JPH10273388A - Apparatus for pulling single crystal - Google Patents

Apparatus for pulling single crystal

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JPH10273388A
JPH10273388A JP9488597A JP9488597A JPH10273388A JP H10273388 A JPH10273388 A JP H10273388A JP 9488597 A JP9488597 A JP 9488597A JP 9488597 A JP9488597 A JP 9488597A JP H10273388 A JPH10273388 A JP H10273388A
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Japan
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single crystal
pulling
seed crystal
gripping
arms
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JP9488597A
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Makoto Kuramoto
誠 蔵本
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Super Silicon Crystal Research Institute Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a single crystal during pulling from dropping when holding the single crystal during the pulling with a holding tool. SOLUTION: This apparatus for pulling a single crystal comprises the first two or more holding arms 12 for holding a constricted part 6 under an enlarged diameter part 5 for supporting and the second two or more holding arms 13 for holding a body part 7, connected through connecting arms 14 thereto and arranged around a wire 1. When the enlarged diameter part 5 and the body part 7 are lifted to the tip positions of the arms 12 and 13 during the pulling, the arms 12 and 13 are driven so as to close the tips thereof and the constricted part 6 and the body part 7 are respectively held therewith. A power is fed from an uninterruptible power source device (UPS) 15 to driving motors.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、引上げCZ(Czoc
hralski)法によりSi(シリコン)の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pulling CZ (Czoc).
The present invention relates to a single crystal pulling apparatus for producing a dislocation-free single crystal of Si (silicon) by the hralski method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、引上げCZ法による単結晶製造
装置では、高耐圧気密チャンバ内を10torr程度に減圧
して新鮮なAr(アルゴン)ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英るつぼを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディー部と下端が
突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶(いわゆ
るインゴット)を成長させるように構成されている。
2. Description of the Related Art In general, in a single crystal manufacturing apparatus by the pulling CZ method, a high pressure-resistant hermetic chamber is decompressed to about 10 torr to flow fresh Ar (argon) gas, and a quartz crucible provided below the chamber is provided. The polycrystal in is melted by heating, and the seed crystal is immersed in the surface of this melt from above,
The seed crystal and the quartz crucible are rotated and moved up and down to raise the seed crystal, thereby forming a conical upper cone with the upper end protruding below the seed crystal, and a conical lower part with a cylindrical body and lower end protruding. It is configured to grow a single crystal (so-called ingot) composed of a cone portion.

【0003】また、この成長方法として、種結晶を融液
の表面に浸漬したときの熱衝撃により種結晶に発生する
転位を除去(無転位化)するために、種結晶を融液の表
面に浸漬した後、引上げ速度を比較的速くすることによ
り種結晶より小径の例えば直径が3〜4mmのネック部
を形成した後に上記の上部コーン部の引上げを開始する
ダッシュ(Dash)法が知られている。
[0003] In addition, as a growth method, in order to remove dislocations generated in the seed crystal by thermal shock when the seed crystal is immersed in the surface of the melt (to eliminate dislocations), the seed crystal is placed on the surface of the melt. After immersion, a dash (Dash) method is known in which the upper cone is started to be pulled after a neck portion having a diameter smaller than that of the seed crystal, for example, 3 to 4 mm, is formed by making the pulling speed relatively high. I have.

【0004】さらに、この小径のネック部を介しては、
大径、大重量(150〜200kg以上)の単結晶を引
き上げることができないので、例えば特公平5−654
77号公報に示されるようにDash法により小径のネック
部を形成した後、引上げ速度を比較的遅くして大径を形
成し、次いで引上げ速度を比較的速くして小径を形成す
ることにより「くびれ」を形成し、この大径部の下のく
びれを把持具で把持することにより大径、大重量の単結
晶を引き上げる方法が提案されている。また、くびれを
把持する従来の装置としては、上記公報の他に、例えば
特公平7−103000号公報、特公平7−515号公
報に示されているものがある。
Further, through the small diameter neck portion,
Since a single crystal having a large diameter and a large weight (150 to 200 kg or more) cannot be pulled, for example, Japanese Patent Publication No. 5-654.
As shown in Japanese Patent No. 77, after forming a small diameter neck portion by the Dash method, the pulling speed is relatively slow to form a large diameter, and then the pulling speed is relatively high to form a small diameter. A method has been proposed in which a "neck" is formed, and a large crystal having a large diameter and a large weight is pulled by gripping a neck below the large diameter portion with a gripping tool. Further, as a conventional device for gripping the constriction, for example, there are devices disclosed in Japanese Patent Publication No. 7-103000 and Japanese Patent Publication No. 7-515, in addition to the above publications.

【0005】また、他の従来例としては、例えば特開平
5−270974号公報、特開平7−172981号公
報に示されるように上記「くびれ」を形成しないでボデ
ィー部をそのまま把持する方法や、特開昭63−252
991号公報、特開平5−270975号公報に示され
るように上記「くびれ」の代わりに、上部コーン部とボ
ディー部の間にボディー部より径が大きい「環状部」を
形成し、この「環状部」の下を把持する方法が提案され
ている。
[0005] Further, as another conventional example, as described in, for example, JP-A-5-270974 and JP-A-7-172981, a method of holding the body portion without forming the above-mentioned "constriction", JP-A-63-252
No. 991, JP-A-5-270975, an "annular portion" having a larger diameter than the body portion is formed between the upper cone portion and the body portion instead of the "constriction". A method has been proposed for gripping under a "section".

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
の引上げ中に上記「くびれ」などを把持する把持具は、
繰り返し使用されるので、疲労により破損すると単結晶
が落下するという問題点がある。また、把持具は通常、
モータにより駆動されるので停電時には把持力が低下し
て単結晶が落下し、また、上記「くびれ」を把持する方
法では「くびれ」が破断すると単結晶が落下するという
問題点がある。なお、単結晶が落下すると、転位が発生
して単結晶が商品とならないばかりか、石英るつぼが破
損して最悪の場合には石英るつぼを回転、上下移動させ
るためのるつぼ軸の内部の冷却水と、高温の融液が反応
して水蒸気爆発が発生することがある。
However, a gripper for gripping the above-mentioned "constriction" during pulling of a single crystal,
Since it is used repeatedly, there is a problem that the single crystal falls when it is broken by fatigue. Also, gripping tools are usually
Since it is driven by a motor, the gripping force is reduced during a power failure and the single crystal falls, and the method of gripping the “constriction” has a problem that if the “constriction” breaks, the single crystal falls. In addition, when the single crystal falls, dislocations are generated and the single crystal does not become a product, and in the worst case, the quartz crucible is damaged and cooling water inside the crucible shaft for rotating and moving the quartz crucible up and down In such a case, the high-temperature melt reacts to cause a steam explosion.

【0007】本発明は上記従来の問題点に鑑み、引上げ
中の単結晶を把持具により把持する場合に引上げ中の単
結晶が落下することを防止することができる単結晶引上
げ装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention provides a single crystal pulling apparatus capable of preventing a single crystal being pulled from falling when the single crystal being pulled is gripped by a gripping tool. With the goal.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、単結晶を把持するにあたり、単結晶の異な
る位置でそれぞれ把持する2種類の把持具を用いる構成
としたものである。すなわち本発明によれば、種結晶を
支持する種結晶ホルダを回転させながら引き上げる種結
晶引上げ手段と、前記種結晶引上げ手段による引上げに
より前記種結晶の下に形成される単結晶の第1の把持位
置を把持する第1の把持手段と、前記種結晶引上げ手段
による引上げにより前記種結晶の下に形成される単結晶
の第2の把持位置を把持する第2の把持手段とを、有す
る単結晶引上げ装置が提供される。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a single crystal is gripped by using two types of gripping tools which are gripped at different positions of the single crystal. That is, according to the present invention, a seed crystal pulling means for pulling up while rotating a seed crystal holder supporting a seed crystal, and a first grip of a single crystal formed under the seed crystal by the pulling by the seed crystal pulling means A single crystal having first gripping means for gripping a position and second gripping means for gripping a second gripping position of a single crystal formed below the seed crystal by pulling by the seed crystal pulling means; A lifting device is provided.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明に係る単結晶引上げ
装置の一実施形態及びその引上げ工程を示す説明図であ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a single crystal pulling apparatus according to the present invention and a pulling step thereof.

【0010】図1において、ワイヤ1(シャフトでもよ
い)の先端には種結晶ホルダ2が取り付けられ、種結晶
ホルダ2には種結晶3が取り付けられる。ワイヤ1は図
示省略のワイヤ巻き取りドラム及びワイヤ巻き取りモー
タにより上方に巻き取られるように構成され、また、ワ
イヤ巻き取りドラム及びワイヤ巻き取りモータは同じく
図示省略のドラム回転モータにより回転可能に構成され
ている。そして、種結晶3を石英るつぼ内10のSi融
液11に浸漬させた後、引き上げることにより種結晶3
の下にネック部4、支持用の径拡大部5、くびれ部6、
結晶本体部分(ボディー部)7を形成する。
In FIG. 1, a seed crystal holder 2 is attached to the tip of a wire 1 (which may be a shaft), and a seed crystal 3 is attached to the seed crystal holder 2. The wire 1 is configured to be wound up by a wire winding drum and a wire winding motor (not shown), and the wire winding drum and the wire winding motor are rotatable by a drum rotation motor (not shown). Have been. Then, after immersing the seed crystal 3 in the Si melt 11 in the quartz crucible 10, the seed crystal 3 is pulled up.
Below, a neck portion 4, an enlarged diameter portion 5 for support, a constricted portion 6,
A crystal main body (body) 7 is formed.

【0011】また、ワイヤ1の周りには径拡大部5の下
のくびれ部6を把持するための2以上の第1の把持アー
ム12と、ボディー部7を把持するための2以上の第2
の把持アーム13が連結アーム14を介して連結されて
配置されている。把持アーム12、13はその先端がく
びれ部6、ボディー部7を把持するために不図示のアー
ム開閉モータにより開閉可能であるとともに、把持状態
でくびれ部6、ボディー部7を引き上げるために不図示
の上下移動モータにより上下移動可能に、かつドラム回
転モータによりワイヤ1とともに回転可能に構成されて
いる。そして、これらのモータは全て非常用無停電電源
装置(UPS)15から給電可能に構成されている。非
常用無停電電源装置15は停電時であっても、継続して
電力を供給可能な装置であり、種結晶ホルダ2の急激な
回転停止や、把持アーム12、13の把持力の消滅を防
止するものである。
Around the wire 1, two or more first gripping arms 12 for gripping the constricted portion 6 below the enlarged diameter portion 5 and two or more second gripping arms 12 for gripping the body portion 7.
Are connected to each other via a connecting arm 14. The gripping arms 12 and 13 can be opened and closed by an arm opening / closing motor (not shown) for gripping the constricted portion 6 and the body portion 7, and not shown for raising the constricted portion 6 and the body portion 7 in a gripped state. And a rotatable motor together with the wire 1 by a drum rotation motor. These motors are all configured so that power can be supplied from an emergency uninterruptible power supply (UPS) 15. The emergency uninterruptible power supply 15 is a device capable of continuously supplying power even during a power failure, and prevents sudden rotation stop of the seed crystal holder 2 and disappearance of the gripping force of the gripping arms 12 and 13. Is what you do.

【0012】このような構成において、単結晶本体7を
製造する場合、図示省略のチャンバ内を10torr程度に
減圧して新鮮なAr(アルゴン)ガスを流すとともに、
チャンバ内の下方に設けられた石英るつぼ10内の多結
晶を加熱して溶融し、また、図1(a)に示すようにワ
イヤ1を引き下げて、種結晶3を石英るつぼ10内のS
i融液11の表面に対して浸漬させ、なじませる。この
とき、アーム12、13は先端がSi融液11に接触し
ない位置に待機し、また、アーム12、13の先端は、
引上げ中の径拡大部5、ボディー部7に接触しないよう
に開いている。次いで所定時間の経過後に、図1(a)
の矢印M1方向にワイヤ1を引き上げて種結晶3を引き
上げる。
In such a configuration, when manufacturing the single crystal body 7, the pressure inside the chamber (not shown) is reduced to about 10 torr and fresh Ar (argon) gas is flown.
The polycrystal in the quartz crucible 10 provided below in the chamber is heated and melted, and the wire 1 is pulled down as shown in FIG.
i. Dipped into the surface of the melt 11 and allowed to blend in. At this time, the arms 12 and 13 stand by at a position where the tips do not contact the Si melt 11, and the tips of the arms 12 and 13
It is opened so as not to contact the enlarged diameter portion 5 and the body portion 7 during the pulling. Next, after a lapse of a predetermined time, FIG.
The wire 1 is pulled up in the direction of arrow M1 to pull up the seed crystal 3.

【0013】次いで図1(b)に示すように、種結晶3
を比較的速い速度で矢印M2方向に引き上げることによ
り、種結晶3の下に直径が3〜4mmの小径のネック部
4を形成させ、次いで引上げ速度を比較的遅くしてネッ
ク部4の下に径拡大部5を形成した後、引上げ速度を比
較的速くして径拡大部5の下にくびれ部6を形成させ、
次いでボディー部7の形成を開始させる。
Next, as shown in FIG.
Is pulled up in the direction of arrow M2 at a relatively high speed to form a small-diameter neck portion 4 having a diameter of 3 to 4 mm under the seed crystal 3, and then, at a relatively low pulling speed, to form a neck portion 4 under the neck portion 4. After forming the enlarged diameter portion 5, the pulling speed is relatively increased to form a constricted portion 6 below the enlarged diameter portion 5,
Next, the formation of the body 7 is started.

【0014】この引上げ中に図1(b)に示すように、
径拡大部5、ボディー部7がアーム12、13の先端位
置に上昇すると、図1(c)に示すようにアーム12、
13の先端が、矢印M3、M4、M5、M6で示す方
向、すなわち単結晶の軸に対して半径内方向に移動し
て、閉じるように駆動されて、それぞれくびれ部6、ボ
ディー部7を把持する。把持が完了するとワイヤ1とア
ーム12、13を一体で回転させながら矢印M7で示す
ように引き上げる。また、アーム12、13の開閉は、
アーム12の先端が閉じた後に、アーム13の先端が閉
じるようにしてもよい。すなわち、アーム12、13は
必ずしも同時に閉じる必要はない。
During the pulling up, as shown in FIG.
When the diameter-enlarging portion 5 and the body portion 7 rise to the tip positions of the arms 12 and 13, the arms 12, 13 as shown in FIG.
13 moves in the directions indicated by arrows M3, M4, M5, and M6, that is, in a radially inward direction with respect to the axis of the single crystal, and is driven to close to grip the constricted portion 6 and the body portion 7, respectively. I do. When the gripping is completed, the wire 1 and the arms 12 and 13 are lifted up as shown by the arrow M7 while rotating integrally. Opening and closing of the arms 12 and 13
After the tip of the arm 12 is closed, the tip of the arm 13 may be closed. That is, the arms 12 and 13 do not always need to be closed at the same time.

【0015】次に、図2を参照して第2の実施形態につ
いて説明する。この第2の実施形態では第1の実施形態
のように単結晶の支持用の径拡大部5、くびれ部6を形
成しないでネック部4の下にボディー部7を形成し、第
1、第2の把持アーム12、13が共にボディー部7を
把持するように構成されている。また、アーム12、1
3は回動軸16を介して連結されている。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the body portion 7 is formed below the neck portion 4 without forming the enlarged diameter portion 5 for supporting a single crystal and the constricted portion 6 as in the first embodiment, and the first and second portions are formed. The two gripping arms 12 and 13 are configured to grip the body 7 together. Also, the arms 12, 1
3 is connected via a rotating shaft 16.

【0016】このような構成において、単結晶本体を製
造する場合、図2(a)に示すようにワイヤ1を引き下
げて種結晶3を石英るつぼ10内のSi融液11の表面
に対して浸漬させて、なじませる。このとき、アーム1
2、13は先端がSi融液11に接触しない位置に待機
し、また、アーム12、13の先端は、引上げ中のボデ
ィー部7に接触しないように開いている。次いで所定時
間の経過後に、図2(a)の状態から、矢印M1で示す
方向に、ワイヤ1を引き上げて、種結晶3を引き上げ、
図2(b)に示すように、種結晶3を比較的速い速度で
矢印M2方向に引き上げることにより、種結晶3の下に
直径が3〜4mmの小径のネック部4を形成し、次いで
引上げ速度を徐々に遅くして、ネック部4の下にコーン
部を形成する。次いで引上げ速度を一定にすることによ
り、コーン部の下にボディー部7の形成を開始する。
In such a configuration, when a single crystal body is manufactured, the wire 1 is pulled down and the seed crystal 3 is immersed in the surface of the Si melt 11 in the quartz crucible 10 as shown in FIG. Let it blend in. At this time, arm 1
Reference numerals 2 and 13 stand by at positions where the tips do not contact the Si melt 11, and the tips of the arms 12 and 13 are open so as not to contact the body part 7 being pulled up. Next, after a lapse of a predetermined time, the wire 1 is pulled up in the direction shown by the arrow M1 from the state of FIG.
As shown in FIG. 2B, the seed crystal 3 is pulled up at a relatively high speed in the direction of the arrow M2 to form a small-diameter neck portion 4 having a diameter of 3 to 4 mm below the seed crystal 3 and then pulled up. The speed is gradually reduced to form a cone below the neck 4. Next, by making the pulling speed constant, formation of the body portion 7 under the cone portion is started.

【0017】この引上げ中に図2(b)に示すように、
ボディー部7がアーム12、13の先端位置に上昇する
と、図2(c)に示すようにアーム12、13の先端
が、矢印M3、M4、M5、M6で示す方向、すなわち
単結晶の軸に対して半径内方向に移動して、閉じるよう
に駆動されて共にボディー部7を把持し、把持が完了す
るとワイヤ1とアーム12、13を一体で回転させなが
ら、矢印M7で示すように引き上げる。アーム12、1
3の開閉は、アーム12の先端が閉じた後に、アーム1
3の先端が閉じるようにしてもよい。すなわち、アーム
12、13は必ずしも同時に閉じる必要はない。
During this pulling up, as shown in FIG.
When the body part 7 moves up to the tip positions of the arms 12 and 13, the tips of the arms 12 and 13 move in the directions indicated by arrows M3, M4, M5 and M6, ie, in the axis of the single crystal, as shown in FIG. On the other hand, it moves in a radially inward direction and is driven to close to grip the body part 7 together. When the gripping is completed, the wire 1 and the arms 12 and 13 are lifted up as shown by the arrow M7 while rotating together. Arms 12, 1
3 is opened and closed after the tip of the arm 12 is closed.
3 may be closed. That is, the arms 12 and 13 do not always need to be closed at the same time.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、把
持具を安全な二重構造として、単結晶の異なる位置を把
持する構成にしたので、把持具や引上げ中の単結晶が破
損しても単結晶が落下することを防止することができ、
また、把持具の駆動装置に無停電電源装置から給電する
ことにより停電時に単結晶が落下することを防止するこ
とができる。さらに、種結晶引上げ手段に無停電電源装
置から給電可能に構成しておくことにより停電時に単結
晶の回転が急激に停止して種結晶が破断することを防止
することができる。
As described above, according to the present invention, since the gripping tool has a safe double structure and is configured to grip different positions of the single crystal, the gripping tool and the single crystal being pulled are damaged. Can prevent the single crystal from falling,
In addition, by supplying power from the uninterruptible power supply to the driving device of the gripper, it is possible to prevent the single crystal from dropping during a power failure. Further, by configuring the seed crystal pulling means so as to be able to supply power from the uninterruptible power supply, it is possible to prevent the rotation of the single crystal from suddenly stopping and the seed crystal from breaking at the time of power failure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る単結晶引上げ装置の一実施形態及
びその引上げ工程を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a single crystal pulling apparatus according to the present invention and a pulling step thereof.

【図2】第2の実施形態の単結晶引上げ装置及びその引
上げ工程を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing a single crystal pulling apparatus according to a second embodiment and a pulling step thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ワイヤ 2 種結晶ホルダ 3 種結晶 5 支持用の径拡大部 6 くびれ部 7 単結晶本体(ボディー部) 10 石英るつぼ 11 Si融液 12,13 把持アーム 15 無停電電源装置(UPS) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wire 2 seed crystal holder 3 seed crystal 5 Enlarged diameter part for support 6 Constriction part 7 Single crystal main body (body part) 10 Quartz crucible 11 Si melt 12, 13 Gripping arm 15 Uninterruptible power supply (UPS)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 種結晶を支持する種結晶ホルダを回転さ
せながら引き上げる種結晶引上げ手段と、 前記種結晶引上げ手段による引上げにより前記種結晶の
下に形成される単結晶の第1の把持位置を把持する第1
の把持手段と、 前記種結晶引上げ手段による引上げにより前記種結晶の
下に形成される単結晶の第2の把持位置を把持する第2
の把持手段とを、 有する単結晶引上げ装置。
1. A seed crystal pulling means for pulling up while rotating a seed crystal holder supporting a seed crystal; and a first gripping position of a single crystal formed below the seed crystal by the pulling by the seed crystal pulling means. First to grip
Holding means for holding a second holding position of a single crystal formed under the seed crystal by pulling by the seed crystal pulling means.
A single crystal pulling apparatus comprising:
【請求項2】 前記第1の把持手段は、前記種結晶の下
に形成される径拡大部の下のくびれ部を把持し、前記第
2の把持手段は、前記くびれ部の下に形成されるボディ
ー部を把持するよう構成されている請求項1記載の単結
晶引上げ装置。
2. The method according to claim 1, wherein the first gripping means grips a constricted part below a diameter-enlarging part formed below the seed crystal, and the second gripping means is formed below the constricted part. The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the single crystal pulling apparatus is configured to grip a body portion.
【請求項3】 前記第1、第2の把持手段は共に、前記
種結晶の下に形成されるボディー部を把持するよう構成
されている請求項1記載の単結晶引上げ装置。
3. The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein both the first and second gripping means are configured to grip a body formed below the seed crystal.
【請求項4】 前記第1、第2の把持手段のいずれか一
方が、前記種結晶ホルダに取り付けられている請求項1
ないし3のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein one of said first and second holding means is attached to said seed crystal holder.
4. The single crystal pulling apparatus according to any one of items 1 to 3.
【請求項5】 前記第2の把持手段が前記第1の把持手
段に取り付けられているか、あるいは、前記第1の把持
手段が前記第2の把持手段に取り付けられている請求項
1ないし3のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
5. The method according to claim 1, wherein said second gripping means is attached to said first gripping means, or said first gripping means is attached to said second gripping means. The single crystal pulling apparatus according to any one of the above.
【請求項6】 前記第1、第2の把持手段の少なくとも
一方が無停電電源装置からの給電により駆動可能に構成
されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれ
か1つに記載の単結晶引上げ装置。
6. The apparatus according to claim 1, wherein at least one of said first and second gripping means is drivable by power supply from an uninterruptible power supply. Single crystal pulling equipment.
【請求項7】 前記種結晶引上げ手段が無停電電源装置
からの給電により駆動可能に構成されていることを特徴
とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の単結晶
引上げ装置。
7. The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the seed crystal pulling means is drivable by power supply from an uninterruptible power supply.
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