JPH10277483A - ボルト締めランジュバン型振動子 - Google Patents
ボルト締めランジュバン型振動子Info
- Publication number
- JPH10277483A JPH10277483A JP10280897A JP10280897A JPH10277483A JP H10277483 A JPH10277483 A JP H10277483A JP 10280897 A JP10280897 A JP 10280897A JP 10280897 A JP10280897 A JP 10280897A JP H10277483 A JPH10277483 A JP H10277483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive
- blt
- resin
- mass
- negative electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高抵抗を後付けすることなく、温度差による
電荷の発生を防止し、かつ、電歪要素の保護、防水が行
える製造性と信頼性の優れたＢＬＴを提供する。 【解決手段】 本発明のＢＬＴは、リアマス１、正負の
電極板（３ａ，３ｂ）、圧電セラミックス（４ａ，４
ｂ）およびフロントマス２が一体化されたボルト締めラ
ンジュバン型振動子において、前記リアマス、前記フロ
ントマス間に挟持された少なくとも正負の電極板、圧電
セラミックを高抵抗の樹脂Ｋにて被覆した。
電荷の発生を防止し、かつ、電歪要素の保護、防水が行
える製造性と信頼性の優れたＢＬＴを提供する。 【解決手段】 本発明のＢＬＴは、リアマス１、正負の
電極板（３ａ，３ｂ）、圧電セラミックス（４ａ，４
ｂ）およびフロントマス２が一体化されたボルト締めラ
ンジュバン型振動子において、前記リアマス、前記フロ
ントマス間に挟持された少なくとも正負の電極板、圧電
セラミックを高抵抗の樹脂Ｋにて被覆した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超音波洗浄装置に
用いられるボルト締めランジュバン型振動子（以下、Ｂ
ＬＴと称する）に関し、特に、電歪要素としての正負の
電極板、圧電セラミックの被覆構造に関するものであ
る。
用いられるボルト締めランジュバン型振動子（以下、Ｂ
ＬＴと称する）に関し、特に、電歪要素としての正負の
電極板、圧電セラミックの被覆構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の実施例を図面を参照にして説明す
る。図３は従来の実施例を示す斜視図である。
る。図３は従来の実施例を示す斜視図である。
【０００３】ＢＬＴは、円環状のリアマス１と、その中
央部にめねじ部２ａを有するフロントマス２との間に、
負の電極板３ａ，円環状の圧電セラミック４ｂ，正の電
極板３ｂ，そして円環状の圧電セラミック４ａが順に重
ね合わされた構成となっている。さらに、両端に有効ね
じ部を有するスタッドボルト５が、六角ナット６，リア
マス１，圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電極板３ａ，
３ｂを貫通し、さらにフロントマス２のめねじ部２ａに
ねじ込まれた構造となっている。そして、この状態でさ
らにそのスタッドボルト５を介して六角ナット６の締め
付けにより、リアマス１、電極板３ａ，３ｂ、圧電セラ
ミック４ａ，４ｂおよびフロントマス２が一体化されて
いる。そして、電歪要素としての負の電極板３ａ，圧電
セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミック４ａ
を含み、リアマス、フロントマスの一部分にかけて、シ
リコン樹脂などの絶縁保護膜Ｓを形成していた。この絶
縁保護膜Ｓにより、正負の電極板の間で、あるいはフロ
ントマス、リアマスとの間で絶縁、防水する事ができ
る。尚、前記絶縁保護膜によって被覆された正負の電極
板間（３ａ，３ｂ）の抵抗値は、一般的に１ＧΩ以上で
構成されていた。
央部にめねじ部２ａを有するフロントマス２との間に、
負の電極板３ａ，円環状の圧電セラミック４ｂ，正の電
極板３ｂ，そして円環状の圧電セラミック４ａが順に重
ね合わされた構成となっている。さらに、両端に有効ね
じ部を有するスタッドボルト５が、六角ナット６，リア
マス１，圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電極板３ａ，
３ｂを貫通し、さらにフロントマス２のめねじ部２ａに
ねじ込まれた構造となっている。そして、この状態でさ
らにそのスタッドボルト５を介して六角ナット６の締め
付けにより、リアマス１、電極板３ａ，３ｂ、圧電セラ
ミック４ａ，４ｂおよびフロントマス２が一体化されて
いる。そして、電歪要素としての負の電極板３ａ，圧電
セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミック４ａ
を含み、リアマス、フロントマスの一部分にかけて、シ
リコン樹脂などの絶縁保護膜Ｓを形成していた。この絶
縁保護膜Ｓにより、正負の電極板の間で、あるいはフロ
ントマス、リアマスとの間で絶縁、防水する事ができ
る。尚、前記絶縁保護膜によって被覆された正負の電極
板間（３ａ，３ｂ）の抵抗値は、一般的に１ＧΩ以上で
構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＢＬＴは圧電
セラミックを金属ブロックで挟み込んだ構造であり、温
度差により圧電セラミックは電荷が発生するため、使用
の際の温度変化で高圧が発生し、周辺回路に放電して破
壊したり、作業者が感電したりするなどの問題点があっ
た。
セラミックを金属ブロックで挟み込んだ構造であり、温
度差により圧電セラミックは電荷が発生するため、使用
の際の温度変化で高圧が発生し、周辺回路に放電して破
壊したり、作業者が感電したりするなどの問題点があっ
た。
【０００５】また、従来では、ＢＬＴの温度差により発
生する電荷を防ぐために、完成されたＢＬＴに高抵抗電
子部品（例えば、１ＭΩ）を取り付け端子間を接続した
り、組み込まれる回路の前記ＢＬＴの端子間に高抵抗電
子部品（例えば、１ＭΩ）を接続していた（図５参
照）。しかし、高抵抗電子部品を後付けすると、工程も
増えて製造効率のよいものではなかった。
生する電荷を防ぐために、完成されたＢＬＴに高抵抗電
子部品（例えば、１ＭΩ）を取り付け端子間を接続した
り、組み込まれる回路の前記ＢＬＴの端子間に高抵抗電
子部品（例えば、１ＭΩ）を接続していた（図５参
照）。しかし、高抵抗電子部品を後付けすると、工程も
増えて製造効率のよいものではなかった。
【０００６】そこで本発明は、高抵抗を後付けすること
なく、温度差による電荷の発生を防止し、かつ、電歪要
素の保護、防水が行える製造性と信頼性の優れたＢＬＴ
を提供することを目的とするものである。
なく、温度差による電荷の発生を防止し、かつ、電歪要
素の保護、防水が行える製造性と信頼性の優れたＢＬＴ
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のＢＬＴ
は、リアマス、正負の電極板、圧電セラミックおよびフ
ロントマスが一体化されたボルト締めランジュバン型振
動子において、前記リアマス、前記フロントマス間に挟
持された少なくとも正負の電極板、圧電セラミックを高
抵抗の樹脂にて被覆した。
は、リアマス、正負の電極板、圧電セラミックおよびフ
ロントマスが一体化されたボルト締めランジュバン型振
動子において、前記リアマス、前記フロントマス間に挟
持された少なくとも正負の電極板、圧電セラミックを高
抵抗の樹脂にて被覆した。
【０００８】この構成により、被覆された高抵抗の樹脂
が、温度差により圧電セラミックから発生した一方の端
子の電荷を少しずつ他の端子に逃がし（リークさせ）、
電荷を溜めることがない。そして、このＢＬＴを駆動さ
せても、高抵抗の樹脂であるたショート状態にならな
い。しかも、高抵抗の樹脂が電歪要素の保護、防水を行
うことができる。
が、温度差により圧電セラミックから発生した一方の端
子の電荷を少しずつ他の端子に逃がし（リークさせ）、
電荷を溜めることがない。そして、このＢＬＴを駆動さ
せても、高抵抗の樹脂であるたショート状態にならな
い。しかも、高抵抗の樹脂が電歪要素の保護、防水を行
うことができる。
【０００９】また、前記高抵抗の樹脂によって被覆され
た正負の電極板間の抵抗値の範囲は、好ましくは、１０
０ＫΩ〜１００ＭΩとなるように設定されてなる事を特
徴とする。
た正負の電極板間の抵抗値の範囲は、好ましくは、１０
０ＫΩ〜１００ＭΩとなるように設定されてなる事を特
徴とする。
【００１０】この構成により、電荷を少しずつ逃がすこ
とができ、しかもショート状態にならない。
とができ、しかもショート状態にならない。
【００１１】図６は、正負の電極間抵抗値の異なるＢＬ
Ｔを用い、ＢＬＴの使用温度を２５℃（室温）から８０
℃（槽）に変化させ、１分間放置後の発生電荷率を示し
たグラフである。図７は、正負の電極間抵抗値の異なる
ＢＬＴを用いて発振回路に組み込み駆動させた場合の１
０回中の不発振回数を示したグラフである。図６が示す
ように、正負の電極板間の抵抗値が１００ＭΩ以上であ
れば、発生電荷率が高くなりリークさせる効果が低くな
っているのがわかる。図７が示すように、正負の電極板
間の抵抗値が１００ＫΩ以下であれば、不発振を招きや
すく使用に適していないことがわかる。
Ｔを用い、ＢＬＴの使用温度を２５℃（室温）から８０
℃（槽）に変化させ、１分間放置後の発生電荷率を示し
たグラフである。図７は、正負の電極間抵抗値の異なる
ＢＬＴを用いて発振回路に組み込み駆動させた場合の１
０回中の不発振回数を示したグラフである。図６が示す
ように、正負の電極板間の抵抗値が１００ＭΩ以上であ
れば、発生電荷率が高くなりリークさせる効果が低くな
っているのがわかる。図７が示すように、正負の電極板
間の抵抗値が１００ＫΩ以下であれば、不発振を招きや
すく使用に適していないことがわかる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について図面
を参照しながら詳述する。図１は本発明の第１の実施例
を示すＢＬＴの斜視図である。尚、従来と同様の部分に
ついては同番号を付した。
を参照しながら詳述する。図１は本発明の第１の実施例
を示すＢＬＴの斜視図である。尚、従来と同様の部分に
ついては同番号を付した。
【００１３】ＢＬＴは、円環状のリアマス１と、その中
央部にめねじ部２ａを有するフロントマス２との間に、
負の電極板３ａ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ、ＳＵ
Ｓ、洋白等の薄板状の金属片からなる），円環状の圧電
セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎ
ｉ−Ｚｎ、ＳＵＳ、洋白等の薄板状の金属片からな
る），そして円環状の圧電セラミック４ａが順に重ね合
わされた構成となっている。そして、両端に有効ねじ部
を有するスタッドボルト５が、六角ナット６，リアマス
１，圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電極板３ａ，３ｂ
を貫通し、さらにフロントマス２のめねじ部２ａにねじ
込まれた構造となっている。そして、この状態でさらに
そのスタッドボルト５を介して六角ナット６の締め付け
により、リアマス１、電極板３ａ，３ｂ、圧電セラミッ
ク４ａ，４ｂおよびフロントマス２が一体化されてい
る。
央部にめねじ部２ａを有するフロントマス２との間に、
負の電極板３ａ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ、ＳＵ
Ｓ、洋白等の薄板状の金属片からなる），円環状の圧電
セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎ
ｉ−Ｚｎ、ＳＵＳ、洋白等の薄板状の金属片からな
る），そして円環状の圧電セラミック４ａが順に重ね合
わされた構成となっている。そして、両端に有効ねじ部
を有するスタッドボルト５が、六角ナット６，リアマス
１，圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電極板３ａ，３ｂ
を貫通し、さらにフロントマス２のめねじ部２ａにねじ
込まれた構造となっている。そして、この状態でさらに
そのスタッドボルト５を介して六角ナット６の締め付け
により、リアマス１、電極板３ａ，３ｂ、圧電セラミッ
ク４ａ，４ｂおよびフロントマス２が一体化されてい
る。
【００１４】そして、電歪要素としての負の電極板３
ａ，圧電セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミ
ック４ａを含み、リアマス、フロントマスの一部分にか
けて、ＳｉＣやＢａＴｉＯ3等の高抵抗セラミック材、
カーボン等の部材をシリコン系樹脂やエポキシ系樹脂に
分散させた複合樹脂である高抵抗樹脂膜Ｋを被覆させ
て、ＢＬＴの完成となる。尚、本発明の第１の実施例を
回路図で表すと、図４に示すようになる。本発明では、
前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正負の電極板間の
抵抗値が１ＭΩとなるように設定した。
ａ，圧電セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミ
ック４ａを含み、リアマス、フロントマスの一部分にか
けて、ＳｉＣやＢａＴｉＯ3等の高抵抗セラミック材、
カーボン等の部材をシリコン系樹脂やエポキシ系樹脂に
分散させた複合樹脂である高抵抗樹脂膜Ｋを被覆させ
て、ＢＬＴの完成となる。尚、本発明の第１の実施例を
回路図で表すと、図４に示すようになる。本発明では、
前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正負の電極板間の
抵抗値が１ＭΩとなるように設定した。
【００１５】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照にしながら詳述する。図２は本発明の第２の実施
例を示すボルト締めランジュバン型振動子の斜視図であ
る。尚、従来、第１の実施例と同様の部分については同
番号を付した。
を参照にしながら詳述する。図２は本発明の第２の実施
例を示すボルト締めランジュバン型振動子の斜視図であ
る。尚、従来、第１の実施例と同様の部分については同
番号を付した。
【００１６】ＢＬＴは、その中央部にめねじ部（図示せ
ず）を有する円環状のリアマス１１と、その中央部にめ
ねじ部２１ａを有するフロントマス２１との間に、負の
電極板３ａ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ、ＳＵＳ、洋
白等の薄板状の金属片からなる），円環状の圧電セラミ
ック４ｂ，正の電極板３ｂ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚ
ｎ、ＳＵＳ、洋白等の薄板状の金属片からなる），そし
て円環状の圧電セラミック４ａが順に重ね合わされた構
成となっている。さらに、両端に有効ねじ部を有するス
タッドボルト５が、圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電
極板３ａ，３ｂを貫通し、さらにフロントマス２１のめ
ねじ部２１ａにねじ込まれた構造となっている。そし
て、この状態でさらにそのスタッドボルト５を介してリ
アマス１１の締め付けにより、リアマス１１、電極板３
ａ，３ｂ、圧電セラミック４ａ，４ｂおよびフロントマ
ス２１が一体化されている。尚、前記リアマス１１とフ
ロントマス２１には締め付けに必要な平面部１１１，２
１１が形成されている。
ず）を有する円環状のリアマス１１と、その中央部にめ
ねじ部２１ａを有するフロントマス２１との間に、負の
電極板３ａ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ、ＳＵＳ、洋
白等の薄板状の金属片からなる），円環状の圧電セラミ
ック４ｂ，正の電極板３ｂ（ニッケル、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚ
ｎ、ＳＵＳ、洋白等の薄板状の金属片からなる），そし
て円環状の圧電セラミック４ａが順に重ね合わされた構
成となっている。さらに、両端に有効ねじ部を有するス
タッドボルト５が、圧電セラミック４ａ，４ｂおよび電
極板３ａ，３ｂを貫通し、さらにフロントマス２１のめ
ねじ部２１ａにねじ込まれた構造となっている。そし
て、この状態でさらにそのスタッドボルト５を介してリ
アマス１１の締め付けにより、リアマス１１、電極板３
ａ，３ｂ、圧電セラミック４ａ，４ｂおよびフロントマ
ス２１が一体化されている。尚、前記リアマス１１とフ
ロントマス２１には締め付けに必要な平面部１１１，２
１１が形成されている。
【００１７】そして、電歪要素としての負の電極板３
ａ，圧電セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミ
ック４ａを含み、リアマス、フロントマスの側面部分
（超音波放射面は除く）全体にかけて、ＳｉＣやＢａＴ
ｉＯ3等の高抵抗セラミック材をシリコン系樹脂やエポ
キシ系樹脂に分散させた複合樹脂である高抵抗樹脂膜Ｋ
を被覆させて、ＢＬＴの完成となる。尚、本発明の第２
の実施例を回路図で表すと、図４に示すようになる。本
発明では、前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正負の
電極板間の抵抗値が１ＭΩとなるように設定した。
ａ，圧電セラミック４ｂ，正の電極板３ｂ，圧電セラミ
ック４ａを含み、リアマス、フロントマスの側面部分
（超音波放射面は除く）全体にかけて、ＳｉＣやＢａＴ
ｉＯ3等の高抵抗セラミック材をシリコン系樹脂やエポ
キシ系樹脂に分散させた複合樹脂である高抵抗樹脂膜Ｋ
を被覆させて、ＢＬＴの完成となる。尚、本発明の第２
の実施例を回路図で表すと、図４に示すようになる。本
発明では、前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正負の
電極板間の抵抗値が１ＭΩとなるように設定した。
【００１８】尚、高抵抗樹脂膜Ｋは、電歪要素のみなら
ず、リアマス、フロントマスの一部分を含めて被覆させ
るのが実施するうえで好ましいが、ＢＬＴの超音波放射
面を除く全ての部分、あるいは電歪要素にのみ形成して
もよい。また、前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正
負の電極板間の抵抗値として、本発明では、１ＭΩにな
るように設定したが、１００ＫΩ〜１００ＭΩの範囲に
て設定してもよい。そして、前記正負の電極板間の抵抗
値範囲を得るには、例えば、高抵抗膜の厚さが０．１ｍ
ｍの場合は、体積抵抗値（比抵抗値）が４．４×１０4
Ω・ｃｍ〜４．４×１０7Ω・ｃｍの樹脂を用い、高抵
抗膜の厚さが１ｍｍの場合は、体積抵抗値（比抵抗値）
が４．４×１０5Ω・ｃｍ〜４．４×１０8Ω・ｃｍの樹
脂を用い、高抵抗膜の厚さが５ｍｍの場合は、体積抵抗
値（比抵抗値）が２．２×１０6Ω・ｃｍ〜２．２×１
０9Ω・ｃｍの樹脂を用いればよい。但し、ＢＬＴの出
力、用途（洗浄装置用、加工装置用等）、使用環境等を
考慮して抵抗値を設定する必要がある。
ず、リアマス、フロントマスの一部分を含めて被覆させ
るのが実施するうえで好ましいが、ＢＬＴの超音波放射
面を除く全ての部分、あるいは電歪要素にのみ形成して
もよい。また、前記高抵抗樹脂膜を用いて被覆された正
負の電極板間の抵抗値として、本発明では、１ＭΩにな
るように設定したが、１００ＫΩ〜１００ＭΩの範囲に
て設定してもよい。そして、前記正負の電極板間の抵抗
値範囲を得るには、例えば、高抵抗膜の厚さが０．１ｍ
ｍの場合は、体積抵抗値（比抵抗値）が４．４×１０4
Ω・ｃｍ〜４．４×１０7Ω・ｃｍの樹脂を用い、高抵
抗膜の厚さが１ｍｍの場合は、体積抵抗値（比抵抗値）
が４．４×１０5Ω・ｃｍ〜４．４×１０8Ω・ｃｍの樹
脂を用い、高抵抗膜の厚さが５ｍｍの場合は、体積抵抗
値（比抵抗値）が２．２×１０6Ω・ｃｍ〜２．２×１
０9Ω・ｃｍの樹脂を用いればよい。但し、ＢＬＴの出
力、用途（洗浄装置用、加工装置用等）、使用環境等を
考慮して抵抗値を設定する必要がある。
【００１９】
【発明の効果】特許請求項１により、被覆された高抵抗
の樹脂が、温度差により圧電セラミックから発生した一
方の端子の電荷を少しずつ他の端子に逃がし（リークさ
せ）、電荷を溜めない。そして、このＢＬＴを駆動させ
ても、高抵抗の樹脂であるためショート状態にならな
い。しかも、高抵抗の樹脂が電歪要素の保護、防水を行
うことができるため、高抵抗を後付けすることなく、温
度差による電荷の発生を防止し、かつ、電歪要素の保
護、防水が行える製造性と信頼性の優れたＢＬＴを提供
することができる。また、従来から圧電セラミック素子
に施される保護膜を高抵抗樹脂膜とすることにより従来
の工法や装置が使用でき、高抵抗電子部品を後付けする
等の製造工程を短縮できるため、極めて製造性の高いＢ
ＬＴを提供することができる。
の樹脂が、温度差により圧電セラミックから発生した一
方の端子の電荷を少しずつ他の端子に逃がし（リークさ
せ）、電荷を溜めない。そして、このＢＬＴを駆動させ
ても、高抵抗の樹脂であるためショート状態にならな
い。しかも、高抵抗の樹脂が電歪要素の保護、防水を行
うことができるため、高抵抗を後付けすることなく、温
度差による電荷の発生を防止し、かつ、電歪要素の保
護、防水が行える製造性と信頼性の優れたＢＬＴを提供
することができる。また、従来から圧電セラミック素子
に施される保護膜を高抵抗樹脂膜とすることにより従来
の工法や装置が使用でき、高抵抗電子部品を後付けする
等の製造工程を短縮できるため、極めて製造性の高いＢ
ＬＴを提供することができる。
【００２０】特許請求項２により、電荷を少しずつ逃が
すことができ、しかもショート状態にならない抵抗値が
得られた。従って、温度差による電荷の発生を防止し、
かつ、電歪要素の保護、防水が行える高抵抗樹脂が形成
され、製品信頼性の優れたＢＬＴを提供することができ
る。
すことができ、しかもショート状態にならない抵抗値が
得られた。従って、温度差による電荷の発生を防止し、
かつ、電歪要素の保護、防水が行える高抵抗樹脂が形成
され、製品信頼性の優れたＢＬＴを提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す斜視図である。
【図３】従来の実施例を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例を示す回路図である。
【図５】従来の実施例を示す回路図である。
【図６】発生電荷率を示したグラフである。
【図７】不発振回数を示したグラフである。
１，１１・・・リアマス ２，２１・・・フロントマス ３ａ，３ｂ・・・電極板 ４ａ，４ｂ・・・圧電セラミック ５・・・スタットボルト ６・・・六角ナット
Claims (2)
- 【請求項１】 リアマス、正負の電極板、圧電セラミッ
クおよびフロントマスが一体化されたボルト締めランジ
ュバン型振動子において、前記リアマス、前記フロント
マス間に挟持された少なくとも正負の電極板、前記正負
の電極板間に挟持された圧電セラミックを高抵抗の樹脂
にて被覆した事を特徴とするボルト締めランジュバン型
振動子。 - 【請求項２】 前記高抵抗の樹脂によって被覆された正
負の電極板間の抵抗値が１００ＫΩ〜１００ＭΩとなる
ように設定されてなる事を特徴とする特許請求項１記載
のボルト締めランジュバン型振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280897A JPH10277483A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | ボルト締めランジュバン型振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280897A JPH10277483A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | ボルト締めランジュバン型振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10277483A true JPH10277483A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=14337359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10280897A Pending JPH10277483A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | ボルト締めランジュバン型振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10277483A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004000116A1 (en) | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Ultrashape Inc. | Devices and methodologies useful in body aesthetics |
| JP2008259998A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Shinka Jitsugyo Kk | 超音波洗浄装置及び方法 |
| US8454540B2 (en) | 2001-10-29 | 2013-06-04 | Yoram Eshel | Non-invasive ultrasonic body contouring |
| JP2022122898A (ja) * | 2018-09-28 | 2022-08-23 | 佛山市▲順▼▲徳▼区美的▲電▼▲熱▼▲電▼器制造有限公司 | 電源カプラー、超音波振動装置、超音波振動子、装着アセンブリ、カバーアセンブリ、調理器具及び加熱機器 |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP10280897A patent/JPH10277483A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8454540B2 (en) | 2001-10-29 | 2013-06-04 | Yoram Eshel | Non-invasive ultrasonic body contouring |
| WO2004000116A1 (en) | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Ultrashape Inc. | Devices and methodologies useful in body aesthetics |
| JP2008259998A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Shinka Jitsugyo Kk | 超音波洗浄装置及び方法 |
| JP2022122898A (ja) * | 2018-09-28 | 2022-08-23 | 佛山市▲順▼▲徳▼区美的▲電▼▲熱▼▲電▼器制造有限公司 | 電源カプラー、超音波振動装置、超音波振動子、装着アセンブリ、カバーアセンブリ、調理器具及び加熱機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3116171A (en) | Satellite solar cell assembly | |
| JP3257521B2 (ja) | Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板 | |
| Kulkarni et al. | A shear-mode energy harvesting device based on torsional stresses | |
| JPH1055792A (ja) | 薄形電池 | |
| GB2060994A (en) | Piezoelectric/pyroelectric elements | |
| JPH10277483A (ja) | ボルト締めランジュバン型振動子 | |
| JP2896497B2 (ja) | フレキシブル熱電素子モジュール | |
| JPH07109813B2 (ja) | 分極可能な薄板を分極する方法 | |
| US3909641A (en) | Holder device for a vibrator | |
| JPS6358384B2 (ja) | ||
| KR20170000596A (ko) | 압전 소자 및 그를 구비하는 압전 스피커 | |
| JPH04188568A (ja) | 薄形鉛蓄電池およびその製造方法 | |
| JPS56160198A (en) | Electroacoustic transducer | |
| US20020190605A1 (en) | Component with drain for pyroelectrical voltages and a method for production thereof | |
| TW201637249A (zh) | 熱電產生器 | |
| JPS56144624A (en) | Mechanical resonator device using piezoelectric transducer | |
| RU155924U1 (ru) | Устройство для преобразования акустических волн в электроэнергию | |
| JPS63260087A (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
| JPH0435312A (ja) | 表面波装置 | |
| JPH01119077A (ja) | 圧電素子 | |
| JP2940159B2 (ja) | 封止型圧電部品の製造方法 | |
| JPS6228095Y2 (ja) | ||
| JP3825499B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPH03208301A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH0453006Y2 (ja) |