JPH10253762A - エネルギー分散型半導体ｘ線検出器 - Google Patents
エネルギー分散型半導体ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH10253762A JPH10253762A JP9070438A JP7043897A JPH10253762A JP H10253762 A JPH10253762 A JP H10253762A JP 9070438 A JP9070438 A JP 9070438A JP 7043897 A JP7043897 A JP 7043897A JP H10253762 A JPH10253762 A JP H10253762A
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- JP
- Japan
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- ray
- detector
- purity
- electrode
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 全体としてコンパクトでしかも安価でありな
がらも優れた分解能を有するＥＤＳ検出器を提供するこ
と。 【解決手段】 小型ガス循環式冷凍機３によってＸ線検
出素子７を冷却するようにしたＥＤＳ検出器において、
前記Ｘ線検出素子７として高純度のシリコン検出素子か
らなるものを用いた。
がらも優れた分解能を有するＥＤＳ検出器を提供するこ
と。 【解決手段】 小型ガス循環式冷凍機３によってＸ線検
出素子７を冷却するようにしたＥＤＳ検出器において、
前記Ｘ線検出素子７として高純度のシリコン検出素子か
らなるものを用いた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、電子顕
微鏡と組合せ、電子ビームにより励起されて試料から放
出される特性Ｘ線を測定するＸ線マイクロアナライザ
や、Ｘ線励起による蛍光Ｘ線分析装置などエネルギー分
散型元素分析装置に用いられるエネルギー分散型半導体
Ｘ線検出器（以下、ＥＤＳ検出器という）に関する。
微鏡と組合せ、電子ビームにより励起されて試料から放
出される特性Ｘ線を測定するＸ線マイクロアナライザ
や、Ｘ線励起による蛍光Ｘ線分析装置などエネルギー分
散型元素分析装置に用いられるエネルギー分散型半導体
Ｘ線検出器（以下、ＥＤＳ検出器という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高分解能を必要とするエネル
ギー分散型元素分析装置に用いられるＥＤＳ検出器に
は、リチウムドリフト型シリコン半導体Ｘ線検出器（Ｓ
ｉ（Ｌｉ）検出器）が広く使用されてきている。このＳ
ｉ（Ｌｉ）検出器の特長は、高分解能、かつ多数の特性
Ｘ線を同時に測定することができ、しかもスペクトルの
同定が容易な点にある。反面、このＳｉ（Ｌｉ）検出器
においては、Ｓｉ内部にドリフトされたＬｉイオンが熱
拡散により移動すると、検出素子の特性が劣化してしま
うため、液体窒素を用いて常時冷却する必要がある。
ギー分散型元素分析装置に用いられるＥＤＳ検出器に
は、リチウムドリフト型シリコン半導体Ｘ線検出器（Ｓ
ｉ（Ｌｉ）検出器）が広く使用されてきている。このＳ
ｉ（Ｌｉ）検出器の特長は、高分解能、かつ多数の特性
Ｘ線を同時に測定することができ、しかもスペクトルの
同定が容易な点にある。反面、このＳｉ（Ｌｉ）検出器
においては、Ｓｉ内部にドリフトされたＬｉイオンが熱
拡散により移動すると、検出素子の特性が劣化してしま
うため、液体窒素を用いて常時冷却する必要がある。
【０００３】そのため、従来のＥＤＳ検出器は、図５に
示すように構成して使用していた。すなわち、この図５
において、５１は内部が外気と遮断されるとともに真空
に保持されたクライオスタットで、その上部には液体窒
素５２を収容したデュアー５３を備えている。５４はデ
ュアー５３に一端が溶接などにより接続され、熱的に連
結されたＬ字状のコールドフィンガーで、その他端には
Ｓｉ（Ｌｉ）検出素子５５とプリアンプとしてのＦＥＴ
５６とが設けられている。５７はＸ線５８を透過させる
ための窓で、Ｓｉ（Ｌｉ）検出素子５５の前面側に設け
られている。
示すように構成して使用していた。すなわち、この図５
において、５１は内部が外気と遮断されるとともに真空
に保持されたクライオスタットで、その上部には液体窒
素５２を収容したデュアー５３を備えている。５４はデ
ュアー５３に一端が溶接などにより接続され、熱的に連
結されたＬ字状のコールドフィンガーで、その他端には
Ｓｉ（Ｌｉ）検出素子５５とプリアンプとしてのＦＥＴ
５６とが設けられている。５７はＸ線５８を透過させる
ための窓で、Ｓｉ（Ｌｉ）検出素子５５の前面側に設け
られている。
【０００４】上記従来のＥＤＳ検出器によれば、液体窒
素５２によってＳｉ（Ｌｉ）検出素子５５やＦＥＴ５６
が冷却されるので、リチウムの熱拡散が防止されるとと
もに、検出素子５５やＦＥＴ５６の初段部が低雑音化さ
れるといった利点があるが、反面、液体窒素５２を補給
しなければならず、日常のメンテナンスとしては煩わし
いといった問題がある。
素５２によってＳｉ（Ｌｉ）検出素子５５やＦＥＴ５６
が冷却されるので、リチウムの熱拡散が防止されるとと
もに、検出素子５５やＦＥＴ５６の初段部が低雑音化さ
れるといった利点があるが、反面、液体窒素５２を補給
しなければならず、日常のメンテナンスとしては煩わし
いといった問題がある。
【０００５】ところで、前記液体窒素に代わるものとし
て、ジュール・トムソン方式やパルスチューブ方式など
の小型ガス循環式冷凍機が開発されている。この小型ガ
ス循環式冷凍機は、十分な冷凍能力を備えるとともに、
低温発生部に機械的駆動部を持たず、構造が単純である
ところから、きわめて低振動であり、長時間運転に対す
る高い信頼性を備えており、保守が容易であるといった
特長がある。
て、ジュール・トムソン方式やパルスチューブ方式など
の小型ガス循環式冷凍機が開発されている。この小型ガ
ス循環式冷凍機は、十分な冷凍能力を備えるとともに、
低温発生部に機械的駆動部を持たず、構造が単純である
ところから、きわめて低振動であり、長時間運転に対す
る高い信頼性を備えており、保守が容易であるといった
特長がある。
【０００６】しかしながら、上記小型ガス循環式冷凍機
を用いてＳｉ（Ｌｉ）検出器を冷却するように構成した
場合、小型ガス循環式冷凍機がＡＣ電源を必要とすると
ころから、停電など不測の事態が発生した場合や運搬
時、Ｓｉ（Ｌｉ）検出器に対する冷却がなくなり、検出
素子の特性劣化が招来されることになる。これに対処す
るには、バッテリなど予備電源を設ければよいが、それ
だけ大型化し、コストアップとなる。
を用いてＳｉ（Ｌｉ）検出器を冷却するように構成した
場合、小型ガス循環式冷凍機がＡＣ電源を必要とすると
ころから、停電など不測の事態が発生した場合や運搬
時、Ｓｉ（Ｌｉ）検出器に対する冷却がなくなり、検出
素子の特性劣化が招来されることになる。これに対処す
るには、バッテリなど予備電源を設ければよいが、それ
だけ大型化し、コストアップとなる。
【０００７】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、全体としてコンパクトでしかも
安価でありながらも優れた分解能を有するＥＤＳ検出器
を提供することである。
たもので、その目的は、全体としてコンパクトでしかも
安価でありながらも優れた分解能を有するＥＤＳ検出器
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、小型ガス循環式冷凍機によってＸ線
検出素子を冷却するようにしたＥＤＳ検出器において、
前記Ｘ線検出素子として高純度のシリコン検出素子から
なるものを用いている。
め、この発明では、小型ガス循環式冷凍機によってＸ線
検出素子を冷却するようにしたＥＤＳ検出器において、
前記Ｘ線検出素子として高純度のシリコン検出素子から
なるものを用いている。
【０００９】前記高純度のシリコン検出素子は、例え
ば、厚さが２〜５ｍｍで、比抵抗が３０ｋΩ・ｃｍとい
った高純度のｎ型Ｓｉウェハから構成される。このよう
に高純度のＳｉウェハを用いることにより、Ｌｉのドリ
フトを行わなくても、十分な厚さの真性領域を有する検
出素子が得られる。そして、高純度のシリコン検出素子
は、万一、停電などによって小型ガス循環式冷凍機が作
動しなくなってこれによる冷却が得られなくなり真空中
で高温になっても、特性劣化が生ずることがないから、
バッテリなど予備電源を設ける必要がなく、液体窒素用
のデュアーがない分、小型化される。
ば、厚さが２〜５ｍｍで、比抵抗が３０ｋΩ・ｃｍとい
った高純度のｎ型Ｓｉウェハから構成される。このよう
に高純度のＳｉウェハを用いることにより、Ｌｉのドリ
フトを行わなくても、十分な厚さの真性領域を有する検
出素子が得られる。そして、高純度のシリコン検出素子
は、万一、停電などによって小型ガス循環式冷凍機が作
動しなくなってこれによる冷却が得られなくなり真空中
で高温になっても、特性劣化が生ずることがないから、
バッテリなど予備電源を設ける必要がなく、液体窒素用
のデュアーがない分、小型化される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好ましい実施例
を、図を参照しながら説明する。
を、図を参照しながら説明する。
【００１１】図１〜図３は、この発明の一実施例を示
す。まず、図１は、この発明のＥＤＳ検出器１の構成を
概略的に示すもので、この図において、２はＬ字型のク
ライオスタットで、その内部が外気と遮断されるととも
に真空に保持されている。３はクライオスタット２の上
端部に設けられるパルスチューブ冷凍機で、その本体部
３ａから冷熱部３ｂがクライオスタット２内部に延設さ
れている。このパルスチューブ冷凍機３は、十分な冷凍
能力を備えるとともに、低温発生部に機械的駆動部を持
たず、構造が単純であるところから、きわめて低振動で
あり、長時間運転に対する高い信頼性を備えており、保
守が容易であるといった特長を有するものである。な
お、４はシール部材である。
す。まず、図１は、この発明のＥＤＳ検出器１の構成を
概略的に示すもので、この図において、２はＬ字型のク
ライオスタットで、その内部が外気と遮断されるととも
に真空に保持されている。３はクライオスタット２の上
端部に設けられるパルスチューブ冷凍機で、その本体部
３ａから冷熱部３ｂがクライオスタット２内部に延設さ
れている。このパルスチューブ冷凍機３は、十分な冷凍
能力を備えるとともに、低温発生部に機械的駆動部を持
たず、構造が単純であるところから、きわめて低振動で
あり、長時間運転に対する高い信頼性を備えており、保
守が容易であるといった特長を有するものである。な
お、４はシール部材である。
【００１２】５はクライオスタット２内に設けられるコ
ールドフィンガーで、銅など熱伝導性の優れた素材より
なり、例えばＬ字状に形成されており、その一端側はパ
ルスチューブ冷凍機３の冷熱部３ｂと熱的に結合されて
いる。６はコールドフィンガー５の他端側にこれと熱的
に結合された状態で設けられる検出素子部である。７は
検出素子部６の主たる構成部材であるＸ線検出素子で、
その前面には、Ｘ線８を透過させるためのＸ線窓９が形
成されている。
ールドフィンガーで、銅など熱伝導性の優れた素材より
なり、例えばＬ字状に形成されており、その一端側はパ
ルスチューブ冷凍機３の冷熱部３ｂと熱的に結合されて
いる。６はコールドフィンガー５の他端側にこれと熱的
に結合された状態で設けられる検出素子部である。７は
検出素子部６の主たる構成部材であるＸ線検出素子で、
その前面には、Ｘ線８を透過させるためのＸ線窓９が形
成されている。
【００１３】図２は、前記検出素子部６の構成を拡大し
て示すもので、１０はＸ線窓９側が開口し、コールドフ
ィンガー５と熱的に結合した状態で設けられる素子保持
体で、その前面開口部にＸ線検出素子７が取り付けられ
ている。このＸ線検出素子７は、高純度のＳｉウェハか
らなる検出素子本体７ａ、高圧電極７ｂおよび信号取出
し用電極７ｃなどよりなる。また、１１はＸ線検出素子
７の後方に、コールドフィンガー５と熱的に結合した状
態で設けられる低雑音ＦＥＴパッケージで、その内部に
は信号取出し用電極７ｃと信号的に接続されたＦＥＴ１
２が設けられている。このＦＥＴ１２は、詳細に図示し
てないが、信号線によって外部機器と接続されている。
また、素子保持体１０および低雑音ＦＥＴパッケージ１
１は、熱伝導性の良好な材料で構成されていることはい
うまでもない。
て示すもので、１０はＸ線窓９側が開口し、コールドフ
ィンガー５と熱的に結合した状態で設けられる素子保持
体で、その前面開口部にＸ線検出素子７が取り付けられ
ている。このＸ線検出素子７は、高純度のＳｉウェハか
らなる検出素子本体７ａ、高圧電極７ｂおよび信号取出
し用電極７ｃなどよりなる。また、１１はＸ線検出素子
７の後方に、コールドフィンガー５と熱的に結合した状
態で設けられる低雑音ＦＥＴパッケージで、その内部に
は信号取出し用電極７ｃと信号的に接続されたＦＥＴ１
２が設けられている。このＦＥＴ１２は、詳細に図示し
てないが、信号線によって外部機器と接続されている。
また、素子保持体１０および低雑音ＦＥＴパッケージ１
１は、熱伝導性の良好な材料で構成されていることはい
うまでもない。
【００１４】図３は、前記Ｘ線検出素子７の製作方法の
一例を示すもので、母材として比抵抗が３０ｋΩ・ｃｍ
といった高純度のＳｉウェハを用意し、この高比抵抗母
材ａの一方の面にｎ- 電極ｂを形成する（図３（Ａ）参
照）。ｎ- 電極ｂの形成には、金属蒸着による表面障壁
のほかに、Ｌｉの拡散の心配がないため、リン拡散のよ
うな高温プロセスも使用できる。
一例を示すもので、母材として比抵抗が３０ｋΩ・ｃｍ
といった高純度のＳｉウェハを用意し、この高比抵抗母
材ａの一方の面にｎ- 電極ｂを形成する（図３（Ａ）参
照）。ｎ- 電極ｂの形成には、金属蒸着による表面障壁
のほかに、Ｌｉの拡散の心配がないため、リン拡散のよ
うな高温プロセスも使用できる。
【００１５】次いで、図３（Ｂ）に示すように、トップ
ハット型に形成する。
ハット型に形成する。
【００１６】そして、同図（Ｃ）に示すように、金など
の金属材料を蒸着することにより、表面障壁のＰ電極ｃ
を形成する。
の金属材料を蒸着することにより、表面障壁のＰ電極ｃ
を形成する。
【００１７】最後に、温度サイクルに対する性能維持の
ため、側面ｄの表面保護を行う。この表面保護は、Ｘ線
検出素子７を冷却したり、室温に戻したりしても特性が
劣化しない所謂耐温度サイクル特性を高めるほか、側面
の表面状態による電圧印加時の内部電界形態への影響を
軽減するといった効果がある。
ため、側面ｄの表面保護を行う。この表面保護は、Ｘ線
検出素子７を冷却したり、室温に戻したりしても特性が
劣化しない所謂耐温度サイクル特性を高めるほか、側面
の表面状態による電圧印加時の内部電界形態への影響を
軽減するといった効果がある。
【００１８】上述した実施例におけるＥＤＳ検出器１に
おいては、Ｘ線検出素子７として高純度のシリコン検出
素子からなるものを用いているので、Ｌｉのドリフトを
行わなくても、十分な厚さの真性領域を有する検出素子
が得られる。そして、この高純度のシリコン検出素子か
らなるＸ線検出素子７は、真空中で高温になっても特性
劣化が生ずることがないから、従来のＳｉ（Ｌｉ）検出
器とは異なり、測定を行う場合だけパルスチューブ冷凍
機３によって冷却すればよい。したがって、バッテリな
ど予備電源を設ける必要がない。
おいては、Ｘ線検出素子７として高純度のシリコン検出
素子からなるものを用いているので、Ｌｉのドリフトを
行わなくても、十分な厚さの真性領域を有する検出素子
が得られる。そして、この高純度のシリコン検出素子か
らなるＸ線検出素子７は、真空中で高温になっても特性
劣化が生ずることがないから、従来のＳｉ（Ｌｉ）検出
器とは異なり、測定を行う場合だけパルスチューブ冷凍
機３によって冷却すればよい。したがって、バッテリな
ど予備電源を設ける必要がない。
【００１９】そして、上記ＥＤＳ検出器１においては、
Ｘ線検出素子７の冷却をパルスチューブ冷凍機３によっ
て行うものであり、パルスチューブ冷凍機３が従来の液
体窒素を収容したデュアーによって冷却する場合に比べ
て小型であるので、全体構成が小型化される。
Ｘ線検出素子７の冷却をパルスチューブ冷凍機３によっ
て行うものであり、パルスチューブ冷凍機３が従来の液
体窒素を収容したデュアーによって冷却する場合に比べ
て小型であるので、全体構成が小型化される。
【００２０】また、上記ＥＤＳ検出器１によれば、以下
のようなデメリットを甘受することがない。すなわち、
従来のＳｉ（Ｌｉ）検出器においては、そのＳｉ（Ｌ
ｉ）素子は、室温状態ではクライオスタットの真空度が
低下する（悪くなる）と性能劣化が生じイオンポンプに
より常時排気を行ったり、電子顕微鏡の排気ポンプによ
って定期的に排気する必要がある。そして、イオンポン
プは停電対策としてバッテリによってバックアップする
ことができるが、バッテリには寿命があるとともに容量
にも限度があり、長期停電には耐えることができないな
どである。
のようなデメリットを甘受することがない。すなわち、
従来のＳｉ（Ｌｉ）検出器においては、そのＳｉ（Ｌ
ｉ）素子は、室温状態ではクライオスタットの真空度が
低下する（悪くなる）と性能劣化が生じイオンポンプに
より常時排気を行ったり、電子顕微鏡の排気ポンプによ
って定期的に排気する必要がある。そして、イオンポン
プは停電対策としてバッテリによってバックアップする
ことができるが、バッテリには寿命があるとともに容量
にも限度があり、長期停電には耐えることができないな
どである。
【００２１】図４は、冷凍機として小型パルスチューブ
方式を使用したＥＤＳ検出器１を走査型電子顕微鏡と組
み合わせた元素分析装置の構成を概略的に示す図で、こ
の図において、１３は走査型電子顕微鏡である。そし
て、１４は元素分析装置の信号処理部で、ＥＤＳ検出器
１に対して電源供給を行うとともに、ＥＤＳ検出器１か
らの検出信号に基づいて信号処理を行う。１５はバルブ
切換えユニットで、ＥＤＳ検出器１とは連結管１６を介
して連結されている。そして、１７はコンプレッサで、
バルブ切換えユニット１５とは高圧Ｈｅ（ヘリウム）配
管１８、低圧Ｈｅ配管１９を介して接続されている。ま
た、２０はＥＤＳ検出器１およびコンプレッサ１７を制
御するコントローラである。
方式を使用したＥＤＳ検出器１を走査型電子顕微鏡と組
み合わせた元素分析装置の構成を概略的に示す図で、こ
の図において、１３は走査型電子顕微鏡である。そし
て、１４は元素分析装置の信号処理部で、ＥＤＳ検出器
１に対して電源供給を行うとともに、ＥＤＳ検出器１か
らの検出信号に基づいて信号処理を行う。１５はバルブ
切換えユニットで、ＥＤＳ検出器１とは連結管１６を介
して連結されている。そして、１７はコンプレッサで、
バルブ切換えユニット１５とは高圧Ｈｅ（ヘリウム）配
管１８、低圧Ｈｅ配管１９を介して接続されている。ま
た、２０はＥＤＳ検出器１およびコンプレッサ１７を制
御するコントローラである。
【００２２】このように構成した元素分析装置は、全体
構成がきわめてコンパクトであり、また、液体窒素によ
る冷却方式のように液体窒素の管理を行う必要がないと
ともに、長寿命であるといった利点を有する。
構成がきわめてコンパクトであり、また、液体窒素によ
る冷却方式のように液体窒素の管理を行う必要がないと
ともに、長寿命であるといった利点を有する。
【００２３】この発明は、上述の実施例に限られるもの
ではなく、冷凍機としてジュール・トムソン方式など他
の方式の小型ガス循環式冷凍機を用いることができ、そ
のような場合も同様の効果が得られることはいうまでも
ない。
ではなく、冷凍機としてジュール・トムソン方式など他
の方式の小型ガス循環式冷凍機を用いることができ、そ
のような場合も同様の効果が得られることはいうまでも
ない。
【００２４】
【発明の効果】この発明は、以上のような形態で実施さ
れ、以下のような効果を奏する。
れ、以下のような効果を奏する。
【００２５】この発明のＥＤＳ検出器は、Ｘ線検出素子
として高純度のシリコン検出素子からなるものを用いて
いるので、優れた分解能を有するとともに、常時冷却す
る必要がなく、測定に際して小型ガス循環式冷凍機で冷
却するだけでよい。したがって、その操作性および保守
性が従来のＥＤＳ検出器に比べて大いに優れているとと
もに、コンパクトであるといった利点を有する。また、
液体窒素を用いなくてもＸ線検出素子を冷却できるた
め、クリーンルームなど液体窒素を取り扱うことが問題
視されるような場所での使用に好適である。
として高純度のシリコン検出素子からなるものを用いて
いるので、優れた分解能を有するとともに、常時冷却す
る必要がなく、測定に際して小型ガス循環式冷凍機で冷
却するだけでよい。したがって、その操作性および保守
性が従来のＥＤＳ検出器に比べて大いに優れているとと
もに、コンパクトであるといった利点を有する。また、
液体窒素を用いなくてもＸ線検出素子を冷却できるた
め、クリーンルームなど液体窒素を取り扱うことが問題
視されるような場所での使用に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のＥＤＳ検出器の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】前記ＥＤＳ検出器の要部を示す断面図である。
【図３】前記ＥＤＳ検出器に用いるＸ線検出素子を製造
方法の一例を説明するための図である。
方法の一例を説明するための図である。
【図４】前記ＥＤＳ検出器を組み込んだ装置の構成の一
例を概略的に示す図である。
例を概略的に示す図である。
【図５】従来のＥＤＳ検出器を示す断面図である。
３…小型ガス循環式冷凍機、７…Ｘ線検出素子。
Claims (1)
- 【請求項１】 小型ガス循環式冷凍機によってＸ線検出
素子を冷却するようにしたエネルギー分散型半導体Ｘ線
検出器において、前記Ｘ線検出素子として高純度のシリ
コン検出素子からなるものを用いたことを特徴とするエ
ネルギー分散型半導体Ｘ線検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070438A JPH10253762A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | エネルギー分散型半導体ｘ線検出器 |
| GB9804839A GB2322969B (en) | 1997-03-07 | 1998-03-06 | Energy dispersive type semiconductor x-ray detector |
| US09/036,396 US6153883A (en) | 1997-03-07 | 1998-03-06 | Energy dispersive semiconductor X-ray detector with improved silicon detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070438A JPH10253762A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | エネルギー分散型半導体ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253762A true JPH10253762A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13431500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9070438A Pending JPH10253762A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | エネルギー分散型半導体ｘ線検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6153883A (ja) |
| JP (1) | JPH10253762A (ja) |
| GB (1) | GB2322969B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007183252A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-07-19 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 分析装置用冷却装置、ガスクロマトグラフ装置およびガスクロマトグラフィー方法 |
| JP2011257255A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Shimadzu Corp | 半導体ｘ線検出素子、その製造方法および半導体ｘ線検出用センサ |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000205960A (ja) * | 1998-12-23 | 2000-07-28 | Csp Cryogenic Spectrometers Gmbh | 検出器装置 |
| US7514691B2 (en) * | 2006-05-30 | 2009-04-07 | Oxford Instruments Analytical Limited | Solid state ionising radiation detector and method |
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