JPH10247598A

JPH10247598A - プラズマ源及びこれを用いたイオン源並びにプラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH10247598A
Application number: JP9049420A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ogura; 倉洋小; Zenichi Yoshida; 田善一吉
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-03-04
Filing date: 1997-03-04
Publication date: 1998-09-14
Anticipated expiration: 2017-03-04
Also published as: JP3647592B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、イオン源
などに用いるプロセシングプラズマ処理装置において、
大面積・高密度プラズマを実現させる。【構成】誘電体１４を挟んだ導体の平行平板からな
り，少なくても一方が導入波長よりもかなり小さい径の
小孔１６を規則的に並べた多孔板１５になっており，誘
電体の中にマイクロ波２２を伝搬させ，小孔から漏れ出
たエバネセント波２３で高密度で均一なプラズマ２４を
発生させる。これにより、大面積の基板３２でも高速に
均一に処理することができる．

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体や液晶パネル、太
陽電池等の薄膜形成工程、および微細なパターンを形成
するためのエッチング工程、および表面洗浄工程に用い
られるプラズマ源及びそれを用いたイオン源並びにプラ
ズマ処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラズマ処理装置は高機能化とそ
の処理コストの低減のために、高速化、高品質化、大面
積化処理を実現する取り組みが盛んに行われている。そ
の中の１つに表面波を利用したプラズマ処理装置があ
る。たとえばＫ．コマチ、ジャーナルオブバキュームサ
イエンスアンドテクノロジーＡ，第１２巻，ｐ．７６
９，１９９４年（K．Komachi, Journal of Vacuum Scie
nce & Technology A,Vol．12, p．769(1994)）等には
以下に述べるようにマイクロ波を導体上の誘電体板に導
入する方式の表面波励起型プラズマ処理装置が提案され
ている。

【０００３】このような従来のプラズマ処理装置の一例
としては図１１に示すものがある。図１１は従来のプラ
ズマ処理装置の反応室の断面図を示すものである。図１
１において，１は真空排気手段を備えた真空保持可能な
真空容器で放電空間を形成する。２は被処理基板、３は
排気口、４はガス導入口、５はマイクロ波を伝搬する矩
形導波管、６は矩形導波管と連続した導体板、７は一部
導波管内部挿入され導体板に張り付けられた誘電体板、
８は真空機密を保つためのガラス板であり、誘電体板と
ガラス板の間にはギャップ９が設けられている。

【０００４】以上のように構成された従来のプラズマ処
理装置について、以下その動作について説明する。ま
ず、ガス導入口４を通してアルゴンや酸素のようなガス
を30Pa（パスカル）程度真空容器１に導入する。次に矩
形導波管６を通して2.45GHzのマイクロ波１０を誘電体
板７の側面から内部に供給される。そして、マイクロ波
は導体板６と誘電体板７の界面および誘電体板７とギャ
ップ９の界面で反射しながら誘電体板７の内部を平面波
として伝搬する。ここで、誘電体板７とギャップ９との
界面でマイクロ波が全反射をしたとき、ギャップ９側に
電磁界が指数関数的に減衰し減衰方向には波の形をとら
ないエバネセント波を発生させる。誘電体板７の表面か
ら離れるに従って弱くなるエバネセント波は、誘電体板
７表面に沿って伝わる波となることができ、これを一般
に表面波と呼んでいる。この場合、エバネセント波のギ
ャップ９側への侵入深さは波長程度（2.45GHzのマイク
ロ波では約12.4cm）となるので、ガラス板を透過して真
空容器１内にも漏れ出す。このエバネセント波により真
空容器１内で導入ガスの放電が起こり、プラズマが生成
する。このプラズマ中に発生したイオンや活性子に被処
理基板２をさらすことにより洗浄などのプラズマ処理を
行うことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、エバネセント波の強度が弱く低ガス圧でプ
ラズマを維持することが困難であり、また、平面波の強
度分布が直接プラズマ密度分布に反映するので均一性が
悪く大面積の基板に対しては適用でき難いという問題点
を有していた。

【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、低ガス圧力領域で高密度のプラズマが生成でき大面
積の基板でも均一に処理することができるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【問題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のプラズマ処理装置は、ガス導入手段と、真空
排気手段を備えたプラズマ生成室と、前記プラズマ生成
室内に設置された被処理体設置手段と、前記プラズマ生
成室の側壁の一部分として接続された第１の導体と、前
記プラズマ生成室の外側に前記第１の導体と空隙をもっ
て対向し設置してある第２の導体と、前記第１の導体と
第２の導体との空隙に詰めた誘電体と、前記誘電体内に
電磁波を伝送させる手段とを備え、前記第１の導体には
前記電磁波の波長より短い径の開口を備えたことを要旨
とする。

【０００８】この構成によって、開口から発生したエバ
ネセント波は開口径に応じて電界強度分布と侵入深さを
変えることができ、また、開口の配置を最適化すること
により電磁界分布の大面積均一性をよくし、低ガス圧で
も強電界により高密度で均一なプラズマを発生させるこ
とができ、大面積の基板でも高速に均一に処理すること
ができる。

【０００９】また、本発明の別の態様では、プラズマ生
成室で発生したプラズマに電圧を印加してイオンビーム
を生成する手段を設けたことを要旨とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、プラズマを発生するためのガスが到達するプラズマ
生成室と、プラズマ生成室にガスを導入するガス導入手
段と、前記プラズマ生成室に接して設けられた第１の導
体と、第１の導体に対して前記プラズマ生成室とは反対
側に前記第１の導体板と対向した設けられた第２の導体
と、前記第１の導体板と第２の導体板との間に設けられ
た誘電体と、前記誘電体内に電磁波を伝送させる電磁波
伝送手段とを備え、少なくとも前記第１の導体は前記電
磁波の波長より短い径の開口を有するようにしたもので
あり、前記開口を透過した電磁波が前記ガスに印加され
ることにより前記プラズマ生成室にプラズマを発生させ
るという作用を有する。

【００１１】本発明の請求項２に記載の発明は、プラズ
マを発生するためのガスが到達するプラズマ生成室と、
プラズマ生成室にガスを導入するガス導入手段と、前記
プラズマ生成室内に設けられた第１の導体と、前記プラ
ズマ生成室内に設けられ前記第１の導体板と対向した第
２の導体と、前記第１の導体板と第２の導体板との間に
設けられた誘電体と、前記誘電体内に電磁波を伝送させ
る電磁波伝送手段とを備え、少なくとも前記第１の導体
は前記電磁波の波長より短い径の開口を有するようにし
たものであり、前記開口を透過した電磁波が前記ガスに
印加されることにより前記プラズマ生成室にプラズマを
発生させるという作用を有する。

【００１２】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１または２記載のプラズマ源において、第１の導体及び
第２の導体は、同軸上に配置された円筒部材により構成
したものである。

【００１３】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１から３のいずれかに記載のプラズマ源において、第１
の導体及び／または第２の導体に複数の開口を有するよ
うにしたものである。

【００１４】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
１から４のいずれかに記載のプラズマ源において、第１
の導体と第２の導体とで導波管を構成したものである。

【００１５】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１から５のいずれかに記載のプラズマ源において、導波
管の一端は誘電体に連絡し、他端は電磁波発振器に連絡
するようにしたものである。

【００１６】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１から６のいずれかに記載のプラズマ源において、電磁
波はマイクロ波としたものである。

【００１７】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
１から７のいずれかに記載のプラズマ源において、ガス
に印加されるマイクロ波は、エバネッセント波としたも
のである。

【００１８】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
１から７のいずれかに記載のプラズマ源に対して、更に
プラズマ生成室内に発生したプラズマに電圧を印加して
イオンビームを生成する電極を、プラズマ生成室に隣接
して設けたものである。

【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
１から７のいずれかに記載のプラズマ源に対して、プラ
ズマ生成室は、真空排気手段を備えた真空容器であり、
前記真空容器内に、被処理基板を設置してプラズマ処理
するようにしたものであり、開口から漏れ出てくる電磁
波で、均一高密度にプラズマを発生させることができ、
大面積の基板でも均一に処理できるという作用を有す
る。

【００２０】（実施の形態１）以下本発明の第１の実施
の形態について、図面を参照しながら説明する。図１、
図２は、それぞれ、本発明の第１の実施の形態のプラズ
マ源を用いたイオンビーム源（以下「イオン源」とい
う）の断面鳥瞰図と断面図を示す。図１及び図２におい
て、１１は半同軸キャビティで、第１の導体に相当する
外部導体（たとえば、内径76.9mm、長さ152.3mm）１１
ａと、第２の導体に相当する中心導体（たとえば、外径
33.4mm、長さ132.3mm）１１ｂとから成っており、テフ
ロン円板１２で支持されている。半同軸キャビティ１１
の一方にはＮ型コネクタ１３が付けてあり、他の一方の
中心導体１１ｂの端末には誘電体円板１４が設置されて
いる。誘電体円板１４は、たとえば、径52mm、厚さ10mm
のパイレックスガラスでできている。誘電体円板１４の
一方の平面は第２の導体板である中心導体１１ｂの端面
と接しており、他の一方は第１の導体板である多孔板１
５と接している。多孔板１５は、例えば、径40mm、厚さ
0.5mmのステンレス板でできており、φ1.7mmの開口１６
が等間隔で169個開けてある。多孔板１５の先には、た
とえば、内径40mm、長さ11mmの円盤状の空間であるプラ
ズマ生成室１７が設けられている。以上の構成がプラズ
マ源に相当する。

【００２１】また、プラズマ生成室１７で発生したプラ
ズマからイオンを引き出すためのイオン引き出し電極１
８が、プラズマ生成室１７の多孔板１５とは反対側に設
置されている。イオン引き出し電極１８はシールド電極
１８ａと加速電極１８ｂとで構成されている。これら
は、たとえば、厚さ1mmのステンレス板でできており、1
mm間隔で設置されている。シールド電極１８ａには、た
とえば、等間隔で孔径φ2mmの孔が開けてあり、透過率
は63%である。加速電極１８ｂには、たとえば、径1.5mm
の孔が、シールド電極１８ａの孔に対向して開けてあ
る。引き出し電極１８の先にはプロセス室１９になって
いる。プロセス室１９には排気用のポンプ（図示せず）
が備え付けられている。また、シールド電極１８ａと加
速電極１８ｂの間に、たとえば、1kVのイオン引き出し
電圧を印加できる手段（図示せず）がある。

【００２２】以上のように構成されたイオン源につい
て、イオンビーム源として動作させた場合を図３を中心
に説明する。プラズマ生成室１７へは、ガス導入口２０
から、被イオン化ガスを流すことができる。プロセス室
１９の測定ガス圧力が、たとえば、0.01Paのとき、プラ
ズマ生成室の計算ガス圧力は約0.2Paとなる。マイクロ
波は、マイクロ波電源（図示せず）から同軸ケーブル
（図示せず）を経てＮ型コネクタ１３に送られる。スタ
ブ形状のチューナー２１を調整することにより、たとえ
ば、2.45GHzで150Wのマイクロ波２２が半同軸キャビテ
ィ１１に供給される。図３に示すように、半同軸キャビ
ティ１１を伝搬してきたマイクロ波２２は、誘電体円板
１４の側面全周から内部に供給される。そして、マイク
ロ波２２は誘電体円板１４表面と中心導体１１ｂ端面及
び多孔板１５との間で反射しながら誘電体円板１４内部
を伝搬する。このとき、プラズマ生成室１７側に多孔板
１５の開口１６を通してエバネセント波２３が発生す
る。エバネセント波２３とは、多孔板を離れるにつれ電
磁界が指数関数的に減衰し、減衰方向には波の形を取ら
ない状態である。多孔板１５の表面から離れるに従って
弱くなる電磁界パターンは、表面に沿って伝わる波とな
ることができ、これを一般に表面波と呼んでいる。

【００２３】被イオン化ガスにたとえばアルゴンを使用
すると、エバネセント波により、円筒のプラズマ生成室
１７にディスク状のプラズマ２４が生成される。これに
より、半同軸キャビティ１１からプラズマ生成室１７ま
での間はプラズマ源としての機能を有する。次に、たと
えば、シールド電極１８ａに対して-1kVの電圧を加速電
極１８ｂに印加すると、約18mm径のアルゴンイオンビー
ム２５を引き出し、加速することができる。これによ
り、半同軸キャビティ１１からプラズマ生成室１７を含
みシールド電極１８ａおよび加速電極１８ｂまでの間は
イオン源としての機能を有する。実際の装置を用いて、
上記のような条件で、アルゴンイオンビーム電流密度6m
A/cm²を得ることができた。

【００２４】（実施の形態２）以下本発明の第２の実施
の形態について、図面を参照しながら説明する。図４は
本発明の第２の実施の形態のプラズマ処理装置を示す断
面図である。図４において、３１はプラズマ生成室を構
成するとともに真空排気手段を有する真空保持可能な真
空容器、３２は被処理基板、３３はガス導入口、３４は
排気口、３５は真空容器の側壁の一部分として接続され
た第１導体板で、開口３６が設けられている。ここでは
径40mmの穴を開けている。３７は第１導体板と空隙をも
って対向し設置してある第２導体板であり、３８は第１
導体板と第２導体板との空隙に詰めた誘電体板である。
３９は誘電体板３８内に電磁波を伝送させるための電磁
波源である。ここでは同軸線で供給されるマイクロ波
（周波数2.45GHz）を用いている。

【００２５】以上のように構成されたプラズマ処理装置
について、その動作を図５を中心に説明する。まず、真
空容器３１を0.1Pa以下の真空度まで真空排気し、アル
ゴンをガス導入口３３から真空容器３１内に導入して、
プラズマ点火圧力である10Pa程度に調圧する。次に、電
磁波源３９から発振された2.45GHzのマイクロ波４０
を、誘電体板３８（ここでは厚さ10mmのパイレックスガ
ラス）の内部に伝搬させ、第１導体板３５と第２導体板
３７の間で反射させる。このとき開口３６の直径がマイ
クロ波４０の波長（12.4cm ）よりかなり短いので、開
口３６を通してＺ方向へマイクロ波４０が伝搬すること
ができずに、電磁界が指数関数的に減衰し減衰方向には
波の形をとらないエバネセント波４１を発生させる。図
６には誘電体板を円板とした場合の電磁界シミュレーシ
ョン結果を示す。減衰しながら開口径程度に電磁界が真
空容器３１側に漏れだしているのが分かる。この電磁界
により、真空容器３１に設置されたテスラコイル（図示
せず）のトリガー放電を一時的に作用させると被処理基
板３２上にアルゴンプラズマ３２を発生させることがで
きる。その後、ガス圧力を調整して、プラズマ処理を行
うことができる。

【００２６】マイクロ波のパワーを100Wとした場合に
は、アルゴンガス圧力1Paで、３×１０¹¹ （個/cm³）
のプラズマ密度を得ることができた。また、0.01Paまで
安定なプラズマを維持することができた。従来の表面波
プラズマ処理装置の放電維持ガス圧力が数Pa程度で、そ
のときのプラズマ密度が１０¹⁰個/cm³台であったので、
プラズマ密度、放電維持ガス圧力ともに向上している。

【００２７】この結果から明らかなように、本実施の形
態によるプラズマ処理装置はプラズマ処理においても、
低ガス圧力領域で高速処理が可能となる。

【００２８】（実施の形態３）以下本発明の第３の実施
の形態について図面を参照しながら説明する。この第３
の実施の形態では、第１導体板に複数の開口を設けた多
孔板を用いることにより、更に大面積での均一性を向上
させ、かつ、均一性に対する装置の制御性も向上させる
ことができる。図７は本発明の第３の実施の形態を示す
断面鳥瞰図である。図７において、５１は第２の実施の
形態の第１導体板３７の開口３６を複数個設けて多孔板
にした第１導体板であり、その他のものは第２の実施の
形態の構成と同様なものである。以上のような構成に
よれば、電磁波源５２から発振された2.45GHzのマイク
ロ波（図示せず）を、誘電体板５３（ここでは厚さ10mm
のパイレックスガラス）の内部に伝搬させ、第１導体板
５１と第２導体板５４の間で反射させると、第１導体板
５１に、たとえば径1.7mmの開口５５を複数個開け開口
率45%にすることにより、個々の孔からエバネセント波
５６を発生させることがでる。エバネセント波５６は均
質な表面波を形成し、プラズマ５７を発生させる。開口
径と間隔を最適化することにより、大面積に均一なプラ
ズマ処理が行えることなる。

【００２９】（実施の形態４）以下本発明の第４の実施
の形態について図面を参照しながら説明する。この第４
の実施の形態は、マイクロ波の伝搬路として矩形導波管
を用いることにより、更に低損失で電磁波の電力をプラ
ズマに供給することができるようにしたものである。図
８は本発明の第４の実施の形態を示す断面図である。図
８において、６１は第３の実施の形態の第１導体板５１
と第２導体板５４を一体化した多孔矩形導波管であり、
また、第３の実施の形態の電磁波源５２を発振器６２と
矩形導波管６３の組み合わせとし、その他のものは第３
の実施の形態の構成と同様なものである。

【００３０】以上のような構成によれば、発振器６２か
ら発振された、たとえば2.45GHzのマイクロ波６５は、
矩形導波管６３（ここでは内壁寸法109.22mm×54.16mm
）を経由して、一方がふたをされた多孔矩形導波管６
１（ここでは内壁寸法200mm×25mm）の中に挿入された
誘電体板６６（ここでは厚さ25mmのパイレックスガラ
ス）の内部に伝搬させ、多孔矩形導波管６１の内部で反
射させると、多孔矩形導波管６１の一側面に、たとえば
径1.7mmの開口６７を複数個開け開口率45%にすることに
より、個々の孔からエバネセント波６８を発生させるこ
とがでる。エバネセント波６８は均質な表面波を形成
し、プラズマ６９を発生させる。多孔矩形導波管６１の
マイクロ波導入口７０に対向する側面は短絡終端７１で
あり、矩形導波管６３の短絡終端７２とでマイクロ波６
５を定在波を生成し、低損失のマイクロ波伝搬によりエ
バネセント波６８を発生させることができ、効率よく大
面積に均一なプラズマ処理が行えることになる。

【００３１】（実施の形態５）以下本発明の第５の実施
の形態について図面を参照しながら説明する。この第６
の実施の形態は、第１導体板と第２導体板の両方を多孔
板にすることにより、更にプラズマ処理の速度を向上さ
せることができるようにしたものである。図９は本発明
の第６の実施の形態を示す断面図である。図９におい
て、８１は第３の実施の形態の第２導体板５４にも開口
８４を設けて得られた両面多孔板型矩形導波管である。
その他の部分は第３の実施の形態の構成と同様なもので
あり、８２は電磁波源、８３は誘電体、８５ａ、８５ｂ
は基板、８６は真空容器、８７はガス導入口である。誘
電体８３の上下両側に開口８４が設けられているため、
図９中上方へも、下方へもエバネセント波を出力させる
ことができ、プラズマ処理をする場合に、両面多孔板型
矩形導波管８１の上下両側に基板８５ａ、８５ｂを設置
して一度に加工することが出来るから、作業能率を向上
させることができる。

【００３２】（実施の形態６）以下本発明の第６の実施
の形態について図面を参照しながら説明する。この第６
の実施の形態は、多孔を円筒の側面に設けることによ
り、更にプラズマ処理の速度を向上させることができる
ようにしたものである。図１０は本発明の第６の実施の
形態を示す断面鳥瞰図である。図１０において、開口８
４を有する第１導体板９３と誘電体９４と第２導体板９
５は、第３の実施の形態の多孔板５１と誘電体板５３と
第２導体板５４を筒状にし、第１導体板９３と第２導体
板９５との間に電磁波源９６を接続したものであり、そ
の他の部分は第３の実施の形態の構成と同様なものであ
る。このような構成にすることにより、より密度の高い
プラズマを発生させることができ、プラズマ処理をする
場合の能率を上げることができる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、真空容器
に接続され、第１の導体と空隙をもって対向し設置して
ある第２の導体と、その空隙に詰めた誘電体と、誘電体
内に電磁波を伝送させる手段と、第１の導体に前記電磁
波の波長より短い径の開口を設け、この開口から漏れ出
てくる電磁波で、均一高密度にプラズマを発生させるこ
とができ、大面積の基板でも均一に処理することができ
る。また、均一性に対する装置の制御性も向上すること
ができる優れたプラズマ処理装置を実現するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態におけるイオン源の
断面鳥瞰図。

【図２】本発明の第１の実施の形態におけるイオン源の
断面図。

【図３】本発明の第１の実施の形態におけるイオン源の
動作原理図。

【図４】本発明の第２の実施の形態におけるプラズマ処
理装置の断面図。

【図５】本発明の第２の実施の形態におけるプラズマ処
理装置の動作原理図。

【図６】本発明の第２の実施の形態におけるプラズマ処
理装置のシミュレーション図。

【図７】本発明の第３の実施の形態におけるプラズマ処
理装置の断面鳥瞰図。

【図８】本発明の第４の実施の形態におけるプラズマ処
理装置の断面図。

【図９】本発明の第５の実施の形態におけるプラズマ処
理装置の断面図。

【図１０】本発明の第６の実施の形態におけるプラズマ
処理装置の断面鳥瞰図。

【図１１】従来例におけるプラズマ発生装置の断面図。

【符号の説明】

５１第１導体板５２電磁波源５３誘電体板５４第２導体板５５開口５６エバネセント波５７プラズマ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ＤＨ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ // Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマを発生するためのガスが到達す
るプラズマ生成室と、プラズマ生成室にガスを導入する
ガス導入手段と、前記プラズマ生成室に接して設けられ
た第１の導体と、第１の導体に対して前記プラズマ生成
室とは反対側に前記第１の導体板と対向した設けられた
第２の導体と、前記第１の導体板と第２の導体板との間
に設けられた誘電体と、前記誘電体内に電磁波を伝送さ
せる電磁波伝送手段とを備え、少なくとも前記第１の導
体は前記電磁波の波長より短い径の開口を有し、前記開
口を透過した電磁波が前記ガスに印加されることにより
前記プラズマ生成室にプラズマを発生するプラズマ源。
【請求項２】プラズマを発生するためのガスが到達す
るプラズマ生成室と、プラズマ生成室にガスを導入する
ガス導入手段と、前記プラズマ生成室内に設けられた第
１の導体と、前記プラズマ生成室内に設けられ前記第１
の導体板と対向した第２の導体と、前記第１の導体板と
第２の導体板との間に設けられた誘電体と、前記誘電体
内に電磁波を伝送させる電磁波伝送手段とを備え、少な
くとも前記第１の導体は前記電磁波の波長より短い径の
開口を有し、前記開口を透過した電磁波が前記ガスに印
加されることにより前記プラズマ生成室にプラズマを発
生するプラズマ源。
【請求項３】第１の導体及び第２の導体は、同軸上に
配置された円筒部材により構成された請求項１または２
記載のプラズマ源。
【請求項４】第１の導体及び／または第２の導体に複
数の開口を有する請求項１から３のいずれかに記載のプ
ラズマ源。
【請求項５】第１の導体と第２の導体とで導波管を構
成する請求項１から４のいずれかに記載のプラズマ源。
【請求項６】導波管の一端は誘電体に連絡し、他端は
電磁波発振器に連絡する請求項５記載のプラズマ源。
【請求項７】電磁波はマイクロ波である請求項１から
６のいずれかに記載のプラズマ源。
【請求項８】ガスに印加されるマイクロ波は、エバネ
ッセント波である請求項１から７のいずれかに記載のプ
ラズマ源。
【請求項９】請求項１から７のいずれかに記載のプラ
ズマ源に対して、更にプラズマ生成室内に発生したプラ
ズマに電圧を印加してイオンビームを生成する電極を、
プラズマ生成室に隣接して設けたイオン源。
【請求項１０】請求項１から７のいずれかに記載のプ
ラズマ源に対して、プラズマ生成室は、真空排気手段を
備えた真空容器であり、前記真空容器内には、被処理基
板が設置されているプラズマ処理装置。