JPH10303146A - タングステン膜の成膜方法及び半導体デバイス - Google Patents
タングステン膜の成膜方法及び半導体デバイスInfo
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- JPH10303146A JPH10303146A JP12637297A JP12637297A JPH10303146A JP H10303146 A JPH10303146 A JP H10303146A JP 12637297 A JP12637297 A JP 12637297A JP 12637297 A JP12637297 A JP 12637297A JP H10303146 A JPH10303146 A JP H10303146A
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- Japan
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- forming
- substrate
- vacuum chamber
- nitrogen
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶性異物の発生を抑制するＷ膜の成膜方法
を提供することにある。 【解決手段】 本発明によるＷ膜の成膜方法は、半導体
ウェハのような基板１４上にＴｉ膜、次いで該Ｔｉ膜上
にＴｉＮ膜を形成する第１ステップと、前記ＴｉＮ膜の
表面を窒化処理する第２ステップと、窒化処理された前
記ＴｉＮ膜の表面上にＣＶＤ法によりＷ膜を成膜する第
３ステップと、を備えることを特徴としている。このよ
うにＷ膜の成膜ステップの前処理として窒化処理をする
ことで、ＴｉＮ膜の表面に露出しているチタン原子が窒
化し、膜表面が安定化され、Ｗ膜に結晶性異物の発生率
が低減される。
を提供することにある。 【解決手段】 本発明によるＷ膜の成膜方法は、半導体
ウェハのような基板１４上にＴｉ膜、次いで該Ｔｉ膜上
にＴｉＮ膜を形成する第１ステップと、前記ＴｉＮ膜の
表面を窒化処理する第２ステップと、窒化処理された前
記ＴｉＮ膜の表面上にＣＶＤ法によりＷ膜を成膜する第
３ステップと、を備えることを特徴としている。このよ
うにＷ膜の成膜ステップの前処理として窒化処理をする
ことで、ＴｉＮ膜の表面に露出しているチタン原子が窒
化し、膜表面が安定化され、Ｗ膜に結晶性異物の発生率
が低減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
等で用いられる成膜技術に関し、特にＣＶＤ（化学気相
堆積）法によるタングステンの成膜に関するものであ
る。
等で用いられる成膜技術に関し、特にＣＶＤ（化学気相
堆積）法によるタングステンの成膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造においては、ステップ
カバレッジに優れ、マイグレーション耐性に富み、且
つ、エッチングも容易であることから、ＣＶＤ法による
タングステンの成膜技術が広く採用される傾向にある。
このＣＶＤ法によるタングステン膜（以下、「Ｗ膜」と
いう）は、配線形成やコンタクトホールの埋込み等に用
いられる。
カバレッジに優れ、マイグレーション耐性に富み、且
つ、エッチングも容易であることから、ＣＶＤ法による
タングステンの成膜技術が広く採用される傾向にある。
このＣＶＤ法によるタングステン膜（以下、「Ｗ膜」と
いう）は、配線形成やコンタクトホールの埋込み等に用
いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｗ膜、特にブランケッ
トＷ膜を形成する場合、従来一般には、チタン（以下、
「Ｔｉ」という）及び窒化チタン（以下、「ＴｉＮ」と
いう）からなる膜をバリヤメタル膜とし、ＴｉＮ膜上に
Ｗ膜を成膜することとしている。
トＷ膜を形成する場合、従来一般には、チタン（以下、
「Ｔｉ」という）及び窒化チタン（以下、「ＴｉＮ」と
いう）からなる膜をバリヤメタル膜とし、ＴｉＮ膜上に
Ｗ膜を成膜することとしている。
【０００４】しかしながら、このような方法でＷ膜を成
膜した場合、Ｗ膜表面に、異常成長した結晶性異物が形
成されることがある。図３は、Ｗ膜表面上の結晶性異物
を示したＳＥＭ（電子顕微鏡写真）であり、この図か
ら、結晶性異物がＷ膜の膜厚の２倍以上にも成長する場
合があることが分る。
膜した場合、Ｗ膜表面に、異常成長した結晶性異物が形
成されることがある。図３は、Ｗ膜表面上の結晶性異物
を示したＳＥＭ（電子顕微鏡写真）であり、この図か
ら、結晶性異物がＷ膜の膜厚の２倍以上にも成長する場
合があることが分る。
【０００５】かかる結晶性異物は、配線形成やホール埋
込み時にエッチバックを行っても表面上に残渣として残
り、種々の弊害を起こす原因となり得る。これは、製品
の歩留りを低下させるものである。
込み時にエッチバックを行っても表面上に残渣として残
り、種々の弊害を起こす原因となり得る。これは、製品
の歩留りを低下させるものである。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、結晶性異物の発生を抑制するＷ膜
の成膜方法を提供することにある。
であり、その目的は、結晶性異物の発生を抑制するＷ膜
の成膜方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、結晶性異
物の発生の原因として、窒素と結びついていないチタン
原子がＴｉＮ膜の表面に露出しているためと考えた。す
なわち、チタン原子は活性若しくは反応性が高く、この
ようなチタン原子がＷ膜の下側に存在することで、その
部位のタングステン結晶が異常成長するものと考えたの
である。
物の発生の原因として、窒素と結びついていないチタン
原子がＴｉＮ膜の表面に露出しているためと考えた。す
なわち、チタン原子は活性若しくは反応性が高く、この
ようなチタン原子がＷ膜の下側に存在することで、その
部位のタングステン結晶が異常成長するものと考えたの
である。
【０００８】かかる知見から、本発明によるＷ膜の成膜
方法は、半導体ウェハのような基板上にＴｉ膜、次いで
該Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を形成する第１ステップと、前記
ＴｉＮ膜の表面を窒化処理する第２ステップと、窒化処
理された前記ＴｉＮ膜の表面上にＣＶＤ法によりＷ膜を
成膜する第３ステップと、を備えることを特徴としてい
る。
方法は、半導体ウェハのような基板上にＴｉ膜、次いで
該Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を形成する第１ステップと、前記
ＴｉＮ膜の表面を窒化処理する第２ステップと、窒化処
理された前記ＴｉＮ膜の表面上にＣＶＤ法によりＷ膜を
成膜する第３ステップと、を備えることを特徴としてい
る。
【０００９】このようにＷ膜の成膜ステップの前処理と
して窒化処理をすることで、ＴｉＮ膜の表面に露出して
いるチタン原子が窒化し、膜表面が安定化され、Ｗ膜に
結晶性異物の発生率が低減される。
して窒化処理をすることで、ＴｉＮ膜の表面に露出して
いるチタン原子が窒化し、膜表面が安定化され、Ｗ膜に
結晶性異物の発生率が低減される。
【００１０】第２ステップとしては、真空チャンバ内の
基板支持体に基板を配置し、真空チャンバ内に窒素含有
ガスを導入し、この窒素含有ガスを励起してプラズマを
発生させ、プラズマ内の窒素イオンによりＴｉＮ膜の表
面を窒化処理する、ことが有効である。なお、プラズマ
は、基板支持体に高周波電力を印加することにより発生
される。
基板支持体に基板を配置し、真空チャンバ内に窒素含有
ガスを導入し、この窒素含有ガスを励起してプラズマを
発生させ、プラズマ内の窒素イオンによりＴｉＮ膜の表
面を窒化処理する、ことが有効である。なお、プラズマ
は、基板支持体に高周波電力を印加することにより発生
される。
【００１１】また、第２ステップは熱ＣＶＤ法によって
もよい。すなわち、真空チャンバ内の基板支持体に基板
を配置し、真空チャンバ内に窒素含有ガスを導入し、基
板を加熱してＴｉＮ膜の表面を窒化処理してもよい。
もよい。すなわち、真空チャンバ内の基板支持体に基板
を配置し、真空チャンバ内に窒素含有ガスを導入し、基
板を加熱してＴｉＮ膜の表面を窒化処理してもよい。
【００１２】更に、第３ステップは、前記第２ステップ
で用いられた真空チャンバ内で行われると、基板が大気
にさらされることがないので、好適である。
で用いられた真空チャンバ内で行われると、基板が大気
にさらされることがないので、好適である。
【００１３】窒素含有ガス中に水素ガスが含まれている
場合、ＴｉＮ膜の表面の酸化物を還元処理して除去でき
るので、好ましい。
場合、ＴｉＮ膜の表面の酸化物を還元処理して除去でき
るので、好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
実施形態について詳細に説明する。
実施形態について詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の成膜方法に従ってシリコ
ンウェハ（基板）上にブランケットＷ膜を成膜するため
のＣＶＤ装置を概略的に示している。図示のＣＶＤ装置
１０は、真空チャンバ１２と、この真空チャンバ１２内
でシリコンウェハ１４を支持するためのペディスタル
（基板支持体）１６とを備えている。また、ペディスタ
ル１６の上方には、ガス分配プレート１８がペディスタ
ル１６の上面に対して平行に対向配置されている。
ンウェハ（基板）上にブランケットＷ膜を成膜するため
のＣＶＤ装置を概略的に示している。図示のＣＶＤ装置
１０は、真空チャンバ１２と、この真空チャンバ１２内
でシリコンウェハ１４を支持するためのペディスタル
（基板支持体）１６とを備えている。また、ペディスタ
ル１６の上方には、ガス分配プレート１８がペディスタ
ル１６の上面に対して平行に対向配置されている。
【００１６】ガス分配プレート１８は中空プレートであ
り、その下面には多数のガス出口２０が形成されてお
り、ガス分配プレート１８内には真空チャンバ外のガス
供給源（図示せず）から所定の処理ガスが供給されるよ
うになっている。
り、その下面には多数のガス出口２０が形成されてお
り、ガス分配プレート１８内には真空チャンバ外のガス
供給源（図示せず）から所定の処理ガスが供給されるよ
うになっている。
【００１７】このガス分配プレート１８はアルミニウム
等の金属製であり、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加するための整合器２２及び高周波電源２４を介
して接地されている。また、ペディスタル１６もアルミ
ニウム等の金属から形成されており、接地されている。
等の金属製であり、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を印加するための整合器２２及び高周波電源２４を介
して接地されている。また、ペディスタル１６もアルミ
ニウム等の金属から形成されており、接地されている。
【００１８】次に、このようなＣＶＤ装置１０を用い
て、シリコンウェハ１４上にブランケットＷ膜を成膜す
る手順について説明する。
て、シリコンウェハ１４上にブランケットＷ膜を成膜す
る手順について説明する。
【００１９】まず、シリコンウェハ１４は、ＣＶＤ装置
に搬入される前の段階において、その表面上に、酸化・
拡散のバリヤ層としてのＳｉＮ膜又はＢＰＳＧ（Boron-
doped Phoshpor-Silicate Glass）膜がＣＶＤ法により
形成される。また、このバリヤ層の上面には、バリヤメ
タル層として、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜が順にスパッタリン
グ等により成膜される（図２を参照）。これらの層の成
膜については周知技術であり、上記のＣＶＤ装置１０と
は別個の処理チャンバ装置内で実行される。
に搬入される前の段階において、その表面上に、酸化・
拡散のバリヤ層としてのＳｉＮ膜又はＢＰＳＧ（Boron-
doped Phoshpor-Silicate Glass）膜がＣＶＤ法により
形成される。また、このバリヤ層の上面には、バリヤメ
タル層として、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜が順にスパッタリン
グ等により成膜される（図２を参照）。これらの層の成
膜については周知技術であり、上記のＣＶＤ装置１０と
は別個の処理チャンバ装置内で実行される。
【００２０】このような最上層にＴｉ／ＴｉＮ膜を有す
るシリコンウェハ１４は、適当な搬送ロボットにより真
空の搬送チャンバを通って真空チャンバ１２のペディス
タル１６上の適正位置に配置される。次いで、ガス供給
源から窒素ガス及び水素ガスを所定の流量でガス分配プ
レート１８に供給する。ガス分配プレート１８に供給さ
れたガスはガス出口２０から噴出され、ガス分配プレー
ト１８とペディスタル１６との間の空間に送り込まれ
る。
るシリコンウェハ１４は、適当な搬送ロボットにより真
空の搬送チャンバを通って真空チャンバ１２のペディス
タル１６上の適正位置に配置される。次いで、ガス供給
源から窒素ガス及び水素ガスを所定の流量でガス分配プ
レート１８に供給する。ガス分配プレート１８に供給さ
れたガスはガス出口２０から噴出され、ガス分配プレー
ト１８とペディスタル１６との間の空間に送り込まれ
る。
【００２１】ここで、高周波電源２４を投入すると、ガ
ス分配プレート１８とペディスタル１６との間に存在す
る窒素含有ガスは励起され、プラズマを生成することと
なる。このプラズマ中には窒素イオン及び水素イオンが
形成されており、これらのイオンは、図２に示すよう
に、プラズマ電位よりも負の電位となっているペディス
タル１６に向かい、シリコンウェハ１４上に衝撃する。
水素イオンは、搬送中に酸化したＴｉＮ膜の表面を還元
し、酸化物を除去するよう働く。また、窒素イオンは、
ＴｉＮ膜の表面に露出しているチタン原子（窒素原子と
結び付いていないものであり、「自由チタン原子」とも
呼ばれる）と反応し、これを窒化する。ＴｉＮ膜の表面
上の酸素及び自由チタン原子は、ＴｉＮ膜表面の膜質を
不安定なものとすると考えられるため、前記の還元処理
及び窒化処理により、ＴｉＮ膜の表面は安定に改質され
たこととなる。
ス分配プレート１８とペディスタル１６との間に存在す
る窒素含有ガスは励起され、プラズマを生成することと
なる。このプラズマ中には窒素イオン及び水素イオンが
形成されており、これらのイオンは、図２に示すよう
に、プラズマ電位よりも負の電位となっているペディス
タル１６に向かい、シリコンウェハ１４上に衝撃する。
水素イオンは、搬送中に酸化したＴｉＮ膜の表面を還元
し、酸化物を除去するよう働く。また、窒素イオンは、
ＴｉＮ膜の表面に露出しているチタン原子（窒素原子と
結び付いていないものであり、「自由チタン原子」とも
呼ばれる）と反応し、これを窒化する。ＴｉＮ膜の表面
上の酸素及び自由チタン原子は、ＴｉＮ膜表面の膜質を
不安定なものとすると考えられるため、前記の還元処理
及び窒化処理により、ＴｉＮ膜の表面は安定に改質され
たこととなる。
【００２２】このプラズマによる還元・窒化処理が所定
時間実行された後、真空チャンバ１２内の残留ガスを排
気し、同じチャンバ１２内で続けてＷ膜を成膜する。こ
の際、真空チャンバ１２は大気に開放されないため、シ
リコンウェハ表面が再度酸化されることはなく、その膜
質は維持される。
時間実行された後、真空チャンバ１２内の残留ガスを排
気し、同じチャンバ１２内で続けてＷ膜を成膜する。こ
の際、真空チャンバ１２は大気に開放されないため、シ
リコンウェハ表面が再度酸化されることはなく、その膜
質は維持される。
【００２３】Ｗ膜の成膜自体は従来から知られている方
法で行われる。すなわち、真空チャンバ１２内を所定の
真空度に減圧した後、処理ガスとしてタングステンヘキ
サフルオライド（ＷＦ6）及びシラン（ＳｉＨ4）又は水
素（Ｈ2）をガス供給源からガス分配プレート１８を経
て、真空チャンバ１２内に導入する。そして、熱化学反
応によりシリコンウェハ１４のＴｉＮ膜上にブランケッ
トＷ膜を形成するのである。
法で行われる。すなわち、真空チャンバ１２内を所定の
真空度に減圧した後、処理ガスとしてタングステンヘキ
サフルオライド（ＷＦ6）及びシラン（ＳｉＨ4）又は水
素（Ｈ2）をガス供給源からガス分配プレート１８を経
て、真空チャンバ１２内に導入する。そして、熱化学反
応によりシリコンウェハ１４のＴｉＮ膜上にブランケッ
トＷ膜を形成するのである。
【００２４】このようにして形成されたＷ膜は、下地膜
であるＴｉＮ膜の表面が安定に改質されているため、Ｗ
膜上での結晶性異物の発生率は大幅に低減される。従っ
て、かかる方法を半導体デバイス製造工程の一工程とし
て適用し、半導体デバイスを完成させた場合には、汚染
源となり得る異物が少ないことから、半導体デバイスの
特性が向上すると共に、製品の歩留りも向上することと
なる。
であるＴｉＮ膜の表面が安定に改質されているため、Ｗ
膜上での結晶性異物の発生率は大幅に低減される。従っ
て、かかる方法を半導体デバイス製造工程の一工程とし
て適用し、半導体デバイスを完成させた場合には、汚染
源となり得る異物が少ないことから、半導体デバイスの
特性が向上すると共に、製品の歩留りも向上することと
なる。
【００２５】
【実施例】下表は、Ｗ膜の成膜ステップの前にプラズマ
により還元・窒化処理を行った場合と、従来と同様にか
かる処理を行わなかった場合での実験結果を示してい
る。この実験では、８インチ径のシリコンウェハ上に、
０．１１５μｍ厚のＳｉＮ膜、０．０３μｍ厚のＴｉ
膜、０．０５μｍ厚のＴｉＮ膜が形成されたものを用い
た。また、Ｗ膜は、厚さが０．３５μｍとなるまで成膜
した。更に、実施例１〜３ではＴｉＮ膜の表面を窒化処
理し、処理ガスとしては、実施例１では窒素ガスのみ、
実施例２及び実施例３では窒素ガスと水素ガスの混合気
体を用いた。なお、比較例１は、窒化処理を行わずにＷ
膜を成膜したものである。
により還元・窒化処理を行った場合と、従来と同様にか
かる処理を行わなかった場合での実験結果を示してい
る。この実験では、８インチ径のシリコンウェハ上に、
０．１１５μｍ厚のＳｉＮ膜、０．０３μｍ厚のＴｉ
膜、０．０５μｍ厚のＴｉＮ膜が形成されたものを用い
た。また、Ｗ膜は、厚さが０．３５μｍとなるまで成膜
した。更に、実施例１〜３ではＴｉＮ膜の表面を窒化処
理し、処理ガスとしては、実施例１では窒素ガスのみ、
実施例２及び実施例３では窒素ガスと水素ガスの混合気
体を用いた。なお、比較例１は、窒化処理を行わずにＷ
膜を成膜したものである。
【００２６】
【表１】
【００２７】この結果から、窒化処理の処理時間が長い
ほど、結晶性異物の発生個数が少ないことが分る。ま
た、実施例１と実施例２の結果を見ると、結晶性異物の
発生個数がほぼ等しく、還元処理よりも窒化処理の方が
異物発生の抑制効果があることが分る。
ほど、結晶性異物の発生個数が少ないことが分る。ま
た、実施例１と実施例２の結果を見ると、結晶性異物の
発生個数がほぼ等しく、還元処理よりも窒化処理の方が
異物発生の抑制効果があることが分る。
【００２８】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に述べたが、本発明は上記実施形態に制限されないこ
とは言うまでもない。
細に述べたが、本発明は上記実施形態に制限されないこ
とは言うまでもない。
【００２９】例えば、上記実施形態では還元・窒化処理
を行うのにプラズマを利用しているが、ペディスタルに
ヒータを内蔵し、そのヒータによりシリコンウェハを加
熱することにより、いわゆる熱処理によって還元・窒化
処理を行うこととしてもよい。
を行うのにプラズマを利用しているが、ペディスタルに
ヒータを内蔵し、そのヒータによりシリコンウェハを加
熱することにより、いわゆる熱処理によって還元・窒化
処理を行うこととしてもよい。
【００３０】また、上記実施形態では窒化処理及び還元
処理を同時に行っているが、還元処理の後に窒化処理を
行ってもよいし、また、ＴｉＮ成膜後にＴｉＮ膜が酸化
されない状況下にあっては、還元処理は行う必要もな
い。
処理を同時に行っているが、還元処理の後に窒化処理を
行ってもよいし、また、ＴｉＮ成膜後にＴｉＮ膜が酸化
されない状況下にあっては、還元処理は行う必要もな
い。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｗ
膜を成膜する際のバリヤメタル膜ないしは下地膜となる
ＴｉＮ膜の表面を窒化処理することで、当該ＴｉＮ膜表
面をより安定に改質することができる。従って、ＴｉＮ
膜の膜質の影響によるＷ膜上の結晶性異物の異常成長を
抑制することが可能となる。結晶性異物は汚染源となる
ものであるので、本発明は、製品の歩留りを向上すると
共に、製品自体の性能の向上にも寄与することとなる。
膜を成膜する際のバリヤメタル膜ないしは下地膜となる
ＴｉＮ膜の表面を窒化処理することで、当該ＴｉＮ膜表
面をより安定に改質することができる。従って、ＴｉＮ
膜の膜質の影響によるＷ膜上の結晶性異物の異常成長を
抑制することが可能となる。結晶性異物は汚染源となる
ものであるので、本発明は、製品の歩留りを向上すると
共に、製品自体の性能の向上にも寄与することとなる。
【図１】本発明を適用し得るＣＶＤ装置を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】表面処理の状態を示す説明図である。
【図３】Ｗ膜上に形成された結晶性異物を示すＳＥＭ写
真である。
真である。
１０…ＣＶＤ装置、１２…真空チャンバ、１４…シリコ
ンウェハ、１６…ペディスタル、１８…ガス分配プレー
ト、２０…ガス出口、２２…整合器、２４…高周波電
源。
ンウェハ、１６…ペディスタル、１８…ガス分配プレー
ト、２０…ガス出口、２２…整合器、２４…高周波電
源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 優美 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にチタン膜、次いで該チタン膜上
に窒化チタン膜を形成する第１ステップと、 前記窒化チタン膜の表面を窒化処理する第２ステップ
と、 窒化処理された前記窒化チタン膜の表面上に、化学気相
堆積法によりタンクステン膜を成膜する第３ステップ
と、 を備えることを特徴とするタングステン膜の成膜方法。 - 【請求項２】 前記第２ステップが、 真空チャンバ内の基板支持体に基板を配置し、 前記真空チャンバ内に窒素含有ガスを導入し、 前記窒素含有ガスを励起してプラズマを発生させ、 前記プラズマ内の窒素イオンにより前記窒化チタン膜の
表面を窒化処理する、ことからなることを特徴とする請
求項１に記載のタングステン膜の成膜方法。 - 【請求項３】 前記プラズマが、前記基板支持体に高周
波電力を印加することにより発生されることを特徴とす
る請求項２に記載のタングステン膜の成膜方法。 - 【請求項４】 前記第２ステップが、 真空チャンバ内の基板支持体に基板を配置し、 前記真空チャンバ内に窒素含有ガスを導入し、 前記基板を加熱して前記窒化チタン膜の表面を窒化処理
する、ことからなることを特徴とする請求項１に記載の
タングステン膜の成膜方法。 - 【請求項５】 前記第３ステップが、前記第２ステップ
で用いられた前記真空チャンバ内で行われることを特徴
とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のタングステ
ン膜の成膜方法。 - 【請求項６】 前記窒素含有ガスが水素ガスを含んでい
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載
のタングステン膜の成膜方法。 - 【請求項７】 前記基板が半導体ウェハであることを特
徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のタングス
テン膜の成膜方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の方法により成膜された
タングステン膜を有することを特徴とする半導体デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12637297A JPH10303146A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | タングステン膜の成膜方法及び半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12637297A JPH10303146A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | タングステン膜の成膜方法及び半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303146A true JPH10303146A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14933551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12637297A Withdrawn JPH10303146A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | タングステン膜の成膜方法及び半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303146A (ja) |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP12637297A patent/JPH10303146A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |