JPH10270342A - Device and method for manufacturing semiconductor - Google Patents

Device and method for manufacturing semiconductor

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JPH10270342A
JPH10270342A JP9087284A JP8728497A JPH10270342A JP H10270342 A JPH10270342 A JP H10270342A JP 9087284 A JP9087284 A JP 9087284A JP 8728497 A JP8728497 A JP 8728497A JP H10270342 A JPH10270342 A JP H10270342A
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JP
Japan
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exposure
shot
coordinates
wafer
determined
Prior art date
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Application number
JP9087284A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Utamura
信治 宇多村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH10270342A publication Critical patent/JPH10270342A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of reproducing treatment by quickly detecting a printing trouble which occurs during exposure by providing a means which again measures the position of a sample shot after exposure and discriminates the defectless/defective state of the exposure, based on the measured results. SOLUTION: In the figure, S1x-S4x and S1y-S4y indicate the positions of sample shot marks, respectively. In this embodiment, arrangement abnormality caused by a trouble which occurs during exposure is detected by executing a step of finding correction coordinates for alignment as they are immediately after printing. In an alignment process, such correction coordinates of a whole wafer that make the deviation between the designed positions of alignment marks for measuring positional coordinates preset on the wafer and the actual positions of the marks the minimum are found and printing of each shot is performed in accordance with the correction coordinates. Consequently, the presence/absence of the trouble can be detected during exposure from measurement results obtained after exposure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に基盤上
の複数の領域を順に焼き付けるステップアンドリピート
タイプの露光装置および該装置を用いた露光方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a step-and-repeat type exposure apparatus for sequentially printing a plurality of regions on a substrate on a wafer, and an exposure method using the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】重ね合わせ露光を行う半導体チップの製
造においては、複数の回路パターンを正確に位置合わせ
して焼付けを行なう必要があり、このために、ウエハ上
に予め設けられた複数の位置合わせ用のマーク(アライ
メントマーク)の位置情報により、焼付けのための補正
座標を求め、この補正座標に従い実際の焼付けを行なっ
ている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of a semiconductor chip to be subjected to overlay exposure, it is necessary to accurately align a plurality of circuit patterns and perform printing. For this reason, a plurality of alignment patterns previously provided on a wafer are required. Correction coordinates for printing are obtained from the position information of the mark for use (alignment mark), and actual printing is performed according to the correction coordinates.

【0003】以下、従来の半導体露光工程を図6のフロ
ーチャートを用いて説明する。まず、ステップs1にお
いて、ウエハが搬入され、ウエハステージ上にセットさ
れる。次にステップs2において、最初に計測するアラ
イメントマーク位置へ移動し、ステップs3において、
マークの位置を計測する。
Hereinafter, a conventional semiconductor exposure process will be described with reference to a flowchart of FIG. First, in step s1, a wafer is loaded and set on a wafer stage. Next, in step s2, the position is moved to the alignment mark position to be measured first, and in step s3,
Measure the position of the mark.

【0004】次に、ステップs4に進み、指定されたマ
ークの計測が終了したかどうかを判断し、計測が終了し
ていないと判断された場合、ステップs2に戻り、ステ
ップs2からステップs3までの処理を繰り返し、全て
のマークの計測が終了したと判断されるとステップs5
へ進む。ステップs5では、計測されたマークの位置情
報から補正座標を算出する。次にステップs6へ進み露
光を行なう。そして、ステップs7において、全ショッ
トの露光が終了したかどうかを判断し、全ショットの露
光が終了するまでステップs6の露光を繰り返す。全シ
ョットの露光が終了するとステップs8へ進みウエハの
回収を行う。
Next, the process proceeds to step s4, where it is determined whether or not the measurement of the designated mark has been completed. If it is determined that the measurement has not been completed, the process returns to step s2, and the process from step s2 to step s3 is performed. The process is repeated, and when it is determined that the measurement of all marks has been completed, step s5
Proceed to. In step s5, correction coordinates are calculated from the measured position information of the mark. Next, the process proceeds to step s6 to perform exposure. Then, in step s7, it is determined whether or not the exposure of all shots is completed, and the exposure of step s6 is repeated until the exposure of all shots is completed. When the exposure of all shots is completed, the process proceeds to step s8 to collect the wafer.

【0005】ステップs8において、ウエハを回収後、
ステップs9で、全ウエハの処理が終了したか否かの判
定を行ない、終了していないと判定されればステップs
1へ戻り次のウエハを搬入し、上記の処理を続行し、終
了していると判定されれば、装置の動作を終了させる。
In step s8, after collecting the wafer,
In step s9, it is determined whether or not processing of all wafers has been completed. If it is determined that processing has not been completed, step s9 is performed.
Returning to step 1, the next wafer is loaded, the above processing is continued, and if it is determined that the processing has been completed, the operation of the apparatus is terminated.

【0006】このフローチャートからも分かるように、
従来の半導体製造工程においては、アライメントのため
の補正座標を算出し補正を行なった後、ステップアンド
リピートによる焼付けを行なうが、焼付け終了後に配列
座標を確認するための処理がない。
As can be seen from this flowchart,
In the conventional semiconductor manufacturing process, printing is performed by step-and-repeat after calculating and correcting corrected coordinates for alignment. However, there is no process for confirming array coordinates after printing is completed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、焼付け途中
に、装置あるいは設備トラブル等により、露光の直前に
求めた補正座標に対し実際のウエハの状態がシフトや回
転により変化し、補正座標とずれてしまうことがある。
この場合、パターンの重ね合わせが正しく行なわれない
ため、不良チップとなってしまい再生処理が行なわれる
が、工程によっては、数工程も後にならないとこの不良
チップが発見されない場合があり、数工程分さかのぼっ
て再生処理を行なわなければならず、非効率的であっ
た。さらに、トラブルが見つかるまでの間大量の不良チ
ップを製造してしまう可能性もあった。
However, during printing, due to equipment or equipment trouble, the actual state of the wafer changes due to shift or rotation with respect to the correction coordinates obtained immediately before the exposure, and deviates from the correction coordinates. Sometimes.
In this case, since the pattern is not correctly superimposed, the chip becomes a defective chip and the reproducing process is performed. However, depending on the process, the defective chip may not be found until several steps later. The reproduction process has to be performed retroactively, which is inefficient. Further, there is a possibility that a large number of defective chips will be manufactured until a trouble is found.

【0008】本発明は、迅速にトラブル発生の有無を検
出することにより上記問題点を解決し、効率的で安全な
露光処理を行い得る半導体製造装置および半導体製造方
法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method capable of solving the above problems by quickly detecting the occurrence of a trouble and performing an efficient and safe exposure process. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、原板上のパターンを基板上の複数ショッ
ト位置に対してステップアンドリピート方式により順次
露光する露光装置であって、ショット位置のうちの所定
のサンプルショット位置について位置計測を行い、その
結果に基づいて各ショット位置の座標を得、得られた座
標に基き各ショット位置に対して順次位置決めして露光
を行うものにおいて、露光後に、サンプルショットにつ
いて再度位置計測を行い、その結果に基づいて露光の適
否を判断する手段を具備することを特徴とする。ここ
で、位置計測は各サンプルショット位置に設けられてい
るマークを検出することによって行い、各ショット位置
の座標は、各ショット位置の設計上の座標および位置計
測の結果から得る。
According to the present invention, there is provided an exposure apparatus for sequentially exposing a pattern on an original to a plurality of shot positions on a substrate by a step-and-repeat method. The position measurement is performed for a predetermined sample shot position among the above, the coordinates of each shot position are obtained based on the result, and the exposure is performed by sequentially positioning each shot position based on the obtained coordinates. It is characterized in that a means is provided for measuring the position of the sample shot again and judging the suitability of the exposure based on the result. Here, the position measurement is performed by detecting a mark provided at each sample shot position, and the coordinates of each shot position are obtained from the design coordinates of each shot position and the result of the position measurement.

【0010】また、通常、露光の適否の判断は、露光前
および露光後の位置計測結果を比較し、その差が所定の
許容範囲内にあるか否かにより行い、この結果、否と判
断したときは、露光処理を中止してもよいし、否と判断
した旨を出力し、そう判断した基板を回収し、次の基板
に対して露光処理を続行してもよい。また、本発明のデ
バイス製造方法は、原板上のパターンを基板上の複数シ
ョット位置に対してステップアンドリピート方式により
順次露光してデバイスを製造する方法であって、ショッ
ト位置のうちの所定のサンプルショット位置について位
置計測を行い、その結果に基づいて各ショット位置の座
標を得、得られた座標に基き各ショット位置に対して順
次位置決めして露光を行うものにおいて、上述の特徴を
有する露光装置を用いるものである。
[0010] In general, the suitability of the exposure is determined by comparing the position measurement results before and after the exposure and determining whether or not the difference is within a predetermined allowable range. At this time, the exposure processing may be stopped, or a message to the effect that the determination has been made may be output, the determined substrate may be collected, and the exposure processing may be continued for the next substrate. Further, the device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a device by sequentially exposing a pattern on an original plate to a plurality of shot positions on a substrate by a step-and-repeat method, wherein a predetermined sample of the shot positions is sampled. An exposure apparatus having the features described above, in which a position is measured for a shot position, coordinates of each shot position are obtained based on the result, and exposure is performed by sequentially positioning each shot position based on the obtained coordinates. Is used.

【0011】以上の構成を有する本発明によれば、露光
直前に求められた補正座標に従って、正しく露光が行な
われたことを露光直後に確認することが可能となり、迅
速にトラブル発生の有無を検出することができる。
According to the present invention having the above configuration, it is possible to confirm immediately after exposure that correct exposure has been performed, in accordance with the correction coordinates obtained immediately before exposure, and to quickly detect the occurrence of a trouble. can do.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0013】[0013]

【実施例1】図1は、本実施例に係る露光直後のショッ
トの配列を測定するためのサンプルショットの配置の一
例であり、同図において、S1x〜S4xおよびS1y
〜S4yは各々サンプルショットのマーク位置を示して
いる。なお、図1におけるサンプルショットは、アライ
メント用補正座標算出用と同一のものである。
Embodiment 1 FIG. 1 shows an example of the arrangement of sample shots for measuring the arrangement of shots immediately after exposure according to this embodiment. In FIG. 1, S1x to S4x and S1y are shown.
S4y indicate the mark positions of the sample shots. Note that the sample shots in FIG. 1 are the same as those for calculating the correction coordinates for alignment.

【0014】本実施例では、半導体パターンの焼付け工
程の特に重ね合わせ工程に注目し、重ね合わせのための
補正座標を求める処理を、そのまま焼付け終了直後に実
施することにより、露光中のトラブルによる配列異常を
検出するものである。アライメント工程では、予め設定
された、ウエハ上の位置座標計測用のアライメントマー
クの設計上の位置と、実際のマーク位置とのずれ量か
ら、これらのずれ量が最小となるようなウエハ全体の補
正座標を求め、この補正座標に従って各ショットの焼付
けが行なわれる。よって、露光途中に装置または設備ト
ラブル等により、補正された時の状態が変化しない限
り、露光後に同一マークを計測した場合、ずれ量は非常
に小さな量になるはずである。以上より、露光後の計測
結果により、露光中のトラブルの有無を検出することが
可能である。
In this embodiment, attention is paid particularly to the overlaying process of the semiconductor pattern printing process, and the processing for obtaining the correction coordinates for the overlay is carried out immediately after the completion of the printing, so that the alignment due to the trouble during exposure can be achieved. This is to detect an abnormality. In the alignment process, the entire wafer is corrected so that these deviations are minimized based on the deviation between a preset design position of the alignment mark for position coordinate measurement on the wafer and the actual mark position. The coordinates are obtained, and each shot is printed according to the corrected coordinates. Therefore, if the same mark is measured after exposure as long as the corrected state does not change due to a device or facility trouble during exposure, the deviation amount should be very small. As described above, it is possible to detect the presence or absence of a trouble during the exposure based on the measurement result after the exposure.

【0015】以下、図2のフローチャートにより、本実
施例に係る半導体露光工程を説明する。まず、ステップ
s1において、ウエハが搬入され、ウエハステージ上に
セットされる。次にステップs2において、図1に示さ
れるアライメントマーク位置s1×へ移動し、ステップ
s3において、マークの位置を計測する。次に、ステッ
プs4に進み、指定されたマークの計測が終了したかど
うかを判断し、計測が終了していないと判定された場
合、ステップs2に戻り、ステップs2からステップs
3までの処理を繰り返し、全てのマークの計測が終了し
たと判断されるとステップs5へ進む。ステップs5で
は、計測されたマークの位置情報から補正座標を算出す
る。次に、ステップs6において、マーク計測が終了し
たウエハが既に露光されたウエハかどうかを判断し、露
光済みの場合はステップs12へ進み、露光されていな
い場合はステップs7へ進み露光を行なう。
Hereinafter, the semiconductor exposure process according to this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. First, in step s1, a wafer is loaded and set on a wafer stage. Next, in step s2, the position is moved to the alignment mark position s1 × shown in FIG. 1, and in step s3, the position of the mark is measured. Next, the process proceeds to step s4, where it is determined whether or not the measurement of the designated mark has been completed. If it is determined that the measurement has not been completed, the process returns to step s2, and the process proceeds from step s2 to step s2.
The process up to 3 is repeated, and when it is determined that the measurement of all the marks has been completed, the process proceeds to step s5. In step s5, correction coordinates are calculated from the measured position information of the mark. Next, in step s6, it is determined whether or not the wafer on which the mark measurement has been completed is already exposed. If the wafer has been exposed, the process proceeds to step s12. If not, the process proceeds to step s7 to perform exposure.

【0016】次にステップs8において、全ショットの
露光が終了したかどうかを判断し、終了していない場
合、ステップs7へ戻り、全ショットの露光が終了する
までステップs7の露光を繰り返す。そして、全ショッ
トの露光が終了するとステップs9へ進む。ステップs
9では、今回の発明である露光後の配列座標の確認を実
施するか否かの判断を行ない、実施する場合にはステッ
プs2へ戻り、再度アライメントマークの位置計測を行
ない、実施しない場合は、ステップs10へ進みウエハ
の回収を行う。
Next, in step s8, it is determined whether or not the exposure of all shots has been completed. If not, the process returns to step s7 and repeats the exposure of step s7 until the exposure of all shots is completed. When the exposure for all shots is completed, the process proceeds to step s9. Steps
In step 9, it is determined whether or not to confirm the array coordinates after exposure according to the present invention. If so, the process returns to step s2, and the position of the alignment mark is measured again. Proceeding to step s10, the wafer is collected.

【0017】露光後の配列座標の確認のためにステップ
s2へ戻った場合、ステップs6において、ウエハが既
に露光済みと判断されるため、ステップs12へ進むこ
とになる。ステップs12では、露光後に計測された位
置情報から求められた配列座標による補正量と、露光前
に計測された位置情報から求められた配列座標による補
正量とを比較し、この結果が予め設定されたトレランス
以内であれば露光に異常なしと判断し、ステップs10
へ進み、ウエハを回収する。また、補正量の比較結果が
トレランスを越えた場合は逆に異常ありと判断し、ステ
ップs13へ進み、処理を中断する。シーケンスが中断
した場合、オペレータによるウエハ回収の指示待ちとな
る。
When the process returns to step s2 to confirm the array coordinates after exposure, it is determined in step s6 that the wafer has already been exposed, so the process proceeds to step s12. In step s12, the correction amount based on the array coordinates obtained from the position information measured after the exposure is compared with the correction amount based on the array coordinates obtained from the position information measured before the exposure, and the result is set in advance. If it is within the tolerance, it is determined that there is no abnormality in the exposure, and step s10
Then, the wafer is collected. On the other hand, if the comparison result of the correction amounts exceeds the tolerance, it is determined that there is an abnormality, and the process proceeds to step s13 to interrupt the processing. When the sequence is interrupted, the process waits for an instruction to collect a wafer by the operator.

【0018】ステップs10において、ウエハを回収
後、ステップs11で、全ウエハの処理が終了したか否
かの判定を行ない、終了していないと判定されればステ
ップs1へ戻り次のウエハを搬入し、上記の処理を続行
し、終了していると判定されれば、装置の動作を終了さ
せる。なお、本実施例では、既にあるアライメント補正
用の処理(ステップs2〜ステップs5)を利用して、
配列座標の確認を行なったが、全く別の配列座標計測用
の処理を新たに追加しても良い。
After collecting the wafers in step s10, it is determined in step s11 whether or not the processing of all the wafers has been completed. If it is determined that the processing has not been completed, the flow returns to step s1 to carry in the next wafer. The above processing is continued, and if it is determined that the processing has been completed, the operation of the apparatus is terminated. In the present embodiment, utilizing the existing alignment correction processing (steps s2 to s5),
Although the arrangement coordinates have been checked, completely different arrangement coordinate measurement processing may be added.

【0019】[0019]

【実施例2】実施例1では、露光後の配列座標がトレラ
ンスを越えた場合、装置動作を中断しオペレータによる
アシスト待ちとした。しかし、近年半導体製造ラインで
はオンラインによる自動運転が行なわれてきている。本
実施例は、このような自動運転に対応するものである。
Second Embodiment In the first embodiment, when the array coordinates after exposure exceed the tolerance, the operation of the apparatus is interrupted and the operator waits for assistance. However, in recent years, online automatic operation has been performed in semiconductor manufacturing lines. The present embodiment corresponds to such automatic driving.

【0020】図3は、本実施例に係る半導体露光工程を
示すフローチャートである。なお、図3において、ステ
ップs1からステップs12までの動作は、図2のステ
ップs1からステップs12までと同じである。図3に
おいて、ステップs12で露光後の配列座標が異常であ
ると判断された場合は、ステップs13でホストコンピ
ュータへ異常発生報告を行なう。次に、ステップs14
へ進み、異常ウエハを自動回収するか否かを判断し、自
動回収する場合には、ステップs15へ進み、異常が発
生したロット番号、ウエハ番号、露光量、アライメント
オフセット等の露光情報を記憶し、ホストコンピュータ
へ報告し、ステップs16へ進み、再生処理用の別のウ
エハキャリアへ異常ウエハを回収する。その後、ステッ
プs11へ進み引続き露光処理を行なう。
FIG. 3 is a flowchart showing a semiconductor exposure process according to this embodiment. In FIG. 3, the operations from step s1 to step s12 are the same as those from step s1 to step s12 in FIG. In FIG. 3, when it is determined in step s12 that the array coordinates after exposure are abnormal, an abnormality occurrence report is made to the host computer in step s13. Next, step s14
Then, it is determined whether or not the abnormal wafer is to be automatically collected. If the abnormal wafer is to be automatically collected, the process proceeds to step s15, where exposure information such as a lot number, a wafer number, an exposure amount, and an alignment offset in which the abnormality has occurred is stored. To the host computer, and proceeds to step s16, where abnormal wafers are collected in another wafer carrier for reproduction processing. Thereafter, the process proceeds to step s11, where the exposure process is continuously performed.

【0021】ステップs14において、自動回収しない
と判断された場合、ステップs17へ進み装置動作を中
断しオペレータによるアシスト待ちとなる。なお、異常
ウエハを自動回収するか否かは、露光処理開始時に予め
選択可能である。また、ホストコンピュータでは、異常
発生報告と共に、発生時の日時等を記録することによ
り、異常発生の履歴を管理することも可能である。
If it is determined in step s14 that automatic collection is not to be performed, the flow advances to step s17 to interrupt the operation of the apparatus and wait for an assist by the operator. Whether or not to automatically collect abnormal wafers can be selected in advance at the start of the exposure processing. In addition, the host computer can manage the history of the occurrence of abnormalities by recording the date and time of the occurrence together with the abnormality occurrence report.

【0022】[0022]

【実施例3】次に、上記説明した露光装置を利用したデ
バイスの生産方法を説明する。図4は微小デバイス(I
CやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示
す。ステップS21(回路設計)では半導体デバイスの
回路設計を行う。ステップS22(マスク製作)では設
計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ス
テップS23(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップS24(ウエ
ハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと
ウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に
実際の回路を形成する。次のステップS25(組み立
て)は後工程と呼ばれ、ステップS24によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケ
ージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ
S26(検査)では、ステップS25で作製された半導
体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷(ステップS27)される。
Embodiment 3 Next, a method for producing a device using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 4 shows a small device (I
1 shows a flow of manufacturing semiconductor chips such as C and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, and the like. In step S21 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. In step S22 (mask production), a mask on which the designed pattern is formed is produced. On the other hand, in step S23 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step S24 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step S25 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step S24, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step S26 (inspection), inspections such as an operation check test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step S25 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step S27).

【0023】図5は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップS31(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS32(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS33(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS34
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS35(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS36(露光)では上記説明した露光の
適否を確認する手段を有する露光装置によってマスクの
回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップS37
(現像)では露光したウエハを現像する。ステップS3
8(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を
削り取る。ステップS39(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップSを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
FIG. 5 shows a detailed flow of the wafer process. In step S31 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step S32 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S33 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. Step S34
In (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step S35 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S36 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed onto the wafer by exposure using an exposure apparatus having means for confirming the suitability of the above-described exposure. Step S37
In (development), the exposed wafer is developed. Step S3
In step 8 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step S39 (resist removal), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps S, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0024】本実施例ではこの繰り返しの各プロセスに
おいて、上記述べたように露光(ステップS36)後
に、正確な位置で露光したかを判断することにより不良
の発生したウエハを後工程に流すことなく、効率的なデ
バイスの製造を可能としている。本実施例の製造方法を
用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デ
バイスを低コストで製造することができる。
In the present embodiment, in each of the repetitive processes, as described above, after the exposure (step S36), it is determined whether or not exposure has been performed at an accurate position, so that a defective wafer can be prevented from flowing to a subsequent process. , Enabling efficient device manufacturing. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which was conventionally difficult to manufacture, at low cost.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明では、露光後のウエハの座標計測
を、既にあるアライメント用の処理を利用して行なうこ
とにより、システムの大きな変更を行なわなくて良く、
簡単に導入することが出来る。また、本発明により、露
光途中での焼付けのトラブルを迅速に検出することがで
き、再生処理の効率アップ、および大量の不良チップの
製造を防ぐことができる。また、オンラインによる自動
化対応として、異常ウエハの自動回収機能および、異常
発生時のウエハの露光情報をホストコンピュータに報告
することにより、異常発生時の各ウエハの露光情報を記
録できるようになり、オペレータを介さず、より迅速な
再生処理が可能になる。
According to the present invention, the coordinate measurement of the wafer after exposure is performed by utilizing the existing alignment processing, so that the system does not need to be largely changed.
It can be easily introduced. Further, according to the present invention, it is possible to quickly detect a printing trouble during exposure, to improve the efficiency of the reproducing process, and to prevent the production of a large number of defective chips. In addition, as a response to online automation, by automatically collecting abnormal wafers and reporting wafer exposure information when an abnormality occurs to the host computer, it becomes possible to record exposure information for each wafer when an abnormality occurs. A quicker reproduction process becomes possible without going through.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明で使用するサンプルショットの配置図
である。
FIG. 1 is a layout diagram of sample shots used in the present invention.

【図2】 実施例1に係る半導体露光工程を示すフロー
チャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a semiconductor exposure process according to the first embodiment.

【図3】 実施例2に係る半導体露光工程を示すフロー
チャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a semiconductor exposure process according to a second embodiment.

【図4】 実施例3に係る微小デバイスの製造のフロー
を示す図。
FIG. 4 is a view showing a flow of manufacturing a micro device according to a third embodiment.

【図5】 図4のウエハプロセスの詳細なフローを示す
図。
FIG. 5 is a diagram showing a detailed flow of the wafer process of FIG. 4;

【図6】 従来の半導体露光工程を示すフローチャート
である。
FIG. 6 is a flowchart showing a conventional semiconductor exposure process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S1x、S1y、S2x、S2y、S3x、S3y、S
4x、S4y:アライメントマーク位置。
S1x, S1y, S2x, S2y, S3x, S3y, S
4x, S4y: alignment mark position.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 原板上のパターンを基板上の複数ショッ
ト位置に対してステップアンドリピート方式により順次
露光する露光装置であって、前記ショット位置のうちの
所定のサンプルショット位置について位置計測を行い、
その結果に基づいて各ショット位置の座標を得、得られ
た座標に基き各ショット位置に対して順次位置決めして
露光を行うものにおいて、 露光後に、前記サンプルショットについて再度位置計測
を行い、その結果に基づいて露光の適否を判断する手段
を具備することを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus for sequentially exposing a pattern on an original to a plurality of shot positions on a substrate by a step-and-repeat method, wherein position measurement is performed on a predetermined sample shot position among the shot positions,
Based on the result, the coordinates of each shot position are obtained, and based on the obtained coordinates, the position is sequentially determined with respect to each shot position and exposure is performed. After the exposure, the position of the sample shot is measured again. An exposure apparatus comprising: means for determining whether or not exposure is appropriate based on the condition.
【請求項2】 前記位置計測は各サンプルショット位置
に設けられているマークを検出することによって行い、
前記各ショット位置の座標は、各ショット位置の設計上
の座標および前記位置計測の結果から得ることを特徴と
する請求項1記載の露光装置。
2. The position measurement is performed by detecting a mark provided at each sample shot position.
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the coordinates of each shot position are obtained from design coordinates of each shot position and a result of the position measurement.
【請求項3】 前記露光の適否の判断は、露光前および
露光後の前記位置計測結果を比較し、その差が所定の許
容範囲内にあるか否かにより行うことを特徴とする請求
項1または2記載の露光装置。
3. The method according to claim 1, wherein the determination of the suitability of the exposure is performed by comparing the position measurement results before and after the exposure and determining whether the difference is within a predetermined allowable range. Or the exposure apparatus according to 2.
【請求項4】 前記露光の適否の判断を行った結果、否
と判断したときは、露光処理を中止することを特徴とす
る請求項1〜3記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein, as a result of the determination of the suitability of the exposure, when the determination is negative, the exposure processing is stopped.
【請求項5】 前記露光の適否の判断を行った結果、否
と判断したときは、その旨を出力し、そう判断した基板
を回収し、次の基板に対して露光処理を続行することを
特徴とする請求項1〜3記載の露光装置。
5. As a result of the determination of the suitability of the exposure, when it is determined that the exposure is not appropriate, the fact is outputted, the substrate determined as such is collected, and the exposure processing for the next substrate is continued. 4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項6】 原板上のパターンを基板上の複数ショッ
ト位置に対してステップアンドリピート方式により順次
露光してデバイスを製造する方法であって、前記ショッ
ト位置のうちの所定のサンプルショット位置について位
置計測を行い、その結果に基づいて各ショット位置の座
標を得、得られた座標に基き各ショット位置に対して順
次位置決めして露光を行うものにおいて、 露光後に、前記サンプルショットについて再度位置計測
を行い、その結果に基づいて露光の適否を判断する工程
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
6. A method of manufacturing a device by sequentially exposing a pattern on an original to a plurality of shot positions on a substrate by a step-and-repeat method, wherein a position of a predetermined sample shot position among the shot positions is determined. Measurement is performed, the coordinates of each shot position are obtained based on the result, and the position is sequentially determined with respect to each shot position based on the obtained coordinates to perform the exposure. After the exposure, the position measurement is performed again on the sample shot. A device manufacturing method comprising the steps of: determining whether or not exposure is appropriate based on the result.
【請求項7】 前記位置計測は各サンプルショット位置
に設けられているマークを検出することによって行い、
前記各ショット位置の座標は、各ショット位置の設計上
の座標および前記位置計測の結果から得ることを特徴と
する請求項6記載のデバイス製造方法。
7. The position measurement is performed by detecting a mark provided at each sample shot position.
7. The device manufacturing method according to claim 6, wherein the coordinates of each shot position are obtained from design coordinates of each shot position and a result of the position measurement.
【請求項8】 前記露光の適否の判断は、露光前および
露光後の前記位置計測結果を比較し、その差が所定の許
容範囲内にあるか否かにより行うことを特徴とする請求
項6または7記載のデバイス製造方法。
8. The method according to claim 6, wherein the determination of the suitability of the exposure is performed by comparing the position measurement results before and after the exposure and determining whether the difference is within a predetermined allowable range. Or the device manufacturing method according to 7.
【請求項9】 前記露光の適否の判断を行った結果、否
と判断したときは、露光処理を中止することを特徴とす
る請求項6〜8記載のデバイス製造方法。
9. The device manufacturing method according to claim 6, wherein the exposure process is stopped when it is determined that the exposure is appropriate or not.
【請求項10】 前記露光の適否の判断を行った結果、
否と判断したときは、その旨を出力し、そう判断した基
板を回収し、次の基板に対して露光処理を続行すること
を特徴とする請求項6〜8記載のデバイス製造方法。
10. As a result of determining whether or not the exposure is appropriate,
9. The device manufacturing method according to claim 6, wherein when the determination is negative, the fact is output, the determined substrate is collected, and the exposure processing is continued for the next substrate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000029347A (en) * 1998-10-28 2000-05-25 카네코 히사시 Reticle having mark for detecting alignment and method for detecting alignment
JP2006276351A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Toppan Printing Co Ltd Method for confirming pattern position accuracy of proximity exposure device and device therefor
CN100416761C (en) * 2004-11-02 2008-09-03 力晶半导体股份有限公司 Method for verifying optical mask

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