JPH10241592A - イオンビーム照射装置 - Google Patents
イオンビーム照射装置Info
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- JPH10241592A JPH10241592A JP9044016A JP4401697A JPH10241592A JP H10241592 A JPH10241592 A JP H10241592A JP 9044016 A JP9044016 A JP 9044016A JP 4401697 A JP4401697 A JP 4401697A JP H10241592 A JPH10241592 A JP H10241592A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ発生源として真空チャンバー内に連続
して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形
成させ、形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周
波電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生さ
せるようにした磁気中性線放電イオン源を用いて、均一
なイオンビームとして引き出すことができるイオンビー
ム照射装置が提供される。 【解決手段】真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場
発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー
内に形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周波電
場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる
ことのできる電場発生手段とでプラズマ発生源が構成さ
れる。
して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形
成させ、形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周
波電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生さ
せるようにした磁気中性線放電イオン源を用いて、均一
なイオンビームとして引き出すことができるイオンビー
ム照射装置が提供される。 【解決手段】真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場
発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー
内に形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周波電
場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる
ことのできる電場発生手段とでプラズマ発生源が構成さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体上或いは電
子部品、その他の基板上の物質にイオンを注入して材質
の改質を行うイオン注入装置や、ターゲット材表面にイ
オンを照射し、ターゲット物質をスパッタしてほぼ対向
する位置に載置された基板にスパッタされた物質を堆積
させるイオンビームスパッタ装置等に使用されるイオン
ビーム照射装置に関するものである。
子部品、その他の基板上の物質にイオンを注入して材質
の改質を行うイオン注入装置や、ターゲット材表面にイ
オンを照射し、ターゲット物質をスパッタしてほぼ対向
する位置に載置された基板にスパッタされた物質を堆積
させるイオンビームスパッタ装置等に使用されるイオン
ビーム照射装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術において最も多く用いられてき
たイオンビーム照射装置は、添付図面の図９で示される
ようなKaufman型のものである。図10及び図11にはマル
チカスプ型プラズマイオン源を搭載したイオン照射装置
の例を示し、図10に示すものは直流放電型、図11に示す
ものは高周波放電型であり、これらの放電方式も同様に
用いられる。
たイオンビーム照射装置は、添付図面の図９で示される
ようなKaufman型のものである。図10及び図11にはマル
チカスプ型プラズマイオン源を搭載したイオン照射装置
の例を示し、図10に示すものは直流放電型、図11に示す
ものは高周波放電型であり、これらの放電方式も同様に
用いられる。
【０００３】図９のKaufman型のイオン源を備えたイオ
ン照射装置について説明する。上部フランジＡに備えら
れたフィラメントＢに通電すると、フィラメントＢは熱
せられ、熱電子が発生する。発生した熱電子は放電室Ｃ
内の円筒の陽極Ｄに向かって飛翔する。放電室Ｃにガス
が導入されていると、飛翔する電子がガスに衝突し、ガ
スのイオン化が起こって放電が開始し持続する。この放
電室すなわちプラズマ室には＋５０〜１００ｋＶの電圧
が印加されるので、プラズマ中の一価のイオンは接地電
位に対し＋５０〜１００ｋｅＶの電位を持つことにな
る。このプラズマの出口に、放電室と同電位の多数のオ
リフィスを設けた第１電極Ｅが配置され、それぞれと同
軸のオリフィスを設けかつ電位的に独立な第２電極Ｆ及
び第３電極Ｇが配置されている。第２電極Ｆには接地電
位より数ｋＶ負の電位を印加し、第３電極Ｇは接地電位
とする。放電室Ｃから第１電極Ｅのオリフィスに入った
イオンは第１及び第２電極Ｅ，Ｆ間の電場により引き出
される。このようにして引き出されたイオンは接地電位
に維持されている保持台Ｈ上の基板Ｉに向かって飛翔
し、放電室Ｃに印加した電位のエネルギーでイオンが基
板Ｉに衝突する。基板Ｉに衝突したイオンはカスケード
衝突を起こしながら基板内部に入り込むと同時に基板表
面上の物質をスパッタして真空中にたたき出す。このよ
うにして、基板内部に進入したイオンは基板物質と混ざ
り合い基板表面上の物性を変えて表面改質が行われる
か、あるいはまた、基板表面上の物質をスパッタする。
第２電極Ｆに負の高電圧を印加するのは、基板から発生
する２次電子やイオンと残留ガス分子との衝突により発
生した電子などが放電室側に逆流するのを防ぐためであ
る。第２電極Ｆに印加する電圧の絶対値は、第１電極Ｅ
（放電室）に印加する電圧に比較して小さいのが一般的
であるので、以下の説明では、第１電極Ｅと第２電極Ｆ
との間の電位差と第１電極Ｅと接地電位との電位差の違
いは無視する。
ン照射装置について説明する。上部フランジＡに備えら
れたフィラメントＢに通電すると、フィラメントＢは熱
せられ、熱電子が発生する。発生した熱電子は放電室Ｃ
内の円筒の陽極Ｄに向かって飛翔する。放電室Ｃにガス
が導入されていると、飛翔する電子がガスに衝突し、ガ
スのイオン化が起こって放電が開始し持続する。この放
電室すなわちプラズマ室には＋５０〜１００ｋＶの電圧
が印加されるので、プラズマ中の一価のイオンは接地電
位に対し＋５０〜１００ｋｅＶの電位を持つことにな
る。このプラズマの出口に、放電室と同電位の多数のオ
リフィスを設けた第１電極Ｅが配置され、それぞれと同
軸のオリフィスを設けかつ電位的に独立な第２電極Ｆ及
び第３電極Ｇが配置されている。第２電極Ｆには接地電
位より数ｋＶ負の電位を印加し、第３電極Ｇは接地電位
とする。放電室Ｃから第１電極Ｅのオリフィスに入った
イオンは第１及び第２電極Ｅ，Ｆ間の電場により引き出
される。このようにして引き出されたイオンは接地電位
に維持されている保持台Ｈ上の基板Ｉに向かって飛翔
し、放電室Ｃに印加した電位のエネルギーでイオンが基
板Ｉに衝突する。基板Ｉに衝突したイオンはカスケード
衝突を起こしながら基板内部に入り込むと同時に基板表
面上の物質をスパッタして真空中にたたき出す。このよ
うにして、基板内部に進入したイオンは基板物質と混ざ
り合い基板表面上の物性を変えて表面改質が行われる
か、あるいはまた、基板表面上の物質をスパッタする。
第２電極Ｆに負の高電圧を印加するのは、基板から発生
する２次電子やイオンと残留ガス分子との衝突により発
生した電子などが放電室側に逆流するのを防ぐためであ
る。第２電極Ｆに印加する電圧の絶対値は、第１電極Ｅ
（放電室）に印加する電圧に比較して小さいのが一般的
であるので、以下の説明では、第１電極Ｅと第２電極Ｆ
との間の電位差と第１電極Ｅと接地電位との電位差の違
いは無視する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図12を参照して本発明
が解決しようとする課題について説明する。図12は、３
枚から構成された多孔電極Ｊ、Ｋ、Ｌを通して、放電室
内で生成されたプラズマからイオンを所定のエネルギー
で引き出すことを示している。図12において、プラズマ
に接する第１電極Ｊと第２電極Ｋとの間の電位差をＶ、
電極間の距離をｄ、生成されたプラズマの密度をｎ0、
プラズマの電子温度をＴe、イオンの質量をｍとする。
この時、ビームを発散させることなく最も効率よく引き
出す為には、プラズマから供給されるイオン飽和電流Ｊ
iと、引き出し部から引き出される空間電荷制限電流Ｊs
が、ほぼ一致していることが必要である。従って、イオ
ン飽和電流Ｊiと、空間電荷制限電流Ｊsは、 Ｊs＝（４ε／９）・（２ｅ／ｍ）1/2・（Ｖ3/2／ｄ2） Ｊi＝ｅｎ0（ｋＴe／ｍ）1/2 で表されるから、効率よく引き出すためには Ｊs＝Ｊi になることが必要になる。これから分かる様に、電極間
の距離ｄが与えられていて、必要な質量ｍのイオンを必
要な電圧Ｖで引き出すためには、プラズマチャンバー内
部に生成されるプラズマの密度ｎ0と電子温度Ｔeがそれ
ぞれ上式を満足しなければならない。この条件が満たさ
れない場合、引き出されるビームは発散してしまい、イ
オンが第２電極Ｋや第３電極Ｌに当たるような状態にな
る。この結果、電極が過度に加熱されたり、電極がイオ
ンによりスパッタされ、不純物が発生したり、電極から
発生した２次電子がイオン源側に逆流して、電極間に不
必要な電流が流れるなどの問題が生ずる。なお、一般の
プラズマ発生装置においては、密度ｎ0と電子温度Ｔeを
独立に制御するのは困難である。また、多孔電極を用い
たイオン源を用いて全ての引き出し孔からビームを発散
させずに引き出す為には、生成されたプラズマの密度ｎ
0と電子温度Ｔeが、電極に接する領域において、ほぼ一
様になっていることが必要とされる。
が解決しようとする課題について説明する。図12は、３
枚から構成された多孔電極Ｊ、Ｋ、Ｌを通して、放電室
内で生成されたプラズマからイオンを所定のエネルギー
で引き出すことを示している。図12において、プラズマ
に接する第１電極Ｊと第２電極Ｋとの間の電位差をＶ、
電極間の距離をｄ、生成されたプラズマの密度をｎ0、
プラズマの電子温度をＴe、イオンの質量をｍとする。
この時、ビームを発散させることなく最も効率よく引き
出す為には、プラズマから供給されるイオン飽和電流Ｊ
iと、引き出し部から引き出される空間電荷制限電流Ｊs
が、ほぼ一致していることが必要である。従って、イオ
ン飽和電流Ｊiと、空間電荷制限電流Ｊsは、 Ｊs＝（４ε／９）・（２ｅ／ｍ）1/2・（Ｖ3/2／ｄ2） Ｊi＝ｅｎ0（ｋＴe／ｍ）1/2 で表されるから、効率よく引き出すためには Ｊs＝Ｊi になることが必要になる。これから分かる様に、電極間
の距離ｄが与えられていて、必要な質量ｍのイオンを必
要な電圧Ｖで引き出すためには、プラズマチャンバー内
部に生成されるプラズマの密度ｎ0と電子温度Ｔeがそれ
ぞれ上式を満足しなければならない。この条件が満たさ
れない場合、引き出されるビームは発散してしまい、イ
オンが第２電極Ｋや第３電極Ｌに当たるような状態にな
る。この結果、電極が過度に加熱されたり、電極がイオ
ンによりスパッタされ、不純物が発生したり、電極から
発生した２次電子がイオン源側に逆流して、電極間に不
必要な電流が流れるなどの問題が生ずる。なお、一般の
プラズマ発生装置においては、密度ｎ0と電子温度Ｔeを
独立に制御するのは困難である。また、多孔電極を用い
たイオン源を用いて全ての引き出し孔からビームを発散
させずに引き出す為には、生成されたプラズマの密度ｎ
0と電子温度Ｔeが、電極に接する領域において、ほぼ一
様になっていることが必要とされる。
【０００５】以上の問題点を課題ごとに整理すると以下
のようになる。 注入均一性における課題 図10に示すような従来の直流放電型のイオン源を用いた
時、フィラメントから発生する電子によってプラズマを
生成するため、生成されるプラズマの密度が高くない場
合、引き出し電極に接する領域でのプラズマの分布はフ
ィラメントの配置を反映したものになる傾向がある。従
って、プラズマの分布を一様にするためには、フィラメ
ントを多数配置したり、充分に密度の高いプラズマを生
成するなどの必要があった。一方、図11に示すような従
来の高周波放電型のイオン源を用いた時、プラズマはほ
ぼ軸を中心とした領域で生成される傾向がある。従っ
て、引き出し電極に接する領域でのプラズマ密度ｎ
0は、軸近傍で高く、周辺部で低くなる。一般にプラズ
マ密度を高めるためには、プラズマチャンバー内部のガ
ス圧力を高くする必要があり、イオン源が大型になるに
従って、処理室側へのガスの流出量も増えざるを得な
い。従って、従来のイオン源を用いる限り、イオンビー
ムの空間的な分布の一様性を保ちかつ処理室の圧力が過
度に高くなるのを避けて、イオンビームの径を大型にす
るのは困難である。
のようになる。 注入均一性における課題 図10に示すような従来の直流放電型のイオン源を用いた
時、フィラメントから発生する電子によってプラズマを
生成するため、生成されるプラズマの密度が高くない場
合、引き出し電極に接する領域でのプラズマの分布はフ
ィラメントの配置を反映したものになる傾向がある。従
って、プラズマの分布を一様にするためには、フィラメ
ントを多数配置したり、充分に密度の高いプラズマを生
成するなどの必要があった。一方、図11に示すような従
来の高周波放電型のイオン源を用いた時、プラズマはほ
ぼ軸を中心とした領域で生成される傾向がある。従っ
て、引き出し電極に接する領域でのプラズマ密度ｎ
0は、軸近傍で高く、周辺部で低くなる。一般にプラズ
マ密度を高めるためには、プラズマチャンバー内部のガ
ス圧力を高くする必要があり、イオン源が大型になるに
従って、処理室側へのガスの流出量も増えざるを得な
い。従って、従来のイオン源を用いる限り、イオンビー
ムの空間的な分布の一様性を保ちかつ処理室の圧力が過
度に高くなるのを避けて、イオンビームの径を大型にす
るのは困難である。
【０００６】 動作範囲における課題 実際のイオンビーム装置では、イオンビームの電流密
度、イオンの加速エネルギー、イオン種などに関して種
々の条件設定がなされる。例えば、液晶表示装置に用い
られる多結晶Ｓｉ薄膜トランジスターの製造工程におい
て、複数のイオン注入の工程が必要とされるが、この工
程では単位面積当たり基板に注入されるイオンの量は、
工程によって1016／cm2 から1012／cm2 と４桁以上にも
渡る。一方、従来の多孔電極型イオン源では、電極に接
する領域でほぼ一様なプラズマを生成出来る条件は、イ
オン飽和電流Ｊiで評価して、せいぜい１桁程度でしか
ない。従って、従来のイオン源では、安定したイオンの
引き出しを保ちながら、またビームの空間的な分布の一
様性を保ちながらビーム電流密度や加速エネルギー及び
イオン種に関する条件を大きく変化させることが困難で
ある。
度、イオンの加速エネルギー、イオン種などに関して種
々の条件設定がなされる。例えば、液晶表示装置に用い
られる多結晶Ｓｉ薄膜トランジスターの製造工程におい
て、複数のイオン注入の工程が必要とされるが、この工
程では単位面積当たり基板に注入されるイオンの量は、
工程によって1016／cm2 から1012／cm2 と４桁以上にも
渡る。一方、従来の多孔電極型イオン源では、電極に接
する領域でほぼ一様なプラズマを生成出来る条件は、イ
オン飽和電流Ｊiで評価して、せいぜい１桁程度でしか
ない。従って、従来のイオン源では、安定したイオンの
引き出しを保ちながら、またビームの空間的な分布の一
様性を保ちながらビーム電流密度や加速エネルギー及び
イオン種に関する条件を大きく変化させることが困難で
ある。
【０００７】 制御手段における課題 従来の多孔電極型イオン源では、プラズマ生成に投入さ
れる電力（放電電流や高周波電力）やガス圧を制御する
ことにより、平均的なプラズマの密度ｎ0や電子温度Ｔe
を制御することは可能である。しかし、プラズマの空間
的な分布は、これ等に付随して変化するに過ぎない。従
って、従来の多孔電極型イオン源では、プラズマの空間
的な分布を、プラズマの密度や電子温度と独立に制御す
るのが困難である。
れる電力（放電電流や高周波電力）やガス圧を制御する
ことにより、平均的なプラズマの密度ｎ0や電子温度Ｔe
を制御することは可能である。しかし、プラズマの空間
的な分布は、これ等に付随して変化するに過ぎない。従
って、従来の多孔電極型イオン源では、プラズマの空間
的な分布を、プラズマの密度や電子温度と独立に制御す
るのが困難である。
【０００８】従って、本発明はこれらの課題を解決して
均一なイオンビームとして引き出すことができるイオン
ビーム照射装置を提供することを目的としている。
均一なイオンビームとして引き出すことができるイオン
ビーム照射装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、プラズマ発生源内においてイオン
を生成し、プラズマ室の出口に多孔電極を設けてイオン
を引き出し、接地電位となっている保持部に載置された
基板にイオンを照射するイオンビーム照射装置におい
て、プラズマ発生源として磁気中性線放電によるプラズ
マ源を搭載し、磁気中性線の発生位置を制御することに
より、引き出し電極部のプラズマの均一性を制御するよ
うにした。
め、本発明によれば、プラズマ発生源内においてイオン
を生成し、プラズマ室の出口に多孔電極を設けてイオン
を引き出し、接地電位となっている保持部に載置された
基板にイオンを照射するイオンビーム照射装置におい
て、プラズマ発生源として磁気中性線放電によるプラズ
マ源を搭載し、磁気中性線の発生位置を制御することに
より、引き出し電極部のプラズマの均一性を制御するよ
うにした。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のイオンビーム照射装置に
おいては、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼ
ロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周波電場
を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させるこ
とのできる電場発生手段とを有するプラズマ発生源が設
けられる。
おいては、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼ
ロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番或いは高周波電場
を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させるこ
とのできる電場発生手段とを有するプラズマ発生源が設
けられる。
【００１１】本発明の実施の形態の一つによれば、プラ
ズマ発生源は、円筒形で側面が誘電体の真空チャンバー
内でプラズマを発生するようにした構造であって、磁場
発生手段は、真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸
上に配列した複数の磁場発生コイルから成り、中央部に
配置されたコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電流
を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同
時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するように構
成され、また電場発生手段は、磁場発生手段によって真
空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電
場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するた
めの１重を含む多重の高周波コイルから成り、複数の磁
気中性線形成磁場発生コイルのうち中央部のコイルの内
側であって誘電体側壁の外側に設置され得る。
ズマ発生源は、円筒形で側面が誘電体の真空チャンバー
内でプラズマを発生するようにした構造であって、磁場
発生手段は、真空チャンバー内に連続して存在する磁場
ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸
上に配列した複数の磁場発生コイルから成り、中央部に
配置されたコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電流
を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同
時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するように構
成され、また電場発生手段は、磁場発生手段によって真
空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電
場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するた
めの１重を含む多重の高周波コイルから成り、複数の磁
気中性線形成磁場発生コイルのうち中央部のコイルの内
側であって誘電体側壁の外側に設置され得る。
【００１２】本発明の別の実施の形態による構成では、
プラズマ発生源は、円筒形で側面が金属の真空チャンバ
ーで構成される放電プラズマ装置であって、複数の磁場
発生コイルから成る磁場発生手段によって真空チャンバ
ー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えて
この磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を
含む多重の高周波コイルは、磁気中性線の形成される面
と同一平面内であって磁気中性線と金属円筒側壁の中間
の位置に配置され得る。
プラズマ発生源は、円筒形で側面が金属の真空チャンバ
ーで構成される放電プラズマ装置であって、複数の磁場
発生コイルから成る磁場発生手段によって真空チャンバ
ー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えて
この磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を
含む多重の高周波コイルは、磁気中性線の形成される面
と同一平面内であって磁気中性線と金属円筒側壁の中間
の位置に配置され得る。
【００１３】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、複数の磁場発生コイルから成る磁場発生手段によ
って真空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って
交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生
するための１重を含む多重の高周波コイルは、誘電体で
構成される真空室上壁面上の位置に配置され得る。
では、複数の磁場発生コイルから成る磁場発生手段によ
って真空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って
交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生
するための１重を含む多重の高周波コイルは、誘電体で
構成される真空室上壁面上の位置に配置され得る。
【００１４】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、プラズマ発生源は、円筒側壁及び上部壁が金属で
構成される真空チャンバーを備え、複数の磁場発生コイ
ルから成る磁場発生手段によって真空チャンバー内に形
成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気
中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重
の高周波コイルは、磁気中性線の径と同一径或いはそれ
よりも大きな径にして磁気中性線と上部壁面との中間の
位置に設置され得る。
では、プラズマ発生源は、円筒側壁及び上部壁が金属で
構成される真空チャンバーを備え、複数の磁場発生コイ
ルから成る磁場発生手段によって真空チャンバー内に形
成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気
中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重
の高周波コイルは、磁気中性線の径と同一径或いはそれ
よりも大きな径にして磁気中性線と上部壁面との中間の
位置に設置され得る。
【００１５】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、磁場発生手段は、真空チャンバー内に連続して存
在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する
ために誘電体で構成される真空室上壁面上に配置された
ドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよりも内径の
大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成され、この磁
場発生手段によって真空チャンバー内に形成された磁気
中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電
プラズマを発生するための１重を含む多重の高周波コイ
ルは、永久磁石が配置されている誘電体で構成される真
空室上壁面上の永久磁石の中間の位置に配置され得る。
では、磁場発生手段は、真空チャンバー内に連続して存
在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する
ために誘電体で構成される真空室上壁面上に配置された
ドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよりも内径の
大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成され、この磁
場発生手段によって真空チャンバー内に形成された磁気
中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電
プラズマを発生するための１重を含む多重の高周波コイ
ルは、永久磁石が配置されている誘電体で構成される真
空室上壁面上の永久磁石の中間の位置に配置され得る。
【００１６】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、磁場発生手段のドーナツ状または円盤状の永久磁
石及びそれよりも内径の大きなドーナツ状の永久磁石は
真空室上部の金属壁面上に配置され、また真空チャンバ
ー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えて
この磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を
含む多重の高周波コイルは、磁気中性線の形成される径
と同一径或いはそれよりも大きな径であって磁気中性線
と上部金属壁の中間の位置に配置され得る。
では、磁場発生手段のドーナツ状または円盤状の永久磁
石及びそれよりも内径の大きなドーナツ状の永久磁石は
真空室上部の金属壁面上に配置され、また真空チャンバ
ー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えて
この磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を
含む多重の高周波コイルは、磁気中性線の形成される径
と同一径或いはそれよりも大きな径であって磁気中性線
と上部金属壁の中間の位置に配置され得る。
【００１７】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成さ
れた磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性
線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高
周波コイルは、誘電体で構成される円筒側壁部であって
磁気中性線の形成される面と同一平面の円筒側壁部の外
側の位置に配置され得る。
では、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成さ
れた磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性
線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高
周波コイルは、誘電体で構成される円筒側壁部であって
磁気中性線の形成される面と同一平面の円筒側壁部の外
側の位置に配置され得る。
【００１８】本発明のさらに別の実施の形態による構成
では、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成さ
れた磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性
線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高
周波コイルは、磁気中性線の形成される面と同一平面内
であって磁気中性線と金属円筒側壁の中間の位置に配置
され得る。
では、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成さ
れた磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性
線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高
周波コイルは、磁気中性線の形成される面と同一平面内
であって磁気中性線と金属円筒側壁の中間の位置に配置
され得る。
【００１９】例えば、誘電体円筒隔壁の外側から高周波
電場を真空中に与え、真空中に導入したガスを放電し、
３つの円筒コイルにより磁気中性線の位置を制御して、
プラズマを制御する。プラズマ中の電子は磁場ゼロの所
の磁気中性線付近に留まる性質があるので、磁気中性線
の径を制御することにより、発生場所の濃淡の径を制御
できる。このようにして発生したリング状のプラズマは
引き出し電極部まで拡散する間に均一化する。磁気中性
線は３つのコイルによって形成される。上下のコイルに
同方向の電流を流し、中間のコイルに逆方向の電流を流
すことにより、中間コイルの内側に磁気中性線が形成さ
れる。一般にミラー磁場を議論するとき無視されている
が、コイルとコイルの中間位置に磁場０のループが存在
している。この位置に第３のコイルを設け上下のコイル
と反対の電流を流すと、磁場０のループが左右にスプリ
ットし、内側と外側に磁場０のループが２つ形成され
る。この内側の磁場０のループを利用するのが（磁気）
中性線放電（ＮＬＤ：Ｎeutral Loop Discharge)である
（特開平７−90632号公報参照）。この磁気中性線は中
間のコイルに流れる電流の大小でその径が大きくも小さ
くもなる。従って、コイル電流によってプラズマを制御
することができ、例えば、イオン注入の均一性の良い条
件を容易に設定することができる。
電場を真空中に与え、真空中に導入したガスを放電し、
３つの円筒コイルにより磁気中性線の位置を制御して、
プラズマを制御する。プラズマ中の電子は磁場ゼロの所
の磁気中性線付近に留まる性質があるので、磁気中性線
の径を制御することにより、発生場所の濃淡の径を制御
できる。このようにして発生したリング状のプラズマは
引き出し電極部まで拡散する間に均一化する。磁気中性
線は３つのコイルによって形成される。上下のコイルに
同方向の電流を流し、中間のコイルに逆方向の電流を流
すことにより、中間コイルの内側に磁気中性線が形成さ
れる。一般にミラー磁場を議論するとき無視されている
が、コイルとコイルの中間位置に磁場０のループが存在
している。この位置に第３のコイルを設け上下のコイル
と反対の電流を流すと、磁場０のループが左右にスプリ
ットし、内側と外側に磁場０のループが２つ形成され
る。この内側の磁場０のループを利用するのが（磁気）
中性線放電（ＮＬＤ：Ｎeutral Loop Discharge)である
（特開平７−90632号公報参照）。この磁気中性線は中
間のコイルに流れる電流の大小でその径が大きくも小さ
くもなる。従って、コイル電流によってプラズマを制御
することができ、例えば、イオン注入の均一性の良い条
件を容易に設定することができる。
【００２０】
【実施例】以下、添付図面の図１〜図８を参照して本発
明の実施例について説明する。磁気中性線放電イオン源
は、磁気中性線の構成法、高周波電場を印加するアンテ
ナの配置によって幾つかの構造が取り得る。図１、図
２、図３、図４には円筒チャンバーの外側に、複数の円
筒コイルを配置し、円筒チャンバー内部にリング状の磁
気中性線を形成する構造のものを示し、図５、図６、図
７、図８には円筒チャンバー上部に平板永久磁石とそれ
よりも内径の大きなドーナツ状永久磁石により円筒チャ
ンバー内部にリング状の磁気中性線を形成する構造のも
のを示す。また高周波アンテナの配置の仕方により図
１、図３、図５、図７で示されるような誘電体隔壁の外
部に配置するものと図２、図４、図６、図８で示される
ようなチャンバー内部に配置するものとがある。
明の実施例について説明する。磁気中性線放電イオン源
は、磁気中性線の構成法、高周波電場を印加するアンテ
ナの配置によって幾つかの構造が取り得る。図１、図
２、図３、図４には円筒チャンバーの外側に、複数の円
筒コイルを配置し、円筒チャンバー内部にリング状の磁
気中性線を形成する構造のものを示し、図５、図６、図
７、図８には円筒チャンバー上部に平板永久磁石とそれ
よりも内径の大きなドーナツ状永久磁石により円筒チャ
ンバー内部にリング状の磁気中性線を形成する構造のも
のを示す。また高周波アンテナの配置の仕方により図
１、図３、図５、図７で示されるような誘電体隔壁の外
部に配置するものと図２、図４、図６、図８で示される
ようなチャンバー内部に配置するものとがある。
【００２１】まず図１に示す本発明の第１の実施例につ
いて説明する。図示装置において１はイオン源ボックス
で、その中に磁気中性線放電イオン源が配置されおり、
２は真空チャンバで、円筒状のプラズマ発生室３と基板
処理室４とを備えている。円筒状のプラズマ発生室３は
誘電体の円筒状側壁3a及び金属製の上壁3bを備え、誘電
体の円筒状側壁3aの外側には磁場発生手段を成す三つの
コイル５、６、７が設けられており、これらのコイルは
図示してない電源に接続されている。上下の二つのコイ
ル５、７には同じ向きの電流が流され、また、中間のコ
イル６には逆向きの電流が流される。それにより中間の
コイル６のレベルでその内側に連続した磁場ゼロの位置
ができ、リング状の磁気中性線８が形成される。このリ
ング状の磁気中性線８の形成される位置及び大きさは、
上下の二つのコイル５、７に流す電流と中間のコイル６
に流す電流との特性を変えることによって適宜設定する
ことができる。中間のコイル６の内側には同心円的に電
場発生手段を成す高周波コイル９が配置され、この高周
波コイル９は一重またはそれ以上の多重構造のものであ
り、高周波電源10に接続され、リング状の磁気中性線８
に沿って高周波誘導電場（例えば13.56MHz）を加えて、
磁場ゼロの位置に磁気中性線に沿って強い電場を発生さ
せる。また、円筒状のプラズマ発生室３には図示してな
いがプラズマ発生のためのガスを導入するガス導入口が
設けられている。この実施例では、プラズマ発生室３の
誘電体円筒隔壁の外側から高周波電場を真空中に与え、
真空中に導入したガスを放電し、３つのコイル５、６、
７により磁気中性線８の位置を制御して、プラズマを制
御している。
いて説明する。図示装置において１はイオン源ボックス
で、その中に磁気中性線放電イオン源が配置されおり、
２は真空チャンバで、円筒状のプラズマ発生室３と基板
処理室４とを備えている。円筒状のプラズマ発生室３は
誘電体の円筒状側壁3a及び金属製の上壁3bを備え、誘電
体の円筒状側壁3aの外側には磁場発生手段を成す三つの
コイル５、６、７が設けられており、これらのコイルは
図示してない電源に接続されている。上下の二つのコイ
ル５、７には同じ向きの電流が流され、また、中間のコ
イル６には逆向きの電流が流される。それにより中間の
コイル６のレベルでその内側に連続した磁場ゼロの位置
ができ、リング状の磁気中性線８が形成される。このリ
ング状の磁気中性線８の形成される位置及び大きさは、
上下の二つのコイル５、７に流す電流と中間のコイル６
に流す電流との特性を変えることによって適宜設定する
ことができる。中間のコイル６の内側には同心円的に電
場発生手段を成す高周波コイル９が配置され、この高周
波コイル９は一重またはそれ以上の多重構造のものであ
り、高周波電源10に接続され、リング状の磁気中性線８
に沿って高周波誘導電場（例えば13.56MHz）を加えて、
磁場ゼロの位置に磁気中性線に沿って強い電場を発生さ
せる。また、円筒状のプラズマ発生室３には図示してな
いがプラズマ発生のためのガスを導入するガス導入口が
設けられている。この実施例では、プラズマ発生室３の
誘電体円筒隔壁の外側から高周波電場を真空中に与え、
真空中に導入したガスを放電し、３つのコイル５、６、
７により磁気中性線８の位置を制御して、プラズマを制
御している。
【００２２】プラズマ発生室３から基板処理室４へ通じ
るプラズマの出口には、図示したように、放電室すなわ
ちプラズマ発生室３と同電位の多数のオリフィスを設け
た第１電極11が配置され、第１電極11の外側には第１電
極11のオリフィスのそれぞれと同軸のオリフィスを設け
かつ電位的に独立した第２電極12及び第３電極13が配置
されている。第２電極12には接地電位より数ｋＶ負の電
位が印加され、第３電極13は接地電位とする。第２電極
12に負の高電圧を印加するのは、基板から発生する２次
電子やイオンと残留ガス分子との衝突により発生した電
子などがプラズマ発生室３側に逆流するのを防ぐためで
ある。プラズマ発生室３から第１電極11のオリフィスに
入ったイオンは第１及び第２電極11、12間の電場により
引き出される。このようにして引き出されたイオンは接
地電位に維持されている基板ホルダー14上の基板15に向
かって飛翔し、プラズマ発生室３に印加した電位のエネ
ルギーでイオンが基板15に照射される。
るプラズマの出口には、図示したように、放電室すなわ
ちプラズマ発生室３と同電位の多数のオリフィスを設け
た第１電極11が配置され、第１電極11の外側には第１電
極11のオリフィスのそれぞれと同軸のオリフィスを設け
かつ電位的に独立した第２電極12及び第３電極13が配置
されている。第２電極12には接地電位より数ｋＶ負の電
位が印加され、第３電極13は接地電位とする。第２電極
12に負の高電圧を印加するのは、基板から発生する２次
電子やイオンと残留ガス分子との衝突により発生した電
子などがプラズマ発生室３側に逆流するのを防ぐためで
ある。プラズマ発生室３から第１電極11のオリフィスに
入ったイオンは第１及び第２電極11、12間の電場により
引き出される。このようにして引き出されたイオンは接
地電位に維持されている基板ホルダー14上の基板15に向
かって飛翔し、プラズマ発生室３に印加した電位のエネ
ルギーでイオンが基板15に照射される。
【００２３】図２には本発明の第２の実施例を示し、こ
の実施例は、プラズマ発生室３の円筒状側壁3a'が金属
から成り、また高周波コイル９がプラズマ発生室３内の
磁気中性線８の形成される面と同一平面内であって磁気
中性線８と金属円筒状側壁3a'の中間の位置に配置され
ている点で図１に示す実施例と異なっている。すなわち
図２の実施例による構造では、金属円筒状側壁3a'の内
側から高周波電場を真空中に与え、真空中に導入したガ
スを放電し、３つのコイル５、６、７により磁気中性線
８の位置を制御してプラズマを制御するようにしてい
る。この構成は金属元素を含むガスを用いるときに適し
ている。というのは、高周波コイルが誘電体隔壁の外側
に配置されている場合には、誘電体隔壁への金属元素の
付着により高周波が遮られるが、高周波コイルを隔壁の
内側に配置することによりそのような問題が生じないか
らである。
の実施例は、プラズマ発生室３の円筒状側壁3a'が金属
から成り、また高周波コイル９がプラズマ発生室３内の
磁気中性線８の形成される面と同一平面内であって磁気
中性線８と金属円筒状側壁3a'の中間の位置に配置され
ている点で図１に示す実施例と異なっている。すなわち
図２の実施例による構造では、金属円筒状側壁3a'の内
側から高周波電場を真空中に与え、真空中に導入したガ
スを放電し、３つのコイル５、６、７により磁気中性線
８の位置を制御してプラズマを制御するようにしてい
る。この構成は金属元素を含むガスを用いるときに適し
ている。というのは、高周波コイルが誘電体隔壁の外側
に配置されている場合には、誘電体隔壁への金属元素の
付着により高周波が遮られるが、高周波コイルを隔壁の
内側に配置することによりそのような問題が生じないか
らである。
【００２４】図３には本発明の第３の実施例を示し、こ
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3bが誘電体から成
り、その外面上に高周波コイル９が配置されている。そ
の他の構成は図２の場合と同じである。
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3bが誘電体から成
り、その外面上に高周波コイル９が配置されている。そ
の他の構成は図２の場合と同じである。
【００２５】図４には本発明の第４の実施例を示し、こ
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3b'は金属から成
り、電場発生用高周波コイル９は磁気中性線８と上壁と
の中間の位置に設置され、そして磁気中性線８の径と同
一径或いはそれよりも大きな径に形成される。その他の
構成は図３の場合と同じである。
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3b'は金属から成
り、電場発生用高周波コイル９は磁気中性線８と上壁と
の中間の位置に設置され、そして磁気中性線８の径と同
一径或いはそれよりも大きな径に形成される。その他の
構成は図３の場合と同じである。
【００２６】図５には本発明の第５の実施例を示し、こ
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3bは誘電体から成
り、磁気中性線を形成するための磁場発生手段として３
つのコイル５、６、７に変えて、誘電体の上壁3bの外面
上にドーナツ状または円盤状の永久磁石16とそれよりも
内径の大きなドーナツ状の永久磁石17が同心状に配置さ
れ、また高周波コイル９は、永久磁石16、17の中間の位
置に配置されている。すなわち第５の実施例は磁場発生
手段の構成を除いて図３に示す第３の実施例と実施的に
同様に構成される。
の場合にはプラズマ発生室３の上壁3bは誘電体から成
り、磁気中性線を形成するための磁場発生手段として３
つのコイル５、６、７に変えて、誘電体の上壁3bの外面
上にドーナツ状または円盤状の永久磁石16とそれよりも
内径の大きなドーナツ状の永久磁石17が同心状に配置さ
れ、また高周波コイル９は、永久磁石16、17の中間の位
置に配置されている。すなわち第５の実施例は磁場発生
手段の構成を除いて図３に示す第３の実施例と実施的に
同様に構成される。
【００２７】図６には本発明の第６の実施例を示し、こ
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５の第５の実施
例の場合と実質的に同じであり、また電場発生用高周波
コイル９は図４に示す第４の実施例の場合と同様に磁気
中性線８と上壁との中間の位置に設置され、そして磁気
中性線８の径と同一径或いはそれよりも大きな径に形成
される。
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５の第５の実施
例の場合と実質的に同じであり、また電場発生用高周波
コイル９は図４に示す第４の実施例の場合と同様に磁気
中性線８と上壁との中間の位置に設置され、そして磁気
中性線８の径と同一径或いはそれよりも大きな径に形成
される。
【００２８】図７には本発明の第７の実施例を示し、こ
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５、図６の第
５、第６の実施例の場合と実質的に同じであり、また電
場発生用高周波コイル９は図１に示す第１の実施例の場
合と同様に円筒状のプラズマ発生室３の誘電体の円筒状
側壁3aの外側で磁気中性線８の形成される面と同一平面
に配置されている。
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５、図６の第
５、第６の実施例の場合と実質的に同じであり、また電
場発生用高周波コイル９は図１に示す第１の実施例の場
合と同様に円筒状のプラズマ発生室３の誘電体の円筒状
側壁3aの外側で磁気中性線８の形成される面と同一平面
に配置されている。
【００２９】図８には本発明の第８の実施例を示し、こ
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５、図６，図７
の第５、第６、第７の実施例の場合と実質的に同じであ
り、また電場発生用高周波コイル９は図２に示す第２の
実施例の場合と同様に高周波コイル９がプラズマ発生室
３内の磁気中性線８の形成される面と同一平面内であっ
て磁気中性線８と金属円筒状側壁3a'の中間の位置に配
置されている。
の場合には、磁場発生手段の構成は、図５、図６，図７
の第５、第６、第７の実施例の場合と実質的に同じであ
り、また電場発生用高周波コイル９は図２に示す第２の
実施例の場合と同様に高周波コイル９がプラズマ発生室
３内の磁気中性線８の形成される面と同一平面内であっ
て磁気中性線８と金属円筒状側壁3a'の中間の位置に配
置されている。
【００３０】図６及び図８に示す構造も図２に示すもの
と同様に金属元素を含むガスを用いる場合に適してい
る。一方、プラズマ発生室の壁の一部を誘電体で構成
し、その外側に高周波コイルを配置した図１、図３、図
５及び図７の場合には、高周波コイルを真空中に導入し
ないので、簡便であるという利点がある。
と同様に金属元素を含むガスを用いる場合に適してい
る。一方、プラズマ発生室の壁の一部を誘電体で構成
し、その外側に高周波コイルを配置した図１、図３、図
５及び図７の場合には、高周波コイルを真空中に導入し
ないので、簡便であるという利点がある。
【００３１】次に、図１に示す構成の装置を用いて実施
した実験結果について説明する。磁気中性線付近の磁場
勾配を２ガウス／cm、磁気中性線の直径を24cmとしたと
き、拡散距離17cmの所で、直径20cmの範囲において±２
％と言う均一なプラズマ密度が得られている。この時の
条件は高周波電力５００Ｗ（13.56MHz）、圧力１mTor
r、ガス種はＡｒ、であった。磁気中性線放電で得られ
るプラズマは0.5Paから0.05Paの範囲で安定であり、高
周波電力の大小によってプラズマ密度を容易に制御でき
る。また、圧力や高周波電力によって密度分布が発生す
る場合でも磁気中性線の径を制御することによって均一
性の良い条件を容易に設定することができる。
した実験結果について説明する。磁気中性線付近の磁場
勾配を２ガウス／cm、磁気中性線の直径を24cmとしたと
き、拡散距離17cmの所で、直径20cmの範囲において±２
％と言う均一なプラズマ密度が得られている。この時の
条件は高周波電力５００Ｗ（13.56MHz）、圧力１mTor
r、ガス種はＡｒ、であった。磁気中性線放電で得られ
るプラズマは0.5Paから0.05Paの範囲で安定であり、高
周波電力の大小によってプラズマ密度を容易に制御でき
る。また、圧力や高周波電力によって密度分布が発生す
る場合でも磁気中性線の径を制御することによって均一
性の良い条件を容易に設定することができる。
【００３２】ところで、上記の各実施例では、イオンビ
ーム照射装置について説明したが、本発明の装置はイオ
ンビームを用いる他の装置におても同様に使用できるこ
とは言うまでもない。
ーム照射装置について説明したが、本発明の装置はイオ
ンビームを用いる他の装置におても同様に使用できるこ
とは言うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、プラズマ発生源内においてイオンを生成し、プラズ
マ室の出口に多孔電極を設けてイオンを引き出し、接地
電位となっている保持部に載置された基板にイオンを照
射するイオンビーム照射装置において、プラズマ発生源
として真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの
位置である環状磁気中性線を形成させ、形成された磁気
中性線に沿って交番或いは高周波電場を加えてこの磁気
中性線に放電プラズマを発生させるようにした磁気中性
線放電イオン源を用いているので、均一なイオンビーム
として引き出すことができ、従来にない均一なイオンビ
ーム照射が可能となった。
ば、プラズマ発生源内においてイオンを生成し、プラズ
マ室の出口に多孔電極を設けてイオンを引き出し、接地
電位となっている保持部に載置された基板にイオンを照
射するイオンビーム照射装置において、プラズマ発生源
として真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの
位置である環状磁気中性線を形成させ、形成された磁気
中性線に沿って交番或いは高周波電場を加えてこの磁気
中性線に放電プラズマを発生させるようにした磁気中性
線放電イオン源を用いているので、均一なイオンビーム
として引き出すことができ、従来にない均一なイオンビ
ーム照射が可能となった。
【図１】 本発明の第１の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図２】 本発明の第２の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図３】 本発明の第３の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図４】 本発明の第４の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図５】 本発明の第５の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図６】 本発明の第６の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図７】 本発明の第７の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図８】 本発明の第８の実施例による装置の構成を示
す概略線図。
す概略線図。
【図９】 従来のKaufman型のイオンビーム照射装置の
構成を示す概略線図。
構成を示す概略線図。
【図１０】従来のマルチカスプ型プラズマイオン源を搭
載した直流放電型イオン照射装置の構成を示す概略線
図。
載した直流放電型イオン照射装置の構成を示す概略線
図。
【図１１】従来のマルチカスプ型プラズマイオン源を搭
載した高周波放電型イオン照射装置の構成を示す概略線
図。
載した高周波放電型イオン照射装置の構成を示す概略線
図。
【図１２】本発明が解決しようとする課題の説明図。
１：イオン源ボックス ２：真空チャンバ ３：円筒状のプラズマ発生室 ４：基板処理室 ５、６、７：磁場発生手段を成すコイル ８：磁気中性線 ９：電場発生手段を成す高周波コイル 10：高周波電源 11：第１電極11 12：第２電極 13：第３電極 14：基板ホルダー 15：基板 16：ドーナツ状または円盤状の永久磁石 17：ドーナツ状の永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｆ // Ｈ０１Ｌ 21/203 21/30 ５５１ (72)発明者 小方 誠司 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 桜田 勇蔵 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 内田 岱二郎 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 プラズマ発生源内においてイオンを生成
し、プラズマ室の出口に多孔電極を設けてイオンを引き
出し、接地電位となっている保持部に載置された基板に
イオンを照射するイオンビーム照射装置において、真空
チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である
環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段と、この
磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成された磁
気中性線に沿って交番或いは高周波電場を加えてこの磁
気中性線に放電プラズマを発生させることのできる電場
発生手段とを有するプラズマ発生源から成ることを特徴
とするイオンビーム照射装置。 - 【請求項２】 プラズマ発生源は、円筒形で側面が誘電
体の真空チャンバー内でプラズマを発生するようにした
構造であって、真空チャンバー内に連続して存在する磁
場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同
軸上に配列した複数の磁場発生コイルから成り、中央部
に配置されたコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電
流を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると
同時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するように
した磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チ
ャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を
加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための
１重を含む多重の高周波コイルとを有し、複数の磁気中
性線形成磁場発生コイルのうち中央部のコイルの内側で
あって誘電体側壁の外側にプラズマ発生用高周波コイル
を設置した請求項１に記載のイオンビーム照射装置。 - 【請求項３】 プラズマ発生源は、円筒形で側面が金属
の真空チャンバーで構成される放電プラズマ装置であっ
て、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位
置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列
した複数の磁場発生コイルから成り、中央部に配置され
たコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電流を流すこ
とにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に磁場
ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルとを有し、高周波コイルを、磁気中
性線の形成される面と同一平面内であって磁気中性線と
金属円筒側壁の中間の位置に配置した請求項１に記載の
イオンビーム照射装置。 - 【請求項４】 プラズマ発生源は、円筒形で側面が金属
の真空チャンバーで構成される放電プラズマ装置であっ
て、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位
置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列
した複数の磁場発生コイルから成り、中央部に配置され
たコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電流を流すこ
とにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に磁場
ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルとを有し、誘電体で構成される真空
室上壁面上の位置に高周波コイルを配置した請求項１に
記載のイオンビーム照射装置。 - 【請求項５】 プラズマ発生源は、円筒側壁及び上部壁
が金属で構成される真空チャンバーであって、真空チャ
ンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状
磁気中性線を形成するために円筒側壁の外部に同軸上に
配列した複数の磁場発生コイルから成り、中央部に配置
されたコイルと外側のコイルに互いに逆向きの電流を流
すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に
磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁
場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ
ー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えて
この磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を
含む多重の高周波コイルとを有し、この電場発生用高周
波コイルを磁気中性線の径と同一径或いはそれよりも大
きな径にして磁気中性線と上部壁面との中間の位置に設
置するようにした請求項１に記載のイオンビーム照射装
置。 - 【請求項６】 プラズマ発生源は、真空チャンバー内に
連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線
を形成するために誘電体で構成される真空室上壁面上に
配置されたドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよ
りも内径の大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成さ
れる磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チ
ャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を
加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための
１重を含む多重の高周波コイルとを有し、永久磁石が配
置されている誘電体で構成される真空室上壁面上の永久
磁石の中間の位置に高周波コイルを配置した請求項１に
記載のイオンビーム照射装置。 - 【請求項７】 プラズマ発生源は、真空チャンバー内に
連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線
を形成するために真空室上部の金属壁面上に配置された
ドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよりも内径の
大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成される磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルとを有し、高周波コイルを、磁気中
性線の形成される径と同一径或いはそれよりも大きな径
であって磁気中性線と上部金属壁の中間の位置に配置し
た請求項１に記載のイオンビーム照射装置。 - 【請求項８】 プラズマ発生源は、真空チャンバー内に
連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線
を形成するために真空室上部の金属壁面上に配置された
ドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよりも内径の
大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成される磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルとを有し、高周波コイルを誘電体で
構成される円筒側壁部であって磁気中性線の形成される
面と同一平面の円筒側壁部の外側の位置に配置した請求
項１に記載のイオンビーム照射装置。 - 【請求項９】 プラズマ発生源は、真空チャンバー内に
連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線
を形成するために真空室上部の金属壁面上に配置された
ドーナツ状または円盤状の永久磁石とそれよりも内径の
大きなドーナツ状の永久磁石の２個で構成される磁場発
生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバー内
に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの
磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む
多重の高周波コイルとを有し、高周波コイルを、磁気中
性線の形成される面と同一平面内であって磁気中性線と
金属円筒側壁の中間の位置に配置したことを特徴とする
請求項１に記載のイオンビーム照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04401697A JP3718315B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | イオンビーム照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04401697A JP3718315B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | イオンビーム照射装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005171904A Division JP2005268235A (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | イオンビーム照射装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241592A true JPH10241592A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3718315B2 JP3718315B2 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=12679894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04401697A Expired - Fee Related JP3718315B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | イオンビーム照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3718315B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028360A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマを用いたイオン注入装置 |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP04401697A patent/JP3718315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028360A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマを用いたイオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3718315B2 (ja) | 2005-11-24 |
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