JPH10294181A - Organic electroluminescence element and manufacture thereof - Google Patents

Organic electroluminescence element and manufacture thereof

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Publication number
JPH10294181A
JPH10294181A JP10040072A JP4007298A JPH10294181A JP H10294181 A JPH10294181 A JP H10294181A JP 10040072 A JP10040072 A JP 10040072A JP 4007298 A JP4007298 A JP 4007298A JP H10294181 A JPH10294181 A JP H10294181A
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JP
Japan
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hole transport
transport layer
organic electroluminescent
electroluminescent device
layer
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Pending
Application number
JP10040072A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Toru Kohama
亨 小濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
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Publication of JPH10294181A publication Critical patent/JPH10294181A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain an aging reduction rate of light emitting luminance and a generation rate of a light unremitting part, improve light emitting efficiency, reduce driving voltage, maintain a stable light emitting characteristic over a long period, and improved durability by constituting a hole transport layer mainly of an organic compound, and performing heating work on its part. SOLUTION: At least a light emitting layer 13 and a hole transport layer 12 are provided between an ITO anode 21 and a cathode 15 arranged on a glass substrate 10, and the light is emitted by electric energy. The hole transport layer 12 is an organic layer whose part is heat-treated. In heat treatment of here, it is important to be heat-treated further after a film is formed even when it is heated at film forming time like when the hole transport layer 12 is formed by vacuum evaporation while heating the substrate 10 by imparting heat after the hole transport layer 12 is formed as a film. In order to stabilize a thin film shape and prevent coagulation of a thin film by melting, a heat treatment temperature is set from a substrate temperature to a melting point at film forming time of the hole transport layer, and reduction in luminance and a dark spot are restrained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な、
電気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子およ
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, a flat panel display, a backlight, a lighting, an interior, a sign, a signboard, an electrophotographic device, and the like.
The present invention relates to an organic electroluminescent device capable of converting electric energy into light and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】陽極から注入された正孔と陰極から注入
された電子とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究が近年活発
に行われている。この素子は、薄型、低電圧駆動下での
高輝度発光や有機蛍光材料を選択することによる多色発
光が可能であり、注目を集めている。
2. Description of the Related Art Organic electroluminescent devices in which holes injected from an anode and electrons injected from a cathode recombine in an organic phosphor sandwiched between both electrodes to emit light have been actively researched in recent years. ing. This element has attracted attention because it is thin, can emit high-luminance light under low-voltage driving, and can emit multicolor light by selecting an organic fluorescent material.

【0003】有機電界発光素子が低電圧で高輝度に発光
することはコダック社のC.W.Tangらによって初
めて示された(Appl.Phys.Lett.51
(12)21,p.913,1987)。コダック社の
研究グループが提示した有機電界発光素子の代表的な構
成は、ITOガラス基板上にアミン化合物による正孔輸
送層、8−ヒドロキシキノリンアルミニウムによる発光
層、そしてMg:Ag陰極を順次真空蒸着法によって設
けたものであり、10V程度の駆動電圧で1000cd
/m2の緑色発光が可能であった。現在の有機電界発光
素子は、上記の素子構成要素の他に電子輸送層を設ける
など構成を変えているものもあるが、基本的にはコダッ
ク社の構成を踏襲している。
[0003] The fact that organic electroluminescent devices emit light with high luminance at low voltage is disclosed in Kodak C.S. W. Tang et al. (Appl. Phys. Lett. 51
(12) 21, p. 913, 1987). A typical configuration of an organic electroluminescent device presented by a Kodak research group is a vacuum deposition of a hole transport layer made of an amine compound, a light emitting layer made of 8-hydroxyquinoline aluminum, and a Mg: Ag cathode sequentially on an ITO glass substrate. Provided at a drive voltage of about 10 V and 1000 cd
/ M 2 green light emission was possible. Although the current organic electroluminescent device has a different configuration such as providing an electron transport layer in addition to the above-mentioned device components, it basically follows the configuration of Kodak Company.

【0004】有機電界発光素子の大きな問題点は耐久性
である。素子の耐久性が十分に得られない原因は未だ完
全には解明されていないが、原因の1つとして有機層形
態の経時的変化が考えられている。有機電界発光素子を
構成する有機層にはよくアモルファス性薄膜が用いられ
るが、成膜後の構造緩和や素子駆動時の発熱によってア
モルファス性薄膜の部分的な凝集や結晶化が起こり、薄
膜形態が初期状態と比べて大きく変化することが多かっ
た。この形態変化は素子構造の乱れを招き、結果的に発
光効率の低下や非発光部分の増加を引き起こしていた。
A major problem with organic electroluminescent devices is durability. Although the cause of the insufficient durability of the device has not yet been completely elucidated, one of the causes is considered to be the change over time in the form of the organic layer. Amorphous thin films are often used for the organic layers that compose the organic electroluminescent element. However, partial aggregation and crystallization of the amorphous thin film occur due to structural relaxation after film formation and heat generation during element driving, and the thin film morphology is reduced. It often changed greatly compared to the initial state. This morphological change causes a disorder in the element structure, resulting in a decrease in luminous efficiency and an increase in non-light emitting portions.

【0005】正孔輸送層は有機電界発光素子の耐久性に
大きく影響を与える有機層であり、これまで特に材料を
中心とした改良が数多くなされてきた。正孔輸送層には
高い正孔輸送特性およびアモルファス性薄膜の成膜容易
性とともに、上述したとおり、その薄膜形態の経時的安
定性が要求されるが、これらを十分に満足する材料や成
膜方法は未だ知られていない。
[0005] The hole transport layer is an organic layer that greatly affects the durability of the organic electroluminescent device, and many improvements have been made so far, particularly on materials. As described above, the hole transport layer is required to have high hole transport characteristics and easy film formation of the amorphous thin film, and as described above, the temporal stability of the thin film form is required. The method is not yet known.

【0006】一方、特開平3−173095号公報や特
開平5−182764号公報などに示されるように、は
じめからアモルファス性薄膜ではなく結晶構造を有する
有機層を利用して耐久性を向上させる試みも行われてい
るが、実用化のために必要な耐久性は得られていない。
On the other hand, as disclosed in JP-A-3-173095 and JP-A-5-182664, an attempt to improve durability by using an organic layer having a crystalline structure instead of an amorphous thin film from the beginning. However, the durability required for practical use has not been obtained.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】前記のように正孔輸送
材料からのアプローチで素子の耐久性向上を試みる場合
には、優れた正孔輸送特性と成膜容易性を有し、かつ、
種々の観点から判断しても安定した薄膜形態を保持する
と予想される正孔輸送材料を用いても、実際に作製した
素子は耐久性に劣ることが多かった。つまり、優れた特
性をもつ正孔輸送材料がありながら、従来技術ではその
特性を十分に活用できなかった点に大きな問題があっ
た。また、結晶構造を有する有機膜を用いるアプローチ
では、均一な結晶構造を有する有機薄膜を成膜すること
が一般的に難しく、微結晶構造の薄膜を利用することに
なるので、表面モフォロジーの悪化や結晶粒界に起因す
る望ましくないリーク電流の発生などを抑制する必要が
あり、利用できる材料や素子作製条件が限定されるとい
う問題があった。
As described above, when an attempt is made to improve the durability of the device by an approach from a hole transport material, the device has excellent hole transport characteristics and easy film formation, and
Even when using a hole transporting material that is expected to maintain a stable thin film form even from various viewpoints, an actually manufactured device often has poor durability. That is, although there is a hole transporting material having excellent characteristics, there is a big problem in that the conventional technology cannot sufficiently utilize the characteristics. In addition, in an approach using an organic film having a crystal structure, it is generally difficult to form an organic thin film having a uniform crystal structure, and a thin film having a microcrystalline structure is used. It is necessary to suppress the occurrence of an undesired leak current or the like due to the crystal grain boundaries, and there is a problem that available materials and element manufacturing conditions are limited.

【0008】上記のように、未だ有機電界発光素子の耐
久性は不十分であり、安定した発光特性を得る努力をさ
らに行う必要があった。本発明はかかる問題を解決し、
耐久性に優れ、長期間安定な発光特性を維持できる有機
電界発光素子およびその製造方法を提供することが目的
である。
As described above, the durability of the organic electroluminescent device is still insufficient, and it is necessary to make further efforts to obtain stable light emitting characteristics. The present invention solves such a problem,
It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having excellent durability and capable of maintaining stable light emitting characteristics for a long period of time, and a method for manufacturing the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題を
達成するために鋭意努力した結果、加熱処理を施された
正孔輸送層を含む有機電界発光素子が特に優れた耐久性
を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems As a result of the present inventors' intensive efforts to achieve the above object, an organic electroluminescent device including a heat-treated hole transport layer exhibits particularly excellent durability. This led to the completion of the present invention.

【0010】すなわち、本発明の有機電界発光素子は
「基板上に設けられた第一電極とそれに対向する第二電
極との間に発光層および正孔輸送層が存在する有機電界
発光素子であって、該正孔輸送層が主として有機化合物
からなり、かつ、該正孔輸送層の少なくとも一部が加熱
処理を施されたこと」を特徴とするものである。
That is, the organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having a light emitting layer and a hole transport layer between a first electrode provided on a substrate and a second electrode facing the first electrode. Wherein the hole transport layer is mainly composed of an organic compound, and at least a part of the hole transport layer has been subjected to a heat treatment. "

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明における有機電界発光素子
とは、基板上に設けられた第一電極とそれに対向する第
二電極との間に発光層および正孔輸送層が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The organic electroluminescent device of the present invention comprises a light emitting layer and a hole transport layer between a first electrode provided on a substrate and a second electrode facing the first electrode. Is an element that emits light.

【0012】ここで電気エネルギーとは主に直流電流を
指すが、交流電流やパルス電流を用いることもできる。
電流値あるいは電圧値は特に制限されないが、素子の消
費電力や耐久性を考慮すると、できるだけ低いエネルギ
ーで最大の輝度が得られるようにすべきである。
Here, the electric energy mainly indicates a direct current, but an alternating current or a pulse current can also be used.
The current value or the voltage value is not particularly limited. However, in consideration of the power consumption and durability of the element, the maximum luminance should be obtained with the lowest possible energy.

【0013】第一電極と第二電極とは素子の発光に十分
な電流が供給できる導電性をもてばよいが、光を取り出
すために少なくとも一方の電極が透明であることが望ま
しい。
The first electrode and the second electrode need only have conductivity so that a current sufficient for light emission of the device can be supplied, and it is preferable that at least one electrode is transparent in order to extract light.

【0014】透明な電極は可視光線透過率が30%以上
あれば使用に大きな障害はないが、80%以上あればよ
り望ましいといえる。基本的には可視光全域にわたって
同程度の透過率を持つことが好ましいが、色を変えたい
場合には積極的に吸収特性や干渉特性を持たせてもよ
い。その場合、カラーフィルターや干渉フィルターを用
いて変色させるのが技術的に容易である。透明電極の材
質としては、インジウム、錫、金、銀、亜鉛、アルミニ
ウム、クロム、ニッケル、酸素、水素、炭素から選ばれ
る少なくとも一種類の元素からなることが多いが、ヨウ
化銅、硫酸銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、
ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーを用
いることも可能であり、特に限定されるものではない。
The use of a transparent electrode does not cause any major obstacle if the visible light transmittance is 30% or more, but it is more preferable if the transparent electrode has a visible light transmittance of 80% or more. Basically, it is preferable to have the same transmittance over the entire visible light range. However, if it is desired to change the color, it may be positively provided with absorption characteristics or interference characteristics. In that case, it is technically easy to change the color using a color filter or an interference filter. The material of the transparent electrode is often made of at least one element selected from indium, tin, gold, silver, zinc, aluminum, chromium, nickel, oxygen, hydrogen, and carbon, such as copper iodide and copper sulfate. Inorganic conductive substance, polythiophene,
It is also possible to use a conductive polymer such as polypyrrole and polyaniline, and there is no particular limitation.

【0015】本発明において特に望ましい第一電極の例
としては、透明基板上に設けられた酸化錫、酸化亜鉛、
酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの陽
極を挙げることができる。パターン加工を施すディスプ
レイ用途などでは、加工性に優れているITOが特に好
適な例として挙げることができる。導電性を向上させる
ためにITOには少量の銀や金などの金属が含まれてい
てもよく、また、錫、金、銀、亜鉛、インジウム、アル
ミニウム、クロム、ニッケル、タンタルをITOのガイ
ド電極として使用することも可能である。中でもクロム
はブラックマトリクスとガイド電極の両方の機能を持た
せることができるので好適な金属である。素子の消費電
力の観点からはITOは低抵抗であることが望ましい。
例えば300Ω/□以下のシート抵抗値であれば素子電
極として機能するが、現在では10Ω/□程度のものの
供給も可能であり、低抵抗品を用いることが望ましい。
ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶことができ
るが、通常100〜400nmの間で用いられることが
多い。透明基板の材質は特に限定されず、ポリアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、
アラミドなどからなるプラスチック板やフィルムを用い
ることもできるが、好適な例としてはガラス板を挙げる
ことができる。ソーダライムガラス、無アルカリガラス
などが用いられ、厚みは機械的強度を保てばよいので
0.5mm以上あれば十分である。材質の点ではガラス
からの溶出イオンが少ない無アルカリガラスの方が望ま
しいが、SiO2などのバリアコートを施したソーダラ
イムガラスも市販されているのでこれを使用できる。I
TOの成膜方法は電子ビーム法、スパッタリング法、化
学反応法など特に制限されるものではない。
Examples of the first electrode particularly desirable in the present invention include tin oxide and zinc oxide provided on a transparent substrate.
An anode such as indium oxide or indium tin oxide (ITO) can be given. In display applications where pattern processing is performed, ITO which is excellent in processability can be cited as a particularly suitable example. In order to improve conductivity, ITO may contain a small amount of metal such as silver and gold, and tin, gold, silver, zinc, indium, aluminum, chromium, nickel, and tantalum may be used as ITO guide electrodes. It is also possible to use as. Among them, chromium is a suitable metal because it can have both functions of a black matrix and a guide electrode. From the viewpoint of power consumption of the device, it is desirable that ITO has low resistance.
For example, if the sheet resistance value is 300Ω / □ or less, it functions as an element electrode. However, it is possible to supply about 10Ω / □ at present, and it is desirable to use a low resistance product.
The thickness of the ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of usually 100 to 400 nm. The material of the transparent substrate is not particularly limited, and polyacrylate, polycarbonate, polyester, polyimide,
A plastic plate or film made of aramid or the like can be used, but a preferred example is a glass plate. Soda lime glass, non-alkali glass, or the like is used, and the thickness should be 0.5 mm or more since the mechanical strength may be maintained. In terms of the material, alkali-free glass with less ions eluted from the glass is preferable, but soda-lime glass coated with a barrier coat such as SiO 2 is commercially available and can be used. I
The method for forming the TO film is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

【0016】上記の基板上に設けられた第一電極につい
ては、必要に応じてパターン加工などの処理がなされた
後で、有機電界発光素子を構成する薄膜層が成膜される
よりも前に、通常の有機溶剤洗浄の他に表面処理が施さ
れることが好ましい。これは、第一電極の表面を清浄化
し、場合によっては活性化させることで、作製される有
機電界発光素子を理想的な状態に近づけるためである。
表面処理方法としては、UVオゾン洗浄、酸・アルカリ
処理、プラズマ処理などが好適な例として挙げられる。
特に、第一電極としてITOなどの透明な陽極を用いる
場合には、比較的容易な方法で高い洗浄効果が得られる
UVオゾン処理をより好適な表面処理方法として例示で
きる。
With respect to the first electrode provided on the substrate, after processing such as pattern processing is performed as required, before the thin film layer constituting the organic electroluminescent element is formed. Preferably, a surface treatment is performed in addition to the usual organic solvent cleaning. This is because the surface of the first electrode is cleaned and activated in some cases, so that the manufactured organic electroluminescent element approaches an ideal state.
Suitable examples of the surface treatment method include UV ozone cleaning, acid / alkali treatment, and plasma treatment.
In particular, when a transparent anode such as ITO is used as the first electrode, a UV ozone treatment which can obtain a high cleaning effect by a relatively easy method can be exemplified as a more preferable surface treatment method.

【0017】本発明において特に望ましい第二電極は陰
極であるが、その材質は電子を有機層に効率よく注入で
きるものであれば特に限定されない。従って、アルカリ
金属などの低仕事関数金属の使用も可能であるが、電極
の安定性を考えると、白金、金、銀、銅、鉄、錫、アル
ミニウム、マグネシウム、インジウムなどの金属、また
はこれら金属と低仕事関数金属との合金などが好ましい
例として挙げられる。また、あらかじめ有機電界発光素
子に含まれる有機層に低仕事関数金属を微量にドーピン
グしたり、有機層上にフッ化リチウムなどの金属塩の層
を薄く形成するなどし、その後に比較的安定な金属を陰
極として形成することで、電子注入効率を高く保ちなが
ら安定な電極を得ることもできる。これらの陰極の成膜
方法も抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法など特に限定されるも
のではないが、本発明では手軽な抵抗加熱蒸着法を主に
用いている。
In the present invention, a particularly desirable second electrode is a cathode, but the material thereof is not particularly limited as long as electrons can be efficiently injected into the organic layer. Therefore, it is possible to use a low work function metal such as an alkali metal, but considering the stability of the electrode, a metal such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, magnesium and indium, or a metal such as these And an alloy with a low work function metal. In addition, the organic layer included in the organic electroluminescent element is previously doped with a small amount of a low work function metal in a small amount, or a thin layer of a metal salt such as lithium fluoride is formed on the organic layer. By forming a metal as a cathode, a stable electrode can be obtained while maintaining high electron injection efficiency. The method for forming these cathodes is also not particularly limited, such as a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, and an ion plating method, but the present invention mainly uses a simple resistance heating evaporation method. .

【0018】上記の第一電極および第二電極は同一の材
料系による単層構造でも、異なる材料系を厚み方向に2
層以上重ねた積層構造であってもよい。例えば、第一電
極がITO陽極の場合にはITOの上に白金や金などの
金属薄膜を薄く積層してもよいし、第二電極が陰極の場
合には水分や酸素による陰極の劣化を防止するためにキ
ャップ層を積層することもできる。
Even if the first and second electrodes have a single-layer structure made of the same material, different materials may be used in the thickness direction.
It may have a laminated structure in which layers are stacked. For example, when the first electrode is an ITO anode, a thin metal film such as platinum or gold may be laminated on the ITO, or when the second electrode is a cathode, deterioration of the cathode due to moisture or oxygen is prevented. For this purpose, a cap layer can be laminated.

【0019】本発明の有機電界発光素子に含まれる積層
構造の例としては、正孔輸送層/発光層または正孔輸送
層/発光層/電子輸送層が挙げられるが、発光層と正孔
輸送層が存在し、その正孔輸送層の少なくとも一部が加
熱処理を施された有機層であればよく、特に限定される
ものではない。従って、各層は単層である必要性もな
い。例えば、異なる材料の、あるいは同一の材料である
が異なる薄膜形態をもつ2層以上の正孔輸送層が積層さ
れていてもよく、発光層、電子輸送層についても同様で
ある。また、正孔輸送層や電子輸送層の一部分をそのま
ま発光させたり、正孔輸送層や電子輸送層の一部分に発
光性有機分子をドーピングすることで発光させる手法も
よく用いられるが、この場合には、実際に発光を司る部
分を発光層とみなし、主にキャリア輸送を司る部分を正
孔輸送層や電子輸送層とみなせばよい。
Examples of the laminated structure included in the organic electroluminescent device of the present invention include a hole transport layer / a light emitting layer or a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer. There is no particular limitation as long as the layer exists and at least a part of the hole transport layer is an organic layer subjected to a heat treatment. Therefore, each layer does not need to be a single layer. For example, two or more hole transport layers of different materials or of the same material but having different thin film forms may be laminated, and the same applies to the light emitting layer and the electron transport layer. In addition, a method of causing a part of the hole transport layer or the electron transport layer to emit light as it is, or a method of emitting light by doping a part of the hole transport layer or the electron transport layer with a luminescent organic molecule, is often used. In this case, the portion that actually controls light emission may be regarded as a light emitting layer, and the portion that mainly controls carrier transport may be regarded as a hole transport layer or an electron transport layer.

【0020】正孔輸送層に用いられる材料としては、
N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェ
ニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン
(TPD)やN,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフ
チル−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(N
PD)などに代表されるトリフェニルアミン類、N−イ
ソプロピルカルバゾール、N置換ビスカルバゾリル誘導
体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、オキサジアゾール誘導体やキナクリドン誘
導体、複素環化合物ではポルフィリン誘導体やフタロシ
アニン誘導体、銅フタロシアニンに代表される金属フタ
ロシアニン誘導体、ポリマー系ではポリカーボネートや
スチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシラ
ン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどを例示すること
ができる。また、これらのポリマーの側鎖に前記単量体
が結合した材料を用いることもできる。
Materials used for the hole transport layer include:
N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) and N, N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (N
PD) and the like, N-isopropylcarbazole, N-substituted biscarbazolyl derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadiazole derivatives and quinacridone derivatives, and porphyrin derivatives and phthalocyanine derivatives for heterocyclic compounds Metal phthalocyanine derivatives typified by copper phthalocyanine; and in the polymer system, polycarbonate and styrene derivatives, polyvinyl carbazole, polysilane, polyaniline, polythiophene, and the like. Further, a material in which the monomer is bonded to a side chain of these polymers can also be used.

【0021】本発明は特に材料を限定するものではない
が、優れた正孔輸送特性と成膜容易性を有し、かつ、薄
膜形態の経時的な安定性が期待できるという観点から、
加熱処理を施される正孔輸送層がカルバゾール環を含む
有機化合物からなることが好ましい。さらに、加熱処理
による薄膜形態安定化の効果が大きいことから、加熱処
理を施される正孔輸送層が、下記に示すビスカルバゾリ
ル骨格を含む有機化合物からなることがより好ましい。
Although the present invention is not particularly limited to materials, it has excellent hole transport characteristics and film-forming easiness, and can be expected to exhibit the stability over time of the thin film form.
It is preferable that the hole transporting layer subjected to the heat treatment be made of an organic compound containing a carbazole ring. Further, since the effect of stabilizing the thin film form by the heat treatment is large, it is more preferable that the hole transport layer to be subjected to the heat treatment is made of an organic compound having a biscarbazolyl skeleton shown below.

【0022】[0022]

【化1】 (ここで、R1、R2は、水素、アルキル、ハロゲン、
アリール、アラルキルおよびシクロアルキルの中から選
ばれる。また、カルバゾリル骨格にはアルキル、アリー
ル、アラルキル、カルバゾリル、置換カルバゾリル、ハ
ロゲン、アルコキシ、ジアルキルアミノおよびトリアル
キルシリル基から選ばれる置換基が1つ以上連結されて
いてもよい。) 発光層に用いられる材料としては、以前から発光体とし
て知られていたアントラセンやピレン、そして前述の8
−ヒドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例えば、
ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタ
ジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導
体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、チアジアゾピリジン誘導体、ポリ
マー系ではポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフ
ェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが
使用できる。また、発光層に添加するドーパントとして
は、ルブレン、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、
ジアザインダセン誘導体、フェノキサゾン660、DC
M1、ペリノン、ペリレンなどがそのまま使用できる。
Embedded image (Where R1 and R2 are hydrogen, alkyl, halogen,
It is selected from aryl, aralkyl and cycloalkyl. The carbazolyl skeleton may have one or more substituents selected from alkyl, aryl, aralkyl, carbazolyl, substituted carbazolyl, halogen, alkoxy, dialkylamino, and trialkylsilyl groups. The materials used for the light emitting layer include anthracene and pyrene, which have been known as light emitters, and the aforementioned 8
-In addition to aluminum hydroxyquinoline, for example,
Bisstyrylanthracene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, distyrylbenzene derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazopyridine derivatives, and polyphenylenevinylene derivatives in polymer systems , Polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives can be used. Further, as a dopant added to the light emitting layer, rubrene, quinacridone derivative, coumarin derivative,
Diazaindacene derivative, phenoxazone 660, DC
M1, perinone, perylene and the like can be used as they are.

【0023】電子輸送層に用いられる材料としては、電
界を与えられた電極間において、陰極から注入された電
子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電
子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに
安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使
用時に発生しにくい物質であることが要求される。この
ような条件を満たす物質として8−ヒドロキシキノリン
アルミニウム、ヒドロキシベンゾキノリンベリリウム、
2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール(t−BuPB
D)などのオキサジアゾール系誘導体、薄膜安定性を向
上させたオキサジアゾール二量体系誘導体である1,
3,−ビス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オ
キサジゾリル)ビフェニレン(OXD−1)や1,3,
−ビス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサ
ジゾリル)フェニレン(OXD−7)、トリアゾール系
誘導体、フェナントロリン系誘導体などがある。
As the material used for the electron transport layer, it is desirable to efficiently transport electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied. For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, a high stability, and a small amount of impurities serving as traps during production and use. As materials satisfying such conditions, 8-hydroxyquinoline aluminum, hydroxybenzoquinoline beryllium,
2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (t-BuPB
Oxadiazole derivatives such as D), and oxadiazole dimer derivatives having improved thin film stability,
3, -bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxazizolyl) biphenylene (OXD-1), 1,3,
-Bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) phenylene (OXD-7), a triazole derivative, a phenanthroline derivative, and the like.

【0024】これらの正孔輸送層、発光層、電子輸送層
に用いられる有機材料は単独で、あるいは2種類以上を
混合した状態で各層を形成することができるが、高分子
結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエ
ステル、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、
ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキ
シ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン樹脂などの
溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石
油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能で
ある。
The organic materials used for the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer can be used alone or as a mixture of two or more kinds. Vinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide,
Solvent-soluble resin such as polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, phenol resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated It is also possible to use the resin dispersed in a curable resin such as a polyester resin, an alkyd resin, an epoxy resin and a silicone resin.

【0025】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の有機層の成膜方法としては、スピンコート法やディッ
プコート法などのウェットプロセスや、抵抗加熱蒸着
法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などドライプ
ロセスの両方を用いることができ、特に限定されるもの
ではないが、一般的には、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム
蒸着法などの真空蒸着法が特性面で好ましい。有機層の
厚みは抵抗値とも関係するので一概には示せないが、経
験的には10〜1000nmの間から選ばれる。
The organic layer such as the hole transporting layer, the light emitting layer and the electron transporting layer may be formed by a wet process such as a spin coating method or a dip coating method, a resistance heating evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, or the like. A dry process such as a dry process can be used, and is not particularly limited, but generally, a vacuum deposition method such as a resistance heating evaporation method or an electron beam evaporation method is preferable in terms of characteristics. Since the thickness of the organic layer is also unconditionally shown because it is related to the resistance value, it is empirically selected from the range of 10 to 1000 nm.

【0026】また、本発明の有機電界発光素子に含まれ
る発光層や電子輸送層の全体あるいは一部、場合によっ
ては正孔輸送層の一部は、有機材料以外から構成されて
いてもよく、例えば、SiC、GaN、ZnSe、Zn
S系の無機半導体材料や有機・無機複合材料なども使用
できる。
Further, the whole or a part of the light emitting layer or the electron transporting layer, and in some cases, the hole transporting layer included in the organic electroluminescent device of the present invention may be made of a material other than an organic material. For example, SiC, GaN, ZnSe, Zn
S-based inorganic semiconductor materials and organic / inorganic composite materials can also be used.

【0027】本発明の有機電界発光素子では、正孔輸送
層の少なくとも一部が加熱処理を施された有機層であ
る。ここで加熱処理とは、該正孔輸送層が成膜された後
で熱を加えることである。したがって、例えば基板を加
熱しながら真空蒸着法によって正孔輸送層を形成すると
いったように、成膜中に加熱した場合でも、成膜後にさ
らに加熱処理することが重要である。以下では、具体的
な素子構造を例示して加熱処理の具体的な説明を行う
が、本発明は素子構造を限定するものではない。
In the organic electroluminescent device of the present invention, at least a part of the hole transporting layer is a heat-treated organic layer. Here, the heat treatment means applying heat after the hole transport layer is formed. Therefore, even when heating is performed during film formation, for example, a hole transport layer is formed by a vacuum evaporation method while heating a substrate, it is important to further perform heat treatment after film formation. Hereinafter, a specific description of the heat treatment will be given by exemplifying a specific element structure, but the present invention does not limit the element structure.

【0028】本発明の好ましい素子構造を図1に示す。
第一電極が透明な陽極であり該陽極に近い側に正孔輸送
層が存在し、第二電極が陰極であり該陰極に近い側に発
光層が存在するものである。したがって、陽極上に正孔
輸送層、発光層、電子輸送層、陰極の順で成膜されるこ
とになる。
FIG. 1 shows a preferred device structure of the present invention.
The first electrode is a transparent anode, a hole transport layer exists on the side near the anode, the second electrode is a cathode, and the light emitting layer exists on the side near the cathode. Therefore, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are formed in this order on the anode.

【0029】陰極の成膜後に正孔輸送層を加熱処理した
場合には、陰極が素子上部に存在することで素子全体に
応力が掛かり、意図する正孔輸送層の形態安定化が阻害
される恐れがあるので、陰極の成膜前に正孔輸送層を加
熱処理することが好ましい。基本的には、目的の正孔輸
送層を成膜した直後、すなわち、その層の上部に何も成
膜されていない状態で加熱処理を行えば、薄膜形態を十
分に安定化させることができるので、加熱処理の効果を
十分に得ることができる。また、発光層も加熱処理する
必要性が生じた場合には、正孔輸送層の加熱処理を施し
た後で発光層を成膜して加熱処理をすればよい。
When the hole transport layer is subjected to a heat treatment after the formation of the cathode, stress is applied to the entire device due to the presence of the cathode on the upper portion of the device, and the intended stabilization of the shape of the hole transport layer is hindered. Therefore, it is preferable to heat-treat the hole transport layer before forming the cathode. Basically, if a heat treatment is performed immediately after forming the target hole transport layer, that is, in a state where nothing is formed on the layer, the thin film morphology can be sufficiently stabilized. Therefore, the effect of the heat treatment can be sufficiently obtained. Further, in the case where the light-emitting layer needs to be subjected to heat treatment, the light-emitting layer may be formed and heat-treated after the hole-transport layer is subjected to heat treatment.

【0030】図2のように正孔輸送層が2層存在する場
合には、2層とも成膜したあとに加熱処理を施してもよ
いし、必要に応じて、第一の正孔輸送層を加熱処理して
から第二の正孔輸送層、発光層と順に成膜を続けてもよ
い。当然ながら、第一の正孔輸送層の加熱処理を施した
後で第二の正孔輸送層を成膜し、再度加熱処理するとい
ったことも可能である。陽極に接する第一の正孔輸送層
には耐久性向上の観点から公知のフタロシアニン誘導
体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン系化合物な
どを使用することができる。
When two hole transport layers are present as shown in FIG. 2, heat treatment may be performed after forming both layers, and if necessary, the first hole transport layer may be used. May be heated, and then the film formation may be continued in the order of the second hole transport layer and the light emitting layer. As a matter of course, it is also possible to form the second hole transport layer after the first hole transport layer is subjected to the heat treatment, and to perform the heat treatment again. Known phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene compounds and the like can be used for the first hole transporting layer in contact with the anode from the viewpoint of improving durability.

【0031】特に、加熱処理によって正孔輸送層に導入
された欠点を回復させたり、後に成膜される発光層との
界面を理想状態に近づけるなど、発光効率を向上させる
効果が期待できることから、正孔輸送層を加熱処理した
後に該正孔輸送層と同一もしくは異なる正孔輸送材料を
用いて該正孔輸送層上に1層以上の別の正孔輸送層を成
膜してから、発光層以降の層を成膜することが好まし
い。
In particular, the effect of improving the luminous efficiency can be expected, such as recovering the defects introduced into the hole transport layer by the heat treatment and bringing the interface with the luminescent layer formed later to an ideal state. After heat-treating the hole-transporting layer, one or more other hole-transporting layers are formed on the hole-transporting layer using the same or different hole-transporting material as the hole-transporting layer. It is preferable to form a layer after the layer.

【0032】加熱処理の温度については、正孔輸送層に
用いられる材料にもよるので、一概に示すことは難し
く、場合によっては材料の融点を超える温度であっても
よい。しかしながら、薄膜形態を安定化させ、しかも、
溶融による薄膜の凝集を防ぐためには、加熱処理温度が
正孔輸送層の成膜時基板温度以上であり、正孔輸送層の
融点以下であることが好ましいといえる。さらに、正孔
輸送層を構成する有機分子に重心移動を起こさせること
で十分な薄膜形態の安定化を図り、しかも、アモルファ
ス性薄膜の望ましくない結晶化を防ぐために、加熱処理
温度が正孔輸送層のガラス転移温度以上、正孔輸送層の
結晶化温度以下であることがより好ましい。
Since the temperature of the heat treatment depends on the material used for the hole transporting layer, it is difficult to specify the temperature, and in some cases, the temperature may be higher than the melting point of the material. However, it stabilizes the thin film morphology,
In order to prevent aggregation of the thin film due to melting, it can be said that the heat treatment temperature is preferably equal to or higher than the substrate temperature at the time of forming the hole transport layer and equal to or lower than the melting point of the hole transport layer. Furthermore, the organic layer constituting the hole transport layer is caused to shift its center of gravity, thereby stabilizing a sufficient thin film morphology. In addition, in order to prevent undesired crystallization of the amorphous thin film, the heat treatment temperature is set to be lower. More preferably, it is higher than the glass transition temperature of the layer and lower than the crystallization temperature of the hole transport layer.

【0033】上記のガラス転移温度や結晶化温度、融点
などは、例えば、示差走査熱量計法(DSC法)によっ
て正孔輸送層、もしくは正孔輸送層に用いられる材料粉
末の吸熱および発熱過程を調べることで測定できる。
The above-mentioned glass transition temperature, crystallization temperature, melting point, etc. are determined by, for example, the heat absorption and heat generation process of the hole transport layer or the material powder used for the hole transport layer by differential scanning calorimetry (DSC method). It can be measured by checking.

【0034】加熱処理方法については、窒素やアルゴン
などの不活性ガス雰囲気下でオーブンやホットプレート
を用いる手法が一般的な例として挙げられるが、温風や
赤外線を利用してもよく、正孔輸送層を所望の温度で均
一に加熱でき、加熱による有機化合物の劣化や素子中へ
の異物混入などの望ましくない現象を最小限に押られれ
ばよいので、特に限定されるものではない。したがっ
て、材料によっては酸素や水分などの存在する雰囲気で
加熱処理することも可能である。また、ヒーター加熱や
赤外線、電磁誘導などを利用して真空中で加熱処理を行
ってもよい。
As a general heat treatment method, a method using an oven or a hot plate in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon may be mentioned. However, hot air or infrared rays may be used. The transport layer is not particularly limited as long as it can uniformly heat the transport layer at a desired temperature and minimize undesirable phenomena such as deterioration of the organic compound due to heating and contamination of the element with foreign substances. Therefore, depending on the material, heat treatment can be performed in an atmosphere in which oxygen, moisture, or the like exists. Further, heat treatment may be performed in a vacuum using heater heating, infrared rays, electromagnetic induction, or the like.

【0035】特に、真空蒸着法などの真空プロセスで正
孔輸送層などを成膜する場合には、いちいち真空解除せ
ずに連続して発光層以降の成膜が可能であり、有機化合
物の劣化や異物混入の機会が少ないことからも、真空中
での加熱処理は好ましい手法といえる。一方、真空中で
加熱処理を施すと、その後の基板温度の降下に長い時間
を要することが多いため、プロセス時間の増加や正孔輸
送層結晶化の誘発が考えられる。したがって、真空解除
による悪影響が問題にならない場合には、正孔輸送層の
成膜工程後に真空を解除してから該正孔輸送層を加熱処
理することが、むしろ好ましい手法といえる。
In particular, when forming a hole transporting layer or the like by a vacuum process such as a vacuum deposition method, it is possible to continuously form the light emitting layer and the subsequent layers without releasing the vacuum, thereby deteriorating the organic compound. Heat treatment in a vacuum can be said to be a preferable method because there is little chance of contamination or contamination of foreign matter. On the other hand, when the heat treatment is performed in a vacuum, a long time is often required for the subsequent decrease in the substrate temperature, which may increase the process time or induce crystallization of the hole transport layer. Therefore, in the case where the adverse effect of the release of the vacuum does not become a problem, it is rather preferable to release the vacuum after the step of forming the hole transport layer and then heat-treat the hole transport layer.

【0036】加熱時間については、加熱温度や加熱処理
方法などにも依存するので一概に示すことは難しい。基
本的には対象となる正孔輸送層の形態が十分安定化する
のに必要な時間だけ加熱すればよいが、条件に応じて最
適化すればよい。
The heating time depends on the heating temperature, the heating treatment method, and the like, so that it is difficult to give an unambiguous indication. Basically, heating may be performed only for a time necessary for sufficiently stabilizing the form of the target hole transport layer, but may be optimized according to conditions.

【0037】同様に加熱処理における昇温・降温速度も
一概に示すことは難しい。降温速度が必要以上に遅いと
アモルファス性薄膜の望ましくない結晶化が促進される
ことがあるが、経験的には1〜100℃/min.の間
から選ばれる。
Similarly, it is difficult to clearly indicate the rate of temperature rise / fall in the heat treatment. If the temperature lowering rate is too slow, undesirable crystallization of the amorphous thin film may be promoted, but empirically, 1 to 100 ° C./min. Choose between.

【0038】本発明では、第二電極形成後に有機電界発
光素子をエージング処理してもよい。これは実際の駆動
に先だって短時間素子を発光させる処理であり、短絡や
急激な輝度低下などを未然に防ぎ、素子の長期的な耐久
性を向上させる効果がある。エージング条件は特に制限
されないが、素子中のリークサイトを絶縁化しながらダ
ークスポットの発生を抑制するために、酸素が存在する
低湿度雰囲気下で実施することが好ましい。
In the present invention, the organic electroluminescent device may be subjected to an aging treatment after the formation of the second electrode. This is a process for causing the element to emit light for a short time before the actual driving, and has the effect of preventing short-circuiting, a sharp decrease in luminance, and the like, and improving the long-term durability of the element. The aging condition is not particularly limited, but is preferably performed in a low-humidity atmosphere containing oxygen in order to suppress generation of dark spots while insulating a leak site in the device.

【0039】本発明の有機電界発光素子は優れた耐久性
を示す。ここで優れた耐久性とは、基本的には素子を長
時間駆動させた際に発光輝度の低下割合が小さいことを
意味するが、もう1つ重要な点として、ダークスポット
と呼ばれる非発光部分の発生率が小さいことも意味す
る。上記で説明した加熱処理は、素子の輝度低下割合を
小さくすることはもちろんであるが、ダークスポットに
対しても大きな抑制効果が認められる。
The organic electroluminescent device of the present invention shows excellent durability. The term “excellent durability” basically means that the rate of decrease in light emission luminance when the element is driven for a long time is small, but another important point is that a non-light-emitting portion called a dark spot is used. Also means that the occurrence rate is small. The heat treatment described above not only reduces the luminance reduction ratio of the element, but also has a significant effect of suppressing dark spots.

【0040】[0040]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0041】実施例1 正孔輸送材料としてビス(m−メチルフェニルカルバゾ
ール)を用意した。DSC法による測定では、ガラス転
移温度90℃、結晶化温度168℃、融点192℃であ
った。
Example 1 Bis (m-methylphenylcarbazole) was prepared as a hole transport material. According to measurement by the DSC method, the glass transition temperature was 90 ° C., the crystallization temperature was 168 ° C., and the melting point was 192 ° C.

【0042】ガラス基板(厚さ1.1mm)上のITO
透明電極膜(シート抵抗値15Ω/□、ITO膜厚17
0nm、可視光透過率88%)をエッチング法により所
定の形状にパターン加工して、アセトン、セミコクリー
ン56、純水、イソプロピルアルコール、メタノールで
洗浄した。このITO基板をUVオゾン洗浄機(センエ
ンジニアリング社製)で表面処理した後に、真空蒸着機
に取り付けて真空排気した。真空度3×10-4Pa、基
板温度室温の条件下で、それぞれ正孔輸送層として銅フ
タロシアニンを20nm、ビス(m−メチルフェニルカ
ルバゾール)を100nm蒸着した。一旦基板を取り出
して、窒素雰囲気下のホットプレート上に基板を置き、
正孔輸送層を100℃で8分間加熱処理した。再び基板
を真空蒸着機に戻し、同じく真空度3×10-4Pa、基
板温度室温の条件下で、発光層兼電子輸送層であるトリ
ス(8−キノリノラト)アルミニウム(III)錯体を1
00nm蒸着した。真空中で蒸着マスクを交換して、有
機層をリチウム蒸気にさらしてドーピング(膜厚換算量
0.5nm)した後、アルミニウムを200nm蒸着し
て陰極とした。このようにして5×5mmサイズの有機
電界発光素子を作製した。
ITO on glass substrate (1.1 mm thick)
Transparent electrode film (sheet resistance 15Ω / □, ITO film thickness 17
(0 nm, visible light transmittance: 88%) was patterned into a predetermined shape by an etching method, and washed with acetone, Semico Clean 56, pure water, isopropyl alcohol, and methanol. After surface-treating this ITO substrate with a UV ozone cleaning machine (manufactured by Sen Engineering Co., Ltd.), it was attached to a vacuum evaporation machine and evacuated. Under the conditions of a degree of vacuum of 3 × 10 −4 Pa and a substrate temperature of room temperature, copper phthalocyanine was deposited as a hole transport layer to a thickness of 20 nm, and bis (m-methylphenylcarbazole) was deposited to a thickness of 100 nm. Once the substrate is removed, place the substrate on a hot plate under a nitrogen atmosphere,
The hole transport layer was heat-treated at 100 ° C. for 8 minutes. The substrate was returned to the vacuum evaporator again, and a tris (8-quinolinolato) aluminum (III) complex, which was both a light emitting layer and an electron transporting layer, was added under the conditions of a vacuum degree of 3 × 10 −4 Pa and a substrate temperature of room temperature.
00 nm was deposited. After exchanging the deposition mask in a vacuum and exposing the organic layer to lithium vapor for doping (equivalent to a thickness of 0.5 nm), aluminum was deposited to a thickness of 200 nm to form a cathode. Thus, an organic electroluminescent device having a size of 5 × 5 mm was manufactured.

【0043】本素子を乾燥空気中で20mA/cm2
定電流駆動によって発光させたところ(初期輝度528
cd/m2)、200時間後の輝度保持率は51%、非
発光部分(ダークスポット)の占有面積は1%以下だっ
た。
The device was driven to emit light in dry air at a constant current of 20 mA / cm 2 (initial luminance: 528).
cd / m 2 ), the luminance retention after 200 hours was 51%, and the area occupied by non-light-emitting portions (dark spots) was 1% or less.

【0044】比較例1 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例1と同様に有
機電界発光素子を作製し、発光させたところ(初期輝度
530cd/m2)、200時間後の輝度保持率は33
%、非発光部分(ダークスポット)の占有面積は約15
%だった。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 1 except that no heat treatment was performed (initial luminance: 530 cd / m 2 ). 33
%, The area occupied by the non-light-emitting portion (dark spot) is about 15%
%was.

【0045】実施例2 正孔輸送材料としてビス(4−メチルナフチルカルバゾ
ール)を用意した。DSC法による測定では、ガラス転
移温度158℃、結晶化温度と融点は280℃以上であ
った。正孔輸送層を178℃で8分間加熱処理した以外
は実施例1と同様に有機電界発光素子を作製し、発光さ
せたところ(初期輝度612cd/m2)、200時間
後の輝度保持率は69%、非発光部分(ダークスポッ
ト)の占有面積は1%以下だった。
Example 2 Bis (4-methylnaphthylcarbazole) was prepared as a hole transport material. According to the measurement by the DSC method, the glass transition temperature was 158 ° C., and the crystallization temperature and the melting point were 280 ° C. or higher. An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer was heated at 178 ° C. for 8 minutes (initial luminance: 612 cd / m 2 ). The area occupied by 69% of the non-light-emitting portions (dark spots) was 1% or less.

【0046】比較例2 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例2と同様に有
機電界発光素子を作製し、発光させたところ(初期輝度
約500cd/m2)、わずか1〜2分間で輝度保持率
が50%に低下した。
COMPARATIVE EXAMPLE 2 An organic electroluminescent device was prepared and emitted (initial luminance of about 500 cd / m 2 ) in the same manner as in Example 2 except that no heat treatment was performed. The retention dropped to 50%.

【0047】実施例3 正孔輸送材料としてビス(フェニルカルバゾール)を用
意した。DSC法による測定では、ガラス転移温度93
℃、融点は205℃であり、結晶化温度は検出されなか
った。正孔輸送層を113℃で8分間加熱処理した以外
は実施例1と同様に有機電界発光素子を作製し、発光さ
せたところ(初期輝度692cd/m2)、200時間
後の輝度保持率は64%、非発光部分(ダークスポッ
ト)の占有面積は1%以下だった。
Example 3 Bis (phenylcarbazole) was prepared as a hole transport material. According to the measurement by the DSC method, the glass transition temperature was 93
° C, melting point was 205 ° C, and no crystallization temperature was detected. An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer was heated at 113 ° C. for 8 minutes (initial luminance: 692 cd / m 2 ). The area occupied by 64% and the non-light-emitting portion (dark spot) was 1% or less.

【0048】比較例3 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例3と同様に有
機電界発光素子を作製し、発光させたところ(初期輝度
609cd/m2)、200時間後の輝度保持率は40
%、非発光部分(ダークスポット)の占有面積は約5%
だった。
COMPARATIVE EXAMPLE 3 An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 3 except that no heat treatment was performed (initial luminance: 609 cd / m 2 ). 40
%, Non-light-emitting area (dark spot) occupies approximately 5%
was.

【0049】実施例4 正孔輸送材料としてビス(エチルカルバゾール)を用意
した。DSC法による測定では、ガラス転移温度77
℃、結晶化温度160℃、融点191℃であった。正孔
輸送層を97℃で8分間加熱処理した以外は実施例1と
同様に有機電界発光素子を作製し、発光させたところ
(初期輝度627cd/m2)、200時間後の輝度保
持率は54%、非発光部分(ダークスポット)の占有面
積は1%以下だった。
Example 4 Bis (ethylcarbazole) was prepared as a hole transporting material. According to measurement by the DSC method, a glass transition temperature of 77
° C, crystallization temperature 160 ° C, melting point 191 ° C. An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 1 except that the hole transport layer was heat-treated at 97 ° C. for 8 minutes (initial luminance: 627 cd / m 2 ). The area occupied by 54% and the non-light-emitting portion (dark spot) was 1% or less.

【0050】比較例4 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例4と同様に有
機電界発光素子を作製し、発光させたところ(初期輝度
579cd/m2)、200時間後の輝度保持率は50
%、非発光部分(ダークスポット)の占有面積は約10
%だった。
Comparative Example 4 An organic electroluminescent device was prepared and illuminated in the same manner as in Example 4 except that no heat treatment was performed (initial luminance: 579 cd / m 2 ). 50
%, The area occupied by the non-light-emitting part (dark spot) is about 10
%was.

【0051】実施例5 実施例4と同様に有機電界発光素子を作製し、40mA
/cm2の定電流駆動で2時間発光させるエージング処
理を施した後に、測定を開始したところ(初期輝度41
1cd/m2)、200時間後の輝度保持率は82%、
非発光部分(ダークスポット)の占有面積は1%以下だ
った。
Example 5 An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 4,
/ Cm 2 after aging treatment for emitting light for 2 hours at a constant current drive, the measurement was started (initial luminance 41
1 cd / m 2 ), the luminance retention after 200 hours is 82%,
The area occupied by non-light-emitting portions (dark spots) was 1% or less.

【0052】実施例6 正孔輸送層の加熱処理後、真空中で同じ正孔輸送材料で
あるビス(エチルカルバゾール)を30nm蒸着した後
に連続して発光層以降の成膜を行った以外は、実施例4
と同様に有機電界発光素子を作製し、発光させたところ
(初期輝度770cd/m2)、200時間後の輝度保
持率は62%、非発光部分(ダークスポット)の占有面
積は1%以下だった。
Example 6 After the heat treatment of the hole transporting layer, the same hole transporting material, bis (ethylcarbazole), was deposited in vacuum in a thickness of 30 nm, and then the light emitting layer and subsequent layers were continuously formed. Example 4
When an organic electroluminescent device was prepared and emitted light in the same manner as in ( 1 ), the initial luminance was 770 cd / m 2 , the luminance retention after 200 hours was 62%, and the area occupied by the non-light-emitting portion (dark spot) was 1% or less. Was.

【0053】実施例7 実施例6と同様に有機電界発光素子を作製し、40mA
/cm2の定電流駆動で2時間発光させるエージング処
理を施した後に、測定を開始したところ(初期輝度55
8cd/m2)、200時間後の輝度保持率は86%、
非発光部分(ダークスポット)の占有面積は1%以下だ
った。
Example 7 An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 6,
/ Cm 2 after aging treatment for emitting light for 2 hours at a constant current drive, the measurement was started (initial luminance 55%).
8 cd / m 2 ), the luminance retention after 200 hours is 86%,
The area occupied by non-light-emitting portions (dark spots) was 1% or less.

【0054】実施例8 真空中で加熱処理を施し、途中で真空解除することなく
素子を作製した以外は、実施例7と同様に有機電界発光
素子を作製し、測定を開始したところ(初期輝度569
cd/m2)、200時間後の輝度保持率は88%、非
発光部分(ダークスポット)の占有面積は1%以下だっ
た。ただし、加熱処理後に基板温度が通常の成膜条件
(30℃以下)に戻るのを待つのに12時間以上を要し
た。
Example 8 An organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 7, except that the device was heat-treated in a vacuum and the vacuum was not released during the process. 569
cd / m 2 ), the luminance retention after 200 hours was 88%, and the area occupied by non-light-emitting portions (dark spots) was 1% or less. However, it took 12 hours or more to wait for the substrate temperature to return to normal film forming conditions (30 ° C. or lower) after the heat treatment.

【0055】実施例9 正孔輸送材料としてビス(メチルカルバゾール)を用意
した。DSC法による測定では、ガラス転移温度78
℃、結晶化温度143℃、融点204℃であった。正孔
輸送層をそれぞれ98℃、128℃、158℃で8分間
加熱処理した以外は実施例6と同様に有機電界発光素子
を作製した。すなわち、正孔輸送層の加熱処理後、真空
中で同じ正孔輸送材料であるビス(メチルカルバゾー
ル)を30nm蒸着した後に連続して発光層以降の成膜
を行った。これらの素子を乾燥空気中で20mA/cm
2の定電流駆動によって発光させた結果を表1に示す。
Example 9 Bis (methylcarbazole) was prepared as a hole transport material. According to the measurement by the DSC method, the glass transition temperature was 78.
° C, crystallization temperature 143 ° C, melting point 204 ° C. An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 6, except that the hole transport layer was heat-treated at 98 ° C., 128 ° C., and 158 ° C. for 8 minutes, respectively. That is, after the heat treatment of the hole transporting layer, the same hole transporting material, bis (methylcarbazole), was vapor-deposited in a thickness of 30 nm in vacuum, and then the light emitting layer and subsequent layers were continuously formed. These elements were dried at 20 mA / cm in dry air.
The result of the light emission by the constant current drive 2 shown in Table 1.

【0056】比較例5 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例9と同様にし
た結果を表1に示す。
Comparative Example 5 Table 1 shows the results as in Example 9 except that no heat treatment was performed.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】加熱処理温度が高くなるにつれて、駆動電
圧の低下、輝度保持率向上、ダークスポット抑制の効果
が認められた。特に、正孔輸送層のガラス転移温度より
50℃以上高い(128℃以上の)処理温度では、初期
輝度(発光効率)がやや低下する傾向にあるものの、前
記の効果は非常に大きいことがわかる。
As the heat treatment temperature was increased, the effects of lowering the driving voltage, improving the luminance retention ratio, and suppressing the dark spot were recognized. In particular, at a processing temperature higher than the glass transition temperature of the hole transport layer by 50 ° C. or more (128 ° C. or more), the above effect is very large although the initial luminance (luminous efficiency) tends to slightly decrease. .

【0059】実施例10 有機電界発光素子を作製した後に40mA/cm2の定
電流駆動で2時間発光させるエージング処理を施してか
ら測定を開始したこと以外は、実施例9と同様にした結
果を表2に示す。
Example 10 The same results as in Example 9 were carried out except that after the organic electroluminescent device was produced, an aging treatment for emitting light at a constant current of 40 mA / cm 2 for 2 hours was performed and then the measurement was started. It is shown in Table 2.

【0060】比較例6 加熱処理を施さなかったこと以外は実施例10と同様に
した結果を表2に示す。
Comparative Example 6 Table 2 shows the results obtained in the same manner as in Example 10 except that the heat treatment was not performed.

【0061】[0061]

【表2】 [Table 2]

【0062】加熱処理温度が高くなるにつれて、駆動電
圧の低下、輝度保持率向上、ダークスポット抑制の効果
が認められた。特に、正孔輸送層のガラス転移温度より
50℃以上高い(128℃以上の)処理温度で前記の効
果は非常に大きく、また、場合によっては初期輝度(発
光効率)の向上も期待できることがわかる。
As the heat treatment temperature increased, the effects of lowering the driving voltage, improving the luminance retention ratio, and suppressing dark spots were observed. In particular, it can be seen that the above effect is very large at a processing temperature higher than the glass transition temperature of the hole transporting layer by 50 ° C. or more (128 ° C. or more), and that the initial luminance (luminous efficiency) can be expected to be improved in some cases. .

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明の、正孔輸送層の全体もしくは一
部分が加熱処理を施された有機層であることを特徴とす
る有機電界発光素子は、発光輝度の経時的な低下率およ
び非発光部分(ダークスポット)の発生率が低く抑えら
れ、発光効率の向上や低駆動電圧化も期待できることか
ら、長期間安定した発光特性を維持し、優れた耐久性を
実現させる上で有用である。
According to the organic electroluminescent device of the present invention, wherein the whole or a part of the hole transport layer is a heat-treated organic layer, the decrease rate of the luminous luminance with time and the non-luminous Since the occurrence rate of a portion (dark spot) can be suppressed to a low level, and improvement in luminous efficiency and lower driving voltage can be expected, it is useful for maintaining stable luminescent characteristics for a long period of time and realizing excellent durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の一例を示す断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the organic electroluminescent device of the present invention.

【図2】本発明の有機電界発光素子の別の例を示す断面
図。
FIG. 2 is a sectional view showing another example of the organic electroluminescent device of the present invention.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に設けられた第一電極とそれに対向
する第二電極との間に発光層および正孔輸送層が存在す
る有機電界発光素子であって、該正孔輸送層が主として
有機化合物からなり、かつ、該正孔輸送層の少なくとも
一部が加熱処理を施されたことを特徴とする有機電界発
光素子。
1. An organic electroluminescent device having a light emitting layer and a hole transport layer between a first electrode provided on a substrate and a second electrode opposed thereto, wherein the hole transport layer is mainly An organic electroluminescent device comprising an organic compound, wherein at least a part of the hole transport layer has been subjected to a heat treatment.
【請求項2】第一電極が透明な陽極であり該陽極に近い
側に正孔輸送層が存在し、かつ、第二電極が陰極であり
該陰極に近い側に発光層が存在することを特徴とする請
求項1記載の有機電界発光素子。
2. The method according to claim 1, wherein the first electrode is a transparent anode, a hole transport layer exists on a side near the anode, and the second electrode is a cathode, and a light emitting layer exists on a side near the cathode. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein:
【請求項3】第一電極がUVオゾン処理を施された透明
な陽極であることを特徴とする請求項2に記載の有機電
界発光素子。
3. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the first electrode is a transparent anode subjected to UV ozone treatment.
【請求項4】正孔輸送層が主としてカルバゾール環を含
む有機化合物からなることを特徴とする請求項1〜3い
ずれかに記載の有機電界発光素子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the hole transport layer is mainly composed of an organic compound containing a carbazole ring.
【請求項5】正孔輸送層が主としてビスカルバゾリル骨
格を含む有機化合物からなることを特徴とする請求項1
〜3いずれかに記載の有機電界発光素子。
5. The method according to claim 1, wherein the hole transport layer is mainly composed of an organic compound having a biscarbazolyl skeleton.
4. The organic electroluminescent device according to any one of items 1 to 3,
【請求項6】正孔輸送層のうち陽極と接する部分がフタ
ロシアニン誘導体からなることを特徴とする請求項1〜
5いずれかに記載の有機電界発光素子。
6. A method according to claim 1, wherein a portion of said hole transport layer which is in contact with said anode comprises a phthalocyanine derivative.
5. The organic electroluminescent device according to any one of 5.
【請求項7】基板上に設けられた第一電極とそれに対向
する第二電極との間に発光層および正孔輸送層が存在す
る有機電界発光素子の製造方法であって、主として有機
化合物を用いて該正孔輸送層を成膜した後に、該正孔輸
送層を加熱処理することを特徴とする有機電界発光素子
の製造方法。
7. A method for producing an organic electroluminescent device in which a light emitting layer and a hole transport layer are present between a first electrode provided on a substrate and a second electrode facing the first electrode, wherein an organic compound is mainly used. A method for producing an organic electroluminescent device, wherein the hole transport layer is subjected to heat treatment after forming the hole transport layer.
【請求項8】第一電極である透明な陽極上に正孔輸送層
を成膜する工程と、該正孔輸送層上に発光層を成膜する
工程と、該発光層上に第二電極である陰極を成膜する工
程とを含み、かつ、該正孔輸送層の成膜工程後に該正孔
輸送層を加熱処理することを特徴とする請求項7記載の
有機電界発光素子の製造方法。
8. A step of forming a hole transport layer on a transparent anode as a first electrode, a step of forming a light emitting layer on the hole transport layer, and a step of forming a second electrode on the light emitting layer. 8. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, further comprising the step of: forming a cathode as a film, and heating the hole transport layer after the step of forming the hole transport layer. .
【請求項9】正孔輸送層の成膜工程後、かつ、発光層の
成膜工程前に該正孔輸送層を加熱処理することを特徴と
する請求項8記載の有機電界発光素子の製造方法。
9. The organic electroluminescent device according to claim 8, wherein the hole transport layer is subjected to a heat treatment after the step of forming the hole transport layer and before the step of forming the light emitting layer. Method.
【請求項10】正孔輸送層の成膜工程後かつ発光層の成
膜工程前に、該正孔輸送層を加熱処理して、さらに、該
正孔輸送層と同一もしくは異なる正孔輸送材料を用いて
該正孔輸送層上に1層以上の別の正孔輸送層を成膜する
ことを特徴とする請求項8記載の有機電界発光素子の製
造方法。
10. A heat treatment of the hole transport layer after the step of forming the hole transport layer and before the step of forming the light emitting layer, and further comprising the same or different hole transport material as the hole transport layer. 9. The method according to claim 8, wherein one or more other hole transport layers are formed on the hole transport layer by using.
【請求項11】正孔輸送層の成膜方法が真空蒸着法であ
ることを特徴とする請求項7〜10いずれかに記載の有
機電界発光素子の製造方法。
11. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the method for forming the hole transport layer is a vacuum evaporation method.
【請求項12】正孔輸送層の成膜方法が真空蒸着法であ
り、該正孔輸送層の成膜工程後に真空を解除してから該
正孔輸送層を加熱処理することを特徴とする請求項7〜
10いずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
12. A method for forming a hole transport layer, which is a vacuum deposition method, wherein the vacuum is released after the step of forming the hole transport layer, and then the hole transport layer is heat-treated. Claim 7-
10. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of 10).
【請求項13】加熱処理を真空中で行うことを特徴とす
る請求項7〜11いずれかに記載の有機電界発光素子の
製造方法。
13. The method according to claim 7, wherein the heat treatment is performed in a vacuum.
【請求項14】加熱処理温度が正孔輸送層の成膜時基板
温度以上、正孔輸送層の融点以下であることを特徴とす
る請求項7〜13いずれかに記載の有機電界発光素子の
製造方法。
14. The organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the heat treatment temperature is not lower than the substrate temperature at the time of forming the hole transport layer and not higher than the melting point of the hole transport layer. Production method.
【請求項15】加熱処理温度が正孔輸送層のガラス転移
温度以上、正孔輸送層の結晶化温度以下であることを特
徴とする請求項7〜13いずれかに記載の有機電界発光
素子の製造方法。
15. The organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the heat treatment temperature is higher than the glass transition temperature of the hole transport layer and lower than the crystallization temperature of the hole transport layer. Production method.
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