JPH10233436A - Electrostatic chuck - Google Patents
Electrostatic chuckInfo
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- JPH10233436A JPH10233436A JP4858697A JP4858697A JPH10233436A JP H10233436 A JPH10233436 A JP H10233436A JP 4858697 A JP4858697 A JP 4858697A JP 4858697 A JP4858697 A JP 4858697A JP H10233436 A JPH10233436 A JP H10233436A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
においてシリコンウェハ等を固定及び加熱するために用
いる静電チャックに関する。特には、加熱機構の構造が
シンプルで、ウェハ等を加熱する際の熱的応答性が改善
された静電チャックに関する。The present invention relates to an electrostatic chuck used for fixing and heating a silicon wafer or the like in a semiconductor manufacturing apparatus or the like. In particular, the present invention relates to an electrostatic chuck having a simple structure of a heating mechanism and having improved thermal responsiveness when heating a wafer or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来においては、静電チャックを加熱す
る場合、静電チャックの下にヒーターを設置する、
静電チャックの内部に吸着用電極とは別途にヒーター回
路を埋設する、といった手段がとられていた。2. Description of the Related Art Conventionally, when heating an electrostatic chuck, a heater is installed under the electrostatic chuck.
Means have been taken to embed a heater circuit inside the electrostatic chuck separately from the suction electrode.
【０００３】図６は、従来の上記の方式の静電チャッ
クの構造を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a conventional electrostatic chuck of the above-mentioned type.
【０００４】静電チャックＡは円板状の基盤１０１上に
電極膜１０２及び誘電体層１０３を積層してなり、基盤
１０１を貫通する棒状端子１０２ａにスイッチ（図示さ
れず）を介して電源（図示されず）の正極端子を接続し
て半導体ウェハ１０６を吸着保持せしめる。ここで基盤
１０１はセラミックス層１０１ａ、１０１ｂからなり、
これらセラミックス層の間にパターン形状を有する発熱
抵抗膜１０７が形成されている。この発熱抵抗膜１０７
の両端部１０７ａ、１０７ａには、セラミックス層１０
１ａを貫通する２本の端子１０７ｂ、１０７ｂが設けら
れ、該端子１０７ｂ、１０７ｂにスイッチ（図示され
ず）を介して電源（図示されず）が接続される。The electrostatic chuck A is formed by laminating an electrode film 102 and a dielectric layer 103 on a disk-shaped substrate 101, and a power supply (not shown) is connected to a rod-like terminal 102a penetrating the substrate 101 via a switch (not shown). The semiconductor wafer 106 is sucked and held by connecting a positive electrode terminal (not shown). Here, the base 101 is composed of ceramic layers 101a and 101b,
A heating resistance film 107 having a pattern shape is formed between these ceramic layers. This heating resistance film 107
The ceramic layer 10 is provided on both ends 107a, 107a of the
Two terminals 107b, 107b penetrating 1a are provided, and a power supply (not shown) is connected to the terminals 107b, 107b via a switch (not shown).
【０００５】かかる静電チャックはセラミックス層１０
１ａ、１０１ｂからなるセラミックスグリーンシートの
いずれか一方の表面に、ペースト状にした発熱抵抗材料
を印刷し、これらセラミックスグリーンシートの上に、
電極材料を印刷した誘電体膜１０３となるセラミックス
グリーンシートを熱圧着して順次積層した後焼成するこ
とによって製作する。こうして基盤１０１内に加熱源と
なるべき発熱抵抗膜１０７を形成することにより、静電
チャック本体をウェハ１０６の加熱装置としても使用で
きる。[0005] Such an electrostatic chuck has a ceramic layer 10
A paste-like heating resistance material is printed on one of the surfaces of the ceramic green sheets 1a and 101b.
It is manufactured by thermocompression bonding and sequentially laminating ceramic green sheets to become the dielectric film 103 on which the electrode material is printed, followed by firing. By forming the heating resistance film 107 to be a heating source in the base 101 in this manner, the electrostatic chuck body can be used as a heating device for the wafer 106.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の静電チャ
ックには次のような問題点があった。 静電チャックの下にヒーターを設置する場合、静電
チャックとヒーターが分離しているため、加熱特性の遅
れが大きいことや、静電チャックとの固定方法等で問題
があった。 静電チャックの内部に吸着用電極とは別途のヒータ
ー回路を埋設する場合、静電チャックの内部に、シリコ
ンウェハ吸着用のＤＣ電源を接続するための電極と、ヒ
ーター回路のための電気回路が、各々絶縁されて独立し
て埋設されていた。このため複数の電極又は電気回路を
静電チャックに配置することとなり、構造上問題も多か
った。The above-mentioned conventional electrostatic chuck has the following problems. When the heater is installed below the electrostatic chuck, there are problems in that the electrostatic chuck and the heater are separated, so that a delay in heating characteristics is large, and a method of fixing the heater to the electrostatic chuck, and the like. When a heater circuit separate from the chucking electrode is embedded inside the electrostatic chuck, an electrode for connecting a DC power supply for silicon wafer suction and an electric circuit for the heater circuit are provided inside the electrostatic chuck. , Each of which was insulated and buried independently. For this reason, a plurality of electrodes or electric circuits are arranged on the electrostatic chuck, and there are many structural problems.
【０００７】本発明は、半導体製造装置等においてシリ
コンウェハ等を固定及び加熱するために用いる静電チャ
ックであって、加熱機構の構造がシンプルで、熱的応答
性の改善された静電チャックを提供することを目的とす
る。The present invention relates to an electrostatic chuck used for fixing and heating a silicon wafer or the like in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, wherein the electrostatic chuck has a simple heating mechanism and improved thermal responsiveness. The purpose is to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の静電チャックは、基盤と、基盤上面にパタ
ーンをなして広がる電極と、電極を覆う誘電層と、を備
える静電チャックであって； 該電極が静電吸着用とヒ
ーター用とを兼ねることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, an electrostatic chuck according to the present invention comprises a substrate, an electrode extending in a pattern on the upper surface of the substrate, and a dielectric layer covering the electrode. Characterized in that the electrode serves both for electrostatic attraction and for a heater.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の１態様の静電チャック
は、基盤と、基盤上面にパターンをなして広がる電極
と、電極を覆う誘電層と、を備える静電チャックであっ
て； 電極に吸着電位を与える静電吸着用電源と、 さ
らにヒーター用電源を有し、 上記電極パターンが該ヒ
ーター用電源と閉じた回路を構成し、この回路に対し
て、上記静電吸着用電源が接続されていることを特徴と
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An electrostatic chuck according to one aspect of the present invention is an electrostatic chuck including a base, electrodes extending in a pattern on the upper surface of the base, and a dielectric layer covering the electrodes. A power supply for electrostatic attraction to provide an attraction potential; and a power supply for a heater, wherein the electrode pattern forms a closed circuit with the power supply for the heater, and the power supply for electrostatic attraction is connected to this circuit. It is characterized by having.
【００１０】本発明においては、上記電極パターンを線
状の電極（電極線）から形成し、該電極線の両端に各々
外部の電源との電気的接続用端子を取り付けることとが
できる。In the present invention, the electrode pattern can be formed from linear electrodes (electrode lines), and terminals for electrical connection to an external power source can be attached to both ends of the electrode lines.
【００１１】また、上記静電吸着用電源を直流電源と
し、上記ヒーター用電源を交流電源とすることができ
る。この場合、上記電極パターンとヒーター用電源とが
構成する閉じた回路に対して、上記静電吸着用電源が、
交流ヒーター用電源の電流をカットするローパスフィル
タを介して接続されていることが好ましい。The power supply for electrostatic attraction may be a DC power supply, and the power supply for the heater may be an AC power supply. In this case, for the closed circuit formed by the electrode pattern and the heater power supply, the electrostatic chuck power supply is
It is preferable to be connected via a low-pass filter that cuts off the current of the AC heater power supply.
【００１２】以下図面を参照しつつ具体的に説明する。
図１は、本発明の１実施例に係る静電チャックの構造を
模式的に示す図である。（Ａ）は静電チャック本体を平
面図的に示し、（Ｂ）は静電チャック本体を断面図的に
示している。静電チャック１は、基盤６と、この基盤６
上にパターン化されて形成されている一対の電極５ａ、
５ｂと、この電極５ａ、５ｂを覆う誘電層４を備える。
誘電層４の上表面は平滑な吸着面となっており、ここに
ワーク（ウェハ等）を吸着して保持する。Hereinafter, a specific description will be given with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention. (A) is a plan view of the electrostatic chuck main body, and (B) is a sectional view of the electrostatic chuck main body. The electrostatic chuck 1 includes a base 6 and the base 6
A pair of electrodes 5a, which are patterned and formed on
5b and a dielectric layer 4 covering the electrodes 5a and 5b.
The upper surface of the dielectric layer 4 is a smooth suction surface, and sucks and holds a work (a wafer or the like).
【００１３】静電チャック本体３の電極５ａ、５ｂは線
状にあるパターンをなしており、左右一対に分かれてい
る。各電極パターン５ａ、５ｂには、外部の電源接続用
の端子７ａ１、７ａ２、７ｂ１、７ｂ２が取り付けられ
ている。これらの端子には、交流電源（ヒーター用電
源）９ａ、９ｂが接続されており、それぞれ閉回路１１
ａ、１１ｂを構成している。ここで各電極パターン５
ａ、５ｂの抵抗は数Ω程度であり、交流電源９ａ、９ｂ
の電圧は１０Ｖ程度、周波数は５０〜６０Hz程度とし適
宜出力を調節できるようにした。なお、交流電源９は、
絶縁トランス等を使用して、グランドに対し電気的に浮
かせて使用する。The electrodes 5a and 5b of the electrostatic chuck main body 3 form a linear pattern, and are divided into a pair of right and left. Terminals 7a1, 7a2, 7b1, 7b2 for connecting an external power supply are attached to the respective electrode patterns 5a, 5b. These terminals are connected to AC power supplies (power supplies for heaters) 9a and 9b, respectively.
a and 11b. Here, each electrode pattern 5
a, 5b have a resistance of about several ohms, and AC power supplies 9a, 9b
The voltage was about 10 V and the frequency was about 50-60 Hz, so that the output could be adjusted appropriately. The AC power supply 9
Use an insulating transformer or the like to float electrically to the ground.
【００１４】閉回路１１ａ、１１ｂには、それぞれ接続
線１３ａ、１３ｂ及びローパスフィルタ１５ａ、１５ｂ
を介して、直流高圧電源１７ａ、１７ｂが、互いに逆の
極性で接続されている。これらの電源１７ａ、１７ｂの
電圧は数百ボルト程度が一般的である。ローパスフィル
タ１５ａ、１５ｂは、ヒーター用電源の交流電源の周波
数をカットするものである。このローパスフィルタ１５
ａ、１５ｂがなくとも通常は支障はないが、直流電源側
の回路に悪影響のないようにローパスフィルタを取り付
けることが好ましい。The closed circuits 11a and 11b have connection lines 13a and 13b and low-pass filters 15a and 15b, respectively.
, DC high-voltage power supplies 17a and 17b are connected with polarities opposite to each other. The voltage of these power supplies 17a and 17b is generally several hundred volts. The low-pass filters 15a and 15b cut the frequency of the AC power supply of the heater power supply. This low-pass filter 15
Usually, there is no problem even if there is no a or 15b, but it is preferable to attach a low-pass filter so as not to adversely affect the circuit on the DC power supply side.
【００１５】このようにすることにより、静電チャック
１の内部の電極５は、その閉じた回路１１に接続された
交流電源９によってジュール発熱する。さらに各々の静
電チャックの内部電極５は、極性の異なるＤＣ高圧電源
１７ａ、１７ｂを接続しているため、シリコンウェハと
静電チャックの内部電極の間にＤＣ電位差が保たれその
結果シリコンウェハは吸着される。すなわち静電チャッ
クの内部には１層の電極パターンのみで十分であり、従
来のような吸着用の内部電極及びヒーター用の電気回路
と２層の電気回路は不必要となり、構造が簡単になる。
なお、本発明に用いるべき静電チャックの内部電極は一
般に線状が望ましく抵抗を１００Ω以下とすることが望
ましい。その理由は内部電極の抵抗が大きいとヒーター
用電源の電圧がＤＣ高圧電源の電位差に対して相対的に
大きくなり、シリコンウェハの吸着に影響を与えるよう
になるからである。By doing so, the electrode 5 inside the electrostatic chuck 1 generates Joule heat by the AC power supply 9 connected to the closed circuit 11. Further, since the internal electrodes 5 of each electrostatic chuck are connected to DC high-voltage power supplies 17a and 17b having different polarities, a DC potential difference is maintained between the silicon wafer and the internal electrodes of the electrostatic chuck. Adsorbed. That is, only one layer of electrode pattern is sufficient inside the electrostatic chuck, and the conventional two-layer electric circuit and the internal electrode for suction and the electric circuit for the heater are unnecessary, and the structure is simplified. .
The internal electrodes of the electrostatic chuck to be used in the present invention are generally preferably linear and have a resistance of preferably 100Ω or less. The reason for this is that if the resistance of the internal electrode is large, the voltage of the heater power supply becomes relatively large with respect to the potential difference of the DC high-voltage power supply, which affects the adsorption of the silicon wafer.
【００１６】図２、３、４は、本発明の１実施例に係る
静電チャックの電極パターン例を示す平面図である。図
２の電極パターン５ａ、５ｂは、左右に２分割されてお
り、端子７ａ１−７ａ２、７ｂ１−７ｂ２間のヒーター
回路が並列になっている。図３の電極パターンも、左右
に２分割されているが、端子７ａ１−７ａ２、７ｂ１−
７ｂ２間のヒーター回路は直列となっている。図４の電
極パターンは、２組の線状電極がくし歯状に入り組んで
配列されている。FIGS. 2, 3, and 4 are plan views showing examples of electrode patterns of the electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention. The electrode patterns 5a and 5b in FIG. 2 are divided into two right and left, and heater circuits between the terminals 7a1-7a2 and 7b1-7b2 are arranged in parallel. Although the electrode pattern of FIG. 3 is also divided into two parts on the left and right, the terminals 7a1-7a2, 7b1-
The heater circuit between 7b2 is in series. In the electrode pattern of FIG. 4, two sets of linear electrodes are interdigitated and arranged.
【００１７】[0017]
【実施例】静電チャック本体３は、構造上の信頼性を確
保するために基盤６と誘電層４の材質を同じにすること
が望ましい。本実施例では、誘電層及び基盤に、酸化ア
ルミニウム、酸化クロム、酸化チタンを添加し体積抵抗
率を１０8 乃至１０14Ωcmとした材料を用いた。誘電層
の厚さは５００μm 、静電チャックの吸着面の表面粗さ
はＲａ＝２μm であった。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the electrostatic chuck body 3, it is desirable that the material of the substrate 6 and the material of the dielectric layer 4 be the same in order to secure structural reliability. In this embodiment, a material having a volume resistivity of 10 8 to 10 14 Ωcm by adding aluminum oxide, chromium oxide, and titanium oxide is used for the dielectric layer and the substrate. The thickness of the dielectric layer was 500 μm, and the surface roughness of the suction surface of the electrostatic chuck was Ra = 2 μm.
【００１８】体積抵抗率を１０14Ωcm以下としたのは、
ジョンセンラーベック効果により高吸着力を得ることが
できる静電チャックを構成することができ、その結果電
極が従来の面状でなくとも充分大きな吸着力を得ること
ができるようにするためである。なお、本実施例で示し
た材料は温度の上昇とともに体積抵抗率が小さくなるた
め、シリコンウェハを加熱する温度で体積抵抗率が１０
14Ωcm以下であれば充分であって必ずしも室温での体積
抵抗率が１０14Ωcm以下である必要はない。表面粗さは
Ｒａ２μm 以下であれば、本実施例の電極面積（吸着面
の約３０％）であってもウェハを充分吸着することがで
きた。The reason why the volume resistivity is set to 10 14 Ωcm or less is as follows.
This is because an electrostatic chuck capable of obtaining a high chucking force by the Johnsen-Rahbek effect can be configured, and as a result, a sufficiently high chucking force can be obtained even if the electrode is not a conventional planar shape. . The volume resistivity of the material shown in this embodiment decreases as the temperature rises.
14 Ωcm or less is sufficient, and the volume resistivity at room temperature does not necessarily need to be 10 14 Ωcm or less. If the surface roughness was Ra 2 μm or less, the wafer could be sufficiently sucked even with the electrode area of this example (about 30% of the suction surface).
【００１９】外部の電源と電極との接続は、静電チャッ
ク裏面に端子をロウ付け等で設けその端子と内部電極の
間はスルーホール加工がなされ、その中に充填されたタ
ングステン、モリブデン等の電気伝導物質を介して電気
的接続を行なっている。The connection between the external power supply and the electrode is made by brazing a terminal on the back surface of the electrostatic chuck, forming a through hole between the terminal and the internal electrode, and filling the inside with a material such as tungsten or molybdenum. Electrical connection is made via an electrically conductive material.
【００２０】図２の内部電極パターンを持つ外径２００
mmの静電チャックに、実際に図１のように電気的接続を
行った。電極の線幅１mm、厚さ５０μm とした。その静
電チャックの吸着面上にはシリコンウェハを載置した。
内部電極はタングステンを用いた。各々の内部電極の端
子間（端子７ａ１−７ａ２間、端子１０７ｂ１−７ｂ２
間）の抵抗は約２Ωであった。タングステンパターンの
体積抵抗率は約１×１０-4Ωmmであった。このときに交
流電源１及び２を各々２０Ｖに設定し、さらに直流電源
１、２を各々＋５００Ｖ、−５００Ｖに設定した。An outer diameter 200 having the internal electrode pattern of FIG.
Electrical connection was actually made to the mm electrostatic chuck as shown in FIG. The electrode had a line width of 1 mm and a thickness of 50 μm. A silicon wafer was placed on the suction surface of the electrostatic chuck.
Tungsten was used for the internal electrode. Between terminals of each internal electrode (between terminals 7a1-7a2, terminals 107b1-7b2
The resistance during the period was about 2Ω. The volume resistivity of the tungsten pattern was about 1 × 10 −4 Ωmm. At this time, the AC power supplies 1 and 2 were set to 20 V, respectively, and the DC power supplies 1 and 2 were set to +500 V and -500 V, respectively.
【００２１】その結果、シリコンウェハは静電チャック
に吸着され、かつジュール熱による発熱で静電チャック
表面上に載置されたシリコンウェハの温度は上昇した。
本実施例の静電チャックと、比較のため図６の従来の構
造の静電チャックとを用いてウェハを加熱した。図５
は、本実施例の静電チャックと比較例の静電チャックと
におけるウェハの昇温状態を示すグラフである。本実施
例の静電チャックの方が温度上昇が早く、熱的応答性が
高いことが分る。As a result, the silicon wafer was attracted to the electrostatic chuck, and the temperature of the silicon wafer mounted on the surface of the electrostatic chuck increased due to heat generated by Joule heat.
The wafer was heated using the electrostatic chuck of this example and the electrostatic chuck having the conventional structure of FIG. 6 for comparison. FIG.
7 is a graph showing a temperature rise state of a wafer in the electrostatic chuck of the present example and the electrostatic chuck of the comparative example. It can be seen that the electrostatic chuck of the present embodiment has a higher temperature rise and higher thermal responsiveness.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の手段を用いることによって、静電チャックの加熱機構
が非常に簡素化した。また静電チャックの吸着力も良く
働いて、吸着物であるシリコンウェハの熱的応答性が格
段に改善された。As is apparent from the above description, by using the means of the present invention, the heating mechanism of the electrostatic chuck is greatly simplified. Also, the chucking force of the electrostatic chuck worked well, and the thermal responsiveness of the silicon wafer, which was the chucked material, was significantly improved.
【図１】本発明の１実施例に係る静電チャックの構造を
模式的に示す図である。（Ａ）は静電チャック本体を平
面図的に示し、（Ｂ）は静電チャック本体を断面図的に
示している。FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention. (A) is a plan view of the electrostatic chuck main body, and (B) is a sectional view of the electrostatic chuck main body.
【図２】本発明の１実施例に係る静電チャックの電極パ
ターン例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of an electrode pattern of the electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の１実施例に係る静電チャックの電極パ
ターン例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an example of an electrode pattern of the electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の１実施例に係る静電チャックの電極パ
ターン例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an example of an electrode pattern of the electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention.
【図５】本実施例の静電チャックと比較例の静電チャッ
クとにおけるウェハの昇温状態を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing a temperature rise state of a wafer in the electrostatic chuck of the present embodiment and the electrostatic chuck of the comparative example.
【図６】従来の静電チャックの内部に吸着用電極とは別
途にヒーター回路を埋設する方式の静電チャックの構造
を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional electrostatic chuck in which a heater circuit is embedded separately from an attraction electrode inside an electrostatic chuck.
１ 静電チャック ３ 静電チャック
本体 ４ 誘電層 ５ 電極パターン ６ 基盤 ７ 端子 ９ 交流電源（ヒーター用電源） １１ 閉回路 １３ 接続線 １５ ローパスフ
ィルタ １７ 直流高圧電源（静電吸着用電源）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrostatic chuck 3 Electrostatic chuck main body 4 Dielectric layer 5 Electrode pattern 6 Base 7 Terminal 9 AC power supply (power supply for heater) 11 Closed circuit 13 Connection line 15 Low-pass filter 17 DC high voltage power supply (Power supply for electrostatic adsorption)
Claims (5)
がる電極と、電極を覆う誘電層と、を備える静電チャッ
クであって；該電極が静電吸着用とヒーター用とを兼ね
ることを特徴とする静電チャック。1. An electrostatic chuck comprising: a base; electrodes extending in a pattern on the upper surface of the base; and a dielectric layer covering the electrodes; wherein the electrodes serve both as an electrostatic chuck and as a heater. Characteristic electrostatic chuck.
がる電極と、電極を覆う誘電層と、を備える静電チャッ
クであって；電極に吸着電位を与える静電吸着用電源
と、 さらにヒーター用電源を有し、 上記電極パターンが該ヒーター用電源と閉じた回路を構
成し、この回路に対して、上記静電吸着用電源が接続さ
れていることを特徴とする静電チャック。2. An electrostatic chuck comprising: a base; electrodes extending in a pattern on the upper surface of the base; and a dielectric layer covering the electrodes; an electrostatic power supply for applying a suction potential to the electrodes; and a heater. An electrostatic chuck having a power supply for the heater, wherein the electrode pattern forms a closed circuit with the power supply for the heater, and the power supply for electrostatic attraction is connected to the circuit.
線）から形成されており、該電極線の両端に各々外部の
電源との電気的接続用端子が取り付けられていることを
特徴とする請求項２記載の静電チャック。3. The method according to claim 1, wherein the electrode pattern is formed of a linear electrode (electrode line), and terminals for electrical connection to an external power source are attached to both ends of the electrode line. The electrostatic chuck according to claim 2.
上記ヒーター用電源が交流電源であることを特徴とする
請求項２又は３記載の静電チャック。4. The power supply for electrostatic attraction is a DC power supply,
4. The electrostatic chuck according to claim 2, wherein the power supply for the heater is an AC power supply.
構成する閉じた回路に対して、上記静電吸着用電源が、
交流ヒーター用電源の電流をカットするローパスフィル
タを介して接続されていることを特徴とする請求項４記
載の静電チャック。5. A closed circuit formed by the electrode pattern and a power supply for a heater, wherein the power supply for electrostatic attraction is:
The electrostatic chuck according to claim 4, wherein the electrostatic chuck is connected via a low-pass filter that cuts off a current of a power supply for an AC heater.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4858697A JPH10233436A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4858697A JPH10233436A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Electrostatic chuck |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007034263A Division JP2007150351A (en) | 2007-02-15 | 2007-02-15 | Electrostatic chuck |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233436A true JPH10233436A (en) | 1998-09-02 |
Family
ID=12807514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4858697A Pending JPH10233436A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Electrostatic chuck |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233436A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060411 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060612 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070215 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |