JPH10261674A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】パッケージ基板、スティフナおよびカバープレ
ートのうちの少なくとも１つを長尺状のもので取り扱う
ことにより、取扱いを容易化し、生産性を高める。 【解決手段】パッケージ基板１１に搭載された半導体チ
ップ１０を囲む周辺部で基板上に接着されたスティフナ
１５、基板に対向して配設されるとともにチップに対向
して接着されたカバープレート１７を具備する半導体装
置を形成する際、基板、スティフナおよびカバープレー
トのうちの少なくとも１つをチップ搭載用領域あるいは
スティフナ領域あるいはカバープレート領域が長さ方向
の一定間隔毎に複数個形成された長尺状のものを使用し
て複数個の半導体装置が長さ方向に連なった長尺状の半
導体装置群を形成する工程と、長尺状の半導体装置群を
複数個の単体の半導体装置に分離する工程とを具備す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および半導体装置に係り、特にパッケージ基板に搭
載された半導体チップ、この周囲を囲む第１の保持体、
これらに対向して配設されてチップに接着された第２の
保持体を具備する半導体装置の製造方法および第１の保
持体・第２の保持体の一体物を具備する半導体装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】例えば集積回路カード、ゲーム用マスク
ＲＯＭカード、小型携帯電話器などに使用される半導体
装置は、パッケージの小型化・薄型化に対する要求が特
に強い。このような要求に応じるべく、ベア状態の半導
体チップ（ベア・チップ）と配線基板との間を電気的に
接続し、その周辺部および上面部を保持体で囲む構造の
片面樹脂封止型パッケージ構造が知られており、その一
例としてボールグリッドアレイ（ＢＧＡ；Ball Grid Ar
ray ）パッケージ構造が知られている。

【０００３】ＢＧＡパッケージの名称は、パッケージ基
板材料Ｘ、半導体チップとパッケージ基板との接続方法
Ｙの組み合わせに応じて、一般に、ＢＧＡ−Ｘ（Ｙ）と
表わされる。

【０００４】ここで、パッケージ基板材料Ｘの具体例と
しては、テープ基板（tape）Ｔ、セラミック基板（cera
mics）Ｃ、プリント基板（plastics）Ｐなどがあり、そ
れぞれ対応してＢＧＡ−Ｔ、ＢＧＡ−Ｃ、ＢＧＡ−Ｐと
称する。

【０００５】また、半導体チップとパッケージ基板との
接続方法Ｙの具体例としては、ワイヤーボンディング
（ＷＢ；Wire Bonding）、ＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）、フリップチップ（ＦＣ；Flip Chip ）などがあ
り、それぞれ対応してＢＧＡ−Ｘ（ＷＢ）、ＢＧＡ−Ｘ
（ＴＡＢ）、ＢＧＡ−Ｘ（ＦＣ）と称する。

【０００６】従って、パッケージ基板材料Ｘで少なくと
も３種類、半導体チップとパッケージ基板との接続方法
Ｙで少なくとも３種類あるので、ＢＧＡパッケージの形
態は大分類で少なくとも９種類ある。

【０００７】さらに、上記９種類の大分類においてそれ
ぞれ種々の変形が考えられるので、ＢＧＡパッケージの
形態の小分類は無数にあるが、殆んどのＢＧＡパッケー
ジは、半導体チップ、パッケージ基板、少なくとも１つ
の保持体を構成材料に持つ。図２６および図２７は、従
来のＢＧＡパッケージの一例として、ＢＧＡ−Ｔ（Ｆ
Ｃ）、ＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）の断面構造の一例を概略的
に示している。

【０００８】図２６に示すＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）の構造
は、例えば " Ball Grid Array Package : Market and
Technology Developments ",TechSearch Internationa
l,Inc.,p.67,1994 に開示されている。

【０００９】図２６において、１０は半導体チップ、１
１は両面に配線パターン１２が形成されたＴＡＢテープ
であり、そのチップ搭載面にはＣ４（ Controlled coll
apsechip connection ）技術を用いて前記チップ１０の
素子形成面のパッド電極が半田バンプ１３を介して接続
されている。

【００１０】１４は前記チップ１０とＴＡＢテープ１１
との間に充填されるとともにチップ１０の外周側面を覆
うように形成された封止樹脂である。

【００１１】１５は前記チップ１０および封止樹脂１４
の周辺部を囲むように前記ＴＡＢテープ１１上に配設さ
れ、接着剤１６により接着されたスティフナ（メタルフ
レーム）である。

【００１２】１７は前記チップ１０、封止樹脂１４およ
びスティフナ１５の上面部を覆うように前記ＴＡＢテー
プ１１に対向して配設され、前記チップ１０の裏面（露
出面）の全面に放熱性のよい接着剤１６により接着され
るとともに、前記スティフナ１６の一部に放熱性のよい
接着剤１６により接着されているカバープレート（ヒー
トシンク、ヒートプレート）である。

【００１３】１９は前記ＴＡＢテープ１１のチップ非搭
載面に設けられ、前記配線パターン１２に電気的に接続
された外部接続用の半田ボールである。

【００１４】２０は上記したようなＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）
パッケージ構造を有する半導体装置を使用する応用製品
のマザーボード（回路基板）であり、その実装面上に配
線パッド２１が形成され、その上にソルダーペースト２
２が形成されたものである。そして、上記マザーボード
２０の配線パッド２１上に前記ＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）パッ
ケージのＴＡＢテープ１１の下面の半田ボール１９が半
田付け接続されている。

【００１５】図２７に示すＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）の構造
は、例えば、池永他、「低熱抵抗Ｔａｐｅ−ＢＧＡの開
発」、“第１０回回路実装学術講演大会講演論文集”p
p.209-210, 1996に開示されている。

【００１６】図２７に示すＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）は、図
２６に示したＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）と比べて、ＴＡＢテー
プ１１ａおよびそれに対するチップ搭載、樹脂封止の構
造が異なり、その他は同じであるので図２６中と同一符
号を付している。

【００１７】即ち、ＴＡＢテープ１１ａは、チップ搭載
部にインナーリード（Ｃｕ導体配線）を有し、チップ搭
載部の周辺部には前記インナーリードに連なる半田ボー
ル接続部のアレイが形成されており、チップ搭載部にイ
ンナーリードボンディング技術を用いて前記チップ１０
の素子形成面のパッド電極が接続されており、前記チッ
プ搭載部でチップ１０のパッド電極形成面（ＴＡＢテー
プ１１ａとの接続部を含む）およびその周辺部が樹脂１
４で覆われて封止されている。

【００１８】そして、前記チップ１０および第１の保持
体（前記スティフナ、メタルフレームに対応する内部保
持体）１５の上面部を覆うように前記ＴＡＢテープ１１
ａに対向して第２の保持体（前記カバープレート、ヒー
トシンク、ヒートプレートに対応する外部保持体）１７
が配設され、前記チップ１０の裏面（露出面）の全面お
よび前記スティフナ１５の上面に放熱性のよい接着剤１
６により接着されている。

【００１９】図２８は、ＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケー
ジの従来の製造工程の一例を示す。 （ａ）インナーリードボンディング工程 多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎に形成
されて全体が巻回状（リール状）で保持されたＴＡＢテ
ープの一部を引き出し、そのチップ搭載用領域のインナ
ーリードにチップの素子形成面のパッド電極を熱圧着法
で接続する。 （ｂ）ポッティング工程（封止工程） チップの素子形成面をエポキシ系樹脂で覆い、熱硬化さ
せる。

【００２０】（ｃ）スティフナ貼付工程 個片状のスティフナ（例えばＳＵＳ３０４Ｈからなる
０．３５ｍｍ厚のもの）をＴＡＢテープ上に接着剤によ
り接着する。

【００２１】（ｄ）カバープレート貼付工程 個片状のカバープレート（例えばＣｕからなる０．２ｍ
ｍ厚のもの）を前記チップの裏面上およびスティフナ上
に接着剤により接着する。

【００２２】（ｅ）ＴＡＢテープの個片分離工程 ＴＡＢテープを半導体装置単体の個片に切断する。

【００２３】（ｆ）ボール搭載工程 パッケージ裏面のボール接続位置に導体からなるパッド
を形成し、パッド部にフラックスを塗布した後、上記フ
ラックスを介して前記パッド上に共晶半田ボールを接着
させる。さらに、１５０℃、６０秒以上で加熱すること
によって前記フラックスを活性化させ、２２０℃、２０
秒以上で加熱することによって前記共晶半田ボールとパ
ッドを接続させる。

【００２４】しかし、上記したような従来のＢＧＡ−Ｔ
（ＦＣ）、ＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）の製造工程は、スティ
フナおよびカバープレートをそれぞれ個片状で取り扱う
ので、取り扱いが困難であり、また、ＴＡＢテープの歩
留りの影響を受け、生産性が不安定である。

【００２５】即ち、ＢＧＡパッケージの主たる構成要素
であるＴＡＢテープ、スティフナおよびカバープレート
のうちで部品単体として歩留りが最も悪いのはＴＡＢテ
ープである。その理由は、ＴＡＢテープは、通常、ポリ
イミドテープ７５μｍ／接着剤１２μｍ／Ｃｕ箔２５μ
ｍ／Ｓｎメッキ０．２〜０．４μｍが積層されるという
複雑な構造を持ち、さらに、インナーリードが微細な場
合（例えば、インナーリード幅が３０μｍ、インナーリ
ードピッチが６０μｍ）には、インナーリード先端が曲
がったり、折れたりするからである。

【００２６】上記したようにＴＡＢテープの歩留りが悪
いと、ＴＡＢテープの良品のみにチップ、スティフナお
よびカバープレートを搭載し、ＴＡＢテープの不良品に
は何も搭載せずにリール状のＴＡＢテープを取り扱うこ
とになる。従って、リール状のＴＡＢテープの安定性が
悪くなったり、また、不良品も良品と同様に搬送するの
で、生産性が悪くなる。

【００２７】また、ＢＧＡパッケージの製造工程中にＴ
ＡＢテープをリール状で取り扱うので、ＴＡＢテープに
反り、巻き癖が発生し、ボール搭載時にＴＡＢテープの
平面性を実現できず、ボール搭載が困難である。

【００２８】図２９は、従来のＢＧＡパッケージの他の
例として、ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）の断面構造の一例を概略
的に示している。

【００２９】図２９において、１０は半導体チップ、１
１は両面に配線パターンが形成されたパッケージ基板
（プリント基板）である。

【００３０】前記半導体チップ１０とプリント基板１１
はフリップチップ接続されており、前記チップ１０の素
子形成面のパッド電極は半田バンプ１３を介してプリン
ト基板に接続されている。

【００３１】１４は前記チップ１０とプリント基板１１
との間に充填されるとともにチップ１０の外周側面を覆
うように形成された封止樹脂である。

【００３２】１５は前記チップ１０および封止樹脂１４
の周辺部を囲むように前記プリント基板１１上に配設さ
れ、接着剤１６により接着された第１の保持体（スティ
フナ、メタルフレーム）である。

【００３３】１７は前記チップ１０、封止樹脂１４およ
びスティフナ１５の上面部を覆うように前記プリント基
板１１に対向して配設され、前記チップ１０の裏面（露
出面）の全面に放熱性のよい接着剤１６により接着され
るとともに、前記スティフナ１６の一部に放熱性のよい
接着剤１６により接着されている第２の保持体（カバー
プレート、ヒートシンク、ヒートプレート）である。

【００３４】１９は前記プリント基板１１のチップ非搭
載面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続され
た外部接続用の半田ボールである。

【００３５】図３０（ａ）、（ｂ）および図３１
（ａ）、（ｂ）は、図２９のＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケ
ージの従来の製造工程の一例を工程順に示す。

【００３６】（ａ）フリップチップ接続工程 図３０（ａ）に示すように、個片状のチップ１０の素子
形成面のパッド電極上に設けられた共晶半田（Ｓｎ／Ｐ
ｂ＝６３ｗｔ％／３７ｗｔ％）からなる半田バンプ１３
と、個片状のプリント基板１１のＣｕ配線パターン上の
共晶半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３ｗｔ％／３７ｗｔ％）から
なる配線を熱圧着法で接続（フリップチップ接続）す
る。

【００３７】この後、チップ１０とプリント基板１１と
の間に封止樹脂（図示せず）を充填させる。この樹脂を
充填するプロセスは、通常の樹脂の塗布と同様にディス
ペンス法により行う。このディスペンス法は、ディスペ
ンサと呼ばれる制御装置により樹脂充填用のシリンジと
呼ばれる可動装置を制御し、シリンジの先端にあるノズ
ル（管）から樹脂を充填する。

【００３８】（ｂ）スティフナ貼付工程 図３０（ｂ）に示すように、個片状のスティフナ（例え
ばＳＵＳ３０４Ｈからなる０．３５ｍｍ厚のもの）１５
を前記フリップチップ接続後のプリント基板１１上に接
着剤１６により接着する。

【００３９】（ｃ）カバープレート貼付工程 図３１（ａ）に示すように、個片状のカバープレート
（例えばＣｕからなる０．２ｍｍ厚のもの）１７を前記
スティフナ貼付後のプリント基板１１上のチップ１０の
裏面上およびスティフナ１５上に接着剤１６により接着
する。

【００４０】（ｄ）ボール搭載工程 図３１（ｂ）に示すように、スティフナ貼付、カバープ
レート貼付後のプリント基板１１の裏面のボール接続位
置に、導体からなるパッドを形成し、パッド部にフラッ
クスを塗布した後、上記フラックスを介して前記パッド
上に共晶半田ボールを接着させる。さらに、１５０℃、
６０秒以上で加熱することによって前記フラックスを活
性化させ、２２０℃、２０秒以上で加熱することによっ
て前記共晶半田ボールとパッドを接続させる。

【００４１】しかし、上記したような従来のＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）の製造工程は、プリント基板１１、スティフナ
およびカバープレートをそれぞれ個片状で取り扱うの
で、取り扱いが困難であり、生産性が低い。

【００４２】

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
ＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）、ＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）の製造工程
においては、スティフナおよびカバープレートをそれぞ
れ個片状で取り扱うので、取り扱いが困難であり、ま
た、ＴＡＢテープの歩留りの影響を受け、生産の安定性
や生産性が悪く、ボール搭載が困難であるという問題が
あった。

【００４３】また、従来のＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）の製造工
程においては、プリント基板、スティフナおよびカバー
プレートをそれぞれ個片状で取り扱うので、取り扱いが
困難であり、生産性が低いという問題があった。

【００４４】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、パッケージ基板、第１の保持体および第２の
保持体のうちの少なくとも１つをチップ搭載用領域ある
いは第１の保持体領域あるいは第２の保持体領域が長さ
方向の一定間隔毎に複数個形成された長尺状のもので取
り扱うことにより、取り扱いが容易になり、生産性を高
めることが可能になる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００４５】また、本発明の他の目的は、ＴＡＢテープ
の歩留りが悪い場合の影響を除去でき、ＴＡＢテープの
反り、巻き癖を抑制でき、ＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）、ＢＧＡ
−Ｔ（ＴＡＢ）などのＢＧＡ−Ｔパッケージ製造に際し
てボール搭載時にＴＡＢテープの平面性を実現でき、ボ
ールを期待通りに搭載することが容易になるパッケージ
を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００４６】また、本発明の他の目的は、パッケージ基
板に搭載された半導体チップを囲む周辺部でパッケージ
基板上に接着される第１の保持体およびパッケージ基板
に対向して配設されるとともにチップに接着される第２
の保持体が一体物として形成されたものを使用すること
により、部品コストおよび製造工程数の削減、厚み方向
の寸法精度および強度の向上、軽量化を図り得る半導体
装置を提供することにある。

【００４７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、パッケージ基板に搭載された半導体チップ、
前記チップを囲む周辺部で前記パッケージ基板上に接着
された第１の保持体、前記パッケージ基板に対向して配
設されるとともに第１の保持体で囲まれた前記チップに
対向して接着された第２の保持体を具備する半導体装置
の製造方法において、前記パッケージ基板、第１の保持
体および第２の保持体のうち、少なくとも１つは、前記
半導体装置が形成される領域が一定間隔毎に複数個連結
された長尺状形状とし、前記半導体装置が複数個連結さ
れた長尺状半導体装置群を形成する工程と、前記長尺状
の半導体装置群を単体の前記半導体装置に分離する工程
とを具備することを特徴とする。

【００４８】具備することを特徴とする。

【００４９】また、本発明の半導体装置は、プリント基
板、セラミック基板、テープ基板のいずれか１つからな
るパッケージ基板に搭載された半導体チップと、前記チ
ップを囲む周辺部で前記パッケージ基板上に接着された
第１の保持体と、前記パッケージ基板に対向して配設さ
れるとともに第１の保持体で囲まれた前記チップに対向
して接着された第２の保持体とを具備する半導体装置に
おいて、前記第１の保持体と第２の保持体とは一体物と
して形成されていることを特徴とする。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００５１】本発明の半導体装置の製造方法は、パッケ
ージ基板に搭載された半導体チップ、前記チップを囲む
周辺部で前記パッケージ基板上に接着された第１の保持
体、前記パッケージ基板に対向して配設されるとともに
第１の保持体で囲まれた前記チップに対向して接着され
た第２の保持体を具備する半導体装置を製造する際に適
用されるものである。

【００５２】前記パッケージ基板としては、テープ基板
（Ｔ）、プリント基板（Ｐ）、セラミック基板（Ｃ）な
どが挙げられる。また、前記半導体チップとパッケージ
基板との電気的接続方法は、フリップチップ（ＦＣ）、
ワイヤーボンディング（ＷＢ）、ＴＡＢなどが挙げられ
る。

【００５３】従って、本発明をボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）型のパッケージに適用する場合には、ＢＧＡ
−Ｔ（ＴＡＢ）、ＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）、ＢＧＡ−Ｔ（Ｗ
Ｂ）、ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）、ＢＧＡ−Ｐ（ＷＢ）、ＢＧ
Ａ−Ｐ（ＴＡＢ）などのパッケージを実現できる。

【００５４】まず、本発明の半導体装置の製造方法の第
１の実施の形態として、ＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケー
ジの製造工程について説明する。

【００５５】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造
方法は、ＴＡＢテープに搭載された半導体チップ、前記
チップを囲む周辺部で前記ＴＡＢテープに対向して配設
されるとともにＴＡＢテープ上に接着されたスティフナ
（第１の保持体）、前記ＴＡＢテープに対向して配設さ
れるとともにスティフナで囲まれた前記チップに対向し
て接着されたカバープレート（第２の保持体）を具備す
るＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケージを製造する際、前記
ＴＡＢテープ、スティフナおよびカバープレートのうち
の少なくとも１つをチップ搭載用領域あるいはスティフ
ナ領域あるいはカバープレート領域が長さ方向の一定間
隔毎に複数個形成された長尺状のものを使用して複数個
の半導体装置が長さ方向に連なった長尺状の半導体装置
群を形成する工程と、前記長尺状の半導体装置群を複数
個の単体の半導体装置に分離する工程とを具備すること
を特徴とするものである。

【００５６】なお、長尺状あるいはリール状あるいは個
片状のＴＡＢテープ、長尺状あるいは個片状のスティフ
ナおよび長尺状あるいは個片状のカバープレートの少な
くとも１つが長尺状のものである組み合わせは１０通り
ある。この組み合わせが１０通りある理由を次に説明す
る。上述したようにＴＡＢテープで３通り、スティフナ
で２通り、カバープレートで２通りあるために、考えら
れる最大の場合の数は３×２×２＝１２通りである。こ
の中で、ＴＡＢテープがリール状、スティフナが個片
状、カバープレートが個片状の組み合わせと、ＴＡＢテ
ープがリール状、スティフナが個片状、カバープレート
が個片状の組み合わせとは、少なくとも１つが長尺状で
はない。従って、組み合わせの数は１２−２＝１０通り
となる。

【００５７】また、スティフナおよびカバープレートが
一体的かつ長尺状に形成され、ＴＡＢテープが個片状あ
るいは長尺状あるいはリール状のものである組み合わせ
は３通りある。さらに、スティフナおよびＴＡＢテープ
が一体的かつ長尺状に形成され、カバープレートが個片
状あるいは長尺状である組み合わせは２通りある。

【００５８】従って、本発明方法を適用するＴＡＢテー
プ、スティフナおよびカバープレートの組み合わせは全
体として１５通り（１０通り＋３通り＋２通り）ある
が、以下、代表的な実施例を挙げて説明する。

【００５９】＜実施例１−１＞図１は、長尺状のスティ
フナ、個片状のＴＡＢテープおよび個片状のカバープレ
ートの組み合わせによる製造工程の一例を示すローチャ
ートである。

【００６０】図２（ａ）は、図１の工程で使用される長
尺状のスティフナ１５ａの一例を示す平面図である。

【００６１】この長尺状のスティフナ１５ａは、複数
（例えば４〜６）のスティフナ領域１５ｂが長さ方向の
一定間隔毎に形成されており、ＴＡＢテープのポリイミ
ドテープと熱膨張係数が近くて保持体として必要な剛性
を有する材料（例えばＳＵＳ３０４Ｈ）からなり、ほぼ
０．３５ｍｍ厚のものである。この場合、スティフナ領
域１５ｂは、例えばほぼ正方形のリング状であり、ステ
ィフナのフレーム部分１５ｃに対して細い吊りピン１５
ｄを介して連結された状態で一体的に形成されている。
また、長尺状のスティフナの幅方向両辺部には長さ方向
に間欠的に搬送ガイド、識別マーク兼用の開口部１５ｅ
が形成されている。

【００６２】図２（ｂ）は、図１の工程で使用される個
片状のＴＡＢテープ１１の一例の裏面を示す平面図であ
る。

【００６３】この個片状のＴＡＢテープは、リール状の
ＴＡＢテープより良品部分をチップ単体搭載用の個片に
切断されたものである。このＴＡＢテープは、通常のも
のと同様に、ポリイミドテープ７５μｍ／接着剤１２μ
ｍ／Ｃｕ箔２５μｍ／Ｓｎメッキ０．２〜０．４μｍが
積層されてなり、チップ搭載部１１ｂにインナーリード
（Ｃｕ導体配線）を有し、チップ搭載部の周辺部には前
記インナーリードに連なる半田ボール接続部のアレイ１
１ｃが形成されている。

【００６４】図２（ｃ）は、図１の工程で使用される個
片状のカバープレート１７の一例を示す平面図である。

【００６５】この個片状のカバープレートは、熱伝導率
の良い材料（例えばＣｕ）からなり、ほぼ０．２ｍｍ
厚、ほぼ正方形である。

【００６６】以下、図１および図２（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）を参照しながら工程順に詳細に説明する。

【００６７】（ａ）リール状のＴＡＢテープへのインナ
ーリードボンディング工程 多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎に形成
されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用領域の
インナーリードにチップ１０の素子形成面のパッド電極
を熱圧着法で接続する。

【００６８】（ｂ）ＴＡＢテープの個片分離工程 リール状のＴＡＢテープより良品部分をチップ単体搭載
用の個片に切断する。 （ｃ）スティフナ貼付工程 長尺状のスティフナに個片状の良品のＴＡＢテープを接
着剤により接着する。 （ｄ）ポッティング工程（封止工程） ＴＡＢテープに接続された状態のチップ１０の素子形成
面を例えばエポキシ系樹脂で覆い、熱硬化させる。

【００６９】（ｅ）カバープレート貼付工程 個片状のカバープレートを前記長尺状のスティフナ上お
よびチップ１０の裏面上に接着剤により接着する。

【００７０】（ｆ）ボール搭載工程 長尺状のスティフナが添付されたＴＡＢテープの裏面の
チップ搭載用領域周辺のボール接続位置に導体からなる
パッドを形成し、パッド部にフラックスを塗布した後、
上記フラックスを介して前記パッド上に共晶半田ボール
を接着させる。さらに、１５０℃、６０秒以上で加熱す
ることによって前記フラックスを活性化させ、２２０
℃、２０秒以上で加熱することによって前記共晶半田ボ
ールとパッドを接続させる。

【００７１】（ｇ）長尺状スティフナの個片分離工程 長尺状のスティフナの吊りピン部を切断することによっ
て半導体装置単体の個片に切断し、図２７に示したよう
なＢＧＡパッケージを得る。

【００７２】上記したように長尺状のスティフナを使用
し、インナーリードボンディング工程、ＴＡＢテープの
個片分離工程、長尺状スティフナ貼付工程、封止工程、
カバープレート貼付工程、ボール搭載工程、長尺状ステ
ィフナの個片分離工程を順に実施することにより、ＴＡ
Ｂテープの歩留りが悪い場合の影響を除去でき、ＴＡＢ
テープの反り、巻き癖を抑制でき、ボール搭載時にＴＡ
Ｂテープの平面性を実現でき、ボールを期待通りに搭載
することが容易になるＢＧＡパッケージを有する半導体
装置を製造することができる。

【００７３】また、ＴＡＢテープの個片への個片分離工
程をポッティング工程より前に実施することにより、Ｔ
ＡＢテープ単体の良品のみを選択（不良品を除外）して
ポッティング工程に移行することが可能になり、ポッテ
ィング工程で通常実施される加熱炉内での樹脂キュアを
不良品についてはスキップさせることができる。これに
より、スループットの向上、生産コストの低減化を図る
ことが可能になる。 ＜実施例１−１の変形例＞前記実施例１−１における
（ｄ）ポッティング工程（封止工程）を（ｂ）ＴＡＢテ
ープの個片分離工程の前に実施するように順序を入れ替
えても、前記したような長尺状のスティフナを使用する
ことによる効果が得られる。

【００７４】＜実施例１−２＞図３は、長尺状のカバー
プレート、個片状のＴＡＢテープおよび個片状のスティ
フナの組み合わせによる製造工程の一例を示す。

【００７５】図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図３の工
程で使用される長尺状のカバープレート１７ａ、個片状
のＴＡＢテープ１１の裏面および個片状のスティフナ１
５の一例を示す平面図である。

【００７６】長尺状のカバープレート１７ａは、複数
（例えば４〜６）のカバープレート領域１７ｂが長さ方
向の一定間隔毎に形成されており、本例では熱伝導率の
良い金属材料（例えばＣｕ）からなる０．２ｍｍ厚のも
のが使用されている。

【００７７】前記カバープレート領域１７ｂは、カバー
プレートのフレーム部分１７ｃに対して細い吊りピン１
７ｄを介して連結された状態で一体的に形成されてい
る。また、長尺状のカバープレートの幅方向両辺部には
長さ方向に間欠的に開口部１７ｅが形成されている。

【００７８】以下、図３および図４を参照しながら工程
順に詳細に説明する。

【００７９】（ａ）リール状のＴＡＢテープへのインナ
ーリードボンディング工程 多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎に形成
されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用領域の
インナーリードにチップ１０の素子形成面のパッド電極
を熱圧着法で接続する。

【００８０】（ｂ）個片状スティフナ貼付工程 個片状のスティフナ（例えば、ＳＵＳ３０４Ｈからなる
０．３５ｍｍ厚のもの）を良品のＴＡＢテープ上に接着
剤により接着する。

【００８１】（ｃ）リール状のＴＡＢテープの個片への
個片分離工程 リール状のＴＡＢテープより良品部分をチップ単体搭載
用の個片に切断する。 （ｄ）長尺状カバープレート貼付工程 長尺状のカバープレートに前記スティフナおよびチップ
１０裏面を接着剤により接着する。

【００８２】（ｅ）ポッティング工程（封止工程） ＴＡＢテープに接続された状態のチップ１０の素子形成
面を例えばエポキシ系樹脂で覆い、熱硬化させる。

【００８３】（ｆ）ボール搭載工程 ＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボール接
続位置に導体からなるパッドを形成し、パッド部にフラ
ックスを塗布した後、上記フラックスを介して前記パッ
ド上に共晶半田ボールを接着させる。さらに、１５０
℃、６０秒以上で加熱することによって前記フラックス
を活性化させ、２２０℃、２０秒以上で加熱することに
よって前記共晶半田ボールとパッドを接続させる。

【００８４】（ｇ）長尺状カバープレートの個片分離工
程 長尺状のカバープレートの吊りピン部分を切断すること
により半導体装置単体の個片に切断し、図２７に示した
ようなＢＧＡパッケージを得る。

【００８５】＜実施例１−２の変形例＞前記実施例１−
２における（ｅ）ポッティング工程を（ｃ）ＴＡＢテー
プの個片分離工程の前に実施するように順序を入れ替え
てもよい。

【００８６】上記した実施例１−２およびその変形例に
よっても、前記した実施例１−１に準じて長尺状のカバ
ープレートを使用することによる効果が得られる。

【００８７】＜実施例１−３＞図５は、長尺状のＴＡＢ
テープ、個片状のスティフナおよび個片状のカバープレ
ートの組み合わせによる製造工程の一例を示す。

【００８８】図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、図５の工
程で使用される長尺状のＴＡＢテープ１１ａの裏面、個
片状のスティフナ１５および個片状のカバープレート１
７の一例を示す平面図である。

【００８９】長尺状のＴＡＢテープ１１ａは、複数（例
えば４〜６）のチップ搭載用領域１１ｂが長さ方向の一
定間隔毎に形成されている状態のものであり、例えばリ
ール状のＴＡＢテープから長尺状に切断分離されたもの
である。なお、１１ｃは半田ボール接続部のアレイ、１
１ｄは開口部である。

【００９０】以下、図５および図６を参照しながら工程
順に詳細に説明する。

【００９１】（ａ）リール状のＴＡＢテープへのインナ
ーリードボンディング工程 多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎に形成
されたリール状のＴＡＢテープを引き出してその各チッ
プ搭載用領域のインナーリードにチップ１０の素子形成
面のパッド電極を熱圧着法で接続する。

【００９２】（ｂ）ポッティング工程（封止工程） ＴＡＢテープに接続された状態のチップ１０の素子形成
面を例えばエポキシ系樹脂で覆い、熱硬化させる。

【００９３】（ｃ）ＴＡＢテープのリール状→長尺状へ
の分離工程 リール状のＴＡＢテープを長尺状のＴＡＢテープに切断
する。

【００９４】（ｄ）スティフナ貼付工程 個片状のスティフナ（例えば、ＳＵＳ３０４Ｈからなる
０．３５ｍｍ厚のもの）を長尺状のＴＡＢテープ上に接
着剤により接着する。

【００９５】（ｅ）カバープレート貼付工程 個片状のカバープレート（例えば、Ｃｕからなる０．２
ｍｍ厚のもの）を前記長尺状のＴＡＢテープ上のチップ
１０の裏面上およびスティフナ上に接着剤により接着す
る。

【００９６】（ｆ）ボール搭載工程 長尺状のＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺の
ボール接続位置に導体からなるパッドを形成し、パッド
部にフラックスを塗布した後、上記フラックスを介して
前記パッド上に共晶半田ボールを接着させる。さらに、
１５０℃、６０秒以上で加熱することによって前記フラ
ックスを活性化させ、２２０℃、２０秒以上で加熱する
ことによって前記共晶半田ボールとパッドを接続させ
る。

【００９７】（ｇ）ＴＡＢテープの個片分離工程 長尺状のＴＡＢテープを半導体装置単体搭載用の個片に
切断し、図２７に示したようなＢＧＡパッケージを得
る。

【００９８】上記した第３実施例およびその変形例によ
っても、前記した第１実施例に準じて長尺状のＴＡＢテ
ープを使用することによる効果が得られる。

【００９９】＜実施例１−４＞実施例１−４は、スティ
フナおよびカバープレートが一体的かつ長尺状に形成さ
れたスティフナ・カバープレートの一体物と個片状のＴ
ＡＢテープとの組み合わせを使用する。

【０１００】図７（ａ）は、実施例１−４による製造工
程で使用される長尺状のスティフナ・カバープレートの
一体物７０の一例を示す断面図であり、その上面から見
た平面の一例を図７（ｂ）に示している。

【０１０１】この長尺状のスティフナ・カバープレート
の一体物７０は、複数（例えば４〜６）のスティフナ領
域１５ｂ、四角形のカバープレート領域１７ｂが長さ方
向の一定間隔毎に形成されており、本例では０．２〜
０．４０ｍｍ厚のＳＵＳ３０４Ｈからなるプレートある
いはＣｕプレートがプレスされてカバープレート領域１
７ｂとスティフナ領域１５ｂとが段差を持つように形成
されたものが使用される。

【０１０２】なお、図７（ｂ）中に点線で示すように、
カバープレート領域１７ｂの四隅部付近には、スティフ
ナ・カバープレートの絞り加工によりカバープレート領
域１７ｂを容易に突出させるための孔を設けてもよい。

【０１０３】図８は、図７のスティフナ・カバープレー
トの一体物７０を使用した実施例１−４による製造工程
の一例を示す。

【０１０４】以下、図７、図８および図２７を参照しな
がら工程順に詳細に説明する。

【０１０５】（ａ）リール状のＴＡＢテープへのインナ
ーリードボンディング工程 多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎に形成
されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用領域の
インナーリードにチップ１０の素子形成面のパッド電極
を熱圧着法で接続する。

【０１０６】（ｂ）ＴＡＢテープの個片分離工程 リール状のＴＡＢテープより良品のみをチップ単体搭載
用の個片に切断する。 （ｃ）長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物の
貼付工程 長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物に個片状
のＴＡＢテープを接着剤により接着する。

【０１０７】（ｄ）ポッティング工程（封止工程） 長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物が添付さ
れたＴＡＢテープにチップ１０が接続された状態のまま
で、チップ１０の素子形成面をエポキシ系樹脂で覆い、
熱硬化させる。

【０１０８】（ｅ）ボール搭載工程 長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物が添付さ
れたＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボー
ル接続位置に導体からなるパッドを形成し、パッド部に
フラックスを塗布した後、上記フラックスを介して前記
パッド上に共晶半田ボールを接着させる。さらに、１５
０℃、６０秒以上で加熱することによって前記フラック
スを活性化させ、２２０℃、２０秒以上で加熱すること
によって前記共晶半田ボールとパッドを接続させる。

【０１０９】（ｆ）長尺状スティフナ・カバープレート
の一体物の個片分離工程 長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物を半導体
装置単体の個片に切断し、ＢＧＡパッケージを得る。

【０１１０】上記した第４実施例およびその変形例によ
っても、前記した第１実施例に準じて長尺状のスティフ
ナおよびカバープレートを使用することによる効果が得
られる。

【０１１１】上記実施例１−４およびその変形例によっ
て製造された半導体装置は、図９に示すように、ＴＡＢ
テープに搭載された半導体チップと、前記チップを囲む
周辺部で前記ＴＡＢテープ上に接着されたスティフナ
と、前記ＴＡＢテープに対向して配設されるとともにス
ティフナで囲まれた前記チップに対向して接着されたカ
バープレートとを具備し、前記スティフナとカバープレ
ートとは一体物として形成されていることを特徴とす
る。

【０１１２】この場合、前記スティフナとカバープレー
トとの一体物は、一定厚さのプレートがプレスにより絞
り加工され、周辺部のスティフナ領域よりも中央部のカ
バープレート領域が一定高さの段差を持つように突出さ
れている。

【０１１３】なお、前記スティフナとカバープレートと
の一体物は、カバープレート領域が四角形であり、絞り
加工のために必要であれば、カバープレート領域の四隅
部付近に孔を設けてもよい。この孔の存在により、ステ
ィフナとカバープレートとで囲まれた内部で発生したガ
スや水分を外部に逃がすことが可能になる。

【０１１４】上記したような実施例１−４およびその変
形例によって製造された半導体装置によれば、ＴＡＢテ
ープに搭載された半導体チップを囲む周辺部でＴＡＢテ
ープ上に接着されるスティフナおよびＴＡＢテープに対
向して配設されるとともにチップに接着されるカバープ
レートが一体物として形成されたものを使用することに
より、部品コストおよび製造工程数の削減、厚み方向の
寸法精度および強度の向上、軽量化を図ることが可能に
なる。

【０１１５】＜実施例１−５＞ＴＡＢテープ上に搭載さ
れた半導体チップ、前記チップの周辺部でＴＡＢテープ
上に接着されたスティフナ、前記ＴＡＢテープに対向し
て配設されるとともに前記スティフナで囲まれたチップ
に対向して接着されたカバープレートを具備する半導体
装置の製造に際して、長尺状のスティフナと長尺状のＴ
ＡＢテープとを貼り合わせたもの、あるいは、長尺状の
カバープレートと長尺状のＴＡＢテープとを貼り合わせ
たもの、あるいは、長尺状のスティフナと長尺状のカバ
ープレートとを貼り合わせたものを事前に用意してお
き、他の個片状の構成要素と接着させた後に半導体装置
単体の個片に切断し、図２７に示したようなＢＧＡパッ
ケージを得る。

【０１１６】次に、本発明の半導体装置の製造方法の第
２の実施の形態として、ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージ
の製造工程について説明する。

【０１１７】第２の実施の形態は、プリント基板に搭載
された半導体チップ、前記チップを囲む周辺部で前記パ
ッケージ基板に対向して配設されるとともにパッケージ
基板上に接着されたスティフナ（第１の保持体）、前記
パッケージ基板に対向して配設されるとともにスティフ
ナで囲まれた前記チップに対向して接着されたカバープ
レート（第２の保持体）を具備するＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）
パッケージを製造する際、前記プリント基板、スティフ
ナおよびカバープレートのうちの少なくとも１つをチッ
プ搭載用領域あるいはスティフナ領域あるいはカバープ
レート領域が長さ方向の一定間隔毎に複数個形成された
長尺状のものを使用して複数個の半導体装置が長さ方向
に連なった長尺状の半導体装置群を形成する工程と、前
記長尺状の半導体装置群を複数個の単体の半導体装置に
分離する工程とを具備することを特徴とする。

【０１１８】なお、長尺状あるいは個片状のプリント基
板、長尺状あるいは個片状のスティフナおよび長尺状あ
るいは個片状のカバープレートの少なくとも１つが長尺
状のものである組み合わせは７通りある。この７通りあ
る理由を以下に説明する。プリント基板、スティフナ、
カバープレートの考えられる最大の組み合わせの数は２
×２×２＝８通りである。この中で、全てが個片状の場
合である１通りを除く。従って、少なくとも１つが長尺
状である組み合わせの数は８−１＝７通りとなる。ま
た、スティフナおよびカバープレートが一体的かつ長尺
状に形成され、プリント基板が個片状あるいは長尺状の
ものである組み合わせは２通りある。従って、第２の実
施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）は全体として９通り
（７通り＋２通り）あるが、以下、代表的な実施例を挙
げて説明する。

【０１１９】＜実施例２−１＞図１０（ａ）、（ｂ）
は、長尺状のスティフナ、それぞれ良品チップが搭載さ
れた後にチップとの間に樹脂が充填された個片状のプリ
ント基板、長尺状スティフナ１５ａおよび個片状のカバ
ープレート１７を使用したＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）の製造工
程の一例を示す主要部の分解斜視図および全体的な側断
面の一例を概略的に示す図である。

【０１２０】図１１は、図１０（ａ）中の長尺状スティ
フナ１５ａの一例を示す平面図である。この長尺状ステ
ィフナ１５ａは、複数個のスティフナ領域１５ｂが長さ
方向の一定間隔毎に形成されており、保持体として必要
な剛性を有する材料（例えばＳＵＳ３０４Ｈ）からな
り、ほぼ０．３５ｍｍ厚のものである。上記スティフナ
領域１５ｂは、例えばほぼ正方形のリング状であり、長
尺状スティフナのフレーム部分１５ｃに対して細い吊り
ピン１５ｄを介して連結された状態で一体的に形成され
ている。また、長尺状スティフナの幅方向両辺部には長
さ方向に間欠的に開口部１５ｅが形成されている。

【０１２１】図１０（ａ）、（ｂ）において、１０は半
導体チップ、１１は両面に配線パターンが形成されたパ
ッケージ基板（プリント基板）である。前記半導体チッ
プ１０とプリント基板１１はフリップチップ接続されて
おり、前記チップ１０の素子形成面のパッド電極は半田
バンプ１３を介してプリント基板に接続されている。１
４は前記チップ１０とプリント基板１１との間に充填さ
れるとともにチップ１０の外周側面を覆うように形成さ
れた封止樹脂である。

【０１２２】１５は前記チップ１０および封止樹脂１４
の周辺部を囲むように前記プリント基板１１上に配設さ
れ、接着シート１６により接着された第１の保持体（ス
ティフナ、メタルフレーム）である。このスティフナの
使用目的は、チップ１０とプリント基板１１とを保持す
るものである。

【０１２３】１７は前記チップ１０、封止樹脂１４およ
びスティフナ１５の上面部を覆うように前記プリント基
板１１に対向して配設され、前記チップ１０の裏面（露
出面）の全面に放熱性のよい接着シート１８により接着
されるとともに、前記スティフナ１６の一部に放熱性の
よい接着シート１８により接着されている第２の保持体
（カバープレート、ヒートシンク、ヒートプレート）で
ある。このカバープレートの使用目的は、チップ１０と
プリント基板１１とを保持し、チップ１０からの熱放散
を行うものであり、熱伝導率の良い材料（例えばＣｕ）
からなり、ほぼ０．２ｍｍ厚、ほぼ正方形である。

【０１２４】１９は前記プリント基板１１のチップ非搭
載面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続され
た外部接続用の半田ボールである。

【０１２５】なお、前記接着のために本例では接着シー
ト１６、１８を使用している。即ち、チップ搭載領域に
対応して開口された長尺状の両面接着型の第１の接着シ
ート１６を使用し、第１の接着シート１６の片面に個片
状の基板１１を載置し、第１の接着シート１６の他の片
面に長尺状のスティフナ１５ａを載置し、加熱・圧着す
ることにより長尺状のスティフナ１５ａと基板１とを接
着することが可能になる。

【０１２６】さらに、長尺状の両面接着型の第２の接着
シート１８を使用し、長尺状のスティフナ１５ａの他の
片面上に第２の接着シート１８を介して個片状のカバー
プレート１７を載置し、加熱・圧着することによりステ
ィフナ１５ａとカバープレート１７とを接着することが
可能になる。なお、前記接着シート１６、１８に代えて
接着剤を使用することも可能である。

【０１２７】以下、図１０および図１１を参照しながら
製造工程順に詳細に説明する。

【０１２８】（ａ）フリップチップ接続工程 個片状のチップ１０の素子形成面のパッド電極上に設け
られた共晶半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３ｗｔ％／３７ｗｔ
％）からなる半田バンプ１３と、個片状のプリント基板
１１のＣｕ配線パターン上の共晶半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６
３ｗｔ％／３７ｗｔ％）からなる配線を熱圧着法で接続
（フリップチップ接続）する。

【０１２９】この後、チップ１０とプリント基板１１と
の間に封止樹脂１４を充填させる。この樹脂を充填する
プロセスは、通常の樹脂の塗布と同様にディスペンス法
により行う。このディスペンス法は、ディスペンサと呼
ばれる制御装置により樹脂充填用のシリンジと呼ばれる
可動装置を制御し、シリンジの先端にあるノズル（管）
から樹脂を充填する。

【０１３０】（ｂ）長尺状スティフナ貼付工程 長さ方向の一定間隔毎にスティフナ領域１５ｂが形成さ
れた長尺状スティフナ（例えばＳＵＳ３０４Ｈからなる
０．３５ｍｍ厚のもの）１５ａを前記フリップチップ接
続後の複数個のプリント基板１１上に前記接着シート１
６により接着する。この場合、接着剤としてエポキシ系
ペースト状の接着剤を使用し、常温で２秒間接着後に１
５０℃で２時間のキュアを行うことによって接着しても
よい。

【０１３１】（ｃ）個片状カバープレート貼付工程 個片状のカバープレート（例えばＣｕからなる０．２ｍ
ｍ厚のもの）１７を前記スティフナ貼付後のプリント基
板１１上のチップ１０の裏面上およびスティフナ１５ａ
上に前記接着シート１８により接着する。この場合、接
着剤としてエポキシ系ペースト状の接着剤を使用し、常
温で２秒間接着後に１５０℃で２時間のキュアを行うこ
とによって接着してもよい。

【０１３２】（ｄ）ボール搭載工程 スティフナ貼付、カバープレート貼付後のプリント基板
１１の裏面のボール接続位置に、導体からなるパッド
（図示せず）を形成し、パッド部にフラックスを塗布し
た後、上記フラックスを介して前記パッド上に共晶半田
ボール１９を接着させる。さらに、１５０℃、６０秒以
上で加熱することによって前記フラックスを活性化さ
せ、２２０℃、２０秒以上で加熱することによって前記
共晶半田ボールとパッドを接続させる。

【０１３３】（ｅ）長尺状スティフナの個片分離工程 長尺状スティフナ１５ａの吊りピン部１５ｄを切断する
ことによって半導体装置単体の個片に切断し、ＢＧＡ−
Ｐ（ＦＣ）パッケージを得る。

【０１３４】上記した製造工程のように、長さ方向の一
定間隔毎にスティフナ領域が形成された長尺状スティフ
ナを使用し、フリップチップ接続後の複数個のプリント
基板上に対する長尺状スティフナ貼付工程、個片状カバ
ープレート貼付工程、ボール搭載工程、長尺状スティフ
ナの個片分離工程を順に実施することにより、取り扱い
が容易になり、生産性を高めることが可能になる。

【０１３５】＜実施例２−２＞図１２（ａ）、（ｂ）
は、それぞれ良品チップが搭載された後にチップとの間
に樹脂が充填された個片状のプリント基板、個片状のス
ティフナおよび長尺状のカバープレートを使用したＢＧ
Ａ−Ｐ（ＦＣ）の製造工程の一例を示す分解斜視図およ
び一部分の側断面の一例を概略的に示す図である。

【０１３６】図１２（ａ）、（ｂ）において、１７ａは
長尺状のカバープレートであり、その他は図１０
（ａ）、（ｂ）中と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。

【０１３７】図１３は、図１２（ａ）中の長尺状カバー
プレート１７ａの一例を示す平面図である。この長尺状
カバープレート１７ａは、複数個のカバープレート領域
１７ｂが長さ方向の一定間隔毎に形成されており、保持
体として必要な剛性を有するとともに熱伝導率の良い材
料（例えばＣｕ）からなり、ほぼ０．２ｍｍ厚のもので
ある。上記カバープレート領域１７ｂは、例えばほぼ正
方形であり、長尺状カバープレートのフレーム部分１７
ｃに対して細い吊りピン１７ｄを介して連結された状態
で一体的に形成されている。また、長尺状カバープレー
ト１７ａの幅方向両辺部には長さ方向に間欠的に開口部
１７ｅが形成されている。

【０１３８】以下、図１２および図１３を参照しながら
製造工程順に詳細に説明する。

【０１３９】（ａ）フリップチップ接続工程 前記実施例２−１と同様に、個片状のチップ１０を個片
状のプリント基板１１上にフリップチップ接続し、チッ
プ１０とプリント基板１１との間に封止樹脂を充填させ
る。

【０１４０】（ｂ）個片状スティフナ貼付工程 個片状のスティフナ１５（例えばＳＵＳ３０４Ｈからな
る０．３５ｍｍ厚のもの）を前記フリップチップ接続後
の複数個のプリント基板１１上に接着シート１６により
接着する。この場合、接着剤としてエポキシ系ペースト
状の接着剤を使用し、常温で２秒間接着後に１５０℃で
２時間のキュアを行うことによって接着してもよい。

【０１４１】（ｃ）長尺状カバープレート貼付工程 長さ方向の一定間隔毎にカバープレート領域１７ｂが形
成された長尺状カバープレート１７ａ（例えばＣｕから
なる０．２ｍｍ厚のもの）を前記スティフナ貼付後の複
数個のプリント基板１１上のチップ１０の裏面上および
スティフナ１５上に接着シート１８により接着する。こ
の場合、接着剤としてエポキシ系ペースト状の接着剤を
使用し、常温で２秒間接着後に１５０℃で２時間のキュ
アを行うことによって接着してもよい。

【０１４２】（ｄ）ボール搭載工程 前記実施例２−１と同様に、プリント基板１１の裏面に
ボール（図示せず）を搭載させる。

【０１４３】（ｅ）長尺状カバープレートの個片分離工
程 長尺状のカバープレート１７ａの吊りピン部１７ｄを切
断することによって半導体装置単体の個片に切断し、Ｂ
ＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージを得る。

【０１４４】上記した製造工程のように、長さ方向の一
定間隔毎にカバープレート領域が形成された長尺状カバ
ープレートを使用し、フリップチップ接続後のプリント
基板上に対する個片状スティフナ貼付工程、スティフナ
貼付後の複数個のプリント基板上に対する長尺状カバー
プレート貼付工程、ボール搭載工程、長尺状スティフナ
の個片分離工程を順に実施することにより、取り扱いが
容易になり、生産性を高めることが可能になる。

【０１４５】＜実施例２−３＞図１４（ａ）、（ｂ）
は、それぞれ良品チップが搭載された後にチップとの間
に樹脂が充填された個片状のプリント基板、長尺状のス
ティフナおよび長尺状のカバープレートを使用したＢＧ
Ａ−Ｐ（ＦＣ）の製造工程の一例を示す分解斜視図およ
び一部分の側断面の一例を概略的に示す図である。

【０１４６】この実施例２−３は、前記実施例２−１に
おいて長尺状のスティフナ１５ａを使用する技術と実施
例２−２において長尺状のカバープレート１７ａを使用
する技術を組み合わせたものである。

【０１４７】図１４（ａ）、（ｂ）において、１５ａは
長尺状のスティフナ、１７ａは長尺状のカバープレート
であり、その他は図１０（ａ）、（ｂ）、図１２
（ａ）、（ｂ）中と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。

【０１４８】この実施例２−３では、複数個のプリント
基板１１上に長尺状のスティフナ１５ａを接着し、さら
に、長尺状のカバープレート１７ａを接着し、プリント
基板１１の裏面にボール（図示せず）を搭載した後、長
尺状のスティフナ１５ａおよび長尺状のカバープレート
１７ａを個片に切断分離することによって半導体装置単
体の個片に切断し、ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージを得
る。

【０１４９】＜実施例２−４＞実施例２−４は、それぞ
れ良品チップが搭載された後にチップとの間に樹脂が充
填された個片状のプリント基板と、スティフナおよびカ
バープレートが一体的かつ長尺状に形成された長尺状の
スティフナ・カバープレートの一体物を使用したＢＧＡ
−Ｐ（ＦＣ）の製造工程に係るものであり、この工程で
使用される長尺状のスティフナ・カバープレートの一体
物の一例の平面面を図１５に示す。

【０１５０】図１５に示す長尺状のスティフナ・カバー
プレートの一体物２１は、複数個のスティフナ・カバー
プレート一体領域２１ｂが長さ方向の一定間隔毎に形成
されており、保持体として必要な剛性を有するとともに
熱伝導率の良い材料（例えばＣｕ）からなり、上記ステ
ィフナ・カバープレート一体領域２１ｂは、スティフナ
・カバープレートの一体物２１のフレーム部分２１ｃに
対して細い吊りピン２１ｄを介して連結された状態で一
体的に形成されている。また、長尺状のスティフナ・カ
バープレートの一体物２１の幅方向両辺部（フレーム部
分２１ｃ）には長さ方向に間欠的に開口部２１ｅが形成
されている。

【０１５１】この実施例２−４では、長尺状のスティフ
ナ・カバープレートの一体物２１を複数個のプリント基
板１１上に接着し、プリント基板１１の裏面にボール
（図示せず）を搭載した後、長尺状のスティフナ・カバ
ープレートの一体物２１を個片に切断分離することによ
って半導体装置単体の個片に切断し、ＢＧＡ−Ｐ（Ｆ
Ｃ）パッケージを得る。

【０１５２】＜実施例２−４の変形例＞この実施例２−
４の変形例に係る製造工程の一例における分解斜視図お
よび一部分の側断面の一例を図１６（ａ）、（ｂ）に概
略的に示している。

【０１５３】この工程で使用される長尺状のスティフナ
・カバープレートの一体物２２は、この場合、カバープ
レート領域１７ｂは、ほぼ０．２ｍｍ厚でほぼ正方形の
プレート領域であり、スティフナ領域１５ｃは、ほぼ
０．５５ｍｍ厚でほぼ正方形のリング状領域である。そ
して、長さ方向の一定間隔毎に単位領域（スティフナ・
カバープレート一体領域２２ｂ）に切断分離するための
切り込み２２ｃが形成されている。

【０１５４】＜実施例２−５＞この実施例２−５に係る
製造工程の一例における分解斜視図および一部分の側断
面の一例を図１７（ａ）、（ｂ）に概略的に示してお
り、この工程で使用される長尺状のスティフナ・カバー
プレートの一体物の一例の平面面および断面図を図１８
（ａ）、（ｂ）に示す。

【０１５５】図１８に示す長尺状のスティフナ・カバー
プレートの一体物２３は、複数個のスティフナ・カバー
プレート一体領域２３ｂが長さ方向の一定間隔毎に形成
されており、保持体として必要な剛性を有するとともに
熱伝導率の良い材料からなるプレート（例えば０．２〜
０．４０ｍｍの一定厚さのＳＵＳ３０４Ｈプレートある
いは０．２ｍｍの一定厚さのＣｕプレート）がプレスに
より絞り加工され、カバープレート領域１７ｂとスティ
フナ領域１５ｂとが段差を持つように形成されたものが
使用される。上記スティフナ・カバープレート一体領域
２３ｂは、スティフナ・カバープレートの一体物２３の
フレーム部分２３ｃに対して細い吊りピン２３ｄを介し
て連結された状態で一体的に形成されている。また、長
尺状のスティフナ・カバープレートの一体物２１の幅方
向両辺部（フレーム部分２１ｃ）には長さ方向に間欠的
に開口部２１ｅが形成されている。

【０１５６】上記実施例２−５によって製造された半導
体装置は、図１７（ｂ）に示すように、プリント基板１
１に搭載された半導体チップ１０と、前記チップを囲む
周辺部で前記プリント基板上に接着剤１６により接着さ
れたスティフナ領域１５ｂと、前記プリント基板に対向
して配設されるとともにスティフナで囲まれた前記チッ
プに対向して接着剤１８により接着されたカバープレー
ト領域１７ｂとを具備し、前記スティフナとカバープレ
ートとは一体物として形成されていることを特徴とす
る。

【０１５７】この場合、前記スティフナとカバープレー
トとの一体物２３は、一定厚さのプレートがプレスによ
り絞り加工され、周辺部のスティフナ領域１５ｂよりも
中央部のカバープレート領域１７ｂが一定高さの段差を
持つように突出されている。なお、前記スティフナとカ
バープレートとの一体物２３は、カバープレート領域１
７ｂが四角形であり、絞り加工のために必要であれば、
カバープレート領域１７ｂの四隅部付近に図７中に点線
で示したような孔を設けてもよい。この孔の存在によ
り、スティフナ領域１５ｂとカバープレート領域１７ｂ
とで囲まれた内部で発生したガスや水分を外部に逃がす
ことが可能になる。

【０１５８】上記したような実施例２−４、その変形例
および実施例２−５によって製造された半導体装置によ
れば、プリント基板に搭載された半導体チップを囲む周
辺部でプリント基板上に接着されるスティフナおよびプ
リント基板に対向して配設されるとともにチップに接着
されるカバープレートが一体物として形成されたものを
使用することにより、部品コストおよび製造工程数の削
減、厚み方向の寸法精度および強度の向上、軽量化を図
ることが可能になる。

【０１５９】＜実施例２−６＞図１９（ａ）、（ｂ）
は、長尺状のプリント基板と、個片状のスティフナおよ
び個片状のカバープレートを使用したＢＧＡ−Ｐ（Ｆ
Ｃ）の製造工程の一例を示す分解斜視図および一部分の
側断面の一例を概略的に示す図である。

【０１６０】この実施例２−６では、長尺状のプリント
基板１１ａは、それぞれ良品チップが搭載された後にチ
ップとの間に樹脂が充填された複数個のチップ搭載領域
１１ｂが長さ方向の一定間隔毎に形成されている。そし
て、この長尺状のプリント基板１１ａ上に複数個の個片
状のスティフナ１５を接着剤１６により接着し、さら
に、複数個の個片状のカバープレート１７を接着剤１８
により接着し、プリント基板１１の裏面にボール（図示
せず）を搭載した後、長尺状のプリント基板１１を個片
に切断分離することによって半導体装置単体の個片に切
断し、ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージを得る。

【０１６１】上記したような本発明の第２の実施の形態
に係る半導体装置の製造方法によれば、プリント基板１
１、スティフナ１５およびカバープレート１７のうちの
少なくとも１つをチップ搭載用領域１１ｂあるいはステ
ィフナ領域１５ｂあるいはカバープレート領域１７ｂが
長さ方向の一定間隔毎に複数個形成された長尺状のもの
で取り扱うことにより、取り扱いが容易になり、生産性
を高めることが可能になる。

【０１６２】また、上記第２の実施の形態に係る製造方
法の実施例のうちで＜実施例２−４、その変形例および
実施例２−５＞により製造された半導体装置によれば、
プリント基板１１に搭載された半導体チップ１０を囲む
周辺部でパッケージ基板上に接着されるスティフナ領域
１５ｂおよびパッケージ基板１１に対向して配設される
とともにチップ１０に接着されるカバープレート領域１
７ｂが一体物として形成されたものを使用することによ
り、部品コストおよび製造工程数の削減、厚み方向の寸
法精度および強度の向上、軽量化を図ることが可能にな
る。

【０１６３】なお、前記したような本発明の各実施例に
おいて、スティフナ、カバープレート、スティフナ・カ
バープレートの一体物の幅方向両辺部（フレーム部分）
に長さ方向に間欠的に形成されている開口部１５ｅ、２
１ｅ、２２ｅ、２３ｅは、スティフナ、カバープレー
ト、スティフナ・カバープレートの一体物を搬送するた
めのガイド孔として機能する。つまり、この搬送ガイド
孔にピンなどを挿入し、同一ピッチで電子部品用のキャ
リアを次の工程に送ることが可能である。この場合に
は、上記搬送ガイド孔は、電子部品の収納部の間隔と等
間隔の位置に存在する（例えば単位領域の両側に１つづ
つ存在する）ように形成しておけばよい。

【０１６４】また、上記開口部は、スティフナ、カバー
プレート、スティフナ・カバープレートの一体物の上下
反転、左右反転、表裏反転を防止するための認識マーク
として機能する。この場合には、開口部は、前記実施例
に図示された位置に限定されず、スティフナ、カバープ
レート、スティフナ・カバープレートの一体物の単位領
域の外側領域で単位領域に対して線対象および点対象の
位置に該当しない位置に１つ以上存在する（例えば単位
領域の両側に１つづつ存在する）ように形成しておけば
よい。

【０１６５】さらに、認識マークとしての機能は、前記
したような開口部に限らず、凹凸部でも果たすことが可
能である。さらに、認識マークとしての開口部あるいは
凹凸部は、１つのスティフナ領域あるいは１つのカバー
プレート領域に１つづつに限定されず、複数個づつ形成
してもよい。

【０１６６】＜長尺状のカバープレートの変形例＞実施
例２−２、２−３等で使用される長尺状カバープレート
１７ａは、図２０（ａ）、（ｂ）に示すように、各カバ
ープレート領域１７ｂのうちでチップ１０に対向する部
分に、チップ対向面が陥没（その反対面が突出）するよ
うにディンプル加工部１７ｆを設けておき、カバープレ
ート１７ａとチップ上の接着剤１８との密着性を向上さ
せることが可能である。

【０１６７】また、前記カバープレート領域１７ｂのう
ちでスティフナ１５に対向する部分に、スティフナ方向
に突出（その反対面が陥没）するようにディンプル加工
部（図示せず）を設けておき、カバープレート１７ａを
スティフナ１５に点接触させて両者間の応力を緩和させ
ることが可能である。

【０１６８】また、前記カバープレート領域１７ｂに、
接着剤１８の硬化後のデガスを外部に逃がすための開口
部（図示せず）を設けておくようにしてもよい。

【０１６９】なお、前記したような目的を有する開口部
あるいはディンプル加工部は、前記カバープレートに限
らず、スティフナ、スティフナ・カバープレートの一体
物に設けてもよい。また、前記スティフナ領域のパッケ
ージ基板対向面が陥没するようにディンプル加工部を設
けておけば、スティフナとパッケージ基板上の接着剤と
の密着性を向上させることが可能である。

【０１７０】＜スティフナの変形例＞長尺状のスティフ
ナは、複数（例えば４〜６）のスティフナ領域が長さ方
向の一定間隔毎に形成されており、本例では熱伝導率の
良い金属材料（例えばＳＵＳ３０４Ｈからなる０．３５
ｍｍ厚のもの）が使用されているが、これ以外に、他の
金属、表面を絶縁処理した他の金属、あるいは絶縁物を
使用することも可能であり、厚さも限定されるものでは
ない。

【０１７１】＜カバープレートの変形例＞長尺状のカバ
ープレートは、複数（例えば４〜６）のカバープレート
領域１７ｂが長さ方向の一定間隔毎に形成されており、
本例では熱伝導率の良い金属材料（例えばＣｕからなる
０．２ｍｍ厚のもの）が使用されているが、これ以外
に、他の金属、表面を絶縁処理した他の金属、あるいは
絶縁物を使用することも可能であり、厚さも限定される
ものではない。

【０１７２】＜スティフナ・カバープレートの一体物の
変形例＞長尺状のスティフナ・カバープレート一体物の
材料は、ＳＵＳ３０４Ｈ、Ｃｕなどに限定されず、Ａ
ｌ、ＮｉメッキしたＣｕ、Ｃｕ／Ｗ、Ａｌ−ＳｉＣなど
も考えられ、さらに他の金属、表面を処理した他の金
属、合金、またはある程度の強度と放熱性を持つ金属以
外の材料でもよく、厚さも限定されるものではない。 ＜吊りピンの変形例＞長尺状のスティフナ・カバープレ
ート一体物においてフレーム部と単位領域とを連結する
ための吊りピンを設ける位置は、前記実施例に図示する
ような単位領域の二辺部に設けることに限定されるもの
ではなく、例えば図１８（ａ）に示す長尺状のスティフ
ナとカバープレートとの一体物２３のように、四角形の
スティフナ・カバープレート一体領域２３ｂの四隅部に
吊りピン２３ｅを設けてもよい。同様に、長尺状のステ
ィフナあるいは長尺状のカバープレートにおいても、ス
ティフナ領域あるいはカバープレート領域の四隅部に吊
りピンを設けてよい。

【０１７３】このように単位領域の四隅部に吊りピンを
設けると、次に述べるような利点がある。

【０１７４】即ち、通常、半導体装置の基板の外形仕様
として縦横方向の寸法が規定されるが、半導体装置の基
板１１の四隅部をテーパ状に切断した状態で形成してお
くと、前記四隅部の吊りピンを切断した時にその一部が
単位領域側に残るとしても基板領域の外側に吊りピンの
一部が突出しないように切断できるので、基板の外形寸
法の仕様を満たすことが可能になる。

【０１７５】これに対して、吊りピンを単位領域の二辺
部に設けると、吊りピンを切断した時にその一部が半導
体装置の基板領域の外側に突出した状態で残るので、基
板の外形寸法の仕様を満たさなくなるおそれがある。

【０１７６】＜スティフナ、カバープレート、スティフ
ナ・カバープレート一体物の単位領域のサイズの変形例
＞スティフナ、カバープレート、スティフナ・カバープ
レート一体物の単位領域のサイズは、前記実施例に図示
するような半導体装置の基板のサイズとほぼ同じである
必要はなく、半導体装置の基板のサイズより小さくても
よい。

【０１７７】この場合、単位領域の四隅部の吊りピンが
基板上に位置しなくなるように基板の四隅部をテーパ状
に形成しておくと、吊りピンを切断する時に基板に関係
なく吊りピンのみを容易に切断することが可能になる。

【０１７８】＜保持体の変形例＞本発明の半導体パッケ
ージで使用する保持体は、前記２種類（スティフナ、カ
バープレート）に限らず、他の保持体を追加してもよ
い。また、前記ＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）における保持体は、
前記した使用目的に限らず、他の使用目的（例えば機械
的特性の改善、電気的特性の改善、熱的特性の改善な
ど）を持たせた保持体を使用してもよい。

【０１７９】即ち、機械的特性を改善するための保持体
としては、２つの物質間（例えばパッケージ基板とカバ
ープレート）の応力を緩和するために、ヤング率、熱膨
張係数などの物性値を２つの物質の物性値の中間値に設
定された保持体が考えられる。

【０１８０】電気的特性を改善するための保持体として
は、保持体を電源電位あるいは接地電位に設定してお
き、チップ上のスイッチ素子群の同時スイッチ動作に起
因するスイッチングノイズなどの電源ノイズを低減させ
ることが考えられる。

【０１８１】熱的特性を改善するための保持体として
は、熱伝導率のより小さな材料を使用することにより、
チップからの熱放散をより効果的に行うことが考えられ
る。

【０１８２】＜スティフナ、カバープレートの接着工程
の変形例１＞図２１に示すように、チップ搭載領域に対
応して開口された長尺状の両面接着型の第１の接着シー
ト１６が予め長尺状のスティフナ１５ａの片面に貼付け
されたものを使用する。そして、この第１の接着シート
１６の片面（非貼付け面）に個片状の基板（図示せず）
を載置し、加熱・圧着することにより長尺状のスティフ
ナと基板とを接着することが可能になる。さらに、長尺
状の両面接着型の第２の接着シート１８を使用し、長尺
状のスティフナの他の片面上に第２の接着シート１８を
介して個片状あるいは長尺状のカバープレート（図示せ
ず）を載置し、加熱・圧着することによりスティフナと
カバープレートとを接着することが可能になる。

【０１８３】＜スティフナ、カバープレートの接着工程
の変形例２＞図２２に示すように、チップ搭載領域に対
応して開口された長尺状の両面接着型の第１の接着シー
ト１６が予め長尺状のスティフナ１５ａの片面に貼付け
られ、このスティフナの他の片面に長尺状の両面接着型
の第２の接着シート１８が貼付けられたものを使用す
る。そして、前記第１の接着シート１６の片面（非貼付
け面）に個片状の基板（図示せず）を載置し、第２の接
着シート１８の片面（非貼付け面）に個片状あるいは長
尺状のカバープレート（図示せず）を載置し、加熱・圧
着することにより、スティフナと基板、スティフナとカ
バープレートとを接着することが可能になる。

【０１８４】＜スティフナ、カバープレートの接着工程
の変形例３＞図２３に示すように、チップ搭載領域に対
応して開口された長尺状の両面接着型の第１の接着シー
ト１６が予め長尺状のスティフナ１５ａの片面に貼付け
られたものと、両面接着型の第２の接着シート１８が予
め（個片状あるいは）長尺状のカバープレート１７ａの
片面に貼付けられたものを使用する。そして、上記第１
の接着シート１６の片面（非貼付け面）に個片状の基板
ずし背を載置し、加熱・圧着することにより長尺状のス
ティフナと基板とを接着することが可能になる。さら
に、長尺状のスティフナの他の片面上に前記第２の接着
シート１８の片面（非貼付け面）側を載置し、加熱・圧
着することによりスティフナとカバープレートとを接着
することが可能になる。

【０１８５】＜カバープレート接着工程の変形例１＞図
２４に示すように、長尺状のカバープレート１７ａの片
面の各単位領域に対応して両面接着型の第２の接着シー
ト１８ａが予め貼付けられたものを使用する。そして、
上記第２の接着シート１８ａの片面（非貼付け面）に、
チップ接着済みの個片状あるいは長尺状のスティフナ
（図示せず）の片面（チップ接着面とは反対側）を載置
し、加熱・圧着することによりカバープレートとスティ
フナ、チップとを接着することが可能になる。この場合
には、第２の接着シート１８ａの使用量が少なくて済
み、コストダウンが可能になる。

【０１８６】＜カバープレート接着工程の変形例２＞図
２５に示すように、長尺状のカバープレート１７ａの片
面の単位領域毎のチップ搭載領域およびスティフナ領域
に対応して両面接着型の第２の接着シート１８ｂが予め
貼付けられたものを使用する。そして、上記第２の接着
シート１８ｂの片面（非貼付け面）に、チップ接着済み
の個片状あるいは長尺状のスティフナ（図示せず）の片
面（チップ接着面とは反対側）を載置し、加熱・圧着す
ることによりカバープレートとスティフナ、チップとを
接着することが可能になる。この場合には、接着シート
の使用量がより少なくて済み、一層のコストダウンが可
能になる。

【０１８７】＜スティフナ・カバープレート一体物接着
工程の変形例＞図示しないが、チップ搭載領域に対応し
て開口された長尺状の両面接着型の接着シートを使用
し、この接着シートの片面に個片状の基板を載置し、上
記接着シートの他の片面に長尺状のスティフナ・カバー
プレート一体物を載置し、加熱・圧着することによりス
ティフナ・カバープレート一体物と基板とを接着するこ
とが可能になる。

【０１８８】＜ポッティング工程の変形例＞ポッティン
グ工程では、樹脂を熱硬化させることに限らず、樹脂の
種類によっては光などにより硬化させてもよい。また、
ポッティング樹脂は、前記実施例のエポキシ系樹脂に限
らず、ビフェニル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコー
ン系樹脂、ポリエステル系樹脂なども使用することがで
きる。

【０１８９】＜ボール搭載工程の変形例＞ボール搭載工
程では、フラックスおよび共晶半田ボールを用いる方法
に限らず、半田ペーストおよび高温半田ボールを用いる
ようにしてもよい。

【０１９０】＜ＢＧＡパッケージ以外への適用例＞本発
明は、ＢＧＡパッケージ以外に、柱状の長いリードを持
つＰＧＡ（pin grid array）、柱状の短いリードを持つ
butt−ＰＧＡ、接続端子としてパッドのみを持つＬＧＡ
（land grid array ）、ガルウイング形状のリードを持
つＱＦＰ（quad flat package ）などでにも適用可能で
ある。

【０１９１】

【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置の製
造方法によれば、パッケージ基板、第１の保持体および
第２の保持体のうちの少なくとも１つをチップ搭載用領
域あるいは第１の保持体領域あるいは第２の保持体領域
が長さ方向の一定間隔毎に複数個形成された長尺状のも
ので取り扱うことにより、取り扱いが容易になり、生産
性を高めることが可能になる。

【０１９２】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、ＴＡＢテープの歩留りが悪い場合の影響を除去で
き、ＴＡＢテープの反り、巻き癖を抑制でき、ボール搭
載時にＴＡＢテープの平面性を実現でき、ＢＧＡパッケ
ージ製造に際してボールを期待通りに搭載することが容
易になる半導体装置を製造することができる。

【０１９３】また、本発明の半導体装置によれば、パッ
ケージ基板に搭載された半導体チップを囲む周辺部でパ
ッケージ基板上に接着される第１の保持体およびパッケ
ージ基板に対向して配設されるとともにチップに接着さ
れる第２の保持体が一体物として形成されたものを使用
することにより、部品コストおよび製造工程数の削減、
厚み方向の寸法精度および強度の向上、軽量化を図り得
る半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の
形態に係るＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケージの製造工程
の実施例１−１の一例を示すフローチャート。

【図２】図１の工程で使用される長尺状のスティフナ、
個片状のＴＡＢテープおよび個片状のカバープレートの
一例を示す平面図。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｔ
（ＴＡＢ）パッケージの製造工程の実施例１−２の一例
を示すフローチャート。

【図４】図３の工程で使用される長尺状のカバープレー
ト、個片状のＴＡＢテープおよび個片状のスティフナの
一例を示す平面図。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｔ
（ＴＡＢ）パッケージの製造工程の実施例１−３の一例
を示すフローチャート。

【図６】図５の工程で使用される長尺状のＴＡＢテー
プ、個片状のスティフナおよび個片状のカバープレート
の一例を示す平面図。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｔ
（ＴＡＢ）パッケージの製造工程の実施例１−４で使用
されるスティフナおよびカバープレートが一体的かつ長
尺状に形成されたスティフナ・カバープレートの一体物
の一例を示す断面図。

【図８】図７のスティフナ・カバープレートの一体物を
使用するＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケージの製造工程の
第４実施例の一例を示すフローチャート。

【図９】図７のスティフナ・カバープレートの一体物を
使用して製造された半導体装置単体の一例を概略的に示
す斜視図。

【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施
の形態に係るＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージの製造工程
の実施例２−１の一例を概略的に示す分解斜視図および
側断面図。

【図１１】図１０中の長尺状スティフナの一例を示す平
面図。

【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）パッケージの製造工程の実施例２−２の一例を
概略的に示す分解斜視図および側断面図。

【図１３】図１２中の長尺状カバープレートの一例を概
略的に示す平面図。

【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）パッケージの製造工程の実施例２−３の一例を
概略的に示す分解斜視図および側断面図。

【図１５】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）パッケージの製造工程の実施例２−４で使用さ
れる長尺状のスティフナ・カバープレートの一体物の一
例を概略的に示す平面図。

【図１６】実施例２−４の変形例に係るＢＧＡ−Ｐ（Ｆ
Ｃ）パッケージの製造工程の実施例２−３の一例を概略
的に示す分解斜視図および側断面図。

【図１７】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）パッケージの製造工程の実施例２−５の一例を
概略的に示す分解斜視図および側断面図。

【図１８】図１７中の長尺状のスティフナ・カバープレ
ートの一体物の一例を概略的に示す平面図。

【図１９】本発明の第２の実施の形態に係るＢＧＡ−Ｐ
（ＦＣ）パッケージの製造工程の実施例２−６の一例を
概略的に示す分解斜視図および側断面図。

【図２０】本発明の第２の実施の形態における長尺状カ
バープレートの変形例を概略的に示す平面図。

【図２１】本発明の第２の実施の形態におけるスティフ
ナ、カバープレートの接着工程の変形例１を概略的に示
す斜視図。

【図２２】本発明の第２の実施の形態におけるスティフ
ナ、カバープレートの接着工程の変形例２を概略的に示
す斜視図。

【図２３】本発明の第２の実施の形態におけるスティフ
ナ、カバープレートの接着工程の変形例３を概略的に示
す斜視図。

【図２４】本発明の第２の実施の形態におけるカバープ
レート接着工程の変形例１を概略的に示す平面図。

【図２５】本発明の第２の実施の形態におけるカバープ
レートの接着工程の変形例２を概略的に示す平面図。

【図２６】ＢＧＡ−Ｔ（ＦＣ）パッケージを有する半導
体装置を応用製品のマザーボード上に半田付けにより実
装した状態を概略的に示す断面図。

【図２７】従来のＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケージを有
する半導体装置の一例を概略的に示す断面図。

【図２８】図２７のＢＧＡ−Ｔ（ＴＡＢ）パッケージの
従来の製造工程の一例を示すフローチャート。

【図２９】従来のＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージを有す
る半導体装置の一例を概略的に示す断面図。

【図３０】図２９のＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージの従
来の製造工程の一例を示すフローチャート。

【図３１】図２９のＢＧＡ−Ｐ（ＦＣ）パッケージの従
来の製造工程の一例を示すフローチャート。

【符号の説明】

１０…半導体チップ、 １１…ＴＡＢテープ、 １１ａ…長尺状のＴＡＢテープ、 １２…ＴＡＢテープの半田バンプ接続部、 １３…半田バンプ、 １４…封止樹脂、 １５…スティフナ、 １５ａ…長尺状のスティフナ、 １６…接着剤、 １７…カバープレート（ヒートシンク、、ヒートプレー
ト）、 １７ａ…長尺状のカバープレート（ヒートシンク、ヒー
トプレート）、 １８…接着剤、 １９…外部接続用の半田ボール、 ２１、２２、２３…長尺状のスティフナ・カバープレー
トの一体物。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 淳一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージ基板に搭載された半導体チッ
   プ、前記チップを囲む周辺部で前記パッケージ基板上に
   接着された第１の保持体、前記パッケージ基板に対向し
   て配設されるとともに第１の保持体で囲まれた前記チッ
   プに対向して接着された第２の保持体を具備する半導体
   装置の製造方法において、 前記パッケージ基板、第１の保持体および第２の保持体
   のうち、少なくとも１つは、前記半導体装置が形成され
   る領域が一定間隔毎に複数個連結された長尺状形状と
   し、前記半導体装置が複数個連結された長尺状半導体装
   置群を形成する工程と、 前記長尺状の半導体装置群を単体の前記半導体装置に分
   離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１項に記載の半導体装置の製造方
   法において、 前記第１の保持体および第２の保持体は、前記第１の保
   持体領域と第２の保持体領域とが一体的に形成された一
   体領域が長さ方向の一定間隔毎に複数個存在するように
   一体物として形成された長尺状のものであることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 ＴＡＢテープ上に搭載された半導体チッ
   プ、前記チップを囲む周辺部でＴＡＢテープ上に接着さ
   れた第１の保持体、前記ＴＡＢテープに対向して配設さ
   れるとともに前記第１の保持体で囲まれたチップに対向
   して接着された第２の保持体を具備する半導体装置の製
   造方法において、 （ａ）多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎
   に形成されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用
   領域のインナーリードにチップの素子形成面のパッド電
   極を接続するインナーリードボンディング工程、 （ｂ）リール状のＴＡＢテープより良品部分をチップ単
   体搭載用の個片に切断するＴＡＢテープの個片分離工
   程、 （ｃ）長尺状の第１の保持体に個片状の良品のＴＡＢテ
   ープを接着剤により接着する第１の保持体貼付工程、 （ｄ）ＴＡＢテープに接続されたチップの素子形成面を
   樹脂で覆い、硬化させるチップの樹脂封止工程、 （ｅ）個片状の第２の保持体を前記長尺状の第１の保持
   体上およびチップの裏面上に接着剤により接着する第２
   の保持体貼付工程、 （ｆ）ＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボ
   ール接続位置に導体からなるパッドを形成し、前記パッ
   ドに半田ボールを接続させるボール搭載工程、 （ｇ）長尺状の第１の保持体を切断することによってＢ
   ＧＡパッケージを有する半導体装置単体の個片に切断す
   る第１の保持体個片分離工程の順序で実施することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 （ａ）多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎
   に形成されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用
   領域のインナーリードにチップの素子形成面のパッド電
   極を接続するインナーリードボンディング工程、 （ｂ）個片状の第１の保持体を良品のＴＡＢテープ上に
   接着剤により接着する第１の保持体貼付工程、 （ｃ）リール状のＴＡＢテープより良品部分をチップ単
   体搭載用の個片に切断するＴＡＢテープの個片分離工
   程、 （ｄ）ＴＡＢテープに接続されたチップの素子形成面を
   樹脂で覆い、硬化させるチップの樹脂封止工程、 （ｅ）長尺状の第２の保持体に前記第１の保持体および
   チップ裏面を接着剤により接着する第２の保持体貼付工
   程、 （ｆ）ＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボ
   ール接続位置に導体からなるパッドを形成し、前記パッ
   ドに半田ボールを接続させるボール搭載工程、 （ｇ）長尺状の第２の保持体を切断することによってＢ
   ＧＡパッケージを有する半導体装置単体の個片に切断す
   る第２の保持体個片分離工程の順序で実施することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 （ａ）多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎
   に形成されたリール状のＴＡＢテープを引き出してその
   各チップ搭載用領域のインナーリードにチップの素子形
   成面のパッド電極を接続するインナーリードボンディン
   グ工程、 （ｂ）ＴＡＢテープに接続されたチップの素子形成面を
   樹脂で覆い、硬化させるチップの樹脂封止工程、 （ｃ）リール状のＴＡＢテープを長尺状のＴＡＢテープ
   に切断する分離工程、 （ｄ）個片状の第１の保持体を長尺状のＴＡＢテープ上
   に接着剤により接着する第１の保持体貼付工程、 （ｅ）個片状の第２の保持体を前記長尺状のＴＡＢテー
   プ上のチップの裏面上および第１の保持体上に接着剤に
   より接着する第２の保持体貼付工程、 （ｆ）ＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボ
   ール接続位置に導体からなるパッドを形成し、前記パッ
   ドに半田ボールを接続させるボール搭載工程、 （ｇ）長尺状のＴＡＢテープを切断することによってＢ
   ＧＡパッケージを有する半導体装置単体の個片に切断す
   る長尺状ＴＡＢテープ個片分離工程の順序で実施するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 （ａ）多数のチップ搭載用領域が長さ方向の一定間隔毎
   に形成されたリール状のＴＡＢテープの各チップ搭載用
   領域のインナーリードにチップの素子形成面のパッド電
   極を接続するインナーリードボンディング工程、 （ｂ）リール状のＴＡＢテープより良品のみをチップ単
   体搭載用の個片に切断するＴＡＢテープの個片分離工
   程、 （ｃ）長尺状の第１の保持体・第２の保持体の一体物に
   個片状のＴＡＢテープを接着剤により接着する第１の保
   持体・第２の保持体の貼付工程、 （ｄ）ＴＡＢテープに接続されたチップの素子形成面を
   樹脂で覆い、硬化させるチップの樹脂封止工程、 （ｅ）ＴＡＢテープの裏面のチップ搭載用領域周辺のボ
   ール接続位置に導体からなるパッドを形成し、前記パッ
   ドに半田ボールを接続させるボール搭載工程、 （ｆ）長尺状の第１の保持体・第２の保持体の一体物を
   切断することによってＢＧＡパッケージを有する半導体
   装置単体の個片に切断する第１の保持体・第２の保持体
   の一体物個片分離工程の順序で実施することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 プリント基板、セラミック基板、テープ
   基板のいずれか１つからなるパッケージ基板に搭載され
   た半導体チップと、前記チップを囲む周辺部で前記パッ
   ケージ基板上に接着された第１の保持体と、前記パッケ
   ージ基板に対向して配設されるとともに第１の保持体で
   囲まれた前記チップに対向して接着された第２の保持体
   とを具備する半導体装置において、 前記第１の保持体と第２の保持体とは一体物として形成
   されていることを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置において、 前記第１の保持体と第２の保持体との一体物は、一定厚
   さのプレートがプレスにより絞り加工され、周辺部の第
   １の保持体領域よりも中央部の第２の保持体領域が一定
   高さの段差を持つように突出されていることを特徴とす
   る半導体装置。