JPH10274729A - ハイブリッド光デバイスの組み立て方法 - Google Patents
ハイブリッド光デバイスの組み立て方法Info
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- JPH10274729A JPH10274729A JP10042362A JP4236298A JPH10274729A JP H10274729 A JPH10274729 A JP H10274729A JP 10042362 A JP10042362 A JP 10042362A JP 4236298 A JP4236298 A JP 4236298A JP H10274729 A JPH10274729 A JP H10274729A
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- Japan
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- intermediate element
- component
- cavity
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
Abstract
(57)【要約】
【課題】 能動部品が放出する熱を散逸させ、能動部品
の光軸を受動部品の光ガイドとアライメントすることが
できる、ハイブリッド光デバイスの組み立て方法を提供
する。 【解決手段】 本発明は、能動部品に光学的に結合され
シリカ基板上のシリカ層内に作製された受動部品を含
み、前記層および基板がこのようにしてシリカオンシリ
カ構造を形成するハイブリッド光デバイスの組み立て方
法に関する。この方法は、良好な熱伝導性および能動部
品の熱膨張率と類似の熱膨張率を有する中間エレメント
を作製すること、能動部品を中間エレメント上に固定す
ること、および能動部品が空洞の内部に存在し受動部品
に光学的に結合されるように、シリカオンシリカ構造内
に空洞を形成し、この構造上に中間エレメントを固定す
ることからなることを特徴とする。
の光軸を受動部品の光ガイドとアライメントすることが
できる、ハイブリッド光デバイスの組み立て方法を提供
する。 【解決手段】 本発明は、能動部品に光学的に結合され
シリカ基板上のシリカ層内に作製された受動部品を含
み、前記層および基板がこのようにしてシリカオンシリ
カ構造を形成するハイブリッド光デバイスの組み立て方
法に関する。この方法は、良好な熱伝導性および能動部
品の熱膨張率と類似の熱膨張率を有する中間エレメント
を作製すること、能動部品を中間エレメント上に固定す
ること、および能動部品が空洞の内部に存在し受動部品
に光学的に結合されるように、シリカオンシリカ構造内
に空洞を形成し、この構造上に中間エレメントを固定す
ることからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッド光デ
バイスの組み立て方法に関する。ハイブリッド光デバイ
スとは、受動部品に光学的に結合された能動光電子部品
を含む素子と定義される。この素子は、複数の光ファイ
バが接続できる光モジュール内に収納するようになって
いる。
バイスの組み立て方法に関する。ハイブリッド光デバイ
スとは、受動部品に光学的に結合された能動光電子部品
を含む素子と定義される。この素子は、複数の光ファイ
バが接続できる光モジュール内に収納するようになって
いる。
【０００２】
【従来の技術】従来技術において既にハイブリッド光デ
バイスが作製されている。具体的には、共にシリコン基
板３に支持される、シリカを材料とする受動部品１と、
たとえばレーザまたは光増幅器型の光電子部品２とを含
む図１Ａの斜視略図に示すような素子が存在する。
バイスが作製されている。具体的には、共にシリコン基
板３に支持される、シリカを材料とする受動部品１と、
たとえばレーザまたは光増幅器型の光電子部品２とを含
む図１Ａの斜視略図に示すような素子が存在する。
【０００３】実際には、受動部品１は、シリコン基板３
上に連続する三つのシリカ層６、７、８を重ねることに
より作製される。第二のシリカ層７は個別の形態にエッ
チングされ、受動部品１の光ガイドを構成する。図１Ａ
に示す例ではこのガイドは直線であるが、他の形状とす
ることもできる。いずれにせよ、ガイドが果たすべき機
能によって一切が決まる。また、この第二のシリカ層７
は、他の二つの層６および８の屈折率よりも高い屈折率
を有するように作製される。したがって、第二層７は光
ファイバのコアと等価であり、一方、他の二つの層６お
よび８は、この光ファイバのクラッドに等しい。
上に連続する三つのシリカ層６、７、８を重ねることに
より作製される。第二のシリカ層７は個別の形態にエッ
チングされ、受動部品１の光ガイドを構成する。図１Ａ
に示す例ではこのガイドは直線であるが、他の形状とす
ることもできる。いずれにせよ、ガイドが果たすべき機
能によって一切が決まる。また、この第二のシリカ層７
は、他の二つの層６および８の屈折率よりも高い屈折率
を有するように作製される。したがって、第二層７は光
ファイバのコアと等価であり、一方、他の二つの層６お
よび８は、この光ファイバのクラッドに等しい。
【０００４】受動部品を形成するシリカ層６、７、８
と、シリコン基板３とで構成されるアセンブリを一般
に、シリカオンシリコン構造と呼び、ＳｉＯ2／Ｓｉと
記す。
と、シリコン基板３とで構成されるアセンブリを一般
に、シリカオンシリコン構造と呼び、ＳｉＯ2／Ｓｉと
記す。
【０００５】シリカ層６、７、８内のシリコン基板３の
近くに収納部５が規定される。すると、光電子部品２
は、その光軸９が受動部品１の光ガイド７とアライメン
トされるように、この収納部５の内部に設置される。
近くに収納部５が規定される。すると、光電子部品２
は、その光軸９が受動部品１の光ガイド７とアライメン
トされるように、この収納部５の内部に設置される。
【０００６】能動部品２の光軸９と受動部品１の光ガイ
ド７の位置合わせは、高精度、すなわち約１ミクロン
（１μｍ＝１０-6メートル）以下でなければならない。
そのためには空洞５は、図１Ｂの横断面図に示すよう
に、光電子部品２をその位置に固定することができる構
造を有さなければならない。この図では、空洞５は、能
動部品の形状に一致するように段５１を含む。さらに空
洞５の寸法は１ミクロン以下の精度で規定される。ま
た、はんだ点Ｓにより、空洞の底部に能動部品２を固定
することができる。
ド７の位置合わせは、高精度、すなわち約１ミクロン
（１μｍ＝１０-6メートル）以下でなければならない。
そのためには空洞５は、図１Ｂの横断面図に示すよう
に、光電子部品２をその位置に固定することができる構
造を有さなければならない。この図では、空洞５は、能
動部品の形状に一致するように段５１を含む。さらに空
洞５の寸法は１ミクロン以下の精度で規定される。ま
た、はんだ点Ｓにより、空洞の底部に能動部品２を固定
することができる。
【０００７】図１Ｂに示す矢印は、光電子部品２から放
出される熱量が排出される方向を示す。
出される熱量が排出される方向を示す。
【０００８】この種のハイブリッド光素子は、とくに
Ｉ．Ｋｉｔａｚａｗａ他の文献「Thermal resistance a
nd soldering stress analyses on LD-mount-structure
s forplanar lightwave circuits」、ＩＯＯＣ’９５、
ＦＡ３−５、ｐｐ２６−２９で言及された。
Ｉ．Ｋｉｔａｚａｗａ他の文献「Thermal resistance a
nd soldering stress analyses on LD-mount-structure
s forplanar lightwave circuits」、ＩＯＯＣ’９５、
ＦＡ３−５、ｐｐ２６−２９で言及された。
【０００９】しかしながらこの種のハイブリッド光素子
の使用はきわめて限られている。これは主に、シリコン
がシリカの熱膨張率とは非常に異なる熱膨張率を有する
ことによる。その結果、４００℃から１４００℃の温度
でシリコン基板上に連続シリカ層６、７、８を付着さ
せ、全体を周囲温度まで冷却させた後に得られるシリカ
オンシリコン構造は、非常に変形した湾曲形状を有す
る。この変形により応力が発生し、種々のシリカ層内を
伝播する。
の使用はきわめて限られている。これは主に、シリコン
がシリカの熱膨張率とは非常に異なる熱膨張率を有する
ことによる。その結果、４００℃から１４００℃の温度
でシリコン基板上に連続シリカ層６、７、８を付着さ
せ、全体を周囲温度まで冷却させた後に得られるシリカ
オンシリコン構造は、非常に変形した湾曲形状を有す
る。この変形により応力が発生し、種々のシリカ層内を
伝播する。
【００１０】直線ガイドを作製しようとする時にはこれ
らの応力は邪魔にはならない。一方、たとえばパワーデ
ィバイダ、すなわち３ｄＢ損失カプラなど、他の種類の
受動部品を作製しようとする場合には、これらの応力は
大きな欠点となる。
らの応力は邪魔にはならない。一方、たとえばパワーデ
ィバイダ、すなわち３ｄＢ損失カプラなど、他の種類の
受動部品を作製しようとする場合には、これらの応力は
大きな欠点となる。
【００１１】事実、光偏光は光ファイバの中を回転す
る。光ファイバから出た光が３ｄＢカプラに注入される
と、偏光の如何に関わらず光出力を分配することができ
る部品を持つことが重要である。シリカ層内で発生する
応力により、このようなカプラの受動的機能が偏光に感
応するようになり、その結果、この種の受動部品が正し
く動作することができなくなる。
る。光ファイバから出た光が３ｄＢカプラに注入される
と、偏光の如何に関わらず光出力を分配することができ
る部品を持つことが重要である。シリカ層内で発生する
応力により、このようなカプラの受動的機能が偏光に感
応するようになり、その結果、この種の受動部品が正し
く動作することができなくなる。
【００１２】図１Ｃに示すこの問題に対する解決方法
は、溶解シリカ、すなわち非晶質シリカ製の支持体３を
使用することから成る。その場合これをシリカオンシリ
カ構造と呼び、ＳｉＯ2／ＳｉＯ2と記す。この例では、
略図で示す受動部品はカプラＣである。この場合、基板
３、およびカプラＣを規定するシリカ層はきわめて近い
熱膨張係数を有し、その結果、シリカ層内では応力は一
切発生しない。したがって受動部品は偏光に感応しな
い。
は、溶解シリカ、すなわち非晶質シリカ製の支持体３を
使用することから成る。その場合これをシリカオンシリ
カ構造と呼び、ＳｉＯ2／ＳｉＯ2と記す。この例では、
略図で示す受動部品はカプラＣである。この場合、基板
３、およびカプラＣを規定するシリカ層はきわめて近い
熱膨張係数を有し、その結果、シリカ層内では応力は一
切発生しない。したがって受動部品は偏光に感応しな
い。
【００１３】このような解決方法はたとえば、Ｓ．Ｋｏ
ｂａｙａｓｈｉ他の文献「Prospects for silica and g
lass-based IO components」、ＥＣＩＯ’９５、ＷｅＡ
３、ｐｐ３０９−３１４において記述されている。
ｂａｙａｓｈｉ他の文献「Prospects for silica and g
lass-based IO components」、ＥＣＩＯ’９５、ＷｅＡ
３、ｐｐ３０９−３１４において記述されている。
【００１４】しかしながら、溶解シリカはシリコンとは
異なり粗悪なヒートシンクである。ところで、ハイブリ
ッド光素子を作製する場合には、光電子部品が放出する
熱量を排出できることが必要である。
異なり粗悪なヒートシンクである。ところで、ハイブリ
ッド光素子を作製する場合には、光電子部品が放出する
熱量を排出できることが必要である。
【００１５】したがって解決すべき問題は、ハイブリッ
ド光素子、すなわち相互に光学的に結合されている能動
部品と受動部品とを含む素子を、溶解シリカ基板上に作
製することができる手段を見出すことにある。
ド光素子、すなわち相互に光学的に結合されている能動
部品と受動部品とを含む素子を、溶解シリカ基板上に作
製することができる手段を見出すことにある。
【００１６】この問題を解決するために考えられる第一
の方法を図２Ａの横断面の略図に示す。この方法は、能
動部品２が放出する熱量を散逸することができるシリコ
ン支持体４で前記能動部品を被覆することから成る。放
出される熱量の排出方向を図２Ａで矢印で示す。
の方法を図２Ａの横断面の略図に示す。この方法は、能
動部品２が放出する熱量を散逸することができるシリコ
ン支持体４で前記能動部品を被覆することから成る。放
出される熱量の排出方向を図２Ａで矢印で示す。
【００１７】しかしながらこの方法は大きな欠点を有す
るため、最適ではない。実際、熱量の排出は能動部品２
を通して行われるため、能動部品の動作は非常に妨害さ
れる。さらに、光電子部品の品質が大きく低下し、その
寿命が著しく短くなる。
るため、最適ではない。実際、熱量の排出は能動部品２
を通して行われるため、能動部品の動作は非常に妨害さ
れる。さらに、光電子部品の品質が大きく低下し、その
寿命が著しく短くなる。
【００１８】さらに、この場合、シリコン支持体４の保
持手段が規定されていない。場合によっては、接着によ
り支持体をシリカオンシリカ構造に固定することができ
る。いずれにせよ、この支持体は能動部品と受動部品の
位置合わせには寄与しない。前述し、図１Ａおよび図１
Ｂに対応する従来技術における場合と同様、この位置合
わせが可能であるのは専ら空洞５の形状およびはんだ点
Ｓによるものである。
持手段が規定されていない。場合によっては、接着によ
り支持体をシリカオンシリカ構造に固定することができ
る。いずれにせよ、この支持体は能動部品と受動部品の
位置合わせには寄与しない。前述し、図１Ａおよび図１
Ｂに対応する従来技術における場合と同様、この位置合
わせが可能であるのは専ら空洞５の形状およびはんだ点
Ｓによるものである。
【００１９】光電子部品を通して熱量の排出が行われる
のを回避するための別の方法は、図２Ｂに示すような前
記部品を反転させることにあると思われる。実際、この
場合、熱量は、能動部品２を通過することなく、シリコ
ン支持体４側に最も短い経路から排出される。シリコン
支持体４は熱通路の役割を果たす。
のを回避するための別の方法は、図２Ｂに示すような前
記部品を反転させることにあると思われる。実際、この
場合、熱量は、能動部品２を通過することなく、シリコ
ン支持体４側に最も短い経路から排出される。シリコン
支持体４は熱通路の役割を果たす。
【００２０】光電子部品２の後面２ａは、能動的機能９
に関係なく研磨により±１０μmの精度で薄くされる。
熱通路４は、光電子部品２の光軸９側に取り付けられ
る。このような熱通路はヒートシンクの機能を果たすだ
けである。さらに、場合によっては、熱通路によりチッ
プ２をカプセル化することもできる。しかし、位置合わ
せ機能は光電子部品の後面２ａの薄膜化のための大きい
公差（±１０μm）とは相容れないことから、熱通路
が、受動部品１の光ガイドに対する能動部品２の光軸９
の良好な位置合わせに寄与することは有り得ない。結果
として、この第二の方法も採用することができない。
に関係なく研磨により±１０μmの精度で薄くされる。
熱通路４は、光電子部品２の光軸９側に取り付けられ
る。このような熱通路はヒートシンクの機能を果たすだ
けである。さらに、場合によっては、熱通路によりチッ
プ２をカプセル化することもできる。しかし、位置合わ
せ機能は光電子部品の後面２ａの薄膜化のための大きい
公差（±１０μm）とは相容れないことから、熱通路
が、受動部品１の光ガイドに対する能動部品２の光軸９
の良好な位置合わせに寄与することは有り得ない。結果
として、この第二の方法も採用することができない。
【００２１】従来技術では、図２Ｃの略縦断面図で示す
別の種類のハイブリッド光デバイスも提案された。この
デバイスは、光電子部品２と、熱通路、すなわちシリコ
ン「ブリッジ」４と、少なくとも一つの受動部品がその
上に作製されるシリカオンシリコン構造１０とを含む。
この構造１０は、シリカオンシリカ構造とすることもで
きる。
別の種類のハイブリッド光デバイスも提案された。この
デバイスは、光電子部品２と、熱通路、すなわちシリコ
ン「ブリッジ」４と、少なくとも一つの受動部品がその
上に作製されるシリカオンシリコン構造１０とを含む。
この構造１０は、シリカオンシリカ構造とすることもで
きる。
【００２２】この場合、シリコンブリッジ４は、ヒート
シンクの役割と、能動部品２とシリカオンシリコン構造
１０とに共通な支持体の役割とを同時に果たす。したが
って、これら二つの種類の部品を支持するためには、ブ
リッジ４の面積は比較的大きくなければならない。すな
わち、通常、０．１ｃｍ2よりも大きくなければならな
い。この面積は数ｃｍ2に達することがある。シリカオ
ンシリコン構造１０は、支持点ＡおよびＢの２点でブリ
ッジ４上に固定される。この二つの支持点ＡとＢの間の
距離は、構造１０の寸法と同規模である。したがってこ
の距離は比較的大きく、１ｍｍから数ｃｍである。
シンクの役割と、能動部品２とシリカオンシリコン構造
１０とに共通な支持体の役割とを同時に果たす。したが
って、これら二つの種類の部品を支持するためには、ブ
リッジ４の面積は比較的大きくなければならない。すな
わち、通常、０．１ｃｍ2よりも大きくなければならな
い。この面積は数ｃｍ2に達することがある。シリカオ
ンシリコン構造１０は、支持点ＡおよびＢの２点でブリ
ッジ４上に固定される。この二つの支持点ＡとＢの間の
距離は、構造１０の寸法と同規模である。したがってこ
の距離は比較的大きく、１ｍｍから数ｃｍである。
【００２３】この大きな距離により、−４０℃から＋８
５℃まで変化する可能性のある温度で行われる通信の標
準的使用中に、支持点ＡおよびＢのレベルでせん断の問
題が発生する。実際にはこれらせん断の問題は、シリカ
オンシリコン構造１０またはシリカオンシリカ構造のシ
リカとシリコンブリッジ４との間の熱膨張率の差による
ものである。
５℃まで変化する可能性のある温度で行われる通信の標
準的使用中に、支持点ＡおよびＢのレベルでせん断の問
題が発生する。実際にはこれらせん断の問題は、シリカ
オンシリコン構造１０またはシリカオンシリカ構造のシ
リカとシリコンブリッジ４との間の熱膨張率の差による
ものである。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、能動部品が
放出する熱を散逸させるとともに、前記能動部品の光軸
を受動部品の光ガイドとアライメントすることができる
シリコンの支持体を使用するハイブリッド光デバイスの
組み立て方法を提供することにより所載の欠点をすべて
解消することができる。
放出する熱を散逸させるとともに、前記能動部品の光軸
を受動部品の光ガイドとアライメントすることができる
シリコンの支持体を使用するハイブリッド光デバイスの
組み立て方法を提供することにより所載の欠点をすべて
解消することができる。
【００２５】
【課題を解決するための手段】より詳細には本発明は、
能動部品に光学的に結合されシリカ基板上のシリカ層内
に作製される受動部品を含み、前記層および基板がこの
ようにしてシリカオンシリカ構造を形成する、ハイブリ
ッド光デバイスの組み立て方法であって、 − 良好な熱伝導性、および能動部品の熱膨張率と同様
の熱膨張率を有する中間エレメントを作製すること、 − 能動部品を中間エレメント上に固定すること、およ
び − 能動部品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的に
結合されるように、シリカオンシリカ構造内に空洞を形
成し、この構造上に中間エレメントを固定することから
なることを特徴とする方法に関する。
能動部品に光学的に結合されシリカ基板上のシリカ層内
に作製される受動部品を含み、前記層および基板がこの
ようにしてシリカオンシリカ構造を形成する、ハイブリ
ッド光デバイスの組み立て方法であって、 − 良好な熱伝導性、および能動部品の熱膨張率と同様
の熱膨張率を有する中間エレメントを作製すること、 − 能動部品を中間エレメント上に固定すること、およ
び − 能動部品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的に
結合されるように、シリカオンシリカ構造内に空洞を形
成し、この構造上に中間エレメントを固定することから
なることを特徴とする方法に関する。
【００２６】本発明の別の特徴によれば、本発明はさら
に、第一種のストッパを能動部品の目印に対向して位置
決めし、第二種のストッパをシリカオンシリカ構造のマ
ーキングに対向して位置決めするように、ストッパを中
間エレメント上に、目印を能動部品上に、マーキングを
シリカオンシリカ構造上に作製することから成る。
に、第一種のストッパを能動部品の目印に対向して位置
決めし、第二種のストッパをシリカオンシリカ構造のマ
ーキングに対向して位置決めするように、ストッパを中
間エレメント上に、目印を能動部品上に、マーキングを
シリカオンシリカ構造上に作製することから成る。
【００２７】本発明の別の特徴によれば、中間エレメン
トはシリコンで作製される。
トはシリコンで作製される。
【００２８】本発明の別の対象は、シリカ基板上のシリ
カ層内に作製された受動部品に光学的に結合された能動
部品を含み、前記層および基板がこのようにしてシリカ
オンシリカ構造を形成するハイブリッド光デバイスであ
って、さらに、良好な熱伝導性、および能動部品の熱膨
張率と同様の熱膨張率を有する中間エレメントと、シリ
カオンシリカ構造内に穿口された空洞とを含み、能動部
品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的に結合される
ように、中間エレメントが能動部品とシリカオンシリカ
構造の双方に対して組み付けられることを特徴とするデ
バイスである。
カ層内に作製された受動部品に光学的に結合された能動
部品を含み、前記層および基板がこのようにしてシリカ
オンシリカ構造を形成するハイブリッド光デバイスであ
って、さらに、良好な熱伝導性、および能動部品の熱膨
張率と同様の熱膨張率を有する中間エレメントと、シリ
カオンシリカ構造内に穿口された空洞とを含み、能動部
品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的に結合される
ように、中間エレメントが能動部品とシリカオンシリカ
構造の双方に対して組み付けられることを特徴とするデ
バイスである。
【００２９】本発明の別の特徴によれば、中間エレメン
トは、能動部品上に位置する目印および、シリカオンシ
リカ構造上に位置するマーキングに対向して位置決めす
ることのできるストッパを含む。
トは、能動部品上に位置する目印および、シリカオンシ
リカ構造上に位置するマーキングに対向して位置決めす
ることのできるストッパを含む。
【００３０】本発明の別の特徴によれば、中間エレメン
トはシリコンで作製される。
トはシリコンで作製される。
【００３１】本発明の別の特徴によれば、中間エレメン
トは小さい寸法を有し、その面積は能動部品の面積より
かろうじて大きい。
トは小さい寸法を有し、その面積は能動部品の面積より
かろうじて大きい。
【００３２】本発明の別の特徴によれば、中間エレメン
トは１ｍｍ2未満の面積を有し、シリカオンシリカ構造
（１００）は１ｍｍ2を超える面積を有する。
トは１ｍｍ2未満の面積を有し、シリカオンシリカ構造
（１００）は１ｍｍ2を超える面積を有する。
【００３３】本発明の別の特徴によれば、能動部品は空
洞内に「表が外側」になるように取り付けられる。
洞内に「表が外側」になるように取り付けられる。
【００３４】本発明の別の特徴によれば、空洞は貫通し
ておらず、能動部品のカプセル化に寄与するように、中
間エレメントはこの空洞の上側に配置される。
ておらず、能動部品のカプセル化に寄与するように、中
間エレメントはこの空洞の上側に配置される。
【００３５】本発明によるハイブリッド光デバイスは、
とくに、溶解シリカ基板のコストが安いこと、および偏
光に感応しない部品を主とする光学システムの設計にこ
の基板を使用することによって生じる著しい単純化によ
り、多くの長所を有する。
とくに、溶解シリカ基板のコストが安いこと、および偏
光に感応しない部品を主とする光学システムの設計にこ
の基板を使用することによって生じる著しい単純化によ
り、多くの長所を有する。
【００３６】さらに、本発明による組み立て方法は、Ｔ
ＲＤ（送受信装置）型の接続部品の製造、またはスイッ
チングに適用することができる。これら二種類の適用
例、すなわちＴＲＤ型部品およびスイッチングに関する
長所は、本発明による方法では平面型素子を使用するこ
とから、大量生産に適合すること、ならびに偏光に感応
せず、したがってインライン回路の簡略化が可能なシリ
カオンシリカ部品を使用することによるものである。さ
らに、構造上の光電子部品の密度が高いスイッチングの
適用例の場合には、ヒートシンクはきわめて重要であ
る。
ＲＤ（送受信装置）型の接続部品の製造、またはスイッ
チングに適用することができる。これら二種類の適用
例、すなわちＴＲＤ型部品およびスイッチングに関する
長所は、本発明による方法では平面型素子を使用するこ
とから、大量生産に適合すること、ならびに偏光に感応
せず、したがってインライン回路の簡略化が可能なシリ
カオンシリカ部品を使用することによるものである。さ
らに、構造上の光電子部品の密度が高いスイッチングの
適用例の場合には、ヒートシンクはきわめて重要であ
る。
【００３７】本発明の他の特徴および長所は、添付の図
面を参照して非限定的な例として行う説明を読めば明ら
かになるであろう。
面を参照して非限定的な例として行う説明を読めば明ら
かになるであろう。
【００３８】
【発明の実施の形態】図３は本発明によるハイブリッド
光素子の構造を示す図であり、これにより、素子が組み
立てられている様子をよりよく理解することができる。
このハイブリッド光素子は、たとえばレーザまたは光増
幅器型であってチップとも呼ばれる能動光電子部品２
と、直線光ガイド、または３ｄＢカップラ、またはその
他の型の受動部品１とを含む。
光素子の構造を示す図であり、これにより、素子が組み
立てられている様子をよりよく理解することができる。
このハイブリッド光素子は、たとえばレーザまたは光増
幅器型であってチップとも呼ばれる能動光電子部品２
と、直線光ガイド、または３ｄＢカップラ、またはその
他の型の受動部品１とを含む。
【００３９】受動部品１は、溶解シリカ基板３上にシリ
カ層６、７、８を連続して重ねる知られている方法によ
り作製される。中間の層７は受動部品のコアを形成し、
作製すべき光ガイドに応じて個別の形態にエッチングさ
れる。他の二つの層６および８は、受動部品のクラッド
を構成する。溶解シリカ基板により、シリカ層６、７、
８内に応力が形成されるのを防止することができ、結果
として、偏光に感応しない高品質な受動部品を得ること
ができる。以下の説明では、受動部品１とシリカ基板３
とで構成されるアセンブリを、シリカオンシリカ構造と
呼び、符号１００で示す。
カ層６、７、８を連続して重ねる知られている方法によ
り作製される。中間の層７は受動部品のコアを形成し、
作製すべき光ガイドに応じて個別の形態にエッチングさ
れる。他の二つの層６および８は、受動部品のクラッド
を構成する。溶解シリカ基板により、シリカ層６、７、
８内に応力が形成されるのを防止することができ、結果
として、偏光に感応しない高品質な受動部品を得ること
ができる。以下の説明では、受動部品１とシリカ基板３
とで構成されるアセンブリを、シリカオンシリカ構造と
呼び、符号１００で示す。
【００４０】変形実施形態では、受動部品のコア７は、
チッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）層内に作製することもでき
る。
チッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）層内に作製することもでき
る。
【００４１】光電子部品２を収納するために、シリカオ
ンシリカ構造１００内、すなわち連続するシリカ層６、
７、８、および場合によっては基板３内に空洞５が設け
られる。この空洞５は貫通していなくても貫通していて
もよい。この空洞が貫通されるか貫通されていないか
は、製造コストおよび能動部品２のカプセル化の必要に
よって決まることが多い。光電子部品２は、その光軸９
が受動部品１の光ガイド７とアライメントされるよう
に、空洞５内に挿入されるようになっている。
ンシリカ構造１００内、すなわち連続するシリカ層６、
７、８、および場合によっては基板３内に空洞５が設け
られる。この空洞５は貫通していなくても貫通していて
もよい。この空洞が貫通されるか貫通されていないか
は、製造コストおよび能動部品２のカプセル化の必要に
よって決まることが多い。光電子部品２は、その光軸９
が受動部品１の光ガイド７とアライメントされるよう
に、空洞５内に挿入されるようになっている。
【００４２】光電子部品２は、たとえばエピタキシによ
り通常の方法で作製され、出力が１ｍＷから２００ｍＷ
である、ＧａＩｎＡｓＰオンＩｎＰ型レーザである。レ
ーザ２は、空洞５内に挿入する前に、放出された熱を散
逸させるための中間エレメント４上にたとえばはんだに
より固定される。この中間エレメントの寸法は比較的小
さく、その面積は、空洞５の面積、すなわち能動部品２
の面積よりかろうじて大きいだけである。チップ２は
「表が外側」になるように空洞５に挿入される。一方、
中間エレメント４上ではチップは「表が内側」になるよ
うに設置され、これを「フリップチップ」マウンティン
グによりこの素子に取り付けられるとも言う。
り通常の方法で作製され、出力が１ｍＷから２００ｍＷ
である、ＧａＩｎＡｓＰオンＩｎＰ型レーザである。レ
ーザ２は、空洞５内に挿入する前に、放出された熱を散
逸させるための中間エレメント４上にたとえばはんだに
より固定される。この中間エレメントの寸法は比較的小
さく、その面積は、空洞５の面積、すなわち能動部品２
の面積よりかろうじて大きいだけである。チップ２は
「表が外側」になるように空洞５に挿入される。一方、
中間エレメント４上ではチップは「表が内側」になるよ
うに設置され、これを「フリップチップ」マウンティン
グによりこの素子に取り付けられるとも言う。
【００４３】また、レーザ２の光軸９を受動部品１の光
ガイド７に対しアライメントすることができるようにす
るためには、レーザ２ならびに受動部品１に対しヒート
シンク４をきわめて正確に位置決めできることが必要で
ある。そのために、中間エレメント４上および能動部品
２および受動部品１上にストッパまたは目印を作製す
る。これらの目印はたとえば、リソグラフィー、ＲＩＥ
（「ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）エッチ
ング、あるいはその他のエッチング方法により作製され
る。
ガイド７に対しアライメントすることができるようにす
るためには、レーザ２ならびに受動部品１に対しヒート
シンク４をきわめて正確に位置決めできることが必要で
ある。そのために、中間エレメント４上および能動部品
２および受動部品１上にストッパまたは目印を作製す
る。これらの目印はたとえば、リソグラフィー、ＲＩＥ
（「ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）エッチ
ング、あるいはその他のエッチング方法により作製され
る。
【００４４】したがって、図３には図示しないストッパ
は、たとえばレーザ２の前側表面２ｂ上に設けた目印２
１に対向するように位置決めされるように、ヒートシン
ク４の下面上に作製される。同様にストッパ４１は、マ
ーキングに対向するように位置決めされるか、あるいは
シリカオンシリカ構造１００の上面上に設けた図３の例
に示すような凹み１１内に位置決めされるように、ヒー
トシンク４の下面上に設けられる。
は、たとえばレーザ２の前側表面２ｂ上に設けた目印２
１に対向するように位置決めされるように、ヒートシン
ク４の下面上に作製される。同様にストッパ４１は、マ
ーキングに対向するように位置決めされるか、あるいは
シリカオンシリカ構造１００の上面上に設けた図３の例
に示すような凹み１１内に位置決めされるように、ヒー
トシンク４の下面上に設けられる。
【００４５】中間エレメント４はレーザ２と受動部品１
を基準として位置決めされ、能動部品と受動部品は、遷
移の理由から、互いに相手を基準として位置決めされ
る。
を基準として位置決めされ、能動部品と受動部品は、遷
移の理由から、互いに相手を基準として位置決めされ
る。
【００４６】レーザ２の目印２１に対するヒートシンク
のストッパの位置決めは、１ミクロン未満ときわめて正
確に行われる。
のストッパの位置決めは、１ミクロン未満ときわめて正
確に行われる。
【００４７】同様に、ヒートシンクのストッパ４１は、
構造１００のマーキング１１に対し１ミクロン未満のき
わめて高い精度で位置決めすることができるように作製
される。
構造１００のマーキング１１に対し１ミクロン未満のき
わめて高い精度で位置決めすることができるように作製
される。
【００４８】図３に示す例では、レーザ２の目印２１は
レーザの光軸９とアライメントされ、受動部品１の目印
１１はシリカ光ガイド７とアライメントされ、最後に、
中間エレメント４の二種類のストッパはそれぞれ、レー
ザの目印と受動部品の目印とアライメントされる。もち
ろんこれらストッパおよび目印の位置は一例にすぎな
い。これらのストッパおよび目印により、ヒートシンク
４を基準として能動部品および受動部品を固定し、相互
にアライメントすることができるので、これらのストッ
パおよび目印は別の方法で設置することもできる。
レーザの光軸９とアライメントされ、受動部品１の目印
１１はシリカ光ガイド７とアライメントされ、最後に、
中間エレメント４の二種類のストッパはそれぞれ、レー
ザの目印と受動部品の目印とアライメントされる。もち
ろんこれらストッパおよび目印の位置は一例にすぎな
い。これらのストッパおよび目印により、ヒートシンク
４を基準として能動部品および受動部品を固定し、相互
にアライメントすることができるので、これらのストッ
パおよび目印は別の方法で設置することもできる。
【００４９】受動部品１の光ガイド７は、単純化のた
め、図３では直線で示してあるが、より複雑な形態とす
ることもでき、具体的にはたとえば３ｄＢカプラとする
ことができる。
め、図３では直線で示してあるが、より複雑な形態とす
ることもでき、具体的にはたとえば３ｄＢカプラとする
ことができる。
【００５０】図４は、図３のハイブリッド光素子の略縦
断面図である。同一の素子を示すために、図３と同じ符
号を使用している。受動部品１はシリカ層６、７、８の
積み重ねによって作製される。受動部品は、所望寸法に
エッチングされ、クラッド層６および８に埋め込まれた
コア７すなわち光ガイドを含む。この例では、受動部品
のシリカ層内および基板３内に穿孔された空洞５が貫通
している。この空洞５により、能動光電子部品２の光軸
９が受動部品１の光ガイド７とアライメントされるよう
に、能動光電子部品２を収納することができる。チップ
２は、中間エレメント４の電気接続部４５上に固定さ
れ、はんだ点Ｓ１によりヒートシンクの役割を果たす。
断面図である。同一の素子を示すために、図３と同じ符
号を使用している。受動部品１はシリカ層６、７、８の
積み重ねによって作製される。受動部品は、所望寸法に
エッチングされ、クラッド層６および８に埋め込まれた
コア７すなわち光ガイドを含む。この例では、受動部品
のシリカ層内および基板３内に穿孔された空洞５が貫通
している。この空洞５により、能動光電子部品２の光軸
９が受動部品１の光ガイド７とアライメントされるよう
に、能動光電子部品２を収納することができる。チップ
２は、中間エレメント４の電気接続部４５上に固定さ
れ、はんだ点Ｓ１によりヒートシンクの役割を果たす。
【００５１】ヒートシンク４はシリコンを材料とするこ
とが好ましい。なぜならこの材料は、ＧａＩｎＡｓＰ／
ＩｎＰチップ２の熱膨張率と同様の熱膨張率を有し、そ
のため、とくに、チップ２と中間エレメント４との間に
作製されるはんだ点Ｓ１において伝播することがあるせ
ん断の発生を防ぐことができるからである。
とが好ましい。なぜならこの材料は、ＧａＩｎＡｓＰ／
ＩｎＰチップ２の熱膨張率と同様の熱膨張率を有し、そ
のため、とくに、チップ２と中間エレメント４との間に
作製されるはんだ点Ｓ１において伝播することがあるせ
ん断の発生を防ぐことができるからである。
【００５２】もちろん中間エレメント４は、たとえばア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）など他
の材料で作製することも可能である。しかしながらＧａ
Ａｓはシリコンよりも高価であり、Ａｌ2Ｏ3では、能動
部品と受動部品の光軸のきわめて高精度な位置合わせを
行うために、１ミクロン未満のきわめて高い精度でスト
ッパを作製することはできない。
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）など他
の材料で作製することも可能である。しかしながらＧａ
Ａｓはシリコンよりも高価であり、Ａｌ2Ｏ3では、能動
部品と受動部品の光軸のきわめて高精度な位置合わせを
行うために、１ミクロン未満のきわめて高い精度でスト
ッパを作製することはできない。
【００５３】説明する例では、基板３は溶解シリカを材
質とする。実施の変形形態によれば、場合によっては基
板を石英製とすることができるが、この材料はシリカよ
りも高価である。
質とする。実施の変形形態によれば、場合によっては基
板を石英製とすることができるが、この材料はシリカよ
りも高価である。
【００５４】また、ヒートシンク４の下面上に設けたス
トッパ４２は、レーザ２の前面２ｂ上に設けた目印２１
に当たるように位置決めされるようになっている。
トッパ４２は、レーザ２の前面２ｂ上に設けた目印２１
に当たるように位置決めされるようになっている。
【００５５】他のストッパ４１は、シリカオンシリカ構
造１００の上表面上に設けたマーキング１１に当たって
収納されるように、ヒートシンク４の下表面上に設けら
れる。さらに、シリカオンシリカ構造１００は、ヒート
シンクの電気接続部分４５に取り付けた溶接点Ｓ２によ
り、ヒートシンク４上に固定される。
造１００の上表面上に設けたマーキング１１に当たって
収納されるように、ヒートシンク４の下表面上に設けら
れる。さらに、シリカオンシリカ構造１００は、ヒート
シンクの電気接続部分４５に取り付けた溶接点Ｓ２によ
り、ヒートシンク４上に固定される。
【００５６】図４の例では、中間エレメント４のストッ
パ４１、４２、レーザ２の目印２１、および受動部品１
のマーキング１１は、レーザの光軸９および受動部品の
光ガイド７と共にアライメントされる。
パ４１、４２、レーザ２の目印２１、および受動部品１
のマーキング１１は、レーザの光軸９および受動部品の
光ガイド７と共にアライメントされる。
【００５７】また、本発明によるハイブリッド光デバイ
スを作製するのに使用するシリカオンシリカ構造１００
は大きな寸法を有することに留意すべきである。実際、
その面積は数ｍｍ2以上であり、数十ｃｍ2に達すること
がある。一方、本発明で使用する「ブリッジ」すなわち
ヒートシンク４は、１ｍｍ2未満の小さな面積を有す
る。この小さな面積により、シリカオンシリカ構造１０
０とヒートシンク４との間に作製される二つのはんだ点
Ｓ２の間の距離を制限することができ、その結果、シリ
コンとシリカとの間に存在する熱膨張率の差により、−
４０℃から＋８５℃まで変化する可能性のある温度で行
われる通信における標準的使用中に発生することがある
とくにせん断の危険性を制限することができる。したが
ってこのことは、前述し図２Ｃに対応する従来技術と比
較して大きな長所である。
スを作製するのに使用するシリカオンシリカ構造１００
は大きな寸法を有することに留意すべきである。実際、
その面積は数ｍｍ2以上であり、数十ｃｍ2に達すること
がある。一方、本発明で使用する「ブリッジ」すなわち
ヒートシンク４は、１ｍｍ2未満の小さな面積を有す
る。この小さな面積により、シリカオンシリカ構造１０
０とヒートシンク４との間に作製される二つのはんだ点
Ｓ２の間の距離を制限することができ、その結果、シリ
コンとシリカとの間に存在する熱膨張率の差により、−
４０℃から＋８５℃まで変化する可能性のある温度で行
われる通信における標準的使用中に発生することがある
とくにせん断の危険性を制限することができる。したが
ってこのことは、前述し図２Ｃに対応する従来技術と比
較して大きな長所である。
【００５８】チップ２は、「フリップチップ」方式で中
間エレメント４上に取り付けられ、光軸９の下の領域は
たとえばｎ型など第一型のキャリアーがドープされ、光
軸の上に位置する領域はたとえばｐ型など第二型のキャ
リアーがドープされる。したがって、チップとシンクと
を接続するための溶接点Ｓ１は、第二型の電極、すなわ
ち例では正電極を有する。第一型の電極、すなわち例に
おける負電極は、たとえば、シンクの接続部４５とｎ型
キャリアーがドープされたレーザ２の領域とにはんだ付
けされた導線１５で構成することができる。
間エレメント４上に取り付けられ、光軸９の下の領域は
たとえばｎ型など第一型のキャリアーがドープされ、光
軸の上に位置する領域はたとえばｐ型など第二型のキャ
リアーがドープされる。したがって、チップとシンクと
を接続するための溶接点Ｓ１は、第二型の電極、すなわ
ち例では正電極を有する。第一型の電極、すなわち例に
おける負電極は、たとえば、シンクの接続部４５とｎ型
キャリアーがドープされたレーザ２の領域とにはんだ付
けされた導線１５で構成することができる。
【００５９】図５は、本発明によるハイブリッド光デバ
イスの実施の変形形態の略横断面図である。この場合、
中間エレメント４のストッパ４１、４２は、能動部品２
および受動部品１の光軸と一直線ではなく、これらの光
軸に直角な方向に沿って作製される。ヒートシンク４の
ストッパ４１をマーキングに当て、ヒートシンクを受動
部品１とアライメントするために、シリカオンシリカ構
造１００の上表面内にマーキング１１が彫られる。さら
に、ヒートシンク４のストッパ４２は、レーザ２の前側
表面２ｂの側面隔壁２２に対向して位置決めされるよう
に設けられる。
イスの実施の変形形態の略横断面図である。この場合、
中間エレメント４のストッパ４１、４２は、能動部品２
および受動部品１の光軸と一直線ではなく、これらの光
軸に直角な方向に沿って作製される。ヒートシンク４の
ストッパ４１をマーキングに当て、ヒートシンクを受動
部品１とアライメントするために、シリカオンシリカ構
造１００の上表面内にマーキング１１が彫られる。さら
に、ヒートシンク４のストッパ４２は、レーザ２の前側
表面２ｂの側面隔壁２２に対向して位置決めされるよう
に設けられる。
【００６０】図５にそのうちの一つが示してあるはんだ
点Ｓ１により、ヒートシンク４上にレーザ２を一定の状
態で保持することができる。この図では、シンクにシリ
カオンシリカ構造１００を固定することを可能にするは
んだ点は示していない。その結果、中間エレメント４が
能動部品と受動部品の双方に対して固定されるので、こ
れら二つの部品は相互に固定されアライメントされる。
点Ｓ１により、ヒートシンク４上にレーザ２を一定の状
態で保持することができる。この図では、シンクにシリ
カオンシリカ構造１００を固定することを可能にするは
んだ点は示していない。その結果、中間エレメント４が
能動部品と受動部品の双方に対して固定されるので、こ
れら二つの部品は相互に固定されアライメントされる。
【００６１】図５に示す例では空洞５は貫通されていな
い。その結果この場合、空洞の上側に置かれた中間エレ
メント４は能動要素のカプセル化に寄与する。図示する
矢印は、レーザ２から放出される熱量が排出される方向
を示す。
い。その結果この場合、空洞の上側に置かれた中間エレ
メント４は能動要素のカプセル化に寄与する。図示する
矢印は、レーザ２から放出される熱量が排出される方向
を示す。
【００６２】前述の例は全て、１つの能動部品および１
つの受動部品を含む装置に関する。もちろん、同様にし
て、各能動部品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的
に結合されるように、他に、複数の受動部品と、複数の
空洞と、各能動部品およびシリカオンシリカ構造にそれ
ぞれ組み合わせた複数の中間エレメントとを含む装置を
作製することはきわめて実行可能なことである。
つの受動部品を含む装置に関する。もちろん、同様にし
て、各能動部品が空洞の内部に存在し受動部品に光学的
に結合されるように、他に、複数の受動部品と、複数の
空洞と、各能動部品およびシリカオンシリカ構造にそれ
ぞれ組み合わせた複数の中間エレメントとを含む装置を
作製することはきわめて実行可能なことである。
【図１Ａ】従来技術のハイブリッド光素子の略斜視図で
ある。
ある。
【図１Ｂ】図１Ａの素子の略横断面図である。
【図１Ｃ】従来技術の３ｄＢカップラ型受動部品の略斜
視図である。
視図である。
【図２Ａ】従来技術の別のハイブリッド光素子の略横断
面図である。
面図である。
【図２Ｂ】別のハイブリッド光素子の略横断面図であ
る。
る。
【図２Ｃ】従来技術の別のハイブリッド光素子の略縦断
面図である。
面図である。
【図３】本発明によるハイブリッド光素子の略斜視図で
ある。
ある。
【図４】図３の素子の略縦断面図である。
【図５】本発明によるハイブリッド光素子の実施の変形
形態の横断面の略図である。
形態の横断面の略図である。
１ 受動部品 ２ 能動光電子部品 ２ａ 光電子部品の後面 ２ｂ レーザの前面 ３ 溶解シリカ基板 ４ 中間エレメント ５ 空洞 ６、７、８ シリカ基板 ９ 光軸 １０ シリカオンシリコン構造 １１ マーキング １５ 導線 ２１、２２ 目印 ４１、４２ ストッパ ４５ 電気接続部 ５１ 段 １００ シリカオンシリカ構造 Ａ、Ｂ 支持点 Ｃ カプラ Ｓ１、Ｓ２ 溶接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドニ・トルゴア フランス国、91190・ジフ−シユル−イベ ツト、アレ・バニエール・ドウ・モペルテ ユイ・30 (72)発明者 フランク・マルコ フランス国、92120・モンルージユ、リ ユ・カーブ・35 (72)発明者 エマニユエル・グラール フランス国、91240・サン−ミツシエル− シユル−オルジユ、アレ・デ・プリユニユ ス・８
Claims (11)
- 【請求項１】 能動部品（２）に光学的に結合されシリ
カ基板（３）上のシリカ層（６、７、８）内に作製され
る受動部品（１）を含み、前記層および基板がこのよう
にしてシリカオンシリカ構造（１００）を形成するハイ
ブリッド光デバイスの組み立て方法であって、 良好な熱伝導性、および能動部品（２）の熱膨張率と類
似の熱膨張率を有する中間エレメント（４）を作製する
こと、 能動部品（２）を中間エレメント（４）上に固定するこ
と、および能動部品（２）が空洞（５）の内部に存在し
受動部品（１）に光学的に結合されるように、シリカオ
ンシリカ構造（１００）内に空洞（５）を形成し、この
構造（１００）上に中間エレメント（４）を固定するこ
とからなることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 さらに、第一種のストッパ（４１）を能
動部品（２）の目印（２１）に対向して位置決めし、第
二種のストッパ（４２）をシリカオンシリカ構造（１０
０）のマーキング（１１）に対向して位置決めするよう
に、ストッパ（４１、４２）を中間エレメント（４）上
に、目印（２１、２２）を能動部品（２）上に、マーキ
ング（１１）をシリカオンシリカ構造（１００）上に作
製することから成ることを特徴とする請求項１に記載の
方法。 - 【請求項３】 中間エレメント（４）がシリコンで作製
されることを特徴とする請求項１または２に記載の方
法。 - 【請求項４】 シリカ基板（３）上のシリカ層（６、
７、８）内に作製された受動部品（１）に光学的に結合
された能動部品（２）を含み、前記層および基板がシリ
カオンシリカ構造（１００）を形成する、ハイブリッド
光デバイスであって、さらに、良好な熱伝導性、および
能動部品（２）の熱膨張率と類似の熱膨張率を有する中
間エレメント（４）と、シリカオンシリカ構造（１０
０）内に穿口された空洞（５）とを含み、能動部品
（２）が空洞（５）の内部に存在し受動部品（１）に光
学的に結合されるように、中間エレメント（４）が能動
部品（２）とシリカオンシリカ構造（１００）の両方に
組み付けられることを特徴とするハイブリッド光デバイ
ス。 - 【請求項５】 中間エレメントが、能動部品（２）上に
位置する目印（２１、２２）および、シリカオンシリカ
構造（１００）上に位置するマーキング（１１）に対向
して位置決めすることのできるストッパ（４１、４２）
を含むことを特徴とする請求項４に記載のデバイス。 - 【請求項６】 中間エレメント（４）がシリコンで作製
されることを特徴とする請求項４または５に記載のデバ
イス。 - 【請求項７】 中間エレメント（４）が小さい寸法を有
し、その面積が能動部品（２）の面積よりかろうじて大
きいことを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に
記載のデバイス。 - 【請求項８】 中間エレメント（４）が１ｍｍ2未満の
面積を有し、シリカオンシリカ構造（１００）が数ｍｍ
2を超える面積を有することを特徴とする請求項４から
７のいずれか一項に記載のデバイス。 - 【請求項９】 能動部品（２）が空洞内に「表が外側」
になるように取り付けられることを特徴とする請求項４
から７のいずれか一項に記載のデバイス。 - 【請求項１０】 空洞（５）が貫通しておらず、能動部
品（２）のカプセル化に寄与するように、中間エレメン
ト（４）がこの空洞の上側に配置されることを特徴とす
る請求項４から９のいずれか一項に記載のデバイス。 - 【請求項１１】 さらに、他の複数の空洞と、各能動部
品が空洞の内部に存在し能動部品に光学的に結合される
ように、各能動部品およびシリカオンシリカ構造にそれ
ぞれ組み付けられた他の複数の中間エレメントとを含む
ことを特徴とする請求項４から１０のいずれか一項に記
載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9702165 | 1997-02-24 | ||
| FR9702165A FR2760101B1 (fr) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Procede d'assemblage d'un dispositif opto-hybride |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274729A true JPH10274729A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=9504094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10042362A Pending JPH10274729A (ja) | 1997-02-24 | 1998-02-24 | ハイブリッド光デバイスの組み立て方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6093939A (ja) |
| EP (1) | EP0860724A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10274729A (ja) |
| KR (1) | KR19980071602A (ja) |
| FR (1) | FR2760101B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894269B2 (en) | 2001-04-30 | 2005-05-17 | Optun (Bvi) Ltd. | Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration |
| JP2020017601A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子の製造方法、サセプタおよびその製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3785820B2 (ja) | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| US6304695B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-10-16 | Chiaro Networks Ltd. | Modulated light source |
| JP4008649B2 (ja) | 2000-09-27 | 2007-11-14 | 沖電気工業株式会社 | 光学装置 |
| GB2381082A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Marconi Caswell Ltd | Optical waveguide with alignment feature in core layer |
| WO2003098302A2 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Hymite A/S | Optical device receiving substrate and optical device holding carrier |
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