the heating resistor (step 412), and the heat treatment is terminated (step 413). If there is no bit in step 408 where the actually measured resistance value Rn is higher than the resistance value Ra, the resistance values are measured again for all the bits of the heating resistor (step 412), and the process ends. (Step 413).

【0027】次に、上記の熱処理装置を用いて、サーマ
ルプリントヘッドの発熱抵抗体の抵抗値の調整を試み
た。なお、サーマルプリントヘッドはビット数を460
8とし、図5に示したものと同様の構成とした。また、
発熱抵抗体の抵抗値の調整にあたっては、対照群を設定
するために、同様の条件で製造されたサーマルプリント
ヘッドを20個準備し、これらを無作為に選別して2つ
の群(群Aおよび群B)に分け、一方(群A)を上記の
熱処理装置により、他方(群B)を図8に示した従来通
りに熱処理を施した。その結果、群Aのサーマルプリン
トヘッドは、群Bのサーマルプリントヘッドと比較し
て、サーマルプリントヘッドあたりの処理時間が大幅に
短縮され、さらに、ビット間の抵抗値の変動(バラツ
キ)も大きく低減することができた。
Next, an attempt was made to adjust the resistance value of the heating resistor of the thermal print head by using the above heat treatment apparatus. The thermal print head has a bit number of 460.
8 and has the same configuration as that shown in FIG. Also,
In adjusting the resistance value of the heating resistor, in order to set a control group, 20 thermal print heads manufactured under the same conditions were prepared, and these were randomly selected to obtain two groups (group A and group A). Group B), and one (Group A) was subjected to the heat treatment by the above-described heat treatment apparatus, and the other (Group B) was subjected to the conventional heat treatment shown in FIG. As a result, the processing time per thermal printhead of the group A thermal printhead is significantly reduced as compared with the group B thermal printhead, and the resistance value variation (variation) between bits is also greatly reduced. We were able to.

【0028】こうして、サーマルプリントヘッド8のデ
バイス回路DのシフトレジスタΙC15を用いて各発熱
抵抗体(ビット)の抵抗値を測定し、測定した実測値R
nと目標とする抵抗値Raとの差ΔRから熱処理に要す
る照射時間tを算出して、算出した照射時間tの間だけ
各発熱抵抗体(ビット)にレーザ光Lを照射することで
発熱抵抗体の抵抗値を調整できるので、レーザ光Lの照
射と変化したビットの抵抗値の測定とを、発熱抵抗体の
抵抗値の実測値Rnが目標とする抵抗値Raに達するま
で繰り返さずにすみ、ビットあたりの処理時間は最大で
も0.4秒程度で十分となった。また、熱処理に要する
照射時間tの間だけ、ビットにレーザ光Lを照射できる
から、ビットの抵抗値が目標とする抵抗値Raよりも低
くなることは防止され、高い精度で発熱抵抗体の抵抗値
を調整することができた。
Thus, the resistance value of each heating resistor (bit) is measured using the shift register # C15 of the device circuit D of the thermal print head 8, and the measured value R is measured.
The irradiation time t required for the heat treatment is calculated from the difference ΔR between n and the target resistance value Ra, and each heating resistor (bit) is irradiated with the laser beam L only for the calculated irradiation time t to generate the heating resistance. Since the resistance value of the body can be adjusted, it is not necessary to repeat the irradiation of the laser beam L and the measurement of the resistance value of the changed bit until the actual measurement value Rn of the heating resistor reaches the target resistance value Ra. The processing time per bit was about 0.4 seconds at the maximum. Further, since the bit can be irradiated with the laser beam L only during the irradiation time t required for the heat treatment, the resistance value of the bit is prevented from being lower than the target resistance value Ra, and the resistance of the heating resistor is accurately determined. The value could be adjusted.

【0029】なお、本発明は、上記の一実施の形態に限
定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変形することが
可能である。例えば、上述したように、レーザ光の出力
の制御を、照射時間ではなくレーザ発振器に加える電力
を変化させることで実行してもよいし、ビットごとにΔ
Rを算出し、その算出結果から必要に応じてレーザ光を
各ビットに照射するようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified without departing from the scope of the invention. For example, as described above, the output of the laser beam may be controlled by changing the power applied to the laser oscillator instead of the irradiation time,
R may be calculated, and a laser beam may be applied to each bit as needed from the calculation result.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明に係る熱
処理装置によれば、抵抗値の変化量に応じて対象物に対
する熱処理条件が設定され、該設定された熱処理条件に
基づいて対象物に熱処理が施されるので、対象物に対す
る熱処理を、抵抗値の変化量を基準として任意に制御で
きる。したがって、対象物に対して正確かつ迅速に熱処
理を実行できるとともに、対象物が複数存在する場合に
も、該対象物群に対して正確かつ迅速に熱処理を実行
し、各対象物にほぼ同一の特性を付与することが可能
な、経済性に優れた熱処理装置を提供することができ
る。
As described in detail above, according to the heat treatment apparatus of the present invention, heat treatment conditions for an object are set in accordance with the amount of change in the resistance value, and the object is set based on the set heat treatment conditions. Since the object is subjected to the heat treatment, the heat treatment for the object can be arbitrarily controlled based on the amount of change in the resistance value. Therefore, the heat treatment can be accurately and quickly performed on the object, and even when there are a plurality of objects, the heat treatment is accurately and quickly performed on the group of objects, and substantially the same It is possible to provide a heat treatment apparatus which can impart characteristics and is excellent in economic efficiency.

【0031】また、本発明に係る熱処理方法によれば、
抵抗値の変化量に応じて対象物に対する熱処理条件を設
定し、該設定した熱処理条件に基づいて対象物に熱処理
を施すので、対象物に対する熱処理を、抵抗値の変化量
を基準として任意に制御できる。したがって、対象物に
対して正確かつ迅速に熱処理を施すとともに、対象物が
複数存在する場合にも、該対象物群に対して正確かつ迅
速に熱処理を施し、各対象物にほぼ同一の特性を付与す
ることが可能な、経済性に優れた熱処理方法を提供する
ことができる。
According to the heat treatment method of the present invention,
Since the heat treatment conditions for the object are set according to the change amount of the resistance value, and the heat treatment is performed on the object based on the set heat treatment condition, the heat treatment for the object is arbitrarily controlled based on the change amount of the resistance value. it can. Therefore, the heat treatment is performed accurately and quickly on the objects, and even when there are a plurality of objects, the heat treatment is performed accurately and quickly on the group of the objects, and each of the objects has substantially the same characteristics. It is possible to provide a heat treatment method which can be applied and is excellent in economic efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る熱処埋装置の一実施の形態につい
て、その構成を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図2】デジタルマルチメータ13とサーマルプリント
ヘッド8の各発熱抵抗体10a〜10eとの接続につい
て示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing a connection between a digital multimeter 13 and each of heating resistors 10a to 10e of a thermal print head 8;

【図3】レーザ光の照射による発熱抵抗体の抵抗値の変
化量ΔRとレーザ光の照射時間tとの関係を示した図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a change amount ΔR of a resistance value of a heating resistor due to laser light irradiation and a laser light irradiation time t.

【図4】図1に示した熱処理装置によるアニールの工程
を示したフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing an annealing process performed by the heat treatment apparatus shown in FIG. 1;

【図5】サーマルプリントヘッドの構成を示した図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a thermal print head.

【図6】アニール処理を施す以前の各発熱抵抗体(ビッ
ト)の間における抵抗値の変動を示した図である。
FIG. 6 is a diagram showing a change in resistance value between respective heating resistors (bits) before an annealing process is performed.

【図7】レーザ光の照射による発熱抵抗体の抵抗値の変
化量ΔRとレーザ光の照射時間tとの関係を示した図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a change amount ΔR of a resistance value of a heating resistor due to laser light irradiation and a laser light irradiation time t.

【図8】従来の熱処理装置でのレーザ光によるアニール
の工程を示したフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing a process of annealing by laser light in a conventional heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……ΧYテーブル 2……ドライバ 3……制御
部 4……CPU 5……拡張ボード 6……信号線
7……真空チャック 8……サーマルプリントヘッド 9……基板 10a〜10e……発熱抵抗体 11a〜11j……
リード線 12……保護膜 13……デジタルマルチメータ 14……測定部 15……シフトレジスタΙC 16a、16b……定電流配線 17……直流電源部 18……駆動信号線 19……GP−ΙB 20…
…電磁弁 21……配管 22……真空ポンプ 23……レー
ザ発振器 24……制御電源部 25……クーラ 26……ス
リット 27……成形部材 28……ドライバ 29……ダ
イクロイックミラー 30……対物レンズ 31……ハーフミラー 32
……撮像部 33……CCDカメラ 34……接眼レンズ 35
……テレビモニタ
1 ... Y table 2 ... Driver 3 ... Control unit 4 ... CPU 5 ... Expansion board 6 ... Signal line
7 Vacuum chuck 8 Thermal print head 9 Substrates 10a to 10e Heating resistors 11a to 11j
Lead wire 12 ... Protective film 13 ... Digital multimeter 14 ... Measurement unit 15 ... Shift register @C 16a, 16b ... Constant current wiring 17 ... DC power supply unit 18 ... Drive signal line 19 ... GP-B 20 ...
… Solenoid valve 21… Piping 22… Vacuum pump 23… Laser oscillator 24… Control power supply unit 25… Cooler 26… Slit 27… Molded member 28… Driver 29… Dichroic mirror 30… Objective lens 31 Half mirror 32
…… Imaging unit 33 …… CCD camera 34 …… Eyepiece 35
…… TV monitor

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 抵抗値の変化量に応じて対象物に対する
熱処理条件を設定する手段と、 前記設定した熱処理条件に基づいて前記対象物に熱処理
を施す手段と、 を具備したことを特徴とする熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for setting heat treatment conditions for an object in accordance with a change amount of a resistance value, and means for performing heat treatment on the object based on the set heat treatment conditions. Heat treatment equipment.
【請求項2】 前記抵抗値の変化量は、前記対象物の抵
抗値の実測値と予め決められた抵抗値との差であること
を特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the amount of change in the resistance value is a difference between an actual measurement value of the resistance value of the object and a predetermined resistance value.
【請求項3】 前記対象物は、サーマルプリントヘッド
の発熱抵抗体であることを特徴とする請求項1または請
求項2に記載の熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the object is a heating resistor of a thermal print head.
【請求項4】 前記熱処理は、レーザ光の照射であるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載の熱処理装
置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment is irradiation with a laser beam.
【請求項5】 抵抗値の変化量に応じて対象物に対する
熱処理条件を設定する工程と、 前記設定した熱処理条件に基づいて前記対象物に熱処理
を施す工程と、 を具備したことを特徴とする熱処理方法。
5. The method according to claim 1, further comprising: setting a heat treatment condition for the object in accordance with the amount of change in the resistance value; and performing a heat treatment on the object based on the set heat treatment condition. Heat treatment method.
【請求項6】 前記抵抗値の変化量は、前記対象物の抵
抗値の実測値と予め決められた抵抗値との差であること
を特徴とする請求項5に記載の熱処理方法。
6. The heat treatment method according to claim 5, wherein the amount of change in the resistance value is a difference between a measured value of the resistance value of the object and a predetermined resistance value.
【請求項7】 前記対象物は、サーマルプリントヘッド
の発熱抵抗体であることを特徴とする請求項5または請
求項6に記載の熱処理方法。
7. The heat treatment method according to claim 5, wherein the object is a heating resistor of a thermal print head.
【請求項8】 前記熱処理は、レーザ光の照射であるこ
とを特徴とする請求項5乃至請求項7に記載の熱処理方
法。
8. The heat treatment method according to claim 5, wherein the heat treatment is laser light irradiation.
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JP (1) JPH10305606A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967312B2 (en) 2000-07-19 2005-11-22 Ibiden Co., Ltd. Semiconductor manufacturing/testing ceramic heater, production method for the ceramic heater and production system for the ceramic heater
JP2007247028A (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Ulvac Japan Ltd METHOD FOR DEPOSITING MIXED FILM OF METAL AND SiO2 AND FILM DEPOSITION SYSTEM THEREFOR

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