JPH10239048A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPH10239048A JPH10239048A JP4531997A JP4531997A JPH10239048A JP H10239048 A JPH10239048 A JP H10239048A JP 4531997 A JP4531997 A JP 4531997A JP 4531997 A JP4531997 A JP 4531997A JP H10239048 A JPH10239048 A JP H10239048A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】測距精度に影響を及ぼすことなく、外付け素子
が不要でＰＳＤの電流切換えを実現する測距装置を提供
する。 【解決手段】 アクティブ式の測距装置において、ＰＳ
Ｄ１の両端電極からの電流を夫々Ｉ／Ｖ変換アンプ２，
３で変換し電圧の一方と両方と切換えて出力する切換え
手段を、アンプ２，３に夫々接続されるコンデンサ４，
５、コンデンサ４，５とバッファーアンプ８，９の間に
夫々設けた半導体スイッチ６，７、各バッファーアンプ
８，９の出力が入力されるアンプ１２で構成し、半導体
スイッチ６，７のオン、オフで切換えを行う。
が不要でＰＳＤの電流切換えを実現する測距装置を提供
する。 【解決手段】 アクティブ式の測距装置において、ＰＳ
Ｄ１の両端電極からの電流を夫々Ｉ／Ｖ変換アンプ２，
３で変換し電圧の一方と両方と切換えて出力する切換え
手段を、アンプ２，３に夫々接続されるコンデンサ４，
５、コンデンサ４，５とバッファーアンプ８，９の間に
夫々設けた半導体スイッチ６，７、各バッファーアンプ
８，９の出力が入力されるアンプ１２で構成し、半導体
スイッチ６，７のオン、オフで切換えを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被測定対象に向けて
赤外光を投光し、その反射光により被写体までの距離を
測定するカメラ等に設けられるアクティブ方式の測距装
置に関するものである。
赤外光を投光し、その反射光により被写体までの距離を
測定するカメラ等に設けられるアクティブ方式の測距装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体位置検出素子（以下ＰＳＤ
と略す）を用いた測距装置は、被写体の距離に応じて変
化する２つの電極Ａ，Ｂの光電流ＩA ，ＩB を用いて、
ＩA ／（ＩA ＋ＩB ）を演算することにより、被写体ま
での距離を得ている。上記の演算方法は種々提案されて
いるが、特に、二重積分を用いたものにおいては、最初
に、電流ＩA を所定時間Ｔ積分し、次にＩA ＋ＩB を用
いて、同電荷量を放電し、その放電時間ｔを測定するこ
とにより、測距結果を得ている。その場合、積分する電
流をＩA ，（ＩA ＋ＩB ）と切り換える必要があった。
と略す）を用いた測距装置は、被写体の距離に応じて変
化する２つの電極Ａ，Ｂの光電流ＩA ，ＩB を用いて、
ＩA ／（ＩA ＋ＩB ）を演算することにより、被写体ま
での距離を得ている。上記の演算方法は種々提案されて
いるが、特に、二重積分を用いたものにおいては、最初
に、電流ＩA を所定時間Ｔ積分し、次にＩA ＋ＩB を用
いて、同電荷量を放電し、その放電時間ｔを測定するこ
とにより、測距結果を得ている。その場合、積分する電
流をＩA ，（ＩA ＋ＩB ）と切り換える必要があった。
【０００３】図２は、上記電流切換えの一例を示した回
路図であり、１はＰＳＤ、２６はＰＳＤ１の光電流を電
流／電圧変換するＩ／Ｖ変換アンプ、２７および２８は
半導体スイッチである。図２であきらかなように、ＰＳ
Ｄ１の一端側の電極を他端側の電極に接続すれば、（Ｉ
A ＋ＩB ）が得られ、また一端側の電極を基準電圧Ｃに
接続すれば、ＩA が得られる。
路図であり、１はＰＳＤ、２６はＰＳＤ１の光電流を電
流／電圧変換するＩ／Ｖ変換アンプ、２７および２８は
半導体スイッチである。図２であきらかなように、ＰＳ
Ｄ１の一端側の電極を他端側の電極に接続すれば、（Ｉ
A ＋ＩB ）が得られ、また一端側の電極を基準電圧Ｃに
接続すれば、ＩA が得られる。
【０００４】また、図３に示すように、ＰＳＤ１の両電
極をアンプ２９，３０の（−）入力に夫々接続し、アン
プ２９，３０により信号電流を電圧に変換し、アンプ２
９の出力をコンデンサ３１および抵抗３３、半導体スイ
ッチ３５を介してアンプ３７の（−）入力に接続する。
また、アンプ３０の出力をコンデンサ３２および抵抗３
４、半導体スイッチ３６を介して、前記と同様にアンプ
３７の（−）入力に接続する。このような構成にする
と、半導体スイッチ３５がＯＮ、半導体スイッチ３６が
ＯＦＦであれば、アンプ３７の出力は信号電流ＩA に応
じた出力となり、半導体スイッチ３５，３６が同時にＯ
Ｎしていれば、アンプ３７の出力はＩA ＋ＩB に応じた
出力となる。
極をアンプ２９，３０の（−）入力に夫々接続し、アン
プ２９，３０により信号電流を電圧に変換し、アンプ２
９の出力をコンデンサ３１および抵抗３３、半導体スイ
ッチ３５を介してアンプ３７の（−）入力に接続する。
また、アンプ３０の出力をコンデンサ３２および抵抗３
４、半導体スイッチ３６を介して、前記と同様にアンプ
３７の（−）入力に接続する。このような構成にする
と、半導体スイッチ３５がＯＮ、半導体スイッチ３６が
ＯＦＦであれば、アンプ３７の出力は信号電流ＩA に応
じた出力となり、半導体スイッチ３５，３６が同時にＯ
Ｎしていれば、アンプ３７の出力はＩA ＋ＩB に応じた
出力となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
２の従来例では、ＰＳＤ１の電極の接続先を切り換える
場合には、ＰＳＤ１に接続される半導体スイッチ２７，
２８の抵抗成分が外光電流の大きさ等により変化して、
測距データが変化することが考えられる。
２の従来例では、ＰＳＤ１の電極の接続先を切り換える
場合には、ＰＳＤ１に接続される半導体スイッチ２７，
２８の抵抗成分が外光電流の大きさ等により変化して、
測距データが変化することが考えられる。
【０００６】また、図３に示す従来例においては、構成
上ＤＣカットコンデンサ３１，３２が必要となり、抵抗
３３，３４をＩＣの内蔵抵抗とすると、高抵抗を内蔵す
るには無理があり、時定数を大きくするためにはコンデ
ンサ３１，３２の容量を大きくすることになるが、ＩＣ
を内蔵することは不可能となり、その場合、外部に外付
けせざるを得なくなり、コストアップの要因となる。
上ＤＣカットコンデンサ３１，３２が必要となり、抵抗
３３，３４をＩＣの内蔵抵抗とすると、高抵抗を内蔵す
るには無理があり、時定数を大きくするためにはコンデ
ンサ３１，３２の容量を大きくすることになるが、ＩＣ
を内蔵することは不可能となり、その場合、外部に外付
けせざるを得なくなり、コストアップの要因となる。
【０００７】本出願に係る発明の目的は、測距精度に影
響を及ぼさずに、かつ、外付け素子等を利用せずに低コ
ストでＰＳＤの電力切換えを行なおうとするものであ
る。
響を及ぼさずに、かつ、外付け素子等を利用せずに低コ
ストでＰＳＤの電力切換えを行なおうとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発明の目的
を実現する第１の構成は、被測定対象で反射した投光手
段からの反射光が結像し、結像位置に応じた信号を第１
の電極と第２の電極より出力する位置検出手段と、前記
第１の電極および第２の電極からの電流をそれぞれ電圧
に変換する変換手段と、前記いずれか一方の変換手段の
電圧信号と前記両変換手段からの電圧信号とを切換えて
出力する切換え手段と、前記切換え手段で切換えられた
２つの電圧信号の比に基づいて測距結果を出力する比較
演算部とを有する測距装置において、前記切換え手段
は、前記各変換手段の出力をそれぞれコンデンサを介し
て入力されるバッファーアンプと、前記各コンデンサと
前記各バッファーアンプとの接続をそれぞれ制御する半
導体スイッチと、前記各半導体スイッチを制御する制御
手段と、前記各バッファーアンプの出力を加算する加算
手段とを有し、前記制御手段は前記各半導体スイッチの
導通、非導通を制御して、前記加算手段に対して前記い
ずれか一方のバッファーアンプの信号と、前記両バッフ
ァーアンプの信号を切り換えて出力させるようにしたも
のである。
を実現する第１の構成は、被測定対象で反射した投光手
段からの反射光が結像し、結像位置に応じた信号を第１
の電極と第２の電極より出力する位置検出手段と、前記
第１の電極および第２の電極からの電流をそれぞれ電圧
に変換する変換手段と、前記いずれか一方の変換手段の
電圧信号と前記両変換手段からの電圧信号とを切換えて
出力する切換え手段と、前記切換え手段で切換えられた
２つの電圧信号の比に基づいて測距結果を出力する比較
演算部とを有する測距装置において、前記切換え手段
は、前記各変換手段の出力をそれぞれコンデンサを介し
て入力されるバッファーアンプと、前記各コンデンサと
前記各バッファーアンプとの接続をそれぞれ制御する半
導体スイッチと、前記各半導体スイッチを制御する制御
手段と、前記各バッファーアンプの出力を加算する加算
手段とを有し、前記制御手段は前記各半導体スイッチの
導通、非導通を制御して、前記加算手段に対して前記い
ずれか一方のバッファーアンプの信号と、前記両バッフ
ァーアンプの信号を切り換えて出力させるようにしたも
のである。
【０００９】本出願に係る発明の目的を実現する第２の
構成は、上記した第１の構成において、前記切換え手段
は、前記各コンデンサの容量と前記各バッファーアンプ
の入力インピーダンスで時定数が決定されるようにした
ものである。
構成は、上記した第１の構成において、前記切換え手段
は、前記各コンデンサの容量と前記各バッファーアンプ
の入力インピーダンスで時定数が決定されるようにした
ものである。
【００１０】本出願に係る発明の目的を実現する第３の
構成は、上記した第１または第２の構成において、少な
くとも前記切換え手段はＩＣチップ内に組み込まれてい
るものである。
構成は、上記した第１または第２の構成において、少な
くとも前記切換え手段はＩＣチップ内に組み込まれてい
るものである。
【００１１】
（第１の実施の形態）図１は本発明による測距装置の第
１の実施の形態を示す。同図において、１は被写体から
の反射光の結像位置に応じた信号を第１の電極と第２の
電極より出力する公知のＰＳＤ、２は前記ＰＳＤ１の第
１の電極１ａからの出力電流ＩA を電流／電圧変換する
ための第１Ｉ／Ｖ変換アンプ、３は前記ＰＳＤ１の第２
の電極１ｂからの出力電流ＩB を電流−電圧変換するた
めの第２のＩ／Ｖ変換アンプである。４および５は、Ｐ
ＳＤ１の出力電流に含まれる外光（例えば、太陽光など
の直流光）をカットするためのＤＣカットコンデンサで
ある。
１の実施の形態を示す。同図において、１は被写体から
の反射光の結像位置に応じた信号を第１の電極と第２の
電極より出力する公知のＰＳＤ、２は前記ＰＳＤ１の第
１の電極１ａからの出力電流ＩA を電流／電圧変換する
ための第１Ｉ／Ｖ変換アンプ、３は前記ＰＳＤ１の第２
の電極１ｂからの出力電流ＩB を電流−電圧変換するた
めの第２のＩ／Ｖ変換アンプである。４および５は、Ｐ
ＳＤ１の出力電流に含まれる外光（例えば、太陽光など
の直流光）をカットするためのＤＣカットコンデンサで
ある。
【００１２】６および７は第１、第２半導体スイッチ
で、一端をコンデンサ４，５にそれぞれ接続し、他端を
基準電圧Ｖc に接続されており、信号ＡおよびＢによっ
て制御される。８はコンデンサ４によりＤＣカットされ
た信号が入力される第１バッファーアンプ、９はコンデ
ンサ５によりＤＣカットされた信号が入力される第２バ
ッファーアンプである。
で、一端をコンデンサ４，５にそれぞれ接続し、他端を
基準電圧Ｖc に接続されており、信号ＡおよびＢによっ
て制御される。８はコンデンサ４によりＤＣカットされ
た信号が入力される第１バッファーアンプ、９はコンデ
ンサ５によりＤＣカットされた信号が入力される第２バ
ッファーアンプである。
【００１３】１０は一端が第１バッファーアンプ８の出
力に接続され、他端がアンプ１２の（＋）入力に接続さ
れた抵抗、１１は一端が第２バッファアンプ９の出力に
接続され、他端がアンプ１２の（＋）入力に接続された
抵抗で、抵抗１０および１１の接続点をアンプ１２の
（＋）入力に入力することにより、前記接続点の電位
は、第１バッファーアンプ８と第２バッファーアンプ９
の出力の加算電位となる公知の加算回路を形成してい
る。
力に接続され、他端がアンプ１２の（＋）入力に接続さ
れた抵抗、１１は一端が第２バッファアンプ９の出力に
接続され、他端がアンプ１２の（＋）入力に接続された
抵抗で、抵抗１０および１１の接続点をアンプ１２の
（＋）入力に入力することにより、前記接続点の電位
は、第１バッファーアンプ８と第２バッファーアンプ９
の出力の加算電位となる公知の加算回路を形成してい
る。
【００１４】１２は抵抗１０および抵抗１１の接続点の
電位を増幅するアンプ、１３はアンプ１２の出力を反転
するゲイン１倍のアンプ、１４は一端がアンプ１２の出
力に接続され、他端が半導体スイッチ１６に接続された
抵抗、１５は一端がアンプ１３の出力に接続され、他端
が半導体スイッチ１７に接続された抵抗である。
電位を増幅するアンプ、１３はアンプ１２の出力を反転
するゲイン１倍のアンプ、１４は一端がアンプ１２の出
力に接続され、他端が半導体スイッチ１６に接続された
抵抗、１５は一端がアンプ１３の出力に接続され、他端
が半導体スイッチ１７に接続された抵抗である。
【００１５】１６は抵抗１４と積分アンプ１８の（−）
入力とを接続する半導体スイッチであり、信号ＳＰＬで
制御される。１７は抵抗１５と積分アンプ１８の（−）
入力とを接続する半導体スイッチであり、前記信号ＳＰ
Ｌと反転した反転信号（バー）ＳＰＬにより制御され
る。１８はアンプ１２およびアンプ１３の出力を積分す
る公知の積分アンプ、１９は（−）入力端子が積分アン
プ１８に、（＋）入力が基準電圧Ｖc に接続され、その
出力が抵抗Ｒ7 及び半導体スイッチ２０を介して積分ア
ンプ１８の（＋）入力に入力され、回路のオフセットを
キャンセルするための帰還アンプである。２０は積分ア
ンプ１８の（＋）入力と帰還アンプ１９の出力とを抵抗
Ｒ7 を介して接続する半導体スイッチであり、信号ＡＴ
ＺＲにより制御される。
入力とを接続する半導体スイッチであり、信号ＳＰＬで
制御される。１７は抵抗１５と積分アンプ１８の（−）
入力とを接続する半導体スイッチであり、前記信号ＳＰ
Ｌと反転した反転信号（バー）ＳＰＬにより制御され
る。１８はアンプ１２およびアンプ１３の出力を積分す
る公知の積分アンプ、１９は（−）入力端子が積分アン
プ１８に、（＋）入力が基準電圧Ｖc に接続され、その
出力が抵抗Ｒ7 及び半導体スイッチ２０を介して積分ア
ンプ１８の（＋）入力に入力され、回路のオフセットを
キャンセルするための帰還アンプである。２０は積分ア
ンプ１８の（＋）入力と帰還アンプ１９の出力とを抵抗
Ｒ7 を介して接続する半導体スイッチであり、信号ＡＴ
ＺＲにより制御される。
【００１６】２１は帰還アンプ１９により、帰還された
オフセット電圧を記憶するためのオフセット電圧記憶用
のコンデンサ、２２は（＋）入力が基準電圧Ｖc に接続
され、（−）入力が帰還アンプ１９の出力に接続され、
帰還アンプ１９の出力電圧と基準電圧を比較する電圧比
較器である。
オフセット電圧を記憶するためのオフセット電圧記憶用
のコンデンサ、２２は（＋）入力が基準電圧Ｖc に接続
され、（−）入力が帰還アンプ１９の出力に接続され、
帰還アンプ１９の出力電圧と基準電圧を比較する電圧比
較器である。
【００１７】２３は本実施の形態の測距装置を制御する
ためのシーケンスコントローラ、２４は公知のＩＲＥＤ
駆動回路、２５は被写体に向けて赤外光を投光するため
の赤外発光ダイオード（以下ＩＲＥＤと称す）である。
ためのシーケンスコントローラ、２４は公知のＩＲＥＤ
駆動回路、２５は被写体に向けて赤外光を投光するため
の赤外発光ダイオード（以下ＩＲＥＤと称す）である。
【００１８】次に図１の回路の動作説明を行なう。図示
しないカメラのレリーズスイッチが第１のストロークま
で押し込まれると、図示しないスイッチがオンし、カメ
ラは所定のバッテリーチェック等の動作を行ない、次に
測距動作を開始する。
しないカメラのレリーズスイッチが第１のストロークま
で押し込まれると、図示しないスイッチがオンし、カメ
ラは所定のバッテリーチェック等の動作を行ない、次に
測距動作を開始する。
【００１９】まず最初に、シーケンスコントローラ２３
は端子およびを“Ｈ”、端子およびを“Ｈ”、
端子を“Ｈ”にし、各端子〜から信号Ａ、信号
Ｂ、信号ＳＰＬ、信号（バー）ＳＰＬ、信号ＡＴＺＲを
出力し、所定期間が経過するのを待つ。このとき、ＩＲ
ＥＤ２５は非点灯である。この状態では、ＰＳＤ１には
外光（例えば太陽光）のみが入射しており、所定の外光
電流ＩA ，ＩB が発生している。第１Ｉ／Ｖ変換アンプ
および第２Ｉ／Ｖ変換アンプ３の出力ＶA1，ＶB1は、 ＶA1＝−Ｒ1 ×ＩA （１） ＶB1＝−Ｒ1 ×ＩB （２） となる。このとき、第１半導体スイッチ６および第２半
導体スイッチ７は信号Ａ、信号Ｂが“Ｈ”であるため、
共にオンしており、ＤＣカットコンデンサ４および５に
は、前記ＶA1およびＶB1の電荷が記憶される。また、こ
のとき第１バッファーアンプ８および第２バッファーア
ンプ９の出力電圧ＶA2，ＶB2はそれぞれ仮想接地電位に
固定されている。
は端子およびを“Ｈ”、端子およびを“Ｈ”、
端子を“Ｈ”にし、各端子〜から信号Ａ、信号
Ｂ、信号ＳＰＬ、信号（バー）ＳＰＬ、信号ＡＴＺＲを
出力し、所定期間が経過するのを待つ。このとき、ＩＲ
ＥＤ２５は非点灯である。この状態では、ＰＳＤ１には
外光（例えば太陽光）のみが入射しており、所定の外光
電流ＩA ，ＩB が発生している。第１Ｉ／Ｖ変換アンプ
および第２Ｉ／Ｖ変換アンプ３の出力ＶA1，ＶB1は、 ＶA1＝−Ｒ1 ×ＩA （１） ＶB1＝−Ｒ1 ×ＩB （２） となる。このとき、第１半導体スイッチ６および第２半
導体スイッチ７は信号Ａ、信号Ｂが“Ｈ”であるため、
共にオンしており、ＤＣカットコンデンサ４および５に
は、前記ＶA1およびＶB1の電荷が記憶される。また、こ
のとき第１バッファーアンプ８および第２バッファーア
ンプ９の出力電圧ＶA2，ＶB2はそれぞれ仮想接地電位に
固定されている。
【００２０】従って、アンプ１２の（＋）入力は、前記
仮想接地電位に固定されるため、回路的にはＤＣカット
されたことと等価となる。このとき、端子および端子
は“Ｈ”で半導体スイッチ１６がオンし半導体スイッ
チ１７がオフし、かつ端子が“Ｈ”で半導体スイッチ
２０がオンして、公知のオフセットキャンセル回路を働
かせ、信号光の積分に先立って、オフセット電圧をコン
デンサ２１に記憶しておく。
仮想接地電位に固定されるため、回路的にはＤＣカット
されたことと等価となる。このとき、端子および端子
は“Ｈ”で半導体スイッチ１６がオンし半導体スイッ
チ１７がオフし、かつ端子が“Ｈ”で半導体スイッチ
２０がオンして、公知のオフセットキャンセル回路を働
かせ、信号光の積分に先立って、オフセット電圧をコン
デンサ２１に記憶しておく。
【００２１】次に、シーケンスコントローラ２３は、端
子を“Ｌ”、端子を“Ｈ”、端子を“Ｌ”にす
る。またこのときＩＲＥＤ２５を所定の周波数で点灯す
る。このとき、端子および端子を所定の位相で、Ｉ
ＲＥＤ２５と同期させてオン／オフし、積分アンプ１８
の出力が仮想接地電位より、上昇する方向に所定時間Ｔ
積分する。この期間中は、ＰＳＤ１には、外光およびＩ
ＲＥＤ２５の被写体からの反射光、即ち信号光が入射し
ており、光電流として、ＩA ＋Ｉa ，ＩB ＋Ｉｂがそれ
ぞれの電極から発生している。ここで、ＩＡ およびＩ
B は外光による光電流、Ｉa およびＩb は反射光による
光電流である。このとき第１Ｉ／Ｖ変換アンプ２および
第２Ｉ／Ｖ変換アンプ３の出力はそれぞれ、 ＶA1＝−Ｒ1 ×（ＩA ＋Ｉa ） （３） ＶB1＝−Ｒ1 ×（ＩB ＋Ｉb ） （４） である。またこのとき、第１バッファアンプ８の（＋）
入力端子の電位は、第１半導体スイッチ６がオフであ
り、かつコンデンサ４には、Ｒ1 ×ＩA の電荷が蓄積し
ているため、（１）式および（４）式より、 −Ｒ1 ×（ＩA ＋Ｉa ）＋Ｒ1 ×ＩA ＝−Ｒ1 ×Ｉa （５） となり、信号成分Ｉa のみが入力される。第２バッファ
ーアンプ９の（＋）入力は、第２半導体スイッチ７によ
り仮想接地電位にクランプされている。従って、アンプ
１２の（＋）入力は、 −１／２×Ｒ1 ×Ｉa （６） となり、片側の信号Ｉa のみを積分できることになる。
子を“Ｌ”、端子を“Ｈ”、端子を“Ｌ”にす
る。またこのときＩＲＥＤ２５を所定の周波数で点灯す
る。このとき、端子および端子を所定の位相で、Ｉ
ＲＥＤ２５と同期させてオン／オフし、積分アンプ１８
の出力が仮想接地電位より、上昇する方向に所定時間Ｔ
積分する。この期間中は、ＰＳＤ１には、外光およびＩ
ＲＥＤ２５の被写体からの反射光、即ち信号光が入射し
ており、光電流として、ＩA ＋Ｉa ，ＩB ＋Ｉｂがそれ
ぞれの電極から発生している。ここで、ＩＡ およびＩ
B は外光による光電流、Ｉa およびＩb は反射光による
光電流である。このとき第１Ｉ／Ｖ変換アンプ２および
第２Ｉ／Ｖ変換アンプ３の出力はそれぞれ、 ＶA1＝−Ｒ1 ×（ＩA ＋Ｉa ） （３） ＶB1＝−Ｒ1 ×（ＩB ＋Ｉb ） （４） である。またこのとき、第１バッファアンプ８の（＋）
入力端子の電位は、第１半導体スイッチ６がオフであ
り、かつコンデンサ４には、Ｒ1 ×ＩA の電荷が蓄積し
ているため、（１）式および（４）式より、 −Ｒ1 ×（ＩA ＋Ｉa ）＋Ｒ1 ×ＩA ＝−Ｒ1 ×Ｉa （５） となり、信号成分Ｉa のみが入力される。第２バッファ
ーアンプ９の（＋）入力は、第２半導体スイッチ７によ
り仮想接地電位にクランプされている。従って、アンプ
１２の（＋）入力は、 −１／２×Ｒ1 ×Ｉa （６） となり、片側の信号Ｉa のみを積分できることになる。
【００２２】次に、端子および端子を両方とも
“Ｌ”にしてかつ端子、端子の位相を反転し、下降
方向に同じ電荷量だけ積分し、その放電時間ｔを測定す
れば、 ｔ／Ｔ＝Ｉa ／（Ｉa ＋Ｉb ） （７） という結果が得られる。また、第１半導体スイッチ６お
よび第２半導体スイッチ７の両方をオフすることによ
り、第１バッファーアンプ８および第２バッファーアン
プ９の出力電圧は、それぞれ、 ＶA2＝−Ｒ1 ×Ｉa （８） ＶB2＝−Ｒ1 ×Ｉa （９） となり、アンプ１２の（＋）入力は、 −１／２×Ｒ1 ×（Ｉa ＋Ｉb ） （１０） となり、両電極の加算出力が積分できる。
“Ｌ”にしてかつ端子、端子の位相を反転し、下降
方向に同じ電荷量だけ積分し、その放電時間ｔを測定す
れば、 ｔ／Ｔ＝Ｉa ／（Ｉa ＋Ｉb ） （７） という結果が得られる。また、第１半導体スイッチ６お
よび第２半導体スイッチ７の両方をオフすることによ
り、第１バッファーアンプ８および第２バッファーアン
プ９の出力電圧は、それぞれ、 ＶA2＝−Ｒ1 ×Ｉa （８） ＶB2＝−Ｒ1 ×Ｉa （９） となり、アンプ１２の（＋）入力は、 −１／２×Ｒ1 ×（Ｉa ＋Ｉb ） （１０） となり、両電極の加算出力が積分できる。
【００２３】また本回路の構成上、第１、第２バッファ
ーアンプ８，９の入力インピーダンスとＤＣカットコン
デンサ４，５の容量で時定数が決定されるため、入力イ
ンピーダンスを非常に大きくすることが可能なので、コ
ンデンサ４，５の容量は、小さくて済み、ＩＣに内蔵が
可能である。
ーアンプ８，９の入力インピーダンスとＤＣカットコン
デンサ４，５の容量で時定数が決定されるため、入力イ
ンピーダンスを非常に大きくすることが可能なので、コ
ンデンサ４，５の容量は、小さくて済み、ＩＣに内蔵が
可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜３に係
る発明によれば、電圧変換手段とバッファーアンプとの
間に接続されたコンデンサのバッファー側に接続された
スイッチをオンして直流成分を記憶し、ＤＣカットを行
う公知の回路を利用して位置検出手段の電流の切り換え
を行う様にしたので、測距精度に影響を与えることがな
く、かつ外付けコンデンサ等の部品を廃止できてＩＣ化
が実現でき、コストダウンが可能である。
る発明によれば、電圧変換手段とバッファーアンプとの
間に接続されたコンデンサのバッファー側に接続された
スイッチをオンして直流成分を記憶し、ＤＣカットを行
う公知の回路を利用して位置検出手段の電流の切り換え
を行う様にしたので、測距精度に影響を与えることがな
く、かつ外付けコンデンサ等の部品を廃止できてＩＣ化
が実現でき、コストダウンが可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す回路図。
【図２】第１の従来例を示す回路図。
【図３】第２の従来例を示す回路図。
１…ＰＳＤ ２，３…Ｉ／Ｖ変換アンプ ４，５…コンデンサ ６，７…半導体スイッチ ８，９…バッファーアンプ １０，１１…抵抗 １２…アンプ １３…反転アンプ １４，１５…抵抗 １６，１７…半導体スイッチ １８…積分アンプ １９…帰還アンプ ２０…半導体スイッチ ２１…オフセット記憶コンデンサ ２２…電圧比較器 ２３…シーケンスコントローラ ２４…ＩＲＥＤ駆動回路 ２５…ＩＲＥＤ ２６…Ｉ／Ｖ変換アンプ ２７，２８…半導体スイッチ
Claims (3)
- 【請求項１】 被測定対象で反射した投光手段からの反
射光が結像し、結像位置に応じた信号を第１の電極と第
２の電極より出力する位置検出手段と、前記第１の電極
および第２の電極からの電流をそれぞれ電圧に変換する
変換手段と、前記いずれか一方の変換手段の電圧信号と
前記両変換手段からの電圧信号とを切換えて出力する切
換え手段と、前記切換え手段で切換えられた２つの電圧
信号の比に基づいて測距結果を出力する比較演算部とを
有する測距装置において、 前記切換え手段は、前記各変換手段の出力をそれぞれコ
ンデンサを介して入力されるバッファーアンプと、前記
各コンデンサと前記各バッファーアンプとの接続をそれ
ぞれ制御する半導体スイッチと、前記各半導体スイッチ
を制御する制御手段と、前記各バッファーアンプの出力
を加算する加算手段とを有し、前記制御手段は前記各半
導体スイッチの導通、非導通を制御して、前記加算手段
に対して前記いずれか一方のバッファーアンプの信号
と、前記両バッファーアンプの信号を切り換えて出力さ
せることを特徴とする測距装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記切換え手段は、
前記各コンデンサの容量と前記各バッファーアンプの入
力インピーダンスで時定数が決定されることを特徴とす
る測距装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、少なくとも
前記切換え手段はＩＣチップ内に組み込まれていること
を特徴とする測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531997A JP3768635B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531997A JP3768635B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 測距装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239048A true JPH10239048A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3768635B2 JP3768635B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=12715993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4531997A Expired - Fee Related JP3768635B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3768635B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102620756A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-08-01 | 天津大学 | 一种基于调制激光的psd信号单通道处理方法及处理电路 |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP4531997A patent/JP3768635B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102620756A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-08-01 | 天津大学 | 一种基于调制激光的psd信号单通道处理方法及处理电路 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3768635B2 (ja) | 2006-04-19 |
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