JPH10247620A - 異物付着を防止した投影露光装置 - Google Patents
異物付着を防止した投影露光装置Info
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- JPH10247620A JPH10247620A JP9065577A JP6557797A JPH10247620A JP H10247620 A JPH10247620 A JP H10247620A JP 9065577 A JP9065577 A JP 9065577A JP 6557797 A JP6557797 A JP 6557797A JP H10247620 A JPH10247620 A JP H10247620A
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- ozone
- lenses
- exposure apparatus
- optical system
- projection exposure
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影露光装置の照度低下を抑えられ、装置性
能を長く維持出来る事が可能とする。 【解決手段】 原板の像を基板上に形成する照明光学系
を有する投影露光装置において、照明光学系内の光学素
子近傍の空気を強制排気する機能を有することを特徴と
する投影露光装置、及び上記の投影露光装置を用いてデ
バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
能を長く維持出来る事が可能とする。 【解決手段】 原板の像を基板上に形成する照明光学系
を有する投影露光装置において、照明光学系内の光学素
子近傍の空気を強制排気する機能を有することを特徴と
する投影露光装置、及び上記の投影露光装置を用いてデ
バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置に関
し、特に半導体ウエハ表面にレチクルの回路パターンを
照明光学系を利用し露光する縮小投影露光装置に関する
ものである。
し、特に半導体ウエハ表面にレチクルの回路パターンを
照明光学系を利用し露光する縮小投影露光装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、放電ランプからの光で被照明物体
を照明する装置が種々の分野で様々な用途に使用されて
いる。中でもＬＳＩ等の半導体素子をフォトリソグラフ
ィ工程で製造する際に使用される投影型露光装置におい
て、超高圧水銀ランプから出力される光の内の特定の波
長の光（波長３６５ｎｍのｉ線およびそれ以下）で転写
用のパターンが形成されたレチクルを照明する装置が使
用されている。
を照明する装置が種々の分野で様々な用途に使用されて
いる。中でもＬＳＩ等の半導体素子をフォトリソグラフ
ィ工程で製造する際に使用される投影型露光装置におい
て、超高圧水銀ランプから出力される光の内の特定の波
長の光（波長３６５ｎｍのｉ線およびそれ以下）で転写
用のパターンが形成されたレチクルを照明する装置が使
用されている。
【０００３】一般に、投影露光装置の投影光学系の開口
数をＮＡ、露光光の波長をλとするとその投影露光装置
の解像度Ｒおよび焦点深度ＤＯＦは次の式で表わすこと
ができる。
数をＮＡ、露光光の波長をλとするとその投影露光装置
の解像度Ｒおよび焦点深度ＤＯＦは次の式で表わすこと
ができる。
【０００４】Ｒ＝Ｋ1 ・λ／ＮＡ ＤＯＦ＝Ｋ2 ・λ／ＮＡ2 これらの式でＫ1 およびＫ2 は、それぞれプロセスによ
って決まる係数である。上式によれば、より一層の微細
なパターンを高い解像度で感光基板上に転写するには次
の２つの手法により達成される。即ち、投影光学系の
開口数ＮＡの拡大、および露光波長、λの短波長化で
ある。これらの式で焦点深度は露光光のλに比例して変
化し、ＮＡはその自乗に反比例して小さくなることが分
かる。従って、露光波長λの短波長化によって解像度を
向上させた方が、焦点深度の確保の点で有利となる。
って決まる係数である。上式によれば、より一層の微細
なパターンを高い解像度で感光基板上に転写するには次
の２つの手法により達成される。即ち、投影光学系の
開口数ＮＡの拡大、および露光波長、λの短波長化で
ある。これらの式で焦点深度は露光光のλに比例して変
化し、ＮＡはその自乗に反比例して小さくなることが分
かる。従って、露光波長λの短波長化によって解像度を
向上させた方が、焦点深度の確保の点で有利となる。
【０００５】この様な背景から、投影露光装置における
露光光としては、従来使用されていたｇ線（λ：４３６
ｎｍ）から同じ水銀ランプのｉ線（λ：３６５ｎｍ）ま
たはそれ以下の輝線に推移している。図３は従来の投影
露光装置用の水銀ランプを光源とする照明光学系の一例
を示している。図３において、水銀ランプ１は、楕円鏡
２内に配置されている。この水銀ランプの光は、前群コ
ンデンサレンズ３を通り、シャッター１４に集束しその
後後群コンデンサレンズ４に入射する。前群コンデンサ
レンズ３を中心として、水銀ランプ側と、シャッター側
は隔離されており、空気の流通はない。水銀ランプ側１
３には、水銀ランプ１から発生する熱を排気する排気孔
が設けられて熱排気を行なっている。図３の水銀ランプ
としては超高圧水銀ランプが使用されるが、この超高圧
水銀ランプの発光スペクトル分布を図４に示す。また露
光光がｉ線（λ：３６５ｎｍ）である場合、バンドパス
フィルター１７、通過後の透過率を図５に示す。
露光光としては、従来使用されていたｇ線（λ：４３６
ｎｍ）から同じ水銀ランプのｉ線（λ：３６５ｎｍ）ま
たはそれ以下の輝線に推移している。図３は従来の投影
露光装置用の水銀ランプを光源とする照明光学系の一例
を示している。図３において、水銀ランプ１は、楕円鏡
２内に配置されている。この水銀ランプの光は、前群コ
ンデンサレンズ３を通り、シャッター１４に集束しその
後後群コンデンサレンズ４に入射する。前群コンデンサ
レンズ３を中心として、水銀ランプ側と、シャッター側
は隔離されており、空気の流通はない。水銀ランプ側１
３には、水銀ランプ１から発生する熱を排気する排気孔
が設けられて熱排気を行なっている。図３の水銀ランプ
としては超高圧水銀ランプが使用されるが、この超高圧
水銀ランプの発光スペクトル分布を図４に示す。また露
光光がｉ線（λ：３６５ｎｍ）である場合、バンドパス
フィルター１７、通過後の透過率を図５に示す。
【０００６】この様にｉ線の照明光でレチクルのパター
ンが均一な照度分布で照明されレチクルのパターン像が
投影光学系を介して感光基板上に結像されていた。
ンが均一な照度分布で照明されレチクルのパターン像が
投影光学系を介して感光基板上に結像されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す従来の照明光学装置を実際に使用していくと、第１
コンデンサレンズの上部にガラス表面を曇らせる物質が
付着し、透過率が低下して照明効率が次第に低下すると
いう不都合があった。本発明者が該曇り物質を分析した
結果、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）である事が判明し
た。その生成に関与する物質は照明光学系内には存在せ
ず、外気から供給されていると推定される。以下詳述す
る様に半導体製造工場内はシリコン有機酸化物が環境中
に多く存在し、露光波長の短波長化に伴い、光エネルギ
ーが高まったことによる光化学反応が促進され問題とし
て顕在化してきた。よって、本発明は光学部材に付着す
る二酸化シリコンの量を減少または無くすことにより、
透過率が低下して照明効率が低下するのを防止すること
を目的とする。
示す従来の照明光学装置を実際に使用していくと、第１
コンデンサレンズの上部にガラス表面を曇らせる物質が
付着し、透過率が低下して照明効率が次第に低下すると
いう不都合があった。本発明者が該曇り物質を分析した
結果、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）である事が判明し
た。その生成に関与する物質は照明光学系内には存在せ
ず、外気から供給されていると推定される。以下詳述す
る様に半導体製造工場内はシリコン有機酸化物が環境中
に多く存在し、露光波長の短波長化に伴い、光エネルギ
ーが高まったことによる光化学反応が促進され問題とし
て顕在化してきた。よって、本発明は光学部材に付着す
る二酸化シリコンの量を減少または無くすことにより、
透過率が低下して照明効率が低下するのを防止すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討した
結果、第１コンデンサレンズの下部ガラス表面には、曇
り物質が余り付着していないこと、および図３において
バンドパスフィルター１７通過後の輝線はｉ線だけを取
り出しているため、バンドパスフィルター１７以降の光
学部品には、曇りの発生は認められないことに着目し
た。そして、第１コンデンサレンズ１３近傍の雰囲気温
度を排気冷却することによりレンズ下部には曇り物質が
殆ど付着していないことから、レンズ上部にも同様の排
気構造を付加することで光学部材に付着する二酸化シリ
コンの量を減少または無くすことができることを見出
し、本発明に至った。
結果、第１コンデンサレンズの下部ガラス表面には、曇
り物質が余り付着していないこと、および図３において
バンドパスフィルター１７通過後の輝線はｉ線だけを取
り出しているため、バンドパスフィルター１７以降の光
学部品には、曇りの発生は認められないことに着目し
た。そして、第１コンデンサレンズ１３近傍の雰囲気温
度を排気冷却することによりレンズ下部には曇り物質が
殆ど付着していないことから、レンズ上部にも同様の排
気構造を付加することで光学部材に付着する二酸化シリ
コンの量を減少または無くすことができることを見出
し、本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明は以下の（１）〜（５）であ
る。 （１）原板の像を基板上に形成する照明光学系を有する
投影露光装置において、照明光学系内の光学素子近傍の
空気を強制排気する機能を有することを特徴とする投影
露光装置。 （２）光学素子及びその近傍に強制的に空気を吹きつけ
ることを特徴とする上記（１）記載の投影露光装置。 （３）発生したオゾンの分解により光学素子及びその近
傍の空気中に生成された二酸化シリコンを、該空気と共
に強制的に排除することを特徴とする上記（１）または
（２）記載の投影露光装置。 （４）３６５ｎｍ以下の波長で露光する縮小投影露光装
置において、光学素子近傍の空気を強制排気する機能を
有することを特徴とする投影露光装置。 （５）上記（１）記載の投影露光装置を用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイス製造方法。
る。 （１）原板の像を基板上に形成する照明光学系を有する
投影露光装置において、照明光学系内の光学素子近傍の
空気を強制排気する機能を有することを特徴とする投影
露光装置。 （２）光学素子及びその近傍に強制的に空気を吹きつけ
ることを特徴とする上記（１）記載の投影露光装置。 （３）発生したオゾンの分解により光学素子及びその近
傍の空気中に生成された二酸化シリコンを、該空気と共
に強制的に排除することを特徴とする上記（１）または
（２）記載の投影露光装置。 （４）３６５ｎｍ以下の波長で露光する縮小投影露光装
置において、光学素子近傍の空気を強制排気する機能を
有することを特徴とする投影露光装置。 （５）上記（１）記載の投影露光装置を用いてデバイス
を製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【００１０】本発明による照明光学装置は例えば図１に
示す如く第１コンデンサレンズ上部の雰囲気温度を排気
・冷却する為の排気穴とファンを設けたものである。作
用的には、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を第１コンデン
サレンズ近傍より排除し、光学部品への付着を妨げよう
とするものである。
示す如く第１コンデンサレンズ上部の雰囲気温度を排気
・冷却する為の排気穴とファンを設けたものである。作
用的には、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を第１コンデン
サレンズ近傍より排除し、光学部品への付着を妨げよう
とするものである。
【００１１】二酸化シリコンが何故第１コンデンサレン
ズに付着するかについては以下のように考えられる。例
えば半導体露光装置が運転されるクリーンルーム内に
は、レジスト液等のシリコン酸化物が存在する。また空
気中には酸素（Ｏ2 ）が存在し超高圧水銀ランプのエネ
ルギーを用いてシリコン酸化物が生成されると想定でき
る。また二酸化シリコンの生成にはオゾン（Ｏ3 ）が関
与すると考えられメカニズムについて検討してみると、
空気中に存在する酸素（Ｏ2 ）はｉ線より短波長の光１
８５ｎｍでオゾン（Ｏ3 ）を生成する。
ズに付着するかについては以下のように考えられる。例
えば半導体露光装置が運転されるクリーンルーム内に
は、レジスト液等のシリコン酸化物が存在する。また空
気中には酸素（Ｏ2 ）が存在し超高圧水銀ランプのエネ
ルギーを用いてシリコン酸化物が生成されると想定でき
る。また二酸化シリコンの生成にはオゾン（Ｏ3 ）が関
与すると考えられメカニズムについて検討してみると、
空気中に存在する酸素（Ｏ2 ）はｉ線より短波長の光１
８５ｎｍでオゾン（Ｏ3 ）を生成する。
【００１２】
【化１】 一方励起酸素はその名の通りラジカルな物質であり、こ
れもｉ線より短波長の光２５４ｎｍでオゾン（Ｏ3 ）を
分解する。
れもｉ線より短波長の光２５４ｎｍでオゾン（Ｏ3 ）を
分解する。
【００１３】
【化２】 このＯ* はラジカルな物質なため、Ｓｉ有機化合物を分
解、酸化させる。例えばレジスト液に含まれるヘキサメ
チルジシラザン（（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ）2 ＮＨのＳｉをＯ
* が分解させ、酸化されて二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
を生成すると考えられる（（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ）2 ＮＨ
← Ｏ* によりＳｉが分離し、酸素（Ｏ2 ）が結合する。
解、酸化させる。例えばレジスト液に含まれるヘキサメ
チルジシラザン（（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ）2 ＮＨのＳｉをＯ
* が分解させ、酸化されて二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
を生成すると考えられる（（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ）2 ＮＨ
← Ｏ* によりＳｉが分離し、酸素（Ｏ2 ）が結合する。
【００１４】Ｓｉ＋Ｏ2 →ＳｉＯ2 以上より、オゾン（Ｏ3 ）を発生させるｉ線より短波長
の光をカットする事。また生成したＳｉＯ2 を排除する
事が光学部品へのＳｉＯ2 付着防止へとつながってい
く。短波長の光をカットするランプについては短波長カ
ット水銀ランプにより実施済である。
の光をカットする事。また生成したＳｉＯ2 を排除する
事が光学部品へのＳｉＯ2 付着防止へとつながってい
く。短波長の光をカットするランプについては短波長カ
ット水銀ランプにより実施済である。
【００１５】我々が実施したオゾン（Ｏ3 ）測定の結果
では、超高圧水銀ランプ近傍のオゾン濃度が最も多く、
水銀ランプより遠ざかる程、オゾン濃度が少なくなるこ
とが分かっており、光学部品へのＳｉＯ2 付着は認めら
れない。しかし図３に示す第１コンデンサレンズ前群を
境にレンズ下部は二酸化シリコンの付着は少なく、レン
ズ上部の二酸化シリコンの付着は多いという逆の現象が
発生している。レンズ上・下部での違いは、レンズ下部
では雰囲気温度を下げるため、排気をしているのに対
し、レンズ上部はその様な構成にはなっておらず、空気
がよどんでいる状態になっている。本発明は、この点に
着目し、レンズ上部でも排気を設け空気の流れを作り上
げる事によりレンズに二酸化シリコンが付着する事を減
少させようとするものである。
では、超高圧水銀ランプ近傍のオゾン濃度が最も多く、
水銀ランプより遠ざかる程、オゾン濃度が少なくなるこ
とが分かっており、光学部品へのＳｉＯ2 付着は認めら
れない。しかし図３に示す第１コンデンサレンズ前群を
境にレンズ下部は二酸化シリコンの付着は少なく、レン
ズ上部の二酸化シリコンの付着は多いという逆の現象が
発生している。レンズ上・下部での違いは、レンズ下部
では雰囲気温度を下げるため、排気をしているのに対
し、レンズ上部はその様な構成にはなっておらず、空気
がよどんでいる状態になっている。本発明は、この点に
着目し、レンズ上部でも排気を設け空気の流れを作り上
げる事によりレンズに二酸化シリコンが付着する事を減
少させようとするものである。
【００１６】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の実施例に
つき図１及び図２を参照して説明する。本実施例は図３
の従来の装置を元にしたものであり、図１及び図２にお
いて図３に対応する部分には同一符号を付してその詳細
説明を省略する。また、本実施例では被照明物体を照明
する照明光として水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
を使用する場合を扱う。
つき図１及び図２を参照して説明する。本実施例は図３
の従来の装置を元にしたものであり、図１及び図２にお
いて図３に対応する部分には同一符号を付してその詳細
説明を省略する。また、本実施例では被照明物体を照明
する照明光として水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
を使用する場合を扱う。
【００１７】実施例１ 図１において、１は超高圧水銀ランプ、２は水銀ランプ
の光を反射させ、所定の光路を形成する楕円ミラー、３
は従来例の場合では上部側にＳｉＯ2 が付着してしまう
第１コンデンサレンズ前群、４は第１コンデンサレンズ
後群、５は反射ミラー、６は照度を均一にするハエノ目
レンズ、７は第２コンデンサレンズ、８は反射ミラー、
９は光線を平行にするコリメータレンズ、１０はパター
ンが形成されているレチクル、１１は水銀ランプの熱を
適正な温度に保持させるシロッコファン、１２は今回新
たに追加したＳｉＯ2 付着防止用のシロッコファンであ
る。１７はバンドパスフィルターでこれを通過後はｉ線
のみ取り出す事となる。
の光を反射させ、所定の光路を形成する楕円ミラー、３
は従来例の場合では上部側にＳｉＯ2 が付着してしまう
第１コンデンサレンズ前群、４は第１コンデンサレンズ
後群、５は反射ミラー、６は照度を均一にするハエノ目
レンズ、７は第２コンデンサレンズ、８は反射ミラー、
９は光線を平行にするコリメータレンズ、１０はパター
ンが形成されているレチクル、１１は水銀ランプの熱を
適正な温度に保持させるシロッコファン、１２は今回新
たに追加したＳｉＯ2 付着防止用のシロッコファンであ
る。１７はバンドパスフィルターでこれを通過後はｉ線
のみ取り出す事となる。
【００１８】図１の投影露光装置に電源を入れ稼動させ
ると、前記した如く水銀ランプ１の短波長側の光の影響
により、オゾン（Ｏ3 ）を発生させる。またオゾンは分
解されＯ2 とＯ* になることで照明光学系内に存在する
Ｓｉ有機物を分解しまたＳｉと結合して第１コンデンサ
レンズ前群３に付着する。但し、水銀ランプ１側と、第
１コンデンサレンズ後群４は第１コンデンサレンズ３に
より遮閉されており、空気の流れは無い。第１コンデン
サレンズ３の下部は、オゾン量が多いにも拘らず、水銀
ランプの熱排気をしているシロッコファン１１の影響か
ら、ＳｉＯ2 の付着はほとんど見られない。
ると、前記した如く水銀ランプ１の短波長側の光の影響
により、オゾン（Ｏ3 ）を発生させる。またオゾンは分
解されＯ2 とＯ* になることで照明光学系内に存在する
Ｓｉ有機物を分解しまたＳｉと結合して第１コンデンサ
レンズ前群３に付着する。但し、水銀ランプ１側と、第
１コンデンサレンズ後群４は第１コンデンサレンズ３に
より遮閉されており、空気の流れは無い。第１コンデン
サレンズ３の下部は、オゾン量が多いにも拘らず、水銀
ランプの熱排気をしているシロッコファン１１の影響か
ら、ＳｉＯ2 の付着はほとんど見られない。
【００１９】これを応用したのが本発明であり、第１コ
ンデンサレンズ上部には、その下部よりオゾン量が少な
いにも拘らず、レンズ表面にＳｉＯ2 の付着が存在す
る。本発明では更に別のシロッコファン１２を取り付け
第１コンデンサレンズ上部の空気を排気することにより
発生したＳｉＯ2 はレンズに付着することなく照明光学
系外へ排気される。その結果、ＳｉＯ2 の第１コンデン
サレンズ３への付着量が減少し所定の照度を維持するこ
とが可能となる。
ンデンサレンズ上部には、その下部よりオゾン量が少な
いにも拘らず、レンズ表面にＳｉＯ2 の付着が存在す
る。本発明では更に別のシロッコファン１２を取り付け
第１コンデンサレンズ上部の空気を排気することにより
発生したＳｉＯ2 はレンズに付着することなく照明光学
系外へ排気される。その結果、ＳｉＯ2 の第１コンデン
サレンズ３への付着量が減少し所定の照度を維持するこ
とが可能となる。
【００２０】実施例２ 図２は本発明の他の実施例を示す。図２では、図１の場
合のように排気する変わりに、プレッシャーエアー１６
で第１コンデンサレンズを常にノズル１５でレンズ全面
に吹き付け、生成されたＳｉＯ2 をレンズに付着させな
い方法である。上記のように、二酸化シリコンが生成さ
れるのは、投影露光装置の雰囲気気体中にＳｉ有機化合
物が存在するからである。根本的にはＳｉ有機化合物が
投影露光装置の中に入らない様にすれば良いのである
が、その濃度もｐｐｂオーダーと微量であり、除去する
ことも難しいのが現実であり、また、そのための設備も
大がかりなものになってしまう。しかし、本発明は、大
きな設備も必要なく、二酸化シリコンを除去し照度の低
下を防ぐ事が可能となる。
合のように排気する変わりに、プレッシャーエアー１６
で第１コンデンサレンズを常にノズル１５でレンズ全面
に吹き付け、生成されたＳｉＯ2 をレンズに付着させな
い方法である。上記のように、二酸化シリコンが生成さ
れるのは、投影露光装置の雰囲気気体中にＳｉ有機化合
物が存在するからである。根本的にはＳｉ有機化合物が
投影露光装置の中に入らない様にすれば良いのである
が、その濃度もｐｐｂオーダーと微量であり、除去する
ことも難しいのが現実であり、また、そのための設備も
大がかりなものになってしまう。しかし、本発明は、大
きな設備も必要なく、二酸化シリコンを除去し照度の低
下を防ぐ事が可能となる。
【００２１】［デバイス生産方法の実施例］次に上記説
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２２】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例ではこの繰り返しの各プロセスにおい
て、上記述べたようにアライメント電子ビームの加速電
圧を最適に設定することで、プロセスに影響を受けず正
確な位置合わせを可能としている。本実施例の生産方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイ
スを低コストに製造することができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置を
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウ
エハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例ではこの繰り返しの各プロセスにおい
て、上記述べたようにアライメント電子ビームの加速電
圧を最適に設定することで、プロセスに影響を受けず正
確な位置合わせを可能としている。本実施例の生産方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイ
スを低コストに製造することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大きな設備を設けることはなく排気ファン、プレッシャ
ーエアー等の簡便な設備で、二酸化シリコンを、光学素
子に付着させないか、もしくは付着を減少させることが
可能となる。またその結果、投影露光装置の照度低下を
抑えられ、装置性能を長く維持出来る事が可能となる。
更に今まで光学素子への二酸化シリコン付着に際し、光
学素子を交換していたが、その頻度も極端に減少出来る
為、経済的、コスト的見地からも優れている。加えて、
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度のデバイスを低コストに製造することができ
る。
大きな設備を設けることはなく排気ファン、プレッシャ
ーエアー等の簡便な設備で、二酸化シリコンを、光学素
子に付着させないか、もしくは付着を減少させることが
可能となる。またその結果、投影露光装置の照度低下を
抑えられ、装置性能を長く維持出来る事が可能となる。
更に今まで光学素子への二酸化シリコン付着に際し、光
学素子を交換していたが、その頻度も極端に減少出来る
為、経済的、コスト的見地からも優れている。加えて、
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度のデバイスを低コストに製造することができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る投影露光装置。
【図２】 本発明の第２の実施例に係る投影露光装置。
【図３】 従来の投影露光装置。
【図４】 水銀ランプの発光スペクトル分布。
【図５】 ｉ線（３６５ｎｍ）のバンドパスフィルター
通過後の透過率。
通過後の透過率。
【図６】 本発明の実施例によるデバイスの製造フロー
図。
図。
【図７】 図６のウエハプロセスの詳細なフロー図。
１：超高圧水銀ランプ、２：楕円ミラー、３：第１コン
デンサレンズ前群、４：第２コンデンサレンズ後群、
５：反射ミラー、６：ハエノ目レンズ、７：第２コンデ
ンサレンズ、８：反射ミラー、９：コリメータレンズ、
１０：レチクル、１１：シロッコファン、１２：シロッ
コファン、１３：水銀ランプ側雰囲気、１４：シャッタ
ー、１５：吹付ノズル、１６：プレッシャーエアー（供
給源）、１７：バンドパスフィルター。
デンサレンズ前群、４：第２コンデンサレンズ後群、
５：反射ミラー、６：ハエノ目レンズ、７：第２コンデ
ンサレンズ、８：反射ミラー、９：コリメータレンズ、
１０：レチクル、１１：シロッコファン、１２：シロッ
コファン、１３：水銀ランプ側雰囲気、１４：シャッタ
ー、１５：吹付ノズル、１６：プレッシャーエアー（供
給源）、１７：バンドパスフィルター。
Claims (5)
- 【請求項１】 原板の像を基板上に形成する照明光学系
を有する投影露光装置において、照明光学系内の光学素
子近傍の空気を強制排気する機能を有することを特徴と
する投影露光装置。 - 【請求項２】 光学素子及びその近傍に強制的に空気を
吹きつけることを特徴とする請求項１記載の投影露光装
置。 - 【請求項３】 発生したオゾンの分解により光学素子及
びその近傍の空気中に生成された二酸化シリコンを、該
空気と共に強制的に排除することを特徴とする請求項１
または２記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 ３６５ｎｍ以下の波長で露光する縮小投
影露光装置において、光学素子近傍の空気を強制排気す
る機能を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の投影露光装置を用いてデ
バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065577A JPH10247620A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 異物付着を防止した投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9065577A JPH10247620A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 異物付着を防止した投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247620A true JPH10247620A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13291006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9065577A Pending JPH10247620A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 異物付着を防止した投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247620A (ja) |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP9065577A patent/JPH10247620A/ja active Pending
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