JPH10280141A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】放電開始電圧を低減するとともに、安定した膜
質の薄膜を繰返し同じ条件で成膜することができる薄膜
形成装置を提供することを目的とする。 【解決手段】チャンバ１０内のターゲット４０とガラス
基板６５を保持するサブセプタ６３との間にその軸線と
直交する平面と交差するようにＡコイル４３、Ｂコイル
４５、およびＣコイル４６を配し、これらのコイルに矩
形パルス電圧を印加し、これらのコイル４３、４５、４
６が微分回路を形成することによって、軸線と直交する
より急峻なパルス状の磁界を作り、パルスプラズマを発
生させ、しかも微小磁界によってプラズマを安定化させ
るようにした薄膜形成装置に関するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成装置および
薄膜形成方法に係り、とくに２種類以上の不活性ガスと
磁界とによってプラズマを制御しながら基板上に薄膜を
形成するようにした薄膜形成装置および薄膜形成方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】スパッタリングの方法によって薄膜を形
成する装置は、ターゲットと加工対象となる電極を兼用
する基板とを所定の距離を介して互いに対向するように
配し、チャンバ内を高真空に排気する。そしてこのよう
なチャンバ内にアルゴン等の不活性ガスを供給し、ター
ゲットと基板との間にターゲットを陰極として基板を陽
極とするように電位差を与える。

【０００３】するとターゲットおよび基板間にプラズマ
が発生され、真空チャンバ内においてイオン化されたア
ルゴン原子をターゲットに衝突させてこのターゲットの
表面からＳｉ原子を飛出させ、その後に酸素等の反応ガ
スを供給することによってＳｉＯ₂ の膜を基板の表面に
成膜することが可能になる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のこのようなスパ
ッタ装置によって反応性スパッタを行なう場合に、放電
開始電圧が高く、ガス流量や電圧を上げてプラズマを発
生するようにしていたが、放電が起り難く、安定した条
件になるまでに時間がかかるという問題があった。また
チャンバの壁のコンタミネーションの影響によって安定
した膜質を再現することが難しいという欠点があった。
また平行板型スパッタ装置においては、プラズマ制御が
難しかった。センシング方法も複数の各波長を同時に、
しかも広範囲に見ることが難しいという問題があった。

【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、放電開始時における条件の設定までの
時間を短縮することが可能で、安定した膜質を再現で
き、またプラズマの制御が容易に行なわれ、センシング
方法も複数の各波長を同時にかつ広範囲に検出すること
が可能な薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、２種類以上の
不活性ガスと磁界とによってプラズマを制御しながら基
板上に薄膜を形成するようにした薄膜形成装置におい
て、ターゲットの中心と電極の中心とを結ぶ軸線と直交
する平面と交差するように配され、かつ前記軸線と直交
する磁界を形成する３本以上のコイルと、前記コイルが
微分回路の一部を構成するように前記コイルにパルス電
圧を加える電源回路と、を具備することを特徴とする薄
膜形成装置に関するものである。

【０００７】ターゲットと電極と３つ以上のコイルとが
チャンバ内に収納されるとともに、前記チャンバ内に供
給される２種類以上の不活性ガスの混合割合を変更する
手段を有するものであってよい。さらに前記ターゲット
の外周側に磁性材料から成るバッキングプレートが配さ
れるとともに、該バッキングプレートに電力が供給され
るようにしてよい。

【０００８】また発生したプラズマをモニタするＣＣＤ
カメラを具備し、該ＣＣＤカメラによる検出に連動して
ターゲットに印加される電圧および不活性ガスの混合割
合を変更するようにしてよい。前記ＣＣＤカメラは画素
を最小単位とする複数の波長選択透過フィルタを有する
ものであってよい。

【０００９】前記３つ以上のコイルは中空管から構成さ
れ、その中を冷却水が循環するようにしてよい。

【００１０】薄膜形成方法に関する発明は、２種類以上
の不活性ガスと磁界とによってプラズマを制御して薄膜
を形成する薄膜形成方法において、不活性ガスの混合割
合を変えてペニング電離による低電圧駆動とポンピング
作用とを利用して電離電流の制御を行なうとともに、電
極の中心とターゲットの中心とを結ぶ軸線と直交する平
面と交差するように３本以上のコイル導線を配し、該コ
イル導線にパルス電圧を加え、前記コイルが微分回路を
構成するようになし、前記コイルによって前記軸線と直
交する急峻なパルス磁界を発生させるようにしたことを
特徴とする薄膜形成方法に関するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態に係
る薄膜形成装置のほぼ全体の構成を示している。この装
置は立方体状をなすチャンバ１０を備え、その前面側が
開口１１になっている。そして開口１１の一側端にはヒ
ンジ１２を介して蓋板１３が開閉自在に取付けられるよ
うになっている。

【００１２】チャンバ１１内を真空にするために排気管
１５がその上部に接続されている。排気管１５にはター
ボ分子ポンプ１６と、スロットルバルブ１７と、メカニ
カルポンプ１８とがそれぞれ接続されるようになってい
る。

【００１３】チャンバ１０の内部であってその底部側に
はリング状のガスリング２０が配されている。ガスリン
グ２０には円周方向に沿って複数のガス噴射口２１が形
成され、このようなガス噴射口２１からチャンバ１０内
にガスが噴射されるようになっている。

【００１４】ガスリング２０はチャンバ１０の底板を貫
通する混合ガス配管２２と接続されている。この混合ガ
ス配管２２の先端部は混合槽２３に接続されている。そ
して混合槽２３には不活性ガス配管２４と活性ガス配管
２８とがそれぞれ接続されるようになっている。

【００１５】不活性ガス配管２４はネオンガス、ヘリウ
ムガス、アルゴンガス等のガスをそれぞれ供給するもの
である。これに対して活性ガス配管２８は窒素ガスや酸
素ガスを供給する配管である。そしてこれらの配管２
４、２８にはそれぞれ制御ガスバルブ２５が接続されて
いる。これらの制御ガスバルブ２５はコンピュータ２６
によってその開閉が制御されるようになっている。

【００１６】上記ガスリング２０のほぼ中央部と対応す
る軸線を有する貫通穴がチャンバ１０の底板部に形成さ
れ、このような底板部の開口に絶縁リング３７が取付け
られている。そしてこのような絶縁リング３７によって
チャンバ１０と絶縁された状態でカソード３８が取付け
られている。カソード３８にはバッキングプレート３９
が取付けられており、しかもこのバッキングプレート３
９の上面にターゲット４０が取付けられるようになって
いる。

【００１７】上記カソード３８には負電圧が印加される
とともに、その電圧が可変可能であって、パルス電圧あ
るいは交流電圧が加えられるようになっている。カソー
ド３８内には磁石４１がリング状に配置され、これによ
ってターゲット４０上に磁界を形成するようにしてい
る。

【００１８】次に電極間に設けられたコイルについて説
明する。チャンバ１０内にはコイル支持板４２が固着さ
れている。そしてコイル支持板４２には図２および図３
に示すように、Ａコイル４３、Ｂコイル４５、Ｃコイル
４６がそれぞれ取付けられている。とくにＡコイル４３
は絶縁板４４を介して取付けられている。

【００１９】Ａコイル４３は図３に示すようにターゲッ
ト４０の軸線と直交する平面と交差するように配されて
いる。Ｂコイル４５およびＣコイル４６も同様の構成に
なっている。なおこれらＡコイル４３、Ｂコイル４５、
およびＣコイル４６は互いにそれらの位相が６０°ずつ
ずれた状態で配置されている。

【００２０】このようなコイルの配置によると、磁力線
が交差する中心においては磁界が０になり、極小磁界に
なる。このような配置と、Ａコイル４３およびＤコイル
４８が作る磁界によって、軸線方向にも半径方向にも磁
界が強くなり、不安定性が解消される。またＢコイル４
５びＣコイル４６への通電を、スイッチングさせること
によってより周波数の高い磁界を形成することが可能に
なる。

【００２１】またＢコイル４５およびＣコイル４６は僅
かなギャップを介して絶縁板４４に固着されている。ま
たＢコイル４５およびＣコイル４６には絶縁板４７が固
着されており、Ｂコイル４５およびＣコイル４６は互い
に絶縁されている。絶縁板４７にはＡコイル４３と電気
的に接続されたＤコイル４８が固着されている。またコ
イル支持板４２には補助ターゲット４９とバッキングプ
レート５０とが固着されている。

【００２２】上記Ａコイル４３、Ｂコイル４５、Ｃコイ
ル４６、およびＤコイル４８は何れも中空円筒から構成
されており、その中を冷却水が循環されるようになって
いる。すなわちこれらのコイル４３、４５、４６、４８
の両端にはそれぞれ冷却水用配管５３が接続されるとと
もに、これらの配管５３がチャンバ１０の壁面を貫通
し、チャンバ１０外からの冷却水の循環を可能にしてい
る。またここではカソード３８とマグネットプレート５
１の間に水が流れ、カソード３８を冷却するようにして
いる。

【００２３】次にこれらのコイル４３、４５、４６、４
８、およびバッキングプレート３９、５０の駆動につい
て説明する。電源回路５５によってバッキングプレート
５０が駆動されるようになっている。また電源回路５６
によってＢコイル４５が駆動されるようになっている。
また電源回路５７によってＡコイル４３とＤコイル４８
とが駆動されるようになっている。また電源回路５８に
よってＣコイル４６が駆動されるようになっている。ま
た電源回路５９によってバッキングプレート３９が駆動
されるようになっている。

【００２４】またこれらの電源回路５５〜５９はコンピ
ュータ２６の指令によって直流印加電圧およびパルス、
あるいは交流電圧をそれぞれ互いに独立に接続されてい
る負荷に印加することが可能になっている。

【００２５】チャンバ１０内においてその上方にはヒン
ジ６２によって移動可能にサブセプタ６３が取付けられ
ている。サブセプタ６３の下面には基板押え６４が取付
けられており、このような基板押え６４によってガラス
基板６５が着脱可能に取付けられるようになっている。
ガラス基板６５の表面には、スパッタによって薄膜が形
成される。

【００２６】また上記ガスリング２０の外周側の位置に
はカメラ支持板６６が取付けられ、このカメラ支持板６
６上にＣＣＤカメラ６７が載置されている。ＣＣＤカメ
ラ６７はチャンバ１０の壁面を貫通するケーブル６８と
接続されている。そしてケーブル６８によってＣＣＤカ
メラ６７は信号増幅器６９に接続されている。信号増幅
器６９は画像スリーブ装置７０に接続されるとともに、
この画像スリーブ装置７０がコンピュータ２６に接続さ
れるようになっている。

【００２７】次に上記ＣＣＤカメラ６７の撮像素子の画
素部は図４に示すように構成されている。撮像素子の半
導体基板上にはＳｉＯ₂ の絶縁膜を介してポリシリコン
の電極やＡｌ電極を配した一般的な構造になっており、
Ａｌ電極上の保護膜７４を介して光透過膜７５、オンチ
ップレンズ７６を備えている。そしてオンチップレンズ
７６の表面には波長選択透過膜７７、７８が積層するよ
うに形成されており、これらの選択透過膜７７、７８を
介して透過されたプラズマの発光による光を半導体基板
上に形成された受光素子７９で受光するようにしてい
る。

【００２８】このような受光素子を備えるＣＣＤカメラ
６７によって得られたプラズマの発光強度から電子温度
を求め、制御機器へ信号を送るようにしている。さらに
コイル４３、４５、４６、４８、カソード３８から電圧
および電流情報を得て、コンピュータ２６に供給するよ
うにしている。

【００２９】次にこのような装置の動作を図５のフロー
チャートによって説明する。チャンバ１０内を排気管１
５を通して排気して高真空にするとともに、ガスリング
２０の噴射口２１を通してチャンバ１０内に不活性ガス
を供給する。そしてターゲット４０を陰極とし、サブセ
プタ６３を陽極としてターゲット４０とガラス基板６５
間に約１０００ｖ程度の電位差を与える。これによって
プラズマが発生され、真空チャンバ１０内においてイオ
ン化されたアルゴンガス等の不活性ガスがターゲット４
０に衝突し、このターゲット４０の表面からＳｉ原子を
飛出させる。その後に活性ガス配管２８、混合槽２３、
混合ガス配管２２、およびガスリング２０のガス噴射口
２１を通して反応性の活性ガスを供給することにより、
Ｓｉ原子を酸素と反応させて得られるＳｉＯ₂ の膜をガ
ラス基板６５に製膜するようにしている。

【００３０】すなわちまずステップ８１に示すように、
基板６５−ターゲット４０間にプラズマを発生させる。
そして基板６５およびターゲット４０間にステラレータ
磁界を発生させるようにコイル４３、４５、４６にそれ
ぞれ電流を流す（ステップ８２）。

【００３１】次いでプラズマ中に存在する原子の発光を
ＣＣＤカメラ６７によって画像として取込む（ステップ
８３）。そしてこのような画像からプラズマ中に存在す
るＳｉ原子の発光強度のピークの検出を行なう（ステッ
プ８４）。

【００３２】コンピュータ２６のメモリに予め記憶して
おいた発光強度のピークの基準値に近付けるように反応
ガスの供給量を調整する（ステップ８５）。この操作
は、コンピュータ２６によって活性ガス配管２８に接続
されている制御ガスバルブ２５の開閉の調整によって行
なう。

【００３３】この後にプラズマ中に存在するＳｉ原子の
２波長の発光の強度比率に基いて電子温度Ｔをコンピュ
ータ２６をで算出する（ステップ８６）。そしてこの後
に電子温度Ｔを基準電子温度Ｔ_s に近付けるようにター
ゲット４０に印加する電圧を調整する（ステップ８
７）。

【００３４】このように本実施の形態に係る薄膜形成装
置は、２種類以上の不活性ガスと磁界を変化させること
によって、チャンバ１０内のプラズマ状態を変化させ、
しかもその状態の変化と分布をＣＣＤカメラ６７によっ
て検出し、この検出に連動してガス圧やガスの流量、あ
るいは電力を変え、プラズマを安定に保つようにしてい
る。

【００３５】またペニング効果によって放電開始電圧を
下げ、さらに電極間に設けられたコイル４３、４５、４
６へパルス電圧をかけ、これらのコイル４３、４５、４
６が微分回路の一部とすることで、インパルスに近い電
流波形によってパルス磁界を発生させ、プラズマの高密
度化を達成するようにしている。

【００３６】またプラズマの発生および消滅を繰返し行
ない、荷電粒子の速度を変えるようにしている。また円
筒状の補助ターゲット４９がプラズマの外周に配置され
るようにすることで、不純物等を最小限に抑えることを
可能にしている。

【００３７】従ってこのような薄膜形成装置は、とくに
２種類以上の不活性ガスと磁界とによってプラズマを制
御する技術において、ターゲット４０−サブセプタ６３
の両者の中心を結ぶ軸線に垂直な平面内に３本以上のコ
イル４３、４５、４６を有し、反応ガス中および／また
は２種類以上の不活性ガスの混合割合を変え、ペニング
電離による低電圧駆動と全不活性ガス分圧一定条件下で
ポンピング作用を利用し、電離電流の制御を行なうよう
にしたものである。上記の軸線と直交する平面に２つ以
上のコイル導線、すなわちここではＡコイル４３、Ｂコ
イル４５、およびＣコイル４６が交差するように配置さ
れる。しかもこれら２つ以上のコイルにパルス電圧を加
え、上記のコイル４３、４５、４６が微分回路の一部と
なるようにすることによって、上記軸線と直交する急峻
なパルス磁界が発生される。

【００３８】サブセプタ６３と対向されるターゲット４
０とは別に設けられた円筒状の補助ターゲット４９には
一体型であってしかもけい素鋼板を用いたバッキングプ
レート５０がコイル４３、４５、４６、４８を挟んで固
着され、電力を補助ターゲット４９に供給するととも
に、補助ターゲット４９−サブセプタ６３間の電圧と電
流とを安定化させ、壁効果による影響を一定にしてい
る。

【００３９】一方ＣＣＤカメラ６７によってプラズマ状
態をモニタするようにしている。ＣＣＤカメラ６７には
画素を最小単位とする複数の波長選択透過フィルタ７
７、７８（図４参照）が設けられている。

【００４０】上記磁界発生コイル４３、４５、４６、４
８は何れも水による冷却を行なうことによって温度が変
えられるように、中空の円筒断面を有している。そして
このような中空断面のコイルが冷却水配管５７を介して
チャンバ１０の外部と接続されており、水の循環による
冷却を行なうようにしている。

【００４１】このような特徴を有する薄膜形成装置によ
れば、放電開始電圧を低減することが可能になり、この
ためにイオンの高速２次電子や輻射熱等によるガラス基
板６５に対するダメージを低減させることが可能にな
る。

【００４２】また繰返し同じ条件で安定した膜質の薄膜
をガラス基板６５に成膜することができるようになり、
再現性が改善できる。プラズマの密度を上げることによ
ってより高速の成膜が可能になる。なおプラズマの制御
はより多くのパラメータによって独立に行なうことが可
能になる。

【００４３】またこのような装置によれば、クロスコン
タミネーションの低減が可能になる。とくにチャンバ１
０の壁面からのクロスコンタミネーションを低減するこ
とが可能になる。またドーピング等の均一化が可能にな
る。また上述のようなチャンバ１０の壁面からのコンタ
ミネーションを低減することが可能になるために、装置
の小型化が可能になる。またチャンバ１０内において発
生するプラズマの誘電率を推定し、この値をモニタしな
がらフィードバック制御を行なうことが可能になる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明は、ターゲットの中
心と電極の中心とを結ぶ軸線と直交する平面と交差する
ように配され、かつ軸線と直交する磁界を形成する３本
以上のコイルと、コイルが微分回路の一部を構成するよ
うに上記コイルにパルス電圧を加える電源回路と、を具
備するようにしたものである。

【００４５】従ってこのような薄膜形成装置によれば、
ペニング電離による低電圧駆動が可能になり、放電開始
電圧を低減させるとともに、薄膜の安定な制御が可能に
なる。

【００４６】ターゲットと電極と３つ以上のコイルとが
チャンバ内に収納されるとともに、チャンバ内に供給さ
れる２種類以上の不活性ガスの混合割合を変更する手段
を有するようにした構成によれば、ペニング電離による
低電圧駆動と全不活性ガス分圧一定条件下でのポンピン
グ作用を利用して電離電流の制御を行なうことが可能に
なる。

【００４７】ターゲットの外周側に磁性材料から成るバ
ッキングプレートが配されるとともに、該バッキングプ
レートに電力が供給されるようにした構成によれば、タ
ーゲットと電極との間の電圧および電圧を安定化させ、
壁効果による影響を一定にすることが可能になる。

【００４８】発生したプラズマをモニタするＣＣＤカメ
ラを具備し、該ＣＣＤカメラによる検出に連動してター
ゲットに印加される電圧および不活性ガスの混合割合を
変更するようにした構成によれば、ＣＣＤカメラを通し
て発生するプラズマをフィードバック制御することが可
能になる。

【００４９】ＣＣＤカメラは画素を最小単位とする複数
の波長選択透過フィルタを有するようにした構成によれ
ば、プラズマ状態をより正確にモニタすることが可能に
なる。

【００５０】３つ以上のコイルは中空管から構成され、
その中を冷却水が循環するようにした構成によれば、コ
イルの温度を制御するとともに、コイルの温度が上昇す
るのを回避することが可能になる。

【００５１】不活性ガスの混合割合を変えてペニング電
離による低電圧駆動とポンピング作用とを利用して電離
電流の制御を行なうとともに、電極の中心とターゲット
の中心とを結ぶ軸線と直交する平面と交差するように３
本以上のコイル導線を配し、該コイル導線にパルス電圧
を加え、コイルが微分回路を構成するようになし、コイ
ルによって軸線と直交する急峻なパルス磁界を発生させ
るようにした方法によれば、コイルによって微分回路を
形成するとともに、より急峻なパルス状の磁界を作り、
パルスプラズマを発生させるとともに、微小磁界により
プラズマを安定化させて成膜を行なうことが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜形成装置の全体の構成を示す斜視図であ
る。

【図２】コイルの構成を示す一部を破断した斜視図であ
る。

【図３】コイルの配置を示す横断面図である。

【図４】ＣＣＤカメラの受光部の構造を示す拡大縦断面
図である。

【図５】薄膜形成の動作を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０‥‥チャンバ、１１‥‥開口、１２‥‥ヒンジ、１
３‥‥蓋板、１５‥‥排気管、１６‥‥ターボ分子ポン
プ、１７‥‥スロットルバルブ、１８‥‥メカニカルポ
ンプ、２０‥‥ガスリング、２１‥‥ガス噴射口、２２
‥‥混合ガス配管、２３‥‥混合槽、２４‥‥不活性ガ
ス配管、２５‥‥制御ガスバルブ、２６‥‥コンピュー
タ、２８‥‥活性ガス配管、３７‥‥絶縁リング、３８
‥‥カソード、３９‥‥バッキングプレート、４０‥‥
ターゲット、４１‥‥磁石、４２‥‥コイル支持板、４
３‥‥Ａコイル、４４‥‥絶縁板、４５‥‥Ｂコイル、
４６‥‥Ｃコイル、４７‥‥絶縁板、４８‥‥Ｄコイ
ル、４９‥‥補助ターゲット、５０‥‥バッキングプレ
ート、５１‥‥マグネットプレート、５３‥‥冷却水用
配管、５５‥‥電源回路（バッキングプレート駆動）、
５６‥‥電源回路（Ｂコイル駆動）、５７‥‥電源回路
（Ａコイル駆動）、５８‥‥電源回路（Ｃコイル駆
動）、５９‥‥電源回路（バッキングプレート駆動）、
６２‥‥ヒンジ、６３‥‥サブセプタ、６４‥‥基板押
え、６５‥‥ガラス基板、６６‥‥カメラ支持板、６７
‥‥ＣＣＤカメラ、６８‥‥ケーブル、６９‥‥信号増
幅器、７０‥‥画像スクリーブ装置、７４‥‥保護膜、
７５‥‥光透過膜、７６‥‥オンチップレンズ、７７、
７８‥‥波長選択透過膜、７９‥‥受光素子、８０〜８
７‥‥ステップ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】２種類以上の不活性ガスと磁界とによって
   プラズマを制御しながら基板上に薄膜を形成するように
   した薄膜形成装置において、 ターゲットの中心と電極の中心とを結ぶ軸線と直交する
   平面と交差するように配され、かつ前記軸線と直交する
   磁界を形成する３本以上のコイルと、 前記コイルが微分回路の一部を構成するように前記コイ
   ルにパルス電圧を加える電源回路と、 を具備することを特徴とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】ターゲットと電極と３つ以上のコイルとが
   チャンバ内に収納されるとともに、前記チャンバ内に供
   給される２種類以上の不活性ガスの混合割合を変更する
   手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形
   成装置。
3. 【請求項３】前記ターゲットの外周側に磁性材料から成
   るバッキングプレートが配されるとともに、該バッキン
   グプレートに電力が供給されることを特徴とする請求項
   １に記載の薄膜形成装置。
4. 【請求項４】発生したプラズマをモニタするＣＣＤカメ
   ラを具備し、該ＣＣＤカメラによる検出に連動してター
   ゲットに印加される電圧および不活性ガスの混合割合を
   変更することを特徴とする請求項２に記載の薄膜形成装
   置。
5. 【請求項５】前記ＣＣＤカメラは画素を最小単位とする
   複数の波長選択透過フィルタを有することを特徴とする
   請求項４に記載の薄膜形成装置。
6. 【請求項６】前記３つ以上のコイルは中空管から構成さ
   れ、その中を冷却水が循環することを特徴とする請求項
   １に記載の薄膜形成装置。
7. 【請求項７】２種類以上の不活性ガスと磁界とによって
   プラズマを制御して薄膜を形成する薄膜形成方法におい
   て、 不活性ガスの混合割合を変えてペニング電離による低電
   圧駆動とポンピング作用とを利用して電離電流の制御を
   行なうとともに、 電極の中心とターゲットの中心とを結ぶ軸線と直交する
   平面と交差するように３本以上のコイル導線を配し、該
   コイル導線にパルス電圧を加え、前記コイルが微分回路
   を構成するようになし、前記コイルによって前記軸線と
   直交する急峻なパルス磁界を発生させるようにしたこと
   を特徴とする薄膜形成方法。