JPH10244698A - サーマルヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】炭素を主成分とする保護膜を有するサーマルヘ
ッドであって、保護膜の腐食や摩耗が極めて少なく、し
かも熱や機械的衝撃に対しても保護膜の割れや剥離の発
生を防止して、十分な耐久性を有し、長期に渡って高い
信頼性を発揮し、これにより、長期に渡って高画質の感
熱記録を安定して行うことができるサーマルヘッドの提
供。 【解決手段】発熱体を保護する保護膜として、発熱体側
に形成され、セラミックを主成分とする少なくとも１層
からなる下層保護膜と、この下層保護膜上に形成され、
炭素を主成分とする上層保護膜とを有し、この上層保護
膜の膜厚が０．００５〜０．１μｍとすることにより、
上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種のプリンタ、
プロッタ、ファックス、レコーダ等に記録手段として用
いられる感熱記録を行うためのサーマルヘッドの技術分
野に属する。

【０００２】

【従来の技術】超音波診断画像の記録に、フィルム等を
支持体として感熱記録層を形成してなる感熱材料を用い
た感熱記録が利用されている。また、感熱記録は、湿式
の現像処理が不要であり、取り扱いが簡単である等の利
点を有することから、近年では、超音波診断のような小
型の画像記録のみならず、ＣＴ診断、ＭＲＩ診断、Ｘ線
診断等の大型かつ高画質な画像が要求される用途におい
て、医療診断のための画像記録への利用も検討されてい
る。

【０００３】周知のように、感熱記録は、感熱材料の感
熱記録層を加熱して画像を記録する、発熱体と電極とを
有する発熱素子が一方向（主走査方向）に配列されたグ
レーズが形成されたサーマルヘッドを用い、グレーズを
感熱材料（感熱記録層）に若干押圧した状態で、両者を
前記主走査方向と直交する副走査方向に相対的に移動し
つつ、ＭＲＩ等の画像データ供給源から供給された記録
画像の画像データに応じて、グレーズの各画素の発熱体
にエネルギーを印加して発熱させることにより、感熱材
料の感熱記録層を加熱して画像記録を行う。

【０００４】このサーマルヘッドのグレーズには、感熱
材料を加熱する発熱体、あるいはさらに電極等を保護す
るため、その表面に保護膜が形成されている。従って、
感熱記録時に感熱材料と接触するのは、この保護膜で、
発熱体は、この保護膜を介して感熱材料を加熱し、これ
により感熱記録が行われる。保護膜の材料には、通常、
耐摩耗性を有するセラミック等が用いられているが、保
護膜の表面は、感熱記録時には加熱された状態で感熱材
料と慴接するため、記録を重ねるにしたがって摩耗し、
劣化する。

【０００５】この摩耗が進行すると、感熱画像に濃度ム
ラが生じたり、保護膜としての強度が保てなくなるた
め、発熱体等を保護する機能が損なわれ、最終的には、
画像記録ができなくなる状態に陥る（ヘッド切れ）。特
に、前述の医療用途のように、高品質で、かつ高画質な
多階調画像が要求される用途においては、高品質化およ
び高画質化を計るために、ポリエステルフィルム等の高
剛性の支持体を使用する感熱フィルムを用い、さらに、
記録温度（印加エネルギー）や、感熱材料へのサーマル
ヘッドの押圧力を高く設定する方向にある。そのため、
通常の感熱記録に比して、サーマルヘッドの保護膜にか
かる力や熱が大きく、摩耗や腐食（腐食による摩耗）が
進行し易くなっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなサーマルヘ
ッドの保護膜の摩耗を防止し、耐久性を向上する方法と
して、保護膜の性能を向上する技術が数多く検討されて
おり、中でも特に、耐摩耗性や耐蝕性に優れた保護膜と
して、炭素を主成分とする保護膜（以下、カーボン保護
膜とする）が知られている。

【０００７】例えば、特公昭６１−５３９５５号および
特公平４−６２８６６（前記出願の分割出願）の各公報
には、サーマルヘッドの保護膜として、ビッカーズ硬度
が４５００kg/mm²以上のカーボン保護膜を形成すること
により、優れた耐摩耗性と共に、保護膜を十分に薄くし
て優れた応答性も実現したサーマルヘッド、およびその
製造方法が開示されている。このようなカーボン保護膜
は、ダイアモンドに極めて近い特性を有するもので、非
常に硬度が高く、また、化学的にも安定である。そのた
め、感熱材料との摺接に対する耐摩耗性や耐蝕性という
点では優れた特性を発揮する。しかしながら、カーボン
保護膜は、優れた耐摩耗性を有するものの、硬いが故に
脆い、すなわち靭性が低く、発熱素子の加熱によるヒー
トショックや熱的なストレスによって、比較的容易に割
れや剥離が生じてしまうという問題点がある。

【０００８】このような問題点に対し、特開平７−１３
２６２８号公報には、下層のシリコン系化合物層と、そ
の上層のダイアモンドライクカーボン層との２層構造の
保護膜を有することにより、ヒートショック等による保
護膜の摩耗および破壊を大幅に低減し、高画質記録が長
期に渡って可能なサーマルヘッドが開示されている。し
かしながら、ダイアモンドライクカーボン層とシリコン
系化合物層との熱膨張係数の違いによるストレスや、記
録中に感熱材料とサーマルヘッド（グレーズ）との間に
混入する異物による機械的衝撃等によって、やはり割れ
や剥離が生じてしまうという問題点がある。このように
保護膜に割れや剥離が生じると、ここから摩耗や腐食、
さらには腐食による摩耗が進行して、サーマルヘッドの
耐久性が低下してしまい、やはり、長期に渡って高い信
頼性を発揮することはできない。

【０００９】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決することにあり、炭素を主成分とする保護膜を有す
るサーマルヘッドであって、保護膜の腐食や摩耗が極め
て少なく、しかも熱や機械的衝撃に対しても保護膜の割
れや剥離の発生を防止して、十分な耐久性を有し、長期
に渡って高い信頼性を発揮し、これにより、長期に渡っ
て高画質の感熱記録を安定して行うことができるサーマ
ルヘッドを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、発熱体を保護する保護膜として、前記発
熱体側に形成され、セラミックを主成分とする少なくと
も１層からなる下層保護膜と、この下層保護膜上に形成
され、炭素を主成分とする上層保護膜とを有し、この上
層保護膜の膜厚が０．００５〜０．１μｍであることを
特徴とするサーマルヘッドを提供する。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のサーマルヘッドに
ついて、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に
説明する。

【００１２】図１に、本発明のサーマルヘッドを利用す
る感熱記録装置の一例の概略図が示される。図１に示さ
れる感熱記録装置１０（以下、記録装置１０とする）
は、例えばＢ４サイズ等の所定のサイズのカットシート
である感熱材料（以下、感熱材料Ａとする）に感熱記録
を行うものであり、感熱材料Ａが収容されたマガジン２
４が装填される装填部１４、供給搬送部１６、サーマル
ヘッド６６によって感熱材料Ａに感熱記録を行う記録部
２０、および排出部２２を有して構成される。

【００１３】このような記録装置１０においては、マガ
ジン２４から感熱材料Ａを１枚引き出し、記録部２０ま
で感熱材料Ａを搬送して、サーマルヘッド６６を感熱材
料Ａに押圧しつつ、グレーズの延在方向すなわち主走査
方向（図１および図２において紙面と垂直方向）と直交
する副走査方向に感熱材料Ａを搬送して、記録画像（画
像データ）に応じて各発熱素子を発熱することにより、
感熱材料Ａに感熱記録を行う。

【００１４】感熱材料Ａは、透明なポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）フィルムなどの樹脂フィルムや紙等
を支持体として、その一面に感熱記録層を形成してなる
ものである。このような感熱材料Ａは、１００枚等の所
定単位の積層体（束）とされて袋体や帯等で包装されて
おり、図示例においては、所定単位の束のまま感熱記録
層を下面として記録装置１０のマガジン２４に収納さ
れ、一枚づつマガジン２４から取り出されて感熱記録に
供される。

【００１５】マガジン２４は、開閉自在な蓋体２６を有
する筐体であり、感熱材料Ａを収納して記録装置１０の
装填部１４に装填される。装填部１４は、記録装置１０
のハウジング２８に形成された挿入口３０、案内板３２
および案内ロール３４，３４、停止部材３６を有してい
る。マガジン２４は、蓋体２６側を先にして挿入口３０
から記録装置１０内に挿入され、案内板３２および案内
ロール３４に案内されつつ、停止部材３６に当接する位
置まで押し込まれることにより、記録装置１０の所定の
位置に装填される。また、装填部１４には、マガジンの
蓋体２６を開閉するための、図示しない開閉機構が設け
られている。

【００１６】供給搬送手段１６は、装填部１４に装填さ
れたマガジン２４から感熱材料Ａを１枚取り出して、記
録部２０に搬送するものであり、吸引によって感熱材料
Ａを吸着する吸盤４０を用いる枚葉機構、搬送手段４
２、搬送ガイド４４、および搬送ガイド４４の出口に位
置する規制ローラ対５２を有する。搬送手段４２は、搬
送ローラ４６と、この搬送ローラ４６と同軸のプーリ４
７ａ、回転駆動源に接続されるプーリ４７ｂならびにテ
ンションプーリ４７ｃと、この３つのプーリに張架され
るエンドレスベルト４８と、搬送ローラ４６とローラ対
を成すニップローラ５０とを有して構成され、吸盤４０
によって枚葉された感熱材料Ａの先端を搬送ローラ４６
とニップローラ５０とによって挟持して、感熱材料Ａを
搬送する。

【００１７】記録装置１０において記録開始の指示が出
されると、前記開閉機構によって蓋体２６が開放され、
吸盤４０を用いた枚葉機構がマガジン２４から感熱材料
Ａを一枚取り出し、感熱材料Ａの先端を搬送手段４２
（搬送ローラ４６とニップローラ５０とから成るローラ
対）に供給する。搬送ローラ４６とニップローラ５０と
によって感熱材料Ａが挟持された時点で、吸盤４０によ
る吸引は開放され、供給された感熱材料Ａは、搬送ガイ
ド４４によって案内されつつ搬送手段４２によって規制
ローラ対５２に搬送される。なお、記録に供される感熱
材料Ａがマガジン２４から完全に排出された時点で、前
記開閉手段によって蓋体２６が閉塞される。

【００１８】搬送ガイド４４による搬送手段４２から規
制ローラ対５２までの距離は、感熱材料Ａの搬送方向の
長さより若干短く設定されている。搬送手段４２による
搬送で感熱材料Ａの先端が規制ローラ対５２に至るが、
規制ローラ対５２は最初は停止しており、感熱材料Ａの
先端はここで一旦停止して位置決めされる。この感熱材
料Ａの先端が規制ローラ対５２に至った時点で、サーマ
ルヘッド６６（グレーズ）の温度が確認され、サーマル
ヘッド６６の温度が所定温度であれば、規制ローラ対５
２による感熱材料Ａの搬送が開始され、感熱材料Ａは、
記録部２０に搬送される。

【００１９】記録部２０は、サーマルヘッド６６、プラ
テンローラ６０、クリーニングローラ対５６、ガイド５
８、サーマルヘッド６６を冷却するヒートシンク６７、
冷却ファン７６およびガイド６２を有する。サーマルヘ
ッド６６は、例えば、最大Ｂ４サイズまでの画像記録が
可能な、約３００ｄｐｉの記録（画素）密度の感熱記録
を行うもので、保護膜に特徴を有する以外は、感熱材料
Ａへの感熱記録を行う発熱素子が一方向（主走査方向）
に配列されるグレーズが形成された公知の構成を有する
ものである。このサーマルヘッド６６には、冷却のため
のヒートシンク６７が固定される。また、サーマルヘッ
ド６６は、支点６８ａを中心に上下方向に回動自在な支
持部材６８に支持されている。このサーマルヘッド６６
のグレーズについては、後に詳述する。なお、本発明の
サーマルヘッド６６の幅（主走査方向）、解像度（記録
密度）、記録階調等には特に限定は無いが、幅は５cm〜
５０cm、解像度は６dot/mm（約１５０ｄｐｉ）以上、記
録階調は２５６階調以上であるのが好ましい。

【００２０】プラテンローラ６０は、感熱材料Ａを所定
位置に保持しつつ所定の画像記録速度で図中の矢印方向
に回転し、主走査方向と直交する副走査方向（図２中の
矢印ｘ方向）に感熱材料Ａを搬送する。クリーニングロ
ーラ対５６は、弾性体である粘着ゴムローラ（図中上
側）と、通常のローラとからなるローラ対であり、粘着
ゴムローラが感熱材料Ａの感熱記録層に付着したゴミ等
を除去して、グレーズへのゴミの付着や、ゴミが画像記
録に悪影響を与えることを防止する。

【００２１】図示例の記録装置１０において、感熱材料
Ａが搬送される前は、支持部材６８は上方に回動して、
サーマルヘッド６６のグレーズとプラテンローラ６０と
が接触する直前の待機位置となっている。前述の規制ロ
ーラ対５２による搬送が開始されると、感熱材料Ａは、
次いでクリーニングローラ対５６に挟持され、さらに、
ガイド５８によって案内されつつ搬送される。感熱材料
Ａの先端が記録開始位置（グレーズに対応する位置）に
搬送されると、支持部材６８が下方に回動して、グレー
ズとプラテンローラ６０とで感熱材料Ａが挟持されて、
記録層にグレーズが押圧された状態となり、感熱材料Ａ
はプラテンローラ６０によって所定位置に保持されつ
つ、プラテンローラ６０等によって副走査搬送される。
この搬送に伴い、グレーズの各発熱素子を記録画像に応
じて加熱することにより、感熱材料Ａに感熱記録が行わ
れる。

【００２２】感熱記録が終了した感熱材料Ａは、ガイド
６２に案内されつつ、プラテンローラ６０および搬送ロ
ーラ対６３に搬送されて排出部２２のトレイ７２に排出
される。トレイ７２は、ハウジング２８に形成された排
出口７４を経て記録装置１０の外部に突出しており、画
像が記録された感熱材料Ａは、この排出口７４を経て外
部に排出され、取り出される。

【００２３】図２に、サーマルヘッド６６のグレーズ
（発熱素子）の概略断面図を示す。図示例において、グ
レーズは、基板８０の上（図示例のサーマルヘッド６６
は、上から感熱材料Ａに押圧されるので、図２中では下
となる）に形成されるグレーズ層（畜熱層）８２、その
上に形成される発熱（抵抗）体８４、その上に形成され
る電極８６、およびその上に形成される、発熱体８４あ
るいはさらに電極８６等を保護するための保護膜等を有
して構成される。図示例においては、好ましい態様とし
て保護膜が２層構成を有するもので、発熱体８４および
電極８６を覆って形成されるセラミックを主成分とする
下層保護膜８８と、下層保護膜８８の上に上層保護膜と
して形成される、本発明の特徴的な部分である、炭素を
主成分とする保護膜すなわちカーボン保護膜９０とから
保護膜が構成される。

【００２４】本発明に用いられるサーマルヘッド６６
は、このカーボン保護膜９０以外は、基本的に公知のサ
ーマルヘッド６６と同様の構成とすることができる。従
って、それ以外の層構成や各層の材料には特に限定はな
く、公知のものが各種利用可能である。具体的には、基
板８０としては耐熱ガラスやアルミナ、シリカ、マグネ
シアなどのセラミックス等の電気絶縁性材料が、グレー
ズ層８２としては耐熱ガラスやポリイミド樹脂等の耐熱
性樹脂等が、発熱体８４としてはニクロム（Ni-Cr)、タ
ンタル、窒化タンタル等の発熱抵抗体が、電極８６とし
てはアルミニウム、銅等の導電性材料が、各種利用可能
である。なお、グレーズ（発熱素子）には、真空蒸着、
ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 、スパッタリング
等のいわゆる薄膜形成技術およびフォトエッチング法を
用いて形成される薄膜型発熱素子と、スクリーン印刷な
どの印刷ならびに焼成によるいわゆる厚膜形成技術およ
びエッチングを用いて形成される厚膜型発熱素子とが知
られているが、本発明に用いられるサーマルヘッド６６
は、いずれの方法で形成されたものであってもよい。ま
た、一度０．１μｍ以上にカーボン膜を成膜した後、こ
のカーボン膜を剥離したり、ラッピングして０．１μｍ
以下のカーボン保護膜９０に加工してもよい。

【００２５】上述のように、図示例のサーマルヘッド６
６は、好ましい態様として、カーボン保護膜９０と下層
保護膜８８の２層構成の保護膜を有する。このような下
層保護膜を有することにより、耐摩耗性、耐蝕性、耐腐
食摩耗性等の点でより好ましい結果を得ることができ、
より耐久性が高く、長寿命のサーマルヘッドが実現でき
る。本発明のサーマルヘッド６６に形成される下層保護
膜８８としては、サーマルヘッドの保護膜と成り得る耐
熱性、耐蝕性および耐摩耗性を有する材料であるセラミ
ックスを主成分とするものであれば特に限定されず、各
種のセラミックス材料が使用可能である。

【００２６】具体的には、窒化珪素、炭化珪素、酸化タ
ンタル、酸化アルミニウム、サイアロン、酸化珪素、窒
化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化セレン、およびこれ
らの混合物等が例示され、中でも特に、耐熱性が優れて
いること、力学強度、靱性が優れていること等の点で、
窒化珪素、炭化珪素等は好適に利用される。また、下層
保護膜には、物性調整のため、金属等の微量の添加物が
含まれてもよい。下層保護膜８８の形成方法には特に限
定はなく、前述の厚膜形成技術や薄膜形成技術等を用い
て、公知のセラミックス膜（層）の形成方法で形成され
る。

【００２７】下層保護膜８８の厚さには特に限定はない
が、好ましくは２μｍ〜２０μｍ程度、より好ましくは
４μｍ〜１５μｍ程度である。下層保護膜８８の厚さを
上記範囲とすることにより、耐摩耗性と熱伝導性（すな
わち記録感度）とのバランスを好適に取ることができる
等の点で好ましい結果を得る。また、下層保護膜８８は
多層構成でもよい。下層保護膜８８を多層構成とする際
には、異なる材料を用いて多層構成としてもよく、ある
いは、同じ材料で密度等の異なる層を有する多層構成で
あってもよく、あるいは、その両者を有するものであっ
てもよい。

【００２８】本発明に用いられるサーマルヘッド６６
は、このような下層保護膜８８の上に、上層保護膜とし
て、炭素を主成分とするカーボン保護膜９０を有する。
これにより、カーボン保護膜９０の有する優れた耐摩耗
性や耐蝕性が得られ、前述のヒートショックや熱ストレ
ス、カーボン保護膜９０の割れや剥離をある程度抑制す
ることが可能である。しかしながら、前述したように、
カーボン保護膜９０の膜厚を一般に行われるような厚さ
（例えば、前述の特開平７−１３２６２８号公報では
０．５〜２．０μｍ）にした場合には、下層（図示例で
は下層保護膜８８）との熱膨張係数の違いによるストレ
スが生じやすく、このストレスや、不純物による機械的
衝撃等に起因して、やはり割れや剥離が生じてしまう。

【００２９】これに対し、本発明のサーマルヘッド６６
においては、カーボン保護膜９０の厚さは、０．００５
〜０．１μｍ、好ましくは０．００５〜０．０５μｍ、
最も好ましくは０．００５〜０．０１μｍとする。０．
１μｍ超では、カーボン保護膜９０に加わる応力が緩和
されにくく、熱膨張係数の違いによるストレスや、不純
物による機械的衝撃等に起因して、カーボン保護膜９０
のひび割れ、下層保護膜８８からの剥離等が生じてしま
うので好ましくない。一方、０．００５μｍを下限とし
たのは、膜として形成されるための最小の厚さと考えら
れるためであり、膜として形成される限り特に限定され
るものではない。このようにカーボン保護膜９０の厚さ
を非常に薄くすることにより、カーボン保護膜９０のひ
び割れ、剥離等を有効に防止することができる。しか
も、カーボン保護膜９０は化学的に非常に安定であるた
め、非常に薄い膜であるにも関わらず、セラミックス膜
である下層保護膜の化学腐食を有効に防止し、サーマル
ヘッドの寿命を長くすることができる。従って、本発明
のサーマルヘッド６６は十分な耐久性を有し、長期に渡
って高い信頼性を発揮し、これにより、長期に渡って高
画質の感熱記録を安定して行うことができる。

【００３０】このようなカーボン保護膜９０の硬度には
特に限定はなく、サーマルヘッドの保護膜として十分な
硬度を有すればよい。例えば、ビッカーズ硬度で３００
０〜５０００kg/mm²が好適に例示される。また、この硬
度は、カーボン保護膜９０の厚さ方向に対して、一定と
しても、あるいは変化させてもよく、硬度をカーボン保
護膜９０の厚さ方向に変化させる場合には、この硬度の
変化は連続的であっても段階的であってもよい。

【００３１】このようなカーボン保護膜９０の形成方法
には特に限定はなく、公知の厚膜形成技術や薄膜形成技
術で形成されるが、好ましくは、炭化水素ガスを反応ガ
スとして用いるプラズマＣＶＤによって硬質カーボン膜
を形成する方法、および焼結カーボン材やグラッシーカ
ーボン材等のカーボン材をターゲット材とするスパッタ
リングによって硬質カーボン膜を形成する方法が例示さ
れる。

【００３２】図３に、カーボン保護膜９０としてスパッ
タカーボン膜を形成するスパッタリング装置の概念図を
示す。スパッタリング装置１００は、基本的に、真空チ
ャンバ１０２と、ガス導入部１０４と、スパッタリング
手段１０６と、基板ホルダ１０８とを有して構成され
る。

【００３３】真空チャンバ１０２は、後述するカソード
１１２の磁場が影響を受けないようにＳＵＳ３０４等の
非磁性材料で形成されるのが好ましい。また、本発明の
カーボン保護膜９０を形成に用いられる真空チャンバ１
０２は、初期排気の到達圧力で２×１０^-5Torr以下、好
ましくは５×１０^-6Torr以下、成膜中は１×１０^-4Torr
〜１×１０^-2Torrを達成する真空シール性を有するのが
好ましい。真空チャンバ１０２に取り付けられる真空排
気手段１１０としては、ロータリーポンプ、メカニカル
ブースタポンプ、ターボポンプを組み合わせた排気手段
が好適に例示され、また、ターボポンプの代わりにディ
フュージョンポンプやクライオポンプを用いた排気手段
も好適に例示される。真空排気手段１１０の排気能力や
数は、真空チャンバ１０２の容積や成膜時のガス流量等
に応じて適宜選択すればよい。また、排気速度を高める
ために、バイパス配管を用いた配管の排気抵抗の調整
や、オリフィスバルブを設けてその開口度調整等の方法
で、排気速度を調整可能なように構成してもよい。

【００３４】ガス導入部１０４は、プラズマを発生する
ためのガスを導入する部位で、導入部がＯリング等で真
空シールされたステンレス製のパイプ等を用いて、真空
チャンバ１０２内にガスを導入する。また、ガスの導入
量は、マスフローコントローラ等の公知の方法で制御さ
れる。ガス導入部１０４は、ガスを基本的に真空チャン
バ１０２内のプラズマ発生領域の近傍に拭き出すように
構成される。また、吹き出し位置は、発生するプラズマ
の分布に影響を与えないように最適化するのが好まし
い。スパッタカーボン膜を生成するためのプラズマ発生
用のガスとしては、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスが用いられる
が、中でも特に、価格および入手の容易性の点で、アル
ゴンガスが好適に用いられる。

【００３５】スパッタリングでは、カソード１１２にス
パッタリングするターゲット材１１４を配置し、カソー
ド１１２を負電位にすると共に、ターゲット材１１４の
表面にプラズマを発生させることにより、ターゲット材
１１４（その原子）を弾き出して、対向した配置した基
板（すなわち、サーマルヘッド６６のグレーズ）の表面
に付着させ、堆積することにより成膜する。スパッタリ
ング手段１０６は、このカソード１１２、ターゲット材
１１４の配置部、シャッタ１１６等を有するものであ
る。

【００３６】ターゲット材１１４の表面にプラズマを発
生する際には、直流電源１１８のマイナス側を直接カソ
ード１１２に接続し、３００Ｖ〜１０００Ｖの直流電圧
を印加する。直流電源１１８の出力としては、１ｋＷ〜
１０ｋＷ程度の範囲であり、スパッタカーボン膜の生成
に必要にして十分な出力を有するものを適宜選択すれば
よい。なお、カソード１１２の形状は、スパッタカーボ
ン膜が形成される基板の形状等に応じて適宜決定すれば
よい。また、アーク防止等の点で、２ｋＨｚ〜２０ｋＨ
ｚにパルス変調した直流電源も好適に利用可能である。
また、プラズマの発生には、高周波電源も利用可能であ
る。高周波電源を用いる場合には、マッチングボックス
を介してカソード１１２に高周波電圧を印加することに
より、プラズマを発生させる。その際には、マッチング
ボックスによってインピーダンス整合を行い、高周波電
圧の反射波が入射波に対して２５％以下となるように調
整する。高周波電源としては、工業用の１３．５６ＭＨ
ｚで、１ｋＷ〜１０ｋＷ程度の範囲で、スパッタカーボ
ン膜の生成に必要にして十分な出力を有するものを適宜
選択すればよい。

【００３７】ターゲット材１１４は、Ｉｎ系ハンダや機
械的な固定手段を用いて直接カソード１１２に固定して
もよいが、通常は、無酸素鋼やステンレス等からなるバ
ッキングプレート１２０をカソード１１２に固定し、そ
の上にターゲット材１１４を前述のようにして張り付け
る。また、カソード１１２およびバッキングプレート１
２０は水冷可能に構成され、これにより、間接的にター
ゲット材１１４も水冷される。なお、スパッタカーボン
膜を形成するために用いられるターゲット材１１４とし
ては、焼結カーボン材、グラッシーカーボン材等が好適
に例示される。また、その形状は、基板の形状に応じて
適宜決定すればよい。

【００３８】スパッタカーボン膜の形成は、カソード１
１２の内部に永久磁石や電磁石等の磁石１１２ａを配置
し、ターゲット材１１４表面に磁場を形成してプラズマ
を閉じ込めてスパッタリングを行うマグネトロンスパッ
タリングも好適に利用可能である。このマグネトロンス
パッタリングは、成膜速度が早い点で好ましい。永久磁
石や電磁石の形状や位置、数、生成する磁場の強さ等は
形成するスパッタカーボン膜の厚さや膜厚分布、ターゲ
ット材１１４の形状等に応じて適宜決定される。また永
久磁石として、Sm-Co 磁石やNd-Fe-B 磁石等の高磁場が
発生可能な磁石を用いることにより、プラズマを十分閉
じ込めることができる等の点で好ましい。

【００３９】基板ホルダ１０８は、サーマルヘッド６６
を固定して、基板となるグレーズをカソード１１２に対
して対向して固定するものである。また、必要に応じ
て、カソード１１２に対して、グレーズを回転や移動可
能に構成してもよく、基板のサイズ等に応じて適宜選択
すればよい。基板とターゲット材１１４との距離には特
に限定はなく、２０mm〜２００mm程度の範囲で、膜厚分
布が均一になる距離を選択設定すればよい。

【００４０】本発明に用いるサーマルヘッド６６を作製
する際には、スパッタカーボン膜と下層保護膜８８との
密着性を向上するために、スパッタカーボン膜の形成に
先立ち、下層保護膜８８の表面をプラズマでエッチング
するのが好ましい。そのために、図示例のスパッタリン
グ装置１００においては、基板ホルダ１０８に、高周波
電圧を印加するためのバイアス電源１２２が接続されて
いる。バイアス電源１２２は、マッチングボックスを介
して基板に高周波電圧を印加するもので、工業用の１
３．５６ＭＨｚで、１ｋＷ〜５ｋＷ程度のものから適宜
選択すればよい。また、エッチングの強さは、基板に印
加されるバイアス電圧を目安にすればよく、通常、負の
１００Ｖ〜５００Ｖの範囲で、適宜最適化を図ればよ
い。

【００４１】図４に、カーボン保護膜９０としてＤＬＣ
膜を形成する（プラズマ）ＣＶＤ装置の概念図を示す。
ＣＶＤ装置１３０は、基本的に、真空チャンバ１３２
と、ガス導入部１３４と、プラズマ発生手段１３６と、
基板ホルダ１３８と、基板バイアス電源１４０とを有し
て構成される。

【００４２】真空チャンバ１３２は、プラズマ発生用の
磁場が影響を受けないようにＳＵＳ３０４等の非磁性材
料で形成されるのが好ましい。また、カーボン保護膜９
０を形成に用いられる真空チャンバ１３２は、初期排気
の到達圧力で２×１０^-5Torr以下、好ましくは５×１０
^-6Torr以下、成膜中は１×１０^-4Torr〜１×１０^-2Torr
を達成する真空シール性を有するのが好ましい。真空チ
ャンバ１３２に取り付けられる真空排気手段１３３とし
ては、ロータリーポンプ、メカニカルブースタポンプ、
ターボポンプを組み合わせた排気手段が好適に例示さ
れ、また、ターボポンプの代わりにディフュージョンポ
ンプやクライオポンプを用いた排気手段も好適に例示さ
れる。真空排気手段１３３の排気能力や数は、真空チャ
ンバ１３２の容積や成膜時のガス流量等に応じて適宜選
択すればよい。また、排気速度を高めるために、バイパ
ス配管を用いた配管の排気抵抗の調整や、オリフィスバ
ルブを設けてその開口度調整等の方法で、排気速度を調
整可能なように構成してもよい。

【００４３】真空チャンバ１３２において、プラズマや
プラズマ発生用の電磁波によってアークが発生する箇所
は、絶縁性部材で覆ってもよい。絶縁性部材としては、
ＭＣナイロン、テフロン（ＰＴＦＥ）、ＰＰＳ（ポリフ
ェニレンスルフィド）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレ
ート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が利
用可能である。なお、ＰＥＮやＰＥＴ等を用いる場合に
は、絶縁性部材からの脱ガスで真空度を低下する場合が
あるので、このような材料を用いる場合には、注意が必
要である。

【００４４】ガス導入部１３４ａは、プラズマを発生す
るためのガスを導入する部位、他方、ガス導入部１３４
ｂは、反応ガスを導入する部位で、共に、導入部がＯリ
ング等で真空シールされたステンレス製のパイプ等を用
いて、真空チャンバ１３２内にガスを導入する。また、
ガスの導入量は、マスフローコントローラ等の公知の方
法で制御される。両ガス導入部１３４は、ガスを基本的
に真空チャンバ１３２内のプラズマ発生領域の近傍に拭
き出すように構成される。また、吹き出し位置、特に反
応ガスのガス導入部１３４ｂの吹き出し位置は、膜厚分
布にも影響するので、基板（サーマルヘッド６６のグレ
ーズ）の形状等に合わせて最適化するのが好ましい。Ｄ
ＬＣ膜を生成するためのプラズマ発生用のガスとして
は、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプト
ン、キセノン等の不活性ガスが用いられるが、中でも特
に、価格および入手の容易性の点で、アルゴンガスが好
適に用いられる。他方、ＤＬＣ膜を生成するための反応
ガスとしては、メタン、エタン、プロパン、エチレン、
アセチレン、ベンゼン等の炭化水素化合物のガスが例示
される。なお、ガス導入部１３４ａおよびガス導入部１
３４ｂは、共に、用いるガスに応じてマスフローコント
ローラのセンサを調整する必要がある。

【００４５】ＤＬＣ膜（カーボン保護膜９０）を形成す
るプラズマＣＶＤにおいて、プラズマ発生手段として
は、直流放電、高周波放電、直流アーク放電、マイクロ
ＥＣＲ波放電等が利用可能であり、特に、直流アーク放
電およびマイクロＥＣＲ波放電はプラズマ密度が高く、
高速成膜に有利である。図示例のＣＶＤ装置１３０は、
マイクロＥＣＲ波放電を利用するものであり、プラズマ
発生手段１３６は、マイクロ波電源１４２、磁石１４
３、マイクロ波導波管１４４、同軸変換器１４６、誘電
体板１４８、放射状アンテナ１５０等を有して構成され
る。

【００４６】直流放電は、基板−電極間に負の直流電圧
を印加することによりプラズマを発生させる。直流放電
に用いる直流電源は、１〜１０ｋＷ程度のもので、ＤＬ
Ｃ膜の生成に必要にして十分な出力を有するものを適宜
選択すればよい。また、アーク防止等の点で、２ｋＨｚ
〜２０ｋＨｚにパルス変調した直流電源も好適に利用可
能である。高周波放電は、マッチングボックスを介して
電極に高周波電圧を印加することにより、プラズマを発
生させる。その際には、マッチングボックスによってイ
ンピーダンス整合を行い、高周波電圧の反射波が入射波
に対して２５％以下となるように調整する。高周波放電
を行う高周波電源としては、工業用の１３．５６ＭＨｚ
で、１ｋＷ〜１０ｋＷ程度の範囲で、ＤＬＣ膜の生成に
必要にして十分な出力を有するものを適宜選択すればよ
い。また、パルス変調した高周波電源も使用可能であ
る。

【００４７】直流アーク放電は、熱陰極を使用してプラ
ズマを発生させる。熱陰極としては、タングステン、ホ
ウ化ランタン（LaB₆）等が利用可能である。また、ホロ
ーカソードを用いた直流アーク放電も利用可能である。
直流アーク放電に用いる直流電源としては、１ｋＷ〜１
０ｋＷ程度、１０〜１５０Ａ程度の範囲で、ＤＬＣ膜の
生成に必要にして十分な出力を有するものを適宜選択す
ればよい。

【００４８】マイクロ波ＥＣＲ放電は、マイクロ波とＥ
ＣＲ磁場とによってプラズマを発生させるものであり、
前述のように、図示例のＣＶＤ装置は、このマイクロ波
放電によってプラズマを発生させる。マイクロ波電源１
４２としては、工業用の２．４５ＧＨｚで、１ｋＷ〜３
ｋＷ程度の範囲で、ＤＬＣ膜の生成に必要にして十分な
出力を有するものを適宜選択すればよい。また、ＥＣＲ
磁場発生には、所望の磁場を形成できる永久磁石や電磁
石を適宜用いればよく、図示例においては、Sm-Co 磁石
を磁石１４３として用いている。例えば、２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を用いる場合には、ＥＣＲ磁場は８７５
Ｇ(Gauss) になるので、プラズマ発生領域の磁場が５０
０Ｇ〜２０００Ｇとなる磁石を用いればよい。真空チャ
ンバ１３２内へのマイクロ波の導入は、マイクロ波導波
管１４４、同軸変換器１４６、誘電体板１４８等を用い
て行われる。なお、磁場の形成状態やマイクロ波の導入
路は、ＤＬＣ膜の膜厚分布に影響を与えるので、ＤＬＣ
膜の膜厚が均一になるように最適化するのが好ましい。

【００４９】基板ホルダ１３８は、サーマルヘッド６６
を固定して、基板となるグレーズを放射状アンテナ１５
０に対して対向して固定するものである。また、必要に
応じて、プラズマ発生手段１３６に対して、グレーズを
回転や移動可能に構成してもよく、基板のサイズ等に応
じて適宜選択すればよい。基板と放射状アンテナ１５０
との距離には特に限定はなく、２０mm〜２００mm程度の
範囲で、膜厚分布が均一になる距離を選択設定すればよ
い。

【００５０】プラズマＣＶＤで硬質膜を得るためには、
基板に負のバイアス電圧を印加しながら成膜を行う必要
がある。基板バイアス電源１４０は、このバイアス電圧
を印加するためのものである。バイアス電源には高周波
電圧の自己バイアス電圧を使用するのが好ましい。自己
バイアス電圧は、負の１００Ｖ〜５００Ｖである。高周
波電源は工業用の１３．５６ＭＨｚで、１ｋＷ〜５ｋＷ
程度のものから適宜選択すればよい。また、２ｋＨｚ〜
２０ｋＨｚにパルス変調した直流電源も利用可能であ
る。

【００５１】カーボン保護膜９０としてＤＬＣ膜を用い
る際においても、ＤＬＣ膜と下層保護膜８８との密着性
を向上するために、ＤＬＣ膜の成膜に先立ち、下層保護
膜８８の表面をプラズマでエッチングするのが好まし
い。エッチングの方法は、スパッタリング装置１００と
同様であり、マッチングボックスを介して基板に高周波
電圧を印加する。高周波電源としては、工業用の１３．
５６ＭＨｚで、１ｋＷ〜５ｋＷ程度のものから適宜選択
すればよい。また、エッチングの強さは、基板に印加さ
れるバイアス電圧を目安にすればよく、通常、負の１０
０Ｖ〜５００Ｖの範囲で、適宜最適化を計ればよい。

【００５２】以上、本発明の感熱記録システムに付いて
詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定されず、各
種の改良や変更を行ってもよいのはもちろんである。

【００５３】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をより詳細に説明する。

【００５４】［実施例１］図３に示されるスパッタリン
グ装置１００を用意した。詳細は以下のとおりである。

【００５５】ａ．真空チャンバ１０２ 真空排気手段１１０として、排気速度が１５００Ｌ（リ
ットル）／分のロータリーポンプ、同１２０００Ｌ／分
のメカニカルブースタポンプ、および同３０００Ｌ／秒
のターボポンプを、それぞれ１台ずつ有する、ＳＵＳ３
０４製で容積が０．５m³の真空チャンバ１０２。なお、
ターボポンプの吸引部にオリフィスバルブを配置して、
開口度を１０〜１００％まで調整できるように構成して
ある。

【００５６】ｂ．ガス導入部１０４ 最大流量１００〜５００[sccm]のマスフローコントロー
ラと、直径６ミリのステンレス製パイプを用いて構成し
た。ステンレス製パイプと真空チャンバ１０２との接合
部は、Ｏリングによって真空シールした。なお、以下に
示すスパッタカーボン膜の生成時には、プラズマ発生用
ガスとしてアルゴンガスを用いた。

【００５７】ｃ．スパッタリング手段１０６ 永久磁石１１２ａとしてSm-Co 磁石を内部に配置した、
幅６００mm×高さ２００mmの矩形のカソード１１２を用
いた。バッキングプレート１２０としては、矩形状に加
工した焼結カーボン材を用い、カソード１１２にＩｎ系
ハンダを用いて張り付けた。また、カソード１１２内部
を水冷することにより、磁石、カソード１１２およびバ
ッキングプレート１２０裏面を冷却した。また、電源１
１８として、最大出力８ｋＷの負電位の直流電源を用い
た。なお、この直流電源は、２ｋＨｚ〜１０ｋＨｚの範
囲でパルス状に変調できるように構成してある。

【００５８】ｄ．基板ホルダ１０８ 基板（すなわち、サーマルヘッド６６のグレーズ）とタ
ーゲット材１１４との距離が５０mm〜１５０mmの間で調
整可能な構成を有する。なお、以下に示すスパッタカー
ボン膜の生成時には、基板とターゲット材１１４との距
離は１００mmとした。また、エッチング用の高周波電圧
が印加できるように、基板によるサーマルヘッドの保持
部分を浮遊電位にした。

【００５９】ｅ．バイアス電源１２２ 基板ホルダ１０８に、マッチングボックスを介して高周
波電源を接続した。高周波電源は、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚで、最大出力は３ｋＷである。また、この高周波電
源は、自己バイアス電圧をモニタすることにより、負の
１００Ｖ〜５００Ｖの範囲で高周波出力が調整可能に構
成されている。

【００６０】＜サーマルヘッドの作製＞このようなスパ
ッタリング装置１００を用いて、以下に示すようにして
サーマルヘッド（京セラ社製 KGT-260-12MPH8）のグレ
ーズの表面に、上層保護膜としてスパッタカーボン膜を
形成し、サーマルヘッドを作製した。なお、この基とな
るサーマルヘッドには、グレーズの表面に保護膜として
厚さ１１μｍの窒化珪素膜（Si₃N₄)が形成されている。
従って、本実施例では、この窒化珪素膜が下層保護膜で
あり、上層保護膜となるスパッタカーボン膜は、この窒
化珪素膜の上層に成膜される。

【００６１】グレーズがターゲット材１１４に対向する
ように、真空チャンバ１０２内の基板ホルダ１０８にサ
ーマルヘッド６６を固定した。なお、サーマルヘッドの
上層保護膜の形成部分以外（すなわち、グレーズ以外）
には、あらかじめマスキングを施しておいた。サーマル
ヘッドを固定後、真空チャンバ１０２内の圧力が５×１
０^-6Torrになるまで真空排気した。真空排気を継続しな
がら、ガス導入部１０４によってアルゴンガスを導入
し、ターボポンプに設置したオリフィスバルブによっ
て、真空チャンバ１０２内の圧力が５．０×１０^-3Torr
になるように調整した。次いで、基板に高周波電圧を印
加し、自己バイアス電圧−３００Ｖで１０分間、下層保
護膜（窒化珪素膜）のエッチングを行った。

【００６２】エッチング終了後、ターゲット材１１４と
して焼結グラファイト材をバッキングプレート１２０に
固定（Ｉｎ系ハンダで張り付け）して、真空チャンバ１
０２内の圧力が５．０×１０^-3Torrとなるようにアルゴ
ンガス流量およびオリフィスバルブを調整し、シャッタ
１１６を閉じた状態でターゲット材１１４に直流電力
０．５ｋＷを５分間印加した。次いで、真空チャンバ１
０２内の圧力を保ったまま、直流電力を５ｋＷとしてシ
ャッタ１１６を開き、形成されるスパッタカーボン膜が
０．１μｍとなるまでスパッタリングを行い、上層保護
膜として厚さ０．１μｍのスパッタカーボン膜を形成し
たサーマルヘッドを作製した。さらに、全く同様にし
て、上層保護膜として、厚さ０．０５μｍおよび０．０
１μｍのスパッタカーボン膜を形成したサーマルヘッド
も作製した。なお、スパッタカーボン膜の膜厚は、あら
かじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚となる成膜時
間を算出して、成膜時間で制御した。具体的には、膜厚
０．１μｍの場合には２分間、膜厚０．０５μｍの場合
には１分間、膜厚０．０１μｍの場合には１２秒間の成
膜時間で行った。

【００６３】＜性能評価＞このような３種類の本発明の
サーマルヘッドと、感熱材料（富士フィルム社製ドライ
画像記録用フィルム）とを用いて、図１の感熱記録装置
により、５０００枚の感熱記録テストを行った。その結
果、カーボン保護膜９０の膜厚が０．１μｍ、０．０５
μｍおよび０．０１μｍのいずれのサーマルヘッドも、
カーボン保護膜９０の割れや剥離が生じることはなく、
また、摩耗もほとんど認められなかった。

【００６４】［実施例２］図４に示される（プラズマ）
ＣＶＤ装置１３０を用意した。詳細は以下のとおりであ
る。

【００６５】ａ．真空チャンバ１３２ 前記実施例１と同様のものを用いた。

【００６６】ｂ．ガス導入部１３４ 前記実施例１と同構成のものを用いた。ただし、プラズ
マ発生ガス用と反応ガス用の２つの導入部を設けた。な
お、後に示すＤＬＣ膜の形成時には、プラズマ発生用ガ
スとしてアルゴンガスを用いた。

【００６７】ｃ．プラズマ発生手段１３６ 発振周波数２．４５ＧＨｚ、最大出力１．５ｋＷのマイ
クロ波電源１４２を用いた。マイクロ波は、マイクロ波
導入管１４４で真空チャンバ１３２近傍まで導き、同軸
変換器１４６で変換後、真空チャンバ１３２内の放射状
アンテナ１５０に導入した。プラズマ発生部は、幅６０
０mm×高さ２００mmの矩形のものを用いた。さらに、Ｅ
ＣＲ用磁場は、Sm-Co 磁石を複数個、誘電体板１４８の
形状に合わせて配置することで形成した。

【００６８】ｄ．基板ホルダ１３８ 前記実施例１と同様のものを用いた。なお、ＤＬＣ膜の
形成時には、基板と放射状アンテナ１５０との距離は１
５０mmとした。

【００６９】ｅ．基板バイアス手段１４０ 基板ホルダ１３８に、マッチングボックスを介して高周
波電源を接続した。高周波電源は、周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚで、最大出力は３ｋＷである。また、この高周波電
源は、自己バイアス電圧をモニタすることにより、負の
１００Ｖ〜５００Ｖの範囲で高周波出力が調整可能に構
成されている。また、このＣＶＤ装置１３０では、この
基板バイアス手段１４０で基板エッチング手段を兼ねて
いる。

【００７０】＜サーマルヘッドの作製＞このようなＣＶ
Ｄ装置１３０を用いて、以下に示すようにしてサーマル
ヘッド（前記実施例１と同じ物）のグレーズの表面に、
上層保護膜としてＤＬＣ膜を形成し、サーマルヘッドを
作製した。従って、前記実施例１と同様に、窒化珪素膜
が下層保護膜で、その上に上層保護膜となるＤＬＣ膜が
形成される。

【００７１】グレーズが放射状アンテナ１５０に対向す
るように、真空チャンバ１３２内の基板ホルダ１３８に
サーマルヘッドを固定した。なお、サーマルヘッドの上
層保護膜の形成部分以外（すなわち、グレーズ以外）に
は、あらかじめマスキングを施しておいた。サーマルヘ
ッドを固定後、真空チャンバ１３２内の圧力が５×１０
^-6Torrになるまで真空排気した。真空排気を継続しなが
ら、ガス導入部１３４ａによってメタンガスを導入し、
ターボポンプに設置したオリフィスバルブによって、真
空チャンバ１３２内の圧力が５．０×１０^-3Torrになる
ように調整した。次いで、マイクロ波電源１４２を駆動
してマイクロ波を真空チャンバ１３２内に導入し、マイ
クロ波ＥＣＲプラズマを発生させ、さらに、基板に高周
波電圧を印加し、自己バイアス電圧−３００Ｖで１０分
間、下層保護膜（窒化珪素膜）のエッチングを行った。

【００７２】エッチング終了後、自己バイアス電圧を−
３００Ｖとして高周波電圧の印加を継続しながら、真空
チャンバ１３２内の圧力が５．０×１０^-3Torrになるよ
うにメタンガスを導入してプラズマＣＶＤを行い、上層
保護膜として厚さ０．１μｍのＤＬＣ膜を形成したサー
マルヘッドを作製した。なお、ＤＬＣ膜の膜厚は、あら
かじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚となる成膜時
間を算出して、成膜時間で制御した。具体的には、膜厚
０．１μｍの場合には２１秒間で行った。

【００７３】＜性能評価＞この作製したサーマルヘッド
と、感熱材料とを用いて、図１の感熱記録装置により実
施例１と同様の性能評価を行った。その結果、いずれの
サーマルヘッドも、カーボン保護膜９０の割れや剥離が
生じることはなく、また、摩耗もほとんど認められなか
った。

【００７４】［比較例］ ＜サーマルヘッド＞以下の各種のサーマルヘッドを用意
した。 ａ．上層保護膜として、実施例１で用いたスパッタリン
グ装置１００を用いて、実施例１と成膜時間以外は同じ
条件で、成膜時間２０分間、厚さ１．０μｍのスパッタ
カーボン膜を形成したサーマルヘッド。 ｂ．上層保護膜として、実施例２で用いたＣＶＤ装置１
３０を用いて、実施例２と成膜時間以外は同じ条件で、
成膜時間２１０秒間で、厚さ１．０μｍのＤＬＣ膜を形
成したサーマルヘッド。

【００７５】＜性能評価＞このような３種類のサーマル
ヘッドを用いて、実施例１と同様の性能評価を行った。
その結果、ａおよびｂのサーマルヘッドは、１００枚の
記録により、カーボン保護膜９０の割れや剥離が生じて
しまった。以上の結果より、本発明の効果は明らかであ
る。

【００７６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、保護膜の腐食や摩耗が極めて少なく、しかも熱
や機械的衝撃に対しても保護膜の割れや剥離の発生も好
適に防止して、十分な耐久性を有し、長期に渡って高い
信頼性を発揮し、これにより、長期に渡って高画質の感
熱記録を安定して行うことができるサーマルヘッドを実
現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のサーマルヘッドを利用する感熱記録
装置の一例の概念図である。

【図２】 本発明のサーマルヘッドの発熱素子の構成を
示す概略図である。

【図３】 本発明のサーマルヘッドのカーボン保護膜を
形成するスパッタリング装置の一例の概念図である。

【図４】 本発明のサーマルヘッドのカーボン保護膜を
形成する（プラズマ）ＣＶＤ装置の一例の概念図であ
る。

【符号の説明】

１０ （感熱）記録装置 １４ 装填部 １６ 供給搬送手段 ２０ 記録部 ２２ 排出部 ２４ マガジン ６６ サーマルヘッド ８０ 基板 ８２ グレーズ層 ８４ 発熱（抵抗）体 ８６ 電極 ８８ 下層保護膜 ９０ カーボン保護膜（上層保護膜） １００ スパッタリング装置 １０２，１３２ 真空チャンバ １０４，１３４ ガス導入部 １０６ スパッタリング手段 １０８，１３８ 基板ホルダ １１０，１３３ 真空排気手段 １１２ カソード １１４ ターゲット材 １１６ シャッタ １１８ 電源 １２０ バッキングプレート １２２ バイアス電源 １３０ （プラズマ）ＣＶＤ装置 １３６ プラズマ発生手段 １４０ 基板バイアス電源 １４２ マイクロ波電源 １４４ マイクロ波導入管 １４６ 同軸変換器 １４８ 誘電体板 １５０ 放射状アンテナ Ａ 感熱材料

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】発熱体を保護する保護膜として、前記発熱
   体側に形成され、セラミックを主成分とする少なくとも
   １層からなる下層保護膜と、この下層保護膜上に形成さ
   れ、炭素を主成分とする上層保護膜とを有し、 この上層保護膜の膜厚が０．００５〜０．１μｍである
   ことを特徴とするサーマルヘッド。