JPH10261689A - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus

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JPH10261689A
JPH10261689A JP6521897A JP6521897A JPH10261689A JP H10261689 A JPH10261689 A JP H10261689A JP 6521897 A JP6521897 A JP 6521897A JP 6521897 A JP6521897 A JP 6521897A JP H10261689 A JPH10261689 A JP H10261689A
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space
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彰彦 森田
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Joichi Nishimura
讓一 西村
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fully provide a substrate treating apparatus which prevents specified different treatments from being affected with each other by the other atmosphere. SOLUTION: A substrate treating apparatus has two treatment spaces A and B partitioned by a bulkhead 200 extending in vertical direction. Each treatment space A and B includes a plurality of stories. In the treatment space A, a plurality of treatment units to perform the treatment before exposure are arranged. In the treatment space A, a carry unit 11 is arranged, and in the treatment space B, a carry unit 21 is arranged. A delivery chamber SH is arranged covering the treatment chamber A and the treatment chamber B. In the delivery chamber SH, a delivery unit 31 which performs the delivery of a substrate with the carry unit 11 in the treatment space A, and the carry unit 21 in the treatment chamber B is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶ガラス表示用ガラス
基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス
基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置
が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロ
セスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々を
ユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理
装置が用いられている。
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus is used to perform various processes on substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for liquid crystal glass display, a glass substrate for a photomask, and a glass substrate for an optical disk. For example, in a semiconductor device manufacturing process, a substrate processing apparatus in which each of a series of processes is unitized and a plurality of processing units are integrated is used in order to increase production efficiency.

【0003】図17は従来の基板処理装置の一例を示す
平面図である。図17の基板処理装置は、2つの搬送領
域a,bを備える。正面側には基板にフォトレジスト等
の処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット(スピン
コータ)SCおよび基板に現像処理を行う回転式現像ユ
ニット(スピンデベロッパ)SDが並設されている。ま
た、搬送領域aと搬送領域bとの間には、基板に密着強
化処理を行う密着強化ユニットAH、基板に加熱処理を
行う加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板に
冷却処理を行う冷却ユニット(クーリングプレート)C
Pがそれぞれ複数段に配置されている。
FIG. 17 is a plan view showing an example of a conventional substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus in FIG. 17 includes two transfer areas a and b. On the front side, a rotary coating unit (spin coater) SC for performing a coating process of a processing liquid such as a photoresist on the substrate and a rotary developing unit (spin developer) SD for performing a developing process on the substrate are provided side by side. Further, between the transfer area a and the transfer area b, an adhesion strengthening unit AH for performing the adhesion strengthening processing on the substrate, a heating unit (hot plate) HP for performing the heating processing for the substrate, and a cooling unit (for cooling the substrate) Cooling plate) C
P is arranged in a plurality of stages.

【0004】搬送領域aには、基板を矢印Sの方向に搬
送するとともに回転式塗布ユニットSCおよび回転式現
像ユニットSDに対して基板の搬入および搬出を行う搬
送ユニットTR1が設けられている。また、搬送領域b
には、基板を矢印Sの方向に搬送するとともに密着強化
ユニットAH、加熱ユニットHPおよび冷却ユニットC
Pに対して基板の搬入および搬出を行う搬送ユニットT
R2が設けられている。
In the transfer area a, there is provided a transfer unit TR1 for transferring the substrate in the direction of the arrow S and for carrying the substrate in and out of the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD. Also, the transport area b
The substrate is transported in the direction of arrow S, and the adhesion strengthening unit AH, the heating unit HP, and the cooling unit C
Transport unit T for loading and unloading substrates to and from P
R2 is provided.

【0005】この基板処理装置の一端部側には、基板を
収納するとともに基板の搬入および搬出を行う搬入搬出
装置(インデクサ)INDが配置されている。搬入搬出
装置INDは、基板を収納する複数のカセット10およ
び基板の搬入および搬出を行う搬送ユニット61を備え
る。搬送ユニット61は、矢印Uの方向に移動し、カセ
ット10から基板を取り出して搬送領域bの搬送ユニッ
トTR2に渡し、一連の処理が施された基板を搬送領域
bの搬送ユニットTR2から受け取ってカセット10に
戻す。
A loading / unloading device (indexer) IND for storing the substrate and loading and unloading the substrate is disposed at one end of the substrate processing apparatus. The loading / unloading device IND includes a plurality of cassettes 10 for accommodating the substrates and a transport unit 61 for loading and unloading the substrates. The transport unit 61 moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate from the cassette 10, passes it to the transport unit TR2 in the transport area b, receives the substrate on which a series of processing has been performed from the transport unit TR2 in the transport area b, and Return to 10.

【0006】この基板処理装置の他端部側には、外部の
装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し装置(イン
タフェース)IFが設けられている。ここでは、外部の
装置として露光装置STが配置されている。受け渡し装
置IFは、搬送ユニット62を備える。搬送ユニット6
2は、矢印Uの方向に移動し、搬送領域bの搬送ユニッ
トTR2から受け取った基板を露光装置STに渡し、露
光装置STから受け取った基板を搬送領域bの搬送ユニ
ットTR2に渡す。
At the other end of the substrate processing apparatus, a transfer device (interface) IF for transferring a substrate to and from an external device is provided. Here, an exposure apparatus ST is arranged as an external apparatus. The transfer device IF includes a transport unit 62. Transport unit 6
2 moves in the direction of arrow U, passes the substrate received from the transport unit TR2 in the transport area b to the exposure apparatus ST, and passes the substrate received from the exposure apparatus ST to the transport unit TR2 in the transport area b.

【0007】ここで、図17の基板処理装置における処
理の一例を説明する。まず、カセット10から取り出さ
れた基板に密着強化ユニットAHで密着強化処理を行
う。密着強化処理では、次の工程で塗布されるフォトレ
ジストと基板との間の密着性を強化するために、密着強
化剤としてHMDS(ヘキサメチレンジシラザン)が基
板上に塗布される。
Here, an example of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 17 will be described. First, the substrate taken out of the cassette 10 is subjected to adhesion strengthening processing by the adhesion strengthening unit AH. In the adhesion strengthening process, HMDS (hexamethylene disilazane) is applied on the substrate as an adhesion enhancer in order to enhance the adhesion between the photoresist applied in the next step and the substrate.

【0008】次に、密着強化処理が行われた基板に対し
て冷却ユニットCPで冷却処理を行った後、回転式塗布
ユニットSCでフォトレジストを塗布し、加熱ユニット
HPで加熱処理を行い、冷却ユニットCPで冷却処理を
行った後、露光装置STに搬送する。
Next, after the substrate subjected to the adhesion strengthening process is subjected to a cooling process in a cooling unit CP, a photoresist is applied in a rotary coating unit SC, and a heating process is performed in a heating unit HP. After performing the cooling process in the unit CP, it is transported to the exposure apparatus ST.

【0009】露光装置STで露光された基板にポストエ
クスポージャベークを行った後、回転式現像ユニットS
Dで現像処理を行い、加熱ユニットHPで加熱処理を行
い、冷却ユニットCPで冷却処理を行った後、カセット
10に収納する。その後、その基板に対して他の装置に
おいてエッチング処理が行われる。
After the substrate exposed by the exposure apparatus ST is subjected to post-exposure baking, the rotary developing unit S
The developing process is performed in D, the heating process is performed in the heating unit HP, and the cooling process is performed in the cooling unit CP. Thereafter, the substrate is subjected to an etching process in another apparatus.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の高集積化を図るために、微細パターンの形成が可能な
高感度の化学増幅型レジストが用いられるようになって
いる。この化学増幅型レジストは、ベース樹脂、酸発生
剤および溶剤からなり、露光処理の際に、レーザ光を受
けると、酸発生剤から酸が発生し、この酸がベース樹脂
と反応してレジストパターンを形成する。
In recent years, in order to achieve high integration of semiconductor devices, highly sensitive chemically amplified resists capable of forming fine patterns have been used. This chemically amplified resist is composed of a base resin, an acid generator and a solvent. When exposed to laser light during the exposure treatment, an acid is generated from the acid generator, and the acid reacts with the base resin to form a resist pattern. To form

【0011】この化学増幅型レジストは、アルカリ成分
に触れると、化学触媒反応が停止する。そのため、露光
装置STによる露光後に、化学増幅型レジストが雰囲気
中のアンモニア成分にさらされると、露光により生成さ
れた酸が中和され、露光パターンが消失したり、露光精
度が損なわれる。
When the chemically amplified resist comes into contact with an alkali component, the chemical catalytic reaction stops. Therefore, when the chemically amplified resist is exposed to the ammonia component in the atmosphere after exposure by the exposure apparatus ST, the acid generated by the exposure is neutralized, and the exposure pattern disappears or the exposure accuracy is impaired.

【0012】一方、密着強化ユニットAHによる密着強
化処理では、上記のようにHMDSが密着強化剤として
用いられる。このHMDSは水分と接触するとアンモニ
ア(アルカリ成分)を発生する性質を有する。したがっ
て、密着強化ユニットAHから外部に漏洩したHMDS
が空気中の水分と接触すると、アンモニアが発生する。
On the other hand, in the adhesion strengthening treatment by the adhesion strengthening unit AH, HMDS is used as an adhesion strengthening agent as described above. This HMDS has a property of generating ammonia (alkali component) when it comes into contact with moisture. Therefore, HMDS leaked to the outside from the adhesion strengthening unit AH
When ammonia comes in contact with moisture in the air, ammonia is generated.

【0013】このため、露光装置STによる露光後の基
板が密着強化ユニットAHの近くを通過すると、アンモ
ニア成分により露光パターンの消失または露光精度の低
下が起こるという問題がある。
For this reason, when the substrate exposed by the exposure apparatus ST passes near the adhesion strengthening unit AH, there is a problem in that the exposure pattern is lost or the exposure accuracy is reduced due to the ammonia component.

【0014】また、上記の従来の基板処理装置では、搬
入搬出装置INDの搬送ユニット61および受け渡し装
置IFの搬送ユニット62に加えて、各処理ユニットに
対して基板の搬入および搬出を行うために搬送ユニット
TR1,TR2が設けられている。これにより、基板処
理装置の設置面積(フットプリント)が大きくなるとい
う問題がある。
In the above-described conventional substrate processing apparatus, in addition to the transport unit 61 of the loading / unloading device IND and the transport unit 62 of the transfer device IF, the transport unit is used for loading and unloading the substrate to and from each processing unit. Units TR1 and TR2 are provided. As a result, there is a problem that the installation area (footprint) of the substrate processing apparatus becomes large.

【0015】さらに、上記の従来の基板処理装置では、
搬送領域aが基板処理装置の中央部に設けられているの
で、搬送ユニットTR1の保守を行うためには、周囲の
処理ユニットを取り外さなくてはならない。それによ
り、搬送ユニットTR1の保守を簡単に行うことができ
ないという問題がある。
Further, in the above-mentioned conventional substrate processing apparatus,
Since the transfer area a is provided in the center of the substrate processing apparatus, in order to perform maintenance of the transfer unit TR1, the surrounding processing units must be removed. Thus, there is a problem that maintenance of the transport unit TR1 cannot be easily performed.

【0016】本発明の目的は、所定の異なる処理が互い
に他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止された
基板処理装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which predetermined different processes are sufficiently prevented from being affected by the other atmosphere.

【0017】本発明の他の目的は、所定の異なる処理が
互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止さ
れ、かつ設置面積の低減化が可能な基板処理装置を提供
することである。
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which predetermined different processes are sufficiently prevented from being affected by the other atmosphere and the installation area can be reduced.

【0018】本発明のさらに他の目的は、所定の異なる
処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に
防止され、かつ保守を容易に行うことが可能な基板処理
装置を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which predetermined different processes are sufficiently prevented from being affected by the other atmosphere and maintenance can be easily performed. is there.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板処理装置は、互いに雰囲気が遮断された
第1および第2の処理空間を備え、第1の処理空間と第
2の処理空間とにわたる受け渡し室が設けられ、受け渡
し室内には、第1の処理空間と第2の処理空間との間で
基板の受け渡しを行う受け渡し手段が設けられ、第1の
処理空間には、基板に所定の処理を行う1または複数の
第1の処理部、および第1の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第1の搬送手段が設けられ、第2の
処理空間には、基板に所定の処理を行う1または複数の
第2の処理部、および第2の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第2の搬送手段が設けられたもので
ある。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes first and second processing spaces whose atmospheres are shut off from each other, and a first processing space and a second processing space. A transfer chamber extending to the processing space is provided. In the transfer chamber, transfer means for transferring a substrate between the first processing space and the second processing space is provided, and the first processing space includes a substrate. And one or more first processing units for performing predetermined processing, and a first transfer unit for transferring a substrate between the first processing unit and the transfer unit, and a second processing space includes: One or a plurality of second processing units for performing predetermined processing on the substrate, and a second transfer unit for transferring the substrate between the second processing unit and the transfer unit are provided.

【0020】本発明に係る基板処理装置においては、第
1の処理空間および第2の処理空間の雰囲気が互いに遮
断され、第1の処理空間と第2の処理空間とにわたる受
け渡し室内に受け渡し手段が設けられているので、第1
の処理部の雰囲気と第2の処理部の雰囲気とが互いに影
響を及ぼすことなく、第1の処理空間と第2の処理空間
との間で基板を受け渡すことができる。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the atmosphere in the first processing space and the atmosphere in the second processing space are shut off from each other, and the transfer means is provided in a transfer chamber extending between the first processing space and the second processing space. Because it is provided, the first
The substrate can be transferred between the first processing space and the second processing space without affecting the atmosphere in the processing unit and the atmosphere in the second processing unit.

【0021】したがって、異なる処理が互いに他方の雰
囲気の影響を受けることを十分に防止しつつ、異なる処
理間で基板の受け渡しを行うことができる。その結果、
一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うこと
が可能となる。
Therefore, it is possible to transfer a substrate between different processes while sufficiently preventing different processes from being affected by the other atmosphere. as a result,
A series of substrate processing can be performed efficiently while maintaining high quality.

【0022】第2の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、第1の処理空
間には、処理前および処理後の基板を収容する基板収納
部が設けられるとともに、第1の搬送手段は、基板収納
部との間で基板の搬入および搬出を行い、第2の処理空
間には外部との間で基板の受け渡しを行うための中間受
け渡し部が設けられるとともに、第2の搬送手段は、中
間受け渡し部との間で基板の受け渡しを行うようにした
ものである。
A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, wherein the first processing space is provided with a substrate storage section for storing substrates before and after processing. In addition, the first transfer means carries the substrate in and out of the substrate storage unit, and an intermediate transfer unit for transferring the substrate to and from the outside is provided in the second processing space. In addition, the second transfer means transfers the substrate to and from the intermediate transfer section.

【0023】この場合、基板収納部と第1の処理部との
間、基板収納部と受け渡し手段との間、および第1の処
理部と受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うこと
ができ、中間受け渡し部と第2の処理部との間、中間受
け渡し部と受け渡し手段との間、および第2の処理部と
受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うことができ
る。
In this case, the substrate can be transferred between the substrate storage unit and the first processing unit, between the substrate storage unit and the transfer unit, and between the first processing unit and the transfer unit. The substrate can be transferred between the intermediate transfer unit and the second processing unit, between the intermediate transfer unit and the transfer unit, and between the second processing unit and the transfer unit.

【0024】したがって、第1および第2の搬送手段に
加えて別の搬送手段を設けることなく、基板収納部、第
1の処理部、中間受け渡し部および第2の処理部の間で
任意の手順で基板を搬送することができる。
Therefore, an arbitrary procedure can be performed between the substrate storage section, the first processing section, the intermediate transfer section and the second processing section without providing another transporting means in addition to the first and second transporting means. Can transfer the substrate.

【0025】第3の発明に係る基板処理装置は、第1お
よび第2の発明に係る基板処理装置の構成において、第
1の処理部は、基板に露光前の処理を行い、第2の処理
部は、基板に露光後の処理を行うものである。
According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the substrate processing apparatus according to the first and second aspects of the present invention, the first processing section performs a pre-exposure process on the substrate and performs a second processing. The section performs post-exposure processing on the substrate.

【0026】この場合、第1の処理空間において基板に
第1の処理部で露光前の基板処理を行い、処理された基
板を受け渡し室を通して第2の処理空間に送り、第2の
処理空間の外部に配置された露光装置に渡すことができ
る。そして、露光装置から受け取った基板に第2の処理
部で露光後の基板処理を行い、処理された基板を受け渡
し室を通して第1の処理空間に送り、基板を収納するこ
とができる。
In this case, in the first processing space, the substrate is subjected to the substrate processing before exposure in the first processing unit, and the processed substrate is sent to the second processing space through the transfer chamber, and the second processing space is processed. It can be transferred to an externally disposed exposure device. Then, the substrate received from the exposure apparatus is subjected to post-exposure substrate processing in the second processing section, and the processed substrate is sent to the first processing space through the transfer chamber to store the substrate.

【0027】これにより、露光前の基板処理と露光後に
基板処理とを互いに他方の雰囲気の影響を受けることな
く効率的に行うことができる。
Thus, the substrate processing before exposure and the substrate processing after exposure can be performed efficiently without being affected by the other atmosphere.

【0028】第4の発明に係る基板処理装置は、第1ま
たは第2の発明に係る基板処理装置の構成において、第
1の処理部は、第1の洗浄液を用いた第1の洗浄処理を
行い、第2の処理部は、第2の洗浄液を用いた第2の洗
浄処理を行うものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the first processing section performs the first cleaning process using the first cleaning liquid. The second processing unit performs a second cleaning process using a second cleaning liquid.

【0029】この場合、第1の洗浄液を用いた第1の洗
浄処理と第2の洗浄液を用いた第2の洗浄処理とを互い
に他方の雰囲気の影響を受けることなく効率的に行うこ
とができる。
In this case, the first cleaning process using the first cleaning solution and the second cleaning process using the second cleaning solution can be performed efficiently without being affected by the other atmosphere. .

【0030】第5の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1の処理空間および第2の処理空間は水平方向に
並設され、受け渡し室は、第1の処理空間と第2の処理
空間とにわたって水平方向に配置されたものである。
The substrate processing apparatus according to the fifth invention comprises
In the configuration of the substrate processing apparatus according to any one of the fourth aspects of the invention, the first processing space and the second processing space are arranged side by side in a horizontal direction, and the transfer chamber includes a first processing space and a second processing space. And are arranged in the horizontal direction.

【0031】この場合、第1の処理空間と第2の処理空
間とが水平方向に分離されているので、互いに他方の雰
囲気の影響を受けることを十分に防止することが可能と
なる。
In this case, since the first processing space and the second processing space are separated in the horizontal direction, it is possible to sufficiently prevent the first processing space and the second processing space from being affected by the other atmosphere.

【0032】第6の発明に係る基板処理装置は、第5の
発明に係る基板処理装置の構成において、第1の処理部
は、第2の処理空間と反対側の面に第1の搬送手段と基
板の受け渡しを行うための基板出入口を有し、第2の処
理部は、第1の処理空間と反対側の面に第2の搬送手段
と基板の受け渡しを行うための基板出入口を有するもの
である。
The substrate processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein the first processing section includes a first transfer means on a surface opposite to the second processing space. And a substrate entrance for transferring the substrate, and the second processing unit has a substrate entrance for transferring the substrate to and from the second transfer means on a surface opposite to the first processing space. It is.

【0033】この場合、第1の処理部の基板出入口と第
2の処理部の基板出入口とが互いに反対側の面に設けら
れているので、第1および第2の処理部に対して基板を
搬入および搬出する際に、他方の処理空間の雰囲気が処
理部内に侵入することを十分に防止することが可能とな
る。
In this case, since the substrate entrance and exit of the first processing unit and the substrate entrance and exit of the second processing unit are provided on the opposite surfaces, the substrate can be moved to the first and second processing units. At the time of loading and unloading, it is possible to sufficiently prevent the atmosphere of the other processing space from entering the processing section.

【0034】第7の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第6のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1および第2の処理空間は、それぞれ上下方向に
配置された複数の階層を備え、第1の処理空間の下側の
階層に配置される第1の処理部は、所定の処理液を用い
て基板の処理を行う処理部であり、第1の処理空間の上
側の階層に配置される第1の処理部は、基板に対して温
度処理を行う処理部であり、第2の処理空間の下側の階
層に配置される第2の処理部は、所定の処理液を用いて
基板の処理を行う処理部であり、第2の処理空間の上側
の階層に配置される第2の処理部は、基板に対して温度
処理を行う処理部であるものである。
The substrate processing apparatus according to the seventh invention comprises:
In the configuration of the substrate processing apparatus according to any one of the sixth inventions, the first and second processing spaces each include a plurality of layers arranged in a vertical direction, and the first and second processing spaces are arranged in a lower layer of the first processing space. The first processing unit disposed is a processing unit that performs processing of the substrate using a predetermined processing liquid, and the first processing unit disposed in the upper layer of the first processing space is configured to A second processing unit disposed in a lower layer of the second processing space and performing processing on the substrate using a predetermined processing liquid; The second processing unit disposed in the upper layer of the processing space is a processing unit that performs temperature processing on the substrate.

【0035】この場合、第1および第2の処理空間の下
側の階層の処理部で所定の処理液を用いて基板の処理を
行い、第1および第2の処理空間の上側の階層の処理部
で基板に対して温度処理を行う。このように、複数の処
理部が処理機能別に階層的に配置されているので、設置
面積を低減できる。
In this case, the processing of the substrate is performed by using a predetermined processing liquid in the processing section of the lower layer of the first and second processing spaces, and the processing of the upper layer of the first and second processing spaces is performed. The part performs temperature processing on the substrate. As described above, since the plurality of processing units are hierarchically arranged for each processing function, the installation area can be reduced.

【0036】また、処理液を用いて基板の処理を行う処
理部が下側の階層に配置されているので、液漏れ等が生
じた場合に他の処理部への影響が少なく、また処理の状
態を目視で確認することができる。
Further, since the processing section for processing the substrate using the processing liquid is arranged at the lower level, when a liquid leak or the like occurs, there is little influence on other processing sections, and the processing is not performed. The state can be checked visually.

【0037】第8の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1の処理空間および第2の処理空間は上下方向に
積層され、受け渡し室は、第1の処理空間と第2の処理
空間とにわたって上下方向に配置されたものである。
The substrate processing apparatus according to the eighth invention comprises
In the configuration of the substrate processing apparatus according to any one of the fourth aspects of the invention, the first processing space and the second processing space are vertically stacked, and the transfer chamber includes the first processing space, the second processing space, Are arranged vertically.

【0038】この場合、第1および第2の処理空間が上
下方向に積層されているので、設置面積を低減できる。
In this case, since the first and second processing spaces are vertically stacked, the installation area can be reduced.

【0039】第9の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第8のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、受け渡し室は、第1の処理空間および第2の処理空
間の外部に面するように配設されたものである。
The substrate processing apparatus according to the ninth invention comprises
In the configuration of the substrate processing apparatus according to any one of the eighth inventions, the delivery chamber is disposed so as to face outside the first processing space and the second processing space.

【0040】この場合、受け渡し室が第1および第2の
処理空間の外部に面しているので、受け渡し室の保守を
容易に行うことができる。
In this case, since the transfer room faces the outside of the first and second processing spaces, maintenance of the transfer room can be easily performed.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施例にお
ける基板処理装置の斜視図、図2は図1の基板処理装置
の矢印P方向の側面図、図3は図1の基板処理装置の矢
印Q方向の側面図である。また、図4は図2および図3
におけるX−X線断面図、図5は図2および図3におけ
るY−Y線断面図である。さらに、図6、図7、図8、
図9および図10は図4および図5におけるそれぞれZ
1−Z1線断面図、Z2−Z2線断面図、Z3−Z3線
断面図、Z4−Z4線断面図およびZ5−Z5線断面図
である。
FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 in the direction of arrow P, and FIG. FIG. 3 is a side view of the processing device in the direction of arrow Q. FIG. 4 corresponds to FIGS.
5 is a sectional view taken along the line YY in FIGS. 2 and 3. FIG. Further, FIGS. 6, 7, 8,
9 and 10 show Z in FIGS. 4 and 5, respectively.
It is the 1-Z1 line sectional view, the Z2-Z2 line sectional view, the Z3-Z3 line sectional view, the Z4-Z4 line sectional view, and the Z5-Z5 line sectional view.

【0042】図1の基板処理装置は、鉛直方向に延びる
隔壁(仕切り)200で仕切られた2つの処理空間A,
Bを有する。これらの処理空間A,Bは、下から上へ順
に配置された第1の階層S1、第2の階層S2、第3の
階層S3、第4の階層S4および第5の階層S5を含
む。
The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 has two processing spaces A, separated by a partition (partition) 200 extending in the vertical direction.
B. These processing spaces A and B include a first layer S1, a second layer S2, a third layer S3, a fourth layer S4, and a fifth layer S5 arranged in order from bottom to top.

【0043】処理空間A,Bの第1の階層S1には、化
学系ユニットCH1,CH2がそれぞれ配置されてい
る。化学系ユニットCH1,CH2は、各種処理液(薬
液)、廃液、ポンプおよび排気系を収納する。
In the first level S1 of the processing spaces A and B, chemical units CH1 and CH2 are arranged, respectively. The chemical units CH1 and CH2 store various processing liquids (chemical liquids), waste liquids, pumps, and exhaust systems.

【0044】処理空間Aの第2の階層S2には、基板に
フォトレジスト等の処理液の塗布処理を行う複数の回転
式塗布ユニット(スピンコータ)SCが隔壁200に沿
って配置されている。処理空間Bの第2の階層S2に
は、基板に現像処理を行う複数の回転式現像ユニット
(スピンデベロッパ)SDが隔壁200に沿って配置さ
れている。
In the second level S2 of the processing space A, a plurality of rotary coating units (spin coaters) SC for applying a processing liquid such as a photoresist to the substrate are arranged along the partition walls 200. In the second level S2 of the processing space B, a plurality of rotary developing units (spin developers) SD for performing a developing process on the substrate are arranged along the partition wall 200.

【0045】処理空間Aの第3の階層S3には、ULP
A(Ultra Low Penetration Air )フィルタ、化学吸着
フィルタ等のフィルタ41およびファン42からなる複
数の空気調整ユニットFF1が隔壁200に沿って配置
されている(図4参照)。処理空間Bの第3の階層S3
には、ULPAフィルタ、化学吸着フィルタ等のフィル
タ51およびファン52からなる複数の空気調整ユニッ
トFF2が隔壁200に沿って配置されている(図4参
照)。
In the third layer S3 of the processing space A, ULP
A plurality of air adjustment units FF1 each including a filter 41 such as an A (Ultra Low Penetration Air) filter and a chemical adsorption filter and a fan 42 are arranged along the partition wall 200 (see FIG. 4). Third hierarchy S3 of processing space B
, A plurality of air adjustment units FF2 including a filter 51 such as an ULPA filter and a chemical adsorption filter and a fan 52 are arranged along the partition wall 200 (see FIG. 4).

【0046】処理空間A,Bの第4の階層S4の正面側
には、受け渡し室(シャトル)SHが処理空間Aと処理
空間Bとにわたって配置されている。
On the front side of the fourth space S4 of the processing spaces A and B, a transfer room (shuttle) SH is arranged over the processing space A and the processing space B.

【0047】処理空間Aの第4の階層S4の残りの領域
には、基板に冷却処理を行う複数の冷却ユニット(クー
リングプレート)CP、基板に加熱処理を行う複数の加
熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板に密着強
化処理を行う複数の密着強化ユニットAHが隔壁200
に沿って複数段に配置されている(図2参照)。
In the remaining area of the fourth level S4 of the processing space A, a plurality of cooling units (cooling plates) CP for performing a cooling process on the substrate and a plurality of heating units (hot plates) HP for performing a heating process on the substrate are provided. And a plurality of adhesion strengthening units AH for performing the adhesion strengthening treatment on the substrate are provided with the partition wall 200
(See FIG. 2).

【0048】処理空間Bの第4の階層S4の残りの領域
には、複数の冷却ユニット(クーリングプレート)C
P、複数の加熱ユニット(ホットプレート)HP、基板
に露光後加熱処理(ポストエクスクロージャベーク)を
行う複数のベークユニット(ベークプレート)PEBお
よび周辺露光処理を行う周辺露光ユニット(エッジ露光
ユニット)EEWが隔壁200に沿って1段または複数
段に配置されている(図3参照)。
A plurality of cooling units (cooling plates) C are provided in the remaining area of the fourth level S4 of the processing space B.
P, a plurality of heating units (hot plates) HP, a plurality of bake units (bake plate) PEB for performing post-exposure bake (post-exposure bake) on the substrate, and a peripheral exposure unit (edge exposure unit) EEW for performing a peripheral exposure process Are arranged in one or more steps along the partition wall 200 (see FIG. 3).

【0049】化学系ユニットCH1は、上部の回転式塗
布ユニットSCに対して処理液の供給、廃液の排出およ
び排気を行い、化学系ユニットCH2は、上部の回転式
現像ユニットSDに対して処理液の供給、廃液の排出お
よび排気を行う。また、空気調整ユニットFF1は、温
度および湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式塗
布ユニットSCに供給して回転式塗布ユニットSCの雰
囲気を調整し、空気調整ユニットFF2は、温度および
湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式現像ユニッ
トSDに供給して回転式現像ユニットSDの雰囲気を調
整する。
The chemical unit CH1 supplies the processing liquid to the upper rotary coating unit SC, discharges the waste liquid, and exhausts it. The chemical unit CH2 supplies the processing liquid to the upper rotary developing unit SD. Supply, discharge and exhaust of waste liquid. The air adjustment unit FF1 supplies clean air whose temperature and humidity have been adjusted to the lower rotary coating unit SC to adjust the atmosphere of the rotary coating unit SC, and the air adjustment unit FF2 has the temperature and humidity adjusted. Is supplied to the lower rotary developing unit SD to adjust the atmosphere of the rotary developing unit SD.

【0050】処理空間Aの回転式塗布ユニットSC、冷
却ユニットCP,加熱ユニットHPおよび密着強化ユニ
ットAHは、隔壁200と反対側の面に基板の出し入れ
のための開口部100を有する(図2参照)。各開口部
100には、シャッタ(図示せず)が開閉自在に設けら
れている。処理空間Bの回転式現像ユニットSD、冷却
ユニットCP、加熱ユニットHP、ベークユニットPE
Bおよび周辺露光ユニットEEWは、隔壁200と反対
側の面に基板の出し入れのための開口部100を有す
る。各開口部100には、シャッタ(図示せず)が開閉
自在に設けられている。
The rotary coating unit SC, the cooling unit CP, the heating unit HP and the adhesion strengthening unit AH in the processing space A have an opening 100 for taking in and out the substrate on the surface opposite to the partition wall 200 (see FIG. 2). ). Each opening 100 is provided with a shutter (not shown) that can be opened and closed freely. Rotary developing unit SD, cooling unit CP, heating unit HP, bake unit PE in processing space B
B and the peripheral exposure unit EEW have an opening 100 for taking the substrate in and out on the surface opposite to the partition wall 200. Each opening 100 is provided with a shutter (not shown) that can be opened and closed freely.

【0051】また、受け渡し室SHは、処理空間Aにお
ける隔壁200と反対側の面および処理空間Bにおける
隔壁200と反対側の面にそれぞれ基板の出し入れのた
めの開口100を有する。これらの開口部100にも、
シャッタ(図示せず)が開閉自在に設けられている。図
4に示すように、受け渡し室SH内には、受け渡しユニ
ット31が矢印Hの方向に移動可能に設けられている。
The transfer chamber SH has openings 100 on the opposite side of the processing space A from the partition wall 200 and on the opposite side of the processing space B from the partition wall 200, respectively. These openings 100 also have
A shutter (not shown) is provided to be openable and closable. As shown in FIG. 4, a delivery unit 31 is provided in the delivery chamber SH so as to be movable in the direction of arrow H.

【0052】処理空間Aの隔壁200と反対側の端部側
には、基板を収納する基板収納部INDが配置されてい
る。基板収納部INDは、基板を収納する複数のカセッ
ト10を備える。基板収納部INDの前には、搬送ユニ
ット11が配置されている。搬送ユニット11は、上下
方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周り
で回動可能に構成され、カセット10、受け渡し室SH
内の受け渡しユニット31および処理空間A内の各処理
ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
At the end of the processing space A opposite to the partition wall 200, a substrate storage section IND for storing a substrate is disposed. The substrate storage section IND includes a plurality of cassettes 10 for storing substrates. A transport unit 11 is arranged in front of the substrate storage section IND. The transport unit 11 is configured to be movable in the vertical and horizontal directions and rotatable about a vertical axis.
The substrate is transferred between the transfer unit 31 in the inside and each processing unit in the processing space A.

【0053】処理空間Bの隔壁200と反対側の端部側
には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う中間受
け渡し部(インタフェース)IFが配置されている。本
実施例では、外部の装置として、露光装置STが処理空
間Bに隣接するように配置されている。中間受け渡し部
IFは、露光装置STとの間で、露光前の基板と露光後
の基板とを受け渡すためのものであり、露光装置STと
の間で基板の受け渡しを行う図示しない搬送ユニットを
有する。また、中間受け渡し部IFの前には、搬送ユニ
ット21が配置される。搬送ユニット21は、上下方向
および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周りで回
動可能に構成され、中間受け渡し部IF、受け渡し室S
H内の受け渡しユニット31および処理空間B内の各処
理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
An intermediate transfer section (interface) IF for transferring a substrate to and from an external device is disposed at an end of the processing space B opposite to the partition wall 200. In this embodiment, an exposure apparatus ST is arranged as an external apparatus so as to be adjacent to the processing space B. The intermediate transfer section IF is for transferring a substrate before exposure and a substrate after exposure to and from the exposure apparatus ST, and includes a transport unit (not shown) for transferring the substrate to and from the exposure apparatus ST. Have. In addition, a transport unit 21 is arranged in front of the intermediate transfer unit IF. The transport unit 21 is configured to be movable in the vertical and horizontal directions and rotatable around a vertical axis, and includes an intermediate transfer section IF and a transfer chamber S.
The substrate is transferred between the transfer unit 31 in H and each processing unit in the processing space B.

【0054】処理空間A,Bの第5の階層S5における
基板収納部INDの上部、受け渡し室SHの上部および
中間受け渡し部IFの上部には、フィルタおよびファン
からなる空気調整ユニットFF3が配置されている。
An air adjusting unit FF3 composed of a filter and a fan is disposed above the substrate storage section IND, above the transfer chamber SH and above the intermediate transfer section IF in the fifth level S5 of the processing spaces A and B. I have.

【0055】本実施例では、処理空間Aが第1の処理空
間に相当し、処理空間Bが第2の処理空間に相当する。
また、回転式塗布ユニットSC、冷却ユニットCP、加
熱ユニットHPおよび密着強化ユニットAHが第1の処
理部に相当し、回転式現像ユニットSH、冷却ユニット
CP、加熱ユニットHP、ベークユニットPEBおよび
周辺露光ユニットEEWが第2の処理部に相当する。さ
らに、受け渡しユニット31が受け渡し手段に相当し、
搬送ユニット11が第1の搬送手段に相当し、搬送ユニ
ット21が第2の搬送手段に相当する。
In this embodiment, the processing space A corresponds to the first processing space, and the processing space B corresponds to the second processing space.
Further, the rotary coating unit SC, the cooling unit CP, the heating unit HP, and the adhesion enhancing unit AH correspond to a first processing unit, and the rotary developing unit SH, the cooling unit CP, the heating unit HP, the bake unit PEB, and the peripheral exposure unit. The unit EEW corresponds to a second processing unit. Further, the delivery unit 31 corresponds to delivery means,
The transport unit 11 corresponds to a first transport unit, and the transport unit 21 corresponds to a second transport unit.

【0056】図11は搬送ユニット11と受け渡しユニ
ット31との基板の受け渡し方法を示す平面図であり、
(a)は受け渡し前の状態を示し、(b)は受け渡し後
の状態を示す。
FIG. 11 is a plan view showing a method for transferring a substrate between the transfer unit 11 and the transfer unit 31.
(A) shows a state before delivery, and (b) shows a state after delivery.

【0057】図11に示すように、基板搬送ユニット1
1は、基板Wを保持する保持アーム(基板保持部)12
を有する。一方、受け渡しユニット31は、受け渡し台
32を有する。受け渡し台32上には、複数の基板保持
ピン33が取り付けられている。
As shown in FIG. 11, the substrate transport unit 1
1 is a holding arm (substrate holding unit) 12 for holding the substrate W
Having. On the other hand, the delivery unit 31 has a delivery table 32. A plurality of substrate holding pins 33 are mounted on the transfer table 32.

【0058】搬送ユニット11から受け渡しユニット3
1への基板の受け渡し時には、基板Wを保持する保持ア
ーム12が受け渡しユニット31の受け渡し台32上に
前進し、基板Wを基板保持ピン33間に載置して後退す
る。逆に、受け渡しユニット31から搬送ユニット11
への基板の受け渡し時には、保持アーム12が受け渡し
台32上の基板保持ピン33間に保持された基板Wの下
部に進入し、基板Wを保持して後退する。
From the transport unit 11 to the transfer unit 3
When the substrate W is transferred to the transfer unit 1, the holding arm 12 that holds the substrate W moves forward on the transfer table 32 of the transfer unit 31, places the substrate W between the substrate holding pins 33, and retreats. Conversely, from the delivery unit 31 to the transport unit 11
When a substrate is transferred to the transfer table 32, the holding arm 12 enters a lower portion of the substrate W held between the substrate holding pins 33 on the transfer table 32, holds the substrate W, and retreats.

【0059】なお、処理空間B内の搬送ユニット21と
受け渡し室SH内の受け渡しユニット31との間の基板
の受け渡しも、上記と同様に行われる。
The transfer of the substrate between the transfer unit 21 in the processing space B and the transfer unit 31 in the transfer chamber SH is performed in the same manner as described above.

【0060】なお、本実施例では、搬送ユニット11と
受け渡しユニット31との受け渡し、および搬送ユニッ
ト21と受け渡しユニット31との受け渡しを受け渡し
室SH内にて行うようにしているが、例えば、搬送ユニ
ット11と受け渡しユニット31の受け渡しにおいて
は、受け渡し室SHを出た処理空間A内で行うようにし
てもよく、また、搬送ユニット21と受け渡しユニット
31の受け渡しにおいては、受け渡し室SHを出た処理
空間B内で行うようにしてもよい。
In this embodiment, the transfer between the transfer unit 11 and the transfer unit 31 and the transfer between the transfer unit 21 and the transfer unit 31 are performed in the transfer chamber SH. The transfer between the transfer unit 11 and the transfer unit 31 may be performed in the processing space A that has exited the transfer chamber SH, and the transfer between the transport unit 21 and the transfer unit 31 may be performed in the processing space that has exited the transfer chamber SH. B may be performed.

【0061】次に、図1の基板処理装置の動作を説明す
る。図12は図1の基板処理装置における処理の一例を
示す図である。
Next, the operation of the substrate processing apparatus of FIG. 1 will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating an example of processing in the substrate processing apparatus of FIG.

【0062】まず、処理空間Aの搬送ユニット11が、
カセット10から基板を取り出し、密着強化ユニットA
Hに順次搬送する。これらの密着強化ユニットAHで
は、密着強化剤としてHMDS(ヘキサメチレンジシラ
ザン)を用いて基板に密着強化処理が行われる。次に、
搬送ユニット11は、密着強化処理が行われた基板を冷
却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニットCPで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
11は、冷却処理が行われた基板を回転式塗布ユニット
SCに順次搬送する。回転式塗布ユニットSCでは、基
板にフォトレジスト塗布処理が行われる。
First, the transport unit 11 in the processing space A is
The substrate is taken out from the cassette 10 and the adhesion strengthening unit A
H sequentially. In these adhesion strengthening units AH, adhesion strengthening treatment is performed on the substrate using HMDS (hexamethylene disilazane) as an adhesion strengthening agent. next,
The transport unit 11 sequentially transports the substrates on which the adhesion enhancement processing has been performed to the cooling unit CP. In the cooling unit CP, a cooling process is performed on the substrate. Thereafter, the transport unit 11 sequentially transports the cooled substrates to the rotary coating unit SC. In the rotary coating unit SC, a photoresist coating process is performed on the substrate.

【0063】次に、搬送ユニット11は、フォトレジス
トが塗布された基板を加熱ユニットHPに順次搬送す
る。加熱ユニットHPでは、基板に加熱処理が行われ
る。さらに、搬送ユニット11は、加熱処理が行われた
基板を冷却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニット
CPでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユ
ニット11は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室S
H内の受け渡しユニット31に渡す。
Next, the transport unit 11 sequentially transports the substrate coated with the photoresist to the heating unit HP. In the heating unit HP, a heat treatment is performed on the substrate. Further, the transport unit 11 sequentially transports the substrates subjected to the heat treatment to the cooling unit CP. In the cooling unit CP, a cooling process is performed on the substrate. Then, the transfer unit 11 transfers the cooled substrate to the transfer chamber S.
Transfer to the transfer unit 31 in H.

【0064】受け渡しユニット31は、搬送ユニット1
1から渡された基板を処理空間Aの側から処理空間Bの
側へ搬送する。処理空間Bの搬送ユニット21は、受け
渡し室SH内の受け渡しユニット31から基板を受け取
り、その基板を中間受け渡し部IFに搬送する。そし
て、中間受け渡し部IFの図示しない搬送ユニットによ
り基板を露光装置STに搬送する。露光装置STでは、
基板に露光処理が行われる。
The transfer unit 31 includes the transport unit 1
The substrate transferred from 1 is transported from the processing space A side to the processing space B side. The transfer unit 21 in the processing space B receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH, and transfers the substrate to the intermediate transfer unit IF. Then, the substrate is transported to the exposure apparatus ST by a transport unit (not shown) of the intermediate transfer unit IF. In the exposure apparatus ST,
An exposure process is performed on the substrate.

【0065】露光処理の終了後、受け渡し装置IFは、
露光処理の終了した基板を露光装置STから受け取る。
そして、搬送ユニット21は、中間受け渡し部IF上か
ら基板を受け取り、その基板を周辺露光ユニットEEW
に搬送する。周辺露光ユニットEEWでは、基板に周辺
露光が行われる。次に、搬送ユニット21は、周辺露光
が行われた基板をベークユニットPEBに順次搬送す
る。ベークユニットPEBでは、露光後ベーク処理が行
われる。次に、搬送ユニット21は、露光後ベーク処理
が行われた基板を冷却ユニットCPに順次搬送する。冷
却ユニットCPでは、基板に冷却処理が行われる。さら
に、搬送ユニット21は、冷却処理が行われた基板を回
転式現像ユニットSDに順次搬送する。回転式現像ユニ
ットSDでは、基板に現像処理が行われる。
After the end of the exposure processing, the transfer device IF
The substrate after the exposure processing is received from the exposure apparatus ST.
Then, the transport unit 21 receives the substrate from the intermediate transfer unit IF, and transfers the substrate to the peripheral exposure unit EEW.
Transport to In the peripheral exposure unit EEW, peripheral exposure is performed on the substrate. Next, the transport unit 21 sequentially transports the substrates subjected to the peripheral exposure to the bake unit PEB. In the bake unit PEB, a post-exposure bake process is performed. Next, the transport unit 21 sequentially transports the substrates subjected to the post-exposure bake processing to the cooling unit CP. In the cooling unit CP, a cooling process is performed on the substrate. Further, the transport unit 21 sequentially transports the cooled substrate to the rotary developing unit SD. In the rotary developing unit SD, a developing process is performed on the substrate.

【0066】その後、搬送ユニット21は、現像処理が
行われた基板を加熱ユニットHPに順次搬送する。加熱
ユニットHPでは、基板に加熱処理が行われる。さら
に、搬送ユニット21は、加熱処理が行われた基板を冷
却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニットCPで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
21は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室SH内の
受け渡しユニット31に渡す。
Thereafter, the transport unit 21 sequentially transports the developed substrate to the heating unit HP. In the heating unit HP, a heat treatment is performed on the substrate. Further, the transport unit 21 sequentially transports the substrates subjected to the heat treatment to the cooling unit CP. In the cooling unit CP, a cooling process is performed on the substrate. Thereafter, the transfer unit 21 transfers the substrate subjected to the cooling process to the transfer unit 31 in the transfer chamber SH.

【0067】受け渡しユニット31は、基板を処理空間
Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間Aの搬
送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユニッ
ト31から基板を受け取り、その基板をカセット10に
収納する。
The transfer unit 31 transports the substrate from the processing space B to the processing space A. The transfer unit 11 in the processing space A receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH, and stores the substrate in the cassette 10.

【0068】図12において、AH、CP、SC等同一
の処理を行う処理部が2つ示されているところでは、ス
ループットを向上させるために同一の処理が並行してな
される。そして、搬送ユニット11および21は、その
並行して処理がなされている処理部に対し、循環搬送の
交互に基板の受け渡しを行うように搬送を行っていく。
In FIG. 12, where two processing units such as AH, CP, and SC perform the same processing, the same processing is performed in parallel in order to improve the throughput. Then, the transport units 11 and 21 transport the substrates to the processing units that are performing the processing in parallel so that the substrates are transferred alternately in the circulating transport.

【0069】このように、本実施例の基板処理装置で
は、露光前の基板処理が処理空間Aで行われ、露光後の
基板処理が処理空間Bで行われ、処理空間Aの雰囲気と
処理空間Bの雰囲気とが互いに遮断されているので、露
光後の基板が露光前の処理で発生するアルカリ成分の影
響を受けることがない。したがって、一連の基板処理を
高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。
As described above, in the substrate processing apparatus of this embodiment, the substrate processing before exposure is performed in the processing space A, the substrate processing after exposure is performed in the processing space B, and the atmosphere of the processing space A and the processing space Since the atmosphere of B is shielded from each other, the substrate after exposure is not affected by the alkali component generated in the processing before exposure. Therefore, it is possible to efficiently perform a series of substrate processing while maintaining high quality.

【0070】また、処理空間Aと処理空間Bとが隔壁2
00により水平方向に分離されているので、これらの処
理空間A,Bが互いに他方から雰囲気の影響を受けるこ
とが十分に防止される。
The processing space A and the processing space B are separated from each other by the partition 2.
00, the processing spaces A and B are sufficiently prevented from being affected by the atmosphere from one another.

【0071】さらに、処理空間Aの各処理ユニットの開
口部100と処理空間Bの各処理ユニットの開口部10
0とが互いに反対側の面に設けられているので、各処理
ユニットに対して基板を搬入および搬出する際に処理ユ
ニット内に他方の雰囲気が侵入することが十分に防止さ
れる。
Further, the opening 100 of each processing unit in the processing space A and the opening 10 of each processing unit in the processing space B
Since 0 is provided on the surface on the opposite side, when the substrate is carried in and out of each processing unit, the other atmosphere can be sufficiently prevented from entering the processing unit.

【0072】また、複数の処理ユニットが機能別に階層
的に配置されているので、フットプリント(設置面積)
が低減される。
Further, since a plurality of processing units are hierarchically arranged for each function, the footprint (installation area)
Is reduced.

【0073】特に、回転式塗布ユニットSCおよび回転
式現像ユニットSDの直上にそれぞれ空気調整ユニット
FF1,FF2が配置されているので、回転式塗布処理
および回転式現像処理の雰囲気を効率的に良好に保つこ
とができる。また、回転式塗布ユニットSCおよび回転
式現像ユニットSDの直下にそれぞれ化学系ユニットC
H1,CH2が配置されているので、単純な配管構造で
処理液の供給、廃液の排出および排気を効率的に行うこ
とができる。
In particular, since the air adjusting units FF1 and FF2 are respectively disposed immediately above the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD, the atmosphere of the rotary coating process and the rotary developing process can be efficiently and satisfactorily improved. Can be kept. Further, the chemical units C are provided immediately below the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD, respectively.
Since H1 and CH2 are arranged, the supply of the processing liquid, the discharge of the waste liquid, and the exhaust can be efficiently performed with a simple piping structure.

【0074】また、回転式塗布ユニットSCおよび回転
式現像ユニットSDが中間層に配置されているので、回
転式塗布処理および回転式現像処理の状態を目視により
容易に確認することができる。
Further, since the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD are arranged in the intermediate layer, the state of the rotary coating process and the rotary developing process can be easily confirmed visually.

【0075】さらに、回転式塗布ユニットSCおよび回
転式現像ユニットSDの上部に空気調整ユニットFF
1,FF2を介して冷却ユニットCP、加熱ユニットH
P等の温度処理ユニットが配置されているので、下部の
回転式塗布ユニットSCおよび回転式現像ユニットSD
と上部の温度処理ユニットとが互いに他方からの熱およ
び雰囲気の影響を受けにくい。
Further, an air adjusting unit FF is provided above the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD.
1, FF2, cooling unit CP, heating unit H
Since the temperature processing unit such as P is disposed, the lower rotary coating unit SC and lower rotary developing unit SD
And the upper temperature processing unit are less susceptible to heat and atmosphere from the other.

【0076】しかも、回転式塗布ユニットSCおよび回
転式現像ユニットSDが下部の同一階層に平面的に配置
されているので、液漏れ等が生じた場合に他の処理ユニ
ットへの影響が少ない。
Further, since the rotary coating unit SC and the rotary developing unit SD are arranged on the same lower layer in a planar manner, when a liquid leak or the like occurs, the influence on other processing units is small.

【0077】なお、上記実施例では、受け渡しユニット
31が受け渡し室SH内で水平方向に移動可能に構成さ
れているが、受け渡し室SHの長さが短い場合には、受
け渡しユニット31が受け渡し室SHの中央部12に固
定されていてもよい。この場合には、搬送ユニット1
1,21の保持アーム12が受け渡し室SH内に進入し
て受け渡しユニット31上に基板を載置し、あるいは受
け渡しユニット31上に保持された基板を受け取る。
In the above-described embodiment, the transfer unit 31 is configured to be movable in the horizontal direction in the transfer chamber SH. However, when the length of the transfer chamber SH is short, the transfer unit 31 is moved to the transfer chamber SH. May be fixed to the central portion 12. In this case, the transport unit 1
The holding arms 12 enter the transfer chamber SH and place the substrate on the transfer unit 31 or receive the substrate held on the transfer unit 31.

【0078】図13は本発明の第2の実施例における基
板処理装置の縦断面図であり、図14は図13における
W−W線断面図である。
FIG. 13 is a longitudinal sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a sectional view taken along line WW in FIG.

【0079】図13の基板処理装置は、鉛直方向に延び
る隔壁200で分離された2つの処理空間A,Bを有す
る。処理空間A,Bは、下から上へ順に配置された第1
の階層S1、第2の階層S2、第3の階層S3、第4の
階層S4および第5の階層S5を含む。
The substrate processing apparatus shown in FIG. 13 has two processing spaces A and B separated by a partition wall 200 extending in the vertical direction. The processing spaces A and B are firstly arranged in order from bottom to top.
, A second tier S2, a third tier S3, a fourth tier S4, and a fifth tier S5.

【0080】処理空間A,Bの第1の階層S1には、そ
れぞれ化学系ユニットCH1,CH2が配置されてい
る。処理空間Aの第2の階層S2には、第1の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
(スピンスクラバ)SW1が隔壁200に沿って配置さ
れ、処理空間Bの第2の階層S2には、第2の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
(スピンスクラバ)SW2が隔壁200に沿って配置さ
れている。第1の洗浄液はアンモニアおよび過酸化水素
水であり、第2の洗浄液は塩酸および過酸化水素水であ
る。
In the first level S1 of the processing spaces A and B, chemical units CH1 and CH2 are arranged, respectively. In the second level S2 of the processing space A, a plurality of rotary cleaning units (spin scrubbers) SW1 that perform cleaning processing on the substrate using the first cleaning liquid are arranged along the partition walls 200, and In the second level S2, a plurality of rotary cleaning units (spin scrubbers) SW2 that perform cleaning processing on the substrate using the second cleaning liquid are arranged along the partition walls 200. The first cleaning liquid is ammonia and aqueous hydrogen peroxide, and the second cleaning liquid is hydrochloric acid and aqueous hydrogen peroxide.

【0081】処理空間A,Bの第3の階層S3には、そ
れぞれ空気調整ユニットFF1,FF2が配置されてい
る。処理空間A,Bの第4の階層S4には、処理空間A
と処理空間Bとにわたる受け渡し室SHが配置されてい
る。受け渡し室SHには、第1の実施例と同様に、受け
渡しユニット31が水平方向に移動可能に設けられてい
る。
The air conditioning units FF1 and FF2 are arranged on the third level S3 of the processing spaces A and B, respectively. The fourth space S4 of the processing spaces A and B includes a processing space A
And a transfer chamber SH extending between the transfer space SH and the processing space B. As in the first embodiment, the transfer unit 31 is provided in the transfer chamber SH so as to be movable in the horizontal direction.

【0082】処理空間Aの隔壁200と反対側の端部側
には、第1の実施例と同様に基板収納部INDが配置さ
れている。基板収納部INDは、複数のカセット10を
備える。
At the end of the processing space A on the side opposite to the partition wall 200, a substrate storage section IND is arranged as in the first embodiment. The substrate storage IND includes a plurality of cassettes 10.

【0083】基板収納部INDの前には、搬送ユニット
11が配置されている。搬送ユニット11は、上下方向
および水平方向に移動可能に設けられ、受け渡し室SH
内の受け渡しユニット31および処理空間Aの各処理ユ
ニットとの間で基板の受け渡しを行う。
A transport unit 11 is arranged in front of the substrate storage section IND. The transfer unit 11 is provided movably in the up-down direction and the horizontal direction, and has a transfer chamber SH.
The substrate is transferred between the transfer unit 31 in the inside and each processing unit in the processing space A.

【0084】処理空間Bの隔壁200と反対側の端部側
には、搬送ユニット21を備える。搬送ユニット21
は、上下方向および水平方向に移動可能に設けられ、受
け渡し室SH内の受け渡しユニット31および処理空間
Bの各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
A transfer unit 21 is provided at the end of the processing space B opposite to the partition wall 200. Transport unit 21
Is provided so as to be movable in the up-down direction and the horizontal direction, and transfers a substrate between the transfer unit 31 in the transfer chamber SH and each processing unit in the processing space B.

【0085】搬送空間A,Bの第5の階層S5には、空
気調整ユニットFF3が配置されている。この基板処理
装置においても、処理空間Aの各処理ユニットの開口部
100と処理空間Bの各処理ユニットの開口部100と
が互いに反対側の面に設けられている。
An air adjusting unit FF3 is arranged in the fifth level S5 of the transport spaces A and B. Also in this substrate processing apparatus, the opening 100 of each processing unit in the processing space A and the opening 100 of each processing unit in the processing space B are provided on opposite surfaces.

【0086】図15は図13の基板処理装置における処
理の一例を示す図である。図15(a)の処理では、ま
ず、処理空間Aの搬送ユニット11がカセット10から
基板を取り出し、回転式洗浄ユニットSW1に順次搬送
する。回転式洗浄ユニットSW1では、基板に第1の洗
浄液を用いた洗浄処理が行われる。次に、搬送ユニット
11は、洗浄処理が行われた基板を受け渡し室SH内の
受け渡しユニット31に渡す。
FIG. 15 is a view showing an example of processing in the substrate processing apparatus of FIG. In the process of FIG. 15A, first, the transport unit 11 in the processing space A takes out the substrate from the cassette 10 and sequentially transports the substrate to the rotary cleaning unit SW1. In the rotary cleaning unit SW1, a cleaning process is performed on the substrate using the first cleaning liquid. Next, the transfer unit 11 transfers the cleaned substrate to the transfer unit 31 in the transfer chamber SH.

【0087】受け渡しユニット31は、渡された基板を
処理空間Aの側から処理空間Bの側へ搬送する。処理空
間Bの搬送ユニット21は、受け渡し室SH内の受け渡
しユニット31から基板を受け取り、その基板を回転式
洗浄ユニットSW2に順次搬送する。回転式洗浄ユニッ
トSW2では、基板に第2の洗浄液を用いた洗浄処理が
行われる。その後、基板搬送ユニット21は、洗浄処理
が行われた基板を受け渡し室SH内の受け渡しユニット
31に渡す。
The transfer unit 31 transports the transferred substrate from the processing space A to the processing space B. The transfer unit 21 in the processing space B receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH, and sequentially transfers the substrate to the rotary cleaning unit SW2. In the rotary cleaning unit SW2, the substrate is subjected to a cleaning process using a second cleaning liquid. Thereafter, the substrate transfer unit 21 transfers the cleaned substrate to the transfer unit 31 in the transfer chamber SH.

【0088】搬送ユニット31は、渡された基板を処理
空間Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間A
の搬送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユ
ニット31から基板を受け取り、カセット10に収納す
る。
The transport unit 31 transports the transferred substrate from the processing space B to the processing space A. Processing space A
Transfer unit 11 receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH and stores it in the cassette 10.

【0089】図15(b)の処理では、まず、処理空間
Aの搬送ユニット11がカセット10から基板を取り出
し、一方の回転式洗浄ユニットSW1に搬送し、洗浄さ
れた基板を他方の回転式洗浄ユニットSW1に搬送す
る。その後、搬送ユニット11は、洗浄された基板を受
け渡し室SH内の受け渡しユニット31に渡す。受け渡
しユニット31は、渡された基板を処理空間Aの側から
処理空間Bの側へ搬送する。
In the process shown in FIG. 15B, first, the transport unit 11 in the processing space A takes out the substrate from the cassette 10, transports the substrate to one rotary cleaning unit SW1, and transfers the cleaned substrate to the other rotary cleaning unit SW1. It is transported to the unit SW1. Thereafter, the transport unit 11 transfers the cleaned substrate to the transfer unit 31 in the transfer chamber SH. The transfer unit 31 transports the transferred substrate from the processing space A to the processing space B.

【0090】処理空間Bの搬送ユニット21は、受け渡
し室SH内の受け渡しユニット31から基板を受け取
り、その基板を一方の回転式洗浄ユニットSW2に搬送
し、洗浄された基板を他方の回転式洗浄ユニットSW2
に搬送する。その後、搬送ユニット21は、洗浄された
基板を受け渡し室SH内の受け渡しユニット31に渡
す。受け渡しユニット31は、渡された基板を処理空間
Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間Aの搬
送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユニッ
ト31から基板を受け取り、その基板をカセット10に
収納する。
The transfer unit 21 in the processing space B receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH, transfers the substrate to one rotary cleaning unit SW2, and transfers the cleaned substrate to the other rotary cleaning unit SW2. SW2
Transport to Thereafter, the transfer unit 21 transfers the cleaned substrate to the transfer unit 31 in the transfer chamber SH. The transfer unit 31 transports the transferred substrate from the processing space B to the processing space A. The transfer unit 11 in the processing space A receives the substrate from the transfer unit 31 in the transfer chamber SH, and stores the substrate in the cassette 10.

【0091】本実施例の基板処理装置においては、第1
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Aで行われ、第2
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Bで行われ、処理
空間Aの雰囲気と処理空間Bの雰囲気とが互いに遮断さ
れているので、各洗浄処理が他方の洗浄処理の雰囲気の
影響を受けない。
In the substrate processing apparatus of this embodiment, the first
Is performed in the processing space A using the cleaning solution of
Is performed in the processing space B, and the atmosphere in the processing space A and the atmosphere in the processing space B are isolated from each other, so that each cleaning process is not affected by the atmosphere of the other cleaning process. .

【0092】図16は本発明の第3の実施例における基
板処理装置を示す図であり、(a)および(b)はそれ
ぞれ前方側および後方側における縦断面図であり、
(c)および(d)はそれぞれ下部側および上部側にお
ける横断面図である。
FIG. 16 is a view showing a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, wherein (a) and (b) are longitudinal sectional views on the front side and the rear side, respectively.
(C) and (d) are cross-sectional views on the lower side and the upper side, respectively.

【0093】図16の基板処理装置は、水平方向に延び
る隔壁200で分離された2つの処理空間A,Bを備え
る。すなわち、処理空間A,Bは上下方向に積層されて
いる。
The substrate processing apparatus shown in FIG. 16 has two processing spaces A and B separated by a partition wall 200 extending in the horizontal direction. That is, the processing spaces A and B are vertically stacked.

【0094】処理空間Aには、複数の回転式塗布ユニッ
トSC、積層された冷却ユニットCP、加熱ユニットH
P、密着強化ユニットAHが水平方向に並設されてい
る。処理空間Bには、複数の回転式現像ユニットSD、
積層された冷却ユニットCP、加熱ユニットHP、ベー
クユニットPEBが水平方向に並設されている。また、
処理空間Aには基板収納部IND1が配置され、処理空
間Bには基板収納部IND2が配置されている。処理空
間Aには、第1の実施例と同様に、搬送ユニット(図示
せず)を備える。処理空間Bも、第1の実施例と同様に
搬送ユニット(図示せず)を備える。
In the processing space A, a plurality of rotary coating units SC, stacked cooling units CP, heating units H
P, the adhesion strengthening units AH are arranged side by side in the horizontal direction. In the processing space B, a plurality of rotary developing units SD,
The stacked cooling unit CP, heating unit HP, and bake unit PEB are arranged side by side in the horizontal direction. Also,
A substrate storage section IND1 is disposed in the processing space A, and a substrate storage section IND2 is disposed in the processing space B. The processing space A includes a transport unit (not shown), as in the first embodiment. The processing space B also includes a transport unit (not shown) as in the first embodiment.

【0095】さらに、処理空間Aと処理空間Bとにわた
る受け渡し室SHが上下方向に配置されている。また、
受け渡し室SHを挟んで処理空間Aと反対側の位置に露
光装置STとの間で基板の受け渡しを行う中間受け渡し
部IFが配置されている。受け渡し室SH内には、受け
渡しユニット(図示せず)が上下方向に移動可能に設け
られている。
Further, a transfer chamber SH extending between the processing space A and the processing space B is arranged vertically. Also,
An intermediate transfer section IF that transfers a substrate to and from the exposure apparatus ST is disposed at a position opposite to the processing space A with the transfer chamber SH interposed therebetween. A transfer unit (not shown) is provided in the transfer chamber SH so as to be movable in the vertical direction.

【0096】処理空間Aの回転式塗布ユニットSCは、
基板収納部IND1側に基板の出し入れのための開口部
100を有する。また、回転式現像ユニットSDは、中
間受け渡し部IFの側に基板の出し入れのための開口部
100を有する。
The rotary coating unit SC in the processing space A is
An opening 100 for taking in and out the substrate is provided on the substrate storage section IND1 side. Further, the rotary developing unit SD has an opening 100 on the side of the intermediate transfer unit IF for taking out and taking in the substrate.

【0097】受け渡し室SHは、処理空間Aの側、処理
空間Bの側および中間受け渡し部IFの側にそれぞれ基
板の出し入れのための開口部100を有する。
The transfer chamber SH has openings 100 on the side of the processing space A, on the side of the processing space B, and on the side of the intermediate transfer section IF, respectively, for loading and unloading substrates.

【0098】本実施例の基板処理装置によれば、基板収
納部IND1,IND2を処理空間AおよびBのそれぞ
れに備えているので、塗布処理を処理空間Aの側で、ま
た現像処理を処理空間Bの側で個別に行うことができ
る。
According to the substrate processing apparatus of the present embodiment, the substrate accommodating sections IND1 and IND2 are provided in the processing spaces A and B, respectively, so that the coating processing is performed on the processing space A side and the developing processing is performed on the processing space A. This can be done individually on the B side.

【0099】また、塗布処理から現像処理までを一連し
て行うに際しては、基板は次のような経路をたどる。ま
ず、処理空間Aの搬送ユニットにより基板収納部IND
1から取り出された基板は、処理空間Aで順次搬送が行
われ、塗布処理がなされた後、受け渡し室SHの受け渡
しユニットに受け渡される。受け渡しユニットは、受け
取った基板を中間受け渡し部IFに搬送する。そして、
中間受け渡し部IFと外部の露光装置STとの間で基板
の受け渡しが行われ、露光処理後の基板は受け渡し室S
Hの受け渡しユニットまで戻される。再び基板を受け取
った受け渡しユニットは、受け渡し室SHを上昇し、処
理空間Bの搬送ユニットに基板を受け渡す。処理空間B
の搬送ユニットにより、基板は処理空間B内を順次搬送
され現像処理が行われて、受け渡し室SH内の受け渡し
ユニットに受け渡される。その後、受け渡しユニット
は、下降し、処理空間A内の搬送ユニットに基板を搬送
する。そして、処理空間A内の搬送ユニットが、基板を
基板収納部IND1に収納する。
When performing a series of processes from the coating process to the developing process, the substrate follows the following path. First, the transfer unit in the processing space A is used to store the substrate storage unit IND.
The substrates taken out from 1 are sequentially conveyed in the processing space A, subjected to a coating process, and then delivered to the delivery unit in the delivery room SH. The transfer unit conveys the received substrate to the intermediate transfer unit IF. And
The substrate is transferred between the intermediate transfer unit IF and the external exposure apparatus ST, and the exposed substrate is transferred to the transfer chamber S.
H is returned to the delivery unit. The transfer unit that has received the substrate again moves up the transfer chamber SH and transfers the substrate to the transfer unit in the processing space B. Processing space B
The substrates are sequentially transported in the processing space B by the transport unit, subjected to development processing, and delivered to the delivery unit in the delivery chamber SH. After that, the transfer unit descends and transports the substrate to the transport unit in the processing space A. Then, the transport unit in the processing space A stores the substrate in the substrate storage unit IND1.

【0100】本実施例の基板処理装置では、塗布処理が
処理空間Aで行われ、現像処理が処理空間Bで行われ、
処理空間Aと処理空間Bとが互いに遮断されているの
で、各処理が互いに他方の処理の雰囲気の影響を受ける
ことがない。また、処理空間A,Bが上下方向に積層さ
れているので、設置面積(フットプリント)が低減され
る。
In the substrate processing apparatus of this embodiment, the coating processing is performed in the processing space A, and the developing processing is performed in the processing space B.
Since the processing space A and the processing space B are isolated from each other, each processing is not affected by the atmosphere of the other processing. Further, since the processing spaces A and B are vertically stacked, the installation area (footprint) is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における基板処理装置の
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1における矢印P方向の側面図である。FIG. 2 is a side view in the direction of arrow P in FIG.

【図3】図1における矢印Q方向の側面図である。FIG. 3 is a side view in the direction of arrow Q in FIG. 1;

【図4】図2および図3におけるX−X線断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view taken along line XX in FIGS. 2 and 3;

【図5】図2および図3におけるY−Y線断面図であ
る。
FIG. 5 is a sectional view taken along line YY in FIGS. 2 and 3;

【図6】図4および図5におけるZ1−Z1線断面図で
ある。
FIG. 6 is a sectional view taken along line Z1-Z1 in FIGS. 4 and 5;

【図7】図4および図5におけるZ2−Z2線断面図で
ある。
FIG. 7 is a sectional view taken along line Z2-Z2 in FIGS. 4 and 5;

【図8】図4および図5におけるZ3−Z3線断面図で
ある。
FIG. 8 is a sectional view taken along line Z3-Z3 in FIGS. 4 and 5;

【図9】図4および図5におけるZ4−Z4断面図であ
る。
FIG. 9 is a sectional view taken along the line Z4-Z4 in FIGS. 4 and 5;

【図10】図4および図5におけるZ5−Z5線断面図
である。
FIG. 10 is a sectional view taken along line Z5-Z5 in FIGS. 4 and 5;

【図11】搬送ユニットの保持アームおよび受け渡しユ
ニットの受け渡し台を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a holding arm of the transfer unit and a delivery table of the delivery unit.

【図12】図1の基板処理装置における処理の一例を示
す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a process in the substrate processing apparatus of FIG. 1;

【図13】本発明の第2の実施例における基板処理装置
の縦断面図である。
FIG. 13 is a longitudinal sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図14】図13におけるW−W線断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line WW in FIG.

【図15】図13の基板処理装置における処理の例を示
す図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of processing in the substrate processing apparatus of FIG. 13;

【図16】本発明の第3の実施例における基板処理装置
の前方側の縦断面図、後方側の縦断面図、下部側の横断
面図および上部側の横断面図である。
FIG. 16 is a front vertical sectional view, a rear vertical sectional view, a lower cross sectional view, and an upper cross sectional view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図17】従来の基板処理装置の一例を示す平面図であ
る。
FIG. 17 is a plan view illustrating an example of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A,B 処理空間 CH1,CH2 化学系ユニット SC 回転式塗布ユニット SD 回転式現像ユニット FF1,FF2,FF3 空気調整ユニット CP 冷却ユニット HP 加熱ユニット AH 密着強化ユニット PEB ベークユニット EEW 周辺露光ユニット SH 受け渡し室 IND,IND1,IND2 基板収納部 IF 中間受け渡し部 11,21 搬送ユニット 31 受け渡しユニット 10 カセット 100 開口部 200 隔壁 A, B Processing space CH1, CH2 Chemical system unit SC Rotary coating unit SD Rotary developing unit FF1, FF2, FF3 Air conditioning unit CP Cooling unit HP Heating unit AH Adhesion strengthening unit PEB Bake unit EEW Peripheral exposure unit SH Transfer room IND , IND1, IND2 Substrate storage section IF Intermediate transfer section 11, 21 Transport unit 31 Transfer unit 10 Cassette 100 Opening 200 Partition wall

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasuo Imanishi 322 Hahazushi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inside the Rakusai Office (72) Inventor Yuki Iwami 322 Habushishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. 322 Habushishi Furukawacho Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに雰囲気が遮断された第1および第
2の処理空間を備え、 前記第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたる受
け渡し室が設けられ、 前記受け渡し室内には、前記第1の処理空間と前記第2
の処理空間との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段
が設けられ、 前記第1の処理空間には、基板に所定の処理を行う1ま
たは複数の第1の処理部、および前記第1の処理部と前
記受け渡し手段との間で基板を搬送する第1の搬送手段
が設けられ、 前記第2の処理空間には、基板に所定の処理を行う1ま
たは複数の第2の処理部、および前記第2の処理部と前
記受け渡し手段との間で基板を搬送する第2の搬送手段
が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
1. A first and a second processing space, each of which has an atmosphere interrupted from each other, wherein a transfer chamber extending between the first processing space and the second processing space is provided. A first processing space and the second processing space
A delivery unit for delivering a substrate to and from the processing space of the first processing space; one or more first processing units configured to perform a predetermined processing on the substrate in the first processing space; A first transfer unit that transfers a substrate between the unit and the transfer unit; and a second processing space, wherein one or a plurality of second processing units that perform predetermined processing on the substrate, A substrate processing apparatus, further comprising a second transfer unit that transfers a substrate between a second processing unit and the transfer unit.
【請求項2】 前記第1の処理空間には、処理前および
処理後の基板を収容する基板収納部が設けられるととも
に、 前記第1の搬送手段は、前記基板収納部との間で基板の
搬入および搬出を行い、 前記第2の処理空間には外部との間で基板の受け渡しを
行うための中間受け渡し部が設けられるとともに、 前記第2の搬送手段は、前記中間受け渡し部との間で基
板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first processing space includes a substrate storage unit that stores the substrates before and after the processing, and the first transfer unit transfers the substrate between the substrate storage unit and the first storage unit. The second processing space is provided with an intermediate transfer unit for transferring a substrate to and from the outside, and the second transfer unit is provided between the second processing space and the intermediate transfer unit. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is transferred.
【請求項3】 前記第1の処理部は、基板に露光前の処
理を行い、前記第2の処理部は、基板に露光後の処理を
行うことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理
装置。
3. The method according to claim 1, wherein the first processing unit performs a process before exposure on the substrate, and the second processing unit performs a process after exposure on the substrate. Substrate processing equipment.
【請求項4】 前記第1の処理部は、第1の洗浄液を用
いた第1の洗浄処理を行い、前記第2の処理部は、第2
の洗浄液を用いた第2の洗浄処理を行うことを特徴とす
る請求項1または2記載の基板処理装置。
4. The first processing unit performs a first cleaning process using a first cleaning liquid, and the second processing unit performs a second cleaning process using a first cleaning solution.
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a second cleaning process is performed using the cleaning liquid.
【請求項5】 前記第1の処理空間および前記第2の処
理空間は水平方向に並設され、前記受け渡し室は、前記
第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたって水平
方向に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいず
れかに記載の基板処理装置。
5. The first processing space and the second processing space are arranged side by side in a horizontal direction, and the transfer chamber is horizontally disposed over the first processing space and the second processing space. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項6】 前記第1の処理部は、前記第2の処理空
間と反対側の面に前記第1の搬送手段と基板の受け渡し
を行うための基板出入口を有し、 前記第2の処理部は、前記第1の処理空間と反対側の面
に前記第2の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基
板出入口を有することを特徴とする請求項5記載の基板
処理装置。
6. The first processing unit has a substrate entrance for transferring a substrate to and from the first transport unit on a surface opposite to the second processing space, and the second processing unit includes: 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the unit has a substrate entrance for transferring the substrate to and from the second transfer means on a surface opposite to the first processing space.
【請求項7】 前記第1および第2の処理空間は、それ
ぞれ上下方向に配置された複数の階層を備え、 前記第1の処理空間の下側の階層に配置される前記第1
の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
理部であり、前記第1の処理空間の上側の階層に配置さ
れる前記第1の処理部は、基板に対して温度処理を行う
処理部であり、 前記第2の処理空間の下側の階層に配置される前記第2
の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
理部であり、前記第2の処理空間の上側の階層に配置さ
れる前記第2の処理部は、基板に対して温度処理を行う
処理部であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか
に記載の基板処理装置。
7. The first and second processing spaces each include a plurality of layers arranged vertically, and the first processing space is arranged in a lower layer of the first processing space.
Is a processing unit that performs processing of the substrate using a predetermined processing liquid, and the first processing unit that is disposed in the upper layer of the first processing space performs temperature processing on the substrate. The second processing space, wherein the second processing space is arranged in a lower layer of the second processing space.
Is a processing unit that performs processing of the substrate using a predetermined processing liquid, and the second processing unit that is disposed in the upper layer of the second processing space performs temperature processing on the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing section performs a process.
【請求項8】 前記第1の処理空間および前記第2の処
理空間は上下方向に積層され、前記受け渡し室は、前記
第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたって上下
方向に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいず
れかに記載の基板処理装置。
8. The first processing space and the second processing space are vertically stacked, and the transfer chamber is vertically arranged over the first processing space and the second processing space. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項9】 前記受け渡し室は、前記第1の処理空間
および前記第2の処理空間の外部に面するように配設さ
れたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の
基板処理装置。
9. The apparatus according to claim 1, wherein the transfer chamber is disposed so as to face outside the first processing space and the second processing space. Substrate processing equipment.
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