JPH10242101A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

Info

Publication number
JPH10242101A
JPH10242101A JP4350697A JP4350697A JPH10242101A JP H10242101 A JPH10242101 A JP H10242101A JP 4350697 A JP4350697 A JP 4350697A JP 4350697 A JP4350697 A JP 4350697A JP H10242101 A JPH10242101 A JP H10242101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
substrate
pure water
processing
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4350697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Otani
正美 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4350697A priority Critical patent/JPH10242101A/en
Publication of JPH10242101A publication Critical patent/JPH10242101A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating device which can suppress the cost by collecting discharged pure water by providing a fixed type treating solution supplying means having a slow leaking function. SOLUTION: During the course of substrate treatment which is performed while a cup 20 is maintained at an elevated position, a splash guard 220 blocks between a pure water collecting tray 50 and a pure water collecting pot 60 and a nozzle 10 supplies a large quantity of pure water DIW to the upper surface of a substrate W by injecting the water DIW. When the substrate treatment is not performed and the cup 20 is maintained at a lowered position, the splash guard 220 does not obstruct the flow of the discharged pure water DIW to the pot 60 from the tray 50, because the guard 220 is retreated from the blocking position, and the nozzle 10 discharges a little quantity of pure water DIW. The discharged pure water DIW is purified by means of a purifying device after the pure water DIW is collected to a recovery tank from the pot 60 through a pure water collecting tube 70 and stored in the tank and again returned to a pure water supplying mechanism for reuse.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、保持した半導体
ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス
基板、光ディスク用基板等の基板(以下「基板」とい
う。)に処理液を供給して基板処理を行う基板処理装置
に関するものであって、特に基板に処理液を供給しない
間も常時処理液を吐出する基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of supplying a processing liquid to a substrate (hereinafter, referred to as a "substrate") such as a held semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing, and particularly to a substrate processing apparatus that constantly discharges a processing liquid even when a processing liquid is not supplied to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、基板に純水を供給して処理を行う
基板処理装置においては基板の処理を行わない待機時に
ノズルからの純水の供給を停止すると、純水ライン内に
滞留する純水内にバクテリアが発生し、それがパーティ
クルとなった後に処理される基板面に供給されることに
よって基板に悪影響が生じるため、待機中も純水ノズル
から純水を常時少量ずつ吐出させる(以下「スローリー
ク」という。)ことによって純水ライン中に純水を滞留
させないようにして純水内にバクテリアが発生しないよ
うにしている(以下、この機能を「スローリーク機能」
という。)。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate processing apparatus for supplying pure water to a substrate and processing the substrate, if the supply of pure water from a nozzle is stopped during a standby time when the substrate is not processed, pure water remaining in a pure water line is stopped. Since bacteria are generated in the water and supplied to the surface of the substrate to be processed after being turned into particles, the substrate is adversely affected. This is referred to as “slow leak”, which prevents pure water from accumulating in the pure water line and prevents bacteria from being generated in the pure water (hereinafter, this function is referred to as “slow leak function”).
That. ).

【0003】しかし、それにより純水の使用量が増大し
てしまうため、その対策として、待機中はノズルを基板
を保持するカップ外に位置する回収ポットの直上に位置
するように水平回動させ回収ポットに純水を回収し、そ
の純水を浄化する等して再び基板の処理に利用すること
が行われている。
However, since the amount of pure water used thereby increases, as a countermeasure, during standby, the nozzle is horizontally rotated so as to be located immediately above the collection pot located outside the cup holding the substrate. 2. Description of the Related Art Pure water is collected in a collecting pot, and the purified water is purified and used again for processing a substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、その後の基
板の大型化に伴い、最近の基板処理装置では基板の処理
に大量の純水を供給しなければならず、そのためノズル
を複数設けているものが多い。
However, with the subsequent increase in the size of the substrates, recent substrate processing apparatuses have to supply a large amount of pure water to the processing of the substrates, and therefore a plurality of nozzles are provided. There are many.

【0005】しかし、それにより水平回動するノズルが
互いに干渉しあってノズルの水平回動は実質的に不可能
であるためノズルは固定型とするのがほぼ必須となって
おり、そのためスローリーク機能を備え、かつ純水の回
収を行うことが難しくなっていた。
However, since the horizontally rotating nozzles interfere with each other and the horizontal rotation of the nozzle is practically impossible, it is almost essential to use a fixed type nozzle. It had a function and it was difficult to recover pure water.

【0006】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、スローリーク機能を有する固定
型の処理液供給手段を備え、吐出した純水を回収してコ
ストを抑えることができる基板処理装置を提供すること
を目的とする。
The present invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and includes a fixed processing liquid supply means having a slow leak function, whereby the discharged pure water can be recovered to reduce the cost. It is an object to provide a substrate processing apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の装置は、略水平に保持された
基板に処理液を供給して所定の基板処理を行う基板処理
装置であって、基板よりも高い位置に配置した処理液吐
出口から斜め下方向に処理液を吐出して基板上に供給
し、それによって所定の基板処理を行う処理液供給手段
と、処理液吐出口の下方に配置されてなり、所定の基板
処理の期間中における吐出量よりも小量の処理液が処理
液吐出口から下方に吐出されているときに、当該処理液
を処理液吐出口の下方で受けて所定の処理液回収経路に
向けて排出する処理液受け部材と、を備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined substrate processing by supplying a processing liquid to a substrate held substantially horizontally. Processing liquid supply means for discharging a processing liquid obliquely downward from a processing liquid discharge port disposed at a position higher than the substrate and supplying the processing liquid onto the substrate, thereby performing predetermined substrate processing; The processing liquid is disposed below the outlet, and when a processing liquid having a smaller amount than the discharging amount during the predetermined substrate processing is being discharged downward from the processing liquid discharging port, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharging port. And a processing liquid receiving member that receives the processing liquid at a lower position and discharges the processing liquid toward a predetermined processing liquid recovery path.

【0008】また、この発明の請求項2の装置は、請求
項1の基板処理装置において、小量の処理液は、処理液
受け部材から斜め下方の空中に流出し、その後に処理液
受け部材の斜め下方に間隙を隔てて設けられた処理液回
収案内部の開口へ流入して処理液回収経路に導かれるこ
とを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, a small amount of the processing liquid flows out of the processing liquid receiving member into the air obliquely downward, and thereafter, the processing liquid receiving member. The liquid flows into an opening of a processing liquid recovery guide provided diagonally below and separated by a gap, and is guided to a processing liquid recovery path.

【0009】また、この発明の請求項3の装置は、請求
項2の基板処理装置において、間隙を貫通して昇降可能
な筒状の飛沫阻止壁を有するカップと、カップを昇降駆
動する駆動手段と、をさらに備える。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the second aspect, there is provided a cup having a cylindrical splash prevention wall capable of ascending and descending through a gap, and driving means for driving the cup up and down. And further comprising:

【0010】また、この発明の請求項4の装置は、請求
項1ないし請求項3のうちのいずれかの基板処理装置で
あって、さらに、処理液供給手段が複数設けられている
ことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, further comprising a plurality of processing liquid supply means. And

【0011】さらに、この発明の請求項5の装置は、請
求項4の基板処理装置であって、処理液受け部材が複数
の処理液供給手段それぞれの直下に渡って設けられてい
ることを特徴とする。
Further, the apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the processing liquid receiving member is provided immediately below each of the plurality of processing liquid supply means. And

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0013】[0013]

【1.実施の形態における機構的構成と装置配列】図1
は第1の実施の形態の基板処理装置1の断面図である。
同図および以下の各図においては、水平面をX−Y面と
し、鉛直方向をZ軸方向とする3次元座標系X−Y−Z
が定義されている。以下、図1を用いてこの基板処理装
置1について説明していく。
[1. FIG. 1 shows a mechanical configuration and an arrangement of the apparatus according to the embodiment.
1 is a sectional view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment.
In this figure and the following figures, a three-dimensional coordinate system XYZ with a horizontal plane as an XY plane and a vertical direction as a Z-axis direction
Is defined. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG.

【0014】図示のようにこの装置はノズル10、カッ
プ20、下カップ30、回転駆動部40、純水回収トレ
イ50、純水回収ポット60、純水回収チューブ70、
昇降シリンダ80および図示しない制御装置を備えてお
り、基板Wを水平に保持して回転しつつその上面に純水
を噴射する装置である。
As shown in the drawing, the apparatus includes a nozzle 10, a cup 20, a lower cup 30, a rotary drive unit 40, a pure water recovery tray 50, a pure water recovery pot 60, a pure water recovery tube 70,
The apparatus includes a lifting cylinder 80 and a control device (not shown), and injects pure water onto the upper surface of the substrate W while rotating while holding the substrate W horizontally.

【0015】ノズル10は処理液供給手段に相当するも
のであり、図示しない純水供給機構により供給される純
水DIWを斜め下方の基板W上面に噴射するとともに、
後述のように基板Wの処理を行わない間もスローリーク
を行う。
The nozzle 10 corresponds to a processing liquid supply means, and injects pure water DIW supplied by a pure water supply mechanism (not shown) onto the upper surface of the substrate W obliquely below.
As described later, the slow leak is performed even when the processing of the substrate W is not performed.

【0016】カップ20は上カップ210およびスプラ
ッシュガード220とから成り、上カップ210により
処理において基板W上面に供給された純水DIWの大半
をガードし、スプラッシュガード220は上カップ21
0と同心に、その側面上部に設けられた円筒版であり、
基板W上面で反跳した純水DIWの飛沫が外部に至るの
を阻止する。なお、上カップ210とスプラッシュガー
ド220は一体となっており、基板搬出入時は下降し、
基板処理時は上昇する。
The cup 20 is composed of an upper cup 210 and a splash guard 220. The upper cup 210 guards most of the pure water DIW supplied to the upper surface of the substrate W in the processing.
It is a cylindrical version provided on the upper side of the side, concentric with 0,
The splash of the pure water DIW recoiled on the upper surface of the substrate W is prevented from reaching the outside. In addition, the upper cup 210 and the splash guard 220 are integrated, and when the substrate is carried in and out, it descends,
It rises during substrate processing.

【0017】下カップ30は上カップ210の下方に設
けられており、上カップ210の内壁を伝わって降りて
きた処理液をドレン30aに導く。
The lower cup 30 is provided below the upper cup 210, and guides the processing liquid that has descended along the inner wall of the upper cup 210 to the drain 30a.

【0018】回転駆動部40はチャック410によって
基板Wを水平に吸着保持し、シャフト420および基台
430内の図示しないモータによってその基板Wをシャ
フト420を軸として水平面内で回転する。
The rotation drive unit 40 horizontally holds the substrate W by chucking the chuck 410 and rotates the substrate W about the shaft 420 in a horizontal plane by a motor (not shown) in the shaft 420 and the base 430.

【0019】純水回収トレイ50は処理液受け部材に相
当するものであり、ノズル10から噴射される純水DI
Wを受けて後述の純水回収ポット60に導く。
The pure water collecting tray 50 corresponds to a processing liquid receiving member, and the pure water DI
Receiving W, it leads to a pure water recovery pot 60 described later.

【0020】純水回収ポット60は純水回収トレイ50
から導かれた純水DIWを受け、後述の純水回収チュー
ブ70に導く。
The pure water collecting pot 60 is connected to the pure water collecting tray 50.
And the pure water DIW guided by the pure water recovery tube 70 described below.

【0021】純水回収チューブ70は純水回収ポット6
0からの純水DIWを装置外部の図示しない回収槽に導
く。なお、純水回収ポット60と純水回収チューブ70
とを併せたものが処理液回収経路に相当し、純水回収ポ
ット60が処理液回収案内部に相当する。
The pure water collecting tube 70 is connected to the pure water collecting pot 6.
The pure water DIW from 0 is guided to a recovery tank (not shown) outside the apparatus. The pure water recovery pot 60 and the pure water recovery tube 70
The combination of the above corresponds to a processing liquid recovery path, and the pure water recovery pot 60 corresponds to a processing liquid recovery guide.

【0022】昇降シリンダ80はその駆動により上カッ
プ210とスプラッシュガード220を一体として昇降
させる。
The lift cylinder 80 drives the upper cup 210 and the splash guard 220 to move up and down as one unit.

【0023】さらに、この装置は図示しない制御機構に
より後述のような手順で基板Wの処理を行う。
Further, the apparatus performs processing of the substrate W by a control mechanism (not shown) according to a procedure described later.

【0024】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。
Next, the main part will be described in more detail.

【0025】図2はこの実施の形態の基板処理装置1に
おける平面図である。ノズル10は図2に示されている
ように2本が平行に支持部材(図1参照)に固設されて
おり、それぞれが逆U字型配管10aを有しており、そ
の噴射口10bは基板W方向に向けられている。そし
て、基板処理時には純水DIWを基板W上面に向けて噴
射することによって純水DIWを大量に供給し、基板処
理時以外には基板処理時の噴射量より少量の純水DIW
を常時吐出する。
FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment. As shown in FIG. 2, two nozzles 10 are fixed to a support member (see FIG. 1) in parallel, each has an inverted U-shaped pipe 10a, and its injection port 10b is It is directed in the direction of the substrate W. Then, at the time of substrate processing, a large amount of pure water DIW is supplied by injecting the pure water DIW toward the upper surface of the substrate W, and a small amount of pure water DIW is supplied at a time other than the substrate processing.
Is always discharged.

【0026】また、図1に示すようにノズル10の処理
液吐出口に相当する噴射口10bの直下には純水回収ト
レイ50が位置している。純水回収トレイ50の底面は
純水回収ポット60に面した流出端50aに向かって低
くなるように傾斜しており、純水回収トレイ50の流出
端50aには鉛直方向の仕切りが設けられていない(図
2参照)。また、純水回収ポット60はその上面が開口
60aとなっており、純水回収トレイ50の流出端50
a下方に水平方向に近接して設けられているため、ノズ
ル10からのスローリークにより純水回収トレイ50に
垂下した純水DIWが流出端50aから空中に流出した
後、純水回収ポット60に至る。図3に、この吐出した
純水DIWが純水回収トレイ50から純水回収ポット6
0に至る様子を示した。
As shown in FIG. 1, a pure water recovery tray 50 is located immediately below the injection port 10b corresponding to the processing liquid discharge port of the nozzle 10. The bottom surface of the pure water recovery tray 50 is inclined so as to be lower toward the outflow end 50a facing the pure water recovery pot 60, and the outflow end 50a of the pure water recovery tray 50 is provided with a vertical partition. No (see FIG. 2). The upper surface of the pure water recovery pot 60 is an opening 60a.
a, the pure water DIW dripping from the nozzle 10 into the pure water collecting tray 50 flows out of the outflow end 50a into the air due to the slow leak from the nozzle 10, and is then transferred to the pure water collecting pot 60. Reach. FIG. 3 shows that the discharged pure water DIW is supplied from the pure water collecting tray 50 to the pure water collecting pot 6.
0 is shown.

【0027】そして純水回収ポット60に集められた純
水DIWは純水回収チューブ70を経由して図示しない
装置外の回収槽に貯留された後、浄化装置において浄化
され、再度純水供給機構に戻され再利用される。
The pure water DIW collected in the pure water recovery pot 60 is stored in a recovery tank (not shown) outside the apparatus via a pure water recovery tube 70, purified by a purification device, and again supplied with a pure water supply mechanism. It is returned to and reused.

【0028】また、カップ20は制御部の制御に従って
昇降シリンダ80により所定のタイミングで昇降され
る。そして、その際、スプラッシュガード220は純水
回収トレイ50と純水回収ポット60の間隙を昇降する
ようになっていて、図1のようにカップ20が上昇した
状態(以下「カップ上昇状態」という。)では純水回収
トレイ50と純水回収ポット60との間を遮断し、逆に
図3のようにカップが降下した状態(以下「カップ降下
状態」という。)ではスプラッシュガード220が純水
回収トレイ50と純水回収ポット60との間から退避し
た状態となって吐出した純水DIWが純水回収トレイ5
0から純水回収ポット60に至るのを阻害しないように
なっている。なお、スプラッシュガード220の上端は
カップ20の上昇時でもノズル10の逆U字型配管10
aとは干渉しないような高さで停止する(図1参照)。
Further, the cup 20 is raised and lowered at a predetermined timing by the lifting cylinder 80 under the control of the control unit. At that time, the splash guard 220 moves up and down the gap between the pure water collecting tray 50 and the pure water collecting pot 60, and the cup 20 is raised as shown in FIG. 1 (hereinafter referred to as “cup rising state”). )), The connection between the pure water recovery tray 50 and the pure water recovery pot 60 is shut off, and conversely, in a state where the cup is lowered as shown in FIG. The pure water DIW discharged in a state of being retracted from between the collection tray 50 and the pure water collection pot 60 is discharged from the pure water collection tray 5.
It does not hinder reaching from 0 to the pure water recovery pot 60. Note that the upper end of the splash guard 220 holds the inverted U-shaped pipe 10 of the nozzle 10 even when the cup 20 is raised.
Stop at a height that does not interfere with a (see FIG. 1).

【0029】以上のような構成によりこの基板処理装置
1は基板Wの処理を以下のような手順で行っていく。
With the above configuration, the substrate processing apparatus 1 performs processing of the substrate W in the following procedure.

【0030】初期状態としてカップ20はカップ降下状
態にあり、ノズル10はスローリークを行っている状態
である。
As an initial state, the cup 20 is in the cup lowering state, and the nozzle 10 is performing a slow leak.

【0031】まず、装置外の図示しない基板搬送装置に
より基板Wが基板処理装置1に搬入される。
First, the substrate W is carried into the substrate processing apparatus 1 by a substrate transfer device (not shown) outside the apparatus.

【0032】つぎに、カップ20が上昇し、カップ上昇
状態になる。
Next, the cup 20 is raised, and the cup 20 is in a raised state.

【0033】つぎに、基板Wを回転させ、ノズル10か
ら純水DIWを噴射して基板Wを処理する。
Next, the substrate W is rotated, and pure water DIW is injected from the nozzle 10 to process the substrate W.

【0034】そして基板Wの処理が終了すると純水DI
Wのノズル10からの噴射を停止すると同時にスローリ
ークを開始しする。
When the processing of the substrate W is completed, pure water DI
At the same time as the injection of W from the nozzle 10 is stopped, a slow leak is started.

【0035】つぎに、カップ20が再び降下して、カッ
プ降下状態に至り、装置外の基板搬送装置により基板W
が搬出され、1枚の基板Wの処理が終わる。
Next, the cup 20 descends again to reach the cup descending state, and the substrate W is transported by the substrate transport device outside the apparatus.
Is carried out, and the processing of one substrate W is completed.

【0036】そして、順次異なる基板Wが搬入されて上
記一連の処理が行われていく。
Then, different substrates W are sequentially carried in, and the above-described series of processing is performed.

【0037】以上のような構成であるので、この実施の
形態の基板処理装置1はノズル10の直下に純水回収ト
レイ50を備えるためスローリーク機能を有する固定型
のノズル10によって大量の純水を基板W上に供給する
ことができ、かつスローリーク時には吐出した純水を回
収してコストを抑えることができる。また、スローリー
クにより純水DIW中のバクテリアの発生を抑え、それ
によるパーティクルの発生を抑えることができる。
With the above configuration, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment includes the pure water recovery tray 50 immediately below the nozzle 10 so that a large amount of pure water can be provided by the fixed type nozzle 10 having a slow leak function. Can be supplied onto the substrate W, and at the time of slow leak, the discharged pure water can be collected to reduce the cost. In addition, it is possible to suppress the generation of bacteria in the DIW DIW due to the slow leak, thereby suppressing the generation of particles.

【0038】また、カップ20外部に純水回収ポット6
0が位置するので基板処理時に発生したパーティクル等
を含んだ飛沫が純水回収ポット60に進入することがな
いので、基板処理に用いた純水DIWと比べて清浄な状
態で吐出した純水DIWを回収することができる。
The pure water recovery pot 6 is provided outside the cup 20.
Since 0 is located, droplets including particles and the like generated during substrate processing do not enter the pure water recovery pot 60, so that pure water DIW discharged in a cleaner state than pure water DIW used for substrate processing is used. Can be recovered.

【0039】[0039]

【2.変形例】この実施の形態の基板処理装置1ではカ
ップ降下状態でスローリークを行う構成としたが、この
発明はこれに限られず、スプラッシュガード220の純
水回収トレイ50と純水回収ポット60との間に純水D
IWの通過する開口を設けてカップ上昇状態のままスロ
ーリークする構成としてもよい。
[2. Modification Example In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the slow leak is performed in the state where the cup is lowered. However, the present invention is not limited to this, and the pure water recovery tray 50 and the pure water recovery pot 60 of the splash guard 220 may be used. Between pure water D
An opening through which the IW passes may be provided to perform a slow leak with the cup raised.

【0040】また、この実施の形態の基板処理装置1で
は純水回収トレイ50と純水回収ポット60とを別々に
設け、両者の間隙においてスプラッシュガード220を
昇降させる構成としたが、この発明はこれに限られず、
スプラッシュガードを設けないで直接、純水回収トレイ
と純水回収ポットを連結する構成としてもよい。
In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the pure water recovery tray 50 and the pure water recovery pot 60 are separately provided, and the splash guard 220 is moved up and down in a gap between the two. Not limited to this,
It is good also as a structure which connects a pure water collection tray and a pure water collection pot directly, without providing a splash guard.

【0041】また、この実施の形態の基板処理装置1で
はノズル10を2本設けた構成としたが、この発明はこ
れに限られず、ノズルを3本以上設けたり1本のみ設け
る構成としてもよい。
Further, in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, two nozzles 10 are provided, but the present invention is not limited to this, and three or more nozzles may be provided or only one nozzle may be provided. .

【0042】また、この実施の形態の基板処理装置1で
は純水による基板処理を行う装置としたが、この発明は
これに限られず、基板へのレジスト塗布等の処理液を基
板に供給する基板処理に用いてもよい。
Although the substrate processing apparatus 1 of this embodiment performs the substrate processing using pure water, the present invention is not limited to this. The substrate processing apparatus supplies a processing liquid such as a resist coating to the substrate. It may be used for processing.

【0043】また、この実施の形態の基板処理装置1で
は基板Wを回転しつつ処理する構成としたが、この発明
はこれに限られず、多数のノズルを一列に設けて基板を
相対的に並進移動させて処理する等の構成としてもよ
い。
In the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the processing is performed while rotating the substrate W. However, the present invention is not limited to this, and a large number of nozzles are provided in a row to relatively translate the substrate. It may be configured to move and process.

【0044】また、この実施の形態の基板処理装置1で
は基板Wをチャックにより水平に保持して処理する構成
としたが、この発明はこれに限られず、完全に水平でな
く多少の傾斜をもって保持される構成でもよい。
Further, in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the substrate W is processed by being held horizontally by the chuck. However, the present invention is not limited to this. Configuration may be used.

【0045】さらに、この実施の形態の基板処理装置1
では基板Wの処理を純水DIWの噴射により行う構成と
したが、この発明はこれに限られず、高圧ジェット洗浄
装置や超音波洗浄装置においてそれに用いられる専用の
洗浄液等により行ってもよい。
Further, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment
In the embodiment, the processing of the substrate W is performed by jetting pure water DIW. However, the present invention is not limited to this, and the processing may be performed by a dedicated cleaning liquid used in a high-pressure jet cleaning apparatus or an ultrasonic cleaning apparatus.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜請求項
5の発明では、処理液吐出口から斜め下方向に処理液を
吐出して基板上に供給する処理液供給手段と、処理液吐
出口の下方に配置され、所定の基板処理の期間中におけ
る吐出量よりも小量の処理液が処理液吐出口から下方に
吐出されているときに、その処理液を処理液吐出口の下
方で受けて所定の処理液回収経路に向けて排出する処理
液受け部材とを備えるため、スローリーク機能を有する
処理液供給手段を固定型として用いた場合であっても吐
出した処理液を回収してコストを抑えることができる。
また、スローリークによりバクテリアによるパーティク
ルの発生を抑えることができる。
As described above, according to the first to fifth aspects of the present invention, the processing liquid supply means discharges the processing liquid obliquely downward from the processing liquid discharge port and supplies the processing liquid to the substrate. The processing liquid is disposed below the discharge port when the processing liquid having a smaller amount than the discharge amount during the predetermined substrate processing is being discharged from the processing liquid discharge port. And a processing liquid receiving member for receiving the discharged processing liquid toward a predetermined processing liquid recovery path, so that even if the processing liquid supply means having a slow leak function is used as a fixed type, the discharged processing liquid is collected. Cost can be reduced.
In addition, the generation of particles due to bacteria due to slow leak can be suppressed.

【0047】また、請求項2および請求項3の発明では
処理液吐出口から吐出される所定の基板処理の期間中に
おける吐出量よりも小量の処理液は、処理液受け部材か
ら基斜め下方の空中に流出し、その後に処理液受け部材
の斜め下方に間隙を隔てて設けられた処理液回収案内部
の開口へ流入して処理液回収経路に導かれるため、カッ
プ外部に処理液回収案内部を位置させて処理液を回収す
ることにより基板処理時に発生したパーティクル等を含
んだ飛沫が処理液回収経路に進入しないようにすること
ができ、それにより、基板処理に用いた処理液と比べて
清浄な状態で吐出された少量の処理液を回収することが
できる。
According to the second and third aspects of the present invention, the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port in a smaller amount than the discharge amount during the predetermined substrate processing period is obliquely downward from the processing liquid receiving member. Flows into the opening of a processing liquid recovery guide section provided with a gap diagonally below the processing liquid receiving member and is guided to the processing liquid recovery path. By positioning the part and collecting the processing liquid, it is possible to prevent droplets including particles and the like generated during substrate processing from entering the processing liquid recovery path, thereby making it possible to reduce the amount of processing liquid used in the substrate processing. A small amount of processing liquid discharged in a clean state can be recovered.

【0048】さらに、請求項4および請求項5の発明で
は処理液供給手段が複数設けられているので、スローリ
ークされた処理液を回収しつつ、所定の基板処理時には
大量の処理液を基板に供給することができる。
Furthermore, in the present invention, since a plurality of processing liquid supply means are provided, a large amount of processing liquid is applied to the substrate during predetermined substrate processing while collecting the processing liquid which has been leaked slowly. Can be supplied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態の基板処理装置における断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.

【図2】実施の形態の基板処理装置における平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus according to the embodiment;

【図3】実施の形態の基板処理装置における断面図であ
る。
FIG. 3 is a sectional view of the substrate processing apparatus according to the embodiment;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 10 ノズル 20 カップ 50 純水回収トレイ 50a 流出端 60 純水回収ポット 70 純水回収チューブ 80 昇降シリンダ 210 上カップ 220 スプラッシュガード DIW 純水 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Nozzle 20 Cup 50 Pure water recovery tray 50a Outflow end 60 Pure water recovery pot 70 Pure water recovery tube 80 Elevating cylinder 210 Upper cup 220 Splash guard DIW Pure water W Substrate

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 略水平に保持された基板に処理液を供給
して所定の基板処理を行う基板処理装置であって、 前記基板よりも高い位置に配置した処理液吐出口から斜
め下方向に処理液を吐出して前記基板上に供給し、それ
によって前記所定の基板処理を行う処理液供給手段と、 前記処理液吐出口の下方に配置されてなり、前記所定の
基板処理の期間中における吐出量よりも小量の処理液が
前記処理液吐出口から下方に吐出されているときに、当
該処理液を前記処理液吐出口の下方で受けて所定の処理
液回収経路に向けて排出する処理液受け部材と、を備え
ることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined substrate processing by supplying a processing liquid to a substrate held substantially horizontally, wherein the processing liquid is disposed obliquely downward from a processing liquid discharge port disposed at a position higher than the substrate. A processing liquid supply unit that discharges and supplies the processing liquid onto the substrate, thereby performing the predetermined substrate processing; and a processing liquid supply unit that is disposed below the processing liquid discharge port. When a processing liquid having a smaller amount than the discharge amount is being discharged downward from the processing liquid discharge port, the processing liquid is received below the processing liquid discharge port and discharged toward a predetermined processing liquid recovery path. A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid receiving member.
【請求項2】 請求項1の基板処理装置において、 前記小量の処理液は、前記処理液受け部材から斜め下方
の空中に流出し、その後に前記処理液受け部材の斜め下
方に間隙を隔てて設けられた処理液回収案内部の開口へ
流入して前記処理液回収経路に導かれることを特徴とす
る基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the small amount of the processing liquid flows out of the processing liquid receiving member into the air obliquely downward, and thereafter, a gap is formed diagonally below the processing liquid receiving member. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus flows into an opening of a processing liquid recovery guide provided and guided to the processing liquid recovery path.
【請求項3】 請求項2の基板処理装置において、 前記間隙を貫通して昇降可能な筒状の飛沫阻止壁を有す
るカップと、 前記カップを昇降駆動する駆動手段と、をさらに備える
ことを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: a cup having a cylindrical splash prevention wall that can move up and down through the gap; and a driving unit that drives the cup up and down. Substrate processing apparatus.
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のうちのいずれ
かの基板処理装置であって、さらに、 前記処理液供給手段が複数設けられていることを特徴と
する基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of processing liquid supply units.
【請求項5】 請求項4の基板処理装置であって、 前記処理液受け部材が前記複数の処理液供給手段それぞ
れの直下に渡って設けられていることを特徴とする基板
処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the processing liquid receiving member is provided immediately below each of the plurality of processing liquid supply units.
JP4350697A 1997-02-27 1997-02-27 Substrate treating device Pending JPH10242101A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4350697A JPH10242101A (en) 1997-02-27 1997-02-27 Substrate treating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4350697A JPH10242101A (en) 1997-02-27 1997-02-27 Substrate treating device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10242101A true JPH10242101A (en) 1998-09-11

Family

ID=12665626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4350697A Pending JPH10242101A (en) 1997-02-27 1997-02-27 Substrate treating device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10242101A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027188A (en) * 2008-10-02 2009-02-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027188A (en) * 2008-10-02 2009-02-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101891128B1 (en) Substrate processing apparatus and discharging device cleaning method
TWI709169B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100949283B1 (en) Liquid processing apparatus and liquid process method
KR100827796B1 (en) Substrate processing apparatus
US6990704B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR102297377B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20120083841A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR101658969B1 (en) Substrate treating apparatus and method
JP2013026381A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202141615A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017188665A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN110707022B (en) Wafer cleaning device
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR100901459B1 (en) Apparatus for supplying chemical
JP3573445B2 (en) Developing device and cleaning device
JP2014179494A (en) Substrate processing device and discharge head waiting method
JPH10242101A (en) Substrate treating device
KR101654623B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate cleaning method
JP4043039B2 (en) Developing method and developing apparatus
KR20130039890A (en) Nozzle
KR101018963B1 (en) Substrate processing apparatus and cleaning method
KR20140090588A (en) Method for treating substrate
CN111095494A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2007149890A (en) Apparatus and method of processing substrate
JP3681916B2 (en) Substrate cleaning device