JPH10300601A - 半導体圧力センサ装置の温度補償装置 - Google Patents
半導体圧力センサ装置の温度補償装置Info
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- JPH10300601A JPH10300601A JP10841097A JP10841097A JPH10300601A JP H10300601 A JPH10300601 A JP H10300601A JP 10841097 A JP10841097 A JP 10841097A JP 10841097 A JP10841097 A JP 10841097A JP H10300601 A JPH10300601 A JP H10300601A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な調整でスパン電圧とオフセット電圧の
温度補償を可能とする半導体圧力センサ装置の温度補償
装置の提供を目的とする。 【解決手段】 一定の値の電流を供給し正の温度特性を
有する定電流回路１０と、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４を
ブリッジ形に形成して圧力に応じた正の温度特性を有す
るスパン電圧及びオフセット電圧を出力する圧力センサ
素子２０と、前記電圧を増幅し正の温度特性を有する増
幅回路３０とから半導体圧力センサ装置を構成する。定
電流回路１０に対して圧力センサ素子２０と並列にスパ
ン抵抗Ｒｓ及びゲージ抵抗Ｒ２４と並列にオフセット抵
抗Ｒｐを接続して圧力センサ素子２０全体で負の温度係
数とする。半導体圧力センサ装置全体としての温度特性
が略フラットとなるようにスパン抵抗Ｒｓ及びオフセッ
ト抵抗Ｒｐの値を定める。
温度補償を可能とする半導体圧力センサ装置の温度補償
装置の提供を目的とする。 【解決手段】 一定の値の電流を供給し正の温度特性を
有する定電流回路１０と、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４を
ブリッジ形に形成して圧力に応じた正の温度特性を有す
るスパン電圧及びオフセット電圧を出力する圧力センサ
素子２０と、前記電圧を増幅し正の温度特性を有する増
幅回路３０とから半導体圧力センサ装置を構成する。定
電流回路１０に対して圧力センサ素子２０と並列にスパ
ン抵抗Ｒｓ及びゲージ抵抗Ｒ２４と並列にオフセット抵
抗Ｒｐを接続して圧力センサ素子２０全体で負の温度係
数とする。半導体圧力センサ装置全体としての温度特性
が略フラットとなるようにスパン抵抗Ｒｓ及びオフセッ
ト抵抗Ｒｐの値を定める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
装置の温度補償装置に関する。
装置の温度補償装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサ装置として、特開平4-
2170号公報に開示されて図４に示すものがあり、１は圧
力センサ素子、２はオペアンプ等からなる増幅回路であ
る。圧力センサ素子１は、シリコン基板の裏面を感圧ダ
イヤフラム面として、その表面に複数個（一般には４
個）の拡散抵抗からなるゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４をブリッ
ジ形に形成して一定の電圧を印加し、その裏面に加わる
圧力によりその基板を撓ませてその拡散抵抗の抵抗値を
変化させ、この変化に対応したスパン電圧を出力するも
のであり、電気等価回路的には、図３で示したように、
ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４によりホイーストンブリッジに構
成されている。スパン電圧とは、前記感圧ダイヤフラム
面に圧力が印加されたときの出力電圧から圧力が印加さ
れないときの出力電圧を差し引いた電圧をいい、後者の
出力電圧をオフセット電圧という。また、増幅回路２
は、差動増幅器ＯＰ１と帰還抵抗Ｒｆを有している。
2170号公報に開示されて図４に示すものがあり、１は圧
力センサ素子、２はオペアンプ等からなる増幅回路であ
る。圧力センサ素子１は、シリコン基板の裏面を感圧ダ
イヤフラム面として、その表面に複数個（一般には４
個）の拡散抵抗からなるゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４をブリッ
ジ形に形成して一定の電圧を印加し、その裏面に加わる
圧力によりその基板を撓ませてその拡散抵抗の抵抗値を
変化させ、この変化に対応したスパン電圧を出力するも
のであり、電気等価回路的には、図３で示したように、
ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４によりホイーストンブリッジに構
成されている。スパン電圧とは、前記感圧ダイヤフラム
面に圧力が印加されたときの出力電圧から圧力が印加さ
れないときの出力電圧を差し引いた電圧をいい、後者の
出力電圧をオフセット電圧という。また、増幅回路２
は、差動増幅器ＯＰ１と帰還抵抗Ｒｆを有している。
【０００３】斯かる半導体圧力センサ装置において、ス
パン電圧の温度特性は、図５で示すように、負の温度係
数を有している。一方、圧力センサ素子に定電流が印加
される定電流駆動方式にあっては、スパン電圧の温度特
性は、正の温度係数を有する。
パン電圧の温度特性は、図５で示すように、負の温度係
数を有している。一方、圧力センサ素子に定電流が印加
される定電流駆動方式にあっては、スパン電圧の温度特
性は、正の温度係数を有する。
【０００４】そして、定電圧及び定電流の何れの駆動方
式であっても、周囲温度の変化の影響を受けることなく
圧力センサ素子が圧力を正確に検出できるようにするた
め、帰還抵抗Ｒｆの温度係数でスパン電圧の温度特性を
補償する構成が知られており、一般に帰還抵抗Ｒｆとし
てはサーミスタ等の感温素子が用いられている。
式であっても、周囲温度の変化の影響を受けることなく
圧力センサ素子が圧力を正確に検出できるようにするた
め、帰還抵抗Ｒｆの温度係数でスパン電圧の温度特性を
補償する構成が知られており、一般に帰還抵抗Ｒｆとし
てはサーミスタ等の感温素子が用いられている。
【０００５】また、オフセット電圧も周囲温度による影
響を受けるが、この温度特性は、スパン電圧の温度特性
に比べて１桁程度大きく、周囲温度の変化の影響を受け
ることなく圧力センサ素子が圧力を正確に検出できるよ
うにするため、サーミスタ等の感温素子を用いたり、ゲ
ージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４に直列又は並列に補償抵抗を接続す
る構成が知られている（特開昭64-83128号公報）。
響を受けるが、この温度特性は、スパン電圧の温度特性
に比べて１桁程度大きく、周囲温度の変化の影響を受け
ることなく圧力センサ素子が圧力を正確に検出できるよ
うにするため、サーミスタ等の感温素子を用いたり、ゲ
ージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４に直列又は並列に補償抵抗を接続す
る構成が知られている（特開昭64-83128号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記各補償のための構
成においては、圧力センサ素子１の温度特性を測定し、
この測定結果に基づいて回路定数を決めなければなら
ず、回路定数の決定に手間がかかる。
成においては、圧力センサ素子１の温度特性を測定し、
この測定結果に基づいて回路定数を決めなければなら
ず、回路定数の決定に手間がかかる。
【０００７】また、従来例では、スパン電圧の温度補償
は増幅回路２、オフセット電圧の温度補償は圧力センサ
素子１において行われるため、調整が煩雑であった。
は増幅回路２、オフセット電圧の温度補償は圧力センサ
素子１において行われるため、調整が煩雑であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一定の値の電
流を供給し所定の温度特性を有する定電流回路と、この
定電流回路に接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形
に形成して圧力に応じた正の温度特性を有するスパン電
圧を出力する圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に
接続され前記電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅
回路とからなる半導体圧力センサ装置において、前記定
電流回路に対して前記圧力センサ素子と並列にスパン抵
抗を接続して前記圧力センサ素子全体で所定の温度係数
を有するものとして前記半導体圧力センサ装置全体とし
ての温度特性が略フラットとなるように前記スパン抵抗
の値を定めるものである。
流を供給し所定の温度特性を有する定電流回路と、この
定電流回路に接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形
に形成して圧力に応じた正の温度特性を有するスパン電
圧を出力する圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に
接続され前記電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅
回路とからなる半導体圧力センサ装置において、前記定
電流回路に対して前記圧力センサ素子と並列にスパン抵
抗を接続して前記圧力センサ素子全体で所定の温度係数
を有するものとして前記半導体圧力センサ装置全体とし
ての温度特性が略フラットとなるように前記スパン抵抗
の値を定めるものである。
【０００９】また本発明は、一定の値の電流を供給し所
定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回路に
接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧
力に応じた所定の温度特性を有するオフセット電圧を出
力する圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に接続さ
れ前記電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅回路と
からなる半導体圧力センサ装置において、前記ゲージ抵
抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続して前記圧力セ
ンサ素子全体で所定の温度係数を有するものとして前記
半導体圧力センサ装置全体としての温度特性が略フラッ
トとなるように前記オフセット抵抗の値を定めるもので
ある。
定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回路に
接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧
力に応じた所定の温度特性を有するオフセット電圧を出
力する圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に接続さ
れ前記電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅回路と
からなる半導体圧力センサ装置において、前記ゲージ抵
抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続して前記圧力セ
ンサ素子全体で所定の温度係数を有するものとして前記
半導体圧力センサ装置全体としての温度特性が略フラッ
トとなるように前記オフセット抵抗の値を定めるもので
ある。
【００１０】また本発明は、一定の値の電流を供給し所
定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回路に
接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧
力に応じた正の温度特性を有するスパン電圧及び所定の
温度特性を有するオフセット電圧を出力する圧力センサ
素子と、この圧力センサ素子に接続され前記電圧を増幅
し所定の温度特性を有する増幅回路とからなる半導体圧
力センサ装置において、前記定電流回路に対して前記圧
力センサ素子と並列にスパン抵抗を接続すると共に前記
ゲージ抵抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続して前
記圧力センサ素子全体で所定の温度係数を有するものと
して前記半導体圧力センサ装置全体としての温度特性が
略フラットとなるように前記スパン抵抗及び前記オフセ
ット抵抗の値を定めるものである。
定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回路に
接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧
力に応じた正の温度特性を有するスパン電圧及び所定の
温度特性を有するオフセット電圧を出力する圧力センサ
素子と、この圧力センサ素子に接続され前記電圧を増幅
し所定の温度特性を有する増幅回路とからなる半導体圧
力センサ装置において、前記定電流回路に対して前記圧
力センサ素子と並列にスパン抵抗を接続すると共に前記
ゲージ抵抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続して前
記圧力センサ素子全体で所定の温度係数を有するものと
して前記半導体圧力センサ装置全体としての温度特性が
略フラットとなるように前記スパン抵抗及び前記オフセ
ット抵抗の値を定めるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】スパン電圧調整用として定電流回
路１０に対して圧力センサ素子２０と並列にスパン抵抗
Ｒｓを接続し、オフセット電圧調整用としてゲージ抵抗
Ｒ２２と並列にオフセット抵抗Ｒｐを接続し、圧力セン
サ素子２０全体で負の温度係数を有するものとする。ま
ず、増幅回路３０の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が図２
（ｄ）として得られるような圧力センサ素子２０の温度
特性を計算により求める。すなわち、圧力センサ素子２
０の補償後の温度特性として、図２（ｅ）を得る。ま
た、予めゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の個々の温度特性を
求めておく。次に、スパン電圧の温度特性の補償のた
め、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標とする所
定の温度特性（図２（ｄ））とから、定電流回路１０の
温度特性（図２（ａ））及び増幅回路３０の温度特性
（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の温
度特性（図２（ｄ））を得るためのスパン抵抗Ｒｓの値
を、例えば代入法により求め、これを得るためにスパン
抵抗Ｒｓをレーザートリミング等の適宜手段により調整
する。そして、オフセット電圧の温度特性の補償のた
め、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標となる所
定の温度特性（図２（ｄ））とから、増幅回路３０の温
度特性（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所
定の温度特性（図２（ｄ））を得るためのオフセット抵
抗Ｒｐの値を、例えば代入法により求め、これを得るた
めにオフセット抵抗Ｒｐをレーザートリミング等の適宜
手段により調整する。斯かる構成により、スパン電圧の
温度補償もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ素子
２０において行われるため、調整が簡単となる。
路１０に対して圧力センサ素子２０と並列にスパン抵抗
Ｒｓを接続し、オフセット電圧調整用としてゲージ抵抗
Ｒ２２と並列にオフセット抵抗Ｒｐを接続し、圧力セン
サ素子２０全体で負の温度係数を有するものとする。ま
ず、増幅回路３０の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が図２
（ｄ）として得られるような圧力センサ素子２０の温度
特性を計算により求める。すなわち、圧力センサ素子２
０の補償後の温度特性として、図２（ｅ）を得る。ま
た、予めゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の個々の温度特性を
求めておく。次に、スパン電圧の温度特性の補償のた
め、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標とする所
定の温度特性（図２（ｄ））とから、定電流回路１０の
温度特性（図２（ａ））及び増幅回路３０の温度特性
（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の温
度特性（図２（ｄ））を得るためのスパン抵抗Ｒｓの値
を、例えば代入法により求め、これを得るためにスパン
抵抗Ｒｓをレーザートリミング等の適宜手段により調整
する。そして、オフセット電圧の温度特性の補償のた
め、ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標となる所
定の温度特性（図２（ｄ））とから、増幅回路３０の温
度特性（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所
定の温度特性（図２（ｄ））を得るためのオフセット抵
抗Ｒｐの値を、例えば代入法により求め、これを得るた
めにオフセット抵抗Ｒｐをレーザートリミング等の適宜
手段により調整する。斯かる構成により、スパン電圧の
温度補償もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ素子
２０において行われるため、調整が簡単となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の半導体圧力センサ装置の温度
補償装置を、添付図面に記載の実施例に基づき説明す
る。
補償装置を、添付図面に記載の実施例に基づき説明す
る。
【００１３】１０は定電流回路、２０は圧力センサ素
子、３０は増幅回路であり、これらが半導体圧力センサ
装置を構成している。
子、３０は増幅回路であり、これらが半導体圧力センサ
装置を構成している。
【００１４】定電流回路１０は、電源電圧ｅを抵抗Ｒ１
１及びＲ１２で分圧した後、オペアンプＯＰ１３を介し
て圧力センサ素子２０へ電流ｉを供給し、圧力センサ素
子２０とこれに直列に接続した抵抗Ｒ１４との中点から
の電流をオペアンプＯＰ１３へ帰還されることにより、
圧力センサ素子２０への電流ｉを一定値としており、そ
の温度特性は、正の温度特性を有する（図２（ａ））。
１及びＲ１２で分圧した後、オペアンプＯＰ１３を介し
て圧力センサ素子２０へ電流ｉを供給し、圧力センサ素
子２０とこれに直列に接続した抵抗Ｒ１４との中点から
の電流をオペアンプＯＰ１３へ帰還されることにより、
圧力センサ素子２０への電流ｉを一定値としており、そ
の温度特性は、正の温度特性を有する（図２（ａ））。
【００１５】圧力センサ素子２０は、前記従来例におけ
る圧力センサ素子１と同様な構成であって、ゲージ抵抗
Ｒ２１〜Ｒ２４を有し、そのスパン電圧の温度特性は、
正の温度係数を有する（図２（ｂ））。
る圧力センサ素子１と同様な構成であって、ゲージ抵抗
Ｒ２１〜Ｒ２４を有し、そのスパン電圧の温度特性は、
正の温度係数を有する（図２（ｂ））。
【００１６】増幅回路３０は、圧力センサ素子２０の出
力側に接続され、前記従来例における増幅回路２と同様
な構成であって、差動増幅器ＯＰ３１と帰還抵抗Ｒｆと
を少なくとも有し、その温度特性は、正の温度特性を有
する（図２（ｃ））。なお、帰還抵抗Ｒｆは、サーミス
タ等の感温素子ではなく、通常の固定抵抗を用いてい
る。
力側に接続され、前記従来例における増幅回路２と同様
な構成であって、差動増幅器ＯＰ３１と帰還抵抗Ｒｆと
を少なくとも有し、その温度特性は、正の温度特性を有
する（図２（ｃ））。なお、帰還抵抗Ｒｆは、サーミス
タ等の感温素子ではなく、通常の固定抵抗を用いてい
る。
【００１７】本発明の目的とするところは、定電流回路
１０から増幅回路３０までの全体のシステムにおける温
度特性を略フラットにして、周囲温度の変化による半導
体圧力センサ装置への影響を抑えることにある。すなわ
ち、増幅回路３０の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が、図
２（ｄ）で示すような温度特性となるように調整するこ
とにある。
１０から増幅回路３０までの全体のシステムにおける温
度特性を略フラットにして、周囲温度の変化による半導
体圧力センサ装置への影響を抑えることにある。すなわ
ち、増幅回路３０の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が、図
２（ｄ）で示すような温度特性となるように調整するこ
とにある。
【００１８】このため、温度補償装置として、スパン電
圧調整用として圧力センサ素子２０と並列にスパン抵抗
Ｒｓを接続し、オフセット電圧調整用としてゲージ抵抗
Ｒ２４と並列にオフセット抵抗Ｒｐを接続している。こ
れらの抵抗Ｒｓ，Ｒｐは、圧力センサ素子２０の前記シ
リコン基板もしくは圧力センサ素子２０が装着される図
示しない回路基板に形成される厚膜印刷抵抗であり、ゲ
ージ抵抗Ｒ２１〜２４に比べてＴＣＲ（抵抗温度係数）
が十分小さく（例えば、１桁小さい）、形成当時は所定
の抵抗値よりも若干小さい値を有するように形成されて
いる。
圧調整用として圧力センサ素子２０と並列にスパン抵抗
Ｒｓを接続し、オフセット電圧調整用としてゲージ抵抗
Ｒ２４と並列にオフセット抵抗Ｒｐを接続している。こ
れらの抵抗Ｒｓ，Ｒｐは、圧力センサ素子２０の前記シ
リコン基板もしくは圧力センサ素子２０が装着される図
示しない回路基板に形成される厚膜印刷抵抗であり、ゲ
ージ抵抗Ｒ２１〜２４に比べてＴＣＲ（抵抗温度係数）
が十分小さく（例えば、１桁小さい）、形成当時は所定
の抵抗値よりも若干小さい値を有するように形成されて
いる。
【００１９】斯かる構成において、まず、増幅回路３０
の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が図２（ｄ）として得ら
れるような圧力センサ素子２０の温度特性を計算により
求める。すなわち、圧力センサ素子２０の補償後の温度
特性として、図２（ｅ）を得る。また、予めゲージ抵抗
Ｒ２１〜Ｒ２４の個々の温度特性を求めておく。
の出力電圧Ｖｏｕｔの温度特性が図２（ｄ）として得ら
れるような圧力センサ素子２０の温度特性を計算により
求める。すなわち、圧力センサ素子２０の補償後の温度
特性として、図２（ｅ）を得る。また、予めゲージ抵抗
Ｒ２１〜Ｒ２４の個々の温度特性を求めておく。
【００２０】スパン電圧の温度特性の補償のため、ゲー
ジ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標とする所定の温度
特性（図２（ｄ））とから、定電流回路１０の温度特性
（図２（ａ））及び増幅回路３０の温度特性（図２
（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の温度特性
（図２（ｄ））を得るためのスパン抵抗Ｒｓの値を、例
えば代入法により求め、これを得るためにスパン抵抗Ｒ
ｓをレーザートリミング等の適宜手段により調整する。
ジ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標とする所定の温度
特性（図２（ｄ））とから、定電流回路１０の温度特性
（図２（ａ））及び増幅回路３０の温度特性（図２
（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の温度特性
（図２（ｄ））を得るためのスパン抵抗Ｒｓの値を、例
えば代入法により求め、これを得るためにスパン抵抗Ｒ
ｓをレーザートリミング等の適宜手段により調整する。
【００２１】オフセット電圧の温度特性の補償のため、
ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標となる所定の
温度特性（図２（ｄ））とから、増幅回路３０の温度特
性（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の
温度特性（図２（ｄ））を得るためのオフセット抵抗Ｒ
ｐの値を、例えば代入法により求め、これを得るために
オフセット抵抗Ｒｐをレーザートリミング等の適宜手段
により調整する。
ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値と目標となる所定の
温度特性（図２（ｄ））とから、増幅回路３０の温度特
性（図２（ｃ））による影響を抑えて目標とする所定の
温度特性（図２（ｄ））を得るためのオフセット抵抗Ｒ
ｐの値を、例えば代入法により求め、これを得るために
オフセット抵抗Ｒｐをレーザートリミング等の適宜手段
により調整する。
【００２２】これら調整により、圧力センサ素子２０自
体の温度特性を、図２（ｂ）から同図（ｅ）とすること
ができる。
体の温度特性を、図２（ｂ）から同図（ｅ）とすること
ができる。
【００２３】斯かる構成により、スパン電圧の温度補償
もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ素子２０にお
いて行われるため、調整が簡単である。
もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ素子２０にお
いて行われるため、調整が簡単である。
【００２４】また、温度補償のために従来例で示したサ
ーミスタ等の感温素子を用いることなく、スパン抵抗Ｒ
ｆやオフセット抵抗Ｒｐを構成する固定抵抗のみで実現
することができるため、大幅なコスト低減が可能とな
る。
ーミスタ等の感温素子を用いることなく、スパン抵抗Ｒ
ｆやオフセット抵抗Ｒｐを構成する固定抵抗のみで実現
することができるため、大幅なコスト低減が可能とな
る。
【００２５】更に、感温素子に比べて固定抵抗は、製造
時における値のバラツキが少なく、しかもその後の調整
で微調整が可能であり、従来例に比べて正確な温度補償
を実現することができる。
時における値のバラツキが少なく、しかもその後の調整
で微調整が可能であり、従来例に比べて正確な温度補償
を実現することができる。
【００２６】なお、定電流回路１０又は／及び増幅回路
３０の温度特性は、前記実施例で示した正だけでなく、
負であってもスパン抵抗Ｒｆやオフセット抵抗Ｒｐを用
いて補償することができる。すなわち、定電流回路１０
が負の温度特性（図３（ａ））又は／及び増幅回路３０
の負が温度特性（図３（ｃ））であっても、それらの温
度特性の個々の出力誤差又はそれらの温度特性の出力誤
差の合計よりも十分大きな出力誤差である正の温度特性
（図３（ｂ））を圧力センサ素子２０が有していれば、
目標とする所定の温度特性（図２（ｄ））を得るため、
スパン抵抗Ｒｆやオフセット抵抗Ｒｐの値の調整による
圧力センサ素子２０の温度特性を、定電流回路１０と増
幅回路３０の個々の温度特性又は定電流回路１０と増幅
回路３０の合計の温度特性を相殺することができる正の
温度特性（図３（ｄ））とすれば、前記実施例と同様に
補償することができる。
３０の温度特性は、前記実施例で示した正だけでなく、
負であってもスパン抵抗Ｒｆやオフセット抵抗Ｒｐを用
いて補償することができる。すなわち、定電流回路１０
が負の温度特性（図３（ａ））又は／及び増幅回路３０
の負が温度特性（図３（ｃ））であっても、それらの温
度特性の個々の出力誤差又はそれらの温度特性の出力誤
差の合計よりも十分大きな出力誤差である正の温度特性
（図３（ｂ））を圧力センサ素子２０が有していれば、
目標とする所定の温度特性（図２（ｄ））を得るため、
スパン抵抗Ｒｆやオフセット抵抗Ｒｐの値の調整による
圧力センサ素子２０の温度特性を、定電流回路１０と増
幅回路３０の個々の温度特性又は定電流回路１０と増幅
回路３０の合計の温度特性を相殺することができる正の
温度特性（図３（ｄ））とすれば、前記実施例と同様に
補償することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、一定の値の電流を供給
し所定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回
路に接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成し
て圧力に応じた正の温度特性を有するスパン電圧及び／
又は所定の温度特性を有するオフセット電圧を出力する
圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に接続され前記
電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅回路とからな
る半導体圧力センサ装置において、前記定電流回路に対
して前記圧力センサ素子と並列にスパン抵抗及び／又は
前記ゲージ抵抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続し
て前記圧力センサ素子全体で所定の温度係数を有するも
のとして前記半導体圧力センサ装置全体としての温度特
性が略フラットとなるように前記スパン抵抗及び／又は
前記オフセット抵抗の値を定めることにより、スパン電
圧の温度補償もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ
素子において行われるため、調整が簡単となり、しか
も、サーミスタ等の感温素子に比べて、スパン抵抗やオ
フセット抵抗を構成する固定抵抗は、製造時における値
のバラツキが少なく、しかもその後の調整で微調整が可
能であり、従来例に比べて正確な温度補償を実現するこ
とができる。
し所定の温度特性を有する定電流回路と、この定電流回
路に接続され複数個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成し
て圧力に応じた正の温度特性を有するスパン電圧及び／
又は所定の温度特性を有するオフセット電圧を出力する
圧力センサ素子と、この圧力センサ素子に接続され前記
電圧を増幅し所定の温度特性を有する増幅回路とからな
る半導体圧力センサ装置において、前記定電流回路に対
して前記圧力センサ素子と並列にスパン抵抗及び／又は
前記ゲージ抵抗の一つと並列にオフセット抵抗を接続し
て前記圧力センサ素子全体で所定の温度係数を有するも
のとして前記半導体圧力センサ装置全体としての温度特
性が略フラットとなるように前記スパン抵抗及び／又は
前記オフセット抵抗の値を定めることにより、スパン電
圧の温度補償もオフセット電圧の温度補償も圧力センサ
素子において行われるため、調整が簡単となり、しか
も、サーミスタ等の感温素子に比べて、スパン抵抗やオ
フセット抵抗を構成する固定抵抗は、製造時における値
のバラツキが少なく、しかもその後の調整で微調整が可
能であり、従来例に比べて正確な温度補償を実現するこ
とができる。
【図１】 本発明の実施例の回路図。
【図２】 同上実施例の温度特性図。
【図３】 本発明の他の実施例の温度特性図。
【図４】 従来例の回路図。
【図５】 同上従来例の温度特性図。
１０ 定電流回路 ２０ 圧力センサ素子 ３０ 増幅回路 Ｒｓ スパン抵抗（温度補償装置） Ｒｐ オフセット抵抗（温度補償装置）
Claims (3)
- 【請求項１】 一定の値の電流を供給し所定の温度特性
を有する定電流回路と、この定電流回路に接続され複数
個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧力に応じた正
の温度特性を有するスパン電圧を出力する圧力センサ素
子と、この圧力センサ素子に接続され前記電圧を増幅し
所定の温度特性を有する増幅回路とからなる半導体圧力
センサ装置において、前記定電流回路に対して前記圧力
センサ素子と並列にスパン抵抗を接続して前記圧力セン
サ素子全体で所定の温度係数を有するものとして前記半
導体圧力センサ装置全体としての温度特性が略フラット
となるように前記スパン抵抗の値を定めることを特徴と
する半導体圧力センサ装置の温度補償装置。 - 【請求項２】 一定の値の電流を供給し所定の温度特性
を有する定電流回路と、この定電流回路に接続され複数
個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧力に応じた所
定の温度特性を有するオフセット電圧を出力する圧力セ
ンサ素子と、この圧力センサ素子に接続され前記電圧を
増幅し所定の温度特性を有する増幅回路とからなる半導
体圧力センサ装置において、前記ゲージ抵抗の一つと並
列にオフセット抵抗を接続して前記圧力センサ素子全体
で所定の温度係数を有するものとして前記半導体圧力セ
ンサ装置全体としての温度特性が略フラットとなるよう
に前記オフセット抵抗の値を定めることを特徴とする半
導体圧力センサ装置の温度補償装置。 - 【請求項３】 一定の値の電流を供給し所定の温度特性
を有する定電流回路と、この定電流回路に接続され複数
個のゲージ抵抗をブリッジ形に形成して圧力に応じた正
の温度特性を有するスパン電圧及び所定の温度特性を有
するオフセット電圧を出力する圧力センサ素子と、この
圧力センサ素子に接続され前記電圧を増幅し所定の温度
特性を有する増幅回路とからなる半導体圧力センサ装置
において、前記定電流回路に対して前記圧力センサ素子
と並列にスパン抵抗を接続すると共に前記ゲージ抵抗の
一つと並列にオフセット抵抗を接続して前記圧力センサ
素子全体で所定の温度係数を有するものとして前記半導
体圧力センサ装置全体としての温度特性が略フラットと
なるように前記スパン抵抗及び前記オフセット抵抗の値
を定めることを特徴とする半導体圧力センサ装置の温度
補償装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10841097A JPH10300601A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体圧力センサ装置の温度補償装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10841097A JPH10300601A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体圧力センサ装置の温度補償装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300601A true JPH10300601A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14484058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10841097A Pending JPH10300601A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 半導体圧力センサ装置の温度補償装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300601A (ja) |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10841097A patent/JPH10300601A/ja active Pending
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